JP2009026993A - Substrate treatment system - Google Patents
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
本発明は、基板処理システムに関し、例えば、半導体集積回路装置(以下、ICという。)の製造工場において、半導体素子を含む集積回路が作り込まれる半導体ウエハ(以下、ウエハという。)に金属膜や絶縁膜および半導体膜を形成する基板処理装置群を管理するのに利用して有効なものに関する。 The present invention relates to a substrate processing system. For example, in a semiconductor integrated circuit device (hereinafter referred to as IC) manufacturing factory, a metal film or a semiconductor film (hereinafter referred to as a wafer) on which an integrated circuit including a semiconductor element is manufactured. The present invention relates to an effective one used for managing a substrate processing apparatus group for forming an insulating film and a semiconductor film.
高度に進んだICの製造工場においては、100台以上の基板処理装置が工場内のフロアに設置されており、これらの基板処理装置はいずれもコンピュータによってそれぞれ制御されるように構成されている。
さらに、これらの基板処理装置の運用は有機的かつ効率的に管理する必要があるので、これらの基板処理装置のコントローラをコンピュータによって構築された群管理装置にネットワークによってそれぞれ接続してなる基板処理システムにより、基板処理装置群を統括的に群管理することが、一般的に行われている。
In a highly advanced IC manufacturing factory, 100 or more substrate processing apparatuses are installed on a floor in the factory, and each of these substrate processing apparatuses is configured to be controlled by a computer.
Furthermore, since the operation of these substrate processing apparatuses needs to be managed organically and efficiently, a substrate processing system in which the controllers of these substrate processing apparatuses are respectively connected to a group management apparatus constructed by a computer via a network. Thus, the group management of the substrate processing apparatus group is generally performed.
一方、基板処理システムとしては、生産情報(イベントデータ)ファイルを保存する生産情報ファイルフォルダとは別に、トレースデータファイルを保存するトレースデータファイルフォルダを備えており、例えば、処理済みのウエハに異常が発見された時に、トレースデータファイルを開いて異常発生原因を追求することが行なわれていた。 On the other hand, the substrate processing system includes a trace data file folder for storing a trace data file in addition to a production information file folder for storing a production information (event data) file. When it was discovered, the trace data file was opened to investigate the cause of the abnormality.
例えば、トレースデータをトレースデータファイルから切り出す方法としては、次の二つの方法がある。しかし、それぞれに次のような問題点がある。
(1)一つは、トレースデータを直接調べ、開始時間と終了時間をオペレータが手動で指定して切り出す方法である。
しかし、適切なデータ取得期間を取得するのが困難であり、かつまた、データ検索に長時間を消費するという問題点がある。
(2)もう一つは、イベントデータを基にある程度のマージン(ディレイ時間)を指定して切り出す方法である。
しかし、状況(例えば、基板処理装置個体間の特性や性能の誤差、同一の基板処理装置内の部品の消耗状態やメンテナンス状態の差)により、マージン時間が異なることがあるために、正確な期間のデータが取得できない場合があるという問題点がある。
For example, there are the following two methods for cutting out trace data from a trace data file. However, each has the following problems.
(1) One is a method in which the trace data is directly examined, and the start time and end time are manually designated by the operator and cut out.
However, there is a problem that it is difficult to acquire an appropriate data acquisition period and that a long time is consumed for data search.
(2) The other is a method of clipping by designating a certain margin (delay time) based on event data.
However, since the margin time may vary depending on the situation (for example, differences in characteristics and performance between individual substrate processing apparatuses, differences in the consumption state or maintenance state of components in the same substrate processing apparatus), the exact period There is a problem that the data of cannot be obtained.
本発明の目的は、トレースデータを良好な効率をもって適正に切り出すことができる基板処理システムを提供することにある。 An object of the present invention is to provide a substrate processing system capable of appropriately cutting out trace data with good efficiency.
前記した課題を解決するための手段のうち代表的なものは、次の通りである。
(1)基板に処理を施す基板処理装置と、複数の基板処理装置を管理する群管理装置と、前記群管理装置に接続される複数の操作端末と、によって構成される基板処理システムにおいて、
前記群管理装置は、前記基板処理装置から取得したデータを第一蓄積手段に蓄積し、前記第一蓄積手段から理論データを取得し、該理論データからチェックポイントを検出するためのデータ取得期間検出部によってデータ取得期間検出用データを生成して第二蓄積手段に蓄積しておき、
一定時間毎に前記第二蓄積手段からデータを取得して前記データ取得期間検出用データを用いて解析し、データ取得期間判明時に、サマリデータ蓄積・管理部によってサマリデータを第三蓄積手段に蓄積し、
前記操作端末は前記第三蓄積手段から前記サマリデータを取得することを特徴とする基板処理システム。
(2)基板に処理を施す基板処理装置と、複数の基板処理装置を管理する群管理装置と、によって構成される基板処理システムにおいて、
前記群管理装置は、前記基板処理装置から取得したデータを第一蓄積手段に蓄積し、前記第一蓄積手段から理論データを取得し、該理論データからチェックポイントを検出するためのデータ取得期間検出部によってデータ取得期間検出用データを生成して第二蓄積手段に蓄積しておき、
一定時間毎に前記第二蓄積手段からデータを取得して前記データ取得期間検出用データを用いて解析し、データ取得期間判明時に、サマリデータ蓄積・管理部によってサマリデータを第三蓄積手段に蓄積し、
前記操作端末は前記第三蓄積手段から前記サマリデータを取得することを特徴とする基板処理システム。
Typical means for solving the above-described problems are as follows.
(1) In a substrate processing system including a substrate processing apparatus that performs processing on a substrate, a group management apparatus that manages a plurality of substrate processing apparatuses, and a plurality of operation terminals connected to the group management apparatus,
The group management device stores data acquired from the substrate processing apparatus in a first storage unit, acquires theoretical data from the first storage unit, and detects a data acquisition period for detecting a checkpoint from the theoretical data The data generation period detection data is generated by the unit and stored in the second storage means,
Data is acquired from the second storage means at regular intervals, analyzed using the data acquisition period detection data, and summary data is stored in the third storage means by the summary data storage / management unit when the data acquisition period is known. And
The substrate processing system, wherein the operation terminal acquires the summary data from the third storage unit.
(2) In a substrate processing system including a substrate processing apparatus that processes a substrate and a group management apparatus that manages a plurality of substrate processing apparatuses,
The group management device stores data acquired from the substrate processing apparatus in a first storage unit, acquires theoretical data from the first storage unit, and detects a data acquisition period for detecting a checkpoint from the theoretical data The data generation period detection data is generated by the unit and stored in the second storage means,
Data is acquired from the second storage means at regular intervals, analyzed using the data acquisition period detection data, and summary data is stored in the third storage means by the summary data storage / management unit when the data acquisition period is known. And
The substrate processing system, wherein the operation terminal acquires the summary data from the third storage unit.
前記した(1)(2)によれば、トレースデータを良好な効率をもって適正に切り出すことができる。 According to the above (1) and (2), the trace data can be appropriately cut out with good efficiency.
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
本実施の形態において、本発明に係る基板処理システムは、ICの製造方法の所謂フロントエンドを実施するIC製造工場において、多数台の基板処理装置を群管理するものとして構成されている。
図1に示されているように、本実施の形態に係る基板処理システムは、多数台の基板処理装置M1、M2、M3・・・Mnと、各基板処理装置M1〜MnにネットワークNによってそれぞれ接続された群管理装置3を備えている。
群管理装置3はパーソナルコンピュータやメーンフレームおよびスーパーコンピュータ等から構築されている。
群管理装置3には、キーボードやマウス等によって構成された入力装置4、テレビモニタ等によって構成された表示装置5、記憶媒体駆動装置等によって構成された外部記憶装置6等が接続されている。
群管理装置3はクリーンルーム内に設置してもよいが、クリーンルーム外に設置されるのが、一般的である。
In the present embodiment, the substrate processing system according to the present invention is configured to perform group management of a large number of substrate processing apparatuses in an IC manufacturing factory that implements a so-called front end of an IC manufacturing method.
As shown in FIG. 1, the substrate processing system according to the present embodiment includes a plurality of substrate processing apparatuses M1, M2, M3... Mn, and a network N for each of the substrate processing apparatuses M1 to Mn. A connected
The
The
The
群管理装置3はGUI(グラフィカル・ユーザ・インタフエース)システム7を備えている。
GUIシステム7は表示装置5に表示された操作画面上のアイコン(機能を表す図形記号)をマウスポインタで指示してクリックしたり、カーソルで指示して決定したりして選択することにより、画面を切り替えたり、処理や命令、判断およびデータ(情報)を入力することができるようにするソフトウエア、である。
群管理装置3には本発明の特徴点としてのアプリケーションソフトウエアであるサマリデータ作成システム80が組み込まれており、サマリデータ作成システム80は後述するプログラムフローを実行するように構成されている。
The
The
The
基板処理装置M1〜Mnの具体例としては、酸化膜形成装置、レジスト塗布装置、縮小投影露光装置、現像装置、ドライエッチング装置、アッシング装置、CVD装置、不純物導入装置、拡散装置、アニール装置、スパッタリング装置等々がある。
一般的なIC製造工場であっても、これらの基板処理装置M1〜Mnを100台以上備えており、100台以上の基板処理装置がIC製造工場の建屋内のクリーンルームと呼ばれているフロアに有機的かつ合理的にレイアウトされて設置されている。
各基板処理装置M1〜Mnはそれぞれに与えられたレシピを自動的に実施するために、パーソナルコンピュータ等から構築されたコントローラを備えており、これらのコントローラが群管理装置3にネットワークNによって接続されている(図1参照)。
Specific examples of the substrate processing apparatuses M1 to Mn include an oxide film forming apparatus, a resist coating apparatus, a reduction projection exposure apparatus, a developing apparatus, a dry etching apparatus, an ashing apparatus, a CVD apparatus, an impurity introduction apparatus, a diffusion apparatus, an annealing apparatus, and sputtering. Devices, etc.
Even in a general IC manufacturing factory, 100 or more of these substrate processing apparatuses M1 to Mn are provided, and 100 or more of the substrate processing apparatuses are placed on a floor called a clean room in the building of the IC manufacturing factory. It is laid out organically and reasonably.
Each of the substrate processing apparatuses M1 to Mn includes a controller constructed from a personal computer or the like in order to automatically execute a recipe given to each of the substrate processing apparatuses M1 to Mn, and these controllers are connected to the
ここでは、基板処理装置の一例として、ウエハに酸化や拡散やCVDを施す縦形半導体製造装置(以下、処理装置という。)10を、図2〜図4について説明する。
図2および図3に示されているように、処理装置10はシリコン等からなるウエハ1を収納したウエハキャリアとして、FOUP(front opening unified pod 。以下、ポッドという。)2を使用する。
処理装置10は平面視が長方形の直方体箱形状に形成された筐体11を備えている。
筐体11の正面壁11aの正面前方部にはメンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口12が開設され、この正面メンテナンス口12を開閉する正面メンテナンス扉13が建て付けられている。
筐体11の正面壁11aにはポッド搬入搬出口15が筐体11の内外を連通するように開設されており、ポッド搬入搬出口15はフロントシャッタ16によって開閉されるようになっている。
ポッド搬入搬出口15の正面前方側にはロードポート(ポッド受渡し台)17が設置されており、ロードポート17はポッド2を載置されて位置合わせするように構成されている。
ポッド2はロードポート17上に工程内搬送装置(図示せず)によって搬入され、かつまた、ロードポート17上から搬出されるようになっている。
Here, as an example of a substrate processing apparatus, a vertical semiconductor manufacturing apparatus (hereinafter referred to as a processing apparatus) 10 that performs oxidation, diffusion, and CVD on a wafer will be described with reference to FIGS.
As shown in FIGS. 2 and 3, the
The
A front maintenance port 12 serving as an opening provided for maintenance is opened at the front front portion of the front wall 11a of the housing 11, and a
A pod loading /
A load port (pod transfer stand) 17 is installed in front of the front side of the pod loading /
The
筐体11内の前後方向の略中央部における上部には、回転式ポッド棚18が設置されており、回転式ポッド棚18は複数個のポッド2を保管するように構成されている。
すなわち、回転式ポッド棚18は垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱19と、支柱19に上下四段の各位置において放射状に支持された複数枚の棚板20とを備えており、複数枚の棚板20はポッド2を複数個宛それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。
筐体11内におけるロードポート17と回転式ポッド棚18との間には、ポッド搬送装置21が設置されている。ポッド搬送装置21は、ポッド2を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ21aと、ポッド搬送機構21bとで構成されている。
ポッド搬送装置21はポッドエレベータ21aとポッド搬送機構21bとの連続作動により、ロードポート17、回転式ポッド棚18、ポッドオープナ22との間で、ポッド2を搬送するように構成されている。
A
In other words, the
A
The
筐体11内の前後方向の略中央部における下部には、サブ筐体23が後端にわたって構築されている。
サブ筐体23の正面壁23aにはウエハ1をサブ筐体23内に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口24が一対、垂直方向に上下二段に並べられて開設されており、上下段のウエハ搬入搬出口24、24には一対のポッドオープナ22、22がそれぞれ設置されている。
ポッドオープナ22はポッド2を載置する載置台22a、22aと、ポッド2のキャップ(蓋体)を着脱するキャップ着脱機構22b、22bとを備えている。ポッドオープナ22は載置台22aに載置されたポッド2のキャップをキャップ着脱機構22bによって着脱することにより、ポッド2のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。
サブ筐体23はポッド搬送装置21や回転式ポッド棚18の設置空間から流体的に隔絶された移載室25を構成している。
移載室25の前側領域にはウエハ移載機構26が設置されており、ウエハ移載機構26は、ウエハ1を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載装置26aと、ウエハ移載装置26aを昇降させるためのウエハ移載装置エレベータ26bとで構成されている。
ウエハ移載装置エレベータ26bおよびウエハ移載装置26aの連続作動により、ウエハ移載装置26aのツイーザ26cはウエハ1の載置部としてのボート27に対してウエハ1を装填(チャージング)および脱装(ディスチャージング)する。
A
A pair of wafer loading / unloading
The
The
A
By continuous operation of the wafer transfer device elevator 26b and the wafer transfer device 26a, the tweezer 26c of the wafer transfer device 26a loads (charges) the
図2に示されているように、移載室25のウエハ移載装置エレベータ26b側と反対側である右側端部には、クリーンユニット28が設置されている。クリーンユニット28は清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア29を供給するよう供給フアンおよび防塵フィルタで構成されている。
ウエハ移載装置26aとクリーンユニット28との間には、ウエハの円周方向の位置を整合させるノッチ合わせ装置30が設置されている。
クリーンユニット28から吹き出されたクリーンエア29は、ノッチ合わせ装置30およびウエハ移載装置26aに流通された後に、図示しないダクトにより吸い込まれて、筐体11の外部に排気がなされるか、もしくはクリーンユニット28の吸い込み側である一次側(供給側)にまで循環され、移載室25内にクリーンユニット28によって再び吹き出される。
As shown in FIG. 2, a
Between the wafer transfer device 26a and the
The
移載室25の後側領域には、大気圧未満の圧力(以下、負圧という。)を維持可能な機密性能を有する筐体(以下、耐圧筐体という。)31が設置されている。耐圧筐体31によりボート27を収容可能な容積を有するロードロック方式の予備室であるロードロック室32が形成されている。
耐圧筐体31の正面壁31aにはウエハ搬入搬出開口33が開設されており、ウエハ搬入搬出開口33はゲートバルブ34によって開閉されるようになっている。耐圧筐体31の一対の側壁にはロードロック室32へ窒素ガスを給気するためのガス供給管35と、ロードロック室32を負圧に排気するための排気管36とがそれぞれ接続されている。
In the rear region of the
A wafer loading /
ロードロック室32上方には、図4に示された処理炉50が設けられている。
処理炉50の下端部は炉口ゲートバルブ37により開閉されるように構成されている。耐圧筐体31の正面壁31aの上端部には、炉口ゲートバルブ37を処理炉50の下端部の開放時に収容する炉口ゲートバルブカバー38が取り付けられている。
A
A lower end portion of the
図2に示されているように、耐圧筐体31にはボート27を昇降させるためのボートエレベータ39が設置されている。ボートエレベータ39に連結された連結具としてのアーム40には蓋体としてのシールキャップ41が水平に据え付けられており、シールキャップ41はボート27を垂直に支持し、処理炉50の下端部を閉塞可能なように構成されている。
ボート27は複数本の保持部材を備えており、複数枚(例えば、50枚〜125枚程度)のウエハ1をその中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成されている。
As shown in FIG. 2, a
The
ここで、処理装置10におけるウエハ1の流れを説明する。
図2および図3に示されているように、ポッド2がロードポート17に供給されると、ポッド搬入搬出口15がフロントシャッタ16によって開放され、ロードポート17の上のポッド2はポッド搬送装置21によって筐体11の内部へポッド搬入搬出口15から搬入される。
搬入されたポッド2は回転式ポッド棚18の指定された棚板20へポッド搬送装置21によって自動的に搬送されて受け渡され、一時的に保管される。その後、棚板20から一方のポッドオープナ22に搬送されて載置台22aに移載される。
但し、ポッド2はポッドオープナ22によって搬送されて、ロードポート17から載置台22aに直接移載される場合もある。
この際、ポッドオープナ22のウエハ搬入搬出口24はキャップ着脱機構22bによって閉じられており、移載室25にはクリーンエア29が流通され、充満されている。
例えば、移載室25にはクリーンエア29として窒素ガスが充満することにより、酸素濃度が20ppm以下と、筐体11の内部(大気雰囲気)の酸素濃度よりも遥かに低く設定されている。
Here, the flow of the
As shown in FIGS. 2 and 3, when the
The loaded
However, the
At this time, the wafer loading / unloading
For example, the
載置台22aに載置されたポッド2はその開口側端面がサブ筐体23の正面壁23aにおけるウエハ搬入搬出口24の開口縁辺部に押し付けられる。
続いて、ポッド2のキャップがキャップ着脱機構22bによって取り外され、ポッド2のウエハ出し入れ口が開放される。
予め内部が大気圧状態とされていたロードロック室32のウエハ搬入搬出開口33が、ゲートバルブ34の作動によって開放されると、ウエハ1はポッド2からウエハ移載装置26aのツイーザ26cによってウエハ出し入れ口を通じてピックアップされる。
ピックアップされたウエハ1はノッチ合わせ装置30にてノッチ合わせされた後に、ウエハ搬入搬出開口33を通じてロードロック室32に搬入され、ボート27へ移載されて装填(ウエハチャージング)される。
ボート27にウエハ1を受け渡したウエハ移載装置26aはポッド2に戻り、次のウエハ1をピックアップし、同様の作動によって、ボート27に装填する。
The opening side end surface of the
Subsequently, the cap of the
When the wafer loading / unloading opening 33 of the
The picked-up
The wafer transfer device 26a that delivered the
この一方(上段または下段)のポッドオープナ22におけるウエハ移載装置26aによるウエハのボート27への装填作業中に、他方(下段または上段)のポッドオープナ22には回転式ポッド棚18ないしロードポート17から別のポッド2がポッド搬送装置21によって搬送され、ポッドオープナ22によるポッド2の開放作業が同時進行される。
During the loading operation of the wafer into the
予め指定された枚数のウエハ1がボート27に装填されると、ウエハ搬入搬出開口33がゲートバルブ34によって閉じられ、ロードロック室32は排気管36から真空引きされることにより、減圧される。
ロードロック室32が処理炉50内の圧力と同圧に減圧されると、処理炉50の下端部が炉口ゲートバルブ37によって開放される。このとき、炉口ゲートバルブ37は炉口ゲートバルブカバー38の内部に搬入されて収容される。
続いて、シールキャップ41がボートエレベータ39によって上昇されて、シールキャップ41に支持されたボート27が処理炉50内へ搬入(ローディング)されて行く。
When a predetermined number of
When the
Subsequently, the
ボートローディング後は、処理炉50にてウエハ1に後述する処理が実施される。
処理後は、ボートエレベータ39によりボート27が搬出(ボートアンローディング)される。
次いで、ロードロック室32の内部が大気圧に復帰された後に、ゲートバルブ34が開かれる。
その後は、ノッチ合わせ装置30でのウエハのノッチ合わせステップを除き、前述とは逆の手順で、ウエハ1およびポッド2は筐体11の外部へ払出される。
After boat loading, the processing described later is performed on the
After the processing, the
Next, after the
Thereafter, the
以降、前述した作用が繰り返されてウエハ1が処理装置10によってバッチ処理されて行く。
Thereafter, the operation described above is repeated and the
以下、処理炉50を図4について説明する。
図4に示されているように、処理炉50は加熱機構としてのヒータ51を有する。ヒータ51は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース11bに支持されることにより垂直に据え付けられている。
Hereinafter, the
As shown in FIG. 4, the
ヒータ51の内側にはプロセスチューブ52がヒータ51と同心円状に配設されている。プロセスチューブ52はアウタチューブ53と、その内側に設けられたインナチューブ54とから構成されている。
アウタチューブ53は、例えば石英または炭化シリコン等の耐熱性材料からなり、内径がインナチューブ54の外径よりも大きく上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ54と同心円状に設けられている。
インナチューブ54は、例えば石英(SiO2 )または炭化シリコン(SiC)等の耐熱性材料からなり、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。インナチューブ54の筒中空部には処理室55が形成されており、ウエハ1をボート27によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。
アウタチューブ53とインナチューブ54との隙間によって筒状空間56が形成されている。
A
The
The
A
アウタチューブ53の下方にはマニホールド57が、アウタチューブ53と同心円状に配設されている。マニホールド57は、例えばステンレス等からなり、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド57はアウタチューブ53とインナチューブ54とに係合しており、これらを支持するように設けられている。
マニホールド57がサブ筐体23に支持されることによって、プロセスチューブ52は垂直に据え付けられた状態となっている。
プロセスチューブ52とマニホールド57により反応容器が形成されている。
なお、マニホールド57とアウタチューブ53との間にはシール部材としてのOリング58が設けられている。
A manifold 57 is disposed below the
Since the manifold 57 is supported by the
A reaction vessel is formed by the
An O-
マニホールド57にはガス導入部としてのノズル59が処理室55内に連通するように接続されており、ノズル59にはガス供給管60が接続されている。ガス供給管60のノズル59との接続側と反対側である上流側には、ガス流量制御器としてのMFC(マスフローコントローラ)61を介して図示しない処理ガス供給源や不活性ガス供給源が接続されている。
MFC61にはガス流量制御部62が電気配線Cによって電気的に接続されている。ガス流量制御部62は供給するガスの流量が所望の量となるよう所望のタイミングにてMFC61を制御するように構成されている。
A
A gas flow
マニホールド57には処理室55内の雰囲気を排気する排気管63が設けられている。排気管63はアウタチューブ53とインナチューブ54との隙間によって形成された筒状空間56の下端部に配置されており、筒状空間56に連通している。
排気管63のマニホールド57との接続側と反対側である下流側には、圧力検出器としての圧力センサ64および圧力調整装置65を介して真空ポンプ等の排気装置66が接続されており、処理室55内の圧力が所定の圧力(真空度)となるよう排気し得るように構成されている。
圧力調整装置65および圧力センサ64には、圧力制御部67が電気配線Bによって電気的に接続されている。圧力制御部67は圧力センサ64により検出された圧力に基づいて圧力調整装置65により処理室55内の圧力が所望の圧力となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
The manifold 57 is provided with an
An
A
マニホールド57の下方には、マニホールド57の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ41が設けられている。
シールキャップ41はマニホールド57の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ41は例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。
シールキャップ41の処理室55と反対側には、ボート27を回転させる回転機構43が設置されている。回転機構43の回転軸44はシールキャップ41を貫通して、ボート27に接続されており、ボート27を回転させることでウエハ1を回転させるように構成されている。
シールキャップ41はプロセスチューブ52の外部に垂直に設備された昇降機構としてのボートエレベータ39によって垂直方向に昇降されるように構成されており、これによりボート27を処理室55に対し搬入搬出することが可能となっている。
回転機構43およびボートエレベータ39には、駆動制御部45が電気配線Aによって電気的に接続されている。駆動制御部45は所望の作動をするよう所望のタイミングにて回転機構43およびボートエレベータ39を制御するように構成されている。
Below the manifold 57, a
The
A
The
A
基板保持具としてのボート27は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり、複数枚のウエハ1を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。
なお、ボート27の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板46が、水平姿勢で多段に複数枚配置されており、ヒータ51からの熱がマニホールド57側に伝わりにくくなるよう構成されている。
The
In addition, a plurality of
プロセスチューブ52内には温度検出器としての温度センサ68が設置されている。ヒータ51と温度センサ68には温度制御部69が、電気配線Dによって電気的に接続されている。
温度制御部69は温度センサ68により検出された温度情報に基づきヒータ51への通電具合を調整することにより、処理室55内の温度が所望の温度分布となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
A
The
駆動制御部45、ガス流量制御部62、圧力制御部67、温度制御部69は、操作部および入出力部をも構成しており、処理装置10全体を制御する主制御部70に電気的に接続されている。
これら駆動制御部45、ガス流量制御部62、圧力制御部67、温度制御部69、主制御部70はコントローラ71として構成されている。
The
These drive
次に、以上の構成に係る処理炉50を用いて、ICの製造方法の一工程として、CVD法によりウエハ上に薄膜を形成する工程を説明する。
なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の作動はコントローラ71により制御される。
Next, a process of forming a thin film on a wafer by a CVD method will be described as one process of an IC manufacturing method using the
In the following description, the operation of each part constituting the substrate processing apparatus is controlled by the
複数枚のウエハ1がボート27に装填(ウエハチャージ)されると、図4に示されているように、複数枚のウエハ1を保持したボート27は、ボートエレベータ39によって持ち上げられて処理室55に搬入(ボートローディング)される。
When a plurality of
処理室55内が排気装置66によって所望の圧力(真空度)となるように排気される。この際、処理室55内の圧力は圧力センサ64で測定され、この測定された圧力に基づき圧力調整装置65がフィードバック制御される。
また、処理室55内が所望の温度となるようにヒータ51によって加熱される。
この際、処理室55内が所望の温度分布となるように温度センサ68が検出した温度情報に基づきヒータ51への通電具合がフィードバック制御される。
続いて、ボート27が回転機構43によって回転されることにより、ウエハ1が回転される。
The processing chamber 55 is evacuated to a desired pressure (degree of vacuum) by the
Further, the processing chamber 55 is heated by the
At this time, the power supply to the
Subsequently, the
次いで、処理ガス供給源から供給され、MFC61にて所望の流量となるように制御されたガスは、ガス供給管60を流通してノズル59から処理室55内に導入される。
導入されたガスは処理室55内を上昇し、インナチューブ54の上端開口から筒状空間56に流出して排気管63から排気される。
ガスは処理室55内を通過する際にウエハ1の表面と接触し、この際に熱CVD反応によってウエハ1の表面上に薄膜が堆積(デポジション)される。
Next, the gas supplied from the processing gas supply source and controlled to have a desired flow rate by the
The introduced gas rises in the processing chamber 55, flows out from the upper end opening of the
The gas contacts the surface of the
予め設定された処理時間が経過すると、不活性ガス供給源から不活性ガスが供給され、処理室55内が不活性ガスに置換されるとともに、処理室55内の圧力が常圧に復帰される。 When a preset processing time elapses, an inert gas is supplied from an inert gas supply source, the inside of the processing chamber 55 is replaced with an inert gas, and the pressure in the processing chamber 55 is returned to normal pressure. .
その後、ボートエレベータ39によりシールキャップ41が下降されて、マニホールド57の下端が開口されるとともに、処理済ウエハ1がボート27に保持された状態でマニホールド57の下端からプロセスチューブ52の外部に搬出(ボートアンローディング)される。
その後、処理済ウエハ1はボート27より取出される(ウエハディスチャージ)。
Thereafter, the
Thereafter, the processed
以下、サマリデータ作成システム80について説明する。 Hereinafter, the summary data creation system 80 will be described.
図5に示されているように、サマリデータ作成システム80は、第一蓄積手段としての第一メモリー81と、第二蓄積手段としての第二メモリー82と、第三蓄積手段としての第三メモリー83と、データ取得期間検出部(エリア)84と、サマリデータ蓄積・管理部(エリア)85と、を備えている。
第一メモリー81は基板処理装置M1〜Mnから取得したデータを記憶する。
データ取得期間検出部84は第一メモリー81から理論データを取得し、該理論データからチェックポイントを検出するためのデータ取得期間検出用データを生成する。
第二メモリー82はデータ取得期間検出部84が生成したデータ取得期間検出用データを記憶する。
サマリデータ蓄積・管理部85は一定時間毎に第二メモリー82からデータ取得期間検出用データを取得して、データ取得期間検出用データを用いて解析し、データ取得期間判明時にサマリデータを第三メモリー83に記憶させる。
As shown in FIG. 5, the summary data creation system 80 includes a first memory 81 as the first storage means, a second memory 82 as the second storage means, and a third memory as the third storage means. 83, a data acquisition period detection unit (area) 84, and a summary data storage / management unit (area) 85.
The first memory 81 stores data acquired from the substrate processing apparatuses M1 to Mn.
The data acquisition period detection unit 84 acquires theoretical data from the first memory 81 and generates data acquisition period detection data for detecting checkpoints from the theoretical data.
The second memory 82 stores data acquisition period detection data generated by the data acquisition period detector 84.
The summary data storage / management unit 85 acquires data acquisition period detection data from the second memory 82 at regular intervals, analyzes the data acquisition period detection data, and analyzes the summary data when the data acquisition period is known. Store in the memory 83.
次に、サマリデータ作成フローを、図6について説明する。 Next, the summary data creation flow will be described with reference to FIG.
事前準備として、取得したいデータの理論データと、取得期間を判断するための基準となる基準データとを次の方法で生成し、第二メモリー82に保存する。
まず、取得したいデータの理論データを第一メモリー81から予め取得する(ステップA1)。外部記憶装置6(図1参照)に理論データが保存されている場合には、そこからインポートしてもよい。
取得したいデータの理論データとは、特定の期間における指定データの遷移を表すデータの集合のことであり、例えば、基板処理装置M1〜Mnから特定時期(基板処理装置の設置時等)に取得した初期データや、計算で理論的に求めた理想データである。
As advance preparations, theoretical data of data to be acquired and reference data serving as a reference for determining the acquisition period are generated by the following method and stored in the second memory 82.
First, theoretical data of data to be acquired is acquired in advance from the first memory 81 (step A1). If theoretical data is stored in the external storage device 6 (see FIG. 1), it may be imported from there.
The theoretical data of the data to be acquired is a set of data representing the transition of designated data in a specific period. For example, the data is acquired from the substrate processing apparatuses M1 to Mn at a specific time (when the substrate processing apparatus is installed). Initial data or ideal data obtained theoretically by calculation.
理論データからチェックポイントを検出するとともに、単位時間毎の近似線を算出する(ステップA2)。
データ取得期間検出データをチェックポイントと近似線から生成し、第二メモリー82に保存する(ステップA3)。
チェックポイントの検出は、図7に示されているように、一連のデータから特徴点を見つけることにより行なう。すなわち、データの立ち上がり時点、立ち下がり時点および平衡時間等によって、特徴点が判定される。
チェックポイントはデータ取得期間検出部84が一連のデータの特徴点を見つけることにより自動的に検出する。
近似線の算出は、理論データを予め指定された単位時間(図7参照)に分割し、各単位時間毎に近似線(直線や曲線)を求めることで行なう。単位時間は、例えば、1秒、5秒、1分のいずれでもよい。
単位時間は一つでも複数でもよい。
データ取得期間の判定精度を高めるためには、単位時間は複数が好ましい。
複数の単位時間が設定された場合には、近似線は各設定単位時間毎にそれぞれ算出されることになる。
A check point is detected from the theoretical data, and an approximate line for each unit time is calculated (step A2).
Data acquisition period detection data is generated from check points and approximate lines and stored in the second memory 82 (step A3).
As shown in FIG. 7, check points are detected by finding feature points from a series of data. That is, the feature point is determined based on the rise time, fall time, and equilibrium time of the data.
The check point is automatically detected when the data acquisition period detection unit 84 finds a feature point of a series of data.
The approximate line is calculated by dividing the theoretical data into unit times (see FIG. 7) designated in advance and obtaining an approximate line (straight line or curve) for each unit time. The unit time may be any one of 1 second, 5 seconds, and 1 minute, for example.
One or a plurality of unit times may be used.
In order to improve the determination accuracy of the data acquisition period, a plurality of unit times are preferable.
When a plurality of unit times are set, the approximate line is calculated for each set unit time.
ここで、データ取得期間検出データとしてチェックポイントだけでなく近似線を併用する理由は、次の通りである。
基板処理装置からのトレースデータはアナログ値であることにより、部品の消耗や外乱による誤差が多く介在するので、チェックポイントの比較だけでなく近似線を併用することにより、データ取得期間の検出精度を向上させている。
Here, the reason why not only checkpoints but also approximate lines are used as data acquisition period detection data is as follows.
Since the trace data from the substrate processing equipment is an analog value, there are many errors due to component wear and disturbance, so not only the checkpoint comparison but also the approximate line is used together to improve the detection accuracy of the data acquisition period. It is improving.
なお、図7は理解し易さを考慮した便宜上のデータである。
具体的なデータとしては、次のようなものが挙げられる。
(1)イベントデータの場合。
ジョブ状態、レシピ状態、キャリア状態、装置モード、プロセスステップ番号、アラート、アラーム、バルブ要求、ポート位置。
(2)トレースデータの場合。
ゾーン別温度モニタ値、配管加熱用ヒータ温度モニタ値、圧力モニタ値、ガス供給元圧モニタ値、ポンプ排気側圧モニタ値、ガス別流量モニタ値(窒素ガスや酸素ガス等)、リーク量モニタ値、バルブ別開度モニタ値。
FIG. 7 shows data for convenience in consideration of ease of understanding.
Specific data includes the following.
(1) For event data.
Job status, recipe status, carrier status, device mode, process step number, alert, alarm, valve request, port position.
(2) For trace data.
Temperature monitor value by zone, heater temperature monitor value for pipe heating, pressure monitor value, gas supply source pressure monitor value, pump exhaust side pressure monitor value, gas flow rate monitor value (nitrogen gas, oxygen gas, etc.), leak amount monitor value, Opening monitor value for each valve.
以上の事前準備後に、保存(蓄積)したい実データを取得し、期間毎にサマリデータとして、次の手順で保存する。
サマリデータとして保存したい実データを基板処理装置M1〜Mnから取得する(ステップB1)。
指定された単位時間毎に近似線(直線や曲線)を算出する(ステップB2)。
近似線の算出間隔は単位時間毎でもよいし、それよりも長くてもよい。
基準データのデータ取得期間検出データを読み込む(ステップB3)。
データ取得期間検出部84は、理論データから算出した近似線と実データから算出した近似線とを比較し(図8参照)、指定された範囲内で一致しているかを判断する(ステップB4)。
この際、データ値の絶対値の一致だけでなく変化割合等にも注目する。
全ての単位時間で一致している場合には、データ取得期間であると判断する。
理論データからチェックポイントを検出した方法と同じ方法(図7参照)で、データ取得期間であると判断された実データからチェックポイントを検出し(図8参照)、理論データのチェックポイントとの一致具合によりデータ取得期間の開始点または終了点を確定する(ステップB5)。
以上のステップB4およびステップB5で判断されたデータ取得期間のデータをサマリデータ(図9参照)として、サマリデータ蓄積・管理部85は第三メモリー83に記憶させる(ステップB6)。
After the above preparation, actual data to be stored (accumulated) is acquired and stored as summary data for each period in the following procedure.
Actual data to be stored as summary data is acquired from the substrate processing apparatuses M1 to Mn (step B1).
An approximate line (straight line or curve) is calculated for each specified unit time (step B2).
The calculation interval of the approximate line may be every unit time or may be longer than that.
The data acquisition period detection data of the reference data is read (step B3).
The data acquisition period detector 84 compares the approximate line calculated from the theoretical data with the approximate line calculated from the actual data (see FIG. 8), and determines whether they match within the designated range (step B4). .
At this time, attention is paid not only to the coincidence of the absolute values of the data values but also to the change rate.
If all unit times match, it is determined that it is a data acquisition period.
The checkpoint is detected from the actual data determined to be the data acquisition period (see Fig. 8) in the same manner as the method for detecting the checkpoint from the theoretical data (see Fig. 7), and matches the checkpoint of the theoretical data. The start point or end point of the data acquisition period is determined according to the condition (step B5).
The summary data storage / management unit 85 stores the data of the data acquisition period determined in the above steps B4 and B5 as summary data (see FIG. 9) in the third memory 83 (step B6).
外部の解析ツールからサマリデータを管理し易いように、取得したデータの属性データも併せて記憶させる。
属性データとは、検出した期間に関連する情報で、次のような項目の情報である。
該当期間に実行していたジョブ名称(コントロールジョブID、プロセスジョブID)、レシピ名称(レシピID)、処理していたウエハ(ロットID)。
In order to easily manage summary data from an external analysis tool, attribute data of the acquired data is also stored.
The attribute data is information related to the detected period, and is information on the following items.
Job name (control job ID, process job ID) executed in the corresponding period, recipe name (recipe ID), and processed wafer (lot ID).
以上ようにして作成され蓄積されたサマリデータは、例えば、ばらつきや応答速度を解析して故障を事前に検出したり、部品のメンテナンス時期を予測したり、ロット毎の不良を早期に検出して次の工程を中止したりする場合等に、活用される。 The summary data created and accumulated as described above can be used, for example, by analyzing variations and response speeds to detect failures in advance, predicting parts maintenance time, and detecting defects at each lot early. This is used when stopping the next process.
例えば、基板処理装置に異常が発生した際には、イベントデータおよびトレースデータのデータ値で通常と異なる挙動を示す。
したがって、イベントデータおよびトレースデータについてこの挙動を検出すれば、基板処理装置の異常を発見することができる。
この挙動を検出する方法としては、イベントデータおよびトレースデータと理論データとを比較する方法が、一般的に考えられる。
このとき、イベントデータおよびトレースデータ(比較先)と理論データ(比較元)との比較開始点や比較終了点を一致させる必要がある。
しかしながら、両者の比較開始点や比較終了点を一致させるには、オペレータの熟練度やマージン量等に影響されるために、人手や時間が浪費されるばかりでなく、精度が低下するという問題点がある。
For example, when an abnormality occurs in the substrate processing apparatus, the event data and the trace data have different behaviors than usual.
Therefore, if this behavior is detected for event data and trace data, an abnormality of the substrate processing apparatus can be found.
As a method of detecting this behavior, a method of comparing event data and trace data with theoretical data is generally considered.
At this time, it is necessary to match the comparison start point and comparison end point of the event data and trace data (comparison destination) with the theoretical data (comparison source).
However, in order to make the comparison start point and comparison end point coincide with each other, it is influenced by the skill level of the operator, the margin amount, etc., so that not only labor and time are wasted, but also the accuracy is lowered. There is.
本実施の形態に係るサマリデータにおいては、イベントデータおよびトレースデータ(比較先)と理論データ(比較元)との比較開始点や比較終了点が一致されて保存(蓄積)されているので、イベントデータおよびトレースデータの異常の挙動を高精度かつ高能率に検出することができ、基板処理装置の異常を発見することができる。 In the summary data according to the present embodiment, the event data and the trace data (comparison destination) and the theoretical data (comparison source) are stored (accumulated) by matching the comparison start point and comparison end point. The abnormal behavior of the data and the trace data can be detected with high accuracy and high efficiency, and the abnormality of the substrate processing apparatus can be found.
図10はサマリデータの活用の一例を示すフローチャートである。
オペレータはサマリデータ作成システム80からサマリデータを適時に読み出す(ステップC1)。
オペレータは読み出したサマリデータと判定条件とを比較して、異常の有無を診断する(ステップC2)。
オペレータは異常有りと判断した場合には対策を講ずる(ステップC3)。
対策としては、部品交換(ステップC4)、レシピ変更(ステップC5)、次工程中止(ステップ6)等がある。
FIG. 10 is a flowchart showing an example of utilization of summary data.
The operator reads the summary data from the summary data creation system 80 in a timely manner (step C1).
The operator compares the read summary data with the determination condition to diagnose the presence or absence of an abnormality (step C2).
If the operator determines that there is an abnormality, he / she takes measures (step C3).
Countermeasures include component replacement (step C4), recipe change (step C5), and next process stop (step 6).
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。 According to the embodiment, the following effects can be obtained.
(1)取得したいデータをサマリデータとして自動的に予め蓄積して管理することにより、比較したい期間のデータを正確かつ効率よく取得することができるので、データ解析や異常発生原因追求を容易に実施することができるとともに、それらの作業時間を大幅に短縮することができる。 (1) By automatically accumulating and managing the data to be acquired as summary data in advance, the data for the period to be compared can be acquired accurately and efficiently. And the work time can be greatly reduced.
(2)サマリデータの一覧を参照することにより、必要なデータ取得期間のデータを迅速に確認することができる。 (2) By referring to the summary data list, it is possible to quickly confirm the data in the necessary data acquisition period.
(3)データ解析時等において、対象となるサマリデータをサマリデータ作成システムから取得することができるので、制御システムの負荷を分散することができる。 (3) Since the target summary data can be acquired from the summary data creation system at the time of data analysis or the like, the load on the control system can be distributed.
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。 Needless to say, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention.
例えば、サマリデータ作成システムは、群管理装置(ハードウエア)に設けるに限らず、群管理装置とは別に設けてもよい。 For example, the summary data creation system is not limited to being provided in the group management device (hardware), and may be provided separately from the group management device.
群管理装置は基板処理装置群と同じフロアに設置する必要はなく、クリーンルーム外(事務所等)に設置しておくこともできる。
また、基板処理装置と同じフロアに群管理装置を設置しておき、クリーンルーム外(事務所等)に設置された操作端末(パーソナルコンピュータ等)に基板処理装置のフロアレイアウトを表示させるように構成し、サマリデータ作成システムを設けてもよい。
The group management device does not need to be installed on the same floor as the substrate processing device group, and can be installed outside the clean room (office or the like).
In addition, a group management device is installed on the same floor as the substrate processing apparatus, and the floor layout of the substrate processing apparatus is displayed on an operation terminal (such as a personal computer) installed outside the clean room (such as an office). A summary data creation system may be provided.
基板処理装置はIC製造工場の前工程で使用される酸化膜形成装置、レジスト塗布装置、縮小投影露光装置、現像装置、ドライエッチング装置、アッシング装置、CVD装置、不純物導入装置、拡散装置、アニール装置、スパッタリング装置等々に限らず、IC製造工場の後工程で使用されるウエハダイシング装置、ダイボンディング装置、ワイヤボンディング装置、樹脂封止体成形装置、リード成形装置等の基板処理装置を含んでもよい。 Substrate processing equipment includes oxide film forming equipment, resist coating equipment, reduction projection exposure equipment, development equipment, dry etching equipment, ashing equipment, CVD equipment, impurity introduction equipment, diffusion equipment, annealing equipment used in the pre-process of an IC manufacturing factory. The substrate processing apparatus is not limited to a sputtering apparatus or the like, and may include a substrate processing apparatus such as a wafer dicing apparatus, a die bonding apparatus, a wire bonding apparatus, a resin sealing body forming apparatus, and a lead forming apparatus used in a subsequent process of an IC manufacturing factory.
また、ウエハを処理する場合について説明したが、液晶パネルや磁気ディスク、光ディスク等の基板全般について適用することができる。 Further, the case of processing a wafer has been described, but the present invention can be applied to all substrates such as a liquid crystal panel, a magnetic disk, and an optical disk.
1…ウエハ、2…ポッド、
M1、M2、M3・・・Mn…基板処理装置、N…ネットワーク、
3…群管理装置、4…入力装置、5…表示装置、6…外部記憶装置、7…GUIシステム、
10…処理装置(基板処理装置)、11…筐体、11a…正面壁、11b…ヒータベース、12…正面メンテナンス口、13…正面メンテナンス扉、15…ポッド搬入搬出口、16…フロントシャッタ、17…ロードポート(ポッド受渡し台)、
18…回転式ポッド棚、19…支柱、20…棚板、
21…ポッド搬送装置、21a…ポッドエレベータ、21b…ポッド搬送機構、
22…ポッドオープナ、22a…載置台、22b…キャップ着脱機構、
23…サブ筐体、23a…正面壁、24…ウエハ搬入搬出口、25…移載室、
26…ウエハ移載機構、26a…ウエハ移載装置、26b…ウエハ移載装置エレベータ、26c…ツイーザ、27…ボート、
28…クリーンユニット、29…クリーンエア、30…ノッチ合わせ装置、
31…耐圧筐体、31a…正面壁、32…ロードロック室(予備室)、33…ウエハ搬入搬出開口、34…ゲートバルブ、35…ガス供給管、36…排気管、37…炉口ゲートバルブ、38…炉口ゲートバルブカバー、
39…ボートエレベータ、40…アーム、41…シールキャップ、43…回転機構、44…回転軸、45…駆動制御部、46…断熱板、
50…処理炉、51…ヒータ、52…プロセスチューブ、53…アウタチューブ、54…インナチューブ、55…処理室、56…筒状空間、
57…マニホールド、58…Oリング、
59…ノズル、60…ガス供給管、61…MFC(マスフローコントローラ)、62…ガス流量制御部、
63…排気管、64…圧力センサ、65…圧力調整装置、66…排気装置、67…圧力制御部、
68…温度センサ、69…温度制御部、
70…主制御部、71…コントローラ、
80…サマリデータ作成システム、81…第一メモリー(第一蓄積手段)、82…第二メモリー(第二蓄積手段)、83…第三メモリー(第三蓄積手段)、84…データ取得期間検出部、85…サマリデータ蓄積・管理部。
1 ... wafer, 2 ... pod,
M1, M2, M3 ... Mn ... substrate processing apparatus, N ... network,
3 ... group management device, 4 ... input device, 5 ... display device, 6 ... external storage device, 7 ... GUI system,
DESCRIPTION OF
18 ... Rotary pod shelf, 19 ... post, 20 ... shelf,
21 ... Pod transport device, 21a ... Pod elevator, 21b ... Pod transport mechanism,
22 ... Pod opener, 22a ... mounting table, 22b ... cap attaching / detaching mechanism,
23 ... Sub housing, 23a ... Front wall, 24 ... Wafer loading / unloading port, 25 ... Transfer chamber,
26 ... Wafer transfer mechanism, 26a ... Wafer transfer device, 26b ... Wafer transfer device elevator, 26c ... Tweezer, 27 ... Boat,
28 ... Clean unit, 29 ... Clean air, 30 ... Notch alignment device,
DESCRIPTION OF
DESCRIPTION OF
DESCRIPTION OF
57 ... Manifold, 58 ... O-ring,
59 ... Nozzle, 60 ... Gas supply pipe, 61 ... MFC (mass flow controller), 62 ... Gas flow rate controller,
63 ... exhaust pipe, 64 ... pressure sensor, 65 ... pressure adjusting device, 66 ... exhaust device, 67 ... pressure control unit,
68 ... temperature sensor, 69 ... temperature control unit,
70 ... main control unit, 71 ... controller,
80 ... summary data creation system, 81 ... first memory (first storage means), 82 ... second memory (second storage means), 83 ... third memory (third storage means), 84 ... data acquisition period detector 85: Summary data storage / management unit.
Claims (1)
前記群管理装置は、前記基板処理装置から取得したデータを第一蓄積手段に蓄積し、前記第一蓄積手段から理論データを取得し、該理論データからチェックポイントを検出するためのデータ取得期間検出部によってデータ取得期間検出用データを生成して第二蓄積手段に蓄積しておき、
一定時間毎に前記第二蓄積手段からデータを取得して前記データ取得期間検出用データを用いて解析し、データ取得期間判明時に、サマリデータ蓄積・管理部によってサマリデータを第三蓄積手段に蓄積し、
前記操作端末は前記第三蓄積手段から前記サマリデータを取得することを特徴とする基板処理システム。 In a substrate processing system configured by a substrate processing apparatus that performs processing on a substrate, a group management apparatus that manages a plurality of substrate processing apparatuses, and a plurality of operation terminals connected to the group management apparatus,
The group management device stores data acquired from the substrate processing apparatus in a first storage unit, acquires theoretical data from the first storage unit, and detects a data acquisition period for detecting a checkpoint from the theoretical data The data generation period detection data is generated by the unit and stored in the second storage means,
Data is acquired from the second storage means at regular intervals, analyzed using the data acquisition period detection data, and summary data is stored in the third storage means by the summary data storage / management unit when the data acquisition period is known. And
The substrate processing system, wherein the operation terminal acquires the summary data from the third storage unit.
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011099458A1 (en) * | 2010-02-09 | 2011-08-18 | 株式会社日立国際電気 | Substrate processing system and group management device |
CN104364888A (en) * | 2012-05-28 | 2015-02-18 | 株式会社日立国际电气 | Substrate treatment device, temperature measurement system, method for measuring temperature of treatment device, transportation device, and memory medium |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005536891A (en) * | 2002-08-20 | 2005-12-02 | 東京エレクトロン株式会社 | How to process data based on the data context |
-
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Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005536891A (en) * | 2002-08-20 | 2005-12-02 | 東京エレクトロン株式会社 | How to process data based on the data context |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011099458A1 (en) * | 2010-02-09 | 2011-08-18 | 株式会社日立国際電気 | Substrate processing system and group management device |
TWI474143B (en) * | 2010-02-09 | 2015-02-21 | Hitachi Int Electric Inc | Substrate processing system and data processing method thereof, group control device and data processing method thereof, method of manufacturing semiconductor processing apparatus, and computer-readable recording medium |
US9104196B2 (en) | 2010-02-09 | 2015-08-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing system and group managing apparatus |
CN104364888A (en) * | 2012-05-28 | 2015-02-18 | 株式会社日立国际电气 | Substrate treatment device, temperature measurement system, method for measuring temperature of treatment device, transportation device, and memory medium |
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