JP2009026993A

JP2009026993A - Substrate treatment system

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Publication number: JP2009026993A
Application number: JP2007189280A
Authority: JP
Inventors: Yasuhiro Joho; 泰宏城宝
Original assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Current assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date: 2007-07-20
Filing date: 2007-07-20
Publication date: 2009-02-05
Anticipated expiration: 2027-07-20
Also published as: JP5273961B2

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To appropriately obtain data with excellent efficiency. <P>SOLUTION: In the substrate treatment system, a group management device 3 for managing a plurality of substrate treating apparatuses M1-Mn is provided with a summary data preparation system 80. The summary data preparation system 80 stores data acquired from the substrate treating apparatuses M1-Mn in a first memory 81, acquires theoretical data from the first memory 81, generates data for data acquisition period detection by a data acquisition period detection part 84 from the theoretical data, and stores them in a second memory 82. At every fixed interval of time, the data are acquired from the second memory 82 and analyzed using the data for the data acquisition period detection and summary data are stored in a third memory 83 by a summary data storage/management part 85. An operator can acquire the summary data from the third memory 83 when analyzing the data or the like, so that the data are easily and highly accurately analyzed. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、基板処理システムに関し、例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）の製造工場において、半導体素子を含む集積回路が作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）に金属膜や絶縁膜および半導体膜を形成する基板処理装置群を管理するのに利用して有効なものに関する。 The present invention relates to a substrate processing system. For example, in a semiconductor integrated circuit device (hereinafter referred to as IC) manufacturing factory, a metal film or a semiconductor film (hereinafter referred to as a wafer) on which an integrated circuit including a semiconductor element is manufactured. The present invention relates to an effective one used for managing a substrate processing apparatus group for forming an insulating film and a semiconductor film.

高度に進んだＩＣの製造工場においては、１００台以上の基板処理装置が工場内のフロアに設置されており、これらの基板処理装置はいずれもコンピュータによってそれぞれ制御されるように構成されている。
さらに、これらの基板処理装置の運用は有機的かつ効率的に管理する必要があるので、これらの基板処理装置のコントローラをコンピュータによって構築された群管理装置にネットワークによってそれぞれ接続してなる基板処理システムにより、基板処理装置群を統括的に群管理することが、一般的に行われている。 In a highly advanced IC manufacturing factory, 100 or more substrate processing apparatuses are installed on a floor in the factory, and each of these substrate processing apparatuses is configured to be controlled by a computer.
Furthermore, since the operation of these substrate processing apparatuses needs to be managed organically and efficiently, a substrate processing system in which the controllers of these substrate processing apparatuses are respectively connected to a group management apparatus constructed by a computer via a network. Thus, the group management of the substrate processing apparatus group is generally performed.

一方、基板処理システムとしては、生産情報（イベントデータ）ファイルを保存する生産情報ファイルフォルダとは別に、トレースデータファイルを保存するトレースデータファイルフォルダを備えており、例えば、処理済みのウエハに異常が発見された時に、トレースデータファイルを開いて異常発生原因を追求することが行なわれていた。 On the other hand, the substrate processing system includes a trace data file folder for storing a trace data file in addition to a production information file folder for storing a production information (event data) file. When it was discovered, the trace data file was opened to investigate the cause of the abnormality.

例えば、トレースデータをトレースデータファイルから切り出す方法としては、次の二つの方法がある。しかし、それぞれに次のような問題点がある。
（１）一つは、トレースデータを直接調べ、開始時間と終了時間をオペレータが手動で指定して切り出す方法である。
しかし、適切なデータ取得期間を取得するのが困難であり、かつまた、データ検索に長時間を消費するという問題点がある。
（２）もう一つは、イベントデータを基にある程度のマージン（ディレイ時間）を指定して切り出す方法である。
しかし、状況（例えば、基板処理装置個体間の特性や性能の誤差、同一の基板処理装置内の部品の消耗状態やメンテナンス状態の差）により、マージン時間が異なることがあるために、正確な期間のデータが取得できない場合があるという問題点がある。 For example, there are the following two methods for cutting out trace data from a trace data file. However, each has the following problems.
(1) One is a method in which the trace data is directly examined, and the start time and end time are manually designated by the operator and cut out.
However, there is a problem that it is difficult to acquire an appropriate data acquisition period and that a long time is consumed for data search.
(2) The other is a method of clipping by designating a certain margin (delay time) based on event data.
However, since the margin time may vary depending on the situation (for example, differences in characteristics and performance between individual substrate processing apparatuses, differences in the consumption state or maintenance state of components in the same substrate processing apparatus), the exact period There is a problem that the data of cannot be obtained.

本発明の目的は、トレースデータを良好な効率をもって適正に切り出すことができる基板処理システムを提供することにある。 An object of the present invention is to provide a substrate processing system capable of appropriately cutting out trace data with good efficiency.

前記した課題を解決するための手段のうち代表的なものは、次の通りである。
（１）基板に処理を施す基板処理装置と、複数の基板処理装置を管理する群管理装置と、前記群管理装置に接続される複数の操作端末と、によって構成される基板処理システムにおいて、
前記群管理装置は、前記基板処理装置から取得したデータを第一蓄積手段に蓄積し、前記第一蓄積手段から理論データを取得し、該理論データからチェックポイントを検出するためのデータ取得期間検出部によってデータ取得期間検出用データを生成して第二蓄積手段に蓄積しておき、
一定時間毎に前記第二蓄積手段からデータを取得して前記データ取得期間検出用データを用いて解析し、データ取得期間判明時に、サマリデータ蓄積・管理部によってサマリデータを第三蓄積手段に蓄積し、
前記操作端末は前記第三蓄積手段から前記サマリデータを取得することを特徴とする基板処理システム。
（２）基板に処理を施す基板処理装置と、複数の基板処理装置を管理する群管理装置と、によって構成される基板処理システムにおいて、
前記群管理装置は、前記基板処理装置から取得したデータを第一蓄積手段に蓄積し、前記第一蓄積手段から理論データを取得し、該理論データからチェックポイントを検出するためのデータ取得期間検出部によってデータ取得期間検出用データを生成して第二蓄積手段に蓄積しておき、
一定時間毎に前記第二蓄積手段からデータを取得して前記データ取得期間検出用データを用いて解析し、データ取得期間判明時に、サマリデータ蓄積・管理部によってサマリデータを第三蓄積手段に蓄積し、
前記操作端末は前記第三蓄積手段から前記サマリデータを取得することを特徴とする基板処理システム。 Typical means for solving the above-described problems are as follows.
(1) In a substrate processing system including a substrate processing apparatus that performs processing on a substrate, a group management apparatus that manages a plurality of substrate processing apparatuses, and a plurality of operation terminals connected to the group management apparatus,
The group management device stores data acquired from the substrate processing apparatus in a first storage unit, acquires theoretical data from the first storage unit, and detects a data acquisition period for detecting a checkpoint from the theoretical data The data generation period detection data is generated by the unit and stored in the second storage means,
Data is acquired from the second storage means at regular intervals, analyzed using the data acquisition period detection data, and summary data is stored in the third storage means by the summary data storage / management unit when the data acquisition period is known. And
The substrate processing system, wherein the operation terminal acquires the summary data from the third storage unit.
(2) In a substrate processing system including a substrate processing apparatus that processes a substrate and a group management apparatus that manages a plurality of substrate processing apparatuses,
The group management device stores data acquired from the substrate processing apparatus in a first storage unit, acquires theoretical data from the first storage unit, and detects a data acquisition period for detecting a checkpoint from the theoretical data The data generation period detection data is generated by the unit and stored in the second storage means,
Data is acquired from the second storage means at regular intervals, analyzed using the data acquisition period detection data, and summary data is stored in the third storage means by the summary data storage / management unit when the data acquisition period is known. And
The substrate processing system, wherein the operation terminal acquires the summary data from the third storage unit.

前記した（１）（２）によれば、トレースデータを良好な効率をもって適正に切り出すことができる。 According to the above (1) and (2), the trace data can be appropriately cut out with good efficiency.

以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

本実施の形態において、本発明に係る基板処理システムは、ＩＣの製造方法の所謂フロントエンドを実施するＩＣ製造工場において、多数台の基板処理装置を群管理するものとして構成されている。
図１に示されているように、本実施の形態に係る基板処理システムは、多数台の基板処理装置Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３・・・Ｍｎと、各基板処理装置Ｍ１〜ＭｎにネットワークＮによってそれぞれ接続された群管理装置３を備えている。
群管理装置３はパーソナルコンピュータやメーンフレームおよびスーパーコンピュータ等から構築されている。
群管理装置３には、キーボードやマウス等によって構成された入力装置４、テレビモニタ等によって構成された表示装置５、記憶媒体駆動装置等によって構成された外部記憶装置６等が接続されている。
群管理装置３はクリーンルーム内に設置してもよいが、クリーンルーム外に設置されるのが、一般的である。 In the present embodiment, the substrate processing system according to the present invention is configured to perform group management of a large number of substrate processing apparatuses in an IC manufacturing factory that implements a so-called front end of an IC manufacturing method.
As shown in FIG. 1, the substrate processing system according to the present embodiment includes a plurality of substrate processing apparatuses M1, M2, M3... Mn, and a network N for each of the substrate processing apparatuses M1 to Mn. A connected group management device 3 is provided.
The group management apparatus 3 is constructed from a personal computer, a main frame, a supercomputer, and the like.
The group management device 3 is connected to an input device 4 configured with a keyboard, a mouse, and the like, a display device 5 configured with a television monitor, an external storage device 6 configured with a storage medium drive device, and the like.
The group management device 3 may be installed in the clean room, but is generally installed outside the clean room.

群管理装置３はＧＵＩ（グラフィカル・ユーザ・インタフエース）システム７を備えている。
ＧＵＩシステム７は表示装置５に表示された操作画面上のアイコン（機能を表す図形記号）をマウスポインタで指示してクリックしたり、カーソルで指示して決定したりして選択することにより、画面を切り替えたり、処理や命令、判断およびデータ（情報）を入力することができるようにするソフトウエア、である。
群管理装置３には本発明の特徴点としてのアプリケーションソフトウエアであるサマリデータ作成システム８０が組み込まれており、サマリデータ作成システム８０は後述するプログラムフローを実行するように構成されている。 The group management device 3 includes a GUI (Graphical User Interface) system 7.
The GUI system 7 selects an icon (graphic symbol representing a function) on the operation screen displayed on the display device 5 by pointing with a mouse pointer and clicking or selecting with a cursor. Software that can switch between processes, input processes, instructions, judgments, and data (information).
The group management apparatus 3 incorporates a summary data creation system 80 which is application software as a feature of the present invention, and the summary data creation system 80 is configured to execute a program flow to be described later.

基板処理装置Ｍ１〜Ｍｎの具体例としては、酸化膜形成装置、レジスト塗布装置、縮小投影露光装置、現像装置、ドライエッチング装置、アッシング装置、ＣＶＤ装置、不純物導入装置、拡散装置、アニール装置、スパッタリング装置等々がある。
一般的なＩＣ製造工場であっても、これらの基板処理装置Ｍ１〜Ｍｎを１００台以上備えており、１００台以上の基板処理装置がＩＣ製造工場の建屋内のクリーンルームと呼ばれているフロアに有機的かつ合理的にレイアウトされて設置されている。
各基板処理装置Ｍ１〜Ｍｎはそれぞれに与えられたレシピを自動的に実施するために、パーソナルコンピュータ等から構築されたコントローラを備えており、これらのコントローラが群管理装置３にネットワークＮによって接続されている（図１参照）。 Specific examples of the substrate processing apparatuses M1 to Mn include an oxide film forming apparatus, a resist coating apparatus, a reduction projection exposure apparatus, a developing apparatus, a dry etching apparatus, an ashing apparatus, a CVD apparatus, an impurity introduction apparatus, a diffusion apparatus, an annealing apparatus, and sputtering. Devices, etc.
Even in a general IC manufacturing factory, 100 or more of these substrate processing apparatuses M1 to Mn are provided, and 100 or more of the substrate processing apparatuses are placed on a floor called a clean room in the building of the IC manufacturing factory. It is laid out organically and reasonably.
Each of the substrate processing apparatuses M1 to Mn includes a controller constructed from a personal computer or the like in order to automatically execute a recipe given to each of the substrate processing apparatuses M1 to Mn, and these controllers are connected to the group management apparatus 3 through a network N. (See FIG. 1).

ここでは、基板処理装置の一例として、ウエハに酸化や拡散やＣＶＤを施す縦形半導体製造装置（以下、処理装置という。）１０を、図２〜図４について説明する。
図２および図３に示されているように、処理装置１０はシリコン等からなるウエハ１を収納したウエハキャリアとして、ＦＯＵＰ（front opening unified pod 。以下、ポッドという。）２を使用する。
処理装置１０は平面視が長方形の直方体箱形状に形成された筐体１１を備えている。
筐体１１の正面壁１１ａの正面前方部にはメンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口１２が開設され、この正面メンテナンス口１２を開閉する正面メンテナンス扉１３が建て付けられている。
筐体１１の正面壁１１ａにはポッド搬入搬出口１５が筐体１１の内外を連通するように開設されており、ポッド搬入搬出口１５はフロントシャッタ１６によって開閉されるようになっている。
ポッド搬入搬出口１５の正面前方側にはロードポート（ポッド受渡し台）１７が設置されており、ロードポート１７はポッド２を載置されて位置合わせするように構成されている。
ポッド２はロードポート１７上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、かつまた、ロードポート１７上から搬出されるようになっている。 Here, as an example of a substrate processing apparatus, a vertical semiconductor manufacturing apparatus (hereinafter referred to as a processing apparatus) 10 that performs oxidation, diffusion, and CVD on a wafer will be described with reference to FIGS.
As shown in FIGS. 2 and 3, the processing apparatus 10 uses a FOUP (front opening unified pod, hereinafter referred to as a pod) 2 as a wafer carrier containing a wafer 1 made of silicon or the like.
The processing apparatus 10 includes a housing 11 formed in a rectangular parallelepiped box shape in plan view.
A front maintenance port 12 serving as an opening provided for maintenance is opened at the front front portion of the front wall 11a of the housing 11, and a front maintenance door 13 for opening and closing the front maintenance port 12 is installed. Yes.
A pod loading / unloading port 15 is opened on the front wall 11 a of the housing 11 so as to communicate between the inside and the outside of the housing 11, and the pod loading / unloading port 15 is opened and closed by a front shutter 16.
A load port (pod transfer stand) 17 is installed in front of the front side of the pod loading / unloading port 15, and the load port 17 is configured to place and align the pod 2.
The pod 2 is carried onto the load port 17 by an in-process carrying device (not shown), and is also carried out from the load port 17.

筐体１１内の前後方向の略中央部における上部には、回転式ポッド棚１８が設置されており、回転式ポッド棚１８は複数個のポッド２を保管するように構成されている。
すなわち、回転式ポッド棚１８は垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱１９と、支柱１９に上下四段の各位置において放射状に支持された複数枚の棚板２０とを備えており、複数枚の棚板２０はポッド２を複数個宛それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。
筐体１１内におけるロードポート１７と回転式ポッド棚１８との間には、ポッド搬送装置２１が設置されている。ポッド搬送装置２１は、ポッド２を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ２１ａと、ポッド搬送機構２１ｂとで構成されている。
ポッド搬送装置２１はポッドエレベータ２１ａとポッド搬送機構２１ｂとの連続作動により、ロードポート１７、回転式ポッド棚１８、ポッドオープナ２２との間で、ポッド２を搬送するように構成されている。 A rotary pod shelf 18 is installed at an upper portion of the housing 11 at a substantially central portion in the front-rear direction. The rotary pod shelf 18 is configured to store a plurality of pods 2.
In other words, the rotary pod shelf 18 includes a support column 19 that is vertically set up and intermittently rotated in a horizontal plane, and a plurality of shelf plates 20 that are supported radially at the support column 19 at four positions on the upper and lower sides. The plurality of shelf boards 20 are configured to hold the pod 2 in a state where a plurality of the pods 2 are respectively placed.
A pod transfer device 21 is installed between the load port 17 and the rotary pod shelf 18 in the housing 11. The pod transport device 21 includes a pod elevator 21a that can be moved up and down while holding the pod 2, and a pod transport mechanism 21b.
The pod transfer device 21 is configured to transfer the pod 2 between the load port 17, the rotary pod shelf 18, and the pod opener 22 by continuous operation of the pod elevator 21a and the pod transfer mechanism 21b.

筐体１１内の前後方向の略中央部における下部には、サブ筐体２３が後端にわたって構築されている。
サブ筐体２３の正面壁２３ａにはウエハ１をサブ筐体２３内に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口２４が一対、垂直方向に上下二段に並べられて開設されており、上下段のウエハ搬入搬出口２４、２４には一対のポッドオープナ２２、２２がそれぞれ設置されている。
ポッドオープナ２２はポッド２を載置する載置台２２ａ、２２ａと、ポッド２のキャップ（蓋体）を着脱するキャップ着脱機構２２ｂ、２２ｂとを備えている。ポッドオープナ２２は載置台２２ａに載置されたポッド２のキャップをキャップ着脱機構２２ｂによって着脱することにより、ポッド２のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。
サブ筐体２３はポッド搬送装置２１や回転式ポッド棚１８の設置空間から流体的に隔絶された移載室２５を構成している。
移載室２５の前側領域にはウエハ移載機構２６が設置されており、ウエハ移載機構２６は、ウエハ１を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載装置２６ａと、ウエハ移載装置２６ａを昇降させるためのウエハ移載装置エレベータ２６ｂとで構成されている。
ウエハ移載装置エレベータ２６ｂおよびウエハ移載装置２６ａの連続作動により、ウエハ移載装置２６ａのツイーザ２６ｃはウエハ１の載置部としてのボート２７に対してウエハ１を装填（チャージング）および脱装（ディスチャージング）する。 A sub-housing 23 is constructed across the rear end of the lower portion of the housing 11 at a substantially central portion in the front-rear direction.
A pair of wafer loading / unloading ports 24 for loading / unloading the wafer 1 into / from the sub-casing 23 are arranged on the front wall 23a of the sub-casing 23 in two vertical rows. A pair of pod openers 22 and 22 are installed in the lower wafer loading / unloading ports 24 and 24, respectively.
The pod opener 22 includes mounting bases 22 a and 22 a for mounting the pod 2, and cap attaching / detaching mechanisms 22 b and 22 b for attaching and detaching a cap (lid) of the pod 2. The pod opener 22 is configured to open and close the wafer loading / unloading port of the pod 2 by attaching / detaching the cap of the pod 2 mounted on the mounting table 22a by the cap attaching / detaching mechanism 22b.
The sub-case 23 constitutes a transfer chamber 25 that is fluidly isolated from the installation space of the pod transfer device 21 and the rotary pod shelf 18.
A wafer transfer mechanism 26 is installed in the front region of the transfer chamber 25. The wafer transfer mechanism 26 includes a wafer transfer device 26a capable of rotating or linearly moving the wafer 1 in the horizontal direction, and a wafer transfer device. It is comprised with the wafer transfer apparatus elevator 26b for raising / lowering 26a.
By continuous operation of the wafer transfer device elevator 26b and the wafer transfer device 26a, the tweezer 26c of the wafer transfer device 26a loads (charges) the wafer 1 on the boat 27 serving as a placement portion of the wafer 1 and removes it. (Discharging).

図２に示されているように、移載室２５のウエハ移載装置エレベータ２６ｂ側と反対側である右側端部には、クリーンユニット２８が設置されている。クリーンユニット２８は清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア２９を供給するよう供給フアンおよび防塵フィルタで構成されている。
ウエハ移載装置２６ａとクリーンユニット２８との間には、ウエハの円周方向の位置を整合させるノッチ合わせ装置３０が設置されている。
クリーンユニット２８から吹き出されたクリーンエア２９は、ノッチ合わせ装置３０およびウエハ移載装置２６ａに流通された後に、図示しないダクトにより吸い込まれて、筐体１１の外部に排気がなされるか、もしくはクリーンユニット２８の吸い込み側である一次側（供給側）にまで循環され、移載室２５内にクリーンユニット２８によって再び吹き出される。 As shown in FIG. 2, a clean unit 28 is installed at the right end of the transfer chamber 25 opposite to the wafer transfer device elevator 26b. The clean unit 28 includes a supply fan and a dustproof filter so as to supply a clean atmosphere or clean air 29 which is an inert gas.
Between the wafer transfer device 26a and the clean unit 28, a notch alignment device 30 for aligning the circumferential position of the wafer is installed.
The clean air 29 blown out from the clean unit 28 is circulated through the notch aligning device 30 and the wafer transfer device 26a and then sucked in by a duct (not shown) to be exhausted to the outside of the housing 11 or clean. It is circulated to the primary side (supply side) which is the suction side of the unit 28, and is blown out again into the transfer chamber 25 by the clean unit 28.

移載室２５の後側領域には、大気圧未満の圧力（以下、負圧という。）を維持可能な機密性能を有する筐体（以下、耐圧筐体という。）３１が設置されている。耐圧筐体３１によりボート２７を収容可能な容積を有するロードロック方式の予備室であるロードロック室３２が形成されている。
耐圧筐体３１の正面壁３１ａにはウエハ搬入搬出開口３３が開設されており、ウエハ搬入搬出開口３３はゲートバルブ３４によって開閉されるようになっている。耐圧筐体３１の一対の側壁にはロードロック室３２へ窒素ガスを給気するためのガス供給管３５と、ロードロック室３２を負圧に排気するための排気管３６とがそれぞれ接続されている。 In the rear region of the transfer chamber 25, a casing (hereinafter referred to as a pressure-resistant casing) 31 having a confidential performance capable of maintaining a pressure lower than atmospheric pressure (hereinafter referred to as negative pressure) is installed. A load lock chamber 32 which is a load lock type spare chamber having a capacity capable of accommodating the boat 27 is formed by the pressure-resistant housing 31.
A wafer loading / unloading opening 33 is formed in the front wall 31 a of the pressure-resistant housing 31, and the wafer loading / unloading opening 33 is opened and closed by a gate valve 34. A gas supply pipe 35 for supplying nitrogen gas to the load lock chamber 32 and an exhaust pipe 36 for exhausting the load lock chamber 32 to a negative pressure are connected to the pair of side walls of the pressure-resistant housing 31, respectively. Yes.

ロードロック室３２上方には、図４に示された処理炉５０が設けられている。
処理炉５０の下端部は炉口ゲートバルブ３７により開閉されるように構成されている。耐圧筐体３１の正面壁３１ａの上端部には、炉口ゲートバルブ３７を処理炉５０の下端部の開放時に収容する炉口ゲートバルブカバー３８が取り付けられている。 A processing furnace 50 shown in FIG. 4 is provided above the load lock chamber 32.
A lower end portion of the processing furnace 50 is configured to be opened and closed by a furnace port gate valve 37. A furnace port gate valve cover 38 that houses the furnace port gate valve 37 when the lower end portion of the processing furnace 50 is opened is attached to the upper end portion of the front wall 31 a of the pressure-resistant housing 31.

図２に示されているように、耐圧筐体３１にはボート２７を昇降させるためのボートエレベータ３９が設置されている。ボートエレベータ３９に連結された連結具としてのアーム４０には蓋体としてのシールキャップ４１が水平に据え付けられており、シールキャップ４１はボート２７を垂直に支持し、処理炉５０の下端部を閉塞可能なように構成されている。
ボート２７は複数本の保持部材を備えており、複数枚（例えば、５０枚〜１２５枚程度）のウエハ１をその中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成されている。 As shown in FIG. 2, a boat elevator 39 for raising and lowering the boat 27 is installed in the pressure-resistant housing 31. A seal cap 41 as a lid is horizontally installed on an arm 40 as a connecting tool connected to the boat elevator 39. The seal cap 41 supports the boat 27 vertically and closes the lower end portion of the processing furnace 50. It is configured as possible.
The boat 27 includes a plurality of holding members so that a plurality of (for example, about 50 to 125) wafers 1 are horizontally held in a state where their centers are aligned in the vertical direction. It is configured.

ここで、処理装置１０におけるウエハ１の流れを説明する。
図２および図３に示されているように、ポッド２がロードポート１７に供給されると、ポッド搬入搬出口１５がフロントシャッタ１６によって開放され、ロードポート１７の上のポッド２はポッド搬送装置２１によって筐体１１の内部へポッド搬入搬出口１５から搬入される。
搬入されたポッド２は回転式ポッド棚１８の指定された棚板２０へポッド搬送装置２１によって自動的に搬送されて受け渡され、一時的に保管される。その後、棚板２０から一方のポッドオープナ２２に搬送されて載置台２２ａに移載される。
但し、ポッド２はポッドオープナ２２によって搬送されて、ロードポート１７から載置台２２ａに直接移載される場合もある。
この際、ポッドオープナ２２のウエハ搬入搬出口２４はキャップ着脱機構２２ｂによって閉じられており、移載室２５にはクリーンエア２９が流通され、充満されている。
例えば、移載室２５にはクリーンエア２９として窒素ガスが充満することにより、酸素濃度が２０ｐｐｍ以下と、筐体１１の内部（大気雰囲気）の酸素濃度よりも遥かに低く設定されている。 Here, the flow of the wafer 1 in the processing apparatus 10 will be described.
As shown in FIGS. 2 and 3, when the pod 2 is supplied to the load port 17, the pod loading / unloading port 15 is opened by the front shutter 16, and the pod 2 above the load port 17 is connected to the pod transfer device. 21 is carried into the inside of the housing 11 from the pod loading / unloading port 15.
The loaded pod 2 is automatically conveyed and delivered by the pod conveying device 21 to the designated shelf plate 20 of the rotary pod shelf 18 and temporarily stored. Then, it is conveyed from the shelf board 20 to one pod opener 22 and transferred to the mounting table 22a.
However, the pod 2 may be transferred by the pod opener 22 and directly transferred from the load port 17 to the mounting table 22a.
At this time, the wafer loading / unloading port 24 of the pod opener 22 is closed by the cap attaching / detaching mechanism 22b, and clean air 29 is circulated and filled in the transfer chamber 25.
For example, the transfer chamber 25 is filled with nitrogen gas as clean air 29, so that the oxygen concentration is set to 20 ppm or less, which is much lower than the oxygen concentration inside the housing 11 (atmosphere).

載置台２２ａに載置されたポッド２はその開口側端面がサブ筐体２３の正面壁２３ａにおけるウエハ搬入搬出口２４の開口縁辺部に押し付けられる。
続いて、ポッド２のキャップがキャップ着脱機構２２ｂによって取り外され、ポッド２のウエハ出し入れ口が開放される。
予め内部が大気圧状態とされていたロードロック室３２のウエハ搬入搬出開口３３が、ゲートバルブ３４の作動によって開放されると、ウエハ１はポッド２からウエハ移載装置２６ａのツイーザ２６ｃによってウエハ出し入れ口を通じてピックアップされる。
ピックアップされたウエハ１はノッチ合わせ装置３０にてノッチ合わせされた後に、ウエハ搬入搬出開口３３を通じてロードロック室３２に搬入され、ボート２７へ移載されて装填（ウエハチャージング）される。
ボート２７にウエハ１を受け渡したウエハ移載装置２６ａはポッド２に戻り、次のウエハ１をピックアップし、同様の作動によって、ボート２７に装填する。 The opening side end surface of the pod 2 mounted on the mounting table 22 a is pressed against the opening edge of the wafer loading / unloading port 24 in the front wall 23 a of the sub housing 23.
Subsequently, the cap of the pod 2 is removed by the cap attaching / detaching mechanism 22b, and the wafer loading / unloading port of the pod 2 is opened.
When the wafer loading / unloading opening 33 of the load lock chamber 32, which has previously been in the atmospheric pressure state, is opened by the operation of the gate valve 34, the wafer 1 is loaded and unloaded from the pod 2 by the tweezer 26c of the wafer transfer device 26a. Picked up through mouth.
The picked-up wafer 1 is notched by the notch aligning device 30, and then loaded into the load lock chamber 32 through the wafer loading / unloading opening 33, transferred to the boat 27 and loaded (wafer charging).
The wafer transfer device 26a that delivered the wafer 1 to the boat 27 returns to the pod 2, picks up the next wafer 1, and loads it into the boat 27 by the same operation.

この一方（上段または下段）のポッドオープナ２２におけるウエハ移載装置２６ａによるウエハのボート２７への装填作業中に、他方（下段または上段）のポッドオープナ２２には回転式ポッド棚１８ないしロードポート１７から別のポッド２がポッド搬送装置２１によって搬送され、ポッドオープナ２２によるポッド２の開放作業が同時進行される。 During the loading operation of the wafer into the boat 27 by the wafer transfer device 26a in the one (upper or lower) pod opener 22, the other (lower or upper) pod opener 22 has the rotary pod shelf 18 or the load port 17. The other pod 2 is transported by the pod transport device 21 and the opening operation of the pod 2 by the pod opener 22 proceeds simultaneously.

予め指定された枚数のウエハ１がボート２７に装填されると、ウエハ搬入搬出開口３３がゲートバルブ３４によって閉じられ、ロードロック室３２は排気管３６から真空引きされることにより、減圧される。
ロードロック室３２が処理炉５０内の圧力と同圧に減圧されると、処理炉５０の下端部が炉口ゲートバルブ３７によって開放される。このとき、炉口ゲートバルブ３７は炉口ゲートバルブカバー３８の内部に搬入されて収容される。
続いて、シールキャップ４１がボートエレベータ３９によって上昇されて、シールキャップ４１に支持されたボート２７が処理炉５０内へ搬入（ローディング）されて行く。 When a predetermined number of wafers 1 are loaded into the boat 27, the wafer loading / unloading opening 33 is closed by the gate valve 34, and the load lock chamber 32 is evacuated from the exhaust pipe 36 to be decompressed.
When the load lock chamber 32 is depressurized to the same pressure as that in the processing furnace 50, the lower end portion of the processing furnace 50 is opened by the furnace port gate valve 37. At this time, the furnace port gate valve 37 is carried into and stored in the furnace port gate valve cover 38.
Subsequently, the seal cap 41 is raised by the boat elevator 39 and the boat 27 supported by the seal cap 41 is loaded into the processing furnace 50.

ボートローディング後は、処理炉５０にてウエハ１に後述する処理が実施される。
処理後は、ボートエレベータ３９によりボート２７が搬出（ボートアンローディング）される。
次いで、ロードロック室３２の内部が大気圧に復帰された後に、ゲートバルブ３４が開かれる。
その後は、ノッチ合わせ装置３０でのウエハのノッチ合わせステップを除き、前述とは逆の手順で、ウエハ１およびポッド２は筐体１１の外部へ払出される。 After boat loading, the processing described later is performed on the wafer 1 in the processing furnace 50.
After the processing, the boat 27 is carried out (boat unloading) by the boat elevator 39.
Next, after the load lock chamber 32 is restored to atmospheric pressure, the gate valve 34 is opened.
Thereafter, the wafer 1 and the pod 2 are discharged to the outside of the housing 11 in the reverse procedure to the above except for the notch alignment step of the wafer in the notch alignment device 30.

以降、前述した作用が繰り返されてウエハ１が処理装置１０によってバッチ処理されて行く。 Thereafter, the operation described above is repeated and the wafer 1 is batch processed by the processing apparatus 10.

以下、処理炉５０を図４について説明する。
図４に示されているように、処理炉５０は加熱機構としてのヒータ５１を有する。ヒータ５１は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース１１ｂに支持されることにより垂直に据え付けられている。 Hereinafter, the processing furnace 50 will be described with reference to FIG.
As shown in FIG. 4, the processing furnace 50 includes a heater 51 as a heating mechanism. The heater 51 has a cylindrical shape and is vertically installed by being supported by a heater base 11b as a holding plate.

ヒータ５１の内側にはプロセスチューブ５２がヒータ５１と同心円状に配設されている。プロセスチューブ５２はアウタチューブ５３と、その内側に設けられたインナチューブ５４とから構成されている。
アウタチューブ５３は、例えば石英または炭化シリコン等の耐熱性材料からなり、内径がインナチューブ５４の外径よりも大きく上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ５４と同心円状に設けられている。
インナチューブ５４は、例えば石英（ＳｉＯ₂ ）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。インナチューブ５４の筒中空部には処理室５５が形成されており、ウエハ１をボート２７によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。
アウタチューブ５３とインナチューブ５４との隙間によって筒状空間５６が形成されている。 A process tube 52 is disposed concentrically with the heater 51 inside the heater 51. The process tube 52 includes an outer tube 53 and an inner tube 54 provided inside the outer tube 53.
The outer tube 53 is made of a heat-resistant material such as quartz or silicon carbide, and is formed in a cylindrical shape having an inner diameter larger than the outer diameter of the inner tube 54 and closed at the upper end and opened at the lower end, and is concentric with the inner tube 54. It is provided in the shape.
The inner tube 54 is made of a heat-resistant material such as quartz (SiO ₂ ) or silicon carbide (SiC), and is formed in a cylindrical shape having an upper end and a lower end opened. A processing chamber 55 is formed in the cylindrical hollow portion of the inner tube 54, and is configured to be able to accommodate the wafer 1 in a state where the boat 27 is arranged in a horizontal posture in a vertical direction in multiple stages.
A cylindrical space 56 is formed by a gap between the outer tube 53 and the inner tube 54.

アウタチューブ５３の下方にはマニホールド５７が、アウタチューブ５３と同心円状に配設されている。マニホールド５７は、例えばステンレス等からなり、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド５７はアウタチューブ５３とインナチューブ５４とに係合しており、これらを支持するように設けられている。
マニホールド５７がサブ筐体２３に支持されることによって、プロセスチューブ５２は垂直に据え付けられた状態となっている。
プロセスチューブ５２とマニホールド５７により反応容器が形成されている。
なお、マニホールド５７とアウタチューブ５３との間にはシール部材としてのＯリング５８が設けられている。 A manifold 57 is disposed below the outer tube 53 concentrically with the outer tube 53. The manifold 57 is made of, for example, stainless steel and is formed in a cylindrical shape with an upper end and a lower end opened. The manifold 57 is engaged with the outer tube 53 and the inner tube 54, and is provided so as to support them.
Since the manifold 57 is supported by the sub casing 23, the process tube 52 is installed vertically.
A reaction vessel is formed by the process tube 52 and the manifold 57.
An O-ring 58 as a seal member is provided between the manifold 57 and the outer tube 53.

マニホールド５７にはガス導入部としてのノズル５９が処理室５５内に連通するように接続されており、ノズル５９にはガス供給管６０が接続されている。ガス供給管６０のノズル５９との接続側と反対側である上流側には、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）６１を介して図示しない処理ガス供給源や不活性ガス供給源が接続されている。
ＭＦＣ６１にはガス流量制御部６２が電気配線Ｃによって電気的に接続されている。ガス流量制御部６２は供給するガスの流量が所望の量となるよう所望のタイミングにてＭＦＣ６１を制御するように構成されている。 A nozzle 59 as a gas introduction part is connected to the manifold 57 so as to communicate with the inside of the processing chamber 55, and a gas supply pipe 60 is connected to the nozzle 59. A processing gas supply source and an inert gas supply source (not shown) are connected to the upstream side of the gas supply pipe 60 opposite to the connection side with the nozzle 59 via an MFC (mass flow controller) 61 as a gas flow rate controller. Has been.
A gas flow rate control unit 62 is electrically connected to the MFC 61 by an electric wiring C. The gas flow rate control unit 62 is configured to control the MFC 61 at a desired timing so that the flow rate of the supplied gas becomes a desired amount.

マニホールド５７には処理室５５内の雰囲気を排気する排気管６３が設けられている。排気管６３はアウタチューブ５３とインナチューブ５４との隙間によって形成された筒状空間５６の下端部に配置されており、筒状空間５６に連通している。
排気管６３のマニホールド５７との接続側と反対側である下流側には、圧力検出器としての圧力センサ６４および圧力調整装置６５を介して真空ポンプ等の排気装置６６が接続されており、処理室５５内の圧力が所定の圧力（真空度）となるよう排気し得るように構成されている。
圧力調整装置６５および圧力センサ６４には、圧力制御部６７が電気配線Ｂによって電気的に接続されている。圧力制御部６７は圧力センサ６４により検出された圧力に基づいて圧力調整装置６５により処理室５５内の圧力が所望の圧力となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。 The manifold 57 is provided with an exhaust pipe 63 that exhausts the atmosphere in the processing chamber 55. The exhaust pipe 63 is disposed at the lower end portion of the cylindrical space 56 formed by the gap between the outer tube 53 and the inner tube 54, and communicates with the cylindrical space 56.
An exhaust device 66 such as a vacuum pump is connected to the downstream side of the exhaust pipe 63 opposite to the connection side with the manifold 57 via a pressure sensor 64 and a pressure adjustment device 65 as a pressure detector. The chamber 55 is configured to be evacuated so that the pressure in the chamber 55 becomes a predetermined pressure (degree of vacuum).
A pressure control unit 67 is electrically connected to the pressure adjusting device 65 and the pressure sensor 64 by an electric wiring B. Based on the pressure detected by the pressure sensor 64, the pressure control unit 67 is configured to control at a desired timing so that the pressure in the processing chamber 55 becomes a desired pressure by the pressure adjusting device 65.

マニホールド５７の下方には、マニホールド５７の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ４１が設けられている。
シールキャップ４１はマニホールド５７の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ４１は例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。
シールキャップ４１の処理室５５と反対側には、ボート２７を回転させる回転機構４３が設置されている。回転機構４３の回転軸４４はシールキャップ４１を貫通して、ボート２７に接続されており、ボート２７を回転させることでウエハ１を回転させるように構成されている。
シールキャップ４１はプロセスチューブ５２の外部に垂直に設備された昇降機構としてのボートエレベータ３９によって垂直方向に昇降されるように構成されており、これによりボート２７を処理室５５に対し搬入搬出することが可能となっている。
回転機構４３およびボートエレベータ３９には、駆動制御部４５が電気配線Ａによって電気的に接続されている。駆動制御部４５は所望の作動をするよう所望のタイミングにて回転機構４３およびボートエレベータ３９を制御するように構成されている。 Below the manifold 57, a seal cap 41 is provided as a furnace port lid that can airtightly close the lower end opening of the manifold 57.
The seal cap 41 is brought into contact with the lower end of the manifold 57 from the lower side in the vertical direction. The seal cap 41 is made of a metal such as stainless steel and is formed in a disk shape.
A rotation mechanism 43 that rotates the boat 27 is installed on the side of the seal cap 41 opposite to the processing chamber 55. A rotation shaft 44 of the rotation mechanism 43 passes through the seal cap 41 and is connected to the boat 27, and is configured to rotate the wafer 1 by rotating the boat 27.
The seal cap 41 is configured to be lifted vertically by a boat elevator 39 as a lifting mechanism vertically installed outside the process tube 52, and thereby the boat 27 is carried into and out of the processing chamber 55. Is possible.
A drive control unit 45 is electrically connected to the rotation mechanism 43 and the boat elevator 39 by an electric wiring A. The drive control unit 45 is configured to control the rotation mechanism 43 and the boat elevator 39 at a desired timing so as to perform a desired operation.

基板保持具としてのボート２７は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり、複数枚のウエハ１を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。
なお、ボート２７の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板４６が、水平姿勢で多段に複数枚配置されており、ヒータ５１からの熱がマニホールド５７側に伝わりにくくなるよう構成されている。 The boat 27 as a substrate holder is made of a heat-resistant material such as quartz or silicon carbide, and is configured to hold a plurality of wafers 1 in a horizontal posture and in a state where their centers are aligned and held in multiple stages. ing.
In addition, a plurality of heat insulating plates 46 as a disk-shaped heat insulating member made of a heat resistant material such as quartz or silicon carbide are arranged in a plurality of stages in a horizontal posture at the lower portion of the boat 27. This heat is configured to be difficult to be transmitted to the manifold 57 side.

プロセスチューブ５２内には温度検出器としての温度センサ６８が設置されている。ヒータ５１と温度センサ６８には温度制御部６９が、電気配線Ｄによって電気的に接続されている。
温度制御部６９は温度センサ６８により検出された温度情報に基づきヒータ５１への通電具合を調整することにより、処理室５５内の温度が所望の温度分布となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。 A temperature sensor 68 as a temperature detector is installed in the process tube 52. A temperature control unit 69 is electrically connected to the heater 51 and the temperature sensor 68 by an electric wiring D.
The temperature control unit 69 adjusts the power supply to the heater 51 based on the temperature information detected by the temperature sensor 68, so that the temperature in the processing chamber 55 is controlled at a desired timing so as to have a desired temperature distribution. It is configured.

駆動制御部４５、ガス流量制御部６２、圧力制御部６７、温度制御部６９は、操作部および入出力部をも構成しており、処理装置１０全体を制御する主制御部７０に電気的に接続されている。
これら駆動制御部４５、ガス流量制御部６２、圧力制御部６７、温度制御部６９、主制御部７０はコントローラ７１として構成されている。 The drive control unit 45, the gas flow rate control unit 62, the pressure control unit 67, and the temperature control unit 69 also constitute an operation unit and an input / output unit, and are electrically connected to the main control unit 70 that controls the entire processing apparatus 10. It is connected.
These drive control unit 45, gas flow rate control unit 62, pressure control unit 67, temperature control unit 69, and main control unit 70 are configured as a controller 71.

次に、以上の構成に係る処理炉５０を用いて、ＩＣの製造方法の一工程として、ＣＶＤ法によりウエハ上に薄膜を形成する工程を説明する。
なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の作動はコントローラ７１により制御される。 Next, a process of forming a thin film on a wafer by a CVD method will be described as one process of an IC manufacturing method using the processing furnace 50 having the above configuration.
In the following description, the operation of each part constituting the substrate processing apparatus is controlled by the controller 71.

複数枚のウエハ１がボート２７に装填（ウエハチャージ）されると、図４に示されているように、複数枚のウエハ１を保持したボート２７は、ボートエレベータ３９によって持ち上げられて処理室５５に搬入（ボートローディング）される。 When a plurality of wafers 1 are loaded into the boat 27 (wafer charge), as shown in FIG. 4, the boat 27 holding the plurality of wafers 1 is lifted by the boat elevator 39 and is processed into the processing chamber 55. Is loaded (boat loading).

処理室５５内が排気装置６６によって所望の圧力（真空度）となるように排気される。この際、処理室５５内の圧力は圧力センサ６４で測定され、この測定された圧力に基づき圧力調整装置６５がフィードバック制御される。
また、処理室５５内が所望の温度となるようにヒータ５１によって加熱される。
この際、処理室５５内が所望の温度分布となるように温度センサ６８が検出した温度情報に基づきヒータ５１への通電具合がフィードバック制御される。
続いて、ボート２７が回転機構４３によって回転されることにより、ウエハ１が回転される。 The processing chamber 55 is evacuated to a desired pressure (degree of vacuum) by the exhaust device 66. At this time, the pressure in the processing chamber 55 is measured by the pressure sensor 64, and the pressure adjusting device 65 is feedback-controlled based on the measured pressure.
Further, the processing chamber 55 is heated by the heater 51 so as to have a desired temperature.
At this time, the power supply to the heater 51 is feedback-controlled based on the temperature information detected by the temperature sensor 68 so that the inside of the processing chamber 55 has a desired temperature distribution.
Subsequently, the wafer 27 is rotated by rotating the boat 27 by the rotation mechanism 43.

次いで、処理ガス供給源から供給され、ＭＦＣ６１にて所望の流量となるように制御されたガスは、ガス供給管６０を流通してノズル５９から処理室５５内に導入される。
導入されたガスは処理室５５内を上昇し、インナチューブ５４の上端開口から筒状空間５６に流出して排気管６３から排気される。
ガスは処理室５５内を通過する際にウエハ１の表面と接触し、この際に熱ＣＶＤ反応によってウエハ１の表面上に薄膜が堆積（デポジション）される。 Next, the gas supplied from the processing gas supply source and controlled to have a desired flow rate by the MFC 61 is introduced into the processing chamber 55 from the nozzle 59 through the gas supply pipe 60.
The introduced gas rises in the processing chamber 55, flows out from the upper end opening of the inner tube 54 into the cylindrical space 56, and is exhausted from the exhaust pipe 63.
The gas contacts the surface of the wafer 1 when passing through the processing chamber 55, and at this time, a thin film is deposited on the surface of the wafer 1 by a thermal CVD reaction.

予め設定された処理時間が経過すると、不活性ガス供給源から不活性ガスが供給され、処理室５５内が不活性ガスに置換されるとともに、処理室５５内の圧力が常圧に復帰される。 When a preset processing time elapses, an inert gas is supplied from an inert gas supply source, the inside of the processing chamber 55 is replaced with an inert gas, and the pressure in the processing chamber 55 is returned to normal pressure. .

その後、ボートエレベータ３９によりシールキャップ４１が下降されて、マニホールド５７の下端が開口されるとともに、処理済ウエハ１がボート２７に保持された状態でマニホールド５７の下端からプロセスチューブ５２の外部に搬出（ボートアンローディング）される。
その後、処理済ウエハ１はボート２７より取出される（ウエハディスチャージ）。 Thereafter, the seal cap 41 is lowered by the boat elevator 39, the lower end of the manifold 57 is opened, and the processed wafer 1 is carried out from the lower end of the manifold 57 to the outside of the process tube 52 while being held by the boat 27 ( Boat unloading).
Thereafter, the processed wafer 1 is taken out from the boat 27 (wafer discharge).

以下、サマリデータ作成システム８０について説明する。 Hereinafter, the summary data creation system 80 will be described.

図５に示されているように、サマリデータ作成システム８０は、第一蓄積手段としての第一メモリー８１と、第二蓄積手段としての第二メモリー８２と、第三蓄積手段としての第三メモリー８３と、データ取得期間検出部（エリア）８４と、サマリデータ蓄積・管理部（エリア）８５と、を備えている。
第一メモリー８１は基板処理装置Ｍ１〜Ｍｎから取得したデータを記憶する。
データ取得期間検出部８４は第一メモリー８１から理論データを取得し、該理論データからチェックポイントを検出するためのデータ取得期間検出用データを生成する。
第二メモリー８２はデータ取得期間検出部８４が生成したデータ取得期間検出用データを記憶する。
サマリデータ蓄積・管理部８５は一定時間毎に第二メモリー８２からデータ取得期間検出用データを取得して、データ取得期間検出用データを用いて解析し、データ取得期間判明時にサマリデータを第三メモリー８３に記憶させる。 As shown in FIG. 5, the summary data creation system 80 includes a first memory 81 as the first storage means, a second memory 82 as the second storage means, and a third memory as the third storage means. 83, a data acquisition period detection unit (area) 84, and a summary data storage / management unit (area) 85.
The first memory 81 stores data acquired from the substrate processing apparatuses M1 to Mn.
The data acquisition period detection unit 84 acquires theoretical data from the first memory 81 and generates data acquisition period detection data for detecting checkpoints from the theoretical data.
The second memory 82 stores data acquisition period detection data generated by the data acquisition period detector 84.
The summary data storage / management unit 85 acquires data acquisition period detection data from the second memory 82 at regular intervals, analyzes the data acquisition period detection data, and analyzes the summary data when the data acquisition period is known. Store in the memory 83.

次に、サマリデータ作成フローを、図６について説明する。 Next, the summary data creation flow will be described with reference to FIG.

事前準備として、取得したいデータの理論データと、取得期間を判断するための基準となる基準データとを次の方法で生成し、第二メモリー８２に保存する。
まず、取得したいデータの理論データを第一メモリー８１から予め取得する（ステップＡ１）。外部記憶装置６（図１参照）に理論データが保存されている場合には、そこからインポートしてもよい。
取得したいデータの理論データとは、特定の期間における指定データの遷移を表すデータの集合のことであり、例えば、基板処理装置Ｍ１〜Ｍｎから特定時期（基板処理装置の設置時等）に取得した初期データや、計算で理論的に求めた理想データである。 As advance preparations, theoretical data of data to be acquired and reference data serving as a reference for determining the acquisition period are generated by the following method and stored in the second memory 82.
First, theoretical data of data to be acquired is acquired in advance from the first memory 81 (step A1). If theoretical data is stored in the external storage device 6 (see FIG. 1), it may be imported from there.
The theoretical data of the data to be acquired is a set of data representing the transition of designated data in a specific period. For example, the data is acquired from the substrate processing apparatuses M1 to Mn at a specific time (when the substrate processing apparatus is installed). Initial data or ideal data obtained theoretically by calculation.

理論データからチェックポイントを検出するとともに、単位時間毎の近似線を算出する（ステップＡ２）。
データ取得期間検出データをチェックポイントと近似線から生成し、第二メモリー８２に保存する（ステップＡ３）。
チェックポイントの検出は、図７に示されているように、一連のデータから特徴点を見つけることにより行なう。すなわち、データの立ち上がり時点、立ち下がり時点および平衡時間等によって、特徴点が判定される。
チェックポイントはデータ取得期間検出部８４が一連のデータの特徴点を見つけることにより自動的に検出する。
近似線の算出は、理論データを予め指定された単位時間（図７参照）に分割し、各単位時間毎に近似線（直線や曲線）を求めることで行なう。単位時間は、例えば、１秒、５秒、１分のいずれでもよい。
単位時間は一つでも複数でもよい。
データ取得期間の判定精度を高めるためには、単位時間は複数が好ましい。
複数の単位時間が設定された場合には、近似線は各設定単位時間毎にそれぞれ算出されることになる。 A check point is detected from the theoretical data, and an approximate line for each unit time is calculated (step A2).
Data acquisition period detection data is generated from check points and approximate lines and stored in the second memory 82 (step A3).
As shown in FIG. 7, check points are detected by finding feature points from a series of data. That is, the feature point is determined based on the rise time, fall time, and equilibrium time of the data.
The check point is automatically detected when the data acquisition period detection unit 84 finds a feature point of a series of data.
The approximate line is calculated by dividing the theoretical data into unit times (see FIG. 7) designated in advance and obtaining an approximate line (straight line or curve) for each unit time. The unit time may be any one of 1 second, 5 seconds, and 1 minute, for example.
One or a plurality of unit times may be used.
In order to improve the determination accuracy of the data acquisition period, a plurality of unit times are preferable.
When a plurality of unit times are set, the approximate line is calculated for each set unit time.

ここで、データ取得期間検出データとしてチェックポイントだけでなく近似線を併用する理由は、次の通りである。
基板処理装置からのトレースデータはアナログ値であることにより、部品の消耗や外乱による誤差が多く介在するので、チェックポイントの比較だけでなく近似線を併用することにより、データ取得期間の検出精度を向上させている。 Here, the reason why not only checkpoints but also approximate lines are used as data acquisition period detection data is as follows.
Since the trace data from the substrate processing equipment is an analog value, there are many errors due to component wear and disturbance, so not only the checkpoint comparison but also the approximate line is used together to improve the detection accuracy of the data acquisition period. It is improving.

なお、図７は理解し易さを考慮した便宜上のデータである。
具体的なデータとしては、次のようなものが挙げられる。
（１）イベントデータの場合。
ジョブ状態、レシピ状態、キャリア状態、装置モード、プロセスステップ番号、アラート、アラーム、バルブ要求、ポート位置。
（２）トレースデータの場合。
ゾーン別温度モニタ値、配管加熱用ヒータ温度モニタ値、圧力モニタ値、ガス供給元圧モニタ値、ポンプ排気側圧モニタ値、ガス別流量モニタ値（窒素ガスや酸素ガス等）、リーク量モニタ値、バルブ別開度モニタ値。 FIG. 7 shows data for convenience in consideration of ease of understanding.
Specific data includes the following.
(1) For event data.
Job status, recipe status, carrier status, device mode, process step number, alert, alarm, valve request, port position.
(2) For trace data.
Temperature monitor value by zone, heater temperature monitor value for pipe heating, pressure monitor value, gas supply source pressure monitor value, pump exhaust side pressure monitor value, gas flow rate monitor value (nitrogen gas, oxygen gas, etc.), leak amount monitor value, Opening monitor value for each valve.

以上の事前準備後に、保存（蓄積）したい実データを取得し、期間毎にサマリデータとして、次の手順で保存する。
サマリデータとして保存したい実データを基板処理装置Ｍ１〜Ｍｎから取得する（ステップＢ１）。
指定された単位時間毎に近似線（直線や曲線）を算出する（ステップＢ２）。
近似線の算出間隔は単位時間毎でもよいし、それよりも長くてもよい。
基準データのデータ取得期間検出データを読み込む（ステップＢ３）。
データ取得期間検出部８４は、理論データから算出した近似線と実データから算出した近似線とを比較し（図８参照）、指定された範囲内で一致しているかを判断する（ステップＢ４）。
この際、データ値の絶対値の一致だけでなく変化割合等にも注目する。
全ての単位時間で一致している場合には、データ取得期間であると判断する。
理論データからチェックポイントを検出した方法と同じ方法（図７参照）で、データ取得期間であると判断された実データからチェックポイントを検出し（図８参照）、理論データのチェックポイントとの一致具合によりデータ取得期間の開始点または終了点を確定する（ステップＢ５）。
以上のステップＢ４およびステップＢ５で判断されたデータ取得期間のデータをサマリデータ（図９参照）として、サマリデータ蓄積・管理部８５は第三メモリー８３に記憶させる（ステップＢ６）。 After the above preparation, actual data to be stored (accumulated) is acquired and stored as summary data for each period in the following procedure.
Actual data to be stored as summary data is acquired from the substrate processing apparatuses M1 to Mn (step B1).
An approximate line (straight line or curve) is calculated for each specified unit time (step B2).
The calculation interval of the approximate line may be every unit time or may be longer than that.
The data acquisition period detection data of the reference data is read (step B3).
The data acquisition period detector 84 compares the approximate line calculated from the theoretical data with the approximate line calculated from the actual data (see FIG. 8), and determines whether they match within the designated range (step B4). .
At this time, attention is paid not only to the coincidence of the absolute values of the data values but also to the change rate.
If all unit times match, it is determined that it is a data acquisition period.
The checkpoint is detected from the actual data determined to be the data acquisition period (see Fig. 8) in the same manner as the method for detecting the checkpoint from the theoretical data (see Fig. 7), and matches the checkpoint of the theoretical data. The start point or end point of the data acquisition period is determined according to the condition (step B5).
The summary data storage / management unit 85 stores the data of the data acquisition period determined in the above steps B4 and B5 as summary data (see FIG. 9) in the third memory 83 (step B6).

外部の解析ツールからサマリデータを管理し易いように、取得したデータの属性データも併せて記憶させる。
属性データとは、検出した期間に関連する情報で、次のような項目の情報である。
該当期間に実行していたジョブ名称（コントロールジョブＩＤ、プロセスジョブＩＤ）、レシピ名称（レシピＩＤ）、処理していたウエハ（ロットＩＤ）。 In order to easily manage summary data from an external analysis tool, attribute data of the acquired data is also stored.
The attribute data is information related to the detected period, and is information on the following items.
Job name (control job ID, process job ID) executed in the corresponding period, recipe name (recipe ID), and processed wafer (lot ID).

以上ようにして作成され蓄積されたサマリデータは、例えば、ばらつきや応答速度を解析して故障を事前に検出したり、部品のメンテナンス時期を予測したり、ロット毎の不良を早期に検出して次の工程を中止したりする場合等に、活用される。 The summary data created and accumulated as described above can be used, for example, by analyzing variations and response speeds to detect failures in advance, predicting parts maintenance time, and detecting defects at each lot early. This is used when stopping the next process.

例えば、基板処理装置に異常が発生した際には、イベントデータおよびトレースデータのデータ値で通常と異なる挙動を示す。
したがって、イベントデータおよびトレースデータについてこの挙動を検出すれば、基板処理装置の異常を発見することができる。
この挙動を検出する方法としては、イベントデータおよびトレースデータと理論データとを比較する方法が、一般的に考えられる。
このとき、イベントデータおよびトレースデータ（比較先）と理論データ（比較元）との比較開始点や比較終了点を一致させる必要がある。
しかしながら、両者の比較開始点や比較終了点を一致させるには、オペレータの熟練度やマージン量等に影響されるために、人手や時間が浪費されるばかりでなく、精度が低下するという問題点がある。 For example, when an abnormality occurs in the substrate processing apparatus, the event data and the trace data have different behaviors than usual.
Therefore, if this behavior is detected for event data and trace data, an abnormality of the substrate processing apparatus can be found.
As a method of detecting this behavior, a method of comparing event data and trace data with theoretical data is generally considered.
At this time, it is necessary to match the comparison start point and comparison end point of the event data and trace data (comparison destination) with the theoretical data (comparison source).
However, in order to make the comparison start point and comparison end point coincide with each other, it is influenced by the skill level of the operator, the margin amount, etc., so that not only labor and time are wasted, but also the accuracy is lowered. There is.

本実施の形態に係るサマリデータにおいては、イベントデータおよびトレースデータ（比較先）と理論データ（比較元）との比較開始点や比較終了点が一致されて保存（蓄積）されているので、イベントデータおよびトレースデータの異常の挙動を高精度かつ高能率に検出することができ、基板処理装置の異常を発見することができる。 In the summary data according to the present embodiment, the event data and the trace data (comparison destination) and the theoretical data (comparison source) are stored (accumulated) by matching the comparison start point and comparison end point. The abnormal behavior of the data and the trace data can be detected with high accuracy and high efficiency, and the abnormality of the substrate processing apparatus can be found.

図１０はサマリデータの活用の一例を示すフローチャートである。
オペレータはサマリデータ作成システム８０からサマリデータを適時に読み出す（ステップＣ１）。
オペレータは読み出したサマリデータと判定条件とを比較して、異常の有無を診断する（ステップＣ２）。
オペレータは異常有りと判断した場合には対策を講ずる（ステップＣ３）。
対策としては、部品交換（ステップＣ４）、レシピ変更（ステップＣ５）、次工程中止（ステップ６）等がある。 FIG. 10 is a flowchart showing an example of utilization of summary data.
The operator reads the summary data from the summary data creation system 80 in a timely manner (step C1).
The operator compares the read summary data with the determination condition to diagnose the presence or absence of an abnormality (step C2).
If the operator determines that there is an abnormality, he / she takes measures (step C3).
Countermeasures include component replacement (step C4), recipe change (step C5), and next process stop (step 6).

前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。 According to the embodiment, the following effects can be obtained.

（１）取得したいデータをサマリデータとして自動的に予め蓄積して管理することにより、比較したい期間のデータを正確かつ効率よく取得することができるので、データ解析や異常発生原因追求を容易に実施することができるとともに、それらの作業時間を大幅に短縮することができる。 (1) By automatically accumulating and managing the data to be acquired as summary data in advance, the data for the period to be compared can be acquired accurately and efficiently. And the work time can be greatly reduced.

（２）サマリデータの一覧を参照することにより、必要なデータ取得期間のデータを迅速に確認することができる。 (2) By referring to the summary data list, it is possible to quickly confirm the data in the necessary data acquisition period.

（３）データ解析時等において、対象となるサマリデータをサマリデータ作成システムから取得することができるので、制御システムの負荷を分散することができる。 (3) Since the target summary data can be acquired from the summary data creation system at the time of data analysis or the like, the load on the control system can be distributed.

なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。 Needless to say, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention.

例えば、サマリデータ作成システムは、群管理装置（ハードウエア）に設けるに限らず、群管理装置とは別に設けてもよい。 For example, the summary data creation system is not limited to being provided in the group management device (hardware), and may be provided separately from the group management device.

群管理装置は基板処理装置群と同じフロアに設置する必要はなく、クリーンルーム外（事務所等）に設置しておくこともできる。
また、基板処理装置と同じフロアに群管理装置を設置しておき、クリーンルーム外（事務所等）に設置された操作端末（パーソナルコンピュータ等）に基板処理装置のフロアレイアウトを表示させるように構成し、サマリデータ作成システムを設けてもよい。 The group management device does not need to be installed on the same floor as the substrate processing device group, and can be installed outside the clean room (office or the like).
In addition, a group management device is installed on the same floor as the substrate processing apparatus, and the floor layout of the substrate processing apparatus is displayed on an operation terminal (such as a personal computer) installed outside the clean room (such as an office). A summary data creation system may be provided.

基板処理装置はＩＣ製造工場の前工程で使用される酸化膜形成装置、レジスト塗布装置、縮小投影露光装置、現像装置、ドライエッチング装置、アッシング装置、ＣＶＤ装置、不純物導入装置、拡散装置、アニール装置、スパッタリング装置等々に限らず、ＩＣ製造工場の後工程で使用されるウエハダイシング装置、ダイボンディング装置、ワイヤボンディング装置、樹脂封止体成形装置、リード成形装置等の基板処理装置を含んでもよい。 Substrate processing equipment includes oxide film forming equipment, resist coating equipment, reduction projection exposure equipment, development equipment, dry etching equipment, ashing equipment, CVD equipment, impurity introduction equipment, diffusion equipment, annealing equipment used in the pre-process of an IC manufacturing factory. The substrate processing apparatus is not limited to a sputtering apparatus or the like, and may include a substrate processing apparatus such as a wafer dicing apparatus, a die bonding apparatus, a wire bonding apparatus, a resin sealing body forming apparatus, and a lead forming apparatus used in a subsequent process of an IC manufacturing factory.

また、ウエハを処理する場合について説明したが、液晶パネルや磁気ディスク、光ディスク等の基板全般について適用することができる。 Further, the case of processing a wafer has been described, but the present invention can be applied to all substrates such as a liquid crystal panel, a magnetic disk, and an optical disk.

本発明の一実施の形態である基板処理システムを示すブロック図である。It is a block diagram which shows the substrate processing system which is one embodiment of this invention. 処理装置を示す一部切断平面図である。It is a partially cut top view which shows a processing apparatus. その側面断面図である。FIG. 図２のIＶ −IＶ線に沿う一部省略正面断面図である。FIG. 3 is a partially omitted front sectional view taken along the line IV-IV in FIG. 2. サマリデータ作成システムを示すブロック図である。It is a block diagram which shows a summary data creation system. サマリデータ作成フローを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the summary data creation flow. データ取得期間検出データ生成方法を示すグラフである。It is a graph which shows a data acquisition period detection data generation method. チェックポイントによるデータ取得期間検出方法を示すグラフである。It is a graph which shows the data acquisition period detection method by a checkpoint. サマリデータの管理方法を示すテーブルである。It is a table which shows the management method of summary data. サマリデータの活用の一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of utilization of summary data.

Explanation of symbols

１…ウエハ、２…ポッド、
Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３・・・Ｍｎ…基板処理装置、Ｎ…ネットワーク、
３…群管理装置、４…入力装置、５…表示装置、６…外部記憶装置、７…ＧＵＩシステム、
１０…処理装置（基板処理装置）、１１…筐体、１１ａ…正面壁、１１ｂ…ヒータベース、１２…正面メンテナンス口、１３…正面メンテナンス扉、１５…ポッド搬入搬出口、１６…フロントシャッタ、１７…ロードポート（ポッド受渡し台）、
１８…回転式ポッド棚、１９…支柱、２０…棚板、
２１…ポッド搬送装置、２１ａ…ポッドエレベータ、２１ｂ…ポッド搬送機構、
２２…ポッドオープナ、２２ａ…載置台、２２ｂ…キャップ着脱機構、
２３…サブ筐体、２３ａ…正面壁、２４…ウエハ搬入搬出口、２５…移載室、
２６…ウエハ移載機構、２６ａ…ウエハ移載装置、２６ｂ…ウエハ移載装置エレベータ、２６ｃ…ツイーザ、２７…ボート、
２８…クリーンユニット、２９…クリーンエア、３０…ノッチ合わせ装置、
３１…耐圧筐体、３１ａ…正面壁、３２…ロードロック室（予備室）、３３…ウエハ搬入搬出開口、３４…ゲートバルブ、３５…ガス供給管、３６…排気管、３７…炉口ゲートバルブ、３８…炉口ゲートバルブカバー、
３９…ボートエレベータ、４０…アーム、４１…シールキャップ、４３…回転機構、４４…回転軸、４５…駆動制御部、４６…断熱板、
５０…処理炉、５１…ヒータ、５２…プロセスチューブ、５３…アウタチューブ、５４…インナチューブ、５５…処理室、５６…筒状空間、
５７…マニホールド、５８…Ｏリング、
５９…ノズル、６０…ガス供給管、６１…ＭＦＣ（マスフローコントローラ）、６２…ガス流量制御部、
６３…排気管、６４…圧力センサ、６５…圧力調整装置、６６…排気装置、６７…圧力制御部、
６８…温度センサ、６９…温度制御部、
７０…主制御部、７１…コントローラ、
８０…サマリデータ作成システム、８１…第一メモリー（第一蓄積手段）、８２…第二メモリー（第二蓄積手段）、８３…第三メモリー（第三蓄積手段）、８４…データ取得期間検出部、８５…サマリデータ蓄積・管理部。 1 ... wafer, 2 ... pod,
M1, M2, M3 ... Mn ... substrate processing apparatus, N ... network,
3 ... group management device, 4 ... input device, 5 ... display device, 6 ... external storage device, 7 ... GUI system,
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Processing apparatus (substrate processing apparatus), 11 ... Housing | casing, 11a ... Front wall, 11b ... Heater base, 12 ... Front maintenance port, 13 ... Front maintenance door, 15 ... Pod carrying in / out opening, 16 ... Front shutter, 17 ... load port (pod delivery stand),
18 ... Rotary pod shelf, 19 ... post, 20 ... shelf,
21 ... Pod transport device, 21a ... Pod elevator, 21b ... Pod transport mechanism,
22 ... Pod opener, 22a ... mounting table, 22b ... cap attaching / detaching mechanism,
23 ... Sub housing, 23a ... Front wall, 24 ... Wafer loading / unloading port, 25 ... Transfer chamber,
26 ... Wafer transfer mechanism, 26a ... Wafer transfer device, 26b ... Wafer transfer device elevator, 26c ... Tweezer, 27 ... Boat,
28 ... Clean unit, 29 ... Clean air, 30 ... Notch alignment device,
DESCRIPTION OF SYMBOLS 31 ... Pressure-resistant housing | casing, 31a ... Front wall, 32 ... Load lock chamber (preliminary chamber), 33 ... Wafer loading / unloading opening, 34 ... Gate valve, 35 ... Gas supply pipe, 36 ... Exhaust pipe, 37 ... Furnace gate valve 38 ... Furnace gate valve cover,
DESCRIPTION OF SYMBOLS 39 ... Boat elevator, 40 ... Arm, 41 ... Seal cap, 43 ... Rotation mechanism, 44 ... Rotating shaft, 45 ... Drive control part, 46 ... Thermal insulation board,
DESCRIPTION OF SYMBOLS 50 ... Processing furnace, 51 ... Heater, 52 ... Process tube, 53 ... Outer tube, 54 ... Inner tube, 55 ... Processing chamber, 56 ... Cylindrical space,
57 ... Manifold, 58 ... O-ring,
59 ... Nozzle, 60 ... Gas supply pipe, 61 ... MFC (mass flow controller), 62 ... Gas flow rate controller,
63 ... exhaust pipe, 64 ... pressure sensor, 65 ... pressure adjusting device, 66 ... exhaust device, 67 ... pressure control unit,
68 ... temperature sensor, 69 ... temperature control unit,
70 ... main control unit, 71 ... controller,
80 ... summary data creation system, 81 ... first memory (first storage means), 82 ... second memory (second storage means), 83 ... third memory (third storage means), 84 ... data acquisition period detector 85: Summary data storage / management unit.

Claims

In a substrate processing system configured by a substrate processing apparatus that performs processing on a substrate, a group management apparatus that manages a plurality of substrate processing apparatuses, and a plurality of operation terminals connected to the group management apparatus,
The group management device stores data acquired from the substrate processing apparatus in a first storage unit, acquires theoretical data from the first storage unit, and detects a data acquisition period for detecting a checkpoint from the theoretical data The data generation period detection data is generated by the unit and stored in the second storage means,
Data is acquired from the second storage means at regular intervals, analyzed using the data acquisition period detection data, and summary data is stored in the third storage means by the summary data storage / management unit when the data acquisition period is known. And
The substrate processing system, wherein the operation terminal acquires the summary data from the third storage unit.