JP2009026991A - 発光ダイオード - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板31の上面31aに少なくとも1個の凹部31bを設け、また、基板31の上面31aの一部を除いた部分に反射率の高い反射面を有する少なくとも一対の電極パターン32a、33aを設け、発光素子35を前記凹部31bに搭載すると共に前記発光素子35の発光部35aを前記電極パターン32a、33aの反射面から僅かに飛び出す位置に配置する。また、前記発光素子35と前記凹部31bとのクリアランスは片側クリアランスが大きくても75μmに抑える。
【選択図】 図2
Description
emitting diode、以降、LEDと云う)はディスクトップ型パソコンやノート型パソコンなどのコンピュータ分野、ファクシミリや携帯電話などの通信機器分野、複写機やプリンタなどの事務用機器分野、冷蔵庫や電子レンジなどの家電製品分野など、様々な分野の製品に利用されている。
最初に本発明の第1実施形態に係る発光ダイオード(以降、LEDと云う)について図1〜図4を用いて説明する。なお、図1は本発明の第1実施形態に係るLEDの斜視図、図2は図1におけるA−A断面図、図3は図2におけるB部の拡大図、図4は作用・効果を説明する模式的に示した断面図である。
また、凹部31bと発光素子35とのクリアランス(隙間)は片側クリアランス(図3ではm1、m2で表示)で大きくても75μmに抑えている。この片側クリアランスm1、m2は小さいと隙間の中に入り込む発光素子35の光量は少なくなり、基板31の上面31aの電極パターン32aからの反射光が多くなるので光の利用効率は高くなる。一方、クリアランスm1、m2が大きいと隙間の中に入り込む光量も多くなる。隙間の中は反射面が形成されているのでその反射面で反射されて透光性樹脂37の上面側に出射する出射光も現れるが、損失する光も現れてきて光の利用効率としては悪くなる。
従って、このクリアランスは光の利用効率の面から考えるとクリアランスが小さければ小さいほど好ましい。しかしながら、クリアランスが小さいと発光素子35の実装作業の上での実装しづらさ現れてくる。このため、実装作業に影響を及ぼさない範囲での最大クリアランスを設定しており、片側クリアランスを大きくても75μmに抑えることで組立上の影響を解消している。また、大きくても75μmに抑えておけば光の利用効率の面で顕著な差は生じない。
P7、P8は凹部31bに発光素子35を搭載したときの発光素子35からの出射光で、電極パターン32aのQ7、Q8の部位で反射される出射光を示している。
P7’、P8’は凹部を設けなかった場合の発光素子35からの出射光で、平坦な電極パターン32a’のQ7’、Q8’の部位で反射される出射光を示している。なお、P7とP7’は発光素子35からの同一出射光、P8とP8’は発光素子35からの同一出射光である。
このように、電極パターン32aでの反射部位が発光素子35側に近づくことで、発光素子35から余り離れていない領域での反射光は透光性樹脂37の上面側に出射するようになる。
つまり、発光素子35の発光部35aを反射面に近付けることで透光性樹脂37の上面側に集光する光量が多くなる。
しかしながら、本発明においては必ずしもメッキ方法に限るものではなく、Ag金属などを用いて真空蒸着法やスパッタリング法、イオンプレーティング法などのPVD法でAg金属被膜を形成し、その後にフォトリソグラフィ法で所定の形状に仕上げて電極パターンを形成しても構わないものである。
次に、本発明の第2実施形態に係るLEDについて図5、図6を用いて説明する。なお、図5は本発明の第2実施形態に係るLEDの斜視図、図6は図5におけるA−A断面図を示している。
次に、第3実施形態に係るLEDについて図7、図8を用いて説明する。なお、図7は本発明の第3実施形態に係るLEDの斜視図、図8は図7におけるLEDの要部断面図を示している。
31a、41a、51a 上面
31b、41b、51b 凹部
31d、41d、51d、51e 隙間ゾーン
32、33、42、43、52、53、54 電極
32a、32b、32c、33a、33b、33c、42a、42b、42c、43a、43b、43c、52a、52b、52c、53a、53b、53c、54a、54b、54c 電極パターン
35、45、55、65 発光素子
35a、45a、55a、65a 発光部
36、46A、46B、56A、56B、66A、66B ボンディングワイヤ
37、47、57 透光性樹脂
38 導電性接着剤
40、50、70 LED
48、58 絶縁性接着剤
Claims (4)
- 基板上に搭載した発光素子を透光性樹脂で埋め込んだ発光ダイオードにおいて、
前記基板の上面には少なくとも1個の凹部と、前記基板の上面の一部を除いた部分に反射率の高い反射面を有し、
前記発光素子を前記反射面を有する前記凹部に搭載すると共に、前記発光素子の発光部を前記反射面から僅かに飛び出す位置に配置したことを特徴とする発光ダイオード。 - 前記反射面は一対の電極パターンの反射面であることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記反射面はAg、Al、Pt、Rhなどの白色系金属による反射面であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の発光ダイオード。
- 前記発光素子と前記凹部とのクリアランスは片側クリアランスが大きくても75μmであることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
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- 2007-07-20 JP JP2007189257A patent/JP2009026991A/ja active Pending
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