JP2009010864A - Body casing member for piezoelectric vibration device, piezoelectric vibration device, and method of manufacturing piezoelectric vibration device - Google Patents

Body casing member for piezoelectric vibration device, piezoelectric vibration device, and method of manufacturing piezoelectric vibration device Download PDF

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Hiroyuki Arimura
有村　　博之
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To join a body casing member without employing seam welding even when the body casing is made more compact. <P>SOLUTION: A crystal oscillator 1 has the body casing 11 constituted by joining a crystal oscillation chip 2, a first package 3, and a second package 4 via a joining material 5 and a buffer material 6 at low temperature under low pressure, and exciting electrodes 24 and 25 of the crystal oscillation chip 2 are excited in the internal space 12 in the body casing 11. The joining material 5 has a crystal structure of a face-centered cubic shape, and is plastically deformed and diffusion joined when it is joined to the crystal oscillation chip 2, the first package 3, and the second package 4 together. The buffer material 6 buffers stress due to the plastic deformation of the joining material 5. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、圧電振動デバイスの本体筐体部材、圧電振動デバイス、および圧電振動デバイスの製造方法に関する。   The present invention relates to a main body housing member of a piezoelectric vibration device, a piezoelectric vibration device, and a method for manufacturing the piezoelectric vibration device.

気密封止を必要とする電子部品の例として、水晶振動子、水晶フィルタ、水晶発振器等の圧電振動デバイスが挙げられる。これら各製品では、いずれも水晶振動片の主面に励振電極が形成され、この励振電極を外的環境から保護するために励振電極は圧電振動デバイスの本体筐体により気密封止されている。   Examples of electronic components that require hermetic sealing include piezoelectric vibration devices such as crystal resonators, crystal filters, and crystal oscillators. In each of these products, an excitation electrode is formed on the main surface of the quartz crystal vibrating piece, and the excitation electrode is hermetically sealed by the main body housing of the piezoelectric vibration device in order to protect the excitation electrode from the external environment.

圧電振動デバイスは、基本的にベースとキャップとからその本体筐体が構成されてなる。この圧電振動デバイスは、ベースとキャップとを金属膜などの接合材を用いてシーム接合することで本体筐体の内部空間を形成するとともに内部空間を気密封止し、内部空間に圧電振動片を保持する（例えば、特許文献１参照）。   The piezoelectric vibration device basically has a main body casing composed of a base and a cap. In this piezoelectric vibration device, the base and the cap are seam-bonded using a bonding material such as a metal film to form an internal space of the main body housing, and the internal space is hermetically sealed. Hold (for example, see Patent Document 1).

特許文献１に開示の圧電振動デバイスの本体筐体は、水晶振動片を収容する断面が凹形のセラミックパッケージと、このベースの開口部に接合する金属製のリッドとからなる。そして、ベースに金属膜（例えばタングステン−ニッケル−金の多層構成）を形成し、キャップに例えば銀ろうを形成して、ベースの金属膜部分とキャップの銀ろうとをシーム溶接法により接合を行い、内部空間を気密封止する。この方法では、金属リングを用いずに金属膜を用いてシーム接合を行なっているために、本体筐体の低背化をはかることができる。
特開２０００−２３６０３５号公報 The main body housing of the piezoelectric vibration device disclosed in Patent Document 1 includes a ceramic package having a concave cross section for accommodating a crystal vibrating piece and a metal lid that is joined to the opening of the base. Then, a metal film (for example, a multilayer structure of tungsten-nickel-gold) is formed on the base, a silver solder is formed on the cap, and the metal film portion of the base and the silver solder of the cap are joined by a seam welding method, The internal space is hermetically sealed. In this method, since the seam bonding is performed using the metal film without using the metal ring, the height of the main body casing can be reduced.
JP 2000-236035 A

ところで、シーム接合では、キャップのシーム接合を行う箇所に、シーム溶接装置の部材（溶接に直接係わる１対のシームローラ部）を直接接触させる必要がある。そのため、シーム接合によりベースとキャップとの接合を行うためには、キャップに、１対のシームローラ部を直接接触させる接触箇所を確保しなければならない。   By the way, in the seam joining, it is necessary to directly contact a member of the seam welding apparatus (a pair of seam roller portions directly related to welding) at a place where the seam joining of the cap is performed. For this reason, in order to join the base and the cap by seam joining, it is necessary to secure a contact location where the pair of seam roller portions are in direct contact with the cap.

しかしながら、現在、圧電振動デバイスは、電子部品の小型化にともなって小型化がすすんでおり、キャップに１対のシームローラ部を直接接触させる接触箇所を確保する余裕がなく（接触箇所の確保が難しく）、小型の圧電振動デバイスに関してキャップとベースとの接合にシーム接合を用いることが難しい。   However, at present, the piezoelectric vibration device has been miniaturized as electronic components have been miniaturized, and there is no room for securing a contact point where the pair of seam roller portions are brought into direct contact with the cap. ), It is difficult to use a seam joint for joining the cap and the base for a small piezoelectric vibration device.

また、小型の圧電振動デバイスのキャップとベースとの接合にシーム接合を用いた場合、シーム溶接装置の部材（一対のシームローラ部）が相互に干渉（短絡）したり、キャップの所望の領域外の箇所に接触してしまい、その結果、キャップとベースとの接合を効率よく行うことができなくなり、効率的な製造の阻害となる。   In addition, when seam bonding is used to bond the cap and base of a small piezoelectric vibration device, the members (a pair of seam roller portions) of the seam welding apparatus may interfere with each other (short circuit) or be outside the desired area of the cap. As a result, the cap and the base cannot be joined efficiently, which hinders efficient production.

そこで、上記課題を解決するために、本発明は、本体筐体の小型化が進んでも、シーム接合を用いずに本体筐体部材の接合を行える圧電振動デバイスの本体筐体部材、圧電振動デバイス、および圧電振動デバイスの製造方法を提供することを目的とする。   Accordingly, in order to solve the above-described problems, the present invention provides a main body housing member and a piezoelectric vibration device of a piezoelectric vibration device that can bond the main body housing member without using seam bonding even if the main body housing is downsized. And a method of manufacturing a piezoelectric vibration device.

上記の目的を達成するため、本発明にかかる圧電振動デバイスの本体筐体部材は、複数の本体筐体部材が接合材により接合されて本体筐体が構成される圧電振動デバイスの本体筐体部材において、当該本体筐体部材の接合面に、結晶構造が面心立方形であり、他の本体筐体部材との接合時に塑性変形するとともに拡散接合する接合材と、前記接合材の塑性変形による応力を緩衝する緩衝材と、が設けられ、前記緩衝材上に前記接合材が積層されたことを特徴とする。   In order to achieve the above object, a main body housing member of a piezoelectric vibration device according to the present invention includes a main body housing member of a piezoelectric vibration device in which a plurality of main body housing members are joined by a bonding material to form the main body housing. The bonding surface of the main body casing member has a face-centered cubic crystal structure, and plastically deforms at the time of bonding with the other main body casing member and is diffusion-bonded, and the plastic deformation of the bonding material. A buffer material for buffering stress, and the bonding material is laminated on the buffer material.

本発明によれば、本体筐体の小型化が進んでも、シーム接合を用いずに本体筐体部材の接合を行うことが可能となり、その結果、圧電振動デバイスの製造を効率的に行うことが可能となる。また、本発明によれば、当該本体筐体部材を用いて前記複数の本体筐体部材を前記緩衝材と前記接合材とを介して低温低圧により接合することが可能となり、この接合の際に前記接合材の塑性変形による応力を前記緩衝材で緩衝させることが可能となる。その結果、前記接合材による前記複数の本体筐体部材の接合を確実にすることが可能となり、前記複数の本体筐体部材の間に異物やコンタミネーション、または金属欠陥などがあったとしても前記緩衝材で緩衝（吸収）させることが可能となる。すなわち、本発明によれば、低温低圧によって前記接合材を拡散し易い（すべり易い）状態にして前記複数の本体筐体部材の接合を行うことが可能となる。また、本発明によれば、前記緩衝材の緩衝作用により、当該本体筐体部材の接合面の表面粗さに関係なく前記複数の本体筐体部材の接合を良好にすることが可能となる。また、本発明によれば、前記接合材と前記緩衝材の構成から、前記接合面の表面が粗い場合であっても前記接合材の拡散により接合を行うことが可能となる。   According to the present invention, even when the main body casing is downsized, it is possible to bond the main body casing member without using the seam bonding, and as a result, the piezoelectric vibrating device can be efficiently manufactured. It becomes possible. Further, according to the present invention, it becomes possible to join the plurality of body housing members by using the body housing member at a low temperature and low pressure via the cushioning material and the joining material. Stress due to plastic deformation of the bonding material can be buffered by the buffer material. As a result, it becomes possible to ensure the joining of the plurality of body housing members by the joining material, and even if there are foreign matter, contamination, or metal defects between the plurality of body housing members, It can be buffered (absorbed) with a cushioning material. That is, according to the present invention, the plurality of main body housing members can be joined in a state in which the joining material is easily diffused (slidable) by low temperature and low pressure. Moreover, according to this invention, it becomes possible to make favorable joining of these several main body housing members irrespective of the surface roughness of the joint surface of the said main body housing member by the buffering effect | action of the said buffer material. Further, according to the present invention, it is possible to perform bonding by diffusion of the bonding material even when the surface of the bonding surface is rough due to the configuration of the bonding material and the buffer material.

前記構成において、前記緩衝材は、前記接合材よりも容量が多くてもよい。   The said structure WHEREIN: The said buffer material may have more capacity | capacitance than the said joining material.

この場合、前記接合材の接合領域を小さくして、接合圧力を集中させることが可能となり、接合強度をあげることが可能となる。   In this case, the bonding area of the bonding material can be reduced to concentrate the bonding pressure, and the bonding strength can be increased.

また、上記の目的を達成するため、本発明にかかる圧電振動デバイスは、複数の本体筐体部材が接合材を介して低温低圧により接合されて本体筐体が構成され、前記本体筐体の内部空間において圧電振動片の励振が行なわれる圧電振動デバイスにおいて、前記接合材は、結晶構造が面心立方形であり、前記複数の本体筐体部材の接合時に塑性変形するとともに拡散接合し、前記接合材の塑性変形による応力を緩衝する緩衝材が、前記本体筐体部材の接合面に設けられ、前記緩衝材上に接合材が積層して設けられたことを特徴とする。   In order to achieve the above object, a piezoelectric vibration device according to the present invention includes a main body case in which a plurality of main body case members are joined together at low temperature and low pressure via a joining material. In the piezoelectric vibrating device in which the piezoelectric vibrating piece is excited in a space, the bonding material has a face-centered cubic crystal structure, and is plastically deformed and diffusion-bonded when the plurality of body housing members are bonded. A buffer material for buffering stress caused by plastic deformation of the material is provided on the joint surface of the main body housing member, and the joint material is provided on the buffer material in a stacked manner.

本発明によれば、前記本体筐体の小型化が進んでも、シーム接合を用いずに前記本体筐体部材の接合を行うことが可能となり、その結果、当該圧電振動デバイスの製造を効率的に行うことが可能となる。また、シーム接合やレーザ接合による溶接封止や金錫等のろう材封止では、金属溶融時に発生する金属ガスの影響により圧電振動デバイスの経時特性が劣化することが懸念されるが、本発明の拡散接合による封止では溶融ガスの悪影響がなく、極めて安定した経時特性が得られ、より信頼性の高い当該圧電振動デバイスを提供することができる。また、本発明によれば、前記複数の本体筐体部材を前記緩衝材と前記接合材とを介して低温低圧により接合することが可能となり、この接合の際に前記接合材の塑性変形による応力を前記緩衝材で緩衝させることが可能となる。その結果、前記接合材による前記複数の本体筐体部材の接合を確実にすることが可能となり、前記複数の本体筐体部材の間に異物やコンタミネーション、または金属欠陥などがあったとしても前記緩衝材で緩衝（吸収）させることが可能となる。すなわち、本発明によれば、低温低圧によって前記接合材を拡散し易い（すべり易い）状態にして前記複数の本体筐体部材の接合を行うことが可能となる。また、本発明によれば、前記緩衝材の緩衝作用により、前記本体筐体部材の接合面の表面粗さに関係なく前記複数の本体筐体部材の接合を良好にすることが可能となる。また、本発明によれば、前記接合材と前記緩衝材の構成から、前記接合面の表面が粗い場合であっても前記接合材の拡散により接合を行うことが可能となる。   According to the present invention, it is possible to join the body housing member without using seam joining even if the body housing is downsized. As a result, the piezoelectric vibrating device can be efficiently manufactured. Can be done. Further, in welding sealing by seam bonding or laser bonding or sealing of brazing filler metal such as gold tin, there is a concern that the time-dependent characteristics of the piezoelectric vibration device may deteriorate due to the influence of metal gas generated during metal melting. In the sealing by diffusion bonding, the molten gas is not adversely affected, extremely stable aging characteristics can be obtained, and the piezoelectric vibration device with higher reliability can be provided. Further, according to the present invention, it becomes possible to join the plurality of main body housing members at low temperature and low pressure via the cushioning material and the joining material, and stress due to plastic deformation of the joining material during the joining. Can be buffered by the buffer material. As a result, it becomes possible to ensure the joining of the plurality of body housing members by the joining material, and even if there are foreign matter, contamination, or metal defects between the plurality of body housing members, It can be buffered (absorbed) with a cushioning material. That is, according to the present invention, the plurality of main body housing members can be joined in a state in which the joining material is easily diffused (slidable) by low temperature and low pressure. Further, according to the present invention, the buffering action of the buffer material can improve the bonding of the plurality of main body housing members regardless of the surface roughness of the bonding surface of the main body housing members. Further, according to the present invention, it is possible to perform bonding by diffusion of the bonding material even when the surface of the bonding surface is rough due to the configuration of the bonding material and the buffer material.

前記構成において、前記本体筐体部材は、絶縁性材料であってもよい。   The said structure WHEREIN: An insulating material may be sufficient as the said main body housing member.

この場合、前記本体筐体部材を導電部材として用いることができないので、シーム封止を行うことを除外した構成となる。また、絶縁性材料からなる前記本体筐体によれば、導電性材料を本体筐体部材に用いた場合と比較してショートなどの不具合が起こり難く、電極パターンの配線設計が容易に行なえる。   In this case, since the main body casing member cannot be used as a conductive member, it is configured to exclude seam sealing. Further, according to the main body casing made of an insulating material, problems such as short-circuits are less likely to occur than when a conductive material is used for the main body casing member, and the wiring design of the electrode pattern can be easily performed.

前記構成において、前記本体筐体部材はセラミックからなり、前記本体筐体の高さは０．２〜０．３ｍｍの範囲内に設定されてもよい。   The said structure WHEREIN: The said main body housing | casing member may consist of ceramics, and the height of the said main body housing | casing may be set in the range of 0.2-0.3 mm.

この場合、前記本体筐体の小型化を図るのに好ましい。   In this case, it is preferable to reduce the size of the main body casing.

前記構成において、前記本体筐体部材は水晶、シリコンまたはガラスからなり、前記本体筐体の高さは０．２ｍｍ以下に設定されてもよい。   In the above configuration, the main body casing member may be made of quartz, silicon, or glass, and the height of the main body casing may be set to 0.2 mm or less.

この場合、現状のセラミックでは採用できない更に小型サイズの圧電振動デバイスを製造することが可能となる。また、本体筐体部材に薄いセラミック（例えば０．０８ｍｍ以下）を用いた場合、前記複数の本体筐体部材の接合の際にセラミックに低温低圧をかけることでセラミックは反り、また表面の面精度が粗くなるが、本構成によればこのような不具合が生じ難くなる。   In this case, it is possible to manufacture a piezoelectric vibration device of a smaller size that cannot be adopted by the current ceramic. In addition, when a thin ceramic (for example, 0.08 mm or less) is used for the main body casing member, the ceramic is warped by applying low temperature and low pressure to the ceramic when the plurality of main body casing members are joined. However, according to this configuration, it is difficult to cause such a problem.

また、上記の目的を達成するため、本発明にかかる圧電振動デバイスの製造方法は、複数の本体筐体部材を接合材を介して低温低圧により接合して本体筐体を構成し、前記本体筐体の内部空間において圧電振動片の励振を行なう圧電振動デバイスの製造方法において、前記接合材は、結晶構造が面心立方形であり、前記複数の本体筐体部材の接合時に塑性変形するとともに拡散接合し、前記接合材を前記複数の本体筐体部材それぞれの接合面に形成するとともに、前記複数の本体筐体部材の少なくとも１つの接合面と前記接合材との間に前記接合材の塑性変形による応力を緩衝する緩衝材を介在させることを特徴とする。   In order to achieve the above object, a method of manufacturing a piezoelectric vibrating device according to the present invention includes a main body casing configured by bonding a plurality of main body casing members at low temperature and low pressure via a bonding material. In a method for manufacturing a piezoelectric vibrating device that excites a piezoelectric vibrating piece in an internal space of a body, the bonding material has a face-centered cubic crystal structure, and is plastically deformed and diffused when the plurality of body housing members are bonded. Bonding, forming the bonding material on each bonding surface of the plurality of body housing members, and plastic deformation of the bonding material between at least one bonding surface of the plurality of body housing members and the bonding material It is characterized by interposing a cushioning material that cushions the stress caused by.

本発明によれば、前記本体筐体の小型化が進んでも、シーム接合を用いずに本体筐体部材の接合を行うことが可能となり、その結果、当該圧電振動デバイスの製造を効率的に行うことが可能となる。また、シーム接合やレーザ接合による溶接封止や金錫等のろう材封止では、金属溶融時に発生する金属ガスの影響により圧電振動デバイスの経時特性が劣化することが懸念されるが、本発明の拡散接合による封止では溶融ガスの悪影響がなく、極めて安定した経時特性が得られ、より信頼性の高い前記圧電振動デバイスを提供することができる。また、本発明によれば、前記複数の本体筐体部材を前記緩衝材と前記接合材とを介して低温低圧により接合することが可能となり、この接合の際に前記接合材の塑性変形による応力を前記緩衝材で緩衝させることが可能となる。その結果、前記接合材による前記複数の本体筐体部材の接合を確実にすることが可能となり、前記複数の本体筐体部材の間に異物やコンタミネーション、または金属欠陥などがあったとしても前記緩衝材で緩衝（吸収）させることが可能となる。すなわち、本発明によれば、低温低圧によって前記接合材を拡散し易い（すべり易い）状態にして前記複数の本体筐体部材の接合を行うことが可能となる。また、本発明によれば、前記緩衝材の緩衝作用により、前記本体筐体部材の接合面の表面粗さに関係なく前記複数の本体筐体部材の接合を良好にすることが可能となる。また、本発明によれば、前記接合材と前記緩衝材の構成から、前記接合面の表面が粗い場合であっても前記接合材の拡散により接合を行うことが可能となる。   According to the present invention, it is possible to bond the main body casing member without using the seam bonding even when the main body casing is miniaturized. As a result, the piezoelectric vibration device can be efficiently manufactured. It becomes possible. Further, in welding sealing by seam bonding or laser bonding or sealing of brazing filler metal such as gold tin, there is a concern that the time-dependent characteristics of the piezoelectric vibration device may deteriorate due to the influence of metal gas generated during metal melting. In the sealing by diffusion bonding of the above, there is no adverse effect of the molten gas, extremely stable aging characteristics can be obtained, and the piezoelectric vibration device with higher reliability can be provided. Further, according to the present invention, it becomes possible to join the plurality of main body housing members at low temperature and low pressure via the cushioning material and the joining material, and stress due to plastic deformation of the joining material during the joining. Can be buffered by the buffer material. As a result, it becomes possible to ensure the joining of the plurality of body housing members by the joining material, and even if there are foreign matter, contamination, or metal defects between the plurality of body housing members, It can be buffered (absorbed) with a cushioning material. That is, according to the present invention, the plurality of main body housing members can be joined in a state in which the joining material is easily diffused (slidable) by low temperature and low pressure. Further, according to the present invention, the buffering action of the buffer material can improve the bonding of the plurality of main body housing members regardless of the surface roughness of the bonding surface of the main body housing members. Further, according to the present invention, it is possible to perform bonding by diffusion of the bonding material even when the surface of the bonding surface is rough due to the configuration of the bonding material and the buffer material.

前記方法において、前記緩衝材または前記接合材および前記緩衝材を、ナノ粒子の緩衝材料の吐出より形成してもよい。   In the method, the buffer material or the bonding material and the buffer material may be formed by discharging a nanoparticle buffer material.

この場合、マスクを用いて前記緩衝材または前記接合材および前記緩衝材の形成位置を位置決めすることなく、所望の形成位置に前記緩衝材を形成することが可能となり、その結果、前記緩衝材または前記接合材および前記緩衝材の形成領域が小さくなったとしても所望の形成位置に前記緩衝材または前記接合材および前記緩衝材を形成することが可能となる。また、前記緩衝材または前記接合材および前記緩衝材をナノ粒子による吐出形成法により形成することで、非常に低温（例えば約２５℃）で前記複数の本体筐体部材への接合を行うことが可能となる。   In this case, the buffer material can be formed at a desired formation position without positioning the buffer material or the bonding material and the buffer material using the mask, and as a result, the buffer material or Even if the formation region of the bonding material and the buffer material is reduced, the buffer material or the bonding material and the buffer material can be formed at a desired formation position. Further, by forming the buffer material or the bonding material and the buffer material by a discharge forming method using nanoparticles, the bonding to the plurality of main body housing members can be performed at a very low temperature (for example, about 25 ° C.). It becomes possible.

前記方法において、前記接合材による前記複数の本体筐体部材の接合は、真空雰囲気で行ってもよい。   In the method, joining of the plurality of main body housing members with the joining material may be performed in a vacuum atmosphere.

この場合、前記複数の本体筐体部材の接合の際の温度や圧力などの接合条件が雰囲気に左右されることなく安定した状態で、前記接合材による前記複数の本体筐体部材の接合を行うことが可能となる。具体的に、窒素ガスなどの不活性ガスによる雰囲気において前記接合材による前記複数の本体筐体部材の接合を行った場合、圧電振動片の振動が雰囲気ガスによって邪魔されて動きにくくなり、その結果、直列共振抵抗値などの圧電振動デバイスの特性が劣化する。   In this case, the plurality of main body housing members are bonded by the bonding material in a stable state where bonding conditions such as temperature and pressure at the time of bonding the plurality of main body housing members are not affected by the atmosphere. It becomes possible. Specifically, when the plurality of main body housing members are bonded with the bonding material in an atmosphere of an inert gas such as nitrogen gas, the vibration of the piezoelectric vibrating piece is obstructed by the atmospheric gas and is difficult to move. The characteristics of the piezoelectric vibrating device such as the series resonance resistance value deteriorate.

本発明にかかる圧電振動デバイスの本体筐体部材、圧電振動デバイス、および圧電振動デバイスの製造方法によれば、本体筐体の小型化が進んでも、シーム接合を用いずに本体筐体部材の接合を行うことが可能となる。   According to the main body housing member of the piezoelectric vibration device, the piezoelectric vibration device, and the method for manufacturing the piezoelectric vibration device according to the present invention, the main body housing member can be joined without using seam joining even if the main body housing is downsized. Can be performed.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下に示す各実施例では、圧電振動デバイスとしてＡＴカット水晶振動子（以下、水晶振動子という）に本発明を適用した場合を示す。しかしながら、これらの実施例は好適な例であり、圧電振動を行う材料であれば圧電振動材料は水晶に限定されるものではない。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In each example shown below, a case is shown in which the present invention is applied to an AT-cut crystal resonator (hereinafter referred to as a crystal resonator) as a piezoelectric vibration device. However, these embodiments are suitable examples, and the piezoelectric vibration material is not limited to quartz as long as it is a material that performs piezoelectric vibration.

本実施例１にかかる水晶振動子１には、図１，２に示すように、複数の本体筐体部材（下記する符号２，３，４）から本体筐体１１が構成される。具体的に、実施例１では、本体筐体部材に、平面視矩形に成形されたＡＴカット水晶振動片２（本発明でいう圧電振動片であり、以下、水晶振動片という）と、この水晶振動片２を保持する第１パッケージ３と、第１パッケージ３に保持した水晶振動片２の励振電極２４，２５を気密封止するための第２パッケージ４とを用いている。なお、本実施例では、第１パッケージ３と第２パッケージ４と水晶振動片２とを、本体筐体部材とし、これら本体筐体部材（符号２，３，４）のうち少なくとも１つは、絶縁性材料からなる。また、水晶振動子１のパッケージサイズは、１．６×１．２ｍｍである。   As shown in FIGS. 1 and 2, the crystal resonator 1 according to the first embodiment includes a main body casing 11 including a plurality of main body casing members (reference numerals 2, 3 and 4 described below). Specifically, in Example 1, an AT-cut quartz crystal vibrating piece 2 (a piezoelectric vibrating piece referred to in the present invention, hereinafter referred to as a quartz crystal vibrating piece) formed in a rectangular shape in a plan view on a main body casing member, and the quartz crystal The first package 3 that holds the vibrating piece 2 and the second package 4 that hermetically seals the excitation electrodes 24 and 25 of the crystal vibrating piece 2 held in the first package 3 are used. In this embodiment, the first package 3, the second package 4, and the crystal vibrating piece 2 are used as main body housing members, and at least one of these main body housing members (reference numerals 2, 3, 4) Made of insulating material. The package size of the crystal unit 1 is 1.6 × 1.2 mm.

本実施例１にかかる水晶振動子１では、図１，２に示すように、第１パッケージ３と第２パッケージ４とが、その間に水晶振動片２を介在させて、接合材５を用いて低温低圧（２５〜３６０℃、１〜１００ｋｇ／ｃｍ2）により接合されている。この接合材５による第１パッケージ３と第２パッケージ４と水晶振動片２との接合により本体筐体１１の内部空間１２が形成されるととともに、水晶振動片２に形成される励振電極２４，２５が気密封止される。 In the crystal resonator 1 according to the first embodiment, as shown in FIGS. 1 and 2, the first package 3 and the second package 4 use the bonding material 5 with the crystal vibrating piece 2 interposed therebetween. Bonding is performed by low temperature and low pressure (25 to 360 ° C., 1 to 100 kg / cm 2 ). By joining the first package 3, the second package 4, and the crystal vibrating piece 2 by the bonding material 5, an internal space 12 of the main body housing 11 is formed, and excitation electrodes 24 formed on the crystal vibrating piece 2, 25 is hermetically sealed.

水晶振動子１の各構成について、図３，４を用いて以下に説明する。なお、以下の各構成の説明では、図３，４に示すように、本体筐体部材（水晶振動片２、第１パッケージ３、第２パッケージ４）が接合される前の夫々単一部材について説明する。   Each configuration of the crystal unit 1 will be described below with reference to FIGS. In the following description of each configuration, as shown in FIGS. 3 and 4, each single member before the main body housing member (the crystal vibrating piece 2, the first package 3, and the second package 4) is joined. explain.

水晶振動片２は、図３，４に示すように、ＡＴカット水晶板（図示省略）からなり、平面視矩形上の一枚板の直方体に成形されている。なお、水晶振動片２の高さは、０．２ｍｍ以下（本実施例では０．０８ｍｍ）に設定されている。この水晶振動片２の両主面２１、２２の平面視外周２３はそれぞれ第１パッケージ３と第２パッケージ４とを接合する接合部位（接合面）となる。この接合部位には、当該ＡＴカット水晶板より柔らかい材料であって、ニッケルめっき上に金めっきを積層した接合材５が形成される。なお、接合材５は、図３に示すように、断面視矩形状に成形され、その厚さは１〜３μｍ（本実施例では２μｍ）に設定される。また、上記したように、水晶振動片２の両主面２１、２２の平面視外周２３が、第１パッケージ３と第２パッケージ４との接合面とされるので、本実施例にかかる水晶振動片２は、本体筐体部材の一つとされる。   As shown in FIGS. 3 and 4, the quartz crystal vibrating piece 2 is formed of an AT-cut quartz plate (not shown), and is formed into a single rectangular parallelepiped on a rectangular plan view. In addition, the height of the crystal vibrating piece 2 is set to 0.2 mm or less (0.08 mm in this embodiment). The outer peripheries 23 in plan view of both main surfaces 21 and 22 of the quartz crystal vibrating piece 2 serve as joint portions (joint surfaces) for joining the first package 3 and the second package 4 respectively. A bonding material 5 made of a material softer than the AT-cut quartz plate and having a gold plating laminated on a nickel plating is formed at the bonding portion. As shown in FIG. 3, the bonding material 5 is formed in a rectangular shape in cross section, and the thickness thereof is set to 1 to 3 μm (2 μm in this embodiment). Further, as described above, since the outer periphery 23 in plan view of both the main surfaces 21 and 22 of the crystal vibrating piece 2 is the bonding surface between the first package 3 and the second package 4, the crystal vibration according to the present embodiment. The piece 2 is one of the main body housing members.

また、水晶振動片２の両主面２１、２２には、それぞれ励振電極２４，２５と、これらの励振電極２４，２５を外部電極（図示しない第１パッケージ３の電極パッド）と電気的に接続するために励振電極２４，２５から引き出された引出電極２６，２７と、一方の主面２１に形成された引出電極２６を他方の主面２２に引回すスルーホール２８と、励振電極２４，２５による振動が外部端子（本実施例では電極パッド（図示省略）との接続部位である平面視外周２３に伝播するのを抑制する伝播抑制部２９が形成されている。励振電極２４，２５及び引出電極２６，２７は、例えば、水晶振動板側からクロム、金の順に、あるいはクロム、金、クロムの順に、あるいはクロム、銀、クロムの順に積層して形成されている。また、伝播抑制部２９は、両主面２１、２２間を貫通した貫通部であり、この伝播抑制部２９により、引出電極２６，２７の形成箇所を除いて励振電極２４，２５と平面視外周２３との間が伝播遮断される。具体的に、本実施例１では、スルーホール２８が水晶振動片２の主面２１（２２）の平面視隅部に形成され、伝播抑制部２９は、平面視外周２３の各辺に沿って合計４つ形成されている。これら４つの伝播抑制部２９の貫通形状は、それぞれ、平面視外周２３に沿って形成された外周部位と、スルーホール２８近傍を貫通部位の両端からそれぞれ平面視直角方向に折曲された２つの折曲部位との三辺の部位からなる。なお、水晶振動片２の周波数は、励振電極６２間の水晶振動片２の厚みに関係する。   Further, excitation electrodes 24 and 25 are electrically connected to both main surfaces 21 and 22 of the quartz crystal vibrating piece 2 and external electrodes (electrode pads of the first package 3 (not shown)). For this purpose, the extraction electrodes 26 and 27 drawn from the excitation electrodes 24 and 25, the through hole 28 for drawing the extraction electrode 26 formed on one main surface 21 to the other main surface 22, and the excitation electrodes 24 and 25 Is formed with a propagation suppressing portion 29 that suppresses the propagation of the vibration due to the external terminal (in this embodiment, to the outer periphery 23 in plan view, which is a connection portion with the electrode pad (not shown)). The electrodes 26 and 27 are formed, for example, in the order of chromium and gold, in the order of chromium, gold, and chromium, or in the order of chromium, silver, and chromium from the quartz diaphragm side. Is a penetrating portion that penetrates between both main surfaces 21 and 22, and this propagation suppressing portion 29 propagates between the excitation electrodes 24 and 25 and the outer periphery 23 in a plan view except for the location where the extraction electrodes 26 and 27 are formed. Specifically, in the first embodiment, the through hole 28 is formed at a corner in the plan view of the main surface 21 (22) of the quartz crystal vibrating piece 2, and the propagation suppressing portion 29 is provided on each outer periphery 23 in the plan view. A total of four are formed along the side.The through shapes of these four propagation suppressing portions 29 are respectively the outer peripheral portion formed along the outer periphery 23 in plan view and the vicinity of the through hole 28 from both ends of the through portion. Each of the three sides of the crystal vibrating piece 2 is bent in a direction perpendicular to the plan view, and the frequency of the crystal vibrating piece 2 is related to the thickness of the crystal vibrating piece 2 between the excitation electrodes 62.

第１パッケージ３は、図３に示すように、セラミック材料からなる平面視矩形状の一枚板の底部３１と、この底部３１上に積層したセラミック材料の堤部３２とから構成される箱状体に形成され、これら底部３１と堤部３２とが断面凹状に一体的に焼成されている。また、堤部３２は、底部３１の上面外周に沿って成形されている。この堤部３２の上面（端面）は、水晶振動片２との接合面３３である。この接合面３３には、接合材５の塑性変形（下記参照）による応力を緩衝する緩衝材６と、水晶振動片２との接合に用いる接合材５とが設けられ、緩衝材６上に接合材５が積層して形成されている。なお、第１パッケージ３の高さは、０．１〜０．３ｍｍの範囲内（本実施例では０．１ｍｍ）に設定されている。また、本実施例では、緩衝材６には第１パッケージ３より柔らかい材料である洋白やアルミニウムや銅やマグネシウムを用いている。また、接合材５は、緩衝材６より柔らかい材料であって、ニッケルめっき上に金めっきを積層したものであり、主構成を金メッキとし、水晶振動片２に形成した接合材５と同一材料からなる。この接合材５では、ニッケルめっきが、金めっきと緩衝材６との接合を良好にするために用いている。そのため、本実施例では、ニッケルめっき上に金めっきを積層しているが、これに限定されるものではなく、接合材５が金めっきからなってもよい。また、第１パッケージ３に形成された緩衝材６と接合材５は、図３に示すように、断面視台形状に成形され、緩衝材６は接合材５よりも容量（体積）が多い。また、緩衝材６の厚さは３〜９μｍ（本実施例では９μｍ）に設定され、接合材５の厚さは１〜３μｍ（本実施例では３μｍ）に設定され、緩衝材６の厚みは接合材５の厚みの約３倍に設定されている。   As shown in FIG. 3, the first package 3 has a box-like shape composed of a bottom 31 of a single plate made of a ceramic material in a rectangular shape in plan view and a bank portion 32 of a ceramic material laminated on the bottom 31. The bottom 31 and the bank 32 are integrally fired in a concave cross section. The bank portion 32 is formed along the outer periphery of the upper surface of the bottom portion 31. The upper surface (end surface) of the bank portion 32 is a joint surface 33 with the crystal vibrating piece 2. The bonding surface 33 is provided with a buffer material 6 for buffering stress due to plastic deformation (see below) of the bonding material 5 and a bonding material 5 used for bonding to the crystal vibrating piece 2. The material 5 is formed by laminating. The height of the first package 3 is set within a range of 0.1 to 0.3 mm (0.1 mm in this embodiment). In the present embodiment, the cushioning material 6 is made of a material softer than the first package 3 such as white, aluminum, copper, or magnesium. Further, the bonding material 5 is a softer material than the buffer material 6, and is obtained by laminating gold plating on nickel plating. The main component is gold plating, and the same material as the bonding material 5 formed on the crystal vibrating piece 2 is used. Become. In this bonding material 5, nickel plating is used to improve the bonding between the gold plating and the buffer material 6. Therefore, in this embodiment, the gold plating is laminated on the nickel plating. However, the present invention is not limited to this, and the bonding material 5 may be made of gold plating. Further, as shown in FIG. 3, the buffer material 6 and the bonding material 5 formed in the first package 3 are formed in a trapezoidal shape in cross section, and the buffer material 6 has a larger capacity (volume) than the bonding material 5. Further, the thickness of the buffer material 6 is set to 3 to 9 μm (9 μm in this embodiment), the thickness of the bonding material 5 is set to 1 to 3 μm (3 μm in this embodiment), and the thickness of the buffer material 6 is It is set to about three times the thickness of the bonding material 5.

また、第１パッケージ３の表面には、水晶振動片２の励振電極２４，２５と電気的に接続する複数の電極パッド（図示省略）が形成され、第１パッケージ３の平面視外周の四隅（隅部）にはキャスタレーションがそれぞれ設けられている。電極パッドは、第１パッケージ３の裏面に形成される端子電極（図示省略）にキャスタレーションやスルーホール２８のビアを介して電気的に接続され、これら端子電極から外部部品や外部機器と接続される。なお、これら電極パッドおよび端子電極は、タングステン、モリブデン等のメタライズ材料を印刷した後にベースと一体的に焼成して形成される。そして、これら電極パッド、端子電極のうち一部のものについては、メタライズ上部にニッケルコバルトメッキが形成され、その上部に金メッキが形成されて構成される。   In addition, a plurality of electrode pads (not shown) that are electrically connected to the excitation electrodes 24 and 25 of the crystal vibrating piece 2 are formed on the surface of the first package 3, and the four corners (in the plan view outer periphery) of the first package 3 ( Each corner is provided with a castellation. The electrode pads are electrically connected to terminal electrodes (not shown) formed on the back surface of the first package 3 via castellations and vias of the through holes 28, and are connected to external components and external devices from these terminal electrodes. The These electrode pads and terminal electrodes are formed by printing a metallized material such as tungsten or molybdenum and then firing it integrally with the base. And some of these electrode pads and terminal electrodes are constructed by forming nickel cobalt plating on the metallized upper part and gold plating on the upper part.

第２パッケージ４は、図３に示すように、セラミック材料からなる平面視矩形状の一枚板の底部４１と、この底部４１上に積層したセラミック材料の堤部４２とから構成される箱状体に形成され、これら底部４１と堤部４２とが断面凹状に一体的に焼成されている。また、堤部４２は、底部４１の上面外周に沿って成形されている。この堤部４２の上面（端面）は、水晶振動片２との接合面４３である。この接合面４３には、接合材５の塑性変形（下記参照）による応力を緩衝する緩衝材６と、水晶振動片２との接合に用いる接合材５とが設けられ、緩衝材６上に接合材５が積層して形成されている。なお、第２パッケージ４の高さは、０．１〜０．３ｍｍの範囲内（本実施例では０．１ｍｍ）に設定されている。また、本実施例では、緩衝材６には第２パッケージ４より柔らかい材料である洋白やアルミニウムや銅やマグネシウムを用いている。また、接合材５は、緩衝材６より柔らかい材料であって、ニッケルめっき上に金めっきを積層したものであり、主構成を金メッキとし、水晶振動片２と第１パッケージ３とに形成した接合材５と同一材料からなる。この接合材５では、ニッケルめっきが、金めっきと緩衝材６との接合を良好にするために用いている。そのため、本実施例では、ニッケルめっき上に金めっきを積層しているが、これに限定されるものではなく、接合材５が金めっきからなってもよい。また、第２パッケージ４に形成された緩衝材６と接合材５は、図３に示すように、断面視台形状に成形され、緩衝材６は接合材５よりも容量（体積）が多い。また、緩衝材６の厚さは３〜９μｍ（本実施例では９μｍ）に設定され、接合材５の厚さは１〜３μｍ（本実施例では３μｍ）に設定され、緩衝材６の厚みは接合材５の厚みの約３倍に設定されている。   As shown in FIG. 3, the second package 4 has a box-like shape composed of a bottom 41 of a rectangular plate made of a ceramic material in a plan view, and a bank 42 made of a ceramic material laminated on the bottom 41. The bottom 41 and the bank 42 are integrally fired in a concave cross section. The bank portion 42 is formed along the outer periphery of the upper surface of the bottom portion 41. The upper surface (end surface) of the bank 42 is a joint surface 43 with the crystal vibrating piece 2. The bonding surface 43 is provided with a buffer material 6 for buffering stress due to plastic deformation (see below) of the bonding material 5 and a bonding material 5 used for bonding to the crystal vibrating piece 2. The material 5 is formed by laminating. The height of the second package 4 is set within a range of 0.1 to 0.3 mm (0.1 mm in this embodiment). In this embodiment, the cushioning material 6 is made of a material softer than the second package 4 such as white, aluminum, copper, or magnesium. Further, the bonding material 5 is a material softer than the buffer material 6, and is formed by laminating gold plating on nickel plating, the main structure is gold plating, and the bonding formed on the crystal vibrating piece 2 and the first package 3. It consists of the same material as the material 5. In this bonding material 5, nickel plating is used to improve the bonding between the gold plating and the buffer material 6. Therefore, in this embodiment, the gold plating is laminated on the nickel plating. However, the present invention is not limited to this, and the bonding material 5 may be made of gold plating. Further, as shown in FIG. 3, the buffer material 6 and the bonding material 5 formed in the second package 4 are formed in a trapezoidal shape in cross section, and the buffer material 6 has a larger capacity (volume) than the bonding material 5. Further, the thickness of the buffer material 6 is set to 3 to 9 μm (9 μm in this embodiment), the thickness of the bonding material 5 is set to 1 to 3 μm (3 μm in this embodiment), and the thickness of the buffer material 6 is It is set to about three times the thickness of the bonding material 5.

上記した水晶振動片２と第１パッケージ３と第２パッケージ４とに形成した接合材５は、結晶構造が面心立方形からなり、水晶振動片２と第１パッケージ３と第２パッケージ４との接合時に塑性変形するとともに拡散接合される。   The bonding material 5 formed on the crystal vibrating piece 2, the first package 3, and the second package 4 has a crystal structure of a face-centered cubic shape, and the crystal vibrating piece 2, the first package 3, the second package 4, and the like. At the time of joining, plastic deformation and diffusion joining are performed.

次に、上記した構成を用いた水晶振動子１の製造方法について、図１〜４を用いて説明する。   Next, a method for manufacturing the crystal resonator 1 using the above-described configuration will be described with reference to FIGS.

第１パッケージ３の底部３１と堤部３２とを一体的に焼成して箱状体の第１パッケージ３を成形し、この第１パッケージ３の表面に、複数の電極パッドを形成する。なお、第１パッケージ３の他の構成（例えばキャスタレーションやスルーホール２８など）の製造についての説明は省略する。箱状体に焼成した第１パッケージ３の接合面３３に、ナノ粒子の吐出形成法により緩衝材料を吐出し、第１パッケージ３の接合面３３に断面視台形の緩衝材６を形成する。この緩衝材６の形成後、緩衝材６の断面視台形の天面に接合材５を、ナノ粒子の吐出形成法もしくはスクリーン印刷法により、断面視台形の接合材５を形成し、第１パッケージ３を製造する。すなわち、すなわち、水晶振動片２の平面視外周２３（接合面）に緩衝材６を設け、緩衝材６上に接合材５を積層して設ける。そして、第１パッケージ３と同様にして、第２パッケージ４を製造する。そのため、第２パッケージ４の製造工程は省略する。   The bottom portion 31 and the bank portion 32 of the first package 3 are integrally fired to form a box-shaped first package 3, and a plurality of electrode pads are formed on the surface of the first package 3. In addition, description about manufacture of the other structure (for example, castellation, the through hole 28, etc.) of the 1st package 3 is abbreviate | omitted. A buffer material is discharged onto the bonding surface 33 of the first package 3 fired into a box-like body by a nanoparticle discharge forming method, and the buffer material 6 having a trapezoidal shape in cross section is formed on the bonding surface 33 of the first package 3. After the formation of the buffer material 6, the bonding material 5 is formed on the top surface of the trapezoidal trapezoidal shape of the buffering material 6, and the trapezoidal bonding material 5 in the sectional view of trapezoidal shape is formed by the nanoparticle discharge forming method or the screen printing method. 3 is manufactured. That is, the buffer material 6 is provided on the outer periphery 23 (bonding surface) in plan view of the crystal vibrating piece 2, and the bonding material 5 is stacked on the buffer material 6. Then, the second package 4 is manufactured in the same manner as the first package 3. Therefore, the manufacturing process of the second package 4 is omitted.

そして、上記したように構成された第１パッケージ３を、その箱状体に形成された第１パッケージ３の開口を上方に向けて配する。そして、この開口を封止するように水晶振動片２を、第１パッケージ３上に載置する。具体的に、第１パッケージ３の接合面３３に形成された接合材５上に水晶振動片２の主面２１の平面視外周２３に形成された接合材５を接するように、水晶振動片２を第１パッケージ３上に載置する。   Then, the first package 3 configured as described above is arranged with the opening of the first package 3 formed in the box-like body facing upward. Then, the crystal vibrating piece 2 is placed on the first package 3 so as to seal the opening. Specifically, the crystal vibrating piece 2 is in contact with the bonding material 5 formed on the outer periphery 23 in plan view of the main surface 21 of the crystal vibrating piece 2 on the bonding material 5 formed on the bonding surface 33 of the first package 3. Is placed on the first package 3.

第１パッケージ３上への水晶振動片２の載置を終えると、上記したように構成された第２パッケージ４を、箱状体に形成された第２パッケージ４の開口を下方に向けて配する。そして、この開口を封止するように第２パッケージ４を、水晶振動片２上に載置する。具体的に、水晶振動片２の主面２２の平面視外周２３に形成された接合材５上に第２パッケージ４の接合面４３に形成された接合材５を接するように、第２パッケージ４を水晶振動片２上に載置する。   When the placement of the crystal vibrating piece 2 on the first package 3 is finished, the second package 4 configured as described above is arranged with the opening of the second package 4 formed in the box-like body facing downward. To do. Then, the second package 4 is placed on the crystal vibrating piece 2 so as to seal the opening. Specifically, the second package 4 is arranged such that the bonding material 5 formed on the bonding surface 43 of the second package 4 is in contact with the bonding material 5 formed on the outer periphery 23 in plan view of the main surface 22 of the crystal vibrating piece 2. Is placed on the crystal vibrating piece 2.

上記したように、第１パッケージ３、水晶振動片２、第２パッケージ４を順に積層した後に、これら第１パッケージ３、水晶振動片２、第２パッケージ４を接合材５および緩衝材６を介して低温低圧（本実施例では２００℃、１００ｋｇ／ｃｍ2）により接合する。この接合は真空雰囲気で行い、接合時に接合材５が塑性変形するとともに拡散接合し、緩衝材６では接合材５の塑性変形による応力を緩衝し、図３に示す接合材５および緩衝材６は、図１，２に示すように変形した状態で接合する。そして、これら接合材５および緩衝材６を接合することで、第１パッケージ３、水晶振動片２、および第２パッケージ４を接合し、内部空間１２を気密封止して図１に示す水晶振動子１を製造する。 As described above, after the first package 3, the crystal vibrating piece 2, and the second package 4 are sequentially stacked, the first package 3, the crystal vibrating piece 2, and the second package 4 are connected to each other via the bonding material 5 and the buffer material 6. Bonding is performed at a low temperature and low pressure (in this embodiment, 200 ° C., 100 kg / cm 2 ). This bonding is performed in a vacuum atmosphere, and the bonding material 5 is plastically deformed and diffusion bonded at the time of bonding. The buffer material 6 buffers the stress caused by the plastic deformation of the bonding material 5, and the bonding material 5 and the buffer material 6 shown in FIG. 1 and 2 are joined in a deformed state. Then, by bonding the bonding material 5 and the buffer material 6, the first package 3, the crystal vibrating piece 2, and the second package 4 are bonded, and the internal space 12 is hermetically sealed, and the crystal vibration shown in FIG. The child 1 is manufactured.

上記した本実施例によれば、本体筐体１１の小型化が進んでも、シーム接合を用いずに本体筐体部材（第１パッケージ３と第２パッケージ４と水晶振動片２）の接合を行うことができ、その結果、水晶振動子１の製造を効率的に行うことができる。また、シーム接合やレーザ接合による溶接封止や金錫等のろう材封止では、金属溶融時に発生する金属ガスの影響により水晶振動子１の経時特性が劣化することが懸念されるが、本実施例の金属拡散接合による封止では金属溶融ガスの悪影響がなく、極めて安定した経時特性が得られ、より信頼性の高い水晶振動子１を提供することができる。   According to the above-described embodiment, even when the main body casing 11 is downsized, the main body casing members (the first package 3, the second package 4, and the crystal vibrating piece 2) are joined without using seam joining. As a result, the crystal unit 1 can be manufactured efficiently. In addition, in the case of welding sealing by seam bonding or laser bonding or brazing filler metal such as gold tin, there is a concern that the temporal characteristics of the crystal unit 1 may deteriorate due to the influence of metal gas generated during metal melting. In the sealing by metal diffusion bonding of the embodiment, there is no adverse effect of the molten metal gas, extremely stable aging characteristics can be obtained, and the crystal resonator 1 with higher reliability can be provided.

また、本実施例によれば、本体筐体部材（符号２，３，４）を緩衝材６と接合材５とを介して低温低圧により接合することができ、この接合の際に接合材５の塑性変形による応力を緩衝材６で緩衝させることができる。その結果、接合材５による本体筐体部材（符号２，３，４）の接合を確実にすることができ、本体筐体部材（符号２，３，４）の間に異物やコンタミネーション、または金属欠陥などがあったとしても緩衝材６で緩衝（吸収）させることができる。すなわち、本実施例によれば、低温低圧によって接合材５を拡散し易い（すべり易い）状態にして本体筐体部材（符号２，３，４）の接合を行うことができる。   Further, according to the present embodiment, the main body housing member (reference numerals 2, 3, 4) can be bonded by the low temperature and low pressure via the buffer material 6 and the bonding material 5, and the bonding material 5 is bonded at the time of this bonding. The buffer material 6 can buffer the stress caused by plastic deformation. As a result, the bonding of the main body housing members (reference numerals 2, 3, 4) by the bonding material 5 can be ensured, and foreign matter or contamination between the main body housing members (reference numerals 2, 3, 4), or Even if there is a metal defect, it can be buffered (absorbed) by the buffer material 6. That is, according to the present embodiment, the main body housing members (reference numerals 2, 3, and 4) can be joined in a state in which the joining material 5 is easily diffused (slidable) by low temperature and low pressure.

また、本実施例によれば、緩衝材６の緩衝作用により、本体筐体部材（第１パッケージ３と第２パッケージ４）の接合面３３、４３の表面粗さに関係なく本体筐体部材（符号２，３，４）の接合を良好にすることができる。また、本実施例によれば、接合材５と緩衝材６の構成から、接合面３３、４３の表面が粗い場合であっても接合材５の拡散により接合を行うことができる。   In addition, according to the present embodiment, the cushioning action of the cushioning material 6 allows the body housing member (the main body housing member (the first package 3 and the second package 4) to be independent of the surface roughness of the joint surfaces 33 and 43). The joining of reference numerals 2, 3, and 4) can be improved. In addition, according to the present embodiment, even if the surfaces of the bonding surfaces 33 and 43 are rough due to the configuration of the bonding material 5 and the buffer material 6, bonding can be performed by diffusion of the bonding material 5.

また、本実施例によれば、第１パッケージ３の堤部３２の接合面３３や、第２パッケージ４の堤部４２の接合面４３や、水晶振動片２の平面視外周２３を接合部位としているので、接合材５と緩衝材６を介した第１パッケージ３と第２パッケージ４と水晶振動片２との低温低圧による接合がし易い。すなわち、接合時に低い圧力をかけるが、接合面３３，４３が第１パッケージ３と第２パッケージ４の堤部３２，４２であるので、この圧力が内部空間１２内の構成（水晶振動片２の励振電極２４，２５など）に直接影響することはない。   Further, according to the present embodiment, the bonding surface 33 of the bank portion 32 of the first package 3, the bonding surface 43 of the bank portion 42 of the second package 4, and the outer periphery 23 in plan view of the crystal vibrating piece 2 are used as bonding sites. Therefore, it is easy to join the first package 3, the second package 4, and the crystal vibrating piece 2 through the bonding material 5 and the buffer material 6 at low temperature and low pressure. That is, although a low pressure is applied at the time of joining, since the joining surfaces 33 and 43 are the bank portions 32 and 42 of the first package 3 and the second package 4, this pressure is applied to the configuration in the internal space 12 (the crystal vibrating piece 2 There is no direct influence on the excitation electrodes 24, 25, etc.

また、本実施例によれば、緩衝材６は接合材５よりも容量が多いので、接合材５の接合領域を小さくして、接合圧力を集中させることができ、接合強度をあげることができる。   Further, according to the present embodiment, since the buffer material 6 has a larger capacity than the bonding material 5, the bonding area of the bonding material 5 can be reduced, the bonding pressure can be concentrated, and the bonding strength can be increased. .

また、本実施例によれば、本体筐体部材（符号２，３，４）は絶縁性材料であるので、前記本体筐体部材を導電部材として用いることができないので、シーム封止を行うことを除外した構成となる。   In addition, according to the present embodiment, since the main body casing member (reference numerals 2, 3, and 4) is an insulating material, the main body casing member cannot be used as a conductive member, so that seam sealing is performed. The configuration is excluded.

また、本実施例によれば、第１パッケージ３と第２パッケージ４はセラミックからなり、その高さを０．１ｍｍに設定することで本体筐体１１の高さを０．３ｍｍ以下に設定することが可能となり、本体筐体１１の小型化を図るのに好ましい。   According to the present embodiment, the first package 3 and the second package 4 are made of ceramic, and the height of the main body housing 11 is set to 0.3 mm or less by setting the height to 0.1 mm. It is possible to reduce the size of the main body housing 11.

また、本実施例によれば、緩衝材６または接合材５および緩衝材６をナノ粒子の緩衝材料の吐出より形成するので、マスクを用いて緩衝材６または接合材５および緩衝材６の形成位置を位置決めすることなく、所望の形成位置に緩衝材６または接合材５および緩衝材６を形成することができる。その結果、緩衝材６または接合材５および緩衝材６の形成領域が小さくなったとしても所望の形成位置に緩衝材６または接合材５および緩衝材６を形成することができる。また、緩衝材６または接合材５および緩衝材６をナノ粒子による吐出形成法により形成することで、非常に低温（例えば約２５℃）で本体筐体部材（符号２，３，４）への接合を行うことができる。   Further, according to the present embodiment, the buffer material 6 or the bonding material 5 and the buffer material 6 are formed by discharging the nanoparticle buffer material, so that the buffer material 6 or the bonding material 5 and the buffer material 6 are formed using a mask. The buffer material 6 or the bonding material 5 and the buffer material 6 can be formed at a desired formation position without positioning the position. As a result, even if the buffer material 6 or the bonding material 5 and the buffer material 6 are formed in a smaller area, the buffer material 6 or the bonding material 5 and the buffer material 6 can be formed at desired positions. Further, by forming the buffer material 6 or the bonding material 5 and the buffer material 6 by the nanoparticle discharge forming method, the main body housing member (reference numerals 2, 3 and 4) can be applied to the body housing member at a very low temperature (for example, about 25 ° C.). Bonding can be performed.

また、本実施例によれば、接合材５による複数の本体筐体部材（符号２，３，４）の接合は真空雰囲気で行うので、複数の本体筐体部材（符号２，３，４）の接合の際の温度や圧力などの接合条件が雰囲気に左右されることなく安定した状態で、接合材５による本体筐体部材（符号２，３，４）の接合を行うことができる。具体的に、窒素ガスなどの不活性ガスによる雰囲気において接合材５による本体筐体部材（符号２，３，４）の接合を行った場合、水晶振動片２の振動が雰囲気ガスによって邪魔されて動きにくくなり、その結果、直列共振抵抗値などの水晶振動子１の特性が劣化する。   Further, according to the present embodiment, the plurality of main body housing members (reference numerals 2, 3 and 4) by the bonding material 5 are joined in a vacuum atmosphere. The main body housing members (reference numerals 2, 3, 4) can be joined by the joining material 5 in a state where the joining conditions such as temperature and pressure at the time of joining are not affected by the atmosphere. Specifically, when the main body housing member (reference numerals 2, 3 and 4) is bonded by the bonding material 5 in an atmosphere of an inert gas such as nitrogen gas, the vibration of the crystal vibrating piece 2 is obstructed by the atmospheric gas. As a result, it becomes difficult to move, and as a result, the characteristics of the crystal resonator 1 such as the series resonance resistance value deteriorate.

なお、本実施例では、第１パッケージ３および第２パッケージ４はともにセラミック材料からなり、その高さが０．１ｍｍに設定されているが、この範囲は材料がセラミックである時に限定されるものであり、第１パッケージ３および第２パッケージ４の材料に水晶、シリコンやガラス用いた場合、特に水晶では各パッケージ（第１パッケージ３と第２パッケージ４）と水晶振動片２の高さを夫々０．０５ｍｍ程度に設定することができ、その結果、これらを重ね合わせた本体筐体１１の高さを０．２ｍｍ以下に設定することができ、さらに当該水晶振動子１の小型化に好適である。また、この場合、現状のセラミックでは採用できない更に小型サイズ（１．６×１．２ｍｍ未満のパッケージサイズ）の水晶振動子１を製造することができる。また、本体筐体部材（符号２，３，４）に薄いセラミック（例えば０．０８ｍｍ以下）を用いた場合、本体筐体部材（符号２，３，４）の接合の際にセラミックに低温低圧をかけることでセラミックは反り、また表面の面精度が粗くなるが、本構成によればこのような不具合が生じ難くなる。   In the present embodiment, both the first package 3 and the second package 4 are made of a ceramic material, and the height thereof is set to 0.1 mm. However, this range is limited when the material is ceramic. In the case where quartz, silicon or glass is used as the material of the first package 3 and the second package 4, the height of each package (the first package 3 and the second package 4) and the quartz crystal resonator element 2 is set particularly for quartz. It can be set to about 0.05 mm, and as a result, the height of the main body casing 11 in which these are superposed can be set to 0.2 mm or less, and further suitable for downsizing the crystal unit 1. is there. Further, in this case, it is possible to manufacture a crystal unit 1 having a further small size (package size less than 1.6 × 1.2 mm) that cannot be adopted by the current ceramic. In addition, when a thin ceramic (for example, 0.08 mm or less) is used for the main body casing members (reference numerals 2, 3, 4), the low temperature and low pressure are applied to the ceramic when the main body casing members (reference numerals 2, 3, 4) are joined. The warpage of the ceramic and the surface accuracy of the surface become rough by applying the above, but according to the present configuration, such a problem is less likely to occur.

また、本実施例では、接合材５の主構成に金めっきを用いているがメッキ形成は好適な一実施例でありこれに限定されるものではない。また、金以外であっても、結晶構造が面心立方形であり、第１パッケージ３と第２パッケージ４と水晶振動片２との接合時に塑性変形するとともに拡散接合するものであれば、他の材料（例えば、銅やアルミニウムなど）であってもよい。   In this embodiment, gold plating is used for the main structure of the bonding material 5, but the plating is a preferred embodiment and is not limited to this. Other than gold, other than gold, the crystal structure may be a face-centered cubic shape, and may be plastically deformed and diffusion-bonded when the first package 3, the second package 4, and the crystal vibrating piece 2 are bonded. (For example, copper and aluminum).

また、本実施例では、ニッケルめっき上に金めっきを形成して接合材５を構成しているが、これに限定されるものではなく、金めっきのみで接合材５を構成してもよい。また、ニッケルめっきの代わりに、クロムメッキやタングステンメッキやこれらの組み合わせなどを用いてもよい。   In the present embodiment, the bonding material 5 is formed by forming gold plating on nickel plating. However, the present invention is not limited to this, and the bonding material 5 may be formed only by gold plating. Further, instead of nickel plating, chromium plating, tungsten plating, or a combination thereof may be used.

また、本実施例では、低温低圧の設定を、２００℃、１００ｋｇ／ｃｍ2としているが、これは最適な例であり、温度が２５〜３６０℃、圧力が１〜５００ｋｇ／ｃｍ2に設定されることが好適である。 In this embodiment, the low temperature and low pressure are set to 200 ° C. and 100 kg / cm 2 , but this is an optimal example, and the temperature is set to 25 to 360 ° C. and the pressure is set to 1 to 500 kg / cm 2. Is preferable.

また、本実施例では、緩衝材６の材料に洋白やキュプロニッケル等を用いているが、これに限定されるものではなく、接合材７の塑性変形による応力を緩衝する材料であれば、他の材料であってもよい。具体的に、モース硬さが３．０以下のものであることが好ましく、材料として亜鉛、アルミニウ、アンチモン、銀、すず、銅、マグネシウムなどが挙げられる。   In the present embodiment, the material of the buffer material 6 is made of white or cupronickel. However, the present invention is not limited to this, and any material that buffers the stress caused by plastic deformation of the bonding material 7 can be used. Other materials may be used. Specifically, the Mohs hardness is preferably 3.0 or less, and examples of the material include zinc, aluminum, antimony, silver, tin, copper, and magnesium.

また、本実施例では、圧電振動片に、ＡＴカット水晶振動片を用いているが、これに限定されるものではなく、圧電振動を行うデバイスであればよい。例えば、音叉型水晶振動子であってもよい。また、圧電材料に水晶を用いているが、これに限定されるものではなく、セラミックなどの他の圧電材料であってもよい。   In this embodiment, the AT-cut quartz crystal vibrating piece is used as the piezoelectric vibrating piece. However, the present invention is not limited to this, and any device that performs piezoelectric vibration may be used. For example, a tuning fork type crystal resonator may be used. Further, although quartz is used as the piezoelectric material, the present invention is not limited to this, and other piezoelectric materials such as ceramics may be used.

また、本実施例では、複数の本体筐体部材（符号２，３，４）を接合材５を介して低温低圧により接合する。すなわち、外部からの圧力により複数の本体筐体部材（符号２，３，４）を接合する。そのため、本実施例に、超音波による複数の本体筐体部材の接合を追加方法として組み合わせることは可能である。ここでいう超音波による複数の本体筐体部材の接合は、分子の内部エネルギを高めて振動させて接合する方法である。   Further, in this embodiment, a plurality of main body housing members (reference numerals 2, 3, 4) are joined through a joining material 5 at a low temperature and a low pressure. That is, a plurality of main body housing members (reference numerals 2, 3 and 4) are joined by pressure from the outside. For this reason, it is possible to combine the present embodiment with the joining of a plurality of body housing members using ultrasonic waves as an additional method. The joining of the plurality of main body housing members by the ultrasonic wave here is a method of joining by oscillating by increasing the internal energy of molecules.

次に、本実施例２にかかる水晶振動子１を図面を用いて説明する。なお、本実施例２にかかる水晶振動子１は、上記した実施例１に対して、水晶振動片２と第１パッケージ３と第２パッケージ４の構成で異なる。そこで、本実施例２では、上記した実施例１と異なる構成について説明し、同一の構成についての説明を省略する。そのため、同一構成による作用効果及び変形例は、上記した実施例１と同様の作用効果及び変形例を有する。   Next, the crystal resonator 1 according to the second embodiment will be described with reference to the drawings. The crystal resonator 1 according to the second embodiment differs from the first embodiment in the configuration of the crystal resonator element 2, the first package 3, and the second package 4. Therefore, in the second embodiment, a configuration different from that of the first embodiment will be described, and a description of the same configuration will be omitted. Therefore, the operation effect and modification by the same structure have the same operation effect and modification as Example 1 mentioned above.

本実施例２にかかる水晶振動子１では、図５に示すように、本体筐体部材に、平面視矩形に成形されたＡＴカット水晶振動片２（以下、水晶振動片という）と、この水晶振動片２を保持する第１パッケージ３と、第１パッケージ３に保持した水晶振動片２の励振電極２４，２５を気密封止するための第２パッケージ４とを用いている。なお、水晶振動子１のパッケージサイズは、１．６×１．２ｍｍである。   In the crystal resonator 1 according to the second embodiment, as shown in FIG. 5, an AT-cut crystal vibrating piece 2 (hereinafter referred to as a crystal vibrating piece) formed in a rectangular shape in a plan view on a main body casing member, and the crystal The first package 3 that holds the vibrating piece 2 and the second package 4 that hermetically seals the excitation electrodes 24 and 25 of the crystal vibrating piece 2 held in the first package 3 are used. The package size of the crystal unit 1 is 1.6 × 1.2 mm.

本実施例２にかかる水晶振動子１では、図５に示すように、第１パッケージ３と第２パッケージ４とが、その間に水晶振動片２を介在させて、接合材５を用いて低温低圧（２５〜３６０℃、１〜１００ｋｇ／ｃｍ2）により接合されている。この接合材５による第１パッケージ３と第２パッケージ４と水晶振動片２との接合により本体筐体１１の内部空間１２が形成されるととともに、水晶振動片２に形成される励振電極２４，２５が気密封止される。 In the crystal unit 1 according to the second embodiment, as shown in FIG. 5, the first package 3 and the second package 4 have a crystal resonator element 2 interposed therebetween, and a low-temperature and low-pressure using a bonding material 5. (25 to 360 ° C., 1 to 100 kg / cm 2 ). By joining the first package 3, the second package 4, and the crystal vibrating piece 2 by the bonding material 5, an internal space 12 of the main body housing 11 is formed, and excitation electrodes 24 formed on the crystal vibrating piece 2, 25 is hermetically sealed.

水晶振動子１の各構成について、図５を用いて以下に説明する。   Each configuration of the crystal unit 1 will be described below with reference to FIG.

水晶振動片２は、図５に示すように、平面視矩形上の一枚板の直方体のＡＴカット水晶板（図示省略）からなり、両主面２１、２２の中央部が逆メサ状に凹部形成されている。また、この水晶振動片２の両主面２１、２２の凹部形成されていない平面視外周２３はそれぞれ第１パッケージ３、第２パッケージ４と接合する接合部位（接合面）となる。この接合部位には、第１パッケージ３および第２パッケージ４との接合に用いる接合材５と、接合材５の塑性変形（下記参照）による応力を緩衝する緩衝材６と、が設けられ、緩衝材６上に接合材５が積層して形成されている。なお、水晶振動片２の高さは、０．０３〜０．１２ｍｍの範囲内（本実施例では０．０８ｍｍ）に設定され、両主面２１、２２の凹部底面間の厚さは、０．００２〜０．０３ｍｍの範囲内（本実施例では０．０１６ｍｍ）に設定されている。また、本実施例では、緩衝材６に第１パッケージ３より柔らかい材料である洋白やアルミニウムや銅やマグネシウムを用いている。また、接合材５は、緩衝材６より柔らかい材料であって、ニッケルめっき上に金めっきを積層したものであり、主構成を金メッキとし、水晶振動片２に形成した接合材５と同一材料からなる。この接合材５では、ニッケルめっきが、金めっきと緩衝材６との接合を良好にするために用いている。そのため、本実施例では、ニッケルめっき上に金めっきを積層しているが、これに限定されるものではなく、接合材５が金めっきからなってもよい。また、緩衝材６と接合材５は、図５に示すように、断面視台形状に成形され、緩衝材６は接合材５よりも容量（体積）が多い。また、緩衝材６の厚さは３〜９μｍ（本実施例では９μｍ）に設定され、接合材５の厚さは１〜３μｍ（本実施例では３μｍ）に設定され、緩衝材６の厚みは接合材５の厚みの約３倍に設定されている。   As shown in FIG. 5, the crystal resonator element 2 is formed of a single rectangular parallelepiped AT-cut crystal plate (not shown) on a rectangular plane, and the central portions of both main surfaces 21 and 22 are recessed in a reverse mesa shape. Is formed. Further, the outer periphery 23 in plan view in which the concave portions of both the main surfaces 21 and 22 of the crystal vibrating piece 2 are not formed serves as a bonding portion (bonding surface) to be bonded to the first package 3 and the second package 4, respectively. In this joining portion, a joining material 5 used for joining the first package 3 and the second package 4 and a cushioning material 6 that cushions stress due to plastic deformation (see below) of the joining material 5 are provided. A bonding material 5 is laminated on the material 6. The height of the quartz crystal vibrating piece 2 is set within a range of 0.03 to 0.12 mm (0.08 mm in the present embodiment), and the thickness between the concave bottom surfaces of both the main surfaces 21 and 22 is 0. It is set within the range of .002 to 0.03 mm (in this embodiment, 0.016 mm). In this embodiment, the cushioning material 6 is made of a material softer than the first package 3 such as white, aluminum, copper or magnesium. Further, the bonding material 5 is a softer material than the buffer material 6, and is obtained by laminating gold plating on nickel plating. The main component is gold plating, and the same material as the bonding material 5 formed on the crystal vibrating piece 2 is used. Become. In this bonding material 5, nickel plating is used to improve the bonding between the gold plating and the buffer material 6. Therefore, in this embodiment, the gold plating is laminated on the nickel plating. However, the present invention is not limited to this, and the bonding material 5 may be made of gold plating. Further, as shown in FIG. 5, the buffer material 6 and the bonding material 5 are formed in a trapezoidal shape in cross section, and the buffer material 6 has a larger capacity (volume) than the bonding material 5. Further, the thickness of the buffer material 6 is set to 3 to 9 μm (9 μm in this embodiment), the thickness of the bonding material 5 is set to 1 to 3 μm (3 μm in this embodiment), and the thickness of the buffer material 6 is It is set to about three times the thickness of the bonding material 5.

第１パッケージ３は、図５に示すように、一枚板の直方体のセラミック材料からなる。また、この第１パッケージ３の平面視外周は、水晶振動片２との接合面３３である。この接合面３３には、当該セラミック材料より柔らかい材料であって、ニッケルめっき上に金めっきを積層した接合材５が形成される。なお、接合材５は、図５に示すように、断面視矩形状に成形され、その厚さは１〜３μｍ（本実施例では２μｍ）に設定される。   As shown in FIG. 5, the first package 3 is made of a single-plate rectangular parallelepiped ceramic material. The outer periphery in plan view of the first package 3 is a bonding surface 33 with the crystal vibrating piece 2. On the bonding surface 33, a bonding material 5 that is softer than the ceramic material and is formed by laminating gold plating on nickel plating is formed. As shown in FIG. 5, the bonding material 5 is formed in a rectangular shape in cross section, and the thickness thereof is set to 1 to 3 μm (2 μm in this embodiment).

第２パッケージ４は、図５に示すように、一枚板の直方体のセラミック材料からなる。また、この第２パッケージ４の平面視外周は、水晶振動片２との接合面４３である。この接合面４３には、当該セラミック材料より柔らかい材料であって、ニッケルめっき上に金めっきを積層した接合材５が形成される。なお、接合材５は、図５に示すように、断面視矩形状に成形され、その厚さは１〜３μｍ（本実施例では２μｍ）に設定される。   As shown in FIG. 5, the second package 4 is made of a single-plate rectangular parallelepiped ceramic material. The outer periphery in plan view of the second package 4 is a joint surface 43 with the crystal vibrating piece 2. A bonding material 5 that is softer than the ceramic material and is formed by stacking gold plating on nickel plating is formed on the bonding surface 43. As shown in FIG. 5, the bonding material 5 is formed in a rectangular shape in cross section, and the thickness thereof is set to 1 to 3 μm (2 μm in this embodiment).

上記した水晶振動片２と第１パッケージ３と第２パッケージ４とに形成した接合材５は、結晶構造が面心立方形からなり、水晶振動片２と第１パッケージ３と第２パッケージ４との接合時に塑性変形するとともに拡散接合される。   The bonding material 5 formed on the crystal vibrating piece 2, the first package 3, and the second package 4 has a crystal structure of a face-centered cubic shape, and the crystal vibrating piece 2, the first package 3, the second package 4, and the like. At the time of joining, plastic deformation and diffusion joining are performed.

次に、上記した構成を用いた水晶振動子１の製造方法について、図５を用いて説明する。   Next, a manufacturing method of the crystal resonator 1 using the above-described configuration will be described with reference to FIG.

一枚板の直方体の第１パッケージ３の表面に、複数の電極パッドを形成する。なお、ここでは、第１パッケージ３の他の構成（例えばキャスタレーションやスルーホール２８など）の製造についての説明は省略する。第１パッケージ３の接合面３３に、ナノ粒子の吐出形成法もしくはスクリーン印刷法により、断面視矩形の接合材５を形成し、第１パッケージ３を製造する。また、同様にして、第２パッケージ４を製造する。   A plurality of electrode pads are formed on the surface of the first package 3 which is a rectangular parallelepiped. Here, the description of the manufacture of other configurations of the first package 3 (for example, castellations, through holes 28, etc.) is omitted. The bonding material 5 having a rectangular cross-sectional view is formed on the bonding surface 33 of the first package 3 by the nanoparticle discharge forming method or the screen printing method, and the first package 3 is manufactured. Similarly, the second package 4 is manufactured.

水晶振動片２の両主面２１、２２に逆メサ状の凹部を形成し、逆メサ状の凹部を形成した後に両主面２１、２２に励振電極２４，２５と引出電極（図示省略）を形成する。また、水晶振動片２の両主面２１、２２の平面視外周２３に、ナノ粒子の吐出形成法により緩衝材料を吐出し、両主面２１、２２の平面視外周２３に断面視台形の緩衝材６を形成する。この緩衝材６の形成後、緩衝材６の断面視台形の天面に接合材を、ナノ粒子の吐出形成法もしくはスクリーン印刷法により、断面視台形の接合材５を形成し、水晶振動片２を製造する。すなわち、水晶振動片２の平面視外周２３（接合面）に緩衝材６を設け、緩衝材６上に接合材５を積層して設ける。   Inverted mesa concave portions are formed on both main surfaces 21 and 22 of the crystal vibrating piece 2, and excitation electrodes 24 and 25 and extraction electrodes (not shown) are formed on both main surfaces 21 and 22 after forming the inverted mesa concave portions. Form. Further, a buffer material is discharged to the outer periphery 23 in plan view of both the main surfaces 21 and 22 of the crystal vibrating piece 2 by the nanoparticle discharge forming method, and the trapezoidal buffer in cross section in the plan view outer periphery 23 of both the main surfaces 21 and 22. A material 6 is formed. After the formation of the buffer material 6, the bonding material is formed on the top surface of the trapezoidal trapezoidal shape of the buffering material 6, and the trapezoidal bonding material 5 in the sectional view of trapezoidal shape is formed by the nanoparticle discharge forming method or the screen printing method. Manufacturing. That is, the buffer material 6 is provided on the outer periphery 23 (bonding surface) in plan view of the crystal vibrating piece 2, and the bonding material 5 is stacked on the buffer material 6.

そして、上記したように構成された第１パッケージ３を、接合材５を形成した面を上方に向けて配する。そして、この第１パッケージ上に水晶振動片２を載置する。具体的に、第１パッケージ３の接合面３３に形成された接合材５上に水晶振動片２の主面２１の平面視外周２３に形成された接合材５を接するように、水晶振動片２を第１パッケージ３上に載置する。   Then, the first package 3 configured as described above is arranged with the surface on which the bonding material 5 is formed facing upward. Then, the crystal vibrating piece 2 is placed on the first package. Specifically, the crystal vibrating piece 2 is in contact with the bonding material 5 formed on the outer periphery 23 in plan view of the main surface 21 of the crystal vibrating piece 2 on the bonding material 5 formed on the bonding surface 33 of the first package 3. Is placed on the first package 3.

第１パッケージ３上への水晶振動片２の載置を終えると、上記したように構成された第２パッケージ４を、接合材５を形成した面を下方に向けて配する。そして、この水晶振動片２上に第２パッケージ４を載置する。具体的に、水晶振動片２の主面２２の平面視外周２３に形成された接合材５上に第２パッケージ４の接合面４３に形成された接合材５を接するように、第２パッケージ４を水晶振動片２上に載置する。   When the placement of the crystal vibrating piece 2 on the first package 3 is finished, the second package 4 configured as described above is arranged with the surface on which the bonding material 5 is formed facing downward. Then, the second package 4 is placed on the crystal vibrating piece 2. Specifically, the second package 4 is arranged such that the bonding material 5 formed on the bonding surface 43 of the second package 4 is in contact with the bonding material 5 formed on the outer periphery 23 in plan view of the main surface 22 of the crystal vibrating piece 2. Is placed on the crystal vibrating piece 2.

上記したように、第１パッケージ３、水晶振動片２、第２パッケージ４を順に積層した後に、これら第１パッケージ３、水晶振動片２、第２パッケージ４を接合材５および緩衝材６を介して低温低圧（本実施例では２００℃、１００ｋｇ／ｃｍ2）により接合する。この接合は真空雰囲気で行い、接合時に接合材５が塑性変形するとともに拡散接合し、緩衝材６では接合材５の塑性変形による応力を緩衝し、図５に示す接合材５および緩衝材６は変形した状態で接合する。そして、これら接合材５および緩衝材６を接合することで、第１パッケージ３、水晶振動片２、および第２パッケージ４を接合し、内部空間１２を気密封止して水晶振動子１を製造する。 As described above, after the first package 3, the crystal vibrating piece 2, and the second package 4 are sequentially stacked, the first package 3, the crystal vibrating piece 2, and the second package 4 are connected to each other via the bonding material 5 and the buffer material 6. Bonding is performed at a low temperature and low pressure (in this embodiment, 200 ° C., 100 kg / cm 2 ). This bonding is performed in a vacuum atmosphere, and the bonding material 5 is plastically deformed and diffusion bonded at the time of bonding. The buffer material 6 buffers the stress caused by the plastic deformation of the bonding material 5, and the bonding material 5 and the buffer material 6 shown in FIG. Join in a deformed state. Then, by bonding the bonding material 5 and the buffer material 6, the first package 3, the crystal vibrating piece 2, and the second package 4 are bonded, and the internal space 12 is hermetically sealed to manufacture the crystal unit 1. To do.

上記したように、本実施例にかかる水晶振動子１およびその製造方法によれば、上記した実施例１と同様に、本体筐体１１の小型化が進んでも、シーム接合を用いずに本体筐体部材（符号２，３，４）の接合を行うことができ、その結果、水晶振動子１の製造を効率的に行うことができる。そのため、上記した実施例１およびその変形例と同様の作用効果に関する記載は省略する。   As described above, according to the crystal resonator 1 and the manufacturing method thereof according to the present embodiment, as in the first embodiment described above, even if the main body casing 11 is downsized, the main body casing is not used without using seam bonding. The body members (reference numerals 2, 3, and 4) can be joined, and as a result, the crystal unit 1 can be manufactured efficiently. Therefore, the description regarding the effect similar to Example 1 mentioned above and its modification is abbreviate | omitted.

次に、本実施例３にかかる水晶振動子１を図面を用いて説明する。なお、本実施例３にかかる水晶振動子１は、上記した実施例１，２に対して、水晶振動片２と第１パッケージ３と第２パッケージ４の構成で異なる。そこで、本実施例３では、上記した実施例１，２と異なる構成について説明し、同一の構成についての説明を省略する。そのため、同一構成による作用効果及び変形例は、上記した実施例１，２と同様の作用効果及び変形例を有する。   Next, the crystal resonator 1 according to the third embodiment will be described with reference to the drawings. The crystal resonator 1 according to the third embodiment differs from the first and second embodiments in the configuration of the crystal vibrating piece 2, the first package 3, and the second package 4. Therefore, in the third embodiment, a configuration different from the first and second embodiments will be described, and a description of the same configuration will be omitted. Therefore, the operation effect and modification by the same structure have the same operation effect and modification as Example 1 and 2 mentioned above.

本実施例３にかかる水晶振動子１では、図６に示すように、本体筐体部材に、平面視矩形に成形されたＡＴカット水晶振動片２（以下、水晶振動片という）と、この水晶振動片２を保持する第１パッケージ３と、第１パッケージ３に保持した水晶振動片２を気密封止するための第２パッケージ４とを用いている。なお、水晶振動子１のパッケージサイズは、１．６×１．２ｍｍである。   In the crystal resonator 1 according to the third embodiment, as shown in FIG. 6, an AT-cut quartz crystal vibrating piece 2 (hereinafter referred to as a quartz crystal vibrating piece) formed in a rectangular shape in a plan view on a main body casing member, and the quartz crystal A first package 3 that holds the vibrating piece 2 and a second package 4 that hermetically seals the crystal vibrating piece 2 held in the first package 3 are used. The package size of the crystal unit 1 is 1.6 × 1.2 mm.

本実施例３にかかる水晶振動子１では、図６に示すように、第１パッケージ３と第２パッケージ４とが、その間に水晶振動片２を介在させて、接合材５を用いて低温低圧（２５〜３６０℃、１〜１００ｋｇ／ｃｍ2）により接合されている。この接合材５による第１パッケージ３と第２パッケージ４と水晶振動片２との接合により本体筐体１１の内部空間１２が形成されるととともに、水晶振動片２に形成される励振電極２４，２５が気密封止される。 In the crystal resonator 1 according to the third embodiment, as shown in FIG. 6, the first package 3 and the second package 4 have a crystal vibrating piece 2 interposed therebetween, and a low-temperature and low-pressure using a bonding material 5. (25 to 360 ° C., 1 to 100 kg / cm 2 ). By joining the first package 3, the second package 4, and the crystal vibrating piece 2 by the bonding material 5, an internal space 12 of the main body housing 11 is formed, and excitation electrodes 24 formed on the crystal vibrating piece 2, 25 is hermetically sealed.

水晶振動子１の各構成について、図６を用いて以下に説明する。   Each configuration of the crystal unit 1 will be described below with reference to FIG.

水晶振動片２は、図６に示すように、平面視矩形上の一枚板の直方体のＡＴカット水晶板（図示省略）からなり、両主面２１、２２の中央部がメサ状に凸部形成されている。具体的に、両主面２１、２２の中央部に２段の段部が形成されている。また、この水晶振動片２の両主面２１、２２の凸部形成されていない平面視外周２３はそれぞれ第１パッケージ３、第２パッケージ４と接合する接合部位（接合面）となる。この接合部位には、第１パッケージ３および第２パッケージ４との接合に用いる接合材５と、接合材５の塑性変形（下記参照）による応力を緩衝する緩衝材６と、が設けられ、緩衝材６上に接合材５が積層して形成されている。なお、水晶振動片２の高さ（平面視外周２３の厚さ）は、０．０１〜０．０５ｍｍの範囲内（本実施例では０．０３２ｍｍ）に設定され、両主面２１、２２の凸部天面間の厚さは、０．０３〜０．１２ｍｍの範囲内（本実施例では０．０４ｍｍ）に設定されている。このように、本実施例にかかる水晶片２では、平面視外周２３の厚さが両主面２１、２２の凸部天面間の厚さよりも低いために、本体筐体１１の薄型化に適している。しかしながら、これは好適な例であってこれに限定されるものではなく、平面視外周２３の厚さが両主面２１、２２の凸部天面間の厚さよりも高く設計されてもよい。また、本実施例では、緩衝材６に第１パッケージ３より柔らかい材料である洋白やアルミニウムや銅やマグネシウムを用いている。また、接合材５は、緩衝材６より柔らかい材料であって、ニッケルめっき上に金めっきを積層したものであり、主構成を金メッキとし、水晶振動片２に形成した接合材５と同一材料からなる。この接合材５では、ニッケルめっきが、金めっきと緩衝材６との接合を良好にするために用いている。そのため、本実施例では、ニッケルめっき上に金めっきを積層しているが、これに限定されるものではなく、接合材５が金めっきからなってもよい。また、緩衝材６と接合材５は、図６に示すように、断面視台形状に成形され、緩衝材６は接合材５よりも容量（体積）が多い。また、緩衝材６の厚さは３〜９μｍ（本実施例では９μｍ）に設定され、接合材５の厚さは１〜３μｍ（本実施例では３μｍ）に設定され、緩衝材６の厚みは接合材５の厚みの約３倍に設定されている。   As shown in FIG. 6, the quartz crystal resonator element 2 is composed of a single rectangular parallelepiped AT-cut quartz plate (not shown) on a rectangular plan view, and the central parts of both main surfaces 21 and 22 are convex in a mesa shape. Is formed. Specifically, two steps are formed at the center of both main surfaces 21 and 22. In addition, the outer periphery 23 in plan view where the convex portions of both the main surfaces 21 and 22 of the quartz crystal vibrating piece 2 are not formed becomes bonding portions (bonding surfaces) to be bonded to the first package 3 and the second package 4, respectively. In this joining portion, a joining material 5 used for joining the first package 3 and the second package 4 and a cushioning material 6 that cushions stress due to plastic deformation (see below) of the joining material 5 are provided. A bonding material 5 is laminated on the material 6. The height of the quartz crystal vibrating piece 2 (thickness of the outer periphery 23 in plan view) is set within a range of 0.01 to 0.05 mm (0.032 mm in this embodiment). The thickness between the convex top surfaces is set within a range of 0.03 to 0.12 mm (0.04 mm in this embodiment). As described above, in the crystal piece 2 according to the present embodiment, the thickness of the outer periphery 23 in plan view is lower than the thickness between the convex top surfaces of both the main surfaces 21 and 22. Is suitable. However, this is a preferred example and is not limited to this, and the thickness of the outer periphery 23 in plan view may be designed to be higher than the thickness between the top surfaces of the convex portions of both the main surfaces 21 and 22. In this embodiment, the cushioning material 6 is made of a material softer than the first package 3 such as white, aluminum, copper or magnesium. Further, the bonding material 5 is a softer material than the buffer material 6, and is obtained by laminating gold plating on nickel plating. The main component is gold plating, and the same material as the bonding material 5 formed on the crystal vibrating piece 2 is used. Become. In this bonding material 5, nickel plating is used to improve the bonding between the gold plating and the buffer material 6. Therefore, in this embodiment, the gold plating is laminated on the nickel plating. However, the present invention is not limited to this, and the bonding material 5 may be made of gold plating. Further, as shown in FIG. 6, the buffer material 6 and the bonding material 5 are formed in a trapezoidal shape in cross section, and the buffer material 6 has a larger capacity (volume) than the bonding material 5. Further, the thickness of the buffer material 6 is set to 3 to 9 μm (9 μm in this embodiment), the thickness of the bonding material 5 is set to 1 to 3 μm (3 μm in this embodiment), and the thickness of the buffer material 6 is It is set to about three times the thickness of the bonding material 5.

第１パッケージ３は、図６に示すように、セラミック材料からなる平面視矩形状の一枚板の底部３１と、この底部３１上に積層したセラミック材料の堤部３２とから構成される箱状体に形成され、これら底部３１と堤部３２とが断面凹状に一体的に焼成されている。また、堤部３２は、底部３１の上面外周に沿って成形されている。この堤部３２の上面（端面）は、水晶振動片２との接合面３３である。この接合面３３には、当該セラミック材料より柔らかい材料であって、ニッケルめっき上に金めっきを積層した接合材５が形成される。なお、接合材５は、図６に示すように、断面視矩形状に成形され、その厚さは１〜３μｍ（本実施例では２μｍ）に設定される。また、第１パッケージ３の高さは、０．１〜０．３ｍｍの範囲内（本実施例では０．１ｍｍ）に設定されている。   As shown in FIG. 6, the first package 3 has a box shape composed of a bottom portion 31 of a single plate made of a ceramic material in a rectangular shape in plan view, and a bank portion 32 of a ceramic material laminated on the bottom portion 31. The bottom 31 and the bank 32 are integrally fired in a concave cross section. The bank portion 32 is formed along the outer periphery of the upper surface of the bottom portion 31. The upper surface (end surface) of the bank portion 32 is a joint surface 33 with the crystal vibrating piece 2. On the bonding surface 33, a bonding material 5 that is softer than the ceramic material and is formed by laminating gold plating on nickel plating is formed. As shown in FIG. 6, the bonding material 5 is formed in a rectangular shape in cross section, and the thickness thereof is set to 1 to 3 μm (2 μm in this embodiment). The height of the first package 3 is set within a range of 0.1 to 0.3 mm (0.1 mm in this embodiment).

第２パッケージ４は、図６に示すように、セラミック材料からなる平面視矩形状の一枚板の底部４１と、この底部４１上に積層したセラミック材料の堤部４２とから構成される箱状体に形成され、これら底部４１と堤部４２とが断面凹状に一体的に焼成されている。また、堤部４２は、底部４１の上面外周に沿って成形されている。この堤部４２の上面（端面）は、水晶振動片２との接合面４３である。この接合面４３には、当該セラミック材料より柔らかい材料であって、ニッケルめっき上に金めっきを積層した接合材５が形成される。なお、接合材５は、図６に示すように、断面視矩形状に成形され、その厚さは１〜３μｍ（本実施例では２μｍ）に設定される。また、第２パッケージ４の高さは、０．１〜０．３ｍｍの範囲内（本実施例では０．１ｍｍ）に設定されている。   As shown in FIG. 6, the second package 4 has a box-like shape composed of a bottom 41 of a rectangular plate made of a ceramic material and a dike 42 made of a ceramic material laminated on the bottom 41. The bottom 41 and the bank 42 are integrally fired in a concave cross section. The bank portion 42 is formed along the outer periphery of the upper surface of the bottom portion 41. The upper surface (end surface) of the bank 42 is a joint surface 43 with the crystal vibrating piece 2. A bonding material 5 that is softer than the ceramic material and is formed by stacking gold plating on nickel plating is formed on the bonding surface 43. As shown in FIG. 6, the bonding material 5 is formed in a rectangular shape in cross section, and the thickness thereof is set to 1 to 3 μm (2 μm in this embodiment). The height of the second package 4 is set within a range of 0.1 to 0.3 mm (0.1 mm in this embodiment).

上記した水晶振動片２と第１パッケージ３と第２パッケージ４とに形成した接合材５は、結晶構造が面心立方形からなり、水晶振動片２と第１パッケージ３と第２パッケージ４との接合時に塑性変形するとともに拡散接合される。   The bonding material 5 formed on the crystal vibrating piece 2, the first package 3, and the second package 4 has a crystal structure of a face-centered cubic shape, and the crystal vibrating piece 2, the first package 3, the second package 4, and the like. At the time of joining, plastic deformation and diffusion joining are performed.

次に、上記した構成を用いた水晶振動子１の製造方法について、図６を用いて説明する。   Next, a manufacturing method of the crystal resonator 1 using the above-described configuration will be described with reference to FIG.

第１パッケージ３の底部３１と堤部３２とを一体的に焼成して箱状体の第１パッケージ３を成形し、この第１パッケージ３の表面に、複数の電極パッドを形成する。なお、ここでは、第１パッケージ３の他の構成（例えばキャスタレーションやスルーホール２８など）の製造についての説明は省略する。第１パッケージ３の接合面３３に、ナノ粒子の吐出形成法もしくはスクリーン印刷法により、断面視矩形の接合材５を形成し、第１パッケージ３を製造する。また、同様にして、第２パッケージ４を製造する。   The bottom portion 31 and the bank portion 32 of the first package 3 are integrally fired to form a box-shaped first package 3, and a plurality of electrode pads are formed on the surface of the first package 3. Here, the description of the manufacture of other configurations of the first package 3 (for example, castellations, through holes 28, etc.) is omitted. The bonding material 5 having a rectangular cross-sectional view is formed on the bonding surface 33 of the first package 3 by the nanoparticle discharge forming method or the screen printing method, and the first package 3 is manufactured. Similarly, the second package 4 is manufactured.

水晶振動片２の両主面２１、２２にメサ状の凸部を形成し、メサ状の凸部を形成した後に両主面２１、２２に励振電極２４，２５と引出電極（図示省略）を形成する。また、水晶振動片２の両主面２１、２２の平面視外周２３に、ナノ粒子の吐出形成法により緩衝材料を吐出し、両主面２１、２２の平面視外周２３に断面視台形の緩衝材６を形成する。この緩衝材６の形成後、緩衝材６の断面視台形の天面に接合材を、ナノ粒子の吐出形成法もしくはスクリーン印刷法により、断面視台形の接合材５を形成し、水晶振動片２を製造する。すなわち、水晶振動片２の平面視外周２３（接合面）に緩衝材６を設け、緩衝材６上に接合材５を積層して設ける。   The mesa-shaped convex portions are formed on both main surfaces 21 and 22 of the crystal vibrating piece 2, and the excitation electrodes 24 and 25 and the extraction electrodes (not shown) are formed on both main surfaces 21 and 22 after the mesa-shaped convex portions are formed. Form. Further, a buffer material is discharged to the outer periphery 23 in plan view of both the main surfaces 21 and 22 of the crystal vibrating piece 2 by the nanoparticle discharge forming method, and the trapezoidal buffer in cross section in the plan view outer periphery 23 of both the main surfaces 21 and 22. A material 6 is formed. After the formation of the buffer material 6, the bonding material is formed on the top surface of the trapezoidal trapezoidal shape of the buffering material 6, and the trapezoidal bonding material 5 in the sectional view of trapezoidal shape is formed by the nanoparticle discharge forming method or the screen printing method. Manufacturing. That is, the buffer material 6 is provided on the outer periphery 23 (bonding surface) in plan view of the crystal vibrating piece 2, and the bonding material 5 is stacked on the buffer material 6.

そして、上記したように構成された第１パッケージ３を、その箱状体に形成された第１パッケージ３の開口を上方に向けて配する。そして、この開口を封止するように水晶振動片２を、第１パッケージ３上に載置する。具体的に、第１パッケージ３の接合面３３に形成された接合材５上に水晶振動片２の主面２１の平面視外周２３に形成された接合材５を接するように、水晶振動片２を第１パッケージ３上に載置する。   Then, the first package 3 configured as described above is arranged with the opening of the first package 3 formed in the box-shaped body facing upward. Then, the crystal vibrating piece 2 is placed on the first package 3 so as to seal the opening. Specifically, the crystal vibrating piece 2 is in contact with the bonding material 5 formed on the outer periphery 23 in plan view of the main surface 21 of the crystal vibrating piece 2 on the bonding material 5 formed on the bonding surface 33 of the first package 3. Is placed on the first package 3.

第１パッケージ３上への水晶振動片２の載置を終えると、上記したように構成された第２パッケージ４を、箱状体に形成された第２パッケージ４の開口を下方に向けて配する。そして、この開口を封止するように第２パッケージ４を、水晶振動片２上に載置する。具体的に、水晶振動片２の主面２２の平面視外周２３に形成された接合材５上に第２パッケージ４の接合面４３に形成された接合材５を接するように、第２パッケージ４を水晶振動片２上に載置する。   When the placement of the crystal vibrating piece 2 on the first package 3 is finished, the second package 4 configured as described above is arranged with the opening of the second package 4 formed in the box-like body facing downward. To do. Then, the second package 4 is placed on the crystal vibrating piece 2 so as to seal the opening. Specifically, the second package 4 is arranged such that the bonding material 5 formed on the bonding surface 43 of the second package 4 is in contact with the bonding material 5 formed on the outer periphery 23 in plan view of the main surface 22 of the crystal vibrating piece 2. Is placed on the crystal vibrating piece 2.

上記したように、第１パッケージ３、水晶振動片２、第２パッケージ４を順に積層した後に、これら第１パッケージ３、水晶振動片２、第２パッケージ４を接合材５および緩衝材６を介して低温低圧（本実施例では２００℃、１００ｋｇ／ｃｍ2）により接合する。この接合は真空雰囲気で行い、接合時に接合材５が塑性変形するとともに拡散接合し、緩衝材６では接合材５の塑性変形による応力を緩衝し、図６に示す接合材５および緩衝材６は変形した状態で接合する。そして、これら接合材５および緩衝材６を接合することで、第１パッケージ３、水晶振動片２、および第２パッケージ４を接合し、内部空間１２を気密封止して水晶振動子１を製造する。 As described above, after the first package 3, the crystal vibrating piece 2, and the second package 4 are sequentially stacked, the first package 3, the crystal vibrating piece 2, and the second package 4 are connected to each other via the bonding material 5 and the buffer material 6. Bonding is performed at a low temperature and low pressure (in this embodiment, 200 ° C., 100 kg / cm 2 ). This bonding is performed in a vacuum atmosphere, and the bonding material 5 is plastically deformed and diffusion bonded at the time of bonding, and the buffer material 6 buffers the stress caused by the plastic deformation of the bonding material 5, and the bonding material 5 and the buffer material 6 shown in FIG. Join in a deformed state. Then, by bonding the bonding material 5 and the buffer material 6, the first package 3, the crystal vibrating piece 2, and the second package 4 are bonded, and the internal space 12 is hermetically sealed to manufacture the crystal unit 1. To do.

上記したように、本実施例にかかる水晶振動子３およびその製造方法によれば、上記した実施例１，２と同様に、本体筐体１１の小型化が進んでも、シーム接合を用いずに本体筐体部材（符号２，３，４）の接合を行うことができ、その結果、水晶振動子１の製造を効率的に行うことができる。そのため、上記した実施例１，２およびその変形例と同様の作用効果に関する記載は省略する。   As described above, according to the crystal resonator 3 and the method of manufacturing the same according to the present embodiment, even if the main body housing 11 is downsized as in the first and second embodiments, the seam bonding is not used. The main body housing members (reference numerals 2, 3, and 4) can be joined, and as a result, the crystal unit 1 can be manufactured efficiently. Therefore, the description regarding the effect similar to Example 1, 2 mentioned above and its modification is abbreviate | omitted.

次に、本実施例４にかかる水晶振動子１を図面を用いて説明する。なお、本実施例４にかかる水晶振動子１は、上記した実施例１〜３に対して、水晶振動片２と第２パッケージ４の構成で異なる。そこで、本実施例４では、上記した実施例１〜３と異なる構成について説明し、同一の構成についての説明を省略する。そのため、同一構成による作用効果及び変形例は、上記した実施例１〜３と同様の作用効果及び変形例を有する。   Next, the crystal resonator 1 according to the fourth embodiment will be described with reference to the drawings. The crystal resonator 1 according to the fourth embodiment differs from the first to third embodiments in the configuration of the crystal vibrating piece 2 and the second package 4. Therefore, in the fourth embodiment, a configuration different from the above first to third embodiments will be described, and the description of the same configuration will be omitted. Therefore, the effect and modification by the same structure have the same effect and modification as Example 1-3 mentioned above.

本実施例４にかかる水晶振動子１では、図７に示すように、本体筐体部材に、平面視矩形に成形されたＡＴカット水晶振動片２（以下、水晶振動片という）と、この水晶振動片２を内部空間１２内で保持する第１パッケージ３と、第１パッケージ３に保持した水晶振動片２を気密封止するための第２パッケージ４（リッド）とを用いている。なお、水晶振動子１のパッケージサイズは、１．６×１．２ｍｍである。   In the crystal resonator 1 according to the fourth embodiment, as shown in FIG. 7, an AT-cut quartz crystal vibrating piece 2 (hereinafter referred to as a quartz crystal vibrating piece) formed in a rectangular shape in a plan view on a main body casing member, and the quartz crystal A first package 3 that holds the resonator element 2 in the internal space 12 and a second package 4 (lid) for hermetically sealing the crystal resonator element 2 that is held in the first package 3 are used. The package size of the crystal unit 1 is 1.6 × 1.2 mm.

本実施例４にかかる水晶振動子１では、図７に示すように、第１パッケージ３と第２パッケージ４とが接合材５を用いて低温低圧（２５〜３６０℃、１〜１００ｋｇ／ｃｍ2）により接合されている。この接合材５による第１パッケージ３と第２パッケージ４との接合により本体筐体１１の内部空間１２が形成されるととともに、内部空間１２内に水晶振動片２が気密封止される。なお、接合材５は、結晶構造が面心立方形からなり、第１パッケージ３と第２パッケージ４との接合時に塑性変形するとともに拡散接合される。 In the crystal unit 1 according to the fourth embodiment, as shown in FIG. 7, the first package 3 and the second package 4 are bonded to each other at a low temperature and low pressure (25 to 360 ° C., 1 to 100 kg / cm 2). ). The internal space 12 of the main body housing 11 is formed by the bonding of the first package 3 and the second package 4 by the bonding material 5, and the crystal vibrating piece 2 is hermetically sealed in the internal space 12. The bonding material 5 has a crystal structure of a face-centered cubic shape, and is plastically deformed and diffusion-bonded when the first package 3 and the second package 4 are bonded.

水晶振動子１の各構成について、図７を用いて以下に説明する。   Each configuration of the crystal unit 1 will be described below with reference to FIG.

水晶振動片２は、図７に示すように、平面視矩形上の一枚板の直方体のＡＴカット水晶板（図示省略）からなり、その両主面２１、２２に励振電極２４，２５と引出電極（図示省略）とが形成されている。なお、水晶振動片２の高さは、０．０３〜０．１２ｍｍの範囲内（本実施例では０．０８ｍｍ）に設定されている。   As shown in FIG. 7, the quartz crystal resonator element 2 is composed of a rectangular parallelepiped AT-cut quartz plate (not shown) in a rectangular shape in plan view, and excitation electrodes 24 and 25 are drawn on both main surfaces 21 and 22 thereof. Electrodes (not shown) are formed. The height of the crystal vibrating piece 2 is set within a range of 0.03 to 0.12 mm (0.08 mm in this embodiment).

第１パッケージ３は、実施例１と同様の構成からなり、ここでの説明を省略する。また、第２パッケージ４は、実施例２，３と同様の構成からなり、ここでの説明を省略する。   The first package 3 has the same configuration as that of the first embodiment, and a description thereof is omitted here. The second package 4 has the same configuration as in the second and third embodiments, and the description thereof is omitted here.

次に、上記した構成を用いた水晶振動子１の製造方法について、図７を用いて説明する。   Next, a manufacturing method of the crystal resonator 1 using the above-described configuration will be described with reference to FIG.

第１パッケージ３の底部３１と堤部３２とを一体的に焼成して箱状体の第１パッケージ３を成形し、この第１パッケージ３の表面に、複数の電極パッドを形成する。なお、第１パッケージ３の他の構成（例えばキャスタレーションやスルーホール２８など）の製造についての説明は省略する。箱状体に焼成した第１パッケージ３の接合面３３に、ナノ粒子の吐出形成法により緩衝材料を吐出し、第１パッケージ３の接合面３３に断面視台形の緩衝材６を形成する。この緩衝材６の形成後、緩衝材６の断面視台形の天面に接合材５を、ナノ粒子の吐出形成法もしくはスクリーン印刷法により、断面視台形の接合材５を形成し、第１パッケージ３を製造する。すなわち、水晶振動片２の平面視外周２３（接合面）に緩衝材６を設け、緩衝材６上に接合材５を積層して設ける。   The bottom portion 31 and the bank portion 32 of the first package 3 are integrally fired to form a box-shaped first package 3, and a plurality of electrode pads are formed on the surface of the first package 3. In addition, description about manufacture of the other structure (for example, castellation, the through hole 28, etc.) of the 1st package 3 is abbreviate | omitted. A buffer material is discharged onto the bonding surface 33 of the first package 3 fired into a box-like body by a nanoparticle discharge forming method, and the buffer material 6 having a trapezoidal shape in cross section is formed on the bonding surface 33 of the first package 3. After the formation of the buffer material 6, the bonding material 5 is formed on the top surface of the trapezoidal trapezoidal shape of the buffering material 6, and the trapezoidal bonding material 5 in the sectional view of trapezoidal shape is formed by the nanoparticle discharge forming method or the screen printing method. 3 is manufactured. That is, the buffer material 6 is provided on the outer periphery 23 (bonding surface) in plan view of the crystal vibrating piece 2, and the bonding material 5 is stacked on the buffer material 6.

そして、上記したように構成された第１パッケージ３に、上記した構成からなる水晶振動片２を搭載保持する。具体的に、第１パッケージ３に形成された電極パッド（図示省略）上に導電性接合材５（例えば導電性バンプ）を介して超音波接合などにより水晶振動片２の引出電極を電気的に接続するとともに水晶振動片２を接合する。   Then, the crystal vibrating piece 2 having the above-described configuration is mounted and held on the first package 3 configured as described above. Specifically, the extraction electrode of the crystal vibrating piece 2 is electrically connected to an electrode pad (not shown) formed on the first package 3 by ultrasonic bonding or the like via a conductive bonding material 5 (for example, conductive bump). The crystal resonator element 2 is joined together with the connection.

第２パッケージ４の製造について、一枚板の直方体の第２パッケージ４の表面に、複数の電極パッドを形成する。なお、第２パッケージ４の他の構成の製造についての説明は省略する。第１パッケージ３の接合面３３に、ナノ粒子の吐出形成法もしくはスクリーン印刷法により、断面視矩形の接合材５を形成し、第２パッケージ４を製造する。   For manufacturing the second package 4, a plurality of electrode pads are formed on the surface of the second package 4 that is a rectangular parallelepiped on a single plate. In addition, description about manufacture of the other structure of the 2nd package 4 is abbreviate | omitted. The bonding material 5 having a rectangular shape in cross section is formed on the bonding surface 33 of the first package 3 by the nanoparticle discharge forming method or the screen printing method, and the second package 4 is manufactured.

第１パッケージ３上への水晶振動片２の保持（載置）を終えると、上記したように構成された第２パッケージ４を、上記したように構成された第２パッケージ４を、接合材５を形成した面を下方に向けて第１パッケージ３上に載置する。具体的に、第１パッケージ３の接合面３３に形成された接合材５上に第２パッケージ４の接合面４３に形成された接合材５を接するように、第２パッケージ４を水晶振動片２上に載置する。   When the holding (placement) of the crystal vibrating piece 2 on the first package 3 is finished, the second package 4 configured as described above is replaced with the second package 4 configured as described above with the bonding material 5. Place the first package 3 on the first package 3 with the surface on which is formed facing downward. Specifically, the second package 4 is connected to the crystal vibrating piece 2 so that the bonding material 5 formed on the bonding surface 43 of the second package 4 is in contact with the bonding material 5 formed on the bonding surface 33 of the first package 3. Place on top.

上記したように、第１パッケージ３上に第２パッケージ４を載置した後に、これら第１パッケージ３と第２パッケージ４とを接合材５および緩衝材６を介して低温低圧（本実施例では２００℃、１００ｋｇ／ｃｍ2）により接合する。この接合は真空雰囲気で行い、接合時に接合材５が塑性変形するとともに拡散接合し、緩衝材６では接合材５の塑性変形による応力を緩衝し、接合材５および緩衝材６は変形した状態で接合する。そして、これら接合材５および緩衝材６を接合することで、第１パッケージ３と第２パッケージ４とを接合し、内部空間１２に配された水晶振動片２を気密封止して水晶振動子１を製造する。 As described above, after the second package 4 is placed on the first package 3, the first package 3 and the second package 4 are connected to the low-temperature and low-pressure (in this embodiment, through the bonding material 5 and the buffer material 6. 200 ° C. and 100 kg / cm 2 ). This bonding is performed in a vacuum atmosphere, and the bonding material 5 is plastically deformed and diffusion bonded at the time of bonding, and the buffer material 6 buffers the stress due to the plastic deformation of the bonding material 5, and the bonding material 5 and the buffer material 6 are in a deformed state. Join. Then, by bonding the bonding material 5 and the buffer material 6, the first package 3 and the second package 4 are bonded, and the crystal vibrating piece 2 disposed in the internal space 12 is hermetically sealed, thereby crystal resonator 1 is manufactured.

上記したように、本実施例にかかる水晶振動子１およびその製造方法によれば、上記した実施例１と同様に、本体筐体１１の小型化が進んでも、シーム接合を用いずに本体筐体部材（第１パッケージ３と第２パッケージ４）の接合を行うことができ、その結果、水晶振動子１の製造を効率的に行うことができる。そのため、上記した実施例１およびその変形例と同様の作用効果に関する記載は省略する。   As described above, according to the crystal resonator 1 and the manufacturing method thereof according to the present embodiment, as in the first embodiment described above, the main body housing 11 is not used without using seam bonding even if the main body housing 11 is downsized. The body members (the first package 3 and the second package 4) can be joined, and as a result, the crystal unit 1 can be manufactured efficiently. Therefore, the description regarding the effect similar to Example 1 mentioned above and its modification is abbreviate | omitted.

なお、上記した実施例１〜４では、接合材５と緩衝材６との積層構造が、断面視形状が台形となるよう構成されているが、これに限定されるものではなく、緩衝材６上に接合材５が積層された構成であれば他の形態であってもよい。具体的に、図８〜１１に示す形態であってもよい。なお、これら図８〜１１は、夫々実施例４の水晶振動子１の製造後の接合材５および緩衝材６の部位を拡大した図である。そのため、実施例４と同一構成についての説明は省略し、異なる構成について説明する。   In addition, in above-mentioned Examples 1-4, although the laminated structure of the joining material 5 and the buffer material 6 is comprised so that cross-sectional shape may become trapezoid, it is not limited to this, The buffer material 6 Other forms may be used as long as the bonding material 5 is laminated thereon. Specifically, the form shown in FIGS. 8 to 11 are enlarged views of the portions of the bonding material 5 and the buffer material 6 after the manufacture of the crystal unit 1 of the fourth embodiment. Therefore, a description of the same configuration as that of the fourth embodiment is omitted, and a different configuration will be described.

図８に示す形態では、第１パッケージ３に形成される接合前の緩衝材６が断面半円形に形成され、その外周縁に沿って接合材５が形成される。そして、第１パッケージ３と第２パッケージ４とを接合した際に、図８に示すように、圧力をかける方向（図８では下方）に緩衝材６が変形する。なお、図８に示す黒丸は異物を示し、異物が混入された状態であっても、第１パッケージ３と第２パッケージ４との接合を行うことができる。   In the form shown in FIG. 8, the buffer material 6 before bonding formed in the first package 3 is formed in a semicircular cross section, and the bonding material 5 is formed along the outer peripheral edge thereof. And when the 1st package 3 and the 2nd package 4 are joined, as shown in FIG. 8, the buffer material 6 deform | transforms in the direction (pressure downward in FIG. 8) to apply a pressure. The black circles shown in FIG. 8 indicate foreign matters, and the first package 3 and the second package 4 can be joined even when foreign matters are mixed.

図９に示す形態では、第１パッケージ３に形成される接合前の緩衝材６が断面三角形に形成され、その一辺が第１パッケージ３の接合面３３に接し、その他の二辺に沿って接合材５が形成される。そして、第１パッケージ３と第２パッケージ４とを接合した際に、図９に示すように、圧力をかける方向（図９では下方）に緩衝材６が変形する。   In the form shown in FIG. 9, the cushioning material 6 before joining formed in the first package 3 is formed in a triangular cross section, one side thereof is in contact with the joint surface 33 of the first package 3, and joining is performed along the other two sides. Material 5 is formed. And when the 1st package 3 and the 2nd package 4 are joined, as shown in FIG. 9, the buffer material 6 deform | transforms in the direction (pressure downward in FIG. 9) to apply a pressure.

図１０に示す形態では、上記した他の実施例や形態と異なり第２パッケージ４に洋白や銅やアルミニウムなどを用い、第２パッケージ４の接合面４３に突出部４４が設けられ、この突出部４４の突出端面（平坦面）を接合面４３として構成されている。そのため、突出部４４が緩衝材６として用いられる。また、この接合面４３に接合前の形状が断面矩形の接合材５が形成されている。このように、図１０に示す形態では、接合材５の塑性変形による応力を緩衝する突出部４４上に、接合材５が積層して形成されている。また、第１パッケージ３には、その接合面３３にニッケルとタングステンとのメタライズ層７が形成され、このメタライズ層７上に断面矩形の接合材５が積層して形成されている。なお、第１パッケージ３の接合材５は、第２パッケージ４の接合材５より、その断面面積が小さい。そして、第１パッケージ３と第２パッケージ４とを接合した際に、図１０に示すように、圧力をかける方向（図１０では下方）に第２パッケージ４の突出部４４がその主面方向（幅方向）に塑性変形し、また、接合材５の金メッキ部分が幅方向に膨張するように変形する。   In the form shown in FIG. 10, unlike the other embodiments and forms described above, white, copper, aluminum, or the like is used for the second package 4, and a protrusion 44 is provided on the joint surface 43 of the second package 4. The protruding end surface (flat surface) of the portion 44 is configured as a joint surface 43. Therefore, the protruding portion 44 is used as the cushioning material 6. In addition, a bonding material 5 having a rectangular cross section before bonding is formed on the bonding surface 43. Thus, in the form shown in FIG. 10, the bonding material 5 is laminated and formed on the protruding portion 44 that buffers the stress due to plastic deformation of the bonding material 5. The first package 3 has a metallized layer 7 of nickel and tungsten formed on the bonding surface 33, and a bonding material 5 having a rectangular cross section is formed on the metallized layer 7. Note that the bonding material 5 of the first package 3 has a smaller cross-sectional area than the bonding material 5 of the second package 4. And when the 1st package 3 and the 2nd package 4 are joined, as shown in FIG. 10, the protrusion part 44 of the 2nd package 4 is the direction of the main surface (in FIG. 10, the downward direction). Plastic deformation in the width direction), and deformation so that the gold-plated portion of the bonding material 5 expands in the width direction.

図１１に示す形態では、上記した他の実施例や形態と異なり第２パッケージ４に洋白や銅やアルミニウムなどを用い、第２パッケージ４の接合面４３に突出部４４が設けられ、この突出部４４の突出端面（平坦面）を接合面４３として構成されている。そのため、突出部４４が緩衝材６として用いられる。また、この接合面４３に接合前の形状が断面矩形の接合材５が形成されている。このように、図１１に示す形態では、接合材５の塑性変形による応力を緩衝する突出部４４上に、接合材５が積層して形成されている。また、第１パッケージ３に形成される接合前の緩衝材６は断面台形に形成され、この緩衝材６上に断面矩形の接合材５が積層して形成されている。なお、第１パッケージ３の接合材５は、第２パッケージ４の接合材５より、その断面面積が小さい。そして、第１パッケージ３と第２パッケージ４とを接合した際に、図１１に示すように、圧力をかける方向（図１１では下方）に第２パッケージ４の突出部４４がその主面方向（幅方向）に塑性変形し、加えて第１パッケージ３の緩衝材６が変形する。また、圧力をかけることで、第２パッケージ４の接合材５の金メッキ部分が幅方向に膨張するように変形する。以上により、図１１に示す形態では緩衝機能がさらに向上する。   In the form shown in FIG. 11, unlike the other embodiments and forms described above, the second package 4 is made of white, copper, aluminum, or the like, and a protrusion 44 is provided on the joint surface 43 of the second package 4. The protruding end surface (flat surface) of the portion 44 is configured as a joint surface 43. Therefore, the protruding portion 44 is used as the cushioning material 6. In addition, a bonding material 5 having a rectangular cross section before bonding is formed on the bonding surface 43. As described above, in the embodiment shown in FIG. 11, the bonding material 5 is laminated and formed on the protruding portion 44 that buffers the stress caused by plastic deformation of the bonding material 5. In addition, the buffer material 6 before bonding formed in the first package 3 is formed in a trapezoidal cross section, and the bonding material 5 having a rectangular cross section is laminated on the buffer material 6. Note that the bonding material 5 of the first package 3 has a smaller cross-sectional area than the bonding material 5 of the second package 4. And when the 1st package 3 and the 2nd package 4 are joined, as shown in FIG. 11, the protrusion part 44 of the 2nd package 4 is the main surface direction (in FIG. 11 downward). In addition, the cushioning material 6 of the first package 3 is deformed. Further, by applying pressure, the gold-plated portion of the bonding material 5 of the second package 4 is deformed so as to expand in the width direction. As described above, the buffer function is further improved in the embodiment shown in FIG.

なお、本発明は、その精神や主旨または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施例はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。   It should be noted that the present invention can be implemented in various other forms without departing from the spirit, gist, or main features. For this reason, the above-described embodiment is merely an example in all respects and should not be interpreted in a limited manner. The scope of the present invention is indicated by the claims, and is not restricted by the text of the specification. Further, all modifications and changes belonging to the equivalent scope of the claims are within the scope of the present invention.

本発明は、水晶振動子に好適である。   The present invention is suitable for a crystal resonator.

図１は、実施例１にかかる水晶振動子の内部空間を公開した概略側面断面図である。FIG. 1 is a schematic side sectional view showing the internal space of the crystal resonator according to the first embodiment. 図２は、図１に示す接合材と緩衝材とによる接合部位の概略拡大図である。FIG. 2 is a schematic enlarged view of a joining portion formed by the joining material and the buffer material shown in FIG. 図３は、実施例１にかかる水晶振動片と第１パッケージと第２パッケージとの概略構成図である。FIG. 3 is a schematic configuration diagram of the crystal resonator element, the first package, and the second package according to the first embodiment. 図４は、実施例１にかかる水晶振動片の概略平面図である。FIG. 4 is a schematic plan view of the quartz crystal resonator element according to the first embodiment. 図５は、実施例２にかかる水晶振動片と第１パッケージと第２パッケージとの概略構成図である。FIG. 5 is a schematic configuration diagram of the quartz crystal resonator element, the first package, and the second package according to the second embodiment. 図６は、実施例３にかかる水晶振動片と第１パッケージと第２パッケージとの概略構成図である。FIG. 6 is a schematic configuration diagram of the quartz crystal resonator element, the first package, and the second package according to the third embodiment. 図７は、実施例４にかかる水晶振動片と第１パッケージと第２パッケージとの概略構成図である。FIG. 7 is a schematic configuration diagram of the quartz crystal resonator element, the first package, and the second package according to the fourth embodiment. 図８は、実施例４の他の例にかかる接合材と緩衝材とによる接合部位の概略拡大図である。FIG. 8 is a schematic enlarged view of a joined portion formed by a joining material and a cushioning material according to another example of the fourth embodiment. 図９は、実施例４の他の例にかかる接合材と緩衝材とによる接合部位の概略拡大図である。FIG. 9 is a schematic enlarged view of a joining portion formed by a joining material and a buffer material according to another example of Example 4. 図１０は、実施例４の他の例にかかる接合材と緩衝材とによる接合部位の概略拡大図である。FIG. 10 is a schematic enlarged view of a joining portion formed by a joining material and a buffer material according to another example of Example 4. 図１１は、実施例４の他の例にかかる接合材と緩衝材とによる接合部位の概略拡大図である。FIG. 11 is a schematic enlarged view of a joining portion formed by a joining material and a cushioning material according to another example of the fourth embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

１ 水晶振動子
１１ 本体筐体
２ ＡＴカット水晶振動片
２３ 平面視外周
３ 第１パッケージ
３３ 接合面
４ 第２パッケージ
４３ 接合面
５ 接合材
６ 緩衝材 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Crystal oscillator 11 Main body housing | casing 2 AT cut crystal | crystallization vibration piece 23 The planar view outer periphery 3 1st package 33 Joining surface 4 2nd package 43 Joining surface 5 Joining material 6 Buffer material

Claims (9)

複数の本体筐体部材が接合材により接合されて本体筐体が構成される圧電振動デバイスの本体筐体部材において、
当該本体筐体部材の接合面に、結晶構造が面心立方形であり、他の本体筐体部材との接合時に塑性変形するとともに拡散接合する接合材と、前記接合材の塑性変形による応力を緩衝する緩衝材と、が設けられ、
前記緩衝材上に前記接合材が積層されたことを特徴とする圧電振動デバイスの本体筐体部材。 In the main body housing member of the piezoelectric vibration device in which the main body housing is configured by bonding a plurality of main body housing members with a bonding material,
The bonding surface of the main body casing member has a face-centered cubic crystal structure and is subjected to plastic deformation during diffusion bonding with other main body casing members and diffusion bonding, and stress due to plastic deformation of the bonding material. A buffer material for buffering is provided,
A main body housing member of a piezoelectric vibration device, wherein the bonding material is laminated on the cushioning material. 請求項１に記載の圧電振動デバイスの本体筐体部材において、
前記緩衝材は、前記接合材よりも容量が多いことを特徴とする圧電振動デバイスの本体筐体部材。 In the main body housing member of the piezoelectric vibration device according to claim 1,
A body housing member of a piezoelectric vibration device, wherein the cushioning material has a larger capacity than the bonding material. 複数の本体筐体部材が接合材を介して低温低圧により接合されて本体筐体が構成され、前記本体筐体の内部空間において圧電振動片の励振が行なわれる圧電振動デバイスにおいて、
前記接合材は、結晶構造が面心立方形であり、前記複数の本体筐体部材の接合時に塑性変形するとともに拡散接合し、
前記接合材の塑性変形による応力を緩衝する緩衝材が、前記本体筐体部材の接合面に設けられ、前記緩衝材上に接合材が積層して設けられたことを特徴とする圧電振動デバイス。 In the piezoelectric vibration device in which a plurality of main body casing members are bonded by a low temperature and low pressure via a bonding material to form a main body casing, and the piezoelectric vibrating piece is excited in the internal space of the main body casing,
The bonding material has a face-centered cubic crystal structure, and is plastically deformed and bonded by diffusion when the plurality of main body housing members are bonded.
A piezoelectric vibration device, wherein a buffer material for buffering stress due to plastic deformation of the bonding material is provided on a bonding surface of the main body housing member, and the bonding material is provided on the buffer material in a stacked manner. 請求項３に記載の圧電振動デバイスにおいて、
前記本体筐体部材は、絶縁性材料であることを特徴とする圧電振動デバイス。 The piezoelectric vibration device according to claim 3,
The main body housing member is an insulating material. 請求項３または４に記載の圧電振動デバイスにおいて、
前記本体筐体部材はセラミックからなり、前記本体筐体の高さは０．２〜０．３ｍｍの範囲内に設定されたことを特徴とする圧電振動デバイス。 The piezoelectric vibration device according to claim 3 or 4,
The piezoelectric vibration device according to claim 1, wherein the main body casing member is made of ceramic, and a height of the main body casing is set in a range of 0.2 to 0.3 mm. 請求項３または４に記載の圧電振動デバイスにおいて、
前記本体筐体部材は水晶、シリコンまたはガラスからなり、前記本体筐体の高さは０．２ｍｍ以下に設定されたことを特徴とする圧電振動デバイス。 The piezoelectric vibration device according to claim 3 or 4,
The main body housing member is made of crystal, silicon, or glass, and the height of the main body housing is set to 0.2 mm or less. 複数の本体筐体部材を接合材を介して低温低圧により接合して本体筐体を構成し、前記本体筐体の内部空間において圧電振動片の励振を行なう圧電振動デバイスの製造方法において、
前記接合材は、結晶構造が面心立方形であり、前記複数の本体筐体部材の接合時に塑性変形するとともに拡散接合し、
前記接合材を前記複数の本体筐体部材それぞれの接合面に形成するとともに、前記複数の本体筐体部材の少なくとも１つの接合面と前記接合材との間に前記接合材の塑性変形による応力を緩衝する緩衝材を介在させることを特徴とする圧電振動デバイスの製造方法。 In the method of manufacturing a piezoelectric vibration device, wherein a plurality of main body housing members are joined by a low temperature and low pressure via a bonding material to form a main body housing, and the piezoelectric vibrating piece is excited in an internal space of the main body housing.
The bonding material has a face-centered cubic crystal structure, and is plastically deformed and bonded by diffusion when the plurality of main body housing members are bonded.
The bonding material is formed on each bonding surface of the plurality of body housing members, and stress due to plastic deformation of the bonding material is provided between at least one bonding surface of the plurality of body housing members and the bonding material. A method of manufacturing a piezoelectric vibration device, comprising a buffer material for buffering. 請求項７に記載の圧電振動デバイスの製造方法において、
前記緩衝材または前記接合材および前記緩衝材を、ナノ粒子の緩衝材料の吐出より形成することを特徴とする圧電振動デバイスの製造方法。 In the manufacturing method of the piezoelectric vibration device according to claim 7,
The method of manufacturing a piezoelectric vibration device, wherein the buffer material or the bonding material and the buffer material are formed by discharging a nanoparticle buffer material. 請求項７または８に記載の圧電振動デバイスの製造方法において、
前記接合材による前記複数の本体筐体部材の接合は、真空雰囲気で行うことを特徴とする圧電振動デバイスの製造方法。 In the manufacturing method of the piezoelectric vibration device according to claim 7 or 8,
The method for manufacturing a piezoelectric vibration device, wherein the bonding of the plurality of main body housing members with the bonding material is performed in a vacuum atmosphere.
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