JP2008535318A - Rf電力供給における2次周波数の終端 - Google Patents
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Abstract
RF電力発生器とプラズマチャンバとの間に結合された2次リアクティブ終端回路が提供され、処理プラズマ内の2次周波数の電圧コンポーネントおよび電流コンポーネントの密接な調整および制限が可能である。2次リアクティブ回路は、システム内の2次周波数によって見られるように、RF電力発生器の基本周波数で主に動作するように設計された整合ネットワークのインピーダンスを制御する。終端回路の結合点において、電力供給コンポーネントが測定され、終端回路コンポーネントの可変値を制御するためのフィードバック信号として用いられる。
Description
(本発明の分野)
本発明は、概して、負荷の可変インピーダンスを整合するための装置に関し、より詳細には、プラズマ処理のためのRF電力供給システムに対する装置および方法に関する。
本発明は、概して、負荷の可変インピーダンスを整合するための装置に関し、より詳細には、プラズマ処理のためのRF電力供給システムに対する装置および方法に関する。
(従来技術の簡単な説明)
プラズマ処理アプリケーション(例えば、半導体またはフラットディスプレイの製造)において、RF電力発生器は、プラズマチャンバにおける負荷に電圧を印加し、幅広い周波数にわたって動作し得る。処理プラズマのインピーダンスは、この印加された電圧の周波数、チャンバの圧力、ガスの圧縮、および標的または基板の材料によって変動し得る。それゆえに、典型的に、リアクティブインピーダンス整合ネットワークが、チャンバインピーダンスをRF電力発生器に対する理想的な負荷に転送するために、用いられる。
プラズマ処理アプリケーション(例えば、半導体またはフラットディスプレイの製造)において、RF電力発生器は、プラズマチャンバにおける負荷に電圧を印加し、幅広い周波数にわたって動作し得る。処理プラズマのインピーダンスは、この印加された電圧の周波数、チャンバの圧力、ガスの圧縮、および標的または基板の材料によって変動し得る。それゆえに、典型的に、リアクティブインピーダンス整合ネットワークが、チャンバインピーダンスをRF電力発生器に対する理想的な負荷に転送するために、用いられる。
複数の周波数が、常にRFプラズマ処理システムに存在する。これらの異なる周波数は、基本動作周波数の高調波の結果であり得る。多くのアプリケーションにおいて、複数の周波数は、同じツール上で動作する分離した電力供給システムの結果であり得る。商用のプラズマ処理ツール上の共通の構成は、例えば、13.56MHz−350kHz、60MHz−2MHz、27.12MHz−2MHzのような、デュアル周波数システムを含むが、それらには限定されない。異なる周波数が存在するので、主に1つの周波数範囲内で動作するように設計されたコンポーネント内に、追加的なRF回路を提供することにより、分離した周波数によって見られるようなそれらの終端インピーダンスに影響を与えることが、必要となり得る。この終端インピーダンスを制御することは、処理プラズマ内の2次周波数の電圧コンポーネントおよび電流コンポーネントを制御または制限することを可能にし得る。2次周波数を終端するように意図されている回路は、その1次の動作周波数範囲内でコンポーネントの性能に不利な影響を与えることなしに、2次周波数に対し、望ましい終端インピーダンスを提供することができるように、設計されなければならない。
プラズマチャンバのRFコンポーネント内の異なる周波数に対し、特定の終端インピーダンスを設定する能力を有するインピーダンス整合ネットワークであって、システム内のその他のコンポーネントによって誘導されるインピーダンスの変動を懸念することなしに、離散的な周波数で、処理内の電圧、電流、電力を密接に調整することが可能であるという利点をオペレータに付与するインピーダンス整合ネットワークを提供することが、望ましい。
基本動作周波数の高調波によって引き起こされる任意の望ましくない影響を抑制する能力を整合ネットワークが有することもまた、望ましい。
(本発明の概要)
本発明により、整合ネットーク装置に対し、終端回路の追加が提供され、上記追加は、2次周波数でのネットワーク動作によって見られるような、密接な制御と、負荷インピーダンスの再現性(repeatability)とを可能にする。この2次回路は、伝導または放射の間に、その基本動作周波数で、整合ネットワークの動作との望ましくない干渉を引き起こさないように、設計される。リアクティブ、共振な終端回路は、周波数アプリケーションによって、必要に応じて固定または調整可能であり得る。
本発明により、整合ネットーク装置に対し、終端回路の追加が提供され、上記追加は、2次周波数でのネットワーク動作によって見られるような、密接な制御と、負荷インピーダンスの再現性(repeatability)とを可能にする。この2次回路は、伝導または放射の間に、その基本動作周波数で、整合ネットワークの動作との望ましくない干渉を引き起こさないように、設計される。リアクティブ、共振な終端回路は、周波数アプリケーションによって、必要に応じて固定または調整可能であり得る。
(詳細な説明)
図1を参照すると、本発明の原理を組み込んだRFプラズマ処理装置が示されており、これは、概して、当業者によって周知な方法でチャンバ14に取り付けられた基板16に電力を供給するRF電力発生器10を備えている。チャンバ14は、基板16上に薄膜を堆積させるか、基板16から材料をエッチングさせるために、プラズマを発生するガスで充満されている。整合ネットワーク12は、RF電力発生器10の基本周波数で、発生器10とプラズマ負荷20との間の異なるインピーダンスを整合させることにより、RF電力発生器10からチャンバにおけるRFプラズマ負荷20への電力の効率的な転送を提供するように設計されている。2次終端回路18は、RF電力発生器10とプラズマチャンバ14の入力との間に追加され、電力発生器および整合ネットワークの基本周波数以外の(単数または複数の)周波数で、特定のインピーダンスを提供する。回路18は、概して、並列なキャパシタC1およびC2の系列を備えており、上記系列は、インダクタLおよび可変キャパシタC3に結合されている。代替的に、回路の(単数または複数の)終端周波数を調整するために、回路18の個別のコンポーネントのうちの任意のものが、同様に可変であり得る。
図1を参照すると、本発明の原理を組み込んだRFプラズマ処理装置が示されており、これは、概して、当業者によって周知な方法でチャンバ14に取り付けられた基板16に電力を供給するRF電力発生器10を備えている。チャンバ14は、基板16上に薄膜を堆積させるか、基板16から材料をエッチングさせるために、プラズマを発生するガスで充満されている。整合ネットワーク12は、RF電力発生器10の基本周波数で、発生器10とプラズマ負荷20との間の異なるインピーダンスを整合させることにより、RF電力発生器10からチャンバにおけるRFプラズマ負荷20への電力の効率的な転送を提供するように設計されている。2次終端回路18は、RF電力発生器10とプラズマチャンバ14の入力との間に追加され、電力発生器および整合ネットワークの基本周波数以外の(単数または複数の)周波数で、特定のインピーダンスを提供する。回路18は、概して、並列なキャパシタC1およびC2の系列を備えており、上記系列は、インダクタLおよび可変キャパシタC3に結合されている。代替的に、回路の(単数または複数の)終端周波数を調整するために、回路18の個別のコンポーネントのうちの任意のものが、同様に可変であり得る。
RFプラズマ処理装置の動作の間、終端回路18は、電圧、電流、電力および/または処理システム内の2次周波数の位相コンポーネントを調整または制限するように機能する。動作の間に、終端回路内の結合点において、これら性質のうちの任意のものまたは全てを測定することにより、2次周波数コンポーネントのさらなる調整または制御が実現される。図2は、フィードバックループを用いる本発明の実施形態を示しており、終端回路18のコンポーネントの値を調整および制御する。測定デバイス22は、終端回路18の結合点において、整合ネットワーク12の出力へのRF電力供給の電圧、電流、および/または位相コンポーネントを測定する。代替的に、測定は、終端回路18内の任意の点で取得され得る。測定デバイス22からのデータは、コントローラ24に提供され、上記コントローラは、電力発生器および整合ネットワークの基本動作周波数以外の周波数で、電力供給の性質をモニタする。コントローラ24は、フィードバック信号として、測定デバイス22からのデータをさらに用い、可変キャパシタC3のキャパシタンス値を変動させる。代替的に、終端回路のコンポーネントのうちの任意のものまたは全てが、測定デバイス22からのデータに応答して、可変であり、調整される。
本明細書中、処理プラズマ内の2次周波数の電圧コンポーネントおよび電流コンポーネントを制御または制限することを可能にする補助的な共振回路、リアクティブ回路を利用するRFプラズマ処理システムにおける整合ネットワークの新規かつユニークなインプリメンテーションが提供されることを、容易に見ることができた。
特定の構造および特定の動作に関する詳細が示され、記載されてきたが、特定の構造および特定の動作に関する詳細は、単に説明を目的としたものに過ぎず、当業者により、本発明の精神および範囲から逸れることなしに、変更および改変が本明細書の範囲で容易になされ得ることが、明白に理解されるべきである。
Claims (18)
- プラズマにRF電力を供給するためのシステムであって、
a)RF電力発生器であって、プラズマチャンバ内のプラズマに電力を供給するように配置されている、RF電力発生器と、
b)インピーダンス整合ネットワークであって、該RF電力発生器の出力に配置され、該RF電力発生器から該プラズマに、該発生器の基本動作周波数で、効率的な電力の転送を提供する、インピーダンス整合ネットワークと、
c)該RF電力発生器と該プラズマチャンバとの間に配置された終端回路であって、該プラズマ内の1つ以上の2次周波数で、該プラズマへの電力供給を調整する、終端回路と
を備える、システム。 - 前記終端回路は、リアクティブ回路である、請求項1に記載のシステム。
- 前記終端回路のリアクティブ性は、可変である、請求項2に記載のシステム。
- 前記終端回路は、可変なキャパシタと直列なインダクタを備える、請求項3に記載のシステム。
- 前記終端回路は、前記1つ以上の2次周波数で、電圧、電流、位相角、および電力のうちの1つを調整する、請求項1に記載のシステム。
- 前記終端回路は、前記1つ以上の2次周波数で、前記プラズマへの電力供給を制限する、請求項1に記載のシステム。
- 測定デバイスをさらに備え、
該測定デバイスは、前記1つ以上の2次周波数で、前記プラズマへの前記電力供給の性質を測定する、請求項3に記載のシステム。 - 前記測定デバイスは、前記1つ以上の2次周波数で、電圧、電流、位相角、および電力のうちの少なくとも1つを測定する、請求項7に記載のシステム。
- コントローラをさらに備え、
該コントローラは、前記1つ以上の2次周波数で、前記測定デバイスによって測定された前記プラズマへの前記電力供給の前記性質に基づいて、前記終端回路の1つ以上の可変なリアクティブ性を調整する、請求項7に記載のシステム。 - プラズマにRF電力を供給する方法であって、
a)プラズマ処理システムを提供することであって、該プラズマ処理システムは、RF電力発生器と、プラズマを内部に含むプラズマチャンバと、該RF電流発生器と該プラズマチャンバとの間に配置されたインピーダンス整合ネットワークとを備える、ことと、
b)該RF電力発生器から該プラズマに、該発生器の基本動作周波数で、電力を転送することと、
c)該RF電力発生器と該プラズマチャンバとの間に配置された終端回路を用いることにより、該プラズマ内の1つ以上の2次周波数で、該プラズマへの電力供給を調整することと
を包含する、方法。 - 前記終端回路は、リアクティブ回路である、請求項10に記載の方法。
- 前記終端回路のリアクティブ性は、可変である、請求項11に記載の方法。
- 前記終端回路は、可変なキャパシタと直列なインダクタを備える、請求項12に記載の方法。
- 前記終端回路は、前記1つ以上の2次周波数で、電圧、電流、位相角、および電力のうちの少なくとも1つを調整する、請求項10に記載の方法。
- 前記終端回路は、前記1つ以上の2次周波数で、前記プラズマへの電力供給を制限する、請求項10に記載の方法。
- 前記1つ以上の2次周波数で、前記プラズマへの前記電力供給の性質を測定するステップ
をさらに包含する、請求項12に記載の方法。 - 前記プラズマへの前記電力供給の前記性質は、電圧、電流、位相角、および電力のうちの1つである、請求項16に記載の方法。
- 前記1つ以上の2次周波数で、前記プラズマへの前記電力供給の前記性質に基づいて、前記終端回路の1つ以上の可変なリアクティブ性を調整するステップ
をさらに包含する、請求項16に記載の方法。
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Families Citing this family (16)
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---|---|---|---|---|
CN100362619C (zh) * | 2005-08-05 | 2008-01-16 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 真空反应室的射频匹配耦合网络及其配置方法 |
US8803615B2 (en) * | 2012-01-23 | 2014-08-12 | Qualcomm Incorporated | Impedance matching circuit with tunable notch filters for power amplifier |
US9030101B2 (en) * | 2012-02-22 | 2015-05-12 | Lam Research Corporation | Frequency enhanced impedance dependent power control for multi-frequency RF pulsing |
US8773019B2 (en) * | 2012-02-23 | 2014-07-08 | Mks Instruments, Inc. | Feedback control and coherency of multiple power supplies in radio frequency power delivery systems for pulsed mode schemes in thin film processing |
US10310578B2 (en) * | 2014-06-19 | 2019-06-04 | Google Llc | Systems, methods, and media for providing power to an HDMI source |
DE102014212439A1 (de) * | 2014-06-27 | 2015-12-31 | TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG | Verfahren zum Betrieb eines Leistungsgenerators und Leistungsgenerator |
KR102015544B1 (ko) | 2014-09-04 | 2019-08-30 | 코멧 아게 | Rf 전력 공급을 위한 가변 전력 커패시터 |
US10340876B2 (en) * | 2015-04-17 | 2019-07-02 | Psemi Corporation | Tunable and integrated impedance matching and filter circuit |
CN106098524B (zh) * | 2016-06-27 | 2017-12-19 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 单射频电源感应耦合等离子体刻蚀机 |
JP7018119B2 (ja) * | 2018-02-13 | 2022-02-09 | 富士フイルム株式会社 | 大気圧プラズマ発生装置、大気圧プラズマ発生回路、及び、大気圧プラズマ発生方法 |
JP7247207B2 (ja) * | 2018-02-23 | 2023-03-28 | ラム リサーチ コーポレーション | 半導体処理ツールにおけるrf電流測定 |
US10720305B2 (en) | 2018-12-21 | 2020-07-21 | Advanced Energy Industries, Inc. | Plasma delivery system for modulated plasma systems |
US11804362B2 (en) | 2018-12-21 | 2023-10-31 | Advanced Energy Industries, Inc. | Frequency tuning for modulated plasma systems |
US11515123B2 (en) | 2018-12-21 | 2022-11-29 | Advanced Energy Industries, Inc. | Apparatus and system for modulated plasma systems |
US11784028B2 (en) * | 2020-12-24 | 2023-10-10 | Applied Materials, Inc. | Performing radio frequency matching control using a model-based digital twin |
US11961712B2 (en) | 2021-04-26 | 2024-04-16 | Advanced Energy Industries, Inc. | Combining the determination of single and mutual, preset preserving, impedance loads with advances in single and double sensor calibration techniques in the application of single and pairwise calibration of sensors |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02298024A (ja) * | 1989-05-12 | 1990-12-10 | Tadahiro Omi | リアクティブイオンエッチング装置 |
JP2001007086A (ja) * | 1999-06-22 | 2001-01-12 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2001525604A (ja) * | 1997-12-01 | 2001-12-11 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 混合周波数cvdプロセスおよび装置 |
JP2002043286A (ja) * | 2000-07-19 | 2002-02-08 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
WO2005010938A2 (en) * | 2003-07-16 | 2005-02-03 | Advanced Energy Industries, Inc. | Impedance matching network with termination of secondary rf frequencies |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4284490A (en) * | 1978-09-28 | 1981-08-18 | Coulter Systems Corporation | R.F. Sputtering apparatus including multi-network power supply |
US5288971A (en) * | 1991-08-09 | 1994-02-22 | Advanced Energy Industries, Inc. | System for igniting a plasma for thin film processing |
US5849136A (en) * | 1991-10-11 | 1998-12-15 | Applied Materials, Inc. | High frequency semiconductor wafer processing apparatus and method |
US5523955A (en) * | 1992-03-19 | 1996-06-04 | Advanced Energy Industries, Inc. | System for characterizing AC properties of a processing plasma |
EP0636285B1 (en) * | 1992-04-16 | 1996-09-04 | Advanced Energy Industries, Inc. | Stabilizer for switch-mode powered rf plasma processing |
US5325019A (en) * | 1992-08-21 | 1994-06-28 | Sematech, Inc. | Control of plasma process by use of harmonic frequency components of voltage and current |
US5339039A (en) * | 1992-09-29 | 1994-08-16 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of The University Of Arizona | Langmuir probe system for radio frequency excited plasma processing system |
US5556549A (en) * | 1994-05-02 | 1996-09-17 | Lsi Logic Corporation | Power control and delivery in plasma processing equipment |
US5629653A (en) * | 1995-07-07 | 1997-05-13 | Applied Materials, Inc. | RF match detector circuit with dual directional coupler |
US5770982A (en) * | 1996-10-29 | 1998-06-23 | Sematech, Inc. | Self isolating high frequency saturable reactor |
US5889252A (en) * | 1996-12-19 | 1999-03-30 | Lam Research Corporation | Method of and apparatus for independently controlling electric parameters of an impedance matching network |
US6345588B1 (en) * | 1997-08-07 | 2002-02-12 | Applied Materials, Inc. | Use of variable RF generator to control coil voltage distribution |
US6028285A (en) * | 1997-11-19 | 2000-02-22 | Board Of Regents, The University Of Texas System | High density plasma source for semiconductor processing |
US6388382B1 (en) * | 1999-03-09 | 2002-05-14 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing apparatus and method |
US6326584B1 (en) * | 1999-12-31 | 2001-12-04 | Litmas, Inc. | Methods and apparatus for RF power delivery |
TW584905B (en) * | 2000-02-25 | 2004-04-21 | Tokyo Electron Ltd | Method and apparatus for depositing films |
US6592710B1 (en) * | 2001-04-12 | 2003-07-15 | Lam Research Corporation | Apparatus for controlling the voltage applied to an electrostatic shield used in a plasma generator |
US7345428B2 (en) * | 2002-09-23 | 2008-03-18 | Turner Terry R | Transducer package for process control |
US6781317B1 (en) * | 2003-02-24 | 2004-08-24 | Applied Science And Technology, Inc. | Methods and apparatus for calibration and metrology for an integrated RF generator system |
-
2005
- 2005-03-25 US US11/090,377 patent/US7049751B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2006
- 2006-03-17 EP EP06748443A patent/EP1866947A4/en not_active Withdrawn
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02298024A (ja) * | 1989-05-12 | 1990-12-10 | Tadahiro Omi | リアクティブイオンエッチング装置 |
JP2001525604A (ja) * | 1997-12-01 | 2001-12-11 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 混合周波数cvdプロセスおよび装置 |
JP2001007086A (ja) * | 1999-06-22 | 2001-01-12 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2002043286A (ja) * | 2000-07-19 | 2002-02-08 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
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