JP2008527750A - 同期ラスタ走査リソグラフィ・システム - Google Patents
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- H01J2237/3175—Lithography
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Abstract
Description
最近、画像形成処理能力を向上するためにマルチビーム画像形成システムが使用されるようになった。例えば、マルチビーム画像形成システムは、高処理能力・ドット・マトリクス・プリンタ、インク・ジェット・プリンタおよびレーザ・ジェット・プリンタで現在使用されている。
を意味する。粒子線は、光子、電子、イオンまたはX線のような任意のタイプの粒子を含むことができる。既知の感度を有する感光性材料の1つの画素の露光時間Teは下式で表すことができる。
する。
ので、サイクル時間TCが短縮する。
光性材料のしきい値100%の線量レーザに達してスポット・サイズSRの領域を有する。当業者であれば、一方の軸内のビーム変調および他方の軸の重なりの長さの両方を変化させることにより、任意の形状を生成することができることを理解することができるだろう。
等価物
種々の実施形態および例により本発明を説明してきたが、本発明はこのような実施形態に限定されない。それどころか、当業者であれば理解することができると思うが、本発明は、添付の特許請求の範囲に記載する精神および範囲から逸脱することなしに、種々の代替物、修正および等価物を形成することができる。
Claims (22)
- マルチビーム同期ラスタ走査リソグラフィ・システムであって、
a)出力のところで所望の露光パターンを表す電気信号を生成するプロセッサと、
b)複数の露光ビームを生成する露光放射線のマルチビーム源と、
c)前記プロセッサに電気的に接続している制御入力を有するビーム変調器であって、前記プロセッサが生成した前記電気信号を受信し、所望の露光パターンにより前記複数の露光ビームを変調するビーム変調器と、
d)第1の軸に沿って所定の距離だけ前記複数の露光ビームを偏光し、それにより前記所望の露光パターンにより前記第1の軸に沿って複数の画素を露光するビーム偏光器と、
e)露光する基板を支持する並進ステージであって、所望の重なり合う露光線量プロファイルになる前記第1の軸に沿って、画素の以降の露光のために前記基板を位置決めする第2の軸に沿って所定の距離だけ前記基板を移動する並進ステージと、を備えるシステム。 - 露光放射線の前記マルチビーム源が、二次元アレイのマルチビーム源を含む請求項1に記載のシステム。
- 露光放射線の前記マルチビーム源が、複数の電子ビームを生成するマルチ電子ビーム源を含む請求項1に記載のシステム。
- 露光放射線の前記マルチビーム源が、複数の電子ビームを放出する複数の個々にアドレス可能な電子エミッタを備える電界放出アレイを備える請求項1に記載のシステム。
- 前記電界放出アレイが放出した複数の電子ビームの経路内に位置している二次電子増倍アレイであって、複数の集束電子ビームを生成する二次電子増倍アレイをさらに含む請求項4に記載のシステム。
- 前記ビーム偏光器が、前記複数の電子ビームを偏光する静電レンズ・アレイをさらに含む請求項4に記載のシステム。
- 前記ビーム偏光器が、前記プロセッサの出力に電気的に接続している制御入力を備え、前記プロセッサが、前記ビーム偏光器に、前記所望の重なり合う露光線量プロファイルになる第1の軸に沿って所定の距離だけ前記複数の露光ビームを偏光するように指示する信号を生成する請求項1に記載のシステム。
- 前記並進ステージが、前記プロセッサの出力に電気的に接続している制御入力を備え、前記プロセッサが、前記並進ステージに、前記所望の重なり合う露光線量プロファイルになる第2の軸に沿ってある距離だけ基板を移動するように指示する信号を生成する請求項1に記載のシステム。
- 前記第2の軸に沿った前記所定の距離が、前記システムのビーム分解能より短い請求項1に記載のシステム。
- 同期ラスタ走査リソグラフィを使用する方法であって、
a)複数の露光ビームを生成するステップと、
b)第1のリソグラフィ・パターンにより前記複数の露光ビームを変調するステップと、
c)第1の軸に沿って所定の距離だけ前記変調した複数の露光ビームを偏光し、それにより前記第1のリソグラフィ・パターンで前記第1の軸に沿って、第1の基板位置のとこ
ろで複数の画素を露光するステップと、
d)第2の基板位置に第2の軸に沿って所定の距離だけ基板を並進するステップと、
e)第2のリソグラフィ・パターンにより前記複数の露光ビームを変調するステップと、
f)前記第1の軸に沿って所定の距離だけ前記変調した複数の露光ビームを偏光し、それにより前記第2のリソグラフィ・パターンにより前記第1の軸に沿って前記第2の基板位置のところで複数の画素を露光するステップと、を含み、前記第1の軸に沿って前記変調した複数の露光ビームが偏光する前記所定の距離、および前記第2の軸に沿って前記基板が並進する前記所定の距離のうちの少なくとも一方が、前記基板上の前記第1の軸に沿って露光する前記複数の各画素に対して所望の全露光線量プロファイルを達成するように選択される方法。 - 複数の露光ビームを生成する前記ステップが、2つの次元で前記複数の露光ビームを生成するステップを含む請求項10に記載の方法。
- 前記複数の露光ビームを生成する前記ステップが、複数の電子ビームを生成するステップを含む請求項10に記載の方法。
- 前記基板上の前記第1の軸に沿って露光した前記複数の各画素に対する前記所望の全露光線量が、所望の画像を形成するのに必要な線量を低減する重なり合う露光線量を含む請求項10に記載の方法。
- 前記変調した複数の露光ビームが、一定の速度で前記第1の軸に沿って前記所定の距離だけ偏光される請求項10に記載の方法。
- 露光される前記基板が、一定の速度で前記第2の軸に沿って前記所定の距離だけ並進する請求項10に記載の方法。
- 前記第2の軸が、前記第1の軸に対して垂直である請求項10に記載の方法。
- 前記基板上の前記第1の軸に沿って露光した前記複数の各画素に対する前記所望の全露光線量が、混合線量プロファイルを含む請求項10に記載の方法。
- 前記変調した複数のビームが、前記第1の軸に沿って偏光する前記所定の距離、および前記基板が前記変調した複数のビーム内の収差の影響を低減するために前記第2の軸に沿って並進する前記所定の距離のうちの少なくとも一方を調整するステップをさらに含む請求項10に記載の方法。
- 前記第1および前記第2の所望のリソグラフィ・パターンにより前記複数のビームを変調するための指示を生成するステップをさらに含む請求項10に記載の方法。
- 前記変調した複数の露光ビームを偏光するステップと、前記基板の所望の領域内に前記所望のリソグラフィ・パターンが露光されるまで、前記基板を並進するステップとを反復するステップをさらに含む請求項10に記載の方法。
- a)前記基板を第3の基板位置に前記第2の軸に沿って所定の距離だけ並進するステップと、
b)第3の所望のリソグラフィ・パターンにより前記複数の露光ビームを変調するステップと、
c)前記第1の軸に沿って所定の距離だけ前記変調した複数の露光ビームを偏光させ、
それにより前記第3の所望のリソグラフィ・パターンで、前記第1の軸に沿って前記第3の基板位置のところで複数の画素を露光するステップと、をさらに含み、
前記変調した複数の露光ビームが、前記第1の軸に沿って偏光する前記所定の距離、および前記基板が前記第2の軸に沿って並進する前記所定の距離のうちの少なくとも一方が、前記基板上の前記第1の軸に沿って露光する前記複数の各画素に対して所望の全露光線量を達成するように選択される請求項10に記載の方法。 - 同期ラスタ走査リソグラフィを使用するための方法であって、
a)第1のリソグラフィ・パターンにより変調される複数の露光ビームを生成するステップと、
b)第1の軸に沿って所定の距離だけ前記複数の変調した露光ビームを偏光させ、それにより前記第1の軸に沿った第1の基板位置のところで複数の画素を露光するステップと、
c)第2のリソグラフィ・パターンにより変調される第2の複数の露光ビームを生成するステップと、
d)前記第1の軸に沿って所定の距離だけ前記複数の変調した露光ビームを偏光させ、それにより前記第1の軸に沿った第2の基板位置のところで複数の画素を露光するステップと、を含み、前記第1および前記第2の基板位置のところでの前記複数の画素の露光が、画像形成処理能力を向上するように重なる方法。
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