JP2008516543A - レーザまたは変調器駆動用の低電圧高速出力段 - Google Patents

レーザまたは変調器駆動用の低電圧高速出力段 Download PDF

Info

Publication number
JP2008516543A
JP2008516543A JP2007536300A JP2007536300A JP2008516543A JP 2008516543 A JP2008516543 A JP 2008516543A JP 2007536300 A JP2007536300 A JP 2007536300A JP 2007536300 A JP2007536300 A JP 2007536300A JP 2008516543 A JP2008516543 A JP 2008516543A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
current
output
pulse signal
driver circuit
drive pulse
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2007536300A
Other languages
English (en)
Inventor
ミハイ、アー.テー.サンドゥレアヌ
エドゥアルト、エフ.スティックフォールト
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Koninklijke Philips NV
Koninklijke Philips Electronics NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koninklijke Philips NV, Koninklijke Philips Electronics NV filed Critical Koninklijke Philips NV
Publication of JP2008516543A publication Critical patent/JP2008516543A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/217Class D power amplifiers; Switching amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/30Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/4508Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using bipolar transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45085Long tailed pairs
    • H03F3/45089Non-folded cascode stages
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/16Modifications for eliminating interference voltages or currents
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45248Indexing scheme relating to differential amplifiers the dif amp being designed for improving the slew rate
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45366Indexing scheme relating to differential amplifiers the AAC comprising multiple transistors parallel coupled at their gates only, e.g. in a cascode dif amp, only those forming the composite common source transistor

Abstract

本発明は、ギガビット/秒程度のデータ速度で、特にレーザ・ダイオード(700)または変調器を駆動するための駆動回路(100)を提供する。駆動回路(10)はレーザ・ダイオード(700)または変調器を効率的に駆動できる低電圧高速出力段を有する。ドライバ回路(10)は、一連の回路を備えており、前記一連の回路は、スルーレート制御回路、少なくとも1つのトランスリニア増幅器(200、201、202)、プッシュプル段(300)、および負荷電流を駆動する出力段(400)を備える。その多様性により、このドライバは他の用途、例えばライン・ドライバ、ケーブル・ドライバ、バックプレーン相互接続用の高速シリアル・インターフェースなどに使用されてよい。ドライバは、高い電力効率でもって、例えば公称3.3Vで2.7Vまでの低電源電圧で動作することができる。1つの主要な手がかりは、出力段によって生成された大きな信号電流全部を、例えば駆動されるレーザ・ダイオード中で、電源線路で電流を浪費することなく使用することである。

Description

本発明は、出力ノードにおいて駆動パルス信号に応じて負荷電流を駆動するための請求項1によるドライバ回路および請求項14による方法に関する。特に、レーザ・ダイオード、または変調器、例えばマッハツェンダー変調器を駆動するためのドライバ回路に関する。さらに、このドライバ回路は、ライン・ドライバ、ケーブル・ドライバおよびバックプレーン相互接続用の高速シリアル・インターフェースとしての応用例に使用されてもよい。
光電子トランシーバ・モジュールは、電気システムと光ファイバなどの光伝送媒体との間のインターフェースを実現する。それに対応して、ほとんどの光電子トランシーバ・モジュールは、電気システムと光伝送媒体の間でデータを伝送するための電気と光の変換回路を備えている。通常、トランシーバ・モジュールは、レーザ・ダイオードを使用し、これは、電気システムと光伝送媒体の間で高速データ伝送を行うためのコヒーレント光を発生する。
例えば、図1は、光ファイバ・トランシーバ内のレーザ・ドライバ10の場所を示している。レーザ・ドライバは、レーザ・ダイオード11またはマッハツェンダー変調器の前にくる。要するに、送信器12、受信器13、および送信器12からのエネルギーまたは受信器13へのエネルギーをそれぞれ伝達するチャネル(図示せず)がある。光受信器13の機能は、着信する例えば非ゼロ復帰(NRZ)光信号の検出、および伝送されたデータの再生である。光検出器20とインピーダンス変換増幅器21の組合せは、フロントエンドとして知られる。このフロントエンドの後には、制限増幅器22、データ/クロック回復23、およびデマルチプレクサ(DEMUX)24が続く。DEMUX24の低データ転送率並列出力がデータ・プロセッサ25に加えられる。送信器12の側では、マルチプレクサ(MUX)30が並列から直列への変換を行い、位相ロック・ループ・ユニット31が、チャネルを介して送信されるべきNRZデータ・ストリームのリタイミング用の低ジッタ・クロックを発生する。レーザ・ドライバ10は、レーザ・ダイオード11に十分な電圧振幅、および適切な電流レベルを与えなければならない。
データがギガビット/秒程度のデータ速度で送信されるべき場合には、レーザ・ダイオードまたはマッハツェンダー変調器を駆動することが困難な課題になり得る。特に、数10mA程度の電流が、集積回路とプリント回路基板(IC−PCB)の間のインターフェースを介して負荷、すなわち例えばレーザ・ダイオードまで導かれなければならない。主要な問題は、インターフェースの大きな寄生インダクタンスにあり、高周波での急峻な立ち上がり/立ち下がり時間要件を損なう。さらに、低電源電圧ならびに高効率で確実に動作するようなドライバ回路を有することが望ましい。既知の標準的なドライバ段は適切に動作しない。
光ファイバ媒体を介するデータ伝送のために、レーザ・ダイオードが直接バイアス形ダイオードとして使用される。基本的には、レーザ・ドライバは、レーザ・ダイオードのバイアス電流および変調に関する制御デバイスである。図2は、現況技術の出力段を示す。以下では前置ドライバを考慮に入れずに、出力段だけに焦点が当てられることに留意されたい。図2の出力段では、変調電流は差動対Q1、Q2から、またバイアス電流すなわちIbiasの一部は別個の電流源から来る。直列抵抗R2は、出力段の大きな寄生静電容量Coutと相まって直列寄生インダクタLの制動抵抗として働く。この手法にはいくつかの欠点がある。
第1に、差動回路に起因して変調電流の半分が電源で浪費される。約80mAの変調電流がまれではないことを考えると、これは電力の甚だしい浪費である。第2に、電源に注入されるシングル・エンド形電流に余分な出力ピンが必要である。第3に、レーザ・ダイオードと結合する直流電流が電源電圧を約5Vまでに制限する。図2を参照すると、3.3Vの電源電圧が想定されている。最悪の場合には(3.3V−10%)、電源電圧は3Vまで低下することがある。例えば、ファブリ−ペロー型のレーザ・ダイオードは、例えば1.8Vのバイアス電圧を必要とする。さらに経年レーザの場合、60〜80mAの変調電流が普通である。さらに、10ギガビット/秒、10〜20Ω程度の制動抵抗R2、および約1.5nH程度の総合直列寄生インダクタLで25ピコ秒の立ち上がり/立ち下がり時間が必要とすると、出力段を飽和しないように保持するのは不可能である。このことは、出力段によって維持される最低電圧を以下の式(1)から計算して導き出され得るものである。
Figure 2008516543
基本的な手法として、レーザ・ドライバは、レーザ・ダイオード中の変調電流を駆動するための単一の出力トランジスタをその出力段内に有することがある。この原理は図3に示されており、(点線の三角形として示された)ドライバ回路が出力トランジスタToutを制御している。定量化するために、1次のレーザ・ドライバおよびレーザ・ダイオードから成る回路の伝達では、図3に示す簡単な小信号モデルが使用される。したがって、レーザ・ダイオードは、インクリメンタル抵抗Rに取って代わられ、Lは、結合線およびレーザ・パッケージの寄生直列インダクタンスを表している。RoutおよびCoutはレーザ・ダイオードから見たドライバ回路の出力インピーダンスを表す。伝達関数は、式(2)に示されたように2次挙動を表し、出力でのリンギングの可能性を示唆する。
Figure 2008516543
2次伝達関数の固有周波数ω0および制動比δは、式(3)によって与えられる。
Figure 2008516543
式(3)から導き出され得るように、出力段の出力抵抗Routを正しく調整することによって伝達におけるピーキングは制動されてよく、すなわちδは、0.707より大きくなるはずである。
Figure 2008516543
したがって、構成要素の現実的な値を入れることによって、出力段の出力抵抗Routは54Ωより小さくなるはずである。しかし、出力インピーダンスを必要な値に固定するためのグランドまたは正電源への抵抗は、電力損失を増大させ、また電流効率を低下させることにもなるので、よい方策ではない。さらに、出力トランジスタは、駆動パルス信号の各遷移中に充放電されなければならない大きな静電容量をもたらし、これはまた、立ち上がり/立ち下がり時間要件に反対に作用する。
したがって、本発明の目的は、高い電力効率を有するドライバ回路を実現することであり、特に、ドライバ回路内で電流を浪費することなく、出力段によって制御される大きな信号電流全部を、駆動される負荷、例えばレーザ・ダイオード中で使用する出力段を有することである。本発明のさらなる目的は、例えば反射によって生じる出力での波形歪みを防止するための、所定の値の出力インピーダンスをもつ出力段を有することである。さらなる目的は、駆動信号のDC成分が制御されるようにすることであり、その結果、出力段のトランジスタ手段が前記DC成分によってバイアスされるようになる。別の目的は、信号の調整であり、その結果、レーザ・ダイオード中の変調電流の立ち上がりおよび立ち下がり時間がレーザの要件に適合するようになる。
これらの目的の全部または一部は、出力ノードにおいて駆動パルス信号に応じて負荷電流を駆動するための請求項1によるドライバ回路、および請求項14による方法によって解決される。
本発明の第1の態様によれば、前記ドライバ回路は、前記駆動パルス信号の立ち上がりエッジおよび立ち下がりエッジに電流パルスを付加することによって前記駆動パルス信号のスルーレートを制御するスルーレート制御手段と、前記スルーレート制御手段に結合された少なくとも1つの増幅手段と、前記少なくとも1つの増幅手段から前記駆動パルス信号を受け取るように構成された出力手段とを備える。前記出力手段は、前記負荷電流を変調するように構成された出力トランジスタ手段と、前記出力手段の出力インピーダンスを決定するインピーダンス手段とを備える。前記インピーダンス手段は、前記出力ノードに接続されており、前記出力ノードから前記インピーダンス手段に入るDC電流を実質的に抑制する制御手段を備えている。
好ましい一実施形態では、前記インピーダンス手段は、前記出力ノードとフローティング・ノードの間に接続されたインピーダンス要素を備える。前記制御手段は、前記フローティング・ノードの電位を前記出力ノードの電位に一致させるように制御するフィードバック手段を備える。このフィードバック手段によって、前記インピーダンス要素を通過する前記出力ノードからの直流電流が、有利には強制的にゼロにされる。さらにまた、前記駆動パルス信号の遷移に対する前記出力ノードの前記電位に応じて、前記フローティング・ノードの前記電位を調整するフィードフォワード手段もある。前記フィードフォワード手段によって、前記フローティング・ノードの電位は、出力ノードの前記電位と同時に、かつ同じ量に変えられる。したがって、有利には、前記駆動パルス信号によって生じた、インピーダンス要素を通過する電流は、強制的にほぼゼロにされる。したがって、前記インピーダンス手段によって出力インピーダンスは、前記インピーダンス要素中での電力の浪費なしに、所望のインピーダンス値に有利に固定される。
さらなる展開では、前記制御手段は、前記出力トランジスタ手段の小電流複製である複製トランジスタ手段を備えてもよい。有利には、前記複製トランジスタ手段は、前記出力トランジスタ手段に対して所定の電流比を有し、それによって前記制御手段内の電流が一定比率で縮小され、前記制御手段による電力損失が最小限に低減される。前記インピーダンス要素は、固定抵抗または調整可能抵抗であってよい。調整可能抵抗は、特定の駆動負荷に対して必要とされる値に、前記ドライバ回路の出力インピーダンスが現場で調整されてよいという、さらなる利点をもたらす。
本発明の第2の態様によれば、前記ドライバ回路はさらに、平衡駆動パルス信号を不平衡駆動パルス信号に変換するためのプッシュプル・ドライバを備えてもよい。前記プッシュプル・ドライバは、特に前記増幅手段が差動増幅手段の場合に、好ましくは前記少なくとも1つの増幅手段と前記出力手段の間に結合される。有利には、前記プッシュプル・ドライバによって、全駆動パルス信号が出力トランジスタ手段を制御するために使用され、特に、電流が浪費されない。さらに、プッシュプル・ドライバの出力での全電流が、大信号出力トランジスタ手段の寄生静電容量を充放電する。
本発明の第3の態様によれば、前記少なくとも1つの増幅手段は、能動負荷手段と、前記能動負荷手段のバイアスを調整することによって前記増幅手段の出力部で前記平衡駆動パルス信号の所定のDC成分を制御するためのDCフィードバック・ループとを備えてもよい。前記DCフィードバック・ループは、1対のフィードバック・トランジスタ手段を備えてもよく、その両方が、前記能動負荷手段にバイアス電流を供給する定電流源に接続されており、かつ前記駆動パルス信号の前記所定のDC成分に応じて前記電流源から電流を引き出すように構成されている。
本発明の第4の態様によれば、前記スルーレート制御手段は、前記駆動パルス信号用の平衡入力部および平衡出力部を備えてもよく、各入出力部がそれぞれ第1および第2の入力ノード、ならびに第1および第2の出力ノードを有する。前記スルーレート制御手段はさらに、前記駆動パルス信号の立ち上がりエッジ期間中に出力ノードで所定の正の電流量を前記平衡駆動信号に注入し、かつ前記駆動パルス信号の立ち下がりエッジ期間中に出力ノードで所定の負の電流量を前記駆動パルス信号に注入する電流注入手段を有する。したがって一実施形態では、前記電流注入手段は、前記スルーレート制御手段の前記平衡入力部での駆動パルス信号入力の遷移によって電流パルスが生成されるように構成された微分手段を備える。第1および第2それぞれの電流パルス増幅手段は、それぞれの定電流を供給するそれぞれの電流源に結合される。前記第1および第2の電流パルス増幅手段は、前記駆動パルス信号の遷移中に、前記出力ノードで所定の電流パルスが注入されるように構成される。本発明の好ましい一実施形態では、前記それぞれの定電流は調整可能である。したがって、注入電流量は、駆動される負荷、例えばレーザ・ダイオードの挙動に対して調整されてよい。
好ましくは、前記ドライバ回路は、レーザ・ダイオード、または変調器、例えばマッハツェンダー変調器を駆動するために使用される。この場合には、前記出力段は、レーザ・ダイオードまたは変調器回路に接続される。その多様性により、ドライバ回路は、他の用途、例えばライン・ドライバ、ケーブル・ドライバ、バックプレーン相互接続用の高速シリアル・インターフェースなどに使用されてよい。
本発明による、負荷電流を高速駆動する前記方法は、パルス化駆動信号に対応し、前記負荷電流は、スイッチング要素のスイッチングによって変調され、前記方法は、前記パルス化駆動信号の立ち下がりおよび立ち上がりエッジに電流パルスを付加することによってパルス化駆動信号を調整するステップと、前記調整されたパルス化駆動信号を増幅するステップと、前記調整されたパルス化駆動信号を加えることによってスイッチング要素をスイッチングするステップとを備える。さらに、前記調整ステップの前記付加電流パルスは、前記スイッチング要素の寄生静電容量が補償されるように調整されてもよい。
言うまでもなく、本発明によるドライバ回路は、上述の態様のいずれかによるすべての特徴を実現することができる。また、上述の第1、第2、第3、および第4の態様のうちの1つまたは選択されたものが、本発明の一実施形態に使用されてよいこともあり得る。さらに、本発明の単一の態様がまた、類似の問題を解決するために他の回路に使用されてもよいことは、当業者には明らかである。したがって、本発明の1つまたはいくつかの態様を請求する分割出願が行われるという選択があることに留意されたい。
次に本発明を、添付の図面を参照して好ましい実施形態に基づき説明する。
図4は、全体的な概観として、好ましい一実施形態によるドライバ回路10の構成図を示す。この回路は、スルーレート制御手段すなわちスルーレート制御段100、3つの増幅手段すなわち電流が一定率で増大される利得段200、201、202、プッシュプル・ドライバ300、および出力手段すなわち出力トランジスタT1を伴うシングル・エンド形出力段400から成る。スルーレート制御段100は、例えば可変外部電圧によって、駆動パルス信号の立ち上がりおよび立ち下がり時間、したがって駆動される負荷電流の立ち上がりおよび立ち下がり時間の制御を可能にする。言い換えると、スルーレート制御段100は、駆動パルス信号のパルス立ち下がりエッジを高速化(または低速化)し、その結果、レーザ・ダイオード中の信号の対応するエッジが、立ち上がり/立ち下がり時間要件に応じて強調される(または平滑化される)ようになる。利得段200、201、202は差動トランスリニア・セルであり、駆動パルス信号の振幅をピークからピークまで最大差100mV(差pp)に制限する能動負荷を伴う。この利得段200、201、202は、駆動パルス信号のソフト振幅制限器として働き、利得段200、201、202は、負荷に向かって電流が一定率で増大される。最終段202は、大出力トランジスタT1を駆動するための、差動からシングル・エンド形への変換手段に結合される。前記変換は、プッシュプル・ドライバ300によって行われる。言い換えると、駆動パルス信号は、最終利得段202まで平衡信号であり、それがプッシュプル・ドライバ300によって不平衡駆動パルス信号に変換される。言うまでもなく、プッシュプル段300はまた、最終利得段202内に組み込まれてもよい。
前述のように、本発明の1つの態様は、ドライバ回路10の出力部での全電流を負荷、例えばレーザ・ダイオード700の駆動用に使用させるものである。したがって、出力段400は、単一の大信号半導体要素、すなわちトランジスタT1から構成され、これは、プッシュプル・ドライバ300によって供給される駆動パルス信号で制御される。特に、プッシュプル段300から来る駆動パルス信号は、DC成分、および交流パルス成分を備える。このDC成分は、トランジスタT1が適正にバイアスされるように調整される。交流パルス成分は、駆動される負荷電流で変調されるべき情報を搬送する。
温度または空間要件により、レーザ・ダイオード700は、ドライバ回路から分離されてもよく、したがって、伝送線路、例えばTEM導波管を介して出力段400に結合されてもよい。伝送線路を用いてレーザ・ダイオード700が接続される場合に発生するすることがある負荷からの反射を吸収するために、出力段400の出力インピーダンスは、ドライバ出力段400に結合される特定の負荷によって決まる特定の値に固定されるべきである。しかし、前述のように、出力ノードと回路のグランドの間に単純に抵抗を接続することによる付加的な電力損失は、出力ノードの電位がこのような抵抗を通る電流を駆動することになって電力損失を増大させるので、好ましい解決策ではない。
この問題の解決策が図5に示されている。基本的には、ドライバ回路10の出力ノードONに接続されたインピーダンス手段500がある。この好ましい実施形態では、前記インピーダンス手段はまた、前記プッシュプル・ドライバ300の出力端子OUTにも接続され、すなわち駆動パルス信号もまた、インピーダンス手段500に入力される。詳細には、好ましい実施形態によれば、インピーダンス手段500は、出力トランジスタT1の小電流複製品である複製トランジスタT2を備える。小電流複製品とは、出力トランジスタT1と比べて1対nの比率で複製トランジスタT2が電流を縮減される、すなわち出力トランジスタT1のエミッタ電流が複製トランジスタT2のエミッタ電流よりn倍大きい、ということを意味することに留意されたい。複製トランジスタT2はまた、そのベースで、プッシュプル段300から来る駆動パルス信号によって制御され、そのエミッタがグランドに接続され、そのコレクタが、抵抗nxRLを介してドライバ回路10の電源電圧VCCに接続されている。概してトランジスタT3から構成されるエミッタ・ホロワがT1のコレクタに結合される。トランジスタT3は、そのコレクタが電源電圧VCCに接続され、そのエミッタが、定電流源I0を介してグランドに接続されている。したがって、T3のエミッタの電位はフローティング電位である。T3のエミッタには、フローティング・ノードFNの参照符号が付けられている。抵抗RLは、出力ノードONとフローティング・ノードFNの間に接続される。この結果、出力インピーダンスは所定値未満に、すなわち、例えば前述の例で必要とされた54Ω未満である抵抗RLの抵抗値に固定されるようになる。言い換えれば、抵抗RLは、負荷から「見た」ドライバ回路10の出力インピーダンスを規定している。
前記抵抗RLを通るいかなる電流も抑制するために、それぞれフィードバック手段、およびフィードフォワード手段から成る制御手段が設けられる。フィードバック手段は、トランジスタT3周辺の直流電流(DC)フィードバック・ループであり、抵抗RLの直流電流を強制的にゼロにする。特に、演算増幅器OPがあり、演算増幅器OPの反転(−)入力端子と非反転(+)入力端子の間に、抵抗RLが結合されている。演算増幅器OPの出力端子は、トランジスタT3のベースに接続されている。したがって、抵抗RLを通るDC電流がある場合は、演算増幅器OPのそれぞれの出力は、トランジスタT3のベースの電位をそれぞれ増加または低下させることになる。その結果、T3から成るエミッタ・ホロワは、フローティング・ノードFNの電位をそれぞれ増加または低下させる。したがって、フィードバック・ループは、フローティング・ノードFNの電位を、それが出力ノードONの電位と一致するように制御する。この結果、抵抗RLを通るいかなるDC電流も抑制されることになる。好ましい実施形態ではさらに、トランジスタT2およびT3周辺のフィードフォワード・ループであるフィードフォワード手段がある。フィードフォワード・ループによって、駆動パルス信号に応じて出力ノードONの電位が遷移することにより生じるRLの交流電流が前もって抑制される。特に、駆動パルス信号にその低レベルから高レベルへの遷移がある場合に、T3のエミッタ・ホロワによるフローティング・ノードFNの電位、およびトランジスタT1によって制御される出力ノードONの電位の両方が、共に同時に変えられる。したがって、駆動パルス信号の伝送によって生じるはずの交流電流が、フィードフォワード手段によって抑制される。さらなる利点として、エミッタ・ホロワT3はまた、負荷、例えばレーザ・ダイオード700からのどんな反射も吸収する。バイアス電流Ibiasは、レーザ・ダイオード700の発振開始(onset)直流電流(DC)点を設定する。
図6は、最終利得段202をプッシュプル・ドライバ300と共に示す。バイアス電流Ibiasは、レーザ700の発振開始DC点を設定する。利得段202は、トランジスタT4およびT5から成る能動負荷を伴う差動トランスリニア・セルである。差動トランスリニア・セル固有の特徴は、立ち上がり/立ち下がり時間と通過信号、すなわちこの場合は駆動パルス信号の振幅との間の独立性である。小振幅、すなわち100mV差pp未満に保持することによって、これらの差動トランスリニア・セルは低電圧で動作でき、その利得は、抵抗Rgainの値と、定電流源Igainによって供給される末端(tail)電流とにより制御される。
利得段202によって解決される別の問題は、出力段400の基準グランドである。特に、上述のように、負荷電流を変調するために出力トランジスタT1は、所定のDC電圧すなわち所定のベース対エミッタ電圧でバイアスされる。本発明の好ましい実施形態によれば、トランジスタT1はそのベースで、トランジスタT1にバイアスをかけるためのDC成分を有する駆動パルス信号によって制御される。トランジスタT1のベース−エミッタ電圧にバイアスをかけるための適正なDC成分を有することは、不可欠な態様である。したがって、ドライバ回路10の最終利得段202はDC成分制御手段220を備える。本発明の好ましい実施形態では、このDC成分制御手段220は、駆動パルス信号のDC成分を制御するための制御ループである。詳細には、トランジスタT6およびT7は、それぞれトランジスタT8およびT9から成るエミッタ・ホロワの出力部で、駆動パルス信号のDC成分を測定している。例えば、駆動パルス信号のDC成分があまりに大きい場合には、そのDC成分のためにトランジスタT6およびT7の両方がベース抵抗Rgainに電流を供給するバイアス電流源Idcから電流を多く引き出し過ぎることになる。このことがトランジスタT4およびT5から成る能動負荷のベース電圧の低下をもたらし、その結果、T8およびT9のエミッタのDC電圧の減少に至る。したがって、利得段202の出力駆動パルス信号は、出力トランジスタT1にバイアスをかけるための制御されたDC成分を基本的に有する。
図6にも示されているプッシュプル段300は、出力トランジスタT1を駆動しているトランジスタT9およびT10をプッシュプル構成の形で備える。特に、トランジスタT9およびT10は、それぞれ出力トランジスタT1の大きな寄生静電容量Cbcを充電および放電する電流をもたらす。したがって、最終利得段202からの平衡駆動パルス信号は、プッシュプル段300によって、プッシュプル段300の出力端子OUTで不平衡駆動パルス信号に変換される。この結果、駆動パルス信号に対応する全電流が、レーザ・ダイオード700に流れる負荷電流を変調している出力トランジスタT1を制御するために使用されることになる。
詳細には、まず、最終利得段202の負出力端子OUT−で駆動パルス信号が低レベルを有するものとする。その場合、トランジスタT8はコンダクタンスが低減されて、トランジスタT10でベース対エミッタ電圧が低減されることになり、したがってトランジスタT10もまたコンダクタンスが低減され、出力段400から電流を引き出さない。さらに、駆動パルス信号が負出力端子OUT−で低レベルを有する場合には、対応する高レベルが最終利得段202の正出力端子OUT+にあり、このためにトランジスタT9は、コンダクタンスが増大されることになる。したがって、トランジスタT9からの電流が出力段400の出力トランジスタT1に送り込まれる。次に、駆動パルス信号が高レベルを有する場合は、トランジスタT8はコンダクタンスが増大されて、トランジスタT10でのベース対エミッタ電圧が増加されることになり、トランジスタT10もまたコンダクタンスが増大される。さらに、駆動パルス信号が負出力端子OUT−で高レベルを有する場合には、対応する低レベルが出力端子OUT+にあり、このためにトランジスタT9は、コンダクタンスが低減されることになる。したがって、出力段400の出力トランジスタT1から電流が引き出される。スルーレート制御段100での信号調整により、付加される電流パルスによって駆動パルス信号の遷移が強化されて、トランジスタT1の静電容量Cbcのより速い充電および放電にもなることは注目されるに値する。好ましい実施形態では、トランジスタT9のエミッタ経路に抵抗R9があり、この抵抗は、駆動パルス信号のDC成分に対応する印加可能なベース対エミッタのバイアス電圧を出力トランジスタT1に供給するように配置されている。R9の代わりにまた、所定の電流を有する電流源が使用されてもよいことに留意されたい。
利得段200、201、202は、末端定電流Igainと、出力段300に向かう電流の大きさによる各トランジスタのそれぞれの寸法とを除いて、最終利得段202と概して同じである。さらに、出力段300の出力だけがDC制御される必要のあることに留意されたい。
異なるレーザは異なるパルス応答を有し、通常、立ち上がりエッジが立ち下がりエッジよりも速い。さらに、製造ばらつきのために、各レーザ・ダイオードは、厳密に同一の出力特性を有することがない。さらに、例えばパッケージや結合線の大きな寄生インダクタンスがあり得る。さらに、駆動パルス信号の各遷移時にそれぞれ充電または放電されなければならない大きな寄生静電容量Cbcが出力トランジスタT1にある。この寄生静電容量は、所望の急峻な立ち上がり/立ち下がり時間要件を損なう。これに対抗するために、好ましい実施形態のドライバ回路10は、外部からプログラム可能なスルーレート制御を設ける。この信号調整部、つまりスルーレート制御手段すなわちスルーレート制御段100が図7に示されている。入力差動信号、すなわち駆動パルス信号は、出力部で、トランジスタT11、T12、T13、T14から成るフィードフォワード利得経路によって増幅されている。トランジスタT15、T16によって、駆動パルス信号の入力電圧のコピーがコンデンサCdifに生成され、このコンデンサは微分手段として働き、入力駆動パルス信号の各遷移中に電流スパイクをもたらす。これらの電流スパイクは、それぞれトランジスタT17およびT18に加えられ、これらのトランジスタは、トランジスタT19とT20、T21とT22からなるそれぞれの電流増幅器を制御する。この結果、トランジスタT19とT20、T21とT22から成る各電流増幅器は、スルーレート制御段100の出力端子(すなわちそれぞれOUT−およびOUT+)で、出力電圧が回転しているときに電流パルスを交差注入することになる。交差注入される充電量は電流源I1およびI2からプログラム可能である。その効果は、スルーレート段100の出力での駆動パルス信号のパルスのエッジが速くなる、または遅くなることであり、有利には定電流源I1およびI2によって調整可能である。例えば、I1=Ix−dI、およびI2=Ix+dIの場合は、付加される、または減じられる電流パルスはdIである。
レーザ・ダイオード700を駆動するためのそれぞれのドライバ・レーザ・インターフェース600が図8に示されている。そのレーザ等価回路は、レーザ・ダイオード700も含めて区域800に示されている。特に、結合線インダクタンスLbondはコンデンサCtuneによって同調されて除去(離調はde−tuneと言う)されてよく、抵抗R1は、ドライバ・レーザ・インターフェース600の応答を制動する。2つのチョーク・インダクタLchokeが、R1での直流電圧降下を確実にゼロにするために設けられる。最悪のレーザのシナリオの場合では、本発明のドライバ回路10は、3.3V±10%のバイアス電源電圧からの1.8Vのバイアス電圧でファブリ−ペロー型レーザを駆動することができる。内部に設けられた終端抵抗RLは、レーザ特性に整合するように選ばれてよく、調整可能にすらされてよい。この抵抗は、駆動トランジスタT1のコレクタでの反射を最小にするための、IC側での整合終端を実現する。
要約すれば、本発明は、ギガビット/秒程度のデータ速度で、特にレーザ・ダイオードまたは変調器を駆動するための駆動回路を提供する。数10mA程度の電流が負荷まで導かれなければならない場合の高速信号駆動は、インターフェース線路の大きな寄生インダクタンスが急峻な立ち上がり/立ち下がり時間要件を損なうという問題に直面する。さらに、各レーザ・ダイオードは、製造ばらつきにより厳密に同一の出力特性を有することがなく、その上、動作の際に出力特性はまた、レーザ・ダイオードの絶対温度に強く影響も受ける。したがって、適切な制御の形式が必要とされた。本発明は、レーザ・ダイオードまたは変調器を効率的に駆動できる低電圧高速出力段を提供する。ドライバ回路10は一連の回路を含み、前記一連の回路は、スルーレート制御回路、少なくとも1つのトランスリニア増幅器、プッシュプル段、および負荷電流を駆動する出力段を備える。その多様性により、このドライバは他の用途、例えばライン・ドライバ、ケーブル・ドライバ、バックプレーン相互接続用の高速シリアル・インターフェースなどに使用されてよい。ドライバは、高い電力効率でもって2.7Vまでの低電源電圧(公称3.3V)で動作することができる。1つの主要な手がかりは、出力段によって生成された大きな信号電流全部を、例えば駆動されるレーザ・ダイオード中で、電源線路で電流を浪費することなく使用することである。
最後ではあるがなお重要なことには、「備える」という用語は、本明細書、および特許請求の範囲で用いられる場合、述べられた特徴、手段、ステップ、または構成要素の存在を明記するものであるが、1つまたは複数の他の特徴、手段、ステップ、構成要素、またはそれらの群の存在、あるいは追加を排除しないことに留意されたい。さらに、請求項中の要素の前の冠詞の「a」または「an」という語は、複数のそのような要素の存在を排除しない。さらに、どの参照符号も特許請求の範囲を限定しない。
レーザ・ドライバ回路を伴う光ファイバ・トランシーバの構成図である。 現況技術の出力段を示す図である。 レーザ・ダイオードを駆動するトランジスタの等価回路図である。 好ましい実施形態によるドライバ回路の構成図である。 好ましい実施形態による、本発明のドライバ回路の出力段の回路図である。 好ましい実施形態による、本発明の増幅段およびプッシュプル・ドライバの回路図である。 好ましい実施形態による、本発明のスルーレート制御段の回路図である。 好ましい実施形態によるレーザ・ドライバ・インターフェースの回路図である。

Claims (15)

  1. 平衡駆動パルス信号に応じて出力ノードで負荷電流を駆動するためのドライバ回路であって、前記駆動パルス信号の立ち上がりおよび立ち下がりエッジに電流パルスを付加するスルーレート制御手段と、前記スルーレート制御手段に結合された少なくとも1つの増幅手段と、前記駆動パルス信号を前記少なくとも1つの増幅手段から受け取る出力手段とを含み、前記出力手段が、前記負荷電流を変調する出力トランジスタ手段と、前記出力手段の出力インピーダンスを決定するインピーダンス手段とを含み、前記インピーダンス手段が前記出力ノードに結合されており、かつ、前記出力ノードから前記インピーダンス手段に入る電流を実質的に抑制する制御手段を備える、ドライバ回路。
  2. 前記インピーダンス手段が、前記出力ノードとフローティング・ノードの間に結合されたインピーダンス要素を含み、前記制御手段が、前記出力ノードの電位を整合させるために前記フローティング・ノードの電位を制御するフィードバック手段と、前記駆動パルス信号の遷移に対する前記出力ノードの前記電位に応じて前記フローティング・ノードの前記電位を調整するフィードフォワード手段とを備える、請求項1に記載のドライバ回路。
  3. 前記制御手段が、前記出力トランジスタ手段の小電流複製品であり前記出力トランジスタ手段に対して所定の電流比(1対n)を有する複製トランジスタ手段を備える、請求項2に記載のドライバ回路。
  4. 前記インピーダンス要素が固定抵抗または調整可能抵抗である、請求項2または請求項3の何れか一項に記載のドライバ回路。
  5. 平衡駆動パルス信号を不平衡駆動パルス信号に変換するためのプッシュプル・ドライバをさらに含み、前記プッシュプル・ドライバが、前記少なくとも1つの増幅手段と前記出力手段の間に結合される、請求項1ないし請求項4の何れか一項に記載のドライバ回路。
  6. 前記少なくとも1つの増幅手段が、能動負荷手段と、前記能動負荷手段のバイアスを調整することによって前記増幅手段の出力部で前記平衡駆動パルス信号の所定のDC成分を制御するためのDCフィードバック・ループとを備える、請求項1乃至請求項5の何れか一項に記載のドライバ回路。
  7. 前記DCフィードバック・ループが、前記能動負荷手段にバイアス電流を供給する定電流源に両方が接続された1対のフィードバック・トランジスタ手段を備え、前記駆動パルス信号の前記所定のDC成分に応じて前記電流源から電流を引き出す、請求項6に記載のドライバ回路。
  8. 前記ドライバ回路が、縦続に接続され前記出力手段に向かって電流が一定率で増大される少なくとも2つの増幅手段を備える、請求項1ないし請求項7の何れか一項に記載のドライバ回路。
  9. 前記スルーレート制御手段が前記駆動パルス信号の平衡入力部および平衡出力部を含み、各入出力部が、それぞれ第1および第2の入力ノードならびに第1および第2の出力ノードを有し、また前記駆動パルス信号の立ち上がりエッジ期間中に出力ノードで所定量の正の電流を前記平衡駆動信号に注入し、かつ前記駆動パルス信号の立ち下がりエッジ期間中に出力ノードで所定量の負の電流を前記駆動パルス信号に注入する電流注入手段を有する、請求項1乃至請求項8の何れか一項に記載のドライバ回路。
  10. 前記電流注入手段が、電流パルスを生成するように配置された微分手段と、それぞれの実質的に一定の電流を供給するそれぞれの電流源に結合されたそれぞれの第1および第2の電流パルス増幅手段とを含み、前記第1および第2の電流パルス増幅手段が、前記駆動パルス信号の遷移中に前記出力ノードで所定の電流パルスを注入するように構成される、請求項9に記載のドライバ回路。
  11. 前記それぞれの実質的に一定の電流が調整可能である、請求項10に記載のドライバ回路。
  12. 前記出力段がレーザ・ダイオードまたは変調器回路に接続される、請求項1ないし請求項11の何れか一項に記載のドライバ回路。
  13. 請求項1ないし請求項12の何れか一項に記載のドライバ回路を備える、レーザ・ドライバ、またはライン・ドライバ、またはケーブル・ドライバ、またはバックプレーン相互接続用の高速シリアル・インターフェース。
  14. パルス化駆動信号に応じて負荷電流を高速駆動する方法であって、前記負荷電流がスイッチング要素のスイッチングによって変調され、前記方法が、
    パルス化駆動信号の立ち下がりおよび立ち上がりエッジに電流パルスを付加することによって前記パルス化駆動信号を調整するステップと、
    前記調整されたパルス化駆動信号を増幅するステップと、
    前記調整されたパルス化駆動信号を加えることによってスイッチング要素をスイッチングするステップと、を備える、方法。
  15. 前記スイッチング要素の寄生静電容量を補償するために、前記調整ステップで得られる電流パルスを調整するステップをさらに備える、請求項14に記載の方法。
JP2007536300A 2004-10-12 2005-09-30 レーザまたは変調器駆動用の低電圧高速出力段 Withdrawn JP2008516543A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP04104989 2004-10-12
PCT/IB2005/053229 WO2006040706A2 (en) 2004-10-12 2005-09-30 Low voltage, high-speed output-stage for laser or modulator driving

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008516543A true JP2008516543A (ja) 2008-05-15

Family

ID=35276454

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007536300A Withdrawn JP2008516543A (ja) 2004-10-12 2005-09-30 レーザまたは変調器駆動用の低電圧高速出力段

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7768322B2 (ja)
EP (1) EP1803222A2 (ja)
JP (1) JP2008516543A (ja)
CN (1) CN101040439B (ja)
WO (1) WO2006040706A2 (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8971365B2 (en) 2011-02-08 2015-03-03 Maxim Integrated Products, Inc. Symmetrical, direct coupled laser drivers
US9143204B2 (en) * 2011-06-17 2015-09-22 Tensorcom, Inc. Direct coupled biasing circuit for high frequency applications
US9112601B2 (en) * 2012-03-27 2015-08-18 Intel Corporation Optical link handshake techniques and configurations
US9018984B2 (en) 2013-02-01 2015-04-28 Stmicroelectronics S.R.L. Driver for high speed electrical-optical modulator interface
CN104734693B (zh) * 2013-12-20 2018-12-07 颖飞公司 用于调制器设备的三端驱动器的方法和系统
US9641170B2 (en) * 2015-04-03 2017-05-02 Cosemi Technologies, Inc. Pass device with boost voltage regulation and current gain for VCSEL driving applications
US10613357B2 (en) 2015-10-28 2020-04-07 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Optical modulator drivers
US9924568B2 (en) 2016-02-01 2018-03-20 Microsoft Technology Licensing, Llc Diode light source driver
US11075502B2 (en) 2019-08-29 2021-07-27 Analog Devices, Inc. Laser diode driver circuit techniques

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5055721A (en) * 1989-04-13 1991-10-08 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Drive circuit for igbt device
FR2656965B1 (fr) * 1990-01-09 1995-01-20 Sgs Thomson Microelectronics Commande et controle d'un commutateur de puissance.
DE69403964T2 (de) * 1994-09-16 1998-01-29 Sgs Thomson Microelectronics Steuerschaltung mit einem Pegelschieber zum Schalten eines eletronischen Schalters
JP3123463B2 (ja) * 1997-05-16 2001-01-09 日本電気株式会社 レベル変換回路
US6288563B1 (en) 1998-12-31 2001-09-11 Intel Corporation Slew rate control
US6281734B1 (en) 1999-12-31 2001-08-28 Stmicroelectronics, Inc. Reference voltage adjustment
US6753699B2 (en) 2000-11-13 2004-06-22 Standard Microsystems Corporation Integrated circuit and method of controlling output impedance
JP4382312B2 (ja) * 2001-09-05 2009-12-09 三菱電機株式会社 駆動制御装置、電力変換装置、電力変換装置の制御方法、および電力変換装置の使用方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN101040439A (zh) 2007-09-19
EP1803222A2 (en) 2007-07-04
US20090201052A1 (en) 2009-08-13
CN101040439B (zh) 2012-08-08
US7768322B2 (en) 2010-08-03
WO2006040706A3 (en) 2006-08-24
WO2006040706A2 (en) 2006-04-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2008516543A (ja) レーザまたは変調器駆動用の低電圧高速出力段
EP2112727B1 (en) DC coupled driver with active termination
US6941080B2 (en) Method and apparatus for directly modulating a laser diode using multi-stage driver circuitry
US7269194B2 (en) High speed laser array driver
US6724376B2 (en) LED driving circuit and optical transmitting module
TWI391721B (zh) 可為光源控制偏壓電流之系統
US7154923B2 (en) Method and apparatus for providing a modulation current
EP0305188B1 (en) Optical transmitter driver circuit
Tsunoda et al. 8.9 A 40Gb/s VCSEL over-driving IC with group-delay-tunable pre-emphasis for optical interconnection
US20120062143A1 (en) Driving circuit
US20070153849A1 (en) Adaptive laser diode driver and method
US6532245B1 (en) Vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) driver with low duty cycle distortion and digital modulation adjustment
US6590914B1 (en) Semiconductor laser drive circuit
CN109818257B (zh) 一种cmos工艺激光驱动电路
US6683896B2 (en) Method of controlling the turn off characteristics of a VCSEL diode
US9641170B2 (en) Pass device with boost voltage regulation and current gain for VCSEL driving applications
JP2006313860A (ja) レーザダイオード駆動回路
US8164385B2 (en) Amplifier circuit
JP2005166939A (ja) 半導体発光素子駆動回路
Mahran et al. Triple-Mode Low-Power 20 Gb/s SST Driver for Short Reach Interconnects
JP2000299498A (ja) 光送信器及び光通信システム
JP2002064242A (ja) レーザダイオード駆動方法および回路
JPH0482283A (ja) レーザダイオード駆動回路

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20080626

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080929

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20110408