JP2008305850A - 膜形成方法及び膜形成材料 - Google Patents
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Abstract
【課題】最終的なレジストパターンの寸法精度の向上が可能な、RELACS処理で用いる水溶性微細パターン形成材料の膜形成方法を提供すること。
【解決手段】膜形成方法は、酸を含有するレジストパターンが形成された被処理基板を回転させた状態で、前記レジストパターンの上に酸の存在下で熱架橋性を有する水溶性パターン形成材料を塗布しながら広げる工程と、前記水溶性パターン形成材料が前記レジストパターンの上に広がった後も前記工程と同じ雰囲気下で前記被処理基板を継続して回転させることにより、前記水溶性パターン形成材料を乾燥させる工程を含み、前記雰囲気中の飽和蒸気圧(mmHg)をXとし、相対湿度(%)をYとしたとき、X(1−Y/100)>12.2mmHgを満たす。
【選択図】 図1
【解決手段】膜形成方法は、酸を含有するレジストパターンが形成された被処理基板を回転させた状態で、前記レジストパターンの上に酸の存在下で熱架橋性を有する水溶性パターン形成材料を塗布しながら広げる工程と、前記水溶性パターン形成材料が前記レジストパターンの上に広がった後も前記工程と同じ雰囲気下で前記被処理基板を継続して回転させることにより、前記水溶性パターン形成材料を乾燥させる工程を含み、前記雰囲気中の飽和蒸気圧(mmHg)をXとし、相対湿度(%)をYとしたとき、X(1−Y/100)>12.2mmHgを満たす。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体装置のレジストパターン形成技術に関し、特にレジストプロセスにおける水溶性微細パターン形成材料の膜形成方法及び膜形成材料に関する。
半導体プロセスは微細化の一途をたどっており、リソグラフィ技術におけるアプローチとしては、露光装置における露光波長の短波長化、高NA(開口数)化等が挙げられる。しかしながら、これらのアプローチには新たな設備が必要であり、コストや大幅なプロセスの変更等の問題がある。また、露光波長によるジストパターン微細化には限界がある。
従って、低コストで、プロセス変更の少ない試みがなされており、レジストプロセスの工夫として、水溶性微細パターン形成材料を用いたRELACS(Resolution Enhancement Lithography Assisted by Chemical Shrink)処理によるレジストパターンの微細化の試みが提案されている(例えば、特許文献1、2参照)。
RELACS処理とは、以下のような処理である。即ち、既に形成された酸を含有するレジストパターンの上に水溶性パターン形成材料(RELACS材)を塗布する。その後加熱することによりレジストパターンから酸を拡散させて水溶性パターン形成材料のレジストパターンに接した部分を熱架橋させる。最後に、現像によって非架橋部分を除去して当初のレジストパターンよりも微細なパターンを形成する。
さらに、これらの技術をもとにした応用技術もすでに提案されている(例えば、特許文献3、4参照)。
ところが、レジストパターン上に従来の手法で水溶性微細パターン形成材料による膜形成を行った場合、塗布欠陥が生ずることが問題となっていた。塗布欠陥は、水溶性微細パターン形成材料の膜の膜厚ゆらぎとなるので、最終的なレジストパターンの寸法精度の劣化要因となっていた。
特開平10−73927号公報
特開2004−93832号公報
特開2003−234279号公報
特開2003−249437号公報
本発明は、最終的なレジストパターンの寸法精度の向上が可能な、RELACS処理で用いる水溶性微細パターン形成材料の膜形成方法及び膜形成材料を提供する。
この発明の第1の態様に係る膜形成方法は、酸を含有するレジストパターンが形成された被処理基板を回転させた状態で、前記レジストパターンの上に酸の存在下で熱架橋性を有する水溶性パターン形成材料を塗布しながら広げる工程と、前記水溶性パターン形成材料が前記レジストパターンの上に広がった後も前記工程と同じ雰囲気下で前記被処理基板を継続して回転させることにより、前記水溶性パターン形成材料を乾燥させる工程を含み、前記雰囲気中の飽和蒸気圧(mmHg)をXとし、相対湿度(%)をYとしたとき、X(1−Y/100)>12.2mmHgを満たす。
この発明の第2の態様に係る膜形成方法は、酸を含有するレジストパターンが形成された被処理基板を回転させた状態で、前記レジストパターンの上に酸の存在下で熱架橋性を有する水溶性パターン形成材料を塗布しながら広げる工程と、前記水溶性パターン形成材料が前記レジストパターンの上に広がった状態で、前記被処理基板の回転を継続させつつ、さらに前記被処理基板を加熱することにより、前記水溶性パターン形成材料を乾燥させる工程を含み、前記雰囲気中の飽和蒸気圧(mmHg)をXとし、相対湿度(%)をYとしたとき、X(1−Y/100)>12.2mmHgを満たす。
この発明の第3の態様に係る膜形成材料は、酸の存在下で熱架橋性を有する、RELACS処理に用いる水溶性パターン形成材料に、水よりも飽和蒸気圧の高い溶液を添加してある。
本発明によれば、最終的なレジストパターンの寸法精度の向上が可能な、RELACS処理で用いる水溶性微細パターン形成材料の膜形成方法及び膜形成材料を提供することが可能となる。
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。
図1に、第1乃至第3、及び第5の実施形態に係る膜形成方法が実行される水溶性パターン形成材料の塗布機100の構成を示す。塗布機100は、塗布機100を覆って外気から遮断するカップ10、水溶性パターン形成材料を半導体基板1に塗布する塗布ノズル20、半導体基板1を真空チャックにより保持するスピンチャック30、水溶性パターン形成材料を塗布した後に半導体基板(シリコンウェハ)1を回転させるモーター40、カップ内の温度を外部からの信号によって制御できるようにヒーター等で構成される温度制御器50、及びカップ内の湿度を外部からの信号によって制御できるように吸加湿器等で構成される湿度制御器60から構成される。
(第1の実施形態)
本発明の第1の実施形態に係る水溶性パターン形成材料の膜形成方法を以下に説明する。
本発明の第1の実施形態に係る水溶性パターン形成材料の膜形成方法を以下に説明する。
本実施形態においては、図1で示した塗布機100にシリコンウェハ1をセットする前に、図2に示すようなクーリングプレート200において予めシリコンウェハ1を冷却しておき、シリコンウェハ1の温度を23℃に保っておく。シリコンウェハ1には、図3に示すように酸を含有するレジストパターン12が既に形成されている。
その後、シリコンウェハ1を塗布機100にセットする。このときの、シリコンウェハ1の温度、即ち塗布開始時のシリコンウェハ1の温度は23℃である。ここで、カップ10内の雰囲気は、温度制御器50を制御することにより温度が23℃、湿度制御器60を制御することにより湿度が40%という条件に保たれている。
この条件下で、シリコンウェハ1を回転させた状態で塗布ノズル20から吐出させた水溶性パターン形成材料をシリコンウェハ1上に塗布し、図4に示すように、レジストパターン12の表面上に水溶性パターン形成材料13を広げる。このときの回転速度は例えば、1400〜1500rpmくらいである。
ここで塗布した水溶性パターン形成材料13は、所謂RELACS材であり、酸の存在下で熱架橋性を有している。具体的には、例えば、ポリアクリル酸、ポリビニルアセタール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンイミン、ポリエチレンオキシド、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリビニルアミン、ポリアリルアミン、オキサゾリン基含有水溶性樹脂、水溶性メラミン樹脂、水溶性尿素樹脂、アルキッド樹脂、スルホンアミドのうちの1種類、又はこれらの2種類以上の混合物、或いはこれらの塩を主成分とする水溶性樹脂、或いは、メラミン誘導体、尿素誘導体、ベンゾグアナミン、グリコールウリルのうちの1種類又はこれらの2種類以上の混合物を主成分とする水溶性架橋剤等を含んだ材料である。
レジストパターン12の表面上に水溶性パターン形成材料13が広がった後、カップ10内で上記と同じ雰囲気下でシリコンウェハ1を回転させ続け、水溶性パターン形成材料13を乾燥させる。このときの回転速度は例えば、1000〜2000rpmくらいである。
その後図5に示すように、ベークすることによりレジストパターン12から酸を拡散させ、水溶性パターン形成材料13のレジストパターン12に接した部分を熱架橋させて架橋膜14を形成する。
この後、例えば純水等を用いて現像することにより、図6に示すように架橋膜14以外水溶性パターン形成材料13を除去する。これによって残存した架橋膜14が当初のレジストパターン12よりも微細なパターンを寸法精度よく形成することが可能となる。
ここで、本実施形態の水溶性パターン形成材料の膜形成方法の有効性を表面異物検査装置を用いて検証する。
表面異物検査装置によって水溶性パターン形成材料の膜上の塗布欠陥を正確に判別するために、レジストパターンが形成されていないシリコンウェハに対して、本実施形態の水溶性パターン形成材料の膜形成方法を実行する。
即ちまず、図2のクーリングプレート200でシリコンウェハ1の温度を23℃に保っておく。次に、シリコンウェハ1を塗布機100にセットする。塗布開始時のシリコンウェハ1の温度は23℃であり、カップ10内の雰囲気は、温度制御器50により温度が23℃、湿度制御器60により湿度が40%という条件に保たれている。
この条件下で、シリコンウェハ1を回転させた状態で塗布ノズル20から吐出させた水溶性パターン形成材料(RELACS材)をシリコンウェハ1の上に塗布し、シリコンウェハ1の上に水溶性パターン形成材料を広げる。このときの回転速度は例えば、1400〜1500rpmくらいである。
シリコンウェハ1の表面上に水溶性パターン形成材料が広がった後、カップ10内で上記と同じ雰囲気下でシリコンウェハ1を回転させ続け、水溶性パターン形成材料を乾燥させる。このときの回転速度は例えば、1000〜2000rpmくらいである。
その後、シリコンウェハ1にベークを行って水溶性パターン形成材料に含まれる溶剤を十分揮発させる。このようにして、水溶性パターン形成材料の膜をシリコンウェハ1の上に形成する。
この膜に対して表面異物検査装置で欠陥検査を行った結果を図7に示す。図7から、本実施形態の膜形成方法によって塗布欠陥が殆ど無い水溶性微細パターン形成材料の膜が形成されることがわかる。
ここで、本実施形態による膜形成方法と比較するための比較例の実験結果を示す。この比較例の膜形成においては、湿度制御器60を制御することによってカップ10内の湿度を50%程度に高めてある。
これ以外の条件及び工程は、塗布開始時のシリコンウェハ1の温度が23℃、カップ10内の温度が23℃であることも含めて全て上記検証例と同じであり、正確な欠陥検査を行うために、シリコンウェハ1上にはレジストパターンは形成していない。この比較例の場合において、シリコンウェハ1をベークした後の表面異物検査装置による検査結果を図8に示す。
図8からわかるように、塗布欠陥が多数形成されていることがわかる。欠陥部を光学顕微鏡によって観察すると、ウェハ外周部に、水玉模様の塗布欠陥が観察された(図示せず)。これらの塗布欠陥が形成される原因は、水溶性微細パターン形成材料に含まれている界面活性剤の凝集によって発生していると考えられる。
水溶性微細パターン形成材料の乾燥速度は、基板1及びカップ10内の温度が高く、カップ内の湿度が低い程、速くなると考えられる。従って、以上に述べたことから、雰囲気中の湿度、即ちカップ10内の湿度を40%以下、雰囲気中の温度、即ちカップ10内の温度を23℃以上、塗布開始時のシリコンウェハ1の温度を23℃以上という条件にすることによって、水溶性微細パターン形成材料の乾燥速度を速くすることができる。これによって、水溶性微細パターン形成材料に含まれている界面活性剤が凝集する前に膜を形成することが可能となり塗布欠陥の発生を防ぐことが可能となる。
図9は、塗布条件のパラメーターである塗布機100のカップ10内温度と塗布機100に供給する空気の相対湿度を変化させ、欠陥個数をプロットしたものである。この図9では、横軸に塗布機100内に供給する空気の相対湿度、縦軸に塗布機100内のカップ10内温度を変化させたときの飽和蒸気圧をとり、欠陥個数がスペックの20個になる境界をグラフ上に曲線で示した。図9から理解されるように、欠陥個数が20個になる境界の曲線はある関数を持っている。その曲線を解析によって導出し、欠陥個数がスペック内に入るためには下式(1)で表現できることがわかった。
X(1−Y/100)>12.2mmHg …(1)
ここで、Xは塗布機100のカップ10内(雰囲気中)の飽和蒸気圧(mmHg)を示し、Yは塗布機100内に供給する空気の相対湿度(%)である。
ここで、Xは塗布機100のカップ10内(雰囲気中)の飽和蒸気圧(mmHg)を示し、Yは塗布機100内に供給する空気の相対湿度(%)である。
よって、上式(1)を満たす限りにおいては、欠陥個数がスペックで要求される20個以内を達成することがわかる。
上述したように、本実施形態の膜形成方法によって、酸を含有するレジストパターン上に塗布欠陥が殆ど存在しない水溶性微細パターン形成材料の膜を形成してRELACS処理を施すことが可能となる。これにより膜厚ゆらぎを回避できるので、レジストパターンの寸法精度の向上を図ることが可能となる。
(第2の実施形態)
本発明の第2の実施形態に係る水溶性パターン形成材料の膜形成方法を以下に説明する。
本発明の第2の実施形態に係る水溶性パターン形成材料の膜形成方法を以下に説明する。
本実施形態においては、第1の実施形態で用いたのと同一の水溶性パターン形成材料(RELACS材)を塗布機100で塗布する前に、クーリングプレート200において、シリコンウェハ1の温度を上述した比較例の場合の温度より高い28℃に保っておく。シリコンウェハ1には、図3に示すように酸を含有するレジストパターン12が既に形成されている。従って、塗布機100にセット後、塗布開始時におけるシリコンウェハ1の温度は28℃になっている。カップ10内の温度は23℃、カップ10内の湿度は45%であるが、他の条件及び工程は全て第1の実施形態と同じである。
本実施形態においても図4乃至図6の工程を経ることにより、残存した架橋膜14が当初のレジストパターン12よりも微細なパターンを寸法精度よく形成することが可能となる。
ここで、本実施形態の水溶性パターン形成材料の膜形成方法の有効性を表面異物検査装置を用いて検証する。
表面異物検査装置によって水溶性パターン形成材料の膜上の塗布欠陥を正確に判別するために、レジストパターンが形成されていないシリコンウェハに対して、本実施形態の水溶性パターン形成材料の膜形成方法を実行する。
水溶性パターン形成材料の塗布、ベークを行って水溶性パターン形成材料の膜をシリコンウェハ1の上に形成した後の表面異物検査装置による検査結果は、図7と同様になる。本実施形態においても、塗布欠陥が殆ど無い水溶性微細パターン形成材料の膜が形成される。
水溶性微細パターン形成材料の乾燥速度は、基板1及びカップ10内の温度が高く、カップ内の湿度が低い程、速くなると考えられる。従って、以上に述べたことから、塗布開始時のシリコンウェハ1の温度を28℃以上、雰囲気中の湿度、即ちカップ10内の湿度を45%以下、雰囲気中の温度、即ちカップ10内の温度を23℃以上という条件にすることによって、水溶性微細パターン形成材料の乾燥速度を速くすることができる。これによって、水溶性微細パターン形成材料に含まれている界面活性剤が凝集する前に膜を形成することが可能となり塗布欠陥の発生を防ぐことが可能となる。
即ち、本実施形態の膜形成方法によって、酸を含有するレジストパターン上に塗布欠陥が殆ど存在しない水溶性微細パターン形成材料の膜を形成してRELACS処理を施すことが可能となる。これにより膜厚ゆらぎを回避できるので、レジストパターンの寸法精度の向上を図ることが可能となる。しかも、雰囲気中の飽和蒸気圧(mmHg)をXとし、相対湿度(%)をYとしたとき、X(1−Y/100)>12.2mmHgを満たすことで、スペックで要求される20個以内の欠陥個数を達成できる。
(第3の実施形態)
本発明の第3の実施形態に係る水溶性パターン形成材料の膜形成方法を以下に説明する。
本発明の第3の実施形態に係る水溶性パターン形成材料の膜形成方法を以下に説明する。
本実施形態においては、第1の実施形態で用いたのと同一の水溶性パターン形成材料(RELACS材)を塗布する塗布機100のカップ10内の温度を、上述した比較例より高い28℃に保っておく。塗布機100にセットする前に予めクーリングプレート200でシリコンウェハ1を冷却する温度、即ち塗布開始時におけるシリコンウェハ1の温度は23℃、カップ10内の湿度は45%である。シリコンウェハ1には、図3に示すように酸を含有するレジストパターン12が既に形成されており、他の条件及び工程は全て第1の実施形態と同じである。
本実施形態においても図4乃至図6の工程を経ることにより、残存した架橋膜14が当初のレジストパターン12よりも微細なパターンを寸法精度よく形成することが可能となる。
ここで、本実施形態の水溶性パターン形成材料の膜形成方法の有効性を表面異物検査装置を用いて検証する。
表面異物検査装置によって水溶性パターン形成材料の膜上の塗布欠陥を正確に判別するために、レジストパターンが形成されていないシリコンウェハに対して、本実施形態の水溶性パターン形成材料の膜形成方法を実行する。
水溶性パターン形成材料の塗布、ベークを行って水溶性パターン形成材料の膜をシリコンウェハ1の上に形成した後の表面異物検査装置による検査結果は、図7と同様になる。本実施形態においても、塗布欠陥が殆ど無い水溶性微細パターン形成材料の膜が形成される。
水溶性微細パターン形成材料の乾燥速度は、基板1及びカップ10内の温度が高く、カップ内の湿度が低い程、速くなると考えられる。従って、以上に述べたことから、雰囲気中の温度、即ちカップ10内の温度を28℃以上、塗布開始時のシリコンウェハ1の温度を23℃以上、雰囲気中の湿度、即ちカップ10内の湿度を45%以下という条件にすることによって、水溶性微細パターン形成材料の乾燥速度を速くすることができる。これによって、水溶性微細パターン形成材料に含まれている界面活性剤が凝集する前に膜を形成することが可能となり塗布欠陥の発生を防ぐことが可能となる。
即ち、本実施形態の膜形成方法によって、酸を含有するレジストパターン上に塗布欠陥が殆ど存在しない水溶性微細パターン形成材料の膜を形成してRELACS処理を施すことが可能となる。これにより膜厚ゆらぎを回避できるので、レジストパターンの寸法精度の向上を図ることが可能となる。しかも、雰囲気中の飽和蒸気圧(mmHg)をXとし、相対湿度(%)をYとしたとき、X(1−Y/100)>12.2mmHgを満たすことで、スペックで要求される20個以内の欠陥個数を達成できる。
(第4の実施形態)
本発明の第4の実施形態に係る水溶性パターン形成材料の膜形成方法を以下に説明する。
本発明の第4の実施形態に係る水溶性パターン形成材料の膜形成方法を以下に説明する。
本実施形態においては、水溶性パターン形成材料を塗布する前に、図2に示すようなクーリングプレート500において予めシリコンウェハ1を冷却しておき、シリコンウェハ1の温度を23℃に保っておく。シリコンウェハ1には、図3に示すように酸を含有するレジストパターン12が既に形成されている。
その後、シリコンウェハ1を図10に示す塗布機500にセットする。塗布開始時のシリコンウェハ1の温度は23℃である。塗布機500が図1の塗布機100と異なる点は、カップ10内にシリコンウェハ1を上方から加熱することが可能なヒーター70を備えている点である。ここで、カップ10内の雰囲気は、温度制御器50を制御することにより温度が23℃、湿度制御器60を制御することにより湿度が45%という条件に保たれている。
この条件下で、シリコンウェハ1を回転させた状態で塗布ノズル20から吐出させた水溶性パターン形成材料をシリコンウェハ1上に塗布し、図4に示すように、レジストパターン12の表面上に水溶性パターン形成材料13を広げる。このときの回転速度は例えば、1400〜1500rpmくらいである。
ここで塗布した水溶性パターン形成材料13は、所謂RELACS材であり、第1乃至第3の実施形態で用いたのと同一の材料である。
そして、レジストパターン12の表面上に水溶性パターン形成材料13が広がった状態で、シリコンウェハ1を回転させたまま、ヒーター70の電源を入れてシリコンウェハ1を加熱する。カップ10内の雰囲気は上記条件のままシリコンウェハ1を回転させ、加熱し続け、水溶性パターン形成材料13を乾燥させる。このときの回転速度は例えば、1000〜2000rpmくらいである。
その後図5に示すように、ベークすることによりレジストパターン12から酸を拡散させ、水溶性パターン形成材料13のレジストパターン12に接した部分を熱架橋させて架橋膜14を形成する。
この後、例えば純水等を用いて現像することにより、図6に示すように架橋膜14以外水溶性パターン形成材料13を除去する。これによって残存した架橋膜14が当初のレジストパターン12よりも微細なパターンを寸法精度よく形成することが可能となる。
ここで、本実施形態の水溶性パターン形成材料の膜形成方法の有効性を表面異物検査装置を用いて検証する。
表面異物検査装置によって水溶性パターン形成材料の膜上の塗布欠陥を正確に判別するために、レジストパターンが形成されていないシリコンウェハに対して、本実施形態の水溶性パターン形成材料の膜形成方法を実行する。
即ちまず、図2のクーリングプレート200でシリコンウェハ1の温度を23℃に保っておく。次に、シリコンウェハ1を図10の塗布機500にセットする。塗布開始時のシリコンウェハ1の温度は23℃であり、カップ10内の雰囲気は、温度制御器50により温度が23℃、湿度制御器60により湿度が45%という条件に保たれている。
この条件下で、シリコンウェハ1を回転させた状態で塗布ノズル20から吐出させた水溶性パターン形成材料をシリコンウェハ1の上に塗布し、シリコンウェハ1の上に水溶性パターン形成材料(RELACS材)を広げる。このときの回転速度は例えば、1400〜1500rpmくらいである。
そして、シリコンウェハ1の表面上に水溶性パターン形成材料が広がった状態で、シリコンウェハ1を回転させたまま、ヒーター70の電源を入れてシリコンウェハ1を加熱する。カップ10内の雰囲気は上記条件のままシリコンウェハ1を回転させ、加熱し続け、水溶性パターン形成材料を乾燥させる。このときの回転速度は例えば、1000〜2000rpmくらいである。
その後、シリコンウェハ1にベークを行って水溶性パターン形成材料に含まれる溶剤を十分揮発させる。このようにして、水溶性パターン形成材料の膜をシリコンウェハ1の上に形成し、その膜に対して表面異物検査装置で欠陥検査を行った結果は図7と同様になる。本実施形態の膜形成方法によっても、塗布欠陥が殆ど無い水溶性微細パターン形成材料の膜が形成されることがわかる。
水溶性微細パターン形成材料の乾燥速度は、基板1及びカップ10内の温度が高く、カップ内の湿度が低い程、速くなると考えられる。従って、以上に述べたことから、塗布開始時のシリコンウェハ1の温度を23℃以上、雰囲気中の湿度、即ちカップ10内の湿度を45%以下、雰囲気中の温度、即ちカップ10内の温度を23℃以上にして、水溶性パターン形成材料が回転によってレジストパターン12の表面上に広がった後に、ヒーター70でシリコンウェハ1の塗布面を加熱し続けることにより、水溶性微細パターン形成材料の乾燥速度を速くすることができる。これによって、水溶性微細パターン形成材料に含まれている界面活性剤が凝集する前に膜を形成することが可能となり塗布欠陥の発生を防ぐことが可能となる。
即ち、本実施形態の膜形成方法によって、酸を含有するレジストパターン上に塗布欠陥が殆ど存在しない水溶性微細パターン形成材料の膜を形成してRELACS処理を施すことが可能となる。これにより膜厚ゆらぎを回避できるので、レジストパターンの寸法精度の向上を図ることが可能となる。しかも、雰囲気中の飽和蒸気圧(mmHg)をXとし、相対湿度(%)をYとしたとき、X(1−Y/100)>12.2mmHgを満たすことで、スペックで要求される20個以内の欠陥個数を達成できる。
(第5の実施形態)
本発明の第5の実施形態に係る膜形成材料を用いた膜形成の様子を以下に説明する。
本発明の第5の実施形態に係る膜形成材料を用いた膜形成の様子を以下に説明する。
まず、図2に示すようなクーリングプレート200において予めシリコンウェハ1を冷却しておき、シリコンウェハ1の温度を23℃に保っておく。シリコンウェハ1には、図3に示すように酸を含有するレジストパターン12が既に形成されている。
その後、シリコンウェハ1を図1の塗布機100にセットする。塗布開始時におけるシリコンウェハ1の温度は23℃になっている。ここで、カップ10内の雰囲気は、温度制御器50を制御することにより温度が23℃、湿度制御器60を制御することにより湿度が45%という条件に保たれている。
この条件下で、シリコンウェハ1を回転させた状態で塗布ノズル20から吐出させた水溶性パターン形成材料をシリコンウェハ1上に塗布し、図4に示すように、レジストパターン12の表面上に水溶性パターン形成材料13を広げる。このときの回転速度は例えば、1400〜1500rpmくらいである。
ここで塗布した水溶性パターン形成材料13としては、酸の存在下で熱架橋性を有する水溶性パターン形成材料、例えば、ポリアクリル酸、ポリビニルアセタール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンイミン、ポリエチレンオキシド、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリビニルアミン、ポリアリルアミン、オキサゾリン基含有水溶性樹脂、水溶性メラミン樹脂、水溶性尿素樹脂、アルキッド樹脂、スルホンアミドのうちの1種類、又はこれらの2種類以上の混合物、或いはこれらの塩を主成分とする水溶性樹脂、或いは、メラミン誘導体、尿素誘導体、ベンゾグアナミン、グリコールウリルのうちの1種類又はこれらの2種類以上の混合物を主成分とする水溶性架橋剤等を含んだ材料(RELACS材)に、水よりも飽和蒸気圧の高い溶液、例えばエタノール、メタノール、イソプロピルアルコール、プロパノール等のアルコールを添加したものを用いる。
レジストパターン12の表面上に水溶性パターン形成材料13が広がった後、カップ10内で同じ条件下でシリコンウェハ1を回転させ続け、水溶性パターン形成材料13を乾燥させる。このときの回転速度は例えば、1000〜2000rpmくらいである。
その後図5に示すように、ベークすることによりレジストパターン12から酸を拡散させ、水溶性パターン形成材料13のレジストパターン12に接した部分を熱架橋させて架橋膜14を形成する。
この後、例えば純水等を用いて現像することにより、図6に示すように架橋膜14以外水溶性パターン形成材料13を除去する。これによって残存した架橋膜14が当初のレジストパターン12よりも微細なパターンを寸法精度よく形成することが可能となる。
ここで、本実施形態の水溶性パターン形成材料の有効性を表面異物検査装置を用いて検証する。
表面異物検査装置によって水溶性パターン形成材料の膜上の塗布欠陥を正確に判別するために、レジストパターンが形成されていないシリコンウェハに対して、本実施形態で用いた水溶性パターン形成材料を塗布する。この検証では、シリコンウェハ1に塗布する水溶性微細パターン形成材料にアルコールが添加されていることを除いて、他の全ての条件及び工程は上記した比較例と同じである。
即ちまず、図2のクーリングプレート200でシリコンウェハ1の温度を23℃に保っておく。次に、シリコンウェハ1を塗布機100にセットする。塗布開始時のシリコンウェハ1の温度は23℃であり、カップ10内の雰囲気は、温度制御器50により温度が23℃、湿度制御器60により湿度が45%という条件に保たれている。
この条件下で、シリコンウェハ1を回転させた状態で塗布ノズル20から本実施形態の水溶性パターン形成材料をシリコンウェハ1の上に塗布し、シリコンウェハ1の上に水溶性パターン形成材料を広げる。このときの回転速度は例えば、1400〜1500rpmくらいである。
シリコンウェハ1の表面上に水溶性パターン形成材料が広がった後、カップ10内で上記と同じ雰囲気下でシリコンウェハ1を回転させ続け、水溶性パターン形成材料を乾燥させる。このときの回転速度は例えば、1000〜2000rpmくらいである。
その後、シリコンウェハ1にベークを行って水溶性パターン形成材料に含まれる溶剤を十分揮発させる。このようにして、水溶性パターン形成材料の膜をシリコンウェハ1の上に形成し、その膜に対して表面異物検査装置で欠陥検査を行った結果は図7と同様になる。本実施形態で用いた水溶性パターン形成材料によって、塗布欠陥が殆ど無い水溶性微細パターン形成材料の膜が形成されることがわかる。
以上説明したように、水溶性微細パターン形成材料にアルコールを添加したことにより、水溶性微細パターン形成材料の乾燥速度を速くすることができる。これによって、水溶性微細パターン形成材料に含まれている界面活性剤が凝集する前に膜を形成することが可能となり塗布欠陥の発生を防ぐことが可能となる。
即ち、本実施形態で用いた膜形成材料によって、酸を含有するレジストパターン上に塗布欠陥が殆ど存在しない水溶性微細パターン形成材料の膜を形成してRELACS処理を施すことが可能となる。これにより膜厚ゆらぎを回避できるので、レジストパターンの寸法精度の向上を図ることが可能となる。
以上説明した第1乃至第5の実施形態で示されるように、従来の水溶性微細パターン形成材料の膜形成方法とは異なる条件、或いは従来とは異なる水溶性微細パターン材料を用いることによって、塗布後の乾燥速度を速めることが可能になり、塗布欠陥の発生を防いで、最終的なレジストパターンの寸法精度の向上を図ることが可能となる。
なお、本願発明は上記実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。更に、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出されうる。例えば、実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出されうる。
1…シリコンウェハ、10…カップ、12…レジストパターン、13…水溶性パターン形成材料、14…架橋膜、20…塗布ノズル、30…スピンチャック、40…モーター、50…温度制御器、60…湿度制御器、70…ヒーター、100、500…塗布機、200…クーリングプレート。
Claims (5)
- 酸を含有するレジストパターンが形成された被処理基板を回転させた状態で、前記レジストパターンの上に酸の存在下で熱架橋性を有する水溶性パターン形成材料を塗布しながら広げる工程と、
前記水溶性パターン形成材料が前記レジストパターンの上に広がった後も前記工程と同じ雰囲気下で前記被処理基板を継続して回転させることにより、前記水溶性パターン形成材料を乾燥させる工程を含み、
前記雰囲気中の飽和蒸気圧(mmHg)をXとし、相対湿度(%)をYとしたとき、X(1−Y/100)>12.2mmHgを満たすことを特徴とする膜形成方法。 - 前記雰囲気中の湿度を、40%以下とすることを特徴とする請求項1に記載の膜形成方法。
- 前記雰囲気中の温度が28℃以上、又は前記パターン形成材料塗布開始時の被処理基板の温度が28℃以上のいずれか一つの条件を保つことを特徴とする請求項1に記載の膜形成方法。
- 酸を含有するレジストパターンが形成された被処理基板を回転させた状態で、前記レジストパターンの上に酸の存在下で熱架橋性を有する水溶性パターン形成材料を塗布しながら広げる工程と、
前記水溶性パターン形成材料が前記レジストパターンの上に広がった状態で、前記被処理基板の回転を継続させつつ、さらに前記被処理基板を加熱することにより、前記水溶性パターン形成材料を乾燥させる工程を含み、
前記雰囲気中の飽和蒸気圧(mmHg)をXとし、相対湿度(%)をYとしたとき、X(1−Y/100)>12.2mmHgを満たすことを特徴とする膜形成方法。 - 酸の存在下で熱架橋性を有する、RELACS処理に用いる水溶性パターン形成材料に、水よりも飽和蒸気圧の高い溶液を添加してある
ことを特徴とする膜形成材料。
Priority Applications (1)
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JP2007149451A JP2008305850A (ja) | 2007-06-05 | 2007-06-05 | 膜形成方法及び膜形成材料 |
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