JP2008300618A

JP2008300618A - Etchant and etching method using the same

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Publication number: JP2008300618A
Application number: JP2007144889A
Authority: JP
Inventors: Wakako Taniguchi; 谷口和歌子; Takeshi Kawashima; 川島猛士; Tetsuo Aoyama; 青山哲男
Original assignee: HAYASHI JUNYAKU KOGYO KK
Current assignee: HAYASHI JUNYAKU KOGYO KK
Priority date: 2007-05-31
Filing date: 2007-05-31
Publication date: 2008-12-11

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To form the side face of an excellent forward tapered shape by efficiently etching the aluminum-based conductive thin film of a low resistance value or a laminated conductive thin film having the aluminum-based conductive thin film and a molybdenum-based conductive thin film. <P>SOLUTION: The laminated conductive thin film 15 having the aluminum-based conductive thin film 12 and the molybdenum-based conductive thin films 11 and 13 is brought into contact with the etchant containing (a) phosphorous acid, (b) nitrate, (c) organic acid and (d) water, or the etchant containing nitric acid further. As the nitrate, the ammonium salt of the nitric acid, amine salt, quaternary ammonium salt, or alkali metal salt or the like is used. Also, as the organic acid, formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, maleic acid, fumaric acid, benzoic acid, phthalic acid, trimellitic acid, hydroxyacetic acid, lactic acid, malic acid, tartaric acid, or citric acid or the like is used. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本願発明は、液晶表示装置や有機発光表示装置に使用される配線・電極のエッチング液に関し、さらに詳しくは、アルミニウム系導電性薄膜、あるいはアルミニウムを主成分とする導電性薄膜とモリブデンを主成分とする導電性薄膜からなる積層導電性薄膜のエッチング液及びそれを用いたエッチング方法に関する。 The present invention relates to a wiring / electrode etching solution used in a liquid crystal display device or an organic light emitting display device, and more specifically, an aluminum-based conductive thin film, or a conductive thin film containing aluminum as a main component and molybdenum as a main component. The present invention relates to an etching solution for a laminated conductive thin film made of a conductive thin film and an etching method using the same.

現在、広く用いられている液晶表示装置における薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor）は、一般的には、図１に示すように、
(ａ)ガラス基板１上にゲート電極２を形成し、
(ｂ)ゲート電極２上にゲート絶縁膜（ＳｉＮｘ膜）３、半導体層としてのａ−Ｓｉ活性層４、コンタクトをとるための不純物半導体膜としてのｎ⁺ａ−Ｓｉコンタクト層５、エッチング保護膜６などを形成し、
(ｃ)さらに、ｎ⁺ａ−Ｓｉコンタクト層５の上にソース電極７、ドレイン電極８を形成するとともに、
(ｄ)ソース電極７、ドレイン電極８の上にパッシベーション膜としてのＳｉＮ_x膜９を形成し、
(ｅ)さらにその上に、ドレイン電極８とコントクトホールを介して接触している画素電極１０として、透明導電膜であるＩＴＯ(Indium Tin Oxide:インジウム錫酸化物)膜が形成された構成とされている。 As shown in FIG. 1, generally, a thin film transistor in a liquid crystal display device that is widely used is generally shown in FIG.
(a) forming a gate electrode 2 on a glass substrate 1;
(b) A gate insulating film (SiNx film) 3 on the gate electrode 2, an a-Si active layer 4 as a semiconductor layer, an n ⁺ a-Si contact layer 5 as an impurity semiconductor film for making a contact, an etching protective film 6 etc.,
(c) Furthermore, a source electrode 7 and a drain electrode 8 are formed on the n ⁺ a-Si contact layer 5, and
(d) An SiN _x film 9 as a passivation film is formed on the source electrode 7 and the drain electrode 8;
(e) Furthermore, an ITO (Indium Tin Oxide) film, which is a transparent conductive film, is formed thereon as the pixel electrode 10 that is in contact with the drain electrode 8 via the contact hole. Has been.

また、上記薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor）において、ゲート電極２、ソース電極７、ドレイン電極８としては、低抵抗で、かつ、安価な配線金属材料であるアルミニウムを主成分とする導電性薄膜が多用されている。
そして、このアルミニウムを主成分とする導電性薄膜に関しては、半導体層や画素電極である透明導電膜を電気的に接続する際のバリアメタルとなる高融点金属材料を、アルミニウムを主成分とする導電性薄膜層の片面又は両面に積層した２層構造または３層構造の積層膜が多用されている。
前記高融点金属材料としては、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、モリブデン（Ｍｏ）、モリブデン−タングステン合金（Ｍｏ−Ｗ）、モリブデン−タンタル合金（Ｍｏ−Ｔａ）、モリブデン−ニオブ合金（Ｍｏ−Ｎｂ）、モリブデン−ジルコニウム合金（Ｍｏ−Ｚｒ）、モリブデン−クロム合金（Ｍｏ−Ｃｒ）等が使用される。 In the thin film transistor, the gate electrode 2, the source electrode 7 and the drain electrode 8 are often conductive thin films mainly composed of aluminum, which is a low-resistance and inexpensive wiring metal material. ing.
And about this electroconductive thin film which has aluminum as a main component, the refractory metal material used as the barrier metal at the time of electrically connecting the transparent conductive film which is a semiconductor layer or a pixel electrode is made into the electroconductivity which has aluminum as a main component. A laminated film having a two-layer structure or a three-layer structure laminated on one or both surfaces of a conductive thin film layer is often used.
Examples of the refractory metal material include titanium (Ti), titanium nitride (TiN), molybdenum (Mo), molybdenum-tungsten alloy (Mo-W), molybdenum-tantalum alloy (Mo-Ta), and molybdenum-niobium alloy (Mo -Nb), molybdenum-zirconium alloy (Mo-Zr), molybdenum-chromium alloy (Mo-Cr) or the like is used.

上記の高融点金属材料の中で、チタン系の高融点金属は通常、アルミニウム又はモリブデン系の配線金属材料をエッチングする際に用いられるエッチング液には全くエッチングされないために、四フッ化炭素（ＣＦ₄）や三塩化ホウ素（ＢＣｌ₃）などのエッチングガスを使用してドライエッチングすることにより加工されている。
しかしながら、ドライエッチングは加工性には優れているが、エッチング装置が高価で、生産性が低いという問題点を有している。 Among the above refractory metal materials, titanium-based refractory metals are not etched at all by the etching solution used for etching aluminum or molybdenum-based wiring metal materials. ₄ ) and processed by dry etching using an etching gas such as boron trichloride (BCl ₃ ).
However, although dry etching is excellent in workability, it has problems that an etching apparatus is expensive and productivity is low.

一方、モリブデン系の高融点金属材料を使用した場合は、アルミニウム系薄膜との積層膜をエッチング液で一括してエッチングできることから、最近では、モリブデン系高融点金属導電性薄膜とアルミニウム系導電性薄膜からなる積層膜が広く用いられるようになっている。 On the other hand, when a molybdenum-based refractory metal material is used, a laminated film with an aluminum-based thin film can be etched together with an etching solution, and recently, a molybdenum-based refractory metal conductive thin film and an aluminum-based conductive thin film are used. A laminated film made of is widely used.

そこで、ゲート電極２、ソース電極７、ドレイン電極８などとして用いられるアルミニウムを主成分とする導電性薄膜は、各々の上に形成される絶縁層や半導体層の段差被覆性（ステップカバレッジ）を確保するため、その断面形状は順テーパ状に加工することが必要になる。 Therefore, the conductive thin film mainly composed of aluminum used as the gate electrode 2, the source electrode 7, the drain electrode 8, etc. ensures the step coverage of the insulating layer and the semiconductor layer formed on each of them. Therefore, the cross-sectional shape needs to be processed into a forward tapered shape.

従来、アルミニウム系導電性薄膜のエッチング液としてはリン酸、硝酸、酢酸を含有する水溶液である混酸が使用されている（例えば特許文献１〜３参照）。しかしながら、アルミニウム系導電性薄膜とモリブデン系導電性薄膜とからなる積層膜のエッチングに上記の混酸を使用した場合には、一般的にはアルミニウム系導電性薄膜のエッチング速度に比べてモリブデン系導電性薄膜のエッチング速度が高いこと、またアルミニウム系導電性薄膜とモリブデン系導電性薄膜との標準電位が異なるため、エッチング工程において電池反応が起こることなどの理由から、アルミニウム系導電性薄膜とモリブデン系導電性薄膜の積層構造を有する薄膜を良好な順テーパにエッチングする（加工する）ことは極めて困難であるのが実情である。 Conventionally, a mixed acid which is an aqueous solution containing phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid has been used as an etching solution for an aluminum-based conductive thin film (see, for example, Patent Documents 1 to 3). However, when the above mixed acid is used for etching a laminated film composed of an aluminum-based conductive thin film and a molybdenum-based conductive thin film, the molybdenum-based conductivity is generally higher than the etching rate of the aluminum-based conductive thin film. The aluminum-based conductive thin film and the molybdenum-based conductive film have a high etching rate, and because the standard potential of the aluminum-based conductive thin film differs from that of the molybdenum-based conductive thin film. In reality, it is extremely difficult to etch (process) a thin film having a laminated structure of conductive thin films into a good forward taper.

また、アルミニウム系導電性薄膜とモリブデン系導電性薄膜が積層された積層膜をエッチングするためのエッチング方法やエッチング液などに関し、以下のような技術が提案されている（例えば、特許文献４〜１０参照）。 Moreover, the following techniques are proposed regarding the etching method for etching the laminated film in which the aluminum-type conductive thin film and the molybdenum-type conductive thin film were laminated | stacked, etching liquid, etc. (for example, patent documents 4-10) reference).

すなわち、特許文献４には、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる導電性薄膜（アルミニウム系導電性薄膜）とモリブデンまたはモリブデン合金からなる導電性薄膜（モリブデン系導電性薄膜）を積層した積層膜をリン酸、硝酸、および酢酸を混合した混酸でエッチングを行う場合において、積層膜を構成するアルミニウム系導電性薄膜とモリブデン系導電性薄膜の膜厚比を制御する方法が提案されているが、根本的な解決には至っていない。 That is, Patent Document 4 discloses a laminated film in which a conductive thin film (aluminum-based conductive thin film) made of aluminum or an aluminum alloy and a conductive thin film (molybdenum-based conductive thin film) made of molybdenum or a molybdenum alloy are laminated with phosphoric acid, A method has been proposed to control the film thickness ratio between the aluminum-based conductive thin film and the molybdenum-based conductive thin film that constitutes the laminated film when etching is performed with a mixed acid containing nitric acid and acetic acid. It has not reached.

また、特許文献５には、アルミニウム系導電性薄膜とモリブデン系導電性薄膜の積層膜のエッチングを行うにあたって、リン酸、硝酸，および酢酸の混合液で上層のモリブデン系金属膜をウェットエッチングし、さらに、下層のアルミニウム系金属膜をドライエッチングすることが開示されているが、プロセスが煩雑で経済的ではないという問題点がある。 Further, in Patent Document 5, when etching a laminated film of an aluminum-based conductive thin film and a molybdenum-based conductive thin film, the upper molybdenum-based metal film is wet-etched with a mixed solution of phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid, Furthermore, it is disclosed that the lower aluminum-based metal film is dry-etched, but there is a problem that the process is complicated and not economical.

また、特許文献６には、リン酸、硝酸、および酢酸の混合液であるエッチング液を用いてアルミニウム系金属膜とモリブデン系金属膜の積層膜を一括的にエッチングすることが記載されているが、リン酸、硝酸、および酢酸の濃度組成が狭い範囲であり、かつ、エッチング後の形状が必ずしも順テーパ状にならず好ましくない。 Patent Document 6 describes that a laminated film of an aluminum-based metal film and a molybdenum-based metal film is collectively etched using an etching solution that is a mixed solution of phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid. Further, the concentration composition of phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid is in a narrow range, and the shape after etching is not necessarily a forward tapered shape, which is not preferable.

また、特許文献７には、リン酸、硝酸、および酢酸との混合液にフッ化水素酸、あるいはフッ化アンモニウムを添加したエッチング液を用い、また、特許文献９には、リン酸、硝酸、および酢酸の混合液にフッ化水素酸を添加したエッチング液を用いて、アルミニウム系金属膜とモリブデン系金属膜の積層膜のエッチングを行う方法が提案されている。しかしながら、フッ化水素酸、フッ化アンモニウムを添加したエッチング液は、フッ化水素酸、フッ化アンモニウムの添加量が微量であってもモリブデン系金属膜のエッチング速度が著しく上昇し、特に、アルミニウム系金属膜の上下にモリブデン系金属膜を積層した積層膜を、上記のフッ化水素酸、フッ化アンモニウムを添加したエッチング液を用いてエッチングを行った場合、上層部のモリブデン系金属膜のエッチング速度が大きくなり、階段状のエッチングプロファイルとなるため好ましくない。 Patent Document 7 uses an etching solution obtained by adding hydrofluoric acid or ammonium fluoride to a mixed solution of phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid. Patent Document 9 describes phosphoric acid, nitric acid, There has been proposed a method of etching a laminated film of an aluminum-based metal film and a molybdenum-based metal film using an etching solution obtained by adding hydrofluoric acid to a mixed solution of acetic acid and acetic acid. However, the etching solution to which hydrofluoric acid and ammonium fluoride are added significantly increases the etching rate of the molybdenum-based metal film even when the addition amount of hydrofluoric acid and ammonium fluoride is very small. Etching rate of the molybdenum-based metal film in the upper layer when the laminated film in which the molybdenum-based metal film is laminated on the upper and lower sides of the metal film is etched using the etching solution to which hydrofluoric acid or ammonium fluoride is added. Becomes large, and a step-like etching profile is not preferable.

特許文献８には、リン酸および硝酸に有機酸を配合したエッチング液、および、有機酸が酢酸またはアルキルスルホン酸であるエッチング液を用いてアルミニウム系金属膜とモリブデン・ニオブ合金膜とを備えた積層膜のエッチングを行うことが記載されているが、モリブデン合金膜がモリブデン・ニオブ合金膜のみであり、モリブデン単体あるいは他のモリブデン合金膜については何ら言及されておらず、実用的ではない。 Patent Document 8 includes an aluminum-based metal film and a molybdenum-niobium alloy film using an etching solution in which an organic acid is mixed with phosphoric acid and nitric acid, and an etching solution in which the organic acid is acetic acid or alkylsulfonic acid. Although it is described that the laminated film is etched, the molybdenum alloy film is only a molybdenum-niobium alloy film, and no mention is made of molybdenum alone or other molybdenum alloy films, which is not practical.

特許文献１０には、リン酸、硝酸、有機酸及びカチオン生成成分を含有する水溶液からなるエッチング液を用いてアルミニウム系金属膜とモリブデン系金属膜の積層膜のエッチングを行うことが記載されているが、カチオン生成成分を添加することによりアルミニウム系金属膜と、モリブデン系金属膜のエッチング速度が遅くなり、実用上問題点が多い。
特開平７−１７６５００号公報特開平７−１７６５２５号公報特開平９−１２７５５５号公報特開平６−１０４２４１号公報特開平１０−２５６５６１号公報特開２００１−７７０９８号公報特開２００１−３１１９５４号公報特開２００５−８５８１１号公報特開２００５−１６３０７０号公報国際公開第２００３／０３６７０７号パンフレット Patent Document 10 describes that a laminated film of an aluminum-based metal film and a molybdenum-based metal film is etched using an etching solution made of an aqueous solution containing phosphoric acid, nitric acid, an organic acid, and a cation-generating component. However, the addition of the cation-generating component slows the etching rate of the aluminum-based metal film and the molybdenum-based metal film, and there are many practical problems.
JP 7-176500 A Japanese Unexamined Patent Publication No. 7-176525 JP-A-9-127555 JP-A-6-104241 JP-A-10-256561 JP 2001-77098 A JP 2001-311954 A JP 2005-85811 A JP 2005-163070 A International Publication No. 2003/036707 Pamphlet

本願発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、基板上に形成されたアルミニウム系導電性薄膜、あるいはアルミニウム系導電性薄膜とモリブデン系導電性薄膜との積層導電性薄膜を、一回のエッチング操作で効率よくエッチングして、アンダーカットやサイドエッチングの発生を防止しつつ、側面が良好な順テーパ形状となるようなエッチングを行うことが可能で、微細な配線形状を精度よく形成することができるエッチング液およびそれを用いたエッチング方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an aluminum-based conductive thin film formed on a substrate or a laminated conductive thin film of an aluminum-based conductive thin film and a molybdenum-based conductive thin film is formed once. It is possible to perform etching so that the side surface has a good forward taper shape while preventing the occurrence of undercut and side etching by etching efficiently by the etching operation, and accurately forming a fine wiring shape It is an object of the present invention to provide an etching solution that can be used and an etching method using the same.

上記課題を解決するために、本願発明者らは、前述した課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、(ａ)リン酸、(ｂ)硝酸塩、(ｃ)有機酸、および(ｄ)水を含有するエッチング液、さらには、上記エッチング液にさらに(ｅ)硝酸を含有させたエッチング液を用いることにより、上述のような導電性薄膜を一回のエッチングで、順テーパ形状の側面が形成されるようにエッチングすることができることを見出し、さらに、実験、検討を行って本願発明を完成した。 In order to solve the above problems, the inventors of the present invention have made extensive studies in order to solve the above-described problems, and as a result, (a) phosphoric acid, (b) nitrate, (c) organic acid, and (d) By using an etching solution containing water, and further, (e) an etching solution containing nitric acid in the etching solution, the conductive thin film as described above can be etched once, and the side surface of the forward tapered shape can be obtained. It was found that etching can be performed so as to be formed, and further, experiments and studies were conducted to complete the present invention.

すなわち、本願請求項１のエッチング液は、
基板上に形成された導電性薄膜であって、
[１]基板上に形成された、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなるアルミニウム系導電性薄膜、または、
[２]基板上に形成された、少なくとも一層の、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなるアルミニウム系導電性薄膜と、少なくとも一層の、モリブデンまたはモリブデン合金からなるモリブデン系導電性薄膜とを備えた積層導電性薄膜
をエッチングするためのエッチング液であって、
(ａ)リン酸と、(ｂ)硝酸塩と、(ｃ)有機酸と、(ｄ)水とを含有することを特徴としている。 That is, the etching solution of claim 1 of the present application is
A conductive thin film formed on a substrate,
[1] An aluminum-based conductive thin film made of aluminum or an aluminum alloy formed on a substrate, or
[2] A laminated conductive thin film comprising at least one aluminum-based conductive thin film made of aluminum or an aluminum alloy and at least one molybdenum-based conductive thin film made of molybdenum or a molybdenum alloy formed on the substrate An etching solution for etching
It contains (a) phosphoric acid, (b) nitrate, (c) an organic acid, and (d) water.

また、請求項２のエッチング液は、請求項１のエッチング液にさらに(ｅ)硝酸が添加されていることを特徴としている。 The etching solution of claim 2 is characterized in that (e) nitric acid is further added to the etching solution of claim 1.

また、請求項３のエッチング液は、前記硝酸塩が、硝酸のアンモニウム塩、アミン塩、第４級アンモニウム塩、アルカリ金属塩からなる群より選択される少なくとも１種の化合物であることを特徴としている。 The etching solution according to claim 3 is characterized in that the nitrate is at least one compound selected from the group consisting of ammonium nitrate, amine salt, quaternary ammonium salt and alkali metal salt of nitric acid. .

また、請求項４のエッチング液は、前記有機酸が、脂肪族モノカルボン酸、脂肪族ポリカルボン酸、脂肪族オキシカルボン酸、脂肪族アミノカルボン酸、芳香族モノカルボン酸、芳香族ポリカルボン酸、芳香族オキシカルボン酸からなる群より選択される少なくとも１種であることを特徴としている。 Further, in the etching solution according to claim 4, the organic acid is an aliphatic monocarboxylic acid, an aliphatic polycarboxylic acid, an aliphatic oxycarboxylic acid, an aliphatic aminocarboxylic acid, an aromatic monocarboxylic acid, or an aromatic polycarboxylic acid. And at least one selected from the group consisting of aromatic oxycarboxylic acids.

また、請求項５のエッチング液は、
(ａ)モリブデンを主成分とする第１の導電性薄膜とアルミニウムを主成分とする第２の導電性薄膜からなる２層構造の積層導電性薄膜、または、
(ｂ)モリブデンを主成分とする第１の導電性薄膜と、その上に形成されたアルミニウムを主成分とする第２の導電性薄膜と、その上に形成されたモリブデンを主成分とする第３の導電性薄膜からなる３層構造の積層導電性薄膜
のエッチングに用いられるエッチング液であることを特徴としている。 Moreover, the etching liquid of claim 5 is
(a) a laminated conductive thin film having a two-layer structure comprising a first conductive thin film mainly composed of molybdenum and a second conductive thin film mainly composed of aluminum; or
(b) a first conductive thin film mainly composed of molybdenum, a second conductive thin film mainly composed of aluminum formed thereon, and a first conductive thin film mainly composed of molybdenum formed thereon. It is an etching solution used for etching a laminated conductive thin film having a three-layer structure composed of three conductive thin films.

また、本願発明（請求項６）のエッチング方法は、基板上に形成された積層導電性薄膜であって、少なくとも一層の、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなるアルミニウム系導電性薄膜と、少なくとも一層の、モリブデンまたはモリブデン合金からなるモリブデン系導電性薄膜とを備えた積層導電性薄膜を、請求項１〜５のいずれかに記載のエッチング液と接触させることを特徴としている。 The etching method of the present invention (Claim 6) is a laminated conductive thin film formed on a substrate, comprising at least one aluminum-based conductive thin film made of aluminum or an aluminum alloy, and at least one molybdenum Or the laminated conductive thin film provided with the molybdenum type conductive thin film which consists of molybdenum alloys is made to contact the etching liquid in any one of Claims 1-5.

また、本願発明（請求項７）のエッチング方法は、
基板上に形成された積層導電性薄膜であって、
(ａ)モリブデンを主成分とする第１の導電性薄膜とアルミニウムを主成分とする第２の導電性薄膜からなる２層構造の積層導電性薄膜、または、
(ｂ)モリブデンを主成分とする第１の導電性薄膜と、その上に形成されたアルミニウムを主成分とする第２の導電性薄膜と、その上に形成されたモリブデンを主成分とする第３の導電性薄膜からなる３層構造の積層導電性薄膜を、
請求項１〜５のいずれかに記載のエッチング液と接触させることを特徴としている。 Moreover, the etching method of the present invention (Claim 7) is:
A laminated conductive thin film formed on a substrate,
(a) a laminated conductive thin film having a two-layer structure comprising a first conductive thin film mainly composed of molybdenum and a second conductive thin film mainly composed of aluminum; or
(b) a first conductive thin film mainly composed of molybdenum, a second conductive thin film mainly composed of aluminum formed thereon, and a first conductive thin film mainly composed of molybdenum formed thereon. A laminated conductive thin film having a three-layer structure composed of three conductive thin films,
It is made to contact with the etching liquid in any one of Claims 1-5.

本願請求項１のエッチング液は、アルミニウム系導電性薄膜、あるいはアルミニウム系導電性薄膜とモリブデン系導電性薄膜とを備えた積層導電性薄膜をエッチングするにあたって用いられるエッチング液であって、(ａ)リン酸と、(ｂ)硝酸塩と、(ｃ)有機酸と、(ｄ)水とを含有しているので、アルミニウム系導電性薄膜、あるいはアルミニウム系導電性薄膜とモリブデン系導電性薄膜とを備えた積層導電性薄膜を、適切な速度でエッチングすることが可能になり、アルミニウム系導電性薄膜、あるいはアルミニウム系導電性薄膜とモリブデン系導電性薄膜を備えた積層導電性薄膜を、順テーパ状、すなわち、上面の面積が下面の面積より小さい台形状の形状となるようにエッチングして、基板上に良好な順テーパ形状を有する導電性薄膜を形成することが可能になる。 An etching solution according to claim 1 is an etching solution used for etching an aluminum-based conductive thin film or a laminated conductive thin film comprising an aluminum-based conductive thin film and a molybdenum-based conductive thin film. Since it contains phosphoric acid, (b) nitrate, (c) organic acid, and (d) water, it comprises an aluminum-based conductive thin film, or an aluminum-based conductive thin film and a molybdenum-based conductive thin film. It is possible to etch the laminated conductive thin film at an appropriate rate, and the aluminum-based conductive thin film or the laminated conductive thin film including the aluminum-based conductive thin film and the molybdenum-based conductive thin film has a forward tapered shape. That is, the conductive thin film having a good forward taper shape is formed on the substrate by etching so that the area of the upper surface becomes a trapezoidal shape smaller than the area of the lower surface. It becomes possible to.

また、請求項２のエッチング液のように、請求項１のエッチング液にさらに(ｅ)硝酸が添加されたエッチング液を用いることにより、さらに効率よく基板上に良好な順テーパ形状を有する導電性薄膜を形成することが可能になる。 Further, by using an etching solution in which (e) nitric acid is added to the etching solution of claim 1 as in the etching solution of claim 2, the conductive material having a good forward taper shape on the substrate more efficiently. A thin film can be formed.

また、請求項３のエッチング液のように、硝酸塩として、硝酸のアンモニウム塩、アミン塩、第４級アンモニウム塩、アルカリ金属塩からなる群より選択される少なくとも１種の化合物を用いるようにした場合、アルミニウム系導電性薄膜、あるいはアルミニウム系導電性薄膜とモリブデン系導電性薄膜を備えた積層導電性薄膜を効率よくエッチングして、良好な順テーパ形状を有する導電性薄膜を形成することが可能になる。 Further, as in the etching solution according to claim 3, at least one compound selected from the group consisting of ammonium nitrate, amine salt, quaternary ammonium salt and alkali metal salt is used as nitrate. It is possible to efficiently etch an aluminum-based conductive thin film or a laminated conductive thin film comprising an aluminum-based conductive thin film and a molybdenum-based conductive thin film to form a conductive thin film having a good forward taper shape Become.

また、請求項４のエッチング液のように、有機酸として、脂肪族モノカルボン酸、脂肪族ポリカルボン酸、脂肪族オキシカルボン酸、脂肪族アミノカルボン酸、芳香族モノカルボン酸、芳香族ポリカルボン酸、芳香族オキシカルボン酸からなる群より選択される少なくとも１種を用いるようにした場合、アルミニウム系導電性薄膜、あるいはアルミニウム系導電性薄膜とモリブデン系導電性薄膜を備えた積層導電性薄膜を効率よくエッチングして、良好な順テーパ形状を有する導電性薄膜を形成することが可能になる。 Further, as in the etching solution of claim 4, the organic acid may be an aliphatic monocarboxylic acid, an aliphatic polycarboxylic acid, an aliphatic oxycarboxylic acid, an aliphatic aminocarboxylic acid, an aromatic monocarboxylic acid, or an aromatic polycarboxylic acid. When at least one selected from the group consisting of acids and aromatic oxycarboxylic acids is used, an aluminum-based conductive thin film or a laminated conductive thin film comprising an aluminum-based conductive thin film and a molybdenum-based conductive thin film It becomes possible to form a conductive thin film having a good forward taper shape by etching efficiently.

また、請求項５のように、本願発明のエッチング液を、モリブデンを主成分とする第１の導電性薄膜とアルミニウムを主成分とする第２の導電性薄膜からなる２層構造の積層導電性薄膜、または、モリブデンを主成分とする第１の導電性薄膜とアルミニウムを主成分とする第２の導電性薄膜とモリブデンを主成分とする第３の導電性薄膜からなる３層構造の積層導電性薄膜のエッチングに用いるようにした場合、上述の２層構造および３層構造の積層導電性薄膜を、効率よくエッチングして、良好な順テーパ形状を有する積層導電性薄膜を形成することが可能になる。 Further, as in claim 5, the etching solution of the present invention is a two-layer laminated conductive film composed of a first conductive thin film mainly composed of molybdenum and a second conductive thin film mainly composed of aluminum. A thin film or a laminated conductive film having a three-layer structure including a first conductive thin film containing molybdenum as a main component, a second conductive thin film containing aluminum as a main component, and a third conductive thin film containing molybdenum as a main component. When the thin film conductive film is used for etching a conductive thin film, it is possible to efficiently etch the laminated conductive thin film having the above-mentioned two-layer structure and three-layer structure to form a laminated conductive thin film having a good forward taper shape. become.

また、本願発明（請求項６）のエッチング方法は、少なくとも一層の、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなるアルミニウム系導電性薄膜と、少なくとも一層の、モリブデンまたはモリブデン合金からなるモリブデン系導電性薄膜とを備えた積層導電性薄膜を、請求項１〜５のいずれかに記載のエッチング液と接触させるようにしているので、上記積層導電性薄膜を適切な速度でエッチングすることが可能になり、アルミニウム系導電性薄膜とモリブデン系導電性薄膜を備えた積層導電性薄膜を、順テーパ状、すなわち、積層導電性薄膜の上面の面積が下面の面積より小さい台形状の形状となるようにエッチングして、基板上に良好な順テーパ形状を有する積層導電性薄膜を形成することが可能になる。 The etching method of the present invention (Claim 6) includes at least one aluminum-based conductive thin film made of aluminum or an aluminum alloy and at least one molybdenum-based conductive thin film made of molybdenum or a molybdenum alloy. Since the laminated conductive thin film is brought into contact with the etching solution according to any one of claims 1 to 5, the laminated conductive thin film can be etched at an appropriate rate, and aluminum-based conductive The laminated conductive thin film including the thin film and the molybdenum-based conductive thin film is etched on the substrate so as to have a forward taper shape, that is, a trapezoidal shape in which the area of the upper surface of the laminated conductive thin film is smaller than the area of the lower surface. It is possible to form a laminated conductive thin film having a favorable forward taper shape.

また、本願発明（請求項７）のエッチング方法は、モリブデンを主成分とする第１の導電性薄膜とアルミニウムを主成分とする第２の導電性薄膜からなる２層構造の積層導電性薄膜、または、モリブデンを主成分とする第１の導電性薄膜とアルミニウムを主成分とする第２の導電性薄膜とモリブデンを主成分とする第３の導電性薄膜からなる３層構造の積層導電性薄膜を、請求項１〜５のいずれかに記載のエッチング液と接触させるようにしているので、上記２層構造の積層導電性薄膜または上記３層構造の積層導電性薄膜を確実に、順テーパ状となるようにエッチングして、基板上に良好な順テーパ形状を有する積層導電性薄膜を形成することが可能になる。 Further, the etching method of the present invention (Claim 7) is a two-layer laminated conductive thin film comprising a first conductive thin film mainly composed of molybdenum and a second conductive thin film mainly composed of aluminum, Alternatively, a laminated conductive thin film having a three-layer structure including a first conductive thin film mainly containing molybdenum, a second conductive thin film mainly containing aluminum, and a third conductive thin film mainly containing molybdenum. Is brought into contact with the etching solution according to any one of claims 1 to 5, so that the two-layer laminated conductive thin film or the three-layer laminated conductive thin film is surely forward tapered. It is possible to form a laminated conductive thin film having a good forward taper shape on the substrate by etching so that

以下に本願発明を実施するための最良の形態を示して、本願発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。 The best mode for carrying out the present invention will be shown below, and the features of the present invention will be described in more detail.

本願発明のエッチング液およびエッチング方法は、[１]基板上に形成されたアルミニウム系導電性薄膜、または、[２]基板上に形成された、少なくとも一層の、アルミニウム系導電性薄膜と、少なくとも一層の、モリブデン系導電性薄膜（高融点金属膜）とを備えた積層導電性薄膜をエッチングするために用いられるエッチング液およびエッチング方法である。 The etching solution and the etching method of the present invention include [1] an aluminum-based conductive thin film formed on a substrate, or [2] at least one aluminum-based conductive thin film formed on a substrate, and at least one layer. An etching solution and an etching method used for etching a laminated conductive thin film including a molybdenum-based conductive thin film (refractory metal film).

本願発明のエッチング液は、(ａ)リン酸、(ｂ)硝酸塩、(ｃ)有機酸を含有する水溶液であり、さらには、(ｅ)硝酸を含有するものである。
そして、各成分の好ましい濃度範囲は、
(ａ)リン酸：４０〜８０重量％、
(ｂ)硝酸塩：１〜３０重量％、
(ｃ)有機酸：１〜３０重量％
の範囲であり、さらに硝酸を含有させる場合には、
(ｅ)硝酸：１〜３０重量％
の範囲とすることが望ましい。 The etching solution of the present invention is an aqueous solution containing (a) phosphoric acid, (b) nitrate, (c) an organic acid, and (e) containing nitric acid.
And the preferable concentration range of each component is
(a) phosphoric acid: 40 to 80% by weight,
(b) Nitrate: 1 to 30% by weight,
(c) Organic acid: 1 to 30% by weight
In the case of further containing nitric acid,
(e) Nitric acid: 1 to 30% by weight
It is desirable to be in the range.

本願発明のエッチング液において、リン酸の濃度が８０重量％を超えると積層導電性薄膜の場合、全体のエッチング速度は速くなるが、アルミニウム系導電性薄膜のエッチング速度が、モリブデン系導電性薄膜（高融点金属膜）のエッチング速度よりも速くなり、例えば、基板上にアルミニウム系導電性薄膜が形成され、アルミニウム系導電性薄膜上にモリブデン系導電性薄膜が形成された積層導電性薄膜をエッチングする場合において、アルミニウム系導電性薄膜が後退した状態にエッチングされてしまう結果となり、積層導電性薄膜の側面が順テーパ形状となるようにエッチングすることができなくなるというような問題点がある。また、エッチング液の粘度が増大してエッチング操作に支障をきたしやすくなるという問題点がある、したがって、リン酸の濃度が８０重量％を超えることは好ましくない。 In the etching solution of the present invention, if the concentration of phosphoric acid exceeds 80% by weight, the overall etching rate is increased in the case of a laminated conductive thin film. For example, an etching is performed on a laminated conductive thin film in which an aluminum-based conductive thin film is formed on a substrate and a molybdenum-based conductive thin film is formed on the aluminum-based conductive thin film. In some cases, the aluminum-based conductive thin film is etched in a retracted state, and there is a problem that the side surface of the laminated conductive thin film cannot be etched so as to have a forward tapered shape. Further, there is a problem that the viscosity of the etching solution increases and the etching operation tends to be hindered. Therefore, it is not preferable that the concentration of phosphoric acid exceeds 80% by weight.

一方、リン酸の濃度が低くなり、４０重量％未満になると、エッチング速度が低下し、実用的ではなくなる。
したがって、リン酸の濃度は４０〜８０重量％の範囲とすることが好ましい。 On the other hand, when the concentration of phosphoric acid is reduced to less than 40% by weight, the etching rate is lowered and is not practical.
Therefore, the concentration of phosphoric acid is preferably in the range of 40 to 80% by weight.

本願発明のエッチング液における硝酸塩としては、硝酸のアンモニウム塩、アミン塩、第４級アンモニウム塩、アルカリ金属塩からなる群より選択される少なくとも１種の化合物が挙げられる。
上記硝酸塩は具体的には、硝酸のアンモニウム塩、あるいはメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、プロピルアミン、ジプロピルアミン、トリプロピルアミン、ブチルアミン、ジブチルアミン、トリブチルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノール、Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、ヒドロキシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミン、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、トリメチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、ピロール、ピロリン、モルホリン等のアミン塩、テトラメチルアンモニウム水酸化物、テトラエチルアンモニウム水酸化物、トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム水酸化物等の第４級アンモニウム塩、ナトリウム、カリウム、リチウム等のアルカリ金属塩が挙げられる。 The nitrate in the etching solution of the present invention includes at least one compound selected from the group consisting of ammonium nitrate, amine salt, quaternary ammonium salt and alkali metal salt of nitric acid.
Specifically, the nitrate is an ammonium salt of nitric acid, or methylamine, dimethylamine, trimethylamine, ethylamine, diethylamine, triethylamine, propylamine, dipropylamine, tripropylamine, butylamine, dibutylamine, tributylamine, monoethanolamine , Diethanolamine, triethanolamine, 2- (2-aminoethoxy) ethanol, N-methylethanolamine, N-ethylethanolamine, N, N-dimethylethanolamine, N, N-diethylethanolamine, hydroxylamine, N, N-diethylhydroxylamine, ethylenediamine, propylenediamine, trimethylenediamine, tetramethylenediamine, diethylenetriamine, triethylenetetramine, Amine salts such as alcohol, pyrroline, morpholine, quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, trimethyl (2-hydroxyethyl) ammonium hydroxide, sodium, potassium, lithium, etc. Examples include alkali metal salts.

また、本願発明のエッチング液において、硝酸塩は酸化剤として金属の酸化作用に寄与するともに溶解作用にも寄与する。また、硝酸塩の濃度は、リン酸の濃度と同様にエッチング特性に影響を与える。
すなわち、硝酸塩の濃度が３０重量％を超えると積層導電性薄膜の場合、全体のエッチング速度は速くなるが、アルミニウム系導電性薄膜のエッチング速度がモリブデン系導電性薄膜のエッチング速度よりも速くなり、良好なテーパ形状が得られなくなるため好ましくない。また、硝酸塩の濃度が３０重量％を超えると、フォトレジスト樹脂にダメージを与える可能性があり好ましくない。
一方、硝酸塩の濃度が１重量％未満になると、エッチング速度が遅くなり実用的ではなくなる。
したがって、硝酸塩の濃度は上述のように、１〜３０重量％の範囲とすることが好ましい。 In the etching solution of the present invention, nitrate contributes to the oxidizing action of the metal as an oxidizing agent and also to the dissolving action. The concentration of nitrate affects the etching characteristics as well as the concentration of phosphoric acid.
That is, when the concentration of nitrate exceeds 30% by weight, in the case of a laminated conductive thin film, the overall etching rate becomes faster, but the etching rate of the aluminum-based conductive thin film becomes faster than the etching rate of the molybdenum-based conductive thin film, This is not preferable because a good taper shape cannot be obtained. On the other hand, if the concentration of nitrate exceeds 30% by weight, the photoresist resin may be damaged, which is not preferable.
On the other hand, when the concentration of nitrate is less than 1% by weight, the etching rate becomes slow and is not practical.
Therefore, the nitrate concentration is preferably in the range of 1 to 30% by weight as described above.

また、本願発明のエッチング液はさらに有機酸を含有しているので、より高いエッチング機能を得ることができる。
本願発明のエッチング液においては、有機酸として、具体的にはギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、吉草酸、イソ吉草酸等の脂肪族モノカルボン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フマル酸等の脂肪族ポリカルボン酸、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸等の脂肪族オキシカルボン酸、安息香酸、トルイル酸、ナフトエ酸等の芳香族モノカルボン酸、フタル酸、トリメリット酸等の芳香族ポリカルボン酸からなる群より選ばれる少なくとも１種以上を用いることが可能である。 Further, since the etching solution of the present invention further contains an organic acid, a higher etching function can be obtained.
In the etching solution of the present invention, as the organic acid, specifically, formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, isobutyric acid, valeric acid, isovaleric acid and other aliphatic monocarboxylic acids, oxalic acid, malonic acid, succinic acid , Aliphatic polycarboxylic acids such as glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, maleic acid and fumaric acid, aliphatic oxycarboxylic acids such as glycolic acid, lactic acid, malic acid, tartaric acid and citric acid, benzoic acid, toluic acid and naphthoic acid It is possible to use at least one selected from the group consisting of aromatic monocarboxylic acids such as acids, and aromatic polycarboxylic acids such as phthalic acid and trimellitic acid.

本願発明のエッチング液において、有機酸を１〜３０重量％の範囲で含有させることにより、疎水性のフォトレジスト樹脂とエッチング液の親和性を向上させることができる。すなわち、主に基板表面に存在するフォトレジスト樹脂によって微細パターン化された、微細な配線構造の細部にまでエッチング液を容易に浸透させ、均一にエッチングすることができるようになる。 In the etching solution of the present invention, the affinity between the hydrophobic photoresist resin and the etching solution can be improved by containing an organic acid in the range of 1 to 30% by weight. That is, the etching solution can be easily penetrated into the fine wiring structure, which is finely patterned mainly by the photoresist resin existing on the substrate surface, and uniform etching can be performed.

有機酸の濃度が３０重量％を超えるとフォトレジスト樹脂にダメージを与える場合があり、有機酸の濃度が１重量％未満になると、有機酸の添加により得られる上述の効果が不十分となる。すなわち、基板表面上のフォトレジスト樹脂との親和性が阻害され、均一なエッチングができない場合が生じる。
したがって、有機酸の濃度は１〜３０重量％の範囲とすることが好ましい。 When the concentration of the organic acid exceeds 30% by weight, the photoresist resin may be damaged. When the concentration of the organic acid is less than 1% by weight, the above-described effect obtained by the addition of the organic acid becomes insufficient. That is, the affinity with the photoresist resin on the substrate surface is hindered and uniform etching may not be possible.
Therefore, the concentration of the organic acid is preferably in the range of 1 to 30% by weight.

また、本願発明のエッチング液においては、硝酸を濃度：１〜３０重量％の範囲で含有させることにより、さらに高いエッチング機能を得ることができる。硝酸の濃度が３０重量％を超えると基板表面上のフォトレジスト樹脂にダメージを与え好ましくない。また、１重量％未満になると十分な効果を得ることができない。 In the etching solution of the present invention, nitric acid is contained in a concentration range of 1 to 30% by weight, whereby a higher etching function can be obtained. If the concentration of nitric acid exceeds 30% by weight, the photoresist resin on the substrate surface is damaged, which is not preferable. Further, if it is less than 1% by weight, a sufficient effect cannot be obtained.

また、本願発明におけるアルミニウム系導電性薄膜としては、アルミニウム膜、アルミニウム−ネオジウム（Ａｌ−Ｎｄ）合金、アルミニウム−ジルコニウム（Ａｌ−Ｚｒ）合金、アルミニウム−銅（Ａｌ−Ｃｕ）合金、アルミニウム−シリコン（Ａｌ−Ｓｉ）合金、アルミニウム−シリコン−銅（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ）合金などからなる膜が例示される。なお、アルミニウム膜およびアルミニウム合金膜は、不可避不純物を含んでいてもよい。 The aluminum-based conductive thin film in the present invention includes an aluminum film, an aluminum-neodymium (Al-Nd) alloy, an aluminum-zirconium (Al-Zr) alloy, an aluminum-copper (Al-Cu) alloy, an aluminum-silicon ( Examples of the film include an Al—Si) alloy and an aluminum-silicon-copper (Al—Si—Cu) alloy. Note that the aluminum film and the aluminum alloy film may contain inevitable impurities.

また、本願発明におけるモリブデン系導電性薄膜（高融点金属膜）の構成材料としては、モリブデン（Ｍｏ）、モリブデン−タングステン（Ｍｏ−Ｗ）合金、モリブデン−タンタル（Ｍｏ−Ｔａ）合金、モリブデン−ニオブ（Ｍｏ−Ｎｂ）合金、モリブデン−ジルコニウム（Ｍｏ−Ｚｒ）合金、モリブデン−クロム（Ｍｏ−Ｃｒ）合金等が例示される。
本願発明のエッチング液によるエッチング方法の第１の態様としては、アルミニウム系導電性薄膜からなる第１の導電性薄膜上に、モリブデン系導電性薄膜からなる第２の導電性薄膜が形成された積層導電性薄膜と、上述のエッチング液を接触させることにより積層導電性薄膜をエッチングする態様が挙げられる。 The constituent materials of the molybdenum-based conductive thin film (refractory metal film) in the present invention include molybdenum (Mo), molybdenum-tungsten (Mo-W) alloy, molybdenum-tantalum (Mo-Ta) alloy, and molybdenum-niobium. Examples include (Mo—Nb) alloys, molybdenum-zirconium (Mo—Zr) alloys, molybdenum-chromium (Mo—Cr) alloys, and the like.
As a first aspect of the etching method using the etching solution of the present invention, a laminate in which a second conductive thin film made of a molybdenum-based conductive thin film is formed on a first conductive thin film made of an aluminum-based conductive thin film. The aspect which etches a laminated conductive thin film by making an electroconductive thin film and the above-mentioned etching liquid contact is mentioned.

また、本願発明のエッチング液によるエッチング方法の第２の態様としては、モリブデン系導電性薄膜からなる第１の導電性薄膜上に、アルミニウム系導電性薄膜からなる第２の導電性薄膜が形成され、さらに、この第２の導電性薄膜上にモリブデン系導電性薄膜からなる第３の導電性薄膜が形成された積層導電性薄膜とエッチング液を接触させることにより積層導電性薄膜をエッチングする態様が挙げられる。
また、本願発明のエッチング液によるエッチング方法の他の態様としては、例えば、基板上に形成されたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる、単層のアルミニウム系導電性薄膜をエッチングする態様が例示される。
なお、本願発明は上述のような態様以外の種々の態様でエッチングを行う場合にも適用することが可能である。 As a second aspect of the etching method using the etching solution of the present invention, a second conductive thin film made of an aluminum-based conductive thin film is formed on a first conductive thin film made of a molybdenum-based conductive thin film. Furthermore, there is an aspect in which the laminated conductive thin film is etched by contacting the laminated conductive thin film in which the third conductive thin film made of the molybdenum-based conductive thin film is formed on the second conductive thin film and an etching solution. Can be mentioned.
Moreover, as another aspect of the etching method using the etching solution of the present invention, for example, an aspect of etching a single-layer aluminum-based conductive thin film made of aluminum or an aluminum alloy formed on a substrate is exemplified.
Note that the present invention can also be applied to etching in various modes other than the above-described modes.

以下に本願発明の一実施例を、図２〜５を参照しつつ詳細に説明する。
(１)まず、ＴＦＴガラス基板１１上に、モリブデンをスパッタリング法で成膜して、厚みが１００Åの第１モリブデン膜（モリブデン系導電性薄膜）１２を形成する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS.
(1) First, a molybdenum film is formed on the TFT glass substrate 11 by sputtering to form a first molybdenum film (molybdenum-based conductive thin film) 12 having a thickness of 100 mm.

(２)それから、第１モリブデン膜１２上にアルミニウムをスパッタリング法で成膜して、第１モリブデン膜１２上に、厚みが１３００Åのアルミニウム膜（アルミニウム系導電性薄膜）１３を形成する。 (2) Then, aluminum is deposited on the first molybdenum film 12 by a sputtering method, and an aluminum film (aluminum-based conductive thin film) 13 having a thickness of 1300 mm is formed on the first molybdenum film 12.

(３)さらに、アルミニウム膜１３上にモリブデンをスパッタして、アルミニウム膜１３上に、厚みが５００Åの第２モリブデン膜（モリブデン系導電性薄膜）１４を形成する。
これにより、図２に示すように、第１モリブデン膜１２（厚み１００Å）、アルミニウム膜１３（厚み１３００Å）、および第２モリブデン膜１４（厚み５００Å）からなる３層構造の導電性薄膜（積層導電性薄膜）１５が形成される。 (3) Further, molybdenum is sputtered on the aluminum film 13 to form a second molybdenum film (molybdenum-based conductive thin film) 14 having a thickness of 500 mm on the aluminum film 13.
As a result, as shown in FIG. 2, a conductive thin film (laminated conductive film) having a three-layer structure including the first molybdenum film 12 (thickness 100 mm), the aluminum film 13 (thickness 1300 mm), and the second molybdenum film 14 (thickness 500 mm). Conductive thin film) 15 is formed.

(４)次に、第１モリブデン膜１２、アルミニウム膜１３、第２モリブデン膜１４からなる積層導電性薄膜１５上に、図３に示すように、フォトレジスト１６を塗布し、予め用意したパターンマスクを通して露光した後、現像し、図４に示すように、所定のフォトレジストパターン１６ａを形成した。 (4) Next, as shown in FIG. 3, a photoresist 16 is applied on the laminated conductive thin film 15 composed of the first molybdenum film 12, the aluminum film 13, and the second molybdenum film 14, and a pattern mask prepared in advance is applied. After being exposed to light, development was performed to form a predetermined photoresist pattern 16a as shown in FIG.

(５)フォトレジストパターン１６ａが形成された図４の基板を、
(ａ)リン酸：５６．０重量％、
(ｂ)硝酸アンモニウム：７．０重量％、
(ｃ)酢酸：２６．０重量％、
(ｄ)水：１１．０重量％、
の組成のエッチング液を用い、４０℃の温度条件下で、ジャストエッチになるまでエッチングし、水でリンスした後、乾燥した。 (5) The substrate of FIG. 4 on which the photoresist pattern 16a is formed is
(a) Phosphoric acid: 56.0% by weight,
(b) Ammonium nitrate: 7.0% by weight,
(c) Acetic acid: 26.0% by weight,
(d) Water: 11.0% by weight,
Using an etching solution having the following composition, etching was performed under a temperature condition of 40 ° C. until just etching, rinsing with water, and drying.

(６)次いで、アミン系レジスト剥離液を用いて、積層導電性薄膜１５上からフォトレジスト１６を剥離除去した。 (6) Next, the photoresist 16 was peeled and removed from the laminated conductive thin film 15 using an amine resist stripping solution.

(７)そして、得られた基板を、電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した。その結果、図５に示すように、良好な順テーパ形状を有する、第１モリブデン膜１２、アルミニウム膜１３、第２モリブデン膜１４からなる積層導電性薄膜１５が得られていることが確認された。 (7) The obtained substrate was observed with an electron microscope (SEM). As a result, as shown in FIG. 5, it was confirmed that a laminated conductive thin film 15 composed of the first molybdenum film 12, the aluminum film 13, and the second molybdenum film 14 having a favorable forward taper shape was obtained. .

(８)さらにフォトレジストパターン１６ａが形成された図４の基板を上記エッチング液を用い、４０℃の温度条件下で、ジャストエッチの１．５倍の時間でエッチングし、水でリンスした後、乾燥した。 (8) Further, the substrate of FIG. 4 on which the photoresist pattern 16a is formed is etched using the above-mentioned etching solution at a temperature of 40 ° C. for 1.5 times the time of just etch, and rinsed with water. Dried.

(９)次いで、アミン系レジスト剥離液を用いて、積層導電性薄膜１５上からフォトレジスト１６を剥離した。 (9) Next, the photoresist 16 was peeled off from the laminated conductive thin film 15 using an amine resist stripping solution.

(10)そして、得られた基板を、電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した。その結果、図５に示すように、良好な順テーパ形状を有する、第１モリブデン膜１２，アルミニウム膜１３，第２モリブデン膜１４からなる積層導電性薄膜１５が得られていることが確認された。
このように、本願発明のエッチング液は、ジャストエッチの１．５倍のエッチング時間でも順テーパ形状を得ることが可能で、極めて優れたエッチング液であることが確認された。
［比較例１］ (10) The obtained substrate was observed with an electron microscope (SEM). As a result, as shown in FIG. 5, it was confirmed that a laminated conductive thin film 15 composed of the first molybdenum film 12, the aluminum film 13, and the second molybdenum film 14 having a favorable forward taper shape was obtained. .
Thus, it was confirmed that the etching solution of the present invention can obtain a forward tapered shape even with an etching time 1.5 times that of just etching, and is an extremely excellent etching solution.
[Comparative Example 1]

（１）フォトレジストパターンが形成された図４の基板を、
（ａ）リン酸：５６．０重量％、
（ｂ）硝酸：３．０重量％、
（ｃ）酢酸：２９．０重量％、
（ｄ）水：１２．０重量％
の組成のエッチング液、すなわち、硝酸塩を含有していないエッチング液を用いて、４０℃の温度条件下で、ジャストエッチになるまでエッチングし、水でリンスした後、乾燥した。 (1) The substrate of FIG. 4 on which a photoresist pattern is formed is
(A) Phosphoric acid: 56.0% by weight,
(B) Nitric acid: 3.0% by weight
(C) Acetic acid: 29.0% by weight,
(D) Water: 12.0% by weight
An etching solution having the following composition, that is, an etching solution containing no nitrate, was etched to a just etch under a temperature condition of 40 ° C., rinsed with water, and then dried.

（２）次いで、アミン系レジスト剥離液を用いて、積層導電性薄膜１５上からフォトレジスト１６を剥離除去した。 (2) Next, the photoresist 16 was peeled and removed from the laminated conductive thin film 15 using an amine resist stripping solution.

（３）そして、得られた基板を、電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した。その結果、図６に示すように、エッチング後の積層導電性薄膜１５の形状は、最上層の第２モリブデン膜１４が後退した非順テーパ形状となり、上記実施例１の場合のような、良好な順テーパ形状を有する積層導電性薄膜１５を得ることができなかった。 (3) The obtained substrate was observed with an electron microscope (SEM). As a result, as shown in FIG. 6, the shape of the laminated conductive thin film 15 after the etching is a non-forward taper shape in which the uppermost second molybdenum film 14 is retreated, which is good as in the case of the first embodiment. A laminated conductive thin film 15 having a forward taper shape could not be obtained.

(４)さらに、フォトレジストパターンが形成された図４の基板を上記のエッチング液を用いて４０℃の温度条件下で、ジャストエッチの１．５倍のエッチング時間でエッチングし、水でリンスした後、乾燥した。 (4) Further, the substrate of FIG. 4 on which the photoresist pattern was formed was etched using the above etching solution at a temperature of 40 ° C. for an etching time 1.5 times that of just etching, and rinsed with water. After that, it was dried.

(５)次いで、アミン系レジスト剥離液を用いて、積層導電性薄膜１５上からフォトレジスト１６を剥離除去した。 (5) Next, the photoresist 16 was peeled and removed from the laminated conductive thin film 15 using an amine resist stripping solution.

(６)そして、得られた基板を、電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した。その結果、図７に示すように、エッチング後の積層導電性薄膜１５の形状は、最上層である第２モリブデン膜１４がさらに後退するとともに、第１モリブデン層も後退し、ジャストエッチの場合の形状よりもさらに著しい非順テーパ形状となることが確認された。 (6) The obtained substrate was observed with an electron microscope (SEM). As a result, as shown in FIG. 7, the shape of the laminated conductive thin film 15 after the etching is such that the second molybdenum film 14 as the uppermost layer further recedes, and the first molybdenum layer also recedes. It was confirmed that the non-forward-tapered shape was more remarkable than the shape.

なお、硝酸塩を含有していないエッチング液の組成や温度条件などを調整してエッチングを行った場合、その条件などにより、
(ａ)例えば、図８に示すように、第１モリブデン膜１２が後退したエッチング形状となる場合、
(ｂ)例えば、図９に示すように、第１モリブデン膜１２および第２モリブデン膜１４が後退したエッチング形状となる場合
などがあり、結果として、上記実施例１の場合のような、良好な順テーパ形状を有する積層導電性薄膜１５を得ることができなくなる。また、エッチング時間がジャストエッチの場合よりも長くなると、ジャストエッチの場合と比較してさらに悪化した形状となる。 In addition, when etching is performed by adjusting the composition and temperature conditions of the etchant not containing nitrate, depending on the conditions,
(a) For example, as shown in FIG. 8, when the first molybdenum film 12 has a recessed etching shape,
(b) For example, as shown in FIG. 9, there are cases where the first molybdenum film 12 and the second molybdenum film 14 have a recessed etching shape, and as a result, as in the case of Example 1 above, It becomes impossible to obtain the laminated conductive thin film 15 having the forward taper shape. Further, when the etching time is longer than that in the case of just etch, the shape is further deteriorated as compared with the case of just etch.

本願発明の他の実施例を図１０〜１３を参照しつつ、詳細に説明する。
(１)まず、ＴＦＴガラス基板２１上に、アルミニウムをスパッタして、厚みが１７００Åのアルミニウム膜２２を形成する。 Another embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS.
(1) First, aluminum is sputtered on the TFT glass substrate 21 to form an aluminum film 22 having a thickness of 1700 mm.

(２)それから、アルミニウム膜２２上にモリブデンをスパッタして、アルミニウム膜２２上に、厚みが５００Åのモリブデン膜２３を形成する。
これにより、図１０に示すように、アルミニウム膜２２（厚み１７００Å）と、モリブデン膜２３（厚み５００Å）からなる２層構造の導電性薄膜（積層導電性薄膜）２５が形成される。 (2) Then, molybdenum is sputtered on the aluminum film 22 to form a molybdenum film 23 having a thickness of 500 mm on the aluminum film 22.
As a result, as shown in FIG. 10, a conductive thin film (laminated conductive thin film) 25 having a two-layer structure composed of an aluminum film 22 (thickness 1700 mm) and a molybdenum film 23 (thickness 500 mm) is formed.

(３)次に、図１１に示すように、アルミニウム膜２２、モリブデン膜２３からなる積層導電性薄膜２５上に、フォトレジスト２６を塗布し、予め用意したパターンマスクを通して露光した後、現像し、図１２に示すように、所定のフォトレジストパターン２６ａを形成した。 (3) Next, as shown in FIG. 11, a photoresist 26 is applied on the laminated conductive thin film 25 made of the aluminum film 22 and the molybdenum film 23, exposed through a pattern mask prepared in advance, and developed. As shown in FIG. 12, a predetermined photoresist pattern 26a was formed.

(４)フォトレジストパターン２６ａが形成された図１２の基板を、
(ａ)リン酸：５６．０重量％、
(ｂ)硝酸アンモニウム：７．０重量％、
(ｃ)酢酸：２６．０重量％、
(ｄ)水：１１．０重量％
の組成のエッチング液を用い４０℃の温度条件下で、ジャストエッチになるまでエッチングし、水でリンスした後、乾燥した。 (4) The substrate of FIG. 12 on which the photoresist pattern 26a is formed is
(a) Phosphoric acid: 56.0% by weight,
(b) Ammonium nitrate: 7.0% by weight,
(c) Acetic acid: 26.0% by weight,
(d) Water: 11.0% by weight
Etching was performed under the temperature condition of 40 ° C. until just etching was performed using an etching solution having the composition: rinsed with water, and then dried.

(５)次いで、アミン系レジスト剥離液を用いて、積層導電性薄膜２５上からフォトレジスト２６を剥離した。 (5) Next, the photoresist 26 was peeled off from the laminated conductive thin film 25 using an amine resist stripping solution.

(６)そして、得られた基板を、電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した。その結果、図１３に示すように、良好な順テーパ形状を有する、アルミニウム膜２２、モリブデン膜２３からなる積層導電性薄膜２５が得られていることが確認された。 (6) The obtained substrate was observed with an electron microscope (SEM). As a result, as shown in FIG. 13, it was confirmed that a laminated conductive thin film 25 made of an aluminum film 22 and a molybdenum film 23 having a good forward taper shape was obtained.

(７)さらにフォトレジストパターンが形成された図１２の基板を上記エッチング液を用い、４０℃の温度条件下で、ジャストエッチの１．５倍の時間でエッチングし、水でリンスした後、乾燥した。 (7) Further, the substrate of FIG. 12 on which a photoresist pattern is formed is etched using the above-mentioned etching solution at a temperature of 40 ° C. for 1.5 times the time of just etching, rinsed with water, and then dried. did.

(８)次いで、アミン系レジスト剥離液を用いて、積層導電性薄膜２５上からフォトレジスト２６を剥離除去した。 (8) Next, the photoresist 26 was stripped and removed from the laminated conductive thin film 25 using an amine resist stripping solution.

(９)そして、得られた基板を、電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した。その結果、図１３に示すように、良好な順テーパ形状を有する、アルミニウム膜２２，モリブデン膜２３からなる積層導電性薄膜２５が得られていることが確認された。
このように、本願発明のエッチング液は、ジャストエッチの１．５倍のエッチング時間でも順テーパ形状を得ることが可能で、極めて優れたエッチング液であることが確認された。
［比較例２］ (9) The obtained substrate was observed with an electron microscope (SEM). As a result, as shown in FIG. 13, it was confirmed that a laminated conductive thin film 25 made of an aluminum film 22 and a molybdenum film 23 having a good forward taper shape was obtained.
Thus, it was confirmed that the etching solution of the present invention can obtain a forward tapered shape even with an etching time 1.5 times that of just etching, and is an extremely excellent etching solution.
[Comparative Example 2]

(１)フォトレジストパターン２６ａが形成された図１２の基板を、
(ａ)リン酸：５６．０重量％、
(ｂ)硝酸：３．０重量％、
(ｃ)酢酸：２９．０重量％、
(ｄ)水：１２．０重量％
の組成のエッチング液、すなわち、硝酸塩を含有していないエッチング液を用いて、４０℃の温度条件下で、ジャストエッチになるまでエッチングし、水でリンスした後、乾燥した。 (1) The substrate of FIG. 12 on which the photoresist pattern 26a is formed is
(a) Phosphoric acid: 56.0% by weight,
(b) Nitric acid: 3.0% by weight
(c) Acetic acid: 29.0% by weight,
(d) Water: 12.0% by weight
An etching solution having the following composition, that is, an etching solution containing no nitrate, was etched to a just etch under a temperature condition of 40 ° C., rinsed with water, and then dried.

(２)次いで、アミン系レジスト剥離液を用いて、積層導電性薄膜２５上からフォトレジスト２６を剥離した。 (2) Next, the photoresist 26 was peeled off from the laminated conductive thin film 25 using an amine resist stripping solution.

(３)そして、得られた基板を、電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した。その結果、図１４に示すように、エッチング後の積層導電性薄膜２５の形状は、最上層のモリブデン膜２３が後退したエッチング形状となり、上記実施例２の場合のような、良好な順テーパ形状を有する積層導電性薄膜２５を得ることができなかった。 (3) The obtained substrate was observed with an electron microscope (SEM). As a result, as shown in FIG. 14, the shape of the laminated conductive thin film 25 after the etching is an etching shape in which the uppermost molybdenum film 23 is recessed, and a favorable forward taper shape as in the second embodiment is obtained. It was not possible to obtain a laminated conductive thin film 25 having

(４)さらに、フォトレジストパターン２６ａが形成された図１２の基板を、上記エッチング液を用いて４０℃の温度条件下で、ジャストエッチの１．５倍のエッチング時間でエッチングし、水でリンスした後、乾燥した。 (4) Further, the substrate of FIG. 12 on which the photoresist pattern 26a is formed is etched using the above etching solution at a temperature of 40 ° C. for an etching time 1.5 times that of just etching, and rinsed with water. And then dried.

(５)次いで、アミン系レジスト剥離液を用いて、積層導電性薄膜２５上からフォトレジスト２６を剥離除去した。 (5) Next, the photoresist 26 was peeled and removed from the laminated conductive thin film 25 using an amine resist stripping solution.

(６)そして、得られた基板を、電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した。その結果、図１５に示すように、エッチング後の積層導電性薄膜２５の形状は、最上層のモリブデン膜２３がさらに後退したエッチング形状となり、上記実施例２のような、良好な順テーパ形状を有する積層導電性薄膜２５（図１３）を得ることはできず、エッチング時間がジャストエッチの場合と比較してさらに悪化した形状となった。 (6) The obtained substrate was observed with an electron microscope (SEM). As a result, as shown in FIG. 15, the shape of the laminated conductive thin film 25 after the etching is an etching shape in which the uppermost molybdenum film 23 is further retracted, and has a favorable forward taper shape as in the second embodiment. It was not possible to obtain the laminated conductive thin film 25 (FIG. 13), and the etching time was further deteriorated as compared with the case of just etching.

なお、硝酸塩を含有していないエッチング液を用いて、図１２に示す基板のエッチングを行った場合、エッチング条件などにより、図１６に示すように、アルミニウム膜１１（１７００Å）、モリブデン膜１２（５００Å）からなる２層構造の積層導電性薄膜２５のうち、下層のアルミニウム膜２２が後退したエッチング形状となる場合があり、結果として、上記実施例２の場合のような、良好な順テーパ形状を有する積層導電性薄膜２５を得ることができなくなることが確認されている。 Note that when the substrate shown in FIG. 12 is etched using an etchant not containing nitrate, the aluminum film 11 (1700 mm) and the molybdenum film 12 (500 mm) are etched as shown in FIG. 2) of the laminated conductive thin film 25 having a two-layer structure, the lower aluminum film 22 may be etched back, resulting in a favorable forward taper shape as in the case of Example 2 above. It has been confirmed that the laminated conductive thin film 25 can no longer be obtained.

(１)フォトレジストパターン１６ａが形成された図４の基板を、
(ａ)リン酸：７３．０重量％、
(ｂ)硝酸アンモニウム：９．０重量％、
(ｃ)酢酸：７．０重量％、
(ｄ)水：１１．０重量％
の組成のエッチング液を用いて、４０℃の温度条件下で、ジャストエッチになるまでエッチングし、水でリンスした後、乾燥した。 (1) The substrate of FIG. 4 on which the photoresist pattern 16a is formed is
(a) Phosphoric acid: 73.0% by weight
(b) Ammonium nitrate: 9.0% by weight,
(c) Acetic acid: 7.0% by weight,
(d) Water: 11.0% by weight
Etching was performed under the temperature condition of 40 ° C. until just-etching was performed, rinsed with water, and dried.

(２)次いで、アミン系レジスト剥離液を用いて、積層導電性薄膜１５上からフォトレジスト１６を剥離除去した。 (2) Next, the photoresist 16 was peeled and removed from the laminated conductive thin film 15 using an amine resist stripping solution.

(３)そして、得られた基板を、電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した。その結果、図５に示すように、良好な順テーパ形状を有する、第１モリブデン膜１２，アルミニウム膜１３、第２モリブデン膜１４からなる積層導電性薄膜１５が得られていることが確認された。
［比較例３］ (3) The obtained substrate was observed with an electron microscope (SEM). As a result, as shown in FIG. 5, it was confirmed that a laminated conductive thin film 15 having a good forward taper shape and comprising the first molybdenum film 12, the aluminum film 13, and the second molybdenum film 14 was obtained. .
[Comparative Example 3]

(１)フォトレジストパターン１６ａが形成された図４の基板を、
(ａ)リン酸：７３．０重量％、
(ｂ)硝酸：３．０重量％、
(ｃ)酢酸：７．０重量％、
(ｄ)水：１７．０重量％
の組成のエッチング液、すなわち、硝酸塩を含有していないエッチング液を用いて、４０℃の温度条件下で、ジャストエッチになるまでエッチングし、水でリンスした後、乾燥した。 (1) The substrate of FIG. 4 on which the photoresist pattern 16a is formed is
(a) Phosphoric acid: 73.0% by weight
(b) Nitric acid: 3.0% by weight
(c) Acetic acid: 7.0% by weight,
(d) Water: 17.0% by weight
An etching solution having the following composition, that is, an etching solution containing no nitrate, was etched to a just etch under a temperature condition of 40 ° C., rinsed with water, and then dried.

(３)そして、得られた基板を、電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した。その結果、図１７に示すように、第１モリブデン膜１２（厚み１００A）、アルミニウム膜１３（厚み１３００Å）、第２モリブデン膜１４（厚み５００Å）からなる３層構造の積層導電性薄膜１５のうち、中間層のアルミニウム膜１３が後退したエッチング形状となり、上記実施例３の場合のような、良好な順テーパ形状を有する積層導電性薄膜１５（図５参照）を得ることができないことが確認された。
上記実施例では、積層導電性薄膜をエッチングする場合を例にとって説明したが、基板上の形成されたアルミニウム系導電性薄膜（モリブデン系導電性薄膜を備えていない導電性薄膜）をエッチングする場合にも本願発明のエッチング液を用いることが可能であり、その場合にも、良好な順テーパ形状を有する導電性薄膜が得られることが確認されている。 (3) The obtained substrate was observed with an electron microscope (SEM). As a result, as shown in FIG. 17, among the laminated conductive thin film 15 having a three-layer structure composed of the first molybdenum film 12 (thickness 100A), the aluminum film 13 (thickness 1300 mm), and the second molybdenum film 14 (thickness 500 mm). Thus, it was confirmed that the intermediate aluminum film 13 was in an etched etching shape, and it was not possible to obtain the laminated conductive thin film 15 (see FIG. 5) having a good forward taper shape as in Example 3 above. It was.
In the above embodiment, the case where the laminated conductive thin film is etched has been described as an example. However, when the aluminum-based conductive thin film formed on the substrate (the conductive thin film not including the molybdenum-based conductive thin film) is etched. It is also possible to use the etching solution of the present invention, and in that case, it has been confirmed that a conductive thin film having a good forward taper shape can be obtained.

なお、本願発明は、上記実施例に限定されるものではなく、導電性薄膜の具体的な構成、導電性薄膜が積層導電性薄膜である場合における積層導電性薄膜を構成する各膜の種類や厚み、具体的なエッチング条件、エッチング液の具体的な組成などに関し、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。 In addition, this invention is not limited to the said Example, The specific structure of an electroconductive thin film, the kind of each film | membrane which comprises the laminated electroconductive thin film in the case where an electroconductive thin film is a laminated electroconductive thin film, Various applications and modifications can be added within the scope of the invention with respect to thickness, specific etching conditions, specific composition of the etching solution, and the like.

上述のように、本願発明によれば、基板上に形成されたアルミニウム系導電性薄膜、あるいは少なくとも一層の、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなるアルミニウム系導電性薄膜と、少なくとも一層の、モリブデンまたはモリブデン合金からなるモリブデン系導電性薄膜とを備えた積層導電性薄膜を、一回のエッチング操作で効率よくエッチングして、アンダーカットやサイドエッチングの発生を防止しつつ、良好な順テーパ形状の側面が形成されるようなエッチングを行うことが可能で、微細な配線形状を精度よく形成することが可能になる。
したがって、本願発明は、半導体装置や液晶表示装置などの電極配線の形成技術などに関する分野に広く適用することが可能である。 As described above, according to the present invention, an aluminum-based conductive thin film formed on a substrate, or at least one aluminum-based conductive thin film made of aluminum or an aluminum alloy, and at least one layer of molybdenum or a molybdenum alloy. A laminated conductive thin film with a molybdenum-based conductive thin film is efficiently etched in a single etching operation to prevent the occurrence of undercuts and side etching, while forming a favorable forward-tapered side surface. Etching can be performed, and a fine wiring shape can be accurately formed.
Therefore, the present invention can be widely applied to fields related to the formation technique of electrode wirings such as semiconductor devices and liquid crystal display devices.

液晶表示装置における薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor）の構成図である。It is a block diagram of the thin film transistor (Thin Film Transistor) in a liquid crystal display device. 本願発明の一実施例（実施例１）において、基板上に、下層側から順に、第１モリブデン膜、アルミニウム膜、第２モリブデン膜を成膜することにより形成された３層構造の積層導電性薄膜の構成を示す図である。In one embodiment (Embodiment 1) of the present invention, a laminated conductive layer having a three-layer structure formed by forming a first molybdenum film, an aluminum film, and a second molybdenum film on a substrate in order from the lower layer side. It is a figure which shows the structure of a thin film. 本願発明の実施例１において、積層導電性薄膜上にフォトレジストを塗布した状態を示す図である。In Example 1 of this invention, it is a figure which shows the state which apply | coated the photoresist on the laminated conductive thin film. 本願発明の実施例１，３において、フォトレジストをパターンマスクを通して露光、現像し、所定のフォトレジストパターンを形成した状態を示す図である。In Example 1, 3 of this invention, it is a figure which shows the state which exposed and developed the photoresist through the pattern mask, and formed the predetermined photoresist pattern. 本願発明の実施例１，３の方法でエッチングされた積層導電性薄膜の形状を示す図である。It is a figure which shows the shape of the lamination | stacking electroconductive thin film etched by the method of Example 1, 3 of this invention. 比較例１の方法でエッチングされた積層導電性薄膜の形状を示す図である。It is a figure which shows the shape of the laminated conductive thin film etched by the method of the comparative example 1. 比較例１の方法により、ジャストエッチの１．５倍のエッチング時間でエッチングされた積層導電性薄膜の形状を示す図である。It is a figure which shows the shape of the lamination | stacking electroconductive thin film etched by the method of the comparative example 1 with the etching time 1.5 times as long as just etching. 本願発明の要件を備えていない方法によりエッチングされた積層導電性薄膜の形状の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the shape of the laminated conductive thin film etched by the method which does not have the requirements of this invention. 本願発明の要件を備えていない方法によりエッチングされた積層導電性薄膜の形状の他の例を示す図である。It is a figure which shows the other example of the shape of the lamination | stacking electroconductive thin film etched by the method which does not have the requirements of this invention. 本願発明の実施例２において、基板上に、下層側から順に、アルミニウム膜、モリブデン膜を成膜することにより形成された２層構造の積層導電性薄膜の構成を示す図である。In Example 2 of this invention, it is a figure which shows the structure of the laminated conductive thin film of the 2 layer structure formed by forming an aluminum film and a molybdenum film | membrane in order from a lower layer side on a board | substrate. 本願発明の実施例２において、積層導電性薄膜上にフォトレジストを塗布した状態を示す図である。In Example 2 of this invention, it is a figure which shows the state which apply | coated the photoresist on the laminated conductive thin film. 本願発明の実施例２において、フォトレジストをパターンマスクを通して露光、現像し、所定のフォトレジストパターンを形成した状態を示す図である。In Example 2 of this invention, it is a figure which shows the state which exposed and developed the photoresist through the pattern mask and developed the predetermined photoresist pattern. 本願発明の実施例２の方法でエッチングされた積層導電性薄膜の形状を示す図である。It is a figure which shows the shape of the laminated conductive thin film etched by the method of Example 2 of this invention. 比較例２の方法でエッチングされた積層導電性薄膜の形状の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the shape of the laminated conductive thin film etched by the method of the comparative example 2. 比較例２の方法により、ジャストエッチの１．５倍のエッチング時間でエッチングされた積層導電性薄膜の形状を示す図である。It is a figure which shows the shape of the lamination | stacking electroconductive thin film etched by the method of the comparative example 2 with the etching time of 1.5 times of just etching. 本願発明の要件を備えていない方法によりエッチングされた積層導電性薄膜の形状の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the shape of the laminated conductive thin film etched by the method which does not have the requirements of this invention. 比較例３の方法でエッチングされた積層導電性薄膜の形状を示す図である。It is a figure which shows the shape of the lamination | stacking electroconductive thin film etched by the method of the comparative example 3. FIG.

Explanation of symbols

１ガラス基板
２ゲート電極
３ゲート絶縁膜（ＳｉＮ_x膜）
４ａ−Ｓｉ活性層
５ｎ⁺ａ−Ｓｉコンタクト層
６エッチング保護膜
７ソース電極
８ドレイン電極
９パッシベーション膜（ＳｉＮ_x膜）
１０画素電極
１１ガラス電極
１２第１モリブデン膜
１３アルミニウム膜
１４第２モリブデン膜
１５導電性薄膜（積層導電性薄膜）
１６フォトレジスト
１６ａフォトレジストパターン
２１ガラス基板
２２アルミニウム膜
２３モリブデン膜
２５導電性薄膜（積層導電性薄膜）
２６フォトレジスト
２６ａフォトレジストパターン 1 Glass substrate 2 Gate electrode 3 Gate insulating film (SiN _x film)
4 a-Si active layer 5 n ⁺ a-Si contact layer 6 etching protective film 7 source electrode 8 drain electrode 9 passivation film (SiN _x film)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Pixel electrode 11 Glass electrode 12 1st molybdenum film 13 Aluminum film 14 2nd molybdenum film 15 Conductive thin film (laminated conductive thin film)
16 Photoresist 16a Photoresist pattern 21 Glass substrate 22 Aluminum film 23 Molybdenum film 25 Conductive thin film (laminated conductive thin film)
26 photoresist 26a photoresist pattern

Claims

A conductive thin film formed on a substrate,
[1] An aluminum-based conductive thin film made of aluminum or an aluminum alloy formed on a substrate, or
[2] A laminated conductive thin film comprising at least one aluminum-based conductive thin film made of aluminum or an aluminum alloy and at least one molybdenum-based conductive thin film made of molybdenum or a molybdenum alloy formed on the substrate An etching solution for etching
An etching solution comprising (a) phosphoric acid, (b) nitrate, (c) an organic acid, and (d) water.

An etching solution comprising (e) nitric acid added to the etching solution of claim 1.

3. The etching solution according to claim 1, wherein the nitrate is at least one compound selected from the group consisting of ammonium nitrate, amine salt, quaternary ammonium salt and alkali metal salt of nitric acid.

The organic acid is selected from the group consisting of aliphatic monocarboxylic acids, aliphatic polycarboxylic acids, aliphatic oxycarboxylic acids, aliphatic aminocarboxylic acids, aromatic monocarboxylic acids, aromatic polycarboxylic acids, and aromatic oxycarboxylic acids. 3. The etching method according to claim 1, wherein the etching method is at least one selected.

(a) a laminated conductive thin film having a two-layer structure comprising a first conductive thin film mainly composed of molybdenum and a second conductive thin film mainly composed of aluminum; or
(b) a first conductive thin film mainly composed of molybdenum, a second conductive thin film mainly composed of aluminum formed thereon, and a first conductive thin film mainly composed of molybdenum formed thereon. 5. The etching solution according to claim 1, wherein the etching solution is used for etching a laminated conductive thin film having a three-layer structure comprising three conductive thin films.

A laminated conductive thin film formed on a substrate, comprising: at least one aluminum-based conductive thin film made of aluminum or an aluminum alloy; and at least one molybdenum-based conductive thin film made of molybdenum or a molybdenum alloy. An etching method comprising contacting a laminated conductive thin film with the etching solution according to claim 1.

A laminated conductive thin film formed on a substrate,
(a) a laminated conductive thin film having a two-layer structure comprising a first conductive thin film mainly composed of molybdenum and a second conductive thin film mainly composed of aluminum; or
(b) a first conductive thin film mainly composed of molybdenum, a second conductive thin film mainly composed of aluminum formed thereon, and a first conductive thin film mainly composed of molybdenum formed thereon. A laminated conductive thin film having a three-layer structure composed of three conductive thin films,
An etching method comprising contacting with the etching solution according to claim 1.