JP2008291728A - Igniter for internal combustion engine - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体スイッチング素子にてコイルの一次側巻線に流す電流を制御し、コイルの二次側巻線に接続されたプラグによる点火を制御する内燃機関用点火装置(以下、単に点火装置という)に関するものである。 The present invention controls an ignition device for an internal combustion engine (hereinafter simply referred to as an ignition device) that controls a current flowing in a primary winding of a coil by a semiconductor switching element and controls ignition by a plug connected to the secondary winding of the coil. )).
点火装置では、点火コイルの通電開始時に、点火コイルの二次巻線側のプラグに、プラス側の電圧、いわゆるオン電圧が発生することにより、プラグで飛び火が発生し、早期着火する現象が生じる恐れがあることが知られている。特に最近のエンジンでは、高圧縮比化、リーンバーン化に伴い、点火コイルの発生電圧増加が要求される傾向があるため、オン電圧が高くなってしまう傾向にある。従って、オン電圧低減の必要性がより高まって来ている。 In the ignition device, when energization of the ignition coil is started, a positive voltage, so-called on-voltage, is generated in the plug on the secondary winding side of the ignition coil. It is known that there is a fear. Particularly in recent engines, as the compression ratio and lean burn increase, there is a tendency to increase the voltage generated by the ignition coil, so the on-voltage tends to increase. Therefore, the necessity for reducing the on-voltage is increasing.
従来のコイル駆動回路としては、例えば図6の回路が知られており、IGBT100のゲートと電源101との間に2つの抵抗102、103を備えると共に、2つの抵抗102、103の間にNPNトランジスタ104のコレクタを接続し、エンジンECU105からの点火信号を波形整形回路106にて波形整形された信号によりNPNトランジスタ104をオンオフすることで、IGBT100のゲートに電流が供給される場合と供給されない場合とを制御することができる回路構成となっている。この回路では、抵抗102の抵抗値を増加させることによりオン電圧を低減することができる(例えば特許文献1参照)。
しかしながら、この抵抗値を上げすぎると、ゲート電圧の上昇速度が低下し所定電圧に到達するまでの所要時間が長くなり、ゲート電圧がしきい値電圧に達してコイル電流が流れ始めてから点火するまでに要する通電時間が短くなることになる。その結果、運転条件によって、例えば高回転時などでは、所定の通電時間が得られなくなり、点火コイルが所望の電圧を発生しなくなり、失火するおそれもあった。従って、抵抗102の抵抗値は、これらオン時間と、通電開始時間確保を両立させるよう選定する必要があり、選定の自由度が少なかった。
However, if this resistance value is increased too much, the rate of increase of the gate voltage decreases and the time required to reach the predetermined voltage becomes longer. From when the gate voltage reaches the threshold voltage and the coil current starts to flow until ignition occurs The energization time required for is shortened. As a result, depending on the operating conditions, for example, at a high speed, a predetermined energization time cannot be obtained, and the ignition coil does not generate a desired voltage, which may cause a misfire. Therefore, it is necessary to select the resistance value of the
また、近年の車両は搭載される電子機器が増加し、バッテリに対する電気負荷が増大する傾向にあるため、運転状況や電子機器の使用状況によっては、バッテリ電圧低下量が増加傾向にある。特に、始動時には、そのような状況が発生し易い。そして、図6の回路の場合、バッテリ電圧が低下した場合、ゲート電圧の上昇速度が低減し、通電開始時間のバラツキが大きくなるため、所定の点火性能を確保するコイル電流が流せなくなる可能性がある。これを対策するためには抵抗102の抵抗値を減少させる必要があるが、このことは、バッテリ電圧が高い時のオン電圧を増大させてしまうことになる。このように、従来の回路では、バッテリ電圧の低下を考慮した場合、オン電圧低減と、通電開始時間確保を両立させることが非常に困難であるという問題があった。
In recent years, the number of electronic devices installed in vehicles tends to increase and the electric load on the battery tends to increase. Therefore, the amount of decrease in battery voltage tends to increase depending on the driving conditions and the usage conditions of the electronic devices. In particular, such a situation tends to occur at the time of starting. In the case of the circuit of FIG. 6, when the battery voltage decreases, the rate of increase in the gate voltage decreases, and the variation in the energization start time increases, so there is a possibility that a coil current that ensures a predetermined ignition performance cannot flow. is there. In order to prevent this, it is necessary to reduce the resistance value of the
本発明は上記点に鑑みて、高い抵抗値を有する抵抗を用いることなく、バッテリ電圧低下時のオン電圧低減および通電開始時間確保の両立を図ることができる点火装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above points, and it is an object of the present invention to provide an ignition device that can achieve both reduction of on-voltage when battery voltage drops and securing of energization start time without using a resistor having a high resistance value. .
上記目的を達成するため、本発明では、点火コイル(8)の一次巻線(8a)に接続され、ゲート電圧(VG)を制御してコレクタ−エミッタ間に流れる電流を制御することにより、一次巻線(8a)に流されるコイル電流(I1)を制御すると共に、点火コイル(8)の二次巻線(8b)の両端電圧(V2)を制御し、プラグ(10)での放電を制御するMOS構造の半導体スイッチング素子(5)と、半導体スイッチング素子(5)のゲートに対して定電流を供給することで、ゲートに電荷を蓄積し、ゲート電圧(VG)を上昇させる定電流回路(6)と、点火信号に基づいて定電流回路(6)が形成した定電流を半導体スイッチング素子(5)のゲートに供給するか否かの切替えを行うことで、半導体スイッチング素子(5)のオンオフを制御する制御手段(2、3)と、を備えていることを特徴としている。 In order to achieve the above object, in the present invention, the primary coil (8a) is connected to the primary winding (8a), and the gate voltage (VG) is controlled to control the current flowing between the collector and the emitter. The coil current (I1) flowing through the winding (8a) is controlled, the voltage (V2) across the secondary winding (8b) of the ignition coil (8) is controlled, and the discharge at the plug (10) is controlled. A semiconductor switching element (5) having a MOS structure and a constant current circuit for accumulating charges in the gate and increasing the gate voltage (VG) by supplying a constant current to the gate of the semiconductor switching element (5) 6) and whether or not the constant current formed by the constant current circuit (6) is supplied to the gate of the semiconductor switching element (5) based on the ignition signal, thereby switching on / off of the semiconductor switching element (5). Is characterized in that it comprises a control the control means (2, 3), the.
このような点火装置では、定電流回路(6)で形成される定電流に基づいて半導体スイッチング素子(5)のゲートに電荷が蓄積されるようにしている。このため、ゲートに電荷が蓄積される速度が一定に保たれるようにでき、ゲート電圧(VG)の上昇を緩やかにすることが可能となる。具体的には、半導体スイッチング素子(5)のゲート電圧(VG)は、制御手段(3)にて定電流回路(6)が形成する定電流がゲートに供給されたときに、一定勾配で直線状に上昇したのち、半導体スイッチング素子(5)のしきい値電圧(Vt)において平坦状態となり、さらに一定勾配で直線状に上昇するようになる。
そして、ゲート電圧(VG)がしきい値電圧(Vt)に達してコイル電流が流れ始めるが、ゲート電圧(VG)がしきい値電圧(Vt)の付近では、半導体スイッチング素子(5)の電流通電能力が制限されるため、半導体スイッチング素子(5)のしきい値電圧(Vt)においてほぼ平坦状態の時間(Δt0)が長時間掛かるようにでき、この間、半導体スイッチング素子(5)のコレクタ電圧の低下の速さを遅くすることが可能となり、一次巻線(8a)の両端の電位差を小さくできる。これにより、二次巻線(8b)側の両端電異差を低く抑えることが可能となるため、プラグ(10)の電極部(V2)に発生するオン電圧を低下することが可能となる。
In such an ignition device, charges are accumulated in the gate of the semiconductor switching element (5) based on the constant current formed by the constant current circuit (6). For this reason, the rate at which charges are accumulated in the gate can be kept constant, and the rise in the gate voltage (VG) can be moderated. Specifically, the gate voltage (VG) of the semiconductor switching element (5) is linear with a constant gradient when the constant current formed by the constant current circuit (6) is supplied to the gate by the control means (3). Then, the semiconductor switching element (5) becomes flat at the threshold voltage (Vt), and further rises linearly with a constant gradient.
Then, the gate voltage (VG) reaches the threshold voltage (Vt) and the coil current starts to flow. However, when the gate voltage (VG) is near the threshold voltage (Vt), the current of the semiconductor switching element (5). Since the current-carrying capacity is limited, the threshold voltage (Vt) of the semiconductor switching element (5) can take a substantially flat time (Δt0) for a long time. During this time, the collector voltage of the semiconductor switching element (5) Can be reduced, and the potential difference between both ends of the primary winding (8a) can be reduced. As a result, it is possible to suppress the difference in electric current between both ends on the secondary winding (8b) side, so that the on-voltage generated in the electrode portion (V2) of the plug (10) can be reduced.
例えば、定電流回路(6)にて形成される定電流の電流値を10〜200μAにすることにより、平坦状態となる時間を5〜200μsにすることができる。 For example, by setting the current value of the constant current formed in the constant current circuit (6) to 10 to 200 μA, the time for the flat state can be set to 5 to 200 μs.
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。 In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each said means shows the correspondence with the specific means as described in embodiment mentioned later.
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
(第1実施形態)
図1は、本実施形態における点火装置1を含む点火系の回路構成図である。この図を参照して、本実施形態における点火装置1について説明する。
(First embodiment)
FIG. 1 is a circuit configuration diagram of an ignition system including an
図1に示されるように、点火装置1は、波形整形回路2と、NPNトランジスタ3、抵抗4、IGBT5および定電流回路6が備えられて構成されたもので、エンジンECU7からの点火信号に基づいて点火コイル8の一次巻線8aへの電源9からの電力供給のスイッチング制御を行う。
As shown in FIG. 1, the
エンジンECU7から送られる点火信号は波形整形回路2にて波形整形され、波形整形後の信号によりNPNトランジスタ3のゲート電圧を制御することで、NPNトランジスタ3が制御される。具体的には、エンジンECU7からコイル通電前はLowレベル、コイル通電時にHiレベルとなる点火信号が送られてくると、それが波形整形回路にてレベルが反転させられ、その反転した点火信号にてNPNトランジスタ3のオンオフが制御される。
The ignition signal sent from the
NPNトランジスタ3のコレクタには、入力保護用の抵抗4を介してIGBT5のゲートが接続されており、NPNトランジスタ3のオンオフ状態に応じてIGBT5のゲートに対して印加されるゲート電圧VGが制御される。すなわち、NPNトランジスタ3がオンのときには、NPNトランジスタ3のコレクタ電位(つまりIGBT5のゲート電圧)がほぼゼロになるためIGBT5がオフになるが、NPNトランジスタ3がオフになるとIGBT5はゲート電圧VGが高くなるためオンする。このため、IGBT5がオフのときには、IGBT5のコレクタに接続された点火コイル8の一次巻線8aに電流が流れず、一次巻線8a両端に電位差は発生しないため、二次巻線8bの両端にも電位差は発生しないが、IGBT5がオンになると、バッテリなどの電源9からの電力供給に基づき点火コイル8の一次巻線8aに電流が流れ一次巻線8a両端に電位差が発生する。それにより、二次巻線8bの両端にも一次巻線8aと二次巻線8bの巻数比倍の電位差が発生することにより、プラグ10の電極部にオン電圧が発生する。一次巻線に所望の電流が通電された後、IGBT5をオフする過程で、IGBT5のコレクタ部電圧が上昇し一次巻線8aに電圧差が発生し、二次巻線8bにも一次巻線8aと二次巻線8bの巻数比倍の高電圧が発生する。これにより、点火コイル8の二次巻線8bに接続されたプラグ10で放電させることができるため、エンジンECU7の点火信号に基づいて、点火装置1によるプラグ10の点火タイミングの制御を行うことができるようになっている。
The collector of the
このような構造の点火装置1において、定電流回路6は、電源9からIGBT5のゲートにゲート電圧VGを供給する経路上に配置されている。NPNトランジスタ3がオフされたときには、定電流回路6にて形成される定電流に基づいてIGBT5のゲートに電荷が蓄積される。これにより、ゲート電圧VGが上昇し、IGBT5がオンさせられる。定電流回路6として、例えば定電流の電流値が10〜200μAのものを用いることができる。
In the
以上のようにして、本実施形態の点火装置1が構成されている。続いて、本実施形態の点火装置1の詳細な作動および効果について、図2〜図5を参照して説明する。
As described above, the
図2は、本実施形態の点火装置1による点火時の各部のタイミングチャートであり、図3は、図2に示す期間TAにおけるIGBT5のゲート電圧の変化のみを拡大して示したタイミングチャートである。
FIG. 2 is a timing chart of each part at the time of ignition by the
図2に示すように、エンジンECU7から点火信号が入力される。まず、点火信号がLowレベルの際には、波形整形回路2にてそれがHiレベルの信号に反転されるため、NPNトランジスタ3がオンした状態となる。このため、NPNトランジスタ3のコレクタ−エミッタ間の電位差がほぼ0となり、定電流回路6が形成する定電流がNPNトランジスタ3側に流れ、IGBT5はオフ状態となる。
As shown in FIG. 2, an ignition signal is input from the
一方、図中時点T1において、点火信号がLowレベルからHiレベルに切り替わると、波形整形回路2にて点火信号がLowレベルに反転されるため、NPNトランジスタ3がオフになる。これにより、定電流回路6にて形成された定電流に基づき、抵抗4を介してIGBT5のゲートに電荷が蓄積されていく。このとき、定電流回路6にて形成された定電流にて制限されるため、IGBT5のゲートに電荷が蓄積される速度が一定に保たれることになる。そして、IGBT5のゲートが入力容量を持っており、一定の電荷量が供給されないとゲート電圧VGが高くならないという特徴を有しているため、IGBT5のゲートの入力容量への充電時間により、ゲート電圧VGの上昇を緩やかにすることができる。したがって、図3に示すように、IGBT5のしきい値電圧Vtまで比較的緩やかなほぼ直線状の第1の勾配θ1でゲート電圧VGが上昇していく。
On the other hand, when the ignition signal is switched from the Low level to the Hi level at the time T1 in the figure, the ignition signal is inverted to the Low level by the waveform shaping circuit 2, so that the
そして、IGBT5に一定量の電荷が蓄積され、図2および図3中の時点T2のように、ゲート電圧VGがしきい値電圧Vtに達すると、IGBT5がオフからオンに切り替わる。これにより、IGBT5のコレクタ電圧VCが低くなり、一次巻線8aの両端に電位差が発生し、点火コイル8の一次巻線8aへの通電が開始される。そして、それに伴って、図2に示すように、二次巻線8bの両端電圧が一次巻線8aとの巻線比に応じた高電圧になり、プラグ部電圧V2にオン電圧が発生する。
Then, when a certain amount of electric charge is accumulated in the IGBT 5 and the gate voltage VG reaches the threshold voltage Vt as shown at time T2 in FIGS. 2 and 3, the IGBT 5 is switched from OFF to ON. Thereby, the collector voltage VC of the IGBT 5 is lowered, a potential difference is generated between both ends of the primary winding 8a, and energization to the primary winding 8a of the
ただし、ゲート電圧VGがしきい値電圧Vtに達してコイル電流が流れ始めるが、ゲート電圧VGがしきい値電圧Vtの付近では、IGBT5の電流通電能力が制限されるため、IGBT5の電流能力が大きく制限され、IGBT5のコレクタ電圧VCは電源9の電圧VBから緩やかに低下し始める。そして、コレクタ電圧VCが低下する時間、ゲートに供給される電流はコレクタ−ゲート間の容量とこの間の電圧変化に応じて充電されていくため、図2および図3に示すように、ゲート電圧VGはしきい値電圧Vtにおいて概ね平坦状態のままとなる。この平坦状態となる時間も、定電流回路6が形成する定電流の大きさによって決まるものであり、一定時間とすることが可能である。例えば、定電流回路6で形成される定電流の電流値を上述したように10〜200μAに設定すると、平坦状態となる時間を5〜200μsecに設定することができる。
However, although the gate voltage VG reaches the threshold voltage Vt and the coil current starts to flow, the current conduction capability of the IGBT 5 is limited when the gate voltage VG is in the vicinity of the threshold voltage Vt. The collector voltage VC of the IGBT 5 starts to gradually decrease from the voltage VB of the
この後、IGBT5のコレクタ電圧VCが低下しきると、IGBT5のゲートに一定量の電荷が蓄積されるため、IGBT5の電流能力の制限によるコイル電流の制限、すなわち一次巻線8aに流れる電流の制限が無くなり、ゲート電圧VGが再び直線状に第1の勾配θ1で上昇する。一次巻線に所望の電流が通電された後、IGBT5をオフする過程で、IGBT5のコレクタ部電圧が上昇し一次巻線8aに電圧差が発生し、二次巻線8bにも一次巻線8aと二次巻線8bの巻数比倍の高電圧が発生する。これにより、点火コイル8の二次巻線8bに接続されたプラグ10が放電し、点火が行われる。
Thereafter, when the collector voltage VC of the IGBT 5 is lowered, a certain amount of charge is accumulated in the gate of the IGBT 5, so that the coil current is limited by limiting the current capability of the IGBT 5, that is, the current flowing through the primary winding 8a is limited. The gate voltage VG rises again linearly at the first gradient θ1. In the process of turning off the IGBT 5 after a desired current is passed through the primary winding, the collector voltage of the IGBT 5 rises, causing a voltage difference in the primary winding 8a, and the primary winding 8a also in the secondary winding 8b. And a high voltage that is twice the turn ratio of the secondary winding 8b is generated. Thereby, the
このように、定電流回路6で形成される定電流に基づいてIGBT5のゲートに電荷が蓄積されるようにすることで、蓄積される速度が一定に保たれるようにでき、ゲート電圧VGの上昇を緩やかにすることが可能となる。そして、ゲート電圧VGがしきい値電圧Vtに達してコイル電流が流れ始めてからIGBTによる電流制限が掛かる電流制限時間Δt0が、ゲート電圧がしきい値電圧Vtで一定となっている時間によって決まり、これらを定電流回路6が形成する定電流の大きさによって決めることができる。このため、この通電開始時間Δt0を調整することが可能となり、IGBT5のコレクタ電圧の低下の速さを調整することができる。これにより、通電開始時間Δt0が長時間掛かるようにでき、IGBT5のコレクタ電圧の低下の速さを遅くすることにより二次巻線8b側の両端電圧を低く抑えることが可能となるため、プラグ部電圧V2のオン電圧を低下することが可能となる。
In this way, by accumulating charges in the gate of the IGBT 5 based on the constant current formed by the constant
さらに、電源9の電圧が上昇したり、低下した場合にも、図3の破線で示したように、ゲート電圧VGの変化の仕方は電源9の通常時の電圧のときとほぼ同じとなり、電源9の電圧に拘わらず、電流制限時間Δt0はほぼ一定になる。したがって、電源9の電圧が変動しても、オン電圧を低下することが可能となる。
Further, even when the voltage of the
図4は、従来の点火装置による点火時の各部のタイミングチャートであり、図5は、図4に示す期間TAにおけるIGBTのゲート電圧の変化のみを拡大して示したタイミングチャートであり、(a)〜(c)は、電源(バッテリ)電圧が正常時、上昇時、低下時をそれぞれ示している。 FIG. 4 is a timing chart of each part at the time of ignition by the conventional ignition device, and FIG. 5 is a timing chart showing only the change in the gate voltage of the IGBT in the period TA shown in FIG. ) To (c) show the power supply (battery) voltage when it is normal, when it rises, and when it falls.
従来の点火装置の場合も、図4の時点T1において、点火信号がLowレベルからHiレベルに切り替わると、図6に示した抵抗102、103を介してIGBT100のゲートに電荷が蓄積されていく。このとき、抵抗102、103を介してIGBT100のゲートに電流を供給しているため、図5(a)〜(c)に示すように、ゲート電圧VGは、しきい値電圧Vtまで達するまでの立上り初期もしきい値電圧Vtよりも高くなる立上り周期も、抵抗102、103とゲート容量にて構成されるコンデンサとの充電回路の時定数に応じたエキスポネンシャルカーブを示し、勾配θ2も大きく、しきい値電圧Vtにおいて短期間平坦状態となる。このため、図4に示すように、ゲート電圧VGの上昇が速く、コレクタ電圧VCの低下も速くなって、二次巻線の両端電圧V2も必要以上に高電圧になるため、オン電圧が高くなってしまう。
Also in the case of the conventional ignition device, when the ignition signal is switched from the Low level to the Hi level at time T1 in FIG. 4, charges are accumulated in the gate of the
ここで、従来の点火装置において、電源が通常状態(例えばバッテリ電圧≒12V等)の場合に、例えばオン電圧を本実施形態と同等まで低下させるために、抵抗102の抵抗値やゲート絶縁膜厚を調整するなどにより、ゲート電圧VGの波形の平坦状態となる部分の時間を調整すれば、本実施形態と同様に、コレクタ電圧VCの変化時間を調整できるため、点火コイルの一次巻線側の両端電圧が大きくなることを抑えることができ、二次巻線の両端電圧で決まるオン電圧も低く抑えることが可能となる。
Here, in the conventional ignition device, when the power source is in a normal state (for example, battery voltage ≈ 12 V), for example, the resistance value of the
しかしながら、図5(a)〜(c)に示すように、従来の点火装置におけるゲート電圧VGの変化の仕方は、電源電圧の大きさに応じて異なり、電源電圧が通常時よりも大きくなるとゲート電圧VGが立上りが速く(勾配θ2がより大きく)なり、電源電圧が通常時よりも小さくなるとゲート電圧VGが遅く(勾配θ2が小さく)なる。このため、電源電圧の大きさに応じて電流制限時間Δt0が大きくばらつき、電源電圧の低下時には点火コイルへの通電ができなくなる可能性もある。 However, as shown in FIGS. 5A to 5C, the manner of changing the gate voltage VG in the conventional ignition device differs depending on the magnitude of the power supply voltage. When the power supply voltage becomes larger than normal, the gate voltage VG changes. The voltage VG rises quickly (gradient θ2 is larger), and when the power supply voltage is smaller than normal, the gate voltage VG is delayed (gradient θ2 is reduced). For this reason, the current limit time Δt0 varies greatly depending on the magnitude of the power supply voltage, and there is a possibility that the ignition coil cannot be energized when the power supply voltage decreases.
以上説明したように、本実施形態の点火装置1によれば、定電流回路6で形成される定電流に基づいてIGBT5のゲートに電荷が蓄積されるようにすることで、オン電圧を低下させることと電流制限時間Δt0を確保することの両立が可能となる。また、高い抵抗値の抵抗を用いるものではなく、定電流回路6を用いているため、選定の自由度が小さくなることも無い。
As described above, according to the
さらに、定電流回路6を用いているため、電源9の電圧が変動しても、電流制限時間Δt0がほぼ一定となるようにできる。したがって、本実施形態の点火装置1を、例えばバッテリ電圧低下時のように電源9の電圧の低下に対する影響が少ないものにすることが可能となる。
Furthermore, since the constant
なお、点火コイル8の一次巻線8aと二次巻線8bとの間にオン飛火防止用のダイオードを備えることもできるが、上述したように、本実施形態の点火装置1によれば、オン電圧を低減することが可能になるため、このダイオードを備えなくても良い。勿論、オン飛火防止用のダイオードを備えれば、より確実にオン飛火防止を行うことが可能となる。
Although an on-fire prevention diode can be provided between the primary winding 8a and the secondary winding 8b of the
(他の実施形態)
上記実施形態では、負荷駆動用の半導体スイッチング素子としてIGBT5を例に挙げて説明したが、パワーMOSFETを用いる場合であっても本発明を適用することが可能である。
(Other embodiments)
In the above embodiment, the IGBT 5 has been described as an example of a semiconductor switching element for driving a load. However, the present invention can be applied even when a power MOSFET is used.
さらに、上記実施形態では、点火信号に基づいて定電流回路6の形成する定電流をIGBT5のゲートに供給するか否かを制御する制御手段として、波形整形回路2およびNPNトランジスタ3にて行っているが、他の回路構成であっても構わない。例えば、NPNトランジスタ3をMOSトランジスタに変更しても構わない。
Further, in the above embodiment, the waveform shaping circuit 2 and the
1…点火装置、2…波形整形回路、3…NPNトランジスタ、4…抵抗、
5…IGBT、6…定電流回路、7…エンジンECU、8…点火コイル、
8a…一次巻線、8b…二次巻線、9…電源、10…プラグ
DESCRIPTION OF
5 ... IGBT, 6 ... constant current circuit, 7 ... engine ECU, 8 ... ignition coil,
8a ... primary winding, 8b ... secondary winding, 9 ... power supply, 10 ... plug
Claims (4)
前記半導体スイッチング素子(5)のゲートに対して定電流を供給することで、前記ゲートに電荷を蓄積し、前記ゲート電圧(VG)を上昇させる定電流回路(6)と、
点火信号に基づいて前記定電流回路(6)が形成した前記定電流を前記半導体スイッチング素子(5)の前記ゲートに供給するか否かの切替えを行うことで、前記半導体スイッチング素子(5)のオンオフを制御する制御手段(2、3)と、を備えていることを特徴とする内燃機関用点火装置。 Coil current that is connected to the primary winding (8a) of the ignition coil (8) and controls the gate voltage (VG) to control the current that flows between the collector and the emitter, thereby flowing the primary winding (8a). (I1) is controlled, and the voltage (V2) across the secondary winding (8b) of the ignition coil (8) is controlled to control the discharge at the plug (10). )When,
A constant current circuit (6) for storing a charge in the gate and increasing the gate voltage (VG) by supplying a constant current to the gate of the semiconductor switching element (5);
By switching whether or not to supply the constant current formed by the constant current circuit (6) to the gate of the semiconductor switching element (5) based on the ignition signal, the semiconductor switching element (5) And an ignition device for an internal combustion engine, characterized by comprising control means (2, 3) for controlling on / off.
Priority Applications (2)
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