JP2008290994A - 含フッ素アルキルエステルの製造方法 - Google Patents

含フッ素アルキルエステルの製造方法 Download PDF

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明平 杉山
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Abstract

【課題】ヘキサフルオロアルキルエステル等の含フッ素アルキルエステルを、安価な原料を用いて、簡便に収率良く製造できる方法を提供する。
【解決手段】一般式(1)

(式中、Rf及びRfは、例えばCF3基であり、Rは、例えばメチル基である。)で表される化合物を、例えばピリジンの存在下に、一般式:RCOX(式中、Rは、例えばフェニル基であり、Xは塩素原子である)で表される化合物と反応させることを特徴とする、含フッ素アルキルエステル(例えばヘキサフルオロイソプロピルベンゾエート)の製造方法。
【選択図】なし

Description

本発明は、含フッ素アルキルエステルの製造方法に関する。
ヘキサフルオロアルキルエステルは、合成樹脂、合成ゴムなどのモノマー;光学材料の中間体;医薬農薬などの中間原料等の各種の用途を有する有用な化合物である。
このような各種の用途を有するヘキサフルオロアルキルエステルの製造方法としては、例えば、ベンゾイルエステルについては、イソプロパノールを原料として、下記の反応式(1)に従って製造する方法が知られている(下記非特許文献1参照)。
PhCOCl+(CF3)2CHOH+(C2H5)3N → PhCO2CH(CF3)2+(C2H5)3N:HCl ・・・・(1)
(上記反応式において、Phは、フェニル基を示す)
また、下記非特許文献2には、下記反応式(2)に従ってヘキサフルオロアルキルエステルを製造する方法が記載されている。
PhCO2H + Ph3PBr2 + (CF3)2CHONa → PhCO2CH(CF3)2 ・・・・・・・(2)
しかしながら、上記した反応式(1)及び(2)の方法は、いずれも、高価なヘキサフルオロイソプロパノールを原料とするものであり、更に、反応式(2)の方法については、Ph3PBr2の等の高価な臭素化剤を使用することが必要であり、製造コストが高いという問題点がある。しかも、Ph3PBr2等の臭素化剤は、反応終了後、副生成物となって産業廃棄物が発生することも大きな問題点である。
Journal of Organic Chemistry,53(14),3321-5(1988) Nippon Kagaku Kaishi,(11),2140-5(1985)には
本発明は、上記した従来技術の現状に鑑みてなされたものであり、その主な目的は、ヘキサフルオロアルキルエステル等の含フッ素アルキルエステルを、安価な原料を用いて、簡便に収率良く製造できる方法を提供することである。
本発明者は、上記した目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、産業廃棄物として有効利用が求められているオクタフルオロイソブテン又はその類似化合物から得られる含フッ素ヒドロキシカルボン酸類を原料として用い、これを特定のアミン化合物の存在下に、有機ハロゲン化アシル化合物と反応させることによって、目的とする含フッ素アルキルエステルを簡便に且つ収率良く製造できることを見出し、ここに本発明を完成するに至った。
即ち、本発明は、下記の含フッ素アルキルエステルの製造方法を提供するものである。
1. 一般式(1)
(式中、Rf及びRfは、同一又は異なって、基:CF3(CF2)n(式中、nは0〜10の整数である)又は基:CH3(CH2)(式中、mは0〜10の整数である)であり、Rf及びRfの少なくとも一つは、基:CF3(CF2)nである。Rは、置換基を有することのあるアルキル基、置換基を有することのあるアリール基、置換基を有することのあるアルケニル基、アルカリ金属、又はM1/2(Mはアルカリ土類金属である)である。)で表される化合物を、
ピリジン又は一般式(2)
(式中、R、R及びRは、同一又は異なって、置換基を有することのあるアルキル基、置換基を有することのあるアリール基、又は置換基を有することのあるアルケニル基である)で表される三級アミンの存在下に、
一般式:RCOX(式中、Rは、置換基を有することのあるアルキル基、置換基を有することのあるアリール基、又は置換基を有することのあるアルケニル基であり、Xはハロゲン原子である)で表される化合物、及び-COX(式中、Xはハロゲン原子である)基を有する高分子化合物からなる群から選ばれた少なくとも一種の-COX基含有化合物と反応させることを特徴とする、一般式(3)
(式中、Rf、Rfは及びR5は上記に同じ)で表される含フッ素アルキルエステルの製造方法。
2. 一般式(1)において、Rf及びRfにおけるnが0又は1、mが0又は1であり、R1が炭素数1〜4のアルキル基、シクロアルキル基、フェニル基、Li、Na、K、又はM1/2(MはMg、Ca又はBaである)である上記項1に記載の含フッ素アルキルエステルの製造方法。
3. 一般式:RCOXにおいて、Rが、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のパーフルオロアルキル基、フェニル基、トリル基又はニトロフェニル基であり、XがF又はClである、上記項1又は2に記載の含フッ素アルキルエステルの製造方法。
4. 一般式(2)において、R、R及びRが、同一又は異なって、炭素数1〜4のアルキル基である上記項1〜3のいずれかに記載の方法。
本発明では、原料としては、一般式(1)
(式中、Rf及びRfは、同一又は異なって、基:CF3(CF2)n(式中、nは0〜10の整数である)又は基:CH3(CH2)(式中、mは0〜10の整数である)であり、Rf及びRfの少なくとも一つは、基:CF3(CF2)nである。Rは、置換基を有することのあるアルキル基、置換基を有することのあるアリール基、置換基を有することのあるアルケニル基、アルカリ金属、又はM1/2(Mはアルカリ土類金属である)である。)で表される化合物を用いる。
上記一般式(1)において、Rf及びRfは、同一又は異なって、基:CF3(CF2)n又は基:CH3(CH2)であり、Rf及びRfの少なくとも一つは、基:CF3(CF2)nである。特に、Rf及びRfの両方が、基:CF3(CF2)nであることが好ましい。これらの基において、nは0〜10の整数であり、好ましくは0〜5の整数であり、特に好ましくは0又は1である。また、mは、0〜10の整数であり、好ましくは0〜5の整数であり、特に好ましくは0又は1である。
Rは、置換基を有することのあるアルキル基、置換基を有することのあるアリール基、置換基を有することのあるアルケニル基、アルカリ金属、又はM1/2(Mはアルカリ土類金属である)である。アルキル基、アリール基、及びアルケニル基の置換基としては、F、Cl、Br、I等のハロゲン原子、ニトロ基、ニトリル基、基:CH(CH) O(CH)b-(式中、a及びbは同一又は異なって0〜5の整数である)、基:CH(CH)OCO(CH)-(式中、c及びdは同一又は異なって0〜5の整数である) 、基:CH(CH)CO(CH)-(式中、e及びfは同一又は異なって0〜5の整数である) 、基:CH(CH)S−(式中、gは0〜5の整数である。)等を例示できる。アルキル基、アリール基、及びアルケニル基の各基には、上記した置換基の内で同一又は異なる基が、一個又は2個以上置換していても良い。
Rで表されるアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基、t−ブチル基、へキシル基等の炭素数1〜6程度の直鎖状又は分枝鎖状の低級アルキル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基等を例示できる。置換基を有することのあるアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、ピリジル基、クロロフェニル基、トリル基、ニトロフェニル基等を例示できる。アルケニル基としては、ベンジル基、フェネチル基等を例示できる。
アルカリ金属としては、Li、Na、K、Rb、Cs等を例示でき、安価で入手し易い点でLi、Na、K等が好ましい。
Mで表されるアルカリ土類金属としては、Be、Mg、Ca、Sr、Baなどを例示でき、安価で入手し易い点でMg、Ca、Ba等が好ましい。
R1としては、特に、炭素数1〜4程度のアルキル基、シクロアルキル基、フェニル基、Li、Na、K等のアルカリ金属、M1/2(Mは、Mg、Ca、Ba等のアルカリ土類金属)等が好ましい。
一般式(1)の化合物としては、特に、Rf及びRfが基:CF3(CF2)nであって、Rが低級アルキル基である化合物が好ましい。
上記一般式(1)で表される化合物は、公知の化合物であり、例えば、産業廃棄物であるオクタフルオロイソブテンを原料として、下記の工程により製造できる。
例えば、特開2002-234860号公報に記載されているように、ヘキサフルオロプロペンの製造時に副生するオクタフルオロイソブテンをアルコール(ROH)と反応させてアルコール付加物((CF32CHCF2ORとし、ついで、脱HFして得られるヘキサフルオロイソブテニルアルキルエーテル((CF3)2)C=CFOMe)を、RuO2/NaClO、KMnO4、H2O2等の酸化剤で酸化することによって、ヒドロキシカルボン酸塩((CF32C(OH)COR)とすることができる。
本発明の含フッ素ケトンの製造方法は、上記した一般式(1)で表される化合物を、ピリジン又は一般式(2)
(式中、R、R及びRは、同一又は異なって、置換基を有することのあるアルキル基、置換基を有することのあるアリール基、又は置換基を有することのあるアルケニル基である)で表される三級アミンの存在下に、
一般式:RCOX(式中、Rは、置換基を有することのあるアルキル基、置換基を有することのあるアリール基、又は置換基を有することのあるアルケニル基であり、Xはハロゲン原子である)で表される化合物、及び-COX(式中、Xはハロゲン原子である)基を有する高分子化合物からなる群から選ばれた少なくとも一種の-COX基含有化合物と反応させる方法である。
一般式(2)で表される三級アミンにおいて、R、R及びRで表される置換基を有することのあるアルキル基、置換基を有することのあるアリール基、及び置換基を有することのあるアルケニル基としては、一般式(1)と同様の基を例示できる。特に、炭素数1〜4程度のアルキル基が好ましい。
一般式:RCOXで表される化合物において、Rで表される置換基を有することのあるアルキル基、置換基を有することのあるアリール基、及び置換基を有することのあるアルケニル基としても、一般式(1)と同様の基を例示できる。特に、炭素数1〜4程度のアルキル基、炭素数1〜4程度のパーフルオロアルキル基、フェニル基、トリル基、ニトロフェニル基等が好ましい。
-COX基を有する高分子化合物としては、樹脂骨格又は側鎖に-COX基を有する高分子化合物であれば特に限定なく使用でき、樹脂骨格の種類、分子量などについては特に限定はない。例えば、カルボシキル基又はその塩を有するイオン交換樹脂をSOCl2,PCl5等で塩素化して得られる-COX基を有する高分子化合物を用いることができる。この様なカルボキシル基又はその塩を有するイオン交換樹脂としては、アクリル樹脂系イオン交換樹脂(例えば、オルガノ社製のアンバーライトFPC3500、IRC76(いずれも商標名))等を例示できる。
Xは、F、Cl、Br、I等のハロゲン原子であり、入手しやすさから、F、Cl等が好ましい。
-COX基含有化合物の使用量は、原料である一般式(1)の化合物1モルに対して、0.001〜20モル程度とすればよく、0.01〜10モル程度とすることが好ましく、安価且つ効率的に反応させるためには、0.1〜5モル程度とすることが特に好ましい。
ピリジン又は一般式(2)で表される三級アミンの使用量は、一般式(1)の化合物1モルに対して、0.001〜100モル程度とすればよく、0.01〜50モル程度とすることが好ましく、安価且つ効率的に反応させるためには、0.1〜5モル程度とすることが特に好ましい。
本発明の製造方法は、溶媒の存在下又は非存在下に行うことができるが、特に、反応基質の接触効率の点から溶媒の存在下に行うことが好ましい。溶媒としては、n-ヘキサン等の炭化水素系溶媒、N-メチル-2-ピロリドン、ジメチルアセトアミド、ニトロベンゼン、ベンゾニトリル、ジメチルホルムアミド、アセトニトリル、スルホラン、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素等の他、1,1-ジクロロ-1-フルオロエタン、3,3-ジクロロ-1,1,1,2,2,-ペンタフルオロプロパン、パーフルオロヘキサン、HCF2CF2CF2CF2Cl等のフッ素系溶媒等も用いることが出来る。また、一般式(2)の三級アミンを溶媒として用いても良い。
溶媒を使用する場合の溶媒の使用量は、一般式(1)の化合物に対し0.001〜20体積倍程度とすることができ、好ましくは、0.01 〜10体積倍程度とすればよく、安価かつ効率的に反応させるためには、0.1〜5体積倍程度とすればよい。
反応方法については、特に限定はなく、全原料を同時に仕込んでも良く、或いは、任意の順序で別々に仕込んでもよい。発熱の観点から、溶媒あるいはアミン類、反応基質、及び-COX基含有化合物の順に仕込むのが好ましい。
反応温度は、-20℃〜300℃程度とすることができるが、特に5〜200℃程度の範囲とすることが好ましい。特に、反応速度の観点から、50℃以上で反応を行うのが好ましい。
反応時の圧力は特に限定はなく、減圧下、大気圧下、加圧下のいずれでもよいが、特にガスの発生の点から大気圧下で行うのが好ましい。
反応時間は、通常、0.01〜50時間とすればよく、好ましくは、0.1〜24時間程度とすればよい。各成分は同時に仕込んでもよく、別々に仕込んでも良い。
反応器の材質は特に限定はなく、ガラス、金属のいずれでも良く、反応温度・化合物に対する耐性がある材料を用いれば良い。
上記した方法によって、一般式(3)
(式中、Rf、Rfは及びR5は上記に同じ)で表される含フッ素アルキルエステルが得られる。得られた含フッ素アルキルエステルは、公知の方法で分離、精製することが出来る。例えば、抽出、蒸留、再結晶、クロマトグラフィーなどの方法を適用できる。
本発明によれば、産業廃棄物であるオクタフルオロイソブテンから得られる一般式(1)で表される化合物を原料として、ヘキサフルオロアルキルエステル等の含フッ素アルキルエステルを収率良く製造できる。よって、本発明の方法は、含フッ素ケトンを安価に製造できる方法として有用性の高い方法である。
以下、実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明する。
実施例1
50mlの3つ口フラスコに98%(CF3)2C(OH)CO2CH3:10.0g(43.4mmol)とピリジン:10g(126.6mmol)を仕込んだ。その後、氷浴でフラスコを冷却し、10℃〜20℃の間でベンゾイルクロライド:7.12g(50.7mmol)を滴下して反応させ、ベンゾイルクロライド仕込終了後、常温に戻した。
フラスコにマントルヒーターを取り付け、約110℃に加熱して反応させた。反応生成ガスはテドラーパックに回収しガスクロマトグラフィ(GS)分析を行った。
ガスの生成が見受けられなくなった時点で、反応を終了し、室温まで冷却した。冷却後、水を加えて過剰のベンゾイルクロライドをクエンチした。その後、塩化メチレン抽出し、水層・有機層のガスクロマトグラフィ(GC)、スクロマトグラフィ/質量分析(GC/MS)、19FNMR測定を行った。
(CF3)2C(OH)CO2CH3の転化率は100%であり、ヘキサフルオロイソプロピルベンゾエートの収率は88.0%であった。
実施例2
ジムロートを取り付けた100mlの3つ口フラスコに97.4%の
(CF3)2C(OH)CO2CH3(MTTHP):20.0g(86.5mmol)とピリジン:20g(253.2mmol)を仕込んだ。その後、氷浴でフラスコを冷却し、10℃〜20℃の間でCH3COCl:8.0g(101.9mmol)を滴下して反応させ、CH3COCl仕込後、常温に戻した。
フラスコにマントルヒーターを取り付け、約90℃で加熱して反応させた。反応生成ガスはテドラーパックに回収し、GC分析を行った。
ガスの生成が見受けられなくなった時点で、反応を終了し、室温まで冷却した。冷却後、水を加えて過剰のCH3COClをクエンチした。その後、塩化メチレン抽出し、水層・有機層・塩化メチレン抽出層の分析を行った(GC、GC/MS、19F-NMR)。その結果、(CF3)2C(OH)CO2CH3の転化率は97.3%であり、ヘキサフルオロイソプロピルアセテートの収率は72.9%であった。
実施例3
50mlの3つ口フラスコに97.4%(CF3)2C(OH)CO2CH3:10.0g(43.1mmol)とピリジンを加えた。ピリジンの仕込み量は下記表1に示す3種類とした。
その後、氷浴でフラスコを冷却し、10℃〜20℃の間でベンゾイルクロライド:7.0g(49.8mmol)を滴下して反応させ、ベンゾイルクロライド仕込後、常温に戻した。
フラスコにマントルヒーターを取り付け、約110〜120℃で加熱して反応させた。反応時間は約2時間とした。反応生成ガスはテドラーパックに回収し、GC分析を行った。
ガスの生成が見受けられなくなった時点で、反応を終了し、室温まで冷却した。冷却後、水を加えて過剰のベンゾイルクロライドをクエンチした。その後、塩化メチレン抽出し、水層・有機層のGC、GC/MS、19F-NMR測定を行った。原料転化率及びPh-CO2CH(CF3)2の収率を下記表2に示す。
実施例4
ジムロート付き50mlフラスコに97.4%(CF3)2C(OH)CO2CH3:10.04g(43.3mmol)とピリジン:10.03g(126.9mmol)を仕込んだ。フラスコを氷浴で冷却し、10〜20℃の範囲で、メタクリル酸クロライドを4.52g(43.3mmol)を滴下して反応させた。反応の進行と共にピリジン塩酸塩が析出し、スラリー状に変化した。フラスコ内温度の上昇が見受けられなくなった時点で、氷浴を外し、90〜100℃で加熱反応させた。反応で生成するガスはテドラーバックで回収した。
反応は、CO2の発生が見受けられなくなるまで行った。反応終了後、溶液を水でクエンチして有機層・水層の分取し、水層については更にCH2Cl2抽出を行い、塩化メチレン層は有機層と混合した。分析は、ガス・有機層・水層についてGC、GC/MS、19F-NMRを用いて行った。原料転化率:97.9%でヘキサフルオロイソプロピルアセテートの収率は52.0%であった。

Claims (4)

  1. 一般式(1)
    (式中、Rf及びRfは、同一又は異なって、基:CF3(CF2)n(式中、nは0〜10の整数である)又は基:CH3(CH2)(式中、mは0〜10の整数である)であり、Rf及びRfの少なくとも一つは、基:CF3(CF2)nである。Rは、置換基を有することのあるアルキル基、置換基を有することのあるアリール基、置換基を有することのあるアルケニル基、アルカリ金属、又はM1/2(Mはアルカリ土類金属である)である。)で表される化合物を、
    ピリジン又は一般式(2)
    (式中、R、R及びRは、同一又は異なって、置換基を有することのあるアルキル基、置換基を有することのあるアリール基、又は置換基を有することのあるアルケニル基である)で表される三級アミンの存在下に、
    一般式:RCOX(式中、Rは、置換基を有することのあるアルキル基、置換基を有することのあるアリール基、又は置換基を有することのあるアルケニル基であり、Xはハロゲン原子である)で表される化合物、及び-COX(式中、Xはハロゲン原子である)基を有する高分子化合物からなる群から選ばれた少なくとも一種の-COX基含有化合物と反応させることを特徴とする、一般式(3)
    (式中、Rf、Rfは及びR5は上記に同じ)で表される含フッ素アルキルエステルの製造方法。
  2. 一般式(1)において、Rf及びRfにおけるnが0又は1、mが0又は1であり、R1が炭素数1〜4のアルキル基、シクロアルキル基、フェニル基、Li、Na、K、又はM1/2(MはMg、Ca又はBaである)である請求項1に記載の含フッ素アルキルエステルの製造方法。
  3. 一般式:RCOXにおいて、Rが、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のパーフルオロアルキル基、フェニル基、トリル基又はニトロフェニル基であり、XがF又はClである、請求項1又は2に記載の含フッ素アルキルエステルの製造方法。
  4. 一般式(2)において、R、R及びRが、同一又は異なって、炭素数1〜4のアルキル基である請求項1〜3のいずれかに記載の方法。
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