JP2008283660A - 光学式記憶媒体およびそのデータの暗号化用に対応する暗号法 - Google Patents

Abstract

【課題】光学式記憶媒体上のデータの暗号化セキュリティを改善するための光学式記憶媒体およびその装置でのデータ暗号化のための暗号法を提供すること。
【解決手段】光学式記憶媒体用のデータ処理方法が、（ａ）光学式記憶媒体からデータの記録を読み取ってシステムのメモリ・ユニットに前記データを記録するステップと、（ｂ）同じ前記データの記録を重ねて読み取って前記システムのメモリ・ユニットへ前記データを記録するステップと、（ｃ）前記ステップ（ｂ）で記録された前記データと前記ステップ（ａ）で記録された前記データの比較演算を実行して少なくとも２つのコードを含むコード・ペアの組を生成し、その中の２つのコードが、データの暗号化／解読の２つのキーとしてデータの暗号化／解読の動作で使用されるステップとを含むこと、からなる。
【選択図】図６

Description

本発明は、光学式記憶媒体用のデータ暗号化手法に関し、より詳細には、１回読取り／非可逆反応技術の特性に基づく暗号法の配列のための方法に関する。そのような方法によって生成されたコードを用いると、従来技術のように通常の光学式記憶媒体を複写するだけでは正確なコードを生成することは不可能である。さらに、そのようなコードがハードウェアの物理的特性に基づいて生成されるので、いかなるソフトウェア手法を用いても、元のコードを解読または回復することは不可能である。

暗号化されたキーを使用するＤＶＤデータ保護技術が、米国特許第５，９１５，０１８号に開示されている。開示された技術では、２組の暗号化されたキーが使用され、暗号キーを得るために、１組のキーが別のキーの組に適用されてこの第２のキーの組を再暗号化し、次いで、この暗号キーが光ディスクに書き込まれる。したがって、この光ディスクは、メディア・コンテンツ、暗号キーおよび対応する解読制御情報を含む。暗号化されたキーは再暗号化されているが、解読するために必要な情報が全て光ディスクに記録されているので、相変わらず光ディスクの内容をハッキングすることが可能である。

光学式記憶媒体は、光学的特性を使用することによってデータを格納するハードウェアであり、光ディスク（ＣＤ）、デジタル・ビデオ・ディスク（ＤＶＤ）、高解像度ＤＶＤ（ＨＤＶＤ）、ブルーレイＤＶＤまたは光磁気ディスクなどを含む。前述の全ての光学式記憶媒体は、光学的特性を使用することにより、データを、媒体から読み出し／媒体に書き込むことができるデジタル・データ記憶ハードウェアである。

光学式記憶媒体上のデータの暗号化セキュリティを改善するために、本発明の発明者は、電子製品の開発および研究における積年の経験に基づいて、本発明の光学式記憶媒体およびその装置でのデータ暗号化のための暗号法を開示する。本発明の技術的な内容が、以下に大変詳しく説明される。

１回読取り／非可逆反応材料の特性を使用することによって、本発明は、光ディスク・データの格納位置および属性を配列し、そのような配列を使用することによって、溶解コードおよび作成コードまたは逆コードおよび作成コードを生成することができる。前者、すなわち溶解コードまたは逆コードは、読み取られた後、システムの内部に格納されてよく、後者、すなわち作成コードは、光学式記憶媒体中に記録される。光学式記憶媒体とホスト・システムに別々に格納されるそのような２組のコードは、光ディスクに格納されたコンテンツの著作権を保護するために、様々なデータ暗号化／データ解読プロセスに適用することができる。

即ち、前記目的を達成するため、本発明の光学式記憶媒体用のデータ処理方法は、（ａ）光学式記憶媒体からデータの記録を読み取ってシステムのメモリ・ユニットに前記データを記録するステップと、（ｂ）同じ前記データの記録を重ねて読み取って前記システムのメモリ・ユニットへ前記データを記録するステップと、（ｃ）前記ステップ（ｂ）で記録された前記データと前記ステップ（ａ）で記録された前記データの比較演算を実行して少なくとも２つのコードを含むコード・ペアの組を生成し、その中の２つのコードが、データの暗号化／解読の２つのキーとしてデータの暗号化／解読の動作で使用されるステップとを含むこと、からなる。
また、前記比較演算が、ＸＯＲ（排他的論理和）演算を含むことが好適である。
また、前記２つの暗号化キー／解読キーが、非対称の暗号化技術／解読技術の動作でそれぞれ公開キーおよび秘密キーとして使用されることが好適である。
また、前記非対称の暗号化技術／解読技術が、公開鍵基盤技術であることが好適である。
また、１つの公開キーおよび１つの秘密キーが、ユーザＩＤ認証動作のパスワードとして使用されることが好適である。
さらに、前記目的を達成するため、本発明の光学式記憶媒体は、デジタル・データを記録する能力を提供するために、少なくとも１つの損傷を受け易いメモリ・セルを含む光学式記憶媒体であって、発光源による最初のデータ読取りの終了後、前記メモリ・セルが変化し、したがって、前記発光源が２度目のデータ読取りを実行することができないように前記データが損傷され、前記光学式記憶媒体が、前記データを重ねて読み取るために一定の形式によった能力を提供する一般的なメモリ・セルも含むこと、からなる。
また、前記損傷を受け易いメモリ・セルが、前記一般的なメモリ・セルとさらにかかわり合ってデータ・セクションを形成し、前記データ・セクションが、システム用のキーを格納するためのデータ・ブロックとして使用されることが好適である。
また、前記損傷を受け易いメモリ・セルが、前記一般的なメモリ・セルとさらにかかわり合って複数のデータ・セクションを形成し、前記データ・セクションが、システム用の複数のキーを格納するためのデータ・ブロックとして使用されることが好適である。
また、前記発光源による前記最初のデータ読取りが終了したとき、前記データは一度しか読み取ることができないという点で特徴付けられるようにデータ構造を損傷するために、前記メモリ・セルに化学反応または物理的反応が生じることが好適である。
さらに、前記目的を達成するため、本発明の光学式記憶媒体は、デジタル・データを記録する能力を提供するために少なくとも１つの１回読み／可逆反応メモリ・セルを含む光学式記憶媒体であって、発光源による最初のデータ読取りの終了後、前記メモリ・セルが変化し、したがって、データの論理レベルが反転され、２度目のデータ読取りでは、前記発光源が前記第１のデータ読取りの前記論理レベルから反転された論理レベルを取得することができるようになり、その後、前記メモリ・セルが、前記データを前記反転された論理レベルに恒久的に保持してこれ以上は変化せず、前記光学式記憶媒体が、前記データを重ねて読み取るために一定の形式によった能力を提供する一般的なメモリ・セルも含むこと、からなる。
また、前記１回読み／可逆反応メモリ・セルが、前記一般的なメモリ・セルとさらにかかわり合ってデータ・セクションを形成し、前記データ・セクションが、システムのためにキーを格納するためのデータ・ブロックとして使用されることが好適である。
また、前記１回読み／可逆反応メモリ・セルが、前記一般的なメモリ・セルとさらにかかわり合って複数のデータ・セクションを形成し、前記データ・セクションが、システムのために複数のキーを格納するためのデータ・ブロックとして使用されることが好適である。
また、前記発光源による前記最初のデータ読取りが終了したとき、前記データの論理レベルを反転するために、前記メモリ・セルに化学反応または物理的反応が生じることが好適である。

添付図面は、本発明のさらなる理解をもたらすために含まれており、本明細書に組み込まれてその一部分を構成する。これらの図面は、本発明の実施形態を示し、説明と一緒に、本発明の原理を説明する働きをする。
本発明によって提供された実施形態の詳細については、図１および図２を参照する。図１は、本発明による光学式記憶媒体（ＣＤ／ＤＶＤ）の概略図であり、環状部分はコードを格納するためのコード領域１１０として使用され、この環状部分は、メディア・コンテンツを格納するための一般的なデータ記憶領域１２０である。光学式記憶媒体の動作原理については、コードを生成する詳細なプロセスを概略的に示す図２を参照されたい。図２は、コード領域２００、１回読取り／非可逆反応セル２１０および一般的な読取りセル２２０を含む。コード領域２００は、１回読取り／非可逆反応セル２１０と一般的な読取りセル２２０の組合せで構成される。１回読取り／非可逆反応セル２１０は、その上が化学物質で被覆されたセルである。レーザ・ビーム源によってデータが読み取られると、セルの特性が変化し、したがってデータ構造が変化する。本発明によって提供された暗号化技術／解読技術は、様々な材料の変化特性に基づく２つのプロセスによって実施され、その詳細は、以下に大変詳しく説明される。

Ｉ．使い捨て損傷材料で媒体が作製されている場合
データを読み取るためにレーザ・ビーム源が材料上に放射されるとき、化学反応または物理的反応が材料に生じてデータ構造を破壊し、したがって、データは１度しか読むことができない。したがって、図２の１回読取り／非可逆反応セル２１０が初めてレーザ・ビームによって読み取られた後、セル２１０は、デジタル・データをこれ以上記録したり維持したりすることができない黒色セル２１１になる。次いで、最初の読取り動作から得られたコード領域２００のデータは、光ディスク・ドライブ（図示せず）からホスト・システム（図示せず）内部のメモリ・ユニットに伝達される。一方、システムが２度目にデータを読み取ると、この時点では黒色セル２１１がいかなるデータも含んでいないので、システムはセグメント・データ２１３しか読み取ることができず、また、セグメント・データ２１３を最初の読取りデータと比較することにより、溶解コード２１２が生成される。

コード領域２００が初めて読み取られた後、レーザ・ビームが、２度目にコード領域２００を読み取る。一方、黒色セル２１１が損傷を受けているので、データは読み取られ得ない。次いで、セグメント・データ２１３がコード領域２００に形成され、また、セグメント・データ２１３は、実際にはレーザ・ビームによる最初のデータ読取りで作成されたコードである。

ＩＩ．使い捨て反転材料で媒体が作製されている場合
データを読み取るためにレーザ・ビーム源がこの材料上に放射されるとき、そのような材料は、データ構造を反転するように反応する。すなわち、１回変更データの論理レベルは反転され、例えば「論理１」が「論理０」に反転され、「論理０」が「論理１」に反転される。したがって、初期データは、一度しか読み取ることができない。材料がレーザ・ビームに一度しか反応しないので、後続の複数回の繰返し読取り動作では、反転されたデータしか読み取ることができない。ここで、変化前の元のデータは初期データと呼ばれ、変化後のデータは反転データと呼ばれる。したがって、１回読取り／非可逆反応セル２１０がレーザ・ビームによって初めて読み取られた後、セル２１０は反転データへ変化し、これが光学式記憶媒体に恒久的に格納される。図３を参照すると、コード領域２００から初めて読み取られたデータは、光ディスク・ドライブからホスト・システムのメモリ・ユニットに伝達される。その後、システムは、コード領域２００上で２度目のデータ読取りを実行する。１回読取り／非可逆反応セル２１０上のデータは反転されているので、このデータがシステムによって読み取られた最初の読取りデータと比較された後、例えばＸＯＲ（排他的論理和）演算から逆コード２１４が生成される。逆コードが生成される一方で、別の作成コード２１５もシステムによって抽出される。

図４は、本発明によって逆コードおよび作成コードを生成する方法を示す流れ図である。図に示されたように、先ず、第１の読取りデータ（以下Ｒｅａｄ ＃１）および第２の読取りデータ（以下Ｒｅａｄ ＃２）のビット指標値は、０に設定される。ここで、指標値は、Ｒｅａｄ ＃１とＲｅａｄ ＃２のビット位置を示す。次いで、ビットがエリア・コードのビットかどうか確認される。そうでない場合、プロセスは終了する。エリア・コードのビットであると、Ｒｅａｄ ＃１とＲｅａｄ ＃２のビットにＸＯＲ演算が適用される。演算結果が１であるなら、Ｒｅａｄ ＃１ビットは逆コードのビットであり、これは逆コード中に記録されることになる。演算結果が０であるなら、Ｒｅａｄ ＃２ビットは作成コードのビットであり、これは作成コード中に記録されることになる。そのような方法で、逆コードおよび作成コードが生成される。次いで、Ｒｅａｄ ＃１およびＲｅａｄ ＃２のビット指標値は１だけインクリメントされる。その後、ビットが今までどおりコード領域に属することが再確認され、コード領域の全てのビットが読み出されて比較され、プロセスが終了するまで、以前のステップが連続的に繰り返される。図４に示された流れをたどることによって、逆コードおよび作成コードが完全に抽出される。

前述のプロセスから２つのコードが生成される。前者のコードは、溶解コード２１２および作成コード２１３であって材料の非可逆的損傷特性を基に生成され、作成コードは、光ディスク上に恒久的に記録され保存される。後者のコードは、逆コード２１４および作成コード２１５であり、材料の使い捨ての恒久的反転特性を基に生成される。後者の材料が使い捨ての恒久的反転特性を有するので、一旦データの論理レベルが反転されるとそれ以上変化することができず、逆コード２１４および作成コード２１５は、どちらも光学式記憶媒体上に記録される。したがって、逆コード２１４がないホスト・システムについては、光学式記憶媒体から作成コード２１５を効果的に認識することは不可能である。したがって、この暗号化プロセス／解読プロセスは以前のプロセスとは異なり、材料の非可逆的損傷特性を使用する。

前述の説明から、前者のプロセスによって生成された溶解コード２１２および作成コード２１３ならびに後者のプロセスによって生成された逆コード２１４および作成コード２１５は、それらの特定の特性に基づいて、それぞれホストのメモリ・システムおよび光学式記憶媒体１００に格納されることが理解される。したがって、これらの２つのコード、（２１２、２１３）または（２１４、２１５）は、適切な配列を通じてメディア・コンテンツを暗号化したり解読したりするために、コンテンツ・プロバイダによって使用され得る。

ここで例が与えられ、本発明の動作原理を説明する。非対称の公開鍵基盤に準拠する公開キー暗号法の動作アルゴリズムは、次式で表される。

上記式で、Ｅは暗号化、Ｄは解読、Ｋｐ１は公開キー、Ｋｐ−１は秘密キー、Ｍは元の文すなわち初期データ、Ｃは暗号化コンテンツを表す。

適切な設計によって、公開キー暗号法の動作で使用される秘密キーＫｐ−１および公開キーＫｐ１は、前述の溶解コード２１２および作成コード２１３または逆コード２１４および作成コード２１５から得ることができ、光ディスクのコンテンツを暗号化するかまたは解読する。換言すれば、コンテンツの供給業者は、先ず公開キーＫｐ１を使用し、元の文を暗号化して暗号化コンテンツ（式１）へ変換し、次いで、光ディスク上に暗号化コンテンツおよびコード領域２００を記録する。光ディスクが初めて読み取られて秘密キーＫｐ−１が得られた後、暗号化コンテンツがホスト・システムによって解読され（式２）、データの符号化プロセス／解読プロセスは終了する。さらに、データが初めてレーザ・ビーム源によって読み取られた後は、公開キーＫｐ１だけが光ディスク上に残存し、光ディスクから秘密キーＫｐ−１を得ることは不可能であり、このことは光ディスクに格納されたデータを効果的に守る。光ディスクが別のホスト・システムに移動されたときでさえ、秘密キーＫｐ−１がないために、光ディスクのコンテンツに到達することはできない。

本発明によって提供された技術は、光ディスクのコンテンツを不法な複製から効果的に保護する。本発明の光学式記憶媒体１００が最初に読み取られると、デジタル・データが従来の光ディスクに複写されたとしても、従来の光ディスクには１回読取り／非可逆反応セルがないので、溶解コード２１２および作成コード２１３または逆コード２１４および作成コード２１５を生成することは不可能であり、光ディスクに格納された暗号化データは、解読することができない。

図１を参照すると、図１に示されたコード領域１１０は環状部分でよく、これは、図２のコードを格納するためのコード領域２００でもある。様々なホスト・システムで繰り返し動作することができるソフトウェア製品のために、光学式記憶媒体１００上のコード領域２００の量は、適切に増加させることができる。図５を参照すると、複数のコード領域（すなわち、溶解コードおよび作成コードまたは逆コードおよび作成コード）２００Ａ、２００Ｂおよび２００Ｃを有する光学式記憶媒体１００が示されている。さらに、ソフトウェア製品が使用者によって３つの別々のホスト・システムにインストールされ得るように、別々の公開キーおよび秘密キーが全ての領域に格納され、公開キーと秘密キーが連携してキー・ペアを形成する。ソフトウェア供給業者は、光ディスクのコンテンツの違法な複製について心配することなしに、様々な製品および顧客要件に配慮して適切な光ディスク形式を選択することができ、光ディスクにソフトウェア製品を記録する。こうして光ディスクに保存されたデータは効果的に守られる。図５に示された構造体は複数のキー・ペアを提供する。したがって、トランザクションが安全であることを保証するように、デジタル署名の仕組みに様々なキー・ペアが適用され得て使用者ＩＤおよび供給業者ＩＤを認証する。データが再暗号化されると、データの独自性をさらに確実にすることができ、すなわち、データの伝達中や輸送中に、データが、削除、変更、付け足し、および編集など、悪意の変更操作を被らないことを保証する。

また、本発明は、光学式記憶媒体用のデータ処理方法をさらに提供する。図６は、本発明による、光学式記憶媒体用のデータ処理方法の流れ図を示す。図に示されるように、本発明の光学式記憶媒体用のデータ処理方法は、（ａ）光学式記憶媒体１００からデータの記録を読み取ってシステムのメモリ・ユニットへデータを記録するステップと、（ｂ）重ねてデータの同じ記録を読み取ってシステムのメモリ・ユニットへデータを記録するステップと、（ｃ）ステップ（ｂ）で記録されたデータとステップ（ａ）で記録されたデータの比較演算を実行して、少なくとも２つのコードを含むコード・ペアの組を生成し、その中の２つのコードがキーとしてデータの暗号化および解読の動作に使用されるステップとを含む。

ステップ（ａ）では、光学式記憶媒体１００に保存されたデータの記録が読み取られてシステムのメモリ・ユニットに格納される。

ステップ（ｂ）では、データの同じ記録が読み取られてシステムのメモリ・ユニットに記録される。ステップ（ａ）〜（ｂ）に関する技術の詳細は、以前の実施形態で説明されているので、ここでは意図的に省略される。

ステップ（ｃ）では、ステップ（ａ）で記録されたデータがステップ（ｂ）で記録されたデータと比較され、少なくとも２つのコードを含むコード・ペアの組を生成し、その中の２つのコードがキーとしてデータの暗号化および解読の動作に使用される。この動作の技術的詳細については、前述の式（１）〜式（４）およびそれに関連した説明を参照されたい。

さらに、比較プロセスにおける動作はＸＯＲ（排他的論理和）演算を含むが、ＸＯＲに限定するものではない。２つのキーは、それぞれ公開キーおよび秘密キーとして使用される。この動作は非対称の暗号化技術／解読技術を含むが、これに限定するものではない。そのうえ、非対称の暗号化技術／解読技術は、１つの公開キーおよび１つの秘密キーがユーザＩＤ認証動作のパスワードとして使用される公開鍵基盤を含むが、これに限定するものではない。

要約すると、光学式記憶媒体のデータ・セキュリティを改善するために、最も効果的な設計は、光ディスクのデータ設計と材料の応用を組み合わせることである。本発明は、この原理を基にハイ・レベルのセキュリティを有する光学式記憶機構体を設計する。本発明では、光ディスク・ドライブ内の読取り動作用のハードウェア機構体が大幅に変更されるのでなく、データ保護の目的は、光学式記憶媒体の材料およびデータ設計を変更するだけで達成される。その上、本発明は、光ディスクのコンテンツが従来技術のように不法に複製されるのを効果的に防ぐ。したがって、光学式記憶媒体用のデータ保護の目的が達成される。

本発明が特定の実施形態に関して説明されてきたが、本発明の趣旨から逸脱することなく、説明された実施形態の変更形態が作成され得ることが当業者には明白であろう。したがって、本発明の範囲は、上記の詳細な説明ではなく添付の特許請求の範囲によって定義されることになる。

本発明の好ましい実施形態による１回読取り／非可逆反応セルを有する光学式記憶媒体の概略図である。 本発明によって使い捨て損傷材料用のキー・ペアを生成する方法を示す概略図である。 本発明によって使い捨て反転材料用のキー・ペアを生成する方法を示す概略図である。 本発明によって逆コードおよび作成コードを生成する方法を示す流れ図である。 本発明による、複数のコード領域を有する光学式記憶媒体の概略図である。 本発明による、光学式記憶媒体のためのデータ処理方法を示す流れ図である。

符号の説明

Ｒｅａｄ ＃１ 第１の読取りデータ
Ｒｅａｄ ＃２ 第２の読取りデータ
Ｋｐ１ 公開キー
Ｋｐ−１ 秘密キー
１００ 光学式記憶媒体
１１０ コード領域
１２０ データ記憶領域
２００ コード領域
２１０ １回読取り／非可逆反応セル
２１１ 黒色セル
２１２ 溶解コード
２１３ 作成コード
２１４ 逆コード
２１５ 作成コード
２２０ 一般的な読取りセル

Claims (13)

1. （ａ）光学式記憶媒体からデータの記録を読み取ってシステムのメモリ・ユニットに前記データを記録するステップと、
   （ｂ）同じ前記データの記録を重ねて読み取って前記システムのメモリ・ユニットへ前記データを記録するステップと、
   （ｃ）前記ステップ（ｂ）で記録された前記データと前記ステップ（ａ）で記録された前記データの比較演算を実行して少なくとも２つのコードを含むコード・ペアの組を生成し、その中の２つのコードが、データの暗号化／解読の２つのキーとしてデータの暗号化／解読の動作で使用されるステップとを含むことを特徴とする光学式記憶媒体用のデータ処理方法。
2. 前記比較演算が、ＸＯＲ（排他的論理和）演算を含むことを特徴とする請求項１に記載の光学式記憶媒体用のデータ処理方法。
3. 前記２つの暗号化キー／解読キーが、非対称の暗号化技術／解読技術の動作でそれぞれ公開キーおよび秘密キーとして使用されることを特徴とする請求項１に記載の光学式記憶媒体用のデータ処理方法。
4. 前記非対称の暗号化技術／解読技術が、公開鍵基盤技術であることを特徴とする請求項３に記載の光学式記憶媒体用のデータ処理方法。
5. １つの公開キーおよび１つの秘密キーが、ユーザＩＤ認証動作のパスワードとして使用されることを特徴とする請求項３に記載の光学式記憶媒体用のデータ処理方法。
6. デジタル・データを記録する能力を提供するために、少なくとも１つの損傷を受け易いメモリ・セルを含む光学式記憶媒体であって、発光源による最初のデータ読取りの終了後、前記メモリ・セルが変化し、したがって、前記発光源が２度目のデータ読取りを実行することができないように前記データが損傷され、前記光学式記憶媒体が、前記データを重ねて読み取るために一定の形式によった能力を提供する一般的なメモリ・セルも含むことを特徴とする光学式記憶媒体。
7. 前記損傷を受け易いメモリ・セルが、前記一般的なメモリ・セルとさらにかかわり合ってデータ・セクションを形成し、前記データ・セクションが、システム用のキーを格納するためのデータ・ブロックとして使用されることを特徴とする請求項６に記載の光学式記憶媒体。
8. 前記損傷を受け易いメモリ・セルが、前記一般的なメモリ・セルとさらにかかわり合って複数のデータ・セクションを形成し、前記データ・セクションが、システム用の複数のキーを格納するためのデータ・ブロックとして使用されることを特徴とする請求項６に記載の光学式記憶媒体。
9. 前記発光源による前記最初のデータ読取りが終了したとき、前記データは一度しか読み取ることができないという点で特徴付けられるようにデータ構造を損傷するために、前記メモリ・セルに化学反応または物理的反応が生じることを特徴とする請求項６に記載の光学式記憶媒体。
10. デジタル・データを記録する能力を提供するために少なくとも１つの１回読み／可逆反応メモリ・セルを含む光学式記憶媒体であって、発光源による最初のデータ読取りの終了後、前記メモリ・セルが変化し、したがって、データの論理レベルが反転され、２度目のデータ読取りでは、前記発光源が前記第１のデータ読取りの前記論理レベルから反転された論理レベルを取得することができるようになり、その後、前記メモリ・セルが、前記データを前記反転された論理レベルに恒久的に保持してこれ以上は変化せず、前記光学式記憶媒体が、前記データを重ねて読み取るために一定の形式によった能力を提供する一般的なメモリ・セルも含むことを特徴とする光学式記憶媒体。
11. 前記１回読み／可逆反応メモリ・セルが、前記一般的なメモリ・セルとさらにかかわり合ってデータ・セクションを形成し、前記データ・セクションが、システムのためにキーを格納するためのデータ・ブロックとして使用されることを特徴とする請求項１０に記載の光学式記憶媒体。
12. 前記１回読み／可逆反応メモリ・セルが、前記一般的なメモリ・セルとさらにかかわり合って複数のデータ・セクションを形成し、前記データ・セクションが、システムのために複数のキーを格納するためのデータ・ブロックとして使用されることを特徴とする請求項１０に記載の光学式記憶媒体。
13. 前記発光源による前記最初のデータ読取りが終了したとき、前記データの論理レベルを反転するために、前記メモリ・セルに化学反応または物理的反応が生じることを特徴とする請求項１０に記載の光学式記憶媒体。

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