JP2008278247A - Phase difference detection circuit for pll (phase-locked loop) circuit with built-in voltage-controlled oscillator - Google Patents

Phase difference detection circuit for pll (phase-locked loop) circuit with built-in voltage-controlled oscillator Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a phase comparator for detecting the phase difference between a VOC signal and a reference signal and generating a digital signal, corresponding to the phase difference even during a low-voltage operation. <P>SOLUTION: The phase comparator for outputting a phase difference between a reference signal and a target signal as a digital signal is provided with a first detecting means for detecting the phase difference as a charge, by charging a first capacitative element by a signal of pulsewidth, corresponding to the phase difference; a second detecting means for detecting the time difference which is to be referred to as reference charge, by charging a second capacitative element by a signal of pulsewidth, corresponding to a period of the reference signal; a charge-comparing means for comparing charge detected by the first detecting means with charge detected by the second detecting means; and an outputting means for outputting the ratio of charge charged to the first capacitative element into a charge, charged to the second capacitative element as a digital signal according to the result of comparison by the charge-comparing means. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、電圧制御発振器を内蔵したPLL回路の位相差検出回路に関し、特に位相差を検出し、デジタル信号に変換する位相比較器に関する。   The present invention relates to a phase difference detection circuit of a PLL circuit incorporating a voltage controlled oscillator, and more particularly to a phase comparator that detects a phase difference and converts it into a digital signal.

IEEE802.11a/gのWLANなどの高速無線通信方式は、限られた周波数帯域内で、効率的に大容量の信号伝送を行うために、16QAM、64QAMなどの高度変調を導入している。これら無線用のチップでは、信号処理に大きな消費電力を必要としているために、比較的低速なIEEE802.11bを除き、携帯電話などの端末への内蔵がすすんでいない。近年、このような信号処理を低消費電力で行うことを目的として、微細CMOSデバイスのベースバンドへの適用が進められており、それに伴いベースバンドの電源電圧は低くなっている。今後は、低コスト化のために、デジタル部とRF部を一体化した、いわゆるシステムオンチップ(SoC)化が加速される傾向にある。この場合、微細デバイスでRF部も作る必要があるために、RF回路も低電圧動作が必要になってくる。   High-speed wireless communication systems such as IEEE802.11a / g WLAN introduce high-level modulation such as 16QAM and 64QAM in order to efficiently transmit large-capacity signals within a limited frequency band. Since these wireless chips require large power consumption for signal processing, they are not built into terminals such as mobile phones except for the relatively low-speed IEEE 802.11b. In recent years, for the purpose of performing such signal processing with low power consumption, application of a fine CMOS device to a baseband has been advanced, and the power supply voltage of the baseband has been lowered accordingly. In the future, so-called system-on-chip (SoC) integration in which the digital part and the RF part are integrated tends to be accelerated for cost reduction. In this case, since it is necessary to make an RF portion with a fine device, the RF circuit also needs to operate at a low voltage.

しかしながら、従来のアナログ方式をベースとしたRF回路では、微細化による素子特性変動を考えると、これ以上の低電圧化は困難である。低電圧化により、大きな影響を受けるRFブロックの一つにPLLがある。   However, in the conventional RF circuit based on the analog system, it is difficult to lower the voltage further in consideration of element characteristic fluctuation due to miniaturization. One of the RF blocks that are greatly affected by the low voltage is the PLL.

図10は、従来のアナログ方式のPLLの例である。当該PLLは、周波数位相比較器1と、チャージポンプ2と、ループフィルタ3と、電圧制御発振器(VCO:Voltage Controlled Oscillator)4と、を備えている。   FIG. 10 shows an example of a conventional analog PLL. The PLL includes a frequency phase comparator 1, a charge pump 2, a loop filter 3, and a voltage controlled oscillator (VCO: Voltage Controlled Oscillator) 4.

この回路の動作を以下に詳細に述べる。   The operation of this circuit is described in detail below.

周波数位相比較器1は、基準信号FREFとVCO4の分周信号CKVを比較した結果に基づいて、出力信号S1、S2を発生する。信号S1は基準信号FREFのCKV信号に対する位相の進み量を示す信号であり、信号S2はCKV信号の基準信号FREFに対する位相の進み量を示す信号である。これらの信号S1、S2はチャージポンプ2に入力される。このチャージポンプ2の出力信号S3は、ループフィルタ3に入力してそこで高周波成分が除去された後、VCO4の制御電圧S4として入力する。   The frequency phase comparator 1 generates output signals S1 and S2 based on the result of comparing the reference signal FREF and the divided signal CKV of the VCO4. The signal S1 is a signal indicating the phase advance amount of the reference signal FREF with respect to the CKV signal, and the signal S2 is a signal indicating the phase advance amount of the CKV signal with respect to the reference signal FREF. These signals S1 and S2 are input to the charge pump 2. The output signal S3 of the charge pump 2 is input to the loop filter 3, where high frequency components are removed, and then input as the control voltage S4 of the VCO 4.

このPLL回路では、信号FREFとCKV信号の周波数と位相が一致するように動作したときロックして、電圧制御発振器VCO4から得られる周波数(fVCO)が基準信号FREFの分周数倍となる。   This PLL circuit locks when it operates so that the frequency and phase of the signals FREF and CKV coincide with each other, and the frequency (fVCO) obtained from the voltage controlled oscillator VCO4 is multiplied by the frequency of the reference signal FREF.

VCOの周波数は、例えばインダクタと、MOSバラクタ容量の共振周波数を利用するタイプの場合、MOSバラクタの制御電圧を変化させることで行うが、制御直流電位の変化に対する、周波数の変化量である変調感度を大きくすると、電源雑音や誘導雑音の影響によりVCOの周波数が変動するという問題がある。   For example, in the case of a type that uses the resonance frequency of the inductor and the MOS varactor capacitance, the VCO frequency is changed by changing the control voltage of the MOS varactor. Is increased, there is a problem that the frequency of the VCO fluctuates due to the influence of power supply noise and induction noise.

これを解決するために、変調感度を低く設定しつつ、複数の共振回路を切り替える方式なども提案されている。一方で、容量の制御範囲は、バラクタの線形領域に限られるために、電源電圧が低下すると、結果的にVCOの変調感度を大きくせざるを得ず、チップの外部及び内部の雑音などにより局部発振器の周波数が変動する問題があった。   In order to solve this, a method of switching a plurality of resonance circuits while setting the modulation sensitivity low has been proposed. On the other hand, since the control range of the capacity is limited to the linear region of the varactor, if the power supply voltage decreases, the modulation sensitivity of the VCO must be increased as a result, and local noise due to external and internal noise of the chip, etc. There was a problem that the frequency of the oscillator fluctuated.

この問題を回避する一手段として、デジタル的にVCOを制御する回路が特許文献1、及び非特許文献2に開示されている。   As a means for avoiding this problem, Patent Document 1 and Non-Patent Document 2 disclose a circuit that digitally controls a VCO.

この例では、VCOのバラクタの制御は、直流電位を印加させるのではなく、時間的にオン・オフを繰り返し、その時間比率を変化させることで行う方式である。時間比率は、一定の周期で行わせると、大きなスプリアスが発生するので、上述した特許文献1、及び非特許文献2では、シグマデルタ(ΣΔ変調)変調器を用いることで信号をランダム化している。   In this example, the control of the varactor of the VCO is not performed by applying a DC potential but by repeatedly turning on and off in time and changing the time ratio. When the time ratio is set at a constant period, a large spurious is generated. Therefore, in Patent Document 1 and Non-Patent Document 2 described above, signals are randomized by using a sigma delta (ΣΔ modulation) modulator. .

このPLLがどのようにVCOの周波数を検出し、制御しているかについて、図11を用いて説明する。VCO出力の位相は、VCO出力を識別したCKV信号114の立ち上がりエッジのクロック遷移の数を累積することによって得ている。基準信号FREF110の位相は、当該出力をCKV信号でリタイミングしたCKR信号112を用いて、VCO信号と同期させた信号の立ち上がりごとに、カウンタ102で目標の逓倍数116を累積することによって得ている。位相誤差信号は、このCKV信号に同期した基準信号のエッジごとに累積した数値から、VCO出力の位相に相当するCKV信号のエッジの累積数値を単純に算術減算することによって得られる。この位相誤差信号は、PLLループ内の所定の利得を乗算して、デジタル制御VCOへの同調用入力としている。   How the PLL detects and controls the frequency of the VCO will be described with reference to FIG. The phase of the VCO output is obtained by accumulating the number of clock transitions at the rising edge of the CKV signal 114 that identified the VCO output. The phase of the reference signal FREF110 is obtained by accumulating the target multiplication number 116 by the counter 102 at each rising edge of the signal synchronized with the VCO signal using the CKR signal 112 whose output is retimed by the CKV signal. Yes. The phase error signal is obtained by simply arithmetically subtracting the accumulated value of the edge of the CKV signal corresponding to the phase of the VCO output from the value accumulated for each edge of the reference signal synchronized with the CKV signal. This phase error signal is multiplied by a predetermined gain in the PLL loop and used as a tuning input to the digital control VCO.

上述したCKV信号の立ち上がりエッジごとの遷移数の累積による位相検出方法では、VCOの発振周期以下の分解能は実現できないので、この例では、微小位相誤差検出回路201を導入している。   In the above-described phase detection method by accumulating the number of transitions for each rising edge of the CKV signal, a resolution equal to or lower than the oscillation period of the VCO cannot be realized. In this example, the minute phase error detection circuit 201 is introduced.

微小位相誤差検出回路では、図12および図13に示すとおり、CKV信号の検出された「1」から「0」への遷移の位置は、FREF110のサンプリングするエッジとVCOの識別されたクロックCKV114の立ち上がりエッジ302の量子化された遅れ時間ΔTrを、回路の時間分解能Δtresの倍数で示し、検出された「0」から「1」への遷移の位置は、FREF110のサンプリングするエッジとVCOクロックCKV114の立ち下がりエッジ400の量子化された遅れ時間ΔTrで示している。   In the minute phase error detection circuit, as shown in FIGS. 12 and 13, the detected transition position from “1” to “0” of the CKV signal is determined based on the sampling edge of the FREF 110 and the identified clock CKV 114 of the VCO. The quantized delay time ΔTr of the rising edge 302 is indicated by a multiple of the circuit time resolution Δtres, and the detected transition position from “0” to “1” indicates the edge of the sampling of the FREF 110 and the VCO clock CKV114. The quantization delay time ΔTr of the falling edge 400 is shown.

VCO周期以下の位相誤差を検出するための微小位相誤差検出回路の例を図14に示す。   An example of a minute phase error detection circuit for detecting a phase error equal to or less than the VCO period is shown in FIG.

この回路は、複数のインバータによる遅延要素502とラッチ/レジスタ504から構成されている。VCOから生成されたクロックCKV114は、各々インバータで遅延され、各々基準信号FREFの立ち上がりエッジでラッチ/レジスタにラッチされる。インバータアレイの遅れの総計がCKV114のクロック周期を十分カバーする限り、位相誤差をインバータの遅延時間の分解能Δtresまでは検出することが可能である。   This circuit is composed of a delay element 502 and a latch / register 504 by a plurality of inverters. The clocks CKV114 generated from the VCO are each delayed by an inverter and latched in the latch / register at the rising edge of each reference signal FREF. As long as the total delay of the inverter array sufficiently covers the clock period of CKV 114, the phase error can be detected up to the resolution Δtres of the delay time of the inverter.

図15は、図14に示す回路の動作を説明する図である。   FIG. 15 is a diagram for explaining the operation of the circuit shown in FIG.

基準発振器FREF110の正への遷移(602)で、複数のラッチ/レジスタ504がアクセスされ、基準発振器FREF110の立ち上がりエッジを基準とするVCOのクロックCKV114の遅れを示す複数の値の瞬時値604を得る。この値が時間差のデジタル値となる。このデジタル値を用いて前述したΣΔ変調器を制御することにより、VCOの周波数を高精度に制御している。
特開2002‐76886号公報 Journal of Solid-State Circuit, Vol39, No.12, 2004, pp.2278-2291
At the positive transition (602) of the reference oscillator FREF 110, a plurality of latch / registers 504 are accessed to obtain a plurality of instantaneous values 604 indicating the delay of the VCO clock CKV 114 relative to the rising edge of the reference oscillator FREF 110. . This value becomes the digital value of the time difference. By controlling the above-described ΣΔ modulator using this digital value, the frequency of the VCO is controlled with high accuracy.
Japanese Patent Laid-Open No. 2002-76886 Journal of Solid-State Circuit, Vol39, No.12, 2004, pp.2278-2291

しかしながら、上述の技術のようにデジタル的にVCOを制御することで、微細CMOSデバイスの低電圧動作でも、安定で高精度な発振信号を実現することができるが、VCOの発振周波数が高くなるにつれて、時間分解能への要求が厳しくなることが予想される。一方、時間分解能は、インバータの遅延時間で決定されるので、ある一定以下の遅延時間は実現できないことに加え、たとえ分解能が向上しても、各インバータの遅延時間の変動(チップ内ばらつき)が、そのまま位相検知器の精度に直結するので、精度の高い制御ができないという課題がある。   However, by controlling the VCO digitally as described above, a stable and highly accurate oscillation signal can be realized even in a low voltage operation of a fine CMOS device. However, as the oscillation frequency of the VCO increases, The demand for time resolution is expected to become stricter. On the other hand, since the time resolution is determined by the delay time of the inverter, in addition to the fact that a delay time below a certain value cannot be realized, even if the resolution is improved, the delay time variation (in-chip variation) of each inverter is not improved. Since it is directly connected to the accuracy of the phase detector as it is, there is a problem that high-precision control cannot be performed.

本発明の目的は、以上の点に鑑みてなされたものであり、その課題の一例は、低電圧動作時においても、VCOの分周信号と基準信号との位相差を高精度に検知し、この検知された位相差に対応したデジタル信号を多段インバータを用いずに生成する位相比較器を提供することにある。   The object of the present invention has been made in view of the above points, and an example of the problem is to detect the phase difference between the divided signal of the VCO and the reference signal with high accuracy even during low-voltage operation. It is an object of the present invention to provide a phase comparator that generates a digital signal corresponding to the detected phase difference without using a multistage inverter.

上記課題を解決するために、請求項1に記載の発明は、基準信号と対象信号との位相差をデジタル信号として出力する位相比較器において、前記位相差に対応したパルス幅の信号により第1容量素子を充電することによって前記位相差を電荷として検出する第1検出手段と、前記基準信号の周期に対応したパルス幅の信号により第2容量素子を充電することによって基準となる時間差を基準電荷として検出する第2検出手段と、前記第1検出手段により検出された電荷と前記第2検出手段により検出された電荷とを比較する電荷比較手段と、前記電荷比較手段による比較結果により、前記第2容量素子に充電された電荷に対する前記第1容量素子に充電された電荷の比をデジタル信号として出力する出力手段と、を備えることを特徴とする。   In order to solve the above-described problem, the invention described in claim 1 is a phase comparator that outputs a phase difference between a reference signal and a target signal as a digital signal, and the first is based on a signal having a pulse width corresponding to the phase difference. A first detection means for detecting the phase difference as a charge by charging the capacitive element, and a reference time difference by charging the second capacitive element with a signal having a pulse width corresponding to the period of the reference signal. The second detection means for detecting the charge detection means, the charge comparison means for comparing the charge detected by the first detection means with the charge detected by the second detection means, and the comparison result by the charge comparison means Output means for outputting, as a digital signal, a ratio of the charge charged in the first capacitive element to the charge charged in the two capacitive element.

請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の位相比較器において、前記第1容量素子と前記第2容量素子とは、夫々同一の大きさの当該容量素子を単独で、又は、当該容量素子を同一の数だけ複数並列接続することを特徴とする。   According to a second aspect of the present invention, in the phase comparator according to the first aspect, the first capacitive element and the second capacitive element are each the same size of the capacitive element, or the The same number of capacitor elements are connected in parallel.

請求項3に記載の発明は、請求項1又は2に記載の位相比較器において、前記第1容量素子を充電する電流を、前記第2容量素子を充電する電流に対して大きく設定し、前記出力手段は、前記第2容量素子に充電された電荷に対する前記第1容量素子に充電された電荷の比として出力されたデジタル信号を、更に前記第2容量素子を充電する電流に対すると前記第1容量素子を充電する電流の比で除算することにより、前記対象信号と前記基準信号との位相差をデジタル信号として出力することを特徴とする。   According to a third aspect of the present invention, in the phase comparator according to the first or second aspect, a current for charging the first capacitive element is set larger than a current for charging the second capacitive element, The output means outputs a digital signal output as a ratio of the charge charged in the first capacitive element to the charge charged in the second capacitive element, and further outputs the first signal when the current is charged to the second capacitive element. A phase difference between the target signal and the reference signal is output as a digital signal by dividing by a ratio of a current for charging the capacitor element.

請求項4に記載の発明は、請求項1乃至3の何れか一項に記載の位相比較器において、前記第2容量素子の充電電流に対して前記第1容量素子の充電する電流を2の整数倍数大きく設定することを特徴とする。   According to a fourth aspect of the present invention, in the phase comparator according to any one of the first to third aspects, a current charged by the first capacitive element is 2 with respect to a charging current of the second capacitive element. It is characterized by setting an integer multiple larger.

請求項5に記載の発明は、請求項1乃至4の何れか一項に記載の位相比較器において、前記電荷比較手段は、前記第2容量素子に充電した基準電荷を、当該第2容量素子と同一の構成の第3容量素子に分配することによって電荷量を段階的に変化させ、当該各段階で当該電荷量の大小を比較判定することを特徴とする。   According to a fifth aspect of the present invention, in the phase comparator according to any one of the first to fourth aspects, the charge comparison means uses the reference charge charged in the second capacitive element as the second capacitive element. The charge amount is changed stepwise by distributing to the third capacitor element having the same configuration as that of the first and second components, and the magnitude of the charge amount is compared and determined in each step.

請求項6に記載の発明は、請求項1乃至5の何れか一項に記載の位相比較器において、前記電荷比較手段は、容量帰還型の差動増幅器を備えることを特徴とすることを特徴とする。   According to a sixth aspect of the present invention, in the phase comparator according to any one of the first to fifth aspects, the charge comparison unit includes a capacitive feedback type differential amplifier. And

請求項7に記載の発明は、請求項1乃至6の何れか一項に記載の位相比較器において、前記位相差に対応したパルス幅の信号は、前記基準信号及び前記対象信号の各々の立ち上がりエッジをトリガとしたラッチ回路に入力し、当該ラッチ回路の出力を排他論理和に入力することによって生成することを特徴とする。   A seventh aspect of the present invention is the phase comparator according to any one of the first to sixth aspects, wherein a signal having a pulse width corresponding to the phase difference is a rising edge of each of the reference signal and the target signal. The latch circuit is generated by inputting an edge to a latch circuit as a trigger and inputting an output of the latch circuit to an exclusive OR.

請求項8に記載の発明は、請求項1乃至6の何れか一項に記載の位相比較器において、前記基準信号の周期に対応したパルス幅の信号は、前記基準信号及び前記対象信号の各々の立ち上がりエッジをトリガとしたフリップフロップ回路に入力し、当該フリップフロップ回路の出力を排他論理和に入力することによって生成することを特徴とする。   According to an eighth aspect of the present invention, in the phase comparator according to any one of the first to sixth aspects, a signal having a pulse width corresponding to a period of the reference signal is each of the reference signal and the target signal. Is generated by inputting the output of the flip-flop circuit into an exclusive OR.

以上から本発明によれば、低電圧動作時においても、精度の高い時間差-デジタル信号の変換が可能となる。また、位相雑音の低いシンセサイザを低消費電力で実現することが可能であり、将来の微細CMOSデバイスを用いた高度無線システムに好適である。   As described above, according to the present invention, it is possible to convert a time difference to a digital signal with high accuracy even during a low voltage operation. Further, it is possible to realize a synthesizer with low phase noise with low power consumption, which is suitable for an advanced wireless system using a future fine CMOS device.

以下、本願の最良の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。
[第1実施形態]
図1は、本発明の第1実施形態を説明するための位相比較器のブロック図である。以下、同一のものには同一の符号を付して、詳しい説明は省略する。
Hereinafter, the best embodiment of the present application will be described in detail with reference to the drawings.
[First Embodiment]
FIG. 1 is a block diagram of a phase comparator for explaining a first embodiment of the present invention. Hereinafter, the same components are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

入力端子10には、基準信号とVCOの位相誤差に対応したパルスが入力され、当該信号が「H」の状態の間スイッチS2が「オン」状態になり、電流源20により容量25に電荷が充電される。   A pulse corresponding to the phase error between the reference signal and the VCO is input to the input terminal 10, and the switch S <b> 2 is turned on while the signal is in the “H” state, and the capacitor 25 is charged by the current source 20. Charged.

一方、入力端子11には、VCOの周期に対応した基準パルス41が入力され、当該信号が「H」の状態の間スイッチS1が「オン」状態になり、電流源21により容量24に電荷が充電される。   On the other hand, a reference pulse 41 corresponding to the cycle of the VCO is input to the input terminal 11, and the switch S <b> 1 is turned on while the signal is in the “H” state. Charged.

各々の電流源の電流が同一であるとすると、位相誤差信号のパルス幅に相当する時間だけ充電された電荷量と、VCOの周期に対応した基準パルス幅に相当する時間だけ充電された電荷量の比をAD変換器で比較することで、位相誤差のVCO周期に対する割合を求めることができる。なお本第1実施形態では、AD変換器のビット数は5ビットとしている。
[第2実施形態]
図2は、本発明の第2実施形態を説明するための位相比較器のブロック図である。図2に示すように、第2実施形態に係る位相比較器は、第1実施形態の位相誤差に相当する電荷を検出する回路(検出手段の一例)と並列に、電流源20の2倍の一定電流を出力する電流源26と、容量24、25と同一の容量値を有する容量27とを備えている。
If the current of each current source is the same, the amount of charge charged for the time corresponding to the pulse width of the phase error signal and the amount of charge charged for the time corresponding to the reference pulse width corresponding to the cycle of the VCO The ratio of the phase error to the VCO period can be obtained by comparing the ratios of the two with an AD converter. In the first embodiment, the number of bits of the AD converter is 5 bits.
[Second Embodiment]
FIG. 2 is a block diagram of a phase comparator for explaining a second embodiment of the present invention. As shown in FIG. 2, the phase comparator according to the second embodiment is twice the current source 20 in parallel with a circuit (an example of a detection unit) that detects a charge corresponding to the phase error of the first embodiment. A current source 26 that outputs a constant current and a capacitor 27 having the same capacitance value as the capacitors 24 and 25 are provided.

また本第2実施形態においても、AD変換器は5ビットの分解能を有しており、新たに追加した位相誤差検出用の回路に対応して、AD変換器23も追加されている。各々のAD変換器の出力は各々5ビットのレジスタに確保され、位相誤差の状態に応じてセレクタ33により選択出力される。   Also in the second embodiment, the AD converter has a resolution of 5 bits, and an AD converter 23 is also added corresponding to the newly added phase error detection circuit. The output of each AD converter is secured in a 5-bit register, and is selectively output by the selector 33 according to the state of the phase error.

以下、本第2実施形態の動作を説明する。   Hereinafter, the operation of the second embodiment will be described.

入力端子10に入力された、基準信号とVCOの位相誤差に対応したパルス信号が、「H」の状態の間スイッチS2、S6が「オン」状態になり、電流源20及び26により、容量25及び27に電荷が充電される。一方、入力端子11に入力された、VCOの周期に対応した基準パルスが「H」の状態の間スイッチS1が「オン」状態になり、電流源21により容量24に電荷が充電される。この時、電流源20と21の電流が同一であるとすると、位相誤差信号のパルス幅に相当する時間だけ充電された電荷量と、VCOの周期に対応した基準パルス幅に相当する時間だけ充電された電荷量の比をAD変換器22で比較することで、位相誤差のVCO周期に対する割合を求めることができるが、位相誤差の検出能力をあげるためには、AD変換器の分解能を上げざるを得ず、結果的に消費電力やプロセスばらつきによる素子変動の影響を大きく受けてしまうことが懸念される。   While the pulse signal corresponding to the phase error between the reference signal and the VCO input to the input terminal 10 is in the “H” state, the switches S2 and S6 are in the “on” state. And 27 are charged. On the other hand, the switch S1 is turned on while the reference pulse input to the input terminal 11 corresponding to the cycle of the VCO is “H”, and the capacitor 24 is charged by the current source 21. At this time, if the currents of the current sources 20 and 21 are the same, the amount of charge charged for the time corresponding to the pulse width of the phase error signal and the charge for the time corresponding to the reference pulse width corresponding to the cycle of the VCO are charged. By comparing the ratio of the charged amounts with the AD converter 22, the ratio of the phase error to the VCO cycle can be obtained. However, in order to increase the detection capability of the phase error, the resolution of the AD converter must be increased. As a result, there is a concern that the influence of element variations due to power consumption and process variations is greatly affected.

本第2実施形態では、AD変換器22で検出したデジタル信号の最上位ビット(MSB: Most Significant Bit)が「0」の場合、電流源26、容量27、AD変換器23で構成される検出回路の出力を選択することで、AD変換器の分解能を上げることなく、高精度な検出を可能としている。すなわち、位相誤差時間だけオン状態となるスイッチにより、容量27には、容量25に比較し、2倍の電荷が蓄積される。   In the second embodiment, when the most significant bit (MSB: Most Significant Bit) of the digital signal detected by the AD converter 22 is “0”, the detection includes the current source 26, the capacitor 27, and the AD converter 23. By selecting the output of the circuit, highly accurate detection is possible without increasing the resolution of the AD converter. That is, twice as much charge as that of the capacitor 25 is accumulated in the capacitor 27 by the switch that is turned on only for the phase error time.

この電荷を基準電荷と比較し、最終的に得られたデジタル信号を1ビットLSB側にシフトするだけで、より高精度な検出が可能となる。   By comparing this charge with the reference charge and shifting the finally obtained digital signal to the 1-bit LSB side, detection with higher accuracy becomes possible.

本第2実施形態では、レジスタ28と29は、AD変換器の分解能と同一のビット数としたが、AD変換器を並列に複数並べ、レジスタのビット数をそれに伴い増加させることで、高精度の分解能を、AD変換器の分解能を上げることなく実現できる。
[第3の実施の形態]
図3は、本発明の第3実施形態を説明するための位相比較器のブロック図である。図3に示すように、第3実施形態に係る位相比較器は、第1実施形態のAD変換器の機能は、スイッチS3乃至S7Bと容量30(容量素子の一例)、オペアンプ31、32、レジスタ28で実現している。
In the second embodiment, the registers 28 and 29 have the same number of bits as the resolution of the AD converter. However, by arranging a plurality of AD converters in parallel and increasing the number of bits of the register accordingly, high precision is achieved. Can be realized without increasing the resolution of the AD converter.
[Third Embodiment]
FIG. 3 is a block diagram of a phase comparator for explaining a third embodiment of the present invention. As shown in FIG. 3, the phase comparator according to the third embodiment has the functions of the AD converter of the first embodiment in that the switches S3 to S7B and the capacitor 30 (an example of a capacitive element), operational amplifiers 31 and 32, and a register 28.

図4乃至7は、本第3実施形態の電荷比較方法を説明する図である。   4 to 7 are diagrams for explaining a charge comparison method according to the third embodiment.

最初に、図4に示すように、スイッチS2、及びS5を「オン」状態にして、容量25を、位相誤差に相当する時間分だけ電流源20により、一定電流で充電を行う。同時に、S1をVCOの周期に相当する時間分だけ「オン」状態にし、容量24を電流源21により、一定電流で充電を行う。この時、電流源20と21の電流および容量24と25の容量値は同一となるように設定され、スイッチS3、S4及びS6A,S6B、S7A,S7Bは「オフ」状態となっている。この動作により、容量24、25に各々所望の時間に相当する電荷が充電される。   First, as shown in FIG. 4, the switches S2 and S5 are turned on, and the capacitor 25 is charged with a constant current by the current source 20 for a time corresponding to the phase error. At the same time, S1 is turned on for a time corresponding to the cycle of the VCO, and the capacitor 24 is charged by the current source 21 at a constant current. At this time, the currents of the current sources 20 and 21 and the capacitance values of the capacitors 24 and 25 are set to be the same, and the switches S3, S4 and S6A, S6B, S7A, S7B are in the “off” state. By this operation, charges corresponding to a desired time are charged in the capacitors 24 and 25, respectively.

次に、図5に示すように、スイッチS6B、S7Bを「オン」にし、その他のスイッチは「オフ」状態のままにし、容量25の電荷を容量30に転送する。この時、容量30は、容量25と同じ値であれば、オペアンプの出力は、初期状態で充電された容量25の値を維持している。つまり、容量25の電荷は、全て容量30に転送されたことになる。従って、このステップで、位相誤差信号に相当する電荷量が容量30にサンプルされたことになる。   Next, as shown in FIG. 5, the switches S6B and S7B are turned “on”, the other switches are kept in the “off” state, and the charge of the capacitor 25 is transferred to the capacitor 30. At this time, if the capacitor 30 has the same value as the capacitor 25, the output of the operational amplifier maintains the value of the capacitor 25 charged in the initial state. That is, all the charges in the capacitor 25 are transferred to the capacitor 30. Therefore, the charge amount corresponding to the phase error signal is sampled in the capacitor 30 in this step.

図6に示す次のステップでは、S3、S4を「オン」の状態、その他スイッチを「オフ」にして容量24の電荷を容量25に再配分する。既に、容量25の電荷は容量30に転送されているので、これにより容量25には、VCOの周期に相当する基準パルスの1/2の電荷が蓄えられていることになる。   In the next step shown in FIG. 6, the charge of the capacitor 24 is redistributed to the capacitor 25 by setting S3 and S4 to the “on” state and other switches to “off”. Since the charge of the capacitor 25 has already been transferred to the capacitor 30, this means that the charge of 1/2 of the reference pulse corresponding to the cycle of the VCO is stored in the capacitor 25.

図7では、スイッチS6A、S7Aを「オン」の状態にして、その他のスイッチを「オフ」状態にして、容量25の電荷を容量30に転送すると、オペアンプの出力電圧は、先に転送されている電荷の和であるから、出力が正であるならば最上位ビットMSBは「1」、出力が負であるならばMSBは「0」となる。   In FIG. 7, when the switches S6A and S7A are turned on and the other switches are turned off and the charge of the capacitor 25 is transferred to the capacitor 30, the output voltage of the operational amplifier is transferred first. Since the most significant bit MSB is “1” if the output is positive, the MSB is “0” if the output is negative.

その後、スイッチS3、S4を「オン」状態にして、その他のスイッチを「オフ」とすると、容量24の電荷は、容量25に再分配される。既に図6で説明したステップで、初期に充電された電荷は1/2になっているので、この段階で容量25には初期のVCOの周期に相当する基準パルスの1/4の時間分の電荷が保存されたことになる。   Thereafter, when the switches S3 and S4 are turned on and the other switches are turned off, the charge in the capacitor 24 is redistributed to the capacitor 25. In the steps already described with reference to FIG. 6, the initially charged charge is halved. At this stage, the capacitor 25 has a time corresponding to ¼ of the reference pulse corresponding to the initial VCO cycle. The charge is stored.

以降は、逐次比較方式のAD変換器と同じ要領で比較を繰り返す。すなわち、MSBが「0」の場合には、スイッチS6A、S7Aを「オン」状態にして、容量30の初期電荷から1/4相当分を減算し、MSBが「1」であった場合には、スイッチS6B,S7Bを「オン」状態にして、容量30の初期電荷から3/4相当分を減算する。以上の動作を繰り返すことで第3ビット以降を順次決定してゆく。   Thereafter, the comparison is repeated in the same manner as the successive approximation AD converter. That is, when the MSB is “0”, the switches S6A and S7A are set to the “ON” state, and an equivalent of ¼ is subtracted from the initial charge of the capacitor 30, and when the MSB is “1”. Then, the switches S6B and S7B are turned on, and 3/4 equivalent is subtracted from the initial charge of the capacitor 30. By repeating the above operation, the third and subsequent bits are sequentially determined.

本第3実施形態によれば、インバータ列のように、多くの素子を必要としない分だけ、プロセス変動に対する影響が少ないことに加え、比較の回数を増やすことで、分解能を増加させることが可能である利点がある。
[第4実施形態]
図8は、本発明の第4実施形態を説明するための位相比較器のブロック図である。
According to the third embodiment, the effect on the process variation is small by the amount that does not require many elements as in the inverter array, and the resolution can be increased by increasing the number of comparisons. There is an advantage that is.
[Fourth Embodiment]
FIG. 8 is a block diagram of a phase comparator for explaining a fourth embodiment of the present invention.

図8に示すように、本第4実施形態に係る位相比較器は、データ入力端子が電源VDDに固定されたラッチ51、52(ラッチ回路の一例)、排他論理和54(排他論理和の一例)で基準信号とVCOの位相誤差に相当するパルスを生成し、DFF53と3入力AND回路とで、VCOの1/2周期に相当するパルスを生成している。尚、検出した位相誤差に相当する電荷を比較する回路40(電荷比較手段の一例)は第3実施形態と同じ構成である。   As shown in FIG. 8, the phase comparator according to the fourth embodiment includes latches 51 and 52 (an example of a latch circuit) whose data input terminals are fixed to the power supply VDD, an exclusive OR 54 (an example of an exclusive OR). ), A pulse corresponding to the phase error between the reference signal and the VCO is generated, and a pulse corresponding to a half cycle of the VCO is generated by the DFF 53 and the 3-input AND circuit. Note that a circuit 40 (an example of charge comparison means) for comparing charges corresponding to the detected phase error has the same configuration as that of the third embodiment.

以下、この回路の動作を説明する。   The operation of this circuit will be described below.

本第4実施形態では、VCO信号が基準信号REFに対して遅れている場合の例である。   The fourth embodiment is an example when the VCO signal is delayed with respect to the reference signal REF.

REF信号が「L」状態であるとすると、ラッチ51、52の出力は、リセット信号により「L」のままとなっている。REF信号が「L」から「H」に遷移すると、リセット信号は「L」となるので、ラッチ52の出力のみ「L」から「H」に遷移する。この時、ラッチ51は「L」のままであるので、排他論理和の出力も「L」から「H」に遷移する。   Assuming that the REF signal is in the “L” state, the outputs of the latches 51 and 52 remain “L” due to the reset signal. When the REF signal transits from “L” to “H”, the reset signal becomes “L”, so that only the output of the latch 52 transits from “L” to “H”. At this time, since the latch 51 remains “L”, the output of the exclusive OR also changes from “L” to “H”.

次に、VCO信号が「L」から「H」に遷移すると、ラッチ51の出力が「H」に遷移するので、排他論理和の出力は「L」状態になる。以降、VCO信号が「H」「L」状態を繰り返しても、データ端子がVDDに固定されているので、ラッチ51、52の出力は基準信号REFが「L」になるまで変化しない。   Next, when the VCO signal transits from “L” to “H”, the output of the latch 51 transits to “H”, so that the output of the exclusive OR becomes “L”. Thereafter, even if the VCO signal repeats the “H” and “L” states, the output of the latches 51 and 52 does not change until the reference signal REF becomes “L” because the data terminal is fixed to VDD.

結果的に、この回路はVCO信号と基準信号の位相差に相当する時間分だけのパルスを生成することができる。   As a result, this circuit can generate pulses corresponding to the time corresponding to the phase difference between the VCO signal and the reference signal.

一方、DFF53は、基準信号をデータ入力に、VCO信号をクロック入力として用いている。   On the other hand, the DFF 53 uses the reference signal as a data input and the VCO signal as a clock input.

基準信号が「L」状態では、DFF53の反転出力端子QBは「H」状態を出力している。今、基準信号が「L」から「H」に遷移した後、VCO信号が「L」から「H」に遷移した時DFFにはデータが取り込まれ、さらにVCO信号が「H」から「L」に遷移したときに、DFFの反転出力は、その論理ゲートの遅延時間分だけ遅れて「H」から「L」へと遷移する。すなわち、DFF53の出力は、VCOの1/2クロックと論理ゲート遅延分だけ遅れて、「H」から「L」遷移する。AND回路55は、この信号とVCO信号及び基準信号が入力されているので、基準信号が「H」の期間で、VCO信号の1/2周期のパルスの間だけ全ての入力が「H」となる時間だけ、「H」を出力することになる。   When the reference signal is in the “L” state, the inverting output terminal QB of the DFF 53 outputs the “H” state. Now, after the reference signal transitions from “L” to “H”, when the VCO signal transitions from “L” to “H”, data is taken into the DFF, and further, the VCO signal transitions from “H” to “L”. When the transition is made, the inverted output of the DFF transitions from “H” to “L” with a delay of the delay time of the logic gate. That is, the output of the DFF 53 transitions from “H” to “L” with a delay of ½ clock of the VCO and the logic gate delay. Since this signal, the VCO signal, and the reference signal are input to the AND circuit 55, all the inputs are set to “H” only during a ½ period pulse of the VCO signal in a period in which the reference signal is “H”. “H” is output for a certain time.

結果的に、この回路はVCO信号の1/2周期に相当する時間分だけのパルスを生成することができる。   As a result, this circuit can generate pulses for a time corresponding to a half period of the VCO signal.

以上述べてきた回路は、VCO信号が基準信号に対して送れている場合のパルスを発生する動作であったが、VCO信号の位相が、基準信号に対して進んでいる場合には、VCO信号の反転信号を、同様の回路に入力するだけで、同じ原理で検出を行うことができる。VCO信号の遅れ/進みの判定は、基準信号REFをクロックとしたDFFにより、VCO信号をラッチすることで容易に判定することができる。
[第5実施形態]
図9は、本発明の第5実施形態を説明するための回路図である。図9に示すように、本第5実施形態では、第3実施形態の、検出した位相誤差に相当する電荷を比較する回路40の別の形態を示している。
The circuit described above is an operation for generating a pulse when the VCO signal is sent with respect to the reference signal. However, when the phase of the VCO signal is advanced with respect to the reference signal, the VCO signal The detection can be performed on the same principle simply by inputting the inverted signal to the same circuit. The determination of the delay / advance of the VCO signal can be easily made by latching the VCO signal with a DFF using the reference signal REF as a clock.
[Fifth Embodiment]
FIG. 9 is a circuit diagram for explaining a fifth embodiment of the present invention. As shown in FIG. 9, the fifth embodiment shows another form of the circuit 40 for comparing charges corresponding to the detected phase error of the third embodiment.

この回路の動作について、図を用いて以下に説明する。   The operation of this circuit will be described below with reference to the drawings.

まず、スイッチS1、S7をオンにして、位相誤差に相当する時間分だけ、電流源の一定電流により、容量25を充電する。次に、スイッチS4、S7を「オン」状態にすれば、容量25の電荷は、容量30に転送されて、オペアンプ31の出力Voは、初期の容量25の電圧値Vsの負値−Vsとなる。これは、位相誤差に相当する電荷をサンプルしたことになる。個々で、オペアンプの出力が、負であるならばMSBは「0」、正ならばMSBは「1」となる。   First, the switches S1 and S7 are turned on, and the capacitor 25 is charged with a constant current of the current source for a time corresponding to the phase error. Next, when the switches S4 and S7 are turned on, the charge of the capacitor 25 is transferred to the capacitor 30, and the output Vo of the operational amplifier 31 is the negative value −Vs of the voltage value Vs of the initial capacitor 25. Become. This means that the charge corresponding to the phase error has been sampled. Individually, if the output of the operational amplifier is negative, the MSB is “0”, and if the output is positive, the MSB is “1”.

MSBが「0」の場合は、スイッチS5、S2を「オン」状態、その他のスイッチを「オフ」状態にして、容量25にVCO周期に相当する基準パルス幅分だけの電荷を位相誤差とは逆極性で充電する。この時、容量25の電位は−VRとなる。   When the MSB is “0”, the switches S5 and S2 are in the “on” state, the other switches are in the “off” state, and the charge corresponding to the reference pulse width corresponding to the VCO cycle is stored in the capacitor 25 as the phase error. Charge with reverse polarity. At this time, the potential of the capacitor 25 is −VR.

MSBが「1」であった場合には、スイッチS3、S7を「オン」状態にし、その他のスイッチを「オフ」状態にすることで、容量25にVCO周期に相当する基準パルス幅分だけの電荷を位相誤差と同極性で充電する。この時の容量25の電位はVRである。   When the MSB is “1”, the switches S3 and S7 are set to the “on” state and the other switches are set to the “off” state, so that the capacitor 25 has a reference pulse width corresponding to the VCO cycle. Charge the charge with the same polarity as the phase error. At this time, the potential of the capacitor 25 is VR.

さらに、スイッチS4、S7を「オン」状態にして、容量25の電荷を容量30に転送する。オペアンプの出力Voは−Vs+VRとなる。   Further, the switches S4 and S7 are turned on to transfer the charge of the capacitor 25 to the capacitor 30. The output Vo of the operational amplifier is −Vs + VR.

次に、スイッチS6、S2を「オン」状態にして、容量25に、オペアンプの出力−Voを充電し、スイッチS4、S7を「オン」状態にすると、容量25の電荷は、容量30に転送されて、Vo=Vo+Vo=2Vo=s(−Vs+VR)となる。   Next, when the switches S6 and S2 are turned on to charge the capacitor 25 with the output -Vo of the operational amplifier, and the switches S4 and S7 are turned on, the charge in the capacitor 25 is transferred to the capacitor 30. Thus, Vo = Vo + Vo = 2Vo = s (−Vs + VR).

このように循環しながら比較することで、基準パルスの電荷量を重み付けしなくても良く、常に一定の電荷量を増減することで、順次下位ビットを決定してゆくことができる。   By making comparisons while circulating in this way, the charge amount of the reference pulse does not need to be weighted, and the lower-order bits can be sequentially determined by always increasing or decreasing the constant charge amount.

本発明の第1実施形態の位相比較回路のブロック図である。It is a block diagram of the phase comparison circuit of a 1st embodiment of the present invention. 本発明の第2実施形態の位相比較回路のブロック図である。It is a block diagram of the phase comparison circuit of 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態の位相比較回路のブロック図である。It is a block diagram of the phase comparison circuit of 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態の電荷検出回路の動作を説明する図である。It is a figure explaining operation | movement of the electric charge detection circuit of 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態の電荷検出回路の動作を説明する図である。It is a figure explaining operation | movement of the electric charge detection circuit of 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態の電荷検出回路の動作を説明する図である。It is a figure explaining operation | movement of the electric charge detection circuit of 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態の電荷検出回路の動作を説明する図である。It is a figure explaining operation | movement of the electric charge detection circuit of 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第4実施形態の位相比較回路のブロック図である。It is a block diagram of the phase comparison circuit of 4th Embodiment of this invention. 本発明の第5実施形態の位相比較回路のブロック図である。It is a block diagram of the phase comparison circuit of 5th Embodiment of this invention. 従来の実施形態のPLL回路のブロック図である。It is a block diagram of a PLL circuit of a conventional embodiment. 従来の第2実施形態のPLL回路のブロック図である。It is a block diagram of the PLL circuit of the conventional second embodiment. 図11における位相比較の原理を説明する図である。It is a figure explaining the principle of the phase comparison in FIG. 図11における位相比較の原理を説明する第2の図である。It is a 2nd figure explaining the principle of the phase comparison in FIG. 図11における位相比較回路を説明する図である。It is a figure explaining the phase comparison circuit in FIG. 図14における位相比較の動作を説明する図である。It is a figure explaining the operation | movement of the phase comparison in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1:周波数位相比較器(検出手段の一例)
2:チャージポンプ
3:ループフィルタ
4:VCO
5:分周回路
10、11:入力端子
12:出力端子
20、21、26:電流源(検出手段の一例)
24、25、30:容量(容量素子の一例)
22、23:AD変換器(出力手段の一例)
28、29:レジスタ
33:セレクタ
31、32:オペアンプ(差動増幅器の一例)
40:電荷比較部(電荷比較手段の一例)
102:カウンタ
110:基準信号
114:CKV信号
112:CKR信号
116:制御信号
S1、S2、S3、S4、S5、S6、S6A、S6B、S7、S7A、S7B:スイッチ
1: Frequency phase comparator (an example of detection means)
2: Charge pump 3: Loop filter 4: VCO
5: Frequency divider 10, 11: Input terminal 12: Output terminals 20, 21, 26: Current source (an example of detection means)
24, 25, 30: Capacitance (an example of a capacitive element)
22, 23: AD converter (an example of output means)
28, 29: Register 33: Selector 31, 32: Operational amplifier (an example of a differential amplifier)
40: Charge comparison section (an example of charge comparison means)
102: Counter 110: Reference signal 114: CKV signal 112: CKR signal 116: Control signals S1, S2, S3, S4, S5, S6, S6A, S6B, S7, S7A, S7B: Switch

Claims (8)

基準信号と対象信号との位相差をデジタル信号として出力する位相比較器において、
前記位相差に対応したパルス幅の信号により第1容量素子を充電することによって前記位相差を電荷として検出する第1検出手段と、
前記基準信号の周期に対応したパルス幅の信号により第2容量素子を充電することによって基準となる時間差を基準電荷として検出する第2検出手段と、
前記第1検出手段により検出された電荷と前記第2検出手段により検出された電荷とを比較する電荷比較手段と、
前記電荷比較手段による比較結果により、前記第2容量素子に充電された電荷に対する前記第1容量素子に充電された電荷の比をデジタル信号として出力する出力手段と、
を備えることを特徴とする位相比較器。
In the phase comparator that outputs the phase difference between the reference signal and the target signal as a digital signal,
First detection means for detecting the phase difference as an electric charge by charging the first capacitive element with a signal having a pulse width corresponding to the phase difference;
Second detection means for detecting a reference time difference as a reference charge by charging the second capacitive element with a signal having a pulse width corresponding to the period of the reference signal;
Charge comparison means for comparing the charge detected by the first detection means with the charge detected by the second detection means;
An output means for outputting, as a digital signal, a ratio of the charge charged in the first capacitive element to the charge charged in the second capacitive element according to a comparison result by the charge comparison means;
A phase comparator comprising:
請求項1に記載の位相比較器において、
前記第1容量素子と前記第2容量素子とは、夫々同一の大きさの当該容量素子を単独で、又は、当該容量素子を同一の数だけ複数並列接続することを特徴とする位相比較器。
The phase comparator according to claim 1,
The first comparator and the second capacitor are phase comparators, each of which has the same size, or a plurality of the same number of capacitors connected in parallel.
請求項1又は2に記載の位相比較器において、
前記第1容量素子を充電する電流を、前記第2容量素子を充電する電流に対して大きく設定し、
前記出力手段は、前記第2容量素子に充電された電荷に対する前記第1容量素子に充電された電荷の比として出力されたデジタル信号を、更に前記第2容量素子を充電する電流に対すると前記第1容量素子を充電する電流の比で除算することにより、前記対象信号と前記基準信号との位相差をデジタル信号として出力することを特徴とする位相比較器。
The phase comparator according to claim 1 or 2,
A current for charging the first capacitor element is set larger than a current for charging the second capacitor element;
The output means outputs a digital signal output as a ratio of a charge charged in the first capacitor element to a charge charged in the second capacitor element, and further outputs a digital signal output in response to a current charging the second capacitor element. A phase comparator that outputs a phase difference between the target signal and the reference signal as a digital signal by dividing by a ratio of a current for charging one capacitive element.
請求項1乃至3の何れか一項に記載の位相比較器において、
前記第2容量素子の充電電流に対して前記第1容量素子の充電する電流を2の整数倍数大きく設定することを特徴とする位相比較器。
The phase comparator according to any one of claims 1 to 3,
The phase comparator is characterized in that the current charged by the first capacitive element is set larger by an integer multiple of 2 than the charging current of the second capacitive element.
請求項1乃至4の何れか一項に記載の位相比較器において、
前記電荷比較手段は、前記第2容量素子に充電した基準電荷を、当該第2容量素子と同一の構成の第3容量素子に分配することによって電荷量を段階的に変化させ、当該各段階で当該電荷量の大小を比較判定することを特徴とする位相比較器。
The phase comparator according to any one of claims 1 to 4,
The charge comparison unit distributes the reference charge charged in the second capacitor element to a third capacitor element having the same configuration as the second capacitor element, thereby changing the charge amount step by step. A phase comparator for comparing and determining the magnitude of the charge amount.
請求項1乃至5の何れか一項に記載の位相比較器において、
前記電荷比較手段は、容量帰還型の差動増幅器を備えることを特徴とすることを特徴とする位相比較器。
The phase comparator according to any one of claims 1 to 5,
The charge comparator includes a capacitive feedback type differential amplifier.
請求項1乃至6の何れか一項に記載の位相比較器において、
前記位相差に対応したパルス幅の信号は、前記基準信号及び前記対象信号の各々の立ち上がりエッジをトリガとしたラッチ回路に入力し、当該ラッチ回路の出力を排他論理和に入力することによって生成することを特徴とする位相比較器。
The phase comparator according to any one of claims 1 to 6,
A signal having a pulse width corresponding to the phase difference is input to a latch circuit triggered by rising edges of the reference signal and the target signal, and the output of the latch circuit is input to an exclusive OR. A phase comparator characterized by that.
請求項1乃至6の何れか一項に記載の位相比較器において、
前記基準信号の周期に対応したパルス幅の信号は、前記基準信号及び前記対象信号の各々の立ち上がりエッジをトリガとしたフリップフロップ回路に入力し、当該フリップフロップ回路の出力を排他論理和に入力することによって生成することを特徴とする位相比較器。
The phase comparator according to any one of claims 1 to 6,
A signal having a pulse width corresponding to the cycle of the reference signal is input to a flip-flop circuit triggered by rising edges of the reference signal and the target signal, and an output of the flip-flop circuit is input to an exclusive OR. And a phase comparator.
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