JP2008269066A - Power circuit and power supply circuit system - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電源入力線と電源出力線との間に介在する主トランジスタの駆動を制御することにより出力電圧を目標値に制御する電源回路およびこの電源回路を備えた電源供給回路システムに関する。 The present invention relates to a power supply circuit that controls an output voltage to a target value by controlling driving of a main transistor interposed between a power supply input line and a power supply output line, and a power supply circuit system including the power supply circuit.
車載用の半導体集積回路装置には、クランプ回路を設けることで入力端子に自身の動作電源電圧よりも高いバッテリ電圧を直接印加できるようにしたものがある。このクランプ回路の中には、使用する半導体素子を高耐圧化せずに構成し、通常の形成工程による製造を可能にしたものがある(例えば特許文献1参照)。このものは、クランプ動作を行う際、回路を構成する複数の半導体スイッチング素子に対し、中間電圧(電源電圧とグランドとの間の電圧)を与えて各素子の導通状態を制御するようになっている。 Some in-vehicle semiconductor integrated circuit devices are provided with a clamp circuit so that a battery voltage higher than its own operating power supply voltage can be directly applied to an input terminal. Among the clamp circuits, there is one in which a semiconductor element to be used is configured without increasing the withstand voltage and can be manufactured by a normal forming process (for example, see Patent Document 1). In this case, when performing a clamping operation, an intermediate voltage (voltage between the power supply voltage and the ground) is applied to a plurality of semiconductor switching elements constituting the circuit to control the conduction state of each element. Yes.
しかし、中間電圧がバッテリ電圧よりも低いという関係上、クランプ回路側から中間電圧を発生させる中間電圧発生回路の電圧出力線に電流が流れ込み、中間電圧発生回路が出力電圧を制御できなくなってしまう場合がある。この問題を解決するために、クランプ回路と中間電圧発生回路との間にシンク能力の高いボルテージフォロア回路を設け、中間電圧発生回路側へ流れ込む電流をグランドへシンクする入力インターフェイス回路が考えられている(例えば特許文献2参照)。 However, when the intermediate voltage is lower than the battery voltage, current flows into the voltage output line of the intermediate voltage generation circuit that generates the intermediate voltage from the clamp circuit side, and the intermediate voltage generation circuit becomes unable to control the output voltage. There is. In order to solve this problem, an input interface circuit is proposed in which a voltage follower circuit having a high sink capability is provided between the clamp circuit and the intermediate voltage generation circuit, and current flowing into the intermediate voltage generation circuit side is sinked to the ground. (For example, refer to Patent Document 2).
図3は、上記入力インターフェイス回路を、車載用のマイクロコンピュータ(以下、マイコンと称す)に適用した場合におけるマイコンおよびその周辺回路の構成を例示している。図3におけるマイコン1は、基準電圧生成回路2、オペアンプ3、4、電圧検出回路5、クランプ回路6、電源入力端子7、8、REF端子9、電源出力端子10および入力端子11を備えている。
FIG. 3 illustrates the configuration of a microcomputer and its peripheral circuits when the input interface circuit is applied to a vehicle-mounted microcomputer (hereinafter referred to as a microcomputer). The
このうち、基準電圧生成回路2、オペアンプ3および電圧検出回路5と、マイコン1外部のトランジスタ12とから電源回路13が構成されている。マイコン1の外部において、電源出力端子10とグランド(0V)との間には、コンデンサC1が接続されている。また、入力端子11は、抵抗R1を介してバッテリ電源線に接続されるとともに、スイッチS1を介してグランドに接続されている。なお、クランプ回路6における寄生ダイオードおよび寄生トランジスタは、図3中、破線で示している。
Among these, the reference
上記構成によれば、スイッチS1がオフされて、抵抗R1を介して入力端子11にバッテリ電圧+Bが印加された場合、入力端子11の電圧は、クランプ回路6の動作によりおよそ電源電圧VDDにクランプされる。この際、バッテリ電源線からクランプ回路6を介して電源回路13の電源出力線に向けて電流が流れるが、この電流は、ボルテージフォロア回路として機能するオペアンプ4の出力段に設けられたトランジスタ(図示せず)を介してグランドに流れる。これにより、電源回路13において出力電圧の制御ができなくなる事態を防止できる。
しかしながら、上記従来構成のものでは、マイコン1においてバッテリ電圧+Bが印加される可能性のある入力端子11の全てにオペアンプ4(ボルテージフォロア回路)を設ける必要があり、対象とする入力端子11の数に比例して回路規模が増大してしまうという問題がある。
However, in the conventional configuration, the operational amplifier 4 (voltage follower circuit) needs to be provided in all the
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、回路規模の増大を抑えつつ、電源出力線に流れ込む電流により出力電圧の制御ができなくなる事態を防止できる電源回路および電源供給回路システムを提供することにある。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a power supply circuit and a power supply circuit capable of preventing a situation in which the output voltage cannot be controlled due to a current flowing into the power supply output line while suppressing an increase in circuit scale. To provide a system.
請求項1記載の手段によれば、増幅回路は、出力電圧の目標値に対応した基準電圧と電源出力線の電圧に応じた検出電圧とに基づいて、電源入力線と電源出力線との間に介在する主トランジスタの制御端子に駆動信号を出力し出力電圧を目標値に制御する。このように出力電圧を目標値に制御しているときには、電源出力線と主トランジスタの制御端子との間に電源出力線側をアノードとして接続されたダイオードは、逆バイアスされるため上記制御動作に影響を及ぼさない。 According to the means of the first aspect, the amplifier circuit is connected between the power input line and the power output line based on the reference voltage corresponding to the target value of the output voltage and the detected voltage corresponding to the voltage of the power output line. A drive signal is output to the control terminal of the main transistor that is interposed between and the output voltage is controlled to a target value. Thus, when the output voltage is controlled to the target value, the diode connected with the power output line side as an anode between the power output line and the control terminal of the main transistor is reverse-biased, so that the above control operation is performed. Has no effect.
これに対し、電源回路の外部より電源出力線に電流が流れ込んだ場合、その電流が負荷に供給される電流よりも大きいと出力電圧が目標値を超えて上昇する。そして、電源出力線と主トランジスタの制御端子との間の電圧がダイオードの順方向電圧になると、ダイオードが順バイアスされ、上記流れ込んだ電流はダイオードを介して増幅回路へと流れる。通常、増幅回路は、グランド側に接続されたトランジスタを出力段に備えているので、上記電流は、このトランジスタを介してグランドへと流れる。このように、本電源回路は、従来にはなかった負荷に流れる電流の一部をグランド側に流すシンク経路を備え、シンク動作を可能とした(シンク機能を備えた)ので、電源出力線に流れ込む電流により出力電圧の制御ができなくなる事態を防止できる。また、シリーズレギュレータ形式の電源回路に上記ダイオードを加えることによりシンク動作を可能にするので、回路規模の増大を防止できる。 On the other hand, when a current flows into the power supply output line from the outside of the power supply circuit, if the current is larger than the current supplied to the load, the output voltage exceeds the target value. When the voltage between the power supply output line and the control terminal of the main transistor becomes the forward voltage of the diode, the diode is forward biased, and the flowing current flows to the amplifier circuit via the diode. Usually, since the amplifier circuit includes a transistor connected to the ground side in the output stage, the current flows to the ground through this transistor. In this way, this power supply circuit has a sink path that allows a part of the current that flows to the load to flow to the ground side, which has not been heretofore, and enables sink operation (with a sink function). It is possible to prevent a situation in which the output voltage cannot be controlled due to the flowing current. In addition, since the sink operation is enabled by adding the diode to the power supply circuit of the series regulator type, an increase in circuit scale can be prevented.
請求項2記載の手段によれば、請求項1記載の電源回路が、その出力電圧の目標値より高い電圧が入力され得る機能回路に電源出力線を介して接続されている。この機能回路に前記出力電圧の目標値より高い電圧が入力されると、前記電源出力線を通して電流が流れ出す。このような構成の電源供給回路システムにおいても、請求項1記載のダイオードによるシンク動作は有効に作用する。従って、電源回路は、機能回路から電源出力線に対して流れ出る電流による影響を受けずに出力電圧を目標値に制御することができる。
According to the means described in
請求項3記載の手段によれば、機能回路は半導体集積回路装置として構成されており、その入力端子に自身の動作電源電圧よりも高い電圧が印加された場合、電源回路の出力電圧を自身の動作電源電圧よりも低い中間電圧として供給されるクランプ回路の作用により、入力端子の信号がクランプされる。例えば、このようなクランプ回路の動作に起因して、半導体集積回路装置の半導体基板に形成された寄生トランジスタなどを介して、外部電圧が印加された入力端子から電源回路の電源出力線への電流経路が形成されると、入力端子の電圧と電源出力線の電圧との関係上、電源出力線に向けて電流が流れる。このようにして電源出力線に電流が流れ込む場合であっても、請求項1記載のダイオードによるシンク動作は有効に作用する。従って、電源回路は、入力端子から電源出力線に向けて流れ込む電流による影響を受けずに出力電圧を目標値に制御することができる。
According to the third aspect of the present invention, the functional circuit is configured as a semiconductor integrated circuit device, and when a voltage higher than its own operating power supply voltage is applied to its input terminal, the output voltage of the power supply circuit is changed to its own. The signal at the input terminal is clamped by the action of the clamp circuit supplied as an intermediate voltage lower than the operating power supply voltage. For example, the current from the input terminal to which an external voltage is applied to the power supply output line of the power supply circuit via a parasitic transistor formed on the semiconductor substrate of the semiconductor integrated circuit device due to the operation of the clamp circuit. When the path is formed, a current flows toward the power output line due to the relationship between the voltage of the input terminal and the voltage of the power output line. Thus, even when a current flows into the power output line, the sink operation by the diode according to
以下、本発明の一実施形態について図1を参照しながら説明する。
図1は、車両用のECU(Electronic Control Unit)に搭載されるマイクロコンピュータ(以下、マイコンと称す)およびその周辺回路についての概略構成を示しており、図3と同一構成部分については同一符号を付している。
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
FIG. 1 shows a schematic configuration of a microcomputer (hereinafter referred to as a microcomputer) mounted on a vehicle ECU (Electronic Control Unit) and its peripheral circuits, and the same components as those in FIG. It is attached.
図1に示すマイコン21(半導体集積回路装置に相当)は、基準電圧生成回路2、オペアンプ3、ダイオード22、電圧検出回路5、クランプ回路6、電源入力端子7、8、REF端子9、電源出力端子10および入力端子11を備えたIC(半導体集積回路)として構成されている。マイコン21には、電源入力端子7、8(電源入力線に相当)およびグランド端子(図示せず)を介して動作電源電圧VDD(例えば+5V)が供給されるようになっている。
A microcomputer 21 (corresponding to a semiconductor integrated circuit device) shown in FIG. 1 includes a reference
シリーズレギュレータ形式の電源回路13は、基準電圧生成回路2、オペアンプ3(増幅回路に相当)、ダイオード22および電圧検出回路5と、マイコン21の外部において電源入力端子7と電源出力端子10(電源出力線に相当)との間に接続されたNPN形のトランジスタ12(主トランジスタに相当)から構成されている。また、マイコン21の外部において、電源出力端子10とグランド(0V)との間には、電源出力端子10における出力電圧VCL(中間電圧に相当、例えば+3V)を安定化させるためのコンデンサC1が接続されている。
The series regulator type
電源出力端子10に生成される出力電圧VCLは、電源出力線23を介してマイコン21内部の制御回路24に与えられるようになっている。この制御回路24は、出力電圧VCLの供給を受けて、通常の動作を行う通常モードおよび待機状態となる低消費電力モードのうち、いずれかの動作モードで動作するようになっている。
The output voltage VCL generated at the
電圧検出回路5の抵抗R2と抵抗R3は、電源出力端子10とグランドとの間に接続されている。抵抗R2と抵抗R3との共通接続点の電圧、つまり電源出力端子10における出力電圧VCLを抵抗R2、R3により分圧して得られる検出電圧Vdetは、オペアンプ3の反転入力端子に与えられている。基準電圧生成回路2は、例えばバンドギャップ基準電圧回路であり、出力電圧VCLの目標値を指令するための基準電圧Vrefを生成している。この基準電圧Vrefは、オペアンプ3の非反転入力端子に与えられている。
The resistors R2 and R3 of the
オペアンプ3の出力端子から出力される誤差増幅信号Sd(駆動信号に相当)は、REF端子9を介してトランジスタ12のベース(制御端子に相当)に与えられており、これによりトランジスタ12の駆動が制御されるようになっている。電源出力端子10とREF端子9との間には、電源出力端子10側をアノードとしてダイオード22が接続されている。このダイオード22は、後述するシンク動作を行うために設けられている。
The error amplification signal Sd (corresponding to the drive signal) output from the output terminal of the
クランプ回路6(機能回路に相当)は、トランジスタP1〜P3を備えている。なお、図1では、入力端子11の電圧を動作電源電圧VDD側にクランプするための構成部分のみを示しているが、クランプ回路6は、入力端子11の電圧をグランド側にクランプするための構成も備えている。これらトランジスタP1〜P3は、Pチャネル型のMOSトランジスタである。各トランジスタP1〜P3のソース−バックゲート間には、ソース側をアノードとして寄生ダイオードD1〜D3が形成されている。また、トランジスタP3のソース−ドレイン間には、PNP形の寄生トランジスタT1が形成されている。なお、図1では、寄生ダイオードD1〜D3および寄生トランジスタT1は破線で示している。
The clamp circuit 6 (corresponding to a functional circuit) includes transistors P1 to P3. Although FIG. 1 shows only a component for clamping the voltage of the
クランプ回路6において、トランジスタP2のソースは入力端子11に接続され、ドレインはトランジスタP1を介して電源入力端子8に接続されている。トランジスタP1のゲートには、トランジスタP1を遮断状態に制御可能な電圧(Hi)が与えられている。トランジスタP3のゲートおよびソースは共通に接続されるとともに、トランジスタP1およびP2の共通接続点に接続されている。トランジスタP3のドレインおよびトランジスタP2のゲートは共通に接続されているとともに、電源出力線23を介して電源出力端子10に接続されている。また、各トランジスタP1〜P3のバックゲートは、いずれも電源入力端子8に接続されている。
In the
入力端子11は、マイコン21の外部において、例えば車両動作時において+12V〜+16Vのバッテリ電圧+B(外部電圧に相当)のバッテリ電源線に抵抗R1(例えば数10kΩ)を介して接続されるとともに、スイッチS1を介してグランドに接続されている。従って、スイッチS1のオンオフにより、入力端子11にはHレベル(+B)およびLレベル(0V)の信号が入力される。なお、この入力端子11に与えられる信号は、マイコン21の内部回路に出力されるようになっている(図示せず)。
The
車両用のECUには、マイコン21の他に、例えばEEPROMやCAN(Controller Area Network)ドライバといった外部部品25(機能回路に相当)も搭載されている。外部部品25は、電源端子26および外部電源端子27を備えている。このうち、電源端子26にはバッテリ電圧+Bのバッテリ電源線が接続されており、一方、外部電源端子27は、電源出力線28を介してマイコン21の電源出力端子10に接続されている。なお、本実施形態においては、電源回路13、クランプ回路6および外部部品25により、電源供給回路システム29が構成されている。
In addition to the
次に、本実施形態の作用について説明する。
まず、電源回路13の通常時における動作について説明する。電源回路13において、オペアンプ3は、非反転入力端子に与えられた基準電圧Vrefと、反転入力端子に与えられた検出電圧Vdetとの差に応じた誤差増幅信号Sdを出力する。この誤差増幅信号Sdによりトランジスタ12が駆動され、出力電圧VCLは、下記(1)式に示す目標値に制御される。なお、下記(1)式においては、抵抗R2、R3の抵抗値をそれぞれR2、R3として示している。
目標値=Vref×(R2+R3)/R3 …(1)
Next, the operation of this embodiment will be described.
First, the normal operation of the
Target value = Vref × (R2 + R3) / R3 (1)
電源回路13が上記のとおり動作している場合、REF端子9の電圧は、出力電圧VCL+トランジスタ12のベース−エミッタ間順方向電圧VFとなる。このとき、ダイオード22は逆バイアスされ、オペアンプ3による出力電圧VCLの制御動作に影響を及ぼさない。
When the
続いて、入力端子11に動作電源電圧VDDよりも高い電圧が印加された場合におけるクランプ回路6の動作について説明する。このクランプ動作については、特許文献1に開示されているので、ここでは概略の説明にとどめる。なお、寄生ダイオードD1〜D3の順方向電圧はいずれも電圧VFとする。
Next, the operation of the
スイッチS1がオフされ、抵抗R1を介して入力端子11にバッテリ電圧+Bが印加されると、寄生ダイオードD2がオン状態となり、入力端子11の電圧は、動作電源電圧VDDに電圧VFを加えた値(VDD+VF)にクランプされる。これにより、マイコン21の内部回路(図示せず)にHレベル(VDD+VF)の信号が入力される。
When the switch S1 is turned off and the battery voltage + B is applied to the
この場合、電流Ia(例えば100μA〜数100μA)が抵抗R1および入力端子11を介してマイコン21内に流れ込む。この際、トランジスタP2において、ソースは入力端子11と同じVDD+VFであり、ゲートは出力電圧VCLである。従って、トランジスタP1のゲート−ソース間にしきい値電圧VTが確保され、トランジスタP2がオンする。
In this case, a current Ia (for example, 100 μA to several hundred μA) flows into the
トランジスタP1とP2との共通接続点の電圧は、寄生ダイオードD1が寄生ダイオードD2と同様にオンすることによりVDD+VFにクランプされている。従って、トランジスタP3のソースはVDD+VFになる。そして、トランジスタP3のバックゲートには、動作電源電圧VDDが与えられている。これにより、トランジスタP3の寄生トランジスタT1のベース−エミッタ間電圧が電圧VFとなり、寄生トランジスタT1がオンする。このようなクランプ回路6の動作により、入力端子11からマイコン21内部に流入する電流Iaが、トランジスタP2および寄生トランジスタT1を介して電源出力線23に流れ込む経路が形成される。
The voltage at the common connection point between the transistors P1 and P2 is clamped to VDD + VF when the parasitic diode D1 is turned on similarly to the parasitic diode D2. Therefore, the source of the transistor P3 becomes VDD + VF. The operating power supply voltage VDD is applied to the back gate of the transistor P3. As a result, the base-emitter voltage of the parasitic transistor T1 of the transistor P3 becomes the voltage VF, and the parasitic transistor T1 is turned on. By such an operation of the
続いて、クランプ回路6の上記動作時における電源回路13の動作について説明する。マイコン21の制御回路24が通常モードで動作している場合、制御回路24の消費電流Ibは、クランプ回路6から流れ込む電流Iaより十分に大きい(Ib≫Ia)。このため、電流Iaは通常モードで動作する制御回路24に流れ、電源回路13の出力電圧VCLは、トランジスタ12の駆動すなわちトランジスタ12のコレクタ電流Icを制御することにより上記目標値に制御される。
Next, the operation of the
一方、マイコン21の制御回路24が低消費電力モードで動作している場合、制御回路24の消費電流が小さくなり、電流Iaが制御回路24の消費電流Ibを上回る状態となる(Ib<Ia)。この余剰電流(Ia−Ib)により出力電圧VCLは目標値よりも僅かに上昇するが、余剰電流のほとんどは後述するようにダイオード22に流れ、出力電圧VCLの上昇を抑制する。
On the other hand, when the
すなわち、オペアンプ3は、上昇した出力電圧VCLを目標値に一致させるため、トランジスタ12のベース電圧を低下させる。そして、トランジスタ12のベース電圧が出力電圧VCL、つまりトランジスタ12のエミッタ電圧よりダイオード22の順方向電圧VFだけ低くなると、ダイオード22が順バイアスされる。これにより、余剰電流は、ダイオード22およびオペアンプ3の出力段のトランジスタ(図示せず)を介してグランドに流れる。すなわち、ダイオード22およびオペアンプ3により、シンク動作が行われる。このようなシンク動作により、電源回路13は、余剰電流の影響を受けることなく、出力電圧VCLを極力目標値に等しく制御できる。
That is, the
上記ダイオード22によるシンク動作は、外部部品25から電源出力線28を通して電源回路13に電流が流れ込む場合についても同様に行われる。すなわち、電源回路13は、出力電圧VCLの目標値より高い電圧が入力され得る機能回路に電源出力線28を介して接続されており、この機能回路が、目標値より高い電圧が入力されたときに電源出力線28を通して電流を流し出すような構成であれば、ダイオード22によるシンク動作が有効に作用することになる。
The sink operation by the
以上説明したように、本実施形態によれば次のような効果を奏する。
シリーズレギュレータ形式の電源回路13において、電源出力端子10とトランジスタ12のベースとの間に、電源出力端子10側をアノードとしてダイオード22を接続した。このような構成により、電源回路13の外部から電源出力線23に電流が流れ込むことで出力電圧VCLが目標値を超えて上昇した場合、オペアンプ3がトランジスタ12のベース電圧を低下させ、ダイオード22が順バイアスされる。これにより、電源出力線23に流れ込んだ電流はダイオード22およびオペアンプ3の出力段のトランジスタを介してグランドに流れ、電源回路13は、流れ込んだ電流の影響を受けることなく、出力電圧VCLを目標値に制御することができる。また、一般的なシリーズレギュレータ形式の電源回路に対し、ダイオード22を追加することで上記シンク動作を可能にするので、電源回路13の規模が増大することを防止できる。
As described above, according to the present embodiment, the following effects can be obtained.
In the series regulator type
電源回路13の出力電圧VCLをマイコン21内のクランプ回路6に対し、電源出力線23を介して中間電圧として供給するようにした。マイコン21の制御回路24が通常モードで動作している場合、制御回路24の消費電流Ibが入力端子11およびクランプ回路6を介して電源出力線23に流れ込む電流Iaより十分に大きいため、電流Iaは制御回路24に流れる。しかし、制御回路24が低消費電力モードで動作している場合、制御回路24の消費電流Ibが小さくなり、電流Iaが消費電流Ibを上回る状態となる。このとき、余剰電流(Ia−Ib)により出力電圧VCLが目標値よりも僅かに上昇するが、上記ダイオード22によるシンク動作が有効に作用するので、電源回路13は、電源出力線23に流れ込む余剰電流による影響を受けずに出力電圧VCLを極力目標値に等しく制御できる。
The output voltage VCL of the
上記ダイオード22によるシンク動作は、外部部品25から電源出力線28を介して電源回路13に電流が流れ込む場合についても同様に行われる。従って、電源回路13は、同じ車両用のECUに搭載されている、例えばEEPROMやCANドライバといったバッテリ電圧+Bの供給を受けて動作する外部部品25に対し、出力電圧VCLを外部電源として供給することが可能となる。
The sink operation by the
なお、本発明は上記し且つ図面に記載した実施形態に限定されるものではなく、次のような変形または拡張が可能である。
図2に示すように、図1におけるダイオード22に替えて、ベースおよびコレクタを共通に接続した、いわゆるダイオード接続の形態をなすNPN形のトランジスタ41のベース−エミッタ間を用いても、上記実施形態と同様の作用および効果が得られる。すなわち、ダイオードと同様の働きをなすものであればよく、ダイオード接続の形態をなすPNP形のトランジスタなど、その他の素子を用いてもよい。
The present invention is not limited to the embodiment described above and illustrated in the drawings, and the following modifications or expansions are possible.
As shown in FIG. 2, in place of the
電源回路13は、トランジスタ12以外の回路をマイコン21に搭載して構成したが、マイコン21に搭載する回路については適宜変更可能である。また、電源回路13は、マイコン21に搭載しなくてもよく、ディスクリート部品により構成してもよい。
電源回路13の主トランジスタは、Nチャネル型のMOSトランジスタでもよい。
電源回路13の出力電圧VCL、マイコン21の動作電源電圧VDDおよび入力端子11に抵抗R1を介して印加されるバッテリ電圧+Bについては、上記実施形態の値に限らず、下記(2)式の条件を満たす値に適宜変更可能である。なお、下記(2)式においてはダイオード22の順方向電圧をVFとする。
VF<VCL<VDD<+B …(2)
The
The main transistor of the
The output voltage VCL of the
VF <VCL <VDD <+ B (2)
マイコン21は、動作電源電圧VDDより高い電圧が印加され得る入力端子11を複数備えていてもよい。また、半導体集積回路装置としては、マイコン21に限らず、入力端子および機能回路を備えているものであればよい。入力端子は、入出力兼用の端子であってもよい。本発明は、車両用のECUに搭載されるマイコンに内蔵される電源回路に限らず、シリーズレギュレータ形式の電源回路全般に適用可能である。
The
図面中、3はオペアンプ(増幅回路)、5は電圧検出回路、6はクランプ回路(機能回路)、7、8は電源入力端子(電源入力線)、10は電源出力端子(電源出力線)、11は入力端子、12はトランジスタ(主トランジスタ)、13は電源回路、21はマイコン(半導体集積回路装置)、22はダイオード、23、28は電源出力線、25は外部部品(機能回路)、29は電源供給回路システムである。 In the drawings, 3 is an operational amplifier (amplifier circuit), 5 is a voltage detection circuit, 6 is a clamp circuit (functional circuit), 7 and 8 are power input terminals (power input lines), 10 is a power output terminal (power output lines), 11 is an input terminal, 12 is a transistor (main transistor), 13 is a power supply circuit, 21 is a microcomputer (semiconductor integrated circuit device), 22 is a diode, 23 and 28 are power supply output lines, 25 is an external component (functional circuit), 29 Is a power supply circuit system.
Claims (3)
前記電源出力線における出力電圧に応じた検出電圧を出力する電圧検出回路と、
前記出力電圧の目標値に対応した基準電圧と前記検出電圧とに基づいて前記主トランジスタの制御端子に駆動信号を出力する増幅回路と、
前記電源出力線と前記主トランジスタの制御端子との間に前記電源出力線側をアノードとして接続されたダイオードとを備えていることを特徴とする電源回路。 An NPN-type or N-channel main transistor interposed between the power input line and the power output line;
A voltage detection circuit that outputs a detection voltage corresponding to an output voltage in the power supply output line;
An amplifier circuit that outputs a drive signal to a control terminal of the main transistor based on a reference voltage corresponding to a target value of the output voltage and the detection voltage;
A power supply circuit comprising a diode connected between the power output line and a control terminal of the main transistor with the power output line side as an anode.
この電源回路と電源出力線を介して接続されるとともに前記電源回路の出力電圧の目標値よりも高い外部電圧が入力可能とされており、前記目標値よりも高い外部電圧が入力されたときに前記電源出力線を通して電流が流れ出す構成の機能回路とを備えていることを特徴とする電源供給回路システム。 A power circuit according to claim 1;
When the external voltage higher than the target value of the output voltage of the power supply circuit is input and connected to the power supply circuit via the power supply output line, and when the external voltage higher than the target value is input And a functional circuit configured to allow current to flow through the power output line.
前記半導体集積回路装置は、自身の動作電源電圧よりも高い外部電圧が印加され得る入力端子と、前記入力端子に入力される信号をクランプするクランプ回路とを備え、
前記電源回路の出力電圧が、前記クランプ回路において前記自身の動作電源電圧よりも低い中間電圧として供給されることを特徴とする請求項2記載の電源供給回路システム。 The functional circuit is configured as a semiconductor integrated circuit device,
The semiconductor integrated circuit device includes an input terminal to which an external voltage higher than its operating power supply voltage can be applied, and a clamp circuit that clamps a signal input to the input terminal,
3. The power supply circuit system according to claim 2, wherein an output voltage of the power supply circuit is supplied as an intermediate voltage lower than the operation power supply voltage of the clamp circuit in the clamp circuit.
Priority Applications (1)
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