JP2008258538A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008258538A JP2008258538A JP2007101727A JP2007101727A JP2008258538A JP 2008258538 A JP2008258538 A JP 2008258538A JP 2007101727 A JP2007101727 A JP 2007101727A JP 2007101727 A JP2007101727 A JP 2007101727A JP 2008258538 A JP2008258538 A JP 2008258538A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor
- voltage
- electrode
- pmos
- nmos
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【解決手段】ソース電極とドレイン電極が短絡されたnMOSトランジスタ1と、ソース電極とドレイン電極が短絡され、ゲート電極が前記nMOSトランジスタのゲート電極に接続されたpMOSトランジスタ2と、を備え、前記nMOSトランジスタのソース電極、基板電極、前記pMOSトランジスタのソース電極、基板電極のうち少なくともいずれか1つに可変バイアス電圧を印加してオンするゲート電位を調整し、合成容量値をゲート電圧によらず一定の値となるようにする。
【選択図】図1
Description
Takamiya and Mizuno, "A 6.7-fF/μm2 Bias-Independent Gate Capacitor (BIGCAP) With Digital CMOS Process and Its Application to the Loop Filter of a Differential PLL", IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, MARCH 2005, VOL40, NO.3, pp719-725
2 pMOS容量
V1〜V4 可変電圧源
Claims (5)
- ソース電極とドレイン電極が短絡されたnMOSトランジスタ及びソース電極とドレイン電極が短絡され、ゲート電極が前記nMOSトランジスタのゲート電極に接続されたpMOSトランジスタを有するキャパシタと、
前記nMOSトランジスタのソース電極、基板電極、前記pMOSトランジスタのソース電極、基板電極のうち少なくともいずれか1つに可変のバイアス電圧を印加する可変電圧源と、
を備えることを特徴とする半導体集積回路装置。 - ソース電極とドレイン電極が短絡された複数のnMOSトランジスタ、ソース電極とドレイン電極が短絡された複数のpMOSトランジスタ、及び複数のスイッチを有し、前記複数のnMOSトランジスタのゲート電極と前記複数のpMOSトランジスタのゲート電極はそれぞれ対応する前記スイッチを介して接続されるキャパシタと、
前記複数のnMOSトランジスタのソース電極、基板電極、前記複数のpMOSトランジスタのソース電極、基板電極のうち少なくともいずれか1つに可変のバイアス電圧を印加する可変電圧源と、
を備えることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項1又は2に記載のキャパシタを含む回路部と、
基準キャパシタを含む基準フィルタと、
前記回路部に含まれるキャパシタと電気的特性が等しいキャパシタを含み、前記基準フィルタと電気的に等価な回路構成を有するフィルタと、
前記基準フィルタ及び前記フィルタに基準信号を与える基準信号生成部と、
前記基準フィルタの出力及び前記フィルタの出力が与えられ、比較結果を出力する比較器と、
前記比較結果が与えられ、前記比較結果に基づいてカウンタ値の増減を行うアップダウンカウンタと、
前記カウンタ値が与えられ、前記カウンタ値に基づく電圧を生成し、前記回路部に含まれる前記キャパシタ及び前記フィルタに含まれる前記キャパシタにバイアス電圧として印加する変換器と、
を備えることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項1又は2に記載のキャパシタを有する回路部と、
所定の電圧信号を出力する第1の変換器と、
前記キャパシタに含まれるトランジスタと電気的特性が等しいトランジスタを有し、前記電圧信号が与えられ、前記電圧信号の電圧値及び前記トランジスタの閾値電圧に基づく周波数で発振する発振器と、
前記発振器の発振周波数を検出する周波数カウンタと、
前記検出された発振周波数から前記閾値電圧を算出し、前記閾値電圧に基づいて前記キャパシタへのバイアス電圧を決定する周波数バイアス換算部と、
前記決定されたバイアス電圧を生成し、前記キャパシタに印加する第2の変換器と、
を備えることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項1又は2に記載のキャパシタを有する回路部と、
前記キャパシタに含まれるpMOSトランジスタと電気的特性が等しいpMOSトランジスタ及び前記pMOSトランジスタのゲート電極及びドレイン電極に接続された第1の直流電流源を有し、前記pMOSトランジスタの閾値電圧を生成し出力するpMOS閾値生成部と、
前記キャパシタに含まれるnMOSトランジスタと電気的特性が等しいnMOSトランジスタ及び前記nMOSトランジスタのゲート電極及びドレイン電極に接続された第2の直流電流源を有し、前記nMOSトランジスタの閾値電圧を生成し出力するnMOS閾値生成部と、
前記pMOSトランジスタの閾値電圧及び前記nMOSトランジスタの閾値電圧に基づいて、前記回路部が有する前記キャパシタへのバイアス電圧を算出して生成し、前記キャパシタに印加する演算部と、
を備えることを特徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007101727A JP5407034B2 (ja) | 2007-04-09 | 2007-04-09 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007101727A JP5407034B2 (ja) | 2007-04-09 | 2007-04-09 | 半導体集積回路装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008258538A true JP2008258538A (ja) | 2008-10-23 |
JP5407034B2 JP5407034B2 (ja) | 2014-02-05 |
Family
ID=39981783
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007101727A Active JP5407034B2 (ja) | 2007-04-09 | 2007-04-09 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5407034B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9053960B2 (en) | 2013-03-04 | 2015-06-09 | Qualcomm Incorporated | Decoupling capacitor for integrated circuit |
JP2016534569A (ja) * | 2013-08-30 | 2016-11-04 | クゥアルコム・インコーポレイテッドQualcomm Incorporated | 改良された線形性を有する金属酸化物半導体(mos)キャパシタ |
WO2019225314A1 (ja) * | 2018-05-22 | 2019-11-28 | 株式会社ソシオネクスト | 半導体集積回路装置 |
WO2020059494A1 (ja) * | 2018-09-18 | 2020-03-26 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 発振回路および位相同期回路 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62156853A (ja) * | 1985-12-28 | 1987-07-11 | Toshiba Corp | Mos型可変容量回路 |
JPH0525743U (ja) * | 1991-09-12 | 1993-04-02 | 横河電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2002158331A (ja) * | 2000-11-21 | 2002-05-31 | Mitsumi Electric Co Ltd | 半導体容量素子及びそれを用いた半導体集積回路 |
JP2003243521A (ja) * | 2002-02-20 | 2003-08-29 | Nec Corp | 容量素子及び容量素子を用いた半導体集積回路 |
JP2006042197A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Ricoh Co Ltd | フィルタ回路及びd/a変換器 |
-
2007
- 2007-04-09 JP JP2007101727A patent/JP5407034B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62156853A (ja) * | 1985-12-28 | 1987-07-11 | Toshiba Corp | Mos型可変容量回路 |
JPH0525743U (ja) * | 1991-09-12 | 1993-04-02 | 横河電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2002158331A (ja) * | 2000-11-21 | 2002-05-31 | Mitsumi Electric Co Ltd | 半導体容量素子及びそれを用いた半導体集積回路 |
JP2003243521A (ja) * | 2002-02-20 | 2003-08-29 | Nec Corp | 容量素子及び容量素子を用いた半導体集積回路 |
JP2006042197A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Ricoh Co Ltd | フィルタ回路及びd/a変換器 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9053960B2 (en) | 2013-03-04 | 2015-06-09 | Qualcomm Incorporated | Decoupling capacitor for integrated circuit |
JP2016534569A (ja) * | 2013-08-30 | 2016-11-04 | クゥアルコム・インコーポレイテッドQualcomm Incorporated | 改良された線形性を有する金属酸化物半導体(mos)キャパシタ |
WO2019225314A1 (ja) * | 2018-05-22 | 2019-11-28 | 株式会社ソシオネクスト | 半導体集積回路装置 |
WO2020059494A1 (ja) * | 2018-09-18 | 2020-03-26 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 発振回路および位相同期回路 |
JPWO2020059494A1 (ja) * | 2018-09-18 | 2021-08-30 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 発振回路および位相同期回路 |
US11418202B2 (en) | 2018-09-18 | 2022-08-16 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Oscillator circuit and phase locked loop |
JP7427600B2 (ja) | 2018-09-18 | 2024-02-05 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 発振回路および位相同期回路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5407034B2 (ja) | 2014-02-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4361500B2 (ja) | 電圧制御型発振器 | |
KR101043418B1 (ko) | 부성저항을 개선시킨 차동 콜피츠 전압 제어 발진기 | |
US20090289732A1 (en) | Semiconductor integrated circuit device and frequency synthesizer | |
KR101209405B1 (ko) | 저위상 노이즈 증폭기 회로 | |
US10727822B2 (en) | Comparator and relaxation oscillator | |
JP2009211667A (ja) | 定電圧回路 | |
US20070085620A1 (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
US8102217B2 (en) | Oscillator having feedback path which is capable of supplying reduced voltage potential to oscillation circuit | |
US20170111009A1 (en) | Lc-tank oscillator having intrinsic low-pass filter | |
JP5407034B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
US20070222489A1 (en) | Voltage-controlled oscillator and adjustment circuit for voltage-con trolled oscillator | |
JP3770224B2 (ja) | 可変遅延器,電圧制御発振器,pll回路 | |
US20080309414A1 (en) | Voltage controlled oscillator and phase locked loop circuit incorporating the same | |
JP2004266571A (ja) | 電圧制御発振器 | |
US20100301956A1 (en) | Voltage-controlled oscillator | |
JP2006279524A (ja) | 可変容量回路および可変容量回路の制御方法 | |
JP2006060797A (ja) | 電圧制御型発振器 | |
JP2008306331A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
Zhang et al. | Process variation compensated voltage controlled ring oscillator with Subtraction-based Voltage Controlled Current Source | |
JP2005269310A (ja) | 電圧制御発振器 | |
EP2874042A1 (en) | Oscillator buffer and method for calibrating the same | |
US7928806B2 (en) | Low voltage frequency synthesizer using boosting method for power supply voltage of charge pump | |
JP2011244086A (ja) | 発振回路 | |
US7449973B2 (en) | Semiconductor circuit for reducing flicker noise | |
JP2003163579A (ja) | 周波数可変発振回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100409 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100618 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121130 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130104 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130225 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130910 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131008 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5407034 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |