JP2008241298A - Flaw detection method - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は欠陥検出方法に関し、特に、注目検出欠陥とこの注目検出欠陥と隣接する隣接検出欠陥とを所定の条件により結合する欠陥検出方法に関する。 The present invention relates to a defect detection method, and more particularly, to a defect detection method in which an attention detection defect and an adjacent detection defect adjacent to the attention detection defect are combined under a predetermined condition.
従来より、半導体製品の製造工程等においては、欠陥を検査するための外観検査装置が使用されている。このような外観検査装置においては、ノイズ等の影響により、検査装置により検出された検出欠陥と実際に存在する実在欠陥とが一致しないという現象が発生する。 Conventionally, appearance inspection apparatuses for inspecting defects have been used in the manufacturing process of semiconductor products. In such an appearance inspection apparatus, a phenomenon in which a detection defect detected by the inspection apparatus does not match an actual defect that actually exists due to the influence of noise or the like.
図11は、実在欠陥と検出欠陥とを模式的に示す説明図である。なお、図11(a)は実在欠陥を示し、図11(b)は検出欠陥を示している。 FIG. 11 is an explanatory diagram schematically showing the existing defect and the detected defect. FIG. 11A shows a real defect, and FIG. 11B shows a detected defect.
この図に示す欠陥検出対象は、直線状の導電部100と直線状の空白部とが交互に配置されたラインアンドスペース形状の半導体素子であり、この半導体素子には、図11(a)に示すように、実在欠陥として、導電部100が大きく欠落したオープン欠陥110と、各導電部100間が広範囲に短絡したショート欠陥120と、導電部100が欠落したオープン欠陥140と、各導電部100間が短絡したショート欠陥130とが存在している。 The defect detection target shown in this figure is a line-and-space semiconductor element in which linear conductive portions 100 and linear blank portions are alternately arranged. In FIG. As shown, the open defects 110 in which the conductive parts 100 are largely missing, the short defects 120 in which the conductive parts 100 are short-circuited in a wide range, the open defects 140 in which the conductive parts 100 are missing, and the conductive parts 100 are present as actual defects. There are short defects 130 that are short-circuited.
この欠陥検出対象に対し、外観検査装置により欠陥を検出した場合には、図11(b)に示すように、ショート欠陥130とオープン欠陥140とは、各々、欠陥131、141として正確に検出される。しかしながら、例えば、オープン欠陥110は4個の欠陥111、112、113、114に分かれて検出され、また、ショート欠陥120は3個の欠陥121、122、123に分かれて検出される場合がある。 When a defect is detected with respect to this defect detection target by an appearance inspection apparatus, as shown in FIG. 11B, the short defect 130 and the open defect 140 are accurately detected as defects 131 and 141, respectively. The However, for example, the open defect 110 may be detected as being divided into four defects 111, 112, 113, and 114, and the short defect 120 may be detected as being divided into three defects 121, 122, and 123.
図12は、スクラッチ欠陥と呼称される欠陥について、実在欠陥と検出欠陥とを模式的に示す説明図である。なお、図12(a)は実在欠陥を示し、図12(b)は検出欠陥を示している。 FIG. 12 is an explanatory diagram schematically showing a real defect and a detected defect with respect to a defect called a scratch defect. 12A shows a real defect, and FIG. 12B shows a detected defect.
この図に示す欠陥検出対象も、直線状の導電部100と直線状の空白部とが交互に配置されたラインアンドスペース形状の半導体素子であり、この半導体素子には、図12(a)に示すように、複数の導電部100に亘る実在欠陥150が存在している。この欠陥検出対象に対し、外観検査装置により欠陥を検出した場合にも、図12(b)に示すように、単一の実在欠陥150が、3個の欠陥151、152、153に分かれて検出される場合がある。 The defect detection target shown in this figure is also a line-and-space-shaped semiconductor element in which linear conductive portions 100 and linear blank portions are alternately arranged. In FIG. As shown, there are real defects 150 that span the plurality of conductive portions 100. Even when a defect is detected with respect to this defect detection target by a visual inspection apparatus, a single real defect 150 is detected by being divided into three defects 151, 152, and 153 as shown in FIG. May be.
このように、単一の実在欠陥が複数の欠陥として検出された場合には、実在欠陥の数と検出欠陥の数とが一致しないことになり、正確な欠陥検出が実行できないことになる。このような問題は、欠陥検出対象物を撮像してその欠陥を検出する場合のみならず、電子ビームを用いたVC(ボルテージコントラスト)検査により欠陥を検出する場合にも同様に生ずる現象である。 Thus, when a single actual defect is detected as a plurality of defects, the number of actual defects and the number of detected defects do not match, and accurate defect detection cannot be performed. Such a problem is a phenomenon that occurs not only when a defect detection object is imaged and the defect is detected, but also when a defect is detected by a VC (voltage contrast) inspection using an electron beam.
このため、特許文献1には、検出した欠陥の位置情報を抽出し、この位置情報に基づいて各欠陥の座標と各欠陥間の距離を求め、この距離が予め設定した設定値よりも小さいときには、単一の欠陥が別の欠陥と認識されたものと判定し、これらの欠陥を結合する外観検査方法が開示されている。
特許文献1に記載の外観検査方法においては、各欠陥間の距離を利用して判定を行っていることから、ライン状欠陥等の形状に特徴がある欠陥の結合について、誤判定を行ってしまう場合がある。 In the appearance inspection method described in Patent Document 1, since the determination is performed using the distance between each defect, an erroneous determination is made with respect to a combination of defects characterized by a shape such as a line defect. There is a case.
図13は、従来の外観検査方法の説明図である。 FIG. 13 is an explanatory diagram of a conventional appearance inspection method.
図13(a)に示すように、ラインアンドスペース形状のパターンに実在欠陥Da、Dbが存在したとする。このとき、このパターンを外観検査装置により欠陥検査した場合には、ノイズ等の影響により、図13(b)に示すように、実在欠陥Daに対して4個の検出欠陥Da1、Da2、Da3、Da4が検出され、実欠陥Dbに対して1個の検出欠陥Db1が検出された場合を示している。 As shown in FIG. 13A, it is assumed that the actual defects Da and Db exist in the line-and-space pattern. At this time, when this pattern is subjected to a defect inspection by an appearance inspection apparatus, due to the influence of noise or the like, as shown in FIG. 13B, four detected defects Da1, Da2, Da3, A case where Da4 is detected and one detected defect Db1 is detected with respect to the actual defect Db is shown.
このような場合に、図13(c)に示すように、各欠陥間の距離を求め、この距離が予め設定した設定値よりも小さいときには単一の欠陥が別の欠陥と認識する処理を実行した場合には、図13(d)に示すように、検出欠陥Da1、Da2、Db2が単一の欠陥D1として認識され、検出欠陥Da3およびDa4が、各々、単一の欠陥D2およびD3として認識されてしまうという問題を生ずる。 In such a case, as shown in FIG. 13C, the distance between the defects is obtained, and when this distance is smaller than a preset value, a process of recognizing a single defect as another defect is executed. In this case, as shown in FIG. 13D, the detected defects Da1, Da2, and Db2 are recognized as a single defect D1, and the detected defects Da3 and Da4 are recognized as single defects D2 and D3, respectively. This causes the problem of being done.
この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、例えばラインアンドスペースのような特殊な形状であっても、欠陥を適正に結合して正確に欠陥を検出することが可能な欠陥検出方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems. For example, even when a special shape such as a line and space is used, defects can be accurately detected by properly combining defects. It aims to provide a method.
請求項1に記載の発明は、注目検出欠陥と、この注目検出欠陥と隣接する隣接検出欠陥とを、所定の条件により結合する欠陥検出方法において、注目検出欠陥の外接矩形を注目欠陥外接矩形として設定する注目欠陥外接矩形設定工程と、前記注目欠陥外接矩形を、結合したい欠陥が存在する第1の方向と、前記第1の方向と直交する第2の方向に、各々拡大することにより、拡大外接矩形を得る外接矩形拡大工程と、前記拡大外接矩形と前記隣接検出欠陥の位置との関係から、前記注目検出欠陥と前記隣接検出欠陥とを結合するか否かを判定する判定工程とを備えたことを特徴とする。 According to the first aspect of the present invention, in the defect detection method for combining the attention detection defect and the adjacent detection defect adjacent to the attention detection defect under a predetermined condition, the circumscribed rectangle of the attention detection defect is set as the attention defect circumscribed rectangle. Enlarging the attention defect circumscribing rectangle to be set by enlarging the attention defect circumscribing rectangle to the first direction in which the defect to be combined exists and the second direction orthogonal to the first direction, respectively. A circumscribed rectangle enlarging step for obtaining a circumscribed rectangle, and a determining step for determining whether or not the target detected defect and the adjacent detected defect are combined based on the relationship between the enlarged circumscribed rectangle and the position of the adjacent detected defect. It is characterized by that.
請求項2に記載の発明は、注目検出欠陥と、この注目検出欠陥と隣接する隣接検出欠陥とを、所定の条件により結合する欠陥検出方法において、注目検出欠陥の外接矩形を注目欠陥外接矩形として設定する注目欠陥外接矩形設定工程と、隣接検出欠陥の外接矩形を隣接欠陥外接矩形として設定する隣接欠陥外接矩形設定工程と、前記注目欠陥外接矩形を、結合したい欠陥が存在する第1の方向と、前記第1の方向と直交する第2の方向に、各々拡大することにより、拡大外接矩形を得る外接矩形拡大工程と、前記拡大外接矩形と前記隣接欠陥外接矩形との位置が重複するか否かにより、前記注目検出欠陥と前記隣接検出欠陥とを結合するか否かを判定する判定工程と、前記拡大外接矩形と前記隣接欠陥外接矩形との位置が重複する場合には、前記注目検出欠陥と前記隣接検出欠陥とを結合する結合工程とを備えたことを特徴とする。 According to a second aspect of the present invention, in the defect detection method for combining the attention detection defect and the adjacent detection defect adjacent to the attention detection defect under a predetermined condition, the circumscribed rectangle of the attention detection defect is set as the attention defect circumscribed rectangle. A target defect circumscribing rectangle setting step to be set; an adjacent defect circumscribing rectangle setting step of setting a circumscribed rectangle of an adjacent detected defect as an adjacent defect circumscribing rectangle; and a first direction in which a defect to be combined with the target defect circumscribing rectangle exists. Enlarging in a second direction orthogonal to the first direction to obtain an enlarged circumscribed rectangle and whether or not the positions of the enlarged circumscribed rectangle and the adjacent defect circumscribed rectangle overlap each other Thus, when the determination step of determining whether to combine the attention detection defect and the adjacent detection defect, and the position of the enlarged circumscribed rectangle and the adjacent defect circumscribed rectangle overlap, Further comprising a coupling step of coupling the serial noted detect defects and with said neighbor detecting defects characterized.
請求項3に記載の発明は、注目検出欠陥と、この注目検出欠陥と隣接する隣接検出欠陥とを、所定の条件により結合する欠陥検出方法において、注目検出欠陥の外接矩形を注目欠陥外接矩形として設定する注目欠陥外接矩形設定工程と、前記注目欠陥外接矩形を、結合したい欠陥が存在する第1の方向と、前記第1の方向と直交する第2の方向に、各々拡大することにより、拡大外接矩形を得る外接矩形拡大工程と、前記拡大外接矩形と前記隣接検出欠陥の前記第1の方向の領域とが重複し、かつ、前記拡大外接矩形と前記隣接欠陥の重心の前記第2方向の位置とが重複するか否かにより、前記注目検出欠陥と前記隣接検出欠陥とを結合するか否かを判定する判定工程と、前記拡大外接矩形と前記隣接検出欠陥の前記第1の方向の領域とが重複し、かつ、前記拡大外接矩形と前記隣接欠陥の重心の前記第2方向の位置とが重複する場合には、前記注目検出欠陥と前記隣接検出欠陥とを結合する結合工程とを備えたことを特徴とする。 According to a third aspect of the present invention, in a defect detection method for combining an attention detection defect and an adjacent detection defect adjacent to the attention detection defect under a predetermined condition, the circumscribed rectangle of the attention detection defect is set as the attention defect circumscribed rectangle. Enlarging the attention defect circumscribing rectangle to be set by enlarging the attention defect circumscribing rectangle to the first direction in which the defect to be combined exists and the second direction orthogonal to the first direction, respectively. A circumscribed rectangle enlarging step for obtaining a circumscribed rectangle, the enlarged circumscribed rectangle and the region in the first direction of the adjacent detection defect overlap, and the center of the enlarged circumscribed rectangle and the adjacent defect in the second direction A determination step of determining whether to combine the target detection defect and the adjacent detection defect according to whether or not the position overlaps; and the enlarged circumscribed rectangle and the region in the first direction of the adjacent detection defect And heavy And, when the enlarged circumscribed rectangle and the position of the center of gravity of the adjacent defect in the second direction overlap, a combining step of combining the attention detection defect and the adjacent detection defect is provided. Features.
請求項4に記載の発明は、請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の発明において、前記注目検出欠陥における輪郭線上で最も離隔する二点を結ぶ直線を最大長線として求め、前記注目欠陥外接矩形は、その長辺が前記最大長線と平行な矩形とする。 According to a fourth aspect of the present invention, in the invention according to any one of the first to third aspects, a straight line connecting two points separated most on a contour line in the attention detection defect is obtained as a maximum length line, and the attention defect The circumscribed rectangle is a rectangle whose long side is parallel to the maximum long line.
請求項5に記載の発明は、請求項2に記載の発明において、前記隣接検出欠陥における輪郭線上で最も離隔する二点を結ぶ直線を最大長線として求め、前記隣接欠陥外接矩形は、その長辺が前記最大長線と平行な矩形とする。 The invention according to claim 5 is the invention according to claim 2, wherein a straight line connecting two points that are most separated on the contour line in the adjacent detection defect is obtained as a maximum long line, and the adjacent defect circumscribed rectangle has a long side thereof Is a rectangle parallel to the maximum long line.
請求項6に記載の発明は、請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の発明において、前記第1の方向に対する拡大量は、前記第2の方向に対する拡大量よりも大きい。 The invention according to claim 6 is the invention according to any one of claims 1 to 5, wherein the enlargement amount with respect to the first direction is larger than the enlargement amount with respect to the second direction.
請求項7に記載の発明は、請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の発明において、前記第1の方向に対する拡大量と前記第2の方向に対する拡大量とを、前記注目欠陥外接矩形の長辺と短辺の比に基づいて決定する。 According to a seventh aspect of the present invention, in the invention according to any one of the first to fifth aspects, the enlargement amount with respect to the first direction and the enlargement amount with respect to the second direction are defined as the rectangle of interest circumscribed rectangle. It is determined based on the ratio of the long side to the short side.
請求項8に記載の発明は、請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の発明において、欠陥検出対象は、直線状の導電部と直線状の空白部とが交互に配置されたラインアンドスペース形状を有し、前記第1の方向は、前記直線状の導電部と同一の方向である。 According to an eighth aspect of the present invention, in the invention according to any one of the first to seventh aspects, the defect detection target is a line and in which linear conductive portions and linear blank portions are alternately arranged. It has a space shape, and the first direction is the same direction as the linear conductive portion.
請求項1乃至請求項3に記載の発明によれば、例えばラインアンドスペースのような特殊な形状であっても、欠陥を適正に結合して正確に欠陥を検出することが可能となる。 According to the first to third aspects of the invention, even if the shape is a special shape such as a line and space, it is possible to accurately detect the defect by properly combining the defects.
請求項4に記載の発明によれば、注目検出欠陥の形状に対応した適切な注目欠陥外接矩形を得ることができる。 According to the fourth aspect of the present invention, it is possible to obtain an appropriate target defect circumscribed rectangle corresponding to the shape of the target detection defect.
請求項5に記載の発明によれば、隣接検出欠陥の形状に対応した適切な隣接欠陥外接矩形を得ることができる。 According to the fifth aspect of the present invention, an appropriate adjacent defect circumscribed rectangle corresponding to the shape of the adjacent detection defect can be obtained.
請求項6および請求項7に記載の発明によれば、必要な欠陥を適切に結合させることが可能となる。 According to the invention described in claim 6 and claim 7, it becomes possible to appropriately combine necessary defects.
請求項8に記載の発明によれば、ラインアンドスペース形状において導電部に対応して発生する欠陥を適切に結合することが可能となる。 According to the eighth aspect of the present invention, it is possible to appropriately combine defects generated corresponding to the conductive portions in the line and space shape.
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図1はこの発明を適用する外観検査装置の概要図である。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic view of an appearance inspection apparatus to which the present invention is applied.
この外観検査装置は、半導体基板(以下、「基板」という。)W上のパターンを検査する装置であり、基板W上の所定の領域を撮像して多階調の対象物画像のデータを取得する撮像部2と、基板Wを保持するステージ3と、撮像部2に対してステージ3を相対的に移動させるステージ移動機構4とを有する。 This appearance inspection apparatus is an apparatus for inspecting a pattern on a semiconductor substrate (hereinafter referred to as “substrate”) W, and acquires a multi-tone object image data by imaging a predetermined area on the substrate W. An imaging unit 2 that holds the substrate W, and a stage moving mechanism 4 that moves the stage 3 relative to the imaging unit 2.
撮像部2は、照明光を出射する光源21と、この光源21から出射された照明光を基板Wに照射するとともに、基板Wからの反射光が入射する光学系22と、光学系22により結像された基板Wの像を電気信号に変換する撮像デバイス23を有する。 The imaging unit 2 is connected by a light source 21 that emits illumination light, an optical system 22 that irradiates the substrate W with illumination light emitted from the light source 21, and an optical system 22 that receives reflected light from the substrate W. An imaging device 23 that converts an image of the imaged substrate W into an electrical signal is included.
また、ステージ移動機構4は、ステージ3を、図1における紙面に垂直なX方向に移動するX方向移動機構41と、図1における左右方向であるY方向に移動するY方向移動機構42とを有する。X方向移動機構41はモータ43に図示を省略したボールねじが接続された構成を有し、モータ43が回転することにより、Y方向移動機構42全体がガイドレール44に沿ってX方向に移動する。Y方向移動機構42もX方向移動機構41と同様の構成となっており、モータ45が回転することにより、図示を省略したボールねじの駆動でステージ3がガイドレール46に沿ってY方向に移動する。 Further, the stage moving mechanism 4 includes an X-direction moving mechanism 41 that moves the stage 3 in the X direction perpendicular to the paper surface in FIG. 1 and a Y-direction moving mechanism 42 that moves in the Y direction that is the left-right direction in FIG. Have. The X-direction moving mechanism 41 has a configuration in which a ball screw (not shown) is connected to the motor 43, and the entire Y-direction moving mechanism 42 moves in the X direction along the guide rail 44 as the motor 43 rotates. . The Y-direction moving mechanism 42 has the same configuration as the X-direction moving mechanism 41. When the motor 45 rotates, the stage 3 moves in the Y direction along the guide rail 46 by driving a ball screw (not shown). To do.
また、この外観検査装置は、電気的回路により構成される検査出力部5、および、各種演算処理を行うCPUや各種情報を記憶するメモリ等により構成されたコンピュータ6をさらに有する。検査出力部5は、撮像部2から対象物画像を示すデータを取得して画像処理を行う。また、コンピュータ6は画像処理後の画像データに基づいて、後述する判定等を実行するとともに、外観検査装置の他の構成を制御する制御部としても機能する。 The visual inspection apparatus further includes a test output unit 5 configured by an electrical circuit, and a computer 6 configured by a CPU that performs various arithmetic processes, a memory that stores various types of information, and the like. The inspection output unit 5 acquires data indicating the object image from the imaging unit 2 and performs image processing. Further, the computer 6 performs determination and the like to be described later based on the image data after the image processing, and also functions as a control unit that controls other configurations of the appearance inspection apparatus.
次に、この外観検査装置による欠陥検出動作について説明する。図2は、外観検査装置による欠陥検出動作を示すフローチャートである。 Next, the defect detection operation by this appearance inspection apparatus will be described. FIG. 2 is a flowchart showing a defect detection operation by the appearance inspection apparatus.
欠陥検査動作を実行する場合には、最初に、欠陥検出動作を実行する(ステップS1)。この場合には、撮像部2により基板Wの表面を撮像して得られた画像と、リファレンス画像とを比較し、その際が閾値以上となる領域を欠陥として検出する。なお、リファレンス画像としては、検査対象たる基板W上に存在する同形状のパターン画像を用いてもよく、また、CADデータからリファレンス画像を形成して比較に用いてもよい。この欠陥検出動作としては、従来の周知の手法を利用することができる。 When executing the defect inspection operation, first, the defect detection operation is executed (step S1). In this case, the image obtained by imaging the surface of the substrate W by the imaging unit 2 is compared with the reference image, and an area that is equal to or greater than the threshold value is detected as a defect. As the reference image, a pattern image having the same shape existing on the substrate W to be inspected may be used, or a reference image may be formed from CAD data and used for comparison. As this defect detection operation, a conventional well-known method can be used.
欠陥の検出が完了すれば、欠陥に関する情報を抽出し、欠陥情報としてコンピュータ6におけるメモリ等に記憶する(ステップS2)。この欠陥情報としては、例えば、欠陥が位置するダイチップインデックス、欠陥が位置する検査エリア識別番号、欠陥の外接矩形、欠陥の重心座標、欠陥の面積、欠陥画像等である。なお、欠陥が位置するダイチップインデックス、欠陥が位置する検査エリア識別番号、欠陥の外接矩形等については、後程、詳細に説明する。 When the defect detection is completed, information on the defect is extracted and stored as defect information in a memory or the like in the computer 6 (step S2). The defect information includes, for example, a die chip index where the defect is located, an inspection area identification number where the defect is located, a circumscribed rectangle of the defect, a barycentric coordinate of the defect, a defect area, a defect image, and the like. The die chip index where the defect is located, the inspection area identification number where the defect is located, the circumscribed rectangle of the defect, etc. will be described in detail later.
次に、欠陥サイズフィルタを実行する(ステップS3)。ここでは、撮像系のノイズ成分が微小な疑似欠陥として検出されることを防止するため、検出欠陥の欠陥面積が予め指定した閾値面積より小さい場合に、その検出欠陥を疑似欠陥と認定して、処理対象から除外する処理を実行する。 Next, a defect size filter is executed (step S3). Here, in order to prevent the noise component of the imaging system from being detected as a minute pseudo defect, when the defect area of the detected defect is smaller than a predetermined threshold area, the detected defect is recognized as a pseudo defect, Execute processing to be excluded from processing targets.
次に、検出欠陥を処理単位にグループ分けする(ステップS4)。 Next, the detected defects are grouped into processing units (step S4).
図3は、検査対象である基板Wのダイマップと検査エリアとを模式的に示す説明図である。 FIG. 3 is an explanatory diagram schematically showing a die map and an inspection area of the substrate W to be inspected.
この図に示すように、基板Wは、例えば、互いに直交するI、J方向に、各々、−3〜3の7個のエリアに分割され、分割後の各ダイチップには、ダイチップインデックス(I、J)が付与される。そして、各ダイチップには、二つの検査領域が存在し、各検査領域には、各々識別番号A1、A2が付与される。 As shown in this figure, the substrate W is divided into, for example, seven areas of −3 to 3 in the I and J directions orthogonal to each other, and the die chip index (I , J). Each die chip has two inspection areas, and identification numbers A1 and A2 are assigned to the inspection areas, respectively.
基板W上の検出欠陥の数は、数万個をこえる場合があり、これらの全てについて後述する結合判定を実行すると、その組み合わせが膨大となり判定に時間がかかる。このため、検出欠陥を処理単位にグループ分けし、判定の組み合わせの数を減らしている。より具体的には、検出欠陥が位置するダイチップインデックス(I、J)が同一で、かつ、検査エリアの識別番号が同じ検出欠陥のみを同一グループとしてグループ分けする。 The number of detected defects on the substrate W may exceed tens of thousands, and when the combination determination described later is executed for all of these, the number of combinations becomes enormous and it takes time to determine. For this reason, detection defects are grouped into processing units to reduce the number of combinations of determinations. More specifically, only detected defects having the same die chip index (I, J) where the detected defect is located and the same identification number of the inspection area are grouped into the same group.
そして、それらのグループのうちの一つを処理グループとして選択し(ステップS5)、以下の動作においては、各処理グループ毎に以下の動作を繰り返す。 Then, one of these groups is selected as a processing group (step S5), and the following operations are repeated for each processing group in the following operations.
処理グループを選択したら、その処理グループについて検出欠陥結合判定を行う(ステップS6)。この検出欠陥結合判定は、注目検出欠陥と、この注目検出欠陥に隣接する隣接検出欠陥とを結合すべきか否かを判定するものである。この判定を行うに当たっては、外接矩形という考え方を利用する。 When a processing group is selected, detection defect combination determination is performed for the processing group (step S6). This detection defect combination determination is to determine whether or not an attention detection defect and an adjacent detection defect adjacent to this attention detection defect should be combined. In making this determination, the concept of a circumscribed rectangle is used.
図4は、検出欠陥Dに対する外接矩形Rを示す説明図である。 FIG. 4 is an explanatory diagram showing a circumscribed rectangle R for the detection defect D.
この外接矩形Rを求めるに当たっては、検出欠陥Dにおける輪郭線上で最も離隔する二点を結ぶ直線を最大長線Lとして求める。そして、検出欠陥Dに外接する矩形のうち、その長辺がこの最大長線Lと平行な矩形を、この発明における外接矩形Rとして特定する。 In obtaining the circumscribed rectangle R, a straight line connecting two points that are most separated on the contour line in the detection defect D is obtained as the maximum long line L. Of the rectangles circumscribing the detection defect D, a rectangle whose long side is parallel to the maximum long line L is specified as the circumscribed rectangle R in the present invention.
図5は、検出欠陥結合判定工程における判定動作を説明する説明図である。 FIG. 5 is an explanatory diagram for explaining the determination operation in the detected defect combination determination step.
検出欠陥結合判定を行う場合には、複数の検出欠陥のうちのある検出欠陥を注目検出欠陥Dn とし、それに隣接する検出欠陥を隣接検出欠陥Dn-1 、Dn+1 、Dn+2 とする。 In the case of detecting defects binding determination, the detected defect certain of the plurality of the detected defect as a target detected defect D n, adjacent detected defect D n-1 of the detected defect adjacent thereto, D n + 1, D n + 2
そして、注目検出欠陥Dn に対する外接矩形を、注目欠陥外接矩形52として設定する。また、隣接検出欠陥Dn-1 、Dn+1 、Dn+2 に対する外接矩形を、隣接欠陥外接矩形51、53、54として設定する。 Then, the circumscribed rectangle for the attention detection defect D n is set as the attention defect circumscribing rectangle 52. In addition, circumscribed rectangles for adjacent detection defects D n−1 , D n + 1 , and D n + 2 are set as adjacent defect circumscribed rectangles 51, 53, and 54.
図5においては、注目欠陥外接矩形52の上下左右端部の座標は、(RLN 、RTN 、RRN 、RBN )となっている。この注目欠陥外接矩形52を、第1の方向にはTx、第2の方向にはTyだけ拡大することにより、拡大外接矩形55を得る。 In FIG. 5, the coordinates of the upper, lower, left and right end portions of the target defect circumscribed rectangle 52 are (RL N , RT N , RR N , RB N ). By enlarging the target defect circumscribed rectangle 52 by Tx in the first direction and Ty in the second direction, an enlarged circumscribed rectangle 55 is obtained.
ここで、第1の方向とは、一般的には結合したい欠陥が存在する方向であり、図11乃至図13に示すように、パターンが直線状の導電部100と直線状の空白部とが交互に配置されたラインアンドスペース形状をなす場合には、直線状の導電部100と同一の方向である。そして、第2の方向とは、この第1の方向と直交する方向である。なお、これらの拡大量に関するTX およびTY の値は、第1の方向に対する拡大量が第2の方向に対する拡大量より大きくなるよう設定する。 Here, the first direction is generally a direction in which defects to be combined exist, and as shown in FIGS. 11 to 13, the conductive part 100 having a linear pattern and a linear blank part are formed. In the case of an alternately arranged line and space shape, the direction is the same as that of the linear conductive portion 100. The second direction is a direction orthogonal to the first direction. Note that the values of T X and T Y related to these enlargement amounts are set so that the enlargement amount in the first direction is larger than the enlargement amount in the second direction.
そして、拡大外接矩形55と、各隣接欠陥外接矩形51、53、54との位置が重複しているか否かを判定する。このときには、各隣接欠陥外接矩形51、53、54のうち、拡大外接矩形55と位置が重複している隣接欠陥外接矩形51、53に対応する隣接欠陥Dn-1 およびDn+1 を、注目検出欠陥Dn に結合すべき隣接結合欠陥として判定する。このような結合判定動作は、各検出欠陥毎に、各検出欠陥を注目検出欠陥として繰り返し実行する。 Then, it is determined whether or not the positions of the enlarged circumscribed rectangle 55 and the adjacent defect circumscribed rectangles 51, 53, and 54 overlap. At this time, among the adjacent defect circumscribed rectangles 51, 53, 54, adjacent defects D n-1 and D n + 1 corresponding to the adjacent defect circumscribed rectangles 51, 53 whose positions overlap with the enlarged circumscribed rectangle 55 are determined as follows: determining a neighbor binding defect to be coupled to the target detected defect D n. Such a combination determination operation is repeatedly executed for each detected defect, with each detected defect as a target detected defect.
再度図2を参照して、以上の検出欠陥結合判定工程が完了すれば、結合欠陥情報生成工程を実行する(ステップS7)。このときには、検出欠陥情報抽出工程(ステップS2)で抽出された欠陥が位置するダイチップインデックスや欠陥が位置する検査エリア識別番号等の情報の他、欠陥全体の外接矩形、欠陥全体の重心座標、欠陥全体の面積、欠陥全体の画像等である。このとき、欠陥全体を表すためには、例えば図6に示すように、結合後の全検出欠陥に対する外接矩形51、52、53全体を覆う最小の矩形61を利用する。 Referring to FIG. 2 again, when the above-described detected defect combination determination process is completed, a combined defect information generation process is executed (step S7). At this time, in addition to information such as the die chip index where the defect extracted in the detected defect information extraction step (step S2) and the inspection area identification number where the defect is located, the circumscribed rectangle of the entire defect, the barycentric coordinates of the entire defect, The area of the entire defect, the image of the entire defect, and the like. At this time, in order to represent the entire defect, for example, as shown in FIG. 6, a minimum rectangle 61 that covers the entire circumscribed rectangles 51, 52, and 53 for all the detected defects after the combination is used.
しかる後、全てのグループについて結合判定を完了したか否かを判定する(ステップS8)。未処理グループがある場合には、ステップS5に戻って処理を繰り返す。一方、全てのグループについて結合判定を完了した場合には、検査結果を保存して(ステップS9)、処理を終了する。 Thereafter, it is determined whether or not the join determination has been completed for all groups (step S8). If there is an unprocessed group, the process returns to step S5 and is repeated. On the other hand, when the combination determination is completed for all the groups, the inspection result is stored (step S9), and the process ends.
図7は、上述した図13(a)に示す実在欠陥Da、Dbが図13(b)に示すように4個の検出欠陥Da1、Da2、Da3、Da4がとして検出された場合に、この発明の第1実施形態に係る外観検査方法によりこれを結合した結果を示す説明図である。この図と、図13とを比較することにより、この発明の第1実施形態によれば、検出欠陥を適正に結合しうることが明らかとなる。 FIG. 7 shows the present invention when the real defects Da and Db shown in FIG. 13A are detected as four detected defects Da1, Da2, Da3 and Da4 as shown in FIG. 13B. It is explanatory drawing which shows the result of having couple | bonded this by the external appearance inspection method which concerns on 1st Embodiment. By comparing this figure with FIG. 13, it becomes clear that the detection defects can be appropriately combined according to the first embodiment of the present invention.
なお、図5においては、パターンが直線状の導電部100と直線状の空白部とが交互に配置されたラインアンドスペース形状をなす場合において、各検出欠陥検出欠陥Dn-1 、Dn 、Dn+1 、Dn+2 が、直線状の導電部100と同一の方向である場合について説明した。これに対し、図8に示すように、注目検出欠陥Dn や隣接検出欠陥Dn-1 、Dn+1 が直線状の導電部100と交差する方向を向く場合がある。 In FIG. 5, in the case where the pattern has a line and space shape in which the linear conductive portions 100 and the linear blank portions are alternately arranged, the detected defects D n−1 , D n , The case where D n + 1 and D n + 2 are in the same direction as the linear conductive part 100 has been described. On the other hand, as shown in FIG. 8, there are cases where the attention detection defect D n and the adjacent detection defects D n−1 , D n + 1 face the direction intersecting with the linear conductive part 100.
図5に示す実施形態においては、拡大量に関するTxおよびTyの値として、第1の方向に対する拡大量が第2の方向に対する拡大量より大きくなるよう設定している。これに対して、図8に示すように、注目検出欠陥Dn や隣接検出欠陥Dn-1 、Dn+1 が直線状の導電部100と交差する方向を向く場合においては、拡大量に関するThおよびTvの値を、注目欠陥外接矩形58の長辺と短辺の比に基づいて決定している。 In the embodiment shown in FIG. 5, the values of Tx and Ty related to the amount of enlargement are set so that the amount of enlargement in the first direction is larger than the amount of enlargement in the second direction. On the other hand, as shown in FIG. 8, when the target detection defect D n and the adjacent detection defects D n−1 , D n + 1 face the direction intersecting the linear conductive part 100, the enlargement amount is related. The values of Th and Tv are determined based on the ratio of the long side to the short side of the target defect circumscribed rectangle 58.
すなわち、この実施形態においては、Tを予め決定されたパラメータとしたときに、下記の式により拡大量に関するThおよびTvの値を決定している。 That is, in this embodiment, when T is a predetermined parameter, the values of Th and Tv related to the enlargement amount are determined by the following formula.
Th=T・[Sh/Sv]
Tv=T・[Sv/Sh]
そして、拡大量に関するThおよびTvの値を用いて拡大した拡大外接矩形60に対し、各隣接外接矩形57、59の位置が重複している場合には、隣接欠陥外接矩形57、59に対応する隣接欠陥Dn-1 およびDn+1 を、注目検出欠陥Dn に結合すべき隣接結合欠陥として判定する。このような構成を採用することにより、検出欠陥の形状に応じて、必要な欠陥を適切に結合させることが可能となる。
Th = T · [Sh / Sv]
Tv = T · [Sv / Sh]
Then, when the positions of the adjacent circumscribed rectangles 57 and 59 overlap with the enlarged circumscribed rectangle 60 enlarged using the Th and Tv values related to the enlargement amount, they correspond to the adjacent defect circumscribed rectangles 57 and 59. Adjacent defects D n−1 and D n + 1 are determined as adjacent coupling defects to be coupled to the target detection defect D n . By adopting such a configuration, it becomes possible to appropriately combine necessary defects according to the shape of the detected defect.
次に、判定動作の他の実施形態について説明する。図9は、第2実施形態における判定動作を説明する説明図である。なお、この図において第1、第2の方向は、図5と同様の方向である。 Next, another embodiment of the determination operation will be described. FIG. 9 is an explanatory diagram illustrating a determination operation in the second embodiment. In this figure, the first and second directions are the same as those in FIG.
この実施形態においても、複数の検出欠陥のうちのある検出欠陥を注目検出欠陥Dn とし、それに隣接する検出欠陥を隣接検出欠陥Dn-1 、Dn+1 、Dn+2 、Dn+3 とする。また、注目検出欠陥Dn に対する外接矩形に対し、第1の方向にはTx、第2の方向にはTyだけ拡大した拡大外接矩形を想定する。このときにも、これらの拡大量に関するTX およびTY の値は、第1の方向に対する拡大量が第2の方向に対する拡大量より大きくなるよう設定する。 Also in this embodiment, a detection defect of a plurality of detection defects is set as a target detection defect D n, and detection defects adjacent thereto are adjacent detection defects D n−1 , D n + 1 , D n + 2 , D n. +3 . Further, with respect to the circumscribed rectangle for the attention detection defect D n, an enlarged circumscribed rectangle enlarged by Tx in the first direction and Ty in the second direction is assumed. Also at this time, the values of T X and T Y relating to these enlargement amounts are set so that the enlargement amount in the first direction is larger than the enlargement amount in the second direction.
そして、この第2実施形態においては、想定された拡大外接矩形と隣接検出欠陥Dn-1 、Dn+1 、Dn+2 、Dn+3 との第1の方向の領域とが重複し、かつ、想定された拡大外接矩形と隣接検出欠陥Dn-1 、Dn+1 、Dn+2 、Dn+3 との重心の前記第2方向の位置とが重複するか否かにより、注目検出欠陥Dn と隣接検出欠陥Dn-1 、Dn+1 、Dn+2 、Dn+3 と注目検出欠陥とを結合するか否かを判定する。図9における実施形態においては、最終的には、注目検出欠陥Dn と隣接検出欠陥Dn-1 とが結合されることになる。 In the second embodiment, the assumed enlarged circumscribed rectangle overlaps with the region in the first direction of the adjacent detection defects D n−1 , D n + 1 , D n + 2 , D n + 3. And whether or not the assumed enlarged circumscribed rectangle and the position of the center of gravity of the adjacent detection defects D n−1 , D n + 1 , D n + 2 , D n + 3 in the second direction overlap. Thus, it is determined whether or not the attention detection defect D n and the adjacent detection defects D n−1 , D n + 1 , D n + 2 , D n + 3 and the attention detection defect are combined. In the embodiment in FIG. 9, in the end, the attention detected defect D n and the adjacent detected defect D n-1 is to be coupled.
図10は、上述した図13(a)に示す実在欠陥Da、Dbが図13(b)に示すように4個の検出欠陥Da1、Da2、Da3、Da4として検出された場合に、この発明の第2実施形態に係る外観検査方法によりこれを結合した結果を示す説明図である。この図と、図13とを比較することにより、この発明の第2実施形態によれば、検出欠陥を適正に結合しうることが明らかとなる。 FIG. 10 shows the case where the above-mentioned real defects Da and Db shown in FIG. 13A are detected as four detected defects Da1, Da2, Da3 and Da4 as shown in FIG. 13B. It is explanatory drawing which shows the result of having couple | bonded this with the external appearance inspection method which concerns on 2nd Embodiment. By comparing this figure with FIG. 13, it becomes clear that the detection defects can be appropriately combined according to the second embodiment of the present invention.
2 撮像部
3 ステージ
4 ステージ移動機構
5 検査出力部
6 コンピュータ
21 光源
22 光学系
23 撮像デバイス
41 X方向移動機構
42 Y方向移動機構
43 モータ
44 ガイドレール
45 モータ
46 ガイドレール
51 隣接欠陥外接矩形
52 注目欠陥外接矩形
53 隣接欠陥外接矩形
54 隣接欠陥外接矩形
100 導電部
D 検出欠陥
L 最大長線
R 外接矩形
W 基板
2 imaging unit 3 stage 4 stage moving mechanism 5 inspection output unit 6 computer 21 light source 22 optical system 23 imaging device 41 X direction moving mechanism 42 Y direction moving mechanism 43 motor 44 guide rail 45 motor 46 guide rail 51 adjacent defect circumscribed rectangle 52 attention Defect circumscribed rectangle 53 Adjacent defect circumscribed rectangle 54 Adjacent defect circumscribed rectangle 100 Conductive part D Detected defect L Maximum long line R circumscribed rectangle W Substrate
Claims (8)
注目検出欠陥の外接矩形を注目欠陥外接矩形として設定する注目欠陥外接矩形設定工程と、
前記注目欠陥外接矩形を、結合したい欠陥が存在する第1の方向と、前記第1の方向と直交する第2の方向に、各々拡大することにより、拡大外接矩形を得る外接矩形拡大工程と、
前記拡大外接矩形と前記隣接検出欠陥の位置との関係から、前記注目検出欠陥と前記隣接検出欠陥とを結合するか否かを判定する判定工程と、
を備えたことを特徴とする欠陥検出方法。 In a defect detection method for combining an attention detection defect and an adjacent detection defect adjacent to the attention detection defect according to a predetermined condition,
Attention defect circumscribing rectangle setting step for setting the circumscribed rectangle of the attention detection defect as the attention defect circumscribing rectangle;
A circumscribed rectangle enlarging step of obtaining an enlarged circumscribed rectangle by enlarging the target defect circumscribed rectangle in a first direction in which a defect to be combined exists and a second direction orthogonal to the first direction,
From the relationship between the enlarged circumscribed rectangle and the position of the adjacent detection defect, a determination step of determining whether to combine the target detection defect and the adjacent detection defect;
A defect detection method comprising:
注目検出欠陥の外接矩形を注目欠陥外接矩形として設定する注目欠陥外接矩形設定工程と、
隣接検出欠陥の外接矩形を隣接欠陥外接矩形として設定する隣接欠陥外接矩形設定工程と、
前記注目欠陥外接矩形を、結合したい欠陥が存在する第1の方向と、前記第1の方向と直交する第2の方向に、各々拡大することにより、拡大外接矩形を得る外接矩形拡大工程と、
前記拡大外接矩形と前記隣接欠陥外接矩形との位置が重複するか否かにより、前記注目検出欠陥と前記隣接検出欠陥とを結合するか否かを判定する判定工程と、
前記拡大外接矩形と前記隣接欠陥外接矩形との位置が重複する場合には、前記注目検出欠陥と前記隣接検出欠陥とを結合する結合工程と、
を備えたことを特徴とする欠陥検出方法。 In a defect detection method for combining an attention detection defect and an adjacent detection defect adjacent to the attention detection defect according to a predetermined condition,
Attention defect circumscribing rectangle setting step for setting the circumscribed rectangle of the attention detection defect as the attention defect circumscribing rectangle;
An adjacent defect circumscribed rectangle setting step for setting the circumscribed rectangle of the adjacent detection defect as an adjacent defect circumscribed rectangle;
A circumscribed rectangle enlarging step of obtaining an enlarged circumscribed rectangle by enlarging the target defect circumscribed rectangle in a first direction in which a defect to be combined exists and a second direction orthogonal to the first direction,
A determination step of determining whether to combine the target detection defect and the adjacent detection defect according to whether or not the position of the enlarged circumscribed rectangle and the adjacent defect circumscribed rectangle overlaps;
When the positions of the enlarged circumscribed rectangle and the adjacent defect circumscribed rectangle overlap, a combining step of combining the attention detection defect and the adjacent detection defect;
A defect detection method comprising:
注目検出欠陥の外接矩形を注目欠陥外接矩形として設定する注目欠陥外接矩形設定工程と、
前記注目欠陥外接矩形を、結合したい欠陥が存在する第1の方向と、前記第1の方向と直交する第2の方向に、各々拡大することにより、拡大外接矩形を得る外接矩形拡大工程と、
前記拡大外接矩形と前記隣接検出欠陥の前記第1の方向の領域とが重複し、かつ、前記拡大外接矩形と前記隣接欠陥の重心の前記第2方向の位置とが重複するか否かにより、前記注目検出欠陥と前記隣接検出欠陥とを結合するか否かを判定する判定工程と、
前記拡大外接矩形と前記隣接検出欠陥の前記第1の方向の領域とが重複し、かつ、前記拡大外接矩形と前記隣接欠陥の重心の前記第2方向の位置とが重複する場合には、前記注目検出欠陥と前記隣接検出欠陥とを結合する結合工程と、
を備えたことを特徴とする欠陥検出方法。 In a defect detection method for combining an attention detection defect and an adjacent detection defect adjacent to the attention detection defect according to a predetermined condition,
Attention defect circumscribing rectangle setting step for setting the circumscribed rectangle of the attention detection defect as the attention defect circumscribing rectangle;
A circumscribed rectangle enlarging step of obtaining an enlarged circumscribed rectangle by enlarging the target defect circumscribed rectangle in a first direction in which a defect to be combined exists and a second direction orthogonal to the first direction,
Whether the enlarged circumscribed rectangle and the area of the adjacent detection defect in the first direction overlap, and whether the enlarged circumscribed rectangle and the position of the center of gravity of the adjacent defect in the second direction overlap. A determination step of determining whether to combine the attention detection defect and the adjacent detection defect;
When the enlarged circumscribed rectangle and the region of the adjacent detection defect in the first direction overlap, and the enlarged circumscribed rectangle and the position of the center of gravity of the adjacent defect in the second direction overlap, A combining step of combining the attention detection defect and the adjacent detection defect;
A defect detection method comprising:
前記注目検出欠陥における輪郭線上で最も離隔する二点を結ぶ直線を最大長線として求め、前記注目欠陥外接矩形は、その長辺が前記最大長線と平行な矩形とする欠陥検出方法。 In the defect detection method in any one of Claims 1 thru | or 3,
A defect detection method in which a straight line connecting two points that are farthest apart on a contour line in the target detection defect is obtained as a maximum long line, and the target defect circumscribed rectangle has a long side parallel to the maximum long line.
前記隣接検出欠陥における輪郭線上で最も離隔する二点を結ぶ直線を最大長線として求め、前記隣接欠陥外接矩形は、その長辺が前記最大長線と平行な矩形とする欠陥検出方法。 The defect detection method according to claim 2,
A defect detection method in which a straight line connecting two points that are most separated on the contour line in the adjacent detection defect is obtained as a maximum long line, and the adjacent defect circumscribed rectangle has a long side parallel to the maximum long line.
前記第1の方向に対する拡大量は、前記第2の方向に対する拡大量よりも大きい欠陥検出方法。 In the defect detection method in any one of Claims 1 thru | or 5,
The defect detection method, wherein an enlargement amount with respect to the first direction is larger than an enlargement amount with respect to the second direction.
前記第1の方向に対する拡大量と前記第2の方向に対する拡大量とを、前記注目欠陥外接矩形の長辺と短辺の比に基づいて決定する欠陥検出方法。 In the defect detection method in any one of Claims 1 thru | or 5,
A defect detection method for determining an enlargement amount with respect to the first direction and an enlargement amount with respect to the second direction based on a ratio between a long side and a short side of the defect circumscribed rectangle.
欠陥検出対象は、直線状の導電部と直線状の空白部とが交互に配置されたラインアンドスペース形状を有し、
前記第1の方向は、前記直線状の導電部と同一の方向である欠陥検出方法。
The defect detection method according to any one of claims 1 to 7,
The defect detection target has a line-and-space shape in which linear conductive portions and linear blank portions are alternately arranged,
The defect detection method, wherein the first direction is the same direction as the linear conductive portion.
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