JP2008241272A - Semiconductor testing device - Google Patents
Semiconductor testing device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008241272A JP2008241272A JP2007078098A JP2007078098A JP2008241272A JP 2008241272 A JP2008241272 A JP 2008241272A JP 2007078098 A JP2007078098 A JP 2007078098A JP 2007078098 A JP2007078098 A JP 2007078098A JP 2008241272 A JP2008241272 A JP 2008241272A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- clock
- test
- skew
- deskew circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
Description
本発明は、半導体デバイス等の被試験対象に対して動作確認等の試験を行う半導体試験装置に係り、特に、信号の伝送において生じたスキューを調整する構成に関するものである。 The present invention relates to a semiconductor test apparatus that performs a test such as operation check on a device under test such as a semiconductor device, and more particularly to a configuration for adjusting a skew generated in signal transmission.
従来、半導体デバイス等の被試験対象(以下、DUTと称する。)に対して、試験信号を出力して動作確認の試験を行う半導体試験装置では、所定周期のクロック信号に基づいて各種の試験毎に用意されたカードによって試験信号を発生させ、それぞれのカードに接続されたDUTに対して試験信号に従った内容の試験を行っている。 2. Description of the Related Art Conventionally, in a semiconductor test apparatus that performs a test of operation check by outputting a test signal to an object to be tested (hereinafter referred to as a DUT) such as a semiconductor device, each test is performed based on a clock signal of a predetermined period. The test signals are generated by the cards prepared in (1), and the test according to the test signals is performed on the DUTs connected to the respective cards.
また、試験信号やDUTから出力された出力信号が半導体試験装置内を伝送される際には、DUTに試験信号を出力するための配線や、DUTからの出力信号を入力するための配線の物理的な長さの違いによる伝送遅延時間の相違、つまり、スキューが生じている。このスキューは試験で行われる処理のタイミング誤差の原因となり、正確な試験の妨げとなるため、デスキュー回路を用いてスキューの調整を行っている。 In addition, when a test signal or an output signal output from the DUT is transmitted through the semiconductor test apparatus, wiring for outputting the test signal to the DUT and wiring for inputting the output signal from the DUT A difference in transmission delay time due to a difference in length, that is, skew occurs. This skew causes a timing error of processing performed in the test and hinders an accurate test. Therefore, the skew is adjusted using a deskew circuit.
以下の特許文献1に記載された半導体試験装置では、デスキュー回路に直列に遅延時間調整回路を挿入し、微調整用のデスキュー回路で調整できない粗レベルの伝播遅延時間を調整するために、デスキュー回路の可変遅延量の単位時間を大きく設定している。
In the semiconductor test apparatus described in the following
デスキューに先立って時間測定器で伝播遅延時間が最も遅いピンを探し、その遅延時間と他のピンの遅延時間とを比較して、他のピンの遅延時間を最も遅いピンの遅延時間に合わせ込む粗調整を行っている。そして、その後デスキューによる微調整を行っている(例えば、特許文献1参照。)。
また、従来の半導体試験装置では、以下のようにして信号の伝送によって生じたスキューを調整している。図4は、スキューの調整を行う従来の半導体試験装置200の構成を示す説明図である。
Further, in the conventional semiconductor test apparatus, the skew caused by signal transmission is adjusted as follows. FIG. 4 is an explanatory diagram showing a configuration of a conventional
半導体試験装置200は、図示しないクロック発生部によって所定周期で発生したクロック信号をカードA210を介して複数のカードB220のそれぞれに入力する。各カードB220では、このクロック信号に基づいてタイミング発生器/フォーマットコントローラ221(以下、TG/FC221と称する。)が、DUTの動作確認等の試験を行うための試験信号を発生させ、デスキュー回路222、ドライバ223を介してカードB220が接続されたベースボード230およびプローブカード240上のDUTに出力する。
The
そして、試験信号が印加されたことに応じてDUTから出力された出力信号をカードB220に入力し、カードB220では、この出力信号をコンパレータ224を介してデスキュー回路222が受け取る。デスキュー回路222は、試験信号および出力信号の伝送遅延時間が異なって生じたスキューを調整している。
Then, an output signal output from the DUT in response to the application of the test signal is input to the card B220, and the card B220 receives the output signal via the
このような従来技術における半導体試験装置200では、DUTに試験信号を出力するまでのドライバ223等を介した配線や、出力信号をデスキュー回路222に入力するまでのコンパレータ224等を介した配線の物理的な長さの違い等によって試験信号および出力信号の伝送遅延時間が異なってスキューが生じている。
In such a
デスキュー回路222の特性、つまり、スキューを調整できる遅延調整幅(デスキュースパン)や分解能等は、デスキュー回路222自身の製品スペックで予め規定されている。通常、スキュー調整はデスキュー回路222のスペックに合う範囲内で行われる。
The characteristics of the
一方、カード上での配線の変更等によって長さが変わると伝送遅延時間の位相も変わり、図6中の破線で記される楕円部分(矢印B)に示すように、試験信号および出力信号の間で伝送遅延時間が大きくずれてしまう。このときの位相のずれがデスキュー回路222で調整可能な遅延調整幅から外れた場合には、カードA210においてシフトレジスタ211の選択値を段階的に切り換え、クロック信号を伝送させるタイミングを所定周期間隔で調整する。こうしてデスキュー回路222で調整可能な遅延調整幅に収める処理を行ってから、実際のスキューをデスキュー回路222によって調整している。
On the other hand, when the length changes due to a change in the wiring on the card, the phase of the transmission delay time also changes, and as shown by the oval part (arrow B) indicated by the broken line in FIG. The transmission delay time is greatly shifted between the two. If the phase shift at this time deviates from the delay adjustment range that can be adjusted by the
しかしながら、シフトレジスタ211では、図5に示すようにクロック信号の周期で段階的にしかタイミングを調整できないため、タイミングの微調整はできない。また、デスキュー回路222で調整可能な遅延調整幅とスキューとの間に大きくずれがある場合には、もはやデスキュー回路222ではスキュー調整ができなくなるという問題が生じる。
However, in the
そこで本発明は、クロック信号のタイミングをプログラマブルに調整することにより、スキューに対してデスキュー回路の遅延調整幅を柔軟に対応させることが可能な半導体試験装置を提供することを課題とする。 Therefore, an object of the present invention is to provide a semiconductor test apparatus that can flexibly adjust the delay adjustment width of the deskew circuit with respect to skew by adjusting the timing of the clock signal in a programmable manner.
以上のような課題を達成するために、本発明に係る半導体試験装置は、所定周期でクロック信号を発生させるクロック発生部と、前記クロック発生部により発生されたクロック信号に基づいて、被試験対象を試験するための試験信号を発生させる信号発生部と、前記信号発生部により発生された試験信号および前記試験信号の印加に応じて前記被試験対象から出力された出力信号の伝送過程で生じたスキューを調整するデスキュー回路と、前記クロック発生部により発生するクロック信号のタイミングを前記所定周期以下の間隔で調整するクロック調整部とを備えたことを特徴とする。 In order to achieve the above-described problems, a semiconductor test apparatus according to the present invention includes a clock generator that generates a clock signal at a predetermined period, and a device under test based on the clock signal generated by the clock generator. A signal generator for generating a test signal for testing the test signal, a test signal generated by the signal generator, and a transmission process of an output signal output from the test target in response to application of the test signal. A deskew circuit for adjusting skew and a clock adjustment unit for adjusting timing of a clock signal generated by the clock generation unit at intervals equal to or less than the predetermined period are provided.
このような構成により、試験信号および出力信号の間のスキューが大きくなり、デスキュー回路で調整可能な遅延調整幅から外れた場合においても、クロック調整部がクロック信号のタイミングを所定周期以下の間隔でプログラマブルに適切に調整し、デスキュー回路の遅延調整幅に収めることが可能となる。このため、様々な大きさのスキューに対してデスキュー回路の遅延調整幅を柔軟に対応させてスキューを調整することが可能となる。 With such a configuration, the skew between the test signal and the output signal becomes large, and even when the delay adjustment width that can be adjusted by the deskew circuit is deviated, the clock adjustment unit sets the timing of the clock signal at intervals of a predetermined period or less. It is possible to adjust appropriately in a programmable manner and fit within the delay adjustment width of the deskew circuit. Therefore, it is possible to adjust the skew by flexibly corresponding to the delay adjustment width of the deskew circuit with respect to various sizes of skew.
また、本発明に係る他の半導体試験装置は、所定周期でクロック信号を発生させるクロック発生部と、前記クロック発生部により発生されたクロック信号に基づいて、被試験対象を試験するための試験信号を発生させる信号発生部と、前記信号発生部により発生された試験信号を前記被試験対象に対して印加するドライバと、前記試験信号の印加に応じて、前記被試験対象から出力された出力信号が入力されるコンパレータと、前記クロック信号に基づき、前記試験信号および出力信号の伝送過程で生じたスキューを調整するデスキュー回路と、前記クロック発生部により発生するクロック信号のタイミングを前記所定周期以下の間隔で調整するクロック調整部とを備えたことを特徴とする。 In addition, another semiconductor test apparatus according to the present invention includes a clock generator that generates a clock signal at a predetermined period, and a test signal for testing an object to be tested based on the clock signal generated by the clock generator. A signal generator for generating a signal, a driver for applying a test signal generated by the signal generator to the object under test, and an output signal output from the object under test in response to the application of the test signal Is inputted to the comparator, the deskew circuit for adjusting the skew generated in the transmission process of the test signal and the output signal based on the clock signal, and the timing of the clock signal generated by the clock generator less than the predetermined period And a clock adjusting unit that adjusts at intervals.
本発明によれば、ドライバやコンパレータを介した伝送過程で試験信号および出力信号の間のスキューが大きくなり、デスキュー回路で調整可能な遅延調整幅から外れた場合においても、クロック調整部がクロック信号のタイミングを所定周期以下の間隔でプログラマブルに適切に調整し、デスキュー回路の遅延調整幅に収めることが可能となる。これにより、様々な大きさのスキューに対してデスキュー回路の遅延調整幅を柔軟に対応させてスキューを調整することが可能となる。 According to the present invention, even when the skew between the test signal and the output signal becomes large in the transmission process via the driver or the comparator, and the deviation from the delay adjustment range that can be adjusted by the deskew circuit, the clock adjustment unit This timing can be appropriately adjusted in a programmable manner at intervals equal to or less than a predetermined period, and can be kept within the delay adjustment width of the deskew circuit. As a result, the skew can be adjusted by flexibly corresponding to the delay adjustment width of the deskew circuit with respect to various sizes of skew.
上述の半導体試験装置において、前記クロック調整部は、プログラマブル・ディレー・ラインで構成されていることを特徴とする。これにより、現時点で汎用品として入手可能な部品を用いても、クロック信号のタイミングを10ps間隔の微妙な時間単位でプログラマブルに適切に調整でき、デスキュー回路の遅延調整幅に収めることが可能となる。 In the above-described semiconductor test apparatus, the clock adjustment unit is configured by a programmable delay line. As a result, even when using components that are available as general-purpose products at the present time, the timing of the clock signal can be appropriately adjusted in a subtle time unit at intervals of 10 ps, and can be kept within the delay adjustment width of the deskew circuit. .
本発明に係る半導体試験装置によれば、クロック信号のタイミングをプログラマブルに調整することにより、スキューに対してデスキュー回路の遅延調整幅を柔軟に対応させることが可能となるという効果が得られる。 According to the semiconductor test apparatus of the present invention, it is possible to flexibly adjust the delay adjustment width of the deskew circuit with respect to the skew by adjusting the timing of the clock signal in a programmable manner.
以下、本発明の一実施形態について図面を用いて詳細に説明する。
図1は、本発明に係る半導体試験装置の一実施形態である半導体試験装置100の構成例を示した説明図である。半導体試験装置100は、所定周期で発生するクロック信号に基づいて各種の試験ごとに用意されたカードによって試験信号を発生させ、それぞれのカードに接続されたDUTに対して試験を行い、配線の物理的な長さ等によって試験信号やDUTからの出力信号の間で生じたスキューを調整するデスキュー回路を備えた装置である。
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 1 is an explanatory view showing a configuration example of a
半導体試験装置100は、図示しないテストヘッド内に実装されたカードA110及び複数のカードB120を備えている。このうちカードA110は、図示しないクロック発生部により所定周期で発生させた複数種類のクロック信号を受け取り、このクロック信号に対してタイミングの調整を行って出力する。すなわち、カードA110はクロック調整回路111を備えており、このクロック調整回路111によりタイミング調整したクロック信号を複数のカードB120にそれぞれ出力する。
The
クロック調整回路111は、作業者のコンピュータ等を用いて操作したプログラムや設定に従ってプログラマブルにクロック信号の遅延調整を行うことができる。具体的には、クロック調整回路111は、各カードB120のそれぞれで生じたスキューに応じて、所定周期で発生したクロック信号のタイミングを所定周期以下(例えば10ps)の間隔で遅延することにより、個別に調整する機能を有する。このようなクロック調整回路111としては、例えばオン・セミコンダクター社から発売されているMC100EP196のようなプログラマブル・ディレー・ラインを用いることができる。
The
また複数のカードB120は、カードA110から出力されたクロック信号に基づいてDUTに対して試験を行うための試験信号を発生させることができる。 Further, the plurality of cards B120 can generate a test signal for testing the DUT based on the clock signal output from the card A110.
さらに複数のカードB120は、ベースボード130およびプローブカード140に接続されている。カードB120には、カードA110から出力されたクロック信号に基づいて試験信号を生成するTG/FC121と、この試験信号とDUTから出力された出力信号との間で生じたスキューを調整するデスキュー回路122と、入力された試験信号をDUTに対して印加(出力)するドライバ123と、DUTから出力された出力信号を期待値との比較のために入力するコンパレータ124とが実装されている。
Further, the plurality of cards B120 are connected to the
デスキュー回路122は、ドライバ123を通じてDUTに試験信号を印加する際の伝送経路と、DUTからの出力信号をコンパレータ124を通じて入力する際の伝送経路にそれぞれ使用される同軸線の物理的な長さの違いにより発生するスキューを調整する。すなわち、ドライバ123を通じてカードB120からベースボード130、プローブカード140、そしてDUTという伝送過程で生じた試験信号の伝送遅延時間と、DUTからの出力信号がプローブカード140、ベースボード130、そしてコンパレータ124を通じて入力されるまでの伝送過程で生じた伝送遅延時間との違いによるスキューが調整される。なお、デスキュー回路122にてスキュー調整が可能な遅延調整幅(スキュースパン)や分解能は、予めデスキュー回路222の製品スペックに応じて規定されている。
The
ドライバ123は、カードA110から出力されたドライバ用のクロック信号と同期して動作し、TG/FC121が生成した試験信号をデスキュー回路122を介して入力する。この試験信号をベースボード130およびプローブカード140と接触したDUTに出力する。
The
コンパレータ124は、カードA110から出力されたコンパレータ用のクロック信号と同期して動作し、ドライバ123から試験信号が印加されたことに応じてDUTから出力された出力信号を入力する。この出力信号に対して試験の判定を行うための期待値データ等と比較する処理等を行い、その比較結果をデスキュー回路122に出力する機能を有する。
The
半導体試験装置100は、複数のカードB120のそれぞれに接続されて試験信号を受け取りDUTと接触して信号を入出力するベースボード130およびプローブカード140とを備えている。
The
続いて、本実施の形態における半導体試験装置100の動作について説明する。まず、DUTの試験に際し、クロック発生部が所定周期でクロック信号を発生させる。
Subsequently, the operation of the
カードA110は、クロック発生部からクロック信号を受け取り、クロック調整回路111を介して各カードB120のそれぞれに分配して出力する。各カードB120は、TG/FC121によりクロック信号に基づいてそれぞれの機能に応じた試験を行うための試験信号を生成し、デスキュー回路122、ドライバ123を介してベースボード130およびプローブカード140と接触したDUTに出力する。
The
DUTがドライバ123から試験信号が印加されたことに応じて、DUT毎の動作や処理を行い出力信号が出力されると、各カードB120は、コンパレータ124によりこの出力信号を入力し、期待値データ等と比較する処理等を行ってコンパレータ124からデスキュー回路122に出力する。
When the DUT performs an operation or process for each DUT in response to the test signal being applied from the
ここで、各カードB120のデスキュー回路122では、カードB120内のドライバ123や同軸線、ベースボード130、プローブカード140内のプローブピンを介した配線経路上を伝送する試験信号の伝送遅延時間を検出する。またデスキュー回路222は、ベースボード130やプローブカード140内のプローブピン、同軸線、カードB120内のコンパレータ124を介した配線経路上を伝送する出力信号の伝送遅延時間を検出して、これらの伝送遅延時間を比較する処理等によって試験信号および出力信号のスキューを調整する処理を行う。
Here, the
このとき、デスキュー回路222の遅延調整幅(DESKEW SPAN)にスキューが収まっていれば問題なくスキュー調整が行われるが、例えば各カードB120で各配線の変更等が行われると、配線経路の物理的な長さの違いが大きくなり、試験信号および出力信号の伝送遅延時間の差が大きくなることがある。この結果、試験信号および出力信号のスキューが遅延調整幅から外れた場合には、カードA210において各クロック調整回路111により、各カードB120のドライバ123用、コンパレータ124用に分配して出力されるクロック信号のタイミングを個別に調整する処理を行い、デスキュー回路122の遅延調整幅にスキューが収まるようにする。
At this time, if the skew is within the delay adjustment width (DESKEW SPAN) of the
特にクロック調整回路111では、ドライバ123用、コンパレータ124用の各クロック信号のタイミングを所定周期以下の例えば10psの間隔でプログラマブルに調整することができる。これにより、図2に示すように、各カードB120での様々な大きさのスキューに対応してプログラマブルに選択値を選択し、デスキュー回路122で調整可能な遅延調整幅に収めるように遅延量をリニアに調整することができる。この結果、図3中の破線で記される楕円の部分(矢印A)に示すように、デスキュー回路122で調整可能な遅延調整幅を様々な大きさのスキューに対応させることができる。
In particular, the
このように、クロック調整回路111によって個別に調整されたタイミングで出力されたクロック信号を用いて、各カードB120は、TG/FC121により試験信号を生成してドライバ123に入力する。ドライバ123は、クロック調整回路111によってタイミングが個別に調整されたドライバ用のクロック信号と同期して動作し、試験信号をDUTに出力する。
In this way, each
また、各カードB120では、DUTからの出力信号がコンパレータ124に入力される。コンパレータ124は、クロック調整回路111によってタイミングが個別に調整されたコンパレータ用のクロック信号と同期して動作し、入力された出力信号をデスキュー回路122に出力する。そしてデスキュー回路122は、試験信号および出力信号の伝送遅延時に生じたスキューを調整する処理を行う。
In each card B120, an output signal from the DUT is input to the
デスキュー回路122でスキューの調整が行われると、各カードB120は、試験信号および出力信号を用いて試験の判定や試験結果の集計、統計演算等の処理を行う。
When the skew is adjusted by the
以上のように、本実施の形態における半導体試験装置100では、各カードB120のデスキュー回路122で試験信号の伝送遅延時間と、出力信号の伝送遅延時間を検出して、これらの伝送遅延時間が異なって生じたスキューを調整する処理を行う。また、試験信号および出力信号の間で伝送遅延時間が大きくずれ、スキュースパン(位相)がデスキュー回路122で調整可能な遅延調整幅から外れた場合には、クロック調整回路111により、各クロック信号のタイミングを個別に調整する処理を行う。
As described above, in the
そして、ドライバ用、コンパレータ用のクロック信号のタイミングを所定周期以下(例えば10ps)の間隔で遅延させてデスキュー回路122で調整可能な遅延調整幅に収めるようにプログラマブルに調整することにより、配線長が大きく変わった場合でも、デスキュー回路122によって試験信号および出力信号のスキューを調整することができる。
The timing of the clock signal for the driver and the comparator is delayed by an interval of a predetermined period or less (for example, 10 ps) and adjusted so as to be within a delay adjustment width adjustable by the
このため、従来技術のようにシフトレジスタ等を用いて所定周期毎の大きな時間間隔で段階的に調整を行う場合に比較して、デスキュー回路122の遅延調整幅を実際のスキューに柔軟に対応させることができる。
For this reason, the delay adjustment width of the
また、所定周期の間隔とデスキュー回路122の遅延調整幅との間に大きく差がある場合等においても、様々な大きさのスキューに対応してドライバ用、コンパレータ用のクロック信号のタイミングを例えば10ps間隔の微小な時間単位でリニアに調整して適切にデスキュー回路122の遅延調整幅に収めることが可能となる。これにより、様々な大きさのスキューに対してデスキュー回路122の遅延調整幅を柔軟に対応させてスキューを調整することが可能となる。
Further, even when there is a large difference between the interval of the predetermined period and the delay adjustment width of the
より具体的には、デスキュー回路222単品あたりのスペックとして遅延調整幅が10ns、分解能が10psのものを採用した場合、カードB120上で複数のデスキュー回路222をカスケードに接続すれば、その分、全体としての遅延調整幅(レンジ)を広げることができる。これにより、例えば最も短い配線と最も長い配線とで物理的な長さが極端に違っている場合であっても、デスキュー回路222の遅延調整幅を柔軟に広げてスキュー調整を行うことができる。
More specifically, when a specification with a delay adjustment width of 10 ns and a resolution of 10 ps is adopted as the specification per
なお、上記の場合の調整方法は、各デスキュー回路222を10bitのデジタル信号で制御するものとする。デスキュー回路222が10ps間隔の分解能を有していれば、実用上、ほぼリニアに遅延調整幅を調整できると考えてよい。例えば、クロック周波数が280MHzであったとすると、従来技術であれば3571ps(クロック周期)の分解能でしかなっかたところ、これを本実施の形態では10psまで向上することができるため、その差は歴然である。
In the adjustment method in the above case, each
〔他の実施の形態〕
上述の実施の形態において、スキューがデスキュー回路122で調整可能な遅延調整幅から外れた場合に、クロック調整回路111によってドライバ用、コンパレータ用のクロック信号のタイミングを所定周期以下の間隔でプログラマブルに調整を行っていたが、これに限られず、カードB120内のTG/FC121等のその他の構成要素の動作を制御するクロック信号のタイミングを調整しても良い。
[Other Embodiments]
In the above-described embodiment, when the skew deviates from the delay adjustment range that can be adjusted by the
なお、クロック調整回路111は、半導体試験装置100内でカードA110に接続された各カードB120や各カードB120のそれぞれによって試験を行う全てのDUTに対して、試験信号及び出力信号の間のスキューを個別に調整することができる構成であっても良い。
The
上記の形態であれば、カードB120やベースボード130およびプローブカード140内の各配線について、その中で最も長い配線に合わせて物理的な配線長を設計しなくてもよい。このため、例えばDUT個数の増加によって配線がより高密度化した場合であっても、個別に配線長を最適化することができ、その分のコストの低減や装置の小型化を実現することができる。また、装置の小型化に伴って試験を行うDUTの個数を増加させることができ、半導体試験装置100の性能向上に大きく貢献する。
If it is said form, about the wiring in card | curd B120, the
100,200 半導体試験装置
110,210 カードA
111 クロック調整回路
120,220 カードB
121,221 タイミング発生器/フォーマットコントローラ(TG/FC)
122,222 デスキュー回路
123,223 ドライバ
124,224 コンパレータ
130,230 ベースボード
140,240 プローブカード
211 シフトレジスタ
100, 200
111
121,221 Timing generator / format controller (TG / FC)
122, 222
Claims (3)
前記クロック発生部により発生されたクロック信号に基づいて、被試験対象を試験するための試験信号を発生させる信号発生部と、
前記信号発生部により発生された試験信号および前記試験信号の印加に応じて前記被試験対象から出力された出力信号の伝送過程で生じたスキューを調整するデスキュー回路と、
前記クロック発生部により発生するクロック信号のタイミングを前記所定周期以下の間隔で調整するクロック調整部とを備えたことを特徴とする半導体試験装置。 A clock generator for generating a clock signal at a predetermined period;
A signal generator for generating a test signal for testing a device under test based on the clock signal generated by the clock generator;
A deskew circuit that adjusts a skew generated in a transmission process of a test signal generated by the signal generator and an output signal output from the test object in response to application of the test signal;
A semiconductor test apparatus, comprising: a clock adjustment unit that adjusts a timing of a clock signal generated by the clock generation unit at intervals equal to or less than the predetermined period.
前記クロック発生部により発生されたクロック信号に基づいて、被試験対象を試験するための試験信号を発生させる信号発生部と、
前記信号発生部により発生された試験信号を前記被試験対象に対して印加するドライバと、
前記試験信号の印加に応じて前記被試験対象から出力される出力信号が入力されるコンパレータと、
前記クロック信号に基づき、前記試験信号および出力信号の伝送過程で生じたスキューを調整するデスキュー回路と、
前記クロック発生部により発生するクロック信号のタイミングを前記所定周期以下の間隔で調整するクロック調整部とを備えたことを特徴とする半導体試験装置。 A clock generator for generating a clock signal at a predetermined period;
A signal generator for generating a test signal for testing a device under test based on the clock signal generated by the clock generator;
A driver for applying a test signal generated by the signal generator to the test object;
A comparator that receives an output signal output from the test object in response to application of the test signal;
A deskew circuit for adjusting a skew generated in the transmission process of the test signal and the output signal based on the clock signal;
A semiconductor test apparatus, comprising: a clock adjustment unit that adjusts a timing of a clock signal generated by the clock generation unit at intervals equal to or less than the predetermined period.
前記クロック調整部は、
プログラマブル・ディレー・ラインで構成されていることを特徴とする半導体試験装置。 The semiconductor test apparatus according to claim 2,
The clock adjustment unit
A semiconductor test apparatus comprising a programmable delay line.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007078098A JP2008241272A (en) | 2007-03-26 | 2007-03-26 | Semiconductor testing device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007078098A JP2008241272A (en) | 2007-03-26 | 2007-03-26 | Semiconductor testing device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008241272A true JP2008241272A (en) | 2008-10-09 |
Family
ID=39912830
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007078098A Pending JP2008241272A (en) | 2007-03-26 | 2007-03-26 | Semiconductor testing device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008241272A (en) |
-
2007
- 2007-03-26 JP JP2007078098A patent/JP2008241272A/en active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9577818B2 (en) | High speed data transfer using calibrated, single-clock source synchronous serializer-deserializer protocol | |
US9829914B2 (en) | Method for performing signal control of an electronic device, and associated apparatus | |
JP2007108172A (en) | Apparatus for measuring on-chip characteristics of semiconductor circuit, and method therefor | |
WO2007107059A1 (en) | Embedded system and controlling method thereof | |
JPH08146099A (en) | Timing edge forming circuit of semiconductor ic tester | |
JP4191185B2 (en) | Semiconductor integrated circuit | |
US7984350B2 (en) | Logic circuitry and recording medium | |
JP4469753B2 (en) | Test equipment | |
JP2006054731A (en) | Timing generator, testing device, and skew adjustment method | |
JP2008241272A (en) | Semiconductor testing device | |
WO2010021131A1 (en) | Test device and testing method | |
WO2006041063A1 (en) | Timing generator and testing apparatus | |
US7475310B2 (en) | Signal output circuit, and test apparatus | |
KR100885053B1 (en) | Data Capture Circuit for Semiconductor Test Device | |
JP2007292471A (en) | Semiconductor tester | |
JP2013102417A5 (en) | ||
US20230206973A1 (en) | Variable tick for dram interface calibration | |
JP6346212B2 (en) | Error rate measuring apparatus and automatic phase adjustment method using the apparatus | |
KR101323372B1 (en) | A signal generator and an automatic test equipment using thereof | |
JP2002350502A (en) | Semiconductor testing apparatus | |
JP2005094597A (en) | Delay control device | |
JPH02197912A (en) | Clock skew adjusting system | |
US20130300458A1 (en) | Clock Signal Synchronization Circuit | |
JP2009068949A (en) | Semiconductor test apparatus | |
JP2007087338A (en) | Clock synchronizing circuit, and on-screen display circuit |