JP2008235196A - Manufacturing method for organic el device - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 26
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 17
- 230000032683 aging Effects 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 45
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 42
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 9
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 6
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical group C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 125000004178 (C1-C4) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004944 Liquid Silicone Rubber Substances 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000013008 moisture curing Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
本発明は、有機EL(エレクトロルミネッセンス)装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing an organic EL (electroluminescence) device.
有機EL装置は、基板上に第1電極と発光層と第2電極とを順に積層して有機EL素子が形成された構造を有している。このような有機EL装置では、製品としての信頼性や安定性を確保するため、第1電極と第2電極との間に電圧を印加し、欠陥部を絶縁破壊することが行われている(例えば、特許文献1を参照)。 The organic EL device has a structure in which an organic EL element is formed by sequentially stacking a first electrode, a light emitting layer, and a second electrode on a substrate. In such an organic EL device, in order to ensure reliability and stability as a product, a voltage is applied between the first electrode and the second electrode, and the defective portion is subjected to dielectric breakdown ( For example, see Patent Document 1).
ところが、水分や酸素の素子内部への浸入を防ぐ目的で、有機EL素子の表面に窒化珪素等からなる封止膜やシリコーン系樹脂等からなる保護膜が設けられた有機EL装置(例えば、特許文献2を参照)において、従来の電圧印加を行った場合、欠陥部を絶縁破壊するだけに留まらず封止膜や保護膜も破壊されてしまう虞がある。このようにして封止膜や保護膜が破壊されると、そこから水分や酸素が素子内部に侵入してダークスポットが発生し、このダークスポットは時間の経過と共に成長することとなる。 However, in order to prevent moisture and oxygen from entering the inside of the element, an organic EL device in which a sealing film made of silicon nitride or a protective film made of silicone resin or the like is provided on the surface of the organic EL element (for example, a patent) In Reference 2), when a conventional voltage application is performed, there is a risk that the sealing film and the protective film may be destroyed as well as the defective part is not only dielectrically broken down. When the sealing film and the protective film are destroyed in this way, moisture and oxygen enter the element from the inside to generate dark spots, and the dark spots grow with time.
しかしながら、そのような膜の破壊箇所が視認できない程微小であると、それを点灯検査で見付け出すことは困難であり、出荷後にダークスポットが成長し、製品が不良品となるという問題があった。
したがって、本発明は、上記従来の問題を解決するためになされたものであり、封止膜や保護膜を備えた有機EL装置の製品としての信頼性や安定性を高めることのできる有機EL装置の製造方法を提供することを目的とする。
However, if such a broken part of the film is so small that it cannot be visually recognized, it is difficult to find it by a lighting inspection, and there is a problem that a dark spot grows after shipping and the product becomes defective. .
Accordingly, the present invention has been made to solve the above-described conventional problems, and an organic EL device capable of improving the reliability and stability as a product of an organic EL device having a sealing film and a protective film. It aims at providing the manufacturing method of.
本発明者らは鋭意研究、開発を遂行した結果、上記のような課題を解決するためには、第1電極と第2電極との間に電圧を印加した後に、有機EL素子を高温高湿度の環境下に曝してエージングを行うと共に湿分硬化性物質を硬化させて保護膜形成を行うことが有効であることに想到し、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明に係る有機EL装置の製造方法は、基板上に第1電極と発光層と第2電極とを順に積層して有機EL素子を形成した後に、有機EL素子の表面上に湿分硬化性物質を塗布して硬化させることにより有機EL素子を覆うように保護膜を形成する有機EL装置の製造方法であって、有機EL素子の形成後であって湿分硬化性物質の硬化前に、第1電極と第2電極との間に電圧を印加し、その後、有機EL素子を高温高湿度の環境下に曝してエージングを行うと共に湿分硬化性物質を硬化させることを特徴とする。
本発明における電圧の印加は、湿分硬化性物質の塗布後であって湿分硬化性物質の硬化前に行われることが好ましい。また、この電圧は逆バイアス電圧であることが好ましい。
As a result of diligent research and development, the present inventors have solved the above-described problems by applying a voltage between the first electrode and the second electrode, and then setting the organic EL element at high temperature and high humidity. The present invention was completed by conceiving that it is effective to perform aging by exposure to the above environment and to form a protective film by curing a moisture curable substance.
That is, in the method for manufacturing an organic EL device according to the present invention, a first electrode, a light emitting layer, and a second electrode are sequentially stacked on a substrate to form an organic EL element, and then moisture is applied to the surface of the organic EL element. An organic EL device manufacturing method for forming a protective film so as to cover an organic EL element by applying and curing a curable substance, after the formation of the organic EL element and before the curing of the moisture curable substance In addition, a voltage is applied between the first electrode and the second electrode, and then the organic EL element is exposed to a high temperature and high humidity environment to perform aging and to cure the moisture curable substance. .
The voltage application in the present invention is preferably performed after application of the moisture curable substance and before curing of the moisture curable substance. Further, this voltage is preferably a reverse bias voltage.
本発明によれば、封止膜や保護膜を備えた有機EL装置の製品としての信頼性や安定性を高めることのできる有機EL装置の製造方法を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus which can improve the reliability and stability as a product of the organic electroluminescent apparatus provided with the sealing film and the protective film can be provided.
以下、本発明の実施の形態を、添付図面を参照しつつ説明する。
図1は、実施の形態に係る有機EL装置の製造方法にて製造された有機EL装置の模式断面図である。有機EL装置は、基板1上に形成された第1電極である陽極2と、陽極2上に形成された発光層3と、発光層3上に形成された第2電極である陰極4と、これら陽極2、発光層3及び陰極4を覆う封止膜5とから構成される有機EL素子Aを備えており、さらに有機EL素子A全体を被覆するように保護膜6が形成されている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an organic EL device manufactured by a method for manufacturing an organic EL device according to an embodiment. The organic EL device includes an anode 2 as a first electrode formed on the
次に、実施の形態に係る有機EL装置の製造方法について説明する。図2は、実施の形態に係る有機EL装置の製造方法の工程フロー図である。図2に示されるように、基板1の表面上に陽極2を形成し、次に陽極2の表面上に発光層3を形成し、発光層3の表面上に陰極4を形成し、さらに陽極2、発光層3及び陰極4を覆う封止膜5を形成することにより、ガラス基板1上に有機EL素子Aが形成される(有機EL素子形成工程)。有機EL素子Aの形成後、有機EL素子Aの陽極2と陰極4との間に電圧を印加して、有機EL素子Aに存在する欠陥部を絶縁破壊する(電圧印加工程)。その後、有機EL素子Aの表面上に湿分硬化性物質を塗布する(湿分硬化性物質塗布工程)。続いて、有機EL素子Aを高温高湿度、例えば、30℃〜80℃、60%RH〜90%RHの環境下に、例えば4時間〜48時間曝して湿分硬化性物質を硬化させることにより保護膜6を形成する(高温高湿度処理工程)。このようにして、有機EL装置が製造される。この高温高湿度処理工程において、絶縁破壊されずに残った欠陥部や封止膜5の破壊された箇所が有機EL素子Aに存在すると、これらがダークスポットとなって成長する。ダークスポットが成長した有機EL装置は、その後の点灯検査で不良品として容易に排除することができる。すなわち、高温高湿度処理工程は、湿分硬化性物質の硬化とダークスポットのエージングとを兼ねている。
Next, a method for manufacturing the organic EL device according to the embodiment will be described. FIG. 2 is a process flow diagram of the manufacturing method of the organic EL device according to the embodiment. As shown in FIG. 2, the anode 2 is formed on the surface of the
以上のように、陽極2と陰極4との間に電圧を印加して欠陥部を絶縁破壊した後、有機EL素子Aの表面上に湿分硬化性物質を塗布し、次いで有機EL素子Aを高温高湿度の環境下に曝してエージングと湿分硬化性物質の硬化とを一緒に行うことにより、出荷後における欠陥部によるリークやショートの発生、膜の破壊箇所に起因するダークスポットの成長等の不具合を大幅に低減することができる。そのため、信頼性及び安定性の高い有機EL装置を提供することができる。 As described above, a voltage is applied between the anode 2 and the cathode 4 to break down the defective portion, and then a moisture curable material is applied on the surface of the organic EL element A. Leakage and short-circuiting due to defective parts after shipping, growth of dark spots due to film breakage, etc. by performing aging and curing of moisture curable substances together by exposure to high temperature and high humidity environment Can be greatly reduced. Therefore, an organic EL device with high reliability and stability can be provided.
なお、陽極2と陰極4との間に印加される電圧は、欠陥部にだけ効率よく電流を流すために、逆バイアス電圧、すなわち、陽極2に対して陰極4の電位が高くなるような電圧であることが好ましい。また、その電圧値や印加時間は、有機EL素子Aへダメージを与えないように有機EL装置の層構成に応じて適宜設定すればよく、電圧値は例えば3V〜10V程度とし、印加時間は例えば1秒〜10秒とすることが好ましい。 Note that the voltage applied between the anode 2 and the cathode 4 is a reverse bias voltage, that is, a voltage at which the potential of the cathode 4 is higher than the anode 2 in order to allow current to flow efficiently only to the defective portion. It is preferable that The voltage value and application time may be set as appropriate according to the layer structure of the organic EL device so as not to damage the organic EL element A. The voltage value is, for example, about 3 V to 10 V, and the application time is, for example, 1 second to 10 seconds are preferable.
このようにして製造された有機EL装置では、例えば、光の取り出し方向が基板1側となるように構成されている場合、陽極2と陰極4との間に4〜5V程度の順バイアスの電圧を印加して作動されると、発光層3で発した光が直接陽極2へ、あるいは陰極4で反射した後に陽極2へ入射し、さらに基板1を透過して出射される。
In the organic EL device manufactured as described above, for example, when the light extraction direction is the
有機EL装置における保護膜6には、湿分(水分)と反応し硬化する物質を用いることができ、有機EL素子Aの表面上に均一にムラなく塗布し易いという観点から液状のものが好ましい。このような湿分硬化性物質の具体例としては、例えば、ポリシラザン、水分硬化型シリコーン、水分硬化型シリコーンゴム等が挙げられる。ここで、ポリシラザンとは、パーヒドロポリシラザンのSiと結合する水素部分が一部アルキル基等で置換された誘導体をも含むものとする。アルキル基、特に分子量の小さいメチル基を有するものは、硬化後にしなやかさを有すると共に封止膜5との接着性に優れるため、保護膜6の厚さを大きくしてもクラックの発生が抑制される。アルキル基としては、炭素数1〜4のアルキル基が好ましい。
上述した湿分硬化性物質の塗布方法としては、スピン法、ディップ法、フロー法、ロールコート法、スクリーン印刷法等の各種の方法を用いることができる。
For the protective film 6 in the organic EL device, a substance that reacts with moisture (moisture) and cures can be used, and a liquid film is preferable from the viewpoint that it can be uniformly and uniformly applied on the surface of the organic EL element A. . Specific examples of such moisture curable substances include polysilazane, moisture curable silicone, moisture curable silicone rubber, and the like. Here, the polysilazane includes a derivative in which a hydrogen part bonded to Si of perhydropolysilazane is partially substituted with an alkyl group or the like. Alkyl groups, particularly those having a low molecular weight methyl group, are supple after curing and have excellent adhesion to the sealing film 5, so that the occurrence of cracks is suppressed even if the thickness of the protective film 6 is increased. The As an alkyl group, a C1-C4 alkyl group is preferable.
Various methods such as a spin method, a dipping method, a flow method, a roll coating method, and a screen printing method can be used as a method for applying the moisture curable substance described above.
基板1は、有機EL素子Aを支えるための板状の部材である。基板1には、光の取り出し方向が基板1側である場合、例えば、ガラス基板や、アクリル樹脂基板等の取り出す光に対して高い透過率を示す透明基板が用いられる。光の取り出し方向が基板1と反対側である場合は、上記の透明基板に加えて、シリコン基板、金属基板等の不透明基板を用いることができる。
The
第1電極である陽極2には、公知の電極材料が用いられ、光の取り出し方向が基板1側である場合は、例えば、ITO(インジウム錫酸化物)や、IZO(酸化インジウム亜鉛)、ZnO(酸化亜鉛)等の透明電極材料が用いられる。
第2電極である陰極4には、公知の電極材料が用いられ、光の取り出し方向が基板1側である場合は、金属や合金を用いることができ、例えば、AgやAl等が用いられる。
なお、光の取り出し方向が基板1と反対側である場合は、陽極2には金属や合金等が用いられ、陰極4には透明電極材料が用いられる。
For the anode 2 that is the first electrode, a known electrode material is used, and when the light extraction direction is the
For the cathode 4 as the second electrode, a known electrode material is used, and when the light extraction direction is the
When the light extraction direction is opposite to the
第1電極である陽極2と第2電極である陰極4との間に形成される発光層には、Alq3等の公知の発光材料が用いられ、赤色、緑色、青色、黄色等の単色光を示す構成のものや、それらの組み合わせによる発光色、例えば、白色発光を示す構成のもの等が用いられる。また、電極間には、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層、バッファー層等の公知の有機EL装置に採用される一または複数の層も適宜形成することができ、各層は公知の材料から適宜選択される。 A known light-emitting material such as Alq3 is used for the light-emitting layer formed between the anode 2 as the first electrode and the cathode 4 as the second electrode, and emits monochromatic light such as red, green, blue, and yellow. The thing of the structure shown, the luminescent color by those combination, for example, the thing of the structure which shows white light emission, etc. are used. In addition, between the electrodes, one or a plurality of layers employed in a known organic EL device such as a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer, an electron transport layer, a hole block layer, and a buffer layer are appropriately used. Each layer can be appropriately selected from known materials.
封止膜5には、公知の封止膜材料が用いられ、例えば、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、炭化ケイ素、アルミナ等が用いられる。好ましくは窒化ケイ素が用いられる。封止膜5は、例えば、窒化ケイ素の単層膜であってもよく、窒化ケイ素および酸化ケイ素の二層膜であってもよく、あるいは窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、炭化ケイ素、アルミナ等を積層した多層膜であってもよい。また、一層目(陰極4に接する側)に絶縁性の膜を用いた場合、二層目以降は、Al、Pt、Au、Ag、Cu、Cr、Ti等の金属膜でもよい。 A known sealing film material is used for the sealing film 5, and for example, silicon nitride, silicon oxide, silicon oxynitride, silicon carbide, alumina, or the like is used. Preferably silicon nitride is used. The sealing film 5 may be, for example, a single layer film of silicon nitride, a double layer film of silicon nitride and silicon oxide, or silicon nitride, silicon oxide, silicon oxynitride, silicon carbide, alumina. The multilayer film which laminated | stacked etc. may be sufficient. When an insulating film is used for the first layer (side in contact with the cathode 4), the second and subsequent layers may be metal films such as Al, Pt, Au, Ag, Cu, Cr, and Ti.
上述した陽極2、発光層3、陰極4、封止膜5及びその他の電極間に形成される層は、スパッタリング法、スピンコーティング法、CVD法、真空蒸着法等の公知の薄膜形成法によって形成すればよい。 The layers formed between the anode 2, the light emitting layer 3, the cathode 4, the sealing film 5, and other electrodes described above are formed by a known thin film forming method such as a sputtering method, a spin coating method, a CVD method, or a vacuum evaporation method. do it.
なお、上記実施の形態では、湿分硬化性物質を塗布する前に電圧印加を行なう場合について説明したが、湿分硬化性物質を硬化させる前であれば塗布した後であってもよい。湿分硬化性物質の塗布後に電圧印加を行うことにより、封止膜5の破壊を発生させ難くすることができる。また、それにより封止膜5の破壊によって生じる異物の保護膜6への混入を避けることもできる。 In the above-described embodiment, the case where the voltage application is performed before the moisture curable substance is applied has been described. However, if the moisture curable substance is not cured, it may be applied. By applying a voltage after applying the moisture curable substance, it is possible to make it difficult to cause the sealing film 5 to be broken. In addition, it is possible to avoid mixing of foreign matters into the protective film 6 caused by the destruction of the sealing film 5.
[実施例1]
有機EL装置を、以下のように製造した。
透明なガラス基板上に反応性スパッタにより膜厚190nmのITO層(陽極)を形成した。その後、基板をアルカリ洗浄し、次いで純水洗浄した後、乾燥させ、紫外線オゾン洗浄を行った。
上記の洗浄を行った基板を真空蒸着装置(真空度約5.0×10−5Pa)へと移し、陽極の表面上に、ホール注入層として膜厚10nmの銅フタロシアニンをカーボンるつぼにより、蒸着速度0.1nm/sで形成した。次に、ホール注入層上に、ホール輸送層として膜厚30nmのトリフェニルアミン4量体をカーボンるつぼにより、蒸着速度0.1nm/sで形成した。さらに、ホール輸送層上に、発光層として膜厚30nmの4,4’−ビス(2,2’−ジフェニルビニル)ビフェニル(DPVBi)をカーボンるつぼにより、蒸着速度0.1nm/sで形成した。その後、発光層上に、電子輸送層として膜厚20nmのAlq3をカーボンるつぼにより、蒸着速度0.01nm/sで形成した。
さらに、電子輸送層上には、電子注入層として膜厚0.5nmのフッ化リチウム(LiF)をカーボンるつぼにより、蒸着速度0.03nm/sで形成した。次に、電子注入層上に、陰極として膜厚100nmのアルミニウムをタングステンボートにより、蒸着速度1nm/sで形成した。
その後、陽極、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層及び陰極が形成された基板をプラズマCVD装置のCVDチャンバーに移し、圧力1×10−3Paまで排気し、SiH4を100sccm、NH3を50sccm、N2を1000sccm流し、圧力を75Paに調整し、一対の電極に13.56MHz、600Wの高周波電力を供給し、ガスを放電させることにより、電極及び各層全体を覆うように、封止膜として膜厚1μmの窒化ケイ素を堆積させた。
[Example 1]
The organic EL device was manufactured as follows.
An ITO layer (anode) having a thickness of 190 nm was formed on a transparent glass substrate by reactive sputtering. Thereafter, the substrate was washed with alkali, then with pure water, dried, and then subjected to ultraviolet ozone cleaning.
The cleaned substrate is transferred to a vacuum deposition apparatus (vacuum degree: about 5.0 × 10 −5 Pa), and copper phthalocyanine having a thickness of 10 nm is deposited on the surface of the anode as a hole injection layer by a carbon crucible. The film was formed at a speed of 0.1 nm / s. Next, a 30-nm-thick triphenylamine tetramer was formed as a hole transport layer on the hole injection layer with a carbon crucible at a deposition rate of 0.1 nm / s. Furthermore, on the hole transport layer, 4,4′-bis (2,2′-diphenylvinyl) biphenyl (DPVBi) having a film thickness of 30 nm was formed as a light emitting layer with a carbon crucible at a deposition rate of 0.1 nm / s. Thereafter, Alq3 having a film thickness of 20 nm was formed as an electron transport layer on the light emitting layer with a carbon crucible at a deposition rate of 0.01 nm / s.
Further, on the electron transport layer, lithium fluoride (LiF) having a film thickness of 0.5 nm was formed as an electron injection layer with a carbon crucible at a deposition rate of 0.03 nm / s. Next, 100 nm-thick aluminum as a cathode was formed on the electron injection layer at a deposition rate of 1 nm / s using a tungsten boat.
Then, the substrate on which the anode, hole injection layer, hole transport layer, light emitting layer, electron transport layer, electron injection layer and cathode were formed was transferred to the CVD chamber of the plasma CVD apparatus, and the pressure was exhausted to 1 × 10 −3 Pa. By flowing SiH 4 at 100 sccm, NH 3 at 50 sccm, and N 2 at 1000 sccm, adjusting the pressure to 75 Pa, supplying high frequency power of 13.56 MHz and 600 W to the pair of electrodes, and discharging the gas, the electrodes and the entire layers are discharged. As a sealing film, silicon nitride having a thickness of 1 μm was deposited.
このように基板上に有機EL素子を形成した後、これをCVDチャンバーから取り出し、陽極と陰極との間に逆バイアス電圧を5Vで5秒間印加した。次に、回転数500rpmのスピナーを使用して、湿分硬化性物質としてポリシラザン(AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社製、商品名:アクアミカ)を有機EL素子全体が覆われるように塗布した。次いで、これを温度60℃、湿度90%RHの環境下に24時間曝露してエージングを行うと共にポリシラザンを硬化させ膜厚0.5μmの保護膜を形成した。 After forming the organic EL element on the substrate in this manner, this was taken out from the CVD chamber, and a reverse bias voltage was applied between the anode and the cathode at 5 V for 5 seconds. Next, using a spinner with a rotation speed of 500 rpm, polysilazane (manufactured by AZ Electronic Materials, trade name: Aquamica) was applied as a moisture curable substance so as to cover the entire organic EL element. Next, this was exposed to an environment of temperature 60 ° C. and humidity 90% RH for 24 hours to age and polysilazane was cured to form a protective film having a thickness of 0.5 μm.
このようにして得られた有機EL装置の点灯検査を行ったところ、欠陥は見られなかった。続いて、点灯検査後の有機EL装置に対して、寿命・信頼性評価(60℃、90%RH)を実施したところ、500時間が経過しても画面上にダークスポットの発生は認められなかった。 When the lighting test of the organic EL device thus obtained was performed, no defects were found. Subsequently, when the life / reliability evaluation (60 ° C., 90% RH) was performed on the organic EL device after the lighting inspection, no dark spots were observed on the screen even after 500 hours. It was.
[実施例2]
湿分硬化性物質として脱アルコールタイプ1成分形液状シリコーンゴム(GE東芝シリコーン株式会社製、TES399)を用い、温度40℃、湿度60%RHの環境下に24時間曝露してエージングを行うと共にシリコーンゴムを硬化させ膜厚100μmの保護膜を形成すること以外は実施例1と同様にして、有機EL装置を得た。
このようにして得られた有機EL装置の点灯検査を行ったところ、欠陥は見られなかった。続いて、点灯検査後の有機EL装置に対して、寿命・信頼性評価(60℃、90%RH)を実施したところ、500時間が経過しても画面上にダークスポットの発生は認められなかった。
[Example 2]
A non-alcohol-type one-component liquid silicone rubber (GE Toshiba Silicone Co., Ltd., TES399) is used as a moisture-curing substance, exposed to a temperature of 40 ° C. and a humidity of 60% RH for 24 hours, and subjected to aging. An organic EL device was obtained in the same manner as in Example 1 except that the rubber was cured to form a protective film having a thickness of 100 μm.
When the lighting test of the organic EL device thus obtained was performed, no defects were found. Subsequently, when the life / reliability evaluation (60 ° C., 90% RH) was performed on the organic EL device after the lighting inspection, no dark spots were observed on the screen even after 500 hours. It was.
[比較例1]
逆バイアス電圧の印加を行わないこと以外は実施例1と同様にして、有機EL装置を得た。
このようにして得られた有機EL装置の点灯検査を行ったところ、欠陥は見られなかった。続いて、点灯検査後の有機EL装置に対して、寿命・信頼性評価(60℃、90%RH)を実施したところ、24時間経過後には視認できる大きさまでダークスポットが成長していた。
[Comparative Example 1]
An organic EL device was obtained in the same manner as in Example 1 except that no reverse bias voltage was applied.
When the lighting test of the organic EL device thus obtained was performed, no defects were found. Subsequently, when the life / reliability evaluation (60 ° C., 90% RH) was performed on the organic EL device after the lighting inspection, the dark spot grew to a visible size after 24 hours.
[比較例2]
ポリシラザンの代わりに紫外線硬化型シリコーンハードコートを用い、紫外線照射によって硬化させて膜厚5μmの保護膜を形成すること以外は実施例1と同様にして、有機EL装置を得た。
このようにして得られた有機EL装置の点灯検査を行ったところ、欠陥は見られなかった。続いて、点灯検査後の有機EL装置に対して、寿命・信頼性評価(60℃、90%RH)を実施したところ、24時間経過後には視認できる大きさまでダークスポットが成長していた。
[Comparative Example 2]
An organic EL device was obtained in the same manner as in Example 1 except that an ultraviolet curable silicone hard coat was used instead of polysilazane, and a protective film having a thickness of 5 μm was formed by curing with ultraviolet irradiation.
When the lighting test of the organic EL device thus obtained was performed, no defects were found. Subsequently, when the life / reliability evaluation (60 ° C., 90% RH) was performed on the organic EL device after the lighting inspection, the dark spot grew to a visible size after 24 hours.
1 基板、2 陽極、3 発光層、4 陰極、5 封止膜、6 保護膜、A 有機EL素子。 1 substrate, 2 anode, 3 light emitting layer, 4 cathode, 5 sealing film, 6 protective film, A organic EL element.
Claims (3)
有機EL素子の形成後であって湿分硬化性物質の硬化前に、第1電極と第2電極との間に電圧を印加し、その後、有機EL素子を高温高湿度の環境下に曝してエージングを行うと共に湿分硬化性物質を硬化させることを特徴とする有機EL装置の製造方法。 An organic EL element is formed by sequentially laminating a first electrode, a light emitting layer, and a second electrode on a substrate to form an organic EL element, and then applying and curing a moisture curable material on the surface of the organic EL element. An organic EL device manufacturing method for forming a protective film so as to cover
A voltage is applied between the first electrode and the second electrode after the formation of the organic EL element and before the moisture curable substance is cured, and then the organic EL element is exposed to a high temperature and high humidity environment. A method for producing an organic EL device, comprising aging and curing a moisture curable substance.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
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JP2008235196A true JP2008235196A (en) | 2008-10-02 |
Family
ID=39907750
Family Applications (1)
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JP2007076918A Pending JP2008235196A (en) | 2007-03-23 | 2007-03-23 | Manufacturing method for organic el device |
Country Status (1)
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---|---|---|---|---|
WO2012105600A1 (en) * | 2011-02-02 | 2012-08-09 | 住友化学株式会社 | Method for producing organic electroluminescent element |
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US9093667B2 (en) | 2011-02-02 | 2015-07-28 | Joled Inc. | Method for producing electroluminescence device |
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