JP2008233022A - Contact probe - Google Patents

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Teppei Kimura
哲平 木村
Noriyuki Fukushima
則之 福嶋
Shohei Tajima
章平 田島
Kentaro Hara
健太郎 原
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a contact probe where the surface pressure of a contact part at the scrub time is increased without reducing the strength of the scrub direction. <P>SOLUTION: The contact probe 12 of a cantilever beam shape is formed on a probe substrate 11 arranged facedly to an inspecting object 2 and comes into contact with an electrode pad 21 on the inspecting object 2 to be conducted. The contact probe 12 has a beam 12a whose one end side is fixed, and a contact 12b disposed on the other end side of the beam 12a. The contact surface of the contact 12a to the inspecting object 2 has a shape formed by combining a rectangular area extending in the draft direction of the beam 12a with a constant width, and a triangular area whose width spreads toward the rectangular area. The rectangular area is arranged on the other end side of the beam 12a, and the triangular area is arranged on the one end side of the beam 12a. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、コンタクトプローブに係り、さらに詳しくは、半導体ウエハなどの検査対象物上の微細な電極パッドに接触して導通させることにより検査対象物の電気的特性試験を行うためのコンタクトプローブの改良に関する。   The present invention relates to a contact probe, and more particularly, an improvement of a contact probe for testing an electrical property of an inspection object by contacting and conducting a fine electrode pad on the inspection object such as a semiconductor wafer. About.

一般に、半導体装置の製造工程では、半導体ウエハ上に形成された電子回路に対して電気的特性試験が行われている。この様な検査対象物に対する電気的特性試験は、検査対象物上の電極パッドに接触して導通させる複数のコンタクトプローブが基板上に形成されたプローブカードを用いて行われる。   In general, in the manufacturing process of a semiconductor device, an electrical characteristic test is performed on an electronic circuit formed on a semiconductor wafer. Such an electrical property test for an inspection object is performed using a probe card in which a plurality of contact probes that are brought into contact with an electrode pad on the inspection object to be conducted are formed on a substrate.

図9は、従来のプローブカードを示した側面図であり、複数のコンタクトプローブ111が基板110上に形成されたプローブカード100をビーム先端側から見た様子が示されている。検査対象物120上には、複数の微細な電極パッド121が狭ピッチで設けられている。プローブカード100は、検査対象物120上の各電極パッド121に対向配置される基板110と、基板110上に所定のピッチで形成された複数のコンタクトプローブ111からなる。プローブカード100は、通常、コンタクトプローブ111が形成された基板面を下側に向けて配置され、各コンタクトプローブ111がそれぞれ電極パッド121と対向するように位置合わせされた状態で検査対象物120を上昇させることにより、コンタクトプローブ111及び電極パッド121が互いに近づくようになっている。   FIG. 9 is a side view showing a conventional probe card, and shows a state where a probe card 100 in which a plurality of contact probes 111 are formed on a substrate 110 is viewed from the beam front end side. On the inspection object 120, a plurality of fine electrode pads 121 are provided at a narrow pitch. The probe card 100 includes a substrate 110 disposed opposite to each electrode pad 121 on the inspection object 120 and a plurality of contact probes 111 formed on the substrate 110 at a predetermined pitch. The probe card 100 is usually arranged with the substrate surface on which the contact probe 111 is formed facing downward, and the inspection object 120 is placed in a state where each contact probe 111 is aligned with the electrode pad 121. By raising, the contact probe 111 and the electrode pad 121 come closer to each other.

図10(a)及び(b)は、図9のプローブカード100におけるコンタクトプローブ111を示した側面図である。図10(a)には、コンタクト113及び電極パッド121が当接し始めた状態が示され、図10(b)には、図10(a)の状態からさらにコンタクトプローブ111及び電極パッド121を近づけるオーバードライブを行った後の状態が示されている。コンタクトプローブ111は、電極パッド121に当接させるコンタクト113と、コンタクト113を弾性的に支持し、各コンタクトプローブ111の配列方向に垂直な方向を長手方向とする片持ち梁からなるビーム112により構成される。コンタクト113は、検査対象物120に向けて延伸させた柱状体からなり、ビーム112の先端に配置されている。   FIGS. 10A and 10B are side views showing the contact probe 111 in the probe card 100 of FIG. FIG. 10A shows a state in which the contact 113 and the electrode pad 121 have begun to come into contact with each other, and FIG. 10B shows that the contact probe 111 and the electrode pad 121 are brought closer to the state shown in FIG. The state after overdrive is shown. The contact probe 111 is composed of a contact 113 to be brought into contact with the electrode pad 121 and a beam 112 made of a cantilever beam which elastically supports the contact 113 and whose longitudinal direction is perpendicular to the arrangement direction of the contact probes 111. Is done. The contact 113 is formed of a columnar body that extends toward the inspection object 120, and is disposed at the tip of the beam 112.

コンタクト113が電極パッド121と当接し始めた状態では、コンタクト113の端面全体が電極パッド121表面に接触することとなる。コンタクト113が電極パッド121と当接し始めた状態からプローブカード100及び検査対象物120をさらに近づけると、コンタクト113を介してビーム112に加わる応力により、ビーム112が基板110側に撓むこととなる。その際、プローブカード100及び検査対象物120が互いに近づくことによるビーム112の変形量の増加に従って、コンタクト113の傾斜が増大することから、コンタクト113及び電極パッド121の接触部分が電極パッド121上で移動することとなる。電極パッド121は、この接触部分の移動によってビーム112の長手方向にスクラブされる。   When the contact 113 starts to contact the electrode pad 121, the entire end surface of the contact 113 comes into contact with the surface of the electrode pad 121. When the probe card 100 and the inspection object 120 are brought closer together from the state in which the contact 113 starts to contact the electrode pad 121, the beam 112 is bent toward the substrate 110 due to the stress applied to the beam 112 through the contact 113. . At that time, as the probe card 100 and the inspection object 120 approach each other, the inclination of the contact 113 increases as the deformation amount of the beam 112 increases, so that the contact portion between the contact 113 and the electrode pad 121 is on the electrode pad 121. Will move. The electrode pad 121 is scrubbed in the longitudinal direction of the beam 112 by the movement of the contact portion.

コンタクトを検査対象物上の電極パッドに接触させた際の接触部分の面圧を上げれば、コンタクトプローブの導通性が向上するということは従来から知られている。一般に、接触部分の面積を小さくすれば、当該接触部分の面圧を増加させることができる。そこで、接触部分の面積を小さくするために、コンタクトをより細くすることが考えられる。しかしながら、ビームと検査対象物との間にゴミなどの異物が挟まった状態であっても当接可能にするという観点から、コンタクトは、端面のサイズに比べて高さ方向に長い構造体として形成する必要があった。このため、コンタクトをより細くすると、高さ方向に細長い形状となるので、横方向の強度が低下し、スクラブ時に必要なスクラブ方向の強度が得られなくなってしまうという問題があった。特に、ビーム及びコンタクトが基板に平行な層として積層処理により形成される場合では、コンタクトが基板に垂直な方向を長手方向とする柱状体として形成されるので、先端部だけを細くすることも容易ではなかった。また、コンタクトを細くすると、端面の面積が小さくなることから、コンタクトがビームとの接合面で剥がれ易くなってしまうという問題もあった。   It has been conventionally known that the continuity of the contact probe is improved by increasing the contact pressure of the contact portion when the contact is brought into contact with the electrode pad on the inspection object. Generally, if the area of the contact portion is reduced, the surface pressure of the contact portion can be increased. Therefore, it is conceivable to make the contact thinner in order to reduce the area of the contact portion. However, the contact is formed as a structure that is longer in the height direction than the size of the end face from the viewpoint of enabling contact even when foreign matter such as dust is sandwiched between the beam and the inspection object. There was a need to do. For this reason, if the contact is made thinner, the shape becomes elongated in the height direction, so that the strength in the lateral direction is lowered, and the strength in the scrub direction necessary for scrubbing cannot be obtained. In particular, when the beam and the contact are formed as a layer parallel to the substrate by a lamination process, the contact is formed as a columnar body whose longitudinal direction is a direction perpendicular to the substrate, so that it is easy to make only the tip portion thin. It wasn't. In addition, when the contact is made thin, the area of the end face becomes small, so that there is a problem that the contact is easily peeled off at the joint surface with the beam.

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、検査対象物上の電極パッドに接触させた際の接触部分の面圧を増加させ、導通性を向上させたコンタクトプローブを提供することを目的としている。特に、スクラブ方向の強度を低下させることなく、スクラブ時における接触部分の面圧を増加させることができるコンタクトプローブを提供することを目的としている。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is intended to provide a contact probe that increases the surface pressure of a contact portion when brought into contact with an electrode pad on an object to be inspected and has improved conductivity. It is aimed. In particular, it is an object of the present invention to provide a contact probe that can increase the surface pressure of a contact portion during scrubbing without reducing the strength in the scrub direction.

第1の本発明によるコンタクトプローブは、片持ち梁形状のコンタクトプローブであって、一端側が固定されるビームと、このビームの他端側に設けられたコンタクトとを有し、上記コンタクトの検査対象物への接触面が、上記ビームの延伸方向へ等幅で延びている矩形領域と、この矩形領域に向かって幅が広がっている三角形領域とを組み合わせた形状であって、上記矩形領域が上記ビームの他端側に配置され、上記三角形領域が上記ビームの一端側に配置されているように構成される。   A contact probe according to a first aspect of the present invention is a cantilever-shaped contact probe having a beam fixed at one end and a contact provided at the other end of the beam. The contact surface to the object is a shape combining a rectangular region extending in the beam extending direction with an equal width and a triangular region having a width expanding toward the rectangular region, and the rectangular region is It arrange | positions at the other end side of a beam, and is comprised so that the said triangular area | region may be arrange | positioned at the one end side of the said beam.

このコンタクトプローブでは、一端側が固定されるビームの他端側に設けられたコンタクトの検査対象物への接触面が、ビームの延伸方向へ等幅で延びている矩形領域と、矩形領域に向かって幅が広がっている三角形領域とを組み合わせた形状により構成される。この様な構成により、コンタクトがビームの一端側に配置される三角形領域からなるので、コンタクトの接触面が電極パッドと接触した状態で検査対象物及びプローブ基板を相対的に近づけた際のスクラブ時における接触部分の面圧を増加させることができる。また、コンタクトがビームの延伸方向へ等幅で延びている矩形領域からなるので、スクラブ方向の強度低下を抑制することができる。従って、コンタクトを検査対象物上の電極パッドに接触させた際の接触部分の面圧を増加させ、コンタクトプローブの導通性を向上させることができる。   In this contact probe, the contact surface of the contact provided on the other end side of the beam to which one end side is fixed has an equal width in the beam extending direction, and a rectangular area extending toward the rectangular area. It is composed of a shape combined with a triangular region having an increased width. With such a configuration, since the contact is formed of a triangular region arranged on one end side of the beam, scrubbing when the inspection object and the probe substrate are relatively brought close to each other with the contact surface of the contact in contact with the electrode pad. It is possible to increase the surface pressure of the contact portion. In addition, since the contact is made of a rectangular region extending at an equal width in the beam extending direction, a decrease in strength in the scrub direction can be suppressed. Therefore, the contact pressure when the contact is brought into contact with the electrode pad on the inspection object can be increased, and the conductivity of the contact probe can be improved.

第2の本発明によるコンタクトプローブは、上記構成に加え、上記三角形領域が、複数の三角形であって、各三角形の辺が上記矩形領域に接している形状であるように構成される。   In addition to the above configuration, the contact probe according to the second aspect of the present invention is configured such that the triangular area is a plurality of triangles, and the sides of each triangle are in contact with the rectangular area.

第3の本発明によるコンタクトプローブは、上記構成に加え、上記三角形領域が一つの三角形であって、上記矩形領域に接する辺が上記矩形領域の辺の長さよりも短いように構成される。   A contact probe according to a third aspect of the present invention is configured such that, in addition to the above configuration, the triangular region is a single triangle, and the side in contact with the rectangular region is shorter than the length of the side of the rectangular region.

本発明によるコンタクトプローブによれば、コンタクトの接触面がビームの一端側に配置される三角形領域からなるので、コンタクトが電極パッドと接触した状態で検査対象物及びプローブ基板を相対的に近づけた際のスクラブ時における接触部分の面圧を増加させることができる。また、コンタクトの接触面がビームの延伸方向へ等幅で延びている矩形領域からなるので、スクラブ方向の強度低下を抑制することができる。従って、コンタクトを検査対象物上の電極パッドに接触させた際の接触部分の面圧を増加させ、コンタクトプローブの導通性を向上させることができる。特に、スクラブ方向の強度を低下させることなく、スクラブ時における接触部分の面圧を増加させることができる。   According to the contact probe according to the present invention, the contact surface of the contact is formed of a triangular region disposed on one end side of the beam. Therefore, when the contact is in contact with the electrode pad, the inspection object and the probe substrate are brought relatively close to each other. It is possible to increase the surface pressure of the contact portion during scrubbing. In addition, since the contact surface of the contact is formed of a rectangular region extending at an equal width in the beam extending direction, a decrease in strength in the scrub direction can be suppressed. Therefore, the contact pressure when the contact is brought into contact with the electrode pad on the inspection object can be increased, and the conductivity of the contact probe can be improved. In particular, it is possible to increase the surface pressure of the contact portion during scrubbing without reducing the strength in the scrub direction.

<プローブ装置>
図1は、本発明の実施の形態によるプローブカード10を含むプローブ装置1の概略構成の一例を示した図であり、プローブ装置1内部の様子が示されている。このプローブ装置1は、プローブカード10と、検査対象物2が載置される可動ステージ3と、可動ステージ3を昇降させる駆動装置4と、可動ステージ3及び駆動装置4を収容する筐体5により構成される。検査対象物2は、半導体ウエハなどの半導体装置からなり、複数の電子回路(図示せず)が形成されている。
<Probe device>
FIG. 1 is a diagram showing an example of a schematic configuration of a probe apparatus 1 including a probe card 10 according to an embodiment of the present invention, and shows the inside of the probe apparatus 1. The probe device 1 includes a probe card 10, a movable stage 3 on which an inspection object 2 is placed, a drive device 4 that moves the movable stage 3 up and down, and a housing 5 that houses the movable stage 3 and the drive device 4. Composed. The inspection object 2 includes a semiconductor device such as a semiconductor wafer, and a plurality of electronic circuits (not shown) are formed.

可動ステージ3は、水平な載置面を有する載置台であり、検査対象物2が載置面上に載置された状態で鉛直方向に上昇又は下降させることができる。   The movable stage 3 is a mounting table having a horizontal mounting surface, and can be raised or lowered in the vertical direction while the inspection object 2 is mounted on the mounting surface.

プローブカード10は、筐体5に取り付けられるメイン基板15と、メイン基板15によって上下動自在に保持されるプローブ基板11と、メイン基板15及びプローブ基板11を連結させる連結部材13と、プローブ基板11上に固着された複数のコンタクトプローブ12により構成される。各コンタクトプローブ12は、プローブ基板11における一方の主面上に設けられている。   The probe card 10 includes a main board 15 attached to the housing 5, a probe board 11 held by the main board 15 so as to be movable up and down, a connecting member 13 for connecting the main board 15 and the probe board 11, and the probe board 11. It comprises a plurality of contact probes 12 fixed thereon. Each contact probe 12 is provided on one main surface of the probe substrate 11.

このプローブカード10では、コンタクトプローブ12が直線上に所定のピッチで配置され、その様なコンタクトプローブ12の列が、ビーム先端を対向させて2つ形成されている。また、プローブカード10は、水平に保持され、コンタクトプローブ12が形成されたプローブ基板11の主面を鉛直方向の下側に向けて配置されている。つまり、このプローブカード10は、プローブ基板11の上記主面を検査対象物2に対向させて配置されている。   In this probe card 10, contact probes 12 are arranged on a straight line at a predetermined pitch, and two rows of such contact probes 12 are formed with their beam tips facing each other. The probe card 10 is held horizontally and is arranged with the main surface of the probe substrate 11 on which the contact probe 12 is formed facing downward in the vertical direction. That is, the probe card 10 is arranged with the main surface of the probe substrate 11 facing the inspection object 2.

検査対象物2の電気的特性試験を行う際には、各コンタクトプローブ12がそれぞれ検査対象物2上の電極パッド21と対向するように、検査対象物2及びプローブカード10のアライメント、すなわち、検査対象物2に対するプローブ基板11の位置合わせが行われる。検査対象物2及びプローブカード10が適切に位置合わせされた状態で可動ステージ3を上昇させることにより、プローブ基板11及び検査対象物2が互いに近づき、コンタクトプローブ12の先端を当該検査対象物2上の電極パッド21に当接させることができる。   When performing an electrical characteristic test of the inspection object 2, the alignment of the inspection object 2 and the probe card 10, that is, the inspection is performed so that each contact probe 12 faces the electrode pad 21 on the inspection object 2. Positioning of the probe substrate 11 with respect to the object 2 is performed. By moving the movable stage 3 in a state where the inspection object 2 and the probe card 10 are properly aligned, the probe substrate 11 and the inspection object 2 approach each other, and the tip of the contact probe 12 is placed on the inspection object 2. Can be brought into contact with the electrode pad 21.

<プローブカード>
図2(a)及び(b)は、図1のプローブ装置1におけるプローブカード10の構成例を示した図であり、図中の(a)は、検査対象物2側から見た平面図であり、図中の(b)は、側面図である。
<Probe card>
2A and 2B are diagrams showing a configuration example of the probe card 10 in the probe device 1 of FIG. 1, and FIG. 2A is a plan view seen from the inspection object 2 side. Yes, (b) in the figure is a side view.

メイン基板15は、筐体5に着脱可能なプリント基板であり、テスター装置との間で信号入出力を行うための外部端子16を有している。このメイン基板15は、その周辺部がプローブ装置1の筐体5によって把持され、筐体5内において水平となるように支持される。例えば、ガラスエポキシを主成分とする多層プリント回路基板がメイン基板15として用いられる。   The main board 15 is a printed board that can be attached to and detached from the housing 5, and has an external terminal 16 for performing signal input / output with the tester device. The peripheral portion of the main substrate 15 is held by the housing 5 of the probe device 1 and supported so as to be horizontal in the housing 5. For example, a multilayer printed circuit board mainly composed of glass epoxy is used as the main board 15.

プローブ基板11は、連結部材13を介して、メイン基板15から吊り下げられる基板であり、メイン基板15に対して略平行となるように上下動自在に支持されている。このプローブ基板11は、メイン基板15よりも小さくて軽い基板上に配線パターンが形成されている。検査対象物2がシリコンウエハからなる場合、単結晶シリコンを平板状に加工したシリコン基板をプローブ基板11として用いれば、プローブ基板11及び検査対象物2の熱膨張率を一致させることができるので望ましい。   The probe board 11 is a board that is suspended from the main board 15 via the connecting member 13, and is supported so as to be vertically movable so as to be substantially parallel to the main board 15. The probe substrate 11 has a wiring pattern formed on a substrate that is smaller and lighter than the main substrate 15. When the inspection object 2 is made of a silicon wafer, it is desirable to use a silicon substrate obtained by processing single crystal silicon into a flat plate shape as the probe substrate 11 because the thermal expansion coefficients of the probe substrate 11 and the inspection object 2 can be matched. .

連結部材13は、メイン基板15及びプローブ基板11を連結し、メイン基板15に対するプローブ基板11の可動範囲を制限するとともに、導電線としてメイン基板15及びプローブ基板11を導通させている。ここでは、ポリイミドを主成分とする可撓性を有するフィルム上に配線パターンが印刷されたフレキシブルプリント回路基板(FPC)が連結部材13として用いられている。このフレキシブル基板は、その一端がプローブ基板11の周辺部に固着され、他端は着脱可能なコネクタ14を介してメイン基板15に連結されている。   The connecting member 13 connects the main board 15 and the probe board 11, limits the movable range of the probe board 11 with respect to the main board 15, and conducts the main board 15 and the probe board 11 as conductive lines. Here, a flexible printed circuit board (FPC) in which a wiring pattern is printed on a flexible film containing polyimide as a main component is used as the connecting member 13. One end of the flexible substrate is fixed to the peripheral portion of the probe substrate 11, and the other end is connected to the main substrate 15 via a detachable connector 14.

コンタクトプローブ12は、検査対象物2上に形成された微細な電極パッド21に対し、弾性的に当接させるプローブ(探針)であり、プローブ基板11上には、多数のコンタクトプローブ12が整列配置されている。各コンタクトプローブ12は、プローブ基板11、連結部材13、メイン基板15の各配線を介して外部端子16と導通しており、コンタクトプローブ12を当接させることによって、微小な電極パッド21をテスター装置と導通させることができる。   The contact probe 12 is a probe (probe) that is elastically brought into contact with a fine electrode pad 21 formed on the inspection object 2. A large number of contact probes 12 are aligned on the probe substrate 11. Has been placed. Each contact probe 12 is electrically connected to the external terminal 16 through each wiring of the probe substrate 11, the connecting member 13, and the main substrate 15, and the minute electrode pad 21 is connected to the tester device by contacting the contact probe 12. Can be conducted.

図3は、図2のプローブカード10の構成例を示した平面図であり、コンタクトプローブ12が所定のピッチA1で形成されたプローブ基板11が示されている。このプローブ基板11は、矩形形状からなり、1つの辺に平行な方向を配列方向として、コンタクトプローブ12の列が形成されている。   FIG. 3 is a plan view showing a configuration example of the probe card 10 of FIG. 2, and shows a probe substrate 11 on which contact probes 12 are formed at a predetermined pitch A1. The probe substrate 11 has a rectangular shape, and a row of contact probes 12 is formed with a direction parallel to one side as an arrangement direction.

一方の列に属するコンタクトプローブ12は、他方の列に属するコンタクトプローブ12に対して、ビーム先端を互いに対向させて配置されている。各コンタクトプローブ12は、互いに接することなく、一定のピッチA1で形成されている。このピッチA1、すなわち、繰り返し間隔は、例えば、検査対象物2上に形成されている電極パッド21間のピッチに応じて定められる。具体的には、ピッチA1=40μm(マイクロメートル)程度となっている。   The contact probes 12 belonging to one row are arranged with the beam tips facing each other with respect to the contact probes 12 belonging to the other row. The contact probes 12 are formed at a constant pitch A1 without contacting each other. The pitch A1, that is, the repetition interval is determined according to the pitch between the electrode pads 21 formed on the inspection object 2, for example. Specifically, the pitch A1 is about 40 μm (micrometer).

<コンタクトプローブ>
図4は、図2のプローブカード10の要部における構成例を示した側面図であり、プローブ基板11上のコンタクトプローブ12が示されている。コンタクトプローブ12は、検査対象物2上の電極パッド21に当接させるコンタクト12bと、コンタクト12bを弾性的に支持するビーム12aにより構成される。
<Contact probe>
FIG. 4 is a side view showing a configuration example of a main part of the probe card 10 of FIG. 2, in which the contact probe 12 on the probe substrate 11 is shown. The contact probe 12 includes a contact 12b that is brought into contact with the electrode pad 21 on the inspection object 2, and a beam 12a that elastically supports the contact 12b.

ビーム12aは、一端部においてプローブ基板11に保持され、プローブ基板11に沿って延伸させた形状からなる。ここでは、ビーム12aが、延伸方向を長手方向とする平板形状の片持ち梁(カンチレバー)からなり、上記一端部においてプローブ基板11に固着されているものとする。また、ビーム12aの上記延伸方向は、プローブ基板11上におけるコンタクトプローブ12の配列方向に交差する方向、具体的には、配列方向に垂直な方向となっているものとする。   The beam 12 a has a shape that is held by the probe substrate 11 at one end and is extended along the probe substrate 11. Here, it is assumed that the beam 12a is composed of a flat plate cantilever (cantilever) whose longitudinal direction is the extending direction, and is fixed to the probe substrate 11 at the one end. Further, it is assumed that the extending direction of the beam 12a is a direction intersecting the arrangement direction of the contact probes 12 on the probe substrate 11, specifically, a direction perpendicular to the arrangement direction.

このビーム12aは、上記一端部を固定端とし、他端部を自由端として、電極パッド21からの反力によって弾性変形することにより、プローブ基板11に対して近づく方向又は遠ざかる方向に撓ませることができる。   The beam 12a is bent in a direction toward or away from the probe substrate 11 by elastically deforming by the reaction force from the electrode pad 21 with the one end portion as a fixed end and the other end portion as a free end. Can do.

コンタクト12bは、ビーム12aの他端部から電極パッド21に向けて延伸させた柱状体からなる。つまり、コンタクト12bは、ビーム12aにおける他端部、すなわち、梁先端部に配置され、ビーム12aによって弾性的に支持されている。   The contact 12b is a columnar body that extends from the other end of the beam 12a toward the electrode pad 21. That is, the contact 12b is disposed at the other end of the beam 12a, that is, at the beam tip, and is elastically supported by the beam 12a.

コンタクト12bを構成する柱状体は、ビーム12aの上記一端部側、すなわち、ビーム12aの固定端側の側面に稜線A3を有し、検査対象物2及びプローブ基板11を相対的に近づけた場合に、電極パッド21に面接触する端面を有する形状からなる。一方、ビーム12aは、検査対象物2及びプローブ基板11を面接触状態からさらに近づけた場合に、コンタクト12bが稜線A3の端部で電極パッド21に点接触するように弾性変形することとなる。   The columnar body constituting the contact 12b has a ridge line A3 on the side of the one end of the beam 12a, that is, the side of the fixed end of the beam 12a, and the inspection object 2 and the probe substrate 11 are relatively close to each other. The electrode pad 21 has a shape having an end surface in surface contact. On the other hand, when the inspection object 2 and the probe substrate 11 are brought closer to the surface contact state, the beam 12a is elastically deformed so that the contact 12b makes point contact with the electrode pad 21 at the end of the ridge line A3.

ここでは、ビーム12aの延伸方向が、コンタクト12bと電極パッド21とが接触した状態で検査対象物2及びプローブ基板11をさらに近づける際の電極パッド21に対するコンタクト12bのスクラブ方向となっているものとする。   Here, the extending direction of the beam 12a is the scrub direction of the contact 12b with respect to the electrode pad 21 when the inspection object 2 and the probe substrate 11 are brought closer to each other with the contact 12b and the electrode pad 21 in contact with each other. To do.

ここで、スクラブとは、コンタクト12bと電極パッド21とが接触した状態で検査対象物2及びプローブ基板11をさらに近づけた際に、コンタクト12b上の接触部分が電極パッド21表面を引っ掻くことである。また、ここでは、ビーム12aの固定端側から見てコンタクト12bへ向かう向きをビーム12aの延伸方向、すなわち、スクラブ方向と呼ぶことにする。   Here, scrubbing means that the contact portion on the contact 12b scratches the surface of the electrode pad 21 when the inspection object 2 and the probe substrate 11 are brought closer together while the contact 12b and the electrode pad 21 are in contact with each other. . Here, the direction from the fixed end side of the beam 12a toward the contact 12b is referred to as the extending direction of the beam 12a, that is, the scrub direction.

コンタクト12bと電極パッド21とが当接し始めた時の状態では、コンタクト12bの高さ方向と電極パッド21表面とが概ね垂直となることから、コンタクト12bは、その端面全体で電極パッド21表面と接触することとなる。その際、コンタクト12bは、ビーム12aと検査対象物2との間にゴミなどの異物が挟まった場合であっても、当接可能にするという観点から、プローブ基板11に垂直な方向の高さA2が断面サイズに比べて大きな構造体として形成されている。つまり、検査対象物2とビーム12aとの間に異物が挟まった状態であっても、異物のサイズが、コンタクト12bの高さA2以下であれば、コンタクト12bを電極パッド21に当接させることが可能となる。   When the contact 12b and the electrode pad 21 begin to contact each other, the height direction of the contact 12b and the surface of the electrode pad 21 are almost perpendicular to each other. It will come into contact. At this time, the contact 12b has a height in a direction perpendicular to the probe substrate 11 from the viewpoint of enabling contact even when foreign matter such as dust is sandwiched between the beam 12a and the inspection object 2. A2 is formed as a structure larger than the cross-sectional size. That is, even when a foreign object is sandwiched between the inspection object 2 and the beam 12a, the contact 12b is brought into contact with the electrode pad 21 if the size of the foreign object is equal to or less than the height A2 of the contact 12b. Is possible.

例えば、コンタクト12bは、高さA2が40μm(マイクロメートル)以上の細長い柱状体として形成される。   For example, the contact 12b is formed as an elongated columnar body having a height A2 of 40 μm (micrometers) or more.

コンタクト12bと検査対象物2上の電極パッド21とが接触した状態で検査対象物2及びプローブ基板11をさらに近づけた時の状態では、コンタクト12bを介してビーム12aの先端部に加わる応力によりビーム12aが弾性変形し、ビーム12aが固定端を支点としてプローブ基板11側に撓むこととなる。その際、ビーム12a先端部のプローブ基板11側への移動によりコンタクト12bが傾斜することから、コンタクト12bは、その端面における稜線A3端部で電極パッド21と接触することとなる。   In a state where the inspection object 2 and the probe substrate 11 are brought closer to each other while the contact 12b and the electrode pad 21 on the inspection object 2 are in contact, the beam is applied by the stress applied to the tip of the beam 12a via the contact 12b. 12a is elastically deformed, and the beam 12a is bent toward the probe substrate 11 with the fixed end as a fulcrum. At this time, since the contact 12b is inclined by the movement of the tip of the beam 12a toward the probe substrate 11, the contact 12b comes into contact with the electrode pad 21 at the end of the ridge line A3 on the end face.

図5は、図4のコンタクトプローブ12の要部における構成例を示した斜視図であり、ビーム12aの先端部に配置されたコンタクト12bが示されている。このコンタクト12bは、検査対象物2に対向するビーム12aの面上に形成された柱状体からなり、検査対象物2側に平面からなる端面12cを有している。   FIG. 5 is a perspective view showing a configuration example of a main part of the contact probe 12 of FIG. 4, and shows a contact 12b arranged at the tip of the beam 12a. The contact 12b is made of a columnar body formed on the surface of the beam 12a facing the inspection object 2, and has a flat end surface 12c on the inspection object 2 side.

コンタクト12bを構成する柱状体は、ビーム12aの固定端とは反対側に形成された等幅領域と、上記固定端側に稜線A3を有するテーパー領域とからなる。この等幅領域は、ビーム12aの延伸方向へ等幅で延びている領域であり、ここでは、四角柱形状の領域からなる。上記テーパー領域は、稜線A3から等幅領域に向かってその幅が広がっている領域であり、ここでは、1つの三角柱形状の領域からなる。   The columnar body constituting the contact 12b is composed of a uniform width region formed on the side opposite to the fixed end of the beam 12a and a tapered region having a ridge line A3 on the fixed end side. This equal width region is a region extending at a uniform width in the extending direction of the beam 12a, and here is a quadrangular prism-shaped region. The tapered region is a region whose width increases from the ridge line A3 toward the equal width region, and here, the tapered region is formed of a single triangular prism shaped region.

ここでいう幅は、ビーム12aの延伸方向に交差する方向、具体的には、延伸方向に垂直な方向の長さのことである。この例では、ビーム12aから延伸させて形成された柱状体からなるコンタクト12bが隣接配置されたコンタクトプローブと接触するのを防止するという観点から、等幅領域の上記幅がビーム12aの幅よりも小さくなっている。   The width here is the length in the direction intersecting the extending direction of the beam 12a, specifically, the direction perpendicular to the extending direction. In this example, from the viewpoint of preventing the contact 12b made of a columnar body formed by extending from the beam 12a from coming into contact with the adjacent contact probe, the width of the equal width region is larger than the width of the beam 12a. It is getting smaller.

テーパー領域は、その一側面で等幅領域の側面と接しており、他の2つの側面の交線が稜線A3となっている。つまり、コンタクトは、ビーム12aにおける固定端側から見ると尾根状となっている。稜線A3は、ビーム12aにおいて検査対象物2に対向する面に対して、略垂直となっている。   One side surface of the tapered region is in contact with the side surface of the equal width region, and the intersection line between the other two side surfaces is the ridge line A3. That is, the contact has a ridge shape when viewed from the fixed end side of the beam 12a. The ridge line A3 is substantially perpendicular to the surface of the beam 12a that faces the inspection object 2.

ここでは、この様なコンタクト12bが、ビーム12aの梁先端部における中央に配置されているものとする。なお、コンタクト12bの幅は、ビーム12aの幅と同じであっても良い。   Here, it is assumed that such a contact 12b is arranged at the center of the beam tip of the beam 12a. The contact 12b may have the same width as the beam 12a.

<コンタクトの端面形状>
図6は、図4のコンタクトプローブ12の要部における構成例を示した平面図であり、ビーム12aの先端部に配置されたコンタクト12bが示されている。コンタクト12bは、ビーム12aの中央、すわわち、ビーム12aの延伸方向に垂直な方向の中央に配置され、ビーム12aの固定端とは反対側に等幅領域B1が形成され、上記固定端側にテーパー領域B2が形成されている。
<Contact end face shape>
FIG. 6 is a plan view showing a configuration example of the main part of the contact probe 12 of FIG. 4, and shows a contact 12b arranged at the tip of the beam 12a. The contact 12b is arranged at the center of the beam 12a, that is, at the center in the direction perpendicular to the extending direction of the beam 12a, and a constant width region B1 is formed on the side opposite to the fixed end of the beam 12a. A tapered region B2 is formed.

等幅領域B1の端面は、矩形形状となっており、ビーム12aの延伸方向に平行な2つの辺と、延伸方向の前後にそれぞれ配置される2つの辺を有している。等幅領域B1の幅A4は、ビーム12aの延伸方向に平行な2つの辺間の距離であり、ビーム12aの幅A5に比べて小さくなっている。   The end face of the equal width region B1 has a rectangular shape, and has two sides parallel to the extending direction of the beam 12a and two sides respectively disposed before and after the extending direction. The width A4 of the equal width region B1 is a distance between two sides parallel to the extending direction of the beam 12a, and is smaller than the width A5 of the beam 12a.

テーパー領域B2の端面は、三角形形状となっており、底辺を等幅領域B1端面の一辺に隣接させて配置されている。さらに、テーパー領域B2の端面は、その底辺の長さが上記等幅領域B1端面の一辺と一致しており、また、その頂点が稜線端部C1となっている。つまり、このコンタクト12bは、その端面形状が野球のホームプレートと同様の5角形形状となっている。   The end surface of the tapered region B2 has a triangular shape, and is arranged with the bottom side adjacent to one side of the end surface of the equal width region B1. Further, the end surface of the tapered region B2 has a base length that coincides with one side of the end surface of the equal width region B1, and the apex thereof is the ridge line end portion C1. That is, the contact 12b has a pentagonal shape similar to that of a baseball home plate.

ここでは、コンタクト12bを構成する柱状体が、稜線A3を含んでビーム12aの延伸方向に平行な平面B3に関して、対称な形状からなるものとする。   Here, it is assumed that the columnar body constituting the contact 12b has a symmetrical shape with respect to the plane B3 including the ridge line A3 and parallel to the extending direction of the beam 12a.

この様にコンタクト12bを構成することにより、スクラブ時における接触部分の面積が小さくなり、点接触となるので、スクラブ時における接触部分の面圧を増加させることができる。特に、スクラブ方向の強度を低下させることなく、検査対象物2上の電極パッドに対するコンタクト12bの擦り付け効果を増大させることができる。また、コンタクト12bを構成する柱状体が、平面B3に関して対称な形状からなることから、スクラブ時にビーム12aがねじれるのを防止することができる。   By configuring the contact 12b in this manner, the area of the contact portion during scrubbing is reduced and point contact is achieved, so that the surface pressure of the contact portion during scrubbing can be increased. In particular, the effect of rubbing the contact 12b against the electrode pad on the inspection object 2 can be increased without reducing the strength in the scrub direction. Further, since the columnar body constituting the contact 12b has a symmetrical shape with respect to the plane B3, the beam 12a can be prevented from being twisted during scrubbing.

<コンタクトプローブ形成過程>
図7(a)〜(h)は、図2のプローブカード10におけるコンタクトプローブ12の形成過程を模式的に示した断面図である。図7(a)には、コンタクトプローブ12形成前のプローブ基板11が示されている。このプローブ基板11は、例えば、シリコン基板からなり、この基板面に平行な層を積層する積層処理によりコンタクトプローブ12が形成される。ここでは、テスターなどの試験装置と接続するために必要な配線パターンはプローブ基板11上に予め形成されているものとする。
<Contact probe formation process>
7A to 7H are cross-sectional views schematically showing the process of forming the contact probe 12 in the probe card 10 of FIG. FIG. 7A shows the probe substrate 11 before the contact probe 12 is formed. The probe substrate 11 is made of, for example, a silicon substrate, and the contact probe 12 is formed by a lamination process in which layers parallel to the substrate surface are laminated. Here, it is assumed that a wiring pattern necessary for connection to a test apparatus such as a tester is formed on the probe substrate 11 in advance.

図7(b)には、図7(a)のプローブ基板11に対し、犠牲層41が形成され、その後犠牲層41の一部が除去された様子が示されている。プローブ基板11上に積層される犠牲層41としては、例えば、銅などの導電性金属からなる層がメッキ処理(電気メッキ)により、形成される。プローブ基板11上に犠牲層41を形成した後、フォトリソグラフィー(写真製版)などによるマスキング工程を経て、エッチングなどにより犠牲層41の一部が除去される。   FIG. 7B shows a state in which a sacrificial layer 41 is formed on the probe substrate 11 in FIG. 7A and a part of the sacrificial layer 41 is removed thereafter. As the sacrificial layer 41 laminated on the probe substrate 11, for example, a layer made of a conductive metal such as copper is formed by plating (electroplating). After the sacrificial layer 41 is formed on the probe substrate 11, a part of the sacrificial layer 41 is removed by etching or the like through a masking process such as photolithography (photoengraving).

図7(c)には、図7(b)のプローブ基板11に対し、導体層42が形成され、その後導体層42及び犠牲層41の表面が研磨された様子が示されている。犠牲層41の一部を除去した後のプローブ基板11上に積層される導体層42としては、例えば、ニッケル合金からなる層がメッキ処理により形成される。余分に形成された導体層42は、表面を研磨することによって除去され、コンタクトプローブ12におけるビーム12aの固定端となる部分が形成される。   FIG. 7C shows a state in which the conductor layer 42 is formed on the probe substrate 11 of FIG. 7B, and then the surfaces of the conductor layer 42 and the sacrificial layer 41 are polished. As the conductor layer 42 laminated on the probe substrate 11 after removing a part of the sacrificial layer 41, for example, a layer made of a nickel alloy is formed by plating. The excessively formed conductor layer 42 is removed by polishing the surface, so that a portion to be a fixed end of the beam 12a in the contact probe 12 is formed.

図7(d)には、図7(c)のプローブ基板11に対し、犠牲層43が形成され、その後犠牲層43の一部が除去された様子が示されている。犠牲層41及び導体層42からなる層上に積層される犠牲層43として、犠牲層41と同一の導電性金属からなる層がメッキ処理により形成される。犠牲層43を形成した後、マスキング工程を経て犠牲層43の一部が除去される。   FIG. 7D shows a state in which the sacrificial layer 43 is formed on the probe substrate 11 in FIG. 7C, and then a part of the sacrificial layer 43 is removed. As the sacrificial layer 43 laminated on the layer composed of the sacrificial layer 41 and the conductor layer 42, a layer made of the same conductive metal as the sacrificial layer 41 is formed by plating. After forming the sacrificial layer 43, a part of the sacrificial layer 43 is removed through a masking process.

図7(e)には、図7(d)のプローブ基板11に対し、導体層44が形成され、その後導体層44及び犠牲層43の表面が研磨された様子が示されている。犠牲層43の一部を除去した後に積層される導体層44として、導体層42と同一の金属からなる層がメッキ処理により形成される。余分に形成された導体層44は、表面を研磨することによって除去され、固定端に接合されたビーム12aの梁部分が形成される。   FIG. 7E shows a state in which the conductor layer 44 is formed on the probe substrate 11 in FIG. 7D, and then the surfaces of the conductor layer 44 and the sacrificial layer 43 are polished. A layer made of the same metal as the conductor layer 42 is formed by plating as the conductor layer 44 that is laminated after removing a part of the sacrificial layer 43. The excessively formed conductor layer 44 is removed by polishing the surface, and a beam portion of the beam 12a joined to the fixed end is formed.

図7(f)には、図7(e)のプローブ基板11に対し、犠牲層45が形成され、その後犠牲層45の一部が除去された様子が示されている。犠牲層43及び導体層44からなる層上に積層される犠牲層45として、犠牲層43と同一の導電性金属からなる層がメッキ処理により形成される。犠牲層45を形成した後、マスキング工程を経て犠牲層45の一部が除去される。   FIG. 7F shows a state in which a sacrificial layer 45 is formed on the probe substrate 11 in FIG. 7E and a part of the sacrificial layer 45 is removed thereafter. As the sacrificial layer 45 laminated on the layer composed of the sacrificial layer 43 and the conductor layer 44, a layer made of the same conductive metal as the sacrificial layer 43 is formed by plating. After forming the sacrificial layer 45, a part of the sacrificial layer 45 is removed through a masking process.

図7(g)には、図7(f)のプローブ基板11に対し、導体層46が形成され、その後導体層46及び犠牲層45の表面が研磨された様子が示されている。犠牲層45の一部を除去した後に積層される導体層46として、導体層44と同一の金属からなる層がメッキ処理により形成される。余分に形成された導体層46は、表面を研磨することによって除去され、ビーム12aにおける梁部分の先端部に端面が接合されたコンタクト12bが形成される。   FIG. 7G shows a state in which the conductor layer 46 is formed on the probe substrate 11 of FIG. 7F, and then the surfaces of the conductor layer 46 and the sacrificial layer 45 are polished. A layer made of the same metal as the conductor layer 44 is formed by plating as the conductor layer 46 to be laminated after removing a part of the sacrificial layer 45. The excessively formed conductor layer 46 is removed by polishing the surface to form a contact 12b whose end face is joined to the tip of the beam portion of the beam 12a.

図7(h)には、図7(g)のプローブ基板11に対し、全ての犠牲層41,43及び45が除去された様子が示されている。余分に形成された導体層46の表面を研磨した後、全ての犠牲層41,43及び45を除去すると、コンタクトプローブ12が完成する。   FIG. 7H shows a state where all the sacrificial layers 41, 43 and 45 are removed from the probe substrate 11 of FIG. 7G. After polishing the surface of the excessively formed conductor layer 46, all the sacrificial layers 41, 43 and 45 are removed, and the contact probe 12 is completed.

この例では、ビーム12a及びコンタクト12bが同一種類の金属として形成される場合について説明したが、互いに異なる種類の金属で形成しても良い。ビーム12a及びコンタクト12bをそれぞれプローブ基板11に平行な層として積層処理によって形成するのであれば、層ごとに金属の種類を異ならせることは容易であるので、必要な強度などに応じた適切な種類の金属でビーム12a及びコンタクト12bを構成することができる。   In this example, the case where the beam 12a and the contact 12b are formed of the same type of metal has been described. However, the beam 12a and the contact 12b may be formed of different types of metals. If the beam 12a and the contact 12b are each formed as a layer parallel to the probe substrate 11 by a lamination process, it is easy to change the metal type for each layer, so that the appropriate type according to the required strength and the like The beam 12a and the contact 12b can be formed of the above metal.

従来のコンタクトプローブでは、接触部分の面積を小さくするために、コンタクトを細くすると、コンタクトとビームとの接合面の面積が小さくなるので、コンタクトがビームとの接合面で剥がれ易くなるという問題があった。これに対し、本実施の形態によるコンタクトプローブ12では、コンタクト12bが、ビーム12aの固定端側に稜線A3を有するテーパー領域B2と、ビーム12aの延伸方向へ等幅の等幅領域B1からなるので、接触部分の面積を小さくするとともに、スクラブ時にコンタクト12bがビーム12aとの接合面で剥がれるのを抑制させることができる。   In the conventional contact probe, when the contact is made thin in order to reduce the area of the contact portion, the area of the contact surface between the contact and the beam is reduced, so that the contact is easily peeled off at the contact surface with the beam. It was. On the other hand, in the contact probe 12 according to the present embodiment, the contact 12b includes a tapered region B2 having a ridge line A3 on the fixed end side of the beam 12a and a constant width region B1 having a uniform width in the extending direction of the beam 12a. In addition to reducing the area of the contact portion, it is possible to suppress the contact 12b from peeling off at the joint surface with the beam 12a during scrubbing.

本実施の形態によれば、コンタクト12bがビーム12aの固定端側に稜線A3を有するテーパー領域B2からなるので、コンタクト12bが電極パッド21と接触した状態で検査対象物2及びプローブ基板11を相対的に近づけた際のスクラブ時における接触部分の面圧を増加させることができる。また、コンタクト12bがビーム12aの固定端とは反対側に形成される等幅領域B1からなるので、スクラブ方向の強度低下を抑制することができる。従って、コンタクト12bを検査対象物2上の電極パッド21に接触させた際の接触部分の面圧を増加させ、コンタクトプローブ12の導通性を向上させることができる。   According to the present embodiment, the contact 12b is formed of the tapered region B2 having the ridge line A3 on the fixed end side of the beam 12a. Therefore, the inspection object 2 and the probe substrate 11 are relatively moved with the contact 12b in contact with the electrode pad 21. It is possible to increase the surface pressure of the contact portion during scrubbing when close to each other. Further, since the contact 12b is composed of the equal width region B1 formed on the side opposite to the fixed end of the beam 12a, it is possible to suppress a decrease in strength in the scrub direction. Therefore, the surface pressure of the contact portion when the contact 12b is brought into contact with the electrode pad 21 on the inspection object 2 can be increased, and the conductivity of the contact probe 12 can be improved.

なお、本実施の形態では、コンタクト12bの端面が野球のホームプレートと同様の5角形形状からなる場合の例について説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、コンタクト12bを構成する柱状体が、ビーム12aの固定端側に稜線を有するテーパー領域と、ビーム12aの延伸方向へ等幅で延びている等幅領域からなるものであれば、他の形状であっても良い。   In the present embodiment, an example in which the end surface of the contact 12b has a pentagonal shape similar to that of a baseball home plate has been described. However, the present invention is not limited to this, and the columnar shape that constitutes the contact 12b. Other shapes may be used as long as the body is composed of a tapered region having a ridge line on the fixed end side of the beam 12a and a uniform width region extending with a uniform width in the extending direction of the beam 12a.

図8(a)及び(b)は、本発明の実施の形態によるコンタクトプローブの他の構成例を示した平面図であり、コンタクト12bの端面形状が示されている。図8(a)には、底辺の長さが等幅領域B1の一辺に比べて短いテーパー領域B2を備えたコンタクトプローブ51が示されている。この例では、テーパー領域B2の底辺の長さが等幅領域B1の一辺よりも短くなっており、テーパー領域B2が等幅領域B1側面の一部分に隣接させて形成されている。   FIGS. 8A and 8B are plan views showing another configuration example of the contact probe according to the embodiment of the present invention, in which the end face shape of the contact 12b is shown. FIG. 8 (a) shows a contact probe 51 having a tapered region B2 whose base is shorter than one side of the equal width region B1. In this example, the length of the bottom side of the tapered region B2 is shorter than one side of the uniform width region B1, and the tapered region B2 is formed adjacent to a part of the side surface of the uniform width region B1.

テーパー領域B2の頂点、すなわち、稜線端部C2は、ビーム12aの延伸方向に垂直な方向の中央に配置されている。   The apex of the tapered region B2, that is, the ridge line end portion C2, is arranged at the center in the direction perpendicular to the extending direction of the beam 12a.

この例の様に、テーパー領域B2が、ビーム12aの固定端側に稜線を有する1つの三角柱形状の領域からなるもの以外に、テーパー領域B2が複数の三角柱形状の領域からなるものであっても良い。   As in this example, the tapered region B2 may be composed of a plurality of triangular prism-shaped regions in addition to the triangular region having a ridge line on the fixed end side of the beam 12a. good.

図8(b)には、等幅領域B1の一辺に隣接する3つの三角柱形状の領域からなるテーパー領域B2を備えたコンタクトプローブ52が示されている。テーパー領域B2を構成する各三角柱形状の領域は、いずれも底辺を等幅領域B1の一辺に隣接させて配置され、それぞれビーム12aの固定端側に稜線(稜線端部C3〜C5)を有している。   FIG. 8B shows a contact probe 52 having a tapered region B2 composed of three triangular prism-shaped regions adjacent to one side of the equal width region B1. Each triangular prism-shaped region constituting the tapered region B2 is arranged with its base adjacent to one side of the equal-width region B1, and has a ridge line (ridge line end portions C3 to C5) on the fixed end side of the beam 12a. ing.

この例では、テーパー領域B2が、同一形状かつ同一サイズの3つの三角柱形状の領域からなり、互いに隣接して配置されている。このテーパー領域B2では、中央の三角柱形状の領域の頂点(稜線端部C4)を含んで、ビーム12aの延伸方向に平行な平面B3に関して対称な形状となっている。   In this example, the tapered region B2 is composed of three triangular prism-shaped regions having the same shape and the same size, and are arranged adjacent to each other. The tapered region B2 has a symmetrical shape with respect to the plane B3 parallel to the extending direction of the beam 12a, including the apex (ridge line end C4) of the central triangular prism shaped region.

また、本実施の形態では、コンタクトプローブ12のビーム12a及びコンタクト12bが積層処理により形成される場合の例について説明したが、本発明はこれに限られるものではない。ビーム12a及びコンタクト12bが積層処理以外の方法、例えば、曲げ加工により形成されるようなものにも、本発明は適用することができる。   In the present embodiment, an example in which the beam 12a and the contact 12b of the contact probe 12 are formed by a lamination process has been described, but the present invention is not limited to this. The present invention can also be applied to a method in which the beam 12a and the contact 12b are formed by a method other than the lamination process, for example, a bending process.

また、本実施の形態では、プローブ基板11がメイン基板15によって上下動自在に保持される場合の例について説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、プローブ基板11がプローブ装置1の筐体5などに固定されていても良い。   Further, in the present embodiment, an example in which the probe substrate 11 is held by the main substrate 15 so as to be movable up and down has been described. However, the present invention is not limited to this, and the probe substrate 11 is the probe device 1. It may be fixed to the housing 5 or the like.

本発明の実施の形態によるプローブカード10を含むプローブ装置1の概略構成の一例を示した図であり、プローブ装置1内部の様子が示されている。It is the figure which showed an example of schematic structure of the probe apparatus 1 containing the probe card 10 by embodiment of this invention, and the mode inside the probe apparatus 1 is shown. 図1のプローブ装置1におけるプローブカード10の構成例を示した図である。It is the figure which showed the structural example of the probe card 10 in the probe apparatus 1 of FIG. 図2のプローブカード10の構成例を示した平面図であり、コンタクトプローブ12が所定のピッチA1で形成されたプローブ基板11が示されている。FIG. 3 is a plan view showing a configuration example of the probe card 10 of FIG. 2, and shows a probe substrate 11 on which contact probes 12 are formed at a predetermined pitch A1. 図2のプローブカード10の要部における構成例を示した側面図であり、プローブ基板11上のコンタクトプローブ12が示されている。FIG. 3 is a side view illustrating a configuration example of a main part of the probe card 10 of FIG. 2, in which a contact probe 12 on a probe substrate 11 is illustrated. 図4のコンタクトプローブ12の要部における構成例を示した斜視図であり、ビーム12aの先端部に配置されたコンタクト12bが示されている。FIG. 5 is a perspective view illustrating a configuration example of a main part of the contact probe 12 in FIG. 4, in which a contact 12 b disposed at a distal end portion of a beam 12 a is illustrated. 図4のコンタクトプローブ12の要部における構成例を示した平面図であり、ビーム12aの先端部に配置されたコンタクト12bが示されている。FIG. 5 is a plan view illustrating a configuration example of a main part of the contact probe 12 of FIG. 4, in which a contact 12 b disposed at a distal end portion of a beam 12 a is illustrated. 図2のプローブカード10におけるコンタクトプローブ12の形成過程を模式的に示した断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a process of forming a contact probe 12 in the probe card 10 of FIG. 本発明の実施の形態によるコンタクトプローブの他の構成例を示した平面図であり、コンタクト12bの端面形状が示されている。It is the top view which showed the other structural example of the contact probe by embodiment of this invention, and the end surface shape of the contact 12b is shown. 従来のプローブカードを示した側面図であり、プローブカード100をビーム先端側から見た様子が示されている。It is the side view which showed the conventional probe card, and the mode that the probe card 100 was seen from the beam front end side is shown. 図8のプローブカード100におけるコンタクトプローブ111を示した側面図である。It is the side view which showed the contact probe 111 in the probe card 100 of FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1 プローブ装置
2 検査対象物
3 可動ステージ
4 駆動装置
5 筐体
10 プローブカード
11 プローブ基板
12 コンタクトプローブ
12a ビーム
12b コンタクト
12c 端面
13 連結部材
14 コネクタ
15 メイン基板
16 外部端子
21 電極パッド
41,43,45 犠牲層
42,44,46 導体層
51,52 コンタクトプローブ
A3 稜線
B1 等幅領域
B2 テーパー領域
C1〜C5 稜線端部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Probe apparatus 2 Inspection object 3 Movable stage 4 Drive apparatus 5 Case 10 Probe card 11 Probe board 12 Contact probe 12a Beam 12b Contact 12c End surface 13 Connection member 14 Connector 15 Main board 16 External terminal 21 Electrode pads 41, 43, 45 Sacrificial layers 42, 44, 46 Conductor layers 51, 52 Contact probe A 3 Edge line B 1 Equal width area B 2 Taper area C 1 to C 5 Edge part of edge line

Claims (3)

片持ち梁形状のコンタクトプローブであって、一端側が固定されるビームと、このビームの他端側に設けられたコンタクトとを有し、上記コンタクトの検査対象物への接触面が、上記ビームの延伸方向へ等幅で延びている矩形領域と、この矩形領域に向かって幅が広がっている三角形領域とを組み合わせた形状であって、上記矩形領域が上記ビームの他端側に配置され、上記三角形領域が上記ビームの一端側に配置されていることを特徴とするコンタクトプローブ。   A contact probe having a cantilever shape having a beam fixed at one end and a contact provided at the other end of the beam. It is a shape that combines a rectangular region that extends in the extending direction with a uniform width and a triangular region that widens toward the rectangular region, and the rectangular region is disposed on the other end side of the beam, A contact probe characterized in that a triangular region is arranged on one end side of the beam. 上記三角形領域が、複数の三角形であって、各三角形の辺が上記矩形領域に接している形状であることを特徴とする請求項1に記載のコンタクトプローブ。   The contact probe according to claim 1, wherein the triangular region is a plurality of triangles, and a side of each triangle is in contact with the rectangular region. 上記三角形領域が一つの三角形であって、上記矩形領域に接する辺が上記矩形領域の辺の長さよりも短いことを特徴とする請求項1に記載のコンタクトプローブ。   The contact probe according to claim 1, wherein the triangular region is a single triangle, and a side in contact with the rectangular region is shorter than a side length of the rectangular region.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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