JP2008232722A - Contactor mounting method and contactor mounting apparatus - Google Patents

Contactor mounting method and contactor mounting apparatus Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a contactor mounting method for sufficiently curing an adhesive in a short time when a contactor is fixed to a substrate. <P>SOLUTION: The contactor mounting method for mounting the silicon finger contactor 50 to the probe substrate 41 includes: an applying step for applying the adhesive to the substrate 41; a positioning step for positioning the silicon finger contactor 50 in a position 43 in which the adhesive is applied on the substrate 41; and an irradiating step for irradiating the adhesive 43 applied on the substrate 41 with a laser light having a wavelength of 1,200 nm or more through a base 51 and a beam 53 in the silicon finger contactor 50 comprising a silicon. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体集積回路等の電気部品(以下、代表的にICデバイスとも称する。)のテストに際して、ICデバイスとの電気的な接続を確立するプローブカードにおいて、ICデバイスの入出力端子と電気的に接触するためのコンタクタをプローブ基板に実装するためのコンタクタの実装方法及びコンタクタ実装装置に関する。   The present invention relates to a probe card that establishes an electrical connection with an IC device when testing an electrical component such as a semiconductor integrated circuit (hereinafter also referred to as an IC device), and an input / output terminal of the IC device and an electrical TECHNICAL FIELD The present invention relates to a contactor mounting method and a contactor mounting apparatus for mounting a contactor for contact with a probe on a probe board.

半導体集積回路素子は、シリコンウェハ等に多数造り込まれた後、ダイシング、ボンディング及びパッケージング等の諸工程を経て電子部品として完成する。こうしたICデバイスにあっては、出荷前に動作テストが行われるが、このICテストは完成品の状態でもウェハ状態でも実施される。   Many semiconductor integrated circuit elements are fabricated on a silicon wafer or the like, and then completed as electronic components through various processes such as dicing, bonding, and packaging. In such an IC device, an operation test is performed before shipment. This IC test is performed in a finished product state or a wafer state.

ウェハ状態のICデバイスのテストに際して、当該ICデバイスとの電気的な接続を確立するためのプローブ針として、プローブ基板に取り付けられるベース部と、後端側がベース部に設けられ、先端側がベース部から突出している梁部と、梁部の表面に形成され、ICデバイスの入出力端子と電気的に接触する導電部と、を有するもの(以下単に、「シリコンフィンガコンタクタ」とも称する。)が従来から知られている(例えば、特許文献1乃至3参照)。   When testing an IC device in a wafer state, as a probe needle for establishing an electrical connection with the IC device, a base portion attached to the probe substrate and a rear end side are provided on the base portion, and a front end side is provided from the base portion. 2. Description of the Related Art Conventionally, a device having a protruding beam portion and a conductive portion formed on the surface of the beam portion and in electrical contact with an input / output terminal of an IC device (hereinafter also simply referred to as “silicon finger contactor”). Known (for example, see Patent Documents 1 to 3).

こうしたシリコンフィンガコンタクタを用いてプローブカードを製作する場合には、プローブ基板の所定位置に紫外線硬化型接着剤を塗布し、その塗布位置にシリコンフィンガコンタクタのベース部を位置決めし、ベース部を塗布位置に押し付けた状態で当該塗布位置に向かって紫外線を照射することで、シリコンフィンガコンタクタを基板上に固定している。   When manufacturing a probe card using such a silicon finger contactor, an ultraviolet curable adhesive is applied to a predetermined position of the probe substrate, the base part of the silicon finger contactor is positioned at the application position, and the base part is applied to the application position. In this state, the silicon finger contactor is fixed on the substrate by irradiating ultraviolet rays toward the application position.

しかしながら、紫外線はシリコンをほとんど透過することがないので、上記の紫外線照射の際、基板に塗布された接着剤においてシリコンフィンガコンタクタの影となる部分には紫外線が届かないために十分に硬化せず、シリコンフィンガコンタクタの実装位置にズレが生じてしまい、十分な実装精度を確保することができない場合があった。   However, since ultraviolet rays hardly pass through silicon, the ultraviolet rays do not reach the shadowed part of the silicon finger contactor in the adhesive applied to the substrate during the above-mentioned ultraviolet irradiation, so that it does not cure sufficiently. In some cases, the mounting position of the silicon finger contactor is displaced, and sufficient mounting accuracy cannot be ensured.

特に、シリコンフィンガコンタクタとの接触時にICデバイスの入出力端子が損傷するのを防止するために、基板に対してシリコンフィンガコンタクタを出来る限り倒した姿勢で実装した方が好ましいが、基板に対してシリコンフィンガコンタクタを倒すほど、基板に塗布された接着剤がシリコンフィンガコンタクタの影に入ってしまい、上記の傾向がより顕著となる。   In particular, in order to prevent damage to the input / output terminals of the IC device at the time of contact with the silicon finger contactor, it is preferable to mount the silicon finger contactor on the substrate in a tilted position as much as possible. The more the silicon finger contactor is tilted, the more the adhesive applied to the substrate enters the shadow of the silicon finger contactor, and the above tendency becomes more prominent.

このような問題に対して、紫外線硬化によりシリコンフィンガコンタクタを基板上に仮止めした後に、さらにオーブンに投入して接着剤を熱硬化させることで、シリコンフィンガコンタクタを基板上に固定しており、シリコンフィンガコンタクタを基板に実装するのに長時間を費やしている。   For such a problem, after temporarily fixing the silicon finger contactor on the substrate by ultraviolet curing, the silicon finger contactor is fixed on the substrate by putting it in an oven and thermally curing the adhesive, It takes a long time to mount the silicon finger contactor on the substrate.

特開2000−249722号公報JP 2000-249722 A 特開2001−159642号公報JP 2001-159642 A 国際公開第03/071289号パンフレットInternational Publication No. 03/071289 Pamphlet

本発明が解決しようとする課題は、コンタクタを基板に固定する際に、接着剤を短時間でしかも十分に硬化させることが可能なコンタクタの実装方法及びコンタクタの実装装置を提供することである。   The problem to be solved by the present invention is to provide a contactor mounting method and a contactor mounting apparatus capable of sufficiently curing an adhesive in a short time when fixing the contactor to a substrate.

上記目的を達成するために、本発明の第1の観点によれば、被試験電子部品のテストに際して前記被試験電子部品の入出力端子と電気的に接触するコンタクタを、基板に実装するコンタクタの実装方法であって、前記基板に接着剤を塗布する塗布ステップと、前記基板上において前記接着剤が塗布された位置に、前記コンタクタを位置決めする位置決めステップと、前記基板に塗布された前記接着剤に向かって、波長が1200nm以上の光を照射する照射ステップと、を備え、前記コンタクタは、波長が1200nm以上の光を透過する材料から構成される透過部分を有しており、前記照射ステップにおいて、前記透過部分を介して、前記接着剤に向かって波長が1200nm以上の光を照射するコンタクタの実装方法が提供される。   In order to achieve the above object, according to a first aspect of the present invention, a contactor for mounting a contactor in electrical contact with an input / output terminal of the electronic device under test when testing the electronic device under test is mounted on a substrate. A mounting method, an application step of applying an adhesive to the substrate, a positioning step of positioning the contactor at a position where the adhesive is applied on the substrate, and the adhesive applied to the substrate Irradiating light having a wavelength of 1200 nm or more toward the substrate, wherein the contactor has a transmission portion made of a material that transmits light having a wavelength of 1200 nm or more, and in the irradiation step, There is provided a contactor mounting method in which light having a wavelength of 1200 nm or more is irradiated toward the adhesive through the transmissive portion.

上記発明においては特に限定されないが、前記照射ステップにおいて、前記基板に塗布された接着剤に向かって、波長が1200nm以上のレーザ光を照射することが好ましい。   Although not particularly limited in the above invention, in the irradiation step, it is preferable to irradiate a laser beam having a wavelength of 1200 nm or more toward the adhesive applied to the substrate.

上記発明においては特に限定されないが、前記コンタクタが有する前記透過部分は、シリコンから構成されていることが好ましい。   Although it does not specifically limit in the said invention, It is preferable that the said permeation | transmission part which the said contactor has is comprised from the silicon | silicone.

上記発明においては特に限定されないが、前記基板は、波長が1200nm以上の光を透過しない材料から構成されていることが好ましい。具体的には、前記基板は、ガラスエポキシ樹脂材料、ポリイミド樹脂材料又はセラミックスから構成されていることが好ましい。   Although not particularly limited in the above invention, the substrate is preferably made of a material that does not transmit light having a wavelength of 1200 nm or more. Specifically, the substrate is preferably made of a glass epoxy resin material, a polyimide resin material, or ceramics.

上記発明においては特に限定されないが、前記接着剤は、波長が1200nm以上の光を透過しない材料を含有していることが好ましい。   Although it does not specifically limit in the said invention, It is preferable that the said adhesive agent contains the material which does not permeate | transmit light with a wavelength of 1200 nm or more.

上記発明においては特に限定されないが、前記コンタクタは、前記基板に前記接着剤により固定されるベース部と、後端側が前記ベース部に設けられ、先端側が前記ベース部から突出している梁部と、前記梁部の表面に形成され、前記被試験電子部品の入出力端子に電気的に接触する導電部と、を有し、前記ベース部及び前記梁部は、シリコンから構成されていることが好ましい。   Although not particularly limited in the above invention, the contactor includes a base part fixed to the substrate by the adhesive, a beam part having a rear end side provided on the base part, and a front end side protruding from the base part, It is preferable that the base portion and the beam portion are made of silicon. The conductive portion is formed on the surface of the beam portion and electrically contacts the input / output terminal of the electronic device under test. .

(2)上記目的を達成するために、本発明の第2の観点によれば、被試験電子部品のテストに際して前記被試験電子部品の入出力端子と電気的に接触するコンタクタを基板に実装するコンタクタ実装装置であって、前記基板の所定位置に接着剤を塗布する塗布手段と、前記コンタクタを保持する保持手段と、前記コンタクタに対して前記基板を相対移動させて、前記基板上において前記接着剤が塗布された位置に前記コンタクタを位置決めする移動手段と、波長が1200nm以上の光を照射する照射手段と、を備え、前記照射手段は、前記基板上に位置決めされた前記コンタクタにおいて、波長が1200nm以上の光を透過する材料から構成される透過部分を介して、前記接着剤に向かって波長が1200nm以上の光を照射するコンタクタ実装装置が提供される。   (2) In order to achieve the above object, according to the second aspect of the present invention, a contactor that is in electrical contact with the input / output terminals of the electronic device under test is mounted on the substrate when testing the electronic device under test. A contactor mounting apparatus comprising: an applying unit that applies an adhesive to a predetermined position of the substrate; a holding unit that holds the contactor; and the substrate is moved relative to the contactor so that the bonding is performed on the substrate. A moving means for positioning the contactor at a position where an agent is applied, and an irradiating means for irradiating light having a wavelength of 1200 nm or more. The irradiating means has a wavelength in the contactor positioned on the substrate. A contour that irradiates light having a wavelength of 1200 nm or more toward the adhesive through a transmission portion made of a material that transmits light of 1200 nm or more. Data mounting apparatus is provided.

上記発明においては特に限定されないが、前記照射手段は、波長が1200nm以上のレーザ光を照射するレーザ照射手段であることが好ましい。   Although not particularly limited in the above invention, the irradiation unit is preferably a laser irradiation unit that irradiates a laser beam having a wavelength of 1200 nm or more.

上記発明においては特に限定されないが、前記コンタクタが有する前記透過部分は、シリコンから構成されていることが好ましい。   Although it does not specifically limit in the said invention, It is preferable that the said permeation | transmission part which the said contactor has is comprised from the silicon | silicone.

上記発明においては特に限定されないが、前記基板は、波長が1200nm以上の光を透過しない材料から構成されていることが好ましい。具体的には、前記基板は、ガラスエポキシ樹脂材料、ポリイミド樹脂材料又はセラミックスから構成されていることが好ましい。   Although not particularly limited in the above invention, the substrate is preferably made of a material that does not transmit light having a wavelength of 1200 nm or more. Specifically, the substrate is preferably made of a glass epoxy resin material, a polyimide resin material, or ceramics.

上記発明においては特に限定されないが、前記接着剤は、波長が1200nm以上の光を透過しない材料を含有していることが好ましい。   Although it does not specifically limit in the said invention, It is preferable that the said adhesive agent contains the material which does not permeate | transmit light with a wavelength of 1200 nm or more.

上記発明においては特に限定されないが、前記コンタクタは、前記基板に前記接着剤により固定されるベース部と、後端側が前記ベース部に設けられ、先端側が前記ベース部から突出している梁部と、前記梁部の表面に形成され、前記被試験電子部品の入出力端子に電気的に接触する導電部と、を有し、前記ベース部及び前記梁部は、シリコンから構成されていることが好ましい。   Although not particularly limited in the above invention, the contactor includes a base part fixed to the substrate by the adhesive, a beam part having a rear end side provided on the base part, and a front end side protruding from the base part, It is preferable that the base portion and the beam portion are made of silicon. The conductive portion is formed on the surface of the beam portion and electrically contacts the input / output terminal of the electronic device under test. .

本発明では、基板に接着剤を塗布して、当該塗布位置にコンタクタを位置決めした後に、コンタクタの透過部分を介して、塗布位置に、波長が1200nm以上の光を照射する。1200nm以上の波長の光により塗布位置の基板が加熱されて接着剤が硬化され、又は、1200nm以上の波長の光により接着剤自体が硬化する。これにより、接着剤においてコンタクタの影になってしまう部分も十分に硬化させることができる。また、1200nm以上の波長の光を照射した後にオーブンへ投入する工程は不要であるので、コンタクタを基板に短時間で実装することが可能となる。   In this invention, after apply | coating an adhesive agent to a board | substrate and positioning a contactor in the said application | coating position, the wavelength of 1200 nm or more is irradiated to an application | coating position through the transmission part of a contactor. The substrate at the application position is heated by light having a wavelength of 1200 nm or longer to cure the adhesive, or the adhesive itself is cured by light having a wavelength of 1200 nm or longer. Thereby, the part which becomes a shadow of a contactor in an adhesive agent can also be fully hardened. In addition, since a step of putting into an oven after irradiating light having a wavelength of 1200 nm or more is unnecessary, the contactor can be mounted on the substrate in a short time.

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は本発明に係る製造方法により製造されるコンタクタを備えた電子部品試験装置を示す概略図、図2は図1の電子部品試験装置に用いられるテストヘッド及びプローブカードの接続関係を示す概念図である。   FIG. 1 is a schematic diagram showing an electronic component test apparatus having a contactor manufactured by the manufacturing method according to the present invention, and FIG. 2 is a concept showing a connection relationship between a test head and a probe card used in the electronic component test apparatus of FIG. FIG.

本発明に係るコンタクタの製造方法を説明する前に、当該製造方法により製造されるコンタクタを用いた電子部品試験装置について概説する。   Before describing a method for manufacturing a contactor according to the present invention, an electronic component testing apparatus using a contactor manufactured by the manufacturing method will be outlined.

電子部品試験装置1は、図1に示すように、テストヘッド10、テスタ90(試験装置本体)及びプローバ100から構成されている。テスタ90は、ケーブル束91を介してテストヘッド10に電気的に接続されており、半導体ウェハ200上に造り込まれたICデバイスに対してDC信号やデジタル信号を入出力することが可能となっている。   As shown in FIG. 1, the electronic component testing apparatus 1 includes a test head 10, a tester 90 (test apparatus main body), and a prober 100. The tester 90 is electrically connected to the test head 10 via the cable bundle 91 and can input / output DC signals and digital signals to / from an IC device built on the semiconductor wafer 200. ing.

図1及び図2に示すように、テストヘッド10内には、多数のプリント回路基板11が設けられており、これらプリント回路基板11は、数百の内部ケーブルを有するケーブル束91を介してテスタ90に接続されている。また、各プリント回路基板11は、マザーボード21と接続するためのコネクタ12にそれぞれ電気的に接続されており、インタフェース部20のマザーボード21上のコンタクト端子21aと電気的に接続することが可能となっている。   As shown in FIGS. 1 and 2, a plurality of printed circuit boards 11 are provided in the test head 10, and these printed circuit boards 11 are connected to a tester via a cable bundle 91 having several hundred internal cables. 90. In addition, each printed circuit board 11 is electrically connected to a connector 12 for connecting to the mother board 21, and can be electrically connected to the contact terminal 21 a on the mother board 21 of the interface unit 20. ing.

テストヘッド10とプローバ100とは、インタフェース部20を介して接続されており、このインタフェース部20は、マザーボード21、ウェハパフォーマンスボード22及びフロッグリング23から構成されている。マザーボード21には、テストヘッド10側のコネクタ12と電気的に接続するためのコンタクト端子21aと、ウェハパフォーマンスボード22と、を電気的に接続するために配線パターン21bが形成されている。ウェハパフォーマンスボード22は、ポゴピン等を介してマザーボード21に電気的に接続されており、マザーボード21上の配線パターン21bのピッチをフロッグリング23側のピッチに変換して、当該配線パターン21bをフロッグリング23内に設けられたフレキシブル基板30に電気的に接続するように、配線パターン22aが形成されている。   The test head 10 and the prober 100 are connected via an interface unit 20, and the interface unit 20 includes a mother board 21, a wafer performance board 22, and a frog ring 23. On the mother board 21, a wiring pattern 21b is formed to electrically connect the contact terminal 21a for electrical connection with the connector 12 on the test head 10 side and the wafer performance board 22. The wafer performance board 22 is electrically connected to the mother board 21 via pogo pins or the like, and converts the pitch of the wiring pattern 21b on the mother board 21 to the pitch on the frog ring 23 side, and the wiring pattern 21b is frog ringed. A wiring pattern 22 a is formed so as to be electrically connected to the flexible substrate 30 provided in the interior 23.

フロッグリング23は、プローバ100に対する接触位置を正確に決定するためにウェハパフォーマンスボード22上に設けられており、テストヘッド10とプローバ100との若干の位置合わせを許容するために、内部の伝送路がフレキシブル基板30で構成されている。フロッグリング23の下面には、このフレキシブル基板30が電気的に接続されたポゴピン23aが多数実装されている。   The frog ring 23 is provided on the wafer performance board 22 in order to accurately determine the contact position with respect to the prober 100. In order to allow a slight alignment between the test head 10 and the prober 100, an internal transmission line is provided. Is formed of a flexible substrate 30. A large number of pogo pins 23 a to which the flexible substrate 30 is electrically connected are mounted on the lower surface of the frog ring 23.

フロッグリング23には、プローブ針としてのシリコンフィンガコンタクタ50が下面に多数実装されたプローブカード40が装着されており、ポゴピン23aによりプローブカード40とフロッグリング23とが電気的に接続されるようになっている。   A probe card 40 having a number of silicon finger contactors 50 as probe needles mounted on the lower surface is attached to the frog ring 23 so that the probe card 40 and the frog ring 23 are electrically connected by a pogo pin 23a. It has become.

プローバ100は、チャック101上に半導体ウェハ200を保持して、テストヘッド10に装着されたプローブカード40に対向する位置に半導体ウェハ200を自動的に供給することが可能となっている。   The prober 100 can hold the semiconductor wafer 200 on the chuck 101 and automatically supply the semiconductor wafer 200 to a position facing the probe card 40 mounted on the test head 10.

以上のような構成の電子部品試験装置1では、チャック101上に保持されている半導体ウェハ200にプローブカード40を押し付けて、半導体ウェハ200上に造り込まれたICデバイスを入出力端子210(図3参照)にシリコンフィンガコンタクタ50を電気的に接触させた状態で、テスタ90からICデバイスにDC信号及びデジタル信号を印加するとともに、ICデバイスから出力信号を受信する。ICデバイスからの出力信号(応答信号)は、テスタ90において期待値と比較することで、ICデバイスの電気的に特性を評価するようになっている。   In the electronic component testing apparatus 1 configured as described above, the probe card 40 is pressed against the semiconductor wafer 200 held on the chuck 101, and the IC device built on the semiconductor wafer 200 is connected to the input / output terminal 210 (FIG. 3), a DC signal and a digital signal are applied from the tester 90 to the IC device, and an output signal is received from the IC device. The output signal (response signal) from the IC device is compared with an expected value in the tester 90, so that the electrical characteristics of the IC device are evaluated.

図3は図1に示す電子部品試験装置に用いられるプローブカードを示す断面図、図4は図3に示すプローブカードの下面図、図5は図3に示すプローブカードに実装されたシリコンフィンガコンタクタの断面図、図6は図5に示すシリコンフィンガコンタクタの平面図、図7は電磁波の波長とシリコンの透過率との関係を示すグラフである。   3 is a sectional view showing a probe card used in the electronic component testing apparatus shown in FIG. 1, FIG. 4 is a bottom view of the probe card shown in FIG. 3, and FIG. 5 is a silicon finger contactor mounted on the probe card shown in FIG. FIG. 6 is a plan view of the silicon finger contactor shown in FIG. 5, and FIG. 7 is a graph showing the relationship between the wavelength of electromagnetic waves and the transmittance of silicon.

本実施形態におけるプローブカード40は、図3及び図4に示すように、例えば多層配線基板などから構成されるプローブ基板41と、機械的な強度を補強するためにプローブ基板41の上面に取り付けられているスティフナ42と、プローブ基板41の下面に多数実装されているシリコンフィンガコンタクタ50と、から構成されている。   As shown in FIGS. 3 and 4, the probe card 40 according to the present embodiment is attached to the probe board 41 formed of, for example, a multilayer wiring board and the upper surface of the probe board 41 to reinforce mechanical strength. It comprises a stiffener 42 and a number of silicon finger contactors 50 mounted on the lower surface of the probe substrate 41.

プローブ基板41は、例えば、ガラスエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂或いはセラミックス等の、波長が1200nm以上の電磁波を透過しない材料から構成されている。このプローブ基板41には、下面から上面に貫通するようにスルーホール41aが形成されていると共に、このスルーホール41aに接続された接続トレース41bが下面に形成されている。   The probe substrate 41 is made of a material that does not transmit electromagnetic waves having a wavelength of 1200 nm or more, such as glass epoxy resin, polyimide resin, or ceramics. A through hole 41a is formed in the probe substrate 41 so as to penetrate from the lower surface to the upper surface, and a connection trace 41b connected to the through hole 41a is formed on the lower surface.

シリコンフィンガコンタクタ50は、図5に示すように、プローブ基板41に固定されているベース部51と、後端側がベース部51に設けられ、先端側がベース部51から突出している梁部53と、梁部53の表面に形成された導電層54と、から構成されている。   As shown in FIG. 5, the silicon finger contactor 50 includes a base portion 51 fixed to the probe substrate 41, a beam portion 53 provided on the base portion 51 on the rear end side and protruding from the base portion 51 on the front end side, And a conductive layer 54 formed on the surface of the beam portion 53.

なお、本実施形態において、シリコンフィンガコンタクタ50における「後端側」とは、プローブ基板41に固定される側(図5において左側)を指す。これに対し、シリコンフィンガコンタクタ50における「先端側」とは、被試験ウェハ200に形成されたICデバイスの入出力端子210に接触する側(図5において右側)を指す。   In the present embodiment, the “rear end side” of the silicon finger contactor 50 refers to the side (left side in FIG. 5) fixed to the probe substrate 41. On the other hand, the “tip side” in the silicon finger contactor 50 refers to the side (right side in FIG. 5) that contacts the input / output terminal 210 of the IC device formed on the wafer 200 to be tested.

このシリコンフィンガコンタクタ5のベース部51及び梁部53は、シリコンから構成されており、図7に示すように、波長1200nm以上の電磁波を透過することが可能となっている。このベース部51及び梁部53は、シリコン基板にフォトリソグラフィ等の半導体製造技術を用いて構成されており、図6に示すように、一つのベース部51に対して複数本(本例では7本)の梁部53がフィンガ状(櫛状)に設けられている。このように、半導体製造技術を用いてコンタクタ50を製造することにより、複数の梁部53間のピッチを被試験ウェハ200上の入出力端子210間の狭小なピッチに容易に合わせることができる。   The base part 51 and the beam part 53 of the silicon finger contactor 5 are made of silicon, and can transmit electromagnetic waves having a wavelength of 1200 nm or more, as shown in FIG. The base portion 51 and the beam portion 53 are configured on a silicon substrate by using a semiconductor manufacturing technique such as photolithography, and as shown in FIG. A book) beam portion 53 is provided in a finger shape (comb shape). Thus, by manufacturing the contactor 50 using the semiconductor manufacturing technique, the pitch between the plurality of beam portions 53 can be easily adjusted to the narrow pitch between the input / output terminals 210 on the wafer under test 200.

また、図5に示すように、ベース部51には段差52が形成されており、この段差の深さと長さの比を制御することで、プローブ基板41に対するコンタクタ50の傾斜角度βを任意に設定することが可能となっている。なお、この傾斜角度βは小さいほど好ましい。   Further, as shown in FIG. 5, a step 52 is formed in the base portion 51, and the inclination angle β of the contactor 50 with respect to the probe substrate 41 can be arbitrarily set by controlling the ratio of the depth and length of the step. It is possible to set. In addition, this inclination | tilt angle (beta) is so preferable that it is small.

梁部53の上面には、導電層54をシリコンフィンガコンタクタ50の他の部分から電気的に絶縁するための絶縁層53aが形成されている。この絶縁層53aは、例えば、SiO層やボロンドープ層から構成されている。 On the upper surface of the beam portion 53, an insulating layer 53a for electrically insulating the conductive layer 54 from other portions of the silicon finger contactor 50 is formed. The insulating layer 53a is composed of, for example, a SiO 2 layer or a boron doped layer.

この絶縁層53aの表面には導電層54が形成されている。導電層54を構成する材料としては、例えばタングステン、パラジウム、ロジウム、白金、ルテニウム、イリジウム、ニッケル等の金属材料を挙げることができる。   A conductive layer 54 is formed on the surface of the insulating layer 53a. Examples of the material constituting the conductive layer 54 include metal materials such as tungsten, palladium, rhodium, platinum, ruthenium, iridium, and nickel.

以上のような構成のシリコンフィンガコンタクタ50は、図3に示すように、被試験ウェハ200に造り込まれたICデバイスの入出力端子210に対向するように、プローブ基板41に実装されている。なお、図3には、2つのシリコンフィンガコンタクタ50しか図示していないが、実際には多数のシリコンフィンガコンタクタ50がプローブ基板41上に配置されている。   As shown in FIG. 3, the silicon finger contactor 50 having the above configuration is mounted on the probe substrate 41 so as to face the input / output terminal 210 of the IC device built in the wafer 200 to be tested. Although only two silicon finger contactors 50 are shown in FIG. 3, a large number of silicon finger contactors 50 are actually arranged on the probe substrate 41.

各シリコンフィンガコンタクタ50は、図3及び図5に示すように、ベース部51に形成された段差52をプローブ基板41の表面に当接させた状態で、接着剤43によりプローブ基板41に固定されており、図4に示すように、その導電層54が接続トレース41bにワイヤボンディング41cにより電気的に接続されている。コンタクタ50をプローブ基板41に実装するための接着剤43としては、例えば、エポキシ系の熱硬化型接着剤を挙げることができ、1200nm以上の波長の電磁波を吸収し易くするために、赤外線吸収剤をフィラーとして添加したり、接着剤自体を黒色とすることが好ましい。また、ワイヤボンディング41cの代わりに、ソルダボールを用いて導電層54と接続トレース41bとを電気的に接続しても良い。   As shown in FIGS. 3 and 5, each silicon finger contactor 50 is fixed to the probe substrate 41 with an adhesive 43 in a state where the step 52 formed on the base portion 51 is in contact with the surface of the probe substrate 41. As shown in FIG. 4, the conductive layer 54 is electrically connected to the connection trace 41b by wire bonding 41c. Examples of the adhesive 43 for mounting the contactor 50 on the probe substrate 41 include an epoxy-based thermosetting adhesive, and an infrared absorber for facilitating absorption of electromagnetic waves having a wavelength of 1200 nm or longer. Is preferably added as a filler, or the adhesive itself is black. Further, instead of the wire bonding 41c, the conductive layer 54 and the connection trace 41b may be electrically connected using a solder ball.

以上のような構成のプローブカード40を用いたICデバイスのテストでは、プローバ100によりプローブカード40に被試験ウェハ200が押し付けられると、プローブ基板41上のシリコンフィンガコンタクタ50と、被試験ウェハ200上の入出力端子210とが電気的に接触する。   In the test of the IC device using the probe card 40 having the above configuration, when the wafer under test 200 is pressed against the probe card 40 by the prober 100, the silicon finger contactor 50 on the probe substrate 41 and the wafer under test 200 are The input / output terminal 210 is electrically contacted.

次に、プローブカード40を製作する際に、シリコンフィンガコンタクタ50をプローブ基板41に実装するために用いられるコンタクタ実装装置について、図8及び図9を参照しながら説明する。図8は本発明に係るコンタクタ実装装置の実施形態の全体構成を示す概略図、図9は図8におけるIX部の拡大図である。   Next, a contactor mounting apparatus used for mounting the silicon finger contactor 50 on the probe substrate 41 when the probe card 40 is manufactured will be described with reference to FIGS. FIG. 8 is a schematic diagram showing the overall configuration of the embodiment of the contactor mounting apparatus according to the present invention, and FIG. 9 is an enlarged view of a portion IX in FIG.

本実施形態におけるプローブカード製造装置100は、上述したシリコンフィンガコンタクタ50をプローブ基板41上に実装するための装置である。   The probe card manufacturing apparatus 100 in this embodiment is an apparatus for mounting the above-described silicon finger contactor 50 on the probe substrate 41.

このコンタクタ実装装置100は、図8に示すように、シリコンフィンガコンタクタ50を吸着して保持する吸着ユニット131と、プローブ基板41の所定位置に接着剤43を塗布する塗布ユニット132と、プローブ基板41に塗布された接着剤43に向かってレーザ光を照射する照射ユニット133と、プローブ基板41に対するシリコンフィンガコンタクタ50の相対的な高さを測定する測定ユニット134と、プローブ基板41やシリコンフィンガコンタクタ50の位置や姿勢を認識するためのカメラユニット140と、シリコンフィンガコンタクタ50に対してプローブ基板41を相対移動させる移動ステージ150と、を備えている。   As shown in FIG. 8, the contactor mounting apparatus 100 includes an adsorption unit 131 that adsorbs and holds the silicon finger contactor 50, an application unit 132 that applies an adhesive 43 to a predetermined position of the probe substrate 41, and a probe substrate 41. An irradiation unit 133 that irradiates laser light toward the adhesive 43 applied to the substrate, a measurement unit 134 that measures the relative height of the silicon finger contactor 50 with respect to the probe substrate 41, and the probe substrate 41 and the silicon finger contactor 50. A camera unit 140 for recognizing the position and posture, and a moving stage 150 for moving the probe substrate 41 relative to the silicon finger contactor 50.

吸着ユニット131は、図9に示すように、シリコンフィンガコンタクタ50をその上面で吸着保持するための吸着面131aを先端に有している。この吸着面131aは、プローブ基板41に対するシリコンフィンガコンタクタ50の取付角度βと実質的に同一の角度を有する傾斜面で構成されている。   As shown in FIG. 9, the suction unit 131 has a suction surface 131a for sucking and holding the silicon finger contactor 50 on its upper surface. The suction surface 131a is an inclined surface having an angle substantially the same as the mounting angle β of the silicon finger contactor 50 with respect to the probe substrate 41.

この吸着面131aには、吸着ユニット131を貫通する通路131bの一端が開口している。この通路131bの他端は、図8に示すように、真空ポンプ120に連通している。また、吸着面131aには、図9及び図10Bに示すように、シリコンフィンガコンタクタ50の後端が係合する段差部131cが形成されており、これにより、吸着ユニット131に吸着保持されているシリコンフィンガコンタクタ50が、吸着面131aに対して微小移動するのを規制することが可能となっている。   One end of a passage 131b that penetrates the suction unit 131 is opened on the suction surface 131a. The other end of the passage 131b communicates with the vacuum pump 120 as shown in FIG. Further, as shown in FIGS. 9 and 10B, a stepped portion 131c with which the rear end of the silicon finger contactor 50 engages is formed on the suction surface 131a. It is possible to restrict the silicon finger contactor 50 from moving minutely with respect to the suction surface 131a.

塗布ユニット132は、例えば熱硬化型接着剤が充填されたシリンジを有しており、プローブ基板41の所定位置に所定量の接着剤を塗布することが可能となっている。また、照射ユニット133は、1200nm以上のレーザ光を発振するレーザ発振装置を備えており、プローブ基板41上に塗布された接着剤43に向かってレーザ光を照射することが可能となっている。1200nm以上のレーザ光の光源としては、例えば半導体レーザを挙げることができる。   The application unit 132 has, for example, a syringe filled with a thermosetting adhesive, and can apply a predetermined amount of adhesive to a predetermined position of the probe substrate 41. The irradiation unit 133 includes a laser oscillation device that oscillates a laser beam of 1200 nm or more, and can irradiate the adhesive 43 applied on the probe substrate 41 with the laser beam. As a light source of laser light of 1200 nm or more, for example, a semiconductor laser can be cited.

測定ユニット134は、例えばレーザ等を用いた非接触式の距離測定センサを有している。距離測定センサは、吸着ユニット131に把持されたシリコンフィンガユニット50とプローブ基板41との間の距離、すなわちプローブ基板41に対するシリコンフィンガコンタクタ50の高さを測定することが可能となっている。   The measuring unit 134 has a non-contact distance measuring sensor using, for example, a laser. The distance measuring sensor can measure the distance between the silicon finger unit 50 held by the suction unit 131 and the probe substrate 41, that is, the height of the silicon finger contactor 50 with respect to the probe substrate 41.

吸着ユニット131、塗布ユニット132、照射ユニット133及び測定ユニット134は、昇降ヘッド130に取り付けられている。この昇降ヘッド130は、プローブ基板41を保持する移動ステージ150を囲むように設けられた架台110に支持されており、移動ステージ150に対してZ軸方向に昇降することが可能となっている。また、塗布ユニット132及び照射ユニット133は、特に図示しないアクチュエータにより、昇降ヘッド130に対して図中のY軸方向を中心として回転することが可能となっている。   The suction unit 131, the coating unit 132, the irradiation unit 133, and the measurement unit 134 are attached to the lifting head 130. The lifting head 130 is supported by a gantry 110 provided so as to surround the moving stage 150 that holds the probe substrate 41, and can be lifted and lowered in the Z-axis direction with respect to the moving stage 150. Further, the coating unit 132 and the irradiation unit 133 can be rotated around the Y-axis direction in the figure with respect to the lifting head 130 by an actuator not shown.

カメラユニット140は、例えば、下方を撮像可能なように設けられたCCDカメラを有している。このカメラユニット140は、昇降ヘッド130とは独立して架台110に取り付けられており、XY方向に沿って移動することが可能となっている。   The camera unit 140 has, for example, a CCD camera provided so that the lower part can be imaged. The camera unit 140 is attached to the gantry 110 independently of the lifting head 130 and can move along the XY directions.

移動ステージ150は、プローブ基板41を把持可能なチャック(不図示)を有しており、そのプローブ基板41をX軸方向及びY軸方向に沿って移動させることが可能となっていると共に、Z軸を中心としたθ方向にプローブ基板41を回転させることが可能となっている。   The moving stage 150 has a chuck (not shown) that can hold the probe substrate 41, and can move the probe substrate 41 along the X-axis direction and the Y-axis direction. The probe substrate 41 can be rotated in the θ direction about the axis.

以下に、上述したコンタクタ製造装置を用いてシリコンフィンガコンタクタ50をプローブ基板41に実装する方法について、図10A〜図10Cを参照しながら説明する。図10A〜図10Cは本発明に係るコンタクタの製造方法の実施形態における第1〜第3工程を示す図である。   Hereinafter, a method of mounting the silicon finger contactor 50 on the probe substrate 41 using the above-described contactor manufacturing apparatus will be described with reference to FIGS. 10A to 10C. 10A to 10C are views showing first to third steps in the embodiment of the method for manufacturing a contactor according to the present invention.

先ず、カメラユニット140が移動ステージ150上に載置されたプローブ基板41を撮像し、昇降ヘッド130に対するプローブ基板41の相対位置を認識する。そして、移動ステージ150が移動して、塗布ユニット132の吐出口がプローブ基板41の所定位置に対向したら、昇降ヘッド130がZ軸方向に下降する。   First, the camera unit 140 images the probe substrate 41 placed on the moving stage 150 and recognizes the relative position of the probe substrate 41 with respect to the lifting head 130. Then, when the moving stage 150 moves and the discharge port of the coating unit 132 faces a predetermined position of the probe substrate 41, the lifting head 130 is lowered in the Z-axis direction.

次いで、図10Aに示すように、塗布ユニット132がプローブ基板41上の所定位置に接着剤43を塗布する。接着剤43がプローブ基板41上に塗布されたら、カメラユニット140が、その塗布位置43、及び、移動ステージ150上に載置されているシリコンフィンガコンタクタ50を撮像して、塗布位置43及びシリコンフィンガコンタクタ50の位置及び姿勢を認識する。   Next, as shown in FIG. 10A, the application unit 132 applies the adhesive 43 to a predetermined position on the probe substrate 41. When the adhesive 43 is applied onto the probe substrate 41, the camera unit 140 images the application position 43 and the silicon finger contactor 50 placed on the moving stage 150, and applies the application position 43 and the silicon finger. The position and orientation of the contactor 50 are recognized.

次に、吸着ユニット141は、移動ステージ150上に載置されたシリコンフィンガコンタクタ50を吸着保持し、移動ステージ150が移動してシリコンフィンガコンタクタ50がプローブ基板41上の塗布位置43に対向したら、図10Bに示すように、昇降ヘッド130がZ軸方向に下降する。   Next, the suction unit 141 sucks and holds the silicon finger contactor 50 placed on the moving stage 150. When the moving stage 150 moves and the silicon finger contactor 50 faces the application position 43 on the probe substrate 41, As shown in FIG. 10B, the lifting head 130 is lowered in the Z-axis direction.

この下降の際、測定ユニット134がプローブ基板41に対するシリコンフィンガコンタクタ50の高さを測定している。そして、プローブ基板41に対するシリコンフィンガコンタクタ50の高さがゼロとなったら、測定ユニット134は、昇降ヘッド130のZ軸方向への下降を停止させる。   During the lowering, the measurement unit 134 measures the height of the silicon finger contactor 50 with respect to the probe substrate 41. Then, when the height of the silicon finger contactor 50 with respect to the probe substrate 41 becomes zero, the measurement unit 134 stops the descent of the elevating head 130 in the Z-axis direction.

シリコンフィンガコンタクタ50がプローブ基板41上の塗布位置43に位置決めされたら、図10Cに示すように、その状態で照射ユニット133が塗布位置43に向かってレーザ光を照射する。この際、シリコンフィンガコンタクタ50のベース部51及び梁部53は、波長が1200nm以上の電磁波を透過するので、照射ユニット133から照射されたレーザ光はシリコンフィンガコンタクタ50自体を透過する。一方、プローブ基板41は、波長1200nm以上の電磁波を透過しないので、照射ユニット133から照射されたレーザ光により加熱される。この加熱により、基板41上に塗布されている接着剤43が熱硬化して、シリコンフィンガコンタクタ50がプローブ基板41に実装される。   When the silicon finger contactor 50 is positioned at the application position 43 on the probe substrate 41, the irradiation unit 133 irradiates the application position 43 with laser light as shown in FIG. 10C. At this time, since the base part 51 and the beam part 53 of the silicon finger contactor 50 transmit electromagnetic waves having a wavelength of 1200 nm or more, the laser light emitted from the irradiation unit 133 passes through the silicon finger contactor 50 itself. On the other hand, since the probe substrate 41 does not transmit electromagnetic waves having a wavelength of 1200 nm or more, it is heated by the laser light emitted from the irradiation unit 133. By this heating, the adhesive 43 applied on the substrate 41 is thermally cured, and the silicon finger contactor 50 is mounted on the probe substrate 41.

なお、接着剤43自体が1200nm以上の波長の電磁波を透過しない場合には、照射ユニット133から照射されたレーザ光により接着剤43自体が加熱されて熱硬化することで、シリコンフィンガコンタクタ50がプローブ基板41に実装される。   When the adhesive 43 itself does not transmit electromagnetic waves having a wavelength of 1200 nm or more, the adhesive 43 itself is heated and thermally cured by the laser light emitted from the irradiation unit 133, so that the silicon finger contactor 50 is probed. Mounted on the substrate 41.

以上のように、本実施形態では、プローブ基板41に接着剤を塗布して、その塗布位置43にシリコンフィンガコンタクタ50を位置決めした後に、コンタクタ50においてシリコンから構成されるベース部51及び梁部53を介して、塗布位置43に、波長が1200nm以上のレーザ光を照射する。この1200nm以上の波長のレーザ光により塗布位置の基板41が加熱されて接着剤43が熱硬化し、又は、1200nm以上の波長のレーザ光により接着剤43自体が熱硬化する。これにより、基板41に塗布された接着剤43においてコンタクタ50により影になってしまう部分も十分も硬化させることができる。また、レーザ光照射後にオーブンへ投入する工程が不要であるので、コンタクタ50を基板41に短時間で実装することができる。   As described above, in this embodiment, after applying an adhesive to the probe substrate 41 and positioning the silicon finger contactor 50 at the application position 43, the base portion 51 and the beam portion 53 made of silicon in the contactor 50. Then, the application position 43 is irradiated with a laser beam having a wavelength of 1200 nm or more. The substrate 41 at the application position is heated by the laser light having a wavelength of 1200 nm or more, and the adhesive 43 is thermally cured, or the adhesive 43 itself is thermally cured by the laser light having a wavelength of 1200 nm or more. As a result, the portion of the adhesive 43 applied to the substrate 41 that is shaded by the contactor 50 can be sufficiently cured. In addition, since the step of putting into the oven after the laser light irradiation is unnecessary, the contactor 50 can be mounted on the substrate 41 in a short time.

ところで、硬化した接着剤をガラス転移点以上に加熱すると、接着剤を軟化させることができる。そのため、本実施形態では、シリコンフィンガコンタクタ50を修理や交換する際に、対象となるシリコンフィンガコンタクタ50を固定している接着剤に、波長が1200nm以上のレーザ光を照射することで、そのコンタクタ50のみを基板41から取り外すことができる。   By the way, when the cured adhesive is heated to the glass transition point or higher, the adhesive can be softened. Therefore, in this embodiment, when repairing or exchanging the silicon finger contactor 50, the adhesive that fixes the target silicon finger contactor 50 is irradiated with a laser beam having a wavelength of 1200 nm or more, thereby the contactor. Only 50 can be removed from the substrate 41.

なお、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。 The embodiment described above is described for facilitating the understanding of the present invention, and is not described for limiting the present invention. Therefore, each element disclosed in the above embodiment is intended to include all design changes and equivalents belonging to the technical scope of the present invention.

図1は、本発明に係る製造方法により製造されるコンタクタを備えた電子部品試験装置を示す概略図である。FIG. 1 is a schematic view showing an electronic component testing apparatus provided with a contactor manufactured by the manufacturing method according to the present invention. 図2は、図1の電子部品試験装置に用いられるテストヘッド及びプローブカードの接続関係を示す概念図である。FIG. 2 is a conceptual diagram showing a connection relationship between a test head and a probe card used in the electronic component testing apparatus of FIG. 図3は、図1に示す電子部品試験装置に用いられるプローブカードを示す断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing a probe card used in the electronic component testing apparatus shown in FIG. 図4は、図3に示すプローブカードの下面図である。FIG. 4 is a bottom view of the probe card shown in FIG. 図5は、図3に示すプローブカードに実装されたシリコンフィンガコンタクタの断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view of the silicon finger contactor mounted on the probe card shown in FIG. 図6は、図5に示すシリコンフィンガコンタクタの平面図である。6 is a plan view of the silicon finger contactor shown in FIG. 図7は、電磁波の波長とシリコンの透過率との関係を示すグラフである。FIG. 7 is a graph showing the relationship between the wavelength of electromagnetic waves and the transmittance of silicon. 図8は、本発明に係るコンタクタ実装装置の実施形態の全体構成を示す概略図である。FIG. 8 is a schematic diagram showing the overall configuration of an embodiment of the contactor mounting apparatus according to the present invention. 図9は、図8におけるIX部の拡大図である。FIG. 9 is an enlarged view of a part IX in FIG. 図10Aは、本発明に係るコンタクタの製造方法の実施形態における第1工程を示す図である。FIG. 10A is a diagram showing a first step in an embodiment of the contactor manufacturing method according to the present invention. 図10Bは、本発明に係るコンタクタの製造方法の実施形態における第2工程を示す図である。FIG. 10B is a diagram showing a second step in the embodiment of the contactor manufacturing method according to the present invention. 図10Cは、本発明に係るコンタクタの製造方法の実施形態における第3工程を示す図である。FIG. 10C is a diagram showing a third step in the embodiment of the contactor manufacturing method according to the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

1…電子部品試験装置
10…テストヘッド
40…プローブカード
41…プローブ基板
43…接着剤
50…シリコンフィンガコンタクタ
51…ベース部
53…梁部
54…導電部
100…コンタクタ実装装置
110…架台
120…真空ポンプ
130…昇降ヘッド
131…吸着ユニット
131a…吸着面
131b…通路
131c…段差部
132…塗布ユニット
133…照射ユニット
134…計測ユニット
140…カメラユニット
150…移動ステージ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Electronic component test apparatus 10 ... Test head 40 ... Probe card 41 ... Probe board 43 ... Adhesive 50 ... Silicon finger contactor 51 ... Base part 53 ... Beam part 54 ... Conductive part 100 ... Contactor mounting apparatus 110 ... Mount 120 ... Vacuum Pump 130 ... Lifting head 131 ... Adsorption unit 131a ... Adsorption surface 131b ... Passage 131c ... Stepped portion 132 ... Application unit 133 ... Irradiation unit 134 ... Measurement unit 140 ... Camera unit 150 ... Moving stage

Claims (12)

被試験電子部品のテストに際して前記被試験電子部品の入出力端子と電気的に接触するコンタクタを、基板に実装するコンタクタの実装方法であって、
前記基板に接着剤を塗布する塗布ステップと、
前記基板上において前記接着剤が塗布された位置に、前記コンタクタを位置決めする位置決めステップと、
前記基板に塗布された前記接着剤に向かって、波長が1200nm以上の光を照射する照射ステップと、を備え、
前記コンタクタは、波長が1200nm以上の光を透過する材料から構成される透過部分を有しており、
前記照射ステップにおいて、前記透過部分を介して、前記接着剤に向かって波長が1200nm以上の光を照射するコンタクタの実装方法。
A contactor mounting method for mounting a contactor in electrical contact with an input / output terminal of the electronic device under test when testing the electronic device under test,
An application step of applying an adhesive to the substrate;
A positioning step of positioning the contactor at a position where the adhesive is applied on the substrate;
An irradiation step of irradiating light having a wavelength of 1200 nm or more toward the adhesive applied to the substrate,
The contactor has a transmission part made of a material that transmits light having a wavelength of 1200 nm or more,
In the irradiation step, a contactor mounting method of irradiating light having a wavelength of 1200 nm or more toward the adhesive through the transmission portion.
前記照射ステップにおいて、前記基板に塗布された接着剤に向かって、波長が1200nm以上のレーザ光を照射する請求項1記載のコンタクタの実装方法。   The contactor mounting method according to claim 1, wherein, in the irradiation step, laser light having a wavelength of 1200 nm or more is irradiated toward the adhesive applied to the substrate. 前記コンタクタが有する前記透過部分は、シリコンから構成されている請求項1又は2記載のコンタクタの実装方法。   The contactor mounting method according to claim 1, wherein the transmission portion of the contactor is made of silicon. 前記基板は、波長が1200nm以上の光を透過しない材料から構成されている請求項1〜3の何れかに記載のコンタクタの実装方法。   The contactor mounting method according to claim 1, wherein the substrate is made of a material that does not transmit light having a wavelength of 1200 nm or more. 前記接着剤は、波長が1200nm以上の光を透過しない材料を含有している請求項1〜4の何れかに記載のコンタクタの実装方法。   The contactor mounting method according to claim 1, wherein the adhesive contains a material that does not transmit light having a wavelength of 1200 nm or more. 前記コンタクタは、
前記基板に前記接着剤により固定されるベース部と、
後端側が前記ベース部に設けられ、先端側が前記ベース部から突出している梁部と、
前記梁部の表面に形成され、前記被試験電子部品の入出力端子に電気的に接触する導電部と、を有し、
前記ベース部及び前記梁部は、シリコンから構成されている請求項1〜5の何れかに記載のコンタクタの実装方法。
The contactor is
A base portion fixed to the substrate by the adhesive;
A rear end side provided on the base portion, and a front end side projecting from the base portion;
A conductive portion formed on the surface of the beam portion and in electrical contact with an input / output terminal of the electronic device under test;
The contactor mounting method according to claim 1, wherein the base part and the beam part are made of silicon.
被試験電子部品のテストに際して前記被試験電子部品の入出力端子と電気的に接触するコンタクタを基板に実装するコンタクタ実装装置であって、
前記基板の所定位置に接着剤を塗布する塗布手段と、
前記コンタクタを保持する保持手段と、
前記コンタクタに対して前記基板を相対移動させて、前記基板上において前記接着剤が塗布された位置に前記コンタクタを位置決めする移動手段と、
波長が1200nm以上の光を照射する照射手段と、を備え、
前記照射手段は、前記基板上に位置決めされた前記コンタクタにおいて、波長が1200nm以上の光を透過する材料から構成される透過部分を介して、前記接着剤に向かって波長が1200nm以上の光を照射するコンタクタ実装装置。
A contactor mounting device for mounting a contactor on a substrate in electrical contact with an input / output terminal of the electronic device under test when testing the electronic device under test,
Application means for applying an adhesive to a predetermined position of the substrate;
Holding means for holding the contactor;
Moving means for positioning the contactor at a position where the adhesive is applied on the substrate by moving the substrate relative to the contactor;
Irradiating means for irradiating light having a wavelength of 1200 nm or more,
The irradiating means irradiates light having a wavelength of 1200 nm or more toward the adhesive through a transmission portion made of a material that transmits light having a wavelength of 1200 nm or more in the contactor positioned on the substrate. Contactor mounting device.
前記照射手段は、波長が1200nm以上のレーザ光を照射するレーザ照射手段である請求項7記載のコンタクタ実装装置。   The contactor mounting apparatus according to claim 7, wherein the irradiation unit is a laser irradiation unit that irradiates a laser beam having a wavelength of 1200 nm or more. 前記コンタクタが有する前記透過部分は、シリコンから構成されている請求項7又は8記載のコンタクタ実装装置。   The contactor mounting apparatus according to claim 7 or 8, wherein the transmission portion of the contactor is made of silicon. 前記基板は、波長が1200nm以上の光を透過しない材料から構成されている請求項7〜9の何れかに記載のコンタクタ実装装置。   The contactor mounting apparatus according to claim 7, wherein the substrate is made of a material that does not transmit light having a wavelength of 1200 nm or more. 前記接着剤は、波長が1200nm以上の光を透過しない材料を含有している請求項7〜10の何れかに記載のコンタクタ実装装置。   The contactor mounting apparatus according to claim 7, wherein the adhesive contains a material that does not transmit light having a wavelength of 1200 nm or more. 前記コンタクタは、
前記基板に前記接着剤により固定されるベース部と、
後端側が前記ベース部に設けられ、先端側が前記ベース部から突出している梁部と、
前記梁部の表面に形成され、前記被試験電子部品の入出力端子に電気的に接触する導電部と、を有し、
前記ベース部及び前記梁部は、シリコンから構成されている請求項7〜11の何れかに記載のコンタクタ実装装置。
The contactor is
A base portion fixed to the substrate by the adhesive;
A rear end side provided on the base portion, and a front end side projecting from the base portion;
A conductive portion formed on the surface of the beam portion and in electrical contact with an input / output terminal of the electronic device under test;
The contactor mounting apparatus according to claim 7, wherein the base portion and the beam portion are made of silicon.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012506028A (en) * 2008-10-17 2012-03-08 パック テック−パッケージング テクノロジーズ ゲーエムベーハー Test contact positioning and contact equipment
WO2017121542A1 (en) * 2016-01-14 2017-07-20 Pac Tech - Packaging Technologies Gmbh Method for placing and making contact with a test contact

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6363773A (en) * 1986-09-04 1988-03-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Bonding method
WO2007000799A1 (en) * 2005-06-27 2007-01-04 Advantest Corporation Contactor, contact structure with the contactor, probe card, testing device, contact structure producing method, and contact structure producing apparatus

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6363773A (en) * 1986-09-04 1988-03-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Bonding method
WO2007000799A1 (en) * 2005-06-27 2007-01-04 Advantest Corporation Contactor, contact structure with the contactor, probe card, testing device, contact structure producing method, and contact structure producing apparatus

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012506028A (en) * 2008-10-17 2012-03-08 パック テック−パッケージング テクノロジーズ ゲーエムベーハー Test contact positioning and contact equipment
KR101610424B1 (en) * 2008-10-17 2016-04-08 파크 테크-파카징 테크놀로지이스 게엠베하 Device for positioning and contacting test contacts
WO2017121542A1 (en) * 2016-01-14 2017-07-20 Pac Tech - Packaging Technologies Gmbh Method for placing and making contact with a test contact
US10914759B2 (en) 2016-01-14 2021-02-09 PAC Tech—Packaging Technologies GmbH Method for placing and contacting a test contact

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