JP2008232722A - Contactor mounting method and contactor mounting apparatus - Google Patents
Contactor mounting method and contactor mounting apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008232722A JP2008232722A JP2007070602A JP2007070602A JP2008232722A JP 2008232722 A JP2008232722 A JP 2008232722A JP 2007070602 A JP2007070602 A JP 2007070602A JP 2007070602 A JP2007070602 A JP 2007070602A JP 2008232722 A JP2008232722 A JP 2008232722A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- contactor
- substrate
- adhesive
- wavelength
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
本発明は、半導体集積回路等の電気部品(以下、代表的にICデバイスとも称する。)のテストに際して、ICデバイスとの電気的な接続を確立するプローブカードにおいて、ICデバイスの入出力端子と電気的に接触するためのコンタクタをプローブ基板に実装するためのコンタクタの実装方法及びコンタクタ実装装置に関する。 The present invention relates to a probe card that establishes an electrical connection with an IC device when testing an electrical component such as a semiconductor integrated circuit (hereinafter also referred to as an IC device), and an input / output terminal of the IC device and an electrical TECHNICAL FIELD The present invention relates to a contactor mounting method and a contactor mounting apparatus for mounting a contactor for contact with a probe on a probe board.
半導体集積回路素子は、シリコンウェハ等に多数造り込まれた後、ダイシング、ボンディング及びパッケージング等の諸工程を経て電子部品として完成する。こうしたICデバイスにあっては、出荷前に動作テストが行われるが、このICテストは完成品の状態でもウェハ状態でも実施される。 Many semiconductor integrated circuit elements are fabricated on a silicon wafer or the like, and then completed as electronic components through various processes such as dicing, bonding, and packaging. In such an IC device, an operation test is performed before shipment. This IC test is performed in a finished product state or a wafer state.
ウェハ状態のICデバイスのテストに際して、当該ICデバイスとの電気的な接続を確立するためのプローブ針として、プローブ基板に取り付けられるベース部と、後端側がベース部に設けられ、先端側がベース部から突出している梁部と、梁部の表面に形成され、ICデバイスの入出力端子と電気的に接触する導電部と、を有するもの(以下単に、「シリコンフィンガコンタクタ」とも称する。)が従来から知られている(例えば、特許文献1乃至3参照)。 When testing an IC device in a wafer state, as a probe needle for establishing an electrical connection with the IC device, a base portion attached to the probe substrate and a rear end side are provided on the base portion, and a front end side is provided from the base portion. 2. Description of the Related Art Conventionally, a device having a protruding beam portion and a conductive portion formed on the surface of the beam portion and in electrical contact with an input / output terminal of an IC device (hereinafter also simply referred to as “silicon finger contactor”). Known (for example, see Patent Documents 1 to 3).
こうしたシリコンフィンガコンタクタを用いてプローブカードを製作する場合には、プローブ基板の所定位置に紫外線硬化型接着剤を塗布し、その塗布位置にシリコンフィンガコンタクタのベース部を位置決めし、ベース部を塗布位置に押し付けた状態で当該塗布位置に向かって紫外線を照射することで、シリコンフィンガコンタクタを基板上に固定している。 When manufacturing a probe card using such a silicon finger contactor, an ultraviolet curable adhesive is applied to a predetermined position of the probe substrate, the base part of the silicon finger contactor is positioned at the application position, and the base part is applied to the application position. In this state, the silicon finger contactor is fixed on the substrate by irradiating ultraviolet rays toward the application position.
しかしながら、紫外線はシリコンをほとんど透過することがないので、上記の紫外線照射の際、基板に塗布された接着剤においてシリコンフィンガコンタクタの影となる部分には紫外線が届かないために十分に硬化せず、シリコンフィンガコンタクタの実装位置にズレが生じてしまい、十分な実装精度を確保することができない場合があった。 However, since ultraviolet rays hardly pass through silicon, the ultraviolet rays do not reach the shadowed part of the silicon finger contactor in the adhesive applied to the substrate during the above-mentioned ultraviolet irradiation, so that it does not cure sufficiently. In some cases, the mounting position of the silicon finger contactor is displaced, and sufficient mounting accuracy cannot be ensured.
特に、シリコンフィンガコンタクタとの接触時にICデバイスの入出力端子が損傷するのを防止するために、基板に対してシリコンフィンガコンタクタを出来る限り倒した姿勢で実装した方が好ましいが、基板に対してシリコンフィンガコンタクタを倒すほど、基板に塗布された接着剤がシリコンフィンガコンタクタの影に入ってしまい、上記の傾向がより顕著となる。 In particular, in order to prevent damage to the input / output terminals of the IC device at the time of contact with the silicon finger contactor, it is preferable to mount the silicon finger contactor on the substrate in a tilted position as much as possible. The more the silicon finger contactor is tilted, the more the adhesive applied to the substrate enters the shadow of the silicon finger contactor, and the above tendency becomes more prominent.
このような問題に対して、紫外線硬化によりシリコンフィンガコンタクタを基板上に仮止めした後に、さらにオーブンに投入して接着剤を熱硬化させることで、シリコンフィンガコンタクタを基板上に固定しており、シリコンフィンガコンタクタを基板に実装するのに長時間を費やしている。 For such a problem, after temporarily fixing the silicon finger contactor on the substrate by ultraviolet curing, the silicon finger contactor is fixed on the substrate by putting it in an oven and thermally curing the adhesive, It takes a long time to mount the silicon finger contactor on the substrate.
本発明が解決しようとする課題は、コンタクタを基板に固定する際に、接着剤を短時間でしかも十分に硬化させることが可能なコンタクタの実装方法及びコンタクタの実装装置を提供することである。 The problem to be solved by the present invention is to provide a contactor mounting method and a contactor mounting apparatus capable of sufficiently curing an adhesive in a short time when fixing the contactor to a substrate.
上記目的を達成するために、本発明の第1の観点によれば、被試験電子部品のテストに際して前記被試験電子部品の入出力端子と電気的に接触するコンタクタを、基板に実装するコンタクタの実装方法であって、前記基板に接着剤を塗布する塗布ステップと、前記基板上において前記接着剤が塗布された位置に、前記コンタクタを位置決めする位置決めステップと、前記基板に塗布された前記接着剤に向かって、波長が1200nm以上の光を照射する照射ステップと、を備え、前記コンタクタは、波長が1200nm以上の光を透過する材料から構成される透過部分を有しており、前記照射ステップにおいて、前記透過部分を介して、前記接着剤に向かって波長が1200nm以上の光を照射するコンタクタの実装方法が提供される。 In order to achieve the above object, according to a first aspect of the present invention, a contactor for mounting a contactor in electrical contact with an input / output terminal of the electronic device under test when testing the electronic device under test is mounted on a substrate. A mounting method, an application step of applying an adhesive to the substrate, a positioning step of positioning the contactor at a position where the adhesive is applied on the substrate, and the adhesive applied to the substrate Irradiating light having a wavelength of 1200 nm or more toward the substrate, wherein the contactor has a transmission portion made of a material that transmits light having a wavelength of 1200 nm or more, and in the irradiation step, There is provided a contactor mounting method in which light having a wavelength of 1200 nm or more is irradiated toward the adhesive through the transmissive portion.
上記発明においては特に限定されないが、前記照射ステップにおいて、前記基板に塗布された接着剤に向かって、波長が1200nm以上のレーザ光を照射することが好ましい。 Although not particularly limited in the above invention, in the irradiation step, it is preferable to irradiate a laser beam having a wavelength of 1200 nm or more toward the adhesive applied to the substrate.
上記発明においては特に限定されないが、前記コンタクタが有する前記透過部分は、シリコンから構成されていることが好ましい。 Although it does not specifically limit in the said invention, It is preferable that the said permeation | transmission part which the said contactor has is comprised from the silicon | silicone.
上記発明においては特に限定されないが、前記基板は、波長が1200nm以上の光を透過しない材料から構成されていることが好ましい。具体的には、前記基板は、ガラスエポキシ樹脂材料、ポリイミド樹脂材料又はセラミックスから構成されていることが好ましい。 Although not particularly limited in the above invention, the substrate is preferably made of a material that does not transmit light having a wavelength of 1200 nm or more. Specifically, the substrate is preferably made of a glass epoxy resin material, a polyimide resin material, or ceramics.
上記発明においては特に限定されないが、前記接着剤は、波長が1200nm以上の光を透過しない材料を含有していることが好ましい。 Although it does not specifically limit in the said invention, It is preferable that the said adhesive agent contains the material which does not permeate | transmit light with a wavelength of 1200 nm or more.
上記発明においては特に限定されないが、前記コンタクタは、前記基板に前記接着剤により固定されるベース部と、後端側が前記ベース部に設けられ、先端側が前記ベース部から突出している梁部と、前記梁部の表面に形成され、前記被試験電子部品の入出力端子に電気的に接触する導電部と、を有し、前記ベース部及び前記梁部は、シリコンから構成されていることが好ましい。 Although not particularly limited in the above invention, the contactor includes a base part fixed to the substrate by the adhesive, a beam part having a rear end side provided on the base part, and a front end side protruding from the base part, It is preferable that the base portion and the beam portion are made of silicon. The conductive portion is formed on the surface of the beam portion and electrically contacts the input / output terminal of the electronic device under test. .
(2)上記目的を達成するために、本発明の第2の観点によれば、被試験電子部品のテストに際して前記被試験電子部品の入出力端子と電気的に接触するコンタクタを基板に実装するコンタクタ実装装置であって、前記基板の所定位置に接着剤を塗布する塗布手段と、前記コンタクタを保持する保持手段と、前記コンタクタに対して前記基板を相対移動させて、前記基板上において前記接着剤が塗布された位置に前記コンタクタを位置決めする移動手段と、波長が1200nm以上の光を照射する照射手段と、を備え、前記照射手段は、前記基板上に位置決めされた前記コンタクタにおいて、波長が1200nm以上の光を透過する材料から構成される透過部分を介して、前記接着剤に向かって波長が1200nm以上の光を照射するコンタクタ実装装置が提供される。 (2) In order to achieve the above object, according to the second aspect of the present invention, a contactor that is in electrical contact with the input / output terminals of the electronic device under test is mounted on the substrate when testing the electronic device under test. A contactor mounting apparatus comprising: an applying unit that applies an adhesive to a predetermined position of the substrate; a holding unit that holds the contactor; and the substrate is moved relative to the contactor so that the bonding is performed on the substrate. A moving means for positioning the contactor at a position where an agent is applied, and an irradiating means for irradiating light having a wavelength of 1200 nm or more. The irradiating means has a wavelength in the contactor positioned on the substrate. A contour that irradiates light having a wavelength of 1200 nm or more toward the adhesive through a transmission portion made of a material that transmits light of 1200 nm or more. Data mounting apparatus is provided.
上記発明においては特に限定されないが、前記照射手段は、波長が1200nm以上のレーザ光を照射するレーザ照射手段であることが好ましい。 Although not particularly limited in the above invention, the irradiation unit is preferably a laser irradiation unit that irradiates a laser beam having a wavelength of 1200 nm or more.
上記発明においては特に限定されないが、前記コンタクタが有する前記透過部分は、シリコンから構成されていることが好ましい。 Although it does not specifically limit in the said invention, It is preferable that the said permeation | transmission part which the said contactor has is comprised from the silicon | silicone.
上記発明においては特に限定されないが、前記基板は、波長が1200nm以上の光を透過しない材料から構成されていることが好ましい。具体的には、前記基板は、ガラスエポキシ樹脂材料、ポリイミド樹脂材料又はセラミックスから構成されていることが好ましい。 Although not particularly limited in the above invention, the substrate is preferably made of a material that does not transmit light having a wavelength of 1200 nm or more. Specifically, the substrate is preferably made of a glass epoxy resin material, a polyimide resin material, or ceramics.
上記発明においては特に限定されないが、前記接着剤は、波長が1200nm以上の光を透過しない材料を含有していることが好ましい。 Although it does not specifically limit in the said invention, It is preferable that the said adhesive agent contains the material which does not permeate | transmit light with a wavelength of 1200 nm or more.
上記発明においては特に限定されないが、前記コンタクタは、前記基板に前記接着剤により固定されるベース部と、後端側が前記ベース部に設けられ、先端側が前記ベース部から突出している梁部と、前記梁部の表面に形成され、前記被試験電子部品の入出力端子に電気的に接触する導電部と、を有し、前記ベース部及び前記梁部は、シリコンから構成されていることが好ましい。 Although not particularly limited in the above invention, the contactor includes a base part fixed to the substrate by the adhesive, a beam part having a rear end side provided on the base part, and a front end side protruding from the base part, It is preferable that the base portion and the beam portion are made of silicon. The conductive portion is formed on the surface of the beam portion and electrically contacts the input / output terminal of the electronic device under test. .
本発明では、基板に接着剤を塗布して、当該塗布位置にコンタクタを位置決めした後に、コンタクタの透過部分を介して、塗布位置に、波長が1200nm以上の光を照射する。1200nm以上の波長の光により塗布位置の基板が加熱されて接着剤が硬化され、又は、1200nm以上の波長の光により接着剤自体が硬化する。これにより、接着剤においてコンタクタの影になってしまう部分も十分に硬化させることができる。また、1200nm以上の波長の光を照射した後にオーブンへ投入する工程は不要であるので、コンタクタを基板に短時間で実装することが可能となる。 In this invention, after apply | coating an adhesive agent to a board | substrate and positioning a contactor in the said application | coating position, the wavelength of 1200 nm or more is irradiated to an application | coating position through the transmission part of a contactor. The substrate at the application position is heated by light having a wavelength of 1200 nm or longer to cure the adhesive, or the adhesive itself is cured by light having a wavelength of 1200 nm or longer. Thereby, the part which becomes a shadow of a contactor in an adhesive agent can also be fully hardened. In addition, since a step of putting into an oven after irradiating light having a wavelength of 1200 nm or more is unnecessary, the contactor can be mounted on the substrate in a short time.
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
図1は本発明に係る製造方法により製造されるコンタクタを備えた電子部品試験装置を示す概略図、図2は図1の電子部品試験装置に用いられるテストヘッド及びプローブカードの接続関係を示す概念図である。 FIG. 1 is a schematic diagram showing an electronic component test apparatus having a contactor manufactured by the manufacturing method according to the present invention, and FIG. 2 is a concept showing a connection relationship between a test head and a probe card used in the electronic component test apparatus of FIG. FIG.
本発明に係るコンタクタの製造方法を説明する前に、当該製造方法により製造されるコンタクタを用いた電子部品試験装置について概説する。 Before describing a method for manufacturing a contactor according to the present invention, an electronic component testing apparatus using a contactor manufactured by the manufacturing method will be outlined.
電子部品試験装置1は、図1に示すように、テストヘッド10、テスタ90(試験装置本体)及びプローバ100から構成されている。テスタ90は、ケーブル束91を介してテストヘッド10に電気的に接続されており、半導体ウェハ200上に造り込まれたICデバイスに対してDC信号やデジタル信号を入出力することが可能となっている。
As shown in FIG. 1, the electronic component testing apparatus 1 includes a
図1及び図2に示すように、テストヘッド10内には、多数のプリント回路基板11が設けられており、これらプリント回路基板11は、数百の内部ケーブルを有するケーブル束91を介してテスタ90に接続されている。また、各プリント回路基板11は、マザーボード21と接続するためのコネクタ12にそれぞれ電気的に接続されており、インタフェース部20のマザーボード21上のコンタクト端子21aと電気的に接続することが可能となっている。
As shown in FIGS. 1 and 2, a plurality of printed circuit boards 11 are provided in the
テストヘッド10とプローバ100とは、インタフェース部20を介して接続されており、このインタフェース部20は、マザーボード21、ウェハパフォーマンスボード22及びフロッグリング23から構成されている。マザーボード21には、テストヘッド10側のコネクタ12と電気的に接続するためのコンタクト端子21aと、ウェハパフォーマンスボード22と、を電気的に接続するために配線パターン21bが形成されている。ウェハパフォーマンスボード22は、ポゴピン等を介してマザーボード21に電気的に接続されており、マザーボード21上の配線パターン21bのピッチをフロッグリング23側のピッチに変換して、当該配線パターン21bをフロッグリング23内に設けられたフレキシブル基板30に電気的に接続するように、配線パターン22aが形成されている。
The
フロッグリング23は、プローバ100に対する接触位置を正確に決定するためにウェハパフォーマンスボード22上に設けられており、テストヘッド10とプローバ100との若干の位置合わせを許容するために、内部の伝送路がフレキシブル基板30で構成されている。フロッグリング23の下面には、このフレキシブル基板30が電気的に接続されたポゴピン23aが多数実装されている。
The
フロッグリング23には、プローブ針としてのシリコンフィンガコンタクタ50が下面に多数実装されたプローブカード40が装着されており、ポゴピン23aによりプローブカード40とフロッグリング23とが電気的に接続されるようになっている。
A
プローバ100は、チャック101上に半導体ウェハ200を保持して、テストヘッド10に装着されたプローブカード40に対向する位置に半導体ウェハ200を自動的に供給することが可能となっている。
The
以上のような構成の電子部品試験装置1では、チャック101上に保持されている半導体ウェハ200にプローブカード40を押し付けて、半導体ウェハ200上に造り込まれたICデバイスを入出力端子210(図3参照)にシリコンフィンガコンタクタ50を電気的に接触させた状態で、テスタ90からICデバイスにDC信号及びデジタル信号を印加するとともに、ICデバイスから出力信号を受信する。ICデバイスからの出力信号(応答信号)は、テスタ90において期待値と比較することで、ICデバイスの電気的に特性を評価するようになっている。
In the electronic component testing apparatus 1 configured as described above, the
図3は図1に示す電子部品試験装置に用いられるプローブカードを示す断面図、図4は図3に示すプローブカードの下面図、図5は図3に示すプローブカードに実装されたシリコンフィンガコンタクタの断面図、図6は図5に示すシリコンフィンガコンタクタの平面図、図7は電磁波の波長とシリコンの透過率との関係を示すグラフである。 3 is a sectional view showing a probe card used in the electronic component testing apparatus shown in FIG. 1, FIG. 4 is a bottom view of the probe card shown in FIG. 3, and FIG. 5 is a silicon finger contactor mounted on the probe card shown in FIG. FIG. 6 is a plan view of the silicon finger contactor shown in FIG. 5, and FIG. 7 is a graph showing the relationship between the wavelength of electromagnetic waves and the transmittance of silicon.
本実施形態におけるプローブカード40は、図3及び図4に示すように、例えば多層配線基板などから構成されるプローブ基板41と、機械的な強度を補強するためにプローブ基板41の上面に取り付けられているスティフナ42と、プローブ基板41の下面に多数実装されているシリコンフィンガコンタクタ50と、から構成されている。
As shown in FIGS. 3 and 4, the
プローブ基板41は、例えば、ガラスエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂或いはセラミックス等の、波長が1200nm以上の電磁波を透過しない材料から構成されている。このプローブ基板41には、下面から上面に貫通するようにスルーホール41aが形成されていると共に、このスルーホール41aに接続された接続トレース41bが下面に形成されている。
The
シリコンフィンガコンタクタ50は、図5に示すように、プローブ基板41に固定されているベース部51と、後端側がベース部51に設けられ、先端側がベース部51から突出している梁部53と、梁部53の表面に形成された導電層54と、から構成されている。
As shown in FIG. 5, the
なお、本実施形態において、シリコンフィンガコンタクタ50における「後端側」とは、プローブ基板41に固定される側(図5において左側)を指す。これに対し、シリコンフィンガコンタクタ50における「先端側」とは、被試験ウェハ200に形成されたICデバイスの入出力端子210に接触する側(図5において右側)を指す。
In the present embodiment, the “rear end side” of the
このシリコンフィンガコンタクタ5のベース部51及び梁部53は、シリコンから構成されており、図7に示すように、波長1200nm以上の電磁波を透過することが可能となっている。このベース部51及び梁部53は、シリコン基板にフォトリソグラフィ等の半導体製造技術を用いて構成されており、図6に示すように、一つのベース部51に対して複数本(本例では7本)の梁部53がフィンガ状(櫛状)に設けられている。このように、半導体製造技術を用いてコンタクタ50を製造することにより、複数の梁部53間のピッチを被試験ウェハ200上の入出力端子210間の狭小なピッチに容易に合わせることができる。
The
また、図5に示すように、ベース部51には段差52が形成されており、この段差の深さと長さの比を制御することで、プローブ基板41に対するコンタクタ50の傾斜角度βを任意に設定することが可能となっている。なお、この傾斜角度βは小さいほど好ましい。
Further, as shown in FIG. 5, a
梁部53の上面には、導電層54をシリコンフィンガコンタクタ50の他の部分から電気的に絶縁するための絶縁層53aが形成されている。この絶縁層53aは、例えば、SiO2層やボロンドープ層から構成されている。
On the upper surface of the
この絶縁層53aの表面には導電層54が形成されている。導電層54を構成する材料としては、例えばタングステン、パラジウム、ロジウム、白金、ルテニウム、イリジウム、ニッケル等の金属材料を挙げることができる。
A
以上のような構成のシリコンフィンガコンタクタ50は、図3に示すように、被試験ウェハ200に造り込まれたICデバイスの入出力端子210に対向するように、プローブ基板41に実装されている。なお、図3には、2つのシリコンフィンガコンタクタ50しか図示していないが、実際には多数のシリコンフィンガコンタクタ50がプローブ基板41上に配置されている。
As shown in FIG. 3, the
各シリコンフィンガコンタクタ50は、図3及び図5に示すように、ベース部51に形成された段差52をプローブ基板41の表面に当接させた状態で、接着剤43によりプローブ基板41に固定されており、図4に示すように、その導電層54が接続トレース41bにワイヤボンディング41cにより電気的に接続されている。コンタクタ50をプローブ基板41に実装するための接着剤43としては、例えば、エポキシ系の熱硬化型接着剤を挙げることができ、1200nm以上の波長の電磁波を吸収し易くするために、赤外線吸収剤をフィラーとして添加したり、接着剤自体を黒色とすることが好ましい。また、ワイヤボンディング41cの代わりに、ソルダボールを用いて導電層54と接続トレース41bとを電気的に接続しても良い。
As shown in FIGS. 3 and 5, each
以上のような構成のプローブカード40を用いたICデバイスのテストでは、プローバ100によりプローブカード40に被試験ウェハ200が押し付けられると、プローブ基板41上のシリコンフィンガコンタクタ50と、被試験ウェハ200上の入出力端子210とが電気的に接触する。
In the test of the IC device using the
次に、プローブカード40を製作する際に、シリコンフィンガコンタクタ50をプローブ基板41に実装するために用いられるコンタクタ実装装置について、図8及び図9を参照しながら説明する。図8は本発明に係るコンタクタ実装装置の実施形態の全体構成を示す概略図、図9は図8におけるIX部の拡大図である。
Next, a contactor mounting apparatus used for mounting the
本実施形態におけるプローブカード製造装置100は、上述したシリコンフィンガコンタクタ50をプローブ基板41上に実装するための装置である。
The probe
このコンタクタ実装装置100は、図8に示すように、シリコンフィンガコンタクタ50を吸着して保持する吸着ユニット131と、プローブ基板41の所定位置に接着剤43を塗布する塗布ユニット132と、プローブ基板41に塗布された接着剤43に向かってレーザ光を照射する照射ユニット133と、プローブ基板41に対するシリコンフィンガコンタクタ50の相対的な高さを測定する測定ユニット134と、プローブ基板41やシリコンフィンガコンタクタ50の位置や姿勢を認識するためのカメラユニット140と、シリコンフィンガコンタクタ50に対してプローブ基板41を相対移動させる移動ステージ150と、を備えている。
As shown in FIG. 8, the
吸着ユニット131は、図9に示すように、シリコンフィンガコンタクタ50をその上面で吸着保持するための吸着面131aを先端に有している。この吸着面131aは、プローブ基板41に対するシリコンフィンガコンタクタ50の取付角度βと実質的に同一の角度を有する傾斜面で構成されている。
As shown in FIG. 9, the
この吸着面131aには、吸着ユニット131を貫通する通路131bの一端が開口している。この通路131bの他端は、図8に示すように、真空ポンプ120に連通している。また、吸着面131aには、図9及び図10Bに示すように、シリコンフィンガコンタクタ50の後端が係合する段差部131cが形成されており、これにより、吸着ユニット131に吸着保持されているシリコンフィンガコンタクタ50が、吸着面131aに対して微小移動するのを規制することが可能となっている。
One end of a
塗布ユニット132は、例えば熱硬化型接着剤が充填されたシリンジを有しており、プローブ基板41の所定位置に所定量の接着剤を塗布することが可能となっている。また、照射ユニット133は、1200nm以上のレーザ光を発振するレーザ発振装置を備えており、プローブ基板41上に塗布された接着剤43に向かってレーザ光を照射することが可能となっている。1200nm以上のレーザ光の光源としては、例えば半導体レーザを挙げることができる。
The
測定ユニット134は、例えばレーザ等を用いた非接触式の距離測定センサを有している。距離測定センサは、吸着ユニット131に把持されたシリコンフィンガユニット50とプローブ基板41との間の距離、すなわちプローブ基板41に対するシリコンフィンガコンタクタ50の高さを測定することが可能となっている。
The measuring
吸着ユニット131、塗布ユニット132、照射ユニット133及び測定ユニット134は、昇降ヘッド130に取り付けられている。この昇降ヘッド130は、プローブ基板41を保持する移動ステージ150を囲むように設けられた架台110に支持されており、移動ステージ150に対してZ軸方向に昇降することが可能となっている。また、塗布ユニット132及び照射ユニット133は、特に図示しないアクチュエータにより、昇降ヘッド130に対して図中のY軸方向を中心として回転することが可能となっている。
The
カメラユニット140は、例えば、下方を撮像可能なように設けられたCCDカメラを有している。このカメラユニット140は、昇降ヘッド130とは独立して架台110に取り付けられており、XY方向に沿って移動することが可能となっている。
The
移動ステージ150は、プローブ基板41を把持可能なチャック(不図示)を有しており、そのプローブ基板41をX軸方向及びY軸方向に沿って移動させることが可能となっていると共に、Z軸を中心としたθ方向にプローブ基板41を回転させることが可能となっている。
The moving
以下に、上述したコンタクタ製造装置を用いてシリコンフィンガコンタクタ50をプローブ基板41に実装する方法について、図10A〜図10Cを参照しながら説明する。図10A〜図10Cは本発明に係るコンタクタの製造方法の実施形態における第1〜第3工程を示す図である。
Hereinafter, a method of mounting the
先ず、カメラユニット140が移動ステージ150上に載置されたプローブ基板41を撮像し、昇降ヘッド130に対するプローブ基板41の相対位置を認識する。そして、移動ステージ150が移動して、塗布ユニット132の吐出口がプローブ基板41の所定位置に対向したら、昇降ヘッド130がZ軸方向に下降する。
First, the
次いで、図10Aに示すように、塗布ユニット132がプローブ基板41上の所定位置に接着剤43を塗布する。接着剤43がプローブ基板41上に塗布されたら、カメラユニット140が、その塗布位置43、及び、移動ステージ150上に載置されているシリコンフィンガコンタクタ50を撮像して、塗布位置43及びシリコンフィンガコンタクタ50の位置及び姿勢を認識する。
Next, as shown in FIG. 10A, the
次に、吸着ユニット141は、移動ステージ150上に載置されたシリコンフィンガコンタクタ50を吸着保持し、移動ステージ150が移動してシリコンフィンガコンタクタ50がプローブ基板41上の塗布位置43に対向したら、図10Bに示すように、昇降ヘッド130がZ軸方向に下降する。
Next, the suction unit 141 sucks and holds the
この下降の際、測定ユニット134がプローブ基板41に対するシリコンフィンガコンタクタ50の高さを測定している。そして、プローブ基板41に対するシリコンフィンガコンタクタ50の高さがゼロとなったら、測定ユニット134は、昇降ヘッド130のZ軸方向への下降を停止させる。
During the lowering, the
シリコンフィンガコンタクタ50がプローブ基板41上の塗布位置43に位置決めされたら、図10Cに示すように、その状態で照射ユニット133が塗布位置43に向かってレーザ光を照射する。この際、シリコンフィンガコンタクタ50のベース部51及び梁部53は、波長が1200nm以上の電磁波を透過するので、照射ユニット133から照射されたレーザ光はシリコンフィンガコンタクタ50自体を透過する。一方、プローブ基板41は、波長1200nm以上の電磁波を透過しないので、照射ユニット133から照射されたレーザ光により加熱される。この加熱により、基板41上に塗布されている接着剤43が熱硬化して、シリコンフィンガコンタクタ50がプローブ基板41に実装される。
When the
なお、接着剤43自体が1200nm以上の波長の電磁波を透過しない場合には、照射ユニット133から照射されたレーザ光により接着剤43自体が加熱されて熱硬化することで、シリコンフィンガコンタクタ50がプローブ基板41に実装される。
When the adhesive 43 itself does not transmit electromagnetic waves having a wavelength of 1200 nm or more, the adhesive 43 itself is heated and thermally cured by the laser light emitted from the
以上のように、本実施形態では、プローブ基板41に接着剤を塗布して、その塗布位置43にシリコンフィンガコンタクタ50を位置決めした後に、コンタクタ50においてシリコンから構成されるベース部51及び梁部53を介して、塗布位置43に、波長が1200nm以上のレーザ光を照射する。この1200nm以上の波長のレーザ光により塗布位置の基板41が加熱されて接着剤43が熱硬化し、又は、1200nm以上の波長のレーザ光により接着剤43自体が熱硬化する。これにより、基板41に塗布された接着剤43においてコンタクタ50により影になってしまう部分も十分も硬化させることができる。また、レーザ光照射後にオーブンへ投入する工程が不要であるので、コンタクタ50を基板41に短時間で実装することができる。
As described above, in this embodiment, after applying an adhesive to the
ところで、硬化した接着剤をガラス転移点以上に加熱すると、接着剤を軟化させることができる。そのため、本実施形態では、シリコンフィンガコンタクタ50を修理や交換する際に、対象となるシリコンフィンガコンタクタ50を固定している接着剤に、波長が1200nm以上のレーザ光を照射することで、そのコンタクタ50のみを基板41から取り外すことができる。
By the way, when the cured adhesive is heated to the glass transition point or higher, the adhesive can be softened. Therefore, in this embodiment, when repairing or exchanging the
なお、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。 The embodiment described above is described for facilitating the understanding of the present invention, and is not described for limiting the present invention. Therefore, each element disclosed in the above embodiment is intended to include all design changes and equivalents belonging to the technical scope of the present invention.
1…電子部品試験装置
10…テストヘッド
40…プローブカード
41…プローブ基板
43…接着剤
50…シリコンフィンガコンタクタ
51…ベース部
53…梁部
54…導電部
100…コンタクタ実装装置
110…架台
120…真空ポンプ
130…昇降ヘッド
131…吸着ユニット
131a…吸着面
131b…通路
131c…段差部
132…塗布ユニット
133…照射ユニット
134…計測ユニット
140…カメラユニット
150…移動ステージ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Electronic
Claims (12)
前記基板に接着剤を塗布する塗布ステップと、
前記基板上において前記接着剤が塗布された位置に、前記コンタクタを位置決めする位置決めステップと、
前記基板に塗布された前記接着剤に向かって、波長が1200nm以上の光を照射する照射ステップと、を備え、
前記コンタクタは、波長が1200nm以上の光を透過する材料から構成される透過部分を有しており、
前記照射ステップにおいて、前記透過部分を介して、前記接着剤に向かって波長が1200nm以上の光を照射するコンタクタの実装方法。 A contactor mounting method for mounting a contactor in electrical contact with an input / output terminal of the electronic device under test when testing the electronic device under test,
An application step of applying an adhesive to the substrate;
A positioning step of positioning the contactor at a position where the adhesive is applied on the substrate;
An irradiation step of irradiating light having a wavelength of 1200 nm or more toward the adhesive applied to the substrate,
The contactor has a transmission part made of a material that transmits light having a wavelength of 1200 nm or more,
In the irradiation step, a contactor mounting method of irradiating light having a wavelength of 1200 nm or more toward the adhesive through the transmission portion.
前記基板に前記接着剤により固定されるベース部と、
後端側が前記ベース部に設けられ、先端側が前記ベース部から突出している梁部と、
前記梁部の表面に形成され、前記被試験電子部品の入出力端子に電気的に接触する導電部と、を有し、
前記ベース部及び前記梁部は、シリコンから構成されている請求項1〜5の何れかに記載のコンタクタの実装方法。 The contactor is
A base portion fixed to the substrate by the adhesive;
A rear end side provided on the base portion, and a front end side projecting from the base portion;
A conductive portion formed on the surface of the beam portion and in electrical contact with an input / output terminal of the electronic device under test;
The contactor mounting method according to claim 1, wherein the base part and the beam part are made of silicon.
前記基板の所定位置に接着剤を塗布する塗布手段と、
前記コンタクタを保持する保持手段と、
前記コンタクタに対して前記基板を相対移動させて、前記基板上において前記接着剤が塗布された位置に前記コンタクタを位置決めする移動手段と、
波長が1200nm以上の光を照射する照射手段と、を備え、
前記照射手段は、前記基板上に位置決めされた前記コンタクタにおいて、波長が1200nm以上の光を透過する材料から構成される透過部分を介して、前記接着剤に向かって波長が1200nm以上の光を照射するコンタクタ実装装置。 A contactor mounting device for mounting a contactor on a substrate in electrical contact with an input / output terminal of the electronic device under test when testing the electronic device under test,
Application means for applying an adhesive to a predetermined position of the substrate;
Holding means for holding the contactor;
Moving means for positioning the contactor at a position where the adhesive is applied on the substrate by moving the substrate relative to the contactor;
Irradiating means for irradiating light having a wavelength of 1200 nm or more,
The irradiating means irradiates light having a wavelength of 1200 nm or more toward the adhesive through a transmission portion made of a material that transmits light having a wavelength of 1200 nm or more in the contactor positioned on the substrate. Contactor mounting device.
前記基板に前記接着剤により固定されるベース部と、
後端側が前記ベース部に設けられ、先端側が前記ベース部から突出している梁部と、
前記梁部の表面に形成され、前記被試験電子部品の入出力端子に電気的に接触する導電部と、を有し、
前記ベース部及び前記梁部は、シリコンから構成されている請求項7〜11の何れかに記載のコンタクタ実装装置。 The contactor is
A base portion fixed to the substrate by the adhesive;
A rear end side provided on the base portion, and a front end side projecting from the base portion;
A conductive portion formed on the surface of the beam portion and in electrical contact with an input / output terminal of the electronic device under test;
The contactor mounting apparatus according to claim 7, wherein the base portion and the beam portion are made of silicon.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007070602A JP2008232722A (en) | 2007-03-19 | 2007-03-19 | Contactor mounting method and contactor mounting apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007070602A JP2008232722A (en) | 2007-03-19 | 2007-03-19 | Contactor mounting method and contactor mounting apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008232722A true JP2008232722A (en) | 2008-10-02 |
Family
ID=39905710
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007070602A Pending JP2008232722A (en) | 2007-03-19 | 2007-03-19 | Contactor mounting method and contactor mounting apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008232722A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012506028A (en) * | 2008-10-17 | 2012-03-08 | パック テック−パッケージング テクノロジーズ ゲーエムベーハー | Test contact positioning and contact equipment |
WO2017121542A1 (en) * | 2016-01-14 | 2017-07-20 | Pac Tech - Packaging Technologies Gmbh | Method for placing and making contact with a test contact |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6363773A (en) * | 1986-09-04 | 1988-03-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Bonding method |
WO2007000799A1 (en) * | 2005-06-27 | 2007-01-04 | Advantest Corporation | Contactor, contact structure with the contactor, probe card, testing device, contact structure producing method, and contact structure producing apparatus |
-
2007
- 2007-03-19 JP JP2007070602A patent/JP2008232722A/en active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6363773A (en) * | 1986-09-04 | 1988-03-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Bonding method |
WO2007000799A1 (en) * | 2005-06-27 | 2007-01-04 | Advantest Corporation | Contactor, contact structure with the contactor, probe card, testing device, contact structure producing method, and contact structure producing apparatus |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012506028A (en) * | 2008-10-17 | 2012-03-08 | パック テック−パッケージング テクノロジーズ ゲーエムベーハー | Test contact positioning and contact equipment |
KR101610424B1 (en) * | 2008-10-17 | 2016-04-08 | 파크 테크-파카징 테크놀로지이스 게엠베하 | Device for positioning and contacting test contacts |
WO2017121542A1 (en) * | 2016-01-14 | 2017-07-20 | Pac Tech - Packaging Technologies Gmbh | Method for placing and making contact with a test contact |
US10914759B2 (en) | 2016-01-14 | 2021-02-09 | PAC Tech—Packaging Technologies GmbH | Method for placing and contacting a test contact |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4171513B2 (en) | Contactor, contact structure including the contactor, probe card, and test apparatus | |
JPWO2009013809A1 (en) | Contactor, probe card, and contactor mounting method. | |
JP2006173503A (en) | Probe card, manufacturing method therefor, and alignment method | |
KR102338324B1 (en) | Inspection jig, board inspection apparatus, and manufacturing method of inspection jig | |
JP4343256B1 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
KR100910217B1 (en) | Probe bonding apparatus and method using the same | |
US20100078206A1 (en) | Process of Positioning Groups of Contact Structures | |
JP2008232722A (en) | Contactor mounting method and contactor mounting apparatus | |
KR100910218B1 (en) | Probe bonding apparatus and method using the same | |
KR100857224B1 (en) | Manufacturing apparatus of probe card using laser and method using the same | |
CN111751586B (en) | Multi-needle structure probe body and probe card | |
KR20210058641A (en) | Probe array and Probe head manufacturing method of the probe card using the same | |
TWI381167B (en) | The method of assembling the contact | |
TWI416112B (en) | Substrate inspection method and substrate inspection device | |
US20120161806A1 (en) | Probe manufacturing method, probe structure, probe apparatus, and test apparatus | |
JP2001077160A (en) | Tester for semiconductor substrate | |
JP2004245669A (en) | Probe card and its manufacturing method, probe apparatus, probe testing method, and manufacturing method of semiconductor device | |
CN111751585B (en) | Probe card | |
JPH09159694A (en) | Lsi test probe | |
JP4492976B2 (en) | Semiconductor device | |
KR100972995B1 (en) | Method for bonding probe | |
JP2004245671A (en) | Probe card and its manufacturing method, probe apparatus, probe testing method, and manufacturing method of semiconductor device | |
KR20100027736A (en) | Method for bonding probe | |
JPH1152000A (en) | Inspection device and inspection method for printed wiring board | |
JP4406218B2 (en) | Inspection device provided with probe, and positioning method by positioning mechanism of inspection device provided with probe |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100215 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111006 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111011 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120221 |