JP2008229716A - Method and device for laser scribing, and cleaved substrate cleaved using the same method or the same device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、レーザ光を用いて、ガラス板、セラミック板などの脆性材料製板を被割断基板として切断するための方法およびその装置に関する。 The present invention relates to a method and an apparatus for cutting a brittle material plate such as a glass plate or a ceramic plate as a substrate to be cut using a laser beam.
レーザスクライブ処理をするにあたり、最適のレーザビーム状態でスクライブ処理をしなければ、スクライブ処理後の実際に被割断基板を割断する際に適正な外力にて、スクライブ線とおり、うまく割断できないなど適正なスクライブ処理ができない場合がある。 When performing the laser scribing process, if the scribing process is not performed in the optimum laser beam state, the appropriate cutting force can be used to properly cleave the substrate to be cut after the scribing process. The scribe process may not be possible.
また、スクライブ処理する際の、レーザビーム状態が過大のパワーで照射されたりした場合、スクライブ処理のレベルを超越して、不必要に被割断基板が割断工程前に実際に不必要に割断してしまう現象が生じ、被割断基板を製造する工程のスクライブ処理工程の品質が保てなくなるなど、製造工程全体の品質、製造工程を乱すなど、問題を生じる。 In addition, if the laser beam state is irradiated with excessive power during the scribing process, the level of the scribing process is exceeded, and the substrate to be cut is actually cut unnecessarily before the cutting process. As a result, the quality of the entire manufacturing process and the manufacturing process are disturbed. For example, the quality of the scribing process for manufacturing the substrate to be cut cannot be maintained.
次に、レーザスクライブ装置を用いて被割断基板に割断前の工程としてのスクライブ処理をおこなうにあたり、被割断基板のスクライブ処理時の温度のコントロールが重要である。スクライブ処理時の被割断基板の温度が高すぎる場合には、被割断基板そのものの膨張や歪みによって、正しいスクライブ線を描くことが難しくなる。従い、本発明に於いては、被割断基板のスクライブ処理時の温度管理が十分できる様に配慮されている。 Next, when performing a scribing process as a pre-cleaving process on a substrate to be cut using a laser scribing device, it is important to control the temperature during the scribing process of the substrate to be cut. When the temperature of the substrate to be cut at the time of the scribing process is too high, it becomes difficult to draw a correct scribe line due to the expansion and distortion of the substrate to be cut. Therefore, in the present invention, consideration is given so that the temperature can be sufficiently controlled during the scribing process of the substrate to be cut.
また、被割断基板に照射するレーザビームの形状、レーザパワーを制御できる機能を本発明は具備している。 In addition, the present invention has a function of controlling the shape and laser power of the laser beam applied to the substrate to be cut.
前記、最適なレーザビームの照射パワーに制御することができなければ、被割断基板のスクライブ処理工程の品質維持に欠陥を生じ、製造工程全体を乱すなど、問題を生じていた。 If it is not possible to control the irradiation power of the laser beam to an optimum value, there is a problem in that the quality of the scribe processing process for the substrate to be cut is defective and the entire manufacturing process is disturbed.
また、被割断基板のスクライブ処理時の温度制御が十分なされていることが、スクライブ予定線に沿った正しい位置にスクライブ線を加工することができると考えられる。 In addition, it is considered that the scribe line can be processed at a correct position along the planned scribe line if the temperature control during the scribe process of the substrate to be cut is sufficiently performed.
また、スクライブ処理時に被割断基板に与えるレーザビームパワーが強すぎてもダメージを起こし、問題になる。その問題を解決するために、被割断基板にレーザビームが照射に対し、集光手段に工夫を加えた。 Further, if the laser beam power applied to the substrate to be cut at the time of the scribing process is too strong, it causes damage and becomes a problem. In order to solve the problem, the condensing means was devised for the laser beam irradiated to the substrate to be cut.
被割断基板にスクライブ処理を行うにあたっては、被割断基板の性質によって、最適な深さのスクライブ線を得る為には、初亀裂生成時に被割断基板との距離を制御する必要がある。 When the scribing process is performed on the substrate to be cut, it is necessary to control the distance from the substrate to be cut when the initial crack is generated in order to obtain a scribe line having an optimum depth depending on the properties of the substrate to be cut.
本発明では、上記の被割断基板への最適なスクライブ処理を安定的に実施するための方法と装置について装置が具備し、その製造方法が最適な状態の中で、行える様にした。 In the present invention, an apparatus is provided for a method and apparatus for stably performing the optimum scribing process on the substrate to be cut, and the manufacturing method can be performed in an optimum state.
すなわち、レーザスクライブ装置のレーザ照射する場合に、まず、そのレーザのパワーが被割断基板に最適なスクライブ処理ができる様に、安定したビームのパワーに調整して照射出来るように、前準備として、装置にレーザパワーを測定手段とを備え、被割断基板に対して実スクライブ処理を開始する前に、レーザ発振手段から、予め設定されたレーザスクライブ処理に最適のレーザパワーに調整する為に、そのパワーを当ててパワーのレベルが最適であるかどうか事前に確認する為に、備えられたレーザパワー測定手段にレーザ発振手段からレーザを発振して、レーザパワーを測定しながら、最適なレーザパワーに調整する。 That is, when performing laser irradiation of a laser scribing device, first, as preparation, so that the laser power can be adjusted to a stable beam power so that the optimal scribing process can be performed on the substrate to be cut, In order to adjust the laser power from the laser oscillation means to the optimum laser power for the preset laser scribing process before starting the actual scribing process on the substrate to be cut, In order to confirm in advance whether the power level is optimum by applying power, the laser power is oscillated from the laser oscillation means to the laser power measurement means provided, and the laser power is measured while measuring the laser power. adjust.
このことによって、安定した被割断基板への割断工程前のスクライブ処理工程を実施することができる。 This makes it possible to carry out a scribing process before the cutting process for a stable substrate to be cut.
さらに、被割断基板に対して、最適なレーザスクライブ処理をおこなう為に、レーザーパワーの調整だけでなく、そのスクライブ予定線の線上をずれることなくスクライブ線が加工されることが重要である。その正しいスクライブ線を加工出来るように、そのレーザビームの光路が最適な方向に向かって照射されることが大切であるが、そのレーザビームの出射方向を選択変更できる機能を持たせ、レーザビームのパワーの調整に合わせ同時にそのレーザビームの出射方向を選択変更できる機能を具備した。 Furthermore, in order to perform an optimal laser scribing process on the substrate to be cut, it is important not only to adjust the laser power but also to process the scribe line without shifting the line of the planned scribe line. In order to process the correct scribe line, it is important to irradiate the optical path of the laser beam in the optimum direction. The laser beam emission direction can be selected and changed simultaneously with the power adjustment.
次に、レーザスクライブ処理時に、被割断基板そのものの温度管理が可能な様に、損せられているレーザ発振手段とともに、被割断基板の表面温度計測手段を備え、スクライブ加工中の被割断基板の表面温度を計測出来るようにしている。 Next, in order to be able to control the temperature of the substrate to be cut itself during the laser scribing process, the surface temperature measuring means of the substrate to be cut is provided along with the laser oscillation means that has been damaged, The surface temperature can be measured.
また、予め、最適なスクライブ処理ができる温度を設定登録しておき、加工予定温度と下降中の温度と比較して、加工予定温度に成るようにレーザパワーを制御して、処理を行うことによって、スクライブ処理の品質を確保を可能としている。 In addition, by setting and registering the temperature at which the optimum scribing process can be performed in advance, the processing is performed by controlling the laser power so as to reach the planned processing temperature compared to the processing temperature and the temperature during the descent. It is possible to ensure the quality of the scribing process.
次に、被割断基板にスクライブ処理をして、最適なスクライブ線を加工し、その後の割断工程にて所望の位置で割断が行われる様に、被割断基板へ照射するレーザビームの集光手段について、最適な状態に成る様に、工夫した。 Next, a laser beam condensing unit that irradiates the substrate to be cut so that the substrate to be cut is scribed, an optimum scribe line is processed, and the cutting is performed at a desired position in the subsequent cutting step. We devised it to become the most suitable state.
被割断基板に対する加熱ビームは、X方向に細く、Y方向に長くなっている。X方向はレーザから出射された後のビームに対して細い。従い、レーザ光を集光させるために、集光手段が用いられる。本発明では集光手段として、凸型の面をもつ透過材料を用いる。 The heating beam for the substrate to be cut is thin in the X direction and long in the Y direction. The X direction is narrower than the beam after being emitted from the laser. Accordingly, a condensing means is used to condense the laser light. In the present invention, a transmission material having a convex surface is used as the light collecting means.
レンズ通過後のレーザビームは、レンズから所定の距離で集光し、極めて細いビームとなる。この集光点で被割断基板を加熱すると、エネルギー密度が高すぎるため、該基板に対してダメージがでる。そのため、集光点をずらした場所、つまりは、レンズと集光点の間に被割断基板を配置することが必要となる。しかし、この場合、吸着テーブル上の被割断基板が載置されていない部分に、集光点が重なる場合がある。吸着テーブル上にレーザが集光されると、吸着テーブルにダメージが生じてしまうので、本発明では、レンズと被割断基板との間に集光点が出来る様に設計した。 The laser beam after passing through the lens is condensed at a predetermined distance from the lens and becomes a very thin beam. When the substrate to be cut is heated at this condensing point, the energy density is too high, and the substrate is damaged. For this reason, it is necessary to dispose the substrate to be cleaved at a location where the focal point is shifted, that is, between the lens and the focal point. However, in this case, the condensing point may overlap a portion on the suction table where the substrate to be cut is not placed. When the laser is focused on the suction table, the suction table is damaged. Therefore, the present invention is designed so that a focusing point is formed between the lens and the substrate to be cut.
集光手段として、凸型の面を持つ透過材料だけでなく、表面が平面でない反射材料、具体的には、凹型の面を持つ反射材料が例示できる。この反射材料は、他の平面ミラーと同じく、金属(銅やアルミやシリコン)上に、金属(金や銀、銅、アルミなど)や誘電体多層膜がコーティングされたものが使用される。 Examples of the condensing means include not only a transmissive material having a convex surface but also a reflective material having a non-planar surface, specifically, a reflective material having a concave surface. The reflective material is a metal (copper, aluminum, silicon) coated with a metal (gold, silver, copper, aluminum, etc.) or a dielectric multilayer film on the same as other flat mirrors.
レーザスクライブ処理を行う上でのレーザビームの集光手段については、少なくとも1つ以上の集光手段を配備し、前記集光手段と被割断基板との距離を変更する手段とを備え、被割断基板上でのビーム形状を変更可能としている。また、少なくとも1つ以上の集光手段と、前記集光手段と被割断基板との距離を変更する手段とを備え、被割断基板上でのビームのパワー密度(単位面積あたりのパワー)を変更可能とした。 A laser beam condensing unit for performing laser scribing processing is provided with at least one condensing unit, and a unit for changing the distance between the condensing unit and the substrate to be cleaved, The beam shape on the substrate can be changed. In addition, at least one condensing means and means for changing the distance between the condensing means and the substrate to be cut are provided, and the power density (power per unit area) of the beam on the substrate to be cut is changed. It was possible.
スクライブ線の初亀裂生成手段と、初亀裂生成手段と被割断基板との距離を変更する手段と、前記距離を計測する手段とを備え、初亀裂生成前に、前記距離を計測するようにしている。 A scribe line initial crack generating means, a means for changing the distance between the initial crack generating means and the substrate to be cut, and a means for measuring the distance are provided, and the distance is measured before the initial crack generation. Yes.
上記の様に、被割断基板の割断加工を進めるに当たっては、その前工程のスクライブ処理工程において、最適の深さや、真直性を維持できることによって、被割断基板を割断する工程前のスクライブ処理において、最適のスクライブ処理が行えることによって、被割断基板の割断の製造工程を安定的に稼働させることが、出来るように装置を具備した。 As described above, in proceeding with the cleaving process of the substrate to be cut, in the scribing process of the previous step, by maintaining the optimum depth and straightness, in the scribing process before the step of cleaving the substrate to be cut, The apparatus is provided so that the optimum scribing process can be performed to stably operate the cutting process of the substrate to be cut.
スクライブ処理時の被割断基板の表面温度を計測し、且つ、予め設定登録された温度に被割断基板の表面温度をレーザビームパワーを制御して最適の温度を維持することによって、被割断基板の歪みなどをなくし、品質の良いスクライブ線を描くことができる。 By measuring the surface temperature of the substrate to be cut at the time of the scribing process, and maintaining the optimum temperature by controlling the laser beam power to the surface temperature of the substrate to be cut to the preset and registered temperature, It can eliminate distortion and draw good quality scribe lines.
本発明では、レンズと被割断基板との間に集光点が出来る様に設計した。この様にすれば、吸着テーブル上にレーザビームが照射されることにより発生する問題が無くなる。 In this invention, it designed so that a condensing point might be made between a lens and a to-be-cleaved board | substrate. In this way, the problem that occurs when the suction table is irradiated with the laser beam is eliminated.
また、被割断基板にスクライブ処理を施す場合、その初亀裂生成時、初亀裂生成手段と被割断基板との距離を最適な状態に調整する必要がある。その為に本発明では、前記距離を計測し、且つ、変更することが可能な構成としている。 Further, when a scribing process is performed on the substrate to be cut, it is necessary to adjust the distance between the initial crack generating means and the substrate to be cut to an optimum state when the initial crack is generated. Therefore, in the present invention, the distance can be measured and changed.
レーザースクライブ装置について図1を用いて説明する。 A laser scribing apparatus will be described with reference to FIG.
レーザースクライブ装置1は、本体部2、制御盤ボックス30、テーブル部4、アライメント部5、スクライブヘッド部6の各ユニットから構成される。
The laser scribing
本体部2は、本体フレーム21、サブフレーム211、カバー212などを含む部材にて構成され、制御盤ボックス30、操作部31、テーブル部4、アライメント部55、スクライブヘッド部6を含み、それぞれ配置されている。
The
次に、図2に示す様に、本体部2には、メンテナンス用カバーフレーム22が付随する。このメンテナンス用カバーフレーム22は、装置内部と装置外部とを区分けするカバー222やフレームなどの部材から構成される。
Next, as shown in FIG. 2, the
このメンテナンス用カバーフレーム22は、一部が装置の外装カバーであり、一部は装置外装カバーとオーバーラップした形で構成されている。そのメンテナンス時の状態を図3に示す。
A part of the
装置稼働時、メンテナンス用カバーフレーム22は、装置設置面積を最小状態にすることを考慮に入れ、符号224で示す様に装置外装カバーと重なり合う様に配置されている。
When the apparatus is in operation, the
装置メンテナンス時、メンテナンス用カバーフレーム22は、装置外装カバーとオーバーラップする部分225が最小になる様に配置され、装置内部に作業者が入って作業をすることが可能となる様に、設計されている。
During equipment maintenance, the
次に、制御盤ボックス30には、制御用機器と呼ばれる機器として、数値演算装置(いわゆるパソコンやPLC、シーケンサ、NCコントローラなど)、ブレーカ、リレー、モータアンプ、変圧器、直流電源装置、ノイズフィルタ、信号入力ユニット、信号出力ユニット、A/D変換ユニット、モータ位置決めユニット、信号カウンタ、タイマー等を含む機器が接続され、収納されている。これらの機器は装置内機器レイアウト上の都合により、適宜制御盤外に配置される場合がある。
Next, in the
操作部31は、図2に示す様に、レーザスクライブ装置1のカバー212に情報表示部、情報入力部として構成され、設置されている。
As shown in FIG. 2, the operation unit 31 is configured and installed as an information display unit and an information input unit on the
情報入力部は、情報入力手段としてキーボード332、操作SW(マウス)などを含む機器にて構成される。
The information input unit is composed of devices including a
情報表示部は、情報出力手段をも兼ね、情報表示器331や表示ランプなどを含む機器にて構成される。
The information display unit also serves as an information output unit, and is configured by devices including an
情報入力部のキーボード332はレーザスクライブ装置1の数値演算装置と接続され、オペレータからの動作指令や設定値を入力したり、登録する役割を持つ。
The
情報出力部は、情報入力部と同様、情報表示部が兼ね、レーザスクライブ装置1の数値演算装置と接続され、オペレータに装置や装置内の機器の状態や情報を伝える役割を持つ。
情報出力手段は上記の他に、ブザーやスピーカ、表示メーターなどが適宜使用可能である。
Similar to the information input unit, the information output unit also serves as an information display unit and is connected to the numerical arithmetic unit of the
In addition to the information output means, a buzzer, a speaker, a display meter, etc. can be used as appropriate.
テーブル部4は、図1及び図4に示す様に、被割断基板10を載置するテーブル本体部43を移動させるステージ部43−aとを含む部材にて構成される。ステージ部43−aは、水平方向(図1に矢印で示す、X(左右)411・Y(前後)413方向)に移動可能なように、XY2軸直交した駆動部41と、鉛直方向を中心軸にして水平方向(図1の矢印に示すθ方向)に回転可能なように、θ軸回転部415とを含み、ステージ部43−aと本体フレーム21に取り付けられている。
As shown in FIGS. 1 and 4, the table unit 4 is configured by a member including a stage unit 43-a that moves a table
ステージ部43−aには巻取カバー42が設置される場合がある。この巻取カバー42は、ステージ部43−aの1軸に付き2つ取り付けられる。それぞれの巻取カバー42は、ステージ部43−aの動作に合わせて伸縮可能で、外部からステージ内部への異物の混入を防ぐ役割を持つ。 A winding cover 42 may be installed on the stage unit 43-a. Two winding covers 42 are attached to one axis of the stage portion 43-a. Each take-up cover 42 can be expanded and contracted in accordance with the operation of the stage portion 43-a, and has a role of preventing foreign matter from entering the inside of the stage from the outside.
テーブル本体部43は、吸着テーブル431と中間プレートを含む。吸着テーブル431はXY方向に平坦で、被割断基板10が載置可能な形状をしている。
The table
吸着テーブル431には、被割断基板10と接する部分の一部に、吸着溝と呼ばれる溝や、吸着孔孔と呼ばれる孔が設けられ、真空気室434や図示しない配管ホースや配管継手などを介して真空ポンプへ連通されている。吸着テーブル431に載置された被割断基板10は、吸着溝や吸着孔を負圧にすることで吸着テーブル431と密着し、吸着テーブル431が高速で移動しても位置ずれを起こすことがなくなる。
The suction table 431 is provided with a groove called a suction groove or a hole called a suction hole in a part of a portion in contact with the
吸着テーブル431とテーブル本体部43との間に図示しないが、中間プレートが配備され、複数のネジや留め具を介して取り付けられる。中間プレートのネジや留め具は、吸着テーブル431の水平度や平坦度調整のために用いられる。
Although not shown between the suction table 431 and the table
吸着テーブル431は、吸着サブテーブルと呼ばれる部材を設ける場合がある。 The suction table 431 may be provided with a member called a suction subtable.
吸着サブテーブル440は、被割断基板10と吸着テーブル431との間に配置され、吸着テーブル431に取り付けられる。 The suction sub-table 440 is disposed between the substrate to be cut 10 and the suction table 431 and is attached to the suction table 431.
吸着サブテーブル440は被割断基板10の一部だけが接触する形状をしている。
The suction sub-table 440 has a shape in which only a part of the
吸着サブテーブル440が被割断基板10を支持する位置は、被割断基板10の外周部又は四隅などが例示でき、さらには、場合により被割断基板10の中央部又はそれ以外の場所も例示できる。 The position where the suction sub-table 440 supports the substrate to be cut 10 can be exemplified by the outer peripheral portion or the four corners of the substrate to be cut 10, and further, the center portion of the substrate to be cut 10 or other places can also be exemplified.
また、吸着テーブル431には、図示しない排気パンが設置されている。
排気パンには、配管チューブ、ミストセパレータなどを介してブロワなどの負圧吸引装置に連通されている。スクライブヘッド6内のノズルから噴射されるミストは、排気パンを通じて回収し、吸着テーブル上にミストが残らない様に構成されている。
The suction table 431 is provided with an exhaust pan (not shown).
The exhaust pan communicates with a negative pressure suction device such as a blower via a piping tube, a mist separator, and the like. The mist ejected from the nozzle in the
アライメント部5は、カメラ部52、カメラ駆動部521にて構成されている。カメラ部52は、撮像カメラ521、レンズ、照明などを含む機器にて構成される。撮像カメラ521としては、CCDカメラ、CMOSカメラなどが使用される。
The
撮像カメラ521は、被割断基板10上の一部のマーク若しくは被割断基板10の姿勢や外郭部を観察する機能がある。撮像カメラ55と画像処理部とは信号ケーブルを介して接続されており、撮像カメラ521で観察された画像が画像処理部へ伝送される。画像処理部へ伝送された画像は、適宜、情報表示部331に出力される。
The
レンズは、被割断基板10上の一部のマーク若しくは被割断基板10の外郭部の像を撮像カメラ521上に結像させる役目を持つ。
The lens serves to form an image of a part of the mark on the
照明は、被割断基板10上の一部のマーク若しくは被割断基板10の外郭部を明るくし、撮像カメラ521で観察しやすい明るさにする役目を持つ。照明は、LED光源、ハロゲン光源、メタルハライド光源、白色電球、蛍光灯などを含み、明るさを調節する調光手段を配備する場合もある。
The illumination serves to brighten some marks on the substrate to be cut 10 or the outer portion of the substrate to be cut 10 so that the image can be easily observed by the
カメラ駆動部55は、カメラ固定部、ステージ部などを含む部材にて構成される。画像処理部は、パソコンに搭載して使用する画像処理ボードや汎用の画像処理装置などを含む機器にて構成される。
The
スクライブヘッド部6は、図6に示す様に、イニシエータ部61、レーザ加熱部7そしてミスト冷却部8にて構成される。
As shown in FIG. 6, the
イニシエータ部61は、スクライブホイール65、ホイールヘッド部63にて構成される。ホイールヘッド部63には、ピン64を介して、スクライブホイール65が取り付けられている。ピン64は円筒状をしているため、スクライブホイール65はホイールヘッド65内で落下や位置擦れを起こさない様に、回転可能になっている。
The
ホイールヘッド部63には、スクライブホイール65が被割断基板10のなす平面方向(XY方向)に対して鉛直方向(当該装置の場合のZ方向)に移動可能な様に、Z軸位置決め機構622が配置されている。
The wheel head portion 63 includes a Z-
レーザ加熱部は、レーザ発振器71、ミラー部73、レンズ部75、レーザ制御部77にて構成される。レーザ発振器71は本体フレーム21に取り付けられている。レーザ発振器71には炭酸ガスレーザ(CO、CO2レーザ)が使用される。レーザ発振器71から出射されたビームはミラーやレンズを介して、被割断基板10に照射される。ミラー部73は、レーザ発振器71から出射されたレーザビームの方向を変えるために、適宜の枚数が用いられる。レンズは少なくとも1つ以上を用い、レーザ発振器71から出射されたビームを被割断基板10に対して効率良く加熱できるような形状をしている。
The laser heating unit includes a
レンズを使用する替わりに、反射面が平面でないミラーを使用することで、レンズを使用した場合と同様に、被割断基板10に対して効率良く加熱することが可能である。ミラーは、レーザを効率良く反射する材料を使用することが望ましく、金属(銅やアルミ、シリコンなど)の上に金属(金や銀、銅、アルミなど)や誘電体多層膜がコーティングされたものが使用される。 Instead of using a lens, it is possible to efficiently heat the substrate to be cut 10 by using a mirror having a non-planar reflecting surface as in the case of using a lens. The mirror should be made of a material that reflects the laser efficiently. Metal (gold, silver, copper, aluminum, etc.) or a dielectric multilayer film is coated on the metal (copper, aluminum, silicon, etc.). Is used.
ミラー部73は、ミラー732とミラーホルダーとを含み自然冷却だけでなく、適宜冷却して使用する場合もある。ミラー732を冷却する手段としては、ミラー73やミラーホルダーに多数のフィンを接触させて冷却する空冷方式、ミラー73やミラーホルダーに接触させて所定の温度の水や流体を循環させるユニットにて冷却する水冷方式等がある。
The
レンズ部75は、レンズホルダー751、レンズ752を含み、レンズは、レーザを効率良く透過する材料を使用することが望ましく、炭酸ガスレーザの場合、ZnSe(セレン化亜鉛)やGe(ゲルマニウム)が使用される。レンズは、自然冷却だけでなく、適宜冷やして使用する場合もある。
The lens unit 75 includes a
レーザ制御部77は、所望のレーザ出力となるように、レーザ発振器71もしくはレーザ発振器71と接続されたアンプユニットに対して、パワー制御用の電気信号を出力する。アンプユニットは、レーザ発振器71に内蔵される場合と、レーザ発振器71とは隔てて設置される場合とがある。レーザ発振器71と隔てて設置されたアンプユニットは、適宜スクライブ装置1内部に設置される。パワー制御用の電気信号には、高周波パルスの電圧や直流電流などが使用される。
The
次にチラー714について述べる。レーザ発振器71やアンプユニットは、自然冷却以外に、強制的に冷却を必要とする場合が多い。レーザ発振器71を冷却する手段として、レーザ発振器71筐体の一部に多数の放熱フィンを取り付けた空冷方式が例示できる。空冷方式の場合、送風機を併用して冷却効率を上げるものがある。レーザを冷却する手段として、空冷方式の他に水冷方式が上げられる。水冷方式は、レーザー発振器71の筐体の温度を、外部から供給した冷水に熱を伝え、外部に放出する方式である。冷媒として、水以外にエチレングリコールを含む溶液や、油類などを含む方式も広義で含み、水冷方式と呼ぶものとする。
Next, the
図1、図4あるいは図6に示す様に、ミスト冷却部は、水供給部81、エア供給部、ノズル83とからなる。水供給部81は、本体フレーム21上の貯水タンク若しくは装置外部から供給される水を所定の圧力で送り出す、加圧ポンプやレギュレータなどの圧力調整手段と、送液チューブにて構成される。エア供給部は、装置外部のブロア26から供給されるエアを所定の圧力で送り出す、加圧ポンプやレギュレータなどの圧力調整手段と、配管チューブにて構成される。ノズル83は、水供給部より送られた水と、エア供給部82より送られたエアを混合して霧状にして、被割断基板10に噴射される構造になっている。ノズル83は少なくとも1つ以上用いられ、複数使用する場合は、複数の水供給部が適宜配置される。
As shown in FIG. 1, FIG. 4 or FIG. 6, the mist cooling unit includes a
ミスト吸引部85は、吸引ノズル851、配管ホース、ミストセパレータ852、排気ファンにて構成される。吸引ノズル851はスクライブヘッド6内に配置され、配管ホースを通じて、ミストセパレータ、排気ファンと連通されている。ミストセパレータや排気ファンは、スクライブ装置本体2内の本体フレーム21上若しくはスクライブ装置外部に配置される。ミストセパレータは、排気エア中の水分を分離し、排気ファンの腐食を防止する役割がある。排気ファンは、吸引ノズル851先端部分を負圧にし、かつ所定の流量のエアを吸引するために用いられる。排気ファンには、軸流ファン、遠心ファン、斜流ファンなどが用いられるが、真空ポンプを用いることも出来る。
The
ミスト噴霧領域の制限機構について述べる。ミスト冷却部のノズル83から供給されるミストは、被割断基板10に直接噴霧されるだけでなく、所定の形状で所定の面積を持った開口部を設けた板を通過させて噴霧することもできる。該板を通過させると、ミストの噴霧エリアは、直接噴霧する場合よりも狭くすることができる。
The mechanism for limiting the mist spray area will be described. The mist supplied from the
次に、図5に示す様に、ビーム照射位置の変更について述べる。ミラー、レンズの内、少なくとも一つは、位置を変えることが可能で、ビーム入射方向をZ方向とした場合に、Z方向と直交する1軸もしくは2軸方向(いわゆるX方向及び/又はY方向)に位置変更が可能なように配置されている。ミラー及び/又はレンズの位置を変更することにより、被割断基板10に照射されるレーザビームの照射位置を変更することができる。X方向及び/又はY方向の位置変更手段として、図示していない直動式アクチュエータが上げられ、シリンダや回転モータとボールネジ、リニアモータなどで構成される。この直動式アクチュエータは、制御用機器と接続されていて、適宜位置決めが可能である。 Next, as shown in FIG. 5, the change of the beam irradiation position will be described. At least one of the mirror and the lens can be changed in position, and when the beam incident direction is the Z direction, it is a uniaxial or biaxial direction orthogonal to the Z direction (so-called X direction and / or Y direction). ) So that the position can be changed. By changing the position of the mirror and / or the lens, it is possible to change the irradiation position of the laser beam irradiated to the substrate to be cut 10. As the position changing means in the X direction and / or the Y direction, a direct-acting actuator (not shown) is raised, and includes a cylinder, a rotary motor, a ball screw, a linear motor, and the like. This direct acting actuator is connected to a control device and can be appropriately positioned.
また、ビーム形状については、レンズの内、少なくとも一つは、位置を変えることが可能で、被割断基板10との距離が変更可能なように配置されている。レンズの位置を変えることにより、被割断基板10に照射されるレーザビームの寸法が変化する。レンズの位置変更手段として、直動式アクチュエータが上げられ、シリンダや回転モータとボールネジ、リニアモータなどで構成される。この直動式アクチュエータは、制御用機器と接続されていて、適宜位置決めが可能である。 As for the beam shape, at least one of the lenses is arranged so that the position thereof can be changed and the distance from the substrate to be cut 10 can be changed. By changing the position of the lens, the dimension of the laser beam irradiated onto the substrate to be cut 10 is changed. As a lens position changing means, a direct-acting actuator is raised, and is composed of a cylinder, a rotation motor, a ball screw, a linear motor, and the like. This direct acting actuator is connected to a control device and can be appropriately positioned.
パワーメータ72は、レーザ発振器から出射されたレーザのパワー測定手段として、レーザスクライブ装置1の内部に設置されている。パワーメータ72は、本体部2筐体とレーザ受光部724と温度センサ部と制御部とを含む。レーザ受光部70はレーザを受光し、温度センサ部にて電気信号が出力され、制御ボード77にて増幅処理やフィルタ処理がなされる。レーザ部7のレーザ発振器から出射されたレーザビームは、被割断基板10に照射されない時に、パワーメータヘッド部のレーザ受光部に照射される。レーザ発振器から出射されたビームが被割断基板10に照射されるか、パワーメータに照射されるかは、ミラーの位置や角度を変更することで選択可能である。ミラーの位置や角度を変更する手段として、直動式アクチュエータ、回転式アクチュエータが上げられる。このアクチュエータは制御用機器77と接続されていて、適宜位置決めが可能である。パワーメータ72で計測された計測値は、電気信号に変換して出力され、制御ボード77に入力される。照射されるレーザビームのパワーに応じて、パワーメータ72から電気信号が出力されるので、制御用機器側でレーザビームのパワーを計測することが出来る。
The
パワーメータ用チラー726について述べる。パワーメータ72のヘッドには、冷却が不要なものと、冷却が必要なものとがある。パワーメータ72のヘッドを冷却する手段として、パワーメータ72のヘッド筐体の一部に多数の放熱フィンを取り付けた空冷方式が例示できる。空冷方式の場合、送風機を併用して冷却効率を上げるものがある。また、パワーメータ72のヘッドを冷却する手段として、空冷方式の他に水冷方式が上げられる。水冷方式は、パワーメータ72のヘッド筐体の温度を、外部から供給した冷水に熱を伝え、外部に放出する方式をからなる。冷媒として、水以外にエチレングリコールを含む溶液や、油類などを含む方式も広義で含み、いずれの水冷方式を用いても良い。水冷方式の場合、冷水供給源がレーザ発振器の冷却用とパワーメータ72のヘッド部の冷却用とが独立している場合と、共通の場合とがある。
The
基板変位センサ66は、スクライブヘッド6内部に設置されており、スクライブヘッド6と被割断基板10との距離を測定することができる。基板変位センサ66には、接触式または非接触式のものが使用される。基板変位センサ66で計測された計測値は、電気信号に変換して出力され、制御盤ボックス30内の制御用機器に入力される。スクライブヘッド6と被割断基板10との距離に応じて、基板変位センサから電気信号が出力されるので、制御用機器側で距離を計測することが出来る。
The
基板表面温度センサ781は、スクライブ装置1の内部に設置されている。基板表面温度センサ781を用いて、スクライブ装置1中の被割断基板10の表面温度を測定することができる。基板表面温度センサ781で計測された計測値は、電気信号に変換して出力され、制御盤ボックス30内の制御用機器に入力される。
The substrate
観察カメラ部について述べる。スクライブ装置1内やスクライブヘッド6内には、観察カメラが設置されている場合がある。観察カメラ部は、カメラ部、カメラ駆動部にて構成されている。カメラ部は、撮像カメラ、レンズ、照明などを含む機器にて構成される。撮像カメラには、CCDカメラ、CMOSカメラなどが用いられる。また、カメラ部は、被観察物上の一部若しくは全部の模様や姿勢や外郭部を観察する機能がある。カメラ部と画像処理部とは信号ケーブルを介して接続されており、撮像カメラで観察された画像が画像処理部へ伝送される。画像処理部へ伝送された画像は、適宜、情報表示部に出力される。レンズは、被割断基板10上の一部のマーク若しくは被割断基板10の外郭部の像を撮像カメラ上に結像させる役目を持つ。その場合の照明は、被割断基板10上の一部のマーク若しくは被割断基板10の外郭部を明るくし、撮像カメラで観察しやすい明るさにする役目を持つ。照明は、LED光源、ハロゲン光源、メタルハライド光源、白色電球、蛍光灯などを含み、明るさを調節する調光手段を持つ場合もある。
The observation camera section will be described. An observation camera may be installed in the
レーザスクライブ装置1には、局所クリーンユニットと呼ばれるクリーンエア供給手段が設置される場合がある。また、必要に応じて、装置内の空気を外部に排出する排気ブロワが設置される。
The
次に、上記装置を用いて、被割断基板10にレーザスクライブ処理をおこなう方法について説明する。 Next, a method for performing a laser scribing process on the substrate to be cut 10 using the above apparatus will be described.
被割断基板10としては、携帯用情報端末やパソコン用モニタ、薄型TVなどの、FPD(Flat Panel Display)に使用されるガラス板等を例示できる。 Examples of the substrate to be cut 10 include glass plates used for FPD (Flat Panel Display) such as portable information terminals, personal computer monitors, and thin TVs.
FPD用ガラス板は、マザーガラスと呼ばれる大型の基板サイズで各種製造工程を通った後、最終製品のサイズのパネル単位に切り出される。ガラス板の材料として、ソーダライムガラスや無アルカリガラスと呼ばれる材料等が例示できる。 The glass plate for FPD passes through various manufacturing processes with a large substrate size called mother glass, and is then cut out in panel units of the final product size. Examples of the material for the glass plate include materials called soda lime glass and non-alkali glass.
まず被割断基板10を吸着テーブルに載置し、吸着させる。 First, the substrate to be cut 10 is placed on the suction table and sucked.
被割断基板10の表面にアライメントマークが配置されていない場合、被割断基板10の外形基準でアライメントを行う方法を選択することができる。被割断基板10の外形基準の方法としては、テーブル部43に刻印された目印や線を参考に作業者が位置を調整する方法や、テーブル部43上に位置決め基準となる突起を配置してガラス板をそれに沿わせる方法などが挙げられる。
When the alignment mark is not arranged on the surface of the substrate to be cut 10, a method of performing alignment based on the outer shape reference of the substrate to be cut 10 can be selected. As a method for reference of the outer shape of the
被割断基板10表面にアライメントマークが配置されている場合、吸着テーブル431に対して被割断基板10が多少ずれた状態で載置されていても構わない。 When the alignment mark is arranged on the surface of the substrate to be cut 10, the substrate to be cut 10 may be placed in a state slightly deviated from the suction table 431.
アライメントマークをアライメントカメラにて読み取り、被割断基板10のずれ量を制御盤ボックス30の数値演算装置にて演算する。数値演算装置は、被割断基板10のずれ量とテーブルの位置情報を元に、被割断基板10の姿勢を正すための補正演算を行う。被割断基板10を載置したテーブル41は、被割断基板10の厚み測定位置へ移動し、スクライブヘッド部6と被割断基板10の表面との距離を測定する。制御装置は測定した距離情報を元に、イニシエータ61の高さを調節する。
The alignment mark is read by the alignment camera, and the deviation amount of the substrate to be cut 10 is calculated by the numerical calculation device of the
テーブル部43はスクライブ処理開始位置へ所定の速度で移動する。テーブル部43の移動中に、イニシエータ61によって被割断基板10の端面の表面部に極めて小さな亀裂が形成される。この小さな亀裂が、レーザスクライブ処理の開始点となる。
The
レーザ発振器7からスクライブヘッド6に対してレーザビームが照射される。レーザビームはスクライブヘッド6内のレンズにてスクライブ処理に最適なビーム形状に成形され、被割断基板10の表面に照射される。被割断基板10は、レーザが照射されつつ所定の速度で移動しているので、スクライブ予定線111に対して連続的に加熱される。この時、被割断基板10表面には圧縮応力が生じる。
A laser beam is applied to the
被割断基板10は、レーザで加熱された直後、ミスト冷却部8のノズル83からミストが噴霧され、冷却される。この時、被割断基板10の表面には引張応力が生じる。
Immediately after the
上記で述べた、加熱と冷却のサイクルにより、被割断基板10表面には圧縮と引張の応力変化が起きる。この圧縮と引張の応力変化は被割断基板10の移動に伴って、連続的に行われる。
このとき、イニシエータ61にて形成した被割断基板10の端面の表面部の小さな亀裂が連続的に拡がる。この連続した亀裂がスクライブ線112である。尚、このスクライブ線112は通常目視では認識できない。
Due to the heating and cooling cycle described above, changes in compressive and tensile stress occur on the surface of the
At this time, small cracks in the surface portion of the end surface of the substrate to be cut 10 formed by the
事前に登録したスクライブ処理条件情報に基づき、被割断基板10基板上の所定の位置に対して、スクライブ処理を行う。必要に応じて、被割断基板10の姿勢を変え、スクライブ処理を行う。上記動作を必要回数繰り返すことにより、格子状にスクライブ線を形成する。 Based on pre-registered scribing process condition information, a scribing process is performed on a predetermined position on the substrate to be cut 10. If necessary, the posture of the substrate to be cut 10 is changed, and a scribing process is performed. By repeating the above operation as many times as necessary, scribe lines are formed in a lattice shape.
被割断基板10基板を装置外に取り出し、次にスクライブ処理する被割断基板10をテーブルに載置する。
The
被割断基板10からなる貼合せ基板は片面ずつスクライブ処理する必要があるので、第1面をスクライブ処理した後、被割断基板10を表裏反転し、第2面をスクライブヘッド6側に向けて載置する。スクライブ装置1に反転機構が付属している場合は、被割断基板10を反転機構で反転させた後、テーブル部43に載置する。スクライブ処理処理が完了した被割断基板10基板は、スクライブ線に沿って必要な外力を加えて割断され、短冊化もしくは個片化される。
Since the bonded substrate made of the substrate to be cut 10 needs to be scribed on each side, after the first surface is scribed, the substrate to be cut 10 is turned upside down and the second surface is placed toward the
尚、短冊化とは、複数のパネルが列状に連なった状態であることを意味し、個片化とは、複数のパネルがそれぞれ個々に分離されている状態を意味する。 Stripping means that a plurality of panels are connected in a row, and singulation means a state where the plurality of panels are individually separated.
スクライブ線112に沿って曲げ応力が作用することで、亀裂が拡がり、被割断基板10基板が割断される。 When the bending stress acts along the scribe line 112, the crack spreads and the substrate to be cut 10 is cut.
レーザ部71のレーザ発信器713より出射されたレーザビーム701は、パワーメータ部72に照射される。パワーメータ部72には、反射材723と反射材の位置又は角度変更可能な位置変更手段又は角度変更手段が配置されている。反射材の例としては反射ミラー、角度変更手段としてはロータリーアクチュエータが挙げられる。反射ミラーの位置を変更する手段として、直動式アクチュエータが例示できる。
図6に、レーザパワー測定時の反射材の位置を示す。レーザ出射後のレーザビーム701は、反射材723で反射され、パワーメータ724に照射され、レーザ発振中にレーザパワーが測定可能である。
図7に、レーザスクライブ時の反射材の位置を示す。反射材723はレーザ出射後のレーザビーム701の光路上から外れ、パワーメータ部72の外側へ出射される。パワーメータ部72の外側へ出射されたレーザビーム701は、図1で示される様に、ミラー723で反射され、スクライブヘッド部6へと照射される。
前記のように反射材の位置や角度を変更可能にしたことにより、被割断基板に対してレーザを出射しない時に、レーザのパワー測定を行うことが出来る。また、装置停止中にも、レーザを連続発振することができるため、レーザの出力安定性や、ポインティングスタビリティと呼ばれるレーザ照射位置の安定性を高めることが可能となる。
The
FIG. 6 shows the position of the reflector at the time of laser power measurement. The
FIG. 7 shows the position of the reflective material during laser scribing. The reflecting
Since the position and angle of the reflector can be changed as described above, the laser power can be measured when the laser is not emitted to the substrate to be cut. Further, since the laser can be continuously oscillated even when the apparatus is stopped, it is possible to improve the output stability of the laser and the stability of the laser irradiation position called pointing stability.
また、被割断基板の表面温度計測手段を用いて予め設定された温度に制御するという発明に於いては、
図4に示す様に、スクライブヘッド部6に基板表面温度センサ781が載置されている。基板表面温度センサでは、レーザで加熱された後の被割断基板の表面温度を計測可能な様に載置されている。基板表面温度センサ781は、図示していないが、制御部3に接続されている。
Further, in the invention of controlling to a preset temperature using the surface temperature measuring means of the substrate to be cut,
As shown in FIG. 4, a substrate
基板表面温度センサ781としては、被割断基板の表面から発せられる熱放射を捉えることができる赤外線検知式ものを用いた。
As the substrate
前記手段で計測された表面温度は、被割断基板にレーザを照射する際に、制御部3内の数値演算装置によって、予め設定した出力指令値と比較することが可能な機能を配備している。前記表面温度と出力指令値とを比較した結果、ずれがある場合は、そのずれ量を最小にすべく、出力指令値を補正を行った。例えば、表面温度の方が出力指令値より高い場合、表面温度が低くなる様に出力指令値を下げ、逆に、表面温度の方が出力指令値より低い場合、表面温度が高くなる様に出力指令値を上げた。この様な比較及び調整を繰り返すことにより、実際の加工中の温度が、加工予定温度に近づく様に、レーザパワーを調整した。
The surface temperature measured by the above means is provided with a function that can be compared with a preset output command value by a numerical arithmetic unit in the
次に、レーザビームの集光手段であるが、下記の様に構成されたもので、スクライブ処理を行った。 Next, a laser beam condensing unit, which is configured as follows, was subjected to a scribing process.
すなわち、図4で示す様に、被割断基板に対する加熱ビームは、X方向に細く、Y方向に長くなっている。X方向はレーザから出射された後のビーム702に対して細い。
レーザ光を集光させるために、集光手段が用いられるが、本発明では集光手段として、レンズを用いた。このレンズは、凸型の面をもつ透過材料からなるものを用いた。
That is, as shown in FIG. 4, the heating beam for the substrate to be cut is thin in the X direction and long in the Y direction. The X direction is narrower than the
In order to condense the laser beam, a condensing unit is used. In the present invention, a lens is used as the condensing unit. This lens was made of a transmissive material having a convex surface.
レンズ通過後のレーザビームは、レンズから所定の距離で集光し、極めて細いビームとなる。この集光点で被割断基板を加熱すると、エネルギー密度が高すぎるため、該基板に対してダメージを与えてしまう。そのため、集光点をずらした場所、つまりは、レンズと集光点の間に被割断基板を配置することが必要となる。しかし、この場合、吸着テーブル上の被割断基板が載置されていない部分に、集光点が重なる場合がある。その場合、吸着テーブル上にレーザが集光されると、吸着テーブルにダメージを与えてしまう問題が起きる。 The laser beam after passing through the lens is condensed at a predetermined distance from the lens and becomes a very thin beam. When the substrate to be cut is heated at this condensing point, the energy density is too high and the substrate is damaged. For this reason, it is necessary to dispose the substrate to be cleaved at a location where the focal point is shifted, that is, between the lens and the focal point. However, in this case, the condensing point may overlap a portion on the suction table where the substrate to be cut is not placed. In that case, if the laser is focused on the suction table, there arises a problem that the suction table is damaged.
本発明では、レンズと被割断基板との間に集光点が出来る様に設計したことにより、吸着テーブル上にレーザビームが照射され発生する問題が無くなった。 In the present invention, since the condensing point is designed to be formed between the lens and the substrate to be cut, there is no problem caused by the irradiation of the laser beam on the suction table.
集光手段として、凸型の面を持つ透過材料だけでなく、表面が平面でない反射材料、具体的には、凹型の面を持つ反射材料が例示できる。この反射材料は、他の平面ミラーと同じく、金属(銅やアルミやシリコン)上に、金属(金や銀、銅、アルミなど)や誘電体多層膜がコーティングされたものを使用した。 Examples of the condensing means include not only a transmissive material having a convex surface but also a reflective material having a non-planar surface, specifically, a reflective material having a concave surface. The reflective material used was a metal (copper, aluminum, silicon) coated with a metal (gold, silver, copper, aluminum, etc.) or a dielectric multilayer film on the same as other flat mirrors.
本発明では、集光手段と、前記集光手段と被割断基板との距離を変更する手段とを備え、被割断基板上でのビームのパワー密度(単位面積あたりのパワー)を変更可能とした。 In the present invention, the light collecting means and means for changing the distance between the light collecting means and the substrate to be cut are provided, and the power density of the beam on the substrate to be cut (power per unit area) can be changed. .
図8、9にて、レンズ位置変更について説明する。レーザから出射されたレーザビーム701はスクライブヘッド部6内に照射され、ミラー732e、732fで反射した後、レンズ通過前のレーザビーム702となり、第1の位置のレンズ763へ照射される。第1の位置のレンズ通過後のレーザビーム703は、第1の位置のレンズで成形された加熱ビーム705となり、被割断基板10上に照射される。ここで、被割断基板10と第1の位置のレンズ763との距離をL1とする。このときの被割断基板上のレーザビームは、図12で示されるプロファイル707を持つ。
The lens position change will be described with reference to FIGS. A
図8に示す様に、レンズは、レンズホルダーを介し、矢印761の方向に移動可能なレンズ位置変更手段762上に配置されている。このレンズ位置変更手段762は、スクライブヘッド上のベースプレート743上に配置されており、被割断基板に対して、レンズの位置を変更することが可能な構造とした。
As shown in FIG. 8, the lens is arranged on a lens position changing means 762 that can move in the direction of an
レンズ位置を移動させた後の状態を図9に示す。レンズ通過前のレーザビーム702は、第2の位置のレンズ764へ照射される。第2の位置のレンズ通過後のレーザビーム704は、第2の位置のレンズで成形された加熱ビーム706となり、被割断基板10上に照射される。ここで、被割断基板10と第2の位置のレンズ764との距離をL2とする。このときの被割断基板上のレーザビームは、図13で示されるプロファイル708を持つ。ここで言うプロファイルとは、レーザビームのエネルギー分布を表す。
FIG. 9 shows a state after the lens position is moved. The
図10に、レンズを2つ使用した場合の実施例を示す。レンズ通過前のレーザビーム702は、第1の位置のレンズ752bへ照射され、第1の位置のレンズ763bを通過したレーザビーム703は、第1の位置のレンズで成形された加熱ビーム705となり、被割断基板10上に照射される。ここで、被割断基板10と第1の位置のレンズ763bとの距離をL1、レンズ752bとレンズ763bとの距離をL3とする。
FIG. 10 shows an embodiment in which two lenses are used. The
レンズ位置を移動させた後の状態を図11に示す。
レンズ通過前のレーザビーム702は、第2の位置のレンズ752bへ照射され、第2の位置のレンズ764を通過したレーザビーム704は、第2の位置のレンズで成形された加熱ビーム706となり、被割断基板10上に照射される。ここで、被割断基板10と第1の位置のレンズ764との距離をL2、レンズ752bとレンズ764との距離をL4とする。
FIG. 11 shows a state after the lens position is moved.
The
これ以外にも、レンズ752bの位置を変更することも可能である。レンズの位置は、前記第1の位置、第2の位置だけではなく、種々あり、その都度変更可能である。レンズの位置変更に伴い、プロファイルが変わることは言うまでもない。
In addition, the position of the
前記にある全てのあるいは一部の機構や手段を備えたレーザスクライブ装置は、従来ある装置よりも高品質な製品を容易に製造できる様になった。 The laser scribing apparatus provided with all or a part of the mechanisms and means described above can easily produce a higher quality product than conventional apparatuses.
レーザスクライブ装置を用いて、被割断基板に、スクライブ処理を施す方法において、被割断基板としては、携帯用情報端末やパソコン用モニタ、薄型TVなどの、FPD(Flat Panel Display)に使用されるガラス基板等に摘要できる。 In a method of scribing a substrate to be cut using a laser scribing apparatus, the substrate to be cut is glass used for FPD (Flat Panel Display) such as a portable information terminal, a monitor for a personal computer, and a thin TV. It can be used as a substrate.
また、FPD用ガラス板は、マザーガラスと呼ばれる大型の基板サイズで各種製造工程を通った後、最終製品のサイズのパネル単位に切り出される。ガラス板の材料として、ソーダライムガラスや無アルカリガラスと呼ばれる材料が例示できる。 Moreover, the glass plate for FPD passes through various manufacturing processes with a large substrate size called mother glass, and is then cut out in panel units of the final product size. Examples of the glass plate material include so-called lime glass and non-alkali glass.
1 レーザスクライブ装置
10 被割断基板
111 スクライブ予定線
112 スクライブ線
2 本体部
30 制御盤ボックス
331 情報表示部
43 テーブル本体部
43−a ステージ部
431 吸着テーブル
440 吸着サブテーブル
55 カメラ駆動部
521 撮像カメラ
6 スクライブヘッド部
61 イニシエータ部
7 レーザ加熱部
701 レーザビーム
702 レーザビーム
704 レーザビーム
706 加熱ビーム
71 レーザ発信器
713 レーザヘッド
72 パワーメータ
721 シャッター機能
723 ミラー
724 受光部
752 レンズ
763 第1の位置のレンズ
764 第2の位置のレンズ
781 基板表面温度センサ
8 ミスト冷却部
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