JP2008227170A - 光モジュール - Google Patents

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Abstract

【課題】光強度モニタおよび波長モニタを可能とする光モジュールにおいて、光強度モニタの光強度を安定化させること。
【解決手段】光モジュールにおいて、半導体レーザ1から入射した光を少なくとも第1の光9および第2の光12を含む複数の光に分岐するプリズム6と、第1の光9が入射するように構成された波長フィルタ8と、波長フィルタ8を経由した光が入射するように構成された第1の受光素子11と、第2の光12が入射するように構成されるとともにプリズム6のいずれかの面に固着された第2の受光素子7と、を備える。
【選択図】図1

Description

本発明は光モジュールに関し、特に、光強度モニタ機能と波長モニタ機能とを備えた光モジュールに関する。
光モジュールの高機能化に伴い、半導体レーザの光出力は光強度モニタとしてのみならず、波長モニタ用としても利用されはじめている。このとき、光強度モニタおよび波長モニタのそれぞれに対して受光素子が用いられる。これらの受光素子は、光モジュールに対する小型のパッケージの内部に実装される。したがって、光モジュールの実装を簡易化し、製造時におけるトレランスを大きくする上で、これらの受光素子その他の内蔵部品をパッケージに対していかに配置するかが重要となっている。
例えば、非特許文献1において、図7に示す光モジュールが開示されている。半導体レーザ1の前方出力4は、レンズ2および光アイソレータ22を通過後、さらにレンズ21を介して、光ファイバ23へと導かれる。一方、半導体レーザ1の後方出力5は、レンズ3でコリメートされた後、プリズム16によって、後方出力12および後方出力9に分岐する。光強度モニタ用の後方出力12は、そのまま受光素子7の受光面に入射する。波長モニタ用の後方出力9は、エタロンフィルタ8を介して、もう一方の受光素子11の受光面に入射する。
また、特許文献1の図5において、半導体レーザの出力を光路分割素子で分岐し、一方の分岐光中に受光素子を配置して半導体レーザの光強度モニタに使用すると同時に、他方の分岐光中に波長選択素子を配置し、その後に波長モニタ用の受光素子を置いて波長選択された光を受光する構成が開示されている。
さらに、特許文献2の図1において、図8に示す光モジュールが開示されている。半導体レーザ1の前方出力4は、光ファイバ19へと導かれる。一方、半導体レーザ1の後方出力5は、光学素子17の光学素子入射面18より入射し、光路を変えて光学素子17の上面に配置された受光素子7の受光面に入射する。ここでは、光学素子17で光路を変えられた後方出力5は分岐されることなく、受光素子7の受光面に入射する。
特開2001−284711号公報(図5) 特開2004−047531号公報(図1) IEEE PTL,Vol.15,No.3,P1041−1135
非特許文献1において開示された構造(図7参照)においては、後方出力9がエタロンフィルタ8によって反射された後、光モジュール内で散乱されることによって生じた迷光の一部が、光強度モニタ用の受光素子7に入射する。すなわち、光強度モニタのための光強度が不安定化するという問題がある。
特許文献1の図5に示された構造においても、非特許文献1と同様に、光強度モニタ用の受光素子への迷光の入射が起こり得る。
したがって、光強度モニタおよび波長モニタを可能とする光モジュールにおいて、光強度モニタにおける光強度を安定化させることが課題となる。
本発明の第1の視点に係る光モジュールは、半導体レーザから入射した光を少なくとも第1および第2の光を含む複数の光に分岐するプリズムと、前記第1の光が入射するように構成された波長フィルタと、前記波長フィルタを経由した光が入射するように構成された第1の受光素子と、前記第2の光が入射するように構成されるとともに前記プリズムのいずれかの面に固着された第2の受光素子と、を備えたことを特徴とする。
本発明の光モジュールによって、光強度モニタ用の受光素子(第2の受光素子)への迷光の入射を防ぐことができるため、光強度モニタにおける光強度を安定化させることが可能となる。
本発明の実施の形態に係る光モジュールについて、図面を参照して説明する。
図1を参照すると、本発明の実施の形態に係る光モジュールは、半導体レーザ1から入射した光を少なくとも第1の光9および第2の光12を含む複数の光に分岐するプリズム6と、第1の光9が入射するように構成された波長フィルタ8と、波長フィルタ8を経由した光が入射するように構成された第1の受光素子11と、第2の光12が入射するように構成されるとともにプリズム6のいずれかの面に固着された第2の受光素子7と、を備える。
また、第2の受光素子7が固着されたプリズム6の面は、半導体レーザ1の設置面14と平行となるように構成されることが好ましい。
第2の受光素子7は、半導体レーザ1の設置面14と平行なプリズム6の上面にマウントされるため、平面実装の実現が可能となり、光モジュールの組立てを簡便化することができる。
さらに、図4および5を参照すると、前記波長フィルタ8を経由した光が入射するように構成されるとともに入射した光を半導体レーザ1の設置面と平行な出射面へ屈折する光学素子30をさらに備え、前記第1の受光素子11が、前記光学素子30における前記出射面に固着されて構成されることが好ましい。
第1の受光素子11も、半導体レーザ1の設置面14と平行な光学素子30の上面にマウントされるため、平面実装の実現が可能となり、光モジュールの組立てをさらに簡便化することができる。
前記波長フィルタ8は、エタロンフィルタであることが好ましい。
ここで、エタロンフィルタとは、平行に配置された2つの反射面間の多重干渉を利用した分光素子であり、繰り返し波長選択性を備える。波長フィルタとして、エタロンフィルタを利用することによって、複数の異なる波長に対する波長検出が可能となる。
図1は、本発明の第1の実施例に係る光モジュールの平面図および側面図である。
プリズム6の上面に光強度モニタ用の受光素子7がマウントされる。
例えば、波長モニタ機能付き光モジュールにおいて、半導体レーザ1の後方出力5をモニタするために、図1のようにプリズム6上に光強度モニタ用の受光素子7を配置する。
半導体レーザ1の後方出力5は、レンズ3でコリメートされる。そして、後方に配置されたプリズム6で後方出力12と後方出力9とに分岐される。
プリズム6で分岐された半導体レーザの後方出力12は、プリズム6上部に配置された光強度モニタ用の受光素子7の受光面に入射する。
一方、プリズム6で分岐された波長モニタ用の後方出力9はエタロンフィルタ8を介して、後方に配置された受光素子キャリア10上の受光素子11に入射する。
半導体レーザの前方出力4は半導体レーザ1の前方に配置されたレンズ2、光アイソレータ22およびレンズ21を介して光ファイバ23に導かれる。
通常、これらの要素は、ペルチェクーラ14上に搭載され、半導体レーザの動作を安定させるために、温度調節して使用される。さらに、これらの要素は気密封止が可能なパッケージ15内に封入される。
半導体レーザ1の光出力は、前方出力4と後方出力5とに分けて、前後に取り出される。半導体レーザ1の光出力は所定の放射角で広がるため、レンズにより集光またはコリメート(平行光)状態を作り出す必要がある。
図1の実施例では、半導体レーザ1の後方出力5をレンズ3により平行光にし、後方に配置されたプリズム6へ入射する。入射した平行光はプリズム6により2方向に分岐し、一方はプリズム6上面の受光素子7の受光面に入射し、他方の分岐光線はプリズム6の後方に配置されたエタロンフィルタ8を通して後方の受光素子11の受光面に入射する。
プリズム6の上面に配置された受光素子7で検出される受光電流は半導体レーザ1の光強度のモニタ用信号として利用される。一方、エタロンフィルタ8は波長に依存した透過特性を有するため、エタロンフィルタ8を通過後に受光素子11で検出された受光電流は波長モニタ用の信号として利用される。
図7に示した非特許文献1の光モジュールでは、2つの受光素子7および11は同一の受光素子キャリア10上に実装されている。
そのため、それぞれの受光素子に入射する光強度を最適化することは出来ず、一方への入射光強度を高くしようとすると、もう一方の受光素子への入射光強度は下がってしまう。
また、それぞれの受光素子7、11への入射光強度は、受光素子キャリア10の実装位置、受光素子キャリア10上の2つの受光素子7および11の実装位置、更に半導体レーザ1の後方に配置されたプリズム16の実装位置により変動してしまう。
本実施例では光強度モニタ用の受光素子7は、プリズム6の上面に配置されている。一方、波長モニタ用の受光素子11はプリズムの後方の受光素子キャリア10上に配置されている。したがって、受光素子7および11それぞれの実装位置は独立に制御することができる。
また、プリズム6の上面に配置された受光素子7は、プリズム6上に施されたメタライズ部にマウントされる(図6参照)。したがって、波長フィルタ8等で反射されて生じた迷光の受光素子7への入射を防ぐことができ、光強度モニタにおける光強度を安定化させることができる。
一方、特許文献2に開示された、図8に示す光モジュールでは、半導体レーザ1の後方出力5の光路を変更するのみであって、後方の光学素子17は分岐機能を有さないため、半導体レーザ1の後方出力5に複数のモニタ機能(例えば、光強度モニタおよび波長モニタ)を備えることができない。
しかし、本発明では光分岐機能を有した光学素子として、プリズム6を用いているため、光強度モニタと波長モニタを同時に実現することができる。
図2は、本発明の第2の実施例に係る光モジュールの平面図である。
半導体レーザ1の前方出力4はレンズ2、光アイソレータ22を通過後、図3に示した光分岐部24で光線26と29に分岐される。光強度モニタ用の光線29は、プリズム6の上面に配置された受光素子7の受光面に入射する。
光線26はプリズム25で光線27と光線28に分岐される。光線27はレンズ21を介して光ファイバ23に導かれる。
一方、波長モニタ用光線28はエタロンフィルタ8を通して、受光素子キャリア10上に配置された受光素子11の受光面に入射する。
図1に示した実施例1においては、半導体レーザ1の後方にプリズム6を配置した構造を有する。一方、図2に示した実施例2においては、半導体レーザ1の前方にプリズム6および25を配置する構造を有する。
近年、広帯域波長チューナブル半導体レーザとして、複数の活性層を有するDFB−Arrayレーザが提案されている。複数の活性層を有する場合には、半導体レーザの後方出力のモニタが困難になり、DFB−Arrayレーザの前方での出力モニタが必要となる。本発明の第2の実施例の構成に基づいて、前方出力モニタにも対応することができる。
図4は、本発明の第3の実施例に係る光モジュールの平面図である。
実施例3は、実施例2における構成に基づいて、2つの受光素子7および11のいずれも光学素子の上面に配置した例である。
図2で示した実施例2において、波長モニタ用光線28はプリズム25からエタロンフィルタ8を介して受光素子11受光面に入射した。図4の実施例においても同様に光線28はエタロンフィルタ8を介して、受光素子11の受光面に入射する。図5に波長モニタ部31の側面図を示す。図4の実施例ではエタロンフィルタ8を通過した光線28は、光学素子30で光路を変えられ、光学素子30の上面に配置された受光素子11の受光面に入射する。
図4に示した第3の実施例の光モジュールにおいては、光アクティブ素子、すなわち、半導体レーザ1ならびに受光素子7および11は全て、互いに平行な平面上に配置される。したがって、光モジュールの組立てを簡便化することができる。
以上説明したように、本発明に係る光モジュールによって以下の効果がもたらされる。
1.光モニタ用受光電流、波長モニタ用受光電流の強度ばらつきの低減
2.モジュール内実装の簡易化
3.平面実装の実現
本発明の第1の実施例に係る光モジュールの平面図(a)および側面図(b)である。 本発明の第2の実施例に係る光モジュールの平面図である。 図2の光分岐部の側面図である。 本発明の第3の実施例に係る光モジュールの平面図である。 図4の波長モニタ部の側面図である。 受光素子がプリズムの上面にマウントされる様子を示した図である。 非特許文献1に開示された従来技術に係る光モジュールの平面図である。 特許文献2に開示された従来技術に係る光モジュールの側面図である。
符号の説明
1 半導体レーザ
2、3、21 レンズ
4 前方出力
5、9、12 後方出力
6、25 プリズム
7、11 受光素子
8 波長フィルタ(エタロンフィルタ)
10 受光素子キャリア
14 ペルチェクーラ
15 パッケージ
16 プリズム
17、30 光学素子
18 光学素子入射面
19、23 光ファイバ
20 Si基板
22 光アイソレータ
24 光分岐部
26、27、28、29 光線
31 波長モニタ部

Claims (4)

  1. 半導体レーザから入射した光を少なくとも第1および第2の光を含む複数の光に分岐するプリズムと、
    前記第1の光が入射するように構成された波長フィルタと、
    前記波長フィルタを経由した光が入射するように構成された第1の受光素子と、
    前記第2の光が入射するように構成されるとともに前記プリズムのいずれかの面に固着された第2の受光素子と、を備えたことを特徴とする光モジュール。
  2. 前記第2の受光素子が固着された前記プリズムの面が、半導体レーザの設置面と平行となるように構成されたことを特徴とする、請求項1に記載に光モジュール。
  3. 前記波長フィルタを経由した光が入射するように構成されるとともに入射した光を半導体レーザの設置面と平行な出射面へ屈折する光学素子をさらに備え、
    前記第1の受光素子が、前記光学素子における前記出射面に固着されたことを特徴とする請求項1または2に記載の光モジュール。
  4. 前記波長フィルタがエタロンフィルタであることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の光モジュール。
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