JP2008227137A - Electrostatic countermeasure component and light-emitting diode module using the same - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a small-sized, highly strong electrostatic countermeasure component having the excellent heat radiation property and a light-emitting diode module using the same. <P>SOLUTION: The electrostatic countermeasure component comprises a ceramic sintered compact having a ceramic substrate 12, a varistor part 10 formed thereon except for a part of a non-formation part 18 and a glass ceramic layer 14 formed further thereon, a pair of terminal electrodes 13a, 13b provided on the ceramic substrate 12 of the ceramic sintered compact with a part thereof exposed on the non-formation part 18, a pair of external electrodes 16a, 16b and a heat conductor part 15 provided through the upper and lower sides of the ceramic substrate 12. The light-emitting diode module comprises a light-emitting diode element mounted on the heat conductor part 15 in the non-formation part 18 of the electrostatic countermeasure component. Since the heat conductor part 15 is provided, the electrostatic countermeasure component and the light-emitting diode module radiate efficiently the heat emitted by the loaded parts. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、各種電子機器に用いられる静電気対策部品およびこれを用いた発光ダイオードモジュールに関するものである。   The present invention relates to an anti-static component used in various electronic devices and a light emitting diode module using the same.

近年、携帯電話等の電子機器の小型化、低消費電力化は急速に進み、それに伴い電子機器の回路を構成する各種電子部品の耐電圧は低下してきている。   In recent years, electronic devices such as mobile phones have been rapidly reduced in size and power consumption, and accordingly, the withstand voltage of various electronic components constituting the circuit of the electronic device has been reduced.

そのため、人体と電子機器の導通部が接触したときに発生する静電気パルスなどによる各種電子部品、特に半導体デバイスの破壊による電子機器の故障トラブルが増えてきている。   Therefore, troubles of electronic devices due to destruction of various electronic components, particularly semiconductor devices, due to electrostatic pulses generated when the conductive part of the human body and the electronic device contact each other are increasing.

また、半導体デバイスの一種である発光ダイオードは、白色系の青色ダイオードの発達に伴い、ディスプレイデバイスのバックライトや小型カメラのフラッシュ等に用いられるなど、幅広い普及が見込まれている。しかしながら、これら白色系の発光ダイオードは静電気パルスに対する耐電圧が低く問題になりつつある。   In addition, light-emitting diodes, which are a type of semiconductor device, are expected to be widely spread, such as being used for backlights for display devices and flashes for small cameras, with the development of white blue diodes. However, these white light emitting diodes are becoming problematic due to their low withstand voltage against electrostatic pulses.

従来、このような発光ダイオードの静電気パルスへの対策としては、静電気が入るラインとグランド間にバリスタやツェナーダイオードのような非直線抵抗特性を有する電子部品を介在させることによって静電気パルスをグランドにバイパスさせ、発光ダイオードに印加される高電圧を抑制する方法が行われている。   Conventionally, as countermeasures against static electricity pulses of such light emitting diodes, electrostatic pulses are bypassed to the ground by interposing electronic components having non-linear resistance characteristics such as varistors and Zener diodes between the static electricity line and the ground. In other words, a method of suppressing a high voltage applied to the light emitting diode has been performed.

なお、発光ダイオードを静電気パルスから保護するために、バリスタやツェナーダイオードを用いた先行技術文献情報としては、例えば、特許文献1が知られている。
特開2002−335012号公報
For example, Patent Document 1 is known as prior art document information using a varistor or a Zener diode in order to protect the light emitting diode from electrostatic pulses.
JP 2002-335012 A

しかしながら、上記従来の発光ダイオードとバリスタやツェナーダイオードとを組み合わせた構成では、発光ダイオードとバリスタやツェナーダイオードとを基板等の他の部材を介して接続したものであり、一体化していないため小型化が困難である。   However, in the configuration in which the conventional light emitting diode is combined with the varistor or Zener diode, the light emitting diode is connected to the varistor or Zener diode through another member such as a substrate and is not integrated, so the size is reduced. Is difficult.

また、発光ダイオードの発光量をより大きくするためには、より大きな電流を流す必要がある。しかし、流す電流量が大きくなればなる程、発光ダイオード自体の発熱が起こる。そして、この熱によって発光ダイオードが劣化し、発光効率の低下や寿命が短くなるといった結果を招くことになる。したがって、発光ダイオードの発光効率を下げず、寿命劣化を防ぐためには、発光ダイオードが発する熱を効率よく逃がす必要がある。しかしながら、比較的小型のパッケージ形状にしたチップタイプのものは、放熱機構がなく外装に樹脂を用いているため発光ダイオード素子の発する熱を効率よく逃がすことが困難である。   Further, in order to increase the light emission amount of the light emitting diode, it is necessary to flow a larger current. However, as the amount of current flowing increases, the light emitting diode itself generates heat. This heat deteriorates the light emitting diode, resulting in a decrease in light emission efficiency and a shortened life. Therefore, it is necessary to efficiently release the heat generated by the light emitting diodes in order to prevent deterioration of the life without reducing the light emitting efficiency of the light emitting diodes. However, a chip type chip having a relatively small package shape has no heat dissipation mechanism and uses a resin for the exterior, so it is difficult to efficiently release the heat generated by the light emitting diode element.

本発明は上記課題を解決するもので、放熱性に優れた小型で高強度の静電気対策部品およびこれを用いた発光ダイオードモジュールを提供することを目的としている。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a small and high-strength antistatic component excellent in heat dissipation and a light emitting diode module using the same.

上記目的を達成するため、本発明は、セラミック基板とこのセラミック基板上にバリスタ層と内部電極とを交互に積層して形成したバリスタ部とさらにこのバリスタ部上に形成したガラスセラミック層とを備えたセラミック焼結体と、前記セラミック焼結体に設けた一対の端子電極と、前記内部電極および前記端子電極に接続する一対の外部電極と、前記セラミック焼結体を貫通する熱伝導体部とを有し、前記バリスタ部および前記ガラスセラミック層は、前記セラミック基板の一部の非形成部分を除いて形成してなり、前記端子電極は、その一部を前記非形成部分に表出させて前記セラミック基板上に形成してなり、前記熱伝導体部は、前記セラミック基板の前記非形成部分に形成してなる静電気対策部品とした。   To achieve the above object, the present invention includes a ceramic substrate, a varistor portion formed by alternately laminating varistor layers and internal electrodes on the ceramic substrate, and a glass ceramic layer formed on the varistor portion. A ceramic sintered body, a pair of terminal electrodes provided on the ceramic sintered body, a pair of external electrodes connected to the internal electrode and the terminal electrode, and a heat conductor portion penetrating the ceramic sintered body, The varistor part and the glass ceramic layer are formed excluding a part of the ceramic substrate that is not formed, and the terminal electrode is exposed to the part that is not formed. It was formed on the ceramic substrate, and the heat conductor portion was an antistatic component formed on the non-formed portion of the ceramic substrate.

また、本発明は、発光ダイオードを、上記の静電気対策部品の熱伝導体部に搭載し前記発光ダイオードの端子と前記静電気対策部品の端子電極とを電気的に接続して実装した発光ダイオードモジュールとした。   The present invention also provides a light emitting diode module in which a light emitting diode is mounted on the heat conductor portion of the above-mentioned antistatic component and the terminals of the light emitting diode and the terminal electrode of the antistatic component are electrically connected. did.

本発明の静電気対策部品によれば、バリスタ機能を内蔵した小型で高強度の静電気対策部品が実現できるとともに、発光ダイオードなどの電子部品素子を搭載実装した場合には、セラミック基板上のバリスタ部およびガラスセラミック層を形成していない非形成部分である凹部に、電子部品素子を搭載できるので、モジュールの薄型化が実現できる。また、熱伝導体部を設け、この部分に電子部品素子を搭載できるので、搭載した部品が発する熱を効率的に放熱することができるという作用効果を有する。   According to the anti-static component of the present invention, a small and high-strength anti-static component with a built-in varistor function can be realized, and when an electronic component element such as a light emitting diode is mounted and mounted, the varistor portion on the ceramic substrate and Since the electronic component element can be mounted in the concave portion which is a non-formed portion where the glass ceramic layer is not formed, the module can be thinned. Further, since the heat conductor portion is provided and the electronic component element can be mounted on this portion, there is an effect that heat generated by the mounted component can be efficiently radiated.

さらに、端子電極はその一部を非形成部分に表出させてセラミック基板上に形成しているので、電子部品素子と電気的に接続する端子電極の面と電子部品素子の搭載面とがほぼ平面となり、電子部品素子のフリップチップ実装が可能になるという効果を有する。   Furthermore, since the terminal electrode is formed on the ceramic substrate with a part thereof exposed to the non-formed part, the surface of the terminal electrode electrically connected to the electronic component element and the mounting surface of the electronic component element are almost the same. As a result, the electronic component element can be flip-chip mounted.

また、本発明の発光ダイオードモジュールによれば、静電気対策部品のバリスタ部で発光ダイオードが静電気パルスから保護されるので耐静電気パルス性に優れ、さらに、熱伝導体部で発光ダイオードが発する熱を効率的に放熱することができるので放熱性に優れ発光効率が良く、また、セラミック基板上のバリスタ部およびガラスセラミック層を形成していない非形成部分である凹部に発光ダイオードを搭載するので、モジュールを薄型化でき、小型、薄型で実用的な発光ダイオードモジュールが実現できる。   Further, according to the light emitting diode module of the present invention, since the light emitting diode is protected from the electrostatic pulse by the varistor portion of the antistatic component, it has excellent anti-static pulse resistance, and further, the heat conductor efficiently generates the heat generated by the light emitting diode. Since the heat can be dissipated automatically, the heat dissipation is excellent, the light emission efficiency is good, and the light emitting diode is mounted in the concave portion on the ceramic substrate where the glass ceramic layer is not formed. It can be thinned, and a light-emitting diode module that is small, thin, and practical can be realized.

さらに、発光ダイオードをフリップチップ実装したものは、金属線を用いたワイヤボンディング法と異なり金属線の影が生じないため発光ムラがなく、より高い発光効率の発光ダイオードモジュールが実現できるという効果を有する。   Further, the flip-chip mounting of the light-emitting diode has the effect that, unlike the wire bonding method using the metal wire, the shadow of the metal wire does not occur, so there is no light emission unevenness, and a light-emitting diode module with higher light emission efficiency can be realized. .

以下、本発明を実施するための最良の形態について、図面に基づき詳細に説明する。   Hereinafter, the best mode for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

(実施の形態)
以下、一実施の形態を用いて、本発明の静電気対策部品および発光ダイオードモジュールについて説明する。図1は本発明の一実施の形態における静電気対策部品の外観斜視図、図2は本発明の一実施の形態における静電気対策部品の図1のA−A´での断面図、図3は本発明の一実施の形態における静電気対策部品の図1のB−B´での断面図、図4は本発明の一実施の形態における静電気対策部品の模式的分解斜視図である。図5は本発明の一実施の形態における発光ダイオードモジュールの断面図、図6は本発明の一実施の形態における発光ダイオードモジュールの等価回路図である。
(Embodiment)
Hereinafter, the antistatic component and the light emitting diode module of the present invention will be described using an embodiment. 1 is an external perspective view of an antistatic component in one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view of the antistatic component in the embodiment of the present invention taken along line AA 'in FIG. 1, and FIG. 1 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG. 1 of the antistatic component in one embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a schematic exploded perspective view of the antistatic component in one embodiment of the present invention. FIG. 5 is a cross-sectional view of a light emitting diode module according to an embodiment of the present invention, and FIG. 6 is an equivalent circuit diagram of the light emitting diode module according to an embodiment of the present invention.

図1、図2、図3、図4および図5において、10はバリスタ部、10a、10bおよび10cはバリスタ層、11aおよび11bは内部電極、12はセラミック基板、13aおよび13bは端子電極、14はガラスセラミック層、15は熱伝導体部、16aおよび16bは外部電極、17は外部熱伝導体部、18はバリスタ部およびガラスセラミック層を形成していない非形成部分、20は発光ダイオード素子である。   1, FIG. 2, FIG. 3, FIG. 4, and FIG. Is a glass ceramic layer, 15 is a heat conductor portion, 16a and 16b are external electrodes, 17 is an external heat conductor portion, 18 is a varistor portion and a non-formed portion where the glass ceramic layer is not formed, and 20 is a light emitting diode element. is there.

図1、図2、図3および図4に示すように、本実施の形態における静電気対策部品は、セラミック基板12と、このセラミック基板12の上に一部の非形成部分18を除いて、バリスタ層10a、10bおよび10cと内部電極11aおよび11bとを交互に積層して形成したバリスタ部10と、さらにこの上に積層して形成したガラスセラミック層14とを備えたセラミック焼結体を有し、このセラミック焼結体のセラミック基板12上にその一部を非形成部分18に表出させて一対の端子電極13aおよび13bを設け、内部電極11a、11bおよび端子電極13a、13bに接続する一対の外部電極16aおよび16bを設けるとともに、セラミック焼結体のセラミック基板12の非形成部分18に上下を貫通する熱伝導体部15を設け、さらにセラミック焼結体の下面に熱伝導体部15に接続する外部熱伝導体部17を設けたものである。内部電極11aおよび端子電極13aはセラミック焼結体の片端部に引き出すことで外部電極16aと電気的に接続し、内部電極11bおよび端子電極13bはセラミック焼結体のもう一方の片端部に引き出すことで外部電極16bと電気的に接続する構成としている。そして、本実施の形態における静電気対策部品に発光ダイオードなどの電子部品素子を搭載実装する場合には、セラミック焼結体のセラミック基板12の非形成部分18の熱伝導体部15が電子部品素子の搭載部分となり、端子電極13aおよび13bが電子部品素子との電気的接続部分となる。   As shown in FIGS. 1, 2, 3, and 4, the antistatic component in the present embodiment is a varistor except for a ceramic substrate 12 and a part of the ceramic substrate 12 that is not formed. A ceramic sintered body comprising a varistor portion 10 formed by alternately laminating layers 10a, 10b and 10c and internal electrodes 11a and 11b, and a glass ceramic layer 14 formed by laminating the varistor portion 10; A pair of terminal electrodes 13a and 13b are provided on the ceramic substrate 12 of the ceramic sintered body so that a part of the ceramic substrate 12 is exposed to the non-formed portion 18 and connected to the internal electrodes 11a and 11b and the terminal electrodes 13a and 13b. The external electrodes 16a and 16b are provided, and a heat conductor portion 15 penetrating vertically is formed in the non-formed portion 18 of the ceramic substrate 12 of the ceramic sintered body. Only, it is provided with a external heat conducting portion 17 further connected to the heat conducting portion 15 on the lower surface of the ceramic sintered body. The internal electrode 11a and the terminal electrode 13a are electrically connected to the external electrode 16a by being drawn out to one end portion of the ceramic sintered body, and the internal electrode 11b and the terminal electrode 13b are drawn to the other end portion of the ceramic sintered body. In this configuration, the external electrode 16b is electrically connected. When an electronic component element such as a light emitting diode is mounted on and mounted on the antistatic component in the present embodiment, the heat conductor portion 15 of the non-formed portion 18 of the ceramic substrate 12 of the ceramic sintered body is the electronic component element. The terminal electrodes 13a and 13b serve as mounting portions, and serve as electrical connection portions with the electronic component elements.

また、図5に示すように、本実施の形態における発光ダイオードモジュールは、本実施の形態における静電気対策部品のセラミック基板12の非形成部分18の熱伝導体部15の上に発光ダイオード素子20を搭載し、その一方の突起状のバンプ端子を端子電極13aに電気的に接続し、もう一方の突起状のバンプ端子を端子電極13bに電気的に接続しフリップチップ実装した構成としている。   Further, as shown in FIG. 5, the light emitting diode module according to the present embodiment includes the light emitting diode element 20 on the heat conductor portion 15 of the non-formed portion 18 of the ceramic substrate 12 of the antistatic component according to the present embodiment. It is configured such that one bump-shaped bump terminal is electrically connected to the terminal electrode 13a, and the other bump-shaped bump terminal is electrically connected to the terminal electrode 13b and flip-chip mounted.

そして、本実施の形態における発光ダイオードモジュールの回路は、図6に示す等価回路となる。図6において、201は内部電極11aおよび11bとバリスタ層10bとにより形成されたバリスタ、202および203は外部電極、204は発光ダイオードである。   And the circuit of the light emitting diode module in this Embodiment becomes an equivalent circuit shown in FIG. In FIG. 6, 201 is a varistor formed by internal electrodes 11a and 11b and a varistor layer 10b, 202 and 203 are external electrodes, and 204 is a light emitting diode.

上記したように、本実施の形態における静電気対策部品は、バリスタ部10とガラスセラミック層14とを一部の非形成部分18を除いて、セラミック基板12上に積層し焼結して一体化したセラミック焼結体に、このセラミック焼結体を貫通する熱伝導体部15をセラミック基板12の非形成部分18に設けたものであり、本実施の形態における発光ダイオードモジュールは、セラミック焼結体のセラミック基板12の非形成部分18の熱伝導体部15に発光ダイオード素子20を搭載したものであり、熱伝導体部15を設けこれを熱伝導率の大きいものとすることにより、搭載した部品が発する熱を効率的に放熱することができる静電気対策部品および発光ダイオードモジュールとなる。また、セラミック焼結体の下面に熱伝導体部15に接続する突出した外部熱伝導体部17を設けることにより、外部の放熱板などに搭載接続した際に接続部の密着性を上げることができ、搭載した部品が発する熱をより効率的に放熱することができる。   As described above, the antistatic component in the present embodiment is formed by laminating the varistor portion 10 and the glass ceramic layer 14 on the ceramic substrate 12 except for a part of the non-formed portion 18 and sintering and integrating them. The ceramic sintered body is provided with a heat conductor portion 15 penetrating the ceramic sintered body in the non-formed portion 18 of the ceramic substrate 12, and the light emitting diode module in the present embodiment is made of a ceramic sintered body. The light-emitting diode element 20 is mounted on the heat conductor portion 15 of the non-formed portion 18 of the ceramic substrate 12, and the mounted component can be obtained by providing the heat conductor portion 15 and increasing the heat conductivity. An anti-static component and a light-emitting diode module that can efficiently dissipate the generated heat. Further, by providing a protruding external heat conductor portion 17 connected to the heat conductor portion 15 on the lower surface of the ceramic sintered body, it is possible to improve the adhesion of the connection portion when mounted and connected to an external heat sink or the like. The heat generated by the mounted components can be radiated more efficiently.

さらに、セラミック基板12上のバリスタ部10およびガラスセラミック層14を形成していない非形成部分18である凹部に発光ダイオード素子20を搭載するので、発光ダイオードモジュールの薄型化が実現できる。そして、端子電極13aおよび13bはその一部を非形成部分18に表出させてセラミック基板12上に形成しているので、発光ダイオード素子20と電気的に接続する端子電極の面と発光ダイオード素子20の搭載面とがほぼ平面となり、発光ダイオード素子20のフリップチップ実装が可能になり、発光ダイオード素子20をフリップチップ実装したものは、金属線を用いたワイヤボンディング法と異なり金属線の影が生じないため発光ムラがなく、より高い発光効率の発光ダイオードモジュールが実現できる。   Furthermore, since the light emitting diode element 20 is mounted in the concave portion which is the non-formed portion 18 where the varistor portion 10 and the glass ceramic layer 14 are not formed on the ceramic substrate 12, the light emitting diode module can be reduced in thickness. Since the terminal electrodes 13a and 13b are formed on the ceramic substrate 12 with a part thereof exposed to the non-formed portion 18, the surface of the terminal electrode electrically connected to the light emitting diode element 20 and the light emitting diode element The light-emitting diode element 20 can be flip-chip mounted, and the light-emitting diode element 20 flip-chip mounted has a shadow of the metal wire unlike the wire bonding method using the metal wire. Since it does not occur, there is no uneven light emission, and a light emitting diode module with higher light emission efficiency can be realized.

続いて、本発明の一実施の形態における静電気対策部品の製造方法について、図4を用いて説明する。   Then, the manufacturing method of the antistatic component in one embodiment of this invention is demonstrated using FIG.

まず、酸化亜鉛を主成分とするセラミック粉末と有機バインダからなる酸化亜鉛生シートを作製し準備した。また、アルミナおよびホウ珪酸ガラスを主成分とするガラス−セラミック粉末と有機バインダからなるガラス−セラミック生シートを作製し準備した。この時、これらの生シートの厚みはそれぞれ約30μmとした。なお、これらの生シートはそれぞれ焼成後に、酸化亜鉛生シートはバリスタ部10となり、ガラス−セラミック生シートはガラスセラミック層14となるものである。   First, a zinc oxide raw sheet made of a ceramic powder mainly composed of zinc oxide and an organic binder was prepared and prepared. Moreover, the glass-ceramic raw sheet which consists of a glass-ceramic powder which has an alumina and a borosilicate glass as a main component, and an organic binder was produced and prepared. At this time, the thickness of each raw sheet was about 30 μm. Each of these green sheets is fired, the zinc oxide green sheet becomes the varistor part 10, and the glass-ceramic green sheet becomes the glass ceramic layer 14.

図4に示すように、バリスタ層10aとなる酸化亜鉛生シートの上に、銀ペーストを用いスクリーン印刷法で内部電極11aとなる導体層を形成した。その上に、銀ペーストを用いスクリーン印刷法で内部電極11bとなる導体層を形成したバリスタ層10bとなる酸化亜鉛生シートを積層した。さらに、その上に、バリスタ層10cとなる酸化亜鉛生シートを積層してバリスタ部10となる積層体を作製した。さらに、その上に、ガラスセラミック層14となるガラス−セラミック生シートを積層し、バリスタ部10およびガラスセラミック層14となる積層体を作製した。この時、内部電極11a、11bとなる導体層は、図4に示すように、この後に形成する非形成部分18となる部分を避けて形成した。   As shown in FIG. 4, on the zinc oxide raw sheet used as the varistor layer 10a, the conductor layer used as the internal electrode 11a was formed by the screen printing method using the silver paste. A zinc oxide raw sheet to be a varistor layer 10b in which a conductor layer to be the internal electrode 11b was formed by screen printing using silver paste was laminated thereon. Furthermore, a zinc oxide raw sheet to be the varistor layer 10c was laminated thereon to produce a laminate to be the varistor part 10. Further, a glass-ceramic raw sheet to be the glass ceramic layer 14 was laminated thereon, and a laminate to be the varistor part 10 and the glass ceramic layer 14 was produced. At this time, as shown in FIG. 4, the conductor layer to be the internal electrodes 11a and 11b was formed so as to avoid the portion to be the non-formed portion 18 to be formed later.

次に、この積層体のバリスタ部10とガラスセラミック層14を貫くようにパンチャーで打ち抜き、バリスタ部およびガラスセラミック層を形成しない非形成部分18となる直径0.6mmのスルーホールを設けた。   Next, a puncher was punched out so as to penetrate the varistor part 10 and the glass ceramic layer 14 of this laminated body, and a through hole having a diameter of 0.6 mm was provided as a non-formed part 18 where the varistor part and the glass ceramic layer were not formed.

一方、セラミック基板12として、所定の位置にスルーホールを設けたアルミナ基板を用い、このアルミナ基板のスルーホールに銀ペーストを充填し、さらに、その一方の面の上に銀ペーストを用いスクリーン印刷法で端子電極13aおよび13bとなる導体層を形成し、その他方の面の上に銀ペーストを用いスクリーン印刷法で外部熱伝導体部17となる導体層を形成した。上記のスルーホールに充填した銀ペーストが、焼成後に熱伝導体部15となるものである。   On the other hand, an alumina substrate having through holes at predetermined positions is used as the ceramic substrate 12, a silver paste is filled into the through holes of the alumina substrate, and a silver paste is used on one surface of the alumina substrate to perform screen printing. Then, a conductor layer to be the terminal electrodes 13a and 13b was formed, and a conductor layer to be the external heat conductor portion 17 was formed on the other surface by a screen printing method using silver paste. The silver paste filled in the above through holes becomes the thermal conductor portion 15 after firing.

次に、上記のスルーホールに銀ペーストを充填し導体層を形成したアルミナ基板上に、上記のスルーホールを設けたバリスタ部10およびガラスセラミック層14となる積層体を貼りつけ、積層体ブロックとした。なお、上記のアルミナ基板の厚みは約180μm、導体層の厚みは約2.5μmとし、熱伝導体部に使用した銀ペーストの銀のコンテントは85wt%で、熱伝導体部の径は300ミクロンとした。また、印刷した導体層のパターンは、切断した後に図4に示した形状となるよう図示した形状を多数個縦横に配列したパターン形状とした。   Next, a laminated body to be the varistor part 10 and the glass ceramic layer 14 provided with the above through holes is pasted on an alumina substrate in which a silver paste is filled into the above through holes to form a conductor layer, and a laminated body block and did. The thickness of the alumina substrate is about 180 μm, the thickness of the conductor layer is about 2.5 μm, the silver content of the silver paste used for the heat conductor is 85 wt%, and the diameter of the heat conductor is 300 microns. It was. Further, the printed pattern of the conductor layer was a pattern shape in which a large number of the illustrated shapes were arranged vertically and horizontally so as to have the shape shown in FIG. 4 after cutting.

次に、上記の積層体ブロックを大気中で加熱して脱バインダ処理した後、大気中で930℃まで加熱して焼成し、一体化した焼結体とした。この積層体ブロックの焼結体を所定の寸法で切断、分離し、個片の積層体とした。さらに、この焼結体の端面に銀ペーストを塗布し、大気中900℃で加熱し、外部電極16aおよび16bを形成した。続いて、外部電極および端子電極の部位にニッケル、金のめっきを施し、図1、図2および図3に示した本実施の形態における静電気対策部品を得た。   Next, the laminate block was heated in the atmosphere to remove the binder, and then heated to 930 ° C. in the atmosphere and fired to obtain an integrated sintered body. The sintered body of the laminated body block was cut and separated with a predetermined dimension to obtain an individual laminated body. Further, a silver paste was applied to the end face of the sintered body and heated in the atmosphere at 900 ° C. to form the external electrodes 16a and 16b. Subsequently, the parts of the external electrode and the terminal electrode were plated with nickel and gold, and the antistatic component in the present embodiment shown in FIGS. 1, 2, and 3 was obtained.

作製した本実施の形態における静電気対策部品は、長手方向寸法が約2.0mm、幅方向寸法が約1.25mm、厚み方向寸法が約0.3mmであった。そして、外部電極16aと16b間のバリスタ電圧V1mAすなわち1mAの電流が流れる時の電圧は27Vであった。   The produced antistatic component in the present embodiment had a longitudinal dimension of about 2.0 mm, a widthwise dimension of about 1.25 mm, and a thicknesswise dimension of about 0.3 mm. The varistor voltage V1mA between the external electrodes 16a and 16b, that is, the voltage when a current of 1 mA flows was 27V.

なお、上記の本実施の形態における製造方法においては、熱伝導体部15および外部熱伝導体部17を形成する方法として、アルミナ基板上にバリスタ部10およびガラスセラミック層14を設ける際に、これと同時に焼成して形成する方法を説明したが、アルミナ基板上にバリスタ部10およびガラスセラミック層14を設けた焼結体とした後に、スルーホールに熱伝導体部15となる銀ペーストを充填し、アルミナ基板の一方の面の上に外部熱伝導体部17となる銀ペーストの導体層を形成し、これらを焼付けして、熱伝導体部15および外部熱伝導体部17を形成してもよい。また、この場合の焼結体は、多数個縦横に配列したブロックの焼結体でも個片の焼結体でもよいが、生産性の面からブロックの焼結体の段階で行うことが好ましい。   In the manufacturing method according to the present embodiment, the thermal conductor portion 15 and the external thermal conductor portion 17 are formed when the varistor portion 10 and the glass ceramic layer 14 are provided on an alumina substrate. Although the method of forming by firing at the same time has been described, after forming a sintered body in which the varistor portion 10 and the glass ceramic layer 14 are provided on an alumina substrate, the through hole is filled with a silver paste that becomes the heat conductor portion 15. A conductor layer of silver paste that forms the external heat conductor portion 17 is formed on one surface of the alumina substrate, and these are baked to form the heat conductor portion 15 and the external heat conductor portion 17. Good. In addition, the sintered body in this case may be a block sintered body or a block sintered body arranged vertically and horizontally, but it is preferably performed at the stage of the block sintered body from the viewpoint of productivity.

また、比較のために、図7にその模式的分解斜視図を示すような比較例の静電気対策部品を作製した。比較例の静電気対策部品が本実施の形態における静電気対策部品と異なる点は、バリスタ部およびガラスセラミック層を形成しない非形成部分18をセラミック基板12に設けずに端子電極13aおよび13bをガラスセラミック層14の表面に設け、また、熱伝導体部15および外部熱伝導体部17を設けていない点である。   For comparison, a static electricity countermeasure component of a comparative example having a schematic exploded perspective view shown in FIG. 7 was produced. The antistatic component of the comparative example is different from the antistatic component in the present embodiment in that the terminal electrodes 13a and 13b are not provided on the ceramic substrate 12 without the varistor portion and the non-formed portion 18 where the glass ceramic layer is not formed. 14 on the surface, and the heat conductor portion 15 and the external heat conductor portion 17 are not provided.

次に、本発明の一実施の形態における発光ダイオードモジュールの製造方法について、図5を用いて説明する。   Next, the manufacturing method of the light emitting diode module in one embodiment of this invention is demonstrated using FIG.

上記の本実施の形態における静電気対策部品に、いわゆるフリップチップ実装法により発光ダイオード素子20を搭載接続して図5に示す本実施の形態における発光ダイオードモジュールを作製した。具体的には、本実施の形態における静電気対策部品のセラミック基板12の非形成部分18の熱伝導体部15の上に、突起状のバンプ端子を有する青色発光ダイオード素子20を導電性接着剤22によりダイボンドして搭載接続するとともに、青色発光ダイオード素子20の一方の突起状のバンプ端子と端子電極13aとを導電性接着剤により接続し、青色発光ダイオード素子20のもう一方の突起状のバンプ端子と端子電極13bとを導電性接着剤により接続し、その後青色発光ダイオード素子20を覆うように樹脂モールド(図示せず)して、図5の発光ダイオードモジュールを作製した。なお、図5においては、ダイボンドした熱伝導体部15上の導電性接着剤22は端子電極13aおよび13bのいずれとも電気的に離間して設けた例を示したが、熱伝導体部15上の導電性接着剤22は、端子電極13aおよび13bのうちいずれか一方のグランド用端子となる方の端子電極とは電気的に接続するように設けてもよい。   The light emitting diode module according to the present embodiment shown in FIG. 5 was manufactured by mounting and connecting the light emitting diode element 20 to the antistatic component in the present embodiment by a so-called flip chip mounting method. Specifically, the blue light-emitting diode element 20 having the projecting bump terminals is formed on the heat conductive portion 15 of the non-formed portion 18 of the ceramic substrate 12 of the antistatic component in the present embodiment with the conductive adhesive 22. Are connected by die bonding, and one protruding bump terminal of the blue light emitting diode element 20 and the terminal electrode 13a are connected by a conductive adhesive, and the other protruding bump terminal of the blue light emitting diode element 20 is connected. And the terminal electrode 13b were connected by a conductive adhesive, and then resin molded (not shown) so as to cover the blue light emitting diode element 20, thereby producing the light emitting diode module of FIG. FIG. 5 shows an example in which the conductive adhesive 22 on the die-bonded heat conductor 15 is electrically separated from both the terminal electrodes 13a and 13b. The conductive adhesive 22 may be provided so as to be electrically connected to one of the terminal electrodes 13a and 13b which is the ground terminal.

図5に示すように、本実施の形態における発光ダイオードモジュールは、セラミック基板12上のバリスタ部10およびガラスセラミック層14を形成していない非形成部分18である凹部に発光ダイオード素子20をフリップチップ実装するので、発光ダイオードが大きく突出することがなくモジュールの薄型化が実現できる。また、金属線を用いたワイヤボンディング法と異なり金属線の影が生じないため発光ムラがなく、より高い発光効率の発光ダイオードモジュールが実現できる。   As shown in FIG. 5, in the light emitting diode module according to the present embodiment, the light emitting diode element 20 is flip-chiped in a concave portion which is a non-formation portion 18 on which the varistor portion 10 and the glass ceramic layer 14 are not formed. Since it is mounted, the light emitting diode does not protrude greatly, and the module can be thinned. Further, unlike a wire bonding method using a metal wire, a shadow of the metal wire is not generated, so there is no unevenness in light emission, and a light emitting diode module with higher light emission efficiency can be realized.

また、比較のために、上記の比較例の静電気対策部品を用い、比較例の静電気対策部品のガラスセラミック層14の上に、青色発光ダイオード素子25を導電性接着剤によりダイボンドして搭載した後、ワイヤボンディング法により、青色発光ダイオード素子25の一方の端子と端子電極13aとを金属線21により接続し、青色発光ダイオード素子25のもう一方の端子と端子電極13bとを金属線21により接続し、その後青色発光ダイオード素子25を覆うように樹脂モールド(図示せず)して、比較例の発光ダイオードモジュールを作製した。なお、比較例の発光ダイオードモジュールの断面図を図8に示す。図8に示すように、比較例の発光ダイオードモジュールは、発光ダイオードが大きく突出しており、本実施の形態における発光ダイオードモジュールに比較して、モジュールの薄型化が困難である。   For comparison, after using the antistatic component of the above comparative example and mounting the blue light emitting diode element 25 on the glass ceramic layer 14 of the comparative antistatic component by die-bonding with a conductive adhesive. The one terminal of the blue light emitting diode element 25 and the terminal electrode 13a are connected by the metal wire 21 by the wire bonding method, and the other terminal of the blue light emitting diode element 25 and the terminal electrode 13b are connected by the metal wire 21. Then, a resin mold (not shown) was formed so as to cover the blue light emitting diode element 25, and a light emitting diode module of a comparative example was manufactured. A cross-sectional view of the light emitting diode module of the comparative example is shown in FIG. As shown in FIG. 8, in the light emitting diode module of the comparative example, the light emitting diode protrudes greatly, and it is difficult to reduce the thickness of the module as compared with the light emitting diode module in the present embodiment.

そして、これら本実施の形態における発光ダイオードモジュールと比較例の発光ダイオードモジュールについて、以下のようにして放熱性を評価した。それぞれの発光ダイオードモジュールを図9に示すように(比較例については図示せず)、放熱板30の上に実装し、それぞれの青色発光ダイオード素子に対し、1Wの電力を印加しダイオードを発光させ、青色発光ダイオード素子の温度が飽和するまで電力を与え続けた。その時の青色発光ダイオード素子の温度は、比較例の発光ダイオードモジュールの場合が約100℃であったのに対して、本実施の形態における発光ダイオードモジュールの場合は約80℃であった。以上のように、本実施の形態における発光ダイオードモジュールは、比較例の発光ダイオードモジュールに比べて放熱性が優れていることが判る。   And about these light emitting diode modules in this Embodiment and the light emitting diode module of a comparative example, heat dissipation was evaluated as follows. As shown in FIG. 9 (not shown for the comparative example), each light emitting diode module is mounted on the heat sink 30 and 1 W of power is applied to each blue light emitting diode element to cause the diode to emit light. The power was continuously applied until the temperature of the blue light emitting diode element was saturated. The temperature of the blue light emitting diode element at that time was about 100 ° C. in the case of the light emitting diode module of the comparative example, whereas it was about 80 ° C. in the case of the light emitting diode module in the present embodiment. As mentioned above, it turns out that the light emitting diode module in this Embodiment is excellent in heat dissipation compared with the light emitting diode module of a comparative example.

また、青色発光ダイオード素子の温度が飽和した時における、それぞれの光強度を測定したところ、比較例の発光ダイオードモジュールの光強度比を100とした時、本実施の形態における発光ダイオードモジュールの光強度比は約125であった。この結果から、本実施の形態における発光ダイオードモジュールは放熱性が優れているため、発光ダイオードの発光効率が低下するのを防止できていることが判る。また、金属線を用いたワイヤボンディング法の比較例では金属線の影が発生したが、本実施の形態における発光ダイオードモジュールは金属線の影が生じないためムラのない発光が得られた。   Further, when the light intensity when the temperature of the blue light-emitting diode element was saturated was measured, when the light intensity ratio of the light-emitting diode module of the comparative example was 100, the light intensity of the light-emitting diode module in the present embodiment The ratio was about 125. From this result, it can be seen that the light emitting diode module in the present embodiment is excellent in heat dissipation, and thus the light emitting efficiency of the light emitting diode can be prevented from being lowered. Further, in the comparative example of the wire bonding method using the metal wire, the shadow of the metal wire was generated, but the light emitting diode module in this embodiment did not cause the shadow of the metal wire, and thus light emission without unevenness was obtained.

以上説明したように、本発明の静電気対策部品は、バリスタ機能を内蔵した小型で高強度の静電気対策部品が実現できるとともに、発光ダイオードなどの電子部品素子を搭載実装する場合には、セラミック基板上のバリスタ部およびガラスセラミック層を形成していない非形成部分である凹部に、電子部品素子を搭載できるので、モジュールを薄型化できる。また、熱伝導体部を設け、この部分に電子部品素子を搭載できるので、搭載した部品が発する熱を効率的に放熱することができる。   As described above, the anti-static component of the present invention can realize a small and high-strength anti-static component with a built-in varistor function, and can be mounted on a ceramic substrate when an electronic component element such as a light-emitting diode is mounted and mounted. Since the electronic component element can be mounted on the varistor portion and the concave portion which is a non-formed portion where the glass ceramic layer is not formed, the module can be thinned. Further, since the heat conductor portion is provided and the electronic component element can be mounted on this portion, the heat generated by the mounted component can be efficiently radiated.

また、本発明の発光ダイオードモジュールは、バリスタ部で発光ダイオードが静電気パルスから保護されるので耐静電気パルス性に優れる。さらに、熱伝導体部で発光ダイオードが発する熱を効率的に放熱することができるので放熱性に優れ発光効率が良く、また、セラミック基板上のバリスタ部およびガラスセラミック層を形成していない非形成部分である凹部に発光ダイオードを搭載するので、モジュールを薄型化でき、小型、薄型で実用的な発光ダイオードモジュールとなる。また、金属線を用いたワイヤボンディング法と異なり金属線の影が生じないため発光ムラがなく、より高い発光効率の発光ダイオードモジュールとなる。   Further, the light emitting diode module of the present invention is excellent in electrostatic pulse resistance since the light emitting diode is protected from electrostatic pulses in the varistor portion. Furthermore, heat generated by the light emitting diode can be efficiently radiated in the heat conductor part, so that heat dissipation is excellent and light emission efficiency is good. Also, the varistor part on the ceramic substrate and the glass ceramic layer are not formed. Since the light emitting diode is mounted in the concave portion, which is a part, the module can be thinned, and the light emitting diode module becomes small, thin and practical. Further, unlike the wire bonding method using a metal wire, the shadow of the metal wire does not occur, so there is no uneven light emission, and the light emitting diode module with higher light emission efficiency is obtained.

これに加えて、セラミック基板としてアルミナなど白色の基板を用いれば、発光ダイオードを実装した際、発光ダイオードの周りが反射率の高い白色であるため、発光ダイオードの発光効率をより高めることができる。   In addition to this, when a white substrate such as alumina is used as the ceramic substrate, when the light emitting diode is mounted, since the periphery of the light emitting diode is white with high reflectance, the light emitting efficiency of the light emitting diode can be further increased.

本発明に係る静電気対策部品は、バリスタ機能を内蔵した小型で高強度の静電気対策部品が実現できるとともに、発光ダイオードなどの電子部品素子を搭載実装した場合には、モジュールの薄型化が実現でき、搭載した部品が発する熱を効率的に放熱することができるので、これを用いた発光ダイオードモジュールは、耐静電気パルス性に優れ、放熱性に優れ発光効率が良く、小型、薄型で実用的な発光ダイオードモジュールとして特に有用である。   The anti-static component according to the present invention can realize a small and high-strength anti-static component with a built-in varistor function, and when an electronic component element such as a light-emitting diode is mounted and mounted, the module can be thinned. Since the heat generated by the mounted components can be efficiently dissipated, the light-emitting diode module using this component has excellent anti-static pulse resistance, excellent heat dissipation, and good luminous efficiency. It is particularly useful as a diode module.

本発明の一実施の形態における静電気対策部品の外観斜視図1 is an external perspective view of an anti-static component according to an embodiment of the present invention. 同静電気対策部品のA−A´での断面図Sectional view taken along the line AA 'of the static electricity countermeasure component 同静電気対策部品のB−B´での断面図Sectional view at BB 'of the static electricity countermeasure component 同静電気対策部品の模式的分解斜視図Schematic exploded perspective view of the static electricity countermeasure component 本発明の一実施の形態における発光ダイオードモジュールの断面図Sectional drawing of the light emitting diode module in one embodiment of this invention 同発光ダイオードモジュールの等価回路図Equivalent circuit diagram of the LED module 比較例の静電気対策部品の模式的分解斜視図Schematic exploded perspective view of static electricity countermeasure parts of comparative example 比較例の発光ダイオードモジュールの断面図Sectional view of a light emitting diode module of a comparative example 発光ダイオードモジュールの放熱性を評価する方法を説明するための断面図Sectional drawing for demonstrating the method to evaluate the heat dissipation of a light emitting diode module

符号の説明Explanation of symbols

10 バリスタ部
10a、10b、10c バリスタ層
11a、11b 内部電極
12 セラミック基板
13a、13b 端子電極
14 ガラスセラミック層
15 熱伝導体部
16a、16b 外部電極
17 外部熱伝導体部
18 非形成部分
20、25 発光ダイオード素子
21 金属線
22 導電性接着剤
30 放熱板
201 バリスタ
202、203 外部電極
204 発光ダイオード
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Varistor part 10a, 10b, 10c Varistor layer 11a, 11b Internal electrode 12 Ceramic substrate 13a, 13b Terminal electrode 14 Glass ceramic layer 15 Thermal conductor part 16a, 16b External electrode 17 External thermal conductor part 18 Non-formation part 20, 25 Light emitting diode element 21 Metal wire 22 Conductive adhesive 30 Heat sink 201 Varistor 202, 203 External electrode 204 Light emitting diode

Claims (4)

セラミック基板とこのセラミック基板上にバリスタ層と内部電極とを交互に積層して形成したバリスタ部とさらにこのバリスタ部上に形成したガラスセラミック層とを備えたセラミック焼結体と、前記セラミック焼結体に設けた一対の端子電極と、前記内部電極および前記端子電極に接続する一対の外部電極と、前記セラミック焼結体を貫通する熱伝導体部とを有し、前記バリスタ部および前記ガラスセラミック層は、前記セラミック基板の一部の非形成部分を除いて形成してなり、前記端子電極は、その一部を前記非形成部分に表出させて前記セラミック基板上に形成してなり、前記熱伝導体部は、前記セラミック基板の前記非形成部分に形成してなる静電気対策部品。 A ceramic sintered body comprising a ceramic substrate, a varistor portion formed by alternately laminating varistor layers and internal electrodes on the ceramic substrate, and a glass ceramic layer formed on the varistor portion; and the ceramic sintered body A pair of terminal electrodes provided on the body, a pair of external electrodes connected to the internal electrode and the terminal electrode, and a heat conductor portion penetrating the ceramic sintered body, the varistor portion and the glass ceramic The layer is formed excluding a part of the ceramic substrate that is not formed, and the terminal electrode is formed on the ceramic substrate by exposing a part of the terminal electrode to the non-formed part. The heat conductor is an anti-static component formed on the non-formed portion of the ceramic substrate. セラミック焼結体の端子電極の反対側の面に熱伝導体部に接続する外部熱伝導体部を設けた請求項1に記載の静電気対策部品。 The antistatic component according to claim 1, wherein an external heat conductor portion connected to the heat conductor portion is provided on a surface opposite to the terminal electrode of the ceramic sintered body. 発光ダイオードを、請求項1に記載の静電気対策部品の熱伝導体部に搭載し前記発光ダイオードの端子と前記静電気対策部品の端子電極とを電気的に接続して実装した発光ダイオードモジュール。 The light emitting diode module which mounted the light emitting diode in the heat conductor part of the antistatic component of Claim 1, and electrically connected the terminal of the said light emitting diode and the terminal electrode of the said antistatic component. 発光ダイオードを、フリップチップ実装した請求項3に記載の発光ダイオードモジュール。 The light emitting diode module according to claim 3, wherein the light emitting diode is flip-chip mounted.
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