JP2008226642A - Organic functional thin film heat treatment device, and manufacturing method of organic functional element - Google Patents

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肇 横井
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To manufacture a high-quality and high-performance organic functional element by avoiding risk of crystallization and thermal deterioration when an organic functional thin film is subjected to an annealing treatment. <P>SOLUTION: This organic functional thin film heat treatment device is characterized by including: a substrate installation part installed in a chamber; a means of replacing the atmosphere in the chamber with an inert gas; a heating means arranged oppositely to the substrate installation part; and a substrate cooling means connected to the substrate installation part. This application also provides a formation method of an organic functional thin film characterized by including processes of: forming the organic functional thin film on a substrate; heating the organic functional thin film above a glass transition point temperature or a boiling point; and then cooling the organic functional thin film below the glass transition point temperature at a cooling rate not smaller than 10°C/min. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、基板上に形成された有機機能性薄膜及び有機機能性薄膜を用いた素子に関するものである。 The present invention relates to an organic functional thin film formed on a substrate and an element using the organic functional thin film.

近年、電子部材の薄層軽量化やフレキシブル化を目標とした、有機機能性材料を用いた有機EL素子、有機太陽電池、有機薄膜トランジスタなどの有機機能性素子の開発が盛んに行われている。これらの有機機能性素子に用いられる有機機能性材料は、一般に数十から数千nm程度の膜厚を有する有機機能性薄膜として基板上に形成され、用いられる。 In recent years, organic functional elements such as organic EL elements using organic functional materials, organic solar cells, and organic thin film transistors have been actively developed with the aim of reducing the weight and flexibility of electronic members. The organic functional material used for these organic functional elements is generally formed and used on a substrate as an organic functional thin film having a film thickness of about several tens to several thousand nm.

これらの有機機能性薄膜に用いられる有機機能性材料としては、低分子系の物と高分子系の物が挙げられる。 Examples of organic functional materials used for these organic functional thin films include low molecular weight materials and high molecular weight materials.

低分子系の有機機能性薄膜は抵抗加熱蒸着法等にて成膜する事が多い。これは、低分子系の材料はアモルファス性が低く凝集もし易いため、塗布法では均一なアモルファス性の有機機能薄膜を形成しにくいためである。 Low molecular organic functional thin films are often formed by resistance heating vapor deposition or the like. This is because a low molecular weight material is low in amorphousness and easily aggregates, and it is difficult to form a uniform amorphous organic functional thin film by the coating method.

一方、高分子系の有機機能性材料はアモルファス性が高いため、有機機能性材料を溶媒に溶解若しくは分散させた塗工液(インキ)にし、これをウェットプロセスにて薄膜形成する方法が広く用いられている。薄膜形成するためのウェットコーティング法としては、スピンコート法、バーコート法、ディップコート法等がある。特に高精細にパターニングするには、塗り分け、パターニングを得意とする印刷法による薄膜形成が最も有効であると考えられる(例えば、特許文献1、非特許文献1参照)。 On the other hand, since high molecular organic functional materials are highly amorphous, a method of forming a thin film using a wet process that uses organic functional materials dissolved or dispersed in a solvent is widely used. It has been. Examples of wet coating methods for forming a thin film include spin coating, bar coating, and dip coating. In particular, for high-definition patterning, it is considered that thin film formation by a printing method that specializes in painting and patterning is most effective (see, for example, Patent Document 1 and Non-Patent Document 1).

いずれの有機機能性薄膜の場合も、膜の集合状態としては、アモルファス状態である事が好ましいとされている。何故ならば薄膜を形成する材料が多結晶体であると、その薄膜には多くの結晶粒界や欠陥が生じてしまい、その結果素子にもリークなどの欠陥が生じやすくなり、不安定なものと成ってしまうためである(非特許文献2参照)。 In any organic functional thin film, the aggregate state of the film is preferably an amorphous state. This is because if the material forming the thin film is a polycrystal, the thin film has many crystal grain boundaries and defects. As a result, defects such as leaks are likely to occur in the device, which is unstable. (See Non-Patent Document 2).

ところで、これらの有機機能性薄膜は、膜質の改善や下地との密着性の向上を目的とした加熱処理(アニール処理)を施されることが多い。これは、例えば有機EL素子をフレキシブル化する際には、基板の変形に耐えうる各層の密着性、そして画素内での均質な発光特性が要求されるためである。アニール処理を施すことにより、層の界面での密着性、アモルファス性の向上による膜質の改善が期待できる。 By the way, these organic functional thin films are often subjected to a heat treatment (annealing treatment) for the purpose of improving the film quality and improving the adhesion to the base. This is because, for example, when an organic EL element is made flexible, adhesion of each layer that can withstand deformation of the substrate and uniform light emission characteristics within the pixel are required. By applying the annealing treatment, it is expected that the film quality is improved by improving the adhesion at the interface between the layers and the amorphous property.

有機機能性薄膜においては、一般に酸素や水と反応しやすいため、そのアニール処理は窒素やアルゴンに置換された雰囲気や真空下などの、不活性な雰囲気で行われる。そのためアニール処理はグローブボックス内や減圧及び気体置換可能な気密なチャンバー内で行われるが、生産性の面で有利なため気密なチャンバー内で行う事が多い。チャンバー内で用いられる加熱機構にはホットプレートが広く用いられる。そのため、アニール温度及び時間は制御されているが、昇温及び冷却のプロファイルについては特に制御しないものが多い。 Since organic functional thin films generally react easily with oxygen and water, the annealing treatment is performed in an inert atmosphere such as an atmosphere replaced with nitrogen or argon or under vacuum. For this reason, the annealing treatment is performed in a glove box or an airtight chamber capable of reducing pressure and replacing gas. However, since it is advantageous in terms of productivity, it is often performed in an airtight chamber. A hot plate is widely used as a heating mechanism used in the chamber. Therefore, although the annealing temperature and time are controlled, there are many cases where the temperature rise and cooling profiles are not particularly controlled.

有機機能性薄膜は、ガラス転移温度(Tg)前後でアニール処理を行うことが多い(特許文献2参照)。特に、低分子系材料の有機機能性薄膜をTg以上に加熱すると結晶化が起き易く、有機機能性素子としての性能の低下が指摘されている(特許文献3参照)。 Organic functional thin films are often annealed around a glass transition temperature (Tg) (see Patent Document 2). In particular, when an organic functional thin film of a low molecular material is heated to Tg or more, crystallization is likely to occur, and it has been pointed out that the performance as an organic functional element is deteriorated (see Patent Document 3).

しかしながら、画素内の膜厚の均質化、基板、有機機能層薄膜各層界面との密着性を鑑みると、加熱温度が高い方が好ましいと考えられる。このため、ガラス転移温度が高い有機機能性材料が求められてきたが、未だに十分な解決は為されていない(例えば特許文献4参照)。一方、アニール処理の面では、これまで処理方法としての大きな改善は為されてこなかった。 However, in view of the homogenization of the film thickness in the pixel and the adhesion between the substrate and each interface of the organic functional layer thin film, a higher heating temperature is considered preferable. For this reason, an organic functional material having a high glass transition temperature has been demanded, but a sufficient solution has not yet been made (see, for example, Patent Document 4). On the other hand, in terms of annealing treatment, no significant improvement has been made as a treatment method so far.

特開2003−17261号公報JP 2003-17261 A 特開平11−40352号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-40352 特開2005−310639号公報JP-A-2005-310639 特開平9−205237号公報JP-A-9-205237 情報科学用有機材料第142委員会C部会(有機光エレクトロニクス)第5回研究会資料 印刷プロセスによる有機薄膜太陽電池(20〜27ページ)142th Committee C of Organic Materials for Information Science (Organic Optoelectronics) 5th Workshop Material Organic Thin-film Solar Cells by Printing Process (pages 20-27) 有機ELディスプレイ、時任静士他、株式会社オーム社、2004Organic EL display, Shizushi Tokito et al., Ohm Corporation, 2004

本発明は上記のような事情に鑑みてなされたものであり、有機機能性薄膜をアニール処理した際に、結晶化や熱劣化の危険を避け、高品質・高性能な有機機能性素子を製造可能とすることを課題とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and manufactures high-quality and high-performance organic functional elements by avoiding the risk of crystallization and thermal degradation when annealing an organic functional thin film. The challenge is to make it possible.

まず有機機能性薄膜熱処理装置に係る発明として、
(1) チャンバー内部に設置された基板設置部と、前記チャンバー内の雰囲気を不活性ガスで置換する手段と、前記基板設置部に対峙して設けられた加熱手段と、前記基板設置部に接続された基板冷却手段と、具備することを特徴とする有機機能性薄膜熱処理装置。
(2) (1)の有機機能性薄膜熱処理装置において、加熱手段が、赤外線ヒーターであり、かつ基板設置部の基板設置側表面が、該赤外線ヒーターの照射する赤外線の波長に対する反射率が80%以上である物質で構成されていること。
(3) さらに、前記赤外線ヒーターより照射される赤外線が波長3〜25μmに光エネルギーのピークを持つこと。
(4) また、基板冷却手段が、前記基板設置部の前記チャンバー外部露出面への冷媒の噴霧であること。
First, as an invention related to an organic functional thin film heat treatment apparatus,
(1) Connected to the substrate installation part, the substrate installation part installed in the chamber, the means for replacing the atmosphere in the chamber with an inert gas, the heating means provided opposite the substrate installation part, and the substrate installation part And an organic functional thin film heat treatment apparatus comprising the substrate cooling means.
(2) In the organic functional thin film heat treatment apparatus of (1), the heating means is an infrared heater, and the substrate installation side surface of the substrate installation section has a reflectance of 80% with respect to the wavelength of infrared rays irradiated by the infrared heater. Consists of the above substances.
(3) Furthermore, the infrared rays irradiated from the infrared heater have a light energy peak at a wavelength of 3 to 25 μm.
(4) Moreover, a board | substrate cooling means should be spraying of the refrigerant | coolant to the said chamber exterior exposed surface of the said board | substrate installation part.

また有機機能性薄膜及び有機機能性素子の形成方法に係る発明として、
(5) 基板上に有機機能性薄膜を形成する工程と、前記有機機能性薄膜をガラス転移点温度或いは沸点以上に加熱する工程と、次に10℃/min以上の冷却速度でガラス転移点温度以下まで冷却する工程とを有することを特徴とする有機機能性薄膜の形成方法。
(6) 基板上に複数の有機機能層を形成する工程と、前記有機機能層のうち最もガラス転移温度或いは融点が高い有機機能層のガラス転移温度以上に加熱する工程と、次に10℃/min以上の冷却速度で前記有機機能層のうち最もガラス転移温度が低い有機機能層のガラス転移温度以下に冷却する工程と、を有することを特徴とする有機機能性薄膜の形成方法。
(7) 有機機能層を含む有機機能性素子の製造工程において、そのうち少なくとも一層の有機機能層を、請求項5乃至8に記載の有機機能性薄膜の形成方法を用いることを特徴とする、有機機能性素子の製造方法。
In addition, as an invention relating to a method for forming an organic functional thin film and an organic functional element,
(5) A step of forming an organic functional thin film on a substrate, a step of heating the organic functional thin film to a glass transition temperature or a boiling point or higher, and a glass transition temperature at a cooling rate of 10 ° C./min or higher. And a method of forming an organic functional thin film, comprising the step of cooling to:
(6) A step of forming a plurality of organic functional layers on the substrate, a step of heating above the glass transition temperature of the organic functional layer having the highest glass transition temperature or melting point among the organic functional layers, and 10 ° C. / and cooling to below the glass transition temperature of the organic functional layer having the lowest glass transition temperature among the organic functional layers at a cooling rate of min or more.
(7) In the manufacturing process of the organic functional element including the organic functional layer, at least one of the organic functional layers is formed by using the method for forming an organic functional thin film according to any one of claims 5 to 8. A method for producing a functional element.

(1)の発明により、密閉された不活性ガス雰囲気内で加熱処理を行うため有機機能性材料の酸素や水との反応による劣化を防ぐ事が出来、また、加熱手段と、冷却手段が別々の位置に設置され、冷却手段が直接基板設置部に接続されていることで、加熱後、迅速に急冷が可能となった。特に、(4)の発明により、冷媒を噴霧することにより、効率よく均一に基板を冷却でき、また冷却時間の制御も容易であるような有機機能性薄膜熱処理装置となった。 According to the invention of (1), since the heat treatment is performed in a sealed inert gas atmosphere, deterioration of the organic functional material due to reaction with oxygen or water can be prevented, and the heating means and the cooling means are separately provided. Since the cooling means is directly connected to the substrate installation portion, rapid cooling is possible after heating. In particular, according to the invention of (4), an organic functional thin film heat treatment apparatus that can efficiently and uniformly cool the substrate by spraying the refrigerant and that can easily control the cooling time is obtained.

さらに(3)のように加熱手段として赤外線ヒーターを用いて、さらに該赤外線ヒーターより照射される赤外線が波長3〜25μmに光エネルギーのピークを持つものであることによって、有機機能性薄膜に化学変化や損傷等の劣化作用を与えることなく、効率的に加熱することができる。 Furthermore, as shown in (3), an infrared heater is used as a heating means, and the infrared rays irradiated from the infrared heater have a light energy peak at a wavelength of 3 to 25 μm, so that the organic functional thin film is chemically changed. It is possible to heat efficiently without deteriorating effects such as damage and damage.

また、(2)の発明により、基板設置部の表面において赤外線ヒーターから放射される赤外線の大部分が反射されることによって、基板設置部自体が赤外線により加熱されることがないために、冷却時の効率を上げることができ、さらに基板設置部分では、透過した赤外線が基板背面からも反射されて基板に向けて照射されることになるので、効率的に基板を加熱することができる。 Further, according to the invention of (2), since most of infrared rays radiated from the infrared heater is reflected on the surface of the substrate installation portion, the substrate installation portion itself is not heated by infrared rays. Furthermore, since the transmitted infrared light is reflected also from the back surface of the substrate and is irradiated toward the substrate, the substrate can be efficiently heated.

また、(5)〜(7)に記載された工程により有機機能性薄膜の処理を行い、有機機能性薄膜及び有機機能性素子を形成することにより、加熱した後に急冷することにより、アモルファス状態を保持することができるため、例えば有機EL素子においては素子寿命、発光特性の優れた素子の製造が可能となる。また、ガラス転移温度以上、さらには融点以上に加熱することにより、下部層との密着性、及び平坦性に優れた有機機能性薄膜、ひいては高品質な有機機能性素子とすることが可能となった。 In addition, the organic functional thin film is processed by the steps described in (5) to (7), and the organic functional thin film and the organic functional element are formed. For example, in an organic EL element, it is possible to manufacture an element having excellent element life and light emission characteristics. In addition, by heating above the glass transition temperature and further above the melting point, it becomes possible to obtain an organic functional thin film excellent in adhesion to the lower layer and flatness, and thus a high-quality organic functional element. It was.

以下、本発明の実施の形態を詳しく説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.

(有機機能性薄膜熱処理装置)
図1に本発明における有機機能性薄膜熱処理装置の概要を示す。本装置は有機機能性薄膜担持基板107(以後基板と記す)が設置された冷却体108と、それに対峙した加熱体106を有する。また、基板107上の有機機能材料が加熱時に酸化反応を起こさぬよう、基板を含む空間は不活性雰囲気を保つことが出来るアニールチャンバー101内に設置される。
(Organic functional thin film heat treatment equipment)
FIG. 1 shows an outline of an organic functional thin film heat treatment apparatus in the present invention. This apparatus has a cooling body 108 provided with an organic functional thin film carrying substrate 107 (hereinafter referred to as a substrate) and a heating body 106 facing the cooling body 108. In addition, the space including the substrate is installed in the annealing chamber 101 that can maintain an inert atmosphere so that the organic functional material on the substrate 107 does not cause an oxidation reaction when heated.

アニールチャンバー101は窒素やアルゴンなどの不活性な雰囲気に置換するために、排気弁104や給気弁105につながっている。冷却チャンバー102は特にその雰囲気を限定されないが、冷媒が漏れないような設計である必要がある。 The annealing chamber 101 is connected to an exhaust valve 104 and an air supply valve 105 for replacement with an inert atmosphere such as nitrogen or argon. The atmosphere of the cooling chamber 102 is not particularly limited, but it needs to be designed so that the refrigerant does not leak.

加熱体106としては基板107を遠隔加熱できるものであればよいが、赤外線、特に波長λ=3〜25μmに光エネルギーのピークを持つ赤外線を放射可能な遠赤外線ヒーターである事が好ましい。何故ならば、有機化合物にはその領域に吸収体を持つものが多いため、効率的に加熱を行う事が可能と成るからである。尚、波長λ=0.74〜3μmの近赤外線はガラスを透過しやすい。そのため、基板107にガラスを用いた場合にはその加熱が効率よく行われない。更に短い波長の光を用いた場合には有機化合物の電子励起し、有機機能性薄膜が劣化するおそれがあるために不適である。 Any heating element 106 may be used as long as it can heat the substrate 107 remotely, but a far-infrared heater capable of emitting infrared rays, particularly infrared rays having a light energy peak at a wavelength λ = 3 to 25 μm, is preferable. This is because many organic compounds have an absorber in that region, so that heating can be performed efficiently. Note that near infrared rays having a wavelength λ = 0.74 to 3 μm are likely to pass through the glass. Therefore, when glass is used for the substrate 107, the heating is not performed efficiently. Furthermore, when light having a short wavelength is used, it is not suitable because the organic compound is excited electronically and the organic functional thin film may be deteriorated.

加熱体106の個数や配置は、基板107が均一に加熱されるよう適宜設計することができるし、加熱体106、基板107、冷却体108の位置関係は図1の様でなくても構わない。例えば、加熱体は基板を覆うような半円筒形にして、加熱効率を考慮した形状にすることも可能である。 The number and arrangement of the heating bodies 106 can be appropriately designed so that the substrate 107 is uniformly heated, and the positional relationship between the heating body 106, the substrate 107, and the cooling body 108 may not be as shown in FIG. . For example, the heating body can be a semi-cylindrical shape that covers the substrate, and can be shaped in consideration of heating efficiency.

冷却体は、基板設置部と基板冷却部を兼ね備えたものである。冷却体108を構成する素材としては、当然のことながら熱伝導度が高い物質を用いることが好ましい。また、少なくとも冷却体の基板側の表面においては、赤外線ヒーターの照射する赤外線の波長に対して反射率が80%以上である物質を用いることが好ましい。冷却体表面において加熱体から放射される赤外線の大部分が反射されることによって、冷却体が加熱されることがなく、冷却時の効率を上げることができ、さらには基板設置部分においては、透過した赤外線が、基板背面からも反射されて基板に向けて照射されることになるので、効率的に基板を加熱することができるためである。 The cooling body has both a substrate installation part and a substrate cooling part. As a matter of course, it is preferable to use a material having high thermal conductivity as the material constituting the cooling body 108. Moreover, it is preferable to use a substance having a reflectance of 80% or more with respect to the wavelength of infrared rays irradiated by the infrared heater at least on the surface of the cooling body on the substrate side. Reflecting most of the infrared rays radiated from the heating body on the surface of the cooling body, the cooling body is not heated, and the efficiency during cooling can be increased. This is because the infrared light reflected from the back surface of the substrate is irradiated toward the substrate, so that the substrate can be efficiently heated.

上記の二点を満たすような物質としては、例えばAg,Al,Au,Cu等を挙げることが出来る。また、冷却体108の最表面のみをその様な物質でコーティングして用いても良い。また、冷却体108の厚みは、薄すぎると機械的な強度不足や熱の不均一性の原因と成り、厚過ぎると熱伝導に時間が掛かるために冷媒による冷却がスムーズに行えない。従って、材質にもよるが、その厚みは1から50mm程度である事が好ましい。 Examples of substances that satisfy the above two points include Ag, Al, Au, and Cu. Further, only the outermost surface of the cooling body 108 may be coated with such a substance. On the other hand, if the thickness of the cooling body 108 is too thin, it causes mechanical strength deficiency and heat non-uniformity. If it is too thick, it takes time for heat conduction, so that cooling with the refrigerant cannot be performed smoothly. Accordingly, although it depends on the material, the thickness is preferably about 1 to 50 mm.

冷却体108を介して基板を冷却する方法としては、冷却体の内部若しくは裏面に熱交換媒体(冷媒)が通過する水路を設けておき、そこに冷媒を流す方法が良く行われている。しかしながら、この方法で数十センチ角以上の広い面積を均一に冷やすためには、冷媒の流れを緻密に制御する必要が有る。また、冷媒の移動によって冷却するために、冷却を停止するためには冷媒を冷却体内から抜き出す必要があるため、動作の切り替え(冷却のON・OFF)が瞬時にできないという欠点がある。 As a method of cooling the substrate via the cooling body 108, a method of providing a water passage through which a heat exchange medium (refrigerant) passes in the cooling body or on the rear surface and allowing the refrigerant to flow therethrough is often performed. However, in order to uniformly cool a wide area of several tens of centimeters or more by this method, it is necessary to precisely control the flow of the refrigerant. In addition, since cooling is performed by moving the refrigerant, it is necessary to extract the refrigerant from the cooling body in order to stop the cooling. Therefore, there is a drawback in that switching of operation (ON / OFF of cooling) cannot be instantaneously performed.

そこで本発明ではより簡便で、且つ迅速に冷却体を冷却する方法として冷媒噴霧法を提案する。この方法では冷却体の裏面全面に冷媒を噴霧するため、冷却体の均一な冷却が可能とであり、また噴霧装置による冷却のON・OFFとなるため、冷却時間の制御も容易である。 Therefore, the present invention proposes a refrigerant spray method as a method for cooling the cooling body more simply and quickly. In this method, since the coolant is sprayed on the entire back surface of the cooling body, the cooling body can be uniformly cooled. Further, since the cooling by the spraying device is turned ON / OFF, the cooling time can be easily controlled.

冷媒を噴霧するための手段としては、冷媒の吐出量を制御可能で、冷媒を冷却体裏面全面に均一にかけることが可能な手段であれば特に限定はしないが、例えば1流体スプレーノズルや2流体スプレーノズルを用いることが出来る。ノズル109の個数や配置は、冷却体108が均一に冷却されるよう適宜設計することが出来る。 The means for spraying the refrigerant is not particularly limited as long as the discharge amount of the refrigerant can be controlled and the refrigerant can be uniformly applied to the entire back surface of the cooling body. For example, one fluid spray nozzle or 2 A fluid spray nozzle can be used. The number and arrangement of the nozzles 109 can be appropriately designed so that the cooling body 108 is uniformly cooled.

冷媒113としては、冷却体108や冷媒噴霧ノズル109、チャンバーを腐食せず、目的とする冷却温度で液体であるものであれば特に制限はないが、引火点や発火点を持ったり人体に有毒なものは避けるべきである。従って、例えば水や液体窒素、不燃性のフッ素溶媒等が好適である。 The coolant 113 is not particularly limited as long as it does not corrode the cooling body 108, the coolant spray nozzle 109, and the chamber, and is liquid at the target cooling temperature, but has a flash point or ignition point or is toxic to the human body. Things should be avoided. Therefore, for example, water, liquid nitrogen, a nonflammable fluorine solvent, or the like is preferable.

冷却体108の裏面は冷媒と接するため冷却チャンバー102内に露出しているが、基板107を担持する面はアニールチャンバー101側に露出している。そして、冷媒113が冷却チャンバー102側からアニールチャンバー101側に漏れださないように、冷却体108の端面部分はしっかりとシールしてある。あるいは、基板設置部を含むチェンバー底面全体により、冷却体を構成するようにしてもよい。このように、真空もしくは不活性ガス雰囲気に置換可能なチャンバー内と、冷却機構を接続された部分との両面に冷却体が露出していることにより、冷却機構自体は大気圧で構成することがきるため、上記のように、冷媒噴霧による基板冷却が可能となり、また冷却装置の構成の自由度も高いものとなる。 The back surface of the cooling body 108 is exposed in the cooling chamber 102 because it is in contact with the coolant, but the surface carrying the substrate 107 is exposed on the annealing chamber 101 side. The end face of the cooling body 108 is tightly sealed so that the refrigerant 113 does not leak from the cooling chamber 102 side to the annealing chamber 101 side. Or you may make it comprise a cooling body by the whole chamber bottom face containing a board | substrate installation part. As described above, the cooling mechanism is exposed to both the inside of the chamber that can be replaced with a vacuum or an inert gas atmosphere and the portion to which the cooling mechanism is connected, so that the cooling mechanism itself can be configured at atmospheric pressure. Therefore, as described above, the substrate can be cooled by spraying the refrigerant, and the configuration of the cooling device is highly flexible.

冷却体108にあたった冷媒113は、その後冷媒回収ライン110により回収タンクに回収し、再冷却した後に再びノズルにて冷媒の噴霧に用いることができる。回収・再冷却機構としては、冷媒を冷却する熱交換器や、ノズルつまりの原因と成るゴミをカットするフィルター、冷媒を循環させるポンプの組み合わせを適宜選択して用いてもよい。冷媒として液体窒素等の装置の動作環境で気体の物質や、コスト・環境的に回収の必要がない物質を用いた場合には当然ながら回収の機構は不要である。 The refrigerant 113 hitting the cooling body 108 is then collected in the collection tank by the refrigerant collection line 110, and after being re-cooled, it can be used again for spraying the refrigerant at the nozzle. As the recovery / recooling mechanism, a combination of a heat exchanger that cools the refrigerant, a filter that cuts off dust that causes nozzle clogging, and a pump that circulates the refrigerant may be appropriately selected and used. If a gaseous substance or a substance that does not need to be recovered in terms of cost and environment is used as the refrigerant in the operating environment of the apparatus such as liquid nitrogen, a recovery mechanism is naturally unnecessary.

(有機機能性薄膜の形成方法)
次に上記本発明の装置を用いた有機機能性薄膜の形成方法について説明する。有機機能性薄膜の処理方法は、有機EL素子、有機太陽電池、有機薄膜トランジスタ等の、有機機能性材料を用いた素子、及びその各有機機能層に用いることができる。例えば図2に示したような有機EL素子の構成図では、電荷輸送層203a、有機発光層203bが本発明での有機機能性薄膜に当たる。
(Method of forming organic functional thin film)
Next, a method for forming an organic functional thin film using the apparatus of the present invention will be described. The processing method of an organic functional thin film can be used for the element using organic functional materials, such as an organic EL element, an organic solar cell, an organic thin-film transistor, and each organic functional layer. For example, in the configuration diagram of the organic EL element as shown in FIG. 2, the charge transport layer 203a and the organic light emitting layer 203b correspond to the organic functional thin film in the present invention.

背景技術で述べたように、有機機能性材料には大別すると低分子材料、高分材料の2つがあるが、薄膜成膜方法についても種類に応じてドライプロセス、ウェットプロセスそれぞれ使い分けられている。主に低分子材料では真空蒸着等のドライプロセス、高分子材料では溶媒に材料を分散あるいは溶解させたインキを塗工するウェットプロセスを用いる。 As described in the background art, organic functional materials can be broadly divided into low molecular weight materials and high molecular weight materials, but thin film deposition methods are also used separately depending on the type. . Mainly, dry processes such as vacuum deposition are used for low-molecular materials, and wet processes are used for polymer materials, which are coated with ink in which the material is dispersed or dissolved in a solvent.

ウェットプロセスでの成膜工程の一例として、図3に凸版印刷法の説明図を示す。ステージ307には被印刷基板306が固定されており、本発明によってパターン形成された印刷用凸版304は版胴305に固定され、印刷用凸版304はインキ供給体であるアニロックスロール303と接しており、アニロックスロール303はインキ補充装置301とドクター302を備えている。 As an example of the film forming process in the wet process, FIG. 3 shows an explanatory diagram of the relief printing method. A printing substrate 306 is fixed to the stage 307, the printing relief plate 304 patterned in accordance with the present invention is fixed to the plate cylinder 305, and the printing relief plate 304 is in contact with the anilox roll 303 which is an ink supply body. The anilox roll 303 includes an ink replenishing device 301 and a doctor 302.

まず、インキ補充装置301からアニロックスロール303へインキを補充し、アニロックスロール303に供給されたインキ308のうち余分なインキは、ドクター302により除去される。インキ補充装置301には、滴下型のインキ補充装置、ファウンテンロール、スリットコータ、ダイコータ、キャップコータなどのコータやそれらを組み合わせたものなどを用いることもできる。ドクター302にはドクターブレードの他にドクターロールといった公知の物を用いることもできる。また、アニロックスロール303は、クロム製やセラミックス製のものを用いることができる。 First, ink is replenished from the ink replenishing device 301 to the anilox roll 303, and excess ink out of the ink 308 supplied to the anilox roll 303 is removed by the doctor 302. As the ink replenishing device 301, a dripping type ink replenishing device, a fountain roll, a slit coater, a die coater, a coater such as a cap coater, or a combination of these can be used. For the doctor 302, a known object such as a doctor roll can be used in addition to the doctor blade. The anilox roll 303 can be made of chromium or ceramics.

印刷用凸版へのインキ供給体であるアニロックスロール303表面にドクターによって均一に保持されたインキ304は、版胴305に取り付けられた印刷用凸版306の凸部パターンに転移、供給される。そして、版胴305の回転に合わせて印刷用凸版306の凸部パターンと基板は接しながら相対的に移動し、インキはステージ308上にある被印刷基板306の所定位置に転移し被印刷基板にインキパターンを形成する。 The ink 304 uniformly held by the doctor on the surface of the anilox roll 303 which is an ink supply to the printing relief plate is transferred and supplied to the projection pattern of the printing relief plate 306 attached to the plate cylinder 305. Then, as the plate cylinder 305 rotates, the convex pattern of the printing relief plate 306 and the substrate move relative to each other while being in contact with each other, and the ink is transferred to a predetermined position of the printing substrate 306 on the stage 308 and is transferred to the printing substrate. An ink pattern is formed.

次にアニール工程であるが、低分子材料、高分子材料のいずれにしても、ガラス転移温度付近で物性が大きく変化するために、薄膜形成後にアニール処理することにより、薄膜の均質化等の効果があるとされている。 Next is the annealing process. The physical properties of the low-molecular material and the high-molecular material change greatly near the glass transition temperature. It is said that there is.

低分子材料を用いた場合には、ガラス転移温度以下の温度で加熱処理することにより、アモルファス状態となるために特性の良い有機機能性薄膜となるが、融点以上の高い温度では、室温に冷却される過程で結果的に結晶化し、素子寿命や発光特性が悪くなることが知られている。そのため、背景技術で述べたように、従来ガラス転移温度以上、あるいは融点付近までの加熱は行われてこなかった。ただし、結晶化した薄膜に対して、融点まで過熱することによって融解され、この状態においては、アモルファス状態となるために均質な薄膜の状態となっている。 When using low molecular weight materials, heat treatment at a temperature below the glass transition temperature results in an organic functional thin film with good characteristics due to the amorphous state, but at temperatures above the melting point, it is cooled to room temperature. As a result, it is known that the crystallized as a result, and the device lifetime and the light emission characteristics deteriorate. Therefore, as described in the background art, heating up to the glass transition temperature or higher or near the melting point has not been performed. However, the crystallized thin film is melted by heating up to the melting point, and in this state, it becomes an amorphous state because it becomes an amorphous state.

また、高分子系の有機機能性薄膜についても加熱処理し、ガラス転移温度以上の温度でアニール処理を行うことで素子の駆動寿命が大幅に改善されるという報告されている。その理由としては、Tg以上のアニール処理により膜面が平滑に成る(“Effect of thermal annealing on the lifetime of polymer light−emitting diodes”,Jinook Kim et al,Appl.Phys.Lett.82,4238−4240(2003)参照)、膜内の高分子鎖のパッキング状態が良くなり移動度が向上する(“Hole and electron transport in poly(9,9−dioctylfluorene9 and poly(9,9−dioctylfluorene−co−benzothiadiazole)”, T. Kreouzis et al, Proc. of SPIE 5214,141−149(2004)参照)等が挙げられている。 In addition, it has been reported that the drive life of the device is significantly improved by heat-treating a polymer organic functional thin film and annealing at a temperature higher than the glass transition temperature. The reason is that the film surface is smoothed by annealing treatment of Tg or more ("Effect of thermal annealing on the light of emitter light-emitting diodes", Jinok Kim et al., Appl. (2003)), the packing state of the polymer chain in the membrane is improved and the mobility is improved ("Hole and electrotransport in poly (9,9-dioxyfluorene9 and poly (9,9-dioctylfluorene-co-benzodi))". ", T. Kreouzis et al, Proc. Of SPIE 5214," 41-149 (2004) reference), and the like are mentioned.

上記のような背景から、一旦ガラス転移温度あるいは融点以上に加熱した状態の有機機能性薄膜ではアモルファス状態となっており、一旦融点以上にする事で、良好なアモルファス状態と成り平滑性の高い均一な膜面が得られ、下層との密着性も向上すると考えられる。 From the above background, the organic functional thin film once heated to the glass transition temperature or above the melting point is in an amorphous state, and once the melting point is exceeded, the amorphous state becomes a good amorphous state with high smoothness and uniformity. It is considered that an excellent film surface is obtained and adhesion with the lower layer is improved.

そこで本発明では、有機機能性薄膜をガラス転移温度以上、さらには融点以上に加熱した後、これを急冷することにより、有機機能性薄膜の状態を保持することを可能とした。特に低分子系の有機機能層薄膜に関しては、一旦溶かすためTg以上の加熱による結晶化が問題に成らなくなる。更には、一旦結晶化しても融点以上の加熱に続く急冷により良好なアモルファス膜が得られるため、従来結晶化が問題と成って容易には成し得なかった塗布成膜が可能に成る。また、高分子材料についても、ガラス転移温度以上に加熱することにより官能基の配向がランダム化されることにより、均質な膜が形成されると考えられる。 Therefore, in the present invention, the organic functional thin film is heated to the glass transition temperature or higher, and further to the melting point or higher, and then rapidly cooled to maintain the state of the organic functional thin film. In particular, in the case of a low molecular weight organic functional layer thin film, since it is once dissolved, crystallization by heating at Tg or more does not become a problem. Furthermore, even after crystallization, a good amorphous film can be obtained by rapid cooling subsequent to heating above the melting point, so that it becomes possible to form a coating film that could not be easily formed by conventional crystallization. In addition, it is considered that a homogeneous film is also formed in the polymer material by randomizing the orientation of the functional group by heating to the glass transition temperature or higher.

具体的な工程としては、各層を成膜後、必要に応じて本発明のアニール処理を行う。例えば低分子系の材料を印刷にて形成したのち、結晶化により不均一となったその印刷面を、一旦融点以上に加熱した後、10℃/min以上の冷却速度で、融解した材料のガラス転移温度以下まで急冷することで均一なアモルファス面を得る事が可能と成る。冷却速度が速いほど結晶化が起き難く成るが、基板を構成する他の素材が急冷により破損したり、熱膨張係数の差が大きく界面で剥離が起きたりする恐れがある場合は、冷媒の温度や流量を適宜調整し最適速度とする必要がある。 As a specific process, after forming each layer, the annealing treatment of the present invention is performed as necessary. For example, after a low molecular weight material is formed by printing, the printed surface that has become non-uniform due to crystallization is once heated to a melting point or higher, and then melted at a cooling rate of 10 ° C./min or higher. A uniform amorphous surface can be obtained by rapidly cooling to a temperature below the transition temperature. If the cooling rate is high, crystallization is less likely to occur. However, if there is a risk that other materials constituting the substrate may be damaged by rapid cooling, or the difference in thermal expansion coefficient may be large, causing separation at the interface, the temperature of the refrigerant It is necessary to adjust the flow rate and the flow rate to the optimum speed.

また、高分子系材料のように融点が非常に高く、且つ膜面の均一性が良い材料に関しては一旦Tg以上融点未満に加熱した後に冷却しても十分なアニール効果を得る事が可能と成る。その場合に於いても、必要以上の加熱は熱劣化を引き起こす恐れが有るので10℃/min以上の冷却速度でガラス転移点温度以下まで冷却するとよい。 In addition, a material having a very high melting point such as a polymer material and good film surface uniformity can obtain a sufficient annealing effect even if it is heated to Tg or more and less than the melting point and then cooled. . Even in such a case, since heating more than necessary may cause thermal degradation, it is preferable to cool the glass transition point temperature or lower at a cooling rate of 10 ° C./min or higher.

これらのアニール処理により、有機機能性薄膜の膜質改善や密着性の向上が図られ、その結果素子特性が向上する。また、複数の有機機能性薄膜を積層する場合、各有機機能性薄膜形成ごとに行うこともできるし、各有機機能性薄膜形成後、アニール処理することも可能である。各層の有機機能性材料の特性によって工程を決定する必要があるが、複数の有機機能性薄膜を形成した後にアニール処理する場合には、最もガラス転移温度が高い有機機能性材料薄膜のガラス転移温度あるいは融点以上に加熱し、次に少なくとも最もガラス転移温度が低い有機機能性材料薄膜のガラス転移温度以下まで急冷することが好ましい。 By these annealing treatments, the film quality and adhesion of the organic functional thin film are improved, and as a result, the device characteristics are improved. Moreover, when laminating | stacking a some organic functional thin film, it can also carry out for every organic functional thin film formation, and it is also possible to anneal-treat after forming each organic functional thin film. Although it is necessary to determine the process according to the characteristics of the organic functional material of each layer, when annealing is performed after forming a plurality of organic functional thin films, the glass transition temperature of the organic functional material thin film having the highest glass transition temperature Alternatively, it is preferable to heat to the melting point or higher and then rapidly cool to at least the glass transition temperature of the organic functional material thin film having the lowest glass transition temperature.

(有機機能性素子及び有機機能性素子の製造方法)
有機機能性素子の一例として、図2に示した有機EL素子を挙げ、説明する。但し、前述したように本発明は有機機能性材料を用いた有機機能性薄膜を有する物全般に関するものであり、有機ELに限定するものではない。
(Organic functional element and organic functional element manufacturing method)
As an example of the organic functional element, the organic EL element shown in FIG. However, as described above, the present invention relates to all objects having an organic functional thin film using an organic functional material, and is not limited to organic EL.

本発明に用いられる基板201としては、透光性があり、ある程度の強度がある基板なら制限はないが、具体的にはガラス基板やプラスチック製のフィルムまたはシートを用いることができる。0.2〜1mmの薄いガラス基板を用いれば、バリア性が非常に高い薄型の有機EL素子を作製することができる。 The substrate 201 used in the present invention is not limited as long as it is light-transmitting and has a certain degree of strength. Specifically, a glass substrate or a plastic film or sheet can be used. If a thin glass substrate having a thickness of 0.2 to 1 mm is used, a thin organic EL device having a very high barrier property can be produced.

透明導電層202としては、透明または半透明の電極を形成することのできる導電性材料なら特に制限はない。具体的には酸化物としてインジウムと錫の複合酸化物(以下ITOという)、インジウムと亜鉛の複合酸化物(以下IZOという)、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、亜鉛アルミニウム複合酸化物等があるが、低抵抗であること、対溶剤性があること、透明性があること等からITOを好ましく用いることができ、前記透光性基板201上に蒸着またはスパッタリング法により製膜することもできる。また、オクチル酸インジウムやアセトンインジウムなどの前駆体を基板上に塗布後、熱分解により酸化物を形成する塗布熱分解法等により形成することもできる。あるいは、金属としてアルミニウム、金、銀等の金属が半透明状に蒸着されたものを用いることができる。あるいはポリアニリン等の有機半導体も用いることができる。 The transparent conductive layer 202 is not particularly limited as long as it is a conductive material capable of forming a transparent or translucent electrode. Specifically, indium and tin composite oxide (hereinafter referred to as ITO), indium and zinc composite oxide (hereinafter referred to as IZO), tin oxide, zinc oxide, indium oxide, zinc aluminum composite oxide, and the like are included as oxides. However, ITO can be preferably used because of its low resistance, solvent resistance, transparency, and the like, and can also be formed on the translucent substrate 201 by vapor deposition or sputtering. Alternatively, a precursor such as indium octylate or indium acetone can be applied on a substrate and then formed by an application pyrolysis method in which an oxide is formed by thermal decomposition. Alternatively, a metal in which a metal such as aluminum, gold, or silver is vapor-deposited in a translucent state can be used. Alternatively, an organic semiconductor such as polyaniline can also be used.

上記、透明導電層202は、必要に応じてエッチングによりパターニングを行う、またはUV処理、プラズマ処理などにより表面の活性化を行ってもよい。 The transparent conductive layer 202 may be patterned by etching as necessary, or may be activated by UV treatment, plasma treatment, or the like.

本発明における有機機能層203は、単層若しくは複数の機能性層を積層させてもよい。有機EL素子の場合では、陽極および陰極の電極間に少なくとも有機発光層を設ける必要があるが、その他にも機能性層として正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等の電荷輸送層を設けることができ、その構成は任意である。 The organic functional layer 203 in the present invention may be a single layer or a stack of a plurality of functional layers. In the case of an organic EL element, it is necessary to provide at least an organic light emitting layer between the anode and the cathode. In addition, a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, an electron injection layer, etc. as functional layers The charge transport layer can be provided, and its configuration is arbitrary.

主に透明導電層102に隣接して設けられる電荷輸送層203aに用いる材料としては、一般に正孔輸送材料として用いられているものであれば良く、銅フタロシアニンやその誘導体、1,1―ビス(4―ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン、N,N’―ジフェニル―N,N’−ビス(3−メチルフェニル)―1,1’―ビフェニル−4,4’―ジアミン(TPD)、N,N’―ジ(1―ナフチル)―N,N’―ジフェニル−1,1’―ビフェニル−4,4’―ジアミン等の芳香族アミン系などの低分子や、ポリアニリン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリビニルカルバゾール(PVK)誘導体、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)とポリスチレンスルホン酸との混合物等の高分子材料を用いることが出来る。また、ポリパラフェニレン(PPP)等のポリアリーレン系、ポリフェニレンビニレン(PPV)等のポリアリーレンビニレン系等の導電性高分子若しくはポリスチレン(PS)等の高分子に、アリールアミン類、カルバゾール誘導体、アリールスルフィド類、チオフェン誘導体、フタロシアニン誘導等の低分子の電荷輸送性を示す材料を混合した物を用いても良い。 The material used for the charge transport layer 203a mainly provided adjacent to the transparent conductive layer 102 may be any material generally used as a hole transport material, such as copper phthalocyanine and its derivatives, 1,1-bis ( 4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane, N, N′-diphenyl-N, N′-bis (3-methylphenyl) -1,1′-biphenyl-4,4′-diamine (TPD), N , N′-di (1-naphthyl) -N, N′-diphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine and other low molecular weight compounds such as aromatic amines, polyaniline derivatives, polythiophene derivatives, polyvinyl A polymer material such as a carbazole (PVK) derivative, a mixture of poly (3,4-ethylenedioxythiophene) and polystyrene sulfonic acid, or the like can be used. In addition, polyamines such as polyparaphenylene (PPP), polyarylene vinylenes such as polyphenylene vinylene (PPV), conductive polymers such as polyphenylene vinylene (PPV), or polymers such as polystyrene (PS), arylamines, carbazole derivatives, aryl A mixture of sulfides, thiophene derivatives, phthalocyanine-derived low molecular charge transporting materials, and the like may be used.

有機EL素子における有機発光層203bに用いる発光体としては、クマリン系、ペリレン系、ピレン系、アンスロン系、ポルフィレン系、キナクリドン系、N,N’−ジアルキル置換キナクリドン系、ナフタルイミド系、N,N’−ジアリール置換ピロロピロール系、イリジウム錯体系、白金錯体系、ユーロピウム錯体系等の低分子発光性色素や、それら低分子系材料をポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルカルバゾール等の高分子中に溶解若しくは高分子に共重合させたものや、ポリアリーレン系、ポリアリーレンビニレン系やポリフルオレン系等の高分子発光体を用いることができる。 As a light emitter used for the organic light emitting layer 203b in the organic EL element, coumarin, perylene, pyrene, anthrone, porphyrene, quinacridone, N, N′-dialkyl-substituted quinacridone, naphthalimide, N, N Dissolve low-molecular-weight luminescent dyes such as' -diaryl-substituted pyrrolopyrrole, iridium complex, platinum complex, and europium complexes, and low molecular weight materials in polymers such as polystyrene, polymethyl methacrylate, and polyvinylcarbazole. Polymers that are copolymerized with polymers, polymer light emitters such as polyarylene, polyarylene vinylene, and polyfluorene can be used.

これらの材料は低分子の場合は蒸着法を用いて成膜しても良いが、トルエン、キシレン、アセトン、アニソール、メチルアニソール、ジメチルアニソール、安息香酸エチル、安息香酸メチル、メシチレン、テトラリン、アミルベンゼン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、酢酸エチル、酢酸ブチル、水等の単独または混合溶媒に溶解または分散させて塗布液として用い、スピンコート法、カーテンコート法、バーコート法、ワイヤーコート法、スリットコート法といったコーティング法や、凸版印刷法(フレキソ印刷法)、凹版オフセット印刷法、凸版反転オフセット印刷法、インクジェット印刷法、凹版印刷法といった印刷法により成膜することが可能である。 These materials may be formed by vapor deposition in the case of low molecules, but toluene, xylene, acetone, anisole, methylanisole, dimethylanisole, ethyl benzoate, methylbenzoate, mesitylene, tetralin, amylbenzene , Methyl ethyl ketone, Methyl isobutyl ketone, Cyclohexanone, Methanol, Ethanol, Isopropyl alcohol, Ethyl acetate, Butyl acetate, Water, etc. A single or mixed solvent used as a coating solution, spin coating method, curtain coating method, bar coating The film may be formed by a coating method such as a coating method, a wire coating method, a slit coating method, a letterpress printing method (flexographic printing method), an intaglio offset printing method, a letterpress reverse printing method, an ink jet printing method, an intaglio printing method. Possible A.

ただし、有機EL素子をフルカラー表示させるには、有機発光層をR(赤)G(緑)B(青)三色にパターニングする必要がある。このように、有機発光層をパターニングする際には、凸版印刷法(フレキソ印刷法)、凹版オフセット印刷法、凸版反転オフセット印刷法、インクジェット印刷法、凹版印刷法といった印刷法を好適に用いることができ、発光色の異なる有機発光層を画素ごとにパターン形成することができる。また、有機EL素子において、正孔輸送層や電子輸送層といった電荷輸送層は、隣接する画素への電流のリークを防止するために、画素ごとにパターニングすることが好ましい。この場合においても、凸版印刷法(フレキソ印刷法)、凹版オフセット印刷法、凸版反転オフセット印刷法、インクジェット印刷法、凹版印刷法といった印刷法を好適に用いることができる。 However, in order to display the organic EL element in full color, it is necessary to pattern the organic light emitting layer into three colors of R (red), G (green), and B (blue). Thus, when patterning an organic light emitting layer, it is preferable to use a printing method such as a relief printing method (flexographic printing method), an intaglio offset printing method, a relief printing reverse offset printing method, an ink jet printing method, and an intaglio printing method. In addition, organic light-emitting layers having different emission colors can be patterned for each pixel. In the organic EL element, the charge transport layer such as a hole transport layer or an electron transport layer is preferably patterned for each pixel in order to prevent current leakage to adjacent pixels. Also in this case, a printing method such as a relief printing method (flexographic printing method), an intaglio offset printing method, a relief printing reverse offset printing method, an ink jet printing method, and an intaglio printing method can be suitably used.

各層を成膜後、必要に応じて本発明のアニール処理を行う。例えば低分子系の材料を印刷にて形成したのち、結晶化により不均一となったその印刷面を、一旦融点以上に加熱した後、10℃/min以上の冷却速度で、融解した材料のガラス転移温度以下まで急冷することで均一なアモルファス面を得る事が可能と成る。冷却速度が速いほど結晶化が起き難く成るが、基板を構成する他の素材が急冷により破損したり、熱膨張係数の差が大きく界面で剥離が起きたりする恐れがある場合は、冷媒の温度や流量を適宜調整し最適速度とする必要がある。 After forming each layer, the annealing treatment of the present invention is performed as necessary. For example, after a low molecular weight material is formed by printing, the printed surface that has become non-uniform due to crystallization is once heated to a melting point or higher, and then melted at a cooling rate of 10 ° C./min or higher. A uniform amorphous surface can be obtained by rapidly cooling to a temperature below the transition temperature. If the cooling rate is high, crystallization is less likely to occur. However, if there is a risk that other materials constituting the substrate may be damaged by rapid cooling, or the difference in thermal expansion coefficient may be large, causing separation at the interface, the temperature of the refrigerant It is necessary to adjust the flow rate and the flow rate to the optimum speed.

また、高分子系材料のように融点が非常に高く、且つ膜面の均一性が良い材料に関しては一旦Tg以上融点未満に加熱した後に冷却しても十分なアニール効果を得る事が可能と成る。その場合に於いても、必要以上の加熱は熱劣化を引き起こす恐れが有るので10℃/min以上の冷却速度でガラス転移点温度以下まで冷却するとよい。 In addition, a material having a very high melting point such as a polymer material and good film surface uniformity can obtain a sufficient annealing effect even if it is heated to Tg or more and less than the melting point and then cooled. . Even in such a case, since heating more than necessary may cause thermal degradation, it is preferable to cool the glass transition point temperature or lower at a cooling rate of 10 ° C./min or higher.

これらのアニール処理により、有機機能性薄膜の膜質改善や密着性の向上が図られ、その結果素子特性が向上する。このアニール処理は有機機能性素子作製過程の任意のタイミングで行う事が可能である。 By these annealing treatments, the film quality and adhesion of the organic functional thin film are improved, and as a result, the device characteristics are improved. This annealing treatment can be performed at an arbitrary timing in the organic functional element manufacturing process.

有機機能性薄膜形成後、有機機能層203の上から陰極からなる電極層205を形成する。電極層としてはMg、Al、Yb、Ba、Ca等の金属単体を用いたり、発光媒体材料と接する界面にLiやLiF等の化合物を1nm程度はさんで、安定性・導電性の高いAlやCuを積層して用いることが可能である。または、電子注入効率と安定性を両立させるため、仕事関数の低い金属と安定な金属との合金系、例えばMgAg、AlLi、CuLi等の合金が使用できる。陰極の形成方法は材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム法、スパッタリング法を用いることができる。電極層の厚さは、10nmから1000nm程度が望ましい。 After forming the organic functional thin film, an electrode layer 205 composed of a cathode is formed on the organic functional layer 203. As the electrode layer, a single metal such as Mg, Al, Yb, Ba, or Ca is used, or a compound such as Li or LiF is sandwiched by about 1 nm at the interface in contact with the light emitting medium material. Cu can be laminated and used. Alternatively, in order to achieve both electron injection efficiency and stability, an alloy system of a metal having a low work function and a stable metal, for example, an alloy such as MgAg, AlLi, or CuLi can be used. As a method for forming the cathode, a resistance heating vapor deposition method, an electron beam method, or a sputtering method can be used depending on the material. The thickness of the electrode layer is desirably about 10 nm to 1000 nm.

最後にこれらの有機機能性積層体を、外部の酸素や水分から保護するために、ガラスキャップと接着剤を用いて密閉封止し、有機EL素子を得ることができる。また、透光性基板が可撓性を有する場合は封止剤と可撓性フィルムを用いて密閉封止をおこなう。
Finally, in order to protect these organic functional laminates from external oxygen and moisture, a glass cap and an adhesive are hermetically sealed to obtain an organic EL element. Moreover, when a translucent board | substrate has flexibility, sealing sealing is performed using a sealing agent and a flexible film.

以下、本発明の実施例として、有機EL素子を例に挙げて説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。 Hereinafter, although an organic EL element is mentioned as an example as an example of the present invention, the present invention is not limited to this.

(実施例1)
ITO付きガラス基板を用意し、そのITOを所定のパターンにエッチングした。次いで、エッチングした透明導電層上に、TPD(融点170〜171℃、ガラス転移点60℃)をトルエンに溶解した液を、凸版印刷法によりITO基板上にパターン状に塗布し、基板107とした。
トルエンが揮発した状態での膜面は結晶化のため白濁していた。
(Example 1)
A glass substrate with ITO was prepared, and the ITO was etched into a predetermined pattern. Next, on the etched transparent conductive layer, a solution in which TPD (melting point: 170 to 171 ° C., glass transition point: 60 ° C.) was dissolved in toluene was applied in a pattern on the ITO substrate by a relief printing method to form a substrate 107. .
The film surface in the state where toluene was volatilized was cloudy due to crystallization.

この膜面を図1に示した装置にてアニール処理した。 This film surface was annealed by the apparatus shown in FIG.

基板107をアニールチャンバー101に入れ、窒素置換を十分に行いチャンバー内の酸素濃度を1ppmとし、露点を−60℃とした。 The substrate 107 was placed in the annealing chamber 101, and nitrogen substitution was sufficiently performed so that the oxygen concentration in the chamber was 1 ppm and the dew point was −60 ° C.

その後、遠赤外線ヒーター106にて基板107を表面温度180℃となるまで加熱し、1minキープした後、銅製の冷却体108を−10℃に冷却したソルカン365mfc(日本ソルベイ社製)を噴霧して基板温度が20℃となるまで冷却した。この加熱工程、冷却工程の各工程で掛かった時間は、室温(25℃)の基板が180℃まで昇温するのに3min、180℃から60℃までの冷却に2min、60℃から20℃までに1minであった。 Thereafter, the substrate 107 is heated with a far-infrared heater 106 until the surface temperature reaches 180 ° C., kept for 1 min, and sprayed with Solcan 365 mfc (manufactured by Solvay Japan) in which the copper cooling body 108 is cooled to −10 ° C. It cooled until the substrate temperature became 20 degreeC. The time required for each step of the heating step and the cooling step is 3 minutes for a substrate at room temperature (25 ° C.) to rise to 180 ° C., 2 minutes for cooling from 180 ° C. to 60 ° C., and 60 ° C. to 20 ° C. 1 min.

得られたTPD膜は厚み50nmで、膜表面の中心線平均粗さRaは0.1nmの均一な透明膜であった。 The obtained TPD film was a uniform transparent film having a thickness of 50 nm and a center line average roughness Ra of the film surface of 0.1 nm.

この基板上にAlq3、フッ化リチウム、アルミニウムをそれぞれ50nm、0.5nm、200nm真空蒸着により成膜し、有機EL素子を得た。 Alq3, lithium fluoride, and aluminum were formed on this substrate by vacuum deposition of 50 nm, 0.5 nm, and 200 nm, respectively, to obtain an organic EL element.

得られた有機EL素子に6Vの電圧を印可したところ、1000cd/m2のパターン化された発光を示した。また、初期輝度1000cd/m2にて定電流駆動時の輝度半減時間を測定したところ、輝度半減寿命は100hrであった。 When a voltage of 6 V was applied to the obtained organic EL element, it showed patterned luminescence of 1000 cd / m2. Further, when the luminance half-life at the time of constant current driving was measured at an initial luminance of 1000 cd / m 2, the luminance half-life was 100 hr.

(比較例1)
TPDを印刷した後にアニール処理を行わなかった以外は、実施例1と同様に素子を作製した。
(Comparative Example 1)
A device was fabricated in the same manner as in Example 1 except that the annealing treatment was not performed after printing the TPD.

得られた有機EL素子に電圧を印可したところ電流は流れたが、発光は確認されなかった。15Vまで印加した所、有機層がこげて素子が破壊された。 When voltage was applied to the obtained organic EL device, current flowed, but no light emission was confirmed. When the voltage was applied up to 15 V, the organic layer burned and the device was destroyed.

(比較例2)
TPDの成膜も真空蒸着にて行い、アニール処理を行わなかった以外は、実施例1と同様に素子を作製した。
(Comparative Example 2)
A device was fabricated in the same manner as in Example 1 except that the TPD film was also formed by vacuum deposition and the annealing treatment was not performed.

得られた有機EL素子に6Vの電圧を印可したところ、1000cd/m2のパターン化された発光を示した。また、初期輝度1000cd/m2にて定電流駆動時の輝度半減時間を測定したところ、輝度半減寿命は50hrであった。 When a voltage of 6 V was applied to the obtained organic EL element, it showed patterned luminescence of 1000 cd / m2. Further, when the luminance half-life at the time of constant current driving was measured at an initial luminance of 1000 cd / m 2, the luminance half-life was 50 hr.

(実施例2)
ITO付きガラス基板を用意し、そのITOを所定のパターンにエッチングした。次いで、エッチングした透明導電層上に、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)とポリスチレンスルホン酸との混合物を水に分散させた液を、凸版印刷法によりITO基板上にパターン状に塗布した。この基板を200℃にて3min、大気下にて乾燥させた。乾燥後の厚さは50nmであった。
(Example 2)
A glass substrate with ITO was prepared, and the ITO was etched into a predetermined pattern. Next, a liquid in which a mixture of poly (3,4-ethylenedioxythiophene) and polystyrenesulfonic acid was dispersed in water was applied in a pattern on the ITO substrate by letterpress printing on the etched transparent conductive layer. . This substrate was dried at 200 ° C. for 3 minutes in the air. The thickness after drying was 50 nm.

また、ポリアリーレンビニレン系高分子発光体であるポリ(2−(2−エチルヘキシロキシメトキシ)−5−メトキシ−1,4−フェニレンビニレン)(ガラス転移温度196℃)をトルエンに溶解し、基板上に、凸版印刷法により基板上にパターン状に塗布し、基板107を得た。 Further, poly (2- (2-ethylhexyloxymethoxy) -5-methoxy-1,4-phenylenevinylene) (glass transition temperature 196 ° C.), which is a polyarylene vinylene polymer light emitter, is dissolved in toluene, and a substrate is obtained. A substrate 107 was obtained by applying a pattern on the substrate by a relief printing method.

この膜面を図1に示した装置にてアニール処理した。 This film surface was annealed by the apparatus shown in FIG.

基板107をアニールチャンバー101に入れ、窒素置換を十分に行いチャンバー内の酸素濃度を1ppmとし、露点を−60℃とした。 The substrate 107 was placed in the annealing chamber 101, and nitrogen substitution was sufficiently performed so that the oxygen concentration in the chamber was 1 ppm and the dew point was −60 ° C.

その後、遠赤外線ヒーター106にて基板107を表面温度200℃となるまで加熱し、1minキープした後、銅製の冷却体108を−10℃に冷却したソルカン365mfc(日本ソルベイ社製)を噴霧して基板温度が20℃となるまで冷却した。この加熱工程、冷却工程の各工程で掛かった時間は、室温(25℃)の基板が200℃まで昇温するのに3min、200℃から60℃までの冷却に2min、60℃から20℃までに1minであった。 Thereafter, the substrate 107 is heated with a far-infrared heater 106 until the surface temperature reaches 200 ° C., and kept for 1 min. It cooled until the substrate temperature became 20 degreeC. The time required for each step of the heating step and the cooling step is 3 minutes for a substrate at room temperature (25 ° C.) to rise to 200 ° C., 2 minutes for cooling from 200 ° C. to 60 ° C., and 60 ° C. to 20 ° C. 1 min.

この基板上にフッ化リチウム、アルミニウムをそれぞれ0.5nm、200nm真空蒸着により成膜し、有機EL素子を得た。 Lithium fluoride and aluminum were deposited on this substrate by vacuum deposition at 0.5 nm and 200 nm, respectively, to obtain an organic EL element.

得られたEL素子に8Vの電圧を印可したところ、100cd/m2のパターン化された発光を示した。また、初期輝度100cd/m2にて定電流駆動時の輝度半減時間を測定したところ、輝度半減寿命は3000hrであった。また、下記(剥離性評価方法)に示す剥離性評価方法を用いて剥離試験を行ったところ、剥離率は20%であった。 When a voltage of 8 V was applied to the obtained EL element, it showed patterned luminescence of 100 cd / m2. Further, when the luminance half-life at the time of constant current driving was measured at an initial luminance of 100 cd / m 2, the luminance half-life was 3000 hr. Moreover, when the peeling test was done using the peelability evaluation method shown below (peelability evaluation method), the peel rate was 20%.

(比較例3)
発光体薄膜をアニール処理しなかったこと以外は、すべて実施例2と同様に素子を作製した。得られたEL素子に8Vの電圧を印可したところ、100cd/m2のパターン化された発光を示した。また、初期輝度100cd/m2にて定電流駆動時の輝度半減時間を測定したところ、輝度半減寿命は1500hrであった。また、同様な剥離試験を行ったところ剥離率は70%であった。
(Comparative Example 3)
A device was fabricated in the same manner as in Example 2 except that the phosphor thin film was not annealed. When a voltage of 8 V was applied to the obtained EL element, it showed patterned luminescence of 100 cd / m2. Further, when the luminance half-life at the time of constant current driving was measured at an initial luminance of 100 cd / m 2, the luminance half-life was 1500 hr. Moreover, when the same peeling test was conducted, the peeling rate was 70%.

(剥離性評価方法)
任意の有機機能性薄膜表面と、その層以下の界面の中で最も密着性が弱い界面における密着性は、JIS K5400−1990にある試験を用いる事が可能である。特に8.5.2に準拠した碁盤目テープ法付着性試験が最も適している。ただし、上記試験の条件では有機機能性素子の薄膜の剥離性の基準に適用することは困難であるために、以下のようにいくつか変更して用いた。
(Peelability evaluation method)
The test in JIS K5400-1990 can be used for the adhesion at the surface of any organic functional thin film and the interface with the weakest adhesion among the interfaces below that layer. In particular, the cross-cut tape method adhesion test according to 8.5.2 is most suitable. However, since it is difficult to apply to the standard of the peelability of the thin film of the organic functional element under the conditions of the above test, some changes were made as follows.

まずアニール処理まで行った基板107の発光体薄膜を1mmの隙間間隔のカッターガイドを用いてカッターナイフで傷を付け、1cm角の中に100個の碁盤目をつくり、その表面に0.17mN/25mmの粘着テープ(寺岡製作所製No.605)を消しゴムで押し付けて貼り付け、剥離した。 First, the phosphor thin film of the substrate 107 that has been annealed was scratched with a cutter knife using a cutter guide with a 1 mm gap, and 100 grids were made in a 1 cm square, and 0.17 mN / mm on the surface. A 25 mm adhesive tape (No. 605 manufactured by Teraoka Seisakusho) was pressed with an eraser to be pasted and peeled off.

JIS K5400−1990 8.5.1に於いては、碁盤目試験の評価点数は傷の状態により0点から10点で評価する。しかしながら、我々は有機機能性薄膜の評価に関しては、その点数法ではなく、碁盤目の総面積に対していくつの碁盤目が剥離したかを面積比で示した剥離率で考察した方がよいと結論付けた。すなわち、
(剥離率)% = (剥離した碁盤目面積)÷(粘着テープを貼り付けた碁盤目面積)×100
にて剥離率が40%以下と成るときに、素子特性の向上が確認され、アニール効果が十分に得られたと結論付けられる。
In JIS K5400-1990 8.5.1, the evaluation score of the cross cut test is evaluated from 0 points to 10 points depending on the state of scratches. However, for the evaluation of organic functional thin films, it is better not to use the point method, but to consider how many grids are peeled with respect to the total area of the grid, using the peel rate expressed by the area ratio. I concluded. That is,
(Peeling rate)% = (Peeled grid area) / (Cut grid area with adhesive tape) x 100
When the peel rate becomes 40% or less, the improvement in device characteristics was confirmed, and it was concluded that the annealing effect was sufficiently obtained.

本発明における有機機能性薄膜熱処理装置の一例の断面図である。It is sectional drawing of an example of the organic functional thin film heat processing apparatus in this invention. 本発明における有機機能性素子の一例の断面図である。It is sectional drawing of an example of the organic functional element in this invention. 凸版印刷法による有機機能性薄膜形成方法の説明図である。It is explanatory drawing of the organic functional thin film formation method by a relief printing method.

符号の説明Explanation of symbols

101・・・アニールチャンバー
102・・・冷却チャンバー
103・・・動力ボックス
104・・・排気弁
105・・・給気弁
106・・・加熱体
107・・・有機機能性薄膜担持基板
108・・・冷却体
109・・・冷媒噴霧ノズル
110・・・冷媒回収ライン
111・・・冷媒回収タンク
112・・・冷媒輸送ポンプ
113・・・冷媒
201・・・透光性基板
202・・・透明導電層
203・・・有機機能性薄膜
203a・・電荷輸送層
203b・・有機発光層
204・・・電極層
301・・・インキ補充装置
302・・・ドクター
303・・・アニロックスロール
304・・・インキ
305・・・版胴
306・・・印刷用凸版
307・・・被印刷基板
308・・・ステージ
101 ... Annealing chamber 102 ... Cooling chamber 103 ... Power box 104 ... Exhaust valve 105 ... Air supply valve 106 ... Heating body 107 ... Organic functional thin film substrate 108 ... -Cooling body 109 ... Refrigerant spray nozzle 110 ... Refrigerant recovery line 111 ... Refrigerant recovery tank 112 ... Refrigerant transport pump 113 ... Refrigerant 201 ... Translucent substrate 202 ... Transparent conductive Layer 203 ... Organic functional thin film 203a ... Charge transport layer 203b ... Organic light emitting layer 204 ... Electrode layer 301 ... Ink replenisher 302 ... Doctor 303 ... Anilox roll 304 ... Ink 305 ... Plate cylinder 306 ... Printing relief 307 ... Printed substrate 308 ... Stage

Claims (9)

チャンバー内部に設置された基板設置部と、前記チャンバー内の雰囲気を不活性ガスで置換する手段と、前記基板設置部に対峙して設けられた加熱手段と、前記基板設置部に接続された基板冷却手段と、具備することを特徴とする有機機能性薄膜熱処理装置。 A substrate installation part installed in the chamber, a means for replacing the atmosphere in the chamber with an inert gas, a heating means provided opposite to the substrate installation part, and a substrate connected to the substrate installation part An organic functional thin film heat treatment apparatus comprising cooling means. 前記加熱手段が、赤外線ヒーターであり、かつ基板設置部の基板設置側表面が、該赤外線ヒーターの照射する赤外線の波長に対する反射率が80%以上である物質で構成されていることを特徴とする請求項2に記載の有機機能性薄膜熱処理装置。 The heating means is an infrared heater, and the substrate installation side surface of the substrate installation portion is made of a material having a reflectance of 80% or more with respect to the wavelength of infrared rays irradiated by the infrared heater. The organic functional thin film heat treatment apparatus according to claim 2. 前記加熱手段が、赤外線ヒーターであり、該赤外線ヒーターより照射される赤外線が波長3〜25μmに光エネルギーのピークを持つことを特徴とする請求項1又は2に記載の有機機能性薄膜熱処理装置。 3. The organic functional thin film heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the heating means is an infrared heater, and the infrared ray irradiated from the infrared heater has a light energy peak at a wavelength of 3 to 25 μm. 前記基板冷却手段が、前記基板設置部の前記チャンバー外部露出面への冷媒の噴霧であることを特徴とする請求項1から3に記載の有機機能性薄膜熱処理装置。 4. The organic functional thin film heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the substrate cooling means is spraying of a coolant onto the chamber external exposed surface of the substrate installation portion. 基板上に有機機能性薄膜を形成する工程と、
前記有機機能性薄膜をガラス転移点温度以上に加熱する工程と、
次に10℃/min以上の冷却速度でガラス転移点温度以下まで冷却する工程と
を有することを特徴とする有機機能性薄膜の製造方法。
Forming an organic functional thin film on the substrate;
Heating the organic functional thin film above the glass transition temperature; and
And a step of cooling to a glass transition temperature or lower at a cooling rate of 10 ° C./min or higher.
基板上に有機機能性薄膜を形成する工程と、
前記有機機能性薄膜を融点以上に加熱する工程と、
次に10℃/min以上の冷却速度でガラス転移点温度以下に冷却する工程と
を有することを特徴とする有機機能性薄膜の製造方法。
Forming an organic functional thin film on the substrate;
Heating the organic functional thin film above the melting point;
And a step of cooling to a glass transition temperature or lower at a cooling rate of 10 ° C./min or higher.
基板上に複数の有機機能層を形成する工程と、
前記有機機能層のうち最もガラス転移温度が高い有機機能層のガラス転移温度以上に加熱する工程と、
次に10℃/min以上の冷却速度で前記有機機能層のうち最もガラス転移温度が低い有機機能層のガラス転移温度以下に冷却する工程と、
を有することを特徴とする有機機能性薄膜の製造方法。
Forming a plurality of organic functional layers on the substrate;
The step of heating above the glass transition temperature of the organic functional layer having the highest glass transition temperature among the organic functional layers,
Next, the step of cooling below the glass transition temperature of the organic functional layer having the lowest glass transition temperature among the organic functional layers at a cooling rate of 10 ° C./min or more,
The manufacturing method of the organic functional thin film characterized by having.
基板上に複数の有機機能層を形成する工程と、
前記有機機能層のうち最も融点が高い有機機能層の融点以上に加熱する工程と、
次に10℃/min以上の冷却速度で前記有機機能層のうち最もガラス転移温度が低い有機機能層のガラス転移温度以下に冷却する工程と、
を有することを特徴とする有機機能性薄膜の製造方法。
Forming a plurality of organic functional layers on the substrate;
Heating the organic functional layer having the highest melting point among the organic functional layers above the melting point of the organic functional layer;
Next, the step of cooling below the glass transition temperature of the organic functional layer having the lowest glass transition temperature among the organic functional layers at a cooling rate of 10 ° C./min or more,
The manufacturing method of the organic functional thin film characterized by having.
有機機能層を含む有機機能性素子の製造工程において、
そのうち少なくとも一層の有機機能層を、請求項5乃至8に記載の有機機能性薄膜の形成方法を用いることを特徴とする有機機能性素子の製造方法。
In the manufacturing process of the organic functional element including the organic functional layer,
9. A method for producing an organic functional element, wherein the organic functional thin film forming method according to claim 5 is used for at least one organic functional layer.
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