JP2008218972A - Organic electroluminescence device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic electroluminescence device having high light-emission efficiency and superior drive durability. <P>SOLUTION: The organic electroluminescence device has an organic compound layer including at least one light-emitting layer between a pair of electrodes arranged in an opposite configuration, the light-emitting layer containing at least a light-emitting material and electrically inactive material which has an energy gap Eg of 4.0 eV or larger, between the highest of the energy-levels of the occupied orbits and the lowest of the energy-levels of the unoccupied orbits; in which the light-emitting material includes at least a first light-emitting material and a second light-emitting material, with the first light-emitting material being an electron-transporting material and a second light-emitting material being a positive hole transporting material, and the light-emitting layer is 5 nm or larger to 20 nm or smaller in thickness. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機電界発光素子(以下、有機EL素子と略記する。)に関する。特に発光効率が高く、かつ駆動耐久性に優れた有機EL素子に関する。   The present invention relates to an organic electroluminescent element (hereinafter abbreviated as an organic EL element). In particular, the present invention relates to an organic EL element having high luminous efficiency and excellent driving durability.

電流を通じることによって励起され発光する薄膜材料を用いた有機電界発光素子が知られている。有機電界発光素子は、低電圧で高輝度の発光が得られるために、携帯電話ディスプレイ、パーソナルデジタルアシスタント(PDA)、コンピュータディスプレイ、自動車の情報ディスプレイ、TVモニター、あるいは一般照明を含む広い分野で幅広い潜在用途を有し、それらの分野でデバイスの薄型化、軽量化、小型化、および省電力のなどの利点を有する。このため、将来の電子ディスプレイ市場の主役としての期待が大きい。しかしながら、実用的にこれらの分野で従来ディスプレイに代わって用いられるためには、発光輝度と色調、広い使用環境条件下での耐久性、安価で大量の生産性など多くの技術改良が課題となっている。   An organic electroluminescent element using a thin film material that emits light when excited by passing an electric current is known. Since organic electroluminescent devices can emit light with high brightness at low voltage, they are widely used in a wide range of fields including mobile phone displays, personal digital assistants (PDAs), computer displays, automobile information displays, TV monitors, or general lighting. It has potential applications and has advantages such as thinning, lightening, miniaturization, and power saving of devices in these fields. For this reason, the expectation as a leading role of the future electronic display market is great. However, in order to be practically used in these fields in place of conventional displays, many technical improvements such as light emission luminance and color tone, durability under a wide range of usage conditions, low cost and large productivity are problems. ing.

特に課題とされる一つは、発光効率の向上と駆動耐久性の改良である。上記の多くのデバイスは、薄型化、軽量化、小型化に当たって、まず高い輝度を実現することが課題であった。薄型化および軽量化に当たっては、デバイスのみでなく駆動電源のコンパクト化、軽量化も要求される。特に、電力が1次電池あるいは2次電池より供給される場合、省電力は大きな課題であり、低駆動電圧で高輝度を得ることが強く要望されている。従来、高輝度とするためには、高電圧を必要とし、電力消費を早める結果となっていた。また、高輝度および高電圧は、デバイスの耐久性を損なう結果となっていた。   One of the particular issues is improving luminous efficiency and driving durability. Many of the above-described devices have a problem of achieving high brightness first in reducing the thickness, weight, and size. In reducing the thickness and weight, not only the device but also the drive power source must be made compact and lightweight. In particular, when power is supplied from a primary battery or a secondary battery, power saving is a major issue, and there is a strong demand for high brightness with a low driving voltage. Conventionally, in order to achieve high brightness, a high voltage is required, resulting in faster power consumption. Also, high brightness and high voltage have resulted in a loss of device durability.

発光層として、燐光ドーパントと2種以上の燐光ホスト材料を用いる試みが提案されている(例えば、特許文献1参照。)。2種の燐光ホスト材料は、三重項エネルギー差が2.3eV以上3.5eV以下あって、混合比率が質量比で3:1〜1:3が好ましく用いられている。しかしながら、このような2種のホスト材料の併用では、発光効率および駆動耐久性にいずれの点においても十分な改良効果を得ることはできない。
発光層として、多芳香環炭化水素化合物と蛍光色素を含む発光材料とホスト材料を用いることが提案されている(例えば、特許文献2参照。)。多芳香環炭化水素化合物は、ホール移動度がホスト材料より速く、発光層中にホールの蓄積を抑制することを目的として用いられた。しかしながら、このような組成では、発光効率および駆動耐久性にいずれの点に置いても十分な改良効果を得ることはできない。
Attempts have been made to use a phosphorescent dopant and two or more phosphorescent host materials as the light-emitting layer (see, for example, Patent Document 1). The two phosphorescent host materials preferably have a triplet energy difference of 2.3 eV to 3.5 eV and a mixing ratio of 3: 1 to 1: 3 in terms of mass ratio. However, the combined use of such two types of host materials cannot provide a sufficient improvement effect in any respect with respect to luminous efficiency and driving durability.
It has been proposed to use a light-emitting material and a host material containing a polyaromatic hydrocarbon compound and a fluorescent dye as the light-emitting layer (see, for example, Patent Document 2). The polyaromatic hydrocarbon compound has a higher hole mobility than the host material, and was used for the purpose of suppressing the accumulation of holes in the light emitting layer. However, with such a composition, a sufficient improvement effect cannot be obtained regardless of the luminous efficiency and driving durability.

一方、青色発光の有機EL素子に関し、不活性ホスト物質中にドープしたリン光発光ドーパント材料および電荷運搬ドーパント材料を含んでいる発光層が開示されている(例えば、特許文献3参照。)。開示によれば、3.5eV以上のエネルギーギャップのある複数のホストを併用して青色発光の有機EL素子が作製される。しかしながら、この手段では発光層の抵抗が増大し駆動電圧が大きく増加し、また、駆動電圧を下げるために発光層の厚みを薄くすると駆動耐久性が悪化する。
また、発光層が発光材料及び最高占有軌道と最低非占有軌道とのエネルギー差(Eg)が4.0eV以上である電気的に不活性な材料を含有する有機電界発光素子が開示されている(例えば、特許文献4参照。)。しかしながら、この手段によっても発光層の抵抗が増大し駆動電圧が大きく増加し、また、駆動電圧を下げるために発光層の厚みを薄くすると駆動耐久性が悪化する問題があった。
特開2006−135295号公報 特開2000−106277号公報 特表2004−526284号公報 特開2005−294250号公報
On the other hand, a light-emitting layer containing a phosphorescent light-emitting dopant material and a charge-carrying dopant material doped in an inert host material is disclosed for a blue light-emitting organic EL device (see, for example, Patent Document 3). According to the disclosure, a plurality of hosts having an energy gap of 3.5 eV or more are used in combination to produce a blue light-emitting organic EL element. However, this means increases the resistance of the light emitting layer and greatly increases the driving voltage, and if the thickness of the light emitting layer is reduced to reduce the driving voltage, the driving durability is deteriorated.
Also disclosed is an organic electroluminescent device in which the light emitting layer contains a light emitting material and an electrically inactive material having an energy difference (Eg) between the highest occupied orbital and the lowest unoccupied orbital of 4.0 eV or more ( For example, see Patent Document 4.) However, this means also has a problem that the resistance of the light emitting layer is increased and the driving voltage is greatly increased, and if the thickness of the light emitting layer is reduced to reduce the driving voltage, the driving durability is deteriorated.
JP 2006-135295 A JP 2000-106277 A JP-T-2004-526284 JP 2005-294250 A

本発明の課題は、特に高い発光効率で且つ高耐久性である有機EL素子を提供するものである。   An object of the present invention is to provide an organic EL element having particularly high luminous efficiency and high durability.

本発明の上記課題は、下記の手段によって解決された。
<1> 対向する一対の電極間に少なくとも1層の発光層を含む有機化合物層を有し、該発光層が少なくとも発光材料及び最高占有軌道と最低非占有軌道とのエネルギー差(Eg)が4.0eV以上である電気的に不活性な材料を含有する有機電界発光素子であって、該発光材料が少なくとも第1発光材料及び第2発光材料を含み、該第1発光材料が電子輸送性発光材料であり、該第2発光材料が正孔輸送性発光材料であり、かつ該発光層の厚みが0.5nm以上20nm以下であることを特徴とする有機電界発光素子。
The above-described problems of the present invention have been solved by the following means.
<1> An organic compound layer including at least one light emitting layer is provided between a pair of opposing electrodes, and the light emitting layer has at least a light emitting material and an energy difference (Eg) of 4 between the highest occupied orbit and the lowest unoccupied orbit. An organic electroluminescence device containing an electrically inactive material of 0.0 eV or more, wherein the light emitting material includes at least a first light emitting material and a second light emitting material, and the first light emitting material is an electron transporting light emitting device. An organic electroluminescent element, characterized in that the second light emitting material is a hole transporting light emitting material, and the thickness of the light emitting layer is 0.5 nm or more and 20 nm or less.

<2> 前記第1発光材料の電子親和力(Ea1)が前記第2発光材料の電子親和力(Ea2)より大きく、且つ、前記第1発光材料のイオン化ポテンシャル(Ip1)が前記第2発光材料のイオン化ポテンシャル(Ip2)より大きいことを特徴とする<1>に記載の有機電界発光素子。
<3> 前記第1発光材料が白金錯体であることを特徴とする<1>または<2>に記載の有機電界発光素子。
<4> 前記第2発光材料がイリジウム錯体であることを特徴とする<1>〜<3>のいずれかに記載の有機電界発光素子。
<5> 前記第1発光材料が白金錯体であり、前記第2発光材料がイリジウム錯体であることを特徴とする<4>に記載の有機電界発光素子。
<6> 該発光層の厚みが1nm以上10nm以下であることを特徴とする<1>〜<5>のいずれかに記載の有機電界発光素子。
<7> 前記発光層における前記発光材料及び電気的に不活性な材料の合計量に対する前記発光材料の比率が質量比で5%以上40%以下であることを特徴とする<1>〜<6>のいずれかに記載の有機電界発光素子。
<8> 前記電気的に不活性な材料が有機化合物であって、そのイオン化ポテンシャル(Ip)が前記発光材料より大きい事を特徴とする<1>〜<7>のいずれかに記載の有機電界発光素子。
<9> 前記電気的に不活性な材料が有機化合物であって、その電子親和力(Ea)が前記発光材料より小さい事を特徴とする<1>〜<8>のいずれかに記載の有機電界発光素子。
<10> 前記電気的に不活性な材料が、芳香族炭化水素化合物であることを特徴とする<1>〜<9>のいずれかに記載の有機電界発光素子。
<11> 前記芳香族炭化水素化合物が、下記一般式(1)で示される化合物であることを特徴とする<10>に記載の有機電界発光素子:
一般式(1) L−(Ar)
(一般式(1)中、Arは下記一般式(2)で表される基、Lは3価以上のベンゼン骨格を表し、mは3以上の整数を表す。);
<2> The electron affinity (Ea1) of the first light emitting material is larger than the electron affinity (Ea2) of the second light emitting material, and the ionization potential (Ip1) of the first light emitting material is ionized by the second light emitting material. The organic electroluminescence device according to <1>, wherein the organic electroluminescence device is larger than potential (Ip2).
<3> The organic electroluminescent element according to <1> or <2>, wherein the first light emitting material is a platinum complex.
<4> The organic electroluminescent element according to any one of <1> to <3>, wherein the second light emitting material is an iridium complex.
<5> The organic electroluminescent element according to <4>, wherein the first light emitting material is a platinum complex, and the second light emitting material is an iridium complex.
<6> The organic electroluminescent element according to any one of <1> to <5>, wherein the light emitting layer has a thickness of 1 nm to 10 nm.
<7> The ratio of the light emitting material to the total amount of the light emitting material and the electrically inactive material in the light emitting layer is 5% to 40% by mass ratio. <1> to <6 > The organic electroluminescent element in any one of>.
<8> The organic electric field according to any one of <1> to <7>, wherein the electrically inactive material is an organic compound, and an ionization potential (Ip) thereof is larger than that of the light emitting material. Light emitting element.
<9> The organic electric field according to any one of <1> to <8>, wherein the electrically inactive material is an organic compound and has an electron affinity (Ea) smaller than that of the light emitting material. Light emitting element.
<10> The organic electroluminescent element according to any one of <1> to <9>, wherein the electrically inactive material is an aromatic hydrocarbon compound.
<11> The organic electroluminescent device according to <10>, wherein the aromatic hydrocarbon compound is a compound represented by the following general formula (1):
General formula (1) L- (Ar) m
(In general formula (1), Ar represents a group represented by the following general formula (2), L represents a trivalent or higher benzene skeleton, and m represents an integer of 3 or higher);

(一般式(2)中、Rは置換基を表し、Rが複数存在する場合、互いに同じでも異なっていてもよい。n1は0〜9の整数を表す。)。
<12> 前記芳香族炭化水素化合物が、下記一般式(3)で示される化合物であることを特徴とする<10>に記載の有機電界発光素子:
(In General Formula (2), R 1 represents a substituent, and when a plurality of R 1 are present, they may be the same or different from each other. N1 represents an integer of 0 to 9).
<12> The organic electroluminescent device according to <10>, wherein the aromatic hydrocarbon compound is a compound represented by the following general formula (3):

(一般式(3)中、Rは置換基を表し、Rが複数存在する場合、互いに同じでも異なっていてもよい。n2は0〜20の整数を表す。)。
<13> 前記電気的に不活性な材料が絶縁性無機化合物であることを特徴とする<1>〜<7>のいずれかに記載の有機電界発光素子。
<14> 前記有機化合物層が、陽極側から少なくとも正孔注入層及び正孔輸送層の少なくとも一方の層、前記発光層、及び電子輸送層または電子注入層を有し、該正孔注入層及び正孔輸送層の少なくとも一方の層が電子受容性材料を含有することを特徴とする<1>〜<13>のいずれかに記載の有機電界発光素子。
<15> 前記有機化合物層が、陽極側から少なくとも正孔輸送層、前記発光層、及び電子輸送層及び電子注入層の少なくとも一方の層を有し、該電子輸送層または電子注入層が電子供与性材料を含有することを特徴とする<1>〜<14>のいずれかに記載の有機電界発光素子。
(In General Formula (3), R 2 represents a substituent, and when a plurality of R 2 are present, they may be the same or different from each other. N2 represents an integer of 0 to 20).
<13> The organic electroluminescent element according to any one of <1> to <7>, wherein the electrically inactive material is an insulating inorganic compound.
<14> The organic compound layer has at least one of a hole injection layer and a hole transport layer from the anode side, the light emitting layer, and an electron transport layer or an electron injection layer, and the hole injection layer and At least one layer of a positive hole transport layer contains an electron-accepting material, The organic electroluminescent element in any one of <1>-<13> characterized by the above-mentioned.
<15> The organic compound layer has at least one of a hole transport layer, the light emitting layer, and an electron transport layer and an electron injection layer from the anode side, and the electron transport layer or the electron injection layer is an electron donor. The organic electroluminescent element according to any one of <1> to <14>, which contains a functional material.

本発明によれば、高い発光効率で駆動耐久性に優れた有機EL素子が提供される。特に、本発明によれば、駆動電圧が低く、且つ駆動耐久性が高い改良された有機EL素子が提供される。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the organic EL element excellent in driving durability with high luminous efficiency is provided. In particular, according to the present invention, an improved organic EL element having a low driving voltage and high driving durability is provided.

以下、本発明の有機EL素子について詳細に説明する。   Hereinafter, the organic EL device of the present invention will be described in detail.

(構成)
本発明の有機電界発光素子は、一対の電極(陽極と陰極)間に少なくとも発光層を含む有機化合物層を有し、更に、好ましくは、陽極と該発光層との間に正孔輸送層を、また陰極と該発光層との間に電子輸送層を有する。
発光素子の性質上、前記一対の電極のうち少なくとも一方の電極は、透明であることが好ましい。
(Constitution)
The organic electroluminescent element of the present invention has an organic compound layer including at least a light emitting layer between a pair of electrodes (anode and cathode), and more preferably, a hole transport layer is provided between the anode and the light emitting layer. In addition, an electron transport layer is provided between the cathode and the light emitting layer.
From the nature of the light emitting element, it is preferable that at least one of the pair of electrodes is transparent.

本発明における有機化合物層の積層の形態としては、陽極側から、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の順に積層されている態様が好ましい。更に、正孔輸送層と陽極との間に正孔注入層、及び/又は発光層と電子輸送層との間に、電子輸送性中間層を有する。また、発光層と正孔輸送層との間に正孔輸送性中間層を、同様に陰極と電子輸送層との間に電子注入層を設けても良い。   In the present invention, the organic compound layer is preferably laminated in the order of the hole transport layer, the light emitting layer, and the electron transport layer from the anode side. Further, a hole injection layer is provided between the hole transport layer and the anode, and / or an electron transporting intermediate layer is provided between the light emitting layer and the electron transport layer. Further, a hole transporting intermediate layer may be provided between the light emitting layer and the hole transport layer, and similarly, an electron injection layer may be provided between the cathode and the electron transport layer.

本発明の有機電界発光素子における有機化合物層の好適な態様は、陽極側から順に、少なくとも、(1)正孔注入層、正孔輸送層(正孔注入層と正孔輸送層は兼ねても良い)、正孔輸送性中間層、発光層、電子輸送層、及び電子注入層(電子輸送層と電子注入層は兼ねても良い)、を有する態様、(2)正孔注入層、正孔輸送層(正孔注入層と正孔輸送層は兼ねても良い)、発光層、電子輸送性中間層、電子輸送層、及び電子注入層(電子輸送層と電子注入層は兼ねても良い)、を有する態様、(3)正孔注入層、正孔輸送層(正孔注入層と正孔輸送層は兼ねても良い)、正孔輸送性中間層、発光層、電子輸送性中間層、電子輸送層、及び電子注入層(電子輸送層と電子注入層は兼ねても良い)、を有する態様である。   A preferred embodiment of the organic compound layer in the organic electroluminescence device of the present invention is, in order from the anode side, at least (1) a hole injection layer, a hole transport layer (the hole injection layer and the hole transport layer may serve as both). Good), a hole transporting intermediate layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer (the electron transport layer and the electron injection layer may serve both), (2) hole injection layer, hole Transport layer (hole injection layer and hole transport layer may serve as well), light emitting layer, electron transport intermediate layer, electron transport layer, and electron injection layer (electron transport layer and electron injection layer may serve as well) (3) hole injection layer, hole transport layer (hole injection layer and hole transport layer may be combined), hole transport intermediate layer, light emitting layer, electron transport intermediate layer, This is an embodiment having an electron transport layer and an electron injection layer (the electron transport layer and the electron injection layer may serve as each other).

上記正孔輸送性中間層は、発光層への正孔注入を促進する機能及び電子をブロックする機能の少なくとも一方を有することが好ましい。
また、上記電子輸送性中間層は、発光層への電子注入を促進する機能及び正孔をブロックする機能の少なくとも一方を有することが好ましい。
更に、上記正孔輸送性中間層及び上記電子輸送性中間層の少なくとも一方は、発光層で生成する励起子をブロックする機能を有することが好ましい。
上記の正孔注入促進、電子注入促進、正孔ブロック、電子ブロック、励起子ブロックといった機能を有効に発現させるためには、該正孔輸送性中間層および該電子輸送性中間層は、発光層に隣接していることが好ましい。
尚、各層は複数の二次層に分かれていてもよい。
The hole transporting intermediate layer preferably has at least one of a function of accelerating hole injection into the light emitting layer and a function of blocking electrons.
The electron transporting intermediate layer preferably has at least one of a function of promoting electron injection into the light emitting layer and a function of blocking holes.
Furthermore, it is preferable that at least one of the hole transporting intermediate layer and the electron transporting intermediate layer has a function of blocking excitons generated in the light emitting layer.
In order to effectively express the functions of hole injection promotion, electron injection promotion, hole block, electron block, and exciton block, the hole transporting intermediate layer and the electron transporting intermediate layer are formed of a light emitting layer. It is preferable that it adjoins.
Each layer may be divided into a plurality of secondary layers.

次に、本発明の発光素子を構成する要素について、詳細に説明する。
本発明の有機電界発光素子は、少なくとも一層の発光層を含む有機化合物層を有しており、発光層以外の他の有機化合物層としては、前述したごとく、正孔注入層、正孔輸送層、正孔輸送性中間層、発光層、電子輸送性中間層、電子輸送層、電子注入層等の各層が挙げられる。
Next, elements constituting the light emitting device of the present invention will be described in detail.
The organic electroluminescent element of the present invention has an organic compound layer including at least one light emitting layer. As the organic compound layer other than the light emitting layer, as described above, a hole injection layer, a hole transport layer, and the like. , Hole transporting intermediate layer, light emitting layer, electron transporting intermediate layer, electron transporting layer, electron injection layer and the like.

有機化合物層を構成する各層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、転写法、印刷法、塗布法、インクジェット法、およびスプレー法等いずれによっても好適に形成することができる。   Each layer constituting the organic compound layer can be suitably formed by any of dry film forming methods such as vapor deposition and sputtering, transfer methods, printing methods, coating methods, ink jet methods, and spray methods.

(発光層)
発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層、正孔輸送層または正孔輸送性中間層から正孔を受け取り、陰極、電子注入層、電子輸送層または電子輸送性中間層から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。
本発明における有機電界発光素子は、少なくとも発光材料及び最高占有軌道と最低非占有軌道とのエネルギー差(Eg)が4.0eV以上である電気的に不活性な材料を含有する発光層を有し、該発光材料が少なくとも第1発光材料及び第2発光材料を含み、該第1発光材料が電子輸送性発光材料であり、該第2発光材料が正孔輸送性発光材料であり、かつ該発光層の厚みが0.5nm以上20nm以下であることを特徴とする。
(Light emitting layer)
The light emitting layer receives holes from the anode, hole injection layer, hole transport layer, or hole transport intermediate layer when an electric field is applied, and receives electrons from the cathode, electron injection layer, electron transport layer, or electron transport intermediate layer. It is a layer having a function of receiving and providing a field for recombination of holes and electrons to emit light.
The organic electroluminescent element in the present invention has at least a light emitting material and a light emitting layer containing an electrically inactive material having an energy difference (Eg) of 4.0 eV or more between the highest occupied orbital and the lowest unoccupied orbital. The light emitting material includes at least a first light emitting material and a second light emitting material, the first light emitting material is an electron transporting light emitting material, the second light emitting material is a hole transporting light emitting material, and the light emission The thickness of the layer is 0.5 nm or more and 20 nm or less.

発光層は1層であっても2層以上であってもよく、それぞれの層が異なる発光色で発光してもよい。発光層が複数の場合であっても、発光層の少なくとも一層に上記電気的に不活性な材料と第1発光材料、第2発光材料を含む。
好ましくは、前記第1発光材料の電子親和力(Ea1)が前記第2発光材料の電子親和力(Ea2)より大きく、かつ前記第1発光材料のイオン化ポテンシャル(Ip1)が前記第2発光材料のイオン化ポテンシャル(Ip2)より大きい。より好ましくは、該Ea1が該Ea2より0.01eV以上大きく、さらに好ましくは0.02eV以上大きい。また、より好ましくは該Ip1が該Ip2より0.01eV以上大きく、さらに好ましくは0.02eV以上大きい。
The light emitting layer may be one layer or two or more layers, and each layer may emit light in different emission colors. Even when there are a plurality of light emitting layers, at least one layer of the light emitting layer includes the electrically inactive material, the first light emitting material, and the second light emitting material.
Preferably, the electron affinity (Ea1) of the first light emitting material is larger than the electron affinity (Ea2) of the second light emitting material, and the ionization potential (Ip1) of the first light emitting material is the ionization potential of the second light emitting material. Greater than (Ip2). More preferably, the Ea1 is greater than the Ea2 by 0.01 eV or more, and more preferably 0.02 eV or more. More preferably, the Ip1 is greater than the Ip2 by 0.01 eV or more, and more preferably 0.02 eV or more.

本発明における発光層の不活性な材料、第1発光材料及び第2発光材料の含有比率は、それぞれの材料の具体的構造によって異なるが、発光層のキャリア移動度を適性に保ち、また、ホール移動度と電子移動度のバランスを保つ範囲内で選ばれるが、概ね、該不活性材料量に対する第1発光材料及び第2発光材料を含む総発光材料量の比率が、質量比で5%以上40%以下が好ましい。より好ましくは、該質量比が5%以上35%以下である。
第1発光材料と第2発光材料の含有比率は、それぞれの材料の具体的構造によって異なるがホール移動度と電子移動度のバランスを保つ範囲内で選ばれるが、概ね、第1発光材料に対する第2発光材料の比率が、質量比で30%以上70%以下が好ましい。より好ましくは、該質量比が40%以上60%以下である。
発光層の厚みは、0.5nm以上20nm以下であり、好ましくは1nm以上15nm以下、より好ましくは、1nm以上10nmである。発光層の厚みが、0.5nmを下まわると発光効率、耐久性の悪化の点で好ましくなく、20nmを超えると駆動電圧の上昇の点で好ましくない。
In the present invention, the content ratio of the inactive material of the light emitting layer, the first light emitting material, and the second light emitting material varies depending on the specific structure of each material, but the carrier mobility of the light emitting layer is kept appropriate, The ratio is selected within a range that keeps the balance between mobility and electron mobility, but generally, the ratio of the total amount of the light emitting material including the first light emitting material and the second light emitting material to the amount of the inert material is 5% or more by mass ratio. 40% or less is preferable. More preferably, the mass ratio is 5% or more and 35% or less.
The content ratio of the first light-emitting material and the second light-emitting material varies depending on the specific structure of each material, but is selected within a range that maintains a balance between hole mobility and electron mobility. The ratio of the two light emitting materials is preferably 30% or more and 70% or less by mass ratio. More preferably, the mass ratio is 40% or more and 60% or less.
The thickness of the light emitting layer is 0.5 nm or more and 20 nm or less, preferably 1 nm or more and 15 nm or less, more preferably 1 nm or more and 10 nm. If the thickness of the light emitting layer is less than 0.5 nm, it is not preferable in terms of deterioration of light emission efficiency and durability, and if it exceeds 20 nm, it is not preferable in terms of increase in driving voltage.

1)不活性な材料
本発明における発光層は、最高占有軌道と最低非占有軌道とのエネルギー差(Eg)が4.0eV以上である電気的に不活性な材料を含有する。
好ましくは該Egが4.1eV以上(a)5.0eV以下、より好ましくは4.2eV以上5.0eV以下である。該Egが4.0eVを下まわると、正孔、電子が不活性材料に入り、キャリア移動度を適正に保つ事ができなくなる。その結果、発光効率の悪化、耐久性の悪化の点で好ましくない。
1) Inactive Material The light emitting layer in the present invention contains an electrically inactive material having an energy difference (Eg) of 4.0 eV or more between the highest occupied orbital and the lowest unoccupied orbital.
The Eg is preferably 4.1 eV or more and (a) 5.0 eV or less, more preferably 4.2 eV or more and 5.0 eV or less. When the Eg is less than 4.0 eV, holes and electrons enter the inert material, and the carrier mobility cannot be maintained properly. As a result, it is not preferable in terms of deterioration of luminous efficiency and durability.

<材料>
本発明における最高占有軌道と最低非占有軌道とのエネルギー差(Eg)が4.0eV以上である電気的に不活性な材料は、有機化合物もしくは無機化合物より選ばれる。
有機化合物より選ばれる電気的不活性化合物としては、そのイオン化ポテンシャル(Ip)が前記第1発光材料より大きいものが好ましい。より好ましくは、前記電気的不活性化合物のIpが前記第1発光材料より0.1eV以上大きく、さらに好ましくは0.2eV以上大きい。
また、前記電気的不活性化合物は、その電子親和力(Ea)が前記第2発光材料より小さいものが好ましい。より好ましくは、該電気的不活性化合物のEaが前記第2発光材料より0.1eV以上小さく、さらに好ましくは0.2eV以上小さい。
好ましい具体的化合物は、芳香族炭化水素化合物より選ばれ、その一つの化合物群が下記一般式(1)で表される化合物である。
一般式(1) L−(Ar)
一般式(1)中、Arは下記一般式(2)で表される基、Lは3価以上のベンゼン骨格を表し、mは3以上の整数を表す。
<Material>
The electrically inactive material in which the energy difference (Eg) between the highest occupied orbit and the lowest unoccupied orbit in the present invention is 4.0 eV or more is selected from organic compounds or inorganic compounds.
As the electrically inactive compound selected from the organic compounds, those having an ionization potential (Ip) larger than that of the first light emitting material are preferable. More preferably, the Ip of the electrically inactive compound is 0.1 eV or more, more preferably 0.2 eV or more larger than the first light emitting material.
The electrically inactive compound preferably has an electron affinity (Ea) smaller than that of the second light emitting material. More preferably, the Ea of the electrically inactive compound is 0.1 eV or less, more preferably 0.2 eV or less smaller than the second light emitting material.
A preferred specific compound is selected from aromatic hydrocarbon compounds, and one compound group is a compound represented by the following general formula (1).
General formula (1) L- (Ar) m
In general formula (1), Ar represents a group represented by the following general formula (2), L represents a trivalent or higher benzene skeleton, and m represents an integer of 3 or higher.

一般式(2)中、Rは置換基を表し、Rが複数存在する場合、互いに同じでも異なっていてもよい。n1は0〜9の整数を表す。
別の好ましい化合物群は、下記一般式(3)で示される化合物である。
In General Formula (2), R 1 represents a substituent, and when a plurality of R 1 are present, they may be the same as or different from each other. n1 represents the integer of 0-9.
Another preferred compound group is a compound represented by the following general formula (3).

一般式(3)中、Rは置換基を表し、Rが複数存在する場合、互いに同じでも異なっていてもよい。n2は0〜20の整数を表す。 In General Formula (3), R 2 represents a substituent, and when a plurality of R 2 are present, they may be the same as or different from each other. n2 represents an integer of 0 to 20.

まず、一般式(1)について詳細に説明する。
一般式(1)に含まれるLは3価以上のベンゼン骨格を表す。Arは一般式(2)で表される基を表し、mは3以上の整数を表す。mは好ましくは3以上6以下であり、さらに好ましくは3または4である。
First, the general formula (1) will be described in detail.
L contained in the general formula (1) represents a trivalent or higher benzene skeleton. Ar represents a group represented by the general formula (2), and m represents an integer of 3 or more. m is preferably 3 or more and 6 or less, and more preferably 3 or 4.

次に、一般式(2)で表される基について説明する。
一般式(2)に含まれるRは置換基を表す。ここで置換基としては、例えば、アルキル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜10であり、例えばメチル、エチル、iso−プロピル、tert−ブチル、n−オクチル、n−デシル、n−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、及びシクロヘキシルなどが挙げられる)、アルケニル基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えばビニル、アリル、2−ブテニル、及び3−ペンテニルなどが挙げられる)、アルキニル基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えばプロパルギル、3−ペンチニルなどが挙げられる)、アリール基(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェニル、p−メチルフェニル、ナフチル、及びアントラニルなどが挙げられる)、
Next, the group represented by the general formula (2) will be described.
R 1 contained in the general formula (2) represents a substituent. Here, examples of the substituent include an alkyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 10 carbon atoms such as methyl, ethyl, iso-propyl, tert. -Butyl, n-octyl, n-decyl, n-hexadecyl, cyclopropyl, cyclopentyl, cyclohexyl, etc.), an alkenyl group (preferably having 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably Has 2 to 10 carbon atoms, and examples thereof include vinyl, allyl, 2-butenyl, and 3-pentenyl, and alkynyl groups (preferably having 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably Has 2 to 10 carbon atoms, and examples thereof include propargyl and 3-pentynyl, and aryl groups (preferably 6 to 30 carbon atoms, more preferably 6 to 20 carbon atoms, particularly preferably 6 to 12 carbon atoms, such as phenyl, p- methylphenyl, naphthyl, and the like and anthranyl),

アミノ基(好ましくは炭素数0〜30、より好ましくは炭素数0〜20、特に好ましくは炭素数0〜10であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、及びジトリルアミノなどが挙げられる)、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜10であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、及び2−エチルヘキシロキシなどが挙げられる)、アリールオキシ基(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェニルオキシ、1−ナフチルオキシ、及び2−ナフチルオキシなどが挙げられる)、ヘテロアリールオキシ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、及びキノリルオキシなどが挙げられる)、アシル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、及びピバロイルなどが挙げられる)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜12であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる)、アリールオキシカルボニル基(好ましくは炭素数7〜30、より好ましくは炭素数7〜20、特に好ましくは炭素数7〜12であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる)、 An amino group (preferably having 0 to 30 carbon atoms, more preferably 0 to 20 carbon atoms, particularly preferably 0 to 10 carbon atoms, such as amino, methylamino, dimethylamino, diethylamino, dibenzylamino, diphenylamino, and Such as ditolylamino), an alkoxy group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 10 carbon atoms, such as methoxy, ethoxy, butoxy, and 2-ethylhexyl). Siloxy and the like), an aryloxy group (preferably having 6 to 30 carbon atoms, more preferably 6 to 20 carbon atoms, particularly preferably 6 to 12 carbon atoms, such as phenyloxy, 1-naphthyloxy, and 2 -Naphthyloxy etc. are mentioned), heteroaryloxy group (preferably C1-C30) More preferably, it is C1-C20, Most preferably, it is C1-C12, for example, pyridyloxy, pyrazyloxy, pyrimidyloxy, quinolyloxy etc. are mentioned, acyl group (preferably C1-C30, more preferably C1-C20, Most preferably, it is C1-C12, for example, acetyl, benzoyl, formyl, pivaloyl etc. are mentioned, alkoxycarbonyl group (preferably C2-C30, more preferably C2-C2) To 20 and particularly preferably 2 to 12 carbon atoms, such as methoxycarbonyl and ethoxycarbonyl, and aryloxycarbonyl groups (preferably 7 to 30 carbon atoms, more preferably 7 to 20 carbon atoms, particularly preferably Has 7 to 12 carbon atoms, such as phenyloxycarbonyl Etc., and the like),

アシルオキシ基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる)、アシルアミノ基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる)、アルコキシカルボニルアミノ基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜12であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる)、アリールオキシカルボニルアミノ基(好ましくは炭素数7〜30、より好ましくは炭素数7〜20、特に好ましくは炭素数7〜12であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる)、 An acyloxy group (preferably having 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 2 to 10 carbon atoms, such as acetoxy and benzoyloxy), an acylamino group (preferably having 2 carbon atoms) To 30, more preferably 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 2 to 10 carbon atoms, and examples thereof include acetylamino and benzoylamino, and alkoxycarbonylamino groups (preferably 2 to 30 carbon atoms, more preferably Has 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 2 to 12 carbon atoms, and examples thereof include methoxycarbonylamino and the like, and aryloxycarbonylamino group (preferably 7 to 30 carbon atoms, more preferably 7 to 20 carbon atoms). Particularly preferably, it has 7 to 12 carbon atoms, such as phenyloxycarbonylamino Mentioned are),

スルホニルアミノ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる)、スルファモイル基(好ましくは炭素数0〜30、より好ましくは炭素数0〜20、特に好ましくは炭素数0〜12であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、及びフェニルスルファモイルなどが挙げられる)、カルバモイル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、及びフェニルカルバモイルなどが挙げられる)、アルキルチオ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる)、アリールチオ基(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる)、ヘテロアリールチオ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばピリジルチオ、2−ベンズイミゾリルチオ、2−ベンズオキサゾリルチオ、及び2−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる)、 A sulfonylamino group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as methanesulfonylamino, benzenesulfonylamino, etc.), a sulfamoyl group (preferably Is 0 to 30 carbon atoms, more preferably 0 to 20 carbon atoms, particularly preferably 0 to 12 carbon atoms, and examples thereof include sulfamoyl, methylsulfamoyl, dimethylsulfamoyl, and phenylsulfamoyl. A carbamoyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as carbamoyl, methylcarbamoyl, diethylcarbamoyl, and phenylcarbamoyl). An alkylthio group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, More preferably, it is C1-C20, Most preferably, it is C1-C12, for example, methylthio, ethylthio etc. are mentioned, Arylthio group (Preferably C6-C30, More preferably C6-C20, Particularly preferably, it has 6 to 12 carbon atoms, for example, phenylthio and the like, and a heteroarylthio group (preferably 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms). For example, pyridylthio, 2-benzimidazolylthio, 2-benzoxazolylthio, 2-benzthiazolylthio and the like),

スルホニル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる)、スルフィニル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる)、ウレイド基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる)、リン酸アミド基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる)、 A sulfonyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms such as mesyl and tosyl), a sulfinyl group (preferably having 1 to 1 carbon atoms). 30, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as methanesulfinyl, benzenesulfinyl and the like, ureido group (preferably 1 to 30 carbon atoms, more preferably carbon numbers) 1 to 20, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as ureido, methylureido, phenylureido and the like, phosphoric acid amide group (preferably 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms) Particularly preferably, it has 1 to 12 carbon atoms, and examples thereof include diethyl phosphoric acid amide and phenyl phosphoric acid amide)

ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子(例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子)、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜12であり、ヘテロ原子として、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子などを有し、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、及びアゼピニル基などが挙げられる)、シリル基(好ましくは炭素数3〜40、より好ましくは炭素数3〜30、特に好ましくは炭素数3〜24であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる)などが挙げられる。 Hydroxy group, mercapto group, halogen atom (eg fluorine atom, chlorine atom, bromine atom or iodine atom), cyano group, sulfo group, carboxyl group, nitro group, hydroxamic acid group, sulfino group, hydrazino group, imino group, hetero A cyclic group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 12 carbon atoms, and having, for example, a nitrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom, etc. as a hetero atom, specifically, for example, imidazolyl, pyridyl, quinolyl , Furyl, thienyl, piperidyl, morpholino, benzoxazolyl, benzimidazolyl, benzthiazolyl, carbazolyl group, azepinyl group and the like), silyl group (preferably having 3 to 40 carbon atoms, more preferably 3 to 30 carbon atoms). Particularly preferably having 3 to 24 carbon atoms, such as trimethylsilyl, Such as Li triphenylsilyl and the like) and the like.

は、複数存在する場合、互いに同じでも異なっていてもよく、これらは互いに結合して環を形成してもよい。また、Rは更に置換されてもよい。 When a plurality of R 1 are present, they may be the same as or different from each other, and these may be bonded to each other to form a ring. R 1 may be further substituted.

n1は0から9の整数を表す。n1として好ましくは0から6の整数であり、さらに好ましくは0から3である。   n1 represents an integer of 0 to 9. n1 is preferably an integer of 0 to 6, and more preferably 0 to 3.

続いて、一般式(3)について説明する。
一般式(3)におけるRは置換基を表す。置換基Rは、前記置換基Rと好ましい態様を含んで同義である。
n2は0から20の整数を表す。n2の好ましい範囲は0から10であり、さらに好ましくは0から5である。
Next, general formula (3) will be described.
R 2 in the general formula (3) represents a substituent. The substituent R 2 is synonymous with the substituent R 1 including preferred embodiments.
n2 represents an integer of 0 to 20. The preferable range of n2 is 0 to 10, more preferably 0 to 5.

以下に、一般式(1)または一般式(3)の化合物例を示すが、本発明はこれらに限定されない。   Although the example of a compound of General formula (1) or General formula (3) is shown below, this invention is not limited to these.

本発明に用いられる前記電気的に不活性な材料の別の一群は、絶縁性無機化合物である。
本発明に用いられる絶縁性無機化合物としては、実質上導電性が無い無機化合物であれば特に限定される事はない。例えば金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、金属ハロゲン化物、金属硫酸塩、金属硝酸塩、金属リン酸塩、金属硫化物、金属炭酸塩、金属ホウハロゲン化物、又は金属リンハロゲン化物等が使用可能である。なかでも発光材料との相溶性や、製膜適性の観点から、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、炭化珪素、酸化ゲルマニウム、二酸化ゲルマニウム、酸化スズ、二酸化スズ、酸化バリウム、フッ化リチウム、塩化リチウム、フッ化セシウム、又は塩化セシウム等が好ましい。さらに好ましくは、窒化珪素、酸化窒化珪素、酸化珪素、および炭化珪素である。
Another group of the electrically inactive materials used in the present invention are insulating inorganic compounds.
The insulating inorganic compound used in the present invention is not particularly limited as long as it is an inorganic compound having substantially no conductivity. For example, metal oxide, metal nitride, metal carbide, metal halide, metal sulfate, metal nitrate, metal phosphate, metal sulfide, metal carbonate, metal borohalide, or metal phosphorus halide can be used. It is. Among these, from the viewpoint of compatibility with light emitting materials and film forming suitability, silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride, silicon oxynitride, silicon carbide, germanium oxide, germanium dioxide, tin oxide, tin dioxide, barium oxide, fluoride Lithium, lithium chloride, cesium fluoride, cesium chloride, or the like is preferable. More preferred are silicon nitride, silicon oxynitride, silicon oxide, and silicon carbide.

2)第1の発光材料
本発明に用いることのできる発光材料としては、燐光発光材料、蛍光発光材料のいずれでもよい。好ましくは、燐光発光材料である。
《燐光発光材料》
前記燐光性の発光材料としては、一般に、遷移金属原子又はランタノイド原子を含む錯体を挙げることができる。
例えば、該遷移金属原子としては、特に限定されないが、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、及び白金が挙げられ、より好ましくは、レニウム、イリジウム、及び白金であり、更に好ましくはイリジウム、白金である。
ランタノイド原子としては、例えばランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、およびルテシウムが挙げられる。これらのランタノイド原子の中でも、ネオジム、ユーロピウム、及びガドリニウムが好ましい。
2) First light emitting material The light emitting material that can be used in the present invention may be either a phosphorescent light emitting material or a fluorescent light emitting material. A phosphorescent light emitting material is preferable.
<Phosphorescent material>
In general, examples of the phosphorescent light-emitting material include complexes containing a transition metal atom or a lanthanoid atom.
For example, the transition metal atom is not particularly limited, but preferably includes ruthenium, rhodium, palladium, tungsten, rhenium, osmium, iridium, and platinum, more preferably rhenium, iridium, and platinum. More preferred are iridium and platinum.
Examples of the lanthanoid atom include lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium, and lutetium. Among these lanthanoid atoms, neodymium, europium, and gadolinium are preferable.

錯体の配位子としては、例えば、G.Wilkinson等著,Comprehensive Coordination Chemistry,Pergamon Press社1987年発行、H.Yersin著,「Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds」 Springer−Verlag社1987年発行、山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」裳華房社1982年発行等に記載の配位子などが挙げられる。
具体的な配位子としては、好ましくは、ハロゲン配位子(好ましくは塩素配位子)、芳香族炭素環配位子(例えば、シクロペンタジエニルアニオン、ベンゼンアニオン、またはナフチルアニオンなど)、含窒素ヘテロ環配位子(例えば、フェニルピリジン、ベンゾキノリン、キノリノール、ビピリジル、またはフェナントロリンなど)、ジケトン配位子(例えば、アセチルアセトンなど)、カルボン酸配位子(例えば、酢酸配位子など)、アルコラト配位子(例えば、フェノラト配位子など)、一酸化炭素配位子、イソニトリル配位子、シアノ配位子であり、より好ましくは、含窒素ヘテロ環配位子である。
上記錯体は、化合物中に遷移金属原子を一つ有してもよいし、また、2つ以上有するいわゆる複核錯体であってもよい。異種の金属原子を同時に含有していてもよい。
Examples of the ligand of the complex include G.I. Wilkinson et al., Comprehensive Coordination Chemistry, Pergamon Press, 1987, H.C. Examples include ligands described in Yersin's "Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds" published by Springer-Verlag 1987, Akio Yamamoto "Organic Metal Chemistry-Fundamentals and Applications-" .
Specific ligands are preferably halogen ligands (preferably chlorine ligands), aromatic carbocyclic ligands (eg, cyclopentadienyl anion, benzene anion, or naphthyl anion), Nitrogen-containing heterocyclic ligand (eg, phenylpyridine, benzoquinoline, quinolinol, bipyridyl, or phenanthroline), diketone ligand (eg, acetylacetone), carboxylic acid ligand (eg, acetic acid ligand) , Alcoholate ligands (eg, phenolate ligands), carbon monoxide ligands, isonitrile ligands, and cyano ligands, more preferably nitrogen-containing heterocyclic ligands.
The complex may have one transition metal atom in the compound, or may be a so-called binuclear complex having two or more. Different metal atoms may be contained at the same time.

これらの中でも、発光材料の具体例としては、例えば、US6303238B1、US6097147、WO00/57676、WO00/70655、WO01/08230、WO01/39234A2、WO01/41512A1、WO02/02714A2、WO02/15645A1、WO02/44189A1、特開2001−247859、特願2000−33561、特開2002−117978、特開2002−225352、特開2002−235076、特願2001−239281、特開2002−170684、EP 1211257、特開2002−226495、特開2002−234894、特開2001−247859、特開2001−298470、特開2002−173674、特開2002−203678、特開2002−203679、特開2004−357791、特開2006−256999、特願2005−75341等の特許文献に記載の燐光発光化合物などが挙げられる。   Among these, specific examples of the light emitting material include, for example, US6303238B1, US6097147, WO00 / 57676, WO00 / 70655, WO01 / 08230, WO01 / 39234A2, WO01 / 41512A1, WO02 / 02714A2, WO02 / 15645A1, WO02 / 44189A1, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-247859, Japanese Patent Application No. 2000-33561, Japanese Patent Application No. 2002-117978, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-225352, Japanese Patent Application No. 2002-233501, Japanese Patent Application No. 2001-239281, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-170684, Japanese Patent Application Laid-Open No. JP, 2002-234894, JP, 2001-247859, JP, 2001-298470, JP, 2002-173673, JP, 2002-203. 78, JP 2002-203679, JP 2004-357791, JP 2006-256999, and the like phosphorescent compounds described in patent documents such as Japanese Patent Application No. 2005-75341.

《蛍光発光材料》
前記蛍光性の発光性ドーパントとしては、一般には、ベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、スチリルベンゼン、ポリフェニル、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、ナフタルイミド、クマリン、ピラン、ペリノン、オキサジアゾール、アルダジン、ピラリジン、シクロペンタジエン、ビススチリルアントラセン、キナクリドン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、シクロペンタジエン、スチリルアミン、芳香族ジメチリディン化合物、縮合多環芳香族化合物(アントラセン、フェナントロリン、ピレン、ペリレン、ルブレン、又はペンタセンなど)、8−キノリノールの金属錯体、ピロメテン錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン、およびこれらの誘導体などを挙げることができる。
本発明における第1発光材料は、電子輸送性発光材料である。
好ましくは、その電子親和力(Ea)が2.5eV以上3.5eV以下であり、イオン化ポテンシャル(Ip)が5.7eV以上7.0eV以下の電子輸送性発光材料である。
本発明における第1発光材料としては、従来知られている電子輸送性発光材料を用いることができる。
好ましく用いることのできる材料は、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、及びルテシウム錯体を挙げる事ができる。より好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、又は白金錯体であり、最も好ましくは白金錯体である。
具体的白金錯体の例を以下に例示するが、本発明はこれらに限定されものではない。
<Fluorescent material>
As the fluorescent light-emitting dopant, generally, benzoxazole, benzimidazole, benzothiazole, styrylbenzene, polyphenyl, diphenylbutadiene, tetraphenylbutadiene, naphthalimide, coumarin, pyran, perinone, oxadiazole, aldazine, Pyraridin, cyclopentadiene, bisstyrylanthracene, quinacridone, pyrrolopyridine, thiadiazolopyridine, cyclopentadiene, styrylamine, aromatic dimethylidin compounds, condensed polycyclic aromatic compounds (anthracene, phenanthroline, pyrene, perylene, rubrene, pentacene, etc. ), Metal complexes of 8-quinolinol, various metal complexes represented by pyromethene complexes and rare earth complexes, polythiophene, polyphenylene, polyphenylene bi Polymeric compounds Ren like, organic silanes, and the like, and their derivatives.
The first light emitting material in the present invention is an electron transporting light emitting material.
Preferably, the electron-transporting light-emitting material has an electron affinity (Ea) of 2.5 eV to 3.5 eV and an ionization potential (Ip) of 5.7 eV to 7.0 eV.
As the first light emitting material in the present invention, a conventionally known electron transporting light emitting material can be used.
Materials that can be preferably used are ruthenium, rhodium, palladium, tungsten, rhenium, osmium, iridium, platinum, lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium, And lutesium complexes. More preferred are ruthenium, rhodium, palladium, or platinum complexes, and most preferred is a platinum complex.
Although the example of a specific platinum complex is illustrated below, this invention is not limited to these.

3)第2の発光材料
本発明における第2発光材料としては、従来知られている正孔輸送性発光材料を用いることができる。好ましくは、その電子親和力(Ea)が2.4eV以上3.4eV以下であり、イオン化ポテンシャル(Ip)が5.0eV以上6.3eV以下の正孔輸送性発光材料である。
好ましく用いることのできる材料は、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、及びルテシウム錯体を挙げる事ができ、より好ましくは、イリジウム錯体である。
具体的イリジウム錯体の例を以下に例示するが、本発明はこれらに限定されものではない。
3) Second light emitting material As the second light emitting material in the present invention, a conventionally known hole transporting light emitting material can be used. Preferably, the hole transporting light emitting material has an electron affinity (Ea) of 2.4 eV or more and 3.4 eV or less and an ionization potential (Ip) of 5.0 eV or more and 6.3 eV or less.
Materials that can be preferably used are ruthenium, rhodium, palladium, tungsten, rhenium, osmium, iridium, platinum, lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium, And lutesium complex, more preferably iridium complex.
Although the example of a specific iridium complex is illustrated below, this invention is not limited to these.

本発明における特に好ましい組合せは、前記第1発光材料が白金錯体であり、前記第2発光材料がイリジウム錯体である。   In a particularly preferred combination in the present invention, the first light emitting material is a platinum complex, and the second light emitting material is an iridium complex.

(正孔注入層、正孔輸送層)
正孔注入層、正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。
(Hole injection layer, hole transport layer)
The hole injection layer and the hole transport layer are layers having a function of receiving holes from the anode or the anode side and transporting them to the cathode side.

正孔注入層は正孔の移動のキャリアとなる電子受容性材料を含有するのが好ましい。正孔注入層に導入する電子受容性材料としては、電子受容性で有機化合物を酸化する性質を有すれば、無機化合物でも有機化合物でも使用でき、具体的には、無機化合物は塩化第二鉄や塩化アルミニウム、塩化ガリウム、塩化インジウム、および五塩化アンチモンなどのルイス酸化合物を好適に用いることができる。   The hole injection layer preferably contains an electron-accepting material that serves as a carrier for hole movement. As the electron-accepting material to be introduced into the hole injection layer, an inorganic compound or an organic compound can be used as long as it has an electron-accepting property and oxidizes an organic compound. Specifically, the inorganic compound is ferric chloride. Lewis acid compounds such as aluminum chloride, gallium chloride, indium chloride, and antimony pentachloride can be suitably used.

有機化合物の場合は、置換基としてニトロ基、ハロゲン、シアノ基、トリフルオロメチル基などを有する化合物、キノン系化合物、酸無水物系化合物、フレーレンなどを好適に用いることができる。
具体的にはヘキサシアノブタジエン、ヘキサシアノベンゼン、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、p−フルオラニル、p−クロラニル、p−ブロマニル、p−ベンゾキノン、2,6−ジクロロベンゾキノン、2,5−ジクロロベンゾキノン、テトラメチルベンゾキノン、1,2,4,5−テトラシアノベンゼン、o−ジシアノベンゼン、p−ジシアノベンゼン、1,4−ジシアノテトラフルオロベンゼン、2,3−ジクロロ−5,6−ジシアノベンゾキノン、p−ジニトロベンゼン、m−ジニトロベンゼン、o−ジニトロベンゼン、p−シアノニトロベンゼン、m−シアノニトロベンゼン、o−シアノニトロベンゼン、1,4−ナフトキノン、2,3−ジクロロナフトキノン、1−ニトロナフタレン、2−ニトロナフタレン、1,3−ジニトロナフタレン、1,5−ジニトロナフタレン、9−シアノアントラセン、9−ニトロアントラセン、9,10−アントラキノン、1,3,6,8−テトラニトロカルバゾール、2,4,7−トリニトロ−9−フルオレノン、2,3,5,6−テトラシアノピリジン、マレイン酸無水物、フタル酸無水物、フラーレンC60、およびC70などが挙げられる。
In the case of an organic compound, a compound having a nitro group, a halogen, a cyano group, a trifluoromethyl group, or the like as a substituent, a quinone compound, an acid anhydride compound, or fullerene can be preferably used.
Specifically, hexacyanobutadiene, hexacyanobenzene, tetracyanoethylene, tetracyanoquinodimethane, tetrafluorotetracyanoquinodimethane, p-fluoranyl, p-chloranil, p-bromanyl, p-benzoquinone, 2,6-dichlorobenzoquinone 2,5-dichlorobenzoquinone, tetramethylbenzoquinone, 1,2,4,5-tetracyanobenzene, o-dicyanobenzene, p-dicyanobenzene, 1,4-dicyanotetrafluorobenzene, 2,3-dichloro-5 , 6-dicyanobenzoquinone, p-dinitrobenzene, m-dinitrobenzene, o-dinitrobenzene, p-cyanonitrobenzene, m-cyanonitrobenzene, o-cyanonitrobenzene, 1,4-naphthoquinone, 2,3-dichloronaphthoquinone, 1 Nitronaphthalene, 2-nitronaphthalene, 1,3-dinitronaphthalene, 1,5-dinitronaphthalene, 9-cyanoanthracene, 9-nitroanthracene, 9,10-anthraquinone, 1,3,6,8-tetranitrocarbazole, Examples include 2,4,7-trinitro-9-fluorenone, 2,3,5,6-tetracyanopyridine, maleic anhydride, phthalic anhydride, fullerene C60, and C70.

このうちヘキサシアノブタジエン、ヘキサシアノベンゼン、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、p−フルオラニル、p−クロラニル、p−ブロマニル、p−ベンゾキノン、2,6−ジクロロベンゾキノン、2,5−ジクロロベンゾキノン、1,2,4,5−テトラシアノベンゼン、1,4−ジシアノテトラフルオロベンゼン、2,3−ジクロロ−5,6−ジシアノベンゾキノン、p−ジニトロベンゼン、m−ジニトロベンゼン、o−ジニトロベンゼン、1,4−ナフトキノン、2,3−ジクロロナフトキノン、1,3−ジニトロナフタレン、1,5−ジニトロナフタレン、9,10−アントラキノン、1,3,6,8−テトラニトロカルバゾール、2,4,7−トリニトロ−9−フルオレノン、2,3,5,6−テトラシアノピリジン、またはC60が好ましく、ヘキサシアノブタジエン、ヘキサシアノベンゼン、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、p−フルオラニル、p−クロラニル、p−ブロマニル、2,6−ジクロロベンゾキノン、2,5−ジクロロベンゾキノン、2,3−ジクロロナフトキノン、1,2,4,5−テトラシアノベンゼン、2,3−ジクロロ−5,6−ジシアノベンゾキノン、または2,3,5,6−テトラシアノピリジンが特に好ましい。   Among these, hexacyanobutadiene, hexacyanobenzene, tetracyanoethylene, tetracyanoquinodimethane, tetrafluorotetracyanoquinodimethane, p-fluoranyl, p-chloranil, p-bromanyl, p-benzoquinone, 2,6-dichlorobenzoquinone, 2 , 5-dichlorobenzoquinone, 1,2,4,5-tetracyanobenzene, 1,4-dicyanotetrafluorobenzene, 2,3-dichloro-5,6-dicyanobenzoquinone, p-dinitrobenzene, m-dinitrobenzene, o-dinitrobenzene, 1,4-naphthoquinone, 2,3-dichloronaphthoquinone, 1,3-dinitronaphthalene, 1,5-dinitronaphthalene, 9,10-anthraquinone, 1,3,6,8-tetranitrocarbazole, 2,4,7-trinitro-9- Preferred are luolenone, 2,3,5,6-tetracyanopyridine, or C60, hexacyanobutadiene, hexacyanobenzene, tetracyanoethylene, tetracyanoquinodimethane, tetrafluorotetracyanoquinodimethane, p-fluoranyl, p-chloranil. P-bromanyl, 2,6-dichlorobenzoquinone, 2,5-dichlorobenzoquinone, 2,3-dichloronaphthoquinone, 1,2,4,5-tetracyanobenzene, 2,3-dichloro-5,6-dicyanobenzoquinone Or 2,3,5,6-tetracyanopyridine is particularly preferred.

これらの電子受容性材料は、単独で用いてもよいし、2種以上を用いてもよい。
電子受容性ドーパントの使用量は、材料の種類によって異なるが、正孔注入層材料に対して0.01質量%〜50質量%であることが好ましく、0.05質量%〜20質量%であることが更に好ましく、0.1質量%〜10質量%であることが特に好ましい。該使用量が、正孔注入材料に対して0.01質量%未満のときには、本発明の効果が不十分であるため好ましくなく、50質量%を超えると正孔注入能力が損なわれるため好ましくない。
These electron-accepting materials may be used alone or in combination of two or more.
Although the usage-amount of an electron-accepting dopant changes with kinds of material, it is preferable that it is 0.01 mass%-50 mass% with respect to hole injection layer material, and it is 0.05 mass%-20 mass%. It is further more preferable and it is especially preferable that it is 0.1 mass%-10 mass%. When the amount used is less than 0.01% by mass relative to the hole injecting material, the effect of the present invention is insufficient because it is insufficient, and when it exceeds 50% by mass, the hole injecting ability is impaired. .

正孔注入層、正孔輸送層の材料としては、具体的には、ピロール誘導体、カルバゾール誘導体、ピラゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、有機シラン誘導体、またはカーボン等を含有する層であることが好ましい。   Specific examples of materials for the hole injection layer and the hole transport layer include pyrrole derivatives, carbazole derivatives, pyrazole derivatives, triazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, Pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine compounds, aromatic dimethylidin compounds, A layer containing a porphyrin compound, an organic silane derivative, carbon, or the like is preferable.

正孔注入層、正孔輸送層の厚さは、特に限定されるものではないが、駆動電圧低下、発光効率向上、耐久性向上の観点から、厚さが1nm〜5μmであることが好ましく、5nm〜1μmであることが更に好ましく、10nm〜500nmであることが特に好ましい。
正孔注入層、正孔輸送層は、上述した材料の1種又は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
The thicknesses of the hole injection layer and the hole transport layer are not particularly limited, but the thickness is preferably 1 nm to 5 μm from the viewpoint of driving voltage reduction, light emission efficiency improvement, durability improvement, The thickness is further preferably 5 nm to 1 μm, and particularly preferably 10 nm to 500 nm.
The hole injection layer and the hole transport layer may have a single-layer structure composed of one or more of the materials described above, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions. .

(電子注入層、電子輸送層)
電子注入層、電子輸送層は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から注入され得た正孔を障壁する機能のいずれかを有している層である。
(Electron injection layer, electron transport layer)
The electron injection layer and the electron transport layer are layers having any one of a function of injecting electrons from the cathode, a function of transporting electrons, and a function of blocking holes that can be injected from the anode.

電子注入層、あるいは電子輸送層に導入される電子供与性材料としては、電子供与性で有機化合物を還元する性質を有していればよく、Liなどのアルカリ金属、Mgなどのアルカリ土類金属、希土類金属を含む遷移金属などが好適に用いられる。
特に仕事関数が4.2eV以下の金属が好適に使用でき、具体的には、Li、Na、K、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Y、Cs、La、Sm、Gd、およびYbなどが挙げられる。
The electron-donating material introduced into the electron-injecting layer or the electron-transporting layer may be any electron-donating material that has the property of reducing organic compounds with an electron-donating property, such as alkali metals such as Li and alkaline earth metals such as Mg. Transition metals including rare earth metals are preferably used.
In particular, a metal having a work function of 4.2 eV or less can be preferably used. Specifically, Li, Na, K, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Y, Cs, La, Sm, Gd, Yb, and the like Is mentioned.

これらの電子供与性材料は、単独で用いてもよいし、2種以上を用いてもよい。
電子供与性ドーパントの使用量は、材料の種類によって異なるが、電子輸送層材料に対して0.1質量%〜99質量%であることが好ましく、1.0質量%〜80質量%であることが更に好ましく、2.0質量%〜70質量%であることが特に好ましい。該使用量が、電子輸送層材料に対して0.1質量%未満のときには、本発明の効果が不十分であるため好ましくなく、99質量%を超えると電子輸送能力が損なわれるため好ましくない。
These electron donating materials may be used alone or in combination of two or more.
The amount of the electron donating dopant varies depending on the type of material, but is preferably 0.1% by mass to 99% by mass, and 1.0% by mass to 80% by mass with respect to the electron transport layer material. Is more preferable, and 2.0 mass% to 70 mass% is particularly preferable. When the amount used is less than 0.1% by mass with respect to the electron transport layer material, the effect of the present invention is insufficient because it is insufficient, and when it exceeds 99% by mass, the electron transport ability is impaired.

電子注入層、電子輸送層の材料としては、具体的には、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、イミダゾール、トリアゾ−ル、オキサゾ−ル、オキサジアゾ−ル、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、フッ素置換芳香族化合物、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、およびそれらの誘導体(他の環と縮合環を形成してもよい)、8−キノリノ−ル誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾ−ルやベンゾチアゾ−ルを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体等を挙げることができる。   Specific examples of the material for the electron injection layer and the electron transport layer include pyridine, pyrimidine, triazine, imidazole, triazole, oxazole, oxadiazol, fluorenone, anthraquinodimethane, anthrone, diphenylquinone, thiol. Heterocyclic tetracarboxylic anhydrides such as pyran dioxide, carbodiimide, fluorenylidenemethane, distyrylpyrazine, fluorine-substituted aromatic compounds, naphthaleneperylene, phthalocyanines, and their derivatives (form condensed rings with other rings) Or metal complexes of 8-quinolinol derivatives, metal phthalocyanines, metal complexes having benzoxazole or benzothiazol as ligands, and the like.

電子注入層、電子輸送層の厚さは、特に限定されるものではないが、駆動電圧低下、発光効率向上、耐久性向上の観点から、厚さが1nm〜5μmであることが好ましく、5nm〜1μmであることが更に好ましく、10nm〜500nmであることが特に好ましい。
電子注入層、電子輸送層は、上述した材料の1種又は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
The thicknesses of the electron injecting layer and the electron transporting layer are not particularly limited, but the thickness is preferably 1 nm to 5 μm from the viewpoint of lowering driving voltage, improving luminous efficiency, and improving durability. It is more preferably 1 μm, and particularly preferably 10 nm to 500 nm.
The electron injection layer and the electron transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above-described materials, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions.

(正孔ブロック層)
正孔ブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が、陰極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明においては、発光層と陰極側で隣接する有機化合物層として、正孔ブロック層を設けることができる。
正孔ブロック層は、特に限定されるものではないが、具体的には、BAlq等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、ピラザボール誘導体等を含有することができる。
また、正孔ブロック層の厚さは、駆動電圧を下げるため、一般的に50nm以下であることが好ましく、1nm〜50nmであることが好ましく、5nm〜40nmであることが更に好ましい。
(Hole blocking layer)
The hole blocking layer is a layer having a function of preventing holes transported from the anode side to the light emitting layer from passing through to the cathode side. In the present invention, a hole blocking layer can be provided as an organic compound layer adjacent to the light emitting layer on the cathode side.
Although a hole block layer is not specifically limited, Specifically, aluminum complexes, such as BAlq, a triazole derivative, a pyraza ball derivative, etc. can be contained.
In addition, the thickness of the hole blocking layer is generally preferably 50 nm or less, preferably 1 nm to 50 nm, and more preferably 5 nm to 40 nm in order to lower the driving voltage.

(陽極)
陽極は、通常、有機化合物層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。前述のごとく、陽極は、通常透明陽極として設けられる。
(anode)
The anode usually has a function as an electrode for supplying holes to the organic compound layer, and there is no particular limitation on the shape, structure, size, etc., depending on the use and purpose of the light-emitting element. , Can be appropriately selected from known electrode materials. As described above, the anode is usually provided as a transparent anode.

陽極の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、導電性化合物、又はこれらの混合物が好適に挙げられ、仕事関数が4.0eV以上の材料が好ましい。陽極材料の具体例としては、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫(ATO、FTO)、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫(ITO)、酸化亜鉛インジウム(IZO)等の導電性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、及びこれらとITOとの積層物などが挙げられる。この中で好ましいのは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からはITOが好ましい。   As a material of the anode, for example, a metal, an alloy, a metal oxide, a conductive compound, or a mixture thereof can be suitably cited, and a material having a work function of 4.0 eV or more is preferable. Specific examples of the anode material include conductive metals such as tin oxide (ATO, FTO) doped with antimony or fluorine, tin oxide, zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), etc. Metals such as oxides, gold, silver, chromium, nickel, and mixtures or laminates of these metals and conductive metal oxides, inorganic conductive materials such as copper iodide and copper sulfide, polyaniline, polythiophene, polypyrrole, etc. Organic conductive materials, and a laminate of these and ITO. Among these, conductive metal oxides are preferable, and ITO is particularly preferable from the viewpoints of productivity, high conductivity, transparency, and the like.

陽極は、例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、CVD、プラズマCVD法等の化学的方式などの中から、陽極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って、前記基板上に形成することができる。例えば、陽極の材料として、ITOを選択する場合には、陽極の形成は、直流又は高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等に従って行うことができる。   The anode is composed of, for example, a wet method such as a printing method and a coating method, a physical method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, and an ion plating method, and a chemical method such as a CVD and a plasma CVD method. It can be formed on the substrate according to a method appropriately selected in consideration of suitability with the material to be processed. For example, when ITO is selected as the anode material, the anode can be formed according to a direct current or high frequency sputtering method, a vacuum deposition method, an ion plating method, or the like.

本発明の有機電界発光素子において、陽極の形成位置としては特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて適宜選択することができる。陽極は、基板における一方の表面の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。   In the organic electroluminescent element of the present invention, the formation position of the anode is not particularly limited and can be appropriately selected according to the use and purpose of the light emitting element. The anode may be formed on the entire one surface of the substrate, or may be formed on a part thereof.

なお、陽極を形成する際のパターニングとしては、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。   The patterning for forming the anode may be performed by chemical etching such as photolithography, or may be performed by physical etching such as laser, or vacuum deposition or sputtering with a mask overlapped. It may be performed by a lift-off method or a printing method.

陽極の厚みとしては、陽極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常、10nm〜50μm程度であり、50nm〜20μmが好ましい。   The thickness of the anode can be appropriately selected depending on the material constituting the anode and cannot be generally defined, but is usually about 10 nm to 50 μm, and preferably 50 nm to 20 μm.

陽極の抵抗値としては、10Ω/□以下が好ましく、10Ω/□以下がより好ましい。陽極が透明である場合は、無色透明であっても、有色透明であってもよい。透明陽極側から発光を取り出すためには、その透過率としては、60%以上が好ましく、70%以上がより好ましい。 The resistance value of the anode is preferably 10 3 Ω / □ or less, and more preferably 10 2 Ω / □ or less. When the anode is transparent, it may be colorless and transparent or colored and transparent. In order to take out light emission from the transparent anode side, the transmittance is preferably 60% or more, and more preferably 70% or more.

なお、透明陽極については、沢田豊監修「透明電極膜の新展開」シーエムシー刊(1999)に詳述があり、ここに記載される事項を本発明に適用することができる。耐熱性の低いプラスティック基材を用いる場合は、ITO又はIZOを使用し、150℃以下の低温で成膜した透明陽極が好ましい。   The transparent anode is described in detail in the book “New Development of Transparent Electrode Films” published by CMC (1999), supervised by Yutaka Sawada, and the matters described here can be applied to the present invention. In the case of using a plastic substrate having low heat resistance, a transparent anode formed using ITO or IZO at a low temperature of 150 ° C. or lower is preferable.

(陰極)
陰極は、通常、有機化合物層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。
(cathode)
The cathode usually has a function as an electrode for injecting electrons into the organic compound layer, and there is no particular limitation on the shape, structure, size, etc., depending on the use and purpose of the light-emitting element, It can select suitably from well-known electrode materials.

陰極を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物などが挙げられ、仕事関数が4.5eV以下のものが好ましい。具体例としてはアルカリ金属(たとえば、Li、Na、K、またはCs等)、アルカリ土類金属(たとえばMg、Ca等)、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、およびイッテルビウム等の希土類金属などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、2種以上を好適に併用することができる。   Examples of the material constituting the cathode include metals, alloys, metal oxides, electrically conductive compounds, and mixtures thereof, and those having a work function of 4.5 eV or less are preferable. Specific examples include alkali metals (for example, Li, Na, K, or Cs), alkaline earth metals (for example, Mg, Ca, etc.), gold, silver, lead, aluminum, sodium-potassium alloys, lithium-aluminum alloys, And a rare earth metal such as magnesium-silver alloy, indium, and ytterbium. These may be used alone, but two or more can be suitably used in combination from the viewpoint of achieving both stability and electron injection.

これらの中でも、陰極を構成する材料としては、電子注入性の点で、アルカリ金属やアルカリ土類金属が好ましく、保存安定性に優れる点で、アルミニウムを主体とする材料が好ましい。
アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと0.01質量%〜10質量%のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物(例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など)をいう。
Among these, as a material constituting the cathode, an alkali metal or an alkaline earth metal is preferable from the viewpoint of electron injecting property, and a material mainly composed of aluminum is preferable from the viewpoint of excellent storage stability.
The material mainly composed of aluminum is aluminum alone, an alloy of aluminum and 0.01% by mass to 10% by mass of alkali metal or alkaline earth metal, or a mixture thereof (for example, lithium-aluminum alloy, magnesium-aluminum alloy). Etc.).

なお、陰極の材料については、特開平2−15595号公報、特開平5−121172号公報に詳述されており、これらの広報に記載の材料は、本発明においても適用することができる。   The materials for the cathode are described in detail in JP-A-2-15595 and JP-A-5-121172, and the materials described in these public relations can also be applied in the present invention.

陰極の形成方法については、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができる。
例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、CVD、プラズマCVD法等の化学的方式などの中から、前記した陰極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って形成することができる。例えば、陰極の材料として、金属等を選択する場合には、その1種又は2種以上を同時又は順次にスパッタ法等に従って行うことができる。
There is no restriction | limiting in particular about the formation method of a cathode, According to a well-known method, it can carry out.
For example, the cathode described above is configured from a wet method such as a printing method or a coating method, a physical method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, or an ion plating method, or a chemical method such as CVD or plasma CVD method. It can be formed according to a method appropriately selected in consideration of suitability with the material. For example, when a metal or the like is selected as the cathode material, one or more of them can be simultaneously or sequentially performed according to a sputtering method or the like.

陰極を形成するに際してのパターニングは、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。   Patterning when forming the cathode may be performed by chemical etching such as photolithography, physical etching by laser, or the like, or by vacuum deposition or sputtering with the mask overlaid. It may be performed by a lift-off method or a printing method.

本発明において、陰極形成位置は特に制限はなく、有機化合物層上の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
また、陰極と前記有機化合物層との間に、アルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物、酸化物等による誘電体層を0.1nm〜5nmの厚みで挿入してもよい。この誘電体層は、一種の電子注入層と見ることもできる。誘電体層は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、およびイオンプレーティング法等により形成することができる。
In the present invention, the cathode formation position is not particularly limited, and may be formed on the entire organic compound layer or a part thereof.
Further, a dielectric layer made of an alkali metal or alkaline earth metal fluoride or oxide may be inserted between the cathode and the organic compound layer with a thickness of 0.1 nm to 5 nm. This dielectric layer can also be regarded as a kind of electron injection layer. The dielectric layer can be formed by, for example, a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, or the like.

陰極の厚みは、陰極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常10nm〜5μm程度であり、50nm〜1μmが好ましい。
また、陰極は、透明であってもよいし、不透明であってもよい。なお、透明な陰極は、陰極の材料を1nm〜10nmの厚さに薄く成膜し、更にITOやIZO等の透明な導電性材料を積層することにより形成することができる。
The thickness of the cathode can be appropriately selected depending on the material constituting the cathode and cannot be generally defined, but is usually about 10 nm to 5 μm, and preferably 50 nm to 1 μm.
Further, the cathode may be transparent or opaque. The transparent cathode can be formed by depositing a thin cathode material to a thickness of 1 nm to 10 nm and further laminating a transparent conductive material such as ITO or IZO.

(基板)
本発明においては基板を用いることができる。用いられる基板としては、有機化合物層から発せられる光を散乱又は減衰させない基板であることが好ましい。その具体例としては、ジルコニア安定化イットリウム(YSZ)、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、およびポリ(クロロトリフルオロエチレン)等の有機材料が挙げられる。
例えば、基板としてガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合には、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。有機材料の場合には、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、及び加工性に優れていることが好ましい。
(substrate)
In the present invention, a substrate can be used. The substrate used is preferably a substrate that does not scatter or attenuate light emitted from the organic compound layer. Specific examples thereof include zirconia stabilized yttrium (YSZ), inorganic materials such as glass, polyesters such as polyethylene terephthalate, polybutylene phthalate, and polyethylene naphthalate, polystyrene, polycarbonate, polyethersulfone, polyarylate, polyimide, and polycycloolefin. , Norbornene resins, and organic materials such as poly (chlorotrifluoroethylene).
For example, when glass is used as the substrate, it is preferable to use non-alkali glass as the material in order to reduce ions eluted from the glass. Moreover, when using soda-lime glass, it is preferable to use what gave barrier coatings, such as a silica. In the case of an organic material, it is preferable that it is excellent in heat resistance, dimensional stability, solvent resistance, electrical insulation, and workability.

基板の形状、構造、大きさ等については、特に制限はなく、発光素子の用途、目的等に応じて適宜選択することができる。一般的には、基板の形状としては、板状であることが好ましい。基板の構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、また、単一部材で形成されていてもよいし、2以上の部材で形成されていてもよい。   There is no restriction | limiting in particular about the shape of a board | substrate, a structure, a magnitude | size, It can select suitably according to the use, purpose, etc. of a light emitting element. In general, the shape of the substrate is preferably a plate shape. The structure of the substrate may be a single layer structure, a laminated structure, may be formed of a single member, or may be formed of two or more members.

基板は、無色透明であっても、有色透明であってもよいが、有機発光層から発せられる光を散乱又は減衰等させることがない点で、無色透明であることが好ましい。   The substrate may be colorless and transparent or colored and transparent, but is preferably colorless and transparent in that it does not scatter or attenuate light emitted from the organic light emitting layer.

基板には、その表面又は裏面に透湿防止層(ガスバリア層)を設けることができる。
透湿防止層(ガスバリア層)の材料としては、窒化珪素、酸化珪素などの無機物が好適に用いられる。透湿防止層(ガスバリア層)は、例えば、高周波スパッタリング法などにより形成することができる。
熱可塑性基板を用いる場合には、更に必要に応じて、ハードコート層、アンダーコート層などを設けてもよい。
The substrate can be provided with a moisture permeation preventing layer (gas barrier layer) on the front surface or the back surface.
As a material for the moisture permeation preventive layer (gas barrier layer), inorganic materials such as silicon nitride and silicon oxide are preferably used. The moisture permeation preventing layer (gas barrier layer) can be formed by, for example, a high frequency sputtering method.
When a thermoplastic substrate is used, a hard coat layer, an undercoat layer, or the like may be further provided as necessary.

(保護層)
本発明において、有機EL素子全体は、保護層によって保護されていてもよい。
保護層に含まれる材料としては、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。
その具体例としては、In、Sn、Pb、Au、Cu、Ag、Al、Ti、またはNi等の金属、MgO、SiO、SiO、Al、GeO、NiO、CaO、BaO、Fe、Y、またはTiO等の金属酸化物、SiN、SiN等の金属窒化物、MgF、LiF、AlF、またはCaF等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも1種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率1%以上の吸水性物質、吸水率0.1%以下の防湿性物質等が挙げられる。
(Protective layer)
In the present invention, the entire organic EL element may be protected by a protective layer.
As a material contained in the protective layer, any material may be used as long as it has a function of preventing materials that promote device deterioration such as moisture and oxygen from entering the device.
Specific examples thereof include metals such as In, Sn, Pb, Au, Cu, Ag, Al, Ti, and Ni, MgO, SiO, SiO 2 , Al 2 O 3 , GeO, NiO, CaO, BaO, and Fe 2. Metal oxide such as O 3 , Y 2 O 3 , or TiO 2 , metal nitride such as SiN x , SiN x O y , metal fluoride such as MgF 2 , LiF, AlF 3 , or CaF 2 , polyethylene, polypropylene Polymethyl methacrylate, polyimide, polyurea, polytetrafluoroethylene, polychlorotrifluoroethylene, polydichlorodifluoroethylene, a copolymer of chlorotrifluoroethylene and dichlorodifluoroethylene, tetrafluoroethylene and at least one comonomer. Copolymer obtained by copolymerizing monomer mixture containing And a fluorine-containing copolymer having a cyclic structure in the copolymer main chain, a water-absorbing substance having a water absorption of 1% or more, and a moisture-proof substance having a water absorption of 0.1% or less.

保護層の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、MBE(分子線エピタキシ)法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法(高周波励起イオンプレーティング法)、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、ガスソースCVD法、コーティング法、印刷法、または転写法を適用できる。   The method for forming the protective layer is not particularly limited, and for example, vacuum deposition, sputtering, reactive sputtering, MBE (molecular beam epitaxy), cluster ion beam, ion plating, plasma polymerization (high frequency) Excited ion plating method), plasma CVD method, laser CVD method, thermal CVD method, gas source CVD method, coating method, printing method, or transfer method can be applied.

(封止)
さらに、本発明の有機電界発光素子は、封止容器を用いて素子全体を封止してもよい。
また、封止容器と発光素子の間の空間に水分吸収剤又は不活性液体を封入してもよい。
水分吸収剤としては、特に限定されることはないが、例えば、酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、および酸化マグネシウム等を挙げることができる。不活性液体としては、特に限定されることはないが、例えば、パラフィン類、流動パラフィン類、パーフルオロアルカンやパーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等のフッ素系溶剤、塩素系溶剤、シリコーンオイル類が挙げられる。
(Sealing)
Furthermore, the organic electroluminescent element of this invention may seal the whole element using a sealing container.
Further, a moisture absorbent or an inert liquid may be sealed in a space between the sealing container and the light emitting element.
Although it does not specifically limit as a moisture absorber, For example, barium oxide, sodium oxide, potassium oxide, calcium oxide, sodium sulfate, calcium sulfate, magnesium sulfate, phosphorus pentoxide, calcium chloride, magnesium chloride, copper chloride Cesium fluoride, niobium fluoride, calcium bromide, vanadium bromide, molecular sieve, zeolite, magnesium oxide, and the like. The inert liquid is not particularly limited, and examples thereof include fluorinated solvents such as paraffins, liquid paraffins, perfluoroalkanes, perfluoroamines, perfluoroethers, chlorinated solvents, and silicone oils. It is done.

本発明の有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に直流(必要に応じて交流成分を含んでもよい)電圧(通常2ボルト〜15ボルト)、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。
本発明における有機電界発光素子の駆動耐久性は、特定の輝度における、ある輝度まで減少する時間により測定することができる。例えば、KEITHLEY製ソ−スメジャ−ユニット2400型を用いて、直流電圧を有機EL素子に印加し発光させ、初期輝度2000cd/mの条件で連続駆動試験をおこない、輝度が1000cd/mになった時間を輝度半減時間として、該輝度半減時間を従来発光素子と比較することにより求めることができる。本発明においてはこの数値を用いた。
この有機電界発光素子の重要な特性値として、外部量子効率がある。外部量子効率は、「外部量子効率φ=素子から放出されたフォトン数/素子に注入された電子数」で算出され、この値が大きいほど消費電力の点で有利な素子と言える。
The organic electroluminescence device of the present invention emits light by applying a direct current (which may include an alternating current component as necessary) voltage (usually 2 to 15 volts) or a direct current between the anode and the cathode. Obtainable.
The driving durability of the organic electroluminescent element in the present invention can be measured by the time required to decrease to a certain luminance at a specific luminance. For example, using a source measure unit 2400 manufactured by KEITHLEY, a direct current voltage is applied to the organic EL element to emit light, and a continuous driving test is performed under the condition of an initial luminance of 2000 cd / m 2 , and the luminance becomes 1000 cd / m 2 . The luminance half time can be obtained by comparing the luminance half time with a conventional light emitting device. This numerical value was used in the present invention.
An important characteristic value of this organic electroluminescence device is external quantum efficiency. The external quantum efficiency is calculated by “external quantum efficiency φ = number of photons emitted from the device / number of electrons injected into the device”, and it can be said that the larger this value, the more advantageous the device in terms of power consumption.

また、有機電界発光素子の外部量子効率は、「外部量子効率φ=内部量子効率×光取り出し効率」で決まる。有機化合物からの蛍光発光を利用する有機EL素子においては、内部量子効率の限界値が25%であり、光取り出し効率が約20%であることから、外部量子効率の限界値は約5%とされている。   The external quantum efficiency of the organic electroluminescent element is determined by “external quantum efficiency φ = internal quantum efficiency × light extraction efficiency”. In an organic EL device using fluorescence emission from an organic compound, the limit value of the internal quantum efficiency is 25%, and the light extraction efficiency is approximately 20%. Therefore, the limit value of the external quantum efficiency is approximately 5%. Has been.

該外部量子効率の数値は、20℃で素子を駆動したときの外部量子効率の最大値、もしくは、20℃で素子を駆動した時の100cd/m〜300cd/m付近(好ましくは200cd/m)での外部量子効率の値を用いることができる。
本発明においては、東陽テクニカ製ソースメジャーユニット2400型を用いて、直流定電圧をEL素子に印加し発光させ、その輝度をトプコン社製輝度計BM−8を用いて測定し、200cd/mにおける外部量子効率を算出した値を用いる。
It figures external quantum efficiency, the maximum value of the external quantum efficiency when the device is driven at 20 ° C., or around 100cd / m 2 ~300cd / m 2 when the device is driven at 20 ° C. (preferably 200 cd / The value of the external quantum efficiency at m 2 ) can be used.
In the present invention, by using a Toyo source measure unit MODEL 2400, manufactured by DC constant voltage is applied to cause light emission to the EL element, the luminance was measured using Topcon luminance meter BM-8, 200cd / m 2 A value obtained by calculating the external quantum efficiency at is used.

また、発光素子の外部量子効率は、発光輝度、発光スペクトル、電流密度を測定し、その結果と比視感度曲線から算出することができる。すなわち、電流密度値を用い、入力した電子数を算出することができる。そして、発光スペクトルと比視感度曲線(スペクトル)を用いた積分計算により、発光輝度を発光したフォトン数に換算することができる。
これらから外部量子効率(%)は、「(発光したフォトン数/素子に入力した電子数)×100」で計算することができる。
Further, the external quantum efficiency of the light emitting element can be calculated from the result and the relative luminous efficiency curve obtained by measuring the light emission luminance, the light emission spectrum, and the current density. That is, the number of input electrons can be calculated using the current density value. The emission luminance can be converted into the number of photons emitted by integral calculation using the emission spectrum and the relative visibility curve (spectrum).
From these, the external quantum efficiency (%) can be calculated by “(number of emitted photons / number of electrons input to the device) × 100”.

本発明の有機電界発光素子の駆動方法については、特開平2−148687号、同6−301355号、同5−29080号、同7−134558号、同8−234685号、同8−241047号の各公報、特許第2784615号、米国特許5828429号、同6023308号の各明細書、等に記載の駆動方法を適用することができる。   The driving method of the organic electroluminescence device of the present invention is described in JP-A-2-148687, JP-A-6-301355, JP-A-5-29080, JP-A-7-134558, JP-A-8-234585, and JP-A-8-2441047. The driving method described in each publication, Japanese Patent No. 2784615, US Pat. Nos. 5,828,429, 6023308, and the like can be applied.

(本発明の有機電界発光素子の用途)
本発明の有機電界発光素子は、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、または光通信等に好適に利用できる。
(Use of the organic electroluminescence device of the present invention)
The organic electroluminescent element of the present invention can be suitably used for a display element, a display, a backlight, electrophotography, an illumination light source, a recording light source, an exposure light source, a reading light source, a sign, a signboard, an interior, or optical communication.

以下に、本発明の有機電界発光素子の実施例について説明するが、本発明はこれら実施例により限定されるものではない。   Examples of the organic electroluminescence device of the present invention will be described below, but the present invention is not limited to these examples.

実施例1
1.有機EL素子の作製
1)本発明の素子No.1の作製
酸化インジウム錫(ITOと略記する)蒸着層を有するガラス基板(ジオマテック(株)製、表面抵抗10Ω/□、サイズ:0.5mm厚み、2.5cm角)を洗浄容器に入れ、2−プロパノール中で超音波洗浄した後、30分間UV−オゾン処理を行った。この透明陽極上に真空蒸着法にて以下の層を、順次、蒸着した。本発明の実施例における蒸着速度は特に断りのない場合は0.2nm/秒である。蒸着速度は水晶振動子を用いて測定した。以下に記載の膜厚も水晶振動子を用いて測定したものである。
Example 1
1. Preparation of organic EL element 1) Element No. 1. Preparation of 1 Put a glass substrate having an indium tin oxide (abbreviated as ITO) vapor deposition layer (manufactured by Geomatic Co., Ltd., surface resistance 10Ω / □, size: 0.5 mm thickness, 2.5 cm square) into a washing container. -After ultrasonic cleaning in propanol, UV-ozone treatment was performed for 30 minutes. The following layers were sequentially deposited on this transparent anode by a vacuum deposition method. The vapor deposition rate in the examples of the present invention is 0.2 nm / second unless otherwise specified. The deposition rate was measured using a quartz resonator. The film thicknesses described below were also measured using a crystal resonator.

−正孔注入層−
4,4’,4”−トリス(2−ナフチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン(2−TNATAと略記する)に対して2,3,5,6−テトラフルオロ−7,7,8,8−テトラシアノキノジメタン(F4−TCNQと略記する)を1.0質量%ドープして、ITO膜の上に膜厚160nmに蒸着した。
−正孔輸送層−
正孔注入層の上に、N,N’−ジナフチル−N,N’−ジフェニル−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(α−NPDと略記する)を蒸着した。膜厚は1nmであった。
-Hole injection layer-
2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetra to 4,4 ′, 4 ″ -tris (2-naphthylphenylamino) triphenylamine (abbreviated as 2-TNATA) Cyanoquinodimethane (abbreviated as F4-TCNQ) was doped by 1.0 mass%, and was deposited on the ITO film to a thickness of 160 nm.
-Hole transport layer-
N, N′-dinaphthyl-N, N′-diphenyl- [1,1′-biphenyl] -4,4′-diamine (abbreviated as α-NPD) was deposited on the hole injection layer. The film thickness was 1 nm.

−発光層−
電気的不活性材料として、下記の不活性化合物1、第1の発光材料として下記の発光材A、及び第2の発光材料としてIr(ppy)を含む層を厚み5nmに共蒸着した。不活性化合物1、第1の発光材料、及び第2の発光材料の組成比は質量比で70:15:15であった。
-Light emitting layer-
A layer containing the following inactive compound 1 as an electrically inactive material, the following luminescent material A as a first luminescent material, and Ir (ppy) 3 as a second luminescent material was co-evaporated to a thickness of 5 nm. The composition ratio of the inert compound 1, the first light emitting material, and the second light emitting material was 70:15:15 by mass ratio.

−電子輸送層−
アルミニウム(III)ビス(2−メチル−8−キノリナート)−4−フェニルフェノラート(Balqと略記する)を膜厚1nmに蒸着した。
−電子注入層−
トリス(8−ヒドロキシキノニナート)アルミニウム(Alqと略記する)、およびAlqに対しリチウム(Li)1質量%となるように、共蒸着した。蒸着厚みは30nmであった。
−陰極−
この上にパタ−ニングしたマスク(発光領域が2mm×2mmとなるマスク)を設置し、フッ化リチウム(LiF)を0.5nm蒸着し、更に金属アルミニウムを100nm蒸着し、陰極とした。
-Electron transport layer-
Aluminum (III) bis (2-methyl-8-quinolinato) -4-phenylphenolate (abbreviated as Balq) was deposited to a thickness of 1 nm.
-Electron injection layer-
Co-evaporation was performed so that tris (8-hydroxyquinoninate) aluminum (abbreviated as Alq) and Alq were lithium (Li) 1 mass%. The deposition thickness was 30 nm.
-Cathode-
A patterned mask (mask with a light emitting area of 2 mm × 2 mm) was placed thereon, lithium fluoride (LiF) was deposited by 0.5 nm, and metal aluminum was further deposited by 100 nm to form a cathode.

作製した積層体を、アルゴンガスで置換したグロ−ブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶および紫外線硬化型の接着剤(XNR5516HV、長瀬チバ(株)製)を用いて封止した。   The produced laminate was put in a glove box substituted with argon gas, and sealed with a stainless steel sealing can and an ultraviolet curable adhesive (XNR5516HV, manufactured by Nagase Ciba Co., Ltd.).

2)本発明の素子No.2〜9の作製
上記素子No.1の作製において、発光層の厚み、及び電気的不活性材料の種類を表1に示すように変更して本発明の素子No.2〜9を作製した。
2) Element No. of the present invention. Preparation of 2-9 The above-mentioned element No. 1, the thickness of the light emitting layer and the type of the electrically inactive material were changed as shown in Table 1, and the element No. 1 of the present invention was changed. 2-9 were produced.

3)比較の素子の作製
比較素子a:上記素子1において、発光層の膜厚を30nmにした。
比較素子b:上記素子1において、発光層として下記の組成の層を用いた以外は素子1と同様にして作製した。
比較の発光層:CBP、およびCBPに対してIr(ppy)を15質量%の比率で共蒸着した。厚みは10nmであった。CBPは正孔輸送性ホスト材料であり、Ir(ppy)は正孔輸送性発光材である。
比較素子c:上記素子1において、発光層として下記の組成の層を用いた以外は素子1と同様にして作製した。
比較の発光層:不活性化合物1、不活性化合物1に対して40質量%の比率でCBP、および不活性化合物1に対して15%質量の比率でIr(ppy)を共蒸着した。厚みは10nmであった。CBPは正孔輸送性ホスト材料であり、Ir(ppy)は正孔輸送性発光材である。従って、比較素子cにおける発光層の構成は、不活性材料に対して、2種の正孔輸送材を含有するものであり、本発明の構成と異なる。
3) Production of comparative element Comparative element a: In element 1, the thickness of the light emitting layer was set to 30 nm.
Comparative element b: fabricated in the same manner as in the element 1, except that a layer having the following composition was used as the light emitting layer in the element 1.
Comparative light emitting layer: CBP and Ir (ppy) 3 were co-deposited at a ratio of 15 mass% with respect to CBP. The thickness was 10 nm. CBP is a hole transporting host material, and Ir (ppy) 3 is a hole transporting light emitting material.
Comparative element c: fabricated in the same manner as in the element 1, except that a layer having the following composition was used as the light emitting layer in the element 1.
Comparative light emitting layer: Inactive compound 1, CBP at a ratio of 40% by mass with respect to inactive compound 1, and Ir (ppy) 3 at a ratio of 15% by mass with respect to inactive compound 1 were co-evaporated. The thickness was 10 nm. CBP is a hole transporting host material, and Ir (ppy) 3 is a hole transporting light emitting material. Therefore, the structure of the light emitting layer in the comparative element c is different from the structure of the present invention because it contains two kinds of hole transport materials with respect to the inert material.

本発明の素子および比較の素子の発光層に用いた材料の電子親和力(Ea)およびイオン化ポテンシャル(Ip)を表2に示した。
不活性化合物1〜5はいずれもEgが4.0eV以上であるのに対して、比較素子に用いた材料はいずれも4.0eVを下廻る。
また、本発明の素子における第1の発光材料の発光材A、及び第2の発光材料のIr(ppy)のEaおよびIpは、いずれも発光材Aの方がIr(ppy)よりそれぞれ0.1eV、0.4eV大きい。一方比較素子cにおける2種の発光材(ホストとドーパント)においては、EaについてはIr(ppy)がCBPより大きく、Ipに関しては逆にCBPがIr(ppy)より大きい関係にあった。
Table 2 shows the electron affinity (Ea) and ionization potential (Ip) of the materials used in the light emitting layers of the device of the present invention and the comparative device.
Inactive compounds 1 to 5 all have Eg of 4.0 eV or more, whereas all materials used for the comparative elements are less than 4.0 eV.
Further, in the element of the present invention, Ea and Ip of Ir (ppy) 3 of the first light emitting material and Ir (ppy) 3 of the second light emitting material are both in the light emitting material A than Ir (ppy) 3. 0.1 eV, 0.4 eV larger. On the other hand, in the two light emitting materials (host and dopant) in the comparative element c, Ir (ppy) 3 was larger than CBP for Ea, and conversely, CBP was larger than Ir (ppy) 3 for Ip.

2.性能評価
(評価項目)
(1)発光効率
発光素子の外部量子効率は、発光輝度、発光スペクトル、電流密度を測定し、その結果と比視感度曲線から算出した。外部量子効率(%)は、「(発光したフォトン数/素子に入力した電子数)×100」で計算を行った。
(2)駆動電圧
照度2000cd/mにおける駆動電圧を測定した。
(3)駆動耐久性
初期輝度2000cd/mの条件で連続駆動試験をおこない、輝度が半減した時間を耐久時間として求めた。
2. Performance evaluation (evaluation items)
(1) Luminous efficiency The external quantum efficiency of the light-emitting element was calculated from the results and relative luminous efficiency curve obtained by measuring the light emission luminance, light emission spectrum, and current density. The external quantum efficiency (%) was calculated by “(number of photons emitted / number of electrons input to the device) × 100”.
(2) Driving voltage The driving voltage at an illuminance of 2000 cd / m 2 was measured.
(3) Driving durability A continuous driving test was performed under the condition of an initial luminance of 2000 cd / m 2 , and the time when the luminance was reduced by half was determined as the durability time.

(評価結果)
得られた結果を表3に示した。
本発明の素子は、比較例の素子に比べて、予想外に極めて発光子効率が高く、特に駆動耐久性を長寿命化することができた。これらの特性の飛躍的向上にも拘わらず、予想外に駆動電圧は同等もしくは素子によっては減少した。
発光層の厚みが30nmの比較素子aは、駆動電圧が著しく上昇、発光効率も低かった。
比較素子b、cとも発光効率が低く、また、比較素子cは駆動耐久性が著しく劣った。
(Evaluation results)
The obtained results are shown in Table 3.
The device of the present invention unexpectedly has extremely high luminous efficiency as compared with the device of the comparative example, and in particular, the driving durability could be extended. Despite the dramatic improvement of these characteristics, the drive voltage was unexpectedly decreased or decreased depending on the element.
In the comparative element a having a light emitting layer thickness of 30 nm, the driving voltage was remarkably increased and the light emission efficiency was low.
Both the comparative elements b and c have low luminous efficiency, and the comparative element c has extremely poor driving durability.

Claims (15)

対向する一対の電極間に少なくとも1層の発光層を含む有機化合物層を有し、該発光層が少なくとも発光材料及び最高占有軌道と最低非占有軌道とのエネルギー差(Eg)が4.0eV以上である電気的に不活性な材料を含有する有機電界発光素子であって、該発光材料が少なくとも第1発光材料及び第2発光材料を含み、該第1発光材料が電子輸送性発光材料であり、該第2発光材料が正孔輸送性発光材料であり、かつ該発光層の厚みが0.5nm以上20nm以下であることを特徴とする有機電界発光素子。   An organic compound layer including at least one light emitting layer is provided between a pair of opposed electrodes, and the light emitting layer has at least a light emitting material and an energy difference (Eg) between the highest occupied orbit and the lowest unoccupied orbit is 4.0 eV or more. An organic electroluminescent element containing an electrically inactive material, wherein the light emitting material includes at least a first light emitting material and a second light emitting material, and the first light emitting material is an electron transporting light emitting material. The organic electroluminescent device is characterized in that the second light emitting material is a hole transporting light emitting material and the thickness of the light emitting layer is 0.5 nm or more and 20 nm or less. 前記第1発光材料の電子親和力(Ea1)が前記第2発光材料の電子親和力(Ea2)より大きく、且つ、前記第1発光材料のイオン化ポテンシャル(Ip1)が前記第2発光材料のイオン化ポテンシャル(Ip2)より大きいことを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。   The electron affinity (Ea1) of the first light emitting material is larger than the electron affinity (Ea2) of the second light emitting material, and the ionization potential (Ip1) of the first light emitting material is the ionization potential (Ip2) of the second light emitting material. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the organic electroluminescent device is larger. 前記第1発光材料が白金錯体であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の有機電界発光素子。   The organic electroluminescent element according to claim 1, wherein the first light emitting material is a platinum complex. 前記第2発光材料がイリジウム錯体であることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。   The organic electroluminescent element according to claim 1, wherein the second light emitting material is an iridium complex. 前記第1発光材料が白金錯体であり、前記第2発光材料がイリジウム錯体であることを特徴とする請求項4に記載の有機電界発光素子。   The organic electroluminescent element according to claim 4, wherein the first light emitting material is a platinum complex and the second light emitting material is an iridium complex. 該発光層の厚みが1nm以上10nm以下であることを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。   The organic electroluminescent element according to claim 1, wherein the light emitting layer has a thickness of 1 nm to 10 nm. 前記発光層における前記発光材料及び電気的に不活性な材料の合計量に対する前記発光材料の比率が質量比で5%以上40%以下であることを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。   The ratio of the light emitting material to the total amount of the light emitting material and the electrically inactive material in the light emitting layer is 5% or more and 40% or less by mass ratio. 2. The organic electroluminescent element according to item 1. 前記電気的に不活性な材料が有機化合物であって、そのイオン化ポテンシャル(Ip)が前記発光材料より大きい事を特徴とする請求項1〜請求項7のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。   The organic electroluminescence according to any one of claims 1 to 7, wherein the electrically inactive material is an organic compound, and its ionization potential (Ip) is larger than that of the light emitting material. element. 前記電気的に不活性な材料が有機化合物であって、その電子親和力(Ea)が前記発光材料より小さい事を特徴とする請求項1〜請求項8のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。   The organic electroluminescence according to any one of claims 1 to 8, wherein the electrically inactive material is an organic compound, and its electron affinity (Ea) is smaller than that of the light emitting material. element. 前記電気的に不活性な材料が、芳香族炭化水素化合物であることを特徴とする請求項1〜請求項9のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。   The organic electroluminescent element according to claim 1, wherein the electrically inactive material is an aromatic hydrocarbon compound. 前記芳香族炭化水素化合物が、下記一般式(1)で示される化合物であることを特徴とする請求項10に記載の有機電界発光素子:
一般式(1) L−(Ar)
(一般式(1)中、Arは下記一般式(2)で表される基、Lは3価以上のベンゼン骨格を表し、mは3以上の整数を表す。);

(一般式(2)中、Rは置換基を表し、Rが複数存在する場合、互いに同じでも異なっていてもよい。n1は0〜9の整数を表す。)。
The organic electroluminescent device according to claim 10, wherein the aromatic hydrocarbon compound is a compound represented by the following general formula (1):
General formula (1) L- (Ar) m
(In general formula (1), Ar represents a group represented by the following general formula (2), L represents a trivalent or higher benzene skeleton, and m represents an integer of 3 or higher);

(In General Formula (2), R 1 represents a substituent, and when a plurality of R 1 are present, they may be the same or different from each other. N1 represents an integer of 0 to 9).
前記芳香族炭化水素化合物が、下記一般式(3)で示される化合物であることを特徴とする請求項10に記載の有機電界発光素子:

(一般式(3)中、Rは置換基を表し、Rが複数存在する場合、互いに同じでも異なっていてもよい。n2は0〜20の整数を表す。)。
The organic electroluminescent device according to claim 10, wherein the aromatic hydrocarbon compound is a compound represented by the following general formula (3):

(In General Formula (3), R 2 represents a substituent, and when a plurality of R 2 are present, they may be the same or different from each other. N2 represents an integer of 0 to 20).
前記電気的に不活性な材料が絶縁性無機化合物であることを特徴とする請求項1〜請求項7のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。   The organic electroluminescent element according to claim 1, wherein the electrically inactive material is an insulating inorganic compound. 前記有機化合物層が、陽極側から少なくとも正孔注入層及び正孔輸送層の少なくとも一方の層、前記発光層、及び電子輸送層又は電子注入層を有し、前記正孔注入層及び正孔輸送層の少なくとも一方の層が電子受容性材料を含有することを特徴とする請求項1〜請求項13のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。   The organic compound layer has at least one of a hole injection layer and a hole transport layer from the anode side, the light emitting layer, and an electron transport layer or an electron injection layer, and the hole injection layer and the hole transport The organic electroluminescence device according to claim 1, wherein at least one of the layers contains an electron-accepting material. 前記有機化合物層が、陽極側から少なくとも正孔輸送層、前記発光層、及び電子輸送層及び電子注入層の少なくとも一方の層を有し、前記電子輸送層及び電子注入層の少なくとも一方の層が電子供与性材料を含有することを特徴とする請求項1〜請求項14のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。   The organic compound layer has at least one of a hole transport layer, the light emitting layer, and an electron transport layer and an electron injection layer from the anode side, and at least one layer of the electron transport layer and the electron injection layer is The organic electroluminescent element according to claim 1, comprising an electron donating material.
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