JP2008218640A - トンネル磁気抵抗効果素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1の強磁性体と、第2の強磁性体と、これら強磁性体間に挟まれて存在する絶縁体とを具え、強磁性体の少なくとも一方は、基材上に(110)面にエピタキシャル成長したフルホイスラー合金の単結晶を有する。フルホイスラー合金は、X2YZの組成式で表わされる金属間化合物であることが好ましい。特に、フルホイスラー合金は、Co2MnSiからなることが好ましい。
【選択図】図4
Description
Al2O3基板/Ta(20)/W(20)/Cr(20)/Co2MnSi(30)/AlOx(1.3)/CoFe(10)/IrMn(10)/Ta(5)
(カッコ内数字は膜厚で,単位はnmである)
なお、得られた上記トンネル磁気抵抗効果素子のTMRの測定は直流4端子法で行なった。
Claims (9)
- 第1の強磁性体と、第2の強磁性体と、これら強磁性体間に挟まれて存在する絶縁体とを具え、前記強磁性体の少なくとも一方は、基材上に(110)面にエピタキシャル成長したフルホイスラー合金の単結晶を有することを特徴とする、トンネル磁気抵抗効果素子。
- 前記フルホイスラー合金は、X2YZの組成式で表わされる金属間化合物であることを特徴とする、請求項1記載のトンネル磁気抵抗効果素子。
- 前記フルホイスラー合金は、アニーリング処理を経ていることを特徴とする、請求項1または2記載のトンネル磁気抵抗効果素子。
- 前記フルホイスラー合金は、Co2MnSiからなることを特徴とする、請求項1、2または3記載のトンネル磁気抵抗効果素子。
- 前記絶縁体は、AlOxからなることを特徴とする、請求項1、2、3または4記載のトンネル磁気抵抗効果素子。
- 前記フルホイスラー合金は、前記基材上において所定の下地層を介して形成されていることを特徴とする、請求項1、2、3、4または5記載のトンネル磁気抵抗効果素子。
- 前記下地層は、Ta/W/Crの三層多層膜から成ることを特徴とする、請求項6記載のトンネル磁気抵抗効果素子。
- 前記下地層は、アニーリング処理を経ていることを特徴とする、請求項6または7記載のトンネル磁気抵抗効果素子。
- 室温で有限のトンネル磁気抵抗効果(TMR)比を呈することを特徴とする、請求項1、2、3、4、5、6、7または8記載のトンネル磁気抵抗効果素子。
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JP2012138539A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-19 | Hitachi Ltd | 熱電変換材料と電界印加型熱電変換素子 |
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2007
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JP2012138539A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-19 | Hitachi Ltd | 熱電変換材料と電界印加型熱電変換素子 |
US9559280B2 (en) | 2010-12-28 | 2017-01-31 | Hitachi, Ltd. | Thermoelectric conversion device |
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