JP2008217015A - 光導電体 - Google Patents

光導電体 Download PDF

Info

Publication number
JP2008217015A
JP2008217015A JP2008054638A JP2008054638A JP2008217015A JP 2008217015 A JP2008217015 A JP 2008217015A JP 2008054638 A JP2008054638 A JP 2008054638A JP 2008054638 A JP2008054638 A JP 2008054638A JP 2008217015 A JP2008217015 A JP 2008217015A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
charge transport
photoconductor
chlorinated
chloride
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2008054638A
Other languages
English (en)
Inventor
Jing Wu
ウー ジン
Satchidanand Mishra
ミシュラ サッチダナンド
Geoffrey M T Foley
エム ティー．フォリー ジェフリー
Anthony M Horgan
エム．ホーガン アンソニー
Yonn K Rasmussen
ケー．ラスマッセン ヨン
Michael A Morgan
エー．モーガン マイケル
Kathleen M Carmichael
エム．カーマイケル キャスリーン
Edward F Grabowski
エフ．グラバウスキ エドワード
Liang-Bih Lin
リン リャン−ビー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xerox Corp
Original Assignee
Xerox Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xerox Corp filed Critical Xerox Corp
Publication of JP2008217015A publication Critical patent/JP2008217015A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
    • G03G5/142—Inert intermediate layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
    • G03G5/0528—Macromolecular bonding materials
    • G03G5/0532—Macromolecular bonding materials obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsatured bonds
    • G03G5/0539—Halogenated polymers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
    • G03G5/0528—Macromolecular bonding materials
    • G03G5/0557—Macromolecular bonding materials obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsatured bonds
    • G03G5/0578—Polycondensates comprising silicon atoms in the main chain
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
    • G03G5/0528—Macromolecular bonding materials
    • G03G5/0592—Macromolecular compounds characterised by their structure or by their chemical properties, e.g. block polymers, reticulated polymers, molecular weight, acidity
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
    • G03G5/0528—Macromolecular bonding materials
    • G03G5/0596—Macromolecular compounds characterised by their physical properties
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0601—Acyclic or carbocyclic compounds
    • G03G5/0612—Acyclic or carbocyclic compounds containing nitrogen
    • G03G5/0614—Amines
    • G03G5/06142—Amines arylamine
    • G03G5/06144—Amines arylamine diamine
    • G03G5/061443—Amines arylamine diamine benzidine
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0601—Acyclic or carbocyclic compounds
    • G03G5/0612—Acyclic or carbocyclic compounds containing nitrogen
    • G03G5/0614—Amines
    • G03G5/06142—Amines arylamine
    • G03G5/06144—Amines arylamine diamine
    • G03G5/061446—Amines arylamine diamine terphenyl-diamine
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0622—Heterocyclic compounds
    • G03G5/0644—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings
    • G03G5/0646—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings in the same ring system
    • G03G5/0655—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings in the same ring system containing six relevant rings
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0622—Heterocyclic compounds
    • G03G5/0644—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings
    • G03G5/0646—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings in the same ring system
    • G03G5/0657—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings in the same ring system containing seven relevant rings
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0622—Heterocyclic compounds
    • G03G5/0644—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings
    • G03G5/0646—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings in the same ring system
    • G03G5/0659—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings in the same ring system containing more than seven relevant rings
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0664—Dyes
    • G03G5/0696—Phthalocyanines

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Abstract

【課題】電荷不足地点を最小限に抑えることのできる光導電体を提供する。
【解決手段】光導電体は、基板と、正孔ブロッキング層と、光電荷発生層と、少なくとも１つのベジジン系電荷輸送材を含有した電荷輸送層とを備える。この正孔ブロッキング層は、塩化メチレン等のハロゲン化アルキレンに実質的に不溶性の塩化ビニリデン、塩化ビニル、等の塩素化ポリマー並びにテトラフルオロエチレン、トリフルオロエチレン等のフッ素化ポリマーと、アミノシランとを含む。
【選択図】なし

Description

本開示は概して、層状撮像部材、感光体、及び光導電体等に関する。
光導電性撮像部材としては、基板と、その上に正孔ブロッキング層（hole blocking layer）と、架橋光電荷発生層と、電荷輸送層と、を備え、上記光電荷発生層（photogenerating layer）が、光電荷発生成分と、塩化ビニル含有ポリマー、アリルグリシジルエーテル含有ポリマー、又はヒドロキシル含有ポリマーとを有する、光導電性撮像部材が開示されている（特許文献１）。
また、正孔ブロッキング層と、光電荷発生層と、電荷輸送層と、を備え、上記正孔ブロッキング層が、金属酸化物、及び少なくとも２つのフェノール基を有するフェノール化合物とフェノール樹脂との混合物を含む、光導電性撮像部材が開示されている（特許文献２）。
米国特許第７，０３７，６３１号 米国特許第６，９１３，８６３号
本開示は概して、層状撮像部材、感光体、及び光導電体等に関する。より具体的には、本開示は、剛性の又は多層構造で可撓性のベルト状撮像部材若しくは装置に関し、この撮像部材若しくは装置は、基板等の支持媒体を任意に備えてもよく、通常この基板と光電荷発生層との間に位置する下塗り層若しくは正孔ブロッキング層と、光電荷発生層と、少なくとも１つ（１つ〜約５つ、１つ〜約３つ、２つ、１つ等）の電荷輸送層（例えば、第１電荷輸送層及び第２電荷輸送層）とを備え、かつ接着層及びオーバコート層を任意に備えてよい。ここで、上記電荷輸送層のうちの少なくとも１つは、少なくとも１つの電荷輸送成分と、ポリマー若しくは樹脂結着剤とを含み、下塗り層に選択される樹脂結着剤は、塩化メチレン等の多くの溶剤に実質的に不溶性である。これらの結着剤の例は、同時係属出願である米国特許出願第１１／５９３，６５８号（代理人整理番号：２００６０８４７−ＵＳ−ＮＰ）に示されている。また、下塗り層は、主に導電性成分又は導電性種として機能するアミノシラン（特に、加水分解アミノシラン）も含む。或る実施形態では、この下塗り層の塩素化ポリマーがハロゲン化アルキレン（特に、塩化メチレン）に実質的に不溶性である、光導電体が開示される。不溶性又は実質的に不溶性であるとは、例えば、塩化メチレンに対するハロゲン化ポリマー（より具体的には、塩素化ポリマー）の不溶度が約９０〜約１００％、より具体的には約９５〜約９９％であることを言う。
或る実施形態では、結着剤としての塩素化ポリマー樹脂と導電性種としての加水分解アミノシランとを含む、厚さがミクロン単位の新規正孔ブロッキング層を備える、電荷不足地点（ＣＤＳ：charge deficient spots）が少ない光導電体が開示されている。該光導電体においては、塩化メチレン（ＣＨ2Ｃｌ2）に不溶性の結着剤が、正孔輸送分子が上層の電荷輸送層から下方の層へ、次いで下塗り層又はグラウンド層（ground plane layer）へと移動するのを阻止するか又は最小限に抑えると考えられる。塩素化ホモポリマーの例としては、ポリ塩化ビニリデン、塩素化ポリ塩化ビニル、及び塩素化ポリ塩化ビニリデンが挙げられる。塩素化コポリマーの例としては、塩化ビニリデン、塩素化塩化ビニル、及び塩素化塩化ビニリデンと、フッ化ビニリデン、テトラフルオロエチレン、トリフルオロクロロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン等とのコポリマーが挙げられる。
開示される光導電体には多数の利点があり、例えば、光電荷発生層及び電荷輸送層（単数又は複数）から生じ得、望ましくない印刷欠陥をもたらす電荷不足地点（ＣＤＳ）が最小限に抑えられる。即ち、正孔輸送分子又は正孔輸送成分が、１つの電荷輸送層から光導電体における別の層（例えば、光電荷発生層及び電荷輸送層）へ、より具体的には、光導電体の最上層又は上層の電荷輸送層から下方の層（例えば、より下層の電荷輸送層及び光電荷発生層）へ移動するのを最小限に抑えるか、又は阻止することにより、形成された現像画像における望ましくない電荷不足地点を少なくすることができる。更に、選択された塩素化ポリマーは、気体及び蒸気に対する不透過性が高い（例えば、該ポリマーの酸素透過率（２３℃、０％ＲＨ）は約５〜約２５０ｃｍ3 μｍ／ｍ2ｄｂａｒ（ｃｍ3 μｍ／ｍ2日バール）であり、水蒸気透過率（３８℃、９０％ＲＨ）は約５〜約１００ｇ μｍ／ｍ2ｄである）ため、光誘起放電を環境的に安定させることができる。更に、これらのポリマーは誘電率も高く、通常、少なくとも約５、約７〜約２５、又は約８〜約１８である（明細書全体を通し、「約〜」とは、挙げた値の間における全ての値を含む）。本明細書中に示す感光体は、実施形態において、寿命が長く、Ｖr（残留電位）が好適であり（多くの場合低い）、適切な場合にはＶrのサイクルアップを実質的に阻止することができ、感度が高く、許容ゴースト画像特性が低く、トナーの除去が容易である。
本明細書中に示す光応答装置（photoresponsive devices）を用いて画像を形成する方法及び印刷する方法も、本開示の範囲内に含まれる。一般的に、これらの方法では、撮像部材上に静電潜像を形成し、次に、例えば、熱可塑性樹脂、着色剤（例えば、顔料）、電荷添加剤、及び表面添加剤を含むトナー組成物を用いてこの潜像を現像し、その後、この画像を適切な基板に転写して、永久的に定着させる。この装置が印刷モードで使用される場合は、画像形成方法において、レーザ装置又は画像バーを用いて露光を行うことができるという点を除いて、同じ作業が行われる。より具体的には、本明細書中に開示される可撓性の光導電体ベルトを、型によっては１分間につき１００枚を超えるコピーを生成するゼロックス社(Xerox Corporation)製の装置ｉＧＥＮ（登録商標）に対して選択することができる。従って、画像形成（特に、ゼログラフィー画像形成）及び印刷（デジタル印刷及び／又はカラー印刷を含む）方法は、本開示に含まれる。
本明細書中に示す利点の多くを備えた、撮像部材が開示されている。該利点としては、例えば、電荷不足地点の発生が最小限であること、サービス寿命が長い（例えば、約２，５００，０００を超える画像形成サイクル）こと、電子的特性が優れていること、電気特性が安定していること、ゴースト画像が少ないこと、電荷輸送層が特定溶剤の蒸気に晒された場合における耐亀裂性を備えること、並びに、既知のＰＩＤＣ（Photo-Induced Discharge Curve：光誘起放電曲線）の生成により示されるように、多数の画像形成サイクルにわたってＶr（残留電位）が一定（ほぼ横ばい（flat）、即ち変化なし）であること、等が挙げられる。
更に、塩素化ポリマー及びアミノシランを含む正孔ブロッキング層を備える可撓性の撮像部材が開示されており、該正孔ブロッキング層は、例えば好適に且つ効率的に電子を輸送することが可能であり、これにより、通常、光導電体の残留電位が所望の低い電位Ｖlowとなる。
本発明によれば、（１）基板と、正孔ブロッキング層と、光電荷発生層と、少なくとも１つの電荷輸送層とを備える、光導電体であって、
前記正孔ブロッキング層が、ハロゲン化アルキレンに実質的に不溶性の樹脂結着剤と、アミノシランとを含む、該光導電体が提供される。
本発明によれば、（２）上記（１）において、前記樹脂結着剤がハロゲン化ポリマーであり、前記基板が存在し、前記ハロゲン化アルキレンが塩化メチレンであり、前記実質的に不溶性とは、前記樹脂結着剤が該塩化メチレンに約９０〜約１００％不溶性であることを指す。
本発明によれば、（３）上記（１）において、前記電荷輸送層がアリールアミン分子を含み、該アリールアミン分子が下記式のうちの少なくとも１つであり、
Figure 2008217015
上記式において、Ｘが、アルキル、アルコキシ、アリール、及びハロゲンのうち少なくとも１つから成る群より選択され、
Figure 2008217015
上記式において、Ｘ及びＹがそれぞれ独立して、アルキル、アルコキシ、アリール、及びハロゲン、並びに、これらの混合物から成る群より選択される
本発明によれば、（４）基板と、塩素化ポリマー結着剤及びアミノシラン導電性成分を含む下塗り層と、光電荷発生層と、電荷輸送層とをこの順番に備える、光導電体であって、
前記塩素化ポリマー結着剤が、ポリ塩化ビニリデン、塩素化ポリ塩化ビニル、及び塩素化ポリ塩化ビニリデンのホモポリマー、並びに、塩化ビニリデン、塩素化塩化ビニル、及び塩素化塩化ビニリデンと、フッ化ビニリデン、テトラフルオロエチレン、トリフルオロクロロエチレン、及びヘキサフルオロプロピレンとをそれぞれ組み合わせたコポリマー、のうちの少なくとも１つである、該光導電体が提供される。
本発明よれば、（５）上記（１）において、前記アミノシランが、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、トリエトキシシリルプロピルエチレンジアミン、トリメトキシシリルプロピルエチレンジアミン、トリメトキシシリルプロピルジエチレントリアミン、Ｎ−アミノエチル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−アミノエチル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−アミノエチル−３−アミノプロピルトリス（エチルエトキシ）シラン、ｐ−アミノフェニルトリメトキシシラン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−メチルアミノプロピルトリエトキシシラン、メチル［２−（３−トリメトキシシリルプロピルアミノ）エチルアミノ］−３−プロピオネート、（Ｎ，Ｎ’−ジメチル−３−アミノ）プロピルトリエトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノフェニルトリエトキシシラン、又はこれらの混合物であり、前記樹脂結着剤が、下記式により表され、
Figure 2008217015
上記式において、ｘ及びｙが、繰り返し単位の数を表す。
本開示の態様は、以下のものに関する：基板を任意に備えていてよく、その上に存在し、アミノシランと塩化メチレンに実質的に不溶性の結着剤とを含む正孔ブロッキング層と、樹脂若しくはポリマー結着剤に任意に分散され得る光電荷発生成分を含む光電荷発生層と、少なくとも１つ（例えば、１つ〜約７つ、１つ〜約５つ、１つ〜約３つ、２つ、又は１つ）の電荷輸送層とを備える、撮像部材；
基板と、光電荷発生層と、正孔輸送分子を含む少なくとも１つの電荷輸送成分と樹脂結着剤とを含む少なくとも１つの電荷輸送層と、アミノシランと塩化メチレンに不溶性又は実質的に不溶性のハロゲン化ポリマー樹脂（例えば、塩素化ポリマー樹脂）及びその他いくつかの同様の溶剤を含む正孔ブロッキング層と、をこの順に備える可撓性光導電体；
基板と、アミノシラン及び塩素化ポリマーを含む正孔ブロッキング層と、光電荷発生層と、電荷輸送層と、最上部オーバーコート層である第２電荷輸送層とを備える、光導電性撮像部材；厚さ約０．１〜約１０ミクロンの光電荷発生層と、厚さ約５〜約１００ミクロンの少なくとも１つの電荷輸送層とを備える、光導電性部材；
画像形成方法、並びに、帯電要素、現像要素、転写要素、及び定着要素を含む画像形成装置であって、基板と、その上にあり、かついくつかのアミノシランとハロゲン化ポリマーとを含む正孔ブロッキング層と、ポリマー結着剤に分散された光電荷発生顔料を含む光電荷発生層と、厚さ約４０〜約７５ミクロンの電荷輸送層（単数又は複数）と、その上にオーバーコート電荷輸送層とを備える光導電性撮像部材を含む、画像形成装置；
光電荷発生層が、光電荷発生顔料が約５〜約９５重量％分散された、ポリカーボネート等の結着剤を含む、部材；
光電荷発生層の厚さが約０．１〜約４ミクロンである部材；
正孔ブロッキング層におけるハロゲン化ポリマー結着剤の量が約０．１〜約９０重量％、１〜約５０重量％、２〜約２５重量％、５〜約１０重量％であって、正孔ブロッキング層全成分の合計がほぼ１００％である、部材；
光電荷発生成分が、波長が約３７０〜約９５０ｎｍの光を吸収するヒドロキシガリウムフタロシアニンである、部材；
基板が、金属を含む導電性基板から成る、撮像部材又は光導電体；導電性基板が、アルミニウム、アルミニウム被覆したポリエチレンテレフタレート、又はチタン被覆したポリエチレンテレフタレートである、撮像部材；
光電荷発生顔料が無金属フタロシアニンである、光導電体又は撮像部材；
電荷輸送層のそれぞれ又は少なくとも１つが、下記構造を有し、
Figure 2008217015
上記式において、Ｘが、適切な炭化水素（例えば、アルキル、アルコキシ、アリール、及び、これらの置換誘導体）と、ハロゲンと、これらの混合物とから成る群より選択されると共に、４つの末端環に含まれ得る、撮像部材；
アルキル及びアルコキシが約１〜約１２の炭素原子を含む、撮像部材；
アルキルが約１〜約５の炭素原子を含む、撮像部材；
アルキルがメチルである、撮像部材；
電荷輸送層のそれぞれ又は少なくとも１つが、下記構造を有し、
Figure 2008217015
上記式において、Ｘ及びＹが独立して、アルキル、アルコキシ、アリール、ハロゲン、又は、これらの混合物である、撮像部材；
ターフェニルアミンに関し、アルキル及びアルコキシがそれぞれ、約１〜約１２の炭素原子を含む、撮像部材；
アルキルが約１〜約５の炭素原子を含む、撮像部材；
光電荷発生層内に存在する光電荷発生顔料が、クロロガリウムフタロシアニン、チタニルフタロシアニン、又はＶ型ヒドロキシガリウムフタロシアニン（これは、ヒドロキシガリウムフタロシアニンを強酸に溶解することによってガリウムフタロシアニン前駆体を加水分解し、得られた溶解前駆体を塩基性水媒体に再沈殿させ、生成されたあらゆるイオン種を水で洗浄することにより除去し、水及びヒドロキシガリウムフタロシアニンを含む得られた水性スラリーを濃縮してウェットケーキを得て、乾燥させることによってこのウェットケーキから水分を除去し、得られた乾燥顔料とヒドロキシガリウムフタロシアニンを生成するために添加する第２溶剤とを混合することによって、調製される）を含む、撮像部材；
Ｘ線回折装置を用いて測定される、Ｖ型ヒドロキシガリウムフタロシアニンの主なピークが、ブラッグ角（２θ±０．２°）７．４°、９．８°、１２．４°、１６．２°、１７．６°、１８．４°、２１．９°、２３．９°、２５．０°、２８．１°であり、最高ピークが、ブラッグ角７．４°である、撮像部材；
撮像部材上に静電潜像を生成すること、この潜像を現像すること、この現像した静電潜像を適切な基板に転写すること、を含む画像形成方法；
撮像部材が、波長が約３７０〜約９５０ｎｍの光に晒される、画像形成方法；
光電荷発生層が、基板と電荷輸送層との間に配置される、部材；
電荷輸送層が、基板と光電荷発生層との間に配置される、部材；
光電荷発生層の厚さが、約０．１〜約５０ミクロンである、部材；
光電荷発生成分量が、約０．０５重量％〜約９５重量％であり、光電荷発生顔料が、約９６重量％〜約５重量％のポリマー結着剤に分散され、正孔ブロッキング層が、塩素化ポリマー結着剤を含む、部材；
光電荷発生層の厚さが、約０．２〜約１２ミクロンである、部材；
電荷輸送層の樹脂結着剤が、ポリエステル、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ポリアリーレート、ポリカーボネートとポリシロキサンとのコポリマー、ポリスチレン−ｂ−ポリビニルピリジン、及びポリビニルホルマールから成る群より選択される、撮像部材；
光電荷発生成分が、Ｖ型ヒドロキシガリウムフタロシアニン、チタニルフタロシアニン、又はクロロガリウムフタロシアニンであり、電荷輸送層が、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｐ−トリル−［ｐ−ターフェニル］−４，４”−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｍ−トリル−［ｐ−ターフェニル］−４，４”−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｏ−トリル−［ｐ−ターフェニル］−４，４”−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（４−イソプロピルフェニル）−［ｐ−ターフェニル］−４，４”−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（２−エチル−６−メチルフェニル）−［ｐ−ターフェニル］−４，４”−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（２，５−ジメチルフェニル）−［ｐ−ターフェニル］−４，４”−ジアミン、又はＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−クロロフェニル）−［ｐ−ターフェニル］−４，４”−ジアミン等の正孔輸送分子を含む、撮像部材；
ハロゲン化アルキレンが、１〜約１２の炭素原子を含み、ハロゲン化物が、塩化物、臭化物、ヨウ化物、又はフッ化物である、撮像部材；
光電荷発生層が、アルコキシガリウムフタロシアニンを含む、撮像部材；
基板上にコーティングとして含まれる、アミノシランと塩素化ポリマーとを含む正孔ブロッキング層と、この正孔ブロッキング層上にコーティングされる接着層とを備える、光導電性撮像部材；
撮像部材上に静電潜像を生成し、この潜像を現像し、この現像した静電潜像を適切な基板に転写して定着させる、カラー画像形成方法；
基板と、本明細書中に示されているような正孔ブロッキング層又は下塗り層と、光電荷発生層と、電荷輸送層（実施形態によっては、複数の（例えば２〜約１０の、より具体的には２つの）電荷輸送層が選択される）と、この電荷輸送層に接する、又は実施形態によっては光電荷発生層に接する最上部オーバーコート層とを備える、光導電性撮像部材；
基板と、アミノシランと塩素化ポリマー結着剤との混合物を含む正孔ブロッキング層と、光電荷発生顔料を含む光電荷発生層と、第１、第２、又は第３電荷輸送層とをこの順に備える、光導電性撮像部材；
正孔ブロッキング層の結着剤が、ポリ塩化ビニリデン、塩素化ポリ塩化ビニル、及び塩素化ポリ塩化ビニリデンのホモポリマーのうちの少なくとも１つであり、アルキレンが、１〜約１２の炭素原子を含む、光導電体；
結着剤が、塩化ビニリデン、塩素化塩化ビニル、及び塩素化塩化ビニリデンと、フッ化ビニリデン、テトラフルオロエチレン、トリフルオロクロロエチレン、及びヘキサフルオロプロピレンとをそれぞれ組み合わせたコポリマーである、光導電体；
基板と、正孔ブロッキング層若しくは下塗り層と、光電荷発生層と、少なくとも１つの電荷輸送成分及び樹脂結着剤を含む少なくとも１つの電荷輸送層とをこの順に備え、正孔ブロッキング層が、ポリ塩化ビニリデン、塩素化ポリ塩化ビニル、及び塩素化ポリ塩化ビニリデンのホモポリマー、並びに、塩化ビニリデン、塩素化塩化ビニル、及び塩素化塩化ビニリデンと、フッ化ビニリデン、テトラフルオロエチレン、トリフルオロクロロエチレン、及びヘキサフルオロプロピレンとをそれぞれ組み合わせたコポリマー、のうちの少なくとも１つの塩素化ポリマー結着剤と、アミノシランとを含む、光導電体。
正孔ブロッキング層のポリマー結着剤として選択されるホモポリマーの例としては、ポリ塩化ビニリデン、塩素化ポリ塩化ビニル、及び塩素化ポリ塩化ビニリデンが挙げられる。この結着剤として選択することのできる塩素化コポリマーの例としては、塩化ビニリデン、塩素化塩化ビニル、及び塩素化塩化ビニリデンと、フッ化ビニリデン、テトラフルオロエチレン、トリフルオロクロロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン等とのコポリマーが挙げられ、これらには、対応する臭化物、フッ化物、ヨウ化物が含まれると共に、ＩＸＡＮ（商標）ＰＮＥ ２７５、ＰＮＥ ６１３、ＰＮＥ ６１（ＩＸＡＮ（商標）ＰＮＥ ６１は、ソルベイ社(Solvay Chemicals又はSolvay S.A.)から市販されている塩化ビニリデンのホモポリマーとみられ、誘電率が高く（２０℃／１ｋＨｚにおいてε＞１０）、気体及び蒸気に対する不透過性が高い）、ＳＧＡ−１、及びＸＮＥ ２８８（これらは全て、ベルギー、ブリュッセルにあるソルベイ社から市販されている、塩化ビニリデンのホモポリマーである）が含まれる。
正孔ブロッキング層に選択されるいくつかのポリマーは、下記の式又は構造で表すことができる。
Figure 2008217015
上記式において、ｘ及びｙは繰り返し単位の数を表し、該繰り返し単位の数は、例えば、約１０〜約５，０００、約１００〜約４，０００、又は約５００〜約３，０００である。
アミノシランの例としては、下記構造が挙げられる。
Figure 2008217015
上記式において、Ｒ1は、例えば１〜約２５の炭素原子を含むアルキレン基であり、Ｒ2及びＲ3は独立して、水素と、例えば１〜約５の、より具体的には約３の炭素原子を含むアルキルと、例えば約６〜約３６の炭素原子を含むアリールとのうちの少なくとも１つから成る群（例えば、フェニル基やポリ（エチレンアミノ）基）から選択され、Ｒ4、Ｒ5、及びＲ6は独立して、例えば１〜約６の、より具体的には約４の炭素原子を含むアルキル基から選択される。
上記アミノシランの例としては、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、トリエトキシシリルプロピルエチレンジアミン、トリメトキシシリルプロピルエチレンジアミン、トリメトキシシリルプロピルジエチレントリアミン、Ｎ−アミノエチル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−アミノエチル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−アミノエチル−３−アミノプロピルトリス（エチルエトキシ）シラン、ｐ−アミノフェニルトリメトキシシラン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−メチルアミノプロピルトリエトキシシラン、メチル［２−（３−トリメトキシシリルプロピルアミノ）エチルアミノ］−３−プロピオネート、（Ｎ，Ｎ’−ジメチル−３−アミノ）プロピルトリエトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノフェニルトリエトキシシラン、及びこれらの混合物が挙げられる。具体的なアミノシラン材料としては、３−アミノプロピルトリエトキシシラン（γ−ＡＰＳ）、Ｎ−アミノエチル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、（Ｎ，Ｎ’−ジメチル−３−アミノ）プロピルトリエトキシシラン、及びこれらの混合物が挙げられる。
実施形態においては接着成分又は接着層としても機能することのできるハロゲン化結着剤は、様々な分量で正孔ブロッキング層に含めることができ、例としては、約１０〜約９９．９重量％又は約５０〜約９５重量％のアミノシランに対し、約０．１〜約９０重量％、約１〜約５０重量％、約２〜約２５重量％が挙げられ、これら２つの成分の合計は、ほぼ１００％である。正孔ブロッキング層の厚さは、適切な値であればいずれの値であってもよいが、例としては、約０．０５〜約１０ミクロン、約０．１〜約５ミクロン、約０．５〜約２ミクロンが挙げられる。
アミノシランは、最終下塗り塗料溶液又は分散液に添加する前に、加水分解して加水分解シラン溶液を生成してもよい。アミノシランの加水分解中には、加水分解性基（例えば、アルコキシ基）が水酸基と置換される。この加水分解シラン溶液のｐＨを制御することによって、優れた硬化特性を得ることができると共に、電気的安定性をもたらすことができる。この溶液のｐＨとしては、例えば約４〜約１０、より具体的には約７〜約８を選択することができる。このような加水分解シラン溶液のｐＨ制御は、適切な材料であれば、いずれの材料を用いて行ってもよく、例としては、通常、有機酸や無機酸が挙げられる。一般的な有機酸及び無機酸としては、酢酸、クエン酸、ギ酸、ヨウ化水素、リン酸、フッ化水素ケイ酸（hydrofluorosilicic acid）、ｐ−トルエンスルホン酸等が挙げられる。
或る実施形態における正孔ブロッキング層のハロゲン化ポリマー結着剤は、気体及び蒸気に対する不透過性が高く、例えば、酸素透過率（２３℃、０％ＲＨ）は約５〜約２５０ｃｍ3 μｍ／ｍ2ｄｂａｒであり、水蒸気透過率（３８℃、９０％ＲＨ）は約５〜約１００ｇ μｍ／ｍ2ｄである。更に、実施形態におけるこの結着剤ポリマーは、誘電率も高く、通常、例えば、少なくとも約５、約７〜約３０、又は約８〜約１８である。既知の結着剤であるポリカーボネートに関しては、酸素透過率が２，０００ｃｍ３ μｍ／ｍ2ｄｂａｒを上回り、水蒸気透過率が１，５００ｇ μｍ／ｍ2ｄを上回り、誘電率が約３である。
光導電性支持層の厚さは、多数の要素（例えば、経済的条件や電気的特性等）によって決まるため、例えば、３，０００ミクロンを超えてもよいし、約１，０００〜約３，０００ミクロン、約１，０００〜約２，０００ミクロン、約５００〜約１，２００ミクロン、又は約３００〜約７００ミクロンであってもよく、最小限度であってもよい。実施形態によっては、この層の厚さは、約７５〜約３００ミクロン、又は約１００〜約１５０ミクロンである。
基板は、不透明であっても実質的に透明であってもよく、正孔ブロッキング層、接着層、光電荷発生層、及び電荷輸送層に対する支持層として機能すると共に、基板に適当な機械特性をもたらす適切な材料であれば、いずれの材料から構成されていてもよい。従って、この基板は、非導電性又は導電性材料（例えば、無機又は有機組成物）の層を有していてもよい。非導電性材料としては、この目的で既知の様々な樹脂を用いてよく、例えば、薄いウェブとして可撓性であるポリエステル、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリウレタン等が挙げられる。導電性基板は、あらゆる適切な金属（例えば、アルミニウム、ニッケル、鋼、銅等）から構成されてもよいし、導電性物質（例えば、炭素、金属粉末等）が充填された上記のようなポリマー材料から構成されてもよいし、導電性有機材料から構成されてもよい。電気絶縁性又は伝導性の基板は、可撓性エンドレスベルト、ウェブ、剛性シリンダ、シート等の形態を採り得る。この支持層の厚さは、多数の要素（例えば、所望強度や経済的条件）によって決まる。ドラム光導電体に関しては、この支持層は、最大厚さが例えば数十ｃｍであり、最小厚さは１ｍｍ未満であり得る。同様に、可撓性ベルトは、最大厚さが例えば約２５０μｍであり、最小厚さが約５０μｍ以下（例えば、約５〜約４５μｍ、約１０〜約４０μｍ、約１〜約２５μｍ、又は約３〜約４５μｍ）であり得る。支持層が導電性ではない実施形態では、この支持層の表面を、導電性コーティングによって導電性にしてもよい。この導電性コーティングの厚さは、光透過度、所望の可撓度、及び経済的要素に応じ、非常に広範囲にわたって様々であってよい。
基板の実施例は、本明細書中に示すとおりであり、より具体的には、本開示の撮像部材に選択される、不透明であっても実質的に透明であってもよい支持層は、無機又は有機ポリマー材料を含む絶縁材料（例えば、市販のポリマーで、チタンを含むＭＹＬＡＲ（登録商標））の層、半導体表面層を有する（例えば、インジウムスズ酸化物又はアルミニウムが上に施された）有機又は無機材料の層、又は、導電性材料（例えば、アルミニウム、クロム、ニッケル、黄銅等）の層から構成される。基板は、可撓性でもシームレスでも剛性でもよく、多数の異なる形状（例えば、平板、円筒形ドラム、巻物（scroll）、可撓性エンドレスベルト等）を採り得る。或る実施形態では、基板は、可撓性シームレスベルトの形態である。場合によっては、特に、基板が可撓性の有機ポリマー材料から成る場合には、基板の裏側にアンチカール層（例えば、ＭＡＫＲＯＬＯＮ（登録商標）として市販されているポリカーボネート材料）をコーティングすることが望ましいであろう。
或る実施形態における光電荷発生層は、例えば、約６０重量％のＶ型ヒドロキシガリウムフタロシアニン又はクロロガリウムフタロシアニンと、約４０重量％の樹脂結着剤とから構成される。一般的に、光電荷発生層には、既知の光電荷発生顔料が含まれ、例としては、金属フタロシアニン、無金属フタロシアニン、アルキルヒドロキシルガリウムフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニン、ペリレン類（特に、ビス（ベンズイミダゾ）ペリレン）、チタニルフタロシアニン等、より具体的には、バナジルフタロシアニン、Ｖ型ヒドロキシガリウムフタロシアニン、及び無機成分（例えば、セレン、セレン合金、三方晶系セレン）が挙げられる。一般的に、光電荷発生層の厚さは、多数の要素（例えば、その他の層の厚さ、及び光電荷発生層に含まれる光電荷発生材料の量）によって決まる。従って、例えば、光電荷発生成分の量が約３０〜約７５容量％である場合、この光電荷発生層の厚さは、例えば、約０．０５〜約１０ミクロン、より具体的には、約０．２５〜約４ミクロンであり得る。実施形態における光電荷発生層の最大厚さは、主に、例えば、感光性、電気特性、及び機械的条件等の要素によって決まる。
光電荷発生層の例としては、真空蒸着又は蒸着によって作られた、セレン、セレンとヒ素、テルル、ゲルマニウム等との合金、水素化非晶質シリコン、シリコンとゲルマニウム、炭素、酸素、窒素等との化合物から成る、非晶質膜が挙げられる。また、この光電荷発生層は、結晶性セレン及びその合金から成る無機顔料；ＩＩ〜ＶＩ族の化合物；及びキナクリドン、多環式顔料、例えば、ジブロモアンサンスロン顔料、ペリレン、ペリノンジアミン、多核芳香族キノン、アゾ顔料（例えば、ビスアゾ、トリスアゾ、テトラキスアゾ）等の有機顔料等も含み得、これらは、成膜性ポリマー結着剤中に分散され、且つ溶剤コーティング法により成膜される。
光電荷発生層コーティング混合物を混合及び塗布するには、様々な適切且つ従来既知の方法（例えば、スプレー法、ディップコーティング法、ロールコーティング法、巻き線ロッドコーティング法（wire wound rod coating）、真空昇華法等）を用いてよい。用途によって、この光電荷発生層を、ドット又はラインパターンに作成してもよい。溶剤被覆層の溶剤の除去は、あらゆる既知の従来の方法（例えば、オーブン乾燥、赤外線乾燥、空気乾燥等）によって行われ得る。
本開示の実施形態における光電荷発生層のコーティングは、光電荷発生層の最終的な乾燥厚さが本明細書中に示すとおりとなるように、例えば、約４０〜約１５０℃における約１〜約９０分間の乾燥後、例えば、約０．０１〜約３０ミクロンとなるように行うことができる。より具体的には、例えば、厚さ約０．１〜約３０ミクロン又は約０．２〜約５ミクロンの光電荷発生層を、基板上、又は基板と電荷輸送層との間における他の面上等に塗布又は付与することができる。
光電荷発生層の付与に関しては、装置のその他のコーティング済みの層に実質的に支障を来たしたり悪影響を及ぼしたりしないコーティング溶剤を選択することが望ましい。光電荷発生層用のコーティング溶剤の例としては、ケトン、アルコール、芳香族炭化水素、ハロゲン化脂肪族炭化水素、エーテル、アミン、アミド、エステル等が挙げられる。この溶剤の具体例としては、シクロヘキサノン、アセトン、メチルエチルケトン、メタノール、エタノール、ブタノール、アミルアルコール、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、四塩化炭素、クロロホルム、塩化メチレン、トリクロロエチレン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸メトキシエチル等が挙げられる。
実施形態によっては、光導電体には、適切な既知の接着層を含めることができる。一般的な接着層材料としては、例えば、ポリエステル、ポリウレタン等が挙げられる。この接着層の厚さは、様々であってよく、実施形態によっては、例えば、約０．０５μｍ（５００オングストローム）〜約０．３μｍ（３，０００オングストローム）である。この接着層は、スプレー法、ディップコーティング法、ロールコーティング法、巻き線ロッドコーティング法、グラビアコーティング法、バードアプリケータコーティング法等によって、正孔ブロッキング層上に付与することができる。この付与された塗料の乾燥は、例えば、オーブン乾燥、赤外線乾燥、空気乾燥等によって行われ得る。
通常、正孔ブロッキング層と光電荷発生層との間に任意に接する又は正孔ブロッキング層と光電荷発生層との間に任意に配置される接着層としては、様々な既知の物質を選択することができ、例としては、コポリエステル、ポリアミド、ポリ（ビニルブチラール）、ポリ（ビニルアルコール）、ポリウレタン、及びポリアクリロニトリルが挙げられる。この接着層の厚さは、例えば、約０．００１〜約１ミクロン、又は約０．１〜約０．５ミクロンである。接着層は任意に、効果的な適量（例えば、約１〜約１０重量％）の導電性及び非導電性粒子（例えば、酸化亜鉛、二酸化チタン、窒化ケイ素、及びカーボンブラック等）を含んでいてよく、これにより、例えば、本開示の実施形態では、更なる所望の電気特性及び光学的性質をもたらし得る。
電荷輸送層の厚さは通常、約５〜約９０ミクロン、より具体的には、約１０〜約４０ミクロンである。多くの適切な既知の電荷輸送成分、分子、又は化合物が該電荷輸送層に選択され得るが、例としては、下記式又は構造のアリールアミンが挙げられる。
Figure 2008217015
上記式において、Ｘ（４つの末端環それぞれにも含まれ得る）は、適切な炭化水素（例えば、アルキル、アルコキシ、アリール、これらの誘導体、又はこれらの混合物）、ハロゲン、又は炭化水素とハロゲンとの混合物であり、特に、Ｃｌ及びＣＨ3から成る群より選択される置換基である。また、電荷輸送成分、分子、又は化合物の例としては、下記式の分子も挙げられる。
Figure 2008217015
上記式において、Ｘ及びＹは独立して、アルキル、アルコキシ、アリール、ハロゲン、又はこれらの混合物である。
アルキル及びアルコキシは、例えば１〜約２５の炭素原子、より具体的には１〜約１２の炭素原子を含み、その例としては、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、及び対応するアルコキシドが挙げられる。アリールは、６〜約３６の炭素原子を含むことができ、例としては、フェニル等が挙げられる。ハロゲンとしては、塩化物、臭化物、ヨウ化物、及びフッ化物が挙げられる。実施形態によっては、置換アルキル、アルコキシ、及びアリールも選択することができる。
約２０〜約９０重量％の量で含まれるアリールアミンの具体例としては、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（アルキルフェニル）−１，１−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ここで、アルキルは、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ヘキシル等から成る群より選択される）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（ハロフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ここで、ハロ置換基はクロロ置換基である）、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｐ−トリル−［ｐ−ターフェニル］−４，４”−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｍ−トリル−［ｐ−ターフェニル］−４，４”−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｏ−トリル−［ｐ−ターフェニル］−４，４”−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（４−イソプロピルフェニル）−［ｐ−ターフェニル］−４，４”−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（２−エチル−６−メチルフェニル）−［ｐ−ターフェニル］−４，４”−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（２，５−ジメチルフェニル）−［ｐ−ターフェニル］−４，４”−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−クロロフェニル）−［ｐ−ターフェニル］−４，４”−ジアミン等が挙げられる。その他既知の電荷輸送層分子（例えば、米国特許第４，９２１，７７３号及び同第４，４６４，４５０号参照（これらの開示内容は、参照によりその全体が本明細書中に組み込まれる））を選択することもできる。
電荷輸送層に選択される結着剤材料の例としては、米国特許第３，１２１，００６号（この開示内容は、参照によりその全体が本明細書中に組み込まれる）に記載されているような成分が挙げられる。ポリマー結着剤材料の具体例としては、ポリカーボネート、ポリアリーレート、アクリレートポリマー、ビニルポリマー、セルロースポリマー、ポリエステル、ポリシロキサン、ポリアミド、ポリウレタン、ポリ（シクロオレフィン）、エポキシ、及びこれらのランダム又は交互コポリマーが挙げられ、より具体的には、ポリ（４，４’−イソプロピリデンジフェニレン）カーボネート（これは、ビスフェノール−Ａ−ポリカーボネートとも呼ばれる）、ポリ（４，４’−シクロヘキシリデンジフェニレン）カーボネート（これは、ビスフェノール−Ｚ−ポリカーボネートとも呼ばれる）、及びポリ（４，４’−イソプロピリデン−３，３’−ジメチル−ジフェニル）カーボネート（これｒは、ビスフェノール−Ｃ−ポリカーボネートとも呼ばれる）等のポリカーボネートが挙げられる。実施形態によっては、電気的に不活性な結着剤は、分子量ＭＷが約２０，０００〜約１００，０００、好ましくは約５０，０００〜約１００，０００のポリカーボネート樹脂から構成される。一般的に、電荷輸送層は、約１０〜約７５重量％、より具体的には約３５〜約５０重量％の電荷輸送材料を含む。
電荷輸送層（単数又は複数）、より具体的には、光電荷発生層に接する第１電荷輸送層、及び、その上にある最上部又は第２電荷輸送オーバーコート層は、電気的に不活性な成膜性ポリマー（例えば、ポリカーボネート）に溶解又は分子分散された電荷輸送小分子から構成され得る。実施形態において、「溶解」とは、例えば、小分子がポリマーに溶解されることによって均一相ができるような溶液を生成することを言い、「分子分散」とは、例えば、電荷輸送小分子を分子レベルでポリマーに分散させることを言う。この電荷輸送層（単数又は複数）には、様々な電荷輸送小分子又は電気的に活性な小分子が選択され得る。実施形態において、「電荷輸送」とは、例えば、光電荷発生層で生じた自由電荷をモノマーである電荷輸送分子が電荷輸送層を横断して輸送することを言う。
特に第１及び第２電荷輸送層に関し、約４０〜約９０重量％の量で含まれる正孔輸送分子の例としては、例えば、ピラゾリン（例えば、１−フェニル−３−（４’−ジエチルアミノスチリル）−５−（４”−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン）、アリールアミン（例えば、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｐ−トリル−［ｐ−ターフェニル］−４，４”−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｍ−トリル−［ｐ−ターフェニル］−４，４”−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｏ−トリル−［ｐ−ターフェニル］−４，４”−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（４−イソプロピルフェニル）−［ｐ−ターフェニル］−４，４”−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（２−エチル−６−メチルフェニル）−［ｐ−ターフェニル］−４，４”−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（２，５−ジメチルフェニル）−［ｐ−ターフェニル］−４，４”−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−クロロフェニル）−［ｐ−ターフェニル］−４，４”−ジアミン）、ヒドラゾン（例えば、Ｎ−フェニル−Ｎ−メチル−３−（９−エチル）カルバジルヒドラゾン、４−ジエチルアミノベンズアルデヒド−１，２−ジフェニルヒドラゾン）、オキサジアゾール（例えば、２，５−ビス（４−Ｎ，Ｎ’−ジエチルアミノフェニル）−１，２，４−オキサジアゾール）、及びスチルベン等が挙げられる。しかしながら、実施形態によっては、処理能力の高い装置（例えば、プリンタ）におけるサイクルアップを最小限に抑える又は回避するため、この電荷輸送層に、ジアミノ−トリフェニルメタン又はトリアミノ−トリフェニルメタンは実質的に含まれるべきでない（約２％未満）。正孔を光電荷発生層に効率良く注入できると共に、これらの正孔を短い時間で電荷輸送層を横断して輸送する、小分子の電荷輸送化合物としては、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｐ−トリル−［ｐ−ターフェニル］−４，４”−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｍ−トリル−［ｐ−ターフェニル］−４，４”−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｏ−トリル−［ｐ−ターフェニル］−４，４”−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（４−イソプロピルフェニル）−［ｐ−ターフェニル］−４，４”−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（２−エチル−６−メチルフェニル）−［ｐ−ターフェニル］−４，４”−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（２，５−ジメチルフェニル）−［ｐ−ターフェニル］−４，４”−ジアミン、及び、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−クロロフェニル）−［ｐ−ターフェニル］−４，４”−ジアミン、又はこれらの混合物が挙げられる。所望により、電荷輸送層における電荷輸送材料は、ポリマーの電荷輸送材料から構成されてもよいし、小分子の電荷輸送材料とポリマーの電荷輸送材料との組み合わせから構成されてもよい。
或る実施形態における各電荷輸送層の厚さは約１０〜約７０μｍであるが、この範囲外の厚さも実施形態によっては選択され得る。電荷輸送層は、照射がない限り、この電荷輸送層上にある静電気が伝導されず、この電荷輸送層上に静電潜像が形成及び保持されない程度に、絶縁体でなくてはならない。一般的に、電荷輸送層と光電荷発生層の厚さの比（電荷輸送層：光電荷発生層）は、約２：１〜約２００：１であり、場合によっては、４００：１であり得る。この電荷輸送層は、使用目的領域において可視光又は可視放射に対し実質的に非吸収性であるが、光導電層又は光電荷発生層からの光生成した正孔の注入が可能であると共に、これらの正孔をこの電荷輸送層を通して輸送することによりこの電荷輸送層表面上の表面電荷を選択的に放電することができるという点で、電気的に「活性」である。
選択される連続的な電荷輸送・オーバーコート層の厚さは、用いられるシステムにおける（バイアス帯電ロールによる）帯電、（ブレード又はウェブによる）クリーニング、（ブラシによる）現像、（バイアス転写ロールによる）転写等の摩損性に応じ、最大約１０μｍであり得る。実施形態によっては、各層の厚さは約１〜約５μｍである。これらの電荷輸送層及びオーバーコート層コーティング混合物を混合及び光電荷発生層に塗布するには、様々な適切な従来の方法を用いてもよい。一般的な塗布法としては、スプレー法、ディップコーティング法、ロールコーティング法、巻き線ロッドコーティング法等が挙げられる。この付与コーティングの乾燥は、適切な従来の方法であれば、いずれの方法によって行われてもよく、例としては、オーブン乾燥、赤外線乾燥、空気乾燥等が挙げられる。本開示の乾燥されたオーバーコート層は、実施形態において、画像形成中に正孔を輸送することができるが、自由キャリア濃度が高すぎてはならない。オーバーコート層における自由キャリア濃度によって、暗減衰が増す。オーバーコート層の例（例えば、ＰＡＳＣＯ）については、同時係属出願（この開示内容は、参照によりその全体が本明細書中に組み込まれる）に示されている。
例えば、横方向電荷移動（ＬＣＭ：lateral charge migration）抵抗を高めるために、複数の又は少なくとも１つの電荷輸送層に任意に含まれ得る成分又は材料の例としては、ヒンダードフェノール系酸化防止剤（例えば、テトラキスメチレン（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシヒドロシンナメート）メタン（ＩＲＧＡＮＯＸ（商標）１０１０、チバ・ジャパン株式会社(Ciba Specialty Chemicals又はCiba Japan K.K.)から入手可能）、ブチル化ヒドロキシトルエン（ＢＨＴ）、及び、その他のヒンダードフェノール系酸化防止剤（例えば、ＳＵＭＩＬＩＺＥＲ（商標）ＢＨＴ−Ｒ、ＭＤＰ−Ｓ、ＢＢＭ−Ｓ、ＷＸ−Ｒ、ＮＷ、ＢＰ−７６、ＢＰ−１０１、ＧＡ−８０、ＧＭ、及びＧＳ（住友化学株式会社(Sumitomo Chemical Co., Ltd.)から入手可能）、ＩＲＧＡＮＯＸ（商標）１０３５、１０７６、１０９８、１１３５、１１４１、１２２２、１３３０、１４２５ＷＬ、１５２０Ｌ、２４５、２５９、３１１４、３７９０、５０５７、及び５６５（チバ・ジャパン株式会社から入手可能）、並びに、ＡＤＥＫＡ（商標）ＳＴＡＢ ＡＯ−２０、ＡＯ−３０、ＡＯ−４０、ＡＯ−５０、ＡＯ−６０、ＡＯ−７０、ＡＯ−８０、及びＡＯ−３３０（株式会社ＡＤＥＫＡ(Asahi Denka Co., Ltd.又はADEKA CORPORATION)から入手可能））、ヒンダードアミン系酸化防止剤（例えば、ＳＡＮＯＬ（商標）ＬＳ−２６２６、ＬＳ−７６５、ＬＳ−７７０、及びＬＳ−７４４（チバ・ジャパン株式会社（SANKYO Co., Ltd.）から入手可能）、ＴＩＮＵＶＩＮ（商標）１４４、及び６２２ＬＤ（チバ・ジャパン株式会社から入手可能）、ＭＡＲＫ（商標）ＬＡ５７、ＬＡ６７、ＬＡ６２、ＬＡ６８、及びＬＡ６３（株式会社ＡＤＥＫＡから入手可能）、並びに、ＳＵＭＩＬＩＺＥＲ（商標）ＴＰＳ（住友化学株式会社から入手可能））、チオエーテル系酸化防止剤（例えば、ＳＵＭＩＬＩＺＥＲ（商標）ＴＰ−Ｄ（住友化学株式会社から入手可能））、ホスファイト系酸化防止剤（例えば、ＭＡＲＫ（商標）２１１２、ＰＥＰ−８、ＰＥＰ−２４Ｇ、ＰＥＰ−３６、３２９Ｋ、及びＨＰ−１０（株式会社ＡＤＥＫＡから入手可能））、その他の分子（例えば、ビス（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）−フェニルメタン（ＢＤＥＴＰＭ）、ビス−［２−メチル−４−（Ｎ−２−ヒドロキシエチル）−Ｎ−エチル−アミノフェニル）］−フェニルメタン（ＤＨＴＰＭ）等）が挙げられる。電荷輸送層の少なくとも１つに含まれるこの酸化防止剤の割合は、約０〜約２０重量％、約１〜約１０重量％、又は約３〜約８重量％である。
[比較例１]
撮像部材又は光導電体を下記のようにして作製した。厚さ３．５ミルの２軸延伸ポリエチレンナフタレート基板（ＫＡＬＥＤＥＸ（商標）２０００）上に、厚さ０．０２μｍのチタン層が（塗布装置によって）コーティングされたものを用意し、この上に、３−アミノプロピルトリエトキシシラン（γ−ＡＰＳ）５０ｇと、水４１．２ｇと、酢酸１５ｇと、変性アルコール６８４．８ｇと、ヘプタン２００ｇとを含む正孔ブロッキング層液をグラビアアプリケータによって塗布した。次に、この正孔ブロッキング層を、塗布器の強制空気乾燥器により１２０℃で約１分間乾燥させた。得られた正孔ブロッキング層の乾燥厚さは、５００オングストロームであった。次に、この正孔ブロッキング層上に、グラビアアプリケータを用いて、液状塗料（テトラヒドロフランとモノクロロベンゼンと塩化メチレンとを６０：３０：１０の容積比で混合したコポリエステル接着剤溶液（ＡＲＤＥＬ Ｄ１００（商標）（Ｔｏｙｏｔａ Ｈｓｕｔｓｕ社から入手可能））の総重量に対し、接着剤が０．２重量％含まれている）を塗布することにより、接着層を作製した。この接着層を、塗布器の強制空気乾燥器により１２０℃で約１分間乾燥させた。得られた接着層の乾燥厚さは、２００オングストロームであった。
既知のポリカーボネートＩＵＰＩＬＯＮ ２００（商標）（ＰＣＺ−２００）又はＰＯＬＹＣＡＲＢＯＮＡＴＥ ＰＣＺ（商標）（重量平均分子量：２０，０００；三菱ガス化学株式会社(Mitsubishi Gas Chemical Corporation又はMitsubishi Gas Chemical Company, Inc.)から入手可能）０．４５ｇと、テトラヒドロフラン５０ｍｌとを、４オンスのガラス瓶に入れることにより、光電荷発生層分散液を作製した。この溶液に、ヒドロキシガリウムフタロシアニン（Ｖ型）２．４ｇと、直径１／８インチ（３．２ｍｍ）のステンレス鋼ショット３００ｇとを添加した。次に、この混合液をボールミルに８時間かけた。その後、ＰＣＺ−２００ ２．２５ｇをテトラヒドロフラン４６．１ｇに溶解し、上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン分散液に添加した。次に、得られたスラリーを振盪器に１０分間かけた。その後、得られた分散液を上記接着界面にバードアプリケータを用いて塗布し、湿潤厚さ０．２５ミルの光電荷発生層を形成した。正孔ブロッキング層及び接着層を有する基板ウェブの一端に沿った幅約１０ｍｍのストリップ領域を、意図的にいずれの光電荷発生層材料によってもコーティングされないまま残すことにより、後から付与されるグラウンドストリップ層による適切な電気的接続が容易となる。この光電荷発生層を強制空気炉において１２０℃で１分間乾燥させ、厚さ０．４μｍの乾燥光電荷発生層を形成した。
次に、得られた撮像部材ウェブに、２層の電荷輸送層を上塗りした。具体的には、まず、上記光電荷発生層に接する電荷輸送層（下層）を上塗りした。下層電荷輸送層は下記のようにして作成された。重量比１：１のＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミンと、ＭＡＫＲＯＬＯＮ ５７０５（登録商標）（平均分子量が約５０，０００〜１００，０００である既知のポリカーボネート樹脂であり、ファルベンファブリケン・バイエル社(Farbenfabriken Bayer A.G.)から市販されている）とを、琥珀ガラス瓶に入れた。次に、得られた混合物を塩化メチレンに溶解して、固形分を１５重量％含む溶液を作成した。この溶液を光電荷発生層上に塗布し、（１２０℃における１分間の）乾燥後の厚さが１４．５ミクロンである下層コーティングを形成した。このコーティング処理中、湿度は１５％以下であった。
次に、この下層電荷輸送層に上層電荷輸送層を上塗りした。この上層電荷輸送層の溶液は、上記下層の溶液と同様に作製した。この溶液を下層電荷輸送層上に塗布し、（１２０℃における１分間の）乾燥後の厚さが１４．５ミクロンであるコーティングを形成した。このコーティング処理中、湿度は１５％以下であった。
（１）ポリ塩化ビニリデンのホモポリマーであるＩＸＡＮ ＰＮＥ（商標）６１３（ベルギー、ブリュッセルにあるソルベイ社から入手可能）１ｇを、テトラヒドロフラン１２ｇ及びトルエン８ｇに溶解し、（２）上記アミノシラン、即ち、３−アミノプロピルトリエトキシシラン（γ−ＡＰＳ）９ｇを（１）のポリマーに入れて、少なくとも３時間混合し、（３）得られた混合液に酢酸０．０９ｇを添加して、少なくとも２時間混合することにより、正孔ブロッキング層液を作製し、その後、得られた溶液を上記基板にバードアプリケータを用いて塗布し、１２０℃における１分間の乾燥後の乾燥厚さが約０．５μｍである正孔ブロッキング層を形成したこと以外は、比較例１の処理を繰り返しすことにより、撮像部材又は光導電体を作成した。
電気特性試験
上記のように作製した２つの光導電体を、帯電−除電を１サイクル、次いで帯電−露光−除電を１サイクルから成る光誘起放電サイクルを行うスキャナセットで試験した。このサイクルを行うにつれ光強度を徐々に増加させて、一連の光誘起放電曲線（ＰＩＤＣ）を作成し、この曲線から様々な露光強度における感光性及び表面電位を測定した。また、表面電位を徐々に上昇させ、一連の帯電−除電サイクルによって更なる電気的特性を得て、いくつかの電圧対電荷密度曲線を作成した。このスキャナは、様々な表面電位において定電圧充電を行うスコロトロンセットを備えている。また、これらの光導電体を、表面電位５００ｖにおいて、一連の減光フィルタを調整することにより露光強度を徐々に増加させて（露光源は、７８０ｎｍの発光ダイオード）試験した。光漏れのない環境制御室において、相対湿度４０％及び２２℃の周囲条件で、ゼログラフィックシミュレーションを行った。
比較例１の撮像部材と比べ、結着剤としてのポリ塩化ビニリデンと上記アミノシランとを含む正孔ブロッキング層を備える本開示の実施例１の撮像部材はそれぞれ、暗減衰が優れたほぼ同一のＰＩＤＣを示した。
電荷不足地点（ＣＤＳ）の測定
電荷不足地点の発生を評価し且つ／又はこれに対応するために、様々な既知の方法が開発されてきた。例えば、米国特許第５，７０３，４８７号及び同第６，００８，６５３号（それぞれの開示内容は、参照によりその全体が本明細書中に組み込まれる）には、電子写真撮像部材の微小欠陥レベルを確認する方法が開示されている。電場誘起暗減衰（ＦＩＤＤ：field-induced dark decay）法として示されている米国特許第５，７０３，４８７号の方法では、既知の撮像部材と未使用の撮像部材における、容量値を上回る電荷増加の差又は容量値を下回る電圧低下の差が測定されて比較されている。
米国特許第６，００８，６５３号及び同第６，１５０，８２４号（それぞれの開示内容は、参照によりその全体が本明細書中に組み込まれる）には、浮動プローブスキャナ（floating probe scanner）を用いる電子写真撮像部材における表面電位電荷パターンを検出する方法が開示されている。浮動プローブ微小欠陥スキャナ（ＦＰＳ：Floating Probe Micro Defect Scanner）法は、電子写真撮像部材における表面電位電荷パターンを検出する非接触法である。このスキャナは、プローブと画像形成面とが互いに近接しているが離間している状態に維持し、該プローブと該画像形成面との間に気体が存在する平行板コンデンサを形成する、外側シールド電極を有する容量プローブと；該プローブに光学的に結合され、プローブと画像形成面との間の相対的運動を可能にするプローブ増幅器と；プローブと画像形成面との間の距離をほぼ一定に維持する浮動器具とを備える。プローブと画像形成面とを互いに通り過ぎるように相対的に動かす前に、画像形成面に定電圧充電を行い、絶縁破壊を防止するため、画像形成面の平均表面電位の約±３００ｖ以内となるようにプローブに同期的にバイアスをかけ、このプローブに関する表面電位の変動を測定し、この表面電位変動をプローブと画像形成面との間における距離の変動で補い、この補った電圧の値を基準の電圧の値と比較して、電子写真撮像部材における電荷パターンを検出する。この方法は、高解像度の容量プローブと、バイアス電圧増幅器に結合された低空間解像度の静電電圧計と、これらのプローブ及び電圧計に容量的に結合され且つこれらから離間された画像形成面を有する撮像部材とを備える、非接触走査システムを用いて行われてもよい。このプローブは、光結合増幅器に接続された内側電極を備え、この内側電極は、バイアス電圧増幅器に接続された同軸の外側ファラデーシールド電極に囲まれ且つこの電極から絶縁されている。電荷不足地点を数えるには、一般的に、閾値２０ｖが選択される。上述したＦＰＳ法を用いて、比較例１及び実施例１の光導電体のＣＤＳの数を測定した。結果を、下記表１に示す。
Figure 2008217015
上記ＣＤＳのデータにより、塩素化ポリマー結着剤を用いるとＣＤＳが最小限となり、より具体的には、対照である比較例１の３４．４と比べると７０％改善した、ということが実証された。この３４．４という値は、正孔輸送分子が上層から下方の層へ移動したことにより生じたと考えられ、塩化メチレンに不溶性である塩素化ポリマーであるポリ塩化ビニリデンを含む上記実施例１の光導電体は、このような移動を阻止又は最小限に抑えたと考えられる。

Claims (5)

  1. 基板と、正孔ブロッキング層と、光電荷発生層と、少なくとも１つの電荷輸送層とを備える、光導電体であって、
    前記正孔ブロッキング層が、ハロゲン化アルキレンに実質的に不溶性の樹脂結着剤と、アミノシランとを含む、該光導電体。
  2. 前記樹脂結着剤がハロゲン化ポリマーであり、前記基板が存在し、前記ハロゲン化アルキレンが塩化メチレンであり、前記実質的に不溶性とは、前記樹脂結着剤が該塩化メチレンに９０〜１００％不溶性であることを指す、請求項１に記載の光導電体。
  3. 前記電荷輸送層がアリールアミン分子を含み、該アリールアミン分子が下記式のうちの少なくとも１つであり、
    Figure 2008217015
     上記式において、Ｘが、アルキル、アルコキシ、アリール、及びハロゲンのうち少なくとも１つから成る群より選択され、
    Figure 2008217015
     上記式において、Ｘ及びＹがそれぞれ独立して、アルキル、アルコキシ、アリール、及びハロゲン、並びに、これらの混合物から成る群より選択される、
    請求項１に記載の光導電体。
  4. 基板と、塩素化ポリマー結着剤及びアミノシラン導電性成分を含む下塗り層と、光電荷発生層と、電荷輸送層とをこの順番に備える、光導電体であって、
    前記塩素化ポリマー結着剤が、ポリ塩化ビニリデン、塩素化ポリ塩化ビニル、及び塩素化ポリ塩化ビニリデンのホモポリマー、並びに、塩化ビニリデン、塩素化塩化ビニル、及び塩素化塩化ビニリデンと、フッ化ビニリデン、テトラフルオロエチレン、トリフルオロクロロエチレン、及びヘキサフルオロプロピレンとをそれぞれ組み合わせたコポリマー、のうちの少なくとも１つである、該光導電体。
  5. 前記アミノシランが、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、トリエトキシシリルプロピルエチレンジアミン、トリメトキシシリルプロピルエチレンジアミン、トリメトキシシリルプロピルジエチレントリアミン、Ｎ−アミノエチル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−アミノエチル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−アミノエチル−３−アミノプロピルトリス（エチルエトキシ）シラン、ｐ−アミノフェニルトリメトキシシラン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−メチルアミノプロピルトリエトキシシラン、メチル［２−（３−トリメトキシシリルプロピルアミノ）エチルアミノ］−３−プロピオネート、（Ｎ，Ｎ’−ジメチル−３−アミノ）プロピルトリエトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノフェニルトリエトキシシラン、又はこれらの混合物であり、前記樹脂結着剤が、下記式により表され、
    Figure 2008217015
     上記式において、ｘ及びｙが、繰り返し単位の数を表す、
    請求項１に記載の光導電体。
JP2008054638A 2007-03-06 2008-03-05 光導電体 Withdrawn JP2008217015A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/714,614 US7732111B2 (en) 2007-03-06 2007-03-06 Photoconductors containing halogenated binders and aminosilanes in hole blocking layer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008217015A true JP2008217015A (ja) 2008-09-18

Family

ID=39453694

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008054638A Withdrawn JP2008217015A (ja) 2007-03-06 2008-03-05 光導電体

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7732111B2 (ja)
EP (1) EP1967905A3 (ja)
JP (1) JP2008217015A (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8043774B2 (en) * 2008-11-24 2011-10-25 Xerox Corporation Undercoat layers and methods for making the same
US8158315B2 (en) * 2009-07-29 2012-04-17 Xerox Corporation SN containing hole blocking layer photoconductor
US9525134B1 (en) * 2015-08-11 2016-12-20 E I Du Pont De Nemours And Company Hole transport materials

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3121006A (en) 1957-06-26 1964-02-11 Xerox Corp Photo-active member for xerography
DE2064580A1 (en) * 1970-12-30 1972-07-13 Konishiroku Photo Ind Electrostatic recording and image reception material - - contg conductive,light-sensitive and intermediate layers
GB1310600A (en) * 1970-12-31 1973-03-21 Konishiroku Photo Ind Electrostatic recording element and its use in recording informa tion
US4265990A (en) 1977-05-04 1981-05-05 Xerox Corporation Imaging system with a diamine charge transport material in a polycarbonate resin
US4298697A (en) 1979-10-23 1981-11-03 Diamond Shamrock Corporation Method of making sheet or shaped cation exchange membrane
US4273846A (en) * 1979-11-23 1981-06-16 Xerox Corporation Imaging member having a charge transport layer of a terphenyl diamine and a polycarbonate resin
US4338390A (en) 1980-12-04 1982-07-06 Xerox Corporation Quarternary ammonium sulfate or sulfonate charge control agents for electrophotographic developers compatible with viton fuser
US4464450A (en) * 1982-09-21 1984-08-07 Xerox Corporation Multi-layer photoreceptor containing siloxane on a metal oxide layer
US4555463A (en) 1984-08-22 1985-11-26 Xerox Corporation Photoresponsive imaging members with chloroindium phthalocyanine compositions
US4560635A (en) 1984-08-30 1985-12-24 Xerox Corporation Toner compositions with ammonium sulfate charge enhancing additives
US4587189A (en) 1985-05-24 1986-05-06 Xerox Corporation Photoconductive imaging members with perylene pigment compositions
US4921769A (en) * 1988-10-03 1990-05-01 Xerox Corporation Photoresponsive imaging members with polyurethane blocking layers
US4921773A (en) * 1988-12-30 1990-05-01 Xerox Corporation Process for preparing an electrophotographic imaging member
US5473064A (en) * 1993-12-20 1995-12-05 Xerox Corporation Hydroxygallium phthalocyanine imaging members and processes
US5460911A (en) * 1994-03-14 1995-10-24 Xerox Corporation Electrophotographic imaging member free of reflection interference
US5521306A (en) 1994-04-26 1996-05-28 Xerox Corporation Processes for the preparation of hydroxygallium phthalocyanine
US5482811A (en) 1994-10-31 1996-01-09 Xerox Corporation Method of making hydroxygallium phthalocyanine type V photoconductive imaging members
US5635324A (en) * 1995-03-20 1997-06-03 Xerox Corporation Multilayered photoreceptor using a roughened substrate and method for fabricating same
US5660961A (en) * 1996-01-11 1997-08-26 Xerox Corporation Electrophotographic imaging member having enhanced layer adhesion and freedom from reflection interference
US5703487A (en) 1996-01-11 1997-12-30 Xerox Corporation Detection of charge deficient spot susceptibility
US5643702A (en) * 1996-01-11 1997-07-01 Xerox Corporation Multilayered electrophotograpic imaging member with vapor deposited generator layer and improved adhesive layer
JPH1115184A (ja) * 1997-06-23 1999-01-22 Sharp Corp 電子写真感光体およびその製造方法
US6150824A (en) 1997-10-30 2000-11-21 Xerox Corporation Contactless system for detecting subtle surface potential charge patterns
US6008653A (en) 1997-10-30 1999-12-28 Xerox Corporation Contactless system for detecting microdefects on electrostatographic members
US6015645A (en) * 1998-05-29 2000-01-18 Xerox Corporation Photoconductive imaging members
US6177219B1 (en) * 1999-10-12 2001-01-23 Xerox Corporation Blocking layer with needle shaped particles
US6255027B1 (en) * 2000-05-22 2001-07-03 Xerox Corporation Blocking layer with light scattering particles having coated core
US6156468A (en) * 2000-05-22 2000-12-05 Xerox Corporation Blocking layer with light scattering particles having rough surface
US6287737B1 (en) * 2000-05-30 2001-09-11 Xerox Corporation Photoconductive imaging members
US7037631B2 (en) * 2003-02-19 2006-05-02 Xerox Corporation Photoconductive imaging members
US6913863B2 (en) * 2003-02-19 2005-07-05 Xerox Corporation Photoconductive imaging members
US7018758B2 (en) * 2003-09-17 2006-03-28 Xerox Corporation Photoconductive imaging members
US7419752B2 (en) * 2006-03-20 2008-09-02 Xerox Corporation Imaging member having polyvinylidene chloride barrier polymer resins
US7776498B2 (en) 2006-11-07 2010-08-17 Xerox Corporation Photoconductors containing halogenated binders

Also Published As

Publication number Publication date
EP1967905A2 (en) 2008-09-10
EP1967905A3 (en) 2010-05-05
US7732111B2 (en) 2010-06-08
US20080220349A1 (en) 2008-09-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5624385B2 (ja) ポリフッ化コアシェル光導電体
JP2009288792A (ja) ホスホネート正孔阻止層光導電体
US8623578B2 (en) Tetraaryl polycarbonate containing photoconductors
US20090246658A1 (en) Thiuram tetrasulfide containing photogenerating layer
US9069268B2 (en) Polyarylatecarbonate fluoropolymer containing photoconductors
US20090061340A1 (en) Hydroxy benzophenone containing photoconductors
US7662526B2 (en) Photoconductors
JP2009288786A (ja) リン酸アミン含有電荷発生層光導電体
US8158315B2 (en) SN containing hole blocking layer photoconductor
JP2008217015A (ja) 光導電体
JP2010204658A (ja) チオン亜鉛光導電体
JP5745833B2 (ja) スルホンアミド含有光導電体
US20110053065A1 (en) Plasticizer containing photoconductors
US8785091B1 (en) Polyarylatecarbonate containing photoconductors
US8268520B2 (en) Polyalkylene glycol benzoate polytetrafluoroethylene containing photoconductors
US7618756B2 (en) Photoconductors containing chelating components
JP5774299B2 (ja) ポリアルキレングリコールベンゾエート含有光伝導体
US8304152B2 (en) Spirodilactam polycarbonate containing photoconductors
US7914961B2 (en) Salt additive containing photoconductors
US7776498B2 (en) Photoconductors containing halogenated binders
US20080274419A1 (en) Photoconductors
US7718336B2 (en) Photoconductors containing photogenerating chelating components
US7838186B2 (en) Photoconductors containing charge transport chelating components
US8329367B2 (en) Polyamideimide containing photoconductors
JP5432464B2 (ja) フッ化成分を含有するオーバーコートされた光導電体

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20110510