JP2008211132A - Light-emitting component - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light-emitting component that reduces the dispersion in the luminous intensity of the light-emitting component and has a natural light-emitting state, even if a plurality of light-emitting components are arranged and used. <P>SOLUTION: An LED 2 and one portion of circuit members for driving the LED 2, namely transistors 5A, 5B, a conductor 15, pads 15Ca-15Cf, and a gold wire 16, are arranged on the surface of a substrate 4. The LED 2 is arranged at the center on the surface of the substrate 4. A partial or entire circuit member for drive is arranged over not less than 180 degrees around a light-emitting element on a substrate surface. In the circuit members for drive arranged around the LED 2, the transistors 5A, 5B are higher than the LED 2. A recess 13 is provided, and on the bottom surface of the recess 13, one portion of the circuit members for drive, namely the transistor 5A, 5B, the conductor 15, a pad 15Ca, or the like, and the gold wire 16, is arranged. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、発光部品に関する。   The present invention relates to a light emitting component.

発光ダイオード(LED:Light Emitting Diode)に代表される発光部品は、その用途範囲が広がってきている。このLEDは、LED自体の順方向電圧(Vf)にばらつきがあり、同時に生産されたLEDであっても、各LEDの輝度を一致させるよう、正確に制御することが困難だった。そこで、LEDとその駆動用集積回路チップを一体に基板上にパッケージし、この駆動用集積回路チップによって各LEDの輝度を一致させるよう、正確に制御する技術が提案されている(特許文献1参照)。   The range of applications of light-emitting components typified by light-emitting diodes (LEDs) is expanding. This LED has a variation in the forward voltage (Vf) of the LED itself, and it is difficult to accurately control the brightness of each LED even if they are produced at the same time. In view of this, a technique has been proposed in which an LED and its driving integrated circuit chip are packaged together on a substrate and accurately controlled so that the luminance of each LED matches with the driving integrated circuit chip (see Patent Document 1). ).

特開2005−64445号公報JP 2005-64445 A

しかし、発光部品はLED以外の部材を有するため、その光度を均一にするには、単にLEDの輝度を制御するだけでは不十分な場合がある。またこのような発光部品は、複数個並べた発光部品群として使用されることが多い。よって、各発光部品の光度を均一にしたとしても、発光部品群として使用した場合の発光状態の不自然さは、極力排除することが望ましい。   However, since the light emitting component has members other than the LED, it may be insufficient to simply control the luminance of the LED in order to make the light intensity uniform. Such light emitting components are often used as a group of light emitting components arranged in a plurality. Therefore, even if the luminous intensity of each light emitting component is made uniform, it is desirable to eliminate as much as possible the unnaturalness of the light emitting state when used as a light emitting component group.

そこで本発明が解決しようとする課題は、発光部品の光度のばらつきを低減すると共に、複数個並べた発光部品群として使用した場合にも、発光状態が自然な発光部品を提供することである。   Therefore, the problem to be solved by the present invention is to provide a light-emitting component having a natural light emission state even when used as a group of light-emitting components arranged in a plurality, while reducing variations in luminous intensity of the light-emitting components.

上記課題を解決するため、本発明の発光部品は、基板面に光を発する発光素子およびその駆動用回路部材が配置され、発光素子は、基板面の中央に配置され、駆動用回路部材の一部または全部は、基板面における発光素子の周囲に配置されている。   In order to solve the above-described problems, a light-emitting component of the present invention includes a light-emitting element that emits light on a substrate surface and a circuit member for driving the light-emitting component, and the light-emitting element is disposed in the center of the substrate surface. The part or the whole is arranged around the light emitting element on the substrate surface.

この発明によれば、発光素子が基板面の中央に配置されることによって、発光部品を複数個並べて使用した場合にも、発光位置のずれを防止でき、自然な発光状態を実現できる。また、駆動用回路部材の一部または全部を基板面における発光素子の周囲に配置することによって、発光素子が発する光を駆動用回路部材に反射させて、光を偏在化させずに分散化し、発光状態を安定化させ、その結果として、発光部品の光度のばらつきを低減することができる。   According to the present invention, since the light emitting element is arranged at the center of the substrate surface, even when a plurality of light emitting components are used side by side, the light emission position can be prevented from shifting, and a natural light emitting state can be realized. Further, by disposing a part or all of the driving circuit member around the light emitting element on the substrate surface, the light emitted from the light emitting element is reflected to the driving circuit member, and the light is dispersed without being unevenly distributed, The light emission state can be stabilized, and as a result, the variation in luminous intensity of the light emitting component can be reduced.

上記課題を解決するため、本発明の発光部品は、基板面に光を発する発光素子およびその駆動用回路部材が配置され、駆動用回路部材の一部または全部は、基板面における発光素子の周囲180度以上に渡って配置されている。   In order to solve the above-described problems, a light-emitting component of the present invention includes a light-emitting element that emits light on a substrate surface and a circuit member for driving the light-emitting element, and part or all of the circuit member for driving is around the light-emitting element on the substrate surface. It is arranged over 180 degrees.

この発明によれば、駆動用回路部材の一部または全部を基板面における発光素子の周囲に配置することによって、発光素子が発する光を駆動用回路部材に反射させて、光を偏在化させずに分散化し、発光状態を安定化させ、その結果として、発光部品の光度のばらつきを低減することができる。また、その配置が、基板面における発光素子の周囲180度以上に渡っていることによって、光の偏在化を、より抑制した状態でその光を分散化できる。よって、この発明では仮に発光素子を基板面の中央に配置しなくても、分散した光が発光位置を拡げる。その結果、複数個並べた発光部品群として使用した場合に、発光状態が自然となる。   According to the present invention, by arranging a part or all of the driving circuit member around the light emitting element on the substrate surface, the light emitted from the light emitting element is reflected to the driving circuit member, and the light is not unevenly distributed. To stabilize the light emitting state, and as a result, the variation in luminous intensity of the light emitting component can be reduced. Further, since the arrangement extends over 180 degrees around the light emitting element on the substrate surface, the light can be dispersed in a state in which the uneven distribution of the light is further suppressed. Therefore, in the present invention, even if the light emitting element is not arranged in the center of the substrate surface, the dispersed light expands the light emitting position. As a result, when used as a group of a plurality of light emitting components, the light emission state becomes natural.

他の発明は、上述の発光部品の発明に加え、基板は、凹部を有し、凹部の底面に発光素子、およびその駆動用回路部材の一部または全部が配置されている。この構成を採用することにより、発光素子が発する光を凹部の内壁面に反射させて、光を偏在化させずに分散化し、発光状態を安定化させ、その結果として、発光部品の光度のばらつきを低減することができる。   In another invention, in addition to the above-described invention of the light emitting component, the substrate has a recess, and the light emitting element and a part or all of the driving circuit member are arranged on the bottom surface of the recess. By adopting this configuration, the light emitted from the light-emitting element is reflected on the inner wall surface of the recess, and the light is dispersed without being unevenly distributed to stabilize the light emission state. Can be reduced.

他の発明は、上述の発光部品の発明に加え、発光部品は、貫通孔を有する貫通部材を有し、貫通部材は貫通孔の開口部が基板面に対向するように基板面に固着され、発光素子、およびその駆動用回路部材の一部または全部が貫通孔の中に収容されている。この構成を採用することにより、発光素子が発する光を貫通孔の内壁面に反射させて、光を偏在化させずに分散化し、発光状態を安定化させ、その結果として、発光部品の光度のばらつきを低減することができる。   In another invention, in addition to the above-described light-emitting component invention, the light-emitting component has a penetrating member having a through-hole, and the penetrating member is fixed to the substrate surface so that the opening of the through-hole faces the substrate surface. The light emitting element and a part or all of the driving circuit member are accommodated in the through hole. By adopting this configuration, the light emitted from the light emitting element is reflected on the inner wall surface of the through hole, and the light is dispersed without being unevenly distributed, and the light emitting state is stabilized. Variations can be reduced.

他の発明は、上述の発光部品の発明に加え、凹部または貫通孔の内部には、透光性の樹脂が充填され、透光性の樹脂は、凹部または貫通孔の内部のみに存している。この構成を採用することにより、透光性の樹脂が凹部または前記貫通孔から溢れ出した状態とならない。よって、凹部または前記貫通孔内部で安定化させた発光状態が、凹部または前記貫通孔から溢れ出した、形状が一定化し難い透光性の樹脂によって乱されることがない。   In another invention, in addition to the above-described invention of the light-emitting component, the inside of the recess or the through hole is filled with a translucent resin, and the translucent resin exists only in the inside of the recess or the through hole. Yes. By adopting this configuration, the translucent resin does not overflow from the recess or the through hole. Therefore, the light emission state stabilized inside the concave portion or the through hole is not disturbed by the translucent resin overflowing from the concave portion or the through hole and having a difficult shape.

他の発明は、上述の発光部品の発明に加え、駆動用回路部材は、抵抗素子を複数有し、複数の抵抗素子が、発光素子が配置される側とは逆側の基板面に配置されている。この構成を採用することにより、駆動用回路部材を基板の両面に配置でき、基板面が有効活用されることによって、発光部品を小型化できる。   In another invention, in addition to the above-described invention of the light-emitting component, the driving circuit member has a plurality of resistance elements, and the plurality of resistance elements are arranged on the substrate surface opposite to the side where the light-emitting elements are arranged. ing. By adopting this configuration, the driving circuit member can be arranged on both surfaces of the substrate, and the light-emitting component can be reduced in size by effectively utilizing the substrate surface.

他の発明は、上述の発光部品の発明に加え、駆動用回路部材は、その一部または全部で定電流回路を構成し、定電流回路は複数の抵抗素子を有し、複数の抵抗素子のうち2つ以上が、発光素子が配置される側とは逆側の基板面に配置され、かつ発光素子の光度が所定範囲となるよう抵抗値調整されている。この構成を採用することにより、駆動用回路部材を基板の両面に配置でき、基板面が有効活用されることによって、発光部品を小型化できる。また、複数の抵抗素子を有する定電流回路の、定電流を維持する定電流特性を高く維持することができる。   In another aspect of the invention, in addition to the above-described invention of the light-emitting component, the drive circuit member constitutes a constant current circuit by a part or all of the drive circuit member, and the constant current circuit has a plurality of resistance elements. Two or more of them are arranged on the substrate surface opposite to the side where the light emitting element is arranged, and the resistance value is adjusted so that the luminous intensity of the light emitting element falls within a predetermined range. By adopting this configuration, the driving circuit member can be arranged on both surfaces of the substrate, and the light-emitting component can be reduced in size by effectively utilizing the substrate surface. Moreover, the constant current characteristic which maintains a constant current of the constant current circuit having a plurality of resistance elements can be maintained high.

本発明により、発光部品の光度のばらつきを低減すると共に、複数個並べて使用した場合にも、発光状態が自然な発光部品を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide a light emitting component having a natural light emitting state even when a plurality of light emitting components are arranged side by side, while reducing variation in luminous intensity of the light emitting component.

以下、本発明の実施の形態に係る発光部品について説明する。なお、説明に当っては、各構成部材と定電流回路構成に分けて、図面を参照しながら説明し、発光部品の機能は、定電流回路構成と併せて説明することとする。なお、発光部品の製造法については最後に記述する。   Hereinafter, light-emitting components according to embodiments of the present invention will be described. In the description, each component member and the constant current circuit configuration will be described separately with reference to the drawings, and the function of the light-emitting component will be described together with the constant current circuit configuration. The method for manufacturing the light-emitting component will be described last.

図1は、本発明の実施の形態に係る発光部品1Aの表面側の斜視図を示している。また、図2は、発光部品1Aの六面図を示しており、(A)は発光部品1Aの平面図、(B)は正面図、(C)は右側面図、(D)は左側面図、(E)は背面図、(F)は底面図をそれぞれ示している。   FIG. 1 shows a perspective view of the surface side of a light emitting component 1A according to an embodiment of the present invention. 2 shows a six-sided view of the light-emitting component 1A, where (A) is a plan view of the light-emitting component 1A, (B) is a front view, (C) is a right-side view, and (D) is a left-side view. (E) is a rear view, and (F) is a bottom view.

この発光部品1Aについて説明する。この発光部品1Aは、主に光を発する発光素子(LED2)と、抵抗素子3と、それらが配置される基板4と、トランジスタ5とから構成される。基板4上にLED2およびその駆動用回路部材の一部(トランジスタ5A,5B、導体15、パッド15Ca〜15Cf、金線16)が配置され、LED2は、基板4の面の中央に配置され、駆動用回路部材の一部または全部は、基板面における発光素子の周囲180度以上に渡って配置されている。そして、LED2の周囲に配置される前記駆動用回路部材のうち、トランジスタ5A,5Bは、LED2よりも背丈が高い。以下では、この2つのトランジスタ5A,5Bを合わせて指すとき、または場合によって、その2つのトランジスタ5A,5Bと後述する電解効果型トランジスタ5Cを合わせて指すときには、適宜トランジスタ5と記す。そして、発光部品1Aは、凹部13を有し、凹部13の底面にLED2、およびその駆動用回路部材の一部(トランジスタ5A,5B、導体15、パッド15Ca等、金線16)が配置されている。そして発光部品1Aは、凹部13となる貫通孔12Cを有する貫通部材12を有している。この貫通部材12は、貫通孔12Cの開口部が基板4の表面に対向するように基板4の表面に固着されLED2、およびその駆動用回路部材の一部(トランジスタ5A,5B、導体15、パッド15Ca等、金線16)が貫通孔12Cの中に収容されている。そして、凹部13となる貫通孔12Cの内部には、透光性の樹脂(図示省略)が充填されている。この透光性の樹脂は、凹部13となる貫通孔12Cの内部のみに存している。そして、駆動用回路部材は、抵抗素子3を複数有している。この複数の抵抗素子(この実施の形態での、抵抗素子3A,3B)は、LED2が配置される側とは逆側の面に配置されている。以下では、2つの抵抗素子3A,3Bを合わせて指すとき、または場合によって、その2つの抵抗素子3A,3Bと、後述する第3の抵抗素子3Cを合わせて指すときには、適宜抵抗素子3と記す。そして、駆動用回路部材は、その一部または全部で定電流回路を構成している。この定電流回路は、複数の抵抗素子3A,3Bを有している。複数の抵抗素子3A,3Bは、LED2の光度が所定範囲となるよう抵抗値調整されている。   The light emitting component 1A will be described. The light-emitting component 1A includes a light-emitting element (LED 2) that mainly emits light, a resistance element 3, a substrate 4 on which they are arranged, and a transistor 5. The LED 2 and a part of the driving circuit member (transistors 5A and 5B, the conductor 15, the pads 15Ca to 15Cf, and the gold wire 16) are disposed on the substrate 4, and the LED 2 is disposed in the center of the surface of the substrate 4 and is driven. A part or all of the circuit member for use is arranged over 180 degrees around the light emitting element on the substrate surface. Of the driving circuit members disposed around the LED 2, the transistors 5 </ b> A and 5 </ b> B are taller than the LED 2. Hereinafter, when the two transistors 5A and 5B are collectively referred to, or when the two transistors 5A and 5B and a field effect transistor 5C to be described later are collectively referred to, they are appropriately referred to as transistors 5. The light emitting component 1A has a concave portion 13, and the LED 2 and a part of the driving circuit member (transistors 5A and 5B, the conductor 15, the pad 15Ca, etc., the gold wire 16) are arranged on the bottom surface of the concave portion 13. Yes. The light emitting component 1 </ b> A has a through member 12 having a through hole 12 </ b> C that becomes the recess 13. The penetrating member 12 is fixed to the surface of the substrate 4 such that the opening of the through hole 12C faces the surface of the substrate 4, and a part of the driving circuit member (transistors 5A, 5B, conductor 15, pad). A gold wire 16) such as 15Ca is accommodated in the through hole 12C. And the inside of the through-hole 12C used as the recessed part 13 is filled with translucent resin (illustration omitted). This translucent resin exists only inside the through hole 12 </ b> C serving as the recess 13. The driving circuit member has a plurality of resistance elements 3. The plurality of resistance elements (resistance elements 3A and 3B in this embodiment) are arranged on the surface opposite to the side where the LED 2 is arranged. Hereinafter, when referring to the two resistance elements 3A and 3B together, or in some cases, when referring to the two resistance elements 3A and 3B and a third resistance element 3C to be described later, the resistance elements 3 are appropriately described. . And the circuit member for a drive comprises the constant current circuit in part or all. This constant current circuit has a plurality of resistance elements 3A and 3B. The resistance values of the plurality of resistance elements 3A and 3B are adjusted so that the luminous intensity of the LED 2 falls within a predetermined range.

(各構成部材について)
発光部品1Aを構成する基板4は、一対の対向する辺に半円形の切り欠き部(この実施の形態では各2つで計4つの切り欠き部)を有する外形が長方形のアルミナセラミックからなる。その一対の辺の長さをy(2.8mm)、その1対の辺とは異なるもう一方の対向する1対の辺の長さをx(3.5mm)とした場合、x/yの比の値が1.25となる。また、基板4の厚みは1.5mmである。なお、基板4には、アルミナセラミック以外のセラミック、たとえば窒化アルミニウム等からなるもの、ガラス繊維混入エポキシ系樹脂成形体等の樹脂系のものを用いることができる。
(About each component)
The substrate 4 constituting the light emitting component 1A is made of alumina ceramic having a rectangular outer shape having semicircular cutout portions (in this embodiment, two cutout portions in total in this embodiment) on a pair of opposing sides. When the length of the pair of sides is y (2.8 mm) and the length of the other pair of opposite sides different from the pair of sides is x (3.5 mm), x / y The ratio value is 1.25. The thickness of the substrate 4 is 1.5 mm. The substrate 4 may be made of a ceramic other than alumina ceramic, such as aluminum nitride, or a resin type such as a glass fiber mixed epoxy resin molded body.

基板4の表面には、発光部品1Aの一部を構成する貫通部材12と、貫通部材12の貫通孔12Cの中に充填される透光性樹脂(図示省略)と、透光性樹脂で覆われる部材、すなわちトランジスタ5、導体15、導体15と接触するパッド15Ca,15Cb,15Cc,15Cd,15Ce,15CfおよびLED2およびトランジスタ5とパッド15Ca〜15Cfを電気接続する、ボンディングワイヤ(金線16)の各部材とが形成または配置されている。そして基板4の裏面には、基板4の一対の対向する辺に半円形の切り欠き部に配置される4つの裏面電極15Eと、各裏面電極15Eの上に配置されるバンプ21と呼ばれる突起部分と、各裏面電極15Eから導出する2対のT字状の抵抗用電極15Bと、対となる抵抗用電極15Bの双方に重なり合うよう配置された抵抗体膜18と、抵抗体膜18の全部や抵抗用電極15Bのほぼ全てを被覆するガラス膜19と、抵抗値調整のため抵抗体18とガラス膜19に形成されたトリミング溝23と、トリミング溝23を保護するため、ガラス膜19の上に載置されたオーバーコート膜20とが配置されている。そして、基板4の側面には、裏面電極15Eと基板4の表面の導体15とを電気接続する側面電極15Dが、半円形の切り欠き部に配置されている。   The surface of the substrate 4 is covered with a penetrating member 12 constituting a part of the light emitting component 1A, a translucent resin (not shown) filled in the through hole 12C of the penetrating member 12, and the translucent resin. Of the bonding wire (gold wire 16) that electrically connects the member to be connected, that is, the transistor 5, the conductor 15, the pads 15Ca, 15Cb, 15Cc, 15Cd, 15Ce, 15Cf and the LED2 and the transistor 5 and the pads 15Ca-15Cf. Each member is formed or arranged. And on the back surface of the substrate 4, there are four back surface electrodes 15E disposed in semicircular cutouts on a pair of opposite sides of the substrate 4, and protrusions called bumps 21 disposed on each back surface electrode 15E. And two pairs of T-shaped resistance electrodes 15B derived from each back electrode 15E, a resistor film 18 disposed so as to overlap both of the pair of resistance electrodes 15B, and all of the resistor films 18 A glass film 19 that covers almost all of the resistance electrode 15B, a resistor 18 and a trimming groove 23 formed in the glass film 19 for adjusting the resistance value, and a glass film 19 on the glass film 19 to protect the trimming groove 23 A placed overcoat film 20 is disposed. On the side surface of the substrate 4, a side electrode 15 </ b> D that electrically connects the back electrode 15 </ b> E and the conductor 15 on the surface of the substrate 4 is disposed in a semicircular cutout.

円筒状の貫通孔12Cを有する貫通部材12は、基板4に対してx方向とy方向が同じ長さとされた上面から見た形状が略長方形となる形状とされている。この貫通部材12は、基板4の表面に固着されている。この貫通部材12は、液晶ポリマー樹脂の成形体である。この液晶ポリマーは放熱性が良好な樹脂であり、抵抗素子3またはトランジスタ5が発する熱を逃がし、抵抗素子3およびトランジスタ5の特性を維持するのに有利である。その放熱性を得るためには、液晶ポリマー樹脂に代えて、ポリフェニレンサンファイド(PPS)、ポリフェニレンエーテル(PPE)等を用いることができる。   The penetrating member 12 having a cylindrical through-hole 12 </ b> C has a substantially rectangular shape when viewed from the upper surface where the x direction and the y direction have the same length with respect to the substrate 4. The penetrating member 12 is fixed to the surface of the substrate 4. This penetrating member 12 is a molded body of a liquid crystal polymer resin. This liquid crystal polymer is a resin having good heat dissipation, and is advantageous in releasing the heat generated by the resistance element 3 or the transistor 5 and maintaining the characteristics of the resistance element 3 and the transistor 5. In order to obtain the heat dissipation property, polyphenylene sulfide (PPS), polyphenylene ether (PPE) or the like can be used instead of the liquid crystal polymer resin.

貫通部材12は、その貫通孔12Cが基板4の表面に対向するように基板4に固着されている。この結果、貫通孔12C部分が、基板4の表面を底面とするキャビティ(凹部)13となる。このような凹部13を有する貫通部材12と基板4の双方に相当する別の部材としては、たとえば、セラミック粉末にガラス等を含ませたLTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics:低温同時焼成セラミックス)を用い、成形性の良好な条件下で基板4に相当する部分と、凹部13を含む貫通部材12に相当する部分とを一体成形し、焼成する方法で得られる部材である。このときは、基板4に凹部13が設けられることとなる。なお、凹部13の形状は、発光部品1Aの形状、トランジスタ5等の凹部13に収容されるLED2の駆動回路部材の数、または発光部品1Aの仕様、貫通部材12の強度等の観点から、適宜その形状または大きさを採択できる。貫通孔12Cの形状について言えば、円筒状、円錐台形状、直方体形状等を採択できる。   The penetrating member 12 is fixed to the substrate 4 such that the through hole 12 </ b> C faces the surface of the substrate 4. As a result, the through-hole 12 </ b> C portion becomes a cavity (concave portion) 13 whose bottom surface is the surface of the substrate 4. As another member corresponding to both the penetrating member 12 having such a recess 13 and the substrate 4, for example, LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramics) in which glass or the like is included in ceramic powder is used. It is a member obtained by a method in which a portion corresponding to the substrate 4 and a portion corresponding to the penetrating member 12 including the recess 13 are integrally molded and fired under conditions of good moldability. At this time, the concave portion 13 is provided in the substrate 4. The shape of the recess 13 is appropriately determined from the viewpoint of the shape of the light emitting component 1A, the number of drive circuit members of the LED 2 housed in the recess 13 such as the transistor 5, or the specifications of the light emitting component 1A, the strength of the penetrating member 12, and the like. Its shape or size can be adopted. Speaking of the shape of the through hole 12C, a cylindrical shape, a truncated cone shape, a rectangular parallelepiped shape, or the like can be adopted.

貫通部材12は、その上面の四隅の一つにカソードマーク12Aと言われる切り欠き部を有している。このカソードマーク12Aは、発光部品1Aを実装基板に実装する際に、実装方向が分かるようにする役割を担っている。このカソードマーク12Aは、正方形またはそれに近い長方形の基板4を用いる発光部品1Aにとって重要である。また貫通部材12は、その長手方向(x方向)の一対の端辺に薄肉部12Bを有している。この薄肉部12Bは、後述する分割工程を容易ならしめる役割を担っている。   The penetrating member 12 has a cutout portion called a cathode mark 12A at one of the four corners of the upper surface. This cathode mark 12A plays a role of making the mounting direction known when mounting the light emitting component 1A on the mounting board. The cathode mark 12A is important for the light-emitting component 1A using the substrate 4 having a square shape or a rectangular shape close thereto. Further, the penetrating member 12 has a thin portion 12B on a pair of end sides in the longitudinal direction (x direction). The thin portion 12B plays a role of facilitating the division process described later.

凹部13の底面の中央であって、基板4の表面に形成されている、他の導体15とは接続していない浮島状の導体15の上には、LED2が、凹部13の開口部側に向かって発光するように配置されている。このようなLED2の凹部13の中央への配置と、このLED2を囲むような駆動用回路部材の配置は、光の方向を凹部13の開口部方向へと集中させ、意図しない方向への投光を抑制できる点で有利である。なお、LED2を凹部13の中央ではなく、少し偏心した位置に配置するようにしても良い。LED2の凹部13の底面の中央への配置とは、図2(A)の平面図において円形をなす凹部13の底面の円の中心を覆うようにLED2が配置されていることを言う。この配置によって、LED2の光を偏在化させずに、凹部13の内壁面に均一に反射させて分散化させることができる。また、LED2を囲むように、トランジスタ5やパッド15Ca〜15Cfを配置させることで、LED2の各部材への反射光が分散して、分散光の均一化が図れる。その結果として、発光部品1Aの発光方向での光度変化を低減させ、発光部品1Aの光度の方向依存性、すなわち、取り付け方向によっての光度のばらつきを低減することができる。   On the floating island-shaped conductor 15 that is formed at the center of the bottom surface of the recess 13 and is not connected to the other conductors 15 formed on the surface of the substrate 4, the LED 2 is located on the opening side of the recess 13. It arrange | positions so that it may light-emit toward. The arrangement of the LED 2 at the center of the recess 13 and the arrangement of the drive circuit member surrounding the LED 2 concentrate the light in the direction of the opening of the recess 13 and project light in an unintended direction. This is advantageous in that it can be suppressed. In addition, you may make it arrange | position LED2 not in the center of the recessed part 13, but in the position slightly decentered. The arrangement of the LED 2 at the center of the bottom surface of the concave portion 13 means that the LED 2 is arranged so as to cover the center of the circle on the bottom surface of the concave portion 13 having a circular shape in the plan view of FIG. With this arrangement, the light of the LED 2 can be uniformly reflected and dispersed on the inner wall surface of the recess 13 without being unevenly distributed. Further, by disposing the transistor 5 and the pads 15Ca to 15Cf so as to surround the LED 2, the reflected light to each member of the LED 2 is dispersed, and the dispersed light can be made uniform. As a result, the change in luminous intensity in the light emitting direction of the light emitting component 1A can be reduced, and the direction dependency of the luminous intensity of the light emitting component 1A, that is, the variation in luminous intensity depending on the mounting direction can be reduced.

また、LED2が、凹部13の開口部側に向かって発光するようにLED2の配置をした場合には、凹部13の内側面(側面および/または底面)に光反射層を設けることが好ましい。その理由は、光反射層は、凹部13の内側面に照射された光の反射を促進して、発光部品1Aの光量を減少させないようにすることができるためである。この光反射層の配置には、めっき法、スパッタリング法等の薄膜形成技術、金属箔の貼り付けの技術等を採用することができる。また光反射層の材質は、ニッケル、銅、金、銀、チタン、白金等の金属とすることができる。また、これら金属の2種以上を積層して、光反射層を形成することができる。さらに、これら金属の2種以上からなる合金を用いて、光反射層を形成することができる。   Moreover, when LED2 is arrange | positioned so that LED2 may light-emit toward the opening part side of the recessed part 13, it is preferable to provide a light reflection layer in the inner surface (side surface and / or bottom face) of the recessed part 13. FIG. The reason is that the light reflection layer can promote the reflection of the light applied to the inner surface of the recess 13 so as not to decrease the light amount of the light emitting component 1A. For the arrangement of the light reflecting layer, a thin film forming technique such as a plating method or a sputtering method, a technique for attaching a metal foil, or the like can be employed. The material of the light reflecting layer can be a metal such as nickel, copper, gold, silver, titanium, or platinum. Moreover, a light reflection layer can be formed by laminating two or more of these metals. Furthermore, a light reflection layer can be formed using an alloy composed of two or more of these metals.

またLED2は、基板4の中央に配置されている。基板4の中央へのLED2の配置とは、たとえば、長方形の基板4の場合は上面からみたとき、2本の対角線の交点を覆うようにLED2が配置されていることを言う。このように基板4の中央にLED2を配置する利点は、発光部品1Aを複数個並べて使用した場合にも、等間隔にLED2を配置でき、自然な発光状態を実現できる点である。この利点、すなわち、LED2を基板4の中央に配置することの利点は、LED2を、上述した凹部13の底面に配置するか否かに関わらず、得ることができる。ここで、この利点を得る別の方法には、LED2の配置位置を、複数個の全ての発光部品1Aについて、基板4における同様の位置とする方法がある。この方法を採用しても良い。ただし、そのような方法を採用した場合には、個々の発光部品1Aを実装基板へと実装する際に、実装方向を揃える負担が生ずる。   The LED 2 is disposed at the center of the substrate 4. The arrangement of the LED 2 at the center of the substrate 4 means that, for example, in the case of the rectangular substrate 4, the LED 2 is arranged so as to cover the intersection of two diagonal lines when viewed from the upper surface. Thus, the advantage of disposing the LED 2 in the center of the substrate 4 is that even when a plurality of light emitting components 1A are arranged and used, the LEDs 2 can be disposed at equal intervals and a natural light emitting state can be realized. This advantage, that is, the advantage of disposing the LED 2 in the center of the substrate 4 can be obtained regardless of whether the LED 2 is disposed on the bottom surface of the recess 13 described above. Here, as another method for obtaining this advantage, there is a method in which the arrangement positions of the LEDs 2 are set to the same positions on the substrate 4 for all the plurality of light emitting components 1A. This method may be adopted. However, when such a method is adopted, when mounting each light emitting component 1A on the mounting substrate, a burden of aligning the mounting direction occurs.

本発明の実施の形態に係る発光素子は、LED2としている。しかしLED2に代えて、たとえば半導体レーザ、有機EL(electro-luminescence)等のEL素子、または蛍光表示管等の他の発光素子を用いることができる。   The light emitting element according to the embodiment of the present invention is LED2. However, instead of the LED 2, for example, an EL element such as a semiconductor laser or organic EL (electro-luminescence), or another light emitting element such as a fluorescent display tube can be used.

発光部品1Aを構成するトランジスタ5、導体15、導体15と接触するパッド15Ca〜15CfおよびLED2およびトランジスタ5とパッド15Ca〜15Cfを電気接続する金線16からなるLED2の駆動用回路部材は、LED2の周囲に配置されている。このような配置にすることによって、上述したようにLED2が発する光をトランジスタ5、導体15およびパッド15Ca〜15Cfに反射させて、光を偏在化させずに分散化し、その結果として、発光部品1Aの光度のばらつきを低減することができる。また、この構成を採用することによって、LED2を凹部13の底面の中央へ配置できない場合であっても、光の分散を促進し、発光部品1Aの発光方向での光度変化を減少させることができる上に、分散した光が発光点を拡げるため、発光部品1Aを複数個並べた発光部品群として使用した場合に、発光状態がより自然となる。   The driving circuit member of LED 2 comprising the transistor 5 constituting the light emitting component 1A, the conductor 15, the pads 15Ca to 15Cf in contact with the conductor 15 and the LED 2 and the gold wire 16 electrically connecting the transistor 5 and the pads 15Ca to 15Cf is It is arranged around. With such an arrangement, as described above, the light emitted from the LED 2 is reflected to the transistor 5, the conductor 15, and the pads 15Ca to 15Cf to disperse the light without being unevenly distributed. As a result, the light emitting component 1A Variation in luminous intensity can be reduced. In addition, by adopting this configuration, even when the LED 2 cannot be arranged at the center of the bottom surface of the recess 13, it is possible to promote the dispersion of light and reduce the change in luminous intensity in the light emitting direction of the light emitting component 1 </ b> A. Furthermore, since the dispersed light expands the light emitting point, the light emission state becomes more natural when used as a light emitting component group in which a plurality of light emitting components 1A are arranged.

またこの光の反射は、後述する発光部品1B,1CのLED2の駆動回路用部材としてダイオード11A,11B(以下、この2つのダイオードを合わせて指すとき、場合によってはその2つのダイオードと後述するツェナーダイオード11Cを合わせて指すときには、適宜ダイオード11と記す。)を含んだ場合に、ダイオード11を、LED2の周囲に配置させることによっても得ることができる(図4、図5、図6および図7を参照)。同様に、後述する発光部品1DのLED2の駆動用回路部材として電解効果型トランジスタ5Cを含んだ場合に、電解効果型トランジスタ5Cを、LED2の周囲に配置させることによっても得ることができる(図8および図9を参照)。また、発光部品1A,1B,1C,1Dのように、駆動用回路部材の配置を、LED2の周囲180度以上に渡らせることによって、光の偏在化をより抑制した状態でその光を分散化できる。   In addition, the reflection of this light is caused by diodes 11A and 11B (hereinafter referred to as the two diodes together as the drive circuit member of the LED 2 of the light emitting components 1B and 1C described later). When the diode 11C is also referred to, the diode 11 can be obtained by arranging the diode 11 around the LED 2 when the diode 11C is included (FIGS. 4, 5, 6, and 7). See). Similarly, when the electrolytic effect type transistor 5C is included as a driving circuit member of the LED 2 of the light emitting component 1D to be described later, the electrolytic effect type transistor 5C can also be obtained by arranging it around the LED 2 (FIG. 8). And see FIG. 9). Moreover, like the light-emitting components 1A, 1B, 1C, 1D, by disposing the drive circuit member over 180 degrees around the LED 2, the light is dispersed in a state in which the uneven distribution of light is further suppressed. it can.

ここで、LED2の周囲に配置される、LED2の駆動用回路部材の一部であるトランジスタ5および/またはダイオード11は、LED2よりも背丈が小さいことが好ましい。そうすることで、LED2が発する光を計算上求め易くなると共に、光度の発光方向の依存性が少なくなる。すなわち、LED2の光度のばらつきを、より低減することができる。しかし、トランジスタ等の背丈を大きくしても、LED2を囲むように配置すれば、光の方向が分散され、好ましいものとなる。また、貫通部材12の凹部13の内壁面も同様に、前述のようにLED2が発する光の反射・分散をさせる効果を有している。なお、トランジスタ5および/またはダイオード11をLED2の周囲に配置することによって、それら相互間を金線16を用いてワイヤーボンディング等で電気接続する際に、作業性が良く、有利となる。   Here, it is preferable that the transistor 5 and / or the diode 11, which is a part of the driving circuit member of the LED 2, disposed around the LED 2 have a smaller height than the LED 2. By doing so, the light emitted from the LED 2 can be easily calculated, and the dependence of the luminous intensity on the emission direction is reduced. That is, the variation in luminous intensity of the LED 2 can be further reduced. However, even if the height of the transistor or the like is increased, if the LED 2 is disposed so as to surround it, the direction of light is dispersed, which is preferable. Similarly, the inner wall surface of the recess 13 of the penetrating member 12 has an effect of reflecting / dispersing the light emitted from the LED 2 as described above. In addition, by arranging the transistor 5 and / or the diode 11 around the LED 2, when they are electrically connected to each other by wire bonding or the like using the gold wire 16, the workability is good and advantageous.

発光部品1Aを構成するトランジスタ5およびLED2は、全てを凹部13内に配置している。しかし、トランジスタ5やその他の駆動用回路部材の一部または全部を凹部13を避けて配置しても良い。このことは、後述する発光部品1B,1C,1DのLED2の駆動用回路部材としてダイオード11または電解効果型トランジスタ5Cを含んだ場合にも同様である。   All of the transistor 5 and the LED 2 constituting the light emitting component 1 </ b> A are disposed in the recess 13. However, part or all of the transistor 5 and other driving circuit members may be arranged avoiding the recess 13. The same applies to the case where the diode 11 or the field effect transistor 5C is included as a circuit member for driving the LED 2 of the light emitting components 1B, 1C, 1D described later.

発光部品1Aを構成するトランジスタ5およびLED2は、いわゆるワイヤボンディング技術によって金線16を用いて電気接続されている。しかし、この電気接続は、いわゆるフリップチップボンディングによって実現されても良い。フリップチップボンディングとは、トランジスタ5とLED2の配線のためのバンプ(電極端子)と呼ばれる突起部分を発光部品1Aの下面に設けて、発光部品1Aが実装される実装基板のランドにバンプを接続し、そのランドパターンを利用して電気接続を実現するものである。   The transistor 5 and the LED 2 constituting the light emitting component 1A are electrically connected using a gold wire 16 by a so-called wire bonding technique. However, this electrical connection may be realized by so-called flip chip bonding. In flip-chip bonding, a protrusion called a bump (electrode terminal) for wiring between the transistor 5 and the LED 2 is provided on the lower surface of the light emitting component 1A, and the bump is connected to the land of the mounting substrate on which the light emitting component 1A is mounted. The land pattern is used to realize electrical connection.

凹部13の内部には、透光性の樹脂が充填されている(図示省略)。この透光性の樹脂は、LED2、トランジスタ5、金線16等の相互間の電気接続状態を維持する役割も担っている。この透光性の樹脂は、凹部13の内部のみに存している。透光性の樹脂には、シリコーン系樹脂を用いている。このシリコーン系樹脂は、LED2が発する光成分のうち、紫外線領域の成分が多く含まれている場合に、封止樹脂の劣化を抑制できる。但し、発光部品1Aの仕様、用途、光度等によって、他の材質(たとえばエポキシ系樹脂等)を使用することができる。また、透光性の樹脂の透光度は、発光部品1Aの仕様、用途、光度等によって、変更・調整できる。さらに透光性の樹脂は、発光部品1Aのように凹部13の内側のみに充填しても良いし、凹部13の内部から外部に渡って溢れた状態で充填しても良い。ただし、透光性の樹脂を凹部13の内部から外部に渡って溢れた状態とすることにより、発光部品1Aの発光状態が不安定となり易い。その理由は、凹部13から溢れ出した部分の透光性の樹脂は、形状が一定化し難く、発光部品1Aの発光状態を乱す場合があると考えられるためである。なお、敢えて透光性の樹脂を凹部13から溢れ出させて、貫通部材12の上面全体に均一な高さとする等の形状調整をすれば、発光部品1Aの発光状態は安定する。また、凹部13から球状に突出するように透光性の樹脂を設ける、すなわち凸レンズの機能を果たすように透光性の樹脂を設けることにしても良い。このようにすると、LED2から放射される光が所定距離の所で合焦するような光となり、光度を強めたいときに有効となる。逆に透光性の樹脂の上面を凹面鏡のようにすると、LED2からの光が発散することとなり、全体的に光量を均一化したいときに有利となる。   The recess 13 is filled with a translucent resin (not shown). This translucent resin also plays a role of maintaining an electrical connection state between the LED 2, the transistor 5, the gold wire 16, and the like. This translucent resin exists only inside the recess 13. Silicone resin is used as the translucent resin. This silicone-based resin can suppress deterioration of the sealing resin when many components in the ultraviolet region are included among the light components emitted from the LED 2. However, other materials (for example, epoxy resin) can be used depending on the specification, application, luminous intensity, etc. of the light emitting component 1A. The translucency of the translucent resin can be changed / adjusted depending on the specification, application, luminous intensity, etc. of the light emitting component 1A. Further, the translucent resin may be filled only inside the recess 13 like the light emitting component 1A, or may be filled in a state of overflowing from the inside of the recess 13 to the outside. However, when the translucent resin overflows from the inside of the recess 13 to the outside, the light emitting state of the light emitting component 1A tends to become unstable. The reason is that the translucent resin in the portion overflowing from the concave portion 13 is difficult to be fixed in shape, and it is considered that the light emitting state of the light emitting component 1A may be disturbed. Note that the light emission state of the light-emitting component 1 </ b> A can be stabilized by adjusting the shape such that the translucent resin overflows from the recess 13 and has a uniform height over the entire upper surface of the penetrating member 12. Further, a translucent resin may be provided so as to protrude spherically from the concave portion 13, that is, a translucent resin may be provided so as to fulfill the function of a convex lens. In this way, the light emitted from the LED 2 becomes light that is focused at a predetermined distance, which is effective when it is desired to increase the luminous intensity. Conversely, if the upper surface of the translucent resin is made to be a concave mirror, the light from the LED 2 diverges, which is advantageous when it is desired to make the amount of light uniform.

基板4の裏面には、厚膜の抵抗素子3が2つ配置されている。この厚膜に代えて、薄膜によって構成されるものとしても良い。この抵抗素子3は、導体15の一部である裏面電極15Eから導出、一体化している対となるT字形状の抵抗用電極15Bの双方に接触する抵抗体膜18および、抵抗値調整用のトリミング溝23を構成要素として有している。
また、抵抗体膜18を有する抵抗素子3は、後述する発光部品1Dのように1つだけで足りる場合がある(図3(D)、図8および図9を参照)。また、抵抗体膜18を有する抵抗素子3の数を3つ、4つ、または5つ以上と多くしても良い。さらに、厚膜の抵抗体膜18ではなく、チップ型で且つトリミング(抵抗値調整)が可能なトリマブルチップ抵抗器を用いても良い。
Two thick film resistive elements 3 are arranged on the back surface of the substrate 4. Instead of this thick film, a thin film may be used. The resistance element 3 is derived from the back electrode 15E which is a part of the conductor 15, and is integrated with the resistor film 18 which contacts both of the paired T-shaped resistance electrodes 15B and a resistance value adjusting resistor. A trimming groove 23 is provided as a constituent element.
Further, only one resistive element 3 having the resistive film 18 may be sufficient as in a light emitting component 1D described later (see FIGS. 3D, 8 and 9). Further, the number of the resistive elements 3 having the resistive film 18 may be increased to three, four, or five or more. Further, instead of the thick resistor film 18, a chip-type trimmable chip resistor capable of trimming (resistance value adjustment) may be used.

また、基板4の裏面には、厚膜の抵抗体膜18および抵抗用電極15B等を覆って保護するための厚膜のガラス膜19が、裏面電極15Eおよびトリミング溝23を露出させつつ、基板4の裏面のx方向両端を除いて略全域に配置されている。そして、ガラス膜19の上からトリミングされた際に残るトリミング溝23を覆って保護するためのエポキシ樹脂系のオーバーコート膜20が、対となる抵抗用電極15Bの間に、かつガラス膜19のx方向中央部分をy方向に列状に覆うように帯状に配置されている。そして、各裏面電極15E上に突起状の導電部材であるバンプ21を2つずつ配置している。なお、ガラス膜19は、裏面電極15Eを露出させる程度に基板4の裏面の略全域を覆っているが、抵抗体膜18の一部または全部を覆う程度としても良い。   A thick glass film 19 for covering and protecting the thick resistor film 18 and the resistance electrode 15B is exposed on the back surface of the substrate 4 while exposing the back electrode 15E and the trimming groove 23. 4 is arranged in substantially the entire region except for both ends in the x direction on the back surface. An epoxy resin-based overcoat film 20 for covering and protecting the trimming groove 23 remaining when trimmed from above the glass film 19 is formed between the pair of resistance electrodes 15B and the glass film 19. It arrange | positions at strip | belt shape so that the x direction center part may be covered in a line form in the y direction. Then, two bumps 21 that are protruding conductive members are arranged on each back electrode 15E. Although the glass film 19 covers substantially the entire back surface of the substrate 4 to the extent that the back electrode 15E is exposed, the glass film 19 may cover a part or all of the resistor film 18.

ここで、抵抗体膜18を有する抵抗素子3は、対となる厚膜の抵抗用電極15Bの双方に厚膜の抵抗体膜18が接触する部分を有している。そして、抵抗素子3を保護する厚膜のオーバーコート膜20が、その接触する部分と重ならないように配置されている。この接触する部分は、通常、抵抗用電極15Bと抵抗体膜18が重なる部分であり、厚みが他の部分より大きい凸部となる。発光部品1Aとしては、その形状中に大きい凸部があると、多数の発光部品1Aをばらばらに袋詰め梱包し、パーツフィーダで所定の向きに整列供給するバルク供給が困難となる。また、その凸部が、発光部品1Aが実装される実装基板面に対向する位置にあるときは、外部端子電極(後述の側面電極15D、裏面電極15Eおよびバンプ21を構成要素とする。以下同じ。)と実装基板面のランドとのはんだ等による固着を阻害する場合がある。よって、発光部品1Aや、後述する発光部品1B,1C,1Dのように、その凸部を避けてオーバーコート膜20が配置されていることが好ましい(図2(F),図5(F),図7(F),図9(F)を参照)。さらに、バンプ21は、外部端子電極と実装基板面のランドとの固着を、より確実にするための役割を担っている。ただし、抵抗体膜18を有する抵抗素子3が主として薄膜で構成され、凸部の高さが低い場合等は凸部を避けてオーバーコート膜20を配置せず、基板4の裏面の略全面を覆うようにしても良い。ただし、この場合は、少なくともバンプ21を露出させる必要があり、好ましくは裏面電極15E部分を露出させるのが良い。   Here, the resistive element 3 having the resistive film 18 has a portion where the thick resistive film 18 is in contact with both the thick resistive electrode 15B. The thick overcoat film 20 that protects the resistance element 3 is disposed so as not to overlap the contact portion. This contact portion is usually a portion where the resistance electrode 15B and the resistor film 18 overlap, and is a convex portion whose thickness is larger than other portions. If there is a large convex portion in the shape of the light-emitting component 1A, it is difficult to bulk supply a large number of light-emitting components 1A in a bag and arrange and supply them in a predetermined direction with a parts feeder. Further, when the convex portion is at a position facing the mounting substrate surface on which the light emitting component 1A is mounted, external terminal electrodes (a side electrode 15D, a back electrode 15E, which will be described later, and a bump 21 are used as constituent elements. .) And the land on the mounting substrate surface may be obstructed by solder or the like. Therefore, it is preferable that the overcoat film 20 be disposed so as to avoid the convex portions as in the light emitting component 1A and the light emitting components 1B, 1C, and 1D described later (FIGS. 2F and 5F). FIG. 7 (F) and FIG. 9 (F)). Further, the bumps 21 have a role for ensuring the adhesion between the external terminal electrodes and the lands on the mounting substrate surface. However, the resistive element 3 having the resistor film 18 is mainly composed of a thin film, and when the height of the convex portion is low, the overcoat film 20 is not disposed avoiding the convex portion, and the substantially entire back surface of the substrate 4 is not disposed. It may be covered. However, in this case, it is necessary to expose at least the bump 21, and it is preferable to expose the back electrode 15E portion.

基板4の裏側に配置され、発光部品1Aを構成する抵抗素子3と、抵抗素子3とは逆側の基板4の表面にあるLED2および駆動用回路部材(導体15、パッド15Ca〜15Cf、トランジスタ5)との電気接続は、基板4の端面に露出する4つの半円柱空間の側面に配置された導体である4つの側面電極15Dを通じて実現されている。この構成によって、基板4に余分な穴を設けることなく基板4の裏面の抵抗素子3と、基板4の表面のLED2または駆動用回路部材(たとえばトランジスタ5および/またはダイオード11)との電気接続を実現できる利点を有する。ただし、その電気接続は、基板4の端面であって、半円柱空間の側面では無い端面を通じて、もしくは基板4の内側に別に設けるスルーホールを通じて、または金線16等の電気線を通じて実現されていても良い。   A resistive element 3 disposed on the back side of the substrate 4 and constituting the light emitting component 1A, and an LED 2 and a driving circuit member (conductor 15, pads 15Ca to 15Cf, transistor 5 on the surface of the substrate 4 opposite to the resistive element 3) Are connected through four side electrodes 15D which are conductors arranged on the side surfaces of the four semi-cylindrical spaces exposed on the end face of the substrate 4. With this configuration, the electrical connection between the resistance element 3 on the back surface of the substrate 4 and the LED 2 or the driving circuit member (for example, the transistor 5 and / or the diode 11) on the front surface of the substrate 4 is made without providing an extra hole in the substrate 4. Has advantages that can be realized. However, the electrical connection is realized through an end face of the substrate 4 which is not a side surface of the semi-cylindrical space, through a through hole provided inside the substrate 4 or through an electric wire such as a gold wire 16. Also good.

側面電極15Dを半円柱空間の内側面に配置する別の利点は、発光部品1Aの製造が容易となる場合がある点である。すなわち、後述するスルーホール印刷法によって側面電極15Dを形成する場合には、抵抗素子3を構成する電極と同時に形成することができる。そのため、基板4の端面にのみ側面電極15Dをわざわざ別工程で形成するような煩わしさを要しない。そして、後述するその後の分割工程を行うことによって、円形のスルーホールの中心を通る直線に沿って大型の絶縁基板が分割され、側面電極15Dが配置された半円柱空間の側面を得ることができる。この実施の形態では、側面電極15Dが配置される場所を半円柱空間の側面としているが、後述するスルーホール印刷法が可能なスルーホール形状であれば、半円柱空間に代えて直方体空間、半楕円柱空間等の他の空間形状とし、その内側面に側面電極15Dを配置するようにしても良い。   Another advantage of arranging the side electrode 15D on the inner side surface of the semi-cylindrical space is that the light emitting component 1A may be easily manufactured. That is, when the side electrode 15D is formed by a through-hole printing method to be described later, it can be formed at the same time as the electrodes constituting the resistance element 3. Therefore, there is no need to bother to form the side electrode 15D only on the end surface of the substrate 4 in a separate process. Then, by performing a subsequent dividing step described later, the large insulating substrate is divided along a straight line passing through the center of the circular through hole, and the side surface of the semi-cylindrical space in which the side electrode 15D is disposed can be obtained. . In this embodiment, the place where the side electrode 15D is disposed is the side surface of the semi-cylindrical space. However, if the through-hole printing method, which will be described later, can be used, a rectangular parallelepiped space, a semi-cylindrical space can be used instead of the semi-cylindrical space. Other space shapes such as an elliptical column space may be used, and the side electrode 15D may be disposed on the inner side surface thereof.

また、側面電極15Dを含む外部端子電極15Fa〜15Fdには、発光部品1Aが実装される実装基板のランドへのはんだ付けのための外部端子電極15Fa〜15Fdのはんだ濡れ性を良好にするため、通常は後述するめっき工程におけるバレルめっき法によってニッケルめっき層およびはんだめっき層(図示省略)がこの順に配置される。ここで外部端子電極15Fa〜15Fdは、それぞれ、側面電極15Dと裏面電極15Eとバンプ21を有するもので、外部との電気接続を実施するものである。バレルめっき法は、めっき浴中に浸漬した籠体内に、多数の発光部品1Aを、ダミーボールと呼ばれる金属の粒状体と一緒に投入し、籠体を回転または振動等させ、かつ通電しながらめっきするものである。ここで、このダミーボールと、外部端子電極15Fa〜15Fdが接触する確率が高まるに従い、めっき層の形成速度が速くなる。その確率は、外部端子電極15Fa〜15Fdの形状が複雑であると高くなる傾向にある。側面電極15Dが、半円柱空間の側面に形成されていると、外部端子電極15Fa〜15Fdの全体形状が複雑となる。よって、側面電極15Dを半円柱空間の側面に配置すると、外部端子電極15Fa〜15Fdへのめっき速度が速くなる利点もある。   In addition, in order to improve the solder wettability of the external terminal electrodes 15Fa to 15Fd for soldering to the land of the mounting substrate on which the light emitting component 1A is mounted, the external terminal electrodes 15Fa to 15Fd including the side electrode 15D are provided. Usually, a nickel plating layer and a solder plating layer (not shown) are arranged in this order by a barrel plating method in a plating process described later. Here, each of the external terminal electrodes 15Fa to 15Fd has a side electrode 15D, a back electrode 15E, and a bump 21, and performs electrical connection with the outside. In the barrel plating method, a large number of light-emitting components 1A are put together with metal particles called dummy balls into a housing immersed in a plating bath, and the housing is rotated or vibrated and energized. To do. Here, as the probability that the dummy ball and the external terminal electrodes 15Fa to 15Fd come into contact with each other increases, the formation speed of the plating layer increases. The probability tends to increase when the shape of the external terminal electrodes 15Fa to 15Fd is complicated. When the side electrode 15D is formed on the side surface of the semi-cylindrical space, the overall shape of the external terminal electrodes 15Fa to 15Fd becomes complicated. Therefore, when the side electrode 15D is disposed on the side surface of the semi-cylindrical space, there is an advantage that the plating rate on the external terminal electrodes 15Fa to 15Fd is increased.

また、側面電極15Dは、半円柱空間の側面に配置されているため、発光部品1Aの側面の引っ込んだ部分に配置されていることとなる。よって、発光部品1Aを取り扱う際、たとえばチップマウンターを用いて実装基板へと実装するために発光部品1Aを持ち上げて移動する際に、側面電極15Dが他の物(たとえば、チップマウンターの部品持ち上げ部材等)によって損傷を受け難い効果を有する。この効果は、側面電極15Dが形成されている基板4の上部に貫通部材12、すなわち、その側面に引っ込んだ部分を有しない樹脂製の部材が存在することで、より顕著に得られる。その理由は、貫通部材12が他の物と先に接触することによって、その物と側面電極15Dが近づくことが阻止され、側面電極15Dが他の物と接触する確率を低くなるためである。また樹脂(貫通部材12)の弾性によって、衝撃から側面電極15Dを保護しているためである。また、別の理由は、この半円柱空間の一方の端部となる基板4の表面に沿った部分は、貫通部材12の底面によって塞がれており、貫通部材12が側面電極15Dを上述の他の物から遮蔽しているためである。特に、側面電極15Dが後述するスルーホール印刷法によって配置されたものの場合等は、その膜厚が薄くなり、損傷を受け易いため、本構成は好ましい。   Further, since the side electrode 15D is disposed on the side surface of the semi-cylindrical space, the side electrode 15D is disposed on the recessed portion of the side surface of the light emitting component 1A. Therefore, when the light emitting component 1A is handled, for example, when the light emitting component 1A is lifted and moved to be mounted on the mounting substrate using the chip mounter, the side electrode 15D is moved to another object (for example, a component lifting member of the chip mounter). Etc.) are less susceptible to damage. This effect can be obtained more conspicuously by the presence of the penetrating member 12, that is, a resin member that does not have a recessed portion on the side surface of the substrate 4 on which the side electrode 15D is formed. The reason is that when the penetrating member 12 comes into contact with another object first, the thing and the side electrode 15D are prevented from approaching, and the probability that the side electrode 15D comes into contact with the other object is reduced. Moreover, it is because the side electrode 15D is protected from an impact by the elasticity of the resin (penetrating member 12). Another reason is that a portion along the surface of the substrate 4 serving as one end of the semi-cylindrical space is closed by the bottom surface of the penetrating member 12, and the penetrating member 12 covers the side electrode 15D as described above. This is because they are shielded from other objects. In particular, in the case where the side electrode 15D is arranged by a through-hole printing method to be described later, this structure is preferable because the film thickness becomes thin and is easily damaged.

外部端子電極15Fa〜15Fdの表面には上述したニッケルめっき層およびはんだめっき層がこの順に配置されている(図示省略)。はんだめっき層は、発光部品1Aが実装される実装基板へのはんだを用いて実装されるときに、はんだ濡れ性を良好にする役割を担っている。ニッケルめっき層は、外部端子電極15a〜15Fdとはんだとが合金化し、外部端子電極15a〜15Fdが溶融してしまうのを防ぐ役割を担っている。両めっき層とも、層厚みは3μmから12μmの間であることが好ましい。層厚みが3μmを下回ると、めっき層の形成が不十分である場合がある。層厚みが12μmを上回ると、発光部品1Aの外形寸法が意図したものと異なってくる場合がある。特に、発光部品1Aが小型化された場合には、その外形寸法の影響が大きくなる。   The nickel plating layer and the solder plating layer described above are arranged in this order on the surfaces of the external terminal electrodes 15Fa to 15Fd (not shown). The solder plating layer plays a role of improving solder wettability when mounted using solder on a mounting substrate on which the light emitting component 1A is mounted. The nickel plating layer plays a role of preventing the external terminal electrodes 15a to 15Fd from being alloyed and melting the external terminal electrodes 15a to 15Fd. The thicknesses of both plating layers are preferably between 3 μm and 12 μm. If the layer thickness is less than 3 μm, the formation of the plating layer may be insufficient. If the layer thickness exceeds 12 μm, the outer dimensions of the light emitting component 1A may differ from the intended one. In particular, when the light emitting component 1A is downsized, the influence of the external dimensions becomes large.

(定電流回路について)
次に、この発光部品1Aの構成要素である定電流回路について説明する。
(About constant current circuit)
Next, a constant current circuit which is a component of the light emitting component 1A will be described.

図3(A)に示す定電流回路6Aの回路構成について説明する。定電流回路6Aは、+入力端子7と−入力端子8を有している。そして、+入力端子7と−入力端子8との間には、分岐する第1の伝送路9Aと第2の伝送路9Bとを有している。そして、第1の伝送路9Aには、+入力端子7側から順に、LED2、第1のNPN型トランジスタ5A、第1の抵抗素子3Aが接続されている。そして、第1のNPN型トランジスタ5Aは、そのコレクタよりもエミッタを−入力端子8側に位置させるように配置されている。そして、第2の伝送路9Bには、+入力端子7側から順に、第2の抵抗素子3B、第2のNPN型トランジスタ5Bが接続されている。そして、第2のNPN型トランジスタ5Bは、そのエミッタがコレクタよりも−入力端子8側に位置するように配置されている。そして、第2の伝送路9Bの第2の抵抗素子3Bと第2のNPN型トランジスタ5Bの間の第1の接点10Aと、第1のNPN型トランジスタ5Aのベースとが第3の伝送路9Cによって接続されている。そして、第1の伝送路9Aの第1のNPN型トランジスタ5Aと第1の抵抗素子3Aとの間の第2の接点10Bと、第2のNPN型トランジスタ5Bのベースとが第4の伝送路9Dによって接続されている。   A circuit configuration of the constant current circuit 6A illustrated in FIG. The constant current circuit 6 </ b> A has a + input terminal 7 and a − input terminal 8. Between the + input terminal 7 and the − input terminal 8, a first transmission path 9A and a second transmission path 9B branch off. The LED 2, the first NPN transistor 5A, and the first resistance element 3A are connected to the first transmission line 9A in this order from the + input terminal 7 side. The first NPN transistor 5A is arranged such that the emitter is positioned closer to the negative input terminal 8 than the collector. A second resistance element 3B and a second NPN transistor 5B are connected to the second transmission line 9B in this order from the + input terminal 7 side. The second NPN transistor 5B is arranged such that its emitter is positioned closer to the negative input terminal 8 than the collector. The first contact 10A between the second resistance element 3B of the second transmission path 9B and the second NPN transistor 5B and the base of the first NPN transistor 5A are the third transmission path 9C. Connected by. The second contact 10B between the first NPN transistor 5A and the first resistance element 3A of the first transmission path 9A and the base of the second NPN transistor 5B are the fourth transmission path. Connected by 9D.

定電流回路6Aの動作を説明する。   The operation of the constant current circuit 6A will be described.

+入力端子7と−入力端子8の間に電圧が印加されると、第2の抵抗素子3Bによるバイアス抵抗によって第1のNPN型トランジスタ5Aのベースに電圧が印加され、第1のNPN型トランジスタ5Aがオンの状態となる。すると、第1のNPN型トランジスタ5Aのコレクタ−エミッタ間の導通が可能となり、LED2に電流が供給される。そのとき、+入力端子7から−入力端子8へと電流が流れることとなる。その際に、第1の抵抗素子3Aに電流が流れ、第2のNPN型トランジスタ5Bのベースに電圧が印加される。第1の伝送路9Aに流れる電流が多くなり、第2のNPN型トランジスタ5Bのベース電圧値が第2のNPN型トランジスタ5Bをオンにするような、所定の電圧値以上となると、第2のNPN型トランジスタ5Bのコレクタ−エミッタ間の導通が可能となる。すると、第2のNPN型トランジスタ5Bのベース−エミッタ間の電圧Vは一定に維持される。よって第1の抵抗素子3Aに流れる電流Iは、抵抗値をRとすると、I=V/Rとなり、一定となる。第1の抵抗素子3Aに流れる電流I1は、LED2へ流れる電流と同じであり、LED2へ流れる電流は「I」で一定となる。このようにして、LED2へと流れる電流、すなわち第1の伝送路9Aを流れる電流を一定にして、LED2の光度のばらつきを低減する。 When a voltage is applied between the + input terminal 7 and the − input terminal 8, a voltage is applied to the base of the first NPN transistor 5A by the bias resistance of the second resistance element 3B, and the first NPN transistor 5A is turned on. Then, conduction between the collector and emitter of the first NPN transistor 5A becomes possible, and current is supplied to the LED2. At that time, a current flows from the positive input terminal 7 to the negative input terminal 8. At that time, a current flows through the first resistance element 3A, and a voltage is applied to the base of the second NPN transistor 5B. When the current flowing through the first transmission line 9A increases and the base voltage value of the second NPN transistor 5B becomes equal to or higher than a predetermined voltage value that turns on the second NPN transistor 5B, Conduction between the collector and emitter of the NPN transistor 5B becomes possible. Then, the base of the second NPN-type transistor 5B - voltages V 1 between the emitter is kept constant. Therefore, the current I 1 flowing through the first resistance element 3A is constant as I 1 = V 1 / R 1 where the resistance value is R 1 . The current I1 flowing through the first resistance element 3A is the same as the current flowing through the LED 2, and the current flowing through the LED 2 is constant at “I 1 ”. In this way, the current flowing to the LED 2, that is, the current flowing through the first transmission path 9 </ b> A is made constant, and the variation in luminous intensity of the LED 2 is reduced.

次に、定電流回路6Aの具体的動作を説明する。   Next, a specific operation of the constant current circuit 6A will be described.

抵抗値をR1とする第1の抵抗素子3Aへ流れる電流が予め設定した制限電流(I=Vt/R1)に達すると、第2のNPN型トランジスタ5Bのベース電圧(=Vt=0.65V)以上となり、第2のNPN型トランジスタ5Bがオンの状態となる。そのとき、第1のNPN型トランジスタ5Aのベース電圧は約1.3Vに保持される。このようにして、LED2へと流れる電流を一定にする定電流動作をする。   When the current flowing to the first resistance element 3A having a resistance value R1 reaches a preset limit current (I = Vt / R1), the base voltage (= Vt = 0.65V) of the second NPN transistor 5B Thus, the second NPN transistor 5B is turned on. At that time, the base voltage of the first NPN transistor 5A is held at about 1.3V. In this way, a constant current operation is performed to keep the current flowing to the LED 2 constant.

ここで、図3(A)と図2の対応関係について説明する。   Here, the correspondence between FIG. 3A and FIG. 2 will be described.

図3(A)に示す+入力端子7、−入力端子8、第1の接点10Aおよび第2の接点10Bの位置は、図2(F)に示す発光部品1Aの底面図における外部端子電極15Fa〜15Fdの位置と対応する。+入力端子7に相当するのは、外部端子電極15Fbである。−入力端子8に相当するのは、外部端子電極15Fcである。第1の接点10Aに相当するのは、外部端子電極15Faであり、第2の接点10Bに相当するのは、外部端子電極15Fdである。第1の伝送路9Aに相当するのは、外部端子電極15Fb(+入力端子7に相当)からパッド15Caまでの導体15、パッド15Ca、パッド15CaとLED2のアノード端子を接続する金線16、LED2、LED2のカソード端子とパッド15Cbを接続する金線16、パッド15Cb、第1のNPN型トランジスタ5A、第1のNPN型トランジスタ5Aのエミッタ端子とパッド15Ccを接続する金線16、パッド15Cc、パッド15Ccから外部端子電極15Fdまでの導体15、外部端子電極15Fd(第2の接点10Bに相当)、第1の抵抗素子3Aの一方の抵抗用電極15B、抵抗体膜18、他方の抵抗用電極15Bから外部端子電極15Fcまでの導体15および外部端子電極15Fc(−入力端子8に相当)である。   The positions of the + input terminal 7, the −input terminal 8, the first contact 10A, and the second contact 10B shown in FIG. 3A are the positions of the external terminal electrode 15Fa in the bottom view of the light emitting component 1A shown in FIG. Corresponds to a position of ~ 15Fd. The external terminal electrode 15Fb corresponds to the positive input terminal 7. The external terminal electrode 15Fc corresponds to the input terminal 8. The external contact electrode 15Fa corresponds to the first contact 10A, and the external contact electrode 15Fd corresponds to the second contact 10B. The first transmission path 9A corresponds to the conductor 15 from the external terminal electrode 15Fb (corresponding to the + input terminal 7) to the pad 15Ca, the pad 15Ca, the gold wire 16 connecting the pad 15Ca and the anode terminal of the LED 2, and LED2 The gold wire 16 connecting the cathode terminal of the LED 2 and the pad 15Cb, the pad 15Cb, the first NPN transistor 5A, the gold wire 16 connecting the emitter terminal of the first NPN transistor 5A and the pad 15Cc, the pad 15Cc, the pad The conductor 15 from 15Cc to the external terminal electrode 15Fd, the external terminal electrode 15Fd (corresponding to the second contact 10B), one resistance electrode 15B of the first resistance element 3A, the resistor film 18, and the other resistance electrode 15B To the external terminal electrode 15Fc and the external terminal electrode 15Fc (corresponding to the negative input terminal 8). .

第2の伝送路9Bに相当するのは、外部端子電極15Fb(+入力端子7に相当)、第2の抵抗素子3Bの一方の抵抗用電極15B、抵抗体膜18、他方の抵抗用電極15B、他方の抵抗用電極15Bから外部端子電極15Faまでの導体15、外部端子電極15Fa、外部端子電極15Faからパッド15Cdまでの導体15、パッド15Cd、第2のNPN型トランジスタ5Bが載置されている浮島状の導体15、第2のNPN型トランジスタ5B、第2のNPN型トランジスタ5Bのエミッタ端子とパッド15Ceを接続する金線16、パッド15Ce、パッド15Ceから外部端子電極15Fcまでの導体15および外部端子電極15Fc(−入力端子8に相当)である。第1の接点10Aに相当するのは、外部端子電極15Faであり、パッド15Cdである。第3の伝送路9Cに相当するのは、パッド15Cdと第1のトランジスタ5Aのベース端子を接続する金線16である。第2の接点10Bに相当するのは、外部端子電極15Fdであり、またパッド15Cc、パッド15Ccとパッド15Cfを導通する導体15、およびパッド15Cfである。第4の伝送路9Dに相当するのは、パッド15Cfと第2のNPN型トランジスタ5Bのベース端子を接続する金線16である。   The second transmission path 9B corresponds to the external terminal electrode 15Fb (corresponding to the + input terminal 7), one resistance electrode 15B of the second resistance element 3B, the resistor film 18, and the other resistance electrode 15B. The conductor 15 from the other resistance electrode 15B to the external terminal electrode 15Fa, the external terminal electrode 15Fa, the conductor 15 from the external terminal electrode 15Fa to the pad 15Cd, the pad 15Cd, and the second NPN transistor 5B are mounted. The floating island-shaped conductor 15, the second NPN transistor 5B, the gold wire 16 connecting the emitter terminal of the second NPN transistor 5B and the pad 15Ce, the pad 15Ce, the conductor 15 from the pad 15Ce to the external terminal electrode 15Fc, and the outside The terminal electrode 15Fc (corresponding to the negative input terminal 8). The external terminal electrode 15Fa and the pad 15Cd correspond to the first contact 10A. Corresponding to the third transmission line 9C is a gold wire 16 connecting the pad 15Cd and the base terminal of the first transistor 5A. Corresponding to the second contact 10B is the external terminal electrode 15Fd, and the pad 15Cc, the conductor 15 that conducts the pad 15Cc and the pad 15Cf, and the pad 15Cf. Corresponding to the fourth transmission path 9D is a gold wire 16 that connects the pad 15Cf and the base terminal of the second NPN transistor 5B.

本発明の実施の形態に係る発光部品は、定電流回路6Aを用いた発光部品1A以外に、たとえば以下に説明する図3に示す定電流回路6Bを用いた発光部品1B(図4、図5参照)、図3に示す定電流回路6Cを用いた発光部品1C(図6、図7参照)、図3に示す定電流回路6Dを用いた発光部品1D(図8、図9参照)等とすることができる。   In addition to the light emitting component 1A using the constant current circuit 6A, the light emitting component according to the embodiment of the present invention, for example, the light emitting component 1B using the constant current circuit 6B shown in FIG. 3 described below (FIGS. 4 and 5). 3), a light emitting component 1C using the constant current circuit 6C shown in FIG. 3 (see FIGS. 6 and 7), a light emitting component 1D using the constant current circuit 6D shown in FIG. 3 (see FIGS. 8 and 9), etc. can do.

図3(B)に示す定電流回路6Bの回路構成について説明する。なお、定電流回路6Aの構成部品と同一の部材、同一の機能を有する部材には、定電流回路6A中の符号と同一の符号を付して説明する。   A circuit configuration of the constant current circuit 6B illustrated in FIG. Note that the same members and members having the same functions as the components of the constant current circuit 6A are denoted by the same reference numerals as those in the constant current circuit 6A.

定電流回路6Bは、+入力端子7と−入力端子8を有している。そして、+入力端子7と−入力端子8との間には、分岐する第1の伝送路9Aと第2の伝送路9Bとを有している。そして、第1の伝送路9Aには、+入力端子7側から順に、LED2、定電流回路6Aの第1のNPN型トランジスタ5Aに相当するNPN型トランジスタ5A、第1の抵抗素子3Aが接続されている。そして、NPN型トランジスタ5Aは、そのコレクタよりもエミッタを−入力端子8側に位置させるように配置されている。そして、第2の伝送路9Bには、+入力端子7側から順に、第2の抵抗素子3B、ダイオード11A,11Bが、そのアノードからカソードへの方向と+入力端子7から−入力端子8への方向とが一致するように直列に接続されている。そして、第2の伝送路9Bの第2の抵抗素子3Bとダイオード11の間の第1の接点10Aと、NPN型トランジスタ5Aのベースとが、第3の伝送路9Cによって接続されている。   The constant current circuit 6 </ b> B has a + input terminal 7 and a −input terminal 8. Between the + input terminal 7 and the − input terminal 8, a first transmission path 9A and a second transmission path 9B branch off. The first transmission line 9A is connected to the LED 2, the NPN transistor 5A corresponding to the first NPN transistor 5A of the constant current circuit 6A, and the first resistance element 3A in this order from the + input terminal 7 side. ing. The NPN transistor 5A is arranged such that the emitter is positioned closer to the negative input terminal 8 than the collector. In the second transmission line 9B, the second resistance element 3B and the diodes 11A and 11B are sequentially provided from the positive input terminal 7 side to the anode to the cathode and from the positive input terminal 7 to the negative input terminal 8. It is connected in series so that the direction of The first contact 10A between the second resistance element 3B and the diode 11 of the second transmission path 9B and the base of the NPN transistor 5A are connected by the third transmission path 9C.

次に、定電流回路6Bの動作を説明する。   Next, the operation of the constant current circuit 6B will be described.

+入力端子7と−入力端子8の間に電圧が印加されると、第2の抵抗素子3Bによるバイアス抵抗によってNPN型トランジスタ5Aのベースに電圧が印加され、NPN型トランジスタ5Aがオンの状態となる。すると、NPN型トランジスタ5Aのコレクタとエミッタとの間の導通が可能となり、LED2に電流が供給される。そのとき、+入力端子7から−入力端子8へと電流が流れることとなる。その際に、第1の抵抗素子3Aにも電流が流れる。他方、第2の伝送路9Bのダイオード11にも電流が流れる。このダイオード11に順方向に電流を流すと、ダイオード11自身の抵抗によって電圧降下する。すると、ダイオード11自身の抵抗値が急激に小さくなるため、余剰分の電流は第2の伝送路9Bを通る。ダイオード11の電圧降下は、ほぼ0.5V〜1Vと一定しており、2つのダイオード11A,11Bによってほぼ1V〜2Vの電圧降下が生じる。この電圧降下は、第1のNPN型トランジスタ5Aのベース−エミッタ間の電圧降下と第1の抵抗素子3Aによる電圧降下とを加えたものと等しくなる。この結果、第1の抵抗素子3Aの抵抗値をRとし、第1の接点10Aの電圧をVとしたとき、第1の抵抗素子3Aを流れる電流Iは、V/Rとなり、一定となる。このように、LED2へと流れる電流を一定にして、LED2の光度のばらつきを低減する。ここで、ダイオード11A,11Bを直列に接続している理由は、ダイオード11の電圧降下する電圧を調整するためである。ダイオード11の直列接続数は、その電圧降下する電圧をどの程度にするかによって適宜変更できる。 When a voltage is applied between the + input terminal 7 and the − input terminal 8, a voltage is applied to the base of the NPN transistor 5A by the bias resistance of the second resistance element 3B, and the NPN transistor 5A is turned on. Become. Then, conduction between the collector and the emitter of the NPN transistor 5A becomes possible, and current is supplied to the LED2. At that time, a current flows from the positive input terminal 7 to the negative input terminal 8. At that time, a current also flows through the first resistance element 3A. On the other hand, a current also flows through the diode 11 of the second transmission path 9B. When a current is passed through the diode 11 in the forward direction, the voltage drops due to the resistance of the diode 11 itself. Then, since the resistance value of the diode 11 itself decreases rapidly, the surplus current passes through the second transmission path 9B. The voltage drop of the diode 11 is constant at about 0.5V to 1V, and the voltage drop of about 1V to 2V is generated by the two diodes 11A and 11B. This voltage drop is equal to the sum of the voltage drop between the base and the emitter of the first NPN transistor 5A and the voltage drop due to the first resistance element 3A. As a result, the resistance of the first resistor element 3A and R 1, when the voltage of the first contact 10A was V 2, the current I 2 flowing through the first resistor element 3A is, V 2 / R 1 becomes It becomes constant. In this way, the current flowing to the LED 2 is made constant, and the variation in luminous intensity of the LED 2 is reduced. Here, the reason why the diodes 11A and 11B are connected in series is to adjust the voltage drop of the diode 11. The number of diodes 11 connected in series can be changed as appropriate depending on how much the voltage drops.

次に、定電流回路6Bの具体的動作を説明する。   Next, a specific operation of the constant current circuit 6B will be described.

+入力端子7から電源を供給すると同一特性の2つのダイオード11A,11Bの順方向電圧(この実施の形態ではVf=0.54V)によって、NPN型トランジスタ5Aのベース電圧(VB)が、(Vf×2=1.08V)となって、NPN型トランジスタ5Aがオンとなる。そしてNPN型トランジスタ5Aのエミッタ電圧(VE)は、(Vf×2−Vbe)となる。ここでVbeは、NPN型トランジスタ5Aのベース・エミッタ間電圧であり、0.65Vである。そのとき、第1の抵抗素子3Aの抵抗値Rを21.5Ωとする第1の抵抗素子3Aを有する第1の伝送路9Aに流れる電流(I)は、(VE/R=(0.54×2−0.65)/21.5)で制限され、定電流(20mA)となる。 When the power is supplied from the + input terminal 7, the base voltage (VB) of the NPN transistor 5A is (Vf) by the forward voltage of the two diodes 11A and 11B having the same characteristics (Vf = 0.54V in this embodiment). × 2 = 1.08V), and the NPN transistor 5A is turned on. The emitter voltage (VE) of the NPN transistor 5A is (Vf × 2−Vbe). Here, Vbe is a base-emitter voltage of the NPN transistor 5A and is 0.65V. At that time, the current (I 2 ) flowing through the first transmission line 9A having the first resistance element 3A in which the resistance value R 1 of the first resistance element 3A is 21.5Ω is (VE / R 1 = ( 0.54 × 2−0.65) /21.5) and a constant current (20 mA).

ここで、図3(B)に示される定電流回路6Bと、この定電流回路が実現されている発光部品1Bの構造を示す図4、図5の対応関係について説明する。図5(A)に示す+入力端子7、−入力端子8および第1の接点10Aの位置は、図5(F)に示す発光部品1Bの底面図における外部端子電極15Fe〜15Fgの位置と対応する。+入力端子7に相当するのは、外部端子電極15Ffである。−入力端子8に相当するのは、外部端子電極15Fgである。第1の接点10Aに相当するのは、外部端子電極15Feである。第1の伝送路9Aに相当するのは、外部端子電極15Ff(+入力端子7に相当)からパッド15Cgまでの導体15、パッド15Cg、パッド15CgとLED2のアノード端子を接続する金線16、LED2、LED2のカソード端子とパッド15Chを接続する金線16、パッド15Ch、パッド15Chに接続する浮島状の導体15、第1のNPN型トランジスタ5A、第1のNPN型トランジスタ5Aのエミッタ端子とパッド15Ciを接続する金線16、パッド15Ci、パッド15Ciから外部端子電極15Fhまでの導体15、外部端子電極15Fhおよび第1の抵抗素子3Aの一方の抵抗用電極15B、抵抗体膜18、他方の抵抗用電極15Bから外部端子電極15Fgまでの導体15および外部端子電極15Fg(−入力端子8に相当)である。   Here, the correspondence between the constant current circuit 6B shown in FIG. 3B and the structure of the light emitting component 1B in which the constant current circuit is realized will be described. The positions of the + input terminal 7, the −input terminal 8 and the first contact 10A shown in FIG. 5A correspond to the positions of the external terminal electrodes 15Fe to 15Fg in the bottom view of the light emitting component 1B shown in FIG. To do. The external terminal electrode 15Ff corresponds to the positive input terminal 7. The external terminal electrode 15Fg corresponds to the input terminal 8. The external terminal electrode 15Fe corresponds to the first contact 10A. The first transmission path 9A corresponds to the conductor 15 from the external terminal electrode 15Ff (corresponding to the + input terminal 7) to the pad 15Cg, the pad 15Cg, the gold wire 16 connecting the pad 15Cg and the anode terminal of the LED 2, and LED2 , The gold wire 16 connecting the cathode terminal of the LED 2 and the pad 15Ch, the pad 15Ch, the floating island-shaped conductor 15 connecting to the pad 15Ch, the first NPN transistor 5A, the emitter terminal of the first NPN transistor 5A and the pad 15Ci Gold wire 16 connecting pad 15, pad 15Ci, conductor 15 from pad 15Ci to external terminal electrode 15Fh, external terminal electrode 15Fh and one resistance electrode 15B of first resistance element 3A, resistor film 18, and the other resistance Conductor 15 and external terminal electrode 15Fg (-input) from electrode 15B to external terminal electrode 15Fg Which is equivalent to the terminal 8).

第2の伝送路9Bに相当するのは、第2の抵抗素子3Bの一方の抵抗用電極15B、抵抗体膜18、他方の抵抗用電極15B、他方の抵抗用電極15Bから外部端子電極15Feまでの導体15、外部端子電極15Fe、外部端子電極15Feからパッド15Cjまでの導体15、パッド15Cj、パッド15Cjと第1のダイオード11Aのアノード端子までの金線16、第1のダイオード11A、第1のダイオード11Aのカソード端子と接続する浮島状の導体15、その浮島状の導体15に接続するパッド15Ck、パッド15Ck、パッド15Ckと第2のダイオード11Bのアノード端子を接続する金線16、第2のダイオード11B、第2のダイオード11Bのカソード端子と接続する浮島状の導体15、その浮島状の導体15から外部端子電極15Fgまでの導体15および外部端子電極15Fg(−入力端子8に相当)である。第1の接点10Aに相当するのは、外部端子電極15Feであり、またパッド15Cjである。第3の伝送路9Cに相当するのは、パッド15Cjと第1のトランジスタ5Bのベース端子に接続する浮島状の導体15を接続する金線16およびその浮島状の導体15である。   The second transmission line 9B corresponds to one resistance electrode 15B of the second resistance element 3B, the resistor film 18, the other resistance electrode 15B, and the other resistance electrode 15B to the external terminal electrode 15Fe. Conductor 15, external terminal electrode 15Fe, conductor 15 from external terminal electrode 15Fe to pad 15Cj, pad 15Cj, pad 15Cj and gold wire 16 to the anode terminal of first diode 11A, first diode 11A, first diode The floating island-shaped conductor 15 connected to the cathode terminal of the diode 11A, the pad 15Ck connected to the floating island-shaped conductor 15, the pad 15Ck, the gold wire 16 connecting the pad 15Ck and the anode terminal of the second diode 11B, the second The floating island-shaped conductor 15 connected to the cathode terminal of the diode 11B, the second diode 11B, and the floating island-shaped conductor 15 Luo external terminal electrodes 15Fg to the conductor 15 and the external terminal electrodes 15Fg - (corresponding to the input terminal 8). The first contact 10A corresponds to the external terminal electrode 15Fe and the pad 15Cj. Corresponding to the third transmission line 9C is a gold wire 16 connecting the pad 15Cj and the floating island-shaped conductor 15 connected to the base terminal of the first transistor 5B and the floating island-shaped conductor 15.

次に、図3(C)に示す定電流回路6Cの回路構成について説明する。なお、定電流回路6Aの構成部品と同一の部材、同一の機能を有する部材には、定電流回路6A中の符号と同一の符号を付して説明する。   Next, a circuit configuration of the constant current circuit 6C illustrated in FIG. Note that the same members and members having the same functions as the components of the constant current circuit 6A are denoted by the same reference numerals as those in the constant current circuit 6A.

定電流回路6Cは、+入力端子7と−入力端子8を有している。そして、+入力端子7と−入力端子8との間には、分岐する第1の伝送路9Aと第2の伝送路9Bとを有している。そして、第1の伝送路9Aには、+入力端子7側から順に、LED2、NPN型トランジスタ5A、第1の抵抗素子3Aが接続されている。そして、NPN型トランジスタ5Aは、そのコレクタよりもエミッタを−入力端子8側に位置させるように配置されている。そして、第2の伝送路9Bには、+入力端子7側から順に、第2の抵抗素子3B、ダイオードであるツェナーダイオード11Cが、そのアノードからカソードへの方向と−入力端子8から+入力端子7への方向とが一致するように接続されている。そして、第2の伝送路9Bの第2の抵抗素子3Bとツェナーダイオード11Cの間の第1の接点10Aと、NPN型トランジスタ5のベースとが第3の伝送路9Cによって接続されている。   The constant current circuit 6 </ b> C has a + input terminal 7 and a − input terminal 8. Between the + input terminal 7 and the − input terminal 8, a first transmission path 9A and a second transmission path 9B branch off. The LED 2, the NPN transistor 5A, and the first resistance element 3A are connected to the first transmission path 9A in this order from the + input terminal 7 side. The NPN transistor 5A is arranged such that the emitter is positioned closer to the negative input terminal 8 than the collector. The second transmission line 9B includes, in order from the + input terminal 7 side, a second resistance element 3B and a Zener diode 11C that is a diode, in the direction from the anode to the cathode and from the −input terminal 8 to the + input terminal. 7 are connected so that the direction to 7 coincides. The first contact 10A between the second resistance element 3B of the second transmission path 9B and the Zener diode 11C and the base of the NPN transistor 5 are connected by the third transmission path 9C.

次に、定電流回路6Cの動作を説明する。   Next, the operation of the constant current circuit 6C will be described.

+入力端子7と−入力端子8の間に電圧が印加されると、第2の抵抗素子3Bによるバイアス抵抗によってNPN型トランジスタ5Aのベースに電圧が印加され、NPN型トランジスタ5Aがオンの状態となる。すると、NPN型トランジスタ5Aのコレクタ−エミッタ間の導通が可能となり、LED2に電流が供給される。そのとき、+入力端子7から−入力端子8へと電流が流れることとなる。その際に、第1の抵抗素子3Aにも電流が流れる。他方、第2の伝送路9Bのツェナーダイオード11Cにも電流が流れる。このツェナーダイオード11Cに逆方向に電流を流すと、ツェナーダイオード11Cの抵抗値が急激に小さくなるため、余剰分の電流は第2の伝送路9Bを通る。ツェナーダイオード11Cのツェナー電圧によって異なる電圧降下は、NPN型トランジスタ5Aのベース−エミッタ間の電圧降下と第1の抵抗素子3Aによる電圧降下とを加えたものと等しくなる。この結果、第1の抵抗素子3Aの抵抗値をRとし、第1の接点10Aの電圧をVとしたとき、第1の抵抗素子3Aを流れる電流Iは、V/Rとなり、一定となる。このように、LED2へと流れる電流を一定にして、LED2の光度のばらつきを低減する。 When a voltage is applied between the + input terminal 7 and the − input terminal 8, a voltage is applied to the base of the NPN transistor 5A by the bias resistance of the second resistance element 3B, and the NPN transistor 5A is turned on. Become. Then, conduction between the collector and the emitter of the NPN transistor 5A becomes possible, and current is supplied to the LED2. At that time, a current flows from the positive input terminal 7 to the negative input terminal 8. At that time, a current also flows through the first resistance element 3A. On the other hand, a current also flows through the Zener diode 11C of the second transmission path 9B. When a current is passed through the Zener diode 11C in the reverse direction, the resistance value of the Zener diode 11C decreases rapidly, so that the surplus current flows through the second transmission line 9B. The voltage drop depending on the Zener voltage of the Zener diode 11C is equal to the sum of the voltage drop between the base and the emitter of the NPN transistor 5A and the voltage drop due to the first resistance element 3A. As a result, the resistance of the first resistor element 3A and R 1, when the voltage of the first contact 10A and the V 3, the current I 3 flowing through the first resistor element 3A is, V 3 / R 1 becomes It becomes constant. In this way, the current flowing to the LED 2 is made constant, and the variation in luminous intensity of the LED 2 is reduced.

次に、定電流回路6Cの具体的動作を説明する。   Next, a specific operation of the constant current circuit 6C will be described.

+入力端子7と−入力端子8の間に電圧が印加されるとツェナーダイオード11Cのツェナー電圧(Vz=2.0V)によって、NPN型トランジスタ5Aのベース電圧(VB)がVzとなり、NPN型トランジスタ5Aがオンとなる。そしてNPN型トランジスタ5Aのエミッタ電圧(VE)は、(Vz−Vbe)となる。ここでVbeは、NPN型トランジスタ5Aのベース・エミッタ間電圧であり、0.65Vである。そのとき、第1の抵抗素子3A抵抗値Rを67.5Ωとする第1の抵抗素子3Aを有する第1の伝送路9Aに流れる電流(IE)は、(VE/R1=(2.0−0.65)/67.5)で制限され、定電流(20mA)となる。 When a voltage is applied between the positive input terminal 7 and the negative input terminal 8, the base voltage (VB) of the NPN transistor 5A becomes Vz due to the Zener voltage (Vz = 2.0V) of the Zener diode 11C, and the NPN transistor 5A is turned on. The emitter voltage (VE) of the NPN transistor 5A is (Vz−Vbe). Here, Vbe is a base-emitter voltage of the NPN transistor 5A and is 0.65V. Then, the current flowing through the first transmission line 9A having a first resistor element 3A to the first resistive element 3A resistance R 1 67.5Ω (IE) is, (VE / R1 = (2.0 -0.65) /67.5) and becomes a constant current (20 mA).

図3(A),(B),(C)に示した定電流回路6A,6B,6Cは、抵抗素子3を2個有し、2個の抵抗素子3の双方に対し、トリミングが施されている。こうすることで、複数の抵抗素子3を有する安定的な定電流回路6A,6B,6Cを構成できる。   The constant current circuits 6A, 6B, and 6C shown in FIGS. 3A, 3B, and 3C have two resistance elements 3, and both of the two resistance elements 3 are trimmed. ing. By doing so, stable constant current circuits 6A, 6B, 6C having a plurality of resistance elements 3 can be configured.

ここで、図3(C)に示しされる定電流回路6Cと、この定電流回路6Cが実現されている発光部品1Cの構造を示す図6、図7の対応関係について説明する。図7(A)に示す+入力端子7、−入力端子8および第1の接点10Aの位置は、図7(F)に示す発光部品1Bの底面図における外部端子電極15Fi〜15Fkの位置と対応する。図7(A)に示す外部端子電極15Fi,15Fj,15Fk,15Flの位置は、図7(F)に示す発光部品1Cの底面図における外部端子電極の位置と対応する。+入力端子7に相当するのは、外部端子電極15Fjである。−入力端子8に相当するのは、外部端子電極15Fkである。第1の接点10Aに相当するのは、外部端子電極15Fiである。第1の伝送路9Aに相当するのは、外部端子電極15Fj(+入力端子7に相当)からパッド15Clまでの導体15、パッド15Cl、パッド15ClとLED2のアノード端子を接続する金線16、LED2、LED2のカソード端子とパッド15Cmを接続する金線16、パッド15Cm、パッド15Cmに接続する浮島状の導体15、NPN型トランジスタ5Aのエミッタ端子とパッド15Cnを接続する金線16、パッド15Cn、パッド15Cnから外部端子電極15Flまでの導体15、外部端子電極15Flおよび第1の抵抗素子3Aの一方の抵抗用電極15B、抵抗体膜18、他方の抵抗用電極15Bから外部端子電極15Fkまでの導体15および外部端子電極15Fg(−入力端子8に相当)である。   Here, a correspondence relationship between the constant current circuit 6C shown in FIG. 3C and the structure of the light emitting component 1C in which the constant current circuit 6C is realized will be described. The positions of the + input terminal 7, the −input terminal 8, and the first contact 10A shown in FIG. 7A correspond to the positions of the external terminal electrodes 15Fi to 15Fk in the bottom view of the light emitting component 1B shown in FIG. To do. The positions of the external terminal electrodes 15Fi, 15Fj, 15Fk, and 15Fl shown in FIG. 7A correspond to the positions of the external terminal electrodes in the bottom view of the light emitting component 1C shown in FIG. The external terminal electrode 15Fj corresponds to the positive input terminal 7. The external terminal electrode 15Fk corresponds to the input terminal 8. The external terminal electrode 15Fi corresponds to the first contact 10A. The first transmission path 9A corresponds to the conductor 15 from the external terminal electrode 15Fj (corresponding to the + input terminal 7) to the pad 15Cl, the pad 15Cl, the gold wire 16 connecting the pad 15Cl and the anode terminal of the LED 2, LED2 The gold wire 16 that connects the cathode terminal of the LED 2 and the pad 15Cm, the pad 15Cm, the floating island-shaped conductor 15 that connects to the pad 15Cm, the gold wire 16 that connects the emitter terminal of the NPN transistor 5A and the pad 15Cn, the pad 15Cn, the pad The conductor 15 from 15Cn to the external terminal electrode 15F1, the external terminal electrode 15Fl and one resistance electrode 15B of the first resistance element 3A, the resistor film 18, and the conductor 15 from the other resistance electrode 15B to the external terminal electrode 15Fk And the external terminal electrode 15Fg (corresponding to the negative input terminal 8).

第2の伝送路9Bに相当するのは、第2の抵抗素子3Bの一方の抵抗用電極15B、抵抗体膜18、他方の抵抗用電極15B、他方の抵抗用電極15Bから外部端子電極15Fiまでの導体15、外部端子電極15Fi、外部端子電極15Fiからパッド15Coまでの導体15、パッド15Co、パッド15Coとツェナーダイオード11Cのカソード端子を接続する金線16、ツェナーダイオード11Cのアノード端子と接続する浮島状の導体15、その浮島状の導体15から外部端子電極15Fkまでの導体15および外部端子電極15Fg(−入力端子8に相当)である。第1の接点10Aに相当するのは、パッド15Coである。第3の伝送路9Cに相当するのは、パッド15Coと第1のトランジスタ5Bのベース端子に接続する浮島状の導体15を接続する金線16およびその浮島状の導体15である。   The second transmission path 9B corresponds to one resistance electrode 15B, the resistor film 18, the other resistance electrode 15B, and the other resistance electrode 15B to the external terminal electrode 15Fi of the second resistance element 3B. Conductor 15, external terminal electrode 15Fi, conductor 15 from external terminal electrode 15Fi to pad 15Co, pad 15Co, gold wire 16 connecting pad 15Co and the cathode terminal of Zener diode 11C, and floating island connecting to the anode terminal of Zener diode 11C Conductor 15, conductor 15 from floating island conductor 15 to external terminal electrode 15 Fk, and external terminal electrode 15 Fg (corresponding to −input terminal 8). The pad 15Co corresponds to the first contact 10A. Corresponding to the third transmission line 9C is the gold wire 16 connecting the pad 15Co and the floating island-shaped conductor 15 connected to the base terminal of the first transistor 5B and the floating island-shaped conductor 15.

今まで、抵抗素子3が2個配置される例を示したが、定電流回路の種類によっては、抵抗素子3が2個でなくても良い場合がある。たとえば、図3(D)に示す定電流回路6Dである。定電流回路6Dの回路構成について説明する。定電流回路6Dは、+入力端子7と−入力端子8を有している。そして、+入力端子7と−入力端子8との間には、+入力端子7側から順に、LED2、トランジスタの一種であるnチャネルの電界効果型トランジスタ5Cが配置されている。そして、一つの第3の抵抗素子3Cを介して、電界効果型トランジスタ5Cのゲートとドレインが短絡されている。   Up to now, an example in which two resistance elements 3 are arranged has been shown. However, depending on the type of constant current circuit, there may be cases where the number of resistance elements 3 is not two. For example, a constant current circuit 6D shown in FIG. The circuit configuration of the constant current circuit 6D will be described. The constant current circuit 6 </ b> D has a + input terminal 7 and a −input terminal 8. Between the + input terminal 7 and the − input terminal 8, an LED 2 and an n-channel field effect transistor 5C, which is a kind of transistor, are arranged in this order from the + input terminal 7 side. The gate and drain of the field effect transistor 5C are short-circuited through one third resistance element 3C.

定電流回路6Dの詳細を説明する。   Details of the constant current circuit 6D will be described.

定電流回路6Dでは、nチャネルの接合型電界効果型トランジスタ(JFET:Junction Field-Effect Transistor)5Cを用いている。JFET5Cは、ゲートとソースとの間の電圧(VGS)によってドレインとソースの間に流れる電流を制御することができる素子である。VGSが零Vの時にドレイン電流は最大の電流(IDSS)になる。VGSが零、すなわち、ゲートとソースを短絡した状態ではIDSS以上の電流は流せない。また、電源の電圧が十分であればIDSS以下の電流にもならない。この特性を利用して定電流回路6Dが構成され、LED2の光度のばらつきを低減する。ここで、ゲートとソースとの間に接続される一つの第3の抵抗素子3Cには、IDSSの調整、すなわちLED2の光度を調整するためのトリミング溝23が形成されている。   The constant current circuit 6D uses an n-channel junction field-effect transistor (JFET) 5C. The JFET 5C is an element that can control the current flowing between the drain and the source by the voltage (VGS) between the gate and the source. When VGS is zero V, the drain current becomes the maximum current (IDSS). When VGS is zero, that is, when the gate and the source are short-circuited, current exceeding IDSS cannot flow. Moreover, if the voltage of the power supply is sufficient, the current is not lower than IDSS. The constant current circuit 6D is configured using this characteristic, and the variation in luminous intensity of the LED 2 is reduced. Here, a trimming groove 23 for adjusting the IDSS, that is, adjusting the luminous intensity of the LED 2 is formed in one third resistance element 3C connected between the gate and the source.

定電流回路6Dでは、第3の抵抗素子3Cにトリミングを施すことによって、その抵抗値R3を調整する。そして、式「IDSS=VGS/R3」に基づいて、抵抗値R3の調整に伴ってIDSSを調整することができる。   In the constant current circuit 6D, the resistance value R3 is adjusted by trimming the third resistance element 3C. Based on the expression “IDSS = VGS / R3”, the IDSS can be adjusted along with the adjustment of the resistance value R3.

ここで、図3(D)に示される定電流回路6Dと、この定電流回路が実現されている発光部品1Dの構造を示す図8、図9の対応関係について説明する。図9(A)に示す+入力端子7、−入力端子8の位置は、図5(F)に示す発光部品1Bの底面図における外部端子電極15Fn〜15Foの位置と対応する。   Here, the correspondence between the constant current circuit 6D shown in FIG. 3D and the structure of the light emitting component 1D in which the constant current circuit is realized will be described. The positions of the + input terminal 7 and the − input terminal 8 shown in FIG. 9A correspond to the positions of the external terminal electrodes 15Fn to 15Fo in the bottom view of the light emitting component 1B shown in FIG.

+入力端子7に相当するのは、外部端子電極15Fnである。−入力端子8に相当するのは、外部端子電極15Foまたは外部端子電極15Fmである。外部端子電極15Foと外部端子電極15Fmは、基板4の表面において導体15によって導通している(図9(A)を参照)。+入力端子7からLED2のアノード端子までの伝送路は、外部端子電極15Fn(+入力端子7に相当)からパッド15Cpまでの導体15、パッド15Cp、パッド15CpとLED2のアノード端子を接続する金線16である。   The external terminal electrode 15Fn corresponds to the positive input terminal 7. -Corresponding to the input terminal 8 is the external terminal electrode 15Fo or the external terminal electrode 15Fm. The external terminal electrode 15Fo and the external terminal electrode 15Fm are electrically connected by the conductor 15 on the surface of the substrate 4 (see FIG. 9A). The transmission path from the + input terminal 7 to the anode terminal of the LED 2 is a conductor 15 from the external terminal electrode 15Fn (corresponding to the + input terminal 7) to the pad 15Cp, the pad 15Cp, the pad 15Cp, and the gold wire connecting the anode terminal of the LED 2 16.

LED2のカソード端子から電解効果型トランジスタ5Cのドレイン端子までの伝送路は、LED2のカソード端子とパッド15Cqを接続する金線16、パッド15Cq、パッド15Cqから電解効果型トランジスタ5Cのドレイン端子までの浮島状の導体15である。電解効果型トランジスタ5Cのソース端子から第3の抵抗素子3Cまでの伝送路は、電解効果型トランジスタ5Cのソース端子とパッド15Csを接続する金線16、パッド15Cs、パッド15Csから外部端子電極15Fpまでの導体15、外部端子電極15Fp、外部端子電極15Fpから抵抗用電極15Bまでの導体15およびその抵抗用電極15Bである。第3の抵抗素子3Cから電解効果型トランジスタ5Cのゲート端子までの伝送路は、外部端子電極15Fo(−入力端子8に相当)から抵抗用電極15Bまでの導体15およびその抵抗用電極15B、外部端子電極15Foからパッド15Crまでの導体15、パッド15Cr、パッド15Crと電解効果型トランジスタ5Cのゲート端子とを接続する金線16である。   The transmission path from the cathode terminal of the LED 2 to the drain terminal of the field effect transistor 5C is a floating wire from the cathode terminal of the LED 2 and the pad 15Cq, the pad 15Cq, the pad 15Cq to the drain terminal of the field effect transistor 5C. This is a conductor 15. The transmission path from the source terminal of the field effect transistor 5C to the third resistance element 3C is from the gold wire 16 connecting the source terminal of the field effect transistor 5C and the pad 15Cs, the pad 15Cs, the pad 15Cs to the external terminal electrode 15Fp. Conductor 15, external terminal electrode 15Fp, conductor 15 from external terminal electrode 15Fp to resistance electrode 15B, and resistance electrode 15B. The transmission path from the third resistance element 3C to the gate terminal of the field effect transistor 5C is the conductor 15 from the external terminal electrode 15Fo (corresponding to the −input terminal 8) to the resistance electrode 15B and its resistance electrode 15B, external The conductor 15 from the terminal electrode 15Fo to the pad 15Cr, the pad 15Cr, the pad 15Cr, and the gold wire 16 connecting the gate terminal of the field effect transistor 5C.

なお、定電流回路6Dの一つの第3の抵抗素子3Cに代えて、複数の抵抗素子を直列に接続させたものを用いることができる。そして、その複数の抵抗素子のうち、1つ以上に対してトリミングを施すことができる。また、2つ以上の抵抗素子にトリミングを施すことによって、トリミングによって抵抗素子が損傷する場合であっても、その損傷を1つの第3の抵抗素子3Cに集中させることなく、2つ以上の抵抗素子に分散させることができる。   In addition, it can replace with one 3rd resistive element 3C of constant current circuit 6D, and can use what connected the several resistive element in series. Then, trimming can be performed on one or more of the plurality of resistance elements. Further, by trimming two or more resistance elements, even if the resistance elements are damaged by the trimming, the two or more resistance elements are not concentrated on one third resistance element 3C. It can be dispersed in the element.

定電流回路6Aは、部品コストを低く抑えることができる点等で有利である。定電流回路6Bは、通電前後に渡る温度変化が小さい点等で有利である。定電流回路6Cは、通電前後に渡る温度変化が、さらに小さい点等で有利である。定電流回路6Dは、抵抗素子が一つで足り、部品コストが低いことに加え、第3の抵抗素子3Cを製造するコスト、後述するワイヤボンディングに係るコスト等の製造コストを低く抑えることができる点等で有利である。   The constant current circuit 6A is advantageous in that the component cost can be kept low. The constant current circuit 6B is advantageous in that the temperature change before and after energization is small. The constant current circuit 6C is advantageous in that the temperature change before and after energization is further small. In the constant current circuit 6D, only one resistance element is required, and the cost of parts can be reduced. In addition, the manufacturing cost such as the cost for manufacturing the third resistance element 3C and the cost for wire bonding described later can be kept low. This is advantageous in terms of points.

なお、図4には、定電流回路6Bを用いた場合の発光部品1Bの斜視図を、図5には、発光部品1Bの六面図を示している。図6には、定電流回路6Cを用いた場合の発光部品1Cの斜視図を、図7には発光部品1Cの六面図を示している。図8には、定電流回路6Dを用いた場合の発光部品1Dの斜視図を、図9には、発光部品1Dの六面図を示している。これらそれぞれの六面図は、(A)は平面図、(B)は正面図、(C)は右側面図、(D)は左側面図、(E)は背面図、(F)は底面図をそれぞれ示している。   4 shows a perspective view of the light emitting component 1B when the constant current circuit 6B is used, and FIG. 5 shows a six-sided view of the light emitting component 1B. 6 shows a perspective view of the light emitting component 1C when the constant current circuit 6C is used, and FIG. 7 shows a six-face view of the light emitting component 1C. FIG. 8 shows a perspective view of the light emitting component 1D when the constant current circuit 6D is used, and FIG. 9 shows a six-face view of the light emitting component 1D. In each of these six views, (A) is a plan view, (B) is a front view, (C) is a right side view, (D) is a left side view, (E) is a rear view, and (F) is a bottom view. Each figure is shown.

次に、本発明の実施の形態に係る発光部品1A,1B,1C,1Dの製造法について、図面を参照しながら、以下に説明する。なお、代表例として発光部品1Aについて詳細を説明し、発光部品1B,1C,1Dについては、相違点等を述べるにとどめる。   Next, a method for manufacturing the light emitting components 1A, 1B, 1C, 1D according to the embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. The light emitting component 1A will be described in detail as a representative example, and only the differences will be described for the light emitting components 1B, 1C, and 1D.

(発光部品1Aの製造法)
本発明の実施の形態に係る発光部品1Aの製造に当っては、表面に縦横に交差する線状分割部4Bを有し、線状分割部4Bで囲われる単位絶縁基板4Aの各々の、縦横の一方の辺の長さをx、他方の辺の長さをyとした場合、x/yの比の値が1以上1.5以下とした単位絶縁基板4Aを複数有する分割部付き大型絶縁基板4Cを用いる。そして、発光部品1Aの製造法は、この大型絶縁基板4Cの裏面であって、単位絶縁基板4A各々の裏面に抵抗値調整されていない抵抗素子仕掛品3’を配置する抵抗形成工程と、単位絶縁基板4A各々に、LED2と、トランジスタ5が分割部付き大型絶縁基板4Cの表面に配置されるように形成する配置工程と、単位絶縁基板4A毎に、定電流回路6Aを構成するように、抵抗素子仕掛品3’、LED2、トランジスタ5の相互間を接続する導体を配置する導体形成工程と、配置工程および導体形成工程の終了後に、単位絶縁基板4Aに配置される各LED2の光度が所定範囲となるよう各抵抗素子仕掛品3’の抵抗値を調整するトリミング工程と、トリミング工程の終了後に、線状分割部4Bに沿って分割部付き大型絶縁基板4Cを個々の単位絶縁基板4Aへと分割する分割工程と、を有する
(Method for manufacturing light-emitting component 1A)
In the manufacture of the light emitting component 1A according to the embodiment of the present invention, the vertical and horizontal directions of each of the unit insulating substrates 4A having the linear divided portions 4B intersecting the vertical and horizontal directions on the surface and surrounded by the linear divided portions 4B. When the length of one side is x and the length of the other side is y, the large-sized insulation with divided portions having a plurality of unit insulating substrates 4A in which the ratio of x / y is 1 or more and 1.5 or less A substrate 4C is used. And the manufacturing method of 1 A of light-emitting components is the back surface of this large insulated substrate 4C, Comprising: The resistance formation process which arrange | positions resistance element work-in-process 3 'by which resistance value adjustment is not carried out to each back surface of unit insulating substrate 4A, In each of the insulating substrates 4A, the LED 2 and the transistor 5 are disposed so as to be disposed on the surface of the large insulating substrate 4C with a dividing portion, and the constant current circuit 6A is configured for each unit insulating substrate 4A. The conductor forming step of arranging a conductor connecting the resistor element work 3 ′, the LED 2 and the transistor 5, and the luminous intensity of each LED 2 arranged on the unit insulating substrate 4A after the arrangement step and the conductor forming step are predetermined. After the trimming step for adjusting the resistance value of each resistance element work piece 3 ′ so as to be within the range and the trimming step are finished, the large-sized insulating substrate 4C with divided portions is individually separated along the linear divided portions 4B. Having a dividing step of dividing into position the insulating substrate 4A

さらに、本発明の実施の形態に係る発光部品1Aの製造法は、配置工程以前に、多数の貫通孔12Cを有する大型貫通部材12Dを、単位絶縁基板4A各々の表面に、貫通孔12Cの開口部が対向するように分割部付き大型絶縁基板4Cの表面に固着する固着工程を設け、分割工程の際に、分割部付き大型絶縁基板4Cと共に大型貫通部材12Dを個々の貫通部材12へと分割する。   Furthermore, in the method of manufacturing the light emitting component 1A according to the embodiment of the present invention, before the placement step, the large through member 12D having a large number of through holes 12C is provided on the surface of each unit insulating substrate 4A. A fixing process is provided for fixing the surface of the large insulating substrate 4C with the dividing portion so that the portions face each other, and the large penetrating member 12D is divided into individual penetrating members 12 together with the large insulating substrate 4C with the dividing portion in the dividing step. To do.

発光部品1Aの製造法を各工程に分けて説明する。   The manufacturing method of the light emitting component 1A will be described separately for each process.

図10および図11は、発光部品1Aを製造する過程を表した図である。各工程の説明に当たって、図10(B)(C)(D)(E)(F)(G)(H)、図11(A)(B)(C)(D)(E)(F)の図では、本来、分割部付き大型絶縁基板4C全体について示すべきだが、説明の便宜上、単位絶縁基板4A(先に示した基板4に相当)の大きさで示している。図10は、大型絶縁基板4C(基板4)の裏面側、図11は、大型絶縁基板4C(基板4)の表面側を示している。   10 and 11 are diagrams showing a process of manufacturing the light emitting component 1A. In description of each process, FIG. 10 (B) (C) (D) (E) (F) (G) (H), FIG. 11 (A) (B) (C) (D) (E) (F) In this figure, the entire large-sized insulating substrate 4C with divided portions is supposed to be shown as a whole, but for the convenience of explanation, it is shown in the size of the unit insulating substrate 4A (corresponding to the substrate 4 shown above). 10 shows the back surface side of the large insulating substrate 4C (substrate 4), and FIG. 11 shows the front surface side of the large insulating substrate 4C (substrate 4).

(抵抗形成工程)
まず、アルミナセラミックからなる分割部付き大型絶縁基板4Cを用意する(図10(A))。この分割部付き大型絶縁基板4Cは、表面に縦横に交差する縦横に線状分割部4B(分割用溝)およびスルーホール22を有している。抵抗形成工程は、この分割部付き大型絶縁基板4Cに対して行う。
(Resistance formation process)
First, a large-sized insulating substrate 4C with a divided portion made of alumina ceramic is prepared (FIG. 10A). The large insulating substrate 4C with divided portions has linear divided portions 4B (dividing grooves) and through holes 22 in the vertical and horizontal directions intersecting the surface in the vertical and horizontal directions. The resistance forming step is performed on the large insulating substrate 4C with the divided portions.

次に、導体15を分割部付き大型絶縁基板4Cへ形成する。図10(C)および図11(B)では、基板4の表裏面(図10(B)、図11(A))に対して、導体15を形成した状態を示している。導体15の一部は、配置の対象となる抵抗素子3の抵抗用電極15Bとなる。また導体15の一部は、図3に示す各種伝送路9A,9B,9C,9Dの一部、バンプ21の配置面、抵抗用電極15B、側面電極15Dおよび裏面電極15Eとなる。なお、基板4の表面側に形成する、浮島状の導体15は、LED2等を配置する際の配置位置の目印としての役割をも担っている。   Next, the conductor 15 is formed on the large insulating substrate 4 </ b> C with a dividing portion. 10C and 11B show a state where the conductor 15 is formed on the front and back surfaces of the substrate 4 (FIGS. 10B and 11A). A part of the conductor 15 becomes a resistance electrode 15B of the resistance element 3 to be arranged. Further, a part of the conductor 15 becomes a part of the various transmission lines 9A, 9B, 9C, 9D shown in FIG. 3, the arrangement surface of the bump 21, the resistance electrode 15B, the side electrode 15D, and the back electrode 15E. In addition, the floating island-shaped conductor 15 formed on the surface side of the substrate 4 also serves as a mark of an arrangement position when the LED 2 or the like is arranged.

導体15の形成方法について述べる。   A method for forming the conductor 15 will be described.

最初に分割部付き大型絶縁基板4Cの裏面に、銀−パラジウム合金粉末のメタルグレーズペースト(インク)を、スルーホール印刷法によって配置し、それを焼成して導体15を形成する(図10(C))。そして、分割部付き大型絶縁基板4Cの表面にも同様のスルーホール印刷を行い、焼成する(図11(B))。ここで、スルーホール印刷法とは、印刷面とは反対側の基板4面側からスルーホール22を介して吸気しながらスクリーン印刷を行うことである。このスルーホール印刷法によって、インクが分割部付き大型絶縁基板4Cのスルーホール22の内壁面の一部または全部を覆う。よって、分割部付き大型絶縁基板4Cの両面に対してスルーホール印刷を行うことで、スルーホール22の内壁面(=貫通孔の外周面)において、分割部付き大型絶縁基板4Cの表裏両面に形成した導体15が接続する。   First, a metal glaze paste (ink) of silver-palladium alloy powder is disposed on the back surface of the large insulating substrate 4C with a divided portion by a through-hole printing method, and fired to form a conductor 15 (FIG. 10C )). Then, the same through-hole printing is performed on the surface of the large insulating substrate 4C with the divided portions, and baked (FIG. 11B). Here, the through-hole printing method is to perform screen printing while suctioning from the surface of the substrate 4 opposite to the printing surface through the through-hole 22. By this through-hole printing method, the ink covers a part or all of the inner wall surface of the through-hole 22 of the large-sized insulating substrate 4C with a divided portion. Therefore, through-hole printing is performed on both surfaces of the large insulating substrate 4C with the division part, and the inner wall surface (= the outer peripheral surface of the through hole) of the through hole 22 is formed on both front and back surfaces of the large insulating substrate 4C with the division part. Conductor 15 is connected.

ここで、分割部付き大型絶縁基板4Cの裏面では、この後、図10(D)に示されるようにバンプ21の形成を行う。そうすることによって、後に抵抗素子3の抵抗体膜18がこの裏面に形成された後でもその抵抗体膜18よりも背丈が高い外部端子電極15Fa〜15Fdを形成することができる。このバンプ21の形成の際には、スルーホール印刷を行わず、先に形成した導体15のうち、後に外部端子電極15Fa〜15Fd(表面実装する際の実装面と対向する電極部分)となる基板4の端部に点在するように形成する。このバンプ21の形成時期は、現段階の導体15の形成時期とするのではなく、その後の抵抗体膜18の形成後、ガラス膜19の形成後、オーバーコート膜20の形成後、トリミング工程の後等とすることができる。   Here, bumps 21 are formed on the back surface of the large insulating substrate 4C with divided portions as shown in FIG. By doing so, it is possible to form the external terminal electrodes 15Fa to 15Fd having a height higher than that of the resistor film 18 even after the resistor film 18 of the resistor element 3 is formed on the back surface. When the bumps 21 are formed, through-hole printing is not performed, and among the conductors 15 formed earlier, a substrate that will later become external terminal electrodes 15Fa to 15Fd (electrode portions facing the mounting surface when surface-mounted) 4 are formed so as to be scattered at the ends of the four. The formation time of the bumps 21 is not the current formation time of the conductor 15, but after the formation of the resistor film 18, the formation of the glass film 19, the formation of the overcoat film 20, and the trimming process. It can be later.

なお、基板4の裏面に形成する2つの抵抗素子3A,3Bの2対の抵抗用電極15B間の距離は、異ならせている。この理由は、その2つの抵抗素子3A,3Bの抵抗値が大きく異なるのが求められ、後述する抵抗体ペーストの種類を異ならせるのみでは、各々の適正な抵抗値とすることが困難な場合があるためである。この2対の抵抗用電極15B間の距離は、等しくしても良いことは言うまでもない。   Note that the distance between the two pairs of resistance electrodes 15B of the two resistance elements 3A and 3B formed on the back surface of the substrate 4 is different. The reason is that the resistance values of the two resistance elements 3A and 3B are required to be greatly different, and it is difficult to obtain appropriate resistance values only by changing the type of resistor paste described later. Because there is. Needless to say, the distance between the two pairs of resistance electrodes 15B may be equal.

次に、表面にパッド15Ca,15Cb,15Cc,15Cd,15Ce,15Cfを形成する。ここでは、分割部付き大型絶縁基板4Cの表面に対して、金ペーストを用いたスクリーン印刷を行う。この金ペーストは、導体15と接触する位置に印刷配置する。パッド15Ca,15Cc,15Ce,15Cfは、基板4の裏面から表面へと電気接続されている表面側の導体15の先端部分と接触するよう印刷配置される。パッド15Cbは、後に第1のNPN型トランジスタ5Aが配置される浮島状の導体15と接触するように、パッド15Cdは、基板4の裏面から表面へと電気接続されている導体15の先端部分および後に第2のNPN型トランジスタ5Bが配置される浮島状の導体15と接触するように印刷配置する。その後、分割部付き大型絶縁基板4Cを焼成してパッド15Ca〜15Cfを固定する(図11(C)参照)。このパッド15Ca〜15Cfは、導体15とボンディングワイヤとなる金線16との接続を確実ならしめる役割を担う。   Next, pads 15Ca, 15Cb, 15Cc, 15Cd, 15Ce, and 15Cf are formed on the surface. Here, screen printing using a gold paste is performed on the surface of the large insulating substrate 4 </ b> C with a divided portion. This gold paste is printed and arranged at a position in contact with the conductor 15. The pads 15Ca, 15Cc, 15Ce, and 15Cf are arranged so as to be in contact with the front end portion of the conductor 15 on the front surface side that is electrically connected from the back surface to the front surface of the substrate 4. The pad 15Cd is connected to the floating island-like conductor 15 where the first NPN transistor 5A is disposed later, and the pad 15Cd is connected to the front end portion of the conductor 15 electrically connected from the back surface to the surface of the substrate 4 and The printed arrangement is made so as to come into contact with the floating island-like conductor 15 where the second NPN transistor 5B is arranged later. Thereafter, the large insulating substrate 4C with divided portions is baked to fix the pads 15Ca to 15Cf (see FIG. 11C). The pads 15Ca to 15Cf play a role of ensuring the connection between the conductor 15 and the gold wire 16 serving as a bonding wire.

次に抵抗体膜18を裏面に形成する。そこで、酸化ルテニウムと金属との混合粉末のメタルグレーズペースト(インク)を用い、分割部付き大型絶縁基板4Cの裏面の、対となる抵抗用電極15Bの双方に接触するように、スクリーン印刷によって配置し、それを焼成して形成する(図10(E)参照)。この結果、一対の抵抗用電極15Bの双方に抵抗体膜18が接触するように形成した抵抗素子仕掛品3’が形成される。この抵抗体膜18の形成は、もう一度インクの種類を変えて行う。そうすることで、2つの抵抗素子仕掛品3’の抵抗値を異ならせる。   Next, the resistor film 18 is formed on the back surface. Therefore, a metal glaze paste (ink) of a mixed powder of ruthenium oxide and metal is used and is arranged by screen printing so as to come into contact with both of the pair of resistance electrodes 15B on the back surface of the large insulating substrate 4C with a divided portion. Then, it is baked to form (see FIG. 10E). As a result, the resistor element work product 3 ′ formed so that the resistor film 18 is in contact with both the pair of resistance electrodes 15 </ b> B is formed. The resistor film 18 is formed again by changing the type of ink. By doing so, the resistance values of the two resistance element work-in-progress 3 'are made different.

次にガラス膜19を形成する。ここでは、ガラスペースト(インク)を用い、先に形成した抵抗体膜18のみならず、基板4(分割部付き大型絶縁基板4C)の裏面を、裏面電極15E,側面電極15Dおよびバンプ21の部分を除いて覆うようにスクリーン印刷によって配置し、それを焼成して形成する(図10(F)参照)。ここで、ガラス膜19は、抵抗用電極15Bと抵抗体膜18が重なり合う部分にも形成している。よって、この部分は、抵抗素子仕掛品3’の構成部分の中で最も厚みの大きい部分となる。ただし、ガラス膜19は、トリミング溝23の形成の際にトリミングされない部分の抵抗体膜18を保護するのが主たる役割である。よって、トリミング溝23の形成がされると想定できる領域のみにガラス膜19を形成することとしても良い。   Next, a glass film 19 is formed. Here, glass paste (ink) is used, and not only the resistor film 18 previously formed, but also the back surface of the substrate 4 (large insulating substrate 4C with a divided portion) is a portion of the back electrode 15E, the side electrode 15D and the bump 21. It is arranged by screen printing so as to cover except for and fired to form (see FIG. 10F). Here, the glass film 19 is also formed in a portion where the resistance electrode 15B and the resistor film 18 overlap. Therefore, this part is the thickest part among the constituent parts of the resistance element work-in-process 3 '. However, the glass film 19 mainly protects the portion of the resistor film 18 that is not trimmed when the trimming groove 23 is formed. Therefore, the glass film 19 may be formed only in a region where the trimming groove 23 can be assumed to be formed.

(配置工程)
次にLED2およびLED2と同等以上の背丈の2つのトランジスタ5を分割部付き大型絶縁基板4Cの表面に配置する。その際には図11(D)に示すように、基板4(単位絶縁基板4A)の中央の浮島状の導体15の上にLED2を配置する。そしてLED2の周囲の浮島状の導体15の上にトランジスタ5(具体的には第1、第2のトランジスタ5A,5B)を配置する。これらの配置作業の際には、チップマウンターを用いる。LED2およびトランジスタ5と、分割部付き大型絶縁基板4Cの表面との固着には熱硬化性の導電性樹脂接着剤(ダイボンディングペースト)を用いる。この接着剤は針先に付着させて、その針先を分割部付き大型絶縁基板4Cの表面の中心位置に配置されている浮島状の導体15に接触させることで供給する。また、注射器のようなシリンジを用いてその導電性樹脂接着剤を供給しても良い。なお、この工程によって、トタンジスタ5の底面にあるコレクタ端子と、浮島状の導体15とが電気接続する。
(Arrangement process)
Next, LED 2 and two transistors 5 having a height equal to or higher than that of LED 2 are arranged on the surface of the large insulating substrate 4C with a divided portion. At that time, as shown in FIG. 11D, the LED 2 is arranged on the floating island-shaped conductor 15 in the center of the substrate 4 (unit insulating substrate 4A). Then, the transistor 5 (specifically, the first and second transistors 5A and 5B) is disposed on the floating island-shaped conductor 15 around the LED 2. A chip mounter is used for these placement operations. A thermosetting conductive resin adhesive (die bonding paste) is used for fixing the LED 2 and the transistor 5 to the surface of the large insulating substrate 4 </ b> C with a divided portion. This adhesive is supplied by attaching it to the needle tip and bringing the needle tip into contact with the floating island-like conductor 15 arranged at the center position of the surface of the large insulating substrate 4C with a split portion. Alternatively, the conductive resin adhesive may be supplied using a syringe such as a syringe. In this step, the collector terminal on the bottom surface of the transistor 5 and the floating island-shaped conductor 15 are electrically connected.

以上の抵抗形成工程および配置工程は、図4および図5に示す発光部品1B、図6および図7に示す発光部品1C、図8および図9に示す発光部品1Dについても同様に行うことができる。導体15、パッド15Cg,15Ch,15Ci,15Cj,15Ck,15Cl,15Cm,15Cn,15Co,15Cp,15Cq,15Cr,15Csおよび抵抗体膜18の形成パターンは、各々図5、図7、図9に示すようにする。また、発光部品1Bの場合は、LED2、2つのダイオード11およびトランジスタ5Aを基板4の表面に配置する。発光部品1Cの場合は、LED2、ツェナーダイオード11Cおよびトランジスタ5Aを基板4の表面に配置する。発光部品1Dの場合は、LED2および電解効果型トランジスタ5Cを基板4の表面に配置する。   The above resistance forming step and arrangement step can be similarly performed for the light emitting component 1B shown in FIGS. 4 and 5, the light emitting component 1C shown in FIGS. 6 and 7, and the light emitting component 1D shown in FIGS. . The formation patterns of the conductor 15, the pads 15Cg, 15Ch, 15Ci, 15Cj, 15Ck, 15Cl, 15Cm, 15Cn, 15Co, 15Cp, 15Cq, 15Cr, 15Cs and the resistor film 18 are shown in FIGS. 5, 7, and 9, respectively. Like that. In the case of the light emitting component 1B, the LED 2, the two diodes 11, and the transistor 5A are arranged on the surface of the substrate 4. In the case of the light emitting component 1C, the LED 2, the Zener diode 11C, and the transistor 5A are arranged on the surface of the substrate 4. In the case of the light emitting component 1D, the LED 2 and the field effect transistor 5C are arranged on the surface of the substrate 4.

(導体形成工程)
この導体形成工程では、抵抗形成工程および配置工程で形成された導体15、パッド15C、抵抗素子仕掛品3’、LED2およびトランジスタ5が、図3(A)に示す定電流回路6Aを構成するように、6本の金線16を用いたワイヤボンディングを行う(図11(E)参照)。
(Conductor formation process)
In this conductor forming step, the conductor 15, the pad 15C, the resistor element work product 3 ′, the LED 2 and the transistor 5 formed in the resistance forming step and the arranging step constitute the constant current circuit 6A shown in FIG. Then, wire bonding using six gold wires 16 is performed (see FIG. 11E).

以上の導体形成工程は、図4および図5に示す発光部品1B、図6および図7に示す発光部品1C、図8および図9に示す発光部品1Dについても同様に行うことができる。定電流回路6Bを形成するには、配置工程において凹部13の底面にLED2および2つのダイオード(11A,11B)を配置し、導体形成工程では図3(B)の回路構成となるよう、金線16を用いてワイヤボンディングを行う。定電流回路6Cを形成するには、配置工程において凹部13の底面にLED2およびツェナーダイオード11Cを配置し、導体形成工程では図3(C)の回路構成となるよう、金線16を用いてワイヤボンディングを行う。定電流回路6Dを形成するには、抵抗形成工程において抵抗素子仕掛品3’を1つ形成し、かつ配置工程において、凹部13の底面にLED2および電解効果型トランジスタ5Cを配置し、導体形成工程では図3(D)の回路構成となるよう、金線16を用いてワイヤボンディングを行う。   The above conductor formation process can be similarly performed for the light-emitting component 1B shown in FIGS. 4 and 5, the light-emitting component 1C shown in FIGS. 6 and 7, and the light-emitting component 1D shown in FIGS. In order to form the constant current circuit 6B, the LED 2 and the two diodes (11A, 11B) are arranged on the bottom surface of the recess 13 in the arranging step, and the gold wire is formed so as to have the circuit configuration of FIG. 16 is used to perform wire bonding. In order to form the constant current circuit 6C, the LED 2 and the Zener diode 11C are arranged on the bottom surface of the recess 13 in the arranging step, and the wire is formed using the gold wire 16 so that the circuit configuration of FIG. Bonding is performed. In order to form the constant current circuit 6D, one resistance element work-in-process 3 ′ is formed in the resistance forming step, and in the arranging step, the LED 2 and the field effect transistor 5C are arranged on the bottom surface of the recess 13, and the conductor forming step Then, wire bonding is performed using the gold wire 16 so as to obtain the circuit configuration of FIG.

具体的な発光部品1Aの定電流回路6Aを形成するための、金線16を用いた導体形成工程を、図2(A)を参照しながら説明する。LED2のアノード端子とパッド15Caを接続する。この接続で、LED2のアノード端子と+入力端子7に相当する外部端子電極15Fbが接続される。そしてLED2のカソード端子とパッド15Cbを接続する。この接続で、LED2のカソード端子と第1のNPN型トランジスタ5Aのコレクタが接続される。そして、第1のNPN型トランジスタ5Aのエミッタ端子とパッド15Ccを接続する。この接続で、第1のNPN型トランジスタ5Aのエミッタ端子と第1の抵抗素子3Aに係る抵抗素子仕掛品3’(トリミングが施される前の第1の抵抗素子3A)が接続される。そして、第1のNPN型トランジスタ5Aのベース端子とパッド15Cdを接続する。この接続で、第1のNPN型トランジスタ5Aのベース端子と第2の抵抗素子3Bに係る抵抗素子仕掛品3’(トリミングが施される前の第2の抵抗素子3B)が接続される。そして、第2のNPN型トランジスタ5Bのエミッタ端子とパッド15Ceを接続する。この接続で、第2のNPN型トランジスタ5Bのエミッタ端子と−入力端子8に相当する外部端子電極15Fcが接続される。そして、第2のNPN型トランジスタ5Bのベース端子とパッド15Cfを接続する。この接続で、第2のNPN型トランジスタ5Bのベース端子と第1の抵抗素子3Aが接続される。   A conductor forming process using the gold wire 16 for forming a specific constant current circuit 6A of the light emitting component 1A will be described with reference to FIG. The anode terminal of LED2 and the pad 15Ca are connected. With this connection, the anode terminal of the LED 2 and the external terminal electrode 15Fb corresponding to the + input terminal 7 are connected. Then, the cathode terminal of the LED 2 and the pad 15Cb are connected. With this connection, the cathode terminal of the LED 2 and the collector of the first NPN transistor 5A are connected. Then, the emitter terminal of the first NPN transistor 5A and the pad 15Cc are connected. With this connection, the emitter terminal of the first NPN transistor 5A and the resistor element work product 3 '(first resistor element 3A before trimming) related to the first resistor element 3A are connected. Then, the base terminal of the first NPN transistor 5A and the pad 15Cd are connected. With this connection, the base terminal of the first NPN transistor 5A and the resistor element work product 3 '(second resistor element 3B before trimming) related to the second resistor element 3B are connected. Then, the emitter terminal of the second NPN transistor 5B and the pad 15Ce are connected. With this connection, the emitter terminal of the second NPN transistor 5B and the external terminal electrode 15Fc corresponding to the negative input terminal 8 are connected. Then, the base terminal of the second NPN transistor 5B and the pad 15Cf are connected. With this connection, the base terminal of the second NPN transistor 5B and the first resistance element 3A are connected.

発光部品1Bの定電流回路6B形成のための、金線16を用いた具体的な導体形成工程を、図5(A)を参照しながら説明する。LED2のアノード端子とパッド15Cgを接続する。この接続で、LED2のアノード端子と+入力端子7に相当する外部端子電極15Ffが接続される。そしてLED2のカソード端子とパッド15Chを接続する。この接続で、LED2のカソード端子とNPN型トランジスタ5Aのコレクタ端子が接続される。そして、NPN型トランジスタ5Aのエミッタ端子とパッド15Ciを接続する。この接続で、NPN型トランジスタ5Aのエミッタ端子と第1の抵抗素子3Aに係る抵抗素子仕掛品3’(トリミングが施される前の第1の抵抗素子3A)が接続される。そして、ダイオード11Aのアノード端子とパッド15Cjを接続する。この接続で、ダイオード11Aのアノード端子と第2の抵抗素子3Bに係る抵抗素子仕掛品3’が接続される。そして、NPN型トランジスタ5Aのベース端子とパッド15Cjを接続する。この接続で、NPN型トランジスタ5Aのベース端子と第2の抵抗素子3Bに係る抵抗素子仕掛品3’が接続される。そして、ダイオード11Bのアノード端子とパッド15Ckを接続する。この接続で、ダイオード11Aのカソード端子とダイオード11Bのアノード端子が接続される。   A specific conductor forming process using the gold wire 16 for forming the constant current circuit 6B of the light emitting component 1B will be described with reference to FIG. The anode terminal of LED2 and the pad 15Cg are connected. With this connection, the anode terminal of the LED 2 and the external terminal electrode 15Ff corresponding to the + input terminal 7 are connected. Then, the cathode terminal of the LED 2 and the pad 15Ch are connected. With this connection, the cathode terminal of the LED 2 and the collector terminal of the NPN transistor 5A are connected. Then, the emitter terminal of the NPN transistor 5A and the pad 15Ci are connected. With this connection, the emitter terminal of the NPN transistor 5A and the resistance element work product 3 'related to the first resistance element 3A (first resistance element 3A before trimming) are connected. Then, the anode terminal of the diode 11A and the pad 15Cj are connected. With this connection, the anode terminal of the diode 11A and the resistance element work-in-process 3 'related to the second resistance element 3B are connected. Then, the base terminal of the NPN transistor 5A and the pad 15Cj are connected. With this connection, the base terminal of the NPN transistor 5A and the resistor element work product 3 'related to the second resistor element 3B are connected. Then, the anode terminal of the diode 11B and the pad 15Ck are connected. With this connection, the cathode terminal of the diode 11A and the anode terminal of the diode 11B are connected.

次に、発光部品1Cの定電流回路6C形成のための、金線16を用いた具体的な導体形成工程を、図7(A)を参照しながら説明する。LED2のアノード端子とパッド15Clを接続する。この接続で、LED2のアノード端子と+入力端子7に相当する外部端子電極15Fjが接続される。そしてLED2のカソード端子とパッド15Cmを接続する。この接続で、LED2のカソード端子とNPN型トランジスタ5Aのコレクタ端子が接続される。そして、NPN型トランジスタ5Aのエミッタ端子とパッド15Cnを接続する。この接続で、NPN型トランジスタ5Aのエミッタ端子と第1の抵抗素子3Aに係る抵抗素子仕掛品3’が接続される。そして、ツェナーダイオード11Cのカソード端子とパッド15Coを接続する。この接続で、ツェナーダイオード11Cのカソード端子と第2の抵抗素子3Bに係る抵抗素子仕掛品3’が接続される。そして、NPN型トランジスタ5Aのベース端子とパッド15Coを接続する。この接続で、トランジスタ5Aのベース端子と第2の抵抗素子3Bに係る抵抗素子仕掛品3’が接続される。   Next, a specific conductor forming process using the gold wire 16 for forming the constant current circuit 6C of the light emitting component 1C will be described with reference to FIG. The anode terminal of LED2 and the pad 15Cl are connected. With this connection, the anode terminal of the LED 2 and the external terminal electrode 15Fj corresponding to the + input terminal 7 are connected. Then, the cathode terminal of the LED 2 and the pad 15Cm are connected. With this connection, the cathode terminal of the LED 2 and the collector terminal of the NPN transistor 5A are connected. Then, the emitter terminal of the NPN transistor 5A and the pad 15Cn are connected. With this connection, the emitter terminal of the NPN transistor 5A and the resistance element work product 3 'related to the first resistance element 3A are connected. Then, the cathode terminal of the Zener diode 11C and the pad 15Co are connected. With this connection, the cathode terminal of the Zener diode 11C and the resistance element work product 3 'related to the second resistance element 3B are connected. Then, the base terminal of the NPN transistor 5A and the pad 15Co are connected. With this connection, the base terminal of the transistor 5A and the resistor element work product 3 'related to the second resistor element 3B are connected.

発光部品1Dの定電流回路6D形成のための、金線16を用いた具体的な導体形成工程を、図9(A)を参照しながら説明する。LED2のアノード端子とパッド15Cpを接続する。この接続で、LED2のアノード端子と+入力端子7に相当する外部端子電極15Fnが接続される。そして、LED2のカソード端子とパッド15Cqを接続する。この接続で、LED2のカソード端子と電解効果型トランジスタ5Cのドレイン端子を接続する。そして、電解効果型トランジスタ5Cのゲート端子とソース端子をパッド15Crおよびパッド15Csに各々接続する。この接続で、電解効果型トランジスタ5Cのゲート端子とソース端子の間が第3の抵抗素子3Cに係る抵抗素子仕掛品3’を介して短絡される。   A specific conductor forming process using the gold wire 16 for forming the constant current circuit 6D of the light emitting component 1D will be described with reference to FIG. The anode terminal of LED2 and the pad 15Cp are connected. With this connection, the anode terminal of the LED 2 and the external terminal electrode 15Fn corresponding to the + input terminal 7 are connected. Then, the cathode terminal of the LED 2 and the pad 15Cq are connected. With this connection, the cathode terminal of the LED 2 and the drain terminal of the field effect transistor 5C are connected. Then, the gate terminal and the source terminal of the field effect transistor 5C are connected to the pad 15Cr and the pad 15Cs, respectively. With this connection, the gate terminal and the source terminal of the field effect transistor 5C are short-circuited via the resistor element work product 3 'related to the third resistor element 3C.

(固着工程)
次に行う固着工程について説明する。まず固着工程後の基板4の平面図を図11(F)に示す。そして、この固着工程の際に用いる大型貫通部材12Dの平面図を図11(G)に示す。大型貫通部材12Dは、多数に分割されることで、複数の貫通部材12を形成するものである。この大型貫通部材12Dは、液晶ポリマー成形体である。大型貫通部材12Dの裏面には、貫通部材用分割線12Eが、線状分割部4Bと同一の間隔で縦横に形成されている。また大型貫通部材12Dには、横方向の貫通部材用分割線12Eが形成されている部分の裏側、すなわち、表面に薄肉部12B(貫通部材12の薄肉部12に対応)が形成されている。さらに大型貫通部材12Dには、図1および図2に示すカソードマーク12Aに相当する部分を有している。
(Fixing process)
Next, the adhering process to be performed will be described. First, a plan view of the substrate 4 after the fixing step is shown in FIG. A plan view of the large penetrating member 12D used in the fixing step is shown in FIG. Large penetration member 12D forms a plurality of penetration members 12 by being divided into many. The large penetrating member 12D is a liquid crystal polymer molded body. On the back surface of the large penetrating member 12D, penetrating member dividing lines 12E are formed vertically and horizontally at the same intervals as the linear dividing portions 4B. The large penetrating member 12D is formed with a thin portion 12B (corresponding to the thin portion 12 of the penetrating member 12) on the back side of the portion where the penetrating member dividing line 12E in the horizontal direction is formed. Further, the large penetrating member 12D has a portion corresponding to the cathode mark 12A shown in FIGS.

固着工程では、配置工程が終了した分割部付き大型絶縁基板4Cの表面(LED2が配置されている側の面)と、大型貫通部材12Dの裏面(貫通部材用分割線12Eが形成されている側の面)とを熱硬化性接着剤(エポキシ系)を用いて固着する。この固着に際しては、大型貫通部材12Dの複数の貫通孔12Cの一つが1つのLED2および2つのトランジスタ5を囲うように、かつ、両者が有する縦横に形成された線状分割部4Bと貫通部材用分割線12Eとが重なり合うように固着する。この結果、貫通孔12Cと分割部付き大型絶縁基板4Cの表面とで多数の凹部13が形成される。   In the adhering step, the surface of the large insulating substrate 4C with the dividing portion after the disposing step (the surface on the side where the LED 2 is disposed) and the back surface of the large penetrating member 12D (the side on which the penetrating member dividing line 12E is formed) Are fixed using a thermosetting adhesive (epoxy system). At the time of fixing, the linear dividing portion 4B and the penetrating member formed so that one of the plurality of through holes 12C of the large penetrating member 12D surrounds one LED 2 and the two transistors 5 and which both have vertically and horizontally. The dividing line 12E is fixed so as to overlap. As a result, a large number of recesses 13 are formed between the through-holes 12C and the surface of the large insulating substrate 4C with divided portions.

なお、この固着工程の実施時期は、抵抗素子仕掛品3’を形成した直後や、トリミングを施した後であっても良い。ただし、配置工程および接続工程を終了させた後に固着工程を行うことで、貫通孔12Cが形成された状態で、LED2およびトランジスタ5の載置およびワイヤボンディングを行うことを避けることができ、作業性が良好となる。なお、後述するトリミングを施した後であると、光度のばらつきの低減化の面で若干劣ることとなる。   The fixing process may be performed immediately after the resistor element work-in-process 3 'is formed or after trimming. However, by performing the adhering process after the arrangement process and the connection process are completed, it is possible to avoid placing the LED 2 and the transistor 5 and performing wire bonding in a state where the through-hole 12C is formed. Becomes better. Note that, after performing trimming, which will be described later, it is slightly inferior in terms of reducing variations in luminous intensity.

(樹脂封止工程)
次に行う樹脂封止工程について説明する。凹部13の中のみに透光性樹脂(図示省略)を供給して、金線16、LED2およびトランジスタ5A,5Bを封止する。透光性樹脂にはシリコーン系接着剤を用いている。そして透光性樹脂の供給には、スクリーン印刷法を用いる。その供給後、分割部付き大型絶縁基板4Cを加熱して、透光性樹脂を硬化させる。このように、凹部13の中のみに透光性樹脂を配置することによって、線状分割部4Bに沿った基板領域に透光性樹脂が存在しないこととなる。よって、後述する分割工程において、分割部付き大型絶縁基板4Cの分割を阻害しない。なお、透光性樹脂を凹部13の外に溢れるように形成したり、表面側を凸形状としたり、凹形状としたりしても良いことは前述のとおりである。
(Resin sealing process)
Next, the resin sealing process to be performed will be described. Translucent resin (not shown) is supplied only into the recess 13 to seal the gold wire 16, the LED 2, and the transistors 5A and 5B. A silicone-based adhesive is used for the translucent resin. A screen printing method is used to supply the translucent resin. After the supply, the large insulating substrate 4C with the divided portions is heated to cure the translucent resin. Thus, by arranging the translucent resin only in the recess 13, the translucent resin does not exist in the substrate region along the linear division part 4 </ b> B. Therefore, in the dividing process described later, the division of the large insulating substrate 4C with the dividing portion is not hindered. As described above, the translucent resin may be formed so as to overflow the concave portion 13, or the surface side may be convex or concave.

(トリミング工程)
次に行うトリミング工程について説明する。トリミング工程では、2つの抵抗素子仕掛品3’の各々に対して、異なる指標(目標値)で抵抗値調整を行う。すなわち、以下のようにトリミング工程を進める。まず図3(A)に示す第2の抵抗素子3Bに係る一方の抵抗素子仕掛品3’(後に図3(A)に示す第2の抵抗素子3Bとなる)について、その両端の電極(図2(A)における外部端子電極15Faと外部端子電極15Fb)にトリミングプローブを接触させ、抵抗素子仕掛品3’の抵抗値を測定しながら、抵抗体膜18をガラス膜19と共にレーザー照射によって局部的に蒸発させて、トリミング溝23を形成する(図10(G)参照)。それによって目的とする抵抗値となるまで抵抗素子仕掛品3’の電流流路を狭める。
(Trimming process)
Next, the trimming process to be performed will be described. In the trimming step, the resistance value is adjusted with a different index (target value) for each of the two resistance element work-in-process 3 '. That is, the trimming process proceeds as follows. First, with respect to one resistor element work 3 ′ (to be later referred to as a second resistor element 3B shown in FIG. 3A) related to the second resistor element 3B shown in FIG. The trimming probe is brought into contact with the external terminal electrode 15Fa and the external terminal electrode 15Fb) in 2 (A), and the resistance film 18 is locally measured by laser irradiation with the glass film 19 while measuring the resistance value of the work piece 3 '. The trimming groove 23 is formed by evaporation (see FIG. 10G). Thereby, the current flow path of the resistance element work-in process 3 ′ is narrowed until the target resistance value is reached.

このトリミングをすることで、図3(A)に示す第1のNPN型トランジスタ5Aのバイアス電流を調整する。その結果、第1の伝送路9Aに電流を流して、発光部品1Aを発光させることができる。またこの結果、第2の抵抗素子3Bに係る抵抗素子仕掛品3’が完成した第2の抵抗素子3Bとなる。ここでガラス膜19は、トリミング溝23形成の際の抵抗体膜18の過剰な破壊を抑制するように作用する。なお、発光部品1B,1Cの場合にも同様に、第2の抵抗素子3Bに係る抵抗素子仕掛品3’に対してトリミングを行う。その際の、トリミングプローブを接触させる外部端子電極は、それぞれ図5(A)における、外部端子電極15Feと外部端子電極15Ff、図7(A)における、外部端子電極15Fiと外部端子電極15Fjである。   By performing this trimming, the bias current of the first NPN transistor 5A shown in FIG. 3A is adjusted. As a result, it is possible to cause the light emitting component 1A to emit light by flowing a current through the first transmission path 9A. As a result, the resistor element work 3 ′ related to the second resistor element 3 </ b> B becomes the completed second resistor element 3 </ b> B. Here, the glass film 19 acts to suppress excessive destruction of the resistor film 18 when the trimming groove 23 is formed. Similarly, in the case of the light-emitting components 1B and 1C, trimming is performed on the resistor element work product 3 'related to the second resistor element 3B. At this time, the external terminal electrodes with which the trimming probe is brought into contact are the external terminal electrode 15Fe and the external terminal electrode 15Ff in FIG. 5A, respectively, and the external terminal electrode 15Fi and the external terminal electrode 15Fj in FIG. .

その後、他方の第1の抵抗素子3Aに係る抵抗素子仕掛品3’(後に図3(A)に示す第1の抵抗素子3Aとなる)に対してトリミングを行う。このトリミングの際には、第1の抵抗素子3Aに係る抵抗素子仕掛品3’の両端(図2(A)における外部端子電極15Fcと外部端子電極15Fc)にトリミングプローブを接触させ、+入力端子7と−入力端子8の間に電流を流して、抵抗素子仕掛品3’に流れる電圧値を測定し、抵抗素子仕掛品3’の抵抗体膜18をガラス膜19と共にレーザー照射によって局部的に蒸発させて、トリミング溝23を形成する(図10(G)参照)。そして目的とする電圧値となるまで抵抗素子仕掛品3’の電流流路を狭める。   After that, trimming is performed on the resistor element work product 3 ′ related to the other first resistor element 3 </ b> A (to be the first resistor element 3 </ b> A shown in FIG. 3A). At the time of trimming, the trimming probe is brought into contact with both ends (external terminal electrode 15Fc and external terminal electrode 15Fc in FIG. 2A) of the resistor element work product 3 ′ related to the first resistor element 3A, and the + input terminal 7 and the input terminal 8 are passed through to measure the voltage value flowing through the resistor element work piece 3 ′, and the resistor film 18 of the resistor element work piece 3 ′ is locally irradiated with the glass film 19 by laser irradiation. The trimming groove 23 is formed by evaporation (see FIG. 10G). Then, the current flow path of the resistor element work product 3 ′ is narrowed until the target voltage value is reached.

この第1の抵抗素子3Aに係る抵抗素子仕掛品3’のトリミングをすることで、主として定電流回路6AがLED2へ供給する電流値を所定範囲(たとえば20mA)となるよう調整する。この結果、第1の抵抗素子3Aに係る第1の抵抗素子3Aに係る抵抗素子仕掛品3’が完成した第1の抵抗素子3Aとなる。また、第1の抵抗素子3Aのトリミングの際には、第1の抵抗素子3Aに定電圧を印加したときの特定の電流値を目標値として抵抗値の調整をするようにしても良い。   By trimming the resistance element work-in-process 3 ′ related to the first resistance element 3 </ b> A, the current value supplied mainly to the LED 2 by the constant current circuit 6 </ b> A is adjusted to be within a predetermined range (for example, 20 mA). As a result, the resistor element work 3 ′ relating to the first resistor element 3 </ b> A relating to the first resistor element 3 </ b> A becomes the completed first resistor element 3 </ b> A. Further, when trimming the first resistance element 3A, the resistance value may be adjusted using a specific current value when a constant voltage is applied to the first resistance element 3A as a target value.

なお、発光部品1B,1C,1Dの場合も同様のトリミングを行う。その際、発光部品1B,1Cの第2の抵抗素子3Bに係る抵抗素子仕掛品3’、に対し、トリミングプローブを接触させる外部端子電極は、それぞれ図5(A)における、外部端子電極15Ffと外部端子電極15Fe、図7(A)における、外部端子電極15Fjと外部端子電極15Fiである。また、第1の抵抗素子3Aに係る抵抗素子仕掛品3’に対し、トリミングプローブを接触させる外部端子電極は、それぞれ図5(A)における、外部端子電極15Fhと外部端子電極15Fg、図7(A)における、外部端子電極15Flと外部端子電極15Fkである。また、発光部品1Dの第3の抵抗素子3Cに係る抵抗素子仕掛品3’に対し、トリミングプローブを接触させる外部端子電極は、外部端子電極15Fpと外部端子電極15Foである。   The same trimming is performed for the light emitting components 1B, 1C, and 1D. At that time, the external terminal electrodes that are brought into contact with the trimming probe with respect to the resistive element work 3 ′ related to the second resistive element 3B of the light emitting components 1B and 1C are the external terminal electrode 15Ff and the external terminal electrode 15Ff in FIG. The external terminal electrode 15Fe is the external terminal electrode 15Fj and the external terminal electrode 15Fi in FIG. Further, the external terminal electrodes with which the trimming probe is brought into contact with the resistance element work 3 ′ according to the first resistance element 3A are the external terminal electrode 15Fh and the external terminal electrode 15Fg in FIG. The external terminal electrode 15Fl and the external terminal electrode 15Fk in A). In addition, the external terminal electrodes with which the trimming probe is brought into contact with the resistor element work product 3 'related to the third resistor element 3C of the light emitting component 1D are the external terminal electrode 15Fp and the external terminal electrode 15Fo.

定電流回路6Aは、通電によって、または光が照射されることによって第1、第2のNPN型トランジスタ5A,5BおよびLED2の発熱等による特性変化が起こる。しかし、本発明の実施の形態に係るトリミング工程では、図3(A)に示す+入力端子7と−入力端子8の間に電流を流しながらトリミングを行い、所定の定電流となるようにする。よって、その特性変化を踏まえた上で、第1の抵抗素子3Aのトリミングをすることとなるため、現実に使用する際の状態を考慮した、精度の高いトリミングを行うことができる。   The constant current circuit 6A changes its characteristics due to heat generation of the first and second NPN transistors 5A and 5B and the LED 2 when energized or irradiated with light. However, in the trimming process according to the embodiment of the present invention, trimming is performed while a current is passed between the + input terminal 7 and the − input terminal 8 shown in FIG. . Therefore, since the first resistance element 3A is trimmed in consideration of the characteristic change, trimming with high accuracy can be performed in consideration of a state in actual use.

このトリミング工程を行うに当たっては、第1の抵抗素子3Aに流れる電流値を測定しながら行っている。この電流値に代えて、LED2の光度を測定しながらトリミング工程を行うことができる。すなわち、トリミング工程終了の指標を、LED2の光度とするのである。LED2の光度を測定しながらのトリミング工程の一例の様子を示す簡略図を図12に示す。図12では、トリミング工程を経ていない1個の発光部品1Aについて示しているが、実際は、後述する分割工程前の状態でこのトリミング工程が行われる。   The trimming process is performed while measuring the value of the current flowing through the first resistance element 3A. Instead of this current value, the trimming process can be performed while measuring the luminous intensity of the LED 2. That is, the index of the end of the trimming process is the luminous intensity of the LED 2. A simplified diagram showing an example of the trimming process while measuring the luminous intensity of the LED 2 is shown in FIG. Although FIG. 12 shows one light-emitting component 1A that has not undergone the trimming process, the trimming process is actually performed in a state before the division process described later.

図12では、トリミング工程を経ていない発光部品1A(仕掛品、以下図12の説明について同じ。)を動作させながら、トリミング装置24から発せられたレーザ光25を抵抗素子仕掛品3’の抵抗体膜18部分にガラス膜19を破り照射して、ガラス膜19と抵抗体膜18にトリミング溝23を形成している。そして、トリミング溝23の形成に伴うLED2の発光(符号27で示す)の光度の変化を光度計26にて測定している。目的となる光度を得ることができたなら、レーザー光(符合25で示す)の照射を止める。   In FIG. 12, while operating the light emitting component 1A that has not undergone the trimming process (work in progress, the same applies to the description of FIG. 12 below), the laser light 25 emitted from the trimming device 24 is applied to the resistor of the resistance element work in progress 3 ′. The glass film 19 is broken and irradiated to the film 18 portion to form a trimming groove 23 in the glass film 19 and the resistor film 18. Then, a change in luminous intensity of light emission (indicated by reference numeral 27) of the LED 2 accompanying the formation of the trimming groove 23 is measured by a photometer 26. When the target light intensity can be obtained, the irradiation of laser light (indicated by reference numeral 25) is stopped.

LED2の光度を測定しながらのトリミング工程および前述の本発明の実施の形態に係るトリミング工程において、LED2が配置される側の分割部付き大型絶縁基板4Cの表面側へは、反対側の基板面側からの光が入ってこないような遮蔽手段(たとえば図12に示す遮蔽板28)を設けておくことが好ましい。その理由は、レーザー光25等の光がLED2の発する光に混入すると、精度の高いLED2の光度の測定が困難となるためである。また、蒸発した抵抗体膜18およびガラス膜19が、冷却して粉末状となり、LED2の発光面に付着して発光部材1A,1B,1C,1Dの光度に影響する等の不都合を、その遮蔽手段によって抑制できるためである。この、粉末がLED2の発光面に付着するのを防止する効果は、第2の抵抗素子3Bの抵抗値を測定しながら行うトリミング工程でも得ることができる。なお、この付着防止効果は、図12に示すように、基板4におけるLED2の配置面と抵抗素子仕掛品3’の配置面を異ならせていること、すなわち互いに反対となる面としていることで、LED2と抵抗素子仕掛品3’の距離を大きく取っているため、少なからず得られている。この遮蔽手段としては、遮蔽版28を設けずに、または遮蔽版28を設けることに加えて、粉末を吸引する、または粉末をLED2とは反対側へと吹き飛ばす手段等とすることができる。また遮蔽手段は、図に示すような平面角型の箱形状ではなく、円筒形状としたり、遮蔽板の側面28bを設けず、底部28aのみとしたりしても良い。   In the trimming step while measuring the luminous intensity of the LED 2 and the trimming step according to the above-described embodiment of the present invention, the substrate surface on the side opposite to the surface side of the large insulating substrate 4C with the divided portion on the side where the LED 2 is disposed. It is preferable to provide a shielding means (for example, a shielding plate 28 shown in FIG. 12) that prevents light from the side from entering. The reason is that when light such as the laser beam 25 is mixed into the light emitted from the LED 2, it is difficult to measure the light intensity of the LED 2 with high accuracy. Further, the evaporated resistor film 18 and the glass film 19 are cooled to become powdery, which adheres to the light emitting surface of the LED 2 and blocks inconveniences such as affecting the luminous intensity of the light emitting members 1A, 1B, 1C, 1D. This is because it can be suppressed by means. The effect of preventing the powder from adhering to the light emitting surface of the LED 2 can also be obtained in a trimming step performed while measuring the resistance value of the second resistance element 3B. In addition, as shown in FIG. 12, this adhesion prevention effect is that the arrangement surface of the LED 2 on the substrate 4 and the arrangement surface of the resistor element work piece 3 ′ are different, that is, the surfaces opposite to each other. Since the distance between the LED 2 and the resistance element work-in-process 3 'is large, it is obtained not a little. As the shielding means, without providing the shielding plate 28, or in addition to providing the shielding plate 28, a means for sucking the powder or blowing the powder away from the LED 2 can be used. Further, the shielding means may be a cylindrical shape instead of the flat rectangular box shape as shown in the figure, or may be only the bottom portion 28a without providing the side surface 28b of the shielding plate.

また、LED2の光度を測定しながらトリミング工程を行うことは、LED2の輝度を測定しながらトリミング工程を行うこと(特許文献1参照)に比べ、好ましい。光度とは、発光体の放つ光の強さであり、光源からある方向に向かう単位立体角に含まれる光束の大きさである。輝度とは、発光体の単位面積当たりの明るさである。よって輝度は光源からの距離によって値が異なることとなるが、光度は光源からの距離によって値が異なることはない。トリミング工程では光源から光度計までの距離が変わってくることが想定できる。よって、LED2の光度を測定しながらトリミング工程を行うことが好ましい。   In addition, it is preferable to perform the trimming process while measuring the luminous intensity of the LED 2 as compared to performing the trimming process while measuring the luminance of the LED 2 (see Patent Document 1). Luminous intensity is the intensity of light emitted from a light emitter, and is the magnitude of a light beam included in a unit solid angle from a light source in a certain direction. Luminance is the brightness per unit area of the light emitter. Therefore, the luminance value varies depending on the distance from the light source, but the luminous intensity does not vary depending on the distance from the light source. In the trimming process, it can be assumed that the distance from the light source to the photometer changes. Therefore, it is preferable to perform the trimming process while measuring the luminous intensity of the LED 2.

(オーバーコート形成工程)
この工程では、トリミング工程で形成したトリミング溝23を被覆するように、エポキシ系樹脂ペーストを用いた樹脂膜を形成し、オーバーコート20を配置する。そのためには、先に形成した2つの抵抗素子3のトリミング溝23を両方とも覆うようにスクリーン印刷によって帯状にエポキシ樹脂を配置し、それを熱硬化する(図10(H)参照)。ここで、オーバーコート20は、抵抗体膜18と抵抗用電極15Bの重なり部分にまで及ばないようにしている。その理由は、抵抗体幕18と抵抗用電極15Bの重なり部分まで覆うと、その部分の皮膜がバンプ21の形成部分よりも背丈が高くなってしまい、実装性が良好でなくなることがあるためである。
(Overcoat formation process)
In this step, a resin film using an epoxy resin paste is formed so as to cover the trimming groove 23 formed in the trimming step, and the overcoat 20 is disposed. For this purpose, an epoxy resin is disposed in a band shape by screen printing so as to cover both the trimming grooves 23 of the two resistance elements 3 formed earlier, and is thermally cured (see FIG. 10H). Here, the overcoat 20 does not reach the overlapping portion of the resistor film 18 and the resistance electrode 15B. The reason is that if the overlapping portion of the resistor curtain 18 and the resistor electrode 15B is covered, the film of that portion becomes taller than the portion where the bump 21 is formed, and the mountability may not be good. is there.

(分割工程)
次に行う分割工程について説明する。まず分割部付き大型絶縁基板4Cの、縦横に交差する線状分割部4B(分割用溝)の縦または横の一方の分割用の溝を開く方向に応力を付与する。この実施の形態では、薄肉部12Bに沿った分割用の溝に沿って応力を与える。すると、アルミナセラミックが線状分割部4Bの線に沿って破壊する。それに伴って、破壊した線状分割部4Bと重なり合う位置にある大型貫通部材12Dの貫通部材用分割線12E(分割用溝)も破壊される。その結果、多数の短冊状の基板4Eを得ることができる(図11(H)参照)。以下、この工程を一次分割工程と記す。図11(H)では、作図の便宜上短冊状の基板4Eを、貫通部材12側についてのみ描き、かつ貫通孔12C内の部品は省略している。
(Division process)
Next, the division process to be performed will be described. First, stress is applied in the direction of opening one of the vertical or horizontal dividing grooves of the linear dividing section 4B (dividing grooves) intersecting the vertical and horizontal directions of the large insulating substrate 4C with divided sections. In this embodiment, a stress is applied along the dividing groove along the thin wall portion 12B. Then, the alumina ceramic breaks along the line of the linear division part 4B. Along with this, the penetrating member dividing line 12E (dividing groove) of the large penetrating member 12D at the position overlapping the broken linear dividing portion 4B is also destroyed. As a result, a large number of strip-shaped substrates 4E can be obtained (see FIG. 11H). Hereinafter, this process is referred to as a primary division process. In FIG. 11 (H), the strip-shaped substrate 4E is drawn only on the penetrating member 12 side for convenience of drawing, and the components in the through hole 12C are omitted.

次いで、短冊状の基板4Eに残されている、分割部付き大型絶縁基板4Cおよび大型貫通部材12Dの他方の貫通部材用分割線12E(分割用溝)を開く方向に応力を付与する。すると、アルミナセラミックが線状分割部4Bの線に沿って破壊される。それと共に、破壊した線状分割部4Bと重なり合う位置にある大型貫通部材12Dの分割用溝も破壊される。その結果、多数の貫通部材12付き単位絶縁基板4A、すなわち発光部品1Aを得ることができる(図11(I)参照)。以下、この工程を二次分割工程と記す。図11(I)では、作図の便宜上、発光部品1Aを、貫通孔12C内の部品を描かずに貫通部材12側についてのみ描いている。以上で分割工程が終了する。   Next, stress is applied in the direction of opening the large through-hole insulating substrate 4C with divided portions and the other penetrating member dividing line 12E (dividing groove) remaining on the strip-shaped substrate 4E. Then, the alumina ceramic is broken along the line of the linear division part 4B. At the same time, the dividing groove of the large penetrating member 12D at the position overlapping the broken linear dividing portion 4B is also destroyed. As a result, a large number of unit insulating substrates 4A with penetrating members 12, that is, light-emitting components 1A can be obtained (see FIG. 11I). Hereinafter, this process is referred to as a secondary division process. In FIG. 11 (I), for convenience of drawing, the light emitting component 1A is drawn only on the penetrating member 12 side without drawing the components in the through hole 12C. This completes the dividing step.

ここで、線状分割部4Bを分割用溝とせず、ダイシングソーを用いて線状分割部4Bおよび貫通部材用分割線12Eに沿って縦横に切断(分割)することもできる。このダイシングソーを用いた分割は、一次および二次分割について行うことができる。また、ダイシングソーを用いた分割は、一次分割についてのみ行い、二次分割については、分割用溝を開くように応力付与する方法を採用することもできる。この分割用溝を開くように応力付与する方法は、製造コストを低く抑えることができる利点がある。また、ダイシングソーを用いた分割は、分割位置精度が高い利点および発光部品1A,1B,1C,1Dが小型化した場合でも容易に対応できる利点を有している。また、ダイシングソーを用いた分割を行う場合は、線状分割部4Bおよび貫通部材用分割線12Eは溝でなくても良いし、線状分割部4Bおよび貫通部材用分割線12Eは不可視のものであっても良い。   Here, the linear dividing portion 4B can be cut (divided) vertically and horizontally along the linear dividing portion 4B and the penetrating member dividing line 12E by using a dicing saw instead of the dividing groove. The division using the dicing saw can be performed for primary and secondary division. Moreover, the division | segmentation using a dicing saw is performed only about primary division | segmentation, and the method of giving stress so that the groove | channel for division | segmentation may be employ | adopted about secondary division | segmentation. The method of applying stress so as to open the dividing grooves has an advantage that the manufacturing cost can be kept low. In addition, the division using the dicing saw has an advantage that the division position accuracy is high and that the light emitting components 1A, 1B, 1C, and 1D can be easily dealt with even if they are downsized. Further, when the division using a dicing saw is performed, the linear dividing portion 4B and the penetrating member dividing line 12E may not be grooves, and the linear dividing portion 4B and the penetrating member dividing line 12E are invisible. It may be.

また、薄肉部12Bは、縦横に形成された線状分割部4Bおよび貫通部材用分割線12Eの横方向のみに沿って設けている。しかし、分割工程をより精度良く行うためには、その横方向ばかりでなく、縦方向に沿っても設けることが好ましい。しかし、薄肉部12Bは発光部品1Aの発光機能に寄与しないため、発光部品1Aの小型化を図る上では極力薄肉部12Bを設けないことが好ましい。   Moreover, the thin part 12B is provided along only the horizontal direction of the linear dividing part 4B and the dividing line 12E for penetrating member formed vertically and horizontally. However, in order to perform the dividing step with higher accuracy, it is preferable to provide not only in the horizontal direction but also in the vertical direction. However, since the thin portion 12B does not contribute to the light emitting function of the light emitting component 1A, it is preferable not to provide the thin portion 12B as much as possible in order to reduce the size of the light emitting component 1A.

(めっき工程)
次に、得られた多数の単位絶縁基板4Aの外部端子電極15Fa〜15Fdの表面に、ニッケルめっき、はんだめっきをこの順に行う。これら外部端子電極15Fa〜15Fdの表面に上述したバレルめっき法によってニッケルめっき層およびはんだめっき層を各々形成する。ニッケルめっき層およびはんだめっき層の厚みは、各々3μmから12μmとなるようにめっき時間、めっき浴の温度等のめっき条件を調整して行う。以上でめっき工程が終了する。また、以上で発光部品1Aの製造法が終了する。また、同様にして発光部品1B,1C,1Dが製造される。
(Plating process)
Next, nickel plating and solder plating are performed in this order on the surfaces of the external terminal electrodes 15Fa to 15Fd of the many unit insulating substrates 4A obtained. A nickel plating layer and a solder plating layer are respectively formed on the surfaces of the external terminal electrodes 15Fa to 15Fd by the barrel plating method described above. The thickness of the nickel plating layer and the solder plating layer is adjusted by adjusting the plating conditions such as the plating time and the temperature of the plating bath so as to be 3 μm to 12 μm, respectively. This completes the plating process. Further, the manufacturing method of the light emitting component 1A is completed. Similarly, the light emitting components 1B, 1C, and 1D are manufactured.

以上、本発明の実施の形態に係る発光部品1A,1B,1C,1Dおよびその製造法について説明したが、本発明の要旨を逸脱しない限り種々変更実施可能である。たとえば、単位絶縁基板4Aのx/yの比の値は、1.0,1.1,1.2,1.3,1.4または1.5等とすることができる。なお、複数の発光部品1A,1B,1C,1Dを密に並べ、それに伴って複数の発光素子であるLED2を密に配置できることが好ましいことから、x/yの値は1.0〜1.3の間が好ましい。   The light emitting components 1A, 1B, 1C, 1D and the manufacturing method thereof according to the embodiment of the present invention have been described above, but various modifications can be made without departing from the gist of the present invention. For example, the value of the x / y ratio of the unit insulating substrate 4A can be 1.0, 1.1, 1.2, 1.3, 1.4, 1.5, or the like. In addition, since it is preferable that the plurality of light emitting components 1A, 1B, 1C, and 1D are arranged closely and accordingly the LEDs 2 that are a plurality of light emitting elements can be arranged densely, the value of x / y is 1.0 to 1.. Between 3 is preferred.

また、本発明の実施の形態に係る発光部品1A,1B,1C,1Dは、LED2を1つとしている。しかし、複数のLED2を用いて、それらを直列および/または並列に接続して、発光部品1A,1B,1C,1Dを構成することができる。   Moreover, the light emitting components 1A, 1B, 1C, and 1D according to the embodiment of the present invention have one LED 2. However, the light emitting components 1A, 1B, 1C, and 1D can be configured by using a plurality of LEDs 2 and connecting them in series and / or in parallel.

本発明の実施の形態に係る発光部品1A,1B,1C,1Dの、定電流回路6A,6B,6C,6D、貫通部材12、パッド15C、透光性封止樹脂17、オーバーコート膜20、バンプ21、ニッケルめっき層およびはんだめっき層は必須ではない。そのため、これらのうちの1つまたは複数を省略または変更しても良い。たとえば、定電流回路6A,6B,6C,6Dに代えて定電圧回路を発光部品1A,1B,1C,1Dの構成要素とすることができる。また本発明の実施の形態に係る発光部品1A,1B,1C,1Dの製造法では、樹脂封止工程、めっき工程は必須でなく、一方または両方を省略しても良く、基板4にLTCCを用いる場合等には固着工程は必須でないため、省略しても良い。また、導体15は、スクリーン印刷法等によって厚膜形成した後に、その表面にニッケル−金合金等のシートめっきを施しても良い。   Constant current circuits 6A, 6B, 6C, 6D, penetrating member 12, pad 15C, translucent sealing resin 17, overcoat film 20 of light emitting components 1A, 1B, 1C, 1D according to the embodiment of the present invention, The bump 21, the nickel plating layer, and the solder plating layer are not essential. Therefore, one or more of these may be omitted or changed. For example, instead of the constant current circuits 6A, 6B, 6C, 6D, a constant voltage circuit can be used as a component of the light emitting components 1A, 1B, 1C, 1D. Moreover, in the manufacturing method of the light emitting components 1A, 1B, 1C, and 1D according to the embodiment of the present invention, the resin sealing step and the plating step are not essential, and one or both may be omitted. Since the fixing process is not essential when used, it may be omitted. The conductor 15 may be formed with a thick film by a screen printing method or the like, and then subjected to sheet plating such as a nickel-gold alloy on the surface thereof.

本発明の実施の形態に係る発光部品1Aの製造法における、固着工程、樹脂封止工程、トリミング工程、オーバーコート形成工程、分割工程およびめっき工程は、図4および図5に示す発光部品1B、図6および図7に示す発光部品1C、図8および図9に示す発光部品1Dの製造法についても同様に行うことができる。また、上述のように、その一部の工程を省略しても良い。   The fixing process, resin sealing process, trimming process, overcoat forming process, dividing process, and plating process in the method of manufacturing the light emitting component 1A according to the embodiment of the present invention include the light emitting component 1B shown in FIGS. The manufacturing method of the light emitting component 1C shown in FIGS. 6 and 7 and the light emitting component 1D shown in FIGS. 8 and 9 can be similarly performed. Further, as described above, some of the steps may be omitted.

また、上述の製造法では、導体15を形成した後に、LED2等の部品を配置したが、LED2等の部品を配置した後に、金線16で各部品をつなぎ、定電流回路6A,6B,6C,6Dを形成しても良い。また金線16を使用せずに、全て導体15で各部品を接続するようにしても良い。   In the manufacturing method described above, the components such as the LED 2 are arranged after the conductor 15 is formed. However, after the components such as the LED 2 are arranged, the components are connected by the gold wire 16 and the constant current circuits 6A, 6B, 6C. , 6D may be formed. Further, the parts may be connected by the conductor 15 without using the gold wire 16.

また、この実施の形態では、駆動用回路部材の一部または全部が、発光素子となるLED2の周囲に配置されているが、その配置は、LED2の周囲180度以上から360度に渡って配置されるのが、光の分散や部品の接続の容易さ等の面で好ましい。また、NPN型トランジスタ5A,5Bが、LED2を中心として略120度、同方向に離れて配置されている。この配置は90度以上180度以下の範囲で離して配置するのが光の分散等の上で好ましい。   In this embodiment, a part or all of the driving circuit member is arranged around the LED 2 serving as the light emitting element, but the arrangement is arranged from 180 degrees or more to 360 degrees around the LED 2. It is preferable in terms of dispersion of light and easy connection of components. Further, the NPN transistors 5A and 5B are arranged approximately 120 degrees apart from each other in the same direction with the LED 2 as the center. In terms of light dispersion and the like, it is preferable that the arrangement be separated within a range of 90 ° to 180 °.

さらに、背丈が高い部品をLED2の周囲に3つ以上配置する場合は、発光部品を中心として120度ずつ3分割した領域を仮想したとき、その3分割した領域に各1つ以上部品を配置するのが好ましい。また、金線16の配置も各実施の形態に見られるように、発光素子となるLED2の周囲180度以上に渡って配置するのが光の分散、金線16の接続性の面等で好ましい。この効果は、金線16の配置が240度以上になるとさらに向上するので、金線16をLED2の周囲240度以上となるように配置しても良い。なお、駆動用回路部材や金線16の配置関係は、凹部13が存在しない発光部品について適用できる。   Furthermore, when three or more parts having high height are arranged around the LED 2, when an area divided into three parts by 120 degrees around the light emitting part is assumed, one or more parts are arranged in each of the three divided areas. Is preferred. In addition, as shown in each embodiment, the arrangement of the gold wire 16 is preferably arranged over 180 degrees around the LED 2 serving as a light emitting element in terms of light dispersion, the connectivity of the gold wire 16, and the like. . Since this effect is further improved when the arrangement of the gold wire 16 is 240 degrees or more, the gold wire 16 may be arranged so that the circumference of the LED 2 is 240 degrees or more. The arrangement relationship of the driving circuit member and the gold wire 16 can be applied to a light emitting component in which the concave portion 13 does not exist.

また、本発明の実施の形態に係る発光部品1Aの外部端子電極15Fa〜15Fd、発光部品1Bの外部端子電極15Fe〜15Fg、発光部品1Cの外部端子電極15Fi〜15Fk、発光部品1Dの外部端子電極15Fn〜15Foは、部品の電気接続方法によって、それら各々の機能を適宜異ならせることができる。たとえば、+入力端子、−入力端子の位置、トリミング工程においてトリミングプローブを接触させる位置は、適宜異ならせることができる。   Further, the external terminal electrodes 15Fa to 15Fd of the light emitting component 1A according to the embodiment of the present invention, the external terminal electrodes 15Fe to 15Fg of the light emitting component 1B, the external terminal electrodes 15Fi to 15Fk of the light emitting component 1C, and the external terminal electrodes of the light emitting component 1D. The functions of 15Fn to 15Fo can be appropriately changed depending on the electrical connection method of components. For example, the positions of the + input terminal and the − input terminal and the position where the trimming probe is brought into contact in the trimming process can be appropriately changed.

本発明の実施の形態に係る発光部品の斜視図である。It is a perspective view of the light emitting component which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係る発光部品の六面図で、(A)は発光部品の平面図、(B)は正面図、(C)は右側面図、(D)は左側面図、(E)は背面図、(F)は底面図をそれぞれ示している。FIG. 6 is a six-sided view of a light-emitting component according to an embodiment of the present invention, where (A) is a plan view of the light-emitting component, (B) is a front view, (C) is a right-side view, (D) is a left-side view, E) is a rear view, and (F) is a bottom view. 本発明の実施の形態に係る発光部品に用いられる定電流回路の回路図である。It is a circuit diagram of the constant current circuit used for the light emitting component which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係る発光部品の斜視図である。It is a perspective view of the light emitting component which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係る発光部品の六面図で、(A)は発光部品の平面図、(B)は正面図、(C)は右側面図、(D)は左側面図、(E)は背面図、(F)は底面図をそれぞれ示している。FIG. 6 is a six-sided view of a light-emitting component according to an embodiment of the present invention, where (A) is a plan view of the light-emitting component, (B) is a front view, (C) is a right-side view, (D) is a left-side view, E) is a rear view, and (F) is a bottom view. 本発明の実施の形態に係る発光部品の斜視図である。It is a perspective view of the light emitting component which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係る発光部品の六面図で、(A)は発光部品の平面図、(B)は正面図、(C)は右側面図、(D)は左側面図、(E)は背面図、(F)は底面図をそれぞれ示している。FIG. 6 is a six-sided view of a light-emitting component according to an embodiment of the present invention, where (A) is a plan view of the light-emitting component, (B) is a front view, (C) is a right-side view, (D) is a left-side view, E) is a rear view, and (F) is a bottom view. 本発明の実施の形態に係る発光部品の斜視図である。It is a perspective view of the light emitting component which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係る発光部品の六面図で、(A)は発光部品の平面図、(B)は正面図、(C)は右側面図、(D)は左側面図、(E)は背面図、(F)は底面図をそれぞれ示している。FIG. 6 is a six-sided view of a light-emitting component according to an embodiment of the present invention, where (A) is a plan view of the light-emitting component, (B) is a front view, (C) is a right-side view, (D) is a left-side view, E) is a rear view, and (F) is a bottom view. 本発明の実施の形態に係る発光部品の製造法の過程を示す図である。It is a figure which shows the process of the manufacturing method of the light emitting component which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係る発光部品の製造法の過程を示す図である。It is a figure which shows the process of the manufacturing method of the light emitting component which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係る発光部品の製造法におけるトリミング工程の一例の様子を示す簡略図である。It is a simplified diagram showing a state of an example of a trimming step in a method for manufacturing a light emitting component according to an embodiment of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

1A,1B,1C,1D 発光部品
2 LED
3,3A.3B,3C 抵抗素子
4 基板
6,6A,6B,6C,6D 定電流回路
12 貫通部材
12C 貫通孔
13 凹部
1A, 1B, 1C, 1D Light emitting component 2 LED
3, 3A. 3B, 3C Resistance element 4 Substrate 6, 6A, 6B, 6C, 6D Constant current circuit 12 Through member 12C Through hole 13 Recess

Claims (7)

基板面に光を発する発光素子およびその駆動用回路部材が配置される発光部品において、
上記発光素子は、上記基板面の中央に配置され、上記駆動用回路部材の一部または全部は、上記基板面における上記発光素子の周囲に配置されていることを特徴とする発光部品。
In a light-emitting component in which a light-emitting element that emits light on a substrate surface and a circuit member for driving the light-emitting element are arranged,
The light emitting element is disposed in the center of the substrate surface, and a part or all of the driving circuit member is disposed around the light emitting element on the substrate surface.
基板面に光を発する発光素子およびその駆動用回路部材が配置される発光部品において、
上記駆動用回路部材の一部または全部は、上記基板面における上記発光素子の周囲180度以上に渡って配置されていることを特徴とする発光部品。
In a light-emitting component in which a light-emitting element that emits light on a substrate surface and a circuit member for driving the light-emitting element are arranged,
A part or all of the driving circuit member is disposed over 180 degrees or more around the light emitting element on the substrate surface.
前記基板は、凹部を有し、上記凹部の底面に前記発光素子、および前記その駆動用回路部材の一部または全部が配置されていることを特徴とする請求項1または2記載の発光部品。   The light-emitting component according to claim 1, wherein the substrate has a recess, and the light-emitting element and a part or all of the driving circuit member are disposed on a bottom surface of the recess. 前記発光部品は、貫通孔を有する貫通部材を有し、上記貫通部材は上記貫通孔の開口部が前記基板面に対向するように前記基板面に固着され、前記発光素子、および前記その駆動用回路部材の一部または全部が上記貫通孔の中に収容されていることを特徴とする請求項1または2記載の発光部品。   The light emitting component includes a penetrating member having a through hole, and the penetrating member is fixed to the substrate surface such that an opening of the through hole faces the substrate surface. The light emitting component according to claim 1 or 2, wherein a part or all of the circuit member is accommodated in the through hole. 前記凹部または前記貫通孔の内部には、透光性の樹脂が充填され、上記透光性の樹脂は、前記凹部または前記貫通孔の内部から外部に渡って存することなく、前記凹部または前記貫通孔の内部のみに存していることを特徴とする請求項3または4記載の発光部品。   The inside of the recess or the through hole is filled with a translucent resin, and the translucent resin does not exist from the inside of the recess or the through hole to the outside, but the recess or the through hole. The light-emitting component according to claim 3, wherein the light-emitting component is present only inside the hole. 前記駆動用回路部材は、抵抗素子を複数有し、上記複数の抵抗素子が、前記発光素子が配置される前記基板面とは逆側の基板面に配置されていることを特徴とする請求項1,2,3,4または5のいずれか1項に記載の発光部品。   The drive circuit member includes a plurality of resistance elements, and the plurality of resistance elements are disposed on a substrate surface opposite to the substrate surface on which the light emitting elements are disposed. The light-emitting component according to any one of 1, 2, 3, 4, and 5. 前記駆動用回路部材は、その一部または全部で定電流回路を構成し、上記定電流回路は複数の抵抗素子を有し、上記複数の抵抗素子のうち2つ以上が、前記発光素子が配置される前記基板面とは逆側の基板面に配置され、かつ前記発光素子の光度が所定範囲となるよう抵抗値調整されていることを特徴とする請求項6に記載の発光部品。   The driving circuit member constitutes a constant current circuit by part or all of the driving circuit member, and the constant current circuit includes a plurality of resistance elements, and two or more of the plurality of resistance elements are arranged with the light emitting elements. The light-emitting component according to claim 6, wherein the light-emitting component is disposed on a substrate surface opposite to the substrate surface, and the resistance value is adjusted so that the luminous intensity of the light-emitting element is within a predetermined range.
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