JP2008211038A - Substrate-treating device - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等(以下、単に「基板」と称する)に対して所定の処理を行う基板処理装置に係り、特に、処理液から基板を引き上げつつ、基板に乾燥気体を供給して乾燥処理を行う技術に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus that performs a predetermined process on a semiconductor substrate, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a photomask, a substrate for an optical disk, etc. (hereinafter simply referred to as “substrate”). The present invention relates to a technique for performing a drying process by supplying a drying gas to a substrate while pulling up the substrate from a processing liquid.
従来、この種の装置として、処理液を貯留する処理槽と、基板を保持しつつ、基板を処理槽内の処理位置と処理槽の上方位置とにわたって昇降させるリフタ機構と、処理槽の上端面に沿う方向にドライエアを供給するエア供給部を備えたものがある(例えば、特許文献1参照)。 Conventionally, as this type of apparatus, a processing tank for storing a processing liquid, a lifter mechanism that moves the substrate up and down between a processing position in the processing tank and an upper position of the processing tank while holding the substrate, and an upper end surface of the processing tank There is one provided with an air supply unit that supplies dry air in a direction along the direction (for example, see Patent Document 1).
このように構成される装置では、まず、基板を処理位置で処理液に浸漬させて洗浄等の処理を行う。このとき、処理槽の下部から処理液を供給して、処理槽の上部から常に処理液が溢れている(オーバーフロー)状態にしてもよい。洗浄等の処理が終了すると、処理槽への処理液の供給を停止した状態で、基板を処理位置から上方位置へ上昇させるとともに、エア供給部が処理液の液面から露出した基板にドライエアを供給する。処理液をオーバーフローさせていなので処理液の液面は荒れ・乱れが抑えられた状態であり、ドライエアを処理槽の上端面に沿って供給しても、基板にパーティクルが付着したり、ウォーターマークが発生することを防ぐことができる。
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置は、基板やリフタ機構が処理液中から引き上げられるのに伴い、処理液の液面の高さは徐々に低下する。しかしながら、供給される乾燥気体の流路(風路)は一定である。このため、基板を上昇させるにつれて、基板が液面から露出し始める位置が乾燥気体の流路から外れていく。
However, the conventional example having such a configuration has the following problems.
That is, in the conventional apparatus, as the substrate and the lifter mechanism are pulled up from the processing liquid, the height of the liquid level of the processing liquid gradually decreases. However, the flow path (air path) of the supplied dry gas is constant. For this reason, as the substrate is raised, the position at which the substrate begins to be exposed from the liquid surface deviates from the dry gas flow path.
図6にその様子を例示する。図6(a)は、基板が処理位置にあるときの状態を示しており、図6(b)〜(d)は、図6(a)の状態から各位置に基板を上昇させたときの様子を示している。なお、図6の各図において、符号61は処理槽を示し、符号63はリフタ機構を示し、符号65はエア供給部を示す。
This is illustrated in FIG. FIG. 6A shows a state when the substrate is at the processing position, and FIGS. 6B to 6D show the state where the substrate is raised to each position from the state of FIG. 6A. It shows a state. In addition, in each figure of FIG. 6, the code |
図示するように、基板Wを引き上げるにつれて処理液の液面が低下するので、基板Wが露出し始める位置とドライエアの流路Aとの位置関係が変化し、主として基板面の鉛直方向にかけて基板Wの乾燥状態がばらつくという不都合がある。 As shown in the figure, since the liquid level of the processing liquid decreases as the substrate W is pulled up, the positional relationship between the position where the substrate W begins to be exposed and the flow path A of the dry air changes, and the substrate W mainly extends in the vertical direction of the substrate surface. There is an inconvenience that the dry state of the product varies.
また、基板が露出し始める位置は、周囲の雰囲気(気体)と処理液(液体)との気液界面に接する位置であり、この気液界面に接する基板Wの位置にドライエアを当てることで良好な乾燥処理を行うことができる。しかしながら、従来例の場合では、上述したように、基板を引き上げるにつれて気液界面にドライエアを流すことができなくなるので、乾燥不良が生じる可能性があるという不都合がある。 Further, the position where the substrate starts to be exposed is a position in contact with the gas-liquid interface between the surrounding atmosphere (gas) and the processing liquid (liquid), and it is good by applying dry air to the position of the substrate W in contact with the gas-liquid interface. Drying process can be performed. However, in the case of the conventional example, as described above, the dry air cannot flow through the gas-liquid interface as the substrate is pulled up.
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、処理液中から基板を引き上げるときに、処理液の液面の高さを一定に保ちつつ、基板に乾燥気体を供給することができる基板処理装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances. When the substrate is pulled up from the processing liquid, the dry gas is supplied to the substrate while keeping the liquid level of the processing liquid constant. It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of performing the above.
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項1に記載の発明は、基板を処理液から引き上げつつ、乾燥させる基板処理装置において、処理液を貯留する処理槽と、基板を保持しつつ、基板を前記処理槽内の処理位置と前記処理槽の上方位置とにわたって昇降させる昇降手段と、前記処理槽の上端面に沿う方向に乾燥気体を供給する気体供給手段と、前記処理槽に処理液を補充する補充手段と、前記昇降手段を操作して基板を処理位置から上方位置へ上昇させる際に、前記気体供給手段から乾燥気体を供給させるとともに、前記補充手段を操作して、少なくとも基板が処理液から引き上げられているときは処理液の液面を所定高さに保つ制御手段と、を備えていることを特徴とするものである。
In order to achieve such an object, the present invention has the following configuration.
That is, according to the first aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus for drying the substrate while lifting the substrate from the processing liquid, the processing tank for storing the processing liquid, and the processing position in the processing tank while holding the substrate. Elevating means for elevating and lowering over the upper position of the treatment tank, gas supply means for supplying dry gas in a direction along the upper end surface of the treatment tank, replenishment means for replenishing the treatment liquid to the treatment tank, and elevating and lowering When operating the means to raise the substrate from the processing position to the upper position, when supplying the dry gas from the gas supply means and operating the replenishing means, at least when the substrate is pulled up from the processing liquid And a control means for maintaining the liquid level of the processing liquid at a predetermined height.
[作用・効果]請求項1に記載の発明によれば、制御手段は、昇降手段を操作して基板を処理位置から上方位置へ上昇させる際、補充手段を操作して処理槽に処理液を供給させる。よって、処理液の液面の高さが所定位置で一定に保たれた状態で、基板および昇降手段が処理液中から引き上げられる。すなわち、基板が処理液の液面から露出するとき、基板が処理液から露出し始める位置を同じ高さに保つことができる。このため、基板が処理液の液面から露出し始める位置が、乾燥気体の流路(風路)に対して変わらない。この結果、基板面全体にわたって乾燥状態を均一にすることができる。 [Operation / Effect] According to the invention described in claim 1, when the control means operates the elevating means to raise the substrate from the processing position to the upper position, the control means operates the replenishing means to apply the processing liquid to the processing tank. Supply. Therefore, the substrate and the lifting / lowering means are pulled up from the processing liquid while the liquid level of the processing liquid is kept constant at a predetermined position. That is, when the substrate is exposed from the liquid surface of the processing liquid, the position at which the substrate starts to be exposed from the processing liquid can be kept at the same height. For this reason, the position where the substrate starts to be exposed from the liquid surface of the processing liquid does not change with respect to the flow path (air path) of the dry gas. As a result, the dry state can be made uniform over the entire substrate surface.
この発明において、前記所定高さは、前記処理槽の上端と同じ高さであることが好ましい(請求項2)。基板が処理液の液面から露出し始める位置に常に乾燥気体を供給することができる。言い換えれば、基板表面が気液界面と接する位置に乾燥空気を当てることができる。この結果、乾燥不良を招くことなく、好適に基板を乾燥させることができる。 In this invention, it is preferable that the predetermined height is the same height as the upper end of the processing tank (claim 2). The dry gas can always be supplied to the position where the substrate starts to be exposed from the liquid surface of the processing liquid. In other words, dry air can be applied to the position where the substrate surface is in contact with the gas-liquid interface. As a result, the substrate can be suitably dried without causing poor drying.
また、この発明において、前記補充手段は、前記処理槽に処理液を供給する液供給手段と、前記液供給手段による処理液の供給流量を調節する供給調節手段と、を備え、前記制御手段は、前記供給調節手段を操作して、少なくとも基板が処理液から引き上げられているときに処理液の液面高さを制御することが好ましい(請求項3)。好適に処理液の液面を所定高さに保つことができる。 In this invention, the replenishing means includes a liquid supply means for supplying a processing liquid to the processing tank, and a supply adjusting means for adjusting a supply flow rate of the processing liquid by the liquid supply means, and the control means It is preferable to operate the supply adjusting means to control the liquid surface height of the processing liquid at least when the substrate is pulled up from the processing liquid. The liquid level of the processing liquid can be suitably maintained at a predetermined height.
また、この発明において、前記液供給手段は、前記処理槽の内部から処理液を供給することが好ましい(請求項4)。液面の乱れ・荒れを抑えつつ、処理槽に処理液を供給することができる。 Moreover, in this invention, it is preferable that the said liquid supply means supplies a processing liquid from the inside of the said processing tank (Claim 4). The treatment liquid can be supplied to the treatment tank while suppressing the disturbance and roughness of the liquid surface.
また、この発明において、前記補充手段は、前記処理槽に処理液を供給する液供給手段と、前記液供給手段による処理液の供給流量を調節する供給調節手段と、前記処理槽から処理液を排出する液排出手段と、前記液排出手段による処理液の排出流量を調節する排出調節手段と、を備え、前記制御手段は、前記供給調節手段および前記排出調節手段を操作して前記供給流量から前記排出流量を引いた正味供給流量を調節することで、少なくとも基板が処理液から引き上げられているときに処理液の液面高さを制御することが好ましい(請求項5)。好適に処理液の液面を所定高さに保つことができる。また、処理槽から処理液を排出するため、基板および昇降手段が処理液中から引き上げられるときに、処理液中にパーティクルが滞留することを防止できる。 In this invention, the replenishing means includes a liquid supply means for supplying a treatment liquid to the treatment tank, a supply adjusting means for adjusting a supply flow rate of the treatment liquid by the liquid supply means, and a treatment liquid from the treatment tank. A liquid discharging means for discharging, and a discharge adjusting means for adjusting the discharge flow rate of the processing liquid by the liquid discharging means, and the control means operates the supply adjusting means and the discharge adjusting means from the supply flow rate. It is preferable to control the liquid level height of the processing liquid at least when the substrate is pulled up from the processing liquid by adjusting the net supply flow rate obtained by subtracting the discharge flow rate. The liquid level of the processing liquid can be suitably maintained at a predetermined height. Further, since the processing liquid is discharged from the processing tank, it is possible to prevent particles from staying in the processing liquid when the substrate and the lifting / lowering means are pulled up from the processing liquid.
また、この発明において、前記液供給手段は、前記処理槽の上部から処理液を供給し、前記液排出手段は、前記処理槽の下部から処理液を排出することが好ましい(請求項6)。処理槽内において広範囲な処理液の流れが形成されるため、処理液中にパーティクルが滞留することを効果的に防止できる。 Moreover, in this invention, it is preferable that the said liquid supply means supplies a processing liquid from the upper part of the said processing tank, and the said liquid discharge means discharges | emits a processing liquid from the lower part of the said processing tank (Claim 6). Since a wide range of treatment liquid flows is formed in the treatment tank, it is possible to effectively prevent particles from staying in the treatment liquid.
また、この発明において、前記昇降手段に保持されている基板の枚数を取得するための枚数検出手段と、をさらに備え、前記制御手段は、前記枚数検出手段から得られた検出結果を考慮して、前記補充手段を操作することが好ましい(請求項7)。昇降手段が任意の枚数の基板を保持していても、好適に処理液の液面を所定高さに保つことができる。 The present invention further includes a sheet number detecting means for obtaining the number of substrates held by the elevating means, and the control means takes into account the detection result obtained from the number detecting means. It is preferable to operate the replenishing means (claim 7). Even when the lifting means holds an arbitrary number of substrates, the liquid level of the processing liquid can be suitably maintained at a predetermined height.
なお、本明細書は、次のような基板処理装置に係る発明も開示している。 The present specification also discloses an invention relating to the following substrate processing apparatus.
(1)請求項1から請求項7のいずれかに記載の基板処理装置において、前記制御手段は、予め設定されている、前記昇降手段の操作と同期した前記補充手段の操作に関する操作情報に基づいて、前記補充手段を操作することを特徴とする基板処理装置。 (1) In the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 7, the control means is based on operation information relating to the operation of the replenishing means that is preset and synchronized with the operation of the elevating means. And a substrate processing apparatus for operating the replenishing means.
前記(1)に記載の発明によれば、液面の高さを好適に制御することができる。 According to the invention as described in said (1), the height of a liquid level can be controlled suitably.
(2)請求項1から請求項6のいずれかに記載の基板処理装置において、前記処理槽内の処理液の液面高さを検出するための液面検出手段と、をさらに備え、前記制御手段は、前記液面検出手段の検出結果に基づいて前記補充手段を操作することを特徴とする基板処理装置。 (2) The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 6, further comprising liquid level detecting means for detecting a liquid level height of the processing liquid in the processing tank, wherein the control The means operates the replenishing means based on the detection result of the liquid level detecting means.
前記(2)に記載の発明によれば、液面の高さを好適に制御することができる。 According to the invention as described in said (2), the height of a liquid level can be controlled suitably.
(3)請求項3または請求項4に記載の基板処理装置において、前記制御手段は、前記供給流量を、単位時間に処理液の液面から露出する基板の体積と、単位時間に処理液の液面から露出する前記昇降手段の体積との和に相当する流量とすることを特徴とする基板処理装置。
(3) In the substrate processing apparatus according to
前記(3)に記載の発明によれば、処理液を的確に補充することができる。 According to the invention as described in said (3), a process liquid can be replenished exactly.
(4)請求項5または請求項6に記載の基板処理装置において、前記制御手段は、前記正味供給流量を、単位時間に処理液の液面から露出する基板の体積と、単位時間に処理液の液面から露出する前記昇降手段の体積との和に相当する流量とすることを特徴とする基板処理装置。
(4) In the substrate processing apparatus according to
前記(4)に記載の発明によれば、処理液を的確に補充することができる。 According to the invention as described in said (4), a process liquid can be replenished exactly.
この発明に係る基板処理装置によれば、制御手段は、昇降手段を操作して基板を処理位置から上方位置へ上昇させる際、補充手段を操作して処理槽に処理液を供給させる。よって、処理液の液面の高さが所定位置で一定に保たれた状態で、基板および昇降手段が処理液中から引き上げられる。すなわち、基板が処理液の液面から露出するとき、基板が処理液から露出し始める位置を同じ高さに保つことができる。このため、基板が処理液の液面から露出し始める位置が、乾燥気体の流路(風路)に対して変わらない。この結果、基板面全体にわたって乾燥状態を均一にすることができる。 According to the substrate processing apparatus of the present invention, the control unit operates the replenishing unit to supply the processing liquid to the processing tank when operating the elevating unit to raise the substrate from the processing position to the upper position. Therefore, the substrate and the lifting / lowering means are pulled up from the processing liquid while the liquid level of the processing liquid is kept constant at a predetermined position. That is, when the substrate is exposed from the liquid surface of the processing liquid, the position at which the substrate starts to be exposed from the processing liquid can be kept at the same height. For this reason, the position where the substrate starts to be exposed from the liquid surface of the processing liquid does not change with respect to the flow path (air path) of the dry gas. As a result, the dry state can be made uniform over the entire substrate surface.
以下、図面を参照してこの発明の実施例1を説明する。図1は、実施例1に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。 Embodiment 1 of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram illustrating a schematic configuration of the substrate processing apparatus according to the first embodiment.
本実施例に係る基板処理装置は、一群の基板(以下、単に「基板」という)Wに対して、薬液処理と洗浄処理と乾燥処理とを行うものである。 The substrate processing apparatus according to this embodiment performs a chemical solution process, a cleaning process, and a drying process on a group of substrates (hereinafter simply referred to as “substrates”) W.
本基板処理装置は、処理液を貯留する処理槽1と、複数枚の基板Wを起立姿勢で一方向(図1において紙面方向)に整列した状態で保持するリフタ機構3と、処理槽1の上端面に沿ってドライエアを供給するエア供給部5と、処理槽1を挟んでエア供給部5と対向配置され、ドライエアを吸引するエア排出部7とを備えている。これら、処理槽1、リフタ機構3、エア供給部5及びエア排出部7等は、チャンバー9に収容されている。なお、エア排出部7は、吸引したドライエアをチャンバー9の外部に排出するように構成されている。
The substrate processing apparatus includes a processing tank 1 that stores processing liquid, a
処理槽1の底部には、基板Wが整列する方向と平行に延びた2本の噴出管11が設けられている。各噴出管11には、供給管13の一端側が連通接続されており、この供給管13の他端側は分岐管13a、13bに分岐されている。各分岐管13a、13bはそれぞれ純水供給源15と薬液供給源17とに連通接続されている。各分岐管13a、13bには、それぞれ流量調節弁19a、19bが設けられている。なお、薬液供給源17から供給される薬液としては、フッ化水素酸(HF)や、硫酸(H2SO4)と過酸化水素水(H2O2)の混合液などが例示される。また、本明細書では、各種薬液および純水を処理液と総称する。噴出管11は、この発明における液供給手段に相当する。また、実施例1における流量調節弁19aは、この発明における供給調節手段に相当する。
Two
また、処理槽1の底部には、排出口21が形成されている。排出口21には、配管23の一端が連通接続されている。配管23の他端には開閉弁25が設けられており、開閉弁25が開放されると、処理槽1内の処理液がチャンバー9の底部に一旦排出される。チャンバー9の底部には排液弁27が取り付けられており、排液弁27が開放されると、チャンバー9内に排出された処理液が外部に排出される。
A
リフタ機構3は、板状の背板31と、背板31に連結され、複数の基板Wの下縁を一括して当接支持する3本の支持部材33と、背板31を昇降駆動する図示省略の駆動部とを備えている。そして、処理槽1内の処理位置(たとえば、図1において実線で示される位置)と、処理槽1の上方位置(たとえば、点線で示される位置)と、チャンバー9より上方の待機位置(たとえば、一点鎖線で示される位置)とにわたって基板Wを昇降させる。ここで、基板Wを処理位置に下降させたとき、背板31と支持部材33も処理槽1内に入る。リフタ機構3は、この発明における昇降手段に相当する。
The
チャンバー9は上部に回動自在に支持される上部カバー35を備えて、チャンバー9の上部は開放可能に構成されている。チャンバー9の上部が開放されると、待機位置への基板Wの上昇が許容される。
The
チャンバー9の外部には、さらに、待機位置における基板Wの枚数を計数するための枚数検出器37が配置されている。枚数検出器37としては、基板Wの枚数を判別可能な検出結果を得ることができれば、種々のセンサを適用することができる。たとえば、発光ダイオード及び光電素子が基板Wを挟んで対向配置されてなるセンサや、基板Wを撮像するCCDカメラなどの光センサによって、基板Wの有無を検出してもよい。あるいは、リフタ機構3の駆動部に加わる背板31の荷重を計測することで、基板Wの枚数を検出してもよい。
A
エア供給部5とエア排出部7とは、それぞれ処理槽1の上縁側方に設けられている。エア供給部5の供給口41は、処理槽1の上端近傍の高さ位置から、リフタ機構3に保持される各基板Wに対して基板面に平行、かつ、水平な向きにドライエアを供給可能に形成されている。これにより、エア供給部5から供給されるドライエアの流路は、処理槽1の上端面に沿って形成される。エア供給部5には、ドライエア供給装置43が配管45を介して接続されている。エア供給部5は、この発明における気体供給手段に相当する。なお、エア排出部7は、気体排出手段として機能する。
The
さらに、本基板処理装置は、上述した基板処理装置の各構成を操作する制御部51を備えている。具体的には、制御部51は、枚数検出器37から得られる検出結果に基づいて基板Wの枚数を取得するとともに、リフタ機構3の昇降、流量調節弁19a、19bの開度、開閉弁25及び排液弁27の開閉、ドライエア供給装置43によるドライエアの供給、エア排出部7の吸引、上部カバー35の回動についてそれぞれ操作する。この制御部51は、図示しないメモリやCPUを備えており、予めメモリに記憶されているレシピに応じて各構成を操作する処理を行う。
Further, the substrate processing apparatus includes a
特に、メモリに記憶されているレシピには、基板Wを処理位置から待機位置へ上昇させる際における、流量調節弁19aの操作に関する操作情報が含まれている。この操作情報は、リフタ機構3の操作と同期しており、かつ、各時点において、単位時間に処理液の液面から露出する基板Wの体積と、単位時間に処理液の液面から露出するリフタ機構3の体積との和に等しい流量で純水を供給するための情報である。また、この操作情報は、リフタ機構3に保持される基板Wの枚数に応じた供給流量となるように、枚数検出器37の検出結果から取得された基板Wの枚数が関連付けられている。なお、この操作情報は、基板W、リフタ機構3及び処理槽1の各形状に基づくリフタ機構3の上昇距離と処理槽1への純水の補充量との関係に、リフタ機構3の上昇速度やリフタ機構3に保持される基板Wの枚数を与えることで算出してもよい。あるいは、予め実験等を行って求めてもよい。
In particular, the recipe stored in the memory includes operation information related to the operation of the flow
次に、実施例1に係る基板処理装置の動作について説明する。図2は、基板処理装置の動作を示すフローチャートである。なお、以下で説明する各構成の動作は、特に断らない限り、制御部51の操作によるものである。
Next, the operation of the substrate processing apparatus according to the first embodiment will be described. FIG. 2 is a flowchart showing the operation of the substrate processing apparatus. The operation of each component described below is based on the operation of the
<ステップS1> 基板を搬入する
上部カバー35が回動してチャンバー9の上方が開放された状態で、待機位置まで上昇したリフタ機構3が図示省略の基板搬送機構から基板Wを受け取る。引き続き、リフタ機構3は下降して基板Wをチャンバー9内に搬入し、チャンバー9の上方を閉塞する。また、リフタ機構3が待機位置で基板Wを受け取ったとき、枚数検出器37は基板Wに対して所定の検出動作を行い、制御部51は、枚数検出器37から得られた検出結果に基づいてリフタ機構3に保持されている基板Wの枚数を取得する。
<Step S <b>1> Loading the Substrate The
<ステップS2> 薬液処理を行う
流量調節弁19bを操作して、処理槽1内に薬液を供給し、処理槽1の上部から薬液を溢れさせている状態で、リフタ機構3は基板Wを処理位置まで降下させる。この状態で基板Wを薬液中に所定時間浸漬することで、基板Wに薬液処理を行う。
<Step S2> Performing Chemical Solution Processing The flow
<ステップS3> リンス処理を行う
流量調節弁19a、19bを操作して、処理槽1内への薬液の供給を停止するとともに、処理槽1内に純水を供給し始める。これにより、処理槽1内の薬液は純水に置換され、次第に処理槽1の上部から純水が溢れている状態になる。この状態で、所定時間が経過するまで基板Wにリンス(洗浄)処理を行う。
<Step S <b>3> Rinsing is performed. The flow
<ステップS4> ドライエアを供給する
流量調節弁19aを操作して純水の供給を停止する。これにより、処理槽1の上部から純水が溢れ出すことなく、処理槽1の上端位置まで純水が貯留された状態となり、液面の荒れ・乱れは次第に消滅する。また、ドライエア供給装置43を操作して、エア供給部5から処理槽1の上端面に沿ってドライエアを供給するとともに、エア排出部7を操作して、ドライエアを吸引、排出する。
<Step S4> Supplying Dry Air The flow
<ステップS5> 基板を引き上げつつ、処理液を補充する
ドライエアを供給している状態で、リフタ機構3を操作して処理位置から上方位置へ基板Wを上昇させる。この際、制御部51は流量調節弁19aの操作に関する操作情報に基づいて流量調節弁19aを操作して、噴出管11から処理槽1に純水を供給する。ここで、リフタ機構3の動作としては、一定速度(たとえば5mm/sec)で上昇移動することが例示される。
<Step S5> While pulling up the substrate, the substrate W is raised from the processing position to the upper position by operating the
図3と図4を参照する。図3は、処理位置から上方位置へ基板Wを上昇させる際、処理槽1に供給される純水の供給流量Qのタイミングチャートである。図3中、時刻tsは、リフタ機構3が処理位置にある基板Wを上昇させ始めるタイミングであり、時刻teは、リフタ機構3が基板Wを待機位置に上昇させ終えたタイミングである。また、時刻t1は、基板Wの上縁が処理液の液面から露出し始める時点であり、時刻t2は、基板Wの全体が処理液の液面から露出した時点である。さらに、図3では、リフタ機構3に保持される基板Wの枚数nが10枚、30枚、50枚の場合について3つのタイミングチャートを例示している。図4は、基板Wを処理位置から上方位置までの各位置に基板Wを上昇させた時の基板処理装置の要部断面図である。
Please refer to FIG. 3 and FIG. FIG. 3 is a timing chart of the supply flow rate Q of pure water supplied to the processing tank 1 when raising the substrate W from the processing position to the upper position. In FIG. 3, time ts is the timing when the
図示するように、時刻tsより前の時点では、純水は供給されておらず(図4(a)参照)、時刻tsと同じタイミングで純水の供給が開始される。まず、時刻tsから時刻t1までの期間においては、純水中に基板Wが完全に浸漬されているので、供給流量Qは単位時間に背板31が液面から露出する体積に等しい(図4(b)参照)。時刻t1から時刻t2までの期間においては、供給流量Qは単位時間に基板Wと背板31及び支持部材33(リフタ機構3)が液面から露出する各体積の合計に等しい(図4(c)〜図4(e)参照)。時刻t2から時刻teの期間においては、供給流量Qは単位時間にリフタ機構3が液面から露出する体積に等しい(図4(f)参照)。なお、基板Wとリフタ機構3が完全に露出してから、基板Wが上方位置まで上昇する期間は、供給流量Qが零になる。
As shown in the figure, pure water is not supplied at a time point before time ts (see FIG. 4A), and supply of pure water is started at the same timing as time ts. First, during the period from time ts to time t1, since the substrate W is completely immersed in pure water, the supply flow rate Q is equal to the volume at which the
なお、時刻t1から時刻t2までの期間における供給流量Qは、枚数検出器37の検出結果から取得された基板Wの枚数に応じて変わる。
The supply flow rate Q in the period from time t1 to time t2 changes according to the number of substrates W acquired from the detection result of the
図3に示すような流量調節弁19aの操作により、図4に示すように処理位置から上方位置へ基板Wを上昇させる際に、液面高さは処理槽1の上端位置で一定に保たれている。このため、基板Wが液面から露出し始める位置も処理槽1の上端位置で一定であり、基板Wが液面から露出し始める位置とドライエアの流路Aとの相対的な位置関係も変わらない。よって、基板Wが液面から引き上げられるとき、基板Wの上縁から下縁にかけて順次、露出し始める位置にドライエアが常に供給される。
When the substrate W is raised from the processing position to the upper position as shown in FIG. 4 by operating the flow
リフタ機構3が基板Wを上方位置まで上昇させると、所定の乾燥時間の間、リフタ機構3を停止させる。これにより、基板Wと支持部材33とが完全に乾燥する。
When the
<ステップS6> 基板Wを搬出する
チャンバー9の上方を開放し、基板Wを待機位置まで上昇させて、基板Wをチャンバー9から搬出する。
<Step S <b>6> Unloading the substrate W The upper portion of the
このように、実施例1に係る基板処理装置によれば、制御部51は基板Wを処理位置から上方位置へ上昇させる際、処理槽1内の純水の液面を処理槽1の上端と同じ高さに保つので、基板Wは常に処理槽1の上端と同じ高さ位置で純水の液面から露出し始める。よって、ドライエアは基板Wが露出し始める位置に常に当たり、基板Wが乾燥不良となることを好適に防止することができる。言い換えれば、基板Wが処理槽1上方の雰囲気(気体)と純水(液体)との気液界面と接する部位に常に乾燥気体が当たるので、基板Wに対して乾燥処理を良好に行うことができる。
As described above, according to the substrate processing apparatus of the first embodiment, when the
また、基板Wが液面から露出し始める位置とドライエアの流路との位置関係は、基板Wの上縁から下縁にかけて常に同じであるため、基板Wの面内にわたって乾燥状態を均一にすることができる。 Further, since the positional relationship between the position where the substrate W begins to be exposed from the liquid surface and the flow path of the dry air is always the same from the upper edge to the lower edge of the substrate W, the dry state is made uniform over the surface of the substrate W. be able to.
また、処理槽1の内部に設けられる噴出管11を備えているため、基板Wを処理位置から上昇位置に上昇させる際、処理槽1内の純水の液面を乱すことなく、純水を補充することができる。
Moreover, since the
また、制御部51が備えるメモリには、基板Wを処理位置から上方位置に上昇させる際における、流量調節弁19aの操作に関する操作情報を予め記憶しているので、処理槽1内の純水の液面高さを好適に制御できる。
Further, since the memory included in the
また、流量調節弁19aの操作に関する操作情報は、枚数検出器37の検出結果から取得された基板Wの枚数が関連付けられているので、リフタ機構3に保持される基板Wの枚数を任意に変更しても、処理槽1内の純水の液面高さを好適に制御できる。
Further, since the operation information related to the operation of the flow
また、噴出管11は、リンス処理において処理槽1に純水を供給する機能と、基板Wを処理位置から上昇させる際は処理槽1に純水を補充する機能とを兼ねているので、装置構成を簡略化することができる。
Further, the
以下、図面を参照してこの発明の実施例2を説明する。図5は、実施例2に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。なお、実施例1と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。 Embodiment 2 of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 5 is a block diagram illustrating a schematic configuration of the substrate processing apparatus according to the second embodiment. In addition, about the same structure as Example 1, detailed description is abbreviate | omitted by attaching | subjecting the same code | symbol.
本基板処理装置は、処理槽1の上方から処理液を供給するノズル12が設けられている。ノズル12の先端部には処理液を噴出する噴出孔が形成されており、この先端部が処理槽1の上端よりも低い位置まで立ち下げられている。ノズル12の後端部には、供給管14の一端が連通接続されており、供給管14の他端は純水供給源16に連通接続されている。供給管14には、流量調節弁20が設けられている。ノズル12と流量調節弁20は、それぞれこの発明における液供給手段と供給調節手段とに相当する。
The substrate processing apparatus is provided with a
また、処理槽1内には、処理槽1内の処理液の液面高さを検知する液面計55が設けられている。液面計55の検出結果は制御部52に出力される。液面計55は、この発明における液面検出手段に相当する。
Further, a
さらに、処理槽1の排出口21に連通接続されている配管23には、流量調節弁26が設けられている。排出口21と流量調節弁26は、それぞれこの発明における液排出手段と排出調節手段とに相当する。
Furthermore, a flow
制御部52は、液面計55から得られる検出結果から処理槽1内の処理液の液面高さを取得するとともに、取得した液面高さに基づいて流量調節弁20、26を操作して、処理槽1内の液面高さを処理槽1の上端と同じ所定高さに保つように制御する。なお、制御部52は、リフタ機構3、流量調節弁19a、19b、排液弁27、ドライエア供給装置43、エア排出部7、上部カバー35に対しても操作する。
The
次に、実施例2に係る基板処理装置の動作について図2を参照して説明する。なお、以下で説明する各構成の動作は、特に断らない限り、制御部52の操作によるものである。また、実施例1と同様の動作については簡略に説明する。
Next, the operation of the substrate processing apparatus according to the second embodiment will be described with reference to FIG. The operation of each configuration described below is based on the operation of the
<ステップS1〜ステップS3> 基板を搬入する〜リンス処理を行う
基板Wをチャンバー9内に搬入し、処理槽1の上部から薬液を溢れさせている状態で、基板Wを処理位置まで降下させる。基板Wを薬液中に浸漬した状態で所定の薬液処理を行うと、流量調節弁19a、19bを操作して、処理槽1に供給する処理液を薬液から純水に切り換える。これにより、基板Wにリンス処理を行う。
<Step S <b> 1 to Step S <b>3> Carrying in the substrate to performing the rinsing process The substrate W is carried into the
<ステップS4> ドライエアの供給する
リンス処理が終了すると、流量調節弁19aを操作して純水の供給を停止する。これにより、処理槽1の上端位置まで純水が貯留された状態となる。そして、ドライエア供給装置43及びエア排出部7を操作して、処理槽1の上端面に沿ってドライエアを供給する。
<Step S4> Supplying Dry Air When the rinsing process is completed, the flow
<ステップS5> 基板を引き上げつつ、処理液を補充する
処理位置から上方位置へ基板Wを上昇させる。この際、制御部52は、液面計55の検出結果に基づいて流量調節弁20、26を操作して、処理槽1に対してノズル12からの純水供給と、排出口21からの純水排出を並行して行うとともに、処理槽1への供給流量と処理槽1からの排出流量の差に相当する正味供給流量を調節して、処理液の液面が処理槽1の上端と同じ高さで一定となるように制御する。
<Step S5> While pulling up the substrate, the substrate W is raised from the processing position to the upper position while replenishing the processing liquid. At this time, the
具体的には、処理槽1内の純水の液面が上がったときは、正味供給流量を直ちに小さくし、液面が下がったときは直ちに正味供給流量を大きくする。ここで、正味供給流量を可変するときに、流量調節弁20または流量調節弁26のいずれか一方のみを操作してもよいし、双方を操作してもよい。
Specifically, when the liquid level of pure water in the treatment tank 1 rises, the net supply flow rate is immediately reduced, and when the liquid level falls, the net supply flow rate is immediately increased. Here, when changing the net supply flow rate, only one of the flow
このような流量調節弁20、26の操作により、処理位置から上方位置へ基板Wを上昇させる際に液面高さが処理槽1の上端位置で一定に保たれている。このため、基板Wが液面から露出し始める位置も処理槽1の上端位置で一定している。よって、基板Wの上縁から下縁にかけて順次、露出し始める位置にドライエアが常に供給される。
By operating the flow
リフタ機構3が基板Wを上方位置まで上昇させると、所定の乾燥時間の間、リフタ機構3を停止させる。
When the
<ステップS6> 基板Wを搬出する
基板Wをチャンバー9から搬出する。
<Step S <b>6> Unloading the substrate W The substrate W is unloaded from the
このように、実施例2に係る基板処理装置によれば、制御部52は基板Wを処理位置から上方位置へ上昇させる際、流量調節弁20、26を操作して処理槽1内の純水の液面を処理槽1の上端と同じ高さに保つので、基板Wは常に処理槽1の上端と同じ高さ位置で純水中から露出し始める。よって、ドライエアは基板Wが露出し始める位置に常に当たるので、基板Wが乾燥不良となることを好適に防止することができる。
As described above, according to the substrate processing apparatus according to the second embodiment, when the
また、基板Wが液面から露出し始める位置とドライエアの流路との位置関係は、基板Wの上縁から下縁にかけて常に同じであるため、基板Wの面内にわたって乾燥状態を均一にすることができる。 Further, since the positional relationship between the position where the substrate W begins to be exposed from the liquid surface and the flow path of the dry air is always the same from the upper edge to the lower edge of the substrate W, the dry state is made uniform over the surface of the substrate W. be able to.
また、処理槽1内の純水の液面を実測する液面計55を備え、この検出結果に基づいて液面の高さを制御するので、処理槽1、リフタ機構3及び基板Wの形状や、基板Wを上昇させる速度等の条件が変わっても、好適に対応することができる。
Moreover, since the
また、噴出孔が形成されているノズル12の先端が、処理槽1の上端よりも低い位置まで立ち下げられているため、処理槽1内の純水の液面を乱すことなく、純水を供給することができる。
In addition, since the tip of the
また、制御部52は、基板Wを引き上げるときに、処理槽1に対して純水の供給と排出を行うので、純水中にパーティクルが浮遊したとしても、パーティクルを処理槽1の外部に排出することができる。よって、処理槽1内の純水の純度が劣化することや、パーティクルが基板Wに再付着することを防止することができる。
Further, since the
また、ノズル12の噴出孔は処理槽1の上部に配置され、排出口21は処理槽1の底部に配置されているので、処理槽1内に広範囲にわたる純水の流れを形成することができる。このため、処理槽1内でパーティクル等が滞留することを効果的に防止できる。
Moreover, since the ejection hole of the
この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。 The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be modified as follows.
(1)上述した各実施例では、基板Wを処理位置から上方位置に上昇させる間(時刻ts〜時刻teの期間)に、処理槽1の液面を一定に保つように制御したが、これに限られない。少なくとも基板Wを処理液から引き上げているとき、言い換えれば、基板Wが処理液の液面から露出するとき(時刻t1〜時刻t2の期間)に、処理槽1の液面を一定に保つように変更してもよい。このように変更しても、乾燥不良を招くことなく、基板Wに対して乾燥処理を良好に行うことができる。 (1) In each of the above-described embodiments, the liquid level of the processing tank 1 is controlled to be kept constant while the substrate W is raised from the processing position to the upper position (period from time ts to time te). Not limited to. At least when the substrate W is pulled up from the processing liquid, in other words, when the substrate W is exposed from the liquid level of the processing liquid (period from time t1 to time t2), the liquid level of the processing tank 1 is kept constant. It may be changed. Even if it changes in this way, a drying process can be favorably performed with respect to the board | substrate W, without causing defective drying.
(2)上述した各実施例では、基板Wを処理位置から上方位置に上昇させる際、処理液の液面を処理槽1の上端と同じ高さに保つように制御したが、これに限られない。すなわち、一定に保つ高さとしては、処理液の液面を処理槽1の上端よりやや低い高さ、または、上端近傍の高さなど適宜に選択することができ、それぞれ所定の高さに保つように制御するように構成してもよい。このように構成しても、基板Wの面内にわたって乾燥状態を均一にできる。 (2) In each of the embodiments described above, when the substrate W is raised from the processing position to the upper position, the liquid level of the processing liquid is controlled so as to be kept at the same height as the upper end of the processing tank 1. Absent. That is, as the height to be kept constant, the liquid level of the processing liquid can be appropriately selected such as a height slightly lower than the upper end of the processing tank 1 or a height near the upper end, and each is maintained at a predetermined height. You may comprise so that it may control. Even if comprised in this way, a dry state can be made uniform over the surface of the board | substrate W. FIG.
(3)上述した実施例1では、基板Wを引き上げつつ、処理液を補充するとき(ステップS5)、噴出管11から処理槽1に純水を供給するように説明したが、これに限られない。噴出管11と別個に、処理槽1に処理液を供給する供給管を新たに備えて、この供給管から純水を供給するように変更してもよい。
(3) In the above-described first embodiment, when the processing liquid is replenished while pulling up the substrate W (step S5), it has been described that pure water is supplied from the
(4)上述した実施例2では、ノズル12から処理槽1に純水を供給するように説明したが、これに限られない。たとえば、基板Wを引き上げつつ、処理液を補充するとき(ステップS5)において、噴出管11から処理槽1に純水を供給するように変更してもよい。これによって、ノズル12を省略して装置構成を簡略化できる。
(4) In the above-described second embodiment, the pure water is supplied from the
また、ノズル12に換えて、噴出管11と同形状を呈して、処理液を供給する供給管を処理槽1内に設けてもよい。これにより、処理槽1内の処理液の流れをより広範囲に形成することができる。
Further, instead of the
(5)上述した実施例1では、流量調節弁19aの操作に関する操作情報は、枚数検出器37から取得される基板Wの枚数が関連付けられていたが、これに限られない。リフタ機構3に保持される基板Wの枚数が一定数であるときは、基板Wの枚数に関連付けることなく、流量調節弁19aの操作に関する操作情報を設定してもよい。また、この場合は、枚数検出器37を省略することができる。
(5) In the first embodiment described above, the operation information related to the operation of the flow
(6)上述した実施例2では、制御部52は、液面計55の検出結果から得られる処理液の液面高さに基づいて、流量調節弁20、26を操作したが、これに限られない。たとえば、実施例1で説明したように、予め流量調節弁20、26の操作に関する操作情報を記憶しておき、この操作情報に基づいて操作処理を行ってもよい。この場合には、流量調節弁20に応じた供給流量から、流量調節弁26に応じた排出流量を引いた正味供給流量が、単位時間に処理液の液面から露出する基板Wの体積と、単位時間に処理液の液面から露出するリフタ機構3の体積との和に相当する流量となるように、操作情報を設定すればよい。
(6) In the second embodiment described above, the
(7)上述した各実施例では、基板Wを処理位置から上方位置に上昇させると、一時停止させるように説明したが、基板Wおよび支持部材33を乾燥することができれば、一時停止させることなく継続して上昇させるように構成してもよい。
(7) In each of the above-described embodiments, it has been described that when the substrate W is raised from the processing position to the upper position, the substrate W is temporarily stopped. However, if the substrate W and the
(8)上述した各実施例では、リンス処理を行うとき(ステップS3)、および、基板Wを引き上げつつ、処理液を補充するとき(ステップS5)には、処理槽1に純水を供給したが、純水を適宜にその他の処理液に変更してもよい。 (8) In each of the above-described embodiments, pure water is supplied to the processing tank 1 when the rinsing process is performed (step S3) and when the processing liquid is replenished while pulling up the substrate W (step S5). However, the pure water may be appropriately changed to other treatment liquid.
(9)上述した各実施例では、乾燥気体としてドライエアを例示したが、ドライ窒素等に適宜に変更してもよい。 (9) In each of the embodiments described above, dry air is exemplified as the dry gas, but it may be appropriately changed to dry nitrogen or the like.
(10)上述した各実施例および各変形例の構成を適宜に組み合わせて、基板処理装置を構成してもよい。 (10) The substrate processing apparatus may be configured by appropriately combining the configurations of the above-described embodiments and modifications.
1 …処理槽
3 …リフタ機構
5 …エア供給部
7 …エア排出部
11 …噴出管
19a、20、26 …流量調節弁
21 …排出口
37 …枚数検出器
51、52 …制御部
Q …供給流量
W …基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ...
Claims (7)
処理液を貯留する処理槽と、
基板を保持しつつ、基板を前記処理槽内の処理位置と前記処理槽の上方位置とにわたって昇降させる昇降手段と、
前記処理槽の上端面に沿う方向に乾燥気体を供給する気体供給手段と、
前記処理槽に処理液を補充する補充手段と、
前記昇降手段を操作して基板を処理位置から上方位置へ上昇させる際に、前記気体供給手段から乾燥気体を供給させるとともに、前記補充手段を操作して、少なくとも基板が処理液から引き上げられているときは処理液の液面を所定高さに保つ制御手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。 In a substrate processing apparatus that dries while pulling up a substrate from a processing solution,
A treatment tank for storing the treatment liquid;
Elevating means for raising and lowering the substrate over the processing position in the processing tank and the upper position of the processing tank while holding the substrate,
Gas supply means for supplying dry gas in a direction along the upper end surface of the treatment tank;
Replenishment means for replenishing the treatment tank with treatment liquid;
When operating the elevating means to raise the substrate from the processing position to the upper position, dry gas is supplied from the gas supply means, and at least the substrate is pulled up from the processing liquid by operating the replenishing means. When the control means to keep the liquid level of the processing liquid at a predetermined height,
A substrate processing apparatus comprising:
前記所定高さは、前記処理槽の上端と同じ高さであることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1,
The substrate processing apparatus, wherein the predetermined height is the same height as an upper end of the processing tank.
前記補充手段は、
前記処理槽に処理液を供給する液供給手段と、
前記液供給手段による処理液の供給流量を調節する供給調節手段と、
を備え、
前記制御手段は、前記供給調節手段を操作して、少なくとも基板が処理液から引き上げられているときに処理液の液面高さを制御することを特徴とする基板処理装置。 In the substrate processing apparatus of Claim 1 or Claim 2,
The replenishing means is
A liquid supply means for supplying a treatment liquid to the treatment tank;
Supply adjustment means for adjusting the supply flow rate of the processing liquid by the liquid supply means;
With
The substrate processing apparatus, wherein the control means operates the supply adjusting means to control the liquid level of the processing liquid at least when the substrate is pulled up from the processing liquid.
前記液供給手段は、前記処理槽の内部から処理液を供給することを特徴とすることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 3,
The substrate processing apparatus, wherein the liquid supply means supplies a processing liquid from the inside of the processing tank.
前記補充手段は、
前記処理槽に処理液を供給する液供給手段と、
前記液供給手段による処理液の供給流量を調節する供給調節手段と、
前記処理槽から処理液を排出する液排出手段と、
前記液排出手段による処理液の排出流量を調節する排出調節手段と、
を備え、
前記制御手段は、前記供給調節手段および前記排出調節手段を操作して前記供給流量から前記排出流量を引いた正味供給流量を調節することで、少なくとも基板が処理液から引き上げられているときに処理液の液面高さを制御することを特徴とする基板処理装置。 In the substrate processing apparatus of Claim 1 or Claim 2,
The replenishing means is
A liquid supply means for supplying a treatment liquid to the treatment tank;
Supply adjustment means for adjusting the supply flow rate of the processing liquid by the liquid supply means;
A liquid discharging means for discharging the processing liquid from the processing tank;
A discharge adjusting means for adjusting the discharge flow rate of the processing liquid by the liquid discharging means;
With
The control means operates the supply adjusting means and the discharge adjusting means to adjust a net supply flow rate obtained by subtracting the discharge flow rate from the supply flow rate, so that at least the substrate is processed from the processing liquid. A substrate processing apparatus for controlling a liquid level of a liquid.
前記液供給手段は、前記処理槽の上部から処理液を供給し、
前記液排出手段は、前記処理槽の下部から処理液を排出することを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 5,
The liquid supply means supplies a processing liquid from an upper part of the processing tank,
The substrate processing apparatus, wherein the liquid discharging means discharges a processing liquid from a lower part of the processing tank.
前記昇降手段に保持されている基板の枚数を取得するための枚数検出手段と、
をさらに備え、
前記制御手段は、前記枚数検出手段から得られた検出結果を考慮して、前記補充手段を操作することを特徴とする基板処理装置。 In the substrate processing apparatus in any one of Claims 1-6,
A number detection means for obtaining the number of substrates held by the lifting means;
Further comprising
The substrate processing apparatus, wherein the control means operates the replenishing means in consideration of a detection result obtained from the number detection means.
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