JP2008210497A - 情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】青系の短波長レーザで高線速でも記録特性が良好な追記型情報記録媒体を得る。
【解決手段】４５０ｎｍ以下の半導体レーザーを用いて情報の記録を行う際、下記式（１）または（２）を満たす情報記録媒体。９．５×１０^−８≧λ／ （Ｘ＊ＮＡ） ≧４．６×１０^−８…（１）（式中、Ｘは記録線速度、λはレーザー波長、ＮＡは開口数を表す。）、９．５×１０^−８≧λ／ （Ｘ＊ＮＡ） ≧２．３×１０^−８…（２）（式中、Ｘは記録線速度、λはレーザー波長、ＮＡは開口数を表す。）
【選択図】図２

Description

本発明は、例えば青色レーザ光等のような短波長レーザ光による情報の記録再生を可能
とした情報記録媒体、特に追記型情報記録媒体に関する。

本発明は、高転送レートで情報の記録を可能とした情報記録媒体に関する。

光ディスクには、大きく分けて再生専用のＲＯＭディスク、追記型のＲディスク、書き
換え型のＲＷまたはＲＡＭディスクの３種類がある。情報の大容量化に伴い、光ディスク
にも大容量化と高転送レート化が求められている。現在市場に出ている光ディスクにはＣ
ＤやＤＶＤなどがあるが、これらも記録可能な光ディスクにおける記録時間短縮という市
場の要求に応えるため、例えばＣＤ−Ｒでは４８倍速、ＤＶＤ−Ｒでは１６倍速といった
ように高転送レート化されてきた。

ここで、更なる光ディスクの大容量化を行うために、ＨＤ ＤＶＤという種類の光ディ
スクが開発されている。データ容量は、ＨＤ ＤＶＤ−ＲＯＭやＲでは片面１５ＧＢと、
今までのＤＶＤの４．７ＧＢと比較して３倍以上の大容量化を実現している。このような
ＨＤ ＤＶＤ−Ｒの記録層には、有機色素材料が使用されている（例えば、特許文献１、
特許文献２参照）。

しかしながら、このＨＤ ＤＶＤではまだ標準速でしか記録を行うことができていない
。

標準速で記録が可能なＨＤ ＤＶＤ−Ｒディスクに高線速で記録を行うことを試みると
、例え２倍速でも記録信号特性がかなり劣化するという問題があり、現状の記録層の特性
では、高線速記録を行うことは困難であった。
特開２００６−２０５６８３公報 特開２００５−２７１５８７公報

本発明の目的は、４５０ｎｍ以下の波長の光で、記録信号特性を損なうことなく、高線
速でも、記録・再生することが可能な情報記録媒体を提供することにある。

本発明の情報記録媒体は、 同心円またはスパイラル形状のグルーブ及びランドが形成
された透明樹脂基板と、前記透明樹脂基板の前記グルーブ及び前記ランド上に形成された
記録層とを少なくとも有し、４５０ｎｍ以下の半導体レーザーを用いて情報を記録再生す
ることが可能な情報記録媒体において、
情報の記録を行う際、下記式（１）または（２）を満たすことを特徴とする。

９．５×１０^−８≧λ／ （Ｘ＊ＮＡ） ≧４．６×１０^−８…（１）
９．５×１０^−８≧λ／ （Ｘ＊ＮＡ） ≧２．３×１０^−８…（２）
（なお、式中、Ｘは記録線速度、λはレーザー波長、ＮＡは開口数を表す。）

本発明によれば、４５０ｎｍ以下の波長を用いて記録再生を行う情報記録媒体において
、標準速のみならず高線速の追記型情報記録媒体においても、良好な記録再生を行うこと
が可能となる。

本発明者らは、上記した課題を解決するため種々検討したところ、単層のディスクに記
録再生を行った際に、電気信号から若干のマーク歪みが観測される色素材料を含有する記
録層を用いたときに高線速での記録特性が悪くなり、マーク歪みがほとんど観測されない
色素材料を含有する記録層を用いれば、標準速、さらには高線速での記録にも良好な特性
を得ることができることを見出した。

マーク歪みが生じる色素材料を含有する記録層を用いると高線速での記録特性が悪くな
る原因は、以下のように推察される。マーク歪みが生じる色素材料を含有する記録層では
、記録時に歪みが生じにくい色素材料と比べて必要なエネルギー量がより多く必要となり
、色素とポリカーボネート基板との界面で変形（物理的変化）を伴っていると考えられる
。通常４５０ｎｍ以下で記録可能なＬｔｏＨ（記録後に反射率が上がるタイプ）用の色素
では、記録時に色素の立体構造が変化して光学特性が変化すると推察されるが、この変化
に要する時間とポリカーボネート基板の変形に要する時間とでは、色素の立体構造変化時
間のほうがより短時間で変化する。また、記録時の記録膜上の熱制御も線速度が速くなる
と難しくなる。以上のことより、マーク歪みが生じる色素では、高線速での記録特性が困
難となると考えられる。

実際に記録歪みが生じるディスク１００の記録膜表面をＳＥＭで観察すると、記録前よ
り記録後のほうが表面が荒れており、記録することにより記録層とポリカーボネート基板
の界面における変形（物理的変化）が生じていると考えられる。

変形などの物理的変化が大きい情報記録媒体では、高線速記録時には特に記録パワーを
必要とすると考えられ、特に１倍速の記録パワーと２倍速の記録パワーとの差が大きいほ
ど、高線速での記録が困難となる。本発明者らが様々な色素で検討した結果を図１に示す
。

図１は、１倍速と２倍速の記録パワーの比と、各線速度でのＳｂＥＲとの関係を表すグ
ラフ図を示す。

図中、ひし形は一倍速、四角は２倍速、三角は４倍速を、各々示す
図１より、Ｐｗ２ｘ／Ｐｗ１ｘが１．３５以下とする情報記録媒体を用いると、少なく
とも４倍速まで良好な記録特性が得られることが分かる。

一方、マーク歪みがほとんどない記録層を用いたディスク１００の記録膜表面をＳＥＭ
で観察すると、記録後の表面も荒れていなかった。

したがって、良好な記録特性を維持しつつ、高線速記録が可能な情報記録媒体とするた
めには、記録時にマーク歪みが起きにくい記録層を用いるとよい。

本発明にかかる情報記録媒体では、記録線速度をＸ、レーザー波長をλ、及び開口数を
ＮＡと表すとき、情報の記録の際に、下記式（１）を満足する。

９．５×１０^−８≧λ／ （Ｘ＊ＮＡ） ≧４．６×１０^−８…（１）
ここで、λ／ （Ｘ＊ＮＡ）というのは、光ディスク上のある点をレーザースポットが
通過する時間を表わす。この値が小さければ小さいほど、記録するときの速度は速くなる
。例えばレーザー波長λ＝４０５ｎｍ， 開口数ＮＡ＝０．６５とすると、記録線速度Ｘ
が６．６３ｍ／ｓのときに９．４×１０^−８となり、Ｘが１３．５０ｍ／ｓのときに４．
６×１０^−８、Ｘが２５．９６ｍ／ｓのときに２．４×１０^−８となる。

また、レーザー波長λ=４０５ｎｍ， 開口数ＮＡ＝０．８５とすると、記録線速度Ｘ
が４．９ｍ／ｓのときに９．７×１０^−８となり、Ｘが９．８ｍ／ｓのときに４．
９×１０^−８、Ｘが１９．６ｍ／ｓのときに２．４×１０^−８となる。

本発明によれば、上記式を満足することにより、広範囲の記録線速度で良好な記録特性を保つことができる。

また、さらに高線速でも記録するためには、本発明にかかる情報記録媒体は、記録線速度
をＸ，レーザー波長をλ、開口数をＮＡと表すとき、情報の記録の際に、下記式（２）を
満足させることができる。

９．５×１０^−８≧λ／ （Ｘ＊ＮＡ） ≧２．３×１０^−８…（２）
本発明では、上述の条件を満足し、マーク歪みがほとんどない記録層が得られるように
使用する有機色素材料を選択し得る。

本発明にかかる情報記録媒体に設けられる記録層の材料として、有機色素材料を用いる
ことができる。また、有機色素材料として、有機金属錯体を用いることができる。このよ
うな材料として例えばアゾ有機金属錯体を用いることができる。

記録前後で記録層のＵＶスペクトルを測定すると、記録後に数十ｎｍほど記録レーザー
波長近傍の最大吸収波長が短波長側にシフトすることがわかった。これにより、本発明に
かかる情報記録媒体では、記録層の材料として有機色素材料を用い、記録前の有機色素の
最大吸収波長は、記録レーザー波長から−１０ｎｍ，＋５０ｎｍの範囲で存在する情報記
録媒体を用いることができる。

ここで、記録前に比べ、記録後での色素記録膜のＵＶスペクトルの最大吸収波長は５〜
３０ｎｍ短波長側にシフトする有機色素を用いるとよい。

情報記録媒体に記録に関するパラメータを有する所定領域があり、そこに各記録線速度
における少なくとも標準速（１倍速）と２倍速での記録パワーの最大値が記述されている
と、ドライブで実際に記録を行う際に記録パワー決定の手助けとなるため好ましい。

また、図１から明らかなように、本発明にかかる情報記録媒体において、標準速で記録
したときの記録パワー（Ｐｗ１ｘ）と２倍速で記録したときの記録パワー（Ｐｗ２ｘ）の
関係を、
Ｐｗ２ｘ／Ｐｗ１ｘ＜１．３５
とすることができる。

以下、図面を参照し、本発明の種々な実施の形態を説明する。

図２は、本発明の一実施の形態に係る光ディスクの一例として、追記型片面１層光ディ
スク１００の構成を説明する図である。

図２に例示されるように、この光ディスク１００は、例えばポリカーボネート（ＰＣ）
等の合成樹脂材料で円盤状に形成された透明樹脂基板１０を備えている。この透明樹脂基
板１０には、同心円状またはらせん状に溝（グルーブ）が形成されている。この透明樹脂
基板１０は、スタンパを用いて射出成形により製造することができる。

ここで、ポリカーボネート等の０．６０ｍｍ厚透明樹脂基板１０上に、有機色素層１２
および銀または銀合金等の光反射層１４からなる記録層１１を積層し、他の０．６０ｍｍ
厚の透明樹脂基板１８が、ＵＶ硬化樹脂（接着層）１６を介して貼り合わされる。こうし
て出来上がった貼り合わせ光ディスクの合計厚は、ほぼ１．２ｍｍとなる。

ここで、透明樹脂基板１０上には、例えばトラックピッチ０．４μｍ、深さ６０ｎｍの
らせん状グルーブが形成されている。このグルーブはウォブルしており、アドレス情報は
このウォブル上に記録されている。

この透明樹脂基板１０上に、そのグルーブを充填するように、有機色素を含む記録層１
２が形成される。

この記録層１２を形成する有機色素としては、その最大吸収波長領域が記録波長（例え
ば４０５ｎｍ）よりも長波長側にシフトしているものを用いることができる。また、記録
波長領域において吸収が消滅しているのではなく、その長波長領域（例えば４５０ｎｍ〜
６００ｎｍ）でも相当の光吸収を有するように設計される。

上記有機色素は、溶媒に溶かすことで液体とし、スピンコート法により透明樹脂基板面
に容易に塗布することができる。この場合、溶媒による希釈率、スピン塗布時の回転数を
制御することにより、膜厚を高精度に管理することができる。

なお、ここで使用される記録層１１は、例えば情報記録前のトラック上を記録用レーザ
光によりフォーカシングまたはトラッキングした場合は、低光反射率である。その後、レ
ーザ光により色素の何らかの光学的変化が生じ、光吸収率が低下することにより、記録マ
ーク部分の光反射率が上昇する。このため、レーザ光を照射して形成した記録マーク部分
の光反射率が、レーザ光照射前の光反射率よりも高くなるという、いわゆるＬｏｗ−ｔｏ
−Ｈｉｇｈ（またはＬ ｔｏ Ｈ）の特性を実現している。

なお、記録レーザの照射で発生する熱により、透明樹脂基板１０、特にグルーブ底部に
変形を伴なうこともある。この場合、記録後の再生時におけるレーザ反射光に（熱変形を
伴わない場合と比較して）位相差が生じることもある。しかし、本発明の実施の形態によ
り記録マークの変形を抑制または防止すれば、この位相差発生の問題を抑制または回避で
きる。

本発明の一実施の形態において、透明樹脂基板１０に適用される物理フォーマットとし
ては、例えば以下のものがある。ユーザが使用可能な記録容量は１５ＧＢである。

図３（ａ）の光ディスク１００において、システムリードイン領域ＳＬＡは、図３（ｂ
）に例示されるようにコントロールデータセクションを含み、このコントロールデータセ
クションは、物理フォーマット情報等の一部として、記録パワー（ピークパワー）等の記
録に関するパラメータを含んでいる。この中に、各記録線速度における記録パワーの情報
も含まれている。ここで、システムリードイン領域ＳＬＡはあらかじめ透明樹脂基板１０
上に形成されている。

また、光ディスク１００のデータ領域ＤＡ内のトラックには、所定の記録パワー（ピー
クパワー）およびバイアスパワーを伴うレーザにより、マーク／スペース記録が行われる
。このマーク／スペース記録により、図１（ｃ）に例示されるように、例えば高精細ＴＶ
放送番組等のオブジェクトデータ（ＶＯＢ等）とその管理情報（ＶＭＧ）が、データ領域
ＤＡ内のトラック上に記録される。

本発明の一実施形態において使用できるＬ ｔｏ Ｈ型の有機色素として、色素部と対
イオン（アニオン）部とからなるもの、有機金属錯体を使用することができる。色素部と
しては、シアニン色素、スチリル色素、ポルフィリン系色素、アゾ色素等を使用すること
ができる。特に、シアニン色素、スチリル色素、アゾ色素は、記録波長に対する吸収率の
制御がしやすく好適である。

Ｌ ｔｏ Ｈ型の有機色素の中でも、モノメチン鎖を有するモノメチンシアニン色素は
、透明樹脂基板に塗布される記録膜を薄膜化することにより、極大吸収と記録波長域（４
００ｎｍ〜４０５ｎｍ）での吸光度を０．３〜０．５付近、好ましくは０．４付近に容易
に調整することができる。このため、記録再生特性を良くすることが可能で、かつ、光反
射率、記録感度を共に良好に設計することができる。

有機色素のアニオン部としては、有機金属錯体とするのが光安定性の観点からも良好で
ある。有機金属錯体は、コバルトまたはニッケルを中心金属とするものが、特に光安定性
に優れている。

有機金属錯体としては、例えばアゾ金属錯体を使用することができ、２，２，３，３−
テトラフルオロ−１−プロパノール（ＴＦＰ）を溶媒とした場合の溶解性も良好であって
、スピンコート用の溶液を容易に作ることができる。また、スピンコート後のリサイクル
が可能なので、情報記録媒体製造のコストダウンを図ることができる。

なお、有機金属錯体は、ＴＦＰ液に溶解させ、スピン塗布することができる。特に、ア
ゾ金属錯体が記録後に変形を生じにくいので、記録層を２層とする情報記録媒体に使用す
る場合、Ａｇ合金層の薄いＬ０用記録層には良好である。中心金属はＣｕ，Ｎｉ、Ｃｏ、
Ｚｎ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｙが使えるが、特に再生光耐性が良好なのはＣｕ、
Ｎｉ、Ｃｏであり、Ｃｕは遺伝毒性が無く、記録再生信号の品質が優良である。

中心金属を取り巻くリガンド（配位子）は様々なものが使用できる。たとえば下記構造式
（Ｄ１）ないし（Ｄ６）で表される色素のようなものが使用される。ここに出てきたリガ
ンドを組み合わせて他の構造にしてもよい。

また、図４は、本発明に使用できるＬ ｔｏ Ｈ型有機色素層として使用し得る有機色
素材料として、色素Ａ〜Ｄの４つの例を示している。色素Ａは、色素部（カチオン部）を
スチリル色素、アニオン部をアゾ金属錯体１としたものである。色素Ｃは、色素部（カチ
オン部）をスチリル色素、アニオン部をアゾ金属錯体２としたものである。色素Ｄは、色
素部（カチオン部）をモノメチンシアニン色素、アニオン部をアゾ金属錯体１としたもの
である。なお、有機金属錯体の単体も使用可能である。例えば、色素Ｂは、ニッケル錯体
色素である。

ここで、下記一般式（Ｅ１）は、上記色素Ａ，Ｃの色素部となるスチリル色素の一般式
を示し、下記一般式（Ｅ２）は、色素Ａ，Ｃのアニオン部となるアゾ金属錯体の一般式を
示している。また、下記一般式（Ｅ３）は、上記色素Ｄの色素部となるモノメチンシアニ
ン色素の一般式を示し、下記一般式（Ｅ４）は、色素Ｄのアニオン部となるアゾ金属錯体
の一般式を示している。

上記スチリル色素の一般式において、Ｚ３は芳香環を表わし、その芳香環は置換基を有
していてもよい。Ｙ３１は炭素原子またはヘテロ原子を表わしている。Ｒ３１，Ｒ３２，
Ｒ３３は互いに同じか異なる脂肪族炭化水素基を表わし、それらの脂肪族炭化水素基は置
換基を有していてもよい。Ｒ３４，Ｒ３５はそれぞれ独立に、水素原子または適宜の置換
基を表わし、Ｙ３１がヘテロ原子である場合、Ｒ３４，Ｒ３５のいずれか一方または両方
が存在しない。

また、上記モノメチンシアニン色素の一般式において、Ｚ１，Ｚ２は互いに同じか異な
る芳香環を表わし、それらの芳香環は置換基を有していてもよい。Ｙ１１，Ｙ１２はそれ
ぞれ独立に、炭素原子またはヘテロ原子を表わしている。Ｒ１１，Ｒ１２は脂肪族炭化水
素基を表わし、それらの脂肪族炭化水素基は置換基を有していてもよい。Ｒ１３，Ｒ１４
，Ｒ１５，Ｒ１６はそれぞれ独立に、水素原子または適宜の置換基を表わし、Ｙ１１，Ｙ
１２がヘテロ原子である場合、Ｒ１３，Ｒ１４，Ｒ１５，Ｒ１６の一部または全部が存在
しない。

この実施の形態で用いるモノメチンシアニン色素としては、置換基を１または複数有す
ることのあるモノメチン鎖の両端に、置換基を１または複数有することのある、互いに同
じか異なるイミダゾリン環、イミダゾール環、ベンゾイミダソール環、α−ナフトイミダ
ゾール環、β−ナフトイミダゾール環、インドール環、イソインドール環、インドレニン
環、イソインドレニン環、ベンゾインドレニン環、ピリジノインドレニン環、オキサゾリ
ン環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、ベンゾオキサゾール環、ピリジノオキサゾ
ール環、α−ナフトオキサゾール環、β−ナフトオキサゾール環、セレナゾリン環、セレ
ナゾール環、ベンゾセレナゾール環、α−ナフトセレナゾール環、β−ナフトセレナゾー
ル環、チアゾリン環、チアゾール環、イソチアゾール環、ベンゾチアゾール環、α−ナフ
トチアゾール環、β−ナフトチアゾール環、テルラゾリン環、テルラゾール環、ベンゾテ
ルラゾール環、α−ナフトテルラゾール環、β−ナフトテルラゾール環、さらには、アク
リジン環、アントラセン環、イソキノリン環、イソピロール環、イミダノキサリン環、イ
ンダンジオン環、インダゾール環、インダリン環、オキサジアゾール環、カルバゾール環
、キサンテン環、キナゾリン環、キノキサリン環、キノリン環、クロマン環、シクロヘキ
サンジオン環、シクロペンタンジオン環、シンノリン環、チオジアゾール環、チオオキサ
ゾリドン環、チオフェン環、チオナフテン環、チオバルビツール酸環、チオヒダントイン
環、テトラゾール環、トリアジン環、ナフタレン環、ナフチリジン環、ピペラジン環、ピ
ラジン環、ピラゾール環、ピラゾリン環、ピラゾリジン環、ピラゾロン環、ピラン環、ピ
リジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピリリウム環、ピロリジン環、ピロリン環、ピ
ロール環、フェナジン環、フェナントリジン環、フェナントレン環、フェナントロリン環
、フタラジン環、プテリジン環、フラザン環、フラン環、プリン環、ベンゼン環、ベンゾ
オキサジン環、ベンゾピラン環、モルホリン環、ロダニン環等の環状核が結合してなる色
素を挙げることができる。

また、モノメチンシアニン色素及びスチリル色素の一般式を通じて、Ｚ１〜Ｚ３は、例
えば、ベンゼン環、ナフタレン環、ピリジン環、キノリン環、キノキサリン環等の芳香環
を表わし、それらの芳香環は置換基を１または複数有していてもよい。置換基としては、
例えば、メチル基、トリフルオロメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブ
チル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペン
チル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペ
ンチル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、５−メチルヘキシル基、ヘプチル基、オクチル
基等の脂肪族炭化水素基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シク
ロヘキシル基等の脂環式炭化水素基、フェニル基、ビフェニリル基、ｏ−トリル基、ｍ−
トリル基、ｐ−トリル基、キシリル基、メシチル基、ｏ−クメニル基、ｍ−クメニル基、
ｐ−クメニル基等の芳香族炭化水素基、メトキシ基、トリフルオロメトキシ基、エトキシ
基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブ
トキシ基、ペンチルオキシ基、フェノキシ基、ベンゾイルオキシ基等のエーテル基、メト
キシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポ
キシカルボニル基、アセトキシ基、ベンゾイルオキシ基等のエステル基、フルオロ基、ク
ロロ基、ブロモ基、ヨード基等のハロゲン基、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチ
オ基、ブチルチオ基、フェニルチオ基等のチオ基、メチルスルファモイル基、ジメチルス
ルファモイル基、エチルスルファモイル基、ジエチルスルファモイル基、プロピルスルフ
ァモイル基、ジプロピルスルファモイル基、ブチルスルファモイル基、ジブチルスルファ
モイル基等のスルファモイル基、第一級アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、
エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、イソプロ
ピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ジブチルアミノ基、ピペリジ
ノ基等のアミノ基、メチルカルバモイル基、ジメチルカルバモイル基、エチルカルバモイ
ル基、ジエチルカルバモイル基、プロピルカルバモイル基、ジプロピルカルバモイル基等
のカルバモイル基、さらには、ヒドロキシ基、カルボキシ基、シアノ基、ニトロ基、スル
フィノ基、スルホ基、メシル基等が挙げられる。なお、一般式において、Ｚ１及びＺ２は
互いに同じものであっても異なるものであってもよい。

モノメチンシアニン色素及びスチリル色素の一般式におけるＹ１１，Ｙ１２，Ｙ３１は
炭素原子またはヘテロ原子を表わしている。ヘテロ原子としては、例えば、窒素原子、酸
素原子、硫黄原子、セレン原子、テルル原子等の周期律表における第１５族及び第１６族
の原子が挙げられる。なお、Ｙ１１，Ｙ１２，Ｙ３１における炭素原子は、例えば、エチ
レン基、ビニレン基等の２個の炭素原子を主体とする原子団であってもよい。また、モノ
メチンシアニン色素の一般式におけるＹ１１，Ｙ１２は互いに同じものであっても異なる
ものであってもよい。

モノメチンシアニン色素及びスチリル色素の一般式におけるＲ１１，Ｒ１２，Ｒ１３，
Ｒ３２，Ｒ３３は脂肪族炭化水素基を表わしている。脂肪族炭化水素基の例としては、メ
チル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、イソプロペニル基、１−プロペニル基
、２−プロペニル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基
、２−ブテニル基、１，３−ブタジエニル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチ
ル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、２−ペン
テニル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、５−メチルヘキシル基、ヘプチル基、オクチル
基等が挙げられる。この脂肪族炭化水素基は、Ｚ１〜Ｚ３におけるものと同様の置換基を
１または複数有していてもよい。

なお、モノメチンシアニン色素の一般式におけるＲ１１，Ｒ１２と、スチリル色素の一
般式におけるＲ１３，Ｒ３２，Ｒ３３とは、それぞれ、互いに同じものであっても異なる
ものであってもよい。

モノメチンシアニン色素及びスチリル色素の一般式におけるＲ１３〜Ｒ１６，Ｒ３４，
Ｒ３５は、個々の一般式においてそれぞれ独立に、水素原子または適宜の置換基を表わし
ている。置換基としては、例えば、メチル基、トリフルオロメチル基、エチル基、プロピ
ル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル
基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチル
ペンチル基、２−メチルペンチル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、５−メチルヘキシル
基、ヘプチル基、オクチル基等の脂肪族炭化水素基、メトキシ基、トリフルオロメトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基
、フェノキシ基、ベンゾイルオキシ基等のエーテル基、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基
、ヨード基等のハロゲン基、さらには、ヒドロキシ基、カルボキシ基、シアノ基、ニトロ
基等が挙げられる。なお、モノメチンシアニン色素及びスチリル色素の一般式において、
Ｙ１１，Ｙ１２，Ｙ３１がヘテロ原子である場合には、Ｚ１及びＺ２におけるＲ１３〜Ｒ
１６の一部または全部、また、Ｚ３におけるＲ３４，Ｒ３５の一方もしくは両方が存在し
ないこととなる。

また、上記アゾ金属錯体の一般式において、Ａ及びＡ´は窒素原子、酸素原子、硫黄原
子、セレン原子及びテルル原子から選ばれるヘテロ原子を１または複数含んでなる、互い
に同じか異なる、例えば、フリル基、チエニル基、ピロリル基、ピリジル基、ピペリジノ
基、ピペリジル基、キノリル基、イソオキサゾリル基等の五員環〜十員環の複素環基を表
わしている。この複素環基は、例えば、メチル基、トリフルオロメチル基、エチル基、プ
ロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブ
チル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メ
チルペンチル基、２−メチルペンチル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、５−メチルヘキ
シル基等の脂肪族炭化水素基、メトキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル
基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、アセトキシ基、トリフルオロアセ
トキシ基、ベンゾイルオキシ基等のエステル基、フェニル基、ビフェニリル基、ｏ−トリ
ル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｏ−クメニル基、ｍ−クメニル基、ｐ−クメニル基
、キシリル基、メシチル基、スチリル基、シンナモイル基、ナフチル基等の芳香族炭化水
素基、さらには、カルボキシ基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基等の置換基を１また
は複数有していてもよい。

また、上記アゾ金属錯体の一般式において、Ａ及びＡ´は窒素原子、酸素原子、硫黄原
子、セレン原子及びテルル原子から選ばれるヘテロ原子を１または複数含んでなる、互い
に同じか異なる、例えば、フリル基、チエニル基、ピロリル基、ピリジル基、ピペリジノ
基、ピペリジル基、キノリル基、イソオキサゾリル基等の五員環〜十員環の複素環基を表
わしている。この複素環基は、例えば、メチル基、トリフルオロメチル基、エチル基、プ
ロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブ
チル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メ
チルペンチル基、２−メチルペンチル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、５−メチルヘキ
シル基等の脂肪族炭化水素基、メトキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル
基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、アセトキシ基、トリフルオロアセ
トキシ基、ベンゾイルオキシ基等のエステル基、フェニル基、ビフェニリル基、ｏ−トリ
ル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｏ−クメニル基、ｍ−クメニル基、ｐ−クメニル基
、キシリル基、メシチル基、スチリル基、シンナモイル基、ナフチル基等の芳香族炭化水
素基、さらには、カルボキシ基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基等の置換基を１また
は複数有していてもよい。

なお、一般式で表わされるアゾ系有機金属錯体を構成するアゾ化合物は、常法にしたが
って、一般式に対応するＲ２１，Ｒ２２か、または、Ｒ２３，Ｒ２４を有するジアゾニウ
ム塩と、分子内に、カルボニル基に隣接する活性メチレン基を有する、例えば、イソオキ
サゾロン化合物、オキサゾロン化合物、チオナフテン化合物、ピラゾロン化合物、バルビ
ツル酸化合物、ヒダントイン化合物、ロダニン化合物等の複素環式化合物とを反応させる
ことによって得ることができる。Ｙ２１，Ｙ２２は、例えば、酸素原子、硫黄原子、セレ
ン原子、テルル原子等の、周期律表における第１６族の元素から選ばれる互いに同じか異
なるヘテロ原子を表わしている。

一般式で表されるアゾ金属錯体は、通常、その１または複数が金属（中心原子）に配位
してなる金属錯体の形態で用いられる。中心原子となる金属元素の例としては、例えば、
スカンジウム、イットリウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ
、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、テクネチウム、レニウム、
鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム
、白金、銅、銀、金、亜鉛、カドミウム、水銀等が挙げられ、特にコバルトが好ましい。

図５（ａ）は、上記色素Ａにおいて、照射されたレーザ光の波長に対する吸光度の変化
を示している。図５（ｂ）は、上記色素Ｂにおいて、照射されたレーザ光の波長に対する
吸光度の変化を示している。図５（ｃ）は、上記色素Ｃにおいて、照射されたレーザ光の
波長に対する吸光度の変化を示している。

また、図６（ａ）は、上記色素Ｄにおいて、照射されたレーザ光の波長に対する吸光度
の変化を示している。図６（ｂ）は、上記色素Ｄのアニオン部において、照射されたレー
ザ光の波長に対する吸光度の変化を示している。

図５及び図６に示す特性から明らかなように、各色素Ａ〜Ｄは、その最大吸収波長領域
が記録波長（４０５ｎｍ）よりも長波長側にシフトしている。この実施の形態で説明する
追記型光ディスクは、上記のような特性を有する有機色素を記録膜に含ませ、かつ、レー
ザ光照射前の光反射率よりもレーザ光照射後の光反射率が高くなる、いわゆるＬ ｔｏ
Ｈの特性を持たせるように構成することにより、青色レーザ光等のような短波長レーザ光
を使用しても、保存耐久性、再生信号ＳＮ比、ビット誤り率等の点で優れ、高密度で十分
に実用に適するレベルの性能をもって情報の記録再生を行なうことを可能としている。

すなわち、この追記型光ディスクは、有機色素を含む記録膜の極大吸収波長が記録用レ
ーザ光の波長よりも長波長側にあるため、紫外線等の短波長の光の吸収を小さく抑えるこ
とができるので、光安定性に優れ、情報記録再生の信頼性が高くなる。

また、情報の記録時点では、光反射率が低いことから、反射拡散によるクロスライトが
生じないため、隣接トラックに情報が記録されている状態であっても、再生信号ＳＮ比、
ビット誤り率の劣化を少なくすることができる。さらに、熱に対しても、記録マークのコ
ントラスト、解像度を高い品質で保持することができ、記録感度設計を容易に行なうこと
ができる。

また、最大吸収波長領域が記録波長（４０５ｎｍ）よりも短波長側にシフトしているよ
うな色素を記録膜に用いた場合、この実施の形態で説明する追記型光ディスクは、レーザ
光照射前の光反射率よりもレーザ光照射後の光反射率が低くなる、いわゆるＨ ｔｏ Ｌ
の特性を持たせるように構成することにより、青色レーザ光等のような短波長レーザ光を
使用しても、高反射率であり、再生信号ＳＮ比、ビット誤り率等の点で優れ、高密度で十
分に実用に適するレベルの性能をもって情報の記録再生を行なうことを可能としている。

すなわち、この追記型光ディスクは、有機色素を含む記録膜の極大吸収波長が記録用レ
ーザ光の波長よりも短波長側にあるため、紫外線等の短波長の光を吸収、あるいは多少反
射させることができるので、光安定性に優れ、情報記録再生の信頼性が高くなる。

さらに、熱に対しても、記録マークのコントラスト、解像度を高い品質で保持すること
ができ、記録感度設計を容易に行なうことができる。

アゾ化合物は芳香環を持っており、その芳香環の構造はもちろんのこと、芳香環に様々
な置換基を持たせることで、記録特性や保存特性、再生安定性などを最適化することが可
能となる。この置換基は、嵩高いほど再生光耐久性が向上する傾向にあるが、記録時の感
度も悪くなる傾向にあるため、どちらの特性も良好となるような置換基の選択が重要とな
る。また、この置換基は、溶剤への溶解度にも関与している。

これまで（記録レーザ波長が６２０ｎｍより長いもの）の色素系情報記録媒体の記録メカ
ニズムと異なり、本願発明が関係する短波長レーザ記録（記録波長が例えば４０５ｎｍ）
ではその記録メカニズムが基板や色素膜体積の物理的変化でない。レーザ記録波長での光
の吸収が存在するため、再生時、色素に記録時よりも弱いレーザを照射することによって
、熱または光により記録層内の色素分子の配向変化、あるいは、色素分子内の立体配座の
変化が徐々に生じてしまうが、色素分子内に嵩高い置換基が存在することにより、これら
の変化を生じにくくする効果があると考えられる。これが、嵩高い置換基が再生光耐久性
向上に寄与する理由である。

このときの嵩高い置換基とは、色素分子内芳香環に置換している炭素３つ以上からなる
置換基を指し、例えば、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、１−メチルプ
ロピル基、２−メチルプロピル基、ｎ−ペンチル基、１−エチルプロピル基、１−フェニ
ルプロピル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、３−メチルブチル基、１，１
−ジメチルプロピル基、１，１−ジフェニルメチル基、１，２−ジメチルプロピル基、２
，２−ジメチルプロピル基、シクロペンチル基、ｎ−ヘキシル基、１−メチルペンチル基
、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、１，１−ジメ
チルブチル基、１，２−ジメチルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、２，２−ジメチ
ルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、３，３−ジメチルブチル基、１−エチルブチル
基、２−エチルブチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、などがある。ここで、置換基
の中には、酸素、硫黄、窒素、珪素、フッ素、臭素、塩素、ヨウ素など炭素以外の原子を
含んでも良い。

本実施例で用いるアゾ色素の一般式２種を下記式（１）、式（２）に示す。

ここで、Ｚ１〜Ｚ４の少なくともいずれかひとつには芳香環が入り、その芳香環はＺ１
からＺ４でそれぞれ異なってもよい。この芳香環はイミダゾリン環、イミダゾール環、ベ
ンゾイミダソール環、α−ナフトイミダゾール環、β−ナフトイミダゾール環、インドー
ル環、イソインドール環、インドレニン環、イソインドレニン環、ベンゾインドレニン環
、ピリジノインドレニン環、オキサゾリン環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、ベ
ンゾオキサゾール環、ピリジノオキサゾール環、α−ナフトオキサゾール環、β−ナフト
オキサゾール環、セレナゾリン環、セレナゾール環、ベンゾセレナゾール環、α−ナフト
セレナゾール環、β−ナフトセレナゾール環、チアゾリン環、チアゾール環、イソチアゾ
ール環、ベンゾチアゾール環、α−ナフトチアゾール環、β−ナフトチアゾール環、テル
ラゾリン環、テルラゾール環、ベンゾテルラゾール環、α−ナフトテルラゾール環、β−
ナフトテルラゾール環、さらには、アクリジン環、アントラセン環、イソキノリン環、イ
ソピロール環、イミダノキサリン環、インダンジオン環、インダゾール環、インダリン環
、オキサジアゾール環、カルバゾール環、キサンテン環、キナゾリン環、キノキサリン環
、キノリン環、クロマン環、シクロヘキサンジオン環、シクロペンタンジオン環、シンノ
リン環、チオジアゾール環、チオオキサゾリドン環、チオフェン環、チオナフテン環、チ
オバルビツール酸環、チオヒダントイン環、テトラゾール環、トリアジン環、ナフタレン
環、ナフチリジン環、バルビツール酸環、ピペラジン和、ピラジン環、ピラゾール環、ピ
ラゾリン環、ピラゾリジン環、ピラゾロン環、ピラン環、ピリジン環、ピリダジン環、ピ
リドン環、ピリミジン環、ピリリウム環、ピロリジン環、ピロリン環、ピロール環、フェ
ナジン環、フェナントリジン環、フェナントレン環、フェナントロリン環、フタラジン環
、プテリジン環、フラザン環、フラン環、プリン環、ベンゼン環、ベンゾオキサジン環、
ベンゾピラン環、モルホリン環、ロダニン環等の環状核が結合してなる。

また、色素部（カチオン部）とアニオン部を有する有機色素の場合、色素材料部分とし
ては図示しないがシアニン色素、スチリル色素、モノメチンシアニン色素、アゾ色素を用
いることができる。

実施例１
表面に同心円またはスパイラル形状のグルーブ及びランドが形成された、１２０ｍｍの
直径、０．６ｍｍの厚さを有する例えばポリカーボネート等の透明樹脂基板を用意した。

次に、上記式（Ｄ１）で表される有機色素の１．２ｗｔ％２，２，３，３−テトラフル
オロ−１−プロパノール（ＴＦＰ）溶液を調製した。

続いて、上記透明樹脂基板上に、スピンコートによりＴＦＰ溶液を塗布し、有機色素層
を形成した。塗布後の有機色素層のグルーブ底からの厚みは６０ｎｍとした。得られた有
機色素層上にＡｇ合金の光反射層をスパッタリングにより１００ｎｍ積層し、有機色素層
と光反射層とが積層された記録層を得た。

さらに、光反射層上に、ＵＶ硬化樹脂をスピンコートし、０．６０ｍｍの厚さを有する
もう１枚の透明樹脂基板１８を貼り合わせて、片面１層追記型情報記録媒体を得た。

上記式（Ｄ１）で表される色素は有機金属錯体であり、最大吸収波長は４２３ｎｍであ
った。

最適な最大記録パワーは１倍速で７．６ｍＷ， ２倍速では９．５ｍＷ， ４倍速では
１２．０ｍＷであった。このときのＰｗ２ｘ／Ｐｗ１ｘ＝１．２５であった。これら各線
速度における最適最大記録パワーは、記録に関するパラメータとしてあらかじめシステム
リードイン領域中に記述しておいた。

以上のようにして作製した情報記録媒体（片面１層Ｒの評価ディスク）を用いて再生信
号の評価実験を行った。

評価に用いた装置は、パルステック社製の光ディスク評価装置ＯＤＵ−１０００であり
、この装置のレーザの波長は４０５ｎｍ、ＮＡは０．６５である。再生時の線速度は６．
６１ｍ／ｓとした。記録速度は、再生時の線速度６．６１ｍ／ｓを１倍速とすると、１倍
速の６．６１ｍ／ｓ、２倍速の１３．２２ｍ／ｓ、４倍速の２６．４４ｍ／ｓとした。記
録信号は８−１２変調されたランダムデータであり、図７に示すような、記録パワー（ピ
ークパワー）と２種類のバイアスパワー１，２を含むレーザ波形を用いて情報の記録を行
った。その際の記録条件を、以下に述べる。

・記録条件（ライトストラテジ：Ｗｒｉｔｅ Ｓｔｒａｔｅｇｙの情報）の説明
標準速と２倍速について、最適な記録パワーを調べる時に使用する記録波形（記録時の
露光条件）について図７を用いて説明する。記録時の露光レベルとして記録パワー（ピー
クパワー：Ｐｅａｋ ｐｏｗｅｒ）、バイアスパワー１（Ｂｉａｓ ｐｏｗｅｒ １）、
バイアスパワー２（Ｂｉａｓ ｐｏｗｅｒ ２）、バイアスパワー３（Ｂｉａｓ ｐｏｗ
ｅｒ ３）の４レベルを持ち、長さの長い（４Ｔ以上の）記録マーク９形成時には記録パ
ワー（ピークパワー：Ｐｅａｋ ｐｏｗｅｒ）とバイアスパワー３（Ｂｉａｓ ｐｏｗｅ
ｒ ３）の間でマルチパルスの形で変調される。この実施の形態ではチャネルビット長Ｔ
に対する最小マーク長は２Ｔとなっている。この２Ｔの最小マークを記録する場合には、
図７に示すように、バイアスパワー１（Ｂｉａｓ ｐｏｗｅｒ １）の後で記録パワー（
ピークパワー：Ｐｅａｋ ｐｏｗｅｒ）レベルの１個のライトパルスを使用し、ライトパ
ルスの直後は一度バイアスパワー２（Ｂｉａｓ ｐｏｗｅｒ ２）になる。３Ｔの長さの
記録マーク９を記録する場合には、バイアスパワー１（Ｂｉａｓ ｐｏｗｅｒ １）の後
に来る記録パワー（ピークパワー：Ｐｅａｋ ｐｏｗｅｒ）レベルのファーストパルスと
ラストパルスの２個のライトパルスを露光した後、一旦バイアスパワー２（Ｂｉａｓ ｐ
ｏｗｅｒ ２）になる。４Ｔ以上の長さの記録マーク９を記録する場合には、マルチパル
スとラストパルスで露光した後、バイアスパワー２（Ｂｉａｓ ｐｏｗｅｒ ２）になる
。

図７における縦の破線はチャネルクロック周期（Ｔ）を示す。２Ｔの最小マークを記録
する場合にはクロックエッジからＴＳＦＰ遅れた位置から立ち上がり、その１クロック後
のエッジからＴＥＬＰ後ろの位置で立ち下がる。その直後のバイアスパワー２（Ｂｉａｓ
ｐｏｗｅｒ ２）になる期間をＴＬＣと定義する。ＴＳＦＰとＴＥＬＰ及びＴＬＣの値
は、Ｈフォーマットの場合には制御データゾーンＣＤＺ内の物理フォーマット情報ＰＦＩ
内に記録されている。

３Ｔ以上の長い記録マーク形成時の場合には、クロックエッジからＴＳＦＰ遅れた位置
から立ち上がり、最後にラストパルスで終わる。ラストパルスの直後はＴＬＣの期間バイ
アスパワー２（Ｂｉａｓ ｐｏｗｅｒ ２）になるが、ラストパルスの立ち上がり／立ち
下がりタイミングのクロックエッジからのずれ時間をＴＳＬＰ，ＴＥＬＰで定義する。ま
た、先頭パルスの立ち下がりタイミングのクロックエッジから測った時間をＴＥＦＰで、
さらに１個のマルチパルスの間隔をＴＭＰで定義する。

ＴＥＬＰ−ＴＳＦＰ、ＴＭＰ、ＴＥＬＰ−ＴＳＬＰ、ＴＬＣの各間隔は、最大値に対す
る半値幅で定義する。また、この実施の形態では、上記パラメーターの設定範囲を
０．２５Ｔ≦ＴＳＦＰ≦１．５０Ｔ （ｅｑ．０１）
０．００Ｔ≦ＴＥＬＰ≦１．００Ｔ （ｅｑ．０２）
１．００Ｔ≦ＴＥＦＰ≦１．７５Ｔ （ｅｑ．０３）
−０．１０Ｔ≦ＴＳＬＰ≦１．００Ｔ （ｅｑ．０４）
０．００Ｔ≦ＴＬＣ ≦１．００Ｔ （ｅｑ．０５）
０．１５Ｔ≦ＴＭＰ ≦０．７５Ｔ （ｅｑ．０６）
とする。

さらに、この実施の形態では、記録マークの長さ（Ｍａｒｋ ｌｅｎｇｔｈ）とその直
前／直後のスペース長（Ｌｅａｄｉｎｇ／Ｔｒａｉｌｉｎｇ ｓｐａｃｅ ｌｅｎｇｔｈ
）に応じて、上記各パラメーターの値を変化できるようにしている。

２倍速以上の記録を行う際には、上記のようなマルチパルス方式のライトストラテジを
使用した場合、転送レートが速くなるほどクロックの時間も短くなり、実際の発光パルス
を観測したときのレーザーの立ち上がり時間と立下り時間の合計よりもパルス幅が短くな
り、安定した正確なレーザーパワーを出力することが困難となる。そこで、高線速で記録
をする場合には特に、マルチパルスではなく１パルスで記録する方法を採ることができる
。この場合、使用する記録ストラテジとしては、上記マルチパルスの先頭パルスと最終パ
ルスの間をこの記録パワー（Ｐｗ１）より少し低いパワー（Ｐｗ２）で出力するような波
形を用いることができる。一例を図８に示す。（ａ）は上記１〜２倍速で用いたマルチパ
ルス方式、（ｂ）は高線速記録時に使用するノンマルチパルス方式である。このとき、こ
の実施の形態においては、（ａ）のマルチパルス方式と同様に、記録マークの長さ（Ｍａ
ｒｋ ｌｅｎｇｔｈ）とその直前／直後のスペース長（Ｌｅａｄｉｎｇ／Ｔｒａｉｌｉｎ
ｇ ｓｐａｃｅ ｌｅｎｇｔｈ）に応じて、パルスの立ち上がりのタイミングやパルスの
下がりタイミングなど各パラメーターの値を変化できるようにしている。

この記録パワーで記録したときのＳｂＥＲは、１倍速で４．２×１０^−８， ２倍速で
８．２ｅ^−７， ４倍速で１．３ｅ^−５と１倍速から４倍速まで良好な記録特性を得ることが
できた。

ここで、１ｘでの記録線速度をλ／ （Ｘ＊ＮＡ）のＸに代入すると、レーザ波長λは
このとき４０５ｎｍ、ＮＡは０．６５であるから
λ／ （Ｘ＊ＮＡ） ＝ ４０５ｎｍ／（６．６１ｍ／ｓ ＊ ０．６５） ＝ ９．４
３×１０^−８
また、４ｘでの記録線速度を同様にλ／ （Ｘ＊ＮＡ）のＸに代入すると、
λ／ （Ｘ＊ＮＡ） ＝ ４０５ｎｍ／（２６．４４ｍ／ｓ ＊ ０．６５） ＝ ２．
３６×１０^−８
となり、９．５×１０^−８≧λ／ （Ｘ＊ＮＡ） ≧２．３×１０^−８の範囲で少なくと
も記録できることがわかった。

比較例
色素として、下記式（３）で示されるものを用いた情報記録媒体を作製し、情報記録を
行った。

…（３）
上記式（３）の色素は有機金属錯体のアニオン部とシアニンのカチオン部から成り立っ
ており、最大吸収波長は４２２ｎｍであった。

最適な記録パワーは１ｘで６．３ｍＷ， ２ｘでは８．６ｍＷ， ４ｘでは１１．８ｍ
Ｗであった。このときのＰｗ２ｘ／Ｐｗ１ｘ＝１．３７であった。

この記録パワーで記録したときのＳｂＥＲは、１ｘで７．０×１０^−８， ２ｘで３．
９ｅ^−５， ４ｘで１．０ｅ^−３となっており、２ｘまでは良好な記録特性であったが、
４ｘではＳｂＥＲが目標値の５ｅ^−５以下を下回ってしまった。

ここで、１ｘでの記録線速度をλ／ （Ｘ＊ＮＡ）のＸに代入すると、レーザ波長λはこ
のとき４０５ｎｍ、ＮＡは０．６５であるから、
λ／ （Ｘ＊ＮＡ） ＝ ４０５ｎｍ／（６．６１ｍ／ｓ ＊ ０．６５） ＝ ９．４
３×１０^−８
また、２ｘでの記録線速度を同様にλ／ （Ｘ＊ＮＡ）のＸに代入すると、
λ／ （Ｘ＊ＮＡ） ＝ ４０５ｎｍ／（１３．２２ｍ／ｓ ＊ ０．６５） ＝ ４．
７１×１０^−８
となり、９．５×１０^−８≧λ／ （Ｘ＊ＮＡ） ≧４．６×１０^−８の範囲では記録で
きることがわかった。

なお、本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、現在または将来の実施段階で
は、その時点で利用可能な技術に基づき、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変形するこ
とが可能である。例えば、本発明は単層ディスクや２層ディスクだけでなく将来実用化さ
れるであろう３層以上の記録層を持つ光ディスクにおいても実施可能である。

また、各実施形態は可能な限り適宜組み合わせて実施してもよく、その場合組み合わせ
た効果が得られる。さらに、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示さ
れる複数の構成要件における適当な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば
、実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、この構成要件
が削除された構成が発明として抽出され得る。

１倍速と２倍速の記録パワーの比と、各線速度でのＳｂＥＲとの関係を示す図 本発明の一実施形態に係る光ディスクの構成例を説明する図 本発明の一実施形態に係る物理フォーマットの構成例を説明する図 Ｌ ｔｏ Ｈ型有機色素層として使用し得る有機色素材料の例を表す図 色素毎のレーザー光波長と吸光度との関係を表す図 色素毎のレーザー光波長と吸光度との関係を表す図 追記型形情報記憶媒体上に記録される書替え可能データのデータ記録方法を表す波形図 ２倍速以上で追記形情報記憶媒体上に記録される書替え可能データのデータ記録方法を表す波形図

符号の説明

１０，１８…基板、１１…記録層、１２…有機色素層、１４…光反射層、１６…接着層、１００…情報記録媒体

Claims (8)

1. 同心円またはスパイラル形状のグルーブ及びランドが形成された透明樹脂基板と、前記
   透明樹脂基板の前記グルーブ及び前記ランド上に形成された記録層とを少なくとも有し、
   ４５０ｎｍ以下の半導体レーザーを用いて情報を記録再生することが可能な情報記録媒体
   において、
   情報の記録を行う際、下記式（１）を満たすことを特徴とする情報記録媒体。
   ９．５×１０^−８≧λ／ （Ｘ＊ＮＡ） ≧４．６×１０^−８…（１）
   なお、式中、Ｘは記録線速度、λはレーザー波長、ＮＡは開口数を表す。
2. 同心円またはスパイラル形状のグルーブ及びランドが形成された透明樹脂基板と、前記
   透明樹脂基板の前記グルーブ及び前記ランド上に形成された記録層とを少なくとも有し、
   ４５０ｎｍ以下の半導体レーザーを用いて情報を記録再生することが可能な情報記録媒体
   において、
   情報の記録を行う際、下記式（２）を満たすことを特徴とする請求項１に記載の情報記
   録媒体。
   ９．５×１０^−８≧λ／ （Ｘ＊ＮＡ） ≧２．３×１０^−８…（２）
   なお、式中、Ｘは記録線速度、λはレーザー波長、ＮＡは開口数を表す。
3. 前記記録層は有機色素層であり、記録層の上に光反射層を含むことを特徴とする請求項
   １または２に記載の情報記録媒体。
4. 前記有機色素層は、有機金属錯体を含有することを特徴とする請求項３に記載の情報記
   録媒体。
5. 前記有機金属錯体は、アゾ有機金属錯体であることを特徴とする請求項４に記載の情報
   記録媒体。
6. 前記有機色素層は、その記録前の最大吸収波長が、記録レーザー波長−１０ｎｍないし
   ５０ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項３ないし５のいずれか１項に記載の情報記
   録媒体。
7. 標準速で記録したときの記録パワーの最大値（Ｐｗ１ｘ）と２倍速で記録したときの記
   録パワーの最大値（Ｐｗ２ｘ）の関係は、下記式（３）で表されることを特徴とする請求
   項１ないし６のいずれか１項に記載の情報記録媒体。
   Ｐｗ２ｘ／Ｐｗ１ｘ＜１．３５…（３）
8. 記録に関するパラメータを含む所定領域を有し、この所定領域には、標準速で記録した
   ときの記録パワーの最大値（Ｐｗ１ｘ）と２倍速で記録したときの記録パワーの最大値（
   Ｐｗ２ｘ）に関する情報が記述されていることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか
   １項に記載の情報記録媒体。

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