JP2008205389A

JP2008205389A - Film forming device

Info

Publication number: JP2008205389A
Application number: JP2007042550A
Authority: JP
Inventors: Yoshihiro Inao; 吉浩稲尾
Original assignee: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Current assignee: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority date: 2007-02-22
Filing date: 2007-02-22
Publication date: 2008-09-04

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a film forming device capable of covering the entire peripheral edge of a circular substrate by supplying a composition for forming a film in a single process. <P>SOLUTION: The film forming device 1 has a holding section 20 for holding the circular substrate 100 and rotating it in a substrate in-plane direction, and a supply unit 10a for supplying the composition for forming a film to the peripheral edge of the circular substrate 100. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、円形基板の周端部に被膜を形成する被膜形成装置に関するものである。 The present invention relates to a film forming apparatus for forming a film on a peripheral end portion of a circular substrate.

携帯電話、デジタルＡＶ機器およびＩＣカードなどの高機能化にともない、搭載される半導体シリコンチップ（以下、チップ）の小型化、薄型化および高集積化への要求が高まっている。また、ＣＳＰ（chip size package）およびＭＣＰ（multi-chip package）に代表されるような複数のチップをワンパッケージ化する集積回路についても、その薄型化が求められている。その中において、一つの半導体パッケージの中に複数のチップを搭載するシステム・イン・パッケージ（ＳｉＰ）は、搭載されるチップを小型化、薄型化および高集積化し、電子機器の高性能化、小型化かつ軽量化を実現する上で非常に重要な技術となっている。 As mobile phones, digital AV devices, IC cards, and the like become more sophisticated, there is an increasing demand for smaller, thinner, and higher integrated semiconductor silicon chips (hereinafter referred to as chips). Further, there is a demand for reducing the thickness of integrated circuits such as CSP (chip size package) and MCP (multi-chip package) that integrate a plurality of chips into one package. Among them, system-in-package (SiP), in which multiple chips are mounted in a single semiconductor package, makes the mounted chips smaller, thinner, and more integrated, improving the performance and size of electronic devices. It has become a very important technology for realizing weight reduction and weight reduction.

電子機器の高性能化、小型化かつ軽量化を実現するためには、チップの厚さを１５０μｍ以下にまで薄くする必要がある。さらに、ＣＳＰおよびＭＣＰにおいては厚さ１００μｍ以下、ＩＣカードにおいては厚さ５０μｍ以下にチップを研削し、薄板化するための研削工程を行う必要がある。しかし、チップのベースとなる半導体ウエハは、研削することにより肉薄となるため、その強度は弱くなり、半導体ウエハにクラックおよび反りが生じやすくなる。また、薄板化した半導体ウエハは、搬送を自動化することができないため、人手によって行わなければならず、その取り扱いが煩雑であった。 In order to realize high performance, miniaturization, and weight reduction of electronic equipment, it is necessary to reduce the thickness of the chip to 150 μm or less. Further, it is necessary to perform a grinding process for grinding the chip to a thickness of 100 μm or less for CSP and MCP, and to a thickness of 50 μm or less for IC cards. However, since the semiconductor wafer that becomes the base of the chip is thinned by grinding, its strength is weakened, and cracks and warpage are likely to occur in the semiconductor wafer. Moreover, since the thinned semiconductor wafer cannot be automatically transported, it has to be performed manually, and its handling is complicated.

そのため、研削する半導体ウエハにサポートプレートと呼ばれるガラスまたは硬質プラスチックなどを貼り合せることによって、半導体ウエハの強度を保持し、クラックの発生および半導体ウエハに反りが生じることを防止するウエハサポートシステムが開発されている。また、ウエハサポートシステムにより、半導体ウエハの強度を維持することができるため、薄板化した半導体ウエハの搬送を自動化することができる（例えば、特許文献１参照）。 Therefore, a wafer support system has been developed that maintains the strength of the semiconductor wafer and prevents the generation of cracks and warpage of the semiconductor wafer by bonding glass or hard plastic called a support plate to the semiconductor wafer to be ground. ing. Moreover, since the strength of the semiconductor wafer can be maintained by the wafer support system, the transport of the thinned semiconductor wafer can be automated (see, for example, Patent Document 1).

ウエハサポートシステムでは、半導体ウエハの加工工程においても半導体ウエハおよびサポートプレートが一体となったままであるため、半導体ウエハの加工工程における様々な処理によって、サポートプレートが損傷および／または汚染を受けてしまう。 In the wafer support system, since the semiconductor wafer and the support plate remain integrated in the semiconductor wafer processing process, the support plate is damaged and / or contaminated by various processes in the semiconductor wafer processing process.

例えば、化学薬品（特に、強い酸性を有する化学薬品）を使用する処理が施される場合には、使用した化学薬品が、半導体ウエハとサポートプレートとの界面から浸透することによりサポートプレート表面の周縁部および側面部をエッチングしてしまう。また、化学薬品が、サポートプレートの裏面に回り込むことによりサポートプレート裏面の周縁部および側面部をエッチングしてしまう。 For example, when processing using chemicals (especially, chemicals having strong acidity) is performed, the used chemicals permeate from the interface between the semiconductor wafer and the support plate, so that the peripheral edge of the support plate surface. Etching the part and the side part. Moreover, a chemical | drug | medicine will etch the peripheral part and side part of a back surface of a support plate by wrapping around the back surface of a support plate.

さらに、化学的気相成長（ＣＶＤ）、物理蒸着（ＰＶＤ）、またはめっき処理などの半導体ウエハに対する膜形成処理においては、サポートプレートの露出している部分に金属などの付着物が付着してしまうため、サポートプレートが汚染されてしまう。 Furthermore, in a film formation process for a semiconductor wafer such as chemical vapor deposition (CVD), physical vapor deposition (PVD), or plating process, deposits such as metals adhere to the exposed portions of the support plate. Therefore, the support plate is contaminated.

このように、サポートプレートの側面部ならびに表面および裏面の周縁部（側面部ならびに表面および裏面の周縁部を、以下、周端部と称する）が損傷および／または汚染を受けると、サポートプレートをリサイクルすることが困難となる。 As described above, when the side surface portion of the support plate and the peripheral portion of the front surface and the back surface (the side surface portion and the peripheral portion of the front surface and the back surface are hereinafter referred to as the peripheral portion) are damaged and / or contaminated, the support plate is recycled. Difficult to do.

なお、特許文献２〜４には、基板の周端部に付着した組成物を洗浄または除去する洗浄装置または除去装置が開示されている。
特開２００５−１９１５５０号公報（平成１７年７月１４日公開）特開平６−９９１２４号公報（平成６年４月１２日公開）特開平５−３１７７８９号公報（平成５年１２月３日公開）特開平８−１０２４３４号公報（平成８年４月１６日公開）特開平７−１３６５７２号公報（平成７年５月３０日公開） Patent Documents 2 to 4 disclose a cleaning device or a removal device that cleans or removes the composition attached to the peripheral edge of the substrate.
Japanese Patent Laying-Open No. 2005-191550 (published July 14, 2005) JP-A-6-99124 (published on April 12, 1994) Japanese Patent Laid-Open No. 5-317789 (published on December 3, 1993) JP-A-8-102434 (released on April 16, 1996) JP 7-136572 A (published on May 30, 1995)

本発明者らは、サポートプレートの損傷および／または汚染を防ぐ方法を鋭意検討した結果、サポートプレートの周端部を保護するための被膜を形成することによって、サポートプレートの周端部における損傷および／または汚染を防止することができることを見出した。 As a result of diligent research on a method for preventing damage and / or contamination of the support plate, the inventors have formed a coating for protecting the peripheral end of the support plate, thereby preventing damage and damage on the peripheral end of the support plate. It has been found that contamination can be prevented.

しかし、従来の被膜形成装置では、サポートプレートのなどの被膜を形成する対象となる基板の全面に被膜が形成されてしまい、基板の周端部に被膜を形成することはできない。 However, in a conventional film forming apparatus, a film is formed on the entire surface of a substrate on which a film such as a support plate is to be formed, and the film cannot be formed on the peripheral edge of the substrate.

また、従来の被膜形成装置の構成では、被膜形成用組成物の供給手段が、サポートプレートなどの被膜を形成する対象となる基板の片面側のみしか備えられていない（例えば、特許文献５参照）。そのため、被膜形成用組成物を基板の片面に供給する構成では、基板の両面に対して同時に被膜形成用組成物を供給できない。 Moreover, in the structure of the conventional film forming apparatus, the supply means of the composition for forming a film is provided only on one side of the substrate on which a film such as a support plate is to be formed (see, for example, Patent Document 5). . Therefore, in the configuration in which the film forming composition is supplied to one side of the substrate, the film forming composition cannot be simultaneously supplied to both sides of the substrate.

すなわち、サポートプレートの周端部全体、すなわちサポートプレートの両面の周縁部および側面部を覆うように被膜を形成するためには、被膜形成用組成物の供給工程を少なくとも２回実行しなければならない。これによって、サポートプレートの製造作業が煩雑となってしまう。 That is, in order to form a film so as to cover the entire peripheral edge of the support plate, that is, the peripheral edge and side surfaces of both sides of the support plate, the process of supplying the film forming composition must be performed at least twice. . This complicates the support plate manufacturing work.

本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その主たる目的は、単一工程の被膜形成用組成物の供給によって円形基板の周端部全体を覆うことができる被膜形成装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and its main object is to provide a film forming apparatus capable of covering the entire peripheral edge of a circular substrate by supplying a film forming composition in a single step. It is to provide.

本発明の第１の態様は、円形基板の周端部に被膜を形成する被膜形成装置であって、上記円形基板を保持するとともに該基板を基板面内方向に回転させる保持手段と、上記円形基板の周端部に被膜形成用組成物を供給する供給手段と、を備えていることを特徴としている。 A first aspect of the present invention is a film forming apparatus for forming a film on a peripheral edge of a circular substrate, the holding means for holding the circular substrate and rotating the substrate in the in-plane direction of the substrate, and the circular shape And a supply means for supplying the film-forming composition to the peripheral edge of the substrate.

本発明に係る被膜形成装置は、以上のように、円形基板を保持すると共に該基板を基板面内方向に回転させる保持手段と、円形基板の周端部に被膜形成用組成物を供給する供給手段とを備えている。 As described above, the film forming apparatus according to the present invention holds the circular substrate and rotates the substrate in the in-plane direction of the substrate, and supplies the film forming composition to the peripheral edge of the circular substrate. Means.

上記の構成によれば、供給手段が、円形基板の周端部に被膜形成用組成物を供給できるように備えられているため、単一工程の被膜形成用組成物の供給により円形基板の周端部全体を覆うことができる。これによって、円形基板の周端部に対して容易かつ簡便に被膜を形成することができる効果を奏する。 According to the above configuration, the supply means is provided so that the film forming composition can be supplied to the peripheral edge of the circular substrate. The entire end can be covered. This produces an effect that a film can be easily and easily formed on the peripheral edge of the circular substrate.

また、上記の構成によれば、被膜を円形基板の全体ではなく、円形基板の周端部の必要な範囲にのみ形成することができるため、被膜形成用組成物を必要以上に使用することを防止し、コストを抑制することができる効果も併せて奏する。 In addition, according to the above configuration, the coating film can be formed not only on the entire circular substrate but only on a necessary range of the peripheral edge of the circular substrate, so that the coating film forming composition is used more than necessary. This also has the effect of preventing costs and reducing costs.

〔実施形態１〕
本発明に係る被膜形成装置の一実施形態について図１から図３を参照して以下に説明する。 Embodiment 1
An embodiment of a film forming apparatus according to the present invention will be described below with reference to FIGS.

ここで、本明細書等において、「周端部」とは、円形基板の表面および裏面の周縁部ならびに側面部を指す。なお、本明細書中の「裏面」または「下面」とは、円形基板において保持手段に保持されている側の面を指し、「表面」または「上面」とは、上記裏面と反対側の面を指している。 Here, in this specification and the like, the “circumferential end portion” refers to a peripheral portion and a side portion of the front surface and the back surface of the circular substrate. In this specification, “back surface” or “lower surface” refers to the surface of the circular substrate that is held by the holding means, and “front surface” or “upper surface” refers to the surface opposite to the back surface. Pointing.

（被膜形成装置１ａの構成）
本発明に係る被膜形成装置１ａについて、図１を参照して以下に説明する。図１は、被膜形成装置１ａの主要な構成を示すブロック図である。 (Configuration of film forming apparatus 1a)
A film forming apparatus 1a according to the present invention will be described below with reference to FIG. FIG. 1 is a block diagram showing a main configuration of the film forming apparatus 1a.

図１に示すように、被膜形成装置１ａは、主として供給部２ａ、搬送部３、成膜部４（成膜手段）、制御部５、電源６、記憶部７、操作表示部８、および吸引部３０を備えている。 As shown in FIG. 1, the film forming apparatus 1a mainly includes a supply unit 2a, a transport unit 3, a film forming unit 4 (film forming unit), a control unit 5, a power source 6, a storage unit 7, an operation display unit 8, and a suction unit. The unit 30 is provided.

（供給部２ａ）
供給部２ａは、円形基板１００の周端部に対して被膜形成用組成物を供給し、被膜を形成するための装置であり、主として供給ユニット１０ａ（供給手段）および保持部２０（保持手段）を備えている。 (Supply unit 2a)
The supply unit 2a is an apparatus for supplying a film-forming composition to the peripheral edge of the circular substrate 100 to form a film, and is mainly a supply unit 10a (supply unit) and a holding unit 20 (holding unit). It has.

保持部２０は、円形基板１００を保持すると共に、基板面内方向に回転させるための装置である。通常、円形基板１００を保持する保持部には、吸着またはエッジクランプの方式を採用することが多い。しかし、本発明では、円形基板１００の周端部に被膜形成処理を行うため、保持部２０が、円形基板１００の周端部に触れない保持方式を採用することが好ましい。これらの保持方式の中でも、下記にて説明する吸引部３０による真空吸着の方式であることがより好ましい。この真空吸着の方式を採用することにより、保持部２０は円形基板１００を傷付けることなく、かつ強固に保持することができる。また、供給ユニット１０ａは、保持部２０により保持された円形基板に被膜形成用組成物を供給するための装置である。供給ユニット１０ａの構成については、本発明の重要な特徴点であるため、後で詳述する。 The holding unit 20 is a device for holding the circular substrate 100 and rotating it in the in-plane direction of the substrate. In general, the holding unit that holds the circular substrate 100 often employs a suction or edge clamp method. However, in the present invention, it is preferable to employ a holding method in which the holding unit 20 does not touch the peripheral end of the circular substrate 100 in order to perform a film forming process on the peripheral end of the circular substrate 100. Among these holding methods, a vacuum suction method by the suction unit 30 described below is more preferable. By adopting this vacuum suction method, the holding unit 20 can hold the circular substrate 100 firmly without being damaged. The supply unit 10 a is an apparatus for supplying the film forming composition to the circular substrate held by the holding unit 20. The configuration of the supply unit 10a is an important feature of the present invention and will be described in detail later.

（搬送部３）
搬送部３は、円形基板１００を保持し、搬送する装置である。具体的には、円形基板１００を供給部２ａへ搬送し、供給部２ａにて被膜形成用組成物が供給され、被膜が形成された円形基板１００を成膜部４へ搬送し、さらに成膜部４における成膜処理によって被膜が成膜された円形基板１００を成膜部４から取り出す作業を行う装置である。 (Transport section 3)
The transport unit 3 is a device that holds and transports the circular substrate 100. Specifically, the circular substrate 100 is transported to the supply unit 2a, the film forming composition is supplied by the supply unit 2a, the circular substrate 100 on which the film has been formed is transported to the film forming unit 4, and film formation is further performed. This is an apparatus for taking out the circular substrate 100 on which a film has been formed by the film forming process in the unit 4 from the film forming unit 4.

搬送部３は、従来公知の構成を用いることができる。具体的には、左右に開閉する２本のアームによって円形基板１００を保持し、搬送するような搬送アームを用いた構成、またはベルトコンベアによって搬送するような構成などを挙げることができる。 A conventionally well-known structure can be used for the conveyance part 3. FIG. Specifically, a configuration using a transport arm that holds and transports the circular substrate 100 by two arms that open and close to the left and right, a configuration that transports it by a belt conveyor, and the like can be given.

（成膜部４）
成膜部４は、供給部２ａにて円形基板１００に形成した被膜に対して成膜処理を施すための装置である。成膜部４の構成は、供給した被膜形成用組成物によって、適宜変更することができる。具体的には、紫外線の照射によって硬化する被膜形成用組成物であれば、成膜部４は紫外線照射装置であることが好ましい。また、熱を加える（ベークする）ことによって硬化する被膜形成用組成物であれば、成膜部４は加熱装置であることが好ましい。紫外線照射装置および加熱装置は、従来公知の装置を用いることができる。本実施の形態では、成膜部４が加熱装置である場合を例に挙げて説明する。以下に、成膜部４の詳細な構成について詳述する。 (Deposition unit 4)
The film forming unit 4 is an apparatus for performing a film forming process on the film formed on the circular substrate 100 by the supply unit 2a. The configuration of the film forming unit 4 can be appropriately changed depending on the supplied film forming composition. Specifically, in the case of a film forming composition that is cured by irradiation with ultraviolet rays, the film forming unit 4 is preferably an ultraviolet irradiation device. Moreover, if it is a composition for film formation which hardens | cures by applying heat (baking), it is preferable that the film-forming part 4 is a heating apparatus. A conventionally well-known apparatus can be used for an ultraviolet irradiation device and a heating apparatus. In the present embodiment, a case where the film forming unit 4 is a heating device will be described as an example. Below, the detailed structure of the film-forming part 4 is explained in full detail.

（成膜部４の構成）
成膜部４の具体的な構成について図４を参照して以下に説明する。図４は、成膜部４の構成を具体的に示す概略断面図である。図４に示すように、成膜部４は、主として、筐体４１、扉４２、加熱器４３および支持ピン４４によって構成されている。 (Configuration of film forming unit 4)
A specific configuration of the film forming unit 4 will be described below with reference to FIG. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view specifically showing the configuration of the film forming unit 4. As shown in FIG. 4, the film forming unit 4 is mainly configured by a housing 41, a door 42, a heater 43, and support pins 44.

（筐体４１、扉４２、および支持ピン４４）
筐体４１は、成膜処理の際の熱が外部に漏れないように、断熱性の素材で形成されており、その一部に扉４２を備えている。扉４２は、前方、上下、または左右のいずれかに開閉可能な扉である。また、支持ピン４４は、成膜処理時に円形基板１００を支持するための支持体である。 (Case 41, door 42, and support pin 44)
The casing 41 is formed of a heat insulating material so that heat at the time of the film forming process does not leak to the outside, and a door 42 is provided in a part thereof. The door 42 is a door that can be opened / closed forward, up / down, or left / right. The support pin 44 is a support for supporting the circular substrate 100 during the film forming process.

（加熱器４３）
加熱器４３は、被膜を加熱することにより被膜を成膜するためのものであり、成膜部４内に収容された円形基板１００の表面側および裏面側双方に備えられている。加熱器４３は、被膜を加熱硬化させることにより被膜を成膜するものであれば、特に限定されるものではない。なお、成膜部４を紫外線照射装置とする場合には、加熱器４３が紫外線照射部となる。 (Heater 43)
The heater 43 is for forming a film by heating the film, and is provided on both the front surface side and the back surface side of the circular substrate 100 accommodated in the film forming unit 4. The heater 43 is not particularly limited as long as it forms a film by heat-curing the film. When the film forming unit 4 is an ultraviolet irradiation device, the heater 43 is an ultraviolet irradiation unit.

また、加熱器４３の加熱時間および加熱温度は、被膜形成用組成物の種類およびその供給量に応じて適宜設定することが好ましい。 Moreover, it is preferable to set suitably the heating time and heating temperature of the heater 43 according to the kind of film formation composition, and its supply amount.

なお、扉４２の開閉、加熱器４３の加熱時間および加熱温度などの設定は、下記にて説明する制御部５によって制御されており、操作表示部８によって、操作者に通知される。 Note that the opening / closing of the door 42, the heating time of the heater 43, the heating temperature, and the like are controlled by the control unit 5 described below and notified to the operator by the operation display unit 8.

（制御部５）
図１に示す制御部５は、供給部２ａ、搬送部３、および成膜部４の制御など、被膜形成装置１ａ全体の制御を行うものであり、マイクロコンピュータ（マイコン）などが用いられる。制御部５には、図１に示すように、供給部２ａの供給ユニット１０ａ、搬送部３、成膜部４、電源６、記憶部７、操作表示部８および吸引部３０などが接続されている。 (Control unit 5)
The control unit 5 shown in FIG. 1 performs overall control of the film forming apparatus 1a such as control of the supply unit 2a, the transport unit 3, and the film forming unit 4, and a microcomputer (microcomputer) or the like is used. As shown in FIG. 1, the control unit 5 is connected with a supply unit 10a of the supply unit 2a, a transport unit 3, a film forming unit 4, a power source 6, a storage unit 7, an operation display unit 8, a suction unit 30, and the like. Yes.

（電源６）
電源６は、被膜形成装置１ａを動作させるための電源である。 (Power supply 6)
The power source 6 is a power source for operating the film forming apparatus 1a.

（記憶部７）
記憶部７は、電源を切っても記憶された情報が消えない不揮発性メモリと、電源を切れば記憶された情報が消える揮発性メモリとから構成されている。不揮発性メモリには、被膜形成を行うためのプログラムがあらかじめ格納されており、揮発性メモリは、操作者が操作表示部８を介して選択した被膜形成の条件（例えば、被膜の膜厚、成膜処理における加熱時間および加熱温度）などを記憶している。 (Storage unit 7)
The storage unit 7 includes a nonvolatile memory in which stored information does not disappear even when the power is turned off, and a volatile memory in which stored information disappears when the power is turned off. A program for forming a film is stored in advance in the non-volatile memory, and the volatile memory stores a film formation condition (for example, film thickness, film formation, etc.) selected by the operator via the operation display unit 8. The heating time and heating temperature in the film processing are stored.

（操作表示部８）
操作表示部８は、被膜形成装置１ａに備えられた表示パネルであり、電源の入切、被膜形成の開始指示、被膜形成における条件の設定、および操作者への情報の通知などを行うためのものである。 (Operation display section 8)
The operation display unit 8 is a display panel provided in the film forming apparatus 1a, and is used for turning on / off the power, instructing the start of film formation, setting the conditions for forming the film, and notifying the operator of information. Is.

（吸引部３０）
吸引部３０は、円形基板１００を保持するために円形基板１００を真空吸着させるための装置であり、保持部２０に接続されている。吸引部３０としては、例えば真空ポンプなどを用いることができる。吸引部３０として真空ポンプを用いる場合には、強固に、かつ傷を付けることなく円形基板１００を保持することができる。 (Suction unit 30)
The suction unit 30 is a device for vacuum-sucking the circular substrate 100 in order to hold the circular substrate 100, and is connected to the holding unit 20. As the suction unit 30, for example, a vacuum pump or the like can be used. When a vacuum pump is used as the suction unit 30, the circular substrate 100 can be held firmly and without being damaged.

（供給ユニット１０ａの構成）
次に、供給ユニット１０ａの構成について、図２を参照して以下に説明する。図２は、供給ユニット１０ａの全体の構成を示す断面図である。 (Configuration of supply unit 10a)
Next, the configuration of the supply unit 10a will be described below with reference to FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view showing the overall configuration of the supply unit 10a.

供給ユニット１０ａは、図２に示すように、表面側吹き付けノズル１１（第１の供給手段）、裏面側吹き付けノズル１２（第２の供給手段）、表面側吹き付けノズル支持部１３、供給ホース１４ａ、およびカップ１５を備えている。なお、保持部２０は供給ユニット１０ａを構成するものではないが、供給ユニット１０ａと保持部２０の位置関係を示すため、便宜上図示している。 As shown in FIG. 2, the supply unit 10a includes a front side spray nozzle 11 (first supply means), a back side spray nozzle 12 (second supply means), a front side spray nozzle support portion 13, a supply hose 14a, And a cup 15. The holding unit 20 does not constitute the supply unit 10a, but is illustrated for convenience in order to show the positional relationship between the supply unit 10a and the holding unit 20.

（カップ１５）
カップ１５は、円形基板１００の回転によって飛散した被膜形成用組成物を回収し、排出する排出孔（図示しない）を備えている。これによって、円形基板１００の回転によって発生した被膜形成用組成物の飛沫は、表面側吹き付けノズル１１の外周側に設けられた傾斜部１６に当たり、傾斜部１６を伝ってカップ１５の底部に溜まり、排出孔を通って外部へと排出される。なお、排出された被膜形成用組成物を回収することにより再利用してもよい。 (Cup 15)
The cup 15 includes a discharge hole (not shown) that collects and discharges the film forming composition scattered by the rotation of the circular substrate 100. Thereby, the splash of the film forming composition generated by the rotation of the circular substrate 100 hits the inclined portion 16 provided on the outer peripheral side of the surface side spray nozzle 11, and is accumulated on the bottom portion of the cup 15 through the inclined portion 16. It is discharged to the outside through the discharge hole. In addition, you may reuse by collect | recovering the discharged | emitted film forming composition.

（表面側吹き付けノズル１１）
表面側吹き付けノズル１１は、円形基板１００の表面に被膜形成用組成物を供給するためのノズルであり、表面側吹き付けノズル支持部１３に取り付け支持されている。表面側吹き付けノズル１１には、供給ホース１４ａが接続されており、被膜形成用組成物が被膜形成用組成物供給源（図示しない）から供給ホース１４ａを通って供給される。表面側吹き付けノズル１１からの被膜形成用組成物の供給量（吹き付け量）および供給速度（吹き付け速度）などは、形成する被膜の膜厚に基づいて、上述の制御部５によって制御されている。 (Surface-side spray nozzle 11)
The surface side spray nozzle 11 is a nozzle for supplying the film forming composition to the surface of the circular substrate 100, and is attached to and supported by the surface side spray nozzle support portion 13. A supply hose 14a is connected to the surface-side spray nozzle 11, and a film forming composition is supplied from a film forming composition supply source (not shown) through the supply hose 14a. The supply amount (spray amount) and the supply speed (spray speed) of the film forming composition from the surface side spray nozzle 11 are controlled by the control unit 5 based on the film thickness of the film to be formed.

表面側吹き付けノズル１１は、円形基板１００に対する被膜形成用組成物の供給位置を円形基板１００の径方向に変化させる構成となっていることが好ましい。例えば、図２に示すように、表面側吹き付けノズル支持部１３は、表面側吹き付けノズル１１を円形基板１００の径方向にスライドさせる駆動機構（図示しない）を有していてもよいし、また表面側吹き付けノズル１１を円形基板１００の径方向にスイングさせる駆動機構（図示しない）を採用してもよい。被膜形成用組成物の供給位置を円形基板１００の径方向に可変させることによって、円形基板１００における径方向の膜幅を適宜設定することができる。また、多様な大きさの円形基板１００に対しても、円形基板１００の周端部に被膜を形成することができる。 The front-side spray nozzle 11 is preferably configured to change the supply position of the film forming composition to the circular substrate 100 in the radial direction of the circular substrate 100. For example, as shown in FIG. 2, the front side spray nozzle support portion 13 may have a drive mechanism (not shown) that slides the front side spray nozzle 11 in the radial direction of the circular substrate 100. A drive mechanism (not shown) that swings the side spray nozzle 11 in the radial direction of the circular substrate 100 may be employed. By varying the supply position of the film-forming composition in the radial direction of the circular substrate 100, the radial film width of the circular substrate 100 can be appropriately set. In addition, a coating can be formed on the peripheral edge of the circular substrate 100 even with respect to the circular substrates 100 of various sizes.

なお、円形基板１００に対する被膜形成用組成物の供給位置も、制御部５によって制御されていることが好ましい。 In addition, it is preferable that the supply position of the film forming composition with respect to the circular substrate 100 is also controlled by the control unit 5.

（裏面側吹き付けノズル１２）
裏面側吹き付けノズル１２の構成について、図３を参照して以下に説明する。図３は、裏面側吹き付けノズル１２の詳細な構成を示す断面図である。なお、図３は、裏面側吹き付けノズル１２の構成を明確に示すため、表面側吹き付けノズル１１などは便宜上省略している。 (Back side spray nozzle 12)
The structure of the back surface side spray nozzle 12 is demonstrated below with reference to FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view showing a detailed configuration of the back surface side spray nozzle 12. Note that FIG. 3 clearly shows the configuration of the rear surface side spray nozzle 12, and the front surface side spray nozzle 11 and the like are omitted for convenience.

図３に示すように、裏面側吹き付けノズル１２は、裏面側吹き付けノズル支持部１７に固着されている。また、裏面側吹き付けノズル１２には、供給ホース１４ｂが接続されており、表面側吹き付けノズル１１と同様に、被膜形成用組成物が、被膜形成用組成物供給源（図示しない）から供給ホース１４ｂを通って供給される。裏面側吹き付けノズル１２からの被膜形成用組成物の供給量（吹き付け量）および供給速度（吹き付け速度）も、表面側吹き付けノズル１１と同様に、形成する被膜の膜厚に基づいて、制御部５によって制御されている。 As shown in FIG. 3, the back surface side spray nozzle 12 is fixed to the back surface side spray nozzle support portion 17. In addition, a supply hose 14b is connected to the back surface side spray nozzle 12, and like the front surface side spray nozzle 11, a film forming composition is supplied from a film forming composition supply source (not shown). Supplied through. The supply amount (spray amount) and supply speed (spray speed) of the film forming composition from the back surface side spray nozzle 12 are also controlled based on the film thickness of the film to be formed, similarly to the front surface side spray nozzle 11. Is controlled by.

また、図３に示すように、裏面側吹き付けノズル支持部１７は、円形基板１００の径方向に沿って設けられたガイドレール１８に沿って移動可能となるように構成されていることが好ましい。裏面側吹き付けノズル支持部１７がガイドレール１８に沿って移動可能であることによって、裏面側吹き付けノズル１２もまた円形基板１００の径方向に移動させることができる。これによって、表面側吹き付けノズル１１と同様に、形成する被膜形成用組成物の径方向の膜幅を適宜設定することができる。また、多様な大きさの円形基板１００に対しても、円形基板１００の周端部に被膜を形成することができる。 Further, as shown in FIG. 3, the back surface side spray nozzle support portion 17 is preferably configured to be movable along a guide rail 18 provided along the radial direction of the circular substrate 100. Since the back surface side spray nozzle support portion 17 is movable along the guide rail 18, the back surface side spray nozzle 12 can also be moved in the radial direction of the circular substrate 100. Thereby, similarly to the surface-side spray nozzle 11, the film width in the radial direction of the film-forming composition to be formed can be appropriately set. In addition, a coating can be formed on the peripheral edge of the circular substrate 100 even with respect to the circular substrates 100 of various sizes.

なお、裏面側吹き付けノズル１２の径方向への移動も、制御部５によって制御されていることが好ましい。 In addition, it is preferable that the movement of the rear surface side spray nozzle 12 in the radial direction is also controlled by the control unit 5.

以上のように、供給ユニット１０ａは、表面側吹き付けノズル１１および裏面側吹き付けノズル１２を備えているため、単一工程の被膜形成用組成物の供給によって、円形基板１００の表面および裏面の双方に被膜形成用組成物を供給することができる。また、円形基板１００が基板面内方向に回転することにより生じる遠心力によって、円形基板１００の側面部にも被膜形成用組成物が回り込むように供給される。すなわち、供給ユニット１０ａの構成によれば、単一工程の被膜形成用組成物の供給によって、円形基板１００の周端部全体を覆うように被膜を形成することができる。 As described above, the supply unit 10a includes the front surface side spray nozzle 11 and the back surface side spray nozzle 12, and therefore, by supplying the film forming composition in a single step, both the front surface and the back surface of the circular substrate 100 are supplied. A film-forming composition can be supplied. Further, the film forming composition is supplied to the side surface portion of the circular substrate 100 by the centrifugal force generated by rotating the circular substrate 100 in the in-plane direction of the substrate. That is, according to the structure of the supply unit 10a, a film can be formed so as to cover the entire peripheral edge of the circular substrate 100 by supplying the film forming composition in a single step.

（表面側吹き付けノズル１１および裏面側吹き付けノズル１２の付記事項）
また、表面側吹き付けノズル１１および裏面側吹き付けノズル１２が駆動されることに関しては、双方が円形基板１００の径方向に対して駆動可能であるように構成されていても、どちらか一方のみが円形基板１００の径方向に対して駆動可能であるように構成されていてもよい。 (Additional notes on the front side spray nozzle 11 and the back side spray nozzle 12)
Further, regarding the driving of the front surface side spray nozzle 11 and the back surface side spray nozzle 12, even if both are configured to be driven in the radial direction of the circular substrate 100, only one of them is circular. You may be comprised so that it can drive with respect to the radial direction of the board | substrate 100. FIG.

表面側吹き付けノズル１１および裏面側吹き付けノズル１２の双方が円形基板１００の径方向に対して駆動可能であるように構成されている場合には、形成される被膜の径方向の膜幅を、表面と裏面とでそれぞれ所望の膜幅に調節することができる。これによって、被膜形成用組成物の使用量を抑制することができるため、コストの抑制を実現することができる。 When both the front surface side spray nozzle 11 and the back surface side spray nozzle 12 are configured to be driven in the radial direction of the circular substrate 100, the film width in the radial direction of the coating film to be formed is set to the surface And the back surface can be adjusted to a desired film width. Thereby, since the usage-amount of the composition for film formation can be suppressed, cost suppression can be implement | achieved.

また、被膜形成用組成物の供給量（吹き付け量）および供給速度（吹き付け速度）が、表面側吹き付けノズル１１および裏面側吹き付けノズル１２において、それぞれ制御可能であることが好ましい。これによって、形成する被膜の膜厚を円形基板１００の上面および下面においてそれぞれ所望の膜厚に調節することができる。形成される被膜の膜厚は、例えば、ウエハサポートシステムに用いられるサポートプレートの場合には、半導体ウエハ表面をフッ硝酸などの化学薬品によって表面処理する処理時間などに基づいて設定される。 Moreover, it is preferable that the supply amount (spraying amount) and the supply speed (spraying speed) of the film forming composition can be controlled in the front side spray nozzle 11 and the back side spray nozzle 12, respectively. Thereby, the film thickness of the film to be formed can be adjusted to a desired film thickness on the upper surface and the lower surface of the circular substrate 100, respectively. For example, in the case of a support plate used in a wafer support system, the film thickness to be formed is set based on the processing time for surface treatment of the semiconductor wafer surface with a chemical such as hydrofluoric acid.

なお、図２および図３では、表面側吹き付けノズル１１および裏面側吹き付けノズル１２をそれぞれ１つ設けている場合を示しているが、表面側吹き付けノズル１１および裏面側吹き付けノズル１２の個数は、特に限定されておらず、任意の個数設けることができる。 2 and 3 show a case where one front side spray nozzle 11 and one back side spray nozzle 12 are provided, the number of front side spray nozzles 11 and back side spray nozzles 12 is particularly limited. There is no limitation, and an arbitrary number can be provided.

（被膜形成装置１ａの動作）
次に、被膜形成装置１ａの動作について、以下に説明する。なお、本実施の形態では、表面側吹き付けノズル１１および裏面側吹き付けノズル１２の双方が駆動可能であるように構成されている場合を例に挙げて説明する。 (Operation of the film forming apparatus 1a)
Next, operation | movement of the film formation apparatus 1a is demonstrated below. In the present embodiment, a case where both the front side spray nozzle 11 and the back side spray nozzle 12 are configured to be drivable will be described as an example.

被膜形成装置１ａの動作は、下記の２つの動作に大別される；
（１）供給部２ａにて被膜形成用組成物を供給し、被膜を形成する供給動作
（２）成膜部４にて被膜を成膜する成膜動作。 The operation of the film forming apparatus 1a is roughly divided into the following two operations;
(1) Supply operation for supplying a film-forming composition at the supply section 2a and forming a film (2) Film formation operation for forming a film at the film formation section 4.

以下に、供給動作および成膜動作についてそれぞれ説明する。 Hereinafter, the supply operation and the film forming operation will be described.

（供給動作）
供給動作は、まず搬送部３が、円形基板１００を収納しているカセット（図示しない）から円形基板１００を取り出すことから始まる。 (Supply operation)
The supply operation starts when the transport unit 3 first takes out the circular substrate 100 from a cassette (not shown) in which the circular substrate 100 is stored.

具体的には、操作者が、操作表示部８から被膜の形成を指示すると、その指示が制御部５へと送られる。制御部５は、被膜の形成指示を認識すると、搬送部３へと指示を送る。制御部５から指示を受けた搬送部３は、カセットから円形基板１００を取り出す。取り出された円形基板１００は、搬送部３によって供給部２ａへと搬送され、保持部２０に載置される。 Specifically, when the operator instructs the formation of the film from the operation display unit 8, the instruction is sent to the control unit 5. When recognizing the film formation instruction, the control unit 5 sends the instruction to the transport unit 3. Receiving the instruction from the control unit 5, the transport unit 3 takes out the circular substrate 100 from the cassette. The extracted circular substrate 100 is transported to the supply unit 2 a by the transport unit 3 and placed on the holding unit 20.

保持部２０に円形基板１００が戴置されると、制御部５は、保持部２０をあらかじめ設定されている回転数となるように回転させる。また、表面側吹き付けノズル１１および裏面側吹き付けノズル１２は、あらかじめ設定されている膜幅となるようにそれぞれ移動し、被膜形成用組成物を吹き付ける位置を変更する。 When the circular substrate 100 is placed on the holding unit 20, the control unit 5 rotates the holding unit 20 so that the rotation number is set in advance. Moreover, the surface side spray nozzle 11 and the back surface side spray nozzle 12 each move so that it may become the preset film | membrane width, and change the position which sprays the composition for film formation.

表面側吹き付けノズル１１および裏面側吹き付けノズル１２の位置が決定すると、表面側吹き付けノズル１１および裏面側吹き付けノズル１２から被護膜形成用組成物を、あらかじめ設定されている吹き付け量（供給量）および吹き付け速度（供給速度）で吹き付ける。吹き付けられた被膜形成用組成物は、保持部２０の回転によって生じる遠心力によって拡散される。 When the positions of the front surface side spray nozzle 11 and the back surface side spray nozzle 12 are determined, the composition for forming a protective film from the front surface side spray nozzle 11 and the back surface side spray nozzle 12 is sprayed in advance (amount of supply) and Spray at spraying speed (supply speed). The sprayed film forming composition is diffused by the centrifugal force generated by the rotation of the holding unit 20.

このとき円形基板１００に供給された被膜形成用組成物には遠心力が生じるため、供給された被膜形成用組成物は円形基板１００の外周側へと広げられ、吹き付けられた位置より内側には広がらない。これによって、円形基板１００全面でなく、円形基板１００の周端部に被膜を形成することができる。また、遠心力を利用して被膜形成用組成物を拡散させるため、膜厚の均一な被膜を容易に形成することができる。 At this time, centrifugal force is generated in the film forming composition supplied to the circular substrate 100, so that the supplied film forming composition is spread to the outer peripheral side of the circular substrate 100, and on the inner side from the sprayed position. Does not spread. As a result, a film can be formed not on the entire surface of the circular substrate 100 but on the peripheral edge of the circular substrate 100. Moreover, since the film forming composition is diffused using centrifugal force, a film having a uniform film thickness can be easily formed.

被膜形成用組成物の供給が終了すると、円形基板１００は保持部２０により再度回転される。これによって、供給された被膜形成用組成物が乾燥し、円形基板１００の周端部に被膜を形成することができる。被膜形成用組成物の乾燥が終了すると、円形基板１００が搬送部３により供給部２ａから取り出される。これによって、供給動作が終了する。 When the supply of the film forming composition is completed, the circular substrate 100 is rotated again by the holding unit 20. As a result, the supplied film-forming composition is dried, and a film can be formed on the peripheral edge of the circular substrate 100. When drying of the film forming composition is completed, the circular substrate 100 is taken out from the supply unit 2 a by the transport unit 3. Thereby, the supply operation is completed.

（成膜動作）
供給動作の終了を制御部５が認識すると、制御部５は搬送部３へと指示を送る。制御部５からの指示を受けた搬送部３は、円形基板１００を保持しながら成膜部４の前まで移動する。搬送部３が成膜部４の前に移動すると共に扉４２が開き、円形基板１００が成膜部４内へ挿入され、支持ピン４４上に戴置される。 (Deposition operation)
When the control unit 5 recognizes the end of the supply operation, the control unit 5 sends an instruction to the transport unit 3. Receiving the instruction from the control unit 5, the transport unit 3 moves to the front of the film forming unit 4 while holding the circular substrate 100. The transport unit 3 moves in front of the film forming unit 4 and the door 42 opens, and the circular substrate 100 is inserted into the film forming unit 4 and placed on the support pins 44.

円形基板１００が支持ピン４４上に戴置されると、扉４２が閉じられ、加熱器４３が、あらかじめ設定された加熱温度で被膜形成用組成物を加熱する。これによって、円形基板１００の周端部に形成された被膜が成膜される。 When the circular substrate 100 is placed on the support pins 44, the door 42 is closed, and the heater 43 heats the film-forming composition at a preset heating temperature. As a result, a film formed on the peripheral edge of the circular substrate 100 is formed.

あらかじめ設定された加熱時間となると、加熱器４３による加熱が終了し、扉４２が開く。そして、搬送部３が、被膜が成膜された円形基板１００を成膜部４から取り出す。これによって、成膜動作が終了する。 When the preset heating time is reached, the heating by the heater 43 ends and the door 42 opens. Then, the transport unit 3 takes out the circular substrate 100 on which the film is formed from the film forming unit 4. This completes the film forming operation.

なお、あらかじめ、被膜を備えた円形基板１００を複数枚作製する指示を出している場合には、所定の枚数を作製するまで、上述の供給動作および成膜動作が繰り返される。 If an instruction for producing a plurality of circular substrates 100 provided with a coating is issued in advance, the above-described supply operation and film forming operation are repeated until a predetermined number of substrates are produced.

〔実施形態２〕
本発明に係る被膜形成装置の変形例について、実施形態２として図５〜７を参照して以下に説明する。また、実施形態１と同様の部材に関しては、同一の符号を付し、その説明を省略する。 [Embodiment 2]
A modification of the coating film forming apparatus according to the present invention will be described below as Embodiment 2 with reference to FIGS. The same members as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

本実施の形態では、円形基板１００の側面部ならびに表面および裏面の周縁部に被膜を形成する場合について説明する。したがって、本実施の形態においても、実施形態１と同様に、「周端部」とは、円形基板１００の側面部ならびに表面および裏面の周縁部を指す。なお、本実施の形態において、実施形態１と同一の用語は、同一の意味として用いている。 In the present embodiment, a case where a film is formed on the side surface portion of the circular substrate 100 and the peripheral portions of the front and back surfaces will be described. Therefore, also in the present embodiment, as in the first embodiment, the “circumferential end portion” refers to the side surface portion of the circular substrate 100 and the peripheral edge portions of the front surface and the back surface. In the present embodiment, the same terms as those in the first embodiment are used as the same meaning.

本実施の形態に係る供給部２ｂは、図５に示すように、主として供給部２ｂ、搬送部３、成膜部４、制御部５、電源６、記憶部７、操作表示部８、および吸引部３０を備えている。搬送部３、成膜部４、制御部５、電源６、記憶部７、操作表示部８、および吸引部３０については実施形態１において説明したため、本実施の形態においては、供給部２ｂについてのみ以下に説明する。なお、図５は、本実施形態における被膜形成装置１ｂの主要な構成を示すブロック図である。 As shown in FIG. 5, the supply unit 2b according to the present embodiment mainly includes a supply unit 2b, a transport unit 3, a film forming unit 4, a control unit 5, a power source 6, a storage unit 7, an operation display unit 8, and a suction unit. The unit 30 is provided. Since the transport unit 3, the film forming unit 4, the control unit 5, the power source 6, the storage unit 7, the operation display unit 8, and the suction unit 30 have been described in the first embodiment, only the supply unit 2b in the present embodiment. This will be described below. FIG. 5 is a block diagram showing the main configuration of the film forming apparatus 1b in the present embodiment.

（供給部２ｂ）
供給部２ｂは、円形基板１００の周端部に対して被膜形成用組成物を供給し、被膜を形成するための装置であり、主として供給ユニット１０ｂ（供給手段）、保持部２０を備えている。保持部２０については実施形態１において説明したため、本実施形態においては、供給ユニット１０ｂについてのみ以下に説明する。 (Supply unit 2b)
The supply unit 2 b is a device for supplying a film forming composition to the peripheral edge of the circular substrate 100 to form a film, and mainly includes a supply unit 10 b (supply unit) and a holding unit 20. . Since the holding unit 20 has been described in the first embodiment, in the present embodiment, only the supply unit 10b will be described below.

（供給ユニット１０ｂの構成）
供給ユニット１０ｂは、保持部２０により保持された円形基板１００に被膜形成用組成物を供給するための装置である。 (Configuration of supply unit 10b)
The supply unit 10 b is an apparatus for supplying the film forming composition to the circular substrate 100 held by the holding unit 20.

次に、供給ユニット１０ｂの構成について、図６を参照して以下に説明する。図６は、供給ユニット１０ｂの全体の構成を示す斜視図である。なお、保持部２０は供給ユニット１０ｂを構成するものではないが、供給ユニット１０ｂと保持部２０の位置関係を示すため、便宜上図示している。 Next, the configuration of the supply unit 10b will be described below with reference to FIG. FIG. 6 is a perspective view showing the overall configuration of the supply unit 10b. In addition, although the holding | maintenance part 20 does not comprise the supply unit 10b, in order to show the positional relationship of the supply unit 10b and the holding | maintenance part 20, it has illustrated for convenience.

図６に示すように、供給ユニット１０ｂは、貯留ユニット５０（貯留手段）、ガイドレール５２（駆動機構）および排出管５３を備えている。なお、図６では、供給ユニット１０ｂを１つ備えている状態を示しているが、供給ユニット１０ｂの個数は１つに限られるものではない。例えば、図６に示している供給ユニット１０ｂに対向する位置に供給ユニット１０ｂをさらに備えていてもよい。 As shown in FIG. 6, the supply unit 10 b includes a storage unit 50 (storage unit), a guide rail 52 (drive mechanism), and a discharge pipe 53. FIG. 6 shows a state where one supply unit 10b is provided, but the number of supply units 10b is not limited to one. For example, you may further provide the supply unit 10b in the position facing the supply unit 10b shown in FIG.

（貯留ユニット５０）
貯留ユニット５０は、主として、円形基板１００に対して被膜形成用組成物の供給を行うためのものであり、貯留ユニット５０内に、被膜形成用組成物を円形基板１００に供給する構成、過剰な被膜形成用組成物を排出する構成などを備えている。これらの構成については、下記にて詳述する。また、少なくとも貯留ユニット５０の円形基板１００が保持されている側の側面部には、円形基板１００を挿入するための水平方向に長いスリット５１が形成されている。スリット５１の形成位置は、保持部２０に装着された円形基板１００と同じ高さとなる位置である。また、スリット５１の長手方向は、下記のガイドレール５２の延伸方向と直交している。 (Storage unit 50)
The storage unit 50 is mainly for supplying the film-forming composition to the circular substrate 100. The storage unit 50 is configured to supply the film-forming composition to the circular substrate 100 in an excessive amount. A configuration for discharging the composition for forming a film is provided. These configurations will be described in detail below. Further, a slit 51 that is long in the horizontal direction for inserting the circular substrate 100 is formed at least on the side surface of the storage unit 50 on the side where the circular substrate 100 is held. The slit 51 is formed at the same height as the circular substrate 100 mounted on the holding unit 20. The longitudinal direction of the slit 51 is orthogonal to the extending direction of the guide rail 52 described below.

また、上記ガイドレール５２は、貯留ユニット５０を支える二本の脚部の底部をガイドするように設けられ、貯留ユニット５０をガイドレール５２に沿って保持部２０に対して接近および離反させることができるように構成されている。貯留ユニット５０の移動距離および保持部２０に対する接近時間は、制御部５によって制御されている。 The guide rail 52 is provided so as to guide the bottoms of the two legs that support the storage unit 50, and the storage unit 50 can be moved toward and away from the holding unit 20 along the guide rail 52. It is configured to be able to. The movement distance of the storage unit 50 and the approach time for the holding unit 20 are controlled by the control unit 5.

また、貯留ユニット５０の一部に、供給過剰となった被膜形成用組成物を外部に排出するための排出管５３が接続されている。排出管５３の役割については、下記のオーバーフロー孔６３（図７参照）と共に後で説明する。 Further, a discharge pipe 53 for discharging the overlying film forming composition to the outside is connected to a part of the storage unit 50. The role of the discharge pipe 53 will be described later together with the following overflow hole 63 (see FIG. 7).

貯留ユニット５０のより詳細な構成について、図７を参照して以下に説明する。図７は、貯留ユニット５０の構成を詳細に示す断面図である。 A more detailed configuration of the storage unit 50 will be described below with reference to FIG. FIG. 7 is a cross-sectional view showing the configuration of the storage unit 50 in detail.

図７に示すように、貯留ユニット５０は、筐体５４、乾燥ノズル５５、貯留部６０から構成されている。 As shown in FIG. 7, the storage unit 50 includes a housing 54, a drying nozzle 55, and a storage unit 60.

（スリット５１および乾燥ノズル５５）
筐体５４は、その一部に上述したスリット５１を有している。スリット５１は、保持部２０に装着された円形基板１００の周端部を水平方向に挿入するために設けられており、筐体５４を上部厚肉部５６と下部厚肉部５７とに分けている（図７参照）。スリット５１の上下方向の寸法は、円形基板１００を挿入することができれば、特に限定されるものではなく、自由に設定することができる。また、横方向の寸法も、特に限定されるものではないが、円形基板１００の半径よりも短いことが好ましい。スリット５１の横方向の寸法が円形基板１００の半径よりも短い場合には、円形基板１００を挿入するために、貯留ユニット５０の側面部のうち、円形基板１００の保持されている側の側面部に隣接した両側面部において、スリット５１がオープンになっていることが好ましい。 (Slit 51 and drying nozzle 55)
The housing 54 has the above-described slit 51 in a part thereof. The slit 51 is provided to insert the peripheral end of the circular substrate 100 attached to the holding unit 20 in the horizontal direction. The slit 54 is divided into an upper thick part 56 and a lower thick part 57. (See FIG. 7). The vertical dimension of the slit 51 is not particularly limited as long as the circular substrate 100 can be inserted, and can be freely set. Also, the lateral dimension is not particularly limited, but is preferably shorter than the radius of the circular substrate 100. When the horizontal dimension of the slit 51 is shorter than the radius of the circular substrate 100, the side surface portion of the storage unit 50 on the side where the circular substrate 100 is held in order to insert the circular substrate 100. It is preferable that the slits 51 are open on both side surfaces adjacent to each other.

乾燥ノズル５５は、円形基板１００に供給された被膜形成用組成物を乾燥させるために、窒素、酸素、または空気などを噴出するノズルである。乾燥ノズル５５は、上部厚肉部５６および下部厚肉部５７にそれぞれ設けられている。 The drying nozzle 55 is a nozzle that ejects nitrogen, oxygen, air, or the like in order to dry the film forming composition supplied to the circular substrate 100. The drying nozzle 55 is provided in the upper thick part 56 and the lower thick part 57, respectively.

なお、図７には、上部厚肉部５６および下部厚肉部５７にそれぞれ１つずつ乾燥ノズル５５が設けられている場合を示しているが、乾燥ノズル５５の個数は、特に限定されるものではなく、任意の個数設けることができる。 FIG. 7 shows a case where one drying nozzle 55 is provided for each of the upper thick part 56 and the lower thick part 57, but the number of drying nozzles 55 is particularly limited. Instead, any number can be provided.

また、乾燥ノズル５５は、必ずしも設けられている必要はない。乾燥ノズル５５を設けない場合には、円形基板１００が貯留部６０から引き抜かれた後、保持部２０が円形基板１００を回転させることによって、供給された被膜形成用組成物の厚みを均一とすると共に、被膜形成用組成物を乾燥する。 Further, the drying nozzle 55 is not necessarily provided. When the drying nozzle 55 is not provided, after the circular substrate 100 is pulled out from the storage unit 60, the holding unit 20 rotates the circular substrate 100, so that the thickness of the supplied film forming composition is made uniform. At the same time, the film-forming composition is dried.

被膜形成用組成物が乾燥することによって、円形基板１００の周端部に被膜が形成される。 By drying the film forming composition, a film is formed on the peripheral edge of the circular substrate 100.

（貯留部６０の構成）
貯留部６０は、貯留ユニット５０の内部に、スリット５１の長手方向に沿って設けられ、被膜形成用組成物を貯留する内室を有している。スリット５１を通して円形基板１００を貯留部６０内に挿入することによって、被膜形成用組成物を円形基板１００に供給することができる。より具体的には、図７に示すように、貯留部６０は、上記内室としての貯留溝６１、オーバーフロー孔６３、および供給管６４から構成されている。 (Configuration of storage unit 60)
The storage part 60 is provided in the storage unit 50 along the longitudinal direction of the slit 51 and has an inner chamber for storing the film-forming composition. The film forming composition can be supplied to the circular substrate 100 by inserting the circular substrate 100 into the reservoir 60 through the slit 51. More specifically, as shown in FIG. 7, the storage section 60 includes a storage groove 61 as an inner chamber, an overflow hole 63, and a supply pipe 64.

（貯留溝６１、スリット６２）
貯留溝６１は、被膜形成用組成物を貯留するために貯留部６０に形成された内室であり、その長手方向の長さは、スリット５１の長手方向の長さと同程度になっている。円形基板１００の周端部が貯留溝６１内に挿入されることによって、被膜形成用組成物が貯留溝６１内において円形基板１００に供給される。円形基板１００を貯留溝６１に挿入するための挿入口は、スリット状に形成されている。このスリット状の挿入口、すなわちスリット６２は、スリット５１と同じ高さ位置に、かつスリット５１の長手方向に沿って形成されている。 (Reservoir groove 61, slit 62)
The storage groove 61 is an inner chamber formed in the storage section 60 for storing the film forming composition, and the length in the longitudinal direction is substantially the same as the length in the longitudinal direction of the slit 51. By inserting the peripheral end portion of the circular substrate 100 into the storage groove 61, the film forming composition is supplied to the circular substrate 100 in the storage groove 61. An insertion port for inserting the circular substrate 100 into the storage groove 61 is formed in a slit shape. The slit-shaped insertion opening, that is, the slit 62 is formed at the same height as the slit 51 and along the longitudinal direction of the slit 51.

円形基板１００の挿入方向における貯留溝６１の奥行きは、特に限定されるものではなく、適宜設定すればよい。形成される被膜の径方向に対する膜幅の最大値は、貯留溝６１内に円形基板１００を挿入したときの挿入量によって決められる。 The depth of the storage groove 61 in the insertion direction of the circular substrate 100 is not particularly limited, and may be set as appropriate. The maximum value of the film width with respect to the radial direction of the film to be formed is determined by the insertion amount when the circular substrate 100 is inserted into the storage groove 61.

スリット６２の上下方向の寸法は、表面張力によって貯留溝６１内に溜まった被膜形成用組成物がそのまま保持される寸法であることが好ましい。すなわち、円形基板１００を挿入した状態において、円形基板１００の上面とスリット６２の上端および円形基板１００の下面とスリット６２の下端との間隔は、用いる被膜形成用組成物の表面張力の値に基づいて適宜設定することが好ましい。通常は、それぞれの間の間隔が３ｍｍ以下となるように設定する。スリット６２の横方向の寸法は、特に限定されるものではないが、円形基板１００の直径と同等以上であることが好ましい。 The vertical dimension of the slit 62 is preferably such a dimension that the film-forming composition collected in the storage groove 61 due to surface tension is maintained as it is. That is, in the state where the circular substrate 100 is inserted, the distance between the upper surface of the circular substrate 100 and the upper end of the slit 62 and the distance between the lower surface of the circular substrate 100 and the lower end of the slit 62 is based on the value of the surface tension of the film forming composition to be used. It is preferable to set appropriately. Usually, it sets so that the space | interval between each may be 3 mm or less. The horizontal dimension of the slit 62 is not particularly limited, but is preferably equal to or greater than the diameter of the circular substrate 100.

（オーバーフロー孔６３および供給管６４）
供給管６４は、被膜形成用組成物供給源（図示しない）に接続されており、貯留溝６１内に被膜形成用組成物を供給するための管である。なお、被膜形成装置１ｂの動作時における被膜形成用組成物の供給量は、制御部５によって制御されていることが好ましい。 (Overflow hole 63 and supply pipe 64)
The supply pipe 64 is connected to a film forming composition supply source (not shown) and is a pipe for supplying the film forming composition into the storage groove 61. The supply amount of the film forming composition during the operation of the film forming apparatus 1b is preferably controlled by the control unit 5.

また、オーバーフロー孔６３は、貯留溝６１内の過剰な被膜形成用組成物を貯留部６０から排出するために形成されている孔である。過剰な被膜形成用組成物は、オーバーフロー孔６３から排出管５３を経て被膜形成装置１ｂの外部へと排出される。なお、被膜形成装置１ｂの動作時に排出管５３に接続された吸引装置（図示しない）を作動させることによって、より迅速かつ確実に過剰な被膜形成用組成物を排出することができる。また、吸引装置は、制御部５に接続されていることが好ましい。すなわち、操作表示部８から吸引装置を操作できることが好ましい。 Further, the overflow hole 63 is a hole formed for discharging an excessive film forming composition in the storage groove 61 from the storage part 60. Excess film forming composition is discharged from the overflow hole 63 to the outside of the film forming apparatus 1b through the discharge pipe 53. By operating a suction device (not shown) connected to the discharge pipe 53 during the operation of the film forming apparatus 1b, it is possible to discharge the excessive film forming composition more quickly and reliably. The suction device is preferably connected to the control unit 5. That is, it is preferable that the suction device can be operated from the operation display unit 8.

（被膜形成装置１ｂの動作）
次に、供給ユニット１０ｂを備えている被膜形成装置１ｂの動作について、以下に説明する。ここで、成膜動作については、実施形態１において詳述しているため、本実施の形態ではその説明を省略する。したがって、本実施の形態では、供給動作についてのみ説明する。なお、本実施の形態における供給動作および成膜動作がどのような動作であるかについては、実施形態１において説明したため、その説明を省略する。 (Operation of the film forming apparatus 1b)
Next, operation | movement of the film formation apparatus 1b provided with the supply unit 10b is demonstrated below. Here, since the film forming operation is described in detail in Embodiment 1, the description thereof is omitted in this embodiment. Therefore, in the present embodiment, only the supply operation will be described. Note that the operations of the supply operation and the film formation operation in this embodiment have been described in Embodiment 1, and thus description thereof is omitted.

具体的には、操作者が、操作表示部８（図１参照）から被膜の形成を指示すると、その指示が制御部５へと送られる。制御部５は、被膜の形成指示を認識すると、搬送部３へと指示を送る。制御部５から指示を受けた搬送部３は、カセットから円形基板１００を取り出す。取り出された円形基板１００は、搬送部３によって供給部２ａへと搬送され、保持部２０に載置される。 Specifically, when the operator instructs the formation of the film from the operation display unit 8 (see FIG. 1), the instruction is sent to the control unit 5. When recognizing the film formation instruction, the control unit 5 sends the instruction to the transport unit 3. Receiving the instruction from the control unit 5, the transport unit 3 takes out the circular substrate 100 from the cassette. The extracted circular substrate 100 is transported to the supply unit 2 a by the transport unit 3 and placed on the holding unit 20.

円形基板１００が保持部２０に戴置されると、制御部５は保持部２０をあらかじめ設定されている回転数となるように回転させる。保持部２０が回転すると共に、貯留ユニット５０では、貯留溝６１内への被膜形成用組成物の供給を始める。このとき、貯留溝６１から溢れた被膜形成用組成物は、オーバーフロー孔６３から排出管５３を経て被膜形成装置１ｂの外部へと排出される。 When the circular substrate 100 is placed on the holding unit 20, the control unit 5 rotates the holding unit 20 so as to have a preset number of rotations. As the holding unit 20 rotates, the storage unit 50 starts supplying the film forming composition into the storage groove 61. At this time, the film forming composition overflowing from the storage groove 61 is discharged from the overflow hole 63 to the outside of the film forming apparatus 1b through the discharge pipe 53.

保持部２０の回転数が一定となり、貯留溝６１内が被膜形成用組成物で満たされると、貯留ユニット５０がガイドレール５２に沿って保持部２０に接近するように移動し、円形基板１００が、スリット５１およびスリット６２を通って貯留部６０内に挿入される。貯留ユニット５０の移動距離は、円形基板１００に形成される被膜の径方向の膜幅に基づいて、制御部５によって制御されている。 When the rotation speed of the holding unit 20 becomes constant and the storage groove 61 is filled with the film-forming composition, the storage unit 50 moves along the guide rail 52 so as to approach the holding unit 20, and the circular substrate 100 is moved. And inserted into the reservoir 60 through the slit 51 and the slit 62. The movement distance of the storage unit 50 is controlled by the controller 5 based on the film width in the radial direction of the film formed on the circular substrate 100.

貯留部６０によって供給された被膜形成用組成物は、実施形態１と同様に、保持部２０の回転により生じる遠心力によって拡散する。これによって、円形基板１００の周端部に被膜を形成することができる。また、膜厚の均一な被膜を容易に形成することができる。 The film forming composition supplied by the storage unit 60 is diffused by the centrifugal force generated by the rotation of the holding unit 20 as in the first embodiment. As a result, a film can be formed on the peripheral edge of the circular substrate 100. In addition, a film having a uniform film thickness can be easily formed.

円形基板１００を貯留部６０内に挿入した後、あらかじめ設定されている時間が経過すると、貯留ユニット５０は、ガイドレール５２に沿って先程とは逆方向に移動し、円形基板１００が貯留部６０から引き抜かれる。貯留部６０から引き抜かれた円形基板１００は、保持部２０により回転される。これによって、円形基板１００に供給された被膜形成用組成物の厚みを均一にすると共に、供給された被膜形成用組成物を乾燥し、被膜を形成する。なお、円形基板１００を回転させることにより乾燥を行わない場合には、乾燥ノズル５５から窒素、酸素または空気などを円形基板１００の周端部に対して噴出することによって、供給した被膜形成用組成物を乾燥し、被膜を形成する。これによって、供給動作が終了する。 When a preset time has elapsed after the circular substrate 100 is inserted into the storage unit 60, the storage unit 50 moves in the opposite direction along the guide rail 52, and the circular substrate 100 is stored in the storage unit 60. Pulled out from. The circular substrate 100 extracted from the storage unit 60 is rotated by the holding unit 20. Thus, the thickness of the film forming composition supplied to the circular substrate 100 is made uniform, and the supplied film forming composition is dried to form a film. In the case where drying is not performed by rotating the circular substrate 100, the supplied film forming composition is ejected from the drying nozzle 55 to the peripheral end portion of the circular substrate 100. The object is dried to form a film. Thereby, the supply operation is completed.

なお、本実施の形態では、貯留溝６１内にあらかじめ被膜形成用組成物を満たした後、円形基板１００を挿入する場合について説明したが、円形基板１００を貯留溝６１内に挿入した後に被膜形成用組成物を満たすようにしてもよい。 In this embodiment, the case where the circular substrate 100 is inserted after the film forming composition is filled in the storage groove 61 in advance has been described. However, the film formation is performed after the circular substrate 100 is inserted into the storage groove 61. The composition for use may be filled.

（付記事項）
実施形態１および２において、使用することができる円形基板１００は、形状が円形であり、その周端部に被膜を形成することができれば、その材質およびサイズなどは特に限定されるものではない。円形基板１００の材質としては、具体的には、ガラス、金属、セラミック、およびシリコンなどを挙げることができる。 (Additional notes)
In the first and second embodiments, the circular substrate 100 that can be used has a circular shape, and the material and size thereof are not particularly limited as long as a film can be formed on the peripheral edge thereof. Specific examples of the material of the circular substrate 100 include glass, metal, ceramic, and silicon.

また、実施形態１および２において、使用することができる被膜形成用組成物は、液体状態で円形基板１００に供給され、加熱または紫外線などによって被膜として成膜されるものであれば、特に限定されるものではないが、有機化合物からなる有機被膜であることが好ましい。実施形態１および２における被膜形成用組成物として用いることができる有機化合物として、具体的には、フッ素樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ノボラック樹脂、およびシリカ系樹脂などを挙げることができる。 In Embodiments 1 and 2, the film-forming composition that can be used is not particularly limited as long as it is supplied to the circular substrate 100 in a liquid state and formed as a film by heating or ultraviolet rays. Although not intended, an organic film made of an organic compound is preferable. Specific examples of the organic compound that can be used as the film-forming composition in Embodiments 1 and 2 include a fluororesin, an acrylic resin, an epoxy resin, a polyimide resin, a novolac resin, and a silica-based resin. .

本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。 The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications are possible within the scope shown in the claims, and embodiments obtained by appropriately combining technical means disclosed in different embodiments. Is also included in the technical scope of the present invention.

本発明に係る被膜形成装置は、ウエハサポートシステムに用いられるサポートプレートの形成に好適に用いることができる。具体的には、サポートプレートの周端部における損傷および／または汚染を防止するための保護膜の形成に好適に用いることができる。 The film forming apparatus according to the present invention can be suitably used for forming a support plate used in a wafer support system. Specifically, it can be suitably used for forming a protective film for preventing damage and / or contamination at the peripheral edge of the support plate.

本発明の第１の実施形態における被膜形成装置の主要な構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the main structures of the film formation apparatus in the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態における供給部の全体の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the whole structure of the supply part in the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態における裏面側吹き付けノズルの構成を詳細に示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the back surface side spray nozzle in the 1st Embodiment of this invention in detail. 本発明の実施形態における成膜部の構成を具体的に示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows concretely the structure of the film-forming part in embodiment of this invention. 本発明の第２の実施形態における被膜形成装置の主要な構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the main structures of the film formation apparatus in the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施形態における供給部の全体の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the whole structure of the supply part in the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施形態における供給部の構成を詳細に示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the supply part in the 2nd Embodiment of this invention in detail.

Explanation of symbols

１ａ、１ｂ被膜形成装置
２ａ、２ｂ供給部
４成膜部（成膜手段）
５制御部
１０ａ、１０ｂ供給ユニット（供給手段）
１１表面側吹き付けノズル（第１の供給手段）
１２裏面側吹き付けノズル（第２の供給手段）
１３表面側吹き付けノズル支持部
１７裏面側吹き付けノズル支持部
１８ガイドレール
２０保持部（保持手段）
４３加熱器
５０貯留ユニット（貯留手段）
５１スリット
５２ガイドレール（駆動機構）
５５乾燥ノズル
６０貯留部
６１貯留溝
６２スリット
６３オーバーフロー孔
１００円形基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1a, 1b Film formation apparatus 2a, 2b Supply part 4 Film-forming part (film-forming means)
5 Control part 10a, 10b Supply unit (supply means)
11 Front side spray nozzle (first supply means)
12 Back side spray nozzle (second supply means)
13 Front side spray nozzle support part 17 Back side spray nozzle support part 18 Guide rail 20 Holding part (holding means)
43 heater 50 storage unit (storage means)
51 Slit 52 Guide rail (drive mechanism)
55 Drying nozzle 60 Storage part 61 Storage groove 62 Slit 63 Overflow hole 100 Circular substrate

Claims

A film forming apparatus for forming a film on the peripheral edge of a circular substrate,
Holding means for holding the circular substrate and rotating the circular substrate in the in-plane direction of the substrate;
And a supply means for supplying a film-forming composition to the peripheral edge of the circular substrate.

Supply of the film-forming composition from the supply means is performed along with the rotation of the circular substrate by the holding means,
The film forming apparatus according to claim 1, wherein the holding unit rotates the circular substrate to diffuse the film forming composition to form a film on a peripheral end portion of the circular substrate.

The supply means includes a first supply means for supplying a film-forming composition to an upper part of a circular substrate held by the holding means;
The film forming apparatus according to claim 1, further comprising: a second supply unit that supplies a film forming composition to a lower portion of the circular substrate held by the holding unit.

The supply means has a slit for inserting the peripheral end of the circular substrate and stores the film forming composition;
The film forming apparatus according to claim 1, further comprising: a drive mechanism that causes the storage unit to move forward and backward relative to the circular substrate held by the holding unit.

5. The film forming apparatus according to claim 1, further comprising a film forming unit configured to form a film formed on a peripheral end portion of the circular substrate.