JP2008203592A - Method of manufacturing color filter substrate, color filter substrate, electro-optical device and projection type display device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、カラーフィルタ基板の製造方法、この方法により製造したカラーフィルタ基板、このカラーフィルタ基板を備えた電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた投射型表示装置に関するものである。 The present invention relates to a method for manufacturing a color filter substrate, a color filter substrate manufactured by the method, an electro-optical device including the color filter substrate, and a projection display device using the electro-optical device.
液晶装置や有機エレクトロルミネッセンス装置などの電気光学装置のうち、液晶装置では、複数の画素の各々に画素スイッチング素子および画素電極を備えた素子基板と、この素子基板に対向配置された対向基板とを備えており、対向基板と素子基板との間に液晶が保持されている。また、液晶装置によってカラー画像を表示する場合、対向基板は、各色のカラーフィルタが形成されたカラーフィルタ基板として構成される。 Among electro-optical devices such as a liquid crystal device and an organic electroluminescence device, a liquid crystal device includes an element substrate having a pixel switching element and a pixel electrode in each of a plurality of pixels, and a counter substrate disposed opposite to the element substrate. The liquid crystal is held between the counter substrate and the element substrate. Further, when a color image is displayed by the liquid crystal device, the counter substrate is configured as a color filter substrate on which color filters of respective colors are formed.
また、有機エレトロルミネッセンス装置においてカラー画像を表示する場合、素子基板のいずれの画素にも白色の有機エレトロルミネッセンスを形成するとともに、各画素にカラーフィルタを形成することもある。 Moreover, when displaying a color image in an organic air-retroluminescence device, white organic air-retroluminescence is formed on any pixel of the element substrate, and a color filter may be formed on each pixel.
上記いずれの場合でも、従来は、カラーフィルタ材料を塗布した後、それをフォトリソグラフィ技術やエッチング技術を用いてパターニングする工程を繰り返すことにより、基板上に各色のカラーフィルタを形成する(例えば、特許文献1参照)。
しかしながら、従来のカラーフィルタの製造方法では、各色のカラーフィルタを形成するたびに、カラーフィルタ材の形成およびフォトリソグラフィ技術によるパターニングを行なうため、カラーフィルタの厚さ精度が低いという問題点がある。 However, the conventional color filter manufacturing method has a problem that the thickness accuracy of the color filter is low because the formation of the color filter material and the patterning by the photolithography technique are performed each time the color filter of each color is formed.
また、従来の方法では、カラーフィルタの形成位置がずれると、カラーフィルタを形成した後の表面に凹凸が発生するため、かかる凹凸を有するカラーフィルタの上層側に画素電極や画素スイッチング素子を形成することは不可能である。従って、従来は、液晶装置を構成する際、カラーフィルタを対向基板の側に形成せざるを得ず、素子基板と対向基板とのアライメント精度の影響により、カラーフィルタと画素電極とがずれやすい。それ故、従来のカラーフィルタの形成方法では、例えば、画素ピッチが数μmという超微細画素に対応できないという問題点がある。 Further, in the conventional method, when the color filter forming position is shifted, unevenness is generated on the surface after the color filter is formed. Therefore, a pixel electrode or a pixel switching element is formed on the upper layer side of the color filter having such unevenness. It is impossible. Therefore, conventionally, when configuring a liquid crystal device, the color filter must be formed on the counter substrate side, and the color filter and the pixel electrode are likely to be displaced due to the alignment accuracy between the element substrate and the counter substrate. Therefore, the conventional method for forming a color filter has a problem that it cannot cope with an ultrafine pixel having a pixel pitch of several μm, for example.
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、高い厚さ精度をもってカラーフィルタを平坦に形成可能なカラーフィルタ基板の製造方法、この方法により製造したカラーフィルタ基板、このカラーフィルタ基板を備えた電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた投射型表示装置を提供することにある。 In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a color filter substrate manufacturing method capable of forming a color filter flat with high thickness accuracy, a color filter substrate manufactured by this method, and this color filter substrate. An electro-optical device and a projection display device using the electro-optical device are provided.
また、本発明の課題は、画素電極とともにカラーフィルタを素子基板の側に形成可能なカラーフィルタ基板の製造方法、カラーフィルタ基板、電気光学装置および投射型表示装置を提供することにある。 Another object of the present invention is to provide a color filter substrate manufacturing method, a color filter substrate, an electro-optical device, and a projection display device that can form a color filter together with pixel electrodes on the element substrate side.
上記課題を解決するために、本発明では、基板上に各色のカラーフィルタを備えたカラーフィルタ基板の製造方法において、前記基板上に形成した隔壁形成層に対して、カラーフィルタを形成すべき領域に凹部を形成する凹部形成工程と、前記凹部内を埋めるように所定色のカラーフィルタ材を前記基板上に配置するカラーフィルタ材配置工程と、前記隔壁形成層の上面が露出するまで化学機械研磨(CMP/Chemical Mechanical Polishing)を行なって前記凹部の外側にある前記カラーフィルタ材を除去する化学機械研磨工程と、を行なうことにより、前記凹部内に所定色のカラーフィルタを形成するとともに、前記凹部形成工程、前記カラーフィルタ材配置工程および前記化学機械研磨工程を複数回繰り返し、前記基板上に各色のカラーフィルタを配置することを特徴とする。 In order to solve the above problems, in the present invention, in a method for manufacturing a color filter substrate having color filters of each color on a substrate, a region where a color filter is to be formed with respect to a partition wall forming layer formed on the substrate. A recess forming step for forming a recess in the substrate, a color filter material arranging step for arranging a color filter material of a predetermined color on the substrate so as to fill the recess, and chemical mechanical polishing until an upper surface of the partition wall forming layer is exposed. (CMP / Chemical Mechanical Polishing) to perform a chemical mechanical polishing step of removing the color filter material outside the recess, thereby forming a color filter of a predetermined color in the recess, and the recess A color filter of each color is formed on the substrate by repeating the forming step, the color filter material arranging step, and the chemical mechanical polishing step a plurality of times. Wherein placing.
本発明では、隔壁形成層に形成した凹部内を埋めるようにカラーフィルタ材を基板上に配置した後、隔壁形成層の上面が露出するまで化学機械研磨を行なって凹部内にカラーフィルタ材を残すことによりカラーフィルタを形成する。このため、カラーフィルタの厚さは、隔壁形成層に形成した凹部の深さ(隔壁形成層の厚さ)に規定されるので、高い厚さ精度をもってカラーフィルタを形成することができる。また、カラーフィルタ材を形成した後、化学機械研磨を行なうため、表面が平坦である。従って、カラーフィルタの上層側に画素電極を形成することができるので、画素電極とともにカラーフィルタを素子基板の側に形成することができる。それ故、素子基板と対向基板とのアライメント精度の影響により、カラーフィルタと画素電極とがずれることがなく、画素ピッチが数μmという超微細画素に対応することができる。 In the present invention, after the color filter material is arranged on the substrate so as to fill the recess formed in the partition wall formation layer, chemical mechanical polishing is performed until the upper surface of the partition wall formation layer is exposed, leaving the color filter material in the recess. Thus, a color filter is formed. For this reason, the thickness of the color filter is defined by the depth of the concave portion formed in the partition wall formation layer (thickness of the partition wall formation layer), so that the color filter can be formed with high thickness accuracy. In addition, the surface is flat because chemical mechanical polishing is performed after the color filter material is formed. Accordingly, since the pixel electrode can be formed on the upper layer side of the color filter, the color filter can be formed on the element substrate side together with the pixel electrode. Therefore, the color filter and the pixel electrode are not displaced due to the influence of the alignment accuracy between the element substrate and the counter substrate, and it is possible to cope with an ultrafine pixel having a pixel pitch of several μm.
本発明において、前記カラーフィルタ材配置工程では、前記カラーフィルタ材を前記基板の略全面に形成してもよい。 In the present invention, in the color filter material arranging step, the color filter material may be formed on substantially the entire surface of the substrate.
また、本発明の別の形態では、基板上に各色のカラーフィルタを備えたカラーフィルタ基板の製造方法において、前記基板上に、前記カラーフィルタを形成すべき領域を区画する隔壁を形成する隔壁形成工程と、前記隔壁で区画された領域を各々埋めるように各色のカラーフィルタ材を順次配置するカラーフィルタ材配置工程と、前記隔壁の上面が露出するまで化学機械研磨を行なって当該隔壁の上面に被さる前記カラーフィルタ材を除去する化学機械研磨工程と、を行なうことを特徴とする。 According to another aspect of the present invention, in a method for manufacturing a color filter substrate having color filters for each color on a substrate, a partition wall forming a partition wall for partitioning a region where the color filter is to be formed on the substrate. A color filter material arrangement step of sequentially arranging each color filter material so as to fill each of the regions partitioned by the partition, and chemical mechanical polishing is performed until the upper surface of the partition wall is exposed. And a chemical mechanical polishing step of removing the color filter material to be covered.
本発明では、隔壁で区画された領域内を埋めるようにカラーフィルタ材を基板上に配置した後、隔壁の上面が露出するまで化学機械研磨を行なって隔壁で区画された領域内にカラーフィルタ材を残すことによりカラーフィルタを形成する。このため、カラーフィルタの厚さは、隔壁で区画された領域の深さ(隔壁の高さ)に規定されるので、高い厚さ精度をもってカラーフィルタを形成することができる。また、カラーフィルタ材を形成した後、化学機械研磨を行なうため、表面が平坦である。従って、カラーフィルタの上層側に画素電極や画素スイッチング素子を形成することができるので、画素電極とともにカラーフィルタを素子基板の側に形成することができる。それ故、素子基板と対向基板とのアライメント精度の影響により、カラーフィルタと画素電極とがずれることがなく、画素ピッチが数μmという超微細画素に対応することができる。 In the present invention, after the color filter material is disposed on the substrate so as to fill the region partitioned by the partition walls, chemical color polishing is performed until the upper surface of the partition walls is exposed, and the color filter material is disposed in the region partitioned by the partition walls. The color filter is formed by leaving For this reason, since the thickness of the color filter is defined by the depth of the region partitioned by the partition walls (height of the partition walls), the color filter can be formed with high thickness accuracy. In addition, the surface is flat because chemical mechanical polishing is performed after the color filter material is formed. Therefore, since the pixel electrode and the pixel switching element can be formed on the upper layer side of the color filter, the color filter can be formed on the element substrate side together with the pixel electrode. Therefore, the color filter and the pixel electrode are not displaced due to the influence of the alignment accuracy between the element substrate and the counter substrate, and it is possible to cope with an ultrafine pixel having a pixel pitch of several μm.
本発明を適用したカラーフィルタ基板は以下の構成を有することになる。すなわち、基板上に複数色の各々に対応する各色のカラーフィルタを備えたカラーフィルタ基板であって、前記カラーフィルタの周りを囲むように隔壁が形成され、前記カラーフィルタは、前記隔壁により区画された領域内に配置され、前記カラーフィルタの上面は、前記隔壁の上面と同一の高さ位置にある。 The color filter substrate to which the present invention is applied has the following configuration. That is, a color filter substrate having color filters corresponding to each of a plurality of colors on a substrate, and partition walls are formed so as to surround the color filters, and the color filters are partitioned by the partition walls. The upper surface of the color filter is located at the same height as the upper surface of the partition wall.
本発明を適用したカラーフィルタ基板は、液晶装置や有機エレクトロルミネッセンス装置などの電気光学装置に用いることができ、この場合、前記カラーフィルタの形成領域に各々対応して複数の画素が構成されていることになる。 The color filter substrate to which the present invention is applied can be used for an electro-optical device such as a liquid crystal device or an organic electroluminescence device. In this case, a plurality of pixels are configured corresponding to the color filter forming regions. It will be.
本発明を適用したカラーフィルタ基板を液晶装置に適用した場合、液晶装置は、前記複数の画素の各々に画素スイッチング素子および画素電極を備えた素子基板と、該素子基板に対向配置された対向基板と、該対向基板と前記素子基板との間に保持された液晶とを備え、前記素子基板および対向基板のうちの少なくとも一方が前記カラーフィルタ基板により構成されていることになる。 When the color filter substrate to which the present invention is applied is applied to a liquid crystal device, the liquid crystal device includes an element substrate including a pixel switching element and a pixel electrode in each of the plurality of pixels, and a counter substrate disposed to face the element substrate. And a liquid crystal held between the counter substrate and the element substrate, and at least one of the element substrate and the counter substrate is constituted by the color filter substrate.
ここで、前記素子基板および対向基板のうち、前記素子基板が前記カラーフィルタ基板により構成されていることが好ましい。このように構成すると、画素電極とともにカラーフィルタを素子基板の側に形成することになるので、素子基板と対向基板とのアライメント精度の影響により、カラーフィルタと画素電極とがずれることがなく、画素ピッチが数μmという超微細画素に対応することができる。 Here, it is preferable that the element substrate of the element substrate and the counter substrate is configured by the color filter substrate. With this configuration, since the color filter is formed on the element substrate side together with the pixel electrode, the color filter and the pixel electrode are not shifted due to the influence of the alignment accuracy between the element substrate and the counter substrate. It is possible to deal with ultrafine pixels having a pitch of several μm.
本発明に係る電気光学装置は、投射型表示装置に適用してもよい。この場合、投射型表示装置は、電気光学装置に向けて光を照射する光源と、前記電気光学装置から出射された光を被投射面に投射する投射光学系と、を有している。 The electro-optical device according to the invention may be applied to a projection display device. In this case, the projection display device includes a light source that irradiates light toward the electro-optical device, and a projection optical system that projects light emitted from the electro-optical device onto a projection surface.
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。 Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings to be referred to in the following description, the scales are different for each layer and each member so that each layer and each member have a size that can be recognized on the drawing.
[実施の形態1]
図1を参照して、本発明の実施の形態1に係るカラーフィルタ基板の製造方法を説明しながら、本形態のカラーフィルタ基板の構成を説明する。図1(a)〜(l)は、本発明の実施の形態1に係るカラーフィルタ基板の製造方法を示す工程断面図である。
[Embodiment 1]
With reference to FIG. 1, the structure of the color filter substrate of the present embodiment will be described while explaining the method for manufacturing the color filter substrate according to the first embodiment of the present invention. 1A to 1L are process cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a color filter substrate according to
本形態では、まず、図1(a)に示すように、基板10x上にシリコン酸化膜などからなる隔壁形成層40を形成する。
In this embodiment, first, as shown in FIG. 1A, a partition
次に、凹部形成工程では、隔壁形成層40の上層に赤色のカラーフィルタを形成すべき領域に開口部451を備えたレジストマスク45を形成した状態で、隔壁形成層40をエッチングし、図1(b)に示すように、隔壁形成層40に対して、赤色のカラーフィルタを形成すべき領域に凹部41を形成する。
Next, in the recess forming step, the
次に、カラーフィルタ材配置工程では、図1(c)に示すように、スピンコート法などにより、凹部41内を埋めるように赤色のカラーフィルタ材4rを基板10x上に配置する。本形態では、カラーフィルタ材4rを基板10xの略全面に形成した後、硬化させる。カラーフィルタ材は、例えば、アクリル樹脂などの有機材料と、顔料などの着色剤とからなる。
Next, in the color filter material arrangement step, as shown in FIG. 1C, the red
次に、化学機械研磨工程では、図1(d)に示すように、隔壁形成層40の上面が露出するまで化学機械研磨を行なって凹部41の外側にある赤色のカラーフィルタ材4rを除去する。その結果、凹部41内のみに赤色のカラーフィルタ材4rが残り、赤色のカラーフィルタ4Rが形成される。このような化学機械研磨では、研磨液に含まれる化学成分の作用と、研磨剤と基板10xとの相対移動によって、高速で平滑な研磨面を得ることができる。より具体的には、研磨装置において、不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂などからなる研磨布(パッド)を貼り付けた定盤と、基板10xを保持するホルダとを相対回転させながら、研磨を行なう。その際、例えば、平均粒径が0.01〜20μmの酸化セリウム粒子、分散剤としてのアクリル酸エステル誘導体、および水を含む研磨剤を研磨布と基板10xとの間に供給する。なお、本形態では、隔壁形成層40の上面が露出するまで研磨を行なった際、隔壁形成層40の上面もわずかに研磨される。
Next, in the chemical mechanical polishing step, as shown in FIG. 1D, chemical mechanical polishing is performed until the upper surface of the partition
以降、凹部形成工程、カラーフィルタ材配置工程および化学機械研磨工程を複数回繰り返し、基板10x上に各色のカラーフィルタを順次形成していく。
Thereafter, the concave portion forming step, the color filter material arranging step, and the chemical mechanical polishing step are repeated a plurality of times to sequentially form the color filters of each color on the
例えば、次に緑色のカラーフィルタを形成する場合には、図1(e)に示すように、凹部形成工程において、隔壁形成層40の上層に緑色のカラーフィルタを形成すべき領域に開口部461を備えたレジストマスク46を形成した状態で、隔壁形成層40をエッチングし、図1(f)に示すように、隔壁形成層40に対して、緑色のカラーフィルタを形成すべき領域に凹部42を形成する。次に、カラーフィルタ材配置工程では、図1(g)に示すように、スピンコート法などにより、凹部42内を埋めるように緑色のカラーフィルタ材4gを基板10x上に配置する。本形態では、カラーフィルタ材4gを基板10xの略全面に形成した後、硬化させる。次に、化学機械研磨工程では、図1(h)に示すように、隔壁形成層40の上面が露出するまで化学機械研磨を行なって凹部42の外側にある緑色のカラーフィルタ材4gを除去する。その結果、凹部42内のみに緑色のカラーフィルタ材4gが残り、緑色のカラーフィルタ4Gが形成される。
For example, when forming a green color filter next time, as shown in FIG. 1E, in the recess forming step, an
次に青色のカラーフィルタを形成する場合には、図1(i)に示すように、凹部形成工程において、隔壁形成層40の上層に青色のカラーフィルタを形成すべき領域に開口部471を備えたレジストマスク47を形成した状態で、隔壁形成層40をエッチングし、図1(j)に示すように、隔壁形成層40に対して、青色のカラーフィルタを形成すべき領域に凹部43を形成する。次に、カラーフィルタ材配置工程では、図1(k)に示すように、スピンコート法などにより、凹部43内を埋めるように青色のカラーフィルタ材4bを基板10x上に配置する。本形態では、カラーフィルタ材4bを基板10xの略全面に形成した後、硬化させる。次に、化学機械研磨工程では、図1(l)に示すように、隔壁形成層40の上面が露出するまで化学機械研磨を行なって凹部43の外側にある青色のカラーフィルタ材4bを除去する。その結果、凹部43内のみに青色のカラーフィルタ材4bが残り、青色のカラーフィルタ4Bが形成される。
Next, when forming a blue color filter, as shown in FIG. 1 (i), an
このようにして、赤色、緑色、青色のカラーフィルタ4R、4G、4Bを備えたカラーフィルタ基板70が製造される。ここで、本形態のカラーフィルタ基板70では、カラーフィルタ4R、4G、4Bの周りを囲むように隔壁40aが形成されているとともに、カラーフィルタ4R、4G、4Bは、隔壁40aにより区画された領域内(凹部41、42、43内)に配置され、カラーフィルタ4R、4G、4Bの上面は、隔壁40aの上面と同一の高さ位置にある。このため、カラーフィルタ基板70において、カラーフィルタ4R、4G、4Bの上面と隔壁40aの上面とは同一平面にあり、カラーフィルタ4R、4G、4Bが形成されている側の面は、分厚い樹脂膜からなる有機平坦化膜を形成しなくても平坦である。
In this way, the
以上説明したように、本形態では、隔壁形成層40に形成した凹部41、42、43内を埋めるようにカラーフィルタ材4r、4g、4bを基板10x上に配置した後、隔壁形成層40の上面が露出するまで化学機械研磨を行なって凹部41、42、43内にカラーフィルタ材4r、4g、4bを残すことによりカラーフィルタ4R、4G、4Bを形成する。このため、カラーフィルタ4R、4G、4Bの厚さは、隔壁形成層40に形成した凹部41、42、43の深さ(隔壁40aにより区画された領域の深さ/隔壁形成層40の厚さ/隔壁40aの高さ)に規定されるので、高い厚さ精度をもってカラーフィルタ4R、4G、4Bを形成することができる。
As described above, in this embodiment, after the
また、カラーフィルタ材4r、4g、4bを形成した後、化学機械研磨を行なうため、カラーフィルタ4R、4G、4Bを形成した面が平坦である。従って、後述するように、カラーフィルタ4R、4G、4Bの上層側に画素電極を形成することができるので、画素電極とともにカラーフィルタを素子基板の側に形成することができる。それ故、素子基板と対向基板とのアライメント精度の影響により、カラーフィルタと画素電極とがずれることがなく、画素ピッチが数μmという超微細画素に対応することができる。
In addition, since the chemical filter polishing is performed after the
[実施の形態2]
図2を参照して、本発明の実施の形態2に係るカラーフィルタ基板の製造方法を説明しながら、本形態のカラーフィルタ基板の構成を説明する。図2(a)〜(d)は、本発明の実施の形態2に係るカラーフィルタ基板の製造方法を示す工程断面図である。
[Embodiment 2]
With reference to FIG. 2, the configuration of the color filter substrate of the present embodiment will be described while explaining the method for manufacturing the color filter substrate according to the second embodiment of the present invention. 2A to 2D are process cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a color filter substrate according to Embodiment 2 of the present invention.
本形態では、まず、隔壁形成工程では、図2(a)に示すように、基板10x上にシリコン酸化膜などからなる隔壁形成層40を形成した後、カラーフィルタを形成すべき領域に開口部481、482、483を備えたレジストマスク48を形成する。次に、隔壁形成層40をエッチングし、図2(b)に示すように、隔壁形成層40に対して、カラーフィルタを形成すべき領域に凹部41、42、43を形成する。このようにして、基板10x上にカラーフィルタを形成すべき領域を区画する隔壁40aaを形成する。
In this embodiment, first, in the partition formation step, as shown in FIG. 2A, after a
次に、カラーフィルタ材配置工程では、図2(b)に示すように、隔壁40aで区画された領域(凹部41、42、43)を各々埋めるように各色のカラーフィルタ材4r、4g、4bを順次配置する。このようにカラーフィルタ材4r、4g、4bを配置する方法としては、いわゆるインクジェット法と称せられる液滴吐出法で材料を吐出した後、硬化させることが好ましい。ここで、カラーフィルタ材4r、4g、4bの配置領域については、図2(b)に示すように、カラーフィルタ材4r、4g、4bが各々重なることなく配置されている構成の他、カラーフィルタ材4r、4g、4bが部分的に重なっている構成などを採用してもよく、いずれの場合も、凹部41、42、43内に所定のカラーフィルタ材4r、4g、4bが充填されていればよい。カラーフィルタ材は、例えば、アクリル樹脂などの有機材料と、顔料などの着色剤とからなる。
Next, in the color filter material arrangement step, as shown in FIG. 2B, the
次に、化学機械研磨工程では、隔壁40aの上面が露出するまで化学機械研磨を行ない、隔壁40aの上面を覆うカラーフィルタ材4r、4g、4bを除去する。
Next, in the chemical mechanical polishing step, chemical mechanical polishing is performed until the upper surface of the
このようにして、赤色、緑色、青色のカラーフィルタ4R、4G、4Bを備えたカラーフィルタ基板70が製造される。ここで、本形態のカラーフィルタ基板70では、カラーフィルタ4R、4G、4Bの周りを囲むように隔壁40aが形成されているとともに、カラーフィルタ4R、4G、4Bは、隔壁40aにより区画された領域内(凹部41、42、43内)に配置され、カラーフィルタ4R、4G、4Bの上面は、隔壁40aの上面と同一の高さ位置にある。このため、カラーフィルタ基板70において、カラーフィルタ4R、4G、4Bの上面と隔壁40aの上面とは同一平面にあり、カラーフィルタ4R、4G、4Bが形成されている側の面は、分厚い樹脂膜からなる有機平坦化膜を形成しなくても平坦である。
In this way, the
以上説明したように、本形態では、隔壁形成層40に形成した凹部41、42、43内を埋めるようにカラーフィルタ材4r、4g、4bを基板10x上に配置した後、隔壁形成層40の上面が露出するまで化学機械研磨を行なって凹部41、42、43内にカラーフィルタ材4r、4g、4bを残すことによりカラーフィルタ4R、4G、4Bを形成する。このため、カラーフィルタ4R、4G、4Bの厚さは、隔壁形成層40に形成した凹部41、42、43の深さ(隔壁40aにより区画された領域の深さ/隔壁形成層40の厚さ/隔壁40aの高さ)に規定されるので、高い厚さ精度をもってカラーフィルタ4R、4G、4Bを形成することができる。
As described above, in this embodiment, after the
また、カラーフィルタ材4r、4g、4bを形成した後、化学機械研磨を行なうため、カラーフィルタ4R、4G、4Bを形成した面が平坦である。従って、後述するように、カラーフィルタ4R、4G、4Bの上層側に画素電極を形成することができるので、画素電極とともにカラーフィルタを素子基板の側に形成することができる。それ故、素子基板と対向基板とのアライメント精度の影響により、カラーフィルタと画素電極とがずれることがなく、画素ピッチが数μmという超微細画素に対応することができる。
In addition, since the chemical filter polishing is performed after the
[電気光学装置への適用]
上記実施の形態1、2に係るカラーフィルタ基板70は、例えば、以下に説明する液晶装置(電気光学装置)の素子基板あるいは対向基板として用いることができる。以下、電気光学装置として、TFTアクティブマトリクス駆動形式の液晶装置に本発明を適用した例を説明する。
[Application to electro-optical devices]
The
[液晶装置への適用例1]
(全体構成)
図3は、本発明を適用した液晶装置(電気光学装置)の電気的構成を示すブロック図である。図3に示すように、電気光学装置100は、概ね、液晶パネル100p、画像処理回路202、タイミング発生回路203および電源回路201によって構成されており、画像処理回路202、タイミング発生回路203および電源回路201は、液晶パネル100pに接続されたフレキシブル基板(図示せず)に実装されたICなどにより構成されている。タイミング発生回路203では、液晶パネル100pの各画素100aを駆動するためのドットクロックが生成され、このドットクロックに基づいて、クロック信号VCK、HCK、反転クロック信号VCKB、HCKB、転送開始パルスHSP、VSPが生成される。画像処理回路202は、外部から入力画像データが入力されると、この入力画像データに基づいて画像信号を生成し、液晶パネル100pに供給する。電源回路201は、複数の電源VDD、VSS、VHH、VLLを生成して液晶パネル100pに供給する。
[Application Example 1 to Liquid Crystal Device]
(overall structure)
FIG. 3 is a block diagram showing an electrical configuration of a liquid crystal device (electro-optical device) to which the present invention is applied. As shown in FIG. 3, the electro-
液晶パネル100pは、その中央領域に複数の画素100aがマトリクス状に配列された画素領域10bを備えている。かかる液晶パネル100pにおいて、後述する素子基板10には、画素領域10bの内側で複数本のデータ線6aおよび複数本の走査線3aが縦横に延びており、それらの交点に対応する位置に画素100aが構成されている。複数の画素100aの各々には、画素スイッチング素子としてのMOS型の電界効果型トランジスタ30および画素電極9aが形成されている。電界効果型トランジスタ30のソースにはデータ線6aが電気的に接続され、電界効果型トランジスタ30のゲートには走査線3aが電気的に接続され、電界効果型トランジスタ30のドレインには画素電極9aが電気的に接続されている。
The liquid crystal panel 100p includes a
素子基板10において、画素領域10bの外側領域には走査線駆動回路104およびデータ線駆動回路101が構成されている。データ線駆動回路101は各データ線6aの一端に電気的に接続しており、画像処理回路202から供給される画像信号を各データ線6aに順次供給する。走査線駆動回路104は、各走査線3aに電気的に接続しており、走査信号を各走査線3aに順次供給する。
In the
各画素100aにおいて、画素電極9aは、後述する対向基板に形成された共通電極と液晶を介して対向し、液晶容量50aを構成している。また、各画素100aには、液晶容量50aで保持される画像信号がリークするのを防ぐために、液晶容量50aと並列に保持容量60が付加されている。本形態では、保持容量60を構成するために、走査線3aと並列するように容量線3bが形成されており、かかる容量線3bは共通電位線COMに接続され、所定の電位に保持されている。なお、保持容量60は前段の走査線3aとの間に形成される場合もある。
In each
(液晶パネルおよび素子基板の構成)
図4(a)、(b)は各々、本発明を適用した電気光学装置100の液晶パネル100pを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのH−H′断面図である。なお、図4(b)には、配向膜などの図示を省略してある。
(Configuration of liquid crystal panel and element substrate)
FIGS. 4A and 4B are a plan view of the liquid crystal panel 100p of the electro-
図4(a)、(b)に示すように、電気光学装置100の液晶パネル100pでは、所定の隙間を介して素子基板10と対向基板20とが所定の隙間を介してシール材107によって貼り合わされており、シール材107は対向基板20の縁に沿うように配置されている。シール材107は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂などからなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。本形態の電気光学装置100は、透過型の液晶装置であり、素子基板10および対向基板20の基材としては透光性基板10d、20dが用いられている。
As shown in FIGS. 4A and 4B, in the liquid crystal panel 100p of the electro-
素子基板10において、シール材107の外側領域では、素子基板10の一辺に沿ってデータ線駆動回路101および複数の端子102が形成されており、この一辺に隣接する一辺に沿って走査線駆動回路104が形成されている。また、対向基板20のコーナー部の少なくとも1箇所においては、素子基板10と対向基板20との間で電気的導通をとるための上下導通材109が形成されている。
In the
詳しくは後述するが、素子基板10には、画素電極9aおよび電界効果型トランジスタ30がマトリクス状に形成されている。これに対して、対向基板20には、シール材107の内側領域に遮光性材料からなる額縁108が形成され、その内側が画像表示領域10aとされている。また、対向基板20では、素子基板10の画素電極9aの縦横の境界領域と対向する領域にブラックマトリクス、あるいはブラックストライプなどと称せられる遮光膜23が形成され、その上層側には、ITO(Indium Tin Oxide)膜からなる対向電極21が形成されている。なお、画素領域10bには、額縁108と重なる領域にダミーの画素が構成される場合があり、この場合、画素領域10bのうち、ダミー画素を除いた領域が画像表示領域10aとして利用されることになる。
As will be described in detail later,
このように形成した電気光学装置100は、後述するモバイルコンピュータ、携帯電話機、液晶テレビなどといった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、対向基板20および素子基板10の光入射側の面あるいは光出射側には、使用する液晶50の種類、すなわち、TN(ツイステッドネマティック)モード、STN(スーパーTN)モード等々の動作モードや、ノーマリホワイトモード/ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の向きに配置される。また、電気光学装置100は、後述する単板式の投射型表示装置(液晶プロジェクタ)に用いられることもある。この場合、光入射側とされる対向基板20に対して、各画素に対応するようにマイクロレンズを形成すれば、入射光の画素電極9aに対する集光効率を高めることができるので、明るい表示を行うことができる。
The electro-
これらいずれの場合においても、本形態では、実施の形態1、2を参照して説明したカラーフィルタ4R、4G、4Bが素子基板10に形成され、素子基板10はカラーフィルタ基板70として構成される。
In any of these cases, in this embodiment, the
(各画素の構成)
図5(a)、(b)は各々、本発明を適用した電気光学装置100に用いた素子基板10において相隣接する画素の平面図、およびそのA−A′線に相当する位置で電気光学装置100を切断したときの断面図である。
(Configuration of each pixel)
5A and 5B are plan views of adjacent pixels in the
図5(a)、(b)に示すように、素子基板10には、ガラスなどからなる透明基板10dの表面にシリコン酸化膜などからなる下地絶縁層12が形成されているとともに、その表面側において、画素電極9aに隣接する位置にNチャネル型の電界効果型トランジスタ30が形成されている。電界効果型トランジスタ30は、島状の半導体層1aに対して、チャネル形成領域1g、低濃度ソース領域1b、高濃度ソース領域1d、低濃度ドレイン領域1c、および高濃度ドレイン領域1eが形成されたLDD構造を備えている。低濃度ソース領域1bおよび低濃度ドレイン領域1cは、走査線3aをマスクとして、例えば、約0.1×1013/cm2〜約10×1013/cm2のドーズ量で低濃度N型の不純物イオン(リンイオン)を導入することにより形成された半導体領域であり、高濃度ソース領域1dおよび高濃度ドレイン領域1eは、レジストマスクを用いて、約0.1×1015/cm2〜約10×1015/cm2のドーズ量で高濃度N型の不純物イオン(リンイオン)を導入することにより形成された半導体領域である。
As shown in FIGS. 5A and 5B, the
半導体層1aの表面側にはゲート絶縁層2yが形成されている。本形態において、半導体層1aは単結晶シリコンであり、この場合、透光性基板10dは石英基板からなり、ゲート絶縁層2yは、半導体層1aに対して約850〜1300℃の温度で熱酸化を行なうことにより形成された熱酸化膜として構成される。このような単結晶シリコンからなる半導体層1aは、石英基板と単結晶シリコン基板とをシリコン酸化膜を介して貼り合わせたSOI(Silicon On Insulator)基板を用いることにより実現できる。また、半導体層1aとしては、低温プロセスで形成したアモルファスシリコン膜をレーザアニールにより多結晶化したポリシリコン膜を用いることもでき、この場合、透光性基板10dはガラス基板を用いることができ、ゲート絶縁層2yは、CVD法などにより形成したシリコン酸化膜やシリコン窒化膜などを用いる。
A
電界効果型トランジスタ30の上層側には、層間絶縁膜7、8が形成されている。層間絶縁膜7の表面にはデータ線6aが形成され、このデータ線6aは、層間絶縁膜7に形成されたコンタクトホール7aを介して高濃度ソース領域1dに電気的に接続している。層間絶縁膜8の表面にはITO膜からなる画素電極9aが形成されている。画素電極9aは、層間絶縁膜7、8およびゲート絶縁層2yに形成されたコンタクトホール8aを介して高濃度ドレイン領域1eに電気的に接続している。なお、層間絶縁膜7の表面にドレイン電極を形成し、このドレイン電極を介して、画素電極9aが高濃度ソース領域1dに電気的に接続している構造を採用することもある。
画素電極9aの表面側にはポリイミド膜からなる配向膜16が形成されている。また、高濃度ドレイン領域1eからの延設部分1f(下電極)に対しては、ゲート絶縁層2yと同時形成された絶縁膜(誘電体膜)を介して、走査線3aと同層の容量線3bが上電極として対向することにより、保持容量60が構成されている。
An
このように構成した素子基板10と対向基板20とは、画素電極9aと対向電極21とが対面するように配置され、かつ、これらの基板間には、前記のシール材107(図4(a)、(b)参照)により囲まれた空間内に電気光学物質としての液晶50が封入されている。液晶50は、画素電極9aからの電界が印加されていない状態で配向膜16、22により所定の配向状態をとる。液晶50は、例えば一種または数種のネマティック液晶を混合したものなどからなる。
The
(カラーフィルタの構成)
本形態の電気光学装置100において、素子基板10をカラーフィルタ基板70として構成するには、層間絶縁膜8を形成した後、実施の形態1、2で説明した方法で、層間絶縁膜8の表面上に、シリコン酸化膜などからなる隔壁40aおよびカラーフィルタ4R、4G、4Bを形成した後、画素電極9aを積層した構造とする。なお、隔壁40aおよびカラーフィルタ4R、4G、4Bの表面上にシリコン酸化膜からなる保護膜44を形成した後、画素電極9aを積層した構造を採用してもよい。このような構成を採用した場合、コンタクトホール8aは、隔壁40a、層間絶縁膜7、8およびゲート絶縁層2yを貫通した構造、あるいは隔壁40a、保護膜44、層間絶縁膜7、8およびゲート絶縁層2yを貫通した構造に形成される。
(Color filter configuration)
In the electro-
このように構成した電気光学装置100では、実施の形態1、2で説明したように、カラーフィルタ4R、4G、4Bの厚さ精度が高い。また、カラーフィルタ4R、4G、4Bを形成した面が化学機械研磨により平坦化されているので、カラーフィルタ4R、4G、4Bの上層側に画素電極9aを形成することができる。それ故、画素電極9aとともにカラーフィルタ4R、4G、4Bを素子基板10の側に形成することができるので、素子基板10と対向基板20とのアライメント精度の影響により、カラーフィルタ4R、4G、4Bと画素電極9aとがずれることがなく、画素ピッチが数μmという超微細画素に対応することができる。
In the electro-
[液晶装置への適用例2]
図6は、本発明を適用した別の液晶装置(電気光学装置)の画素1つ分の断面図であり、図5(b)に対応する。なお、本例の基本的な構成は、図3〜図5を参照して説明した電気光学装置と共通するため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
[Application example 2 to liquid crystal device]
FIG. 6 is a cross-sectional view of one pixel of another liquid crystal device (electro-optical device) to which the present invention is applied, and corresponds to FIG. Since the basic configuration of this example is common to the electro-optical device described with reference to FIGS. 3 to 5, common portions are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
図6に示すように、本形態の電気光学装置100において、半導体層1aは、基板温度が150〜450℃の温度条件下で、透光性基板10dにアモルファスシリコン膜からなる半導体膜をプラズマCVD法により、例えば、40〜50nmの厚さに形成した後、レーザアニール法などにより、多結晶化したポリシリコン膜である。透光性基板10dはガラス基板であり、ゲート絶縁層2yは、CVD法などにより形成したシリコン酸化膜やシリコン窒化膜である。このため、比較的低い温度で各工程を行なうことができる。
As shown in FIG. 6, in the electro-
そこで、本形態の電気光学装置100において、素子基板10をカラーフィルタ基板70として構成するにあたって、実施の形態1、2で説明した方法で、透光性基板10dの表面上に、シリコン酸化膜などからなる隔壁40aおよびカラーフィルタ4R、4G、4Bを形成した後、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる下地絶縁層12を積層してある。
Therefore, when the
このように構成した電気光学装置100では、実施の形態1、2で説明したように、カラーフィルタ4R、4G、4Bの厚さ精度が高い。また、カラーフィルタ4R、4G、4Bを形成した面が化学機械研磨により平坦化されているので、カラーフィルタ4R、4G、4Bの上層側に画素電極9aおよび電界効果型トランジスタ30を形成することができる。それ故、画素電極9aとともにカラーフィルタ4R、4G、4Bを素子基板10の側に形成することができるので、素子基板10と対向基板20とのアライメント精度の影響により、カラーフィルタ4R、4G、4Bと画素電極9aとがずれることがなく、画素ピッチが数μmという超微細画素に対応することができる。なお、本形態では、カラーフィルタ4R、4G、4Bが最下層に形成されているが、カラーフィルタ4R、4G、4Bを形成した以降も、比較的低い温度で各工程が行なわれるので、カラーフィルタ4R、4G、4Bが変質、劣化するおそれはない。
In the electro-
[液晶装置への適用例3]
図7(a)、(b)は各々、本発明を適用したさらに別の液晶装置(電気光学装置)の断面図、および画素1つ分の断面図であり、図7(a)は図4(b)に対応し、図7(b)は図5(b)に対応する。なお、本例の基本的な構成は、図3〜図5を参照して説明した電気光学装置と共通するため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
[Example 3 of application to liquid crystal device]
7A and 7B are a cross-sectional view of still another liquid crystal device (electro-optical device) to which the present invention is applied and a cross-sectional view of one pixel, respectively, and FIG. Corresponding to (b), FIG. 7 (b) corresponds to FIG. 5 (b). Since the basic configuration of this example is common to the electro-optical device described with reference to FIGS. 3 to 5, common portions are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
図7(a)、(b)に示すように、本形態の電気光学装置100においては、対向基板20をカラーフィルタ基板70として構成してある。すなわち、対向基板20では、実施の形態1、2で説明した方法で、ブラックマトリクス、あるいはブラックストライプなどと称せられる遮光膜23の上層側にシリコン酸化膜などからなる隔壁40aおよびカラーフィルタ4R、4G、4Bを形成した後、対向電極21を積層してある。なお、隔壁40aおよびカラーフィルタ4R、4G、4Bの表面上にシリコン酸化膜からなる保護膜24を形成した後、対向電極21を積層した構造を採用してもよい。
As shown in FIGS. 7A and 7B, in the electro-
このように構成した電気光学装置100では、実施の形態1、2で説明したように、カラーフィルタ4R、4G、4Bの厚さ精度が高い。また、カラーフィルタ4R、4G、4Bを形成した面が化学機械研磨により平坦化されているので、分厚い樹脂膜からなる平坦化膜を形成しなくても、カラーフィルタ4R、4G、4Bの上層側に対向電極21を形成することができる。
In the electro-
[その他の実施の形態]
上記形態では、本発明を透過型の液晶装置に適用した例であったが、反射型あるいは半透過反射型の液晶装置に本発明を適用してもよい。また、上記形態では、3色分のカラーフィルタ4R、4G、4Bを形成したが、半透過反射型の液晶装置において、各画素の透過表示領域と反射表示領域の各々に色度の異なるカラーフィルタを形成する場合に本発明を適用してもよい。
[Other embodiments]
In the above embodiment, the present invention is applied to a transmissive liquid crystal device. However, the present invention may be applied to a reflective or transflective liquid crystal device. In the above embodiment, the
また、上記形態では、本発明を液晶装置に適用した例であったが、有機エレトロルミネッセンス装置においてカラー画像を表示する場合でも、素子基板のいずれの画素にも白色の有機エレトロルミネッセンスを形成するとともに、各画素にカラーフィルタを形成することがあるので、かかるカラーフィルタに実施の形態1、2で説明した構成を採用してもよい。
In the above embodiment, the present invention is applied to the liquid crystal device. However, even when a color image is displayed in the organic air luminescence device, white organic air luminescence is formed in any pixel of the element substrate. In addition, since a color filter may be formed for each pixel, the configuration described in
[電子機器への搭載例]
上述した実施形態に係る電気光学装置100を適用した電子機器について説明する。図8(a)に、電気光学装置100を備えたモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す。パーソナルコンピュータ2000は、表示ユニットとしての電気光学装置100と本体部2010を備える。本体部2010には、電源スイッチ2001及びキーボード2002が設けられている。図8(b)に、電気光学装置100を備えた携帯電話機の構成を示す。携帯電話機3000は、複数の操作ボタン3001及びスクロールボタン3002、並びに表示ユニットとしての電気光学装置100を備える。スクロールボタン3002を操作することによって、電気光学装置100に表示される画面がスクロールされる。図8(c)に、電気光学装置100を適用した情報携帯端末(PDA:Personal Digital Assistants)の構成を示す。情報携帯端末4000は、複数の操作ボタン4001及び電源スイッチ4002、並びに表示ユニットとしての電気光学装置100を備える。電源スイッチ4002を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が電気光学装置100に表示される。
[Example of mounting on electronic devices]
An electronic apparatus to which the electro-
なお、電気光学装置100が適用される電子機器としては、図8に示すものの他、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。
As an electronic apparatus to which the electro-
[単板式投射型表示装置の構成例]
また、電気光学装置100は、図9に示す単板式の投射型表示装置(液晶プロジェクタ)に用いてもよい。この投射型表示装置500は、光源5100から出射された非偏光な光がインテグレータ光学系5300を構成する第1の光学要素5320の複数の微小レンズ5321、および第2の光学要素5330に含まれる集光レンズの複数の微小レンズ5331によって複数の部分光束に分割されて偏光変換素子5361の近傍で集光される。偏光変換素子5361に入射された複数の部分光束は、1種の直線偏光光に変換され、電気光学装置100(ライトバルブ)に均一な光を入射する。そして、電気光学装置100に入射された光は与えられた画像情報に従って変調され、電気光学装置100から出射された変調光は拡大投射レンズ系5500に出射し、拡大投射レンズ系5500は変調光を投射スクリーンなどの被投射面5600にカラー画像として投射する。このように構成した投射型表示装置500は、ライトバルブの単板化によって必要な部品点数を少なくすることができるので、光学系の小型化と、低コスト化を図ることができる。
[Configuration example of single-plate projection display device]
The electro-
4R、4G、4B・・カラーフィルタ、4r、4g、4b・・カラーフィルタ材、40・・隔壁形成層、10・・素子基板、20・・対向基板、40a・・隔壁、41、42、43・・隔壁の凹部、70・・カラーフィルタ基板、100・・電気光学装置
4R, 4G, 4B,... Color filter, 4r, 4g, 4b,... Color filter material, 40 .... partition wall forming layer, 10 .... element substrate, 20 .... counter substrate, 40a ..., partition wall, 41, 42, 43 ..Concavity recesses, 70.
Claims (9)
前記基板上に形成した隔壁形成層に対して、カラーフィルタを形成すべき領域に凹部を形成する凹部形成工程と、
前記凹部内を埋めるように所定色のカラーフィルタ材を前記基板上に配置するカラーフィルタ材配置工程と、
前記隔壁形成層の上面が露出するまで化学機械研磨を行なって前記凹部の外側にある前記カラーフィルタ材を除去する化学機械研磨工程と、
を行なうことにより、前記凹部内に所定色のカラーフィルタを形成するとともに、
前記凹部形成工程、前記カラーフィルタ材配置工程および前記化学機械研磨工程を複数回繰り返し、前記基板上に各色のカラーフィルタを配置することを特徴とするカラーフィルタ基板の製造方法。 In the manufacturing method of the color filter substrate provided with the color filter of each color on the substrate,
A recess forming step for forming a recess in a region where a color filter is to be formed with respect to the partition wall forming layer formed on the substrate,
A color filter material arrangement step of arranging a color filter material of a predetermined color on the substrate so as to fill the concave portion;
A chemical mechanical polishing step of removing the color filter material outside the recess by performing chemical mechanical polishing until the upper surface of the partition wall forming layer is exposed;
By forming a color filter of a predetermined color in the recess,
A method of manufacturing a color filter substrate, wherein the color filter substrate is arranged on the substrate by repeating the recess forming step, the color filter material arranging step, and the chemical mechanical polishing step a plurality of times.
前記基板上に、前記カラーフィルタを形成すべき領域を区画する隔壁を形成する隔壁形成工程と、
前記隔壁で区画された領域を各々埋めるように各色のカラーフィルタ材を順次配置するカラーフィルタ材配置工程と、
前記隔壁の上面が露出するまで化学機械研磨を行なって当該隔壁の上面を覆う前記カラーフィルタ材を除去する化学機械研磨工程と、
を行なうことを特徴とするカラーフィルタ基板の製造方法。 In the manufacturing method of the color filter substrate provided with the color filter of each color on the substrate,
A partition wall forming step for forming a partition wall for partitioning a region where the color filter is to be formed on the substrate;
A color filter material arrangement step of sequentially arranging the color filter materials of each color so as to fill the regions partitioned by the partition walls,
A chemical mechanical polishing step of removing the color filter material covering the upper surface of the partition wall by performing chemical mechanical polishing until the upper surface of the partition wall is exposed;
A method for manufacturing a color filter substrate, comprising:
前記カラーフィルタの周りを囲むように隔壁が形成され、
前記カラーフィルタは、前記隔壁により区画された領域内に配置され、
前記カラーフィルタの上面は、前記隔壁の上面と同一の高さ位置にあることを特徴とするカラーフィルタ基板。 A color filter substrate having color filters for each color corresponding to each of a plurality of colors on the substrate,
A partition is formed so as to surround the color filter,
The color filter is disposed in a region partitioned by the partition wall,
The color filter substrate, wherein an upper surface of the color filter is at the same height as an upper surface of the partition wall.
前記カラーフィルタの形成領域に各々対応して複数の画素が構成されていることを特徴とする電気光学装置。 An electro-optical device comprising the color filter substrate according to claim 4 or 5,
2. An electro-optical device comprising a plurality of pixels corresponding to each of the color filter formation regions.
前記素子基板および対向基板のうちの少なくとも一方が前記カラーフィルタ基板により構成されていることを特徴とする請求項6に記載の電気光学装置。 An element substrate having a pixel switching element and a pixel electrode in each of the plurality of pixels; a counter substrate disposed opposite to the element substrate; and a liquid crystal held between the counter substrate and the element substrate. ,
The electro-optical device according to claim 6, wherein at least one of the element substrate and the counter substrate is configured by the color filter substrate.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017152226A (en) * | 2016-02-25 | 2017-08-31 | 株式会社ジャパンディスプレイ | Display device and method of manufacturing the same |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002277623A (en) * | 2001-03-19 | 2002-09-25 | Canon Inc | Optical element, method for manufacturing the same, and liquid crystal element using the optical element |
JP2002365423A (en) * | 2001-06-08 | 2002-12-18 | Canon Inc | Color filter and method for manufacturing the same, liquid crystal element using the same |
-
2007
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002277623A (en) * | 2001-03-19 | 2002-09-25 | Canon Inc | Optical element, method for manufacturing the same, and liquid crystal element using the optical element |
JP2002365423A (en) * | 2001-06-08 | 2002-12-18 | Canon Inc | Color filter and method for manufacturing the same, liquid crystal element using the same |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017152226A (en) * | 2016-02-25 | 2017-08-31 | 株式会社ジャパンディスプレイ | Display device and method of manufacturing the same |
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Publication number | Publication date |
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