JP2008194180A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. ＲＦ回路のためのスイッチング回路において、
   互いに逆極性となるように直列接続された一対のスイッチング素子と、
   上記一対のスイッチング素子の中間に接続される少なくとも１つのキャパシタンス素子と、
   上記一対のスイッチング素子の導通非導通を制御するバイアス電源と、
   を備えることを特徴とするＲＦ回路のためのスイッチング回路。
2. 請求項１記載のＲＦ回路のためのスイッチング回路において、上記スイッチング素子は、ダイオードであることを特徴とするスイッチング回路。
3. 請求項２記載のＲＦ回路のためのスイッチング回路において、上記ダイオードは、Ｐｉｎダイオードであることを特徴とするスイッチング回路。
4. 被検体に高周波信号を送信し、被検体からの核磁気共鳴信号を受信する磁気共鳴イメージング装置用の高周波信号送受信切替回路において、
   高周波送信部及び高周波受信部と高周波送受信コイルとの間の信号伝送路に、請求項１に記載のスイッチング回路を備え、高周波送信時には、上記一対のスイッチング素子が非導通となり、高周波受信時には、上記一対のスイッチング素子が導通となるように制御されることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置用の高周波信号送受信切替回路。
5. 請求項４記載の磁気共鳴イメージング装置用の高周波信号送受信切替回路において、上記一対のスイッチング素子はＰｉｎダイオードであることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置用の高周波信号送受信切替回路。
6. 請求項４又は５記載の高周波信号送受信切替回路を備えることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
7. 被検体に高周波信号を送信し、被検体からの核磁気共鳴信号を受信する磁気共鳴イメージング装置用の高周波信号送受信コイルにおいて、
   高周波送受信用コイルと、
   上記送受信用コイルに内蔵される直並列切替型共振回路とを備え、
   上記直並列切替型共振回路は、
   互いに直列に接続された第１のインダクタンス素子及び第１のキャパシタンス素子からなる第１の直列共振回路と、
   互いに直列に接続された第２のインダクタンス素子及び第２のキャパシタンス素子からなる第２の直列共振回路と、
   上記第１のインダクタンス素子と第２のキャパシタンス素子からなる第１の並列共振回路と、
   上記第１のキャパシタンス素子と第２のインダクタンス素子からなる第２の並列共振回路と、
   上記第１及び第２の直列共振回路を並列接続するか、上記第１及び第２の並列共振回路を直列接続するかを切り替えるスイッチング回路とを備え、
   上記スイッチング回路は、互いに逆極性となるように直列接続された一対のスイッチング素子と、上記一対のスイッチング素子の中間に接続される少なくとも１つのキャパシタンス素子と、上記一対のスイッチング素子の導通非導通を制御するバイアス電源とからなり、高周波送信時には、上記スイッチング回路のスイッチング素子が非導通となり、高周波受信時には、上記スイッチング回路のスイッチング素子が導通となるように制御されることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置用の高周波信号送受信コイル。
8. 請求項７記載の磁気共鳴イメージング装置用の高周波信号送受信コイルにおいて、上記スイッチング回路のスイッチング素子は、Ｐｉｎダイオードであることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置用の高周波信号送受信コイル。
9. 請求項７又は８記載の高周波信号送受信コイルを備えることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。