JP2008192940A - 発光装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】LEDなどの発光素子を用いて高輝度面状光源を実現し、発熱による影響を低減した発光装置を提供する。
【解決手段】面状の光源を形成するために、複数の高輝度LED1a〜1dをLED実装基板2に実装し、これと階層状に積層されたLED実装基板10には複数の表面実装LED11を高輝度LEDの非発光部分を埋めるように配置して実装する。2つのLED実装基板の間及びLED実装基板2とペルチエ素子4の間にはそれぞれ放熱板12、3を配置し、ヒートシンク5による放熱を促進する。
【選択図】図1

Description

本発明は、複数の発光素子により面状の光源を形成する発光装置に関するものである。
近年、LED(発光ダイオード)の中にはハロゲンランプや蛍光灯よりも発光効率の優れたものも登場し、LEDは一般照明や検査用照明の光源、フラットパネルディスプレイのバックライトなど様々な用途に採用されるようになってきた。従来、照明用の光源としてLEDを使用する場合、1つのパッケージ内にLEDを複数並べて実装し、大きな光量を確保するということが行われている。
図5は従来の発光装置の一例を示す図であり、(a)は発光装置の層構成を示す図、(b)はLEDの実装図である。1a〜1dは高輝度LEDであり、LED実装基板2に互いに隣接して配置されている。LED1a〜1dはこのLED実装基板2にハンダ付け実装される。本図では、LED1a〜1dは正方形を成すように配置されており、この正方形部分が発光面を構成する。
LED実装基板2には、放熱性を高めるために、銅板やアルミニウム板などを加工した放熱板3が広い面積を接するようにして設けられている。なお、LED実装基板2と放熱板3の間に、放熱性の良いシリコングリースを薄く塗布したり、薄い伝熱シートなどを介在させると、LED実装基板2と放熱板3の密着性が良くなりさらに高い放熱性を得ることができる。
LED実装基板2には、LED1a〜1dの真下にこれらのLEDの放熱部を避ける穴が設けられている。LED1a〜1dのそれぞれの放熱部には熱伝導性の良い伝熱材料6a〜6dが設けられ、この伝熱材料6a〜6dを介してLED1a〜1dから放熱板3に直接熱を逃がす構造になっている。放熱板3にはペルチェ素子4の冷却側を固定し、ペルチェ素子4の加熱側にはヒートシンク5を密着させる。そして、LED実装基板2からヒートシンク5までを断熱性の良いねじ7で固定する。
なお、8は入射端面に入射した光を出射端面で均一化する均一化素子である。9は均一化素子8の断面形状である。均一化素子8は硝子や透明樹脂などでできた角柱のロッド、または内壁を反射率の良い鏡面としたものが考えられる。このような均一化素子8をLED1の直近に配置すれば、均一化素子8の出射端面で非常に均一な面光源を得ることができる。図5では、発光面が正方形であるため、均一化素子8も断面形状が正方形のものを採用する。
ところで、このような高輝度のLEDは発熱を伴うため、所定の間隔をあけて実装することが推奨されている。図5に記載されているLED1a〜1dも、LEDの外形やリードフレームの干渉などから、正方格子状に実装することを想定して設計されたものであることが推測できる。(参考に、LED1a〜1dと同様の形状のLEDが開示されている特許文献を特許文献1として記載する。)
図5ではLEDを4個実装した場合を示しているが、同様なピッチで実装するLEDの個数を多くしていくことで、広い面光源と実装数に比例した光量増加が見込める。このように、LEDを複数並べて実装することによって、必要とされる任意のサイズの面光源を実現することができる。
特開2004−23099号公報 特開2001−308390号公報
しかしながら、LEDは、ハロゲンランプやキセノンランプ、メタルハライドランプなどの放電管と比べて入力が1/100程度と大変小さく、全光束では遠く及ばない。
LEDを光源とした発光装置を広範囲の照明に用いる場合には、発光面を小さくする必要は無い。一方、検査用照明のように光源から平行光や任意の開口数(NA:Numerical Aperture)で光を取り込むような場合には、光源は輝度の高い点光源であることが好ましい。これは光学系の小型化、低コスト化、光の利用効率向上などに有利なためである。
LEDの発光点は微小であるため、LEDを多く並べることで全光束は増やせるものの、LED自体の輝度を上げることはできない。発光装置全体としての輝度を上げるためには、LEDの実装密度を上げるか、発光輝度の高い超高輝度LEDチップを実装するしかない。
しかし、同一基板上でLEDが高密度に実装されるほど、LEDはより多くの熱を発散し、放熱の問題が大きくなる。図5では、ペルチェ素子4とヒートシンク5を用いて強制冷却を行うという前提で、LED1a〜1dをその形状から標準的とされるピッチよりも狭いピッチで実装している。もしペルチェ素子や冷却ファンなどで強制冷却せず、ヒートシンクを放熱板3に直付けするような場合には、よりLED同士の間隔をあけて実装する必要がある。
また、部品としてのLEDは、発光点よりもはるかに大きいパッケージで封止された状態にあるのが通常である。特に1〜3Wクラスの大型LEDは、放熱を確保するためにパッケージ自体も大きい。そのため、LED部品を高密度に実装したとしても、LEDの発光点の輝度の高さがパッケージの大きさによって相殺されてしまう。
パッケージを排除してベアチップのみを放熱性の良い基板の上に実装することができれば良いが、ベアチップを1枚の基板上に並べたのでは発熱源が隣接することになり、周辺部に実装されたベアチップは良好に冷却されても、中央部に実装されたベアチップは隣のベアチップの発熱の影響を受けて冷却不足となってしまう。
また、装置にあわせた形状や装置の仕様により、その都度LEDの実装状態が異なる。そのため、多品種少量のアプリケーションに対して個々熱解析を行い、寿命に不安を残さない解を得るのはLEDメーカーであっても容易ではない。
本発明は、上記のような従来技術の問題をなくし、LEDなどの発光素子を用いて高輝度の光源を得るとともに、発光素子からの発熱による影響を低減することができる発光装置を実現することを目的としたものである。
上記のような目的を達成するために、本発明の請求項1では、複数の発光素子により面状の光源を形成する発光装置において、
前記複数の発光素子は、階層状に積層された複数の基板に分散して実装されたことを特徴とする。
請求項2では、請求項1に記載の発光装置において、前記複数の基板のうちより表層側に積層された基板は、その基板よりも深層側に積層された基板に実装された発光素子から出力された光を発光面まで到達させる逃げ部を有することを特徴とする。
請求項3では、請求項1または2に記載の発光装置において、前記複数の発光素子は、異なる種類の発光素子から構成され、
発熱量の小さい発光素子はより表層側に積層された基板に実装され、
発熱量の大きい発光素子は前記発熱量の小さい発光素子が実装された基板よりも深層側に積層された基板に実装されることを特徴とする。
請求項4では、請求項1または2に記載の発光装置において、前記複数の発光素子は、異なる種類の発光素子から構成され、
形状の大きい発光素子はより深層側に積層された基板に実装され、
形状の小さい発光素子は、前記形状の大きい発光素子が実装された基板よりも表層側に積層された基板において、前記形状の大きい発光素子の周辺に相当する位置に実装されることを特徴とする。
請求項5では、請求項1乃至4のいずれかに記載の発光装置において、前記複数の基板は、高い熱伝導特性を有する放熱板がそれぞれ設けられたことを特徴とする。
請求項6では、請求項1乃至5のいずれかに記載の発光装置において、最も表層側に積層された基板以外の基板に実装された発光素子からの光束を発光面まで到達させる導光部材が設けられたことを特徴とする。
請求項7では、請求項1乃至6のいずれかに記載の発光装置において、最も表層側に積層された基板の直近に設置され、入射した光を均一化する均一化素子が設けられたことを特徴とする。
請求項8では、請求項1乃至7のいずれかに記載の発光装置において、最も深層側に積層された基板に、前記発光素子から発生する熱を冷却する冷却部が設けられたことを特徴とする。
このように、発光素子を階層状に積層された複数の基板に分散して実装することにより、高輝度の光源を得ることができる。小さな発光面で輝度を上げることができるため、光の利用効率が上がり、発光装置の小型化を図ることができる。また、発光素子を立体的に配置することにより、発熱源が分散し、隣接する発光素子からの影響を受けにくくなるため、発光素子からの発熱による影響を低減することができる発光装置を実現することができる。
また、表層側に積層された基板に、その基板よりも深層側に積層された基板に実装された発光素子から出力された光を発光面まで到達させる逃げ部を設けることによって、各層の基板に実装されているすべての発光素子の光を容易に発光面まで導くことができる。
発熱量の小さい発光素子を表層側の基板に、発熱量の大きい発光素子を発熱量の小さい発光素子が実装された基板よりも深層側の基板に実装すれば、発光素子からの発熱量が深層側に多くなり、深層側からも効率的に放熱できる。
形状の大きい発光素子を深層側の基板に、形状の小さい発光素子を形状の大きい発光素子が実装された基板よりも表層側の基板上であって形状の大きい発光素子の周辺に相当する位置に実装すれば、たとえば隣接する大きい発光素子同士の間、すなわち大きい発光素子の非発光部分に相当する部分を小さい発光素子でうめることができる。その結果、表層側から見たときの発光面の発光密度が上がり、発光装置の高輝度化が可能である。
基板に放熱板を設ければ、発光素子の熱を効果的に放熱できる。
最も表層側に積層された基板以外の基板に実装された発光素子からの光束を発光面まで到達させる導光部材を設ければ、各層の発光素子からの光束を無駄なく発光面まで導くことができ、発光装置としてより多くの光を利用することができる。
均一化素子を最も表層側に積層された基板の直近に設置すれば、発光素子から得られる光束を均一化して利用することができる。
最も深層側に積層された基板に冷却部を設ければ、表層側からの放熱に加えて深層側からも効果的に発光素子の熱を取り除くことができる。
以下、図面を用いて本発明の発光装置を説明する。
図1は本発明の発光装置の一実施例を示す図であり、(a)は発光装置の層構成を示す図、(b)は深層側の基板の実装図、(c)は表層側の基板の実装図、(d)は発光装置の分解図である。
図1は2層の基板を使用した場合を例示し、図5の従来の発光装置に対し、小型のLED(11)が複数実装されたLED実装基板(10)および放熱板(12)が新たに1枚ずつ追加されている。なお、従来例と同じ構成物品には同じ符号を付す。
10はLED実装基板2よりも表層側に積層されたLED実装基板である。LED実装基板10は表層側に積層された基板、LED実装基板2は深層側に積層された基板ということになる。
LED実装基板10には、LED実装基板2に実装されたLED1a〜1dのレンズ部をよけるための逃げ部10a〜10dが、LED1a〜1dの位置に合わせて設けられている。これら逃げ部10a〜10dの間のリブに、小型の表面実装LED11ができるだけ多く実装される。本実施例では、逃げ部10aと10bの間に2個、逃げ部10bと10dの間に2個、逃げ部10dと10cの間に2個、逃げ部10aと10cの間に2個、さらに逃げ部10a〜10dの中央部に4個、合計12個の表面実装LED11が実装されている。表面実装LED11をこのようにLED実装基板10上に配置することにより、LED1a〜1dの非発光部分に相当する部分を表面実装LED11でうめることができる。このとき、均一化素子8の断面形状9もしくは発光面の形状は正方形となる。
LED実装基板10は、放熱性を持たせるために放熱板12が設けられている。放熱板12は、LED1a〜1dのレンズ部やパッケージの肩部、リードフレームと干渉しないような加工がされ、LED実装基板2に重ねるようにして合わせて置かれる。そして、LED実装基板10からヒートシンク5までが断熱性の良いねじ7で固定される。
表面実装LED11の発熱は、LED実装基板10、放熱板12、LED実装基板2、 放熱板3に順に伝わり、ペルチェ素子4によりヒートシンク5側に送られる。LED実装基板10からヒートシンク5までの層数が多いため、各層間で熱抵抗が高くならないようシリコングリースなどを薄く塗布しておくのが望ましい。
本実施例の発光装置には、表面実装LED11が12個と、高輝度のLED1a〜1dの4個が実装されており、同一の発光面内に合計16個のLEDが存在することになる。従来の発光装置に比べ、単位面積当たりのLED発光密度が上がり、光源の高輝度化が可能になる。
本実施例において、表面実装LED11ひとつあたりの光量を高輝度LEDであるLED1aの1/6程度と仮定する。すると、LED実装基板10には表面実装LED11が12個実装されているため、光量1/6×12個=高輝度LED2個相当の光量増加となる。全体としては、従来例の発光装置の1.5倍の輝度を得ることができる。
また、LEDの数が4個から16個になることから、例えば各LEDを色分けして使用した場合に、色の数を4色から16色に増やすことも可能になる。発光波長によって光量が異なることから、16個を任意に組み合わせられるようにすれば所望のスペクトラムも得やすい。
ベアチップを1枚の基板上に並べたのでは発熱源が隣接することになり、周辺部に実装されたベアチップは良好に冷却されても、中央部に実装されたベアチップは隣のベアチップの発熱の影響を受けて冷却不足となってしまう。
LEDを複数の基板に分散して実装すれば、発熱源を分散させることができ、隣の発熱源からの影響を受けずに良好な冷却が可能となる。そのため、従来の発光装置に比べて小さな発光面で輝度を上げることができ、光の利用効率が上がり、検査装置や照明装置の小型化を図ることができる。
なお、本実施例では2層の基板の場合を示したが、基板は2層に限られず、3層以上であってもよい。
ところで、従来の発光装置と比較して、LED実装基板が1枚から2枚に増えると、生産性の悪化やコストアップを招く可能性がある。
図2は、図1の発光装置の変形例を示す図である。1a’は、図1に示した発光装置の高輝度LED1aのリードフレームを反対側にフォーミングし直したものである。LED1a’のリードフレームはレンズ部側に向いている。同様に、図1のLED1b〜1dのリードフレームを反対側にフォーミングしたものをLED1b’〜1d ’とする。
LED実装基板10の深層側の面に、逃げ部10a〜10dにLED1a’〜1d’のレンズ部がくるようにLED1a’〜1d’を位置決めする。LED実装基板10の深層側の面にはLED1a’〜1d’を、表層側の面には図1(c)と同じように表面実装LED11をハンダ付けする。
このように、図1におけるLED1a〜1dをLED実装基板10の深層側の面に実装すれば、LED実装基板2を省略することができ、LED実装基板を1枚、放熱板を2枚の構成とすることも考えられる。LED実装基板が1枚で済むため、生産性の悪化やコストアップの恐れが低い。
前記実施例1では発光面が正方形の例を示した。しかし、照明装置においては必ずしも正方形の発光面が最適ということはなく、長方形が望まれる場合もある。
図3は本発明の発光装置の他の一例を示す図であり、(a)は発光装置の層構成を示す図、(b)は深層側および中間層の基板に実装されたLEDの実装位置および導光ロッドの位置を示す図、(c)は表層側の基板の実装図である。
本図は発光面が縦横比10:6の長方形となるようにした構成例である。使用する高輝度のLEDと小型の表面実装LEDは前記実施例1と同じ種類のものとする。
高輝度のLEDを同一基板上で横方向に詰めて配置して発光面の縦横比10:6を実現しようとすると、図3(b)からも読み取れるように、LEDのリードフレームが干渉してしまい、実装することができない。そこで、高輝度のLEDを横方向により詰めて実装するために、表層側の基板と深層側の基板の間に新たに中間層の基板を設け、高輝度のLEDを深層側と中間層の2枚の基板に分散して実装する。
前記実施例1よりも構造は複雑となるが、基板を3枚とした、いわば3階建ての構造にすることにより、正方格子以外でも実装密度を高く保つことが可能となる。図3の発光装置の発光面の面積は図1と同じであり、扁平率のみが異なる。
21は深層側に積層されたLED実装基板、23は中間層のLED実装基板、25は表層側のLED実装基板である。20a〜20dは高輝度のLEDである。LED20aとLED20bはLED実装基板21に実装され、LED20cとLED20dはLED実装基板23に実装されている。32は小型の表面実装LEDであり、LED実装基板25に実装されている。
LED実装基板21は、LED20a、20bの真下にこれらのLEDの放熱部を避ける穴が設けられている。LED20a、20bはこの放熱用の穴の真上に配置されるように位置決めされ、ハンダ付け実装される。
LED実装基板21には、放熱性を高めるために放熱板22が設けられている。放熱板22は、電気的絶縁が必要なところは非接触となるようにするとともにLED20a、20bの放熱部と直接伝熱できるように加工された銅板やアルミニウム板製などの放熱板であり、LED実装基板21と広い面積が接するように合わせられる。
LED20a、20bの放熱部には熱伝導性の良い伝熱材料31a、31bが設けられる。伝熱材料31a、31bは熱抵抗のきわめて小さい放熱シートをLED放熱部の形状に合わせてカットしたものであり、この伝熱材料31a、31bによってLEDの放熱部から放熱板22に直接熱を逃がす構造になっている。
LED実装基板21の表層側に、LED実装基板21と広い面積が接するように放熱板24が重ね合わされ、さらに放熱板24の表層側にLED実装基板23が設けられている。
LED実装基板23は、LED20c、20dの真下にこれらのLEDの放熱部を避ける穴と、高輝度LED20a、20bのレンズ部を避ける逃げ部が設けられている。LED20c、20dはこの放熱用の穴の真上に配置されるように位置決めされ、ハンダ付け実装される。
放熱板24は、放熱板22と同様に、電気的絶縁が必要なところは非接触となるようにするとともにLED20c、20dの放熱部と直接伝熱できるように加工された銅板やアルミニウム板製の放熱板であり、LED実装基板23と広い面積が接するように合わせられる。
LED20c、20dの放熱部には、伝熱材料31a、31bと同様に、熱伝導性の良い伝熱材料31c、31dが設けられる。伝熱材料31c、31dによってLED20c、20dの放熱部から放熱板24に直接熱を逃がす構造になっている。
さらに、LED実装基板23の表層側に、LED実装基板23と広い面積が接するように放熱板26が重ね合わされる。さらに放熱板26の表層側にLED実装基板25が広い面積を接するように重ね合わせられ、放熱板3枚とLED実装基板とで隙間なく密着したサンドイッチ構造ができあがる。この状態で隙間が開かないように小ねじ(図示せず)で一体化しておくと密着性が高まる。
放熱板26は、LED20c、20dのパッケージに合わせて肩部やリード部の絶縁間隔を加工した銅板やアルミニウム板製などの放熱板である。
この放熱板26には、LED20a、20bからの光束を効率よく発光面に到達させるための導光ロッド27a,27bが設けられている。導光ロッド27a、27bはLED20a、20bの光軸上に一致するように加工されており、光硬化型の接着剤や、エポキシ系樹脂にてLED実装基板25に接着されている。導光ロッド27a、27bは硝子の円柱形状で、LED20a、20bのレンズ部と同径でかつレンズ部に接するか近傍に配置される。
LED実装基板25は、図3(c)に示すように、丸い逃げ部が4箇所(25a〜25d)設けられている。逃げ部25c、25dはLED20c、20dのレンズ部のみが直接顔を出し、逃げ部25a、25bは導光ロッド27a、27bが高さを揃えて顔を出す。
これら逃げ部25a〜25dの間のリブに、小型の表面実装LED32ができるだけ多く実装される。本実施例では、逃げ部25aと25bの間に2個、逃げ部25cと25dの間に2個、さらに、発光面の右下および左上に位置する部分に4個ずつ、合計12個の表面実装LED32が実装されている。表面実装LED32をこのようにLED実装基板25上に配置することにより、LED20a〜20dの非発光部分に相当する部分を表面実装LED32でうめることができる。
こうして基板と放熱板を互い違いに組合せてユニットとし、放熱板22にはペルチェ素子28の冷却側を固定し、ペルチェ素子28の加熱側にはヒートシンク29を密着させる。そして、LED実装基板25からヒートシンク29までを断熱性の良いねじ30で固定する。
なお、各層間に、放熱性の良いシリコングリースを薄く塗布したり、薄い伝熱シートなどを介在させると、密着性が良くなりさらに高い放熱性を得ることができる。
33は入射した光を均一化する均一化素子である。33aは均一化素子33の断面形状である。前記実施例1と異なり本実施例では発光面が長方形であるため、均一化素子33も断面形状が長方形のものを採用する。
ところで、LED(20a〜20d)を高密度に実装するために層数を増やしてLEDの実装密度を上げても、均一化素子33の入射端面からLEDまでの距離が離れると、均一化素子33の入射端面まで到達するLEDの放射角は狭くなってしまう。すると、LED正面の僅かな範囲の光束しか均一化素子33の入射端面に到達せず、有効な光として取り出せる量は増えないことになってしまう。
そこで、このような3層の構造を実現するために導光ロッド27を用いている。導光ロッド27をLED20a、20bの直近まで寄せることで、取り込み角を大きくし、2倍以上の光束を得ている。
それでも、LED20a、20bから光が漏れ、導光ロッド27a、27bに入りきらない光束も少なくない。
図4は、図3に示した発光装置の構造においてLEDから導光ロッドへの光束の漏れを説明する図である。本図は、LED20a〜20d、LED実装基板21,23,25、導光ロッド27a、27bを抜き出して記載したものである。
図4(a)では、LED20a、20bからの光束のうち、一部の光L1は導光ロッド27a、27bに入射せず、導光ロッド27a、27bの外部に漏れてしまっている。また、LED20c、20dについても、一部の光L2は均一化素子33に入射せず、均一化素子33の外部に漏れてしまっている。
そこで、図4(b)に示すように、LED20a、20bのレンズ部と導光ロッド27a、27bの間にチューブ状の内面反射筒40a、40bを入れれば、LED20a、20bからの光はほぼ漏れなく導光ロッド27a、27bに導かれる。この内面反射筒40a、40bは反射率の良いアルミ合金やステンレス合金の薄板で形成され、ほぼ全周を覆い更にばね性を持たせることでLED20a、20bの光軸と導光ロッド27a、27bの光軸に習って自動調芯された位置で安定する。
また、内面反射筒40a、40bを導光ロッド27a、27bの出射端まで伸ばし、導光ロッド27a、27bを省略してもよい。
さらに、LED20a〜20dから漏れる光L1,L2を均一化素子33に入れるために、均一化素子33の周辺をほぼ全周覆うようにスカート41を着けてもよい。このようなスカート41を設ければ、LED20a〜20dから漏れる光L1,L2を反射板で反射させ均一化素子33内に取り込むことができる。この反射板41は内面反射筒40a、40bと同じ方法で作られる。スカート41は均一化素子33に接着しても良い。
このように、導光ロッドと反射板を設ければ、3層構造に限らず、通常の1層、2層構造であっても、従来漏れてしまい利用できなかった光を利用可能な光として集光することが可能となる。
以上のように構成することで、前記実施例1と同様に、高輝度LED4個、表面実装LED12個が実装可能である。扁平率を変更しても単位面積当たりの光束を同じにすることができる。
図1は本発明の発光装置の一実施例を示す図。 図2は、図1の発光装置の変形例を示す図。 図3は本発明の発光装置の他の一例を示す図。 図4は、図3に示した発光装置の構造においてLEDから導光ロッドへの光束の漏れを説明する図。 図5は従来の発光装置の一例を示す図。
符号の説明
1a〜1d 高輝度LED
2 LED実装基板
3 放熱板
4 ペルチェ素子
5 ヒートシンク
6 伝熱素材
7 ねじ
8 均一化素子
9 均一化素子の断面形状
10 LED実装基板
10a〜10d 逃げ部
11 表面実装LED
12 放熱板
20a〜20d 高輝度LED
21 LED実装基板(深層側)
23 LED実装基板(中間層)
25 LED実装基板(表層側)
22,24,26 放熱板
25a〜25d 逃げ部
27a、27b 導光ロッド
28 ペルチェ素子
29 ヒートシンク
30 ねじ
31a〜31d 伝熱素材
32 表面実装LED
33 均一化素子
33a 均一化素子の断面形状
40a、40b 内面反射筒
41 スカート
L1、L2 漏れ光

Claims (8)

  1. 複数の発光素子により面状の光源を形成する発光装置において、
    前記複数の発光素子は、階層状に積層された複数の基板に分散して実装されたことを特徴とする発光装置。
  2. 前記複数の基板のうちより表層側に積層された基板は、その基板よりも深層側に積層された基板に実装された発光素子から出力された光を発光面まで到達させる逃げ部を有することを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
  3. 前記複数の発光素子は、異なる種類の発光素子から構成され、
    発熱量の小さい発光素子はより表層側に積層された基板に実装され、
    発熱量の大きい発光素子は前記発熱量の小さい発光素子が実装された基板よりも深層側に積層された基板に実装されることを特徴とする請求項1または2に記載の発光装置。
  4. 前記複数の発光素子は、異なる種類の発光素子から構成され、
    形状の大きい発光素子はより深層側に積層された基板に実装され、
    形状の小さい発光素子は、前記形状の大きい発光素子が実装された基板よりも表層側に積層された基板において、前記形状の大きい発光素子の周辺に相当する位置に実装されることを特徴とする請求項1または2に記載の発光装置。
  5. 前記複数の基板は、高い熱伝導特性を有する放熱板がそれぞれ設けられたことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の発光装置。
  6. 最も表層側に積層された基板以外の基板に実装された発光素子からの光束を発光面まで到達させる導光部材が設けられたことを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の発光装置。
  7. 最も表層側に積層された基板の直近に設置され、入射した光を均一化する均一化素子が設けられたことを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の発光装置。
  8. 最も深層側に積層された基板に、前記発光素子から発生する熱を冷却する冷却部が設けられたことを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の発光装置。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010119580A1 (ja) * 2009-04-16 2010-10-21 株式会社光波 光源モジュール
EP2363746A1 (en) 2010-01-27 2011-09-07 Mitsubishi Electric Corporation Cooling of a LED light source apparatus and projector type image display apparatus
JP2012038957A (ja) * 2010-08-09 2012-02-23 Toshiba Corp 発光装置
JP2012059706A (ja) * 2010-09-09 2012-03-22 Semi Solutions Inc 光発生装置及びその制御方法
CN103732982A (zh) * 2011-08-11 2014-04-16 黑拉许克联合股份有限公司 用于室外照明灯的发光模块
JP2014103088A (ja) * 2012-10-26 2014-06-05 Towa Kasei Kogyosho:Kk 合成樹脂製ソケット
JP2014134423A (ja) * 2013-01-09 2014-07-24 Yamato Scale Co Ltd 組合せ秤
CN104936435A (zh) * 2012-10-30 2015-09-23 张花淑 利用人工光的植物栽培机
JP2018082094A (ja) * 2016-11-17 2018-05-24 サンコール株式会社 半導体素子取付用基板端子板の製造方法
JP6990800B1 (ja) * 2020-03-24 2022-01-14 株式会社日立ハイテク 真空処理装置

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010119580A1 (ja) * 2009-04-16 2010-10-21 株式会社光波 光源モジュール
JPWO2010119580A1 (ja) * 2009-04-16 2012-10-22 株式会社光波 光源モジュール
JP5635495B2 (ja) * 2009-04-16 2014-12-03 株式会社光波 光源モジュール及び面状発光装置
US8807760B2 (en) 2010-01-27 2014-08-19 Mitsubishi Electric Corporation Light source apparatus and projector type image display apparatus
EP2363746A1 (en) 2010-01-27 2011-09-07 Mitsubishi Electric Corporation Cooling of a LED light source apparatus and projector type image display apparatus
EP2428839A1 (en) 2010-01-27 2012-03-14 Mitsubishi Electric Corporation Light source apparatus and projector type image display apparatus
JP2012038957A (ja) * 2010-08-09 2012-02-23 Toshiba Corp 発光装置
US8921870B2 (en) 2010-08-09 2014-12-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting device
CN102404915A (zh) * 2010-09-09 2012-04-04 半导体解法株式会社 光产生装置和控制该装置的方法
JP2012059706A (ja) * 2010-09-09 2012-03-22 Semi Solutions Inc 光発生装置及びその制御方法
CN102404915B (zh) * 2010-09-09 2015-06-10 半导体解法株式会社 光产生装置和控制该装置的方法
EP2429262A3 (en) * 2010-09-09 2016-10-26 Semisolution Inc. Light generating device and method for controlling the device
CN103732982A (zh) * 2011-08-11 2014-04-16 黑拉许克联合股份有限公司 用于室外照明灯的发光模块
JP2014103088A (ja) * 2012-10-26 2014-06-05 Towa Kasei Kogyosho:Kk 合成樹脂製ソケット
CN104936435A (zh) * 2012-10-30 2015-09-23 张花淑 利用人工光的植物栽培机
JP2015532839A (ja) * 2012-10-30 2015-11-16 ジャン ファスゥク 人工光を利用した植物栽培器
JP2014134423A (ja) * 2013-01-09 2014-07-24 Yamato Scale Co Ltd 組合せ秤
JP2018082094A (ja) * 2016-11-17 2018-05-24 サンコール株式会社 半導体素子取付用基板端子板の製造方法
WO2018092704A1 (ja) 2016-11-17 2018-05-24 サンコール株式会社 半導体素子取付用基板端子板の製造方法
US10734562B2 (en) 2016-11-17 2020-08-04 Suncall Corporation Method for manufacturing substrate terminal board for mounting semiconductor element
JP6990800B1 (ja) * 2020-03-24 2022-01-14 株式会社日立ハイテク 真空処理装置

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