JP2008186828A

JP2008186828A - Formation method of semiconductor laser element

Info

Publication number: JP2008186828A
Application number: JP2007016428A
Authority: JP
Inventors: Sumiyo Nakanishi; 寿美代中西; Teruaki Miyake; 輝明三宅; Kenji Nakajima; 健二中島; Manabu Iwamoto; 学岩本; Seiji Kawamoto; 清時河本; Yasushi Nagao; 泰志長尾; Yuzuru Miyata; 譲宮田
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd; Sanyo Consumer Electronics Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 2007-01-26
Filing date: 2007-01-26
Publication date: 2008-08-14

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a formation method of a semiconductor laser element, which is improved in controllability in both of a horizontal light radiation angle and a light emission point interval. <P>SOLUTION: The formation method of the semiconductor laser element comprises processes of: forming a first semiconductor laser element section 10 including a luminous layer 13, an etching stop layer 15, and a p-type second cladding layer 16 on a GaAs substrate 1; forming a second semiconductor laser element section 20 including a luminous layer 23, an etching stop layer 25, and a p-type second cladding layer 26 on the GaAs substrate 1; and forming ridge sections 16a, 26a in the first and second semiconductor laser element sections 10, 20. The process of forming the first semiconductor laser element section 10 includes a process of making the thickness of the p-type second cladding layer 16 smaller than that of the p-type second cladding layer 26. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体レーザ素子の形成方法に関し、特に、複数の半導体レーザ素子部を有する半導体レーザ素子の形成方法に関する。 The present invention relates to a method for forming a semiconductor laser element, and more particularly to a method for forming a semiconductor laser element having a plurality of semiconductor laser element portions.

光ディスクメディアとして、読み取り／書き込みが可能なＣＤ−Ｒ（ＣｏｍｐａｃｔＤｉｓｋＲｅｃｏｒｄａｂｌｅ）およびＤＶＤ−Ｒ（ＤｉｇｉｔａｌＶｅｒｓａｔｉｌｅＤｉｓｋＲｅｃｏｒｄａｂｌｅ）が広く普及しており、従来、ＣＤ−ＲおよびＤＶＤ−Ｒを共に読み取り／書き込みが可能な光ディスクシステムが知られている。このような光ディスクシステムでは、ＣＤ−Ｒ用の赤外レーザ光（波長〜７８０ｎｍ）とＤＶＤ−Ｒ用の赤色レーザ光（波長〜６５０ｎｍ）とを同一素子で出射することが可能な半導体レーザ素子（２波長半導体レーザ素子）が用いられている（たとえば、特許文献１参照）。 CD-R (Compact Disk Recordable) and DVD-R (Digital Versatile Disk Recordable) capable of reading / writing are widely used as optical disc media, and both CD-R and DVD-R can be read / written conventionally. Possible optical disk systems are known. In such an optical disk system, a semiconductor laser element capable of emitting an infrared laser beam for CD-R (wavelength to 780 nm) and a red laser beam for DVD-R (wavelength to 650 nm) by the same element ( A two-wavelength semiconductor laser element) is used (for example, see Patent Document 1).

上記特許文献１には、半導体基板上に、共通の第１バッファ層を介して、赤外レーザ光を発振する赤外半導体レーザ素子部と、赤色レーザ光を発振する赤色半導体レーザ素子部とが形成された半導体レーザ素子が記載されている。この半導体レーザ素子では、赤外半導体レーザ素子部および赤色半導体レーザ素子部に、エッチングによって、凸状のリッジ部がそれぞれ形成されている。このような従来の半導体レーザ素子では、一般的に、一方の半導体レーザ素子部のリッジ部を形成した後、他方の半導体レーザ素子部のリッジ部を形成する形成方法が用いられている。
特開２００６−２８７０５７号公報 In Patent Document 1, an infrared semiconductor laser element portion that oscillates infrared laser light and a red semiconductor laser element portion that oscillates red laser light are provided on a semiconductor substrate via a common first buffer layer. A formed semiconductor laser device is described. In this semiconductor laser device, convex ridge portions are formed in the infrared semiconductor laser device portion and the red semiconductor laser device portion by etching. In such a conventional semiconductor laser element, a forming method is generally used in which a ridge portion of one semiconductor laser element portion is formed and then a ridge portion of the other semiconductor laser element portion is formed.
JP 2006-287057 A

しかしながら、上記した従来の半導体レーザ素子では、一方の半導体レーザ素子部のリッジ部を形成した後、他方の半導体レーザ素子部のリッジ部を形成する方法を用いることによって、一方の半導体レーザ素子部のリッジ部と他方の半導体レーザ素子部のリッジ部とが別工程で形成されるので、後に形成する他方の半導体レーザ素子部のリッジ部を、先に形成した一方の半導体レーザ素子部のリッジ部から所定の距離を隔てた位置に精度よく形成することが困難になるという不都合があった。このため、一方の半導体レーザ素子部の発光点と他方の半導体レーザ素子部の発光点との間隔（発光点間隔）を、精度よく制御することが困難になるという不都合があった。なお、複数の半導体レーザ素子部を含む半導体レーザ素子では、その発光点間隔は、１１０μｍが業界標準として設定されており、その許容誤差は、±１μｍと定められている。このように、発光点間隔の制御は非常に高い精度が求められている。 However, in the conventional semiconductor laser element described above, by using the method of forming the ridge portion of one semiconductor laser element portion and then forming the ridge portion of the other semiconductor laser element portion, Since the ridge portion and the ridge portion of the other semiconductor laser element portion are formed in separate processes, the ridge portion of the other semiconductor laser element portion to be formed later is removed from the ridge portion of the one semiconductor laser element portion that has been formed earlier. There is an inconvenience that it is difficult to accurately form at positions separated by a predetermined distance. For this reason, there has been a disadvantage that it is difficult to accurately control the distance between the light emitting point of one semiconductor laser element portion and the light emitting point of the other semiconductor laser element portion (light emitting point interval). In a semiconductor laser element including a plurality of semiconductor laser element portions, the light emitting point interval is set to 110 μm as an industry standard, and the allowable error is set to ± 1 μm. Thus, very high accuracy is required for the control of the light emitting point interval.

一方、上記した不都合を抑制するために、一方の半導体レーザ素子部のリッジ部形成と、他方の半導体レーザ素子部のリッジ部形成とを同一工程で行う半導体レーザ素子の形成方法が知られている。 On the other hand, in order to suppress the inconvenience described above, a method of forming a semiconductor laser element is known in which the ridge portion formation of one semiconductor laser element portion and the ridge portion formation of the other semiconductor laser element portion are performed in the same process. .

しかしながら、このような形成方法を用いた場合には、エッチングにより除去する半導体層の厚みのばらつきなどに起因して、どちらかの半導体レーザ素子部において、エッチングの制御性が低下するという不都合がある。このため、エッチングの制御性が低下することによって、リッジ部脇のエッチング底面から発光層（活性層）までの距離がばらつくので、水平横方向の光閉じ込め効果にばらつきが生じる。これにより、半導体レーザ素子における水平方向の光放射角の制御性が低下するという不都合がある。 However, when such a forming method is used, there is a disadvantage in that the controllability of etching is deteriorated in one of the semiconductor laser element portions due to variations in the thickness of the semiconductor layer removed by etching. . For this reason, since the controllability of etching is lowered, the distance from the bottom surface of the etching beside the ridge portion to the light emitting layer (active layer) varies, so that the horizontal and horizontal light confinement effect varies. As a result, the controllability of the light emission angle in the horizontal direction in the semiconductor laser element is disadvantageously lowered.

このように、従来の半導体レーザ素子の形成方法では、少なくとも、水平方向の光放射角、および、発光点間隔のいずれかの制御性が低下するという問題点があった。 As described above, the conventional method for forming a semiconductor laser device has a problem that at least one of the controllability of the light emission angle in the horizontal direction and the light emitting point interval is deteriorated.

この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、水平方向の光放射角、および、発光点間隔の両方の制御性を向上させることが可能な半導体レーザ素子の形成方法を提供することである。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and one object of the present invention is to improve the controllability of both the light emission angle in the horizontal direction and the light emitting point interval. It is an object to provide a method for forming a possible semiconductor laser device.

上記目的を達成するために、この発明の一の局面による半導体レーザ素子の形成方法は、基板上に、基板側から、少なくとも、第１発光層、第１エッチングストップ層、および、第１半導体層を含む第１半導体レーザ素子部を形成する工程と、基板上に、基板側から、少なくとも、第２発光層、第２エッチングストップ層、および、第２半導体層を含む第２半導体レーザ素子部を形成する工程と、第１半導体レーザ素子部および第２半導体レーザ素子部に、それぞれ、第１リッジ部および第２リッジ部を形成する工程とを備えている。そして、第１半導体レーザ素子部を形成する工程は、第１半導体層を、第２半導体レーザ素子部の第２半導体層の厚みよりも小さい厚みに形成する工程を含んでいる。 In order to achieve the above object, a method of forming a semiconductor laser device according to one aspect of the present invention includes at least a first light emitting layer, a first etching stop layer, and a first semiconductor layer on a substrate from the substrate side. And forming a first semiconductor laser element portion including at least a second light emitting layer, a second etching stop layer, and a second semiconductor layer on the substrate from the substrate side. Forming a first ridge portion and a second ridge portion in the first semiconductor laser element portion and the second semiconductor laser element portion, respectively. The step of forming the first semiconductor laser element portion includes the step of forming the first semiconductor layer with a thickness smaller than the thickness of the second semiconductor layer of the second semiconductor laser element portion.

この一の局面による半導体レーザ素子の形成方法では、上記のように、第１半導体レーザ素子部の第１半導体層を、第２半導体レーザ素子部の第２半導体層の厚みよりも小さい厚みに形成することによって、第１半導体レーザ素子部および第２半導体レーザ素子部を同時にエッチングした場合に、第１半導体レーザ素子部の第１エッチングストップ層を、第２半導体レーザ素子部の第２エッチングストップ層よりも先に露出させることができるので、第１エッチングストップ層が露出したタイミングで第１半導体レーザ素子部のエッチングを停止することによって、第１エッチングストップ層近傍までエッチングされた第１リッジ部を形成することができる。また、第１エッチングストップ層が露出した後、第１半導体レーザ素子部を保護してエッチングを続けることにより、第１半導体レーザ素子部のエッチング深さを変化させることなく、第２半導体レーザ素子部の第２エッチングストップ層を露出させることができるので、第２エッチングストップ層が露出したタイミングで第２半導体レーザ素子部のエッチングを停止することによって、第２エッチングストップ層近傍までエッチングされた第２リッジ部を形成することができる。このため、第１エッチングストップ層、および、第２エッチングストップ層を、それぞれ、第１発光層および第２発光層から所望の位置に形成することによって、第１半導体層および第２半導体層の厚みがばらついた場合でも、第１リッジ部脇のエッチング底面から第１発光層までの距離、および、第２リッジ部脇のエッチング底面から第２発光層までの距離を、それぞれ、所望の距離に精度よく構成することができる。これにより、第１半導体レーザ素子部、および、第２半導体レーザ素子部の両方において、水平横方向の光閉じ込め効果のばらつきを抑制することができるので、第１半導体レーザ素子部、および、第２半導体レーザ素子部の両方において、水平方向の光放射角の制御性を向上させることができる。 In the method of forming a semiconductor laser device according to this aspect, as described above, the first semiconductor layer of the first semiconductor laser element portion is formed to a thickness smaller than the thickness of the second semiconductor layer of the second semiconductor laser element portion. Thus, when the first semiconductor laser element portion and the second semiconductor laser element portion are etched simultaneously, the first etching stop layer of the first semiconductor laser element portion is changed to the second etching stop layer of the second semiconductor laser element portion. Since the etching of the first semiconductor laser element portion is stopped at the timing when the first etching stop layer is exposed, the first ridge portion etched to the vicinity of the first etching stop layer can be exposed. Can be formed. Further, after the first etching stop layer is exposed, the second semiconductor laser element portion is protected without changing the etching depth of the first semiconductor laser element portion by protecting the first semiconductor laser element portion and continuing the etching. Since the second etching stop layer can be exposed, by stopping the etching of the second semiconductor laser element portion at the timing when the second etching stop layer is exposed, the second etching stop layer is etched to the vicinity. A ridge portion can be formed. Therefore, the thicknesses of the first semiconductor layer and the second semiconductor layer are formed by forming the first etching stop layer and the second etching stop layer at desired positions from the first light emitting layer and the second light emitting layer, respectively. Even when there is variation, the distance from the etching bottom surface beside the first ridge portion to the first light emitting layer, and the distance from the etching bottom surface beside the second ridge portion to the second light emitting layer are accurately set to desired distances, respectively. Can be configured well. As a result, variation in the horizontal optical confinement effect can be suppressed in both the first semiconductor laser element portion and the second semiconductor laser element portion, so that the first semiconductor laser element portion and the second semiconductor laser element portion In both the semiconductor laser element portions, the controllability of the light emission angle in the horizontal direction can be improved.

また、一の局面では、第１半導体レーザ素子部および第２半導体レーザ素子部をエッチングすることにより、第１半導体レーザ素子部および第２半導体レーザ素子部に、それぞれ、第１リッジ部および第２リッジ部を形成する工程を備えることによって、第１リッジ部と第２リッジ部とを同一工程で形成することができるので、第１リッジ部と第２リッジ部との間隔を所望の距離に精度よく制御することができる。このため、第１半導体レーザ素子部の発光点と第２半導体レーザ素子部の発光点との間隔（発光点間隔）を、精度よく制御することができるので、発光点間隔が、業界標準である１１０±１μｍの範囲内に入るように構成することができる。なお、発光点間隔を精度よく制御することによって、半導体レーザ素子を光ピックアップとして用いた場合に、発光点間隔が１１０±１μｍの範囲から外れることに起因して、対物レンズに入る光の量が減少するという不都合が生じるのを抑制することができる。このため、光ピックアップとしての光の利用効率が低下するのを抑制することができる。 In one aspect, the first semiconductor laser element portion and the second semiconductor laser element portion are etched into the first semiconductor laser element portion and the second semiconductor laser element portion, respectively. By providing the step of forming the ridge portion, the first ridge portion and the second ridge portion can be formed in the same step, so that the distance between the first ridge portion and the second ridge portion can be accurately set to a desired distance. It can be controlled well. For this reason, since the space | interval (light emission point space | interval) of the light emission point of a 1st semiconductor laser element part and the light emission point of a 2nd semiconductor laser element part can be controlled with a sufficient precision, a light emission point space | interval is an industry standard. It can be configured to fall within the range of 110 ± 1 μm. In addition, when the semiconductor laser device is used as an optical pickup by accurately controlling the light emitting point interval, the amount of light entering the objective lens is reduced because the light emitting point interval is out of the range of 110 ± 1 μm. Generation | occurrence | production of the problem of decreasing can be suppressed. For this reason, it can suppress that the utilization efficiency of the light as an optical pick-up falls.

上記一の局面による半導体レーザ素子の形成方法において、好ましくは、第１半導体レーザ素子部を形成する工程は、第１半導体層を、第１エッチングストップ層上に接触するように形成する工程をさらに含み、第２半導体レーザ素子部を形成する工程は、第２半導体層を、第２エッチングストップ層上に接触するように形成する工程をさらに含む。このように構成すれば、第１半導体レーザ素子部および第２半導体レーザ素子部を同時にエッチングした場合に、容易に、第１半導体レーザ素子部の第１エッチングストップ層を、第２半導体レーザ素子部の第２エッチングストップ層よりも先に露出させることができるので、第１半導体レーザ素子部に、容易に、第１エッチングストップ層近傍までエッチングされた第１リッジ部を形成することができるとともに、第２半導体レーザ素子部に、容易に、第１エッチングストップ層近傍までエッチングされた第１リッジ部を形成することができる。 In the method of forming a semiconductor laser device according to the aforementioned aspect, preferably, the step of forming the first semiconductor laser device portion further includes a step of forming the first semiconductor layer so as to be in contact with the first etching stop layer. The step of forming the second semiconductor laser element portion further includes a step of forming the second semiconductor layer so as to be in contact with the second etching stop layer. If comprised in this way, when the 1st semiconductor laser element part and the 2nd semiconductor laser element part are etched simultaneously, the 1st etching stop layer of the 1st semiconductor laser element part is easily made into the 2nd semiconductor laser element part. Since the first etching stop layer can be exposed before the first etching stop layer, the first ridge portion etched to the vicinity of the first etching stop layer can be easily formed in the first semiconductor laser element portion. The first ridge portion etched to the vicinity of the first etching stop layer can be easily formed in the second semiconductor laser element portion.

上記一の局面による半導体レーザ素子の形成方法において、好ましくは、第１リッジ部および第２リッジ部を形成する工程は、第１半導体層上および第２半導体層上に、それぞれ、第１マスク層および第２マスク層を接触するように形成する工程を含む。このように構成すれば、第１マスク層と第２マスク層との間隔を所望の距離に精度よく制御することができるので、第１マスク層をマスクとしてエッチングすることにより、第１半導体レーザ素子部に第１リッジ部を形成するとともに、第２マスク層をマスクとしてエッチングすることにより、第２半導体レーザ素子部に第２リッジ部を形成した際に、第１リッジ部と第２リッジ部との間隔を所望の距離に精度よく制御することができる。このため、容易に、半導体レーザ素子の発光点間隔の制御性を向上させることができる。 In the method of forming a semiconductor laser device according to the above aspect, preferably, the step of forming the first ridge portion and the second ridge portion includes a first mask layer on the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, respectively. And forming a second mask layer in contact with each other. If comprised in this way, since the space | interval of a 1st mask layer and a 2nd mask layer can be accurately controlled to desired distance, by etching using a 1st mask layer as a mask, a 1st semiconductor laser element Forming the first ridge portion in the portion and etching the second mask layer as a mask to form the second ridge portion in the second semiconductor laser element portion, and the first ridge portion and the second ridge portion Can be accurately controlled to a desired distance. For this reason, the controllability of the light emitting point interval of the semiconductor laser element can be easily improved.

上記一の局面による半導体レーザ素子の形成方法において、好ましくは、第１リッジ部および第２リッジ部を形成する工程は、第１半導体レーザ素子部および第２半導体レーザ素子部を、ドライエッチングにより、第１エッチングストップ層までエッチングする工程と、その後、第２半導体レーザ素子部を、ウェットエッチングにより、第２エッチングストップ層まで、エッチングする工程とをさらに含む。このように構成すれば、第１半導体レーザ素子部に、ドライエッチングにより、第１エッチングストップ層近傍までエッチングされた第１リッジ部を容易に形成することができるとともに、第２半導体レーザ素子部に、ドライエッチングとウェットエッチングとにより、第２エッチングストップ層近傍までエッチングされた第２リッジ部を容易に形成することができるので、容易に、水平方向の光放射角、および、発光点間隔の両方の制御性を向上させることが可能な半導体レーザ素子を得ることができる。また、ドライエッチングにより、第１エッチングストップ層まで第１半導体レーザ素子部をエッチングすることによって、第１半導体レーザ素子部に形成された第１リッジ部を、側壁（側面）が上面に対してほぼ垂直になるように構成することができるので、第１半導体レーザ素子部の駆動時における動作電圧を低下させることができる。これにより、第１半導体レーザ素子部の駆動時の発熱を抑制することができるので、高温特性を向上させることができる。 In the method of forming a semiconductor laser device according to the above aspect, preferably, the step of forming the first ridge portion and the second ridge portion includes performing dry etching on the first semiconductor laser device portion and the second semiconductor laser device portion. Etching up to the first etching stop layer and then etching the second semiconductor laser element part up to the second etching stop layer by wet etching are further included. With this configuration, the first ridge portion etched to the vicinity of the first etching stop layer can be easily formed in the first semiconductor laser element portion by dry etching, and the second semiconductor laser element portion can be formed. Since the second ridge portion etched to the vicinity of the second etching stop layer can be easily formed by dry etching and wet etching, both the horizontal light emission angle and the light emitting point interval can be easily obtained. It is possible to obtain a semiconductor laser device capable of improving the controllability. Further, by etching the first semiconductor laser element portion up to the first etching stop layer by dry etching, the side wall (side surface) of the first ridge portion formed in the first semiconductor laser element portion is almost the upper surface. Since it can be configured to be vertical, the operating voltage when driving the first semiconductor laser element portion can be reduced. As a result, heat generation during driving of the first semiconductor laser element portion can be suppressed, so that high temperature characteristics can be improved.

上記一の局面による半導体レーザ素子の形成方法において、好ましくは、第１半導体レーザ素子部を形成する工程は、第１半導体レーザ素子部を、赤色レーザ光を発振する赤色半導体レーザ素子部に形成する工程を含み、第２半導体レーザ素子部を形成する工程は、第２半導体レーザ素子部を、赤外レーザ光を発振する赤外半導体レーザ素子部に形成する工程を含む。このように構成すれば、容易に、水平方向の光放射角、および、発光点間隔の両方の制御性が良好な、赤色半導体レーザ素子部と赤外半導体レーザ素子部とを含む半導体レーザ素子を得ることができる。 In the method for forming a semiconductor laser element according to the above aspect, preferably, in the step of forming the first semiconductor laser element part, the first semiconductor laser element part is formed in a red semiconductor laser element part that oscillates red laser light. The step of forming the second semiconductor laser element portion includes a step of forming the second semiconductor laser element portion in the infrared semiconductor laser element portion that oscillates infrared laser light. With this configuration, a semiconductor laser element including a red semiconductor laser element part and an infrared semiconductor laser element part, which has good controllability of both the light emission angle in the horizontal direction and the emission point interval can be easily obtained. Obtainable.

以上のように、本発明によれば、水平方向の光放射角、および、発光点間隔の両方の制御性を向上させることが可能な半導体レーザ素子の形成方法を得ることができる。 As described above, according to the present invention, it is possible to obtain a method for forming a semiconductor laser device capable of improving both the light emission angle in the horizontal direction and the controllability of the light emitting point interval.

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図１は、本発明の一実施形態による半導体レーザ素子の構造を示した断面図であり、図２は、図１に示した本発明の一実施形態による半導体レーザ素子の平面図である。図３は、図１に示した本発明の一実施形態による半導体レーザ素子の第１半導体レーザ素子部の発光層の断面図であり、図４は、図１に示した本発明の一実施形態による半導体レーザ素子の第２半導体レーザ素子部の発光層の断面図である。まず、図１〜図４を参照して、一実施形態による半導体レーザ素子の構造について説明する。 FIG. 1 is a cross-sectional view showing a structure of a semiconductor laser device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view of the semiconductor laser device according to an embodiment of the present invention shown in FIG. 3 is a cross-sectional view of the light emitting layer of the first semiconductor laser element portion of the semiconductor laser element according to the embodiment of the present invention shown in FIG. 1, and FIG. 4 is an embodiment of the present invention shown in FIG. It is sectional drawing of the light emitting layer of the 2nd semiconductor laser element part of the semiconductor laser element by. First, the structure of a semiconductor laser device according to an embodiment will be described with reference to FIGS.

一実施形態による半導体レーザ素子では、図１および図２に示すように、６５０ｎｍ帯の赤色レーザ光を発振する第１半導体レーザ素子部１０と、７８０ｎｍ帯の赤外レーザ光を発振する第２半導体レーザ素子部２０とが、同一のｎ型ＧａＡｓ基板１上に形成されている。なお、ｎ型ＧａＡｓ基板１は、本発明の「基板」の一例である。 In the semiconductor laser device according to the embodiment, as shown in FIGS. 1 and 2, the first semiconductor laser device unit 10 that oscillates red laser light in the 650 nm band and the second semiconductor that oscillates infrared laser light in the 780 nm band, as shown in FIGS. The laser element unit 20 is formed on the same n-type GaAs substrate 1. The n-type GaAs substrate 1 is an example of the “substrate” in the present invention.

第１半導体レーザ素子部１０と第２半導体レーザ素子部２０との間には、図１に示すように、第１半導体レーザ素子部１０と第２半導体レーザ素子部２０とを電気的に分離するための分離溝３０が設けられている。この分離溝３０は、傾斜を有する側壁を含むとともに、約２５μｍの幅Ｗ１を有している。また、図１および図２に示すように、第１半導体レーザ素子部１０および第２半導体レーザ素子部２０には、それぞれ、ストライプ状（細長状）のリッジ部１６ａおよび２６ａが形成されている。なお、リッジ部１６ａおよび２６ａは、それぞれ、本発明の「第１リッジ部」および「第２リッジ部」の一例である。 As shown in FIG. 1, the first semiconductor laser element unit 10 and the second semiconductor laser element unit 20 are electrically separated between the first semiconductor laser element unit 10 and the second semiconductor laser element unit 20. A separation groove 30 is provided. The separation groove 30 includes an inclined sidewall and has a width W1 of about 25 μm. As shown in FIGS. 1 and 2, the first semiconductor laser element portion 10 and the second semiconductor laser element portion 20 are formed with striped (elongated) ridge portions 16a and 26a, respectively. The ridge portions 16a and 26a are examples of the “first ridge portion” and the “second ridge portion” in the present invention, respectively.

また、一実施形態による半導体レーザ素子は、図２に示すように、リッジ部１６ａおよび２６ａに沿った方向（矢印Ｙ方向）に、約１５２０μｍの長さＬを有するとともに、リッジ部１６ａおよび２６ａと直交する方向（矢印Ｘ方向）に、約２５０μｍの幅Ｗを有している。 In addition, as shown in FIG. 2, the semiconductor laser device according to the embodiment has a length L of about 1520 μm in the direction along the ridges 16a and 26a (in the arrow Y direction), and the ridges 16a and 26a. It has a width W of about 250 μm in the orthogonal direction (arrow X direction).

６５０ｎｍ帯の赤色レーザ光を発振する第１半導体レーザ素子部１０の具体的な構造としては、ｎ型ＧａＡｓ基板１の上面上に、約０．４μｍの厚みを有するｎ型ＧａＩｎＰからなるバッファ層１１が形成されている。バッファ層１１上には、約３．４μｍの厚みを有するｎ型ＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型クラッド層１２が形成されている。ｎ型クラッド層１２上には、発光層１３が形成されている。なお、発光層１３は、本発明の「第１発光層」の一例である。 As a specific structure of the first semiconductor laser element unit 10 that oscillates red laser light in the 650 nm band, a buffer layer 11 made of n-type GaInP having a thickness of about 0.4 μm is formed on the upper surface of the n-type GaAs substrate 1. Is formed. An n-type cladding layer 12 made of n-type AlGaInP having a thickness of about 3.4 μm is formed on the buffer layer 11. A light emitting layer 13 is formed on the n-type cladding layer 12. The light emitting layer 13 is an example of the “first light emitting layer” in the present invention.

この発光層１３は、図３に示すように、約６．３ｎｍの厚みを有するＧａＩｎＰからなる３つの井戸層１３ａと、約４ｎｍの厚みを有するＡｌＧａＩｎＰからなる２つの障壁層１３ｂとが交互に積層された第１ＭＱＷ活性層１３ｃを含んでいる。また、第１ＭＱＷ活性層１３ｃを挟むように、約２０ｎｍの厚みを有するアンドープＡｌＧａＩｎＰからなるｎ側光ガイド層１３ｄおよびｐ側光ガイド層１３ｅが設けられている。そして、第１ＭＱＷ活性層１３ｃ、ｎ側光ガイド層１３ｄ、および、ｐ側光ガイド層１３ｅによって、発光層１３が構成されている。 As shown in FIG. 3, the light emitting layer 13 includes three well layers 13a made of GaInP having a thickness of about 6.3 nm and two barrier layers 13b made of AlGaInP having a thickness of about 4 nm. The first MQW active layer 13c formed is included. Further, an n-side light guide layer 13d and a p-side light guide layer 13e made of undoped AlGaInP having a thickness of about 20 nm are provided so as to sandwich the first MQW active layer 13c. The first MQW active layer 13c, the n-side light guide layer 13d, and the p-side light guide layer 13e constitute the light emitting layer 13.

発光層１３上には、図１に示すように、約０．３４μｍの厚みを有するｐ型ＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型第１クラッド層１４が形成されている。ｐ型第１クラッド層１４上には、約０．０２μｍの厚みを有するエッチングストップ層１５が形成されている。このエッチングストップ層１５は、約３．６ｎｍの厚みを有する３つのｐ型ＧａＩｎＰ層（図示せず）と、約５ｎｍの厚みを有する２つのｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層（図示せず）とが交互に積層されることによって構成されている。なお、エッチングストップ層１５は、本発明の「第１エッチングストップ層」の一例である。 As shown in FIG. 1, a p-type first cladding layer 14 made of p-type AlGaInP having a thickness of about 0.34 μm is formed on the light emitting layer 13. An etching stop layer 15 having a thickness of about 0.02 μm is formed on the p-type first cladding layer 14. The etching stop layer 15 is formed by alternately stacking three p-type GaInP layers (not shown) having a thickness of about 3.6 nm and two p-type AlGaInP layers (not shown) having a thickness of about 5 nm. It is configured by being. The etching stop layer 15 is an example of the “first etching stop layer” in the present invention.

エッチングストップ層１５上の所定領域には、約１．２μｍの厚みを有するｐ型ＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型第２クラッド層１６が形成されており、このｐ型第２クラッド層１６によって、リッジ部１６ａが構成されている。このリッジ部１６ａは、約２μｍの幅Ｗ２を有しているとともに、側面（側壁）がリッジ部１６ａの上面に対してほぼ垂直になるように形成されている。また、リッジ部１６ａの両側には、リッジ部１６ａを保護するための一対のサポート部１６ｂが、リッジ部１６ａを挟むように形成されている。このサポート部１６ｂは、ｐ型第２クラッド層１６から構成されるとともに、リッジ部１６ａから所定の距離（約１０μｍ）を隔てたエッチングストップ層１５上の所定領域に形成されている。また、ｐ型第２クラッド層１６は、後述する第２半導体レーザ素子部２０のｐ型第２クラッド層２６の厚み（約１．６μｍ）よりも小さい厚み（約１．２μｍ）に形成されている。なお、ｐ型第２クラッド層１６は、本発明の「第１半導体層」の一例である。 A p-type second cladding layer 16 made of p-type AlGaInP having a thickness of about 1.2 μm is formed in a predetermined region on the etching stop layer 15, and the ridge portion 16 a is formed by the p-type second cladding layer 16. Is configured. The ridge portion 16a has a width W2 of about 2 μm, and is formed so that the side surface (side wall) is substantially perpendicular to the upper surface of the ridge portion 16a. A pair of support portions 16b for protecting the ridge portion 16a is formed on both sides of the ridge portion 16a so as to sandwich the ridge portion 16a. The support portion 16b is composed of the p-type second cladding layer 16, and is formed in a predetermined region on the etching stop layer 15 that is separated from the ridge portion 16a by a predetermined distance (about 10 μm). The p-type second cladding layer 16 is formed to have a thickness (about 1.2 μm) smaller than the thickness (about 1.6 μm) of the p-type second cladding layer 26 of the second semiconductor laser element unit 20 described later. Yes. The p-type second cladding layer 16 is an example of the “first semiconductor layer” in the present invention.

また、サポート部１６ｂの上面上、サポート部１６ｂの側面上、リッジ部１６ａの側面上、および、エッチングストップ層１５上には、エッチングストップ層１５側から順に、約０．４μｍの厚みを有するアンドープＡｌＩｎＰ層１７ａと、約０．４μｍの厚みを有するｎ型ＧａＡｓ層１７ｂとから構成される電流ブロック層１７が形成されている。また、電流ブロック層１７上およびリッジ部１６ａの上面上には、約１．２５μｍの厚みを有するｐ型ＧａＡｓからなるｐ型コンタクト層１８が形成されている。ｐ型コンタクト層１８上には、約４．２μｍの厚みを有するｐ側電極１９が形成されている。このｐ側電極１９は、ｐ型コンタクト層１８側から順に形成される、約１５ｎｍの厚みを有するＣｒ層と、約１μｍの厚みを有するＡｕ層と、約０．２μｍの厚みを有するＰｔ層と、約３μｍの厚みを有するＡｕ層とから構成されている。 Further, on the upper surface of the support portion 16b, the side surface of the support portion 16b, the side surface of the ridge portion 16a, and the etching stop layer 15, an undoped layer having a thickness of about 0.4 μm in this order from the etching stop layer 15 side. A current blocking layer 17 composed of an AlInP layer 17a and an n-type GaAs layer 17b having a thickness of about 0.4 μm is formed. A p-type contact layer 18 made of p-type GaAs having a thickness of about 1.25 μm is formed on the current blocking layer 17 and the upper surface of the ridge portion 16a. A p-side electrode 19 having a thickness of about 4.2 μm is formed on the p-type contact layer 18. The p-side electrode 19 includes a Cr layer having a thickness of about 15 nm, an Au layer having a thickness of about 1 μm, and a Pt layer having a thickness of about 0.2 μm, which are sequentially formed from the p-type contact layer 18 side. , And an Au layer having a thickness of about 3 μm.

また、７８０ｎｍ帯の赤外レーザ光を発振する第２半導体レーザ素子部２０の具体的な構造としては、ｎ型ＧａＡｓ基板１の上面上に、約０．４μｍの厚みを有するｎ型ＧａＩｎＰからなるバッファ層２１が形成されている。バッファ層２１上には、約３．３μｍの厚みを有するｎ型ＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型クラッド層２２が形成されている。ｎ型クラッド層２２上には、発光層２３が形成されている。なお、発光層２３は、本発明の「第２発光層」の一例である。 The specific structure of the second semiconductor laser element section 20 that oscillates infrared laser light in the 780 nm band is made of n-type GaInP having a thickness of about 0.4 μm on the upper surface of the n-type GaAs substrate 1. A buffer layer 21 is formed. An n-type cladding layer 22 made of n-type AlGaInP having a thickness of about 3.3 μm is formed on the buffer layer 21. A light emitting layer 23 is formed on the n-type cladding layer 22. The light emitting layer 23 is an example of the “second light emitting layer” in the present invention.

この発光層２３は、図４に示すように、約３．７ｎｍの厚みを有するＧａＡｓからなる２つの井戸層２３ａと、約８ｎｍの厚みを有するＡｌＧａＡｓからなる１つの障壁層２３ｂとが交互に積層された第２ＭＱＷ活性層２３ｃを含んでいる。また、第２ＭＱＷ活性層２３ｃを挟むように、約９ｎｍの厚みを有するアンドープＡｌＧａＡｓからなるｎ側光ガイド層２３ｄおよびｐ側光ガイド層２３ｅが設けられている。そして、第２ＭＱＷ活性層２３ｃ、ｎ側光ガイド層２３ｄ、および、ｐ側光ガイド層２３ｅによって、発光層２３が構成されている。 As shown in FIG. 4, the light emitting layer 23 is formed by alternately laminating two well layers 23a made of GaAs having a thickness of about 3.7 nm and one barrier layer 23b made of AlGaAs having a thickness of about 8 nm. The second MQW active layer 23c formed is included. Further, an n-side light guide layer 23d and a p-side light guide layer 23e made of undoped AlGaAs having a thickness of about 9 nm are provided so as to sandwich the second MQW active layer 23c. The second MQW active layer 23c, the n-side light guide layer 23d, and the p-side light guide layer 23e constitute the light emitting layer 23.

発光層２３上には、図１に示すように、約０．２μｍの厚みを有するｐ型ＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型第１クラッド層２４が形成されている。ｐ型第１クラッド層２４上には、約０．０２μｍの厚みを有するｐ型ＧａＩｎＰからなるエッチングストップ層２５が形成されている。なお、エッチングストップ層２５は、本発明の「第２エッチングストップ層」の一例である。 As shown in FIG. 1, a p-type first cladding layer 24 made of p-type AlGaInP having a thickness of about 0.2 μm is formed on the light emitting layer 23. On the p-type first cladding layer 24, an etching stop layer 25 made of p-type GaInP having a thickness of about 0.02 μm is formed. The etching stop layer 25 is an example of the “second etching stop layer” in the present invention.

エッチングストップ層２５上の所定領域には、約１．６μｍの厚みを有するｐ型ＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型第２クラッド層２６が形成されており、このｐ型第２クラッド層２６によって、リッジ部２６ａが構成されている。このリッジ部２６ａは、約３μｍの幅Ｗ３を有しているとともに、メサ形状（台形状）に形成されている。また、リッジ部２６ａの両側には、リッジ部２６ａを保護するための一対のサポート部２６ｂが、リッジ部２６ａを挟むように形成されている。このサポート部２６ｂは、ｐ型第２クラッド層２６から構成されるとともに、リッジ部２６ａから所定の距離（約１０μｍ）を隔てたエッチングストップ層２５上の所定領域に形成されている。なお、ｐ型第２クラッド層２６は、本発明の「第２半導体層」の一例である。 A p-type second clad layer 26 made of p-type AlGaInP having a thickness of about 1.6 μm is formed in a predetermined region on the etching stop layer 25, and the p-type second clad layer 26 forms a ridge portion 26a. Is configured. The ridge portion 26a has a width W3 of about 3 μm and is formed in a mesa shape (trapezoidal shape). A pair of support portions 26b for protecting the ridge portion 26a are formed on both sides of the ridge portion 26a so as to sandwich the ridge portion 26a. The support portion 26b is composed of the p-type second cladding layer 26 and is formed in a predetermined region on the etching stop layer 25 that is separated from the ridge portion 26a by a predetermined distance (about 10 μm). The p-type second cladding layer 26 is an example of the “second semiconductor layer” in the present invention.

また、サポート部２６ｂの上面上、サポート部２６ｂの側面上、リッジ部２６ａの側面上、および、エッチングストップ層２５上には、エッチングストップ層２５側から順に、約０．４μｍの厚みを有するアンドープＡｌＩｎＰ層２７ａと、約０．４μｍの厚みを有するｎ型ＧａＡｓ層２７ｂとから構成される電流ブロック層２７が形成されている。また、電流ブロック層２７上およびリッジ部２６ａの上面上には、約１．２５μｍの厚みを有するｐ型ＧａＡｓからなるｐ型コンタクト層２８が形成されている。ｐ型コンタクト層２８上には、第１半導体レーザ素子部１０に形成したｐ側電極１９と同様の構成を有するｐ側電極２９が形成されている。すなわち、ｐ型コンタクト層２８上には、ｐ型コンタクト層２８側から順に、約１５ｎｍの厚みを有するＣｒ層と、約１μｍの厚みを有するＡｕ層と、約０．２μｍの厚みを有するＰｔ層と、約３μｍの厚みを有するＡｕ層とから構成されるｐ側電極２９が形成されている。 Further, on the upper surface of the support portion 26b, on the side surface of the support portion 26b, on the side surface of the ridge portion 26a, and on the etching stop layer 25, an undoped layer having a thickness of about 0.4 μm in this order from the etching stop layer 25 side. A current blocking layer 27 composed of an AlInP layer 27a and an n-type GaAs layer 27b having a thickness of about 0.4 μm is formed. A p-type contact layer 28 made of p-type GaAs having a thickness of about 1.25 μm is formed on the current blocking layer 27 and the upper surface of the ridge portion 26a. A p-side electrode 29 having the same configuration as the p-side electrode 19 formed in the first semiconductor laser element unit 10 is formed on the p-type contact layer 28. That is, on the p-type contact layer 28, in order from the p-type contact layer 28 side, a Cr layer having a thickness of about 15 nm, an Au layer having a thickness of about 1 μm, and a Pt layer having a thickness of about 0.2 μm. And a p-side electrode 29 composed of an Au layer having a thickness of about 3 μm.

そして、ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面上には、約１μｍの厚みを有するｎ側電極２が形成されている。このｎ型電極２は、ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面側から順に形成された、約７ｎｍの厚みを有するＡｕ層と、約２０ｎｍの厚みを有するＧｅ層と、約１６０ｎｍの厚みを有するＡｕ層と、約３０ｎｍの厚みを有するＮｉ層と、約８００ｎｍの厚みを有するＡｕ層とから構成されている。 An n-side electrode 2 having a thickness of about 1 μm is formed on the back surface of the n-type GaAs substrate 1. The n-type electrode 2 includes an Au layer having a thickness of about 7 nm, a Ge layer having a thickness of about 20 nm, and an Au layer having a thickness of about 160 nm, which are sequentially formed from the back side of the n-type GaAs substrate 1. The Ni layer has a thickness of about 30 nm, and the Au layer has a thickness of about 800 nm.

図５〜図１６は、図１に示した本発明の一実施形態による半導体レーザ素子の形成方法を説明するための断面図である。次に、図１および図３〜図１６を参照して、一実施形態による半導体レーザ素子の形成方法について説明する。 5 to 16 are cross-sectional views for explaining a method of forming the semiconductor laser device according to the embodiment of the present invention shown in FIG. Next, a method for forming a semiconductor laser device according to an embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 3 to 16.

まず、図５に示すように、ＭＯＣＶＤ法（ＭｅｔａｌＯｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：有機金属気相成長法）を用いて、ｎ型ＧａＡｓ基板１の上面上に、赤外レーザ光を発振するための第２半導体レーザ素子部２０（図１参照）を構成する半導体各層を成長させる。 First, as shown in FIG. 5, a second method for oscillating infrared laser light on the upper surface of the n-type GaAs substrate 1 using MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition). Each semiconductor layer constituting the semiconductor laser element section 20 (see FIG. 1) is grown.

具体的には、ＧａＡｓ基板１の上面上に、約０．４μｍの厚みを有するｎ型ＧａＩｎＰからなるバッファ層２１、約３．３μｍの厚みを有するｎ型ＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型クラッド層２２、発光層２３、約０．２μｍの厚みを有するｐ型ＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型第１クラッド層２４、約０．０２μｍの厚みを有するｐ型ＧａＩｎＰからなるエッチングストップ層２５、および、約１．６μｍの厚みを有するｐ型ＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型第２クラッド層２６を順次成長させる。 Specifically, on the upper surface of the GaAs substrate 1, a buffer layer 21 made of n-type GaInP having a thickness of about 0.4 μm, an n-type cladding layer 22 made of n-type AlGaInP having a thickness of about 3.3 μm, and light emission A layer 23, a p-type first cladding layer 24 made of p-type AlGaInP having a thickness of about 0.2 μm, an etching stop layer 25 made of p-type GaInP having a thickness of about 0.02 μm, and a thickness of about 1.6 μm. A p-type second clad layer 26 made of p-type AlGaInP having n is sequentially grown.

なお、発光層２３は、図４に示したように、約９ｎｍの厚みを有するアンドープＡｌＧａＡｓからなるｎ側光ガイド層２３ｄ上に、第２ＭＱＷ活性層２３ｃ、および、約９ｎｍの厚みを有するアンドープＡｌＧａＡｓからなるｐ側光ガイド層２３ｅを順次成長させることにより形成する。また、第２ＭＱＷ活性層２３ｃは、約３．７ｎｍの厚みを有するＧａＡｓからなる２つの井戸層２３ａと、約８ｎｍの厚みを有するＡｌＧａＡｓからなる１つの障壁層２３ｂとを交互に積層することにより形成する。 As shown in FIG. 4, the light emitting layer 23 is formed on the n-side light guide layer 23d made of undoped AlGaAs having a thickness of about 9 nm, the second MQW active layer 23c, and the undoped AlGaAs having a thickness of about 9 nm. The p-side light guide layer 23e is formed by sequentially growing. The second MQW active layer 23c is formed by alternately laminating two well layers 23a made of GaAs having a thickness of about 3.7 nm and one barrier layer 23b made of AlGaAs having a thickness of about 8 nm. To do.

次に、図６に示すように、フォトリソグラフィ技術とウェットエッチングとを用いて、第２半導体レーザ素子部２０を構成する半導体各層の所定領域を除去する。 Next, as shown in FIG. 6, a predetermined region of each semiconductor layer constituting the second semiconductor laser element unit 20 is removed by using a photolithography technique and wet etching.

続いて、図７に示すように、ＭＯＣＶＤ法を用いて、ｎ型ＧａＡｓ基板１および第２半導体レーザ素子部２０を構成する半導体各層上に、第１半導体レーザ素子部１０（図１参照）を構成する半導体各層を成長させる。 Subsequently, as shown in FIG. 7, the first semiconductor laser element portion 10 (see FIG. 1) is formed on each semiconductor layer constituting the n-type GaAs substrate 1 and the second semiconductor laser element portion 20 using MOCVD. Each semiconductor layer to be formed is grown.

具体的には、ｎ型ＧａＡｓ基板１および第２半導体レーザ素子部２０を構成する半導体各層上に、約０．４μｍの厚みを有するｎ型ＧａＩｎＰからなるバッファ層１１、約３．４μｍの厚みを有するｎ型ＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型クラッド層１２、発光層１３、約０．３４μｍの厚みを有するｐ型ＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型第１クラッド層１４、約０．０２μｍの厚みを有するエッチングストップ層１５、および、約１．２μｍの厚みを有するｐ型ＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型第２クラッド層１６を順次成長させる。 Specifically, a buffer layer 11 made of n-type GaInP having a thickness of about 0.4 μm and a thickness of about 3.4 μm are formed on each semiconductor layer constituting the n-type GaAs substrate 1 and the second semiconductor laser element unit 20. An n-type cladding layer 12 made of n-type AlGaInP, a light-emitting layer 13, a p-type first cladding layer 14 made of p-type AlGaInP having a thickness of about 0.34 μm, an etching stop layer 15 having a thickness of about 0.02 μm, A p-type second cladding layer 16 made of p-type AlGaInP having a thickness of about 1.2 μm is sequentially grown.

なお、発光層１３は、図３に示したように、約２０ｎｍの厚みを有するアンドープＡｌＧａＩｎＰからなるｎ側光ガイド層１３ｄ上に、第１ＭＱＷ活性層１３ｃ、および、約２０ｎｍの厚みを有するアンドープＡｌＧａＩｎＰからなるｐ側光ガイド層１３ｅを順次成長させることにより形成する。また、第１ＭＱＷ活性層１３ｃは、約６．３ｎｍの厚みを有するＧａＩｎＰからなる３つの井戸層１３ａと、約４ｎｍの厚みを有するＡｌＧａＩｎＰからなる２つの障壁層１３ｂとを交互に積層することにより形成する。 As shown in FIG. 3, the light emitting layer 13 is formed on the n-side light guide layer 13d made of undoped AlGaInP having a thickness of about 20 nm, the first MQW active layer 13c, and the undoped AlGaInP having a thickness of about 20 nm. The p-side light guide layer 13e is formed by sequentially growing. The first MQW active layer 13c is formed by alternately stacking three well layers 13a made of GaInP having a thickness of about 6.3 nm and two barrier layers 13b made of AlGaInP having a thickness of about 4 nm. To do.

また、エッチングストップ層１５は、約３．６ｎｍの厚みを有する３つのｐ型ＧａＩｎＰ層（図示せず）と、約５ｎｍの厚みを有する２つのｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層（図示せず）とを交互に積層することにより形成する。 The etching stop layer 15 includes three p-type GaInP layers (not shown) having a thickness of about 3.6 nm and two p-type AlGaInP layers (not shown) having a thickness of about 5 nm alternately. It is formed by stacking.

次に、図８に示すように、フォトリソグラフィ技術とウェットエッチングとを用いて、第１半導体レーザ素子部１０を構成する半導体各層の所定領域を除去する。そして、図９に示すように、ｐ型第２クラッド層１６および２６の上面上の所定領域に、それぞれ、ＳｉＯ_２層４１および４２を形成するとともに、ｐ型第２クラッド層１６および２６の上面上の所定領域、第１半導体レーザ素子部１０を構成する半導体各層の側面、ｎ型ＧａＡｓ基板１の上面、および、第２半導体レーザ素子部２０を構成する半導体各層の側面を覆うように、ＳｉＯ_２層４３を形成する。なお、ＳｉＯ_２層４１は、本発明の「第１マスク層」の一例であり、ＳｉＯ_２層４２は、本発明の「第２マスク層」の一例である。 Next, as shown in FIG. 8, a predetermined region of each semiconductor layer constituting the first semiconductor laser element unit 10 is removed by using a photolithography technique and wet etching. Then, as shown in FIG. 9, SiO ₂ layers 41 and 42 are formed in predetermined regions on the upper surfaces of the p-type second cladding layers 16 and 26, respectively, and the upper surfaces of the p-type second cladding layers 16 and 26, respectively. SiO is covered so as to cover the predetermined region on the side surface of each semiconductor layer constituting the first semiconductor laser element portion 10, the upper surface of the n-type GaAs substrate 1, and the side surfaces of each semiconductor layer constituting the second semiconductor laser element portion 20. _Two layers 43 are formed. The SiO ₂ layer 41 is an example of the “first mask layer” in the present invention, and the SiO ₂ layer 42 is an example of the “second mask layer” in the present invention.

ここで、本実施形態では、ＳｉＯ_２層４１、４２および４３は、同一工程で同時に形成する。また、ＳｉＯ_２層４１とＳｉＯ_２層４２との間隔Ｗ４は、約１１０μｍ（１１０±１μｍ）に構成する。 Here, in the present embodiment, the SiO ₂ layers 41, 42 and 43 are formed simultaneously in the same process. Further, the interval W4 between the SiO ₂ layer 41 and the SiO ₂ layer 42 is set to about 110 μm (110 ± 1 μm).

次に、図１０に示すように、ＳｉＯ_２層４１、４２および４３をマスクとして、第１半導体レーザ素子部１０のｐ型第２クラッド層１６、および、第２半導体レーザ素子部２０のｐ型第２クラッド層２６をドライエッチングするとともに、第１半導体レーザ素子部１０におけるエッチング深さが、エッチングストップ層１５に達した（エッチングストップ層１５が露出した）タイミングでドライエッチングを停止する。これにより、第１半導体レーザ素子部１０に、ｐ型第２クラッド層１６から構成されるリッジ部１６ａおよびサポート部１６ｂが形成される。なお、第２半導体レーザ素子部２０では、ｐ型第２クラッド層２６の途中の深さまでドライエッチングがされている。 Next, as shown in FIG. 10, the p-type second cladding layer 16 of the first semiconductor laser element section 10 and the p-type of the second semiconductor laser element section 20 using the SiO ₂ layers 41, 42 and 43 as a mask. The second cladding layer 26 is dry-etched, and the dry etching is stopped when the etching depth in the first semiconductor laser element unit 10 reaches the etching stop layer 15 (the etching stop layer 15 is exposed). As a result, a ridge portion 16 a and a support portion 16 b composed of the p-type second cladding layer 16 are formed in the first semiconductor laser element portion 10. Note that, in the second semiconductor laser element portion 20, dry etching is performed to a depth in the middle of the p-type second cladding layer 26.

続いて、図１１に示すように、第１半導体レーザ素子部１０を覆うように、レジスト４４を形成する。そして、図１２に示すように、ＳｉＯ_２層４２および４３をマスクとして、ウェットエッチングにより第２半導体レーザ素子部２０のｐ型第２クラッド層２６をエッチングストップ層２５まで除去する。これにより、第２半導体レーザ素子部２０に、メサ形状（台形状）のリッジ部２６ａおよびサポート部２６ｂが形成される。 Subsequently, as shown in FIG. 11, a resist 44 is formed so as to cover the first semiconductor laser element portion 10. Then, as shown in FIG. 12, the p-type second cladding layer 26 of the second semiconductor laser element section 20 is removed up to the etching stop layer 25 by wet etching using the SiO ₂ layers 42 and 43 as a mask. As a result, a mesa-shaped (trapezoidal) ridge portion 26 a and a support portion 26 b are formed in the second semiconductor laser element portion 20.

次に、図１３に示すように、レジスト４４、および、ＳｉＯ_２層４３を除去する。そして、図１４に示すように、ＳｉＯ_２層４１および４２を選択成長マスクとして、ＳｉＯ_２層４１および４２が形成された領域以外の領域に、約０．４μｍの厚みを有するアンドープＡｌＩｎＰ層３７ａと、約０．４μｍの厚みを有するｎ型ＧａＡｓ層３７ｂとを順次成長させることによって、電流ブロック層３７を形成する。その後、ＳｉＯ_２層４１および４２を除去する。 Next, as shown in FIG. 13, the resist 44 and the SiO ₂ layer 43 are removed. Then, as shown in FIG. 14, with the SiO ₂ layers 41 and 42 as selective growth masks, an undoped AlInP layer 37a having a thickness of about 0.4 μm is formed in a region other than the region where the SiO ₂ layers 41 and 42 are formed. The current blocking layer 37 is formed by sequentially growing an n-type GaAs layer 37b having a thickness of about 0.4 μm. Thereafter, the SiO ₂ layers 41 and 42 are removed.

次に、図１５に示すように、全面に、約１．２５μｍの厚みを有するｐ型ＧａＡｓからなるｐ型コンタクト層３８を形成する。 Next, as shown in FIG. 15, a p-type contact layer 38 made of p-type GaAs having a thickness of about 1.25 μm is formed on the entire surface.

次に、図１６に示すように、ウェットエッチングにより、ｐ型コンタクト層３８からｎ型ＧａＡｓ基板１までの所定領域を除去することによって、分離溝３０を形成する。この分離溝３０の形成によって、第１半導体レーザ素子部１０を構成する半導体各層（バッファ層１１、ｎ型クラッド層１２、発光層１３、ｐ型第１クラッド層１４、エッチングストップ層１５、ｐ型第２クラッド層１６、電流ブロック層１７およびｐ型コンタクト層１８）が形成されるとともに、第２半導体レーザ素子部２０を構成する半導体各層（バッファ層２１、ｎ型クラッド層２２、発光層２３、ｐ型第１クラッド層２４、エッチングストップ層２５、ｐ型第２クラッド層２６、電流ブロック層２７およびｐ型コンタクト層２８）が形成される。 Next, as shown in FIG. 16, the isolation groove 30 is formed by removing a predetermined region from the p-type contact layer 38 to the n-type GaAs substrate 1 by wet etching. By forming this isolation groove 30, the semiconductor layers constituting the first semiconductor laser element section 10 (buffer layer 11, n-type cladding layer 12, light emitting layer 13, p-type first cladding layer 14, etching stop layer 15, p-type) The second cladding layer 16, the current blocking layer 17 and the p-type contact layer 18) are formed, and the semiconductor layers (buffer layer 21, n-type cladding layer 22, light emitting layer 23) constituting the second semiconductor laser element unit 20 are formed. A p-type first cladding layer 24, an etching stop layer 25, a p-type second cladding layer 26, a current blocking layer 27, and a p-type contact layer 28) are formed.

この後、図１に示したように、ｐ型コンタクト層１８および２８の上面上に、蒸着法を用いて、下層から上層に向かって、約１５ｎｍの厚みを有するＣｒ層と、約１μｍの厚みを有するＡｕ層と、約０．２μｍの厚みを有するＰｔ層と、約３μｍの厚みを有するＡｕ層とからなるｐ側電極１９および２９をそれぞれ形成する。最後に、ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面上に、蒸着法を用いて、ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面側から順に、約７ｎｍの厚みを有するＡｕ層と、約２０ｎｍの厚みを有するＧｅ層と、約１６０ｎｍの厚みを有するＡｕ層と、約３０ｎｍの厚みを有するＮｉ層と、約８００ｎｍの厚みを有するＡｕ層とから構成されるｎ型電極２を形成する。このようにして、図１に示した第１半導体レーザ素子部１０と第２半導体レーザ素子部２０とを含む半導体レーザ素子が形成される。 Thereafter, as shown in FIG. 1, a Cr layer having a thickness of about 15 nm and a thickness of about 1 μm are formed on the upper surfaces of the p-type contact layers 18 and 28 by vapor deposition from the lower layer to the upper layer. The p-side electrodes 19 and 29 each made of an Au layer having a thickness of approximately 0.2 μm, a Pt layer having a thickness of approximately 0.2 μm, and an Au layer having a thickness of approximately 3 μm are formed. Finally, an Au layer having a thickness of about 7 nm and a Ge layer having a thickness of about 20 nm are sequentially formed on the back surface of the n-type GaAs substrate 1 from the back surface side of the n-type GaAs substrate 1 by vapor deposition. An n-type electrode 2 composed of an Au layer having a thickness of about 160 nm, a Ni layer having a thickness of about 30 nm, and an Au layer having a thickness of about 800 nm is formed. Thus, a semiconductor laser element including the first semiconductor laser element unit 10 and the second semiconductor laser element unit 20 shown in FIG. 1 is formed.

本実施形態による半導体レーザ素子の形成方法では、上記にように、第１半導体レーザ素子部１０のｐ型第２クラッド層１６を、第２半導体レーザ素子部２０のｐ型第２クラッド層２６の厚み（約１．６μｍ）よりも小さい厚み（約１．２μｍ）に形成することによって、第１半導体レーザ素子部１０および第２半導体レーザ素子部２０を同時にドライエッチングした際に、第１半導体レーザ素子部１０のエッチングストップ層１５を、第２半導体レーザ素子部２０のエッチングストップ層２５よりも先に露出させることができるので、エッチングストップ層１５が露出したタイミングでドライエッチングを停止することによって、第１半導体レーザ素子部１０に、エッチングストップ層１５近傍までエッチングされたリッジ部１６ａを形成することができる。また、エッチングストップ層１５が露出した後、第１半導体レーザ素子部１０をレジスト４４で保護してウェットエッチングを行うことにより、第１半導体レーザ素子部１０のエッチング深さを変化させることなく、第２半導体レーザ素子部２０のエッチングストップ層２５を露出させることができるので、第２半導体レーザ素子部２０にエッチングストップ層２５近傍までエッチングされたリッジ部２６ａを形成することができる。これにより、ｐ型第２クラッド層１６および２６の厚みがばらついた場合でも、第１半導体レーザ素子部１０におけるリッジ部１６ａ脇のエッチング底面から発光層１３までの距離、および、第２半導体レーザ素子部２０におけるリッジ部２６ａ脇のエッチング底面から発光層２３までの距離を、それぞれ、所望の距離に精度よく構成することができる。その結果、第１半導体レーザ素子部１０、および、第２半導体レーザ素子部２０の両方において、水平横方向の光閉じ込め効果のばらつきを抑制することができるので、第１半導体レーザ素子部１０、および、第２半導体レーザ素子部２０の両方において、水平方向の光放射角の制御性を向上させることができる。 In the method of forming the semiconductor laser device according to the present embodiment, as described above, the p-type second cladding layer 16 of the first semiconductor laser device unit 10 is replaced with the p-type second cladding layer 26 of the second semiconductor laser device unit 20. When the first semiconductor laser element portion 10 and the second semiconductor laser element portion 20 are simultaneously dry-etched by forming the thickness (about 1.2 μm) smaller than the thickness (about 1.6 μm), the first semiconductor laser Since the etching stop layer 15 of the element unit 10 can be exposed before the etching stop layer 25 of the second semiconductor laser element unit 20, by stopping dry etching at the timing when the etching stop layer 15 is exposed, A ridge portion 16 a etched to the vicinity of the etching stop layer 15 is formed in the first semiconductor laser element portion 10. Can. Further, after the etching stop layer 15 is exposed, the first semiconductor laser element portion 10 is protected by the resist 44 and wet etching is performed, so that the etching depth of the first semiconductor laser element portion 10 is not changed. 2 Since the etching stop layer 25 of the semiconductor laser element portion 20 can be exposed, the ridge portion 26 a etched to the vicinity of the etching stop layer 25 can be formed in the second semiconductor laser element portion 20. Thereby, even when the thicknesses of the p-type second cladding layers 16 and 26 vary, the distance from the etching bottom surface of the first semiconductor laser element portion 10 beside the ridge portion 16a to the light emitting layer 13, and the second semiconductor laser element The distance from the etching bottom surface of the portion 20 beside the ridge portion 26a to the light emitting layer 23 can be accurately configured to a desired distance. As a result, it is possible to suppress variation in the horizontal optical confinement effect in both the first semiconductor laser element unit 10 and the second semiconductor laser element unit 20, and thus the first semiconductor laser element unit 10 and In both the second semiconductor laser element portions 20, the controllability of the light emission angle in the horizontal direction can be improved.

また、本実施形態では、ドライエッチングにより、第１半導体レーザ素子部１０のｐ型第２クラッド層１６をエッチングストップ層１５まで除去することによって、リッジ部１６ａを、その側壁（側面）が上面に対してほぼ垂直になるように構成することができるので、第１半導体レーザ素子部１０の駆動時における動作電圧を低下させることができる。これにより、第１半導体レーザ素子部１０の駆動時の発熱を抑制することができるので、高温特性を向上させることができる。 In the present embodiment, the p-type second cladding layer 16 of the first semiconductor laser element portion 10 is removed up to the etching stop layer 15 by dry etching, so that the ridge portion 16a has the side wall (side surface) on the upper surface. Since it can be configured to be substantially perpendicular to the first semiconductor laser element section 10, the operating voltage when driving the first semiconductor laser element section 10 can be reduced. Thereby, since the heat generation at the time of driving the first semiconductor laser element portion 10 can be suppressed, the high temperature characteristics can be improved.

また、本実施形態では、第１半導体レーザ素子部１０のｐ型第２クラッド層１６上、および、第２半導体レーザ素子部２０のｐ型第２クラッド層２６上に、それぞれ、ＳｉＯ_２層４１、および、ＳｉＯ_２層４２を同一工程で形成することによって、ＳｉＯ_２層４１とＳｉＯ_２層４２との間隔Ｗ４を所望の距離に精度よく制御することができるので、ＳｉＯ_２層４１をマスクとしてエッチングすることにより、第１半導体レーザ素子部１０にリッジ部１６ａを形成するとともに、ＳｉＯ_２層４２をマスクとしてエッチングすることにより、第２半導体レーザ素子部２０にリッジ部２６ａを形成した際に、リッジ部１６ａとリッジ部２６ａとの間隔を所望の距離（１１０±１μｍ）に精度よく制御することができる。このため、第１半導体レーザ素子部１０の発光点と第２半導体レーザ素子部２０の発光点との間隔（発光点間隔）を、容易に、精度よく制御することができるので、容易に、発光点間隔が業界標準である１１０±１μｍの範囲内に入るように構成することができる。なお、発光点間隔を精度よく制御することによって、半導体レーザ素子を光ピックアップとして用いた場合に、発光点間隔が１１０±１μｍの範囲から外れることに起因して、対物レンズに入る光の量が変化するという不都合が生じるのを抑制することができる。このため、光ピックアップとしての光の利用効率が低下するのを抑制することができる。 In the present embodiment, the SiO ₂ layer 41 is formed on the p-type second cladding layer 16 of the first semiconductor laser element unit 10 and on the p-type second cladding layer 26 of the second semiconductor laser element unit 20, respectively. Since the SiO ₂ layer 42 is formed in the same process, the interval W4 between the SiO ₂ layer 41 and the SiO ₂ layer 42 can be accurately controlled to a desired distance, so that the SiO ₂ layer 41 is used as a mask. By etching, the ridge portion 16a is formed in the first semiconductor laser element portion 10, and when the ridge portion 26a is formed in the second semiconductor laser element portion 20 by etching using the SiO ₂ layer 42 as a mask, The distance between the ridge portion 16a and the ridge portion 26a can be accurately controlled to a desired distance (110 ± 1 μm). For this reason, the distance between the light emission point of the first semiconductor laser element part 10 and the light emission point of the second semiconductor laser element part 20 (light emission point interval) can be easily and accurately controlled. The point interval can be configured to fall within the range of 110 ± 1 μm, which is an industry standard. In addition, when the semiconductor laser device is used as an optical pickup by accurately controlling the light emitting point interval, the amount of light entering the objective lens is reduced because the light emitting point interval is out of the range of 110 ± 1 μm. The inconvenience of changing can be suppressed. For this reason, it can suppress that the utilization efficiency of the light as an optical pick-up falls.

なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。 The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is shown not by the above description of the embodiment but by the scope of claims for patent, and includes all modifications within the meaning and scope equivalent to the scope of claims for patent.

たとえば、上記実施形態では、赤色レーザ光を発振する第１半導体レーザ素子部と、赤外レーザ光を発振する第２半導体レーザ素子部とがモノリシックに集積された半導体レーザ素子について説明したが、本発明はこれに限らず、他の異なる波長のレーザ光を発振する半導体レーザ素子部がモノリシックに集積された半導体レーザ素子の形成方法にも適用可能である。 For example, in the above embodiment, the semiconductor laser element in which the first semiconductor laser element unit that oscillates the red laser beam and the second semiconductor laser element unit that oscillates the infrared laser beam is monolithically integrated has been described. The invention is not limited to this, and can also be applied to a method of forming a semiconductor laser element in which semiconductor laser element portions that oscillate laser beams having different wavelengths are monolithically integrated.

また、上記実施形態では、ＭＯＣＶＤ法を用いて、半導体各層を結晶成長させた例を示したが、本発明はこれに限らず、ＭＯＣＶＤ法以外の方法を用いて、半導体各層を結晶成長させるようにしてもよい。ＭＯＣＶＤ法以外の方法としては、たとえば、ＨＶＰＥ法（ＨｙｄｒｉｄｅＶａｐｏｒＰｈａｓｅＥｐｉｔａｘｙ：ハライド気相成長法）、および、ガスソースＭＢＥ法（ＭｏｌｅｃｕｌａｒＢｅａｍＥｐｉｔａｘｙ：分子線エピタキシャル成長法）などが考えられる。 In the above embodiment, an example is shown in which each semiconductor layer is crystal-grown using the MOCVD method. However, the present invention is not limited to this, and the semiconductor layers are crystal-grown using a method other than the MOCVD method. It may be. As a method other than the MOCVD method, for example, an HVPE method (Hydride Vapor Phase Epitaxy), a gas source MBE method (Molecular Beam Epitaxy: molecular beam epitaxial growth method), and the like are conceivable.

本発明の一実施形態による半導体レーザ素子の構造を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the structure of the semiconductor laser element by one Embodiment of this invention. 図１に示した本発明の一実施形態による半導体レーザ素子の平面図である。FIG. 2 is a plan view of the semiconductor laser device according to the embodiment of the present invention shown in FIG. 1. 図１に示した本発明の一実施形態による半導体レーザ素子の第１半導体レーザ素子部の発光層の断面図である。It is sectional drawing of the light emitting layer of the 1st semiconductor laser element part of the semiconductor laser element by one Embodiment of this invention shown in FIG. 図１に示した本発明の一実施形態による半導体レーザ素子の第２半導体レーザ素子部の発光層の断面図である。It is sectional drawing of the light emitting layer of the 2nd semiconductor laser element part of the semiconductor laser element by one Embodiment of this invention shown in FIG. 図１に示した本発明の一実施形態による半導体レーザ素子の形成方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the formation method of the semiconductor laser element by one Embodiment of this invention shown in FIG. 図１に示した本発明の一実施形態による半導体レーザ素子の形成方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the formation method of the semiconductor laser element by one Embodiment of this invention shown in FIG. 図１に示した本発明の一実施形態による半導体レーザ素子の形成方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the formation method of the semiconductor laser element by one Embodiment of this invention shown in FIG. 図１に示した本発明の一実施形態による半導体レーザ素子の形成方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the formation method of the semiconductor laser element by one Embodiment of this invention shown in FIG. 図１に示した本発明の一実施形態による半導体レーザ素子の形成方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the formation method of the semiconductor laser element by one Embodiment of this invention shown in FIG. 図１に示した本発明の一実施形態による半導体レーザ素子の形成方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the formation method of the semiconductor laser element by one Embodiment of this invention shown in FIG. 図１に示した本発明の一実施形態による半導体レーザ素子の形成方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the formation method of the semiconductor laser element by one Embodiment of this invention shown in FIG. 図１に示した本発明の一実施形態による半導体レーザ素子の形成方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the formation method of the semiconductor laser element by one Embodiment of this invention shown in FIG. 図１に示した本発明の一実施形態による半導体レーザ素子の形成方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the formation method of the semiconductor laser element by one Embodiment of this invention shown in FIG. 図１に示した本発明の一実施形態による半導体レーザ素子の形成方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the formation method of the semiconductor laser element by one Embodiment of this invention shown in FIG. 図１に示した本発明の一実施形態による半導体レーザ素子の形成方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the formation method of the semiconductor laser element by one Embodiment of this invention shown in FIG. 図１に示した本発明の一実施形態による半導体レーザ素子の形成方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the formation method of the semiconductor laser element by one Embodiment of this invention shown in FIG.

Explanation of symbols

１ｎ型ＧａＡｓ基板（基板）
２ｎ側電極
１０第１半導体レーザ素子部
１１バッファ層
１２ｎ型クラッド層
１３発光層（第１発光層）
１４ｐ型第１クラッド層
１５エッチングストップ層（第１エッチングストップ層）
１６ｐ型第２クラッド層（第１半導体層）
１６ａリッジ部（第１リッジ部）
１７電流ブロック層
１８ｐ型コンタクト層
１９ｐ側電極
２０第２半導体レーザ素子部
２１バッファ層
２２ｎ型クラッド層
２３発光層（第２発光層）
２４ｐ型第１クラッド層
２５エッチングストップ層（第２エッチングストップ層）
２６ｐ型第２クラッド層（第２半導体層）
２６ａリッジ部（第２リッジ部）
２７電流ブロック層
２８ｐ型コンタクト層
２９ｐ側電極
３０分離溝
４１ＳｉＯ_２層（第１マスク層）
４２ＳｉＯ_２層（第２マスク層） 1 n-type GaAs substrate (substrate)
2 n-side electrode 10 first semiconductor laser element portion 11 buffer layer 12 n-type cladding layer 13 light emitting layer (first light emitting layer)
14 p-type first cladding layer 15 etching stop layer (first etching stop layer)
16 p-type second cladding layer (first semiconductor layer)
16a Ridge part (first ridge part)
17 current blocking layer 18 p-type contact layer 19 p-side electrode 20 second semiconductor laser element part 21 buffer layer 22 n-type cladding layer 23 light-emitting layer (second light-emitting layer)
24 p-type first cladding layer 25 etching stop layer (second etching stop layer)
26 p-type second cladding layer (second semiconductor layer)
26a Ridge part (second ridge part)
27 current blocking layer 28 p-type contact layer 29 p-side electrode 30 separation groove 41 SiO ₂ layer (first mask layer)
42 SiO ₂ layer (second mask layer)

Claims

Forming a first semiconductor laser element portion including at least a first light emitting layer, a first etching stop layer, and a first semiconductor layer on the substrate from the substrate side;
Forming a second semiconductor laser element portion including at least a second light emitting layer, a second etching stop layer, and a second semiconductor layer on the substrate from the substrate side;
Forming a first ridge portion and a second ridge portion in the first semiconductor laser element portion and the second semiconductor laser element portion, respectively.
The step of forming the first semiconductor laser element portion includes:
A method of forming a semiconductor laser device, comprising: forming the first semiconductor layer to a thickness smaller than a thickness of the second semiconductor layer of the second semiconductor laser device portion.

The step of forming the first semiconductor laser element portion further includes a step of forming the first semiconductor layer so as to be in contact with the first etching stop layer,
2. The method according to claim 1, wherein the step of forming the second semiconductor laser element portion further includes a step of forming the second semiconductor layer in contact with the second etching stop layer. Method for forming a semiconductor laser element.

Forming the first ridge portion and the second ridge portion;
3. The method according to claim 1, further comprising a step of forming a first mask layer and a second mask layer in contact with each other on the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, respectively. Method for forming a semiconductor laser element.

Forming the first ridge portion and the second ridge portion;
Etching the first semiconductor laser element portion and the second semiconductor laser element portion to the first etching stop layer by dry etching;
4. The semiconductor according to claim 1, further comprising a step of etching the second semiconductor laser element portion by wet etching up to the second etching stop layer. 5. A method for forming a laser element.

The step of forming the first semiconductor laser element portion includes the step of forming the first semiconductor laser element portion in a red semiconductor laser element portion that oscillates red laser light,
2. The step of forming the second semiconductor laser element portion includes a step of forming the second semiconductor laser element portion in an infrared semiconductor laser element portion that oscillates infrared laser light. The method for forming a semiconductor laser element according to any one of 1 to 4.