JP2008182146A - Multi-layer circuit board and its manufacturing method - Google Patents

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JP2008182146A JP2007015987A JP2007015987A JP2008182146A JP 2008182146 A JP2008182146 A JP 2008182146A JP 2007015987 A JP2007015987 A JP 2007015987A JP 2007015987 A JP2007015987 A JP 2007015987A JP 2008182146 A JP2008182146 A JP 2008182146A
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Masafumi Kawasaki
雅史 川崎
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Zeon Corp
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Nippon Zeon Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a multi-layer circuit board with a smooth front surface, which can carry out fine wiring pattern forming and has an electrical insulation layer excellent in a fire retardant nature, and to provide a method of manufacturing the multi-layer circuit board. <P>SOLUTION: The method includes steps of: laminating a thermosetting resin composition containing an electric insulation polymer, curing agent and filler on a front surface of an inner layer substrate having a conductor layer; subsequently forming an electrical insulation layer (B1) by curing; laminating the thermosetting resin composition which contains the electric insulation polymer and the curing agent but doesn't contain any filler on a front surface thereof; subsequently contacting a metal with a compound having a coordination structure; forming an electrical insulation layer (B2) by curing; and setting the thickness of the electrical insulation layer (B2) to 1/5 to 1/50 of the thickness of the electrical insulation layer (B1). <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、多層回路基板およびその製造方法、詳しくは、表面が平滑で微細配線パターン形成が可能であり、かつ、難燃性に優れた電気絶縁層を有する多層回路基板、およびその製造方法に関する。   The present invention relates to a multilayer circuit board and a manufacturing method thereof, and more particularly to a multilayer circuit board having a smooth surface and capable of forming a fine wiring pattern and having an electrically insulating layer excellent in flame retardancy, and a manufacturing method thereof. .

電子機器の小型化、多機能化に伴って、電子機器に用いられている回路基板もより高密度化、高性能化が要求されるようになってきている。
回路基板を高密度化するためには、回路基板を多層化するのが一般的である。多層回路基板は、通常、表面に導体層が形成された内層基板に、電気絶縁層を積層し、当該電気絶縁層の上にさらに導体層を形成することによって得られる。電気絶縁層と導体層とは、必要に応じて、数層積層することもできる。
多層回路基板内の導体層相互間は、通常、電気絶縁層で絶縁されているが、導体層相互間を必要に応じて通電するためにビアホールなどの配線で接続する。
多層回路基板においては、絶縁性能を確保するため、内層基板の表面に形成された導体層とそれに積層した電気絶縁層との界面、及びこの電気絶縁層とその外側に形成された導体層との界面等の層間における密着性が高いことが特に要求される。これらの層間の密着性が不足していると、導体層と電気絶縁層との間にすき間が生じ、そこに水蒸気、水などが侵入して電気絶縁性が低下することがある。また、ビアホールに負荷がかかりすぎて、断線が起きることもある。
As electronic devices become smaller and more multifunctional, circuit boards used in electronic devices are also required to have higher density and higher performance.
In order to increase the density of a circuit board, the circuit board is generally multilayered. A multilayer circuit board is usually obtained by laminating an electric insulating layer on an inner layer substrate having a conductor layer formed on the surface, and further forming a conductor layer on the electric insulating layer. The electrical insulating layer and the conductor layer can be laminated in several layers as required.
The conductor layers in the multilayer circuit board are usually insulated by an electrical insulating layer, but are connected by wiring such as via holes in order to energize the conductor layers as necessary.
In a multilayer circuit board, in order to ensure insulation performance, the interface between the conductor layer formed on the surface of the inner layer board and the electrical insulation layer laminated thereon, and the electrical insulation layer and the conductor layer formed outside thereof High adhesion between layers such as an interface is particularly required. If the adhesion between these layers is insufficient, a gap may be formed between the conductor layer and the electrical insulation layer, and water vapor, water, etc. may enter there and the electrical insulation may be lowered. Also, the via hole may be overloaded and disconnection may occur.

この問題を解決するために、表面に導体層が形成された内層基板上に、カルボキシル基含有重合体と硬化剤とを含有する硬化性樹脂組成物を用いて、未硬化又は半硬化の樹脂層を形成した後、当該樹脂層表面に、金属に配位可能な構造を有する化合物を接触させ、次いで当該樹脂層を硬化させて電気絶縁層を形成し、この電気絶縁層の表面に金属薄膜層を形成し、その後、当該金属薄膜層を含む導体層を形成する多層回路基板の製造方法が提案されている(特許文献1)。   In order to solve this problem, an uncured or semi-cured resin layer is formed using a curable resin composition containing a carboxyl group-containing polymer and a curing agent on an inner layer substrate having a conductor layer formed on the surface. Then, a compound having a structure capable of coordinating with the metal is brought into contact with the surface of the resin layer, and then the resin layer is cured to form an electrical insulating layer, and a metal thin film layer is formed on the surface of the electrical insulating layer. A method for manufacturing a multilayer circuit board has been proposed in which a conductor layer including the metal thin film layer is formed thereafter (Patent Document 1).

一方、一般に高密度の配線パターンを有する多層回路基板は、使用時に導体層や基板が発熱するという問題が起きる。そのため安全対策として電気絶縁層の難燃性の向上が求められている。電気絶縁層の難燃性の向上のため難燃剤を配合することが一般的であるが、環境への配慮から難燃剤として、非ハロゲン系の難燃剤を用いることが奨励されている。
例えば、特許文献2には、特定の酸性化合物で被覆された金属水酸化物を難燃剤として電気絶縁膜(電気絶縁層)に配合した多層回路基板が開示されている。しかし、このような難燃剤を配合した電気絶縁膜の表面は、その難燃剤の分布を反映し凹凸が存在し、微細な配線パターンを形成するのには、不適切なものであった。
On the other hand, in general, a multilayer circuit board having a high-density wiring pattern has a problem that the conductor layer and the board generate heat during use. Therefore, improvement of the flame retardance of the electrical insulation layer is required as a safety measure. In general, a flame retardant is blended for improving the flame retardancy of the electrical insulating layer. However, it is recommended to use a non-halogen flame retardant as a flame retardant in consideration of the environment.
For example, Patent Document 2 discloses a multilayer circuit board in which a metal hydroxide coated with a specific acidic compound is blended in an electrical insulating film (electrical insulating layer) as a flame retardant. However, the surface of the electrical insulating film blended with such a flame retardant has irregularities reflecting the distribution of the flame retardant, and is unsuitable for forming a fine wiring pattern.

特開2003−158373号公報JP 2003-158373 A 特開2005−264076号公報JP 2005-264076 A

本発明は、多層回路基板さらに詳しくは、表面が平滑で微細配線パターン形成が可能であり、かつ、難燃性に優れた電気絶縁層を有する多層回路基板、およびその製造方法を提供することを目的とする。   More specifically, the present invention provides a multilayer circuit board having a smooth surface and capable of forming a fine wiring pattern and having an electrically insulating layer excellent in flame retardancy, and a method for producing the same. Objective.

本発明者らは、前記の目的を達成するために、難燃性に優れた難燃剤を含有する絶縁層の表面に、難燃剤を含有しない熱硬化性樹脂組成物を積層することにより、表面を平滑化し、それに対して、特許文献1の製造方法を適用する検討を行った。そして、さらに鋭意検討した結果、特定の厚さの熱硬化性樹脂組成物を使用した場合に、表面が平滑で微細配線パターン形成が可能であり、難燃性に優れ、かつ、異なる電気絶縁層間の密着性も良好となることを見出し、これらの知見に基づき本発明を完成するに到った。   In order to achieve the above object, the present inventors have laminated a surface of an insulating layer containing a flame retardant having excellent flame retardancy by laminating a thermosetting resin composition not containing a flame retardant. Was studied, and the production method disclosed in Patent Document 1 was studied. As a result of further intensive studies, when a thermosetting resin composition having a specific thickness is used, a fine wiring pattern can be formed with a smooth surface, excellent flame retardancy, and different electrically insulating layers. As a result, the present inventors have found that the adhesiveness of the film is improved, and have completed the present invention based on these findings.

かくして本発明の第一によれば、内層基板の表面に、第一の導体層(A1)、第一の電気絶縁層(B1)、第二の電気絶縁層(B2)および第二の導体層(A2)がこの順で積層されてなる多層回路基板であって、
前記電気絶縁層(B1)は、電気絶縁性重合体1、硬化剤1、およびフィラーを含有する熱硬化性樹脂組成物(b1)を硬化させた絶縁層であり、
前記電気絶縁層(B2)は、フィラーを実質的に含有せず、電気絶縁性重合体2、および硬化剤2を含有する熱硬化性樹脂組成物(b2)を、金属に配位可能な構造を有する化合物と接触させた後、硬化してなるものであり、かつ、
前記電気絶縁層(B2)の厚さが前記電気絶縁層(B1)の厚さの1/5〜1/50である
ことを特徴とする多層回路基板が提供される。
Thus, according to the first aspect of the present invention, the first conductor layer (A1), the first electrical insulation layer (B1), the second electrical insulation layer (B2), and the second conductor layer are formed on the surface of the inner layer substrate. (A2) is a multilayer circuit board formed by stacking in this order,
The electrical insulation layer (B1) is an insulation layer obtained by curing a thermosetting resin composition (b1) containing an electrical insulation polymer 1, a curing agent 1, and a filler,
The electrical insulating layer (B2) is substantially free of filler and has a structure capable of coordinating the thermosetting resin composition (b2) containing the electrical insulating polymer 2 and the curing agent 2 to the metal. And is cured after contacting with a compound having
A multilayer circuit board is provided in which the thickness of the electrical insulation layer (B2) is 1/5 to 1/50 of the thickness of the electrical insulation layer (B1).

前記電気絶縁性重合体2は、カルボキシル基または酸無水物基を有し、かつ、硬化剤2が多価エポキシ化合物であることが好ましい。
前記熱硬化性樹脂組成物(b2)は、さらに分子内に2個以上の酸無水物基を有するカルボン酸無水物を含有することが好ましい。
前記フィラーが、難燃剤であることが好ましい。
The electrically insulating polymer 2 preferably has a carboxyl group or an acid anhydride group, and the curing agent 2 is preferably a polyvalent epoxy compound.
The thermosetting resin composition (b2) preferably further contains a carboxylic acid anhydride having two or more acid anhydride groups in the molecule.
It is preferable that the filler is a flame retardant.

本発明の第二によれば、内層基板の表面に、第一の導体層(A1)、第一の電気絶縁層(B1)、第二の電気絶縁層(B2)および第二の導体層(A2)がこの順で積層されてなる多層回路基板の製造方法であって、次の工程(1)〜(8)を含むことを特徴とする多層回路基板の製造方法が提供される。
(1)第一の導体層(A1)を有する内層基板の表面に、電気絶縁性重合体1、硬化剤1、およびフィラーを含有する熱硬化性樹脂組成物(b1)を未硬化または半硬化の状態で積層する工程;
(2)前記熱硬化性樹脂組成物(b1)を硬化することにより、第一の電気絶縁層(B1)を形成する工程;
(3)前記第一の電気絶縁層(B1)の表面に、フィラーを実質的に含有せず、電気絶縁性重合体2、および硬化剤2を含有する熱硬化性樹脂組成物(b2)を未硬化または半硬化の状態で、かつ、前記電気絶縁層(B1)の厚さの1/5〜1/50の厚さで積層する工程;
(4)前記熱硬化性樹脂組成物(b2)の表面と、金属に配位可能な構造を有する化合物とを、接触させる工程;
(5)次いで、前記熱硬化性樹脂組成物(b2)を硬化することにより、第二の電気絶縁層(B2)を形成する工程;
(6)前記第二の電気絶縁層(B2)の表面に、金属薄膜層を形成する工程;
(7)前記金属薄膜層を含む第二の導体層(A2)を形成する工程。
According to the second aspect of the present invention, a first conductor layer (A1), a first electrical insulation layer (B1), a second electrical insulation layer (B2), and a second conductor layer ( A method of manufacturing a multilayer circuit board in which A2) is laminated in this order, and includes the following steps (1) to (8) is provided.
(1) The thermosetting resin composition (b1) containing the electrically insulating polymer 1, the curing agent 1, and the filler is uncured or semi-cured on the surface of the inner layer substrate having the first conductor layer (A1). Laminating in the state of;
(2) A step of forming the first electrical insulating layer (B1) by curing the thermosetting resin composition (b1);
(3) A thermosetting resin composition (b2) containing substantially no filler and containing the electrically insulating polymer 2 and the curing agent 2 on the surface of the first electrically insulating layer (B1). Laminating in an uncured or semi-cured state and at a thickness of 1/5 to 1/50 of the thickness of the electrical insulating layer (B1);
(4) A step of bringing the surface of the thermosetting resin composition (b2) into contact with a compound having a structure capable of coordinating with a metal;
(5) Next, the step of forming the second electrically insulating layer (B2) by curing the thermosetting resin composition (b2);
(6) forming a metal thin film layer on the surface of the second electrical insulating layer (B2);
(7) A step of forming a second conductor layer (A2) including the metal thin film layer.

前記電気絶縁性重合体2は、カルボキシル基または酸無水物基を有し、かつ、硬化剤2が多価エポキシ化合物であることが好ましい。
前記熱硬化性樹脂組成物(b2)は、さらに分子内に2個以上の酸無水物基を有するカルボン酸無水物を含有することが好ましい。
前記フィラーは、難燃剤であることが好ましい。
The electrically insulating polymer 2 preferably has a carboxyl group or an acid anhydride group, and the curing agent 2 is preferably a polyvalent epoxy compound.
The thermosetting resin composition (b2) preferably further contains a carboxylic acid anhydride having two or more acid anhydride groups in the molecule.
The filler is preferably a flame retardant.

本発明によれば、多層回路基板、さらに詳しくは、表面が平滑で微細配線パターン形成が可能であり、かつ、難燃性に優れた電気絶縁層を有する多層回路基板、およびその製造方法が提供される。本発明で提供される多層回路基板は、コンピュータや携帯電話等の電子機器における、CPUやメモリなどの半導体素子、その他の実装部品用基板として好適に使用できる。   According to the present invention, a multilayer circuit board, more specifically, a multilayer circuit board having a smooth surface, capable of forming a fine wiring pattern and having an electrically insulating layer excellent in flame retardancy, and a method for manufacturing the same are provided. Is done. The multilayer circuit board provided by the present invention can be suitably used as a semiconductor element such as a CPU or a memory or other mounting component board in an electronic device such as a computer or a mobile phone.

本発明の多層基板は、内層基板の表面に、第一の導体層(A1)、第一の電気絶縁層(B1)、第二の電気絶縁層(B2)および第二の導体層(A2)がこの順で積層されてなる多層回路基板であって、
前記電気絶縁層(B1)は、電気絶縁性重合体1、硬化剤1、およびフィラーを含有する熱硬化性樹脂組成物(b1)を硬化させた絶縁層であり、
前記電気絶縁層(B2)は、フィラーを実質的に含有せず、電気絶縁性重合体2、および硬化剤2を含有する熱硬化性樹脂組成物(b2)を、金属に配位可能な構造を有する化合物と接触させた後、硬化してなるものであり、かつ、
前記電気絶縁層(B2)の厚さが前記電気絶縁層(B1)の厚さの1/5〜1/50である
ことを特徴とする多層回路基板である。
The multilayer substrate of the present invention has a first conductor layer (A1), a first electrical insulation layer (B1), a second electrical insulation layer (B2), and a second conductor layer (A2) on the surface of the inner layer substrate. Is a multilayer circuit board laminated in this order,
The electrical insulation layer (B1) is an insulation layer obtained by curing a thermosetting resin composition (b1) containing an electrical insulation polymer 1, a curing agent 1, and a filler,
The electrical insulating layer (B2) is substantially free of filler and has a structure capable of coordinating the thermosetting resin composition (b2) containing the electrical insulating polymer 2 and the curing agent 2 to the metal. And is cured after contacting with a compound having
The multilayer circuit board is characterized in that the thickness of the electrical insulation layer (B2) is 1/5 to 1/50 of the thickness of the electrical insulation layer (B1).

(内層基板)
本発明に用いられる内層基板は、電気絶縁層(B0)の表面に導体層(A1)が形成されてなる基板である。内層基板のとしては、プリント配線基板、シリコンウェハー基板などが挙げられる。内層基板の厚さは、好ましくは50μm〜2mm、より好ましくは60μm〜1.6mm、特に好ましくは100μm〜1mmである。
(Inner layer substrate)
The inner layer substrate used in the present invention is a substrate in which the conductor layer (A1) is formed on the surface of the electrical insulating layer (B0). Examples of the inner layer substrate include a printed wiring board and a silicon wafer substrate. The thickness of the inner layer substrate is preferably 50 μm to 2 mm, more preferably 60 μm to 1.6 mm, and particularly preferably 100 μm to 1 mm.

内層基板を構成する電気絶縁層(B0)は電気絶縁性を有する電気絶縁性重合体0を主成分としてなる。電気絶縁性重合体0は特に制限されず、例えば、脂環式オレフィン重合体、エポキシ樹脂、マレイミド樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、トリアジン樹脂、芳香族ポリエーテル重合体、シアネートエステル重合体、ポリイミドなどが挙げられる。通常、これらの電気絶縁性重合体0と硬化剤0とを含有する硬化性樹脂組成物を硬化して電気絶縁層(B0)を得る。また、内層基板は、ガラス繊維、樹脂繊維などを強度向上のために含有させたものであってもよい。内層基板を構成する導体層(A1)の材料は、通常、導電性金属である。導体層(A1)の厚さは、好ましくは、0.1μm〜50μm、より好ましくは0.5μm〜20μm、特に好ましくは1μm〜10μmである。導体層(A1)は内層基板の両面に形成されていてもよく、また、回路を形成していてもよく、さらにはビアホールなどを介して互いに接続されていてもよい。
本発明において電気絶縁性とは、ASTM D257による体積固有抵抗が、1×1012Ω・cm以上であることをいう。
The electrical insulation layer (B0) constituting the inner layer substrate is mainly composed of the electrical insulation polymer 0 having electrical insulation. The electrically insulating polymer 0 is not particularly limited, and examples thereof include alicyclic olefin polymers, epoxy resins, maleimide resins, acrylic resins, methacrylic resins, diallyl phthalate resins, triazine resins, aromatic polyether polymers, cyanate ester heavy polymers. Examples include coalescence and polyimide. Usually, a curable resin composition containing these electrically insulating polymer 0 and curing agent 0 is cured to obtain an electrically insulating layer (B0). Further, the inner layer substrate may contain glass fibers, resin fibers, etc. for strength improvement. The material of the conductor layer (A1) constituting the inner layer substrate is usually a conductive metal. The thickness of the conductor layer (A1) is preferably 0.1 μm to 50 μm, more preferably 0.5 μm to 20 μm, and particularly preferably 1 μm to 10 μm. The conductor layer (A1) may be formed on both surfaces of the inner layer substrate, may form a circuit, and may be connected to each other through a via hole or the like.
In the present invention, electrical insulation means that the volume resistivity according to ASTM D257 is 1 × 10 12 Ω · cm or more.

(電気絶縁層(B1))
前記内層基板の表面に積層される第一の電気絶縁層(B1)は、電気絶縁性重合体1、硬化剤1、およびフィラーを含有する熱硬化性樹脂組成物(b1)を未硬化または半硬化の状態で積層し、次いで硬化することにより、形成される。
ここで未硬化の状態とは、電気絶縁性重合体1が積層前に溶解可能であった溶剤に、積層後も溶解可能で残存している状態である。半硬化の状態とは、加熱によって更に硬化しうる程度までにしか硬化されていない状態である。半硬化の状態としては、当該溶剤中に24時間浸漬した時の体積の膨潤率が、浸漬前の200%以上であることが好ましい。
また、電気絶縁層(B1)の厚さは、好ましくは0.1〜150μm、より好ましくは0.5〜100μm、特に好ましくは1〜80μmである。
(Electrical insulation layer (B1))
The first electrical insulating layer (B1) laminated on the surface of the inner layer substrate is an uncured or semi-cured thermosetting resin composition (b1) containing the electrically insulating polymer 1, the curing agent 1, and the filler. It is formed by laminating in a cured state and then curing.
Here, the uncured state is a state in which the electrically insulating polymer 1 remains soluble and soluble after lamination in a solvent that was soluble before lamination. The semi-cured state is a state where it is cured only to such an extent that it can be further cured by heating. As a semi-cured state, the volume swelling rate when immersed in the solvent for 24 hours is preferably 200% or more before immersion.
The thickness of the electrical insulating layer (B1) is preferably 0.1 to 150 μm, more preferably 0.5 to 100 μm, and particularly preferably 1 to 80 μm.

(熱硬化性樹脂組成物(b1))
電気絶縁性重合体1は、電気絶縁性を有するものであればよく、例えばエポキシ樹脂、マレイミド樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、トリアジン樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、脂環式オレフィン重合体、芳香族ポリエーテル重合体、ベンゾシクロブテン重合体、シアネートエステル重合体、ポリイミドなどが挙げられる。
電気絶縁性重合体1の重量平均分子量に格別な制限はないが、通常10,000〜1,000,000、好ましくは50,000〜500,000である。重量平均分子量がこの範囲であると、熱硬化性樹脂組成物(b1)の他の成分との相溶性が良好であり、硬化後の電気絶縁層(B1)の強度も良好である。本発明において、重量平均分子量Mwは、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー(GPC)で測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量である。
本発明に用いる硬化剤1は、電気絶縁性重合体1を硬化させるものであればよく、電気絶縁性重合体1の種類により、適宜選択される。例えば、イオン性硬化剤、ラジカル性硬化剤又はイオン性とラジカル性とを兼ね備えた硬化剤等が用いられる。
(Thermosetting resin composition (b1))
The electrically insulating polymer 1 may be anything as long as it has electrical insulating properties. For example, epoxy resin, maleimide resin, acrylic resin, methacrylic resin, diallyl phthalate resin, triazine resin, polyether ketone resin, alicyclic olefin polymer , Aromatic polyether polymer, benzocyclobutene polymer, cyanate ester polymer, polyimide and the like.
Although there is no special restriction | limiting in the weight average molecular weight of the electrically insulating polymer 1, Usually, 10,000-1,000,000, Preferably it is 50,000-500,000. When the weight average molecular weight is within this range, the compatibility with the other components of the thermosetting resin composition (b1) is good, and the strength of the cured electrical insulating layer (B1) is also good. In the present invention, the weight average molecular weight Mw is a polystyrene equivalent weight average molecular weight measured by gel permeation chromatography (GPC).
The curing agent 1 used in the present invention is not particularly limited as long as it cures the electrically insulating polymer 1 and is appropriately selected depending on the type of the electrically insulating polymer 1. For example, an ionic curing agent, a radical curing agent, or a curing agent having both ionic and radical properties is used.

(フィラー)
前記熱硬化性樹脂組成物(b1)に含有されるフィラーは、難燃剤であることが好ましい。難燃剤としては、環境保護の観点から焼却時にハロゲン含有有害物質を発生しない、ハロゲンを含有しない化合物(以下、非ハロゲン系難燃剤ということがある)がさらに好ましい。非ハロゲン系難燃剤としては、例えば、水酸化アルミニウムおよび水酸化マグネシウムなどの金属水酸化物;リン酸源となるオルトリン酸アンモニウム、オルトリン酸、縮合リン酸、無水リン酸、リン酸尿素、リン酸一水素アンモニウム及びこれらの混合物と、窒素源となるメラミン、ジシアンシアナミド、グアニジン、グアニル尿素及びこれらの混合物とを、縮合剤としての尿素、リン酸尿素(これはリン酸源にもなる)及びこれらの混合物の存在下に、加熱縮合反応させ、次いで焼成することによって得られる塩基性含窒素化合物のリン酸塩;などが挙げられる。塩基性含窒素化合物のリン酸塩として、好ましい化合物は、ポリリン酸メラミン塩、ポリリン酸メラム塩、ポリリン酸メレム塩、ポリリン酸メラミン・メラム・メレム複塩のようなポリリン酸メラミン系化合物である。
(Filler)
The filler contained in the thermosetting resin composition (b1) is preferably a flame retardant. As the flame retardant, a halogen-free compound that does not generate a halogen-containing harmful substance during incineration (hereinafter sometimes referred to as a non-halogen flame retardant) is more preferable from the viewpoint of environmental protection. Non-halogen flame retardants include, for example, metal hydroxides such as aluminum hydroxide and magnesium hydroxide; ammonium orthophosphate, orthophosphoric acid, condensed phosphoric acid, anhydrous phosphoric acid, urea phosphate, phosphoric acid serving as a phosphoric acid source Ammonium monohydrogen and a mixture thereof, and melamine, dicyancyanamide, guanidine, guanylurea and a mixture thereof as nitrogen sources, urea as a condensing agent, urea phosphate (which also serves as a phosphate source) and In the presence of these mixtures, a phosphate of a basic nitrogen-containing compound obtained by subjecting it to a heat condensation reaction and then calcining; As the phosphate of the basic nitrogen-containing compound, preferred compounds are melamine polyphosphate compounds such as melamine polyphosphate, melam salt of polyphosphate, melem salt of polyphosphate, melamine / melam / melem double salt of polyphosphate.

このほかの難燃剤としては、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、アンチモン酸ソーダのごときアンチモン化合物;硼酸亜鉛、スルファミン酸グアニジン、ジルコニウム化合物、モリブデン化合物、すず化合物などの無機難燃剤;トリフェニルホスフェート、トリクレジルホスフェート、トリキシレニルホスフェート、トリメチルホスフェート、トリエチルホスフェート、トリブチルホスフェート、トリオクチルホスフェート、トリブトキシエチルホスフェート、オクチルジフェニルホスフェート、クレジルジフェニルホスフェート、キシレニルジフェニルホスフェート、レゾルシノールビス(ジフェニル)ホスフェート、2−エチルヘキシルジフェニルホスフェート、ジメチルメチルホスフェート、トリアリルホスフェート、ジエチルビス(ヒドロキシエチル)アミノメチルホスフェート、トリアリルホスフェート、トリス(3−ヒドロキシプロピル)ホスフィンオキシド、グリシジル−α−メチル−β−ジ(ブトキシ)ホスフィニル・プロピオネート、ジブチルヒドロオキシメチルホスフォネート、ジメチルメチルホスフォネート、芳香族縮合りん酸エステル、ジ(エトキシ−ビス−(2−ヒドロキシエチル)−アミノメチルホスフェート、ジ(ポリオキシエチレン)−ヒドロキシメチル・ホスフォネート、ポリりん酸アンモニウム、ブチルピロホスフェート、ブチルアシッドホスフェート、ブトキシエチルアシッドホスフェート、2−エチルヘキシルアシッドホスフェート、ジエチルフェニルホスフォネート、ジメチルフェニルホスフォネート、ジ(イソプロピル)N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)アミノメチルホスフォネート、ジブチルビス(2−ヒドロキシプロピル)ピロホスフォネート、フェニルホスフィン酸などが挙げられる。   Other flame retardants include antimony compounds such as antimony trioxide, antimony pentoxide, and sodium antimonate; inorganic flame retardants such as zinc borate, guanidine sulfamate, zirconium compounds, molybdenum compounds, tin compounds; triphenyl phosphate, triphenyl Cresyl phosphate, trixylenyl phosphate, trimethyl phosphate, triethyl phosphate, tributyl phosphate, trioctyl phosphate, tributoxyethyl phosphate, octyl diphenyl phosphate, cresyl diphenyl phosphate, xylenyl diphenyl phosphate, resorcinol bis (diphenyl) phosphate, 2 -Ethylhexyl diphenyl phosphate, dimethyl methyl phosphate, triallyl phosphate, diethylbi (Hydroxyethyl) aminomethyl phosphate, triallyl phosphate, tris (3-hydroxypropyl) phosphine oxide, glycidyl-α-methyl-β-di (butoxy) phosphinyl propionate, dibutylhydroxymethylphosphonate, dimethylmethyl phosphate Nate, aromatic condensed phosphate ester, di (ethoxy-bis- (2-hydroxyethyl) -aminomethyl phosphate, di (polyoxyethylene) -hydroxymethyl phosphate, ammonium polyphosphate, butyl pyrophosphate, butyl acid phosphate , Butoxyethyl acid phosphate, 2-ethylhexyl acid phosphate, diethylphenyl phosphonate, dimethylphenyl phosphonate, di (isopropyl) N, N- Scan (2-hydroxyethyl) aminomethyl phosphonate, dibutylbis (2-hydroxypropyl) pyro phosphonate, and the like phenyl phosphinic acid.

難燃剤以外のフィラーとしては、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、および炭酸バリウムなどの炭酸塩;ケイ酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸ジルコニウム、タルク、およびクレーなどのケイ酸塩;酸化亜鉛、酸化チタン、酸化マグネシウム、アルミナ、およびシリカなどの酸化物;硫酸バリウム、および硫酸カルシウムなどの硫酸塩;エポキシ系、ゴム系、ウレタン系、ポリイミド系、ポリアミド系などの高分子化合物の架橋微粒子などが挙げられる。   Fillers other than flame retardants include carbonates such as calcium carbonate, magnesium carbonate, and barium carbonate; silicates such as magnesium silicate, calcium silicate, zirconium silicate, talc, and clay; zinc oxide, titanium oxide, Examples thereof include oxides such as magnesium oxide, alumina, and silica; sulfates such as barium sulfate and calcium sulfate; and crosslinked fine particles of polymer compounds such as epoxy, rubber, urethane, polyimide, and polyamide.

フィラーは単独で、あるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。フィラーの含有量は、熱硬化性樹脂組成物(b1)に対し、好ましくは1〜90重量%、より好ましくは5〜75重量%、特に好ましくは10〜50重量%である。フィラーの使用量がこの範囲であると電気絶縁層(B1)の導体層(A1)への密着性が良好であり、フィラーが難燃剤である場合は難燃性も良好である。
フィラーの形状および大きさは限定されない。フィラーが粒子状である場合は、その一次粒子の体積平均粒径は、0.1〜5.0μmであることが好ましく、0.5〜2.0μmであることがより好ましい。粒径がこの範囲であると前記内層基板への積層性が良好である。
A filler can be used individually or in combination of 2 or more types. The content of the filler is preferably 1 to 90% by weight, more preferably 5 to 75% by weight, and particularly preferably 10 to 50% by weight with respect to the thermosetting resin composition (b1). When the amount of the filler used is within this range, the adhesion of the electrical insulating layer (B1) to the conductor layer (A1) is good, and when the filler is a flame retardant, the flame retardancy is also good.
The shape and size of the filler are not limited. When the filler is particulate, the volume average particle diameter of the primary particles is preferably 0.1 to 5.0 μm, and more preferably 0.5 to 2.0 μm. When the particle size is within this range, the laminate property to the inner layer substrate is good.

(積層)
内層基板の表面に熱硬化性樹脂組成物(b1)を未硬化または半硬化の状態で積層する方法に格別な制限はないが、熱硬化性樹脂組成物(b1)を樹脂フィルムや金属箔からなる支持体の上に展延(キャスト)し、乾燥して形成したフィルム状又はシート状の成形体を内層基板の当該導体層(A1)に貼り合わせ加熱下で圧着する方法が挙げられる。
(Laminated)
There is no particular limitation on the method of laminating the thermosetting resin composition (b1) on the surface of the inner layer substrate in an uncured or semi-cured state, but the thermosetting resin composition (b1) can be removed from a resin film or metal foil. Examples of the method include a method in which a film-like or sheet-like molded body formed by spreading (casting) on a support to be formed is dried and bonded to the conductor layer (A1) of the inner layer substrate and bonded under heat.

フィルム状又はシート状の成形体を基板上に圧着する方法としては、通常、加圧ラミネータ、プレス、真空ラミネータ、真空プレス、ロールラミネータなどの加圧機を使用して、基板表面と成形体との界面に実質的な空隙が存在しないように圧着する。積層された熱硬化性樹脂組成物(b1)の表面形状は、導体層(A1)による段差が解消されたものであることが好ましい。加熱圧着は、配線への埋め込み性を向上させ、気泡等の発生を抑えるために100kPa〜1Paの減圧下で行うのが好ましい。圧着時の温度は、好ましくは30〜250℃、より好ましくは70〜200℃、圧力は、好ましくは10kPa〜20MPa、より好ましくは100kPa〜10MPa、時間は、好ましくは30秒〜5時間、より好ましくは1分〜3時間である。   As a method for pressure-bonding a film-shaped or sheet-shaped molded product on a substrate, usually, using a pressure laminator, a press, a vacuum laminator, a vacuum press, a roll laminator or the like, Crimping is performed so that no substantial void exists at the interface. The surface shape of the laminated thermosetting resin composition (b1) is preferably such that the step due to the conductor layer (A1) is eliminated. The thermocompression bonding is preferably performed under a reduced pressure of 100 kPa to 1 Pa in order to improve the embedding property in the wiring and suppress the generation of bubbles and the like. The temperature during crimping is preferably 30 to 250 ° C., more preferably 70 to 200 ° C., the pressure is preferably 10 kPa to 20 MPa, more preferably 100 kPa to 10 MPa, and the time is preferably 30 seconds to 5 hours, more preferably. Is 1 minute to 3 hours.

(硬化)
内層基板の表面に、積層された熱硬化性樹脂組成物(b1)を硬化することにより、第一の電気絶縁層(B1)を形成する操作は、通常、熱硬化性樹脂組成物が積層された内層基板全体を加熱することにより行う。硬化条件は、硬化剤の種類に応じて適宜選択されるが、温度は、好ましくは30〜400℃、より好ましくは70〜300℃、特に好ましくは100〜200℃であり、時間は、好ましくは0.1〜5時間、より好ましくは0.5〜3時間である。加熱の方法は特に制限されず、例えば熱風乾燥炉が用いられる。
(Curing)
The operation of forming the first electrical insulating layer (B1) by curing the laminated thermosetting resin composition (b1) on the surface of the inner layer substrate is usually performed by laminating the thermosetting resin composition. The entire inner layer substrate is heated. The curing conditions are appropriately selected according to the type of the curing agent, but the temperature is preferably 30 to 400 ° C, more preferably 70 to 300 ° C, particularly preferably 100 to 200 ° C, and the time is preferably 0.1 to 5 hours, more preferably 0.5 to 3 hours. The heating method is not particularly limited, and for example, a hot air drying furnace is used.

(電気絶縁層(B2))
第二の電気絶縁層(B2)は、フィラーを実質的に含有せず、電気絶縁性重合体2、および硬化剤2を含有する熱硬化性樹脂組成物(b2)を未硬化または半硬化の状態で前記第一の電気絶縁層(B1)の表面に積層し、前記熱硬化性樹脂組成物(b2)の表面と、金属に配位可能な構造を有する化合物とを、接触させ、次いで硬化することにより、形成される。
電気絶縁層(B2)の厚さは、前記電気絶縁層(B1)の厚さの1/5〜1/50であり、好ましくは1/8〜1/40、さらに好ましくは1/10〜1/20である。厚さがこの範囲にあると、表面が平滑で微細配線パターン形成が可能であり、かつ、難燃性に悪影響を与えない。
(Electrical insulation layer (B2))
The second electrically insulating layer (B2) does not substantially contain a filler, and the thermosetting resin composition (b2) containing the electrically insulating polymer 2 and the curing agent 2 is uncured or semi-cured. Laminated on the surface of the first electrical insulating layer (B1) in a state, the surface of the thermosetting resin composition (b2) is brought into contact with a compound having a structure capable of coordinating with a metal, and then cured. Is formed.
The thickness of the electrical insulation layer (B2) is 1/5 to 1/50 of the thickness of the electrical insulation layer (B1), preferably 1/8 to 1/40, more preferably 1/10 to 1. / 20. When the thickness is within this range, the surface is smooth and a fine wiring pattern can be formed, and the flame retardancy is not adversely affected.

(熱硬化性樹脂組成物(b2))
熱硬化性樹脂組成物(b2)はフィラーを実質的に含有せず、電気絶縁性重合体2、および硬化剤2を含有する。ここにおいて、実質的に含有しないとは、熱硬化性樹脂組成物(b2)中、5質量%以上含有しないことをいう。
電気絶縁性重合体2は、電気絶縁性を有するものであれば制限されないが、カルボキシル基または酸無水物基(以下、この両者をまとめて「カルボキシル基等」と記すことがある。)を有する電気絶縁性重合体が好ましい。カルボキシル基等の含有量は、電気絶縁性重合体1g当りのモル当量として0.25〜2.5mmol/gの範囲が好ましく、0.50〜2.0mmol/gの範囲がより好ましい。カルボキシル基等の含有量が小さすぎると、電気絶縁層のめっき密着性や耐熱性が低下するおそれがあり、カルボキシル基等の含有量が大きすぎると、電気絶縁層の絶縁特性が低下する可能性がある。
(Thermosetting resin composition (b2))
The thermosetting resin composition (b2) substantially does not contain a filler, but contains an electrically insulating polymer 2 and a curing agent 2. Here, “substantially not containing” means not containing 5 mass% or more in the thermosetting resin composition (b2).
The electrically insulating polymer 2 is not limited as long as it has electrical insulating properties, but has a carboxyl group or an acid anhydride group (hereinafter, both may be collectively referred to as “carboxyl group or the like”). Electrical insulating polymers are preferred. The content of carboxyl groups and the like is preferably in the range of 0.25 to 2.5 mmol / g, more preferably in the range of 0.50 to 2.0 mmol / g, as a molar equivalent per 1 g of the electrically insulating polymer. If the content of carboxyl groups, etc. is too small, the plating adhesion and heat resistance of the electrical insulation layer may be reduced. If the content of carboxyl groups, etc. is too large, the insulation properties of the electrical insulation layer may be reduced. There is.

電気絶縁性重合体2の重量平均分子量(Mw)は、好ましくは15,000〜150,000であり、より好ましくは20,000〜100,000である。Mwが小さすぎると、得られる成形物を硬化物とした場合の強度が不十分となる、または電気絶縁性が低下する、などのおそれがある。一方、Mwが大きすぎると、硬化剤2との相溶性が低下し、得られる成形物を硬化物とした場合の表面粗度が大きくなるため、該硬化物を積層体として用いた場合、その表面に形成する配線パターンの精度が低下するおそれがある。   The weight average molecular weight (Mw) of the electrically insulating polymer 2 is preferably 15,000 to 150,000, and more preferably 20,000 to 100,000. If Mw is too small, there is a risk that the strength when the obtained molded product is a cured product will be insufficient, or that the electrical insulation will be reduced. On the other hand, if the Mw is too large, the compatibility with the curing agent 2 decreases, and the surface roughness when the resulting molded product is a cured product is increased. Therefore, when the cured product is used as a laminate, There is a possibility that the accuracy of the wiring pattern formed on the surface is lowered.

カルボキシル基等を有する電気絶縁性重合体は、カルボキシル基等が、骨格をなす電気絶縁性重合体の主鎖に直接、あるいはメチレン基、オキシ基、オキシカルボニルオキシアルキレン基、フェニレン基等他の二価の連結基を介して結合したものである。
カルボキシル基等を有する電気絶縁性重合体の骨格をなす重合体は、特に限定されないが、その具体例としては、マレイミド樹脂、アクリル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、トリアジン樹脂、脂環式オレフィン重合体、芳香族ポリエーテル重合体、ベンゾシクロブテン重合体、シアネートエステル重合体、およびポリイミド樹脂;などが挙げられ、一種類を単独で使用してもよく、二種類以上を併用してもよい。これらの中でも、誘電率や誘電正接などの電気特性が優れているので、脂環式オレフィン重合体、芳香族ポリエーテル重合体、ベンゾシクロブテン重合体、シアネートエステル重合体およびポリイミド樹脂が好ましく、脂環式オレフィン重合体および芳香族ポリエーテル重合体がより好ましく、脂環式オレフィン重合体が特に好ましい。
The electrically insulating polymer having a carboxyl group or the like has a carboxyl group or the like directly on the main chain of the electrically insulating polymer constituting the skeleton, or other two groups such as a methylene group, an oxy group, an oxycarbonyloxyalkylene group, and a phenylene group. It is bonded through a valent linking group.
The polymer that forms the skeleton of the electrically insulating polymer having a carboxyl group or the like is not particularly limited, and specific examples thereof include maleimide resin, acrylic resin, diallyl phthalate resin, triazine resin, alicyclic olefin polymer, aromatic Group polyether polymer, benzocyclobutene polymer, cyanate ester polymer, and polyimide resin; one type may be used alone, or two or more types may be used in combination. Of these, alicyclic olefin polymers, aromatic polyether polymers, benzocyclobutene polymers, cyanate ester polymers and polyimide resins are preferred because of their excellent electrical properties such as dielectric constant and dielectric loss tangent. Cyclic olefin polymers and aromatic polyether polymers are more preferred, and alicyclic olefin polymers are particularly preferred.

本発明において、脂環式オレフィン重合体は、炭素−炭素不飽和結合を有する脂環式化合物(脂環式オレフィンという。)の単独重合体および共重合体並びにこれらの誘導体(水素添加物等)の総称である。また、重合の様式は、付加重合であっても開環重合であってもよい。
脂環式オレフィン重合体の具体例としては、ノルボルネン環を有する単量体(以下、ノルボルネン系単量体という)の開環重合体およびその水素添加物、ノルボルネン系単量体の付加重合体、ノルボルネン系単量体とビニル化合物との付加重合体、単環シクロアルケン付加重合体、脂環式共役ジエン重合体、ビニル系脂環式炭化水素重合体およびその水素添加物を挙げることができる。更に、芳香族オレフィン重合体の芳香環水素添加物等の、重合後の水素化によって脂環構造が形成されて、脂環式オレフィン重合体と同等の構造を有するに至った重合体もその一例である。これらの中でも、ノルボルネン系単量体の開環重合体およびその水素添加物、ノルボルネン系単量体の付加重合体、ノルボルネン系単量体とビニル化合物との付加重合体、および芳香族オレフィン重合体の芳香環水素添加物が好ましく、特にノルボルネン系単量体の開環重合体の水素添加物が好ましい。
In the present invention, the alicyclic olefin polymer is a homopolymer or copolymer of an alicyclic compound (referred to as alicyclic olefin) having a carbon-carbon unsaturated bond, and derivatives thereof (hydrogenated products, etc.). It is a general term. The polymerization mode may be addition polymerization or ring-opening polymerization.
Specific examples of the alicyclic olefin polymer include a ring-opening polymer of a monomer having a norbornene ring (hereinafter referred to as a norbornene monomer) and a hydrogenated product thereof, an addition polymer of a norbornene monomer, Examples include addition polymers of norbornene monomers and vinyl compounds, monocyclic cycloalkene addition polymers, alicyclic conjugated diene polymers, vinyl alicyclic hydrocarbon polymers, and hydrogenated products thereof. An example is a polymer in which an alicyclic structure is formed by hydrogenation after polymerization, such as an aromatic olefin hydrogenated product of an aromatic olefin polymer, and has a structure equivalent to an alicyclic olefin polymer. It is. Among these, ring-opening polymers of norbornene monomers and hydrogenated products thereof, addition polymers of norbornene monomers, addition polymers of norbornene monomers and vinyl compounds, and aromatic olefin polymers Aromatic hydrogenated products are preferred, and in particular, hydrogenated products of ring-opening polymers of norbornene monomers are preferred.

電気絶縁性重合体のカルボキシル基等の含有量を上記範囲とする方法は、制限されない。例えば、(i)カルボキシル基等を有する単量体を、単独重合し、又は、これと共重合可能な単量体と共重合する方法;(ii)カルボキシル基等を有しない重合体に、カルボキシル基等および炭素−炭素不飽和結合を有する化合物を、例えばラジカル開始剤存在下で、グラフト結合させることにより、カルボキシル基等を導入する方法;(iii)カルボン酸エステル基等の、カルボキシル基の前駆体となる基を有する単量体を重合した後、加水分解等によって前駆体基をカルボキシル基へ変換させる方法;等がある。   The method for setting the content of the carboxyl group or the like of the electrically insulating polymer within the above range is not limited. For example, (i) a method in which a monomer having a carboxyl group or the like is homopolymerized or copolymerized with a monomer copolymerizable therewith; (ii) a polymer having no carboxyl group or the like A method of introducing a carboxyl group or the like by graft-bonding a compound having a group or the like and a carbon-carbon unsaturated bond, for example, in the presence of a radical initiator; (iii) a precursor of a carboxyl group such as a carboxylate group There is a method of polymerizing a monomer having a group to form a body and then converting a precursor group into a carboxyl group by hydrolysis or the like.

(i)の方法に用いられるカルボキシル基含有脂環式オレフィン単量体としては、8−ヒドロキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3−エン、5−ヒドロキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−メチル−5−ヒドロキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−カルボキシメチル−5−ヒドロキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、8−メチル−8−ヒドロキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3−エン、8−カルボキシメチル−8−ヒドロキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3−エン、5−エキソ−6−エンド−ジヒドロキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、および8−エキソ−9−エンド−ジヒドロキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3−エン;などが挙げられる。 As the carboxyl group-containing alicyclic olefin monomer used in the method (i), 8-hydroxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 17, 10 ] dodec-3-ene, 5-hydroxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-methyl-5-hydroxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene , 5-carboxymethyl-5-hydroxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 8-methyl-8-hydroxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-carboxymethyl-8-hydroxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 5-exo-6-endo-dihydroxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, and 8-exo-9-endo-dihydroxycarbonyltetracyclo [4]. .4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene;

また、(i)の方法に用いられる酸無水物基含有脂環式オレフィン単量体としては、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5,6−ジカルボン酸無水物、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3−エン−8,9−ジカルボン酸無水物、およびヘキサシクロ[6.6.1.13,6.110,13.02,7.09,14]ヘプタデカ−4−エン−11,12−ジカルボン酸無水物;などが挙げられる。
(i)の方法に用いられる、カルボキシル基含有脂環式オレフィン単量体と共重合可能な単量体は、特に制限されないが、カルボキシル基等を有さない脂環式オレフィン単量体が好ましい。
Examples of the acid anhydride group-containing alicyclic olefin monomer used in the method (i) include bicyclo [2.2.1] hept-2-ene-5,6-dicarboxylic acid anhydride, tetracyclo [ 4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec- 3 -ene-8,9-dicarboxylic anhydride, and hexacyclo [6.6.1.1 3,6 . 1 10,13 . 0 2,7 . 0 9,14] heptadec-4-ene-11,12-dicarboxylic acid anhydride; and the like.
The monomer copolymerizable with the carboxyl group-containing alicyclic olefin monomer used in the method (i) is not particularly limited, but an alicyclic olefin monomer having no carboxyl group or the like is preferable. .

カルボキシル基等を有さない脂環式オレフィン単量体の具体例としては、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン(慣用名:ノルボルネン)、5−エチル−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−ブチル−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−エチリデン−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−メチリデン−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−ビニル−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、トリシクロ[4.3.0.12,5]デカ−3,7−ジエン(慣用名:ジシクロペンタジエン)、テトラシクロ[8.4.0.111,14.02,8]テトラデカ−3,5,7,12,11−テトラエン、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]デカ−3−エン(慣用名:テトラシクロドデセン)、8−メチル−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3−エン、8−エチル−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3−エン、8−メチリデン−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3−エン、8−エチリデン−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3−エン、8−ビニル−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3−エン、8−プロペニル−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3−エン、ペンタシクロ[6.5.1.13,6.02,7.09,13]ペンタデカ−3,10−ジエン、ペンタシクロ[7.4.0.13,6.110,13.02,7]ペンタデカ−4,11−ジエン、シクロペンテン、シクロペンタジエン、1,4−メタノ−1,4,4a,5,10,10a−ヘキサヒドロアントラセン、および8−フェニル−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3−エン;などが挙げられる。 Specific examples of the alicyclic olefin monomer having no carboxyl group and the like include bicyclo [2.2.1] hept-2-ene (common name: norbornene), 5-ethyl-bicyclo [2.2. 1] hept-2-ene, 5-butyl-bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-ethylidene-bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-methylidene-bicyclo [ 2.2.1] Hept-2-ene, 5-vinyl-bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, tricyclo [4.3.0.1 2,5 ] deca-3,7-diene (common name: dicyclopentadiene), tetracyclo [8.4.0.1 11,14. 0 2,8 ] tetradeca-3,5,7,12,11-tetraene, tetracyclo [4.4.0. 12, 5 . 1 7,10 ] dec-3-ene (common name: tetracyclododecene), 8-methyl-tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-ethyl-tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-methylidene-tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-ethylidene-tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-vinyl-tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-propenyl-tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, pentacyclo [6.5.1.1 3,6 . 0 2,7 . 0 9,13] pentadeca-3,10-diene, pentacyclo [7.4.0.1 3,6. 1 10,13 . 0 2,7 ] pentadeca-4,11-diene, cyclopentene, cyclopentadiene, 1,4-methano-1,4,4a, 5,10,10a-hexahydroanthracene, and 8-phenyl-tetracyclo [4.4. .0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene;

(ii)の方法に用いられる、カルボキシル基等を有しない脂環式オレフィン重合体は、前記のカルボキシル基等を有さない脂環式オレフィン単量体を重合させたものである。重合の様式は、付加重合であっても開環重合であってもよく、それらの誘導体(水素添加物等)であってもよい。
また、(ii)の方法に用いられる、カルボキシル基等を有する炭素−炭素不飽和結合含有化合物としては、アクリル酸、メタクリル酸、α−エチルアクリル酸、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリル酸、マレイン酸、フマール酸、イタコン酸、エンドシス−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボン酸、およびメチル−エンドシス−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボン酸などの不飽和カルボン酸化合物;無水マレイン酸、クロロ無水マレイン酸、ブテニル無水コハク酸、テトラヒドロ無水フタル酸、および無水シトラコン酸などの不飽和カルボン酸無水物;などが挙げられる。
The alicyclic olefin polymer having no carboxyl group or the like used in the method (ii) is obtained by polymerizing the alicyclic olefin monomer having no carboxyl group or the like. The mode of polymerization may be addition polymerization, ring-opening polymerization, or a derivative thereof (hydrogenated product or the like).
Examples of the carbon-carbon unsaturated bond-containing compound having a carboxyl group or the like used in the method (ii) include acrylic acid, methacrylic acid, α-ethylacrylic acid, 2-hydroxyethyl (meth) acrylic acid, maleic acid. Acids, fumaric acid, itaconic acid, endocis-bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylic acid, and methyl-endocis-bicyclo [2.2.1] hept-5-ene- Unsaturated carboxylic acid compounds such as 2,3-dicarboxylic acid; unsaturated carboxylic acid anhydrides such as maleic anhydride, chloromaleic anhydride, butenyl succinic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, and citraconic anhydride; .

(iii)の方法に用いられる、カルボキシル基の前駆体となる基を有するノルボルネン系単量体としては、8−メチル−8−メトキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3−エン、5−メトキシカルボニル−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、および5−メチル−5−メトキシカルボニル−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン;などが挙げられる。 As the norbornene-based monomer having a carboxyl group precursor used in the method (iii), 8-methyl-8-methoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 17, 10 ] dodec-3-ene, 5-methoxycarbonyl-bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, and 5-methyl-5-methoxycarbonyl-bicyclo [2.2.1] hept- 2-ene; and the like.

カルボキシル基等を有する重合体は、カルボキシル基等以外の官能基を有していてもよい。カルボキシル基等以外の官能基としては、アルコキシカルボニル基、シアノ基、水酸基、エポキシ基、アルコキシル基、アミノ基、アミド基、およびイミド基;などが挙げられる。   The polymer having a carboxyl group or the like may have a functional group other than the carboxyl group or the like. Examples of the functional group other than the carboxyl group include an alkoxycarbonyl group, a cyano group, a hydroxyl group, an epoxy group, an alkoxyl group, an amino group, an amide group, and an imide group.

(多価エポキシ化合物)
硬化剤2は、電気絶縁性重合体2を硬化させるものであればよいが、電気絶縁性重合体2が、カルボキシル基等を有する電気絶縁性重合体である場合は、多価エポキシ化合物が好ましい。
多価エポキシ化合物は、分子内に2個以上のエポキシ基を有する化合物である。多価エポキシ化合物の例としては、フェノールノボラック型エポキシ化合物、クレゾールノボラック型エポキシ化合物、クレゾール型エポキシ化合物、ビスフェノールA型エポキシ化合物、ビスフェノールF型エポキシ化合物、臭素化ビスフェノールA型エポキシ化合物、臭素化ビスフェノールF型エポキシ化合物、水素添加ビスフェノールA型エポキシ化合物、などのグリシジルエーテル型エポキシ化合物、脂環式エポキシ化合物、グリシジルエステル型エポキシ化合物、グリシジルアミン型エポキシ化合物、イソシアヌレート型エポキシ化合物などが挙げられる。
これらは、単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。
(Polyvalent epoxy compound)
The curing agent 2 only needs to cure the electrical insulating polymer 2, but when the electrical insulating polymer 2 is an electrical insulating polymer having a carboxyl group or the like, a polyvalent epoxy compound is preferable. .
The polyvalent epoxy compound is a compound having two or more epoxy groups in the molecule. Examples of polyvalent epoxy compounds include phenol novolac epoxy compounds, cresol novolac epoxy compounds, cresol epoxy compounds, bisphenol A epoxy compounds, bisphenol F epoxy compounds, brominated bisphenol A epoxy compounds, brominated bisphenol F Examples thereof include glycidyl ether type epoxy compounds such as type epoxy compounds and hydrogenated bisphenol A type epoxy compounds, alicyclic epoxy compounds, glycidyl ester type epoxy compounds, glycidyl amine type epoxy compounds, and isocyanurate type epoxy compounds.
These can be used alone or in combination of two or more.

(分子内に2個以上の酸無水物基を有するカルボン酸無水物)
電気絶縁性重合体2が、カルボキシル基等を有する電気絶縁性重合体である場合、前記熱硬化性樹脂組成物(b2)は、さらに分子内に2個以上の酸無水物基を有するカルボン酸無水物(以下、「テトラカルボン酸二無水物等」と記すことがある。)を含有することが好ましい。テトラカルボン酸二無水物等の例としては、無水ピロメリット酸、ヘキサヒドロ無水ピロメリット酸、無水シクロブタンテトラカルボン酸、無水ナフタレンテトラカルボン酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、ウンデカヒドロベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、テトラリン−ジ酸無水物、エチレングリコールビス(アンヒドロトリメリテート)、エチレングリコールビス(アンヒドロトリメリテート)モノアセテート、グリセリンビス(アンヒドロトリメリテート)モノアセテート、4−(2,5−ジオキソテトラヒドロフラン−3−イル)−1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン−1,2−ジカルボン酸無水物、5−(2,5ジオキソテトラヒドロキシフリル)−3−メチル−3−シクロヘキセン−1,2−ジカルボン酸無水物、1,2,3,4−ブタンテトラカルボン酸二無水物、4,4’−スルホニルジ無水フタル酸;等が挙げられる。これらの中で、硬化性樹脂組成物(b2)の他の成分との相溶性の観点から、エチレングリコールビス(アンヒドロトリメリテート)、エチレングリコールビス(アンヒドロトリメリテート)モノアセテート及びグリセリンビス(アンヒドロトリメリテート)モノアセテートが好ましく、特にエチレングリコールビス(アンヒドロトリメリテート)モノアセテート及びグリセリンビス(アンヒドロトリメリテート)モノアセテートが好ましい。
(Carboxylic anhydride having two or more acid anhydride groups in the molecule)
When the electrically insulating polymer 2 is an electrically insulating polymer having a carboxyl group or the like, the thermosetting resin composition (b2) further includes a carboxylic acid having two or more acid anhydride groups in the molecule. It is preferable to contain an anhydride (hereinafter, sometimes referred to as “tetracarboxylic dianhydride”). Examples of tetracarboxylic dianhydrides include pyromellitic anhydride, hexahydropyromellitic anhydride, cyclobutanetetracarboxylic anhydride, naphthalenetetracarboxylic anhydride, benzophenonetetracarboxylic anhydride, undecahydrobenzophenonetetracarboxylic anhydride , Tetralin-dianhydride, ethylene glycol bis (anhydro trimellitate), ethylene glycol bis (anhydro trimellitate) monoacetate, glycerin bis (anhydro trimellitate) monoacetate, 4- (2, 5-Dioxotetrahydrofuran-3-yl) -1,2,3,4-tetrahydronaphthalene-1,2-dicarboxylic anhydride, 5- (2,5 dioxotetrahydroxyfuryl) -3-methyl-3- Cyclohexene-1,2-dicarboxylic acid Anhydride, 1,2,3,4-butane tetracarboxylic acid dianhydride, 4,4'-sulfonyldibenzoic phthalic anhydride; and the like. Among these, ethylene glycol bis (anhydro trimellitate), ethylene glycol bis (anhydro trimellitate) monoacetate and glycerin from the viewpoint of compatibility with the other components of the curable resin composition (b2). Bis (anhydrotrimellitate) monoacetate is preferred, and ethylene glycol bis (anhydrotrimellitate) monoacetate and glycerin bis (anhydrotrimellitate) monoacetate are particularly preferred.

テトラカルボン酸二無水物等の使用量は、カルボキシル基等を有する電気絶縁性重合体とカルボン酸無水物のそれぞれのカルボキシル基当量比として、95:5〜65:35が好ましく、90:10〜70:30がより好ましい。カルボキシル基当量比がこの範囲であると、電気絶縁層と導体層に対する密着性が良好である。
カルボキシル基等を有する電気絶縁性重合体、およびカルボン酸無水物の合計カルボキシル基当量に対する多価エポキシ化合物のエポキシ基当量の比は、好ましくは0.8〜1.2、より好ましくは0.9〜1.1である。この範囲であると、電気絶縁性および電気絶縁層と導体層との間の密着性が良好である。
The use amount of tetracarboxylic dianhydride and the like is preferably 95: 5 to 65:35 as the respective carboxyl group equivalent ratio of the electrically insulating polymer having a carboxyl group or the like and the carboxylic anhydride, and 90:10 70:30 is more preferable. When the carboxyl group equivalent ratio is within this range, the adhesion to the electrical insulating layer and the conductor layer is good.
The ratio of the epoxy group equivalent of the polyvalent epoxy compound to the total carboxyl group equivalent of the electrically insulating polymer having a carboxyl group and the carboxylic acid anhydride is preferably 0.8 to 1.2, more preferably 0.9. -1.1. Within this range, the electrical insulation and the adhesion between the electrical insulation layer and the conductor layer are good.

本発明における硬化性樹脂組成物(b1)および(b2)には、上記のほか、必要に応じて硬化促進剤(例、第三級アミン化合物)、レーザ加工性向上剤、熱安定剤、耐候安定剤、老化防止剤、レベリング剤、帯電防止剤、スリップ剤、アンチブロッキング剤、防曇剤、滑剤、染料、顔料、天然油、合成油、ワックス、乳剤、充填剤などを含有させることができる。それらの配合量は、本発明の目的を損ねない範囲で適宜選択される。   In addition to the above, the curable resin compositions (b1) and (b2) in the present invention include a curing accelerator (eg, tertiary amine compound), a laser processability improver, a heat stabilizer, and weather resistance as necessary. Stabilizers, anti-aging agents, leveling agents, antistatic agents, slip agents, anti-blocking agents, anti-fogging agents, lubricants, dyes, pigments, natural oils, synthetic oils, waxes, emulsions, fillers, etc. can be included. . The blending amounts thereof are appropriately selected within a range that does not impair the object of the present invention.

(積層)
熱硬化性樹脂組成物(b2)を、前述した熱硬化性樹脂組成物(b1)と同様の方法で、電気絶縁層(B1)の表面に未硬化または半硬化の状態で、かつ、前記電気絶縁層(B1)の厚さの1/5〜1/50の厚さで積層する。
(Laminated)
The thermosetting resin composition (b2) is uncured or semi-cured on the surface of the electrical insulating layer (B1) by the same method as the thermosetting resin composition (b1) described above, and the electric The insulating layer (B1) is laminated at a thickness of 1/5 to 1/50.

(配位構造含有化合物)
熱硬化性樹脂組成物(b2)の表面と接触させる金属に配位可能な構造を有する化合物(以下、「配位構造含有化合物」ということがある。)は、金属に配位可能な構造を有していればよく、アミノ基、チオール基、カルボキシル基、シアノ基など金属に配位可能な官能基を有する化合物や金属との配位能を有する複素環化合物などの非共有電子対を有する化合物が例示される。中でも窒素原子、酸素原子、又は硫黄原子を含有する複素環化合物が特に好ましく、とりわけ窒素原子を含有する複素環化合物が好ましい。こうした複素環化合物は、更に金属に配位可能な官能基をも有するものであってもよい。
(Coordination structure-containing compound)
The compound having a structure capable of coordinating to the metal to be brought into contact with the surface of the thermosetting resin composition (b2) (hereinafter sometimes referred to as “coordination structure-containing compound”) has a structure capable of coordinating to the metal. As long as it has an unshared electron pair such as a compound having a functional group capable of coordinating to a metal such as an amino group, a thiol group, a carboxyl group, or a cyano group, or a heterocyclic compound capable of coordinating with a metal. Examples are compounds. Among these, a heterocyclic compound containing a nitrogen atom, oxygen atom or sulfur atom is particularly preferred, and a heterocyclic compound containing a nitrogen atom is particularly preferred. Such a heterocyclic compound may further have a functional group capable of coordinating to a metal.

窒素原子、酸素原子又は硫黄原子を含有する複素環化合物としては、ピロール類、ピロリン類、ピロリジン類、ピラゾール類、ピラゾリン類、ピラゾリジン類、イミダゾール類、イミダゾリン類、トリアゾール類、テトラゾール類、ピリジン類、ピペリジン類、ピリダジン類、ピリミジン類、ピラジン類、ピペラジン類、トリアジン類、テトラジン類、インドール類、イソインドール類、インダゾール類、プリン類、ノルハルマン類、ペリミジン類、キノリン類、イソキノリン類、シノリン類、キノサリン類、キナゾリン類、ナフチリジン類、プテリジン類、カルバゾール類、アクリジン類、フェナジン類、フェナントリジン類、フェナントロリン類、フラン類、ジオキソラン類、ピラン類、ジオキサン類、ベンゾフラン類、イソベンゾフラン類、コルマリン類、ジベンゾフラン類、フラボン類、トリチアン類、チオフェン類、ベンゾチオフェン類、イソベンゾチオフェン類、ジチイン類、チアントレン類、チエノチオフェン類、オキサゾール類、イソオキサゾール類、オキサジアゾール類、オキサジン類、モルフォリン類、チアゾール類、イソチアゾール類、チアジアゾール類、チアジン類、フェノチアジン類などが挙げられる。   Examples of the heterocyclic compound containing a nitrogen atom, oxygen atom or sulfur atom include pyrroles, pyrrolines, pyrrolidines, pyrazoles, pyrazolines, pyrazolidines, imidazoles, imidazolines, triazoles, tetrazoles, pyridines, Piperidines, pyridazines, pyrimidines, pyrazines, piperazines, triazines, tetrazines, indoles, isoindoles, indazoles, purines, norharmans, perimidines, quinolines, isoquinolines, sinolines, quinosalines Quinazolines, naphthyridines, pteridines, carbazoles, acridines, phenazines, phenanthridine, phenanthrolines, furans, dioxolanes, pyrans, dioxanes, benzofurans, isobenzofurans , Coumarins, dibenzofurans, flavones, trithianes, thiophenes, benzothiophenes, isobenzothiophenes, dithiines, thianthrenes, thienothiophenes, oxazoles, isoxazoles, oxadiazoles, oxazines Morpholines, thiazoles, isothiazoles, thiadiazoles, thiazines, phenothiazines and the like.

これら配位構造含有化合物の中でも、硬化性樹脂組成物(b2)中の成分と反応し、これらの化合物が次の工程で形成される電気絶縁層(B2)に強固に保持され、この後に形成される金属薄膜層が剥離しにくい効果を有する点から、1−(2−アミノエチル)−2−メチルイミダゾール等のイミダゾール類、1−メチル−5−アミノピラゾール等のピラゾール類、2,5−ジアミノ−1,2,4−トリアゾール等のトリアゾール類又は2,4−ジアミノトリアジン等のトリアジン類が好ましい。これらはアミノ基だけでなく、チオール基、カルボキシル基又はシアノ基を有してもよい。   Among these coordination structure-containing compounds, they react with the components in the curable resin composition (b2), and these compounds are firmly held in the electrical insulating layer (B2) formed in the next step, and then formed. In view of the effect that the metal thin film layer is difficult to peel off, imidazoles such as 1- (2-aminoethyl) -2-methylimidazole, pyrazoles such as 1-methyl-5-aminopyrazole, 2,5- Triazoles such as diamino-1,2,4-triazole or triazines such as 2,4-diaminotriazine are preferred. These may have not only an amino group but also a thiol group, a carboxyl group or a cyano group.

(接触方法)
配位構造含有化合物を接触させる方法に制限はなく、熱硬化性樹脂組成物(b2)の表面の全面あるいは必要な部分に一様に物理的に接触させればよい。具体例としては、配位構造含有化合物の水又は有機溶剤の溶液中に、樹脂層を有する内層基板を浸漬するディップ法や、この溶液を内層基板の樹脂層表面に噴霧するスプレー法などが挙げられる。接触操作は、1回でも2回以上を繰り返し行ってもよい。接触に際しての温度は、配位構造含有化合物やその溶液の沸点、融点、操作性や生産性などを考慮して任意に選択することができるが、好ましくは10〜100℃、より好ましくは15〜65℃である。接触時間は、樹脂層表面に付着させたい配位構造含有化合物量やその溶液の濃度、生産性などに応じて任意に選択することができるが、好ましくは0.1〜360分間、より好ましくは0.1〜60分間である。この後、過剰な配位構造含有化合物を除去する目的で、窒素などの不活性ガスを吹きつけたり、水又は有機溶剤で基板表面を洗浄したりすることもできる。
(Contact method)
There is no restriction | limiting in the method of making a coordination structure containing compound contact, What is necessary is just to make it physically contact the whole surface of a thermosetting resin composition (b2), or a required part uniformly. Specific examples include a dipping method in which an inner substrate having a resin layer is immersed in a solution of a coordination structure-containing compound in water or an organic solvent, and a spray method in which this solution is sprayed onto the resin layer surface of the inner substrate. It is done. The contact operation may be repeated once or twice or more. The temperature at the time of contact can be arbitrarily selected in consideration of the boiling point, melting point, operability, productivity and the like of the coordination structure-containing compound and the solution thereof, preferably 10 to 100 ° C., more preferably 15 to 65 ° C. The contact time can be arbitrarily selected according to the amount of the coordination structure-containing compound to be attached to the resin layer surface, the concentration of the solution, productivity, etc., preferably 0.1 to 360 minutes, more preferably 0.1 to 60 minutes. Thereafter, in order to remove excess coordination structure-containing compound, an inert gas such as nitrogen can be blown, or the substrate surface can be washed with water or an organic solvent.

(硬化)
熱硬化性樹脂組成物(b2)を、前述した熱硬化性樹脂組成物(b1)と同様の方法で硬化し、電気絶縁層(B2)を形成する。多層回路基板を形成する場合、導体層(A1)と後に形成される導体層(A2)とを接続するため、金属薄膜層を形成する前に、電気絶縁層(B1)および電気絶縁層(B2)を貫通するビアホールを形成する。このビアホールはフォトリソグラフィ法のような化学的処理、又は、ドリル、レーザ、プラズマエッチング等の物理的処理等により形成できる。微細パターンを形成する場合には、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ、UV−YAGレーザ等のレーザによる方法が好ましい。
(Curing)
The thermosetting resin composition (b2) is cured by the same method as the thermosetting resin composition (b1) described above to form the electrical insulating layer (B2). In the case of forming a multilayer circuit board, an electrical insulating layer (B1) and an electrical insulating layer (B2) are formed before the metal thin film layer is formed in order to connect the conductive layer (A1) and the conductive layer (A2) to be formed later. ) Is formed. This via hole can be formed by chemical processing such as photolithography, or physical processing such as drilling, laser, or plasma etching. In the case of forming a fine pattern, a method using a laser such as a carbon dioxide laser, an excimer laser, or a UV-YAG laser is preferable.

(導体層(A2))
導体層(A2)は、前記第二の電気絶縁層(B2)の表面に、金属薄膜層を形成した後に形成される。前記第二の電気絶縁層(B2)の表面に、金属薄膜層を形成する方法としては、無電解めっき法、スパッタリング法、真空蒸着法等などが挙げられ、無電解めっき法が好ましい。
(Conductor layer (A2))
The conductor layer (A2) is formed after the metal thin film layer is formed on the surface of the second electrical insulating layer (B2). Examples of the method for forming the metal thin film layer on the surface of the second electrical insulating layer (B2) include an electroless plating method, a sputtering method, and a vacuum deposition method, and the electroless plating method is preferable.

無電解めっきで金属薄膜層を形成する場合、金属薄膜層を電気絶縁層(B2)の表面に形成する前に、電気絶縁層(B2)の表面平均粗さRaを0.1nm〜400nmに調整するのが、高周波領域におけるノイズ低下の観点から好ましい。ここで、RaはJIS B 0601:2001に示される中心線平均粗さである。電気絶縁層(B2)の表面平均粗さ等を上述の範囲に調整する方法に格別な制限はないが、例えば、電気絶縁層表面と酸化性化合物とを、常法に従って接触させる方法が挙げられる。
酸化性化合物としては、無機過酸化物や有機過酸化物;気体;等、酸化能を有する公知の化合物が挙げられる。特に電気絶縁層の表面平均粗さの制御が容易なことから、無機過酸化物や有機過酸化物を用いるのが好ましい。無機過酸化物としては過マンガン酸塩、無水クロム酸、重クロム酸塩、クロム酸塩、過硫酸塩、活性二酸化マンガン、四酸化オスミウム、過酸化水素、過よう素酸塩、オゾン等が挙げられ、有機過酸化物としてはジクミルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、m−クロロ過安息香酸、過酢酸等が挙げられる。
When forming a metal thin film layer by electroless plating, the surface average roughness Ra of the electrical insulating layer (B2) is adjusted to 0.1 nm to 400 nm before the metal thin film layer is formed on the surface of the electrical insulating layer (B2). It is preferable from the viewpoint of noise reduction in the high frequency region. Here, Ra is the center line average roughness shown in JIS B 0601: 2001. There is no particular limitation on the method for adjusting the surface average roughness of the electrical insulating layer (B2) to the above-mentioned range. .
Examples of the oxidizing compound include known compounds having oxidizing ability, such as inorganic peroxides and organic peroxides; gas; In particular, it is preferable to use an inorganic peroxide or an organic peroxide because it is easy to control the surface average roughness of the electrical insulating layer. Examples of inorganic peroxides include permanganate, chromic anhydride, dichromate, chromate, persulfate, activated manganese dioxide, osmium tetroxide, hydrogen peroxide, periodate, ozone, etc. Examples of the organic peroxide include dicumyl peroxide, octanoyl peroxide, m-chloroperbenzoic acid, and peracetic acid.

こうして表面粗さが調整された電気絶縁層上(B2)に、銀、パラジウム、亜鉛、コバルトなどの触媒核を吸着させるのが一般的である。触媒核を電気絶縁層(B2)に付着させる方法は特に制限されず、例えば、必要に応じて過マンガン酸カリウム水溶液や過マンガン酸ナトリウム水溶液などのアルカリ性水溶液を電気絶縁層(B2)と接触させた後、硫酸ヒドロキシアミンと硫酸との混合液などの酸性水溶液により中和還元処理し、次いで銀、パラジウム、亜鉛、コバルトなどの金属化合物やこれらの塩や錯体を、水又はアルコール若しくはクロロホルムなどの有機溶媒に0.001〜10重量%の濃度で溶解した液(必要に応じて酸、アルカリ、錯化剤、還元剤などを含有していてもよい)に浸漬した後、金属を還元する方法などが挙げられる。特に、Mw10,000〜1,000,000の電気絶縁性重合体を含有する上述した硬化性組成物を用いて電気絶縁層(B2)を形成すると、上述した金属薄膜層を形成する前の触媒吸着処理での粗化が高度に抑制され、電気絶縁層(B2)は実質的に粗化されない。ここで実質的に粗化されないとは、触媒を吸着させた電気絶縁層(B2)の表面平均粗さRaは0.1nm〜400nmであるのが好ましい。   In general, catalyst nuclei such as silver, palladium, zinc and cobalt are adsorbed on the electrically insulating layer (B2) whose surface roughness is adjusted in this way. The method for attaching the catalyst nucleus to the electrical insulating layer (B2) is not particularly limited. For example, an alkaline aqueous solution such as a potassium permanganate aqueous solution or a sodium permanganate aqueous solution is brought into contact with the electrical insulating layer (B2) as necessary. Then, neutralize and reduce with an acidic aqueous solution such as a mixed solution of hydroxyamine sulfate and sulfuric acid, and then add a metal compound such as silver, palladium, zinc, cobalt or a salt or complex thereof with water, alcohol, chloroform, or the like. A method of reducing a metal after being immersed in a solution (which may contain an acid, an alkali, a complexing agent, a reducing agent, etc., if necessary) dissolved in a concentration of 0.001 to 10% by weight in an organic solvent Etc. In particular, when the electrical insulating layer (B2) is formed using the above-described curable composition containing an electrical insulating polymer having an Mw of 10,000 to 1,000,000, the catalyst before the above-described metal thin film layer is formed. Roughening in the adsorption process is highly suppressed, and the electrical insulating layer (B2) is not substantially roughened. Here, it is preferable that the surface average roughness Ra of the electrically insulating layer (B2) on which the catalyst is adsorbed is 0.1 nm to 400 nm.

無電解めっき法に用いる無電解めっき液としては、公知の自己触媒型の無電解めっき液を用いれば良い。例えば、次亜リン酸アンモニウム又は次亜リン酸、水素化硼素アンモニウムやヒドラジン、ホルマリンなどを還元剤とする無電解銅めっき液、次亜リン酸ナトリウムを還元剤とする無電解ニッケル−リンめっき液、ジメチルアミンボランを還元剤とする無電解ニッケル−ホウ素めっき液、無電解パラジウムめっき液、次亜リン酸ナトリウムを還元剤とする無電解パラジウム−リンめっき液、無電解金めっき液、無電解銀めっき液、次亜リン酸ナトリウムを還元剤とする無電解ニッケル−コバルト−リンめっき液等の無電解めっき液を用いることができる。金属薄膜層を形成した後、基板表面を防錆剤と接触させて防錆処理をすることもできる。   As the electroless plating solution used in the electroless plating method, a known autocatalytic electroless plating solution may be used. For example, electroless copper plating solution using ammonium hypophosphite or hypophosphorous acid, ammonium borohydride, hydrazine, formalin, etc. as a reducing agent, electroless nickel-phosphorous plating solution using sodium hypophosphite as a reducing agent Electroless nickel-boron plating solution with dimethylamine borane as reducing agent, electroless palladium plating solution, electroless palladium-phosphorous plating solution with sodium hypophosphite as reducing agent, electroless gold plating solution, electroless silver An electroless plating solution such as an electroless nickel-cobalt-phosphorous plating solution containing sodium hypophosphite as a reducing agent can be used. After the metal thin film layer is formed, the substrate surface can be brought into contact with a rust preventive agent for rust prevention treatment.

また、本発明においては、金属薄膜層を形成した後、密着性向上などのため、当該金属薄膜層を通常50〜350℃、好ましくは80〜250℃に加熱することができる。加熱は常圧で行っても、加圧条件下で行っても良い。加圧条件下で加熱する場合、圧力を加える方法として、例えば、熱プレス機、加圧加熱ロール機などで基板に対して物理的に圧力を加える方法が挙げられる。加える圧力は、好ましくは0.1MPa〜20MPa、より好ましくは0.5MPa〜10MPaである。加熱は、好ましくは50〜350℃、より好ましくは80〜250℃である。この範囲であれば、金属薄膜と電気絶縁層(B2)との高い密着性が確保できる。   Moreover, in this invention, after forming a metal thin film layer, the said metal thin film layer can be normally heated to 50-350 degreeC, Preferably it is 80-250 degreeC for adhesiveness improvement. Heating may be performed under normal pressure or under pressurized conditions. In the case of heating under pressure, examples of a method for applying pressure include a method for physically applying pressure to the substrate with a hot press machine, a pressure heating roll machine, or the like. The pressure to be applied is preferably 0.1 MPa to 20 MPa, more preferably 0.5 MPa to 10 MPa. The heating is preferably 50 to 350 ° C, more preferably 80 to 250 ° C. If it is this range, the high adhesiveness of a metal thin film and an electrical-insulation layer (B2) is securable.

上記により形成された金属薄膜層の上に、例えば、常法に従って、パターン状にめっきレジストを形成させ、次いで電解めっき等の湿式めっきにより、めっきレジストに覆われていない金属薄膜層部分に電解めっきを成長させる。その後、めっきレジストを除去し、更にめっきレジスト下にあった金属薄膜層部分をエッチングして導体層(A2)を形成する。このように、導体層(A2)は、通常、金属薄膜層と、その上に成長させためっきとからなる。
このようにして得られた多層基板を内層基板として用い、更なる多層化も可能である。
On the metal thin film layer formed as described above, for example, a plating resist is formed in a pattern according to a conventional method, and then electroplating is performed on the metal thin film layer portion not covered with the plating resist by wet plating such as electrolytic plating. Grow. Thereafter, the plating resist is removed, and the metal thin film layer portion under the plating resist is etched to form a conductor layer (A2). Thus, the conductor layer (A2) is usually composed of a metal thin film layer and plating grown thereon.
The multilayer substrate thus obtained can be used as an inner layer substrate to further increase the number of layers.

本発明方法によって得られる多層回路基板は、コンピューターや携帯電話等の電子機器において、CPUやメモリなどの半導体素子、その他の実装部品を実装するためのプリント配線板として有用である。特に、微細配線を有するものは、高密度プリント配線基板として、高速コンピューターや、高周波領域で使用する携帯端末の配線基板として好適である。   The multilayer circuit board obtained by the method of the present invention is useful as a printed wiring board for mounting a semiconductor element such as a CPU and a memory and other mounting parts in an electronic device such as a computer or a mobile phone. In particular, those having fine wiring are suitable as high-density printed wiring boards, high-speed computers, and wiring boards for portable terminals used in the high-frequency region.

以下に、製造例、実施例及び比較例を挙げて本発明を具体的に説明する。なお、以下において「部」は、特に断りのない限り質量基準である。また、試験、評価は下記によった。
(1)重量平均分子量(Mw)、数平均分子量(Mn)
トルエンまたはテトラヒドロフランを溶剤とするゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー(GPC)によるポリスチレン換算値として測定した。
(2)水素化率及び無水マレイン酸残基含有率
水素添加前の重合体中の不飽和結合のモル数に対する水素添加率、及び重合体中の総単量体単位数に対する無水マレイン酸残基のモル数の割合は1H−NMRスペクトルにより測定した。
(3)重合体のガラス転移温度(Tg)
JIS K7121:1987に準じ、示差走査熱量法(DSC法)により昇温速度=5℃/分で測定した。
(4)デスミア耐性
ビアホール付き回路基板を過マンガン酸濃度60g/リットル、水酸化ナトリウム濃度28g/リットルに調整した80℃の水溶液に15分間浸漬してデスミア処理を行った。回路基板のビアホールを光学顕微鏡で観察し、デスミア処理前と比較して変化の無いものを○、クラック(ひび割れ)を生じたものを×として評価した。
The present invention will be specifically described below with reference to production examples, examples and comparative examples. In the following, “part” is based on mass unless otherwise specified. The test and evaluation were as follows.
(1) Weight average molecular weight (Mw), number average molecular weight (Mn)
It was measured as a polystyrene conversion value by gel permeation chromatography (GPC) using toluene or tetrahydrofuran as a solvent.
(2) Hydrogenation rate and maleic anhydride residue content Hydrogenation rate relative to the number of moles of unsaturated bonds in the polymer before hydrogenation, and maleic anhydride residue relative to the total number of monomer units in the polymer The mole ratio of was measured by 1 H-NMR spectrum.
(3) Glass transition temperature (Tg) of the polymer
In accordance with JIS K7121: 1987, the temperature was increased by a differential scanning calorimetry (DSC method) at a heating rate of 5 ° C./min.
(4) Resistance to desmear A desmear treatment was performed by immersing the circuit board with via holes in an aqueous solution at 80 ° C. adjusted to a permanganate concentration of 60 g / liter and a sodium hydroxide concentration of 28 g / liter for 15 minutes. The via hole of the circuit board was observed with an optical microscope, and the case where there was no change compared with that before the desmear treatment was evaluated as ○, and the case where a crack (crack) occurred was evaluated as ×.

(5)難燃性
評価用の多層回路基板の導体が無い部分を、幅13mm、長さ130mmの短冊状に切断して試験片を作製した。メタンガスを管の口径9.5mm、管の長さ100mmのブンゼンバーナーにて燃焼させて高さ19mmの炎に調整して、得られた試験片に着火するまで近づけていった。着火後直ちに炎を外し、試験片が燃焼している時間を計測した。試験片が消炎後、直ちに再度試験片に着火するまで炎の近づけた。二度目の着火後も直ちに炎を外し、試験片が燃焼している時間を計測した。試験片の一度目の燃焼時間と二度目の燃焼時間の合計が5秒以内のものを○、5秒を超え10秒以内のものを△、10秒を超えるものを×として評価した。
(6)パターニング性
電気絶縁層上に配線幅20μm、配線間距離20μmで配線長が10cmである20本の配線パターンを形成し、20本がいずれも形状に乱れの無いものを○、形状に乱れがあるが欠損の無いものを△、欠損のあるものを×として評価した。
(5) Flame retardance A portion of the multilayer circuit board for evaluation without a conductor was cut into a strip having a width of 13 mm and a length of 130 mm to prepare a test piece. Methane gas was burned with a Bunsen burner having a tube diameter of 9.5 mm and a tube length of 100 mm, adjusted to a flame with a height of 19 mm, and approached until the obtained specimen was ignited. The flame was removed immediately after ignition and the time during which the test piece was burning was measured. Immediately after the test piece was extinguished, the flame was brought closer until it ignited again. The flame was immediately removed after the second ignition, and the time during which the test piece was burning was measured. When the total of the first burning time and the second burning time of the test piece was within 5 seconds, the test piece was evaluated as “◯”, the case where it exceeded 5 seconds and within 10 seconds, and the case where it exceeded 10 seconds were evaluated as “X”.
(6) Patternability Twenty wiring patterns having a wiring width of 20 μm, a wiring distance of 20 μm, and a wiring length of 10 cm are formed on the electrical insulating layer. The evaluation was evaluated as △ for those with turbulence but no defects, and X for those with defects.

(製造例1:熱硬化性樹脂組成物b1)
8−エチル−テトラシクロ〔4.4.0.12,5.17,10〕ドデカ−3−エンを開環重合し、次いで水素添加反応を行ってMw55,800、Mn31,200、Tg約140℃の水素化重合体を得た。得られた水素化重合体の水素化率は99%以上であった。
この水素化重合体100部、無水マレイン酸40部及びジクミルパーオキシド5部をt−ブチルベンゼン250部に溶解し、140℃で6時間反応した。反応生成物溶液を1000部のイソプロピルアルコール中に注いで反応生成物を凝固させ、得られた固形分を100℃で20時間真空乾燥して、マレイン酸変性水素化脂環式オレフィン重合体を得た。
このマレイン酸変性水素化脂環式オレフィン重合体のMwは68,300、Mnは33,200、Tgは170℃であった。マレイン酸基含有率は25モル%であった。
(Production Example 1: Thermosetting resin composition b1)
8-ethyl-tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene was subjected to ring-opening polymerization, and then hydrogenation reaction was performed to obtain a hydrogenated polymer having Mw 55,800, Mn 31,200, and Tg of about 140 ° C. The hydrogenation rate of the obtained hydrogenated polymer was 99% or more.
100 parts of this hydrogenated polymer, 40 parts of maleic anhydride and 5 parts of dicumyl peroxide were dissolved in 250 parts of t-butylbenzene and reacted at 140 ° C. for 6 hours. The reaction product solution is poured into 1000 parts of isopropyl alcohol to solidify the reaction product, and the resulting solid is vacuum dried at 100 ° C. for 20 hours to obtain a maleic acid-modified hydrogenated alicyclic olefin polymer. It was.
The maleic acid-modified hydrogenated alicyclic olefin polymer had Mw of 68,300, Mn of 33,200, and Tg of 170 ° C. The maleic acid group content was 25 mol%.

乾燥キシレン76部及び乾燥シクロペンタノン19部を混合してなる有機溶剤に、水酸化マグネシウム(タテホ化学工業社製、エコーマグZ−10)を100部、チタネート系カップリング剤(KR−138S、味の素ファインテクノ社製)5部、及び、直径1mmのジルコニアビーズ171部をジルコニア製ポットに充填し、媒体遊星ミル(P−5、フリッチュ社製)で、遠心加速度5G〔ディスク回転数(公転速度)200rpm、ポット回転数(自転速度)434rpm〕、攪拌時間5分間にて解砕を行い、難燃剤スラリーを得た。難燃剤スラリーを乾燥して走査型電子顕微鏡で観察したところ、一次粒子の平均粒径は1.0μmであった。   To an organic solvent obtained by mixing 76 parts of dry xylene and 19 parts of dry cyclopentanone, 100 parts of magnesium hydroxide (manufactured by Tateho Chemical Industries, Echo Mag Z-10), titanate coupling agent (KR-138S, Ajinomoto) 5 parts of fine techno) and 171 parts of zirconia beads having a diameter of 1 mm are filled in a zirconia pot, and the centrifugal acceleration is 5 G [disk rotation speed (revolution speed) with a medium planetary mill (P-5, manufactured by Fritsch). 200 rpm, pot rotation speed (autorotation speed) 434 rpm], and stirring was performed for 5 minutes to obtain a flame retardant slurry. When the flame retardant slurry was dried and observed with a scanning electron microscope, the average particle size of the primary particles was 1.0 μm.

電気絶縁性重合体として前記マレイン酸変性水素化脂環式オレフィン重合体100部、硬化剤としてビスフェノールAビス(プロピレングリコールグリシジルエーテル)エーテル40部、硬化促進剤として1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール0.1部、レーザー加工性向上剤として2−[2−ヒドロキシ−3,5−ビス(α,α−ジメチルベンジル)フェニル]ベンゾトリアゾール5部、老化防止剤としてトリス(3,5−ジ-t-ブチル−4−ヒドロキシベンジル)−イソシアヌレート1部、並びに、前記難燃剤スラリー150部をキシレン124.9部及びシクロペンタノン31.2部を混合してなる有機溶剤に溶解させ、遊星式攪拌機にて分散混合して熱硬化性スラリーを得た。   100 parts of the maleic acid-modified hydrogenated alicyclic olefin polymer as an electrically insulating polymer, 40 parts of bisphenol A bis (propylene glycol glycidyl ether) ether as a curing agent, and 1-benzyl-2-phenylimidazole as a curing accelerator 1 part, 5 parts 2- [2-hydroxy-3,5-bis (α, α-dimethylbenzyl) phenyl] benzotriazole as a laser processability improver, Tris (3,5-di-t as an anti-aging agent -Butyl-4-hydroxybenzyl) -isocyanurate and 150 parts of the flame retardant slurry were dissolved in an organic solvent obtained by mixing 124.9 parts of xylene and 31.2 parts of cyclopentanone, and a planetary stirrer To obtain a thermosetting slurry.

熱硬化性スラリーを、ダイコーターを用いて300mm四方の厚さ75μmのポリエチレンナフタレートフィルムに塗工し、その後、窒素オーブンにて80℃で10分間乾燥し、厚さが40μmである支持体付きのフィルム状の熱硬化性樹脂組成物b1を得た。   The thermosetting slurry is applied to a polyethylene naphthalate film with a thickness of 300 μm and a thickness of 75 μm using a die coater, and then dried in a nitrogen oven at 80 ° C. for 10 minutes, with a support having a thickness of 40 μm. A film-like thermosetting resin composition b1 was obtained.

(製造例2:熱硬化性樹脂組成物b2)
8−エチル−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3−エンを開環重合し、次いで水素添加反応を行い、数平均分子量(Mn)=31,200、重量平均分子量(Mw)=55,800、Tg=140℃の水素化重合体を得た。得られた水素化重合体の水素化率は99%以上であった。
この水素化重合体100部および無水マレイン酸55部をシクロヘキサン233部に溶解した。135℃に昇温した後、ジクミルパーオキシド5.5部をシクロヘキサノン105部に溶解した溶液を2時間で滴下し、さらにその温度で3時間反応を行った。得られた反応生成物溶液をシクロヘキサノン42部、トルエン362部で希釈した後、2768部のイソプロピルアルコール中に注ぎ、反応生成物を凝固させ、得られた固形分を100℃で20時間真空乾燥して、マレイン酸変性水素化重合体を得た。このマレイン酸変性水素化重合体の分子量は、Mn=29,000、Mw=76,000で、Tgは170℃であった。マレイン酸基含有率は29モル%であった。
(Production Example 2: Thermosetting resin composition b2)
8-ethyl-tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene is subjected to ring-opening polymerization, followed by hydrogenation reaction, and number average molecular weight (Mn) = 31,200, weight average molecular weight (Mw) = 55,800, Tg = 140 ° C. A hydrogenated polymer was obtained. The hydrogenation rate of the obtained hydrogenated polymer was 99% or more.
100 parts of this hydrogenated polymer and 55 parts of maleic anhydride were dissolved in 233 parts of cyclohexane. After raising the temperature to 135 ° C., a solution prepared by dissolving 5.5 parts of dicumyl peroxide in 105 parts of cyclohexanone was added dropwise over 2 hours, and the reaction was further performed at that temperature for 3 hours. The resulting reaction product solution was diluted with 42 parts of cyclohexanone and 362 parts of toluene and then poured into 2768 parts of isopropyl alcohol to solidify the reaction product, and the resulting solid was vacuum dried at 100 ° C. for 20 hours. Thus, a maleic acid-modified hydrogenated polymer was obtained. The molecular weight of this maleic acid-modified hydrogenated polymer was Mn = 29,000, Mw = 76,000, and Tg was 170 ° C. The maleic acid group content was 29 mol%.

電気絶縁性重合体として、得られたマレイン酸変性水素化脂環式オレフィン重合体100部、分子内に2個以上の酸無水物基を有するカルボン酸無水物としてリカシッドTMTA−C(新日本理化社製)2部、多価エポキシ化合物としてビスフェノールF型エポキシ樹脂(EPICLON 830S、大日本インキ化学工業社製)26.5部、硬化促進剤として1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール0.1部、レーザ加工性向上剤として2−[2−ヒドロキシ−3,5−ビス(α,α−ジメチルベンジル)フェニル]ベンゾトリアゾール1部、老化防止剤としてトリス(3、5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)−イソシアヌレイト1部及び表面平均粗さ制御助剤として液状ポリブタジエン(Ricon156、サートマー社製)30部をキシレン337部及びシクロペンタノン145部からなる混合溶剤に溶解させ、遊星式攪拌機にて混合して硬化性樹脂組成物を得た。
得られた硬化性樹脂組成物をダイコーターを用いて300mm×300mmの厚さ75μmのポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗工し、その後、窒素オーブン中で80℃にて10分間乾燥し、厚さが3μmである支持体付きのフィルム状の熱硬化性樹脂組成物b2を得た。
As an electrically insulating polymer, 100 parts of the resulting maleic acid-modified hydrogenated alicyclic olefin polymer, Rikacid TMTA-C (New Nippon Rika as a carboxylic acid anhydride having two or more acid anhydride groups in the molecule) 2 parts), 26.5 parts of a bisphenol F type epoxy resin (EPICLON 830S, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.) as a polyvalent epoxy compound, 0.1 part of 1-benzyl-2-phenylimidazole as a curing accelerator, 1 part of 2- [2-hydroxy-3,5-bis (α, α-dimethylbenzyl) phenyl] benzotriazole as a laser processability improver and tris (3,5-di-t-butyl-4 as an anti-aging agent -Hydroxybenzyl) -isocyanurate 1 part and surface average roughness control aid liquid polybutadiene (Ricon 156, manufactured by Sartomer) 30 parts were dissolved in mixed solvent consisting of 337 parts of xylene and cyclopentanone 145 parts, to obtain a curable resin composition by mixing with a planetary stirrer.
The obtained curable resin composition was applied on a polyethylene terephthalate film having a thickness of 300 mm × 300 mm using a die coater and then dried in a nitrogen oven at 80 ° C. for 10 minutes, and the thickness was 3 μm. A film-like thermosetting resin composition b2 with a support was obtained.

(実施例1)
厚さ1.6mmの両面銅張り積層板(CCL−HL830、三菱ガス化学株式会社製、ガラスフィラー及びエポキシ樹脂を含有するワニスをガラスクロスに含浸させて得られたコア基板の両面に厚み18μmの銅箔が貼られたもの)を用意して、この両面銅張り基板を5%硫酸水溶液に25℃で1分間浸漬した後に純水で洗浄して内層基板(本発明でいう「表面に導体層を有する基板」に該当する。)を得た。次いで、2,4,6−トリメルカプト−s−トリアジンの0.1%イソプロピルアルコール溶液を調製し、この溶液に前述のコア基板を25℃で1分間浸漬した後、90℃で15分間、窒素置換されたオーブン中で乾燥させて内層基板上にプライマー層を形成させた。
(Example 1)
Double-sided copper-clad laminate having a thickness of 1.6 mm (CCL-HL830, manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc., 18 μm thick on both sides of a core substrate obtained by impregnating glass cloth with a varnish containing glass filler and epoxy resin) Prepare a copper foil affixed to the double-sided copper-clad substrate in a 5% sulfuric acid aqueous solution at 25 ° C. for 1 minute, and then wash with pure water. Corresponding to a substrate having Next, a 0.1% isopropyl alcohol solution of 2,4,6-trimercapto-s-triazine was prepared, and the above core substrate was immersed in this solution at 25 ° C. for 1 minute, and then at 90 ° C. for 15 minutes. The primer layer was formed on the inner layer substrate by drying in the replaced oven.

次いで、製造例1で得た支持体付きのフィルム状の熱硬化性樹脂組成物b1を、樹脂成形体面が内側となるようにして内層基板に重ね合わせた。これを、耐熱ゴム製プレス板を上下に備えた真空積層装置を用いて、200Paに減圧して、温度110℃、圧力1.0MPaで60秒間加熱圧着した(一次プレス)。次いで、金属製プレス板で覆われた耐熱ゴム製プレス板を上下に備えた真空積層装置を用いて、200Paに減圧して、温度140℃、圧力1.0MPaで60秒間加熱圧着した(二次プレス)。この後、ポリエチレンナフタレートフィルムのみを剥がし、熱硬化性樹脂組成物b1が積層された内層基板を得た。これを、窒素オーブン中に170℃で60分間放置して樹脂成形体層を硬化して、基板上に電気絶縁層B1を形成した。   Next, the film-like thermosetting resin composition b1 with a support obtained in Production Example 1 was superimposed on the inner layer substrate so that the surface of the resin molded body was on the inside. This was decompressed to 200 Pa using a vacuum laminator equipped with heat-resistant rubber press plates at the top and bottom, and thermocompression bonded at a temperature of 110 ° C. and a pressure of 1.0 MPa for 60 seconds (primary press). Next, the pressure was reduced to 200 Pa using a heat-resistant rubber press plate covered with a metal press plate at the top and bottom, and thermocompression bonded at a temperature of 140 ° C. and a pressure of 1.0 MPa for 60 seconds (secondary press). Thereafter, only the polyethylene naphthalate film was peeled off to obtain an inner layer substrate on which the thermosetting resin composition b1 was laminated. This was left in a nitrogen oven at 170 ° C. for 60 minutes to cure the resin molded body layer to form an electrical insulating layer B1 on the substrate.

電気絶縁層B1の表面に、製造例2で得た支持体付きのフィルム状の熱硬化性樹脂組成物b2を、樹脂成形体面が内側となるようにして内層基板に重ね合わせた。これを、耐熱ゴム製プレス板を上下に備えた真空積層装置を用いて、200Paに減圧して、温度110℃、圧力1.0MPaで60秒間加熱圧着した(一次プレス)。次いで、金属製プレス板で覆われた耐熱ゴム製プレス板を上下に備えた真空積層装置を用いて、200Paに減圧して、温度140℃、圧力1.0MPaで60秒間加熱圧着した(二次プレス)。この後、ポリエチレンナフタレートフィルムのみを剥がして、表面に樹脂成形体層を有する内層基板を得た。   On the surface of the electrical insulating layer B1, the film-like thermosetting resin composition b2 with a support obtained in Production Example 2 was overlaid on the inner layer substrate so that the resin molded body surface was on the inside. This was decompressed to 200 Pa using a vacuum laminator equipped with heat-resistant rubber press plates at the top and bottom, and thermocompression bonded at a temperature of 110 ° C. and a pressure of 1.0 MPa for 60 seconds (primary press). Next, the pressure was reduced to 200 Pa using a heat-resistant rubber press plate covered with a metal press plate at the top and bottom, and thermocompression bonded at a temperature of 140 ° C. and a pressure of 1.0 MPa for 60 seconds (secondary press). Thereafter, only the polyethylene naphthalate film was peeled off to obtain an inner layer substrate having a resin molded body layer on the surface.

次いで、この表面に樹脂成形体層を有する内層基板を、1−(2−アミノエチル)−2−メチルイミダゾールの1.0%水溶液に30℃で10分間浸漬し、次いで25℃の水に1分間浸漬した後、エアーナイフにより余分な溶液を除去した。これを窒素オーブン中に60℃で30分間、170℃で60分間放置して樹脂成形体層を乾燥・硬化して、内層基板の表面に、第一の電気絶縁層(B1)および第二の電気絶縁層(B2)が積層された回路基板を得た。   Next, the inner layer substrate having the resin molded body layer on the surface is immersed in a 1.0% aqueous solution of 1- (2-aminoethyl) -2-methylimidazole at 30 ° C. for 10 minutes, and then 1 in 25 ° C. water. After dipping for a minute, the excess solution was removed with an air knife. This is left in a nitrogen oven at 60 ° C. for 30 minutes and 170 ° C. for 60 minutes to dry and cure the resin molded body layer, and on the surface of the inner substrate, the first electrical insulating layer (B1) and the second A circuit board on which the electrical insulating layer (B2) was laminated was obtained.

得られた回路基板の電気絶縁層部分に、炭酸ガスレーザを用いて、出力0.9W、バーストモードの条件で直径65μmの層間接続のビアホールを形成した。次いで、得られたビアホール付き回路基板を過マンガン酸濃度60g/リットル、水酸化ナトリウム濃度28g/リットルに調整した80℃の水溶液に15分間浸漬してデスミア処理を行った。
次いで、回路基板を水槽に1分間浸漬することを2回繰り返し、更に別の25℃の水槽中で超音波洗浄を2分間行った後、硫酸ヒドロキシルアミン濃度45g/リットルの25℃の水溶液に5分間浸漬して中和還元処理をし、次いで、回路基板を水槽に1分間浸漬することを2回繰り返して水洗した。
水洗後の回路基板をプリディップ溶液〔(製品名「スルカップPED−104」、上村工業社製)270g/リットル〕に25℃で1分間浸漬した後、スズ−パラジウムコロイド含有めっき触媒液〔(製品名「スルカップPED−104」、上村工業社製)270g/リットル及び(製品名「スルカップPED−105」、上村工業社製)30ml/リットルの混合液〕に30℃で8分間浸漬した。次いで、前記と同じ方法で回路基板を水洗した後、触媒活性化液〔(製品名「スルカップAL−106」、上村工業社製商品名)100ml/リットル〕に25℃で、3分間浸漬し、めっき触媒を活性化処理した。次いで、前記と同じ方法で回路基板を水洗した。
こうして調整された回路基板を無電解銅めっき液〔(製品名「スルカップPSY―1A」、上村工業社製)100ml/リットル、(製品名「スルカップPSY―1B」、上村工業社製)40ml/リットル及びホルマリン0.2mol/L〕に空気を吹き込みながら、温度36℃で5分間浸漬して無電解銅めっき処理して回路基板表面に導体層を形成した。次いで、防錆溶液〔製品名「AT−21」、上村工業社製)10ml/リットル〕に室温で1分間浸漬し、更に前記と同じ方法で水洗した後、乾燥し防錆処理を施した。
An interlayer connection via hole having a diameter of 65 μm was formed in the electric insulating layer portion of the obtained circuit board using a carbon dioxide gas laser under the conditions of an output of 0.9 W and a burst mode. Next, the obtained circuit board with a via hole was immersed in an 80 ° C. aqueous solution adjusted to a permanganate concentration of 60 g / liter and a sodium hydroxide concentration of 28 g / liter for 15 minutes for desmear treatment.
Then, the circuit board is immersed twice in a water bath twice, and further subjected to ultrasonic cleaning in another water bath at 25 ° C. for 2 minutes, and then added to a 25 ° C. aqueous solution having a hydroxylamine sulfate concentration of 45 g / liter. The substrate was neutralized and reduced by immersion for 1 minute, and then the circuit board was immersed in a water bath for 1 minute twice and washed with water.
The circuit board after washing with water was immersed in a pre-dip solution [(product name “Sulcup PED-104”, manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.) 270 g / liter] at 25 ° C. for 1 minute, and then a tin-palladium colloid-containing plating catalyst solution [(product It was immersed for 8 minutes at 30 ° C. in a mixture of 270 g / liter (name “Sulcup PED-104”, manufactured by Uemura Kogyo) and 30 ml / liter (product name “Sulcup PED-105”, manufactured by Uemura Kogyo)). Next, the circuit board was washed with water in the same manner as described above, and then immersed in a catalyst activation solution [(product name “Sulcup AL-106”, trade name, manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.) 100 ml / liter] at 25 ° C. for 3 minutes, The plating catalyst was activated. Subsequently, the circuit board was washed with water by the same method as described above.
An electroless copper plating solution (product name “Sulcup PSY-1A”, manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.) 100 ml / liter, (product name “Sulcup PSY-1B”, manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.) 40 ml / liter And while blowing air into formalin 0.2 mol / L], it was immersed at a temperature of 36 ° C. for 5 minutes and subjected to electroless copper plating to form a conductor layer on the circuit board surface. Subsequently, it was immersed in a rust-preventing solution [product name “AT-21”, manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd., 10 ml / liter] at room temperature for 1 minute, further washed with water in the same manner as described above, dried and subjected to a rust-proofing treatment.

この防錆処理した回路基板に、市販の感光性レジストのドライフィルムを熱圧着して貼り付け、次いで、このドライフィルム上に評価用パターンのマスクを密着させ露光した後、現像してレジストパターンを得た。次に、硫酸50ml/リットルの水溶液に25℃で1分間浸漬させて防錆剤を除去し、レジスト非形成部分に電解銅めっきによる厚さ18μmの電解銅めっき膜を形成させた。その後、回路基板上のレジストパターンを、剥離液を用いて除去し、塩化第二銅と塩酸混合溶液によりエッチング処理を行った。次いで当該回路基板を170℃で30分間加熱処理することにより、回路基板上に前記金属薄膜及び電解銅めっき膜からなる導体層を形成した両面2層の配線パターン付き多層回路基板を得た。評価結果を表1に示す。   A dry film of a commercially available photosensitive resist is attached to the rust-proof circuit board by thermocompression bonding, and then a mask for an evaluation pattern is adhered to the dry film for exposure, and then developed to develop a resist pattern. Obtained. Next, it was immersed in an aqueous solution of 50 ml / liter of sulfuric acid at 25 ° C. for 1 minute to remove the rust preventive, and an electrolytic copper plating film having a thickness of 18 μm was formed on the resist non-formed portion by electrolytic copper plating. Thereafter, the resist pattern on the circuit board was removed using a stripping solution, and an etching process was performed with a mixed solution of cupric chloride and hydrochloric acid. Next, the circuit board was heat-treated at 170 ° C. for 30 minutes to obtain a multilayer circuit board with a wiring pattern having two layers on both sides in which a conductor layer composed of the metal thin film and the electrolytic copper plating film was formed on the circuit board. The evaluation results are shown in Table 1.

Figure 2008182146
Figure 2008182146

(実施例2)
熱硬化性樹脂組成物b1に代えて、ビルドアップ配線用フィルム(味の素ファインテクノ社製 ABF−45H)を用いた外は、実施例1と同様にして多層回路基板を得た。評価結果を表1に示す。
(Example 2)
A multilayer circuit board was obtained in the same manner as in Example 1 except that the film for buildup wiring (ABF-45H manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd.) was used instead of the thermosetting resin composition b1. The evaluation results are shown in Table 1.

(比較例1)
厚さをに変えた外は製造例2と同様にして、厚さが10μmである支持体付きのフィルム状の熱硬化性樹脂組成物b2を得た。この厚さが10μmである支持体付きのフィルム状の熱硬化性樹脂組成物b2を用いた外は、実施例1と同様にして多層回路基板を得た。評価結果を表1に示す。
(Comparative Example 1)
A film-like thermosetting resin composition b2 with a support having a thickness of 10 μm was obtained in the same manner as in Production Example 2 except that the thickness was changed. A multilayer circuit board was obtained in the same manner as in Example 1 except that the film-like thermosetting resin composition b2 with a support having a thickness of 10 μm was used. The evaluation results are shown in Table 1.

(比較例2)
熱硬化性樹脂組成物b1が積層された内層基板を硬化前に、1−(2−アミノエチル)−2−メチルイミダゾールの1.0%水溶液に30℃で10分間浸漬し、次いで25℃の水に1分間浸漬した後、エアーナイフにより余分な溶液を除去し、次いで窒素オーブン中に60℃で30分間乾燥させたこと、および、電気絶縁層(B2)を積層しなかった外は、実施例1と同様にして多層回路基板を得た。評価結果を表1に示す。
(Comparative Example 2)
Before curing the inner layer substrate on which the thermosetting resin composition b1 is laminated, it is immersed in a 1.0% aqueous solution of 1- (2-aminoethyl) -2-methylimidazole at 30 ° C. for 10 minutes, and then at 25 ° C. After immersing in water for 1 minute, the excess solution was removed with an air knife, then dried in a nitrogen oven at 60 ° C. for 30 minutes, and the electrical insulation layer (B2) was not laminated. A multilayer circuit board was obtained in the same manner as in Example 1. The evaluation results are shown in Table 1.

(比較例3)
1−(2−アミノエチル)−2−メチルイミダゾールの1.0%水溶液への浸漬を行わなかった外は、実施例1と同様にして多層回路基板を得た。評価結果を表1に示す。
(Comparative Example 3)
A multilayer circuit board was obtained in the same manner as in Example 1, except that 1- (2-aminoethyl) -2-methylimidazole was not immersed in a 1.0% aqueous solution. The evaluation results are shown in Table 1.

表1に示した結果によると本発明の多層回路基板はデスミア耐性、難燃性に優れ、ファインパターン形成も可能であった。これに対して、難燃剤を含有する電気絶縁層(B1)の厚さに対する難燃剤を含有しない電気絶縁層(B2)の厚さが本発明の範囲よりも厚い比較例1は、デスミアにおいてクラックを生じた。また、電気絶縁層(B2)を有しない比較例2は、ファインパターンが形成出来なかった。さらに、金属に配位可能な構造を有する化合物と接触させなかった比較例3は、ファインパターンが形成出来なかった。   According to the results shown in Table 1, the multilayer circuit board of the present invention was excellent in desmear resistance and flame retardancy, and a fine pattern could be formed. On the other hand, Comparative Example 1 in which the thickness of the electrical insulating layer (B2) not containing the flame retardant with respect to the thickness of the electrical insulating layer (B1) containing the flame retardant is thicker than the range of the present invention is a crack in desmear. Produced. Further, in Comparative Example 2 having no electrical insulating layer (B2), a fine pattern could not be formed. Furthermore, the fine pattern was not able to be formed in the comparative example 3 which was not made to contact with the compound which has a structure which can be coordinated to a metal.

Claims (8)

内層基板の表面に、第一の導体層(A1)、第一の電気絶縁層(B1)、第二の電気絶縁層(B2)および第二の導体層(A2)がこの順で積層されてなる多層回路基板であって、
前記電気絶縁層(B1)は、電気絶縁性重合体1、硬化剤1、およびフィラーを含有する熱硬化性樹脂組成物(b1)を硬化させた絶縁層であり、
前記電気絶縁層(B2)は、フィラーを実質的に含有せず、電気絶縁性重合体2、および硬化剤2を含有する熱硬化性樹脂組成物(b2)を、金属に配位可能な構造を有する化合物と接触させた後、硬化してなるものであり、かつ、
前記電気絶縁層(B2)の厚さが前記電気絶縁層(B1)の厚さの1/5〜1/50である
ことを特徴とする多層回路基板。
A first conductor layer (A1), a first electrical insulation layer (B1), a second electrical insulation layer (B2), and a second conductor layer (A2) are laminated in this order on the surface of the inner layer substrate. A multilayer circuit board comprising:
The electrical insulation layer (B1) is an insulation layer obtained by curing a thermosetting resin composition (b1) containing an electrical insulation polymer 1, a curing agent 1, and a filler,
The electrical insulating layer (B2) is substantially free of filler and has a structure capable of coordinating the thermosetting resin composition (b2) containing the electrical insulating polymer 2 and the curing agent 2 to the metal. And is cured after contacting with a compound having
The multilayer circuit board according to claim 1, wherein a thickness of the electrical insulation layer (B2) is 1/5 to 1/50 of a thickness of the electrical insulation layer (B1).
前記電気絶縁性重合体2が、カルボキシル基または酸無水物基を有し、かつ、硬化剤2が多価エポキシ化合物であることを特徴とする請求項1に記載の多層回路基板。   The multilayer circuit board according to claim 1, wherein the electrically insulating polymer 2 has a carboxyl group or an acid anhydride group, and the curing agent 2 is a polyvalent epoxy compound. 前記熱硬化性樹脂組成物(b2)が、さらに分子内に2個以上の酸無水物基を有するカルボン酸無水物を含有することを特徴とする請求項2に記載の多層回路基板。   The multilayer circuit board according to claim 2, wherein the thermosetting resin composition (b2) further contains a carboxylic acid anhydride having two or more acid anhydride groups in the molecule. 前記フィラーが、難燃剤であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の多層回路基板。   The multilayer circuit board according to any one of claims 1 to 3, wherein the filler is a flame retardant. 内層基板の表面に、第一の導体層(A1)、第一の電気絶縁層(B1)、第二の電気絶縁層(B2)および第二の導体層(A2)がこの順で積層されてなる多層回路基板の製造方法であって、次の工程(1)〜(8)を含むことを特徴とする多層回路基板の製造方法:
(1)第一の導体層(A1)を有する内層基板の表面に、電気絶縁性重合体1、硬化剤1、およびフィラーを含有する熱硬化性樹脂組成物(b1)を未硬化または半硬化の状態で積層する工程;
(2)前記熱硬化性樹脂組成物(b1)を硬化することにより、第一の電気絶縁層(B1)を形成する工程;
(3)前記第一の電気絶縁層(B1)の表面に、フィラーを実質的に含有せず、電気絶縁性重合体2、および硬化剤2を含有する熱硬化性樹脂組成物(b2)を未硬化または半硬化の状態で、かつ、前記電気絶縁層(B1)の厚さの1/5〜1/50の厚さで積層する工程;
(4)前記熱硬化性樹脂組成物(b2)の表面と、金属に配位可能な構造を有する化合物とを、接触させる工程;
(5)次いで、前記熱硬化性樹脂組成物(b2)を硬化することにより、第二の電気絶縁層(B2)を形成する工程;
(6)前記第二の電気絶縁層(B2)の表面に、金属薄膜層を形成する工程;
(7)前記金属薄膜層を含む第二の導体層(A2)を形成する工程。
A first conductor layer (A1), a first electrical insulation layer (B1), a second electrical insulation layer (B2), and a second conductor layer (A2) are laminated in this order on the surface of the inner layer substrate. A multilayer circuit board manufacturing method comprising the following steps (1) to (8):
(1) The thermosetting resin composition (b1) containing the electrically insulating polymer 1, the curing agent 1, and the filler is uncured or semi-cured on the surface of the inner layer substrate having the first conductor layer (A1). Laminating in the state of;
(2) A step of forming the first electrical insulating layer (B1) by curing the thermosetting resin composition (b1);
(3) A thermosetting resin composition (b2) containing substantially no filler and containing the electrically insulating polymer 2 and the curing agent 2 on the surface of the first electrically insulating layer (B1). Laminating in an uncured or semi-cured state and at a thickness of 1/5 to 1/50 of the thickness of the electrical insulating layer (B1);
(4) A step of bringing the surface of the thermosetting resin composition (b2) into contact with a compound having a structure capable of coordinating with a metal;
(5) Next, the step of forming the second electrically insulating layer (B2) by curing the thermosetting resin composition (b2);
(6) forming a metal thin film layer on the surface of the second electrical insulating layer (B2);
(7) A step of forming a second conductor layer (A2) including the metal thin film layer.
前記電気絶縁性重合体2が、カルボキシル基または酸無水物基を有し、かつ、硬化剤2が多価エポキシ化合物であることを特徴とする請求項5に記載の多層回路基板の製造方法。   The method for producing a multilayer circuit board according to claim 5, wherein the electrically insulating polymer 2 has a carboxyl group or an acid anhydride group, and the curing agent 2 is a polyvalent epoxy compound. 前記熱硬化性樹脂組成物(b2)が、さらに分子内に2個以上の酸無水物基を有するカルボン酸無水物を含有することを特徴とする請求項6に記載の多層回路基板の製造方法。   The method for producing a multilayer circuit board according to claim 6, wherein the thermosetting resin composition (b2) further contains a carboxylic acid anhydride having two or more acid anhydride groups in the molecule. . 前記フィラーが、難燃剤であることを特徴とする請求項5乃至7のいずれか1項に記載の多層回路基板の製造方法。   The method for manufacturing a multilayer circuit board according to any one of claims 5 to 7, wherein the filler is a flame retardant.
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