JPWO2009038177A1 - Curable resin composition and use thereof - Google Patents

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陽介 藤戸
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Abstract

本発明は、高周波数領域で使用される多層回路基板の電気絶縁層を形成した場合に、比誘電率の低い電気絶縁層を形成しうる硬化性樹脂組成物を提供することを目的としている。本発明の硬化性樹脂組成物は、脂環式オレフィン重合体、硬化剤、及び多孔質シリカ凝集粒子を含む硬化性樹脂組成物であり、該多孔質シリカ凝集粒子が、1nm以上の格子面間隔(d)に対応する回折角(2θ/°)の範囲に1つ以上の回折線を有するX線回折パターンを示す多孔質シリカ球状一次粒子を、これらの多孔質シリカ球状一次粒子間に空隙層を形成するように集合してなる多孔質シリカ凝集粒子であることを特徴としている。An object of the present invention is to provide a curable resin composition capable of forming an electrical insulation layer having a low relative dielectric constant when an electrical insulation layer of a multilayer circuit board used in a high frequency region is formed. The curable resin composition of the present invention is a curable resin composition containing an alicyclic olefin polymer, a curing agent, and porous silica aggregated particles, and the porous silica aggregated particles have a lattice spacing of 1 nm or more. Porous silica spherical primary particles exhibiting an X-ray diffraction pattern having one or more diffraction lines in the range of the diffraction angle (2θ / °) corresponding to (d), and a void layer between these porous silica spherical primary particles It is characterized by being porous silica aggregated particles aggregated so as to form.

Description

本発明は硬化性樹脂組成物および該組成物により形成される電気絶縁層を有する多層回路基板等に関する。   The present invention relates to a curable resin composition and a multilayer circuit board having an electrically insulating layer formed from the composition.

最近の半導体回路の微細化および高多層化、スルーバイアホールやブラインドバイアホール等の小径化、ならびに小型チップ部品の表面実装などによる回路基板の高密度化に伴い、電子機器の小型軽量化、高性能化、および多機能化が進んでいる。こうした高密度実装基板の一つである多層回路基板は、導電体回路と電気絶縁層とが交互に積み上げられた積層体である。導電体回路(配線層)上に電気絶縁層を積み上げる方法としては、表面に導電体回路を有する基板(以下、「基板」ということがある)に、電気絶縁性樹脂のフィルム状又はシート状成形物を重ね、加熱及び加圧することによって積層する方法が一般的である。   With the recent miniaturization of semiconductor circuits and the increase in the number of layers, through via holes, blind via holes, etc., and the increased density of circuit boards due to the surface mounting of small chip components, electronic devices have become smaller and lighter and higher in size. Performance and multifunction are progressing. A multilayer circuit board, which is one of such high-density mounting boards, is a laminated body in which conductor circuits and electrical insulating layers are alternately stacked. As a method of stacking an electrical insulation layer on a conductor circuit (wiring layer), a film or sheet-like molding of an electrically insulating resin is performed on a substrate having a conductor circuit on the surface (hereinafter sometimes referred to as “substrate”). The method of laminating | stacking by stacking | stacking an object and heating and pressurizing is common.

しかしながら、電子部品の高密度化が進むにつれて、電気信号の遅延などによって電気的性能が確保できない状況にまで高速化が進展してきているため、電気信号の劣化防止が、高速伝送化のための課題となっている。電気信号の劣化は、導体からの電気信号の損失および誘電体からの電気信号の損失の和となる。例えば多層回路基板においては、特に電気絶縁層を構成する誘電体からの電気信号の損失は、電気信号の周波数の増大に伴い、顕著に増加し、GHz帯の周波数においては、電気信号が劣化する主要因となっている。そのため、多層回路基板などの電子デバイスの電気絶縁層の材料として、一般に使用されているエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等では、比誘電率、誘電正接の電気特性が不十分であり、電気信号の高速伝送化に対応することが困難となる場合がある。  However, as the density of electronic components has increased, the speed has increased to the point where electrical performance cannot be ensured due to delays in the electrical signal. It has become. The deterioration of the electric signal is the sum of the loss of the electric signal from the conductor and the loss of the electric signal from the dielectric. For example, in a multilayer circuit board, the loss of an electric signal from a dielectric that constitutes an electric insulating layer increases remarkably with an increase in the frequency of the electric signal, and the electric signal deteriorates at a frequency in the GHz band. It is the main factor. For this reason, generally used epoxy resin, polyimide resin, etc. as materials for the electrical insulation layer of electronic devices such as multilayer circuit boards have insufficient electrical properties such as dielectric constant and dielectric loss tangent, and high-speed transmission of electrical signals. In some cases, it may be difficult to cope with the process.

そこで、誘電特性に優れ、電子機器において、半導体素子やその他の実装部品を実装するための配線板用の材料としてポリノルボルネン系樹脂が用いられている(例えば、特許文献1参照)。しかし、ポリノルボルネン系樹脂は熱膨張係数が大きく、小型高性能化に伴う狭ピッチ化に対して寸法安定性の観点から問題が残る。このような問題を改善するために、無孔無機シリカを充填することで熱膨張係数をおさえてきた(例えば、特許文献2参照)。しかし、無孔無機シリカを充填することで、かえって絶縁材料としての誘電特性は劣化してしまうという問題が残った。  Therefore, polynorbornene-based resin is used as a material for a wiring board for mounting a semiconductor element and other mounting parts in an electronic device with excellent dielectric characteristics (see, for example, Patent Document 1). However, polynorbornene-based resins have a large coefficient of thermal expansion, and there remains a problem from the viewpoint of dimensional stability with respect to narrow pitches associated with downsizing and high performance. In order to improve such a problem, the thermal expansion coefficient was suppressed by filling nonporous inorganic silica (for example, refer to Patent Document 2). However, filling non-porous inorganic silica still has a problem that the dielectric properties as an insulating material deteriorate.

このような課題を解決するため、特許文献3には、「(A)環状オレフィン系樹脂と、(B)多孔質無機フィラー、無機中空フィラー、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)粒子のいずれか一種もしくは複数種組み合わせたものと、を含んでなることを特徴とする樹脂組成物」が開示されている。特許文献3の樹脂組成物によれば、誘電特性と寸法安定性とがともに優れるため、これを多層回路基板などの電子デバイスの層間絶縁材料として用いることにより、電気信号の高速伝送化、及び小型高性能化に伴う狭ピッチ化への対応が可能である旨が記載されている。   In order to solve such a problem, Patent Document 3 discloses that “(A) a cyclic olefin-based resin, (B) a porous inorganic filler, an inorganic hollow filler, or a polytetrafluoroethylene (PTFE) particle” A resin composition characterized by comprising a combination of a plurality of types is disclosed. According to the resin composition of Patent Document 3, since both dielectric characteristics and dimensional stability are excellent, by using this as an interlayer insulating material for electronic devices such as multilayer circuit boards, high-speed transmission of electrical signals and small size are achieved. It is described that it is possible to cope with a narrow pitch accompanying high performance.

しかし、電気信号の周波数の増大に伴い、さらに誘電特性の改善された電気絶縁層を形成しうる材料の提供が要望されている。   However, as the frequency of electrical signals increases, it is desired to provide a material that can form an electrical insulating layer with further improved dielectric characteristics.

特開2002−232138号公報JP 2002-232138 A 国際公開第94/20575号パンフレットWO94 / 20575 pamphlet 特開2006−104318号公報JP 2006-104318 A

本発明の目的は、特に高周波数領域で使用される多層回路基板の電気絶縁層を形成した場合に、比誘電率の低い電気絶縁層を形成しうる硬化性樹脂組成物を提供することにある。  An object of the present invention is to provide a curable resin composition capable of forming an electrical insulation layer having a low relative dielectric constant, particularly when an electrical insulation layer of a multilayer circuit board used in a high frequency region is formed. .

本発明者らは、上記のような硬化性樹脂組成物に、特異な多孔質シリカ凝集粒子を加えることで、他の電気的、機械的物性を損なうことなく、比誘電率が低下した電気絶縁層が形成されることを見いだし、本発明を完成するに至った。   The inventors of the present invention have added a specific porous silica aggregated particle to the curable resin composition as described above, thereby reducing the dielectric constant without deteriorating other electrical and mechanical properties. It was found that a layer was formed, and the present invention was completed.

すなわち、上記課題の解決する本発明は、以下の事項を要旨とする。
(1)脂環式オレフィン重合体、硬化剤、及び多孔質シリカ凝集粒子を含み、該多孔質シリカ凝集粒子が、1nm以上の格子面間隔(d)に対応する回折角(2θ/°)の範囲に1つ以上の回折線を有するX線回折パターンを示す多孔質シリカ球状一次粒子を、これらの多孔質シリカ球状一次粒子間に空隙層を形成するように集合してなる多孔質シリカ凝集粒子であることを特徴とする硬化性樹脂組成物。
(2)前記脂環式オレフィン重合体がカルボキシル基または酸無水物基を有することを特徴とする(1)記載の硬化性樹脂組成物。
(3)上記(1)又は(2)に記載の硬化性樹脂組成物をフィルム状又はシート状に成形してなる成形体。
(4)上記(1)又は(2)に記載の硬化性樹脂組成物と、繊維基材とを含有する複合体。
(5)上記(3)に記載の成形体を硬化してなる硬化物。
(6)上記(4)に記載の複合体を硬化してなる硬化物。
(7)表面に導体層を有する基板と、(5)又は(6)に記載の硬化物からなる電気絶縁層とが積層されてなる積層体。
(8)表面に導体層を有する基板上に、(3)に記載の成形体又は(4)に記載の複合体を加熱圧着し、成形体または複合体を硬化して電気絶縁層を形成する工程を含む積層体の製造方法。
(9)上記(7)に記載の積層体の電気絶縁層の上に、さらに導体層を形成してなる多層回路基板。
(10)上記(9)に記載の多層回路基板を備えた電子機器。
(11)1nm以上の格子面間隔(d)に対応する回折角(2θ/°)の範囲に1つ以上の回折線を有するX線回折パターンを示す多孔質シリカ球状一次粒子を、これらの多孔質シリカ球状一次粒子間に空隙層を形成するように集合してなる多孔質シリカ凝集粒子を加えることを特徴とする、脂環式オレフィン重合体と硬化剤とを含む硬化性樹脂組成物より形成される硬化物の比誘電率低減方法。
That is, the gist of the present invention to solve the above problems is as follows.
(1) An alicyclic olefin polymer, a curing agent, and porous silica aggregated particles, wherein the porous silica aggregated particles have a diffraction angle (2θ / °) corresponding to a lattice spacing (d) of 1 nm or more. Porous silica aggregated particles obtained by aggregating porous silica spherical primary particles having an X-ray diffraction pattern having one or more diffraction lines in a range so as to form a void layer between these porous silica spherical primary particles A curable resin composition characterized by the above.
(2) The curable resin composition according to (1), wherein the alicyclic olefin polymer has a carboxyl group or an acid anhydride group.
(3) A molded product obtained by molding the curable resin composition according to (1) or (2) into a film or a sheet.
(4) A composite containing the curable resin composition according to (1) or (2) above and a fiber substrate.
(5) Hardened | cured material formed by hardening | curing the molded object as described in said (3).
(6) Hardened | cured material formed by hardening | curing the composite_body | complex as described in said (4).
(7) A laminate in which a substrate having a conductor layer on the surface and an electrical insulating layer made of the cured product according to (5) or (6) are laminated.
(8) On the substrate having a conductor layer on the surface, the molded body according to (3) or the composite body according to (4) is thermocompression bonded, and the molded body or the composite body is cured to form an electrical insulating layer. The manufacturing method of the laminated body including a process.
(9) A multilayer circuit board obtained by further forming a conductor layer on the electrical insulating layer of the laminate according to (7).
(10) An electronic device including the multilayer circuit board according to (9).
(11) Porous silica spherical primary particles exhibiting an X-ray diffraction pattern having one or more diffraction lines in a diffraction angle (2θ / °) range corresponding to a lattice plane spacing (d) of 1 nm or more are formed by using these porous materials. Formed from a curable resin composition containing an alicyclic olefin polymer and a curing agent, characterized by adding porous silica aggregated particles assembled so as to form a void layer between spherical silica spherical primary particles For reducing the relative dielectric constant of a cured product.

本発明の硬化性樹脂組成物によれば、他の電気的、機械的物性を損なうことなく、比誘電率が低下した電気絶縁層を簡便に得ることができる。したがって、本発明の硬化性樹脂組成物は、特に高周波数領域で使用される多層回路基板の電気絶縁層の形成に好ましく用いられる。   According to the curable resin composition of the present invention, it is possible to easily obtain an electrical insulating layer having a decreased dielectric constant without impairing other electrical and mechanical properties. Therefore, the curable resin composition of the present invention is preferably used for forming an electrical insulating layer of a multilayer circuit board used particularly in a high frequency region.

実施例で用いた多孔質シリカ凝集粒子のFE−SEM像である。It is a FE-SEM image of the porous silica aggregation particle used in the Example. 図1の一部を拡大したFE−SEM像である。Fig. 2 is an enlarged FE-SEM image of a part of Fig. 1. 多孔質シリカ球状一次粒子を示すFE−SEM像である。It is a FE-SEM image which shows a porous silica spherical primary particle.

以下、本発明の硬化性樹脂組成物および該組成物により形成される電気絶縁層を有する多層回路基板等についてさらに具体的に説明する。  Hereinafter, the curable resin composition of the present invention and the multilayer circuit board having an electrical insulating layer formed from the composition will be described more specifically.

(A)硬化性樹脂組成物
本発明の硬化性樹脂組成物は、脂環式オレフィン重合体と硬化剤と多孔質シリカ凝集粒子とを含み、さらに必要に応じ硬化促進剤、難燃剤、レーザー加工性向上剤、その他の充填剤、添加剤を含む。
(A) Curable resin composition The curable resin composition of the present invention includes an alicyclic olefin polymer, a curing agent, and porous silica aggregated particles, and further includes a curing accelerator, a flame retardant, and laser processing as necessary. Includes property improvers, other fillers, and additives.

(1)脂環式オレフィン重合体
本発明において、脂環式オレフィン重合体は、炭素−炭素不飽和結合を有する脂環式化合物(脂環式オレフィンという。)の単独重合体及び共重合体、並びにこれらの誘導体(水素添加物等)の総称である。また、重合の様式は、付加重合であっても開環重合であってもよい。
(1) Alicyclic olefin polymer In the present invention, the alicyclic olefin polymer is a homopolymer or copolymer of an alicyclic compound (referred to as alicyclic olefin) having a carbon-carbon unsaturated bond, In addition, these are generic names for these derivatives (hydrogenated products and the like). The polymerization mode may be addition polymerization or ring-opening polymerization.

脂環式オレフィン重合体の具体例としては、ノルボルネン系単量体の開環重合体及びその水素添加物、ノルボルネン系単量体の付加重合体、ノルボルネン系単量体とビニル化合物との付加重合体、単環シクロアルケン付加重合体、脂環式共役ジエン重合体、ビニル系脂環式炭化水素重合体及びその水素添加物、芳香族オレフィン重合体の芳香環水素添加物等の、重合後の水素化によって脂環構造が形成されて、脂環式オレフィン重合体と同等の構造を有するに至った重合体、等が挙げられる。これらの中でも、ノルボルネン系単量体の開環重合体及びその水素添加物、ノルボルネン系単量体の付加重合体、ノルボルネン系単量体とビニル化合物との付加重合体、芳香族オレフィン重合体の芳香環水素添加物が好ましく、ノルボルネン系単量体の開環重合体の水素添加物が特に好ましい。   Specific examples of alicyclic olefin polymers include ring-opening polymers of norbornene monomers and hydrogenated products thereof, addition polymers of norbornene monomers, addition weights of norbornene monomers and vinyl compounds. Polymers, monocyclic cycloalkene addition polymers, alicyclic conjugated diene polymers, vinyl alicyclic hydrocarbon polymers and hydrogenated products thereof, aromatic olefin polymer aromatic ring hydrogenated products, and the like after polymerization Examples thereof include a polymer in which an alicyclic structure is formed by hydrogenation and has a structure equivalent to that of an alicyclic olefin polymer. Among these, ring-opening polymers of norbornene monomers and hydrogenated products thereof, addition polymers of norbornene monomers, addition polymers of norbornene monomers and vinyl compounds, aromatic olefin polymers Aromatic ring hydrogenated products are preferred, and hydrogenated products of ring-opening polymers of norbornene monomers are particularly preferred.

本発明に用いる脂環式オレフィン重合体は、重量平均分子量(Mw)が、通常、10,000〜250,000、好ましくは15,000〜150,000であり、より好ましくは20,000〜100,000のものである。また、脂環式オレフィン重合体は、数平均分子量(Mn)が、通常、1,000〜500,000、好ましくは3,000〜300,000であり、より好ましくは5,000〜250,000のものである。   The alicyclic olefin polymer used in the present invention has a weight average molecular weight (Mw) of usually 10,000 to 250,000, preferably 15,000 to 150,000, more preferably 20,000 to 100. , 000. The alicyclic olefin polymer has a number average molecular weight (Mn) of usually 1,000 to 500,000, preferably 3,000 to 300,000, and more preferably 5,000 to 250,000. belongs to.

脂環式オレフィン重合体の分子量が小さすぎると、得られる電気絶縁層の強度が不十分になり、また、電気絶縁性が低下するおそれがある。一方、分子量が大きすぎると、脂環式オレフィン重合体と硬化剤との相溶性が低下して電気絶縁層の表面粗度が大きくなり、配線パターンの精度が低下するおそれがある。   If the molecular weight of the alicyclic olefin polymer is too small, the strength of the obtained electrical insulation layer becomes insufficient, and the electrical insulation properties may be lowered. On the other hand, if the molecular weight is too large, the compatibility between the alicyclic olefin polymer and the curing agent decreases, the surface roughness of the electrical insulating layer increases, and the accuracy of the wiring pattern may decrease.

脂環式オレフィン重合体のMw、Mnは、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー(GPC)により測定し、ポリスチレン換算値として求めることができる。   Mw and Mn of the alicyclic olefin polymer can be measured by gel permeation chromatography (GPC) and determined as a polystyrene equivalent value.

脂環式オレフィン重合体のMw、Mnを上記範囲に調整する方法は常法に従えばよく、例えば、チタン系又はタングステン系触媒を用いて脂環式オレフィンの開環重合を行うに際して、ビニル化合物、ジエン化合物等の分子量調整剤を、単量体全量に対して0.1〜10モル%程度添加する方法が挙げられる。かかる分子量調整剤の具体例は、ビニル化合物としては、1−ブテン、1−ペンテン、1−ヘキセン、1−オクテン等のα−オレフィン化合物;スチレン、ビニルトルエン等のスチレン化合物;エチルビニルエーテル、イソブチルビニルエーテル、アリルグリシジルエーテル等のエーテル化合物;アリルクロライド等のハロゲン含有ビニル化合物;酢酸アリル、アリルアルコール、グリシジルメタクリレート、アクリルアミド等のその他のビニル化合物;等が挙げられる。また、ジエン化合物としては、1,4−ペンタジエン、1,5−ヘキサジエン、1,6−ヘプタジエン、2−メチル−1,4−ペンタジエン、2,5−ジメチル−1,5−ヘキサジエン等の非共役ジエン化合物;1,3−ブタジエン、2−メチル−1,3−ブタジエン、2,3−ジメチル−1,3−ブタジエン、1,3−ペンタジエン、1,3−ヘキサジエン等の共役ジエン化合物;等が挙げられる。   The method for adjusting the Mw and Mn of the alicyclic olefin polymer to the above ranges may be in accordance with a conventional method. For example, when performing ring-opening polymerization of an alicyclic olefin using a titanium-based or tungsten-based catalyst, a vinyl compound And a method of adding about 0.1 to 10 mol% of a molecular weight modifier such as a diene compound with respect to the total amount of the monomers. Specific examples of such molecular weight regulators include, as vinyl compounds, α-olefin compounds such as 1-butene, 1-pentene, 1-hexene and 1-octene; styrene compounds such as styrene and vinyltoluene; ethyl vinyl ether and isobutyl vinyl ether. And ether compounds such as allyl glycidyl ether; halogen-containing vinyl compounds such as allyl chloride; other vinyl compounds such as allyl acetate, allyl alcohol, glycidyl methacrylate, and acrylamide; Further, as the diene compound, non-conjugated such as 1,4-pentadiene, 1,5-hexadiene, 1,6-heptadiene, 2-methyl-1,4-pentadiene, 2,5-dimethyl-1,5-hexadiene, etc. Diene compounds; conjugated diene compounds such as 1,3-butadiene, 2-methyl-1,3-butadiene, 2,3-dimethyl-1,3-butadiene, 1,3-pentadiene, 1,3-hexadiene; Can be mentioned.

また、脂環式オレフィン重合体は、その構造中にカルボキシル基又は酸無水物基(以下、両者をまとめて「カルボキシル基等」と記載することがある)を有することが好ましい。カルボキシル基等は、脂環式オレフィン重合体の脂環構造を形成する炭素原子に直接結合していても、メチレン基、オキシ基、オキシカルボニルオキシアルキレン基、フェニレン基等他の二価の基を介して結合していてもよい。   In addition, the alicyclic olefin polymer preferably has a carboxyl group or an acid anhydride group in the structure (hereinafter, both may be collectively referred to as “carboxyl group and the like”). Even if the carboxyl group or the like is directly bonded to the carbon atom forming the alicyclic structure of the alicyclic olefin polymer, other divalent groups such as a methylene group, an oxy group, an oxycarbonyloxyalkylene group, and a phenylene group can be used. It may be bonded via.

本発明で好ましく用いられる脂環式オレフィン重合体は、Mw、Mnが上記範囲のものであり、かつ、カルボキシル基等の含有率が好ましくは5〜60モル%、さらに好ましくは10〜50モル%、特に好ましくは15〜40モル%であるものである。ここで、カルボキシル基等の含有率とは、重合体中の総単量体単位数に対するカルボキシル基等のモル数の割合をいう。   In the alicyclic olefin polymer preferably used in the present invention, Mw and Mn are within the above ranges, and the content of carboxyl groups and the like is preferably 5 to 60 mol%, more preferably 10 to 50 mol%. Particularly preferably, it is 15 to 40 mol%. Here, the content of carboxyl groups and the like refers to the ratio of the number of moles of carboxyl groups and the like to the total number of monomer units in the polymer.

脂環式オレフィン重合体のカルボキシル基等の含有率が小さすぎるとめっき密着性や耐熱性が低下するおそれがあり、含有率が大きすぎると電気絶縁性が低下する可能性がある。
脂環式オレフィン重合体のカルボキシル基等の含有率は、脂環式オレフィン重合体のH−NMRスペクトル測定により求めることができる。
If the content of carboxyl group or the like of the alicyclic olefin polymer is too small, the plating adhesion and heat resistance may be lowered, and if the content is too large, the electrical insulation may be lowered.
The content of carboxyl groups and the like of the alicyclic olefin polymer can be determined by 1 H-NMR spectrum measurement of the alicyclic olefin polymer.

脂環式オレフィン重合体のカルボキシル基等の含有率を上記範囲とする方法は、特に限定されない。例えば、(i)カルボキシル基等を含有する脂環式オレフィン単量体を単独重合し、又は、これと共重合可能な単量体(カルボキシル基等を有さない脂環式オレフィン単量体、エチレン、1−ヘキセン、1,4−ヘキサジエン等)と共重合する方法;(ii)カルボキシル基等を含有しない脂環式オレフィン重合体に、カルボキシル基等を有する炭素−炭素不飽和結合含有化合物を、例えばラジカル開始剤存在下で、グラフト結合させることによりカルボキシル基等を導入する方法;(iii)カルボン酸エステル基等の、カルボキシル基の前駆体となる基を有するノルボルネン系単量体を重合した後、加水分解等によって前駆体基をカルボキシル基へ変換させる方法;等がある。   The method of setting the content of the alicyclic olefin polymer such as carboxyl group in the above range is not particularly limited. For example, (i) an alicyclic olefin monomer containing a carboxyl group or the like is homopolymerized, or a monomer copolymerizable therewith (an alicyclic olefin monomer having no carboxyl group or the like, A method of copolymerizing with ethylene, 1-hexene, 1,4-hexadiene, etc.); (ii) a carbon-carbon unsaturated bond-containing compound having a carboxyl group or the like to an alicyclic olefin polymer not containing a carboxyl group or the like. For example, a method of introducing a carboxyl group or the like by graft bonding in the presence of a radical initiator; (iii) a norbornene monomer having a group that becomes a precursor of a carboxyl group, such as a carboxylic acid ester group, is polymerized Thereafter, there is a method of converting a precursor group into a carboxyl group by hydrolysis or the like.

(i)の方法に用いるカルボキシル基含有脂環式オレフィン単量体としては、8−ヒドロキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3−エン、5−ヒドロキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−メチル−5−ヒドロキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−カルボキシメチル−5−ヒドロキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、8−メチル−8−ヒドロキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3−エン、8−カルボキシメチル−8−ヒドロキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3−エン、5−エキソ−6−エンド−ジヒドロキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、8−エキソ−9−エンド−ジヒドロキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3−エン等が挙げられる。As the carboxyl group-containing alicyclic olefin monomer used in the method (i), 8-hydroxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 17, 10 ] dodec-3-ene, 5-hydroxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-methyl-5-hydroxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene , 5-carboxymethyl-5-hydroxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 8-methyl-8-hydroxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-carboxymethyl-8-hydroxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 5-exo-6-endo-dihydroxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 8-exo-9-endo-dihydroxycarbonyltetracyclo [4. 4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene and the like.

また、(i)の方法に用いる酸無水物基含有脂環式オレフィン単量体としては、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5,6−ジカルボン酸無水物、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3−エン−8,9−ジカルボン酸無水物、ヘキサシクロ[6.6.1.13,6.110,13.02,7.09,14]ヘプタデカ−4−エン−11,12−ジカルボン酸無水物等が挙げられる。Examples of the acid anhydride group-containing alicyclic olefin monomer used in the method (i) include bicyclo [2.2.1] hept-2-ene-5,6-dicarboxylic acid anhydride, tetracyclo [4 .4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec- 3 -ene-8,9-dicarboxylic anhydride, hexacyclo [6.6.1.1 3,6 . 1 10,13 . 0 2,7 . 0 9,14] heptadec-4-ene-11,12-dicarboxylic acid anhydride and the like.

また、(i)の方法において必要に応じ用いられるカルボキシル基等を有さない脂環式オレフィン単量体としては、下記(ii)の方法に用いるカルボキシル基等を有さない脂環式オレフィン重合体を得るための単量体と同様のものがあげられる。   Moreover, as an alicyclic olefin monomer which does not have a carboxyl group etc. which are used as needed in the method of (i), the alicyclic olefin weight which does not have a carboxyl group etc. which are used for the method of the following (ii) The thing similar to the monomer for obtaining a coalescence is mention | raise | lifted.

(ii)の方法に用いるカルボキシル基等を有さない脂環式オレフィン重合体を得るための単量体の具体例としては、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン(慣用名:ノルボルネン)、5−エチル−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−ブチル−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−エチリデン−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−メチリデン−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−ビニル−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、トリシクロ[4.3.0.12,5]デカ−3,7−ジエン(慣用名:ジシクロペンタジエン)、テトラシクロ[8.4.0.111,14.02,8]テトラデカ−3,5,7,12,11−テトラエン、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]デカ−3−エン(慣用名:テトラシクロドデセン)、8−メチル−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3−エン、8−エチル−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3−エン、8−メチリデン−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3−エン、8−エチリデン−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3−エン、8−ビニル−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3−エン、8−プロペニル−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3−エン、ペンタシクロ[6.5.1.13,6.02,7.09,13]ペンタデカ−3,10−ジエン、ペンタシクロ[7.4.0.13,6.110,13.02,7]ペンタデカ−4,11−ジエン、シクロペンテン、シクロペンタジエン、1,4−メタノ−1,4,4a,5,10,10a−ヘキサヒドロアントラセン、8−フェニル−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3−エン等が挙げられる。Specific examples of the monomer for obtaining an alicyclic olefin polymer having no carboxyl group and the like used in the method (ii) include bicyclo [2.2.1] hept-2-ene (common name: Norbornene), 5-ethyl-bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-butyl-bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-ethylidene-bicyclo [2.2.1]. ] Hept-2-ene, 5-methylidene-bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-vinyl-bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, tricyclo [4.3.0] .1 2,5] deca-3,7-diene (common name: dicyclopentadiene), tetracyclo [8.4.0.1 11,14. 0 2,8 ] tetradeca-3,5,7,12,11-tetraene, tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dec-3-ene (common name: tetracyclododecene), 8-methyl-tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-ethyl-tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-methylidene-tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-ethylidene-tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-vinyl-tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-propenyl-tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, pentacyclo [6.5.1.1 3,6 . 0 2,7 . 0 9,13] pentadeca-3,10-diene, pentacyclo [7.4.0.1 3,6. 1 10,13 . 0 2,7 ] pentadeca-4,11-diene, cyclopentene, cyclopentadiene, 1,4-methano-1,4,4a, 5,10,10a-hexahydroanthracene, 8-phenyl-tetracyclo [4.4. 0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene and the like.

また、(ii)の方法に用いるカルボキシル基等を有する炭素−炭素不飽和結合含有化合物としては、アクリル酸、メタクリル酸、α−エチルアクリル酸、2−ヒドロキシエチルアクリル酸、2−ヒドロキシエチルメタクリル酸、マレイン酸、フマール酸、イタコン酸、エンドシス−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボン酸、メチル−エンドシス−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボン酸等の不飽和カルボン酸化合物;無水マレイン酸、クロロ無水マレイン酸、ブテニル無水コハク酸、テトラヒドロ無水フタル酸、無水シトラコン酸等の不飽和カルボン酸無水物;等が挙げられる。   Examples of the carbon-carbon unsaturated bond-containing compound having a carboxyl group used in the method (ii) include acrylic acid, methacrylic acid, α-ethylacrylic acid, 2-hydroxyethylacrylic acid, 2-hydroxyethylmethacrylic acid. , Maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, endocis-bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylic acid, methyl-endocis-bicyclo [2.2.1] hept-5-ene Unsaturated carboxylic acid compounds such as -2,3-dicarboxylic acid; unsaturated carboxylic acid anhydrides such as maleic anhydride, chloromaleic anhydride, butenyl succinic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, and citraconic anhydride; .

(iii)の方法に用いるカルボキシル基の前駆体となる基を含有するノルボルネン系単量体としては、8−メチル−8−メトキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3−エン、5−メトキシカルボニル−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−メチル−5−メトキシカルボニル−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン等が挙げられる。As the norbornene-based monomer containing a carboxyl group precursor used in the method (iii), 8-methyl-8-methoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 17, 10 ] dodec-3-ene, 5-methoxycarbonyl-bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-methyl-5-methoxycarbonyl-bicyclo [2.2.1] hept-2 -Ene etc. are mentioned.

脂環式オレフィン重合体は、さらにカルボキシル基等以外の官能基(以下、「他の官能基」ということがある。)を有していてもよい。他の官能基としては、アルコキシカルボニル基、シアノ基、水酸基、エポキシ基、アルコキシル基、アミノ基、アミド基、イミド基等が挙げられる。これら他の官能基の量は、カルボキシル基等に対して30モル%以下であることが好ましく、10モル%以下であることがより好ましく、1モル%以下であることが特に好ましい。   The alicyclic olefin polymer may further have a functional group other than a carboxyl group or the like (hereinafter sometimes referred to as “other functional group”). Examples of other functional groups include an alkoxycarbonyl group, a cyano group, a hydroxyl group, an epoxy group, an alkoxyl group, an amino group, an amide group, and an imide group. The amount of these other functional groups is preferably 30 mol% or less, more preferably 10 mol% or less, and particularly preferably 1 mol% or less with respect to the carboxyl group or the like.

本発明に用いる脂環式オレフィン重合体のガラス転移温度(Tg)は、特に限定されないが、120〜300℃であることが好ましい。Tgが低すぎると、得られる電気絶縁層が高温下において十分な電気絶縁性を維持できず、Tgが高すぎると、多層回路基板が強い衝撃を受けた際にクラックを生じて導体層が破損する可能性がある。   Although the glass transition temperature (Tg) of the alicyclic olefin polymer used for this invention is not specifically limited, It is preferable that it is 120-300 degreeC. If the Tg is too low, the resulting electrical insulation layer cannot maintain sufficient electrical insulation at high temperatures, and if the Tg is too high, the multilayer circuit board will crack when subjected to a strong impact, causing damage to the conductor layer. there's a possibility that.

本発明に用いる脂環式オレフィン重合体は、電気絶縁性のものである。
脂環式オレフィン重合体のASTM D257による体積固有抵抗は、1×1012Ω・cm以上であることが好ましく、1×1013Ω・cm以上であることがより好ましく、1×1014Ω・cm以上であることが特に好ましい。
The alicyclic olefin polymer used in the present invention is electrically insulating.
The volume resistivity according to ASTM D257 of the alicyclic olefin polymer is preferably 1 × 10 12 Ω · cm or more, more preferably 1 × 10 13 Ω · cm or more, and 1 × 10 14 Ω · cm. It is especially preferable that it is cm or more.

(2)硬化剤
本発明で用いる硬化剤は、加熱により脂環式オレフィン重合体を架橋し得るものであれば限定されない。なかでも、脂環式オレフィン重合体がカルボキシル基等を含む場合には、カルボキシル基等と反応して架橋構造を形成し得る化合物が好ましい。
(2) Curing Agent The curing agent used in the present invention is not limited as long as it can crosslink the alicyclic olefin polymer by heating. Especially, when an alicyclic olefin polymer contains a carboxyl group etc., the compound which can react with a carboxyl group etc. and can form a crosslinked structure is preferable.

かかる硬化剤としては、多価エポキシ化合物、多価イソシアナート化合物、多価アミン化合物、多価ヒドラジド化合物、アジリジン化合物、塩基性金属酸化物、及び有機金属ハロゲン化物等が挙げられる。これらの硬化剤は一種単独で、あるいは二種以上を組み合わせて用いることができる。また、過酸化物も硬化剤として用いることができる。   Examples of such curing agents include polyvalent epoxy compounds, polyvalent isocyanate compounds, polyvalent amine compounds, polyvalent hydrazide compounds, aziridine compounds, basic metal oxides, and organometallic halides. These curing agents can be used alone or in combination of two or more. Peroxides can also be used as curing agents.

多価エポキシ化合物としては、例えば、フェノールノボラック型エポキシ化合物、クレゾールノボラック型エポキシ化合物、クレゾール型エポキシ化合物、ビスフェノールA型エポキシ化合物、ビスフェノールF型エポキシ化合物、臭素化ビスフェノールA型エポキシ化合物、臭素化ビスフェノールF型エポキシ化合物、水素添加ビスフェノールA型エポキシ化合物等のグリシジルエーテル型エポキシ化合物;脂環式エポキシ化合物、グリシジルエステル型エポキシ化合物、グリシジルアミン型エポキシ化合物、イソシアヌレート型エポキシ化合物等の多価エポキシ化合物;等の分子内に2以上のエポキシ基を有する化合物が挙げられる。   Examples of the polyvalent epoxy compound include a phenol novolak type epoxy compound, a cresol novolak type epoxy compound, a cresol type epoxy compound, a bisphenol A type epoxy compound, a bisphenol F type epoxy compound, a brominated bisphenol A type epoxy compound, and a brominated bisphenol F. Type epoxy compounds, glycidyl ether type epoxy compounds such as hydrogenated bisphenol A type epoxy compounds; polycyclic epoxy compounds such as alicyclic epoxy compounds, glycidyl ester type epoxy compounds, glycidyl amine type epoxy compounds, isocyanurate type epoxy compounds; etc. And compounds having two or more epoxy groups in the molecule.

多価イソシアナート化合物としては、炭素数6〜24の、ジイソシアナート類及びトリイソシアナート類が好ましい。ジイソシアナート類の例としては、2,4−トリレンジイソシアナート、2,6−トリレンジイソシアナート、4,4’−ジフェニルメタンジイソシアナート、ヘキサメチレンジイソシアナート、p−フェニレンジイソシアナート等が挙げられる。トリイソシアナート類の例としては、1,3,6−ヘキサメチレントリイソシアナート、1,6,11−ウンデカントリイソシアナート、ビシクロヘプタントリイソシアナート等が挙げられる。   As the polyvalent isocyanate compound, diisocyanates and triisocyanates having 6 to 24 carbon atoms are preferable. Examples of diisocyanates include 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 4,4'-diphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, p-phenylene diisocyanate, etc. Is mentioned. Examples of triisocyanates include 1,3,6-hexamethylene triisocyanate, 1,6,11-undecane triisocyanate, bicycloheptane triisocyanate, and the like.

多価アミン化合物としては、2個以上のアミノ基を有する炭素数4〜30の脂肪族多価アミン化合物、芳香族多価アミン化合物等が挙げられ、グアニジン化合物のように非共役の窒素−炭素二重結合を有するものは含まれない。   Examples of the polyvalent amine compound include aliphatic polyvalent amine compounds having 4 to 30 carbon atoms having two or more amino groups, aromatic polyvalent amine compounds, etc., and non-conjugated nitrogen-carbon like guanidine compounds. Those having a double bond are not included.

脂肪族多価アミン化合物としては、ヘキサメチレンジアミン、N,N’−ジシンナミリデン−1,6−ヘキサンジアミン等が挙げられる。
芳香族多価アミン化合物としては、4,4’−メチレンジアニリン、m−フェニレンジアミン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4’−(m−フェニレンジイソプロピリデン)ジアニリン、4,4’−(p−フェニレンジイソプロピリデン)ジアニリン、2,2’−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、1,3,5−ベンゼントリアミン等が挙げられる。
Examples of the aliphatic polyvalent amine compound include hexamethylene diamine, N, N′-dicinnamylidene-1,6-hexanediamine, and the like.
Examples of aromatic polyvalent amine compounds include 4,4′-methylenedianiline, m-phenylenediamine, 4,4′-diaminodiphenyl ether, 4 ′-(m-phenylenediisopropylidene) dianiline, 4,4 ′-( p-phenylenediisopropylidene) dianiline, 2,2′-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 1,3,5-benzenetriamine and the like.

多価ヒドラジド化合物の例としては、イソフタル酸ジヒドラジド、テレフタル酸ジヒドラジド、2,6−ナフタレンジカルボン酸ジヒドラジド、マレイン酸ジヒドラジド、イタコン酸ジヒドラジド、トリメリット酸ジヒドラジド、1,3,5−ベンゼントリカルボン酸ジヒドラジド、ピロメリット酸ジヒドラジド等が挙げられる。   Examples of polyhydric hydrazide compounds include isophthalic acid dihydrazide, terephthalic acid dihydrazide, 2,6-naphthalenedicarboxylic acid dihydrazide, maleic acid dihydrazide, itaconic acid dihydrazide, trimellitic acid dihydrazide, 1,3,5-benzenetricarboxylic acid dihydrazide, Examples include pyromellitic acid dihydrazide.

アジリジン化合物としては、トリス−2,4,6−(1−アジリジニル)−1,3,5−トリアジン、トリス〔1−(2−メチル)アジリジニル〕ホスフィノキシド、ヘキサ〔1−(2−メチル)アジリジニル〕トリホスファトリアジン等が挙げられる。   Examples of the aziridine compound include tris-2,4,6- (1-aziridinyl) -1,3,5-triazine, tris [1- (2-methyl) aziridinyl] phosphinoxide, hexa [1- (2-methyl) aziridinyl. And triphosphatriazine.

過酸化物としては、ケトンパーオキサイド、パーオキシケタール、ハイドロパーオキサイド、ジアリルパーオキサイド、ジアシルパーオキサイド、パーオキシエステル、パーオキシジカーボネート等の、公知の有機過酸化物が挙げられる。   Examples of the peroxide include known organic peroxides such as ketone peroxide, peroxyketal, hydroperoxide, diallyl peroxide, diacyl peroxide, peroxyester, and peroxydicarbonate.

これらの硬化剤の中でも、脂環式オレフィン重合体との反応性が緩やかであり、得られる成形体あるいは複合体の加工、積層が容易であることから、多価エポキシ化合物が好ましく、ビスフェノールAビス(プロピレングリコールグリシジルエーテル)エーテル等のビスフェノールA型エポキシ化合物および水素添加ビスフェノールA型エポキシ化合物等のグリシジルエーテル型エポキシ化合物がより好ましい。   Among these curing agents, a polyhydric epoxy compound is preferred because of its mild reactivity with the alicyclic olefin polymer and easy processing and lamination of the resulting molded product or composite. Bisphenol A bis (Propylene glycol glycidyl ether) Bisphenol A type epoxy compounds such as ether and glycidyl ether type epoxy compounds such as hydrogenated bisphenol A type epoxy compounds are more preferred.

硬化剤の使用量は、脂環式オレフィン重合体100重量部に対して、通常1〜100重量部、好ましくは5〜80重量部、より好ましくは10〜50重量部の範囲である。   The usage-amount of a hardening | curing agent is 1-100 weight part normally with respect to 100 weight part of alicyclic olefin polymers, Preferably it is 5-80 weight part, More preferably, it is the range of 10-50 weight part.

(3)多孔質シリカ凝集粒子
本発明で用いる多孔質シリカ凝集粒子は、1nm以上の格子面間隔(d)に対応する回折角(2θ/°)の範囲に1つ以上の回折線を有するX線回折パターンを示す多孔質シリカ球状一次粒子を、これらの多孔質シリカ球状一次粒子間に空隙層を形成するように集合してなる多孔質シリカ凝集粒子である。
(3) Porous silica agglomerated particles The porous silica agglomerated particles used in the present invention have one or more diffraction lines in a diffraction angle range (2θ / °) corresponding to a lattice spacing (d) of 1 nm or more. The porous silica aggregated particles are formed by aggregating porous silica spherical primary particles exhibiting a line diffraction pattern so as to form a void layer between these porous silica spherical primary particles.

この多孔質シリカ球状一次粒子のX線回折パターンは、1nm以上の格子面間隔(d)に対応する回折角(2θ/°)の範囲に1つ以上の回折線を有する。
X線回折パターン上に現れた回折線は、この回折線の回折角(2θ/°)に相当するd値(格子面間隔)の周期構造が多孔質シリカ球状一次粒子にあることを意味する。したがって、「1nm以上の格子面間隔(d)に対応する回折角(2θ/°)の範囲に1つ以上の回折線を有する」とは、細孔が1nm以上の間隔で規則性あるいは配向性を有していることになる。
The X-ray diffraction pattern of the porous spherical silica primary particles has one or more diffraction lines in a diffraction angle range (2θ / °) corresponding to a lattice spacing (d) of 1 nm or more.
The diffraction lines appearing on the X-ray diffraction pattern mean that the porous silica spherical primary particles have a periodic structure having a d value (lattice spacing) corresponding to the diffraction angle (2θ / °) of the diffraction lines. Therefore, “having one or more diffraction lines in the range of the diffraction angle (2θ / °) corresponding to the lattice spacing (d) of 1 nm or more” means that the pores are regular or oriented at intervals of 1 nm or more. Will have.

図1は多孔質シリカ凝集粒子を示す電界放射型走査型電子顕微鏡(FE−SEM)像、図2は、図1中の矩形状の領域を拡大した電界放射型走査型電子顕微鏡(FE−SEM)像、図3は本発明の多孔質シリカ凝集粒子を構成する多孔質シリカ球状一次粒子を示す電界放射型走査型電子顕微鏡(FE−SEM)像である。
図1及び図2によれば、多孔質シリカ球状一次粒子間に空隙層(図2中、点状の黒色部分)が形成されていることが分かる。
また、図3によれば、多孔質シリカ球状一次粒子内に多数の細孔(図3中、点状の黒色部分)が形成されていることが分かる。
FIG. 1 is a field emission scanning electron microscope (FE-SEM) image showing porous silica aggregated particles, and FIG. 2 is a field emission scanning electron microscope (FE-SEM) obtained by enlarging a rectangular region in FIG. FIG. 3 is a field emission scanning electron microscope (FE-SEM) image showing the porous silica spherical primary particles constituting the porous silica aggregated particles of the present invention.
1 and 2, it can be seen that void layers (dotted black portions in FIG. 2) are formed between the porous silica spherical primary particles.
Moreover, according to FIG. 3, it turns out that many pores (dotted black part in FIG. 3) are formed in the porous silica spherical primary particles.

多孔質シリカ凝集粒子は、シリカ球状一次粒子を調製し、粉砕・解砕という微粉化の工程を経ることなく、シリカ球状一次粒子を凝集させた後、多孔質化するという工程を経ることによって調製される。
シリカ球状一次粒子の調製方法は特に限定されないが、例えば、塩基性触媒と界面活性剤とを用いて、界面活性剤が配向した状態で充填されたコロイド状シリカ微粒子スラリーを調製し、これを焼成したり、溶媒を用いて界面活性剤を抽出除去したりすることによって、規則性あるいは配向性を有する細孔を有する球状一次粒子を得ることが可能である。この方法の詳細については、特開2005−213122号公報等に記載されている。
Porous silica agglomerated particles are prepared by preparing silica spherical primary particles and agglomerating the silica spherical primary particles without going through the pulverization and pulverization steps, and then making the particles porous. Is done.
The method for preparing the silica spherical primary particles is not particularly limited. For example, using a basic catalyst and a surfactant, a colloidal silica fine particle slurry filled with the surfactant in an oriented state is prepared, and this is fired. Alternatively, spherical primary particles having pores having regularity or orientation can be obtained by extracting and removing the surfactant using a solvent. Details of this method are described in JP-A-2005-213122.

このコロイド状シリカ微粒子スラリーは、コロイド状シリカ微粒子が分散した状態であることが好ましく、この一次粒子が経時的に沈降する場合には、分散性を保持するために適宜分散剤等を添加してもよく、また、溶媒を置換させることにより分散安定化を図ってもよい。
この調製されたシリカ球状一次粒子を凝集させる方法としては、シリカ球状一次粒子を含む分散液に高分子凝集剤等を添加することにより、このシリカ球状一次粒子を凝集沈降させ、得られた沈殿をろ過回収後、乾燥させる方法の他、凍結乾燥法、スプレードライ法等が適用可能であり、特に限定されないが、シリカ球状一次粒子の乾燥、凝集及び造粒を同時に行うことができる点で、スプレードライ法が好適である。
The colloidal silica fine particle slurry is preferably in a state in which the colloidal silica fine particles are dispersed. When the primary particles settle over time, an appropriate dispersant or the like is added to maintain dispersibility. Alternatively, the dispersion may be stabilized by substituting the solvent.
As a method of agglomerating the prepared silica spherical primary particles, the silica spherical primary particles are aggregated and settled by adding a polymer flocculant or the like to the dispersion containing the silica spherical primary particles, and the obtained precipitate is In addition to the method of drying after filtration and recovery, freeze drying, spray drying, and the like are applicable, and although not particularly limited, spraying is possible in that the silica spherical primary particles can be dried, aggregated and granulated simultaneously. A dry method is preferred.

スプレードライ法は、シリカ球状一次粒子を含むスラリーを微細な霧状の液滴とし、この微細な液滴を熱風中に噴出させることにより瞬間的に乾燥させる方法であり、スラリーを微細な液滴にする方法として、多数の噴出孔が形成されたディスク(回転円盤)による遠心噴霧と圧力ノズルによる加圧噴霧があり、シリカ球状一次粒子を凝集させて多孔質シリカ凝集粒子を得るためには、圧力ノズルによる加圧噴霧が好適である。   The spray drying method is a method in which a slurry containing silica spherical primary particles is made into fine mist-like droplets, and the fine droplets are blown into hot air to instantaneously dry the slurry. In order to obtain porous silica aggregated particles by agglomerating silica spherical primary particles, there are centrifugal spraying by a disk (rotary disk) in which a large number of ejection holes are formed and pressure spraying by a pressure nozzle. Pressure spraying with a pressure nozzle is preferred.

このスプレードライ法を適用することにより、シリカ球状一次粒子の乾燥、凝集及び造粒を同時に行うことが可能となる。したがって、従来の粉体技術である粉砕、解砕等の微粉化の工程を経ることなく、シリカ球状一次粒子が集合したシリカ凝集粒子を容易に得ることができる。   By applying this spray drying method, it becomes possible to simultaneously dry, agglomerate and granulate the silica spherical primary particles. Therefore, silica agglomerated particles in which silica spherical primary particles are aggregated can be easily obtained without going through a pulverization step such as pulverization and pulverization, which is a conventional powder technology.

このようにして得られたシリカ凝集粒子は界面活性剤を含有しているので、このシリカ凝集粒子を焼成、あるいは溶媒を用いた抽出により、含まれている界面活性剤を除去することによって、規則性あるいは配向性を有する細孔を有する多孔質シリカ球状一次粒子を集合してなる多孔質シリカ凝集粒子とし、さらに、これらの多孔質シリカ球状一次粒子間に空隙層を形成することができる。
以上により、シリカ一次粒子の粒子径、細孔径及び形状が制御されたものとなり、粉砕、解砕等の従来の粉体技術を経ることなく、細孔容積、細孔径及び形状が制御された多孔質シリカ凝集粒子を得ることができる。
Since the silica agglomerated particles thus obtained contain a surfactant, the silica agglomerated particles are regularly baked or extracted with a solvent to remove the contained surfactant. In addition, porous silica agglomerated particles obtained by aggregating porous silica spherical primary particles having pores having orientation or orientation can be formed, and a void layer can be formed between these porous silica spherical primary particles.
As described above, the particle size, pore size and shape of the silica primary particles are controlled, and the pore volume, pore size and shape are controlled without going through conventional powder technology such as pulverization and pulverization. Silica agglomerated particles can be obtained.

多孔質シリカ凝集粒子は、細孔容積及び細孔径が制御されていることを特徴とする。この細孔容積及び細孔径は、窒素吸着法により求めることができる。
より具体的には、窒素吸着法による細孔径が50nm以下における細孔容積が1.5mL/g以上、かつ、細孔径が5nm以下の細孔容積分率が0.4以上であることが好ましい。
The porous silica aggregated particles are characterized in that the pore volume and the pore diameter are controlled. The pore volume and pore diameter can be determined by a nitrogen adsorption method.
More specifically, it is preferable that the pore volume by a nitrogen adsorption method when the pore diameter is 50 nm or less is 1.5 mL / g or more and the pore volume fraction having a pore diameter of 5 nm or less is 0.4 or more. .

この細孔容積及び細孔径は、窒素吸着によるBET法で測定した等温吸着曲線からDH(Dollimore-Heal)法により細孔径分布を計算することによって求めることができる。
ここで、細孔容積が1.5mL/gを下回る場合、または、細孔径が50nm以下の細孔容積に対して、細孔径が5nm以下の細孔容積分率が0.4を下回る場合、多孔質シリカ凝集粒子中に占める細孔の割合が小さくなり、多孔質粒子の細孔に空隙層が保持されづらくなるので好ましくない。
The pore volume and pore diameter can be determined by calculating the pore diameter distribution by the DH (Dollimore-Heal) method from the isothermal adsorption curve measured by the BET method by nitrogen adsorption.
Here, when the pore volume is less than 1.5 mL / g, or when the pore volume fraction with a pore diameter of 5 nm or less is less than 0.4 with respect to the pore volume with a pore diameter of 50 nm or less, This is not preferable because the ratio of the pores occupied in the porous silica aggregated particles becomes small and it becomes difficult to hold the void layer in the pores of the porous particles.

多孔質シリカ凝集粒子では、BET法で測定した等温吸着曲線からDH(Dollimore-Heal)法により計算される平均細孔径ピークが5nm以下であることが好ましい。
この平均細孔径ピークが5nmを超えると、シリカの一次粒子の機械的強度が低下し易くなり、硬化性樹脂組成物の機械的強度の低下を引き起こし易くなるので、好ましくない。
In the porous silica aggregated particles, the average pore diameter peak calculated by the DH (Dollimore-Heal) method from the isothermal adsorption curve measured by the BET method is preferably 5 nm or less.
If this average pore diameter peak exceeds 5 nm, the mechanical strength of the primary particles of silica tends to decrease, and the mechanical strength of the curable resin composition tends to decrease.

これら細孔容積、細孔容積分率及び平均細孔径ピークを制御することにより、様々な用途において、シリカ一次粒子内の細孔および一次粒子間の間隙中に空隙層を保持することが可能となる。   By controlling these pore volume, pore volume fraction and average pore diameter peak, it is possible to retain a void layer in the pores in the silica primary particles and in the gaps between the primary particles in various applications. Become.

多孔質シリカ凝集粒子では、平均粒子径は5μm以下が好ましく、より好ましくは0.5μm〜5μmの範囲である。
ここで、平均粒子径が5μmを超えると、硬化性樹脂組成物中で偏在し易くなり、その結果、諸特性の低下を招き易くなるからである。
In the porous silica aggregated particles, the average particle size is preferably 5 μm or less, more preferably in the range of 0.5 μm to 5 μm.
Here, when the average particle diameter exceeds 5 μm, it tends to be unevenly distributed in the curable resin composition, and as a result, various characteristics are likely to be deteriorated.

なお、平均粒子径が0.5μmより小さい場合、多孔質シリカ凝集粒子を構成する多孔質シリカ球状一次粒子間の接触点が少なくなり、粒子間隙が減少する虞があるので、0.5μm以上がより好ましい。   If the average particle size is smaller than 0.5 μm, the contact points between the porous silica spherical primary particles constituting the porous silica agglomerated particles are reduced, and there is a possibility that the particle gap may be reduced. More preferred.

多孔質シリカ凝集粒子では、真球度を短軸の平均値と長軸の平均値との比で表したとき、この比が0.7以上であることが好ましい。
この比が0.7未満の場合、硬化性樹脂組成物から成る成形体および複合体等の作製時に掛かる収縮応力が分散せず、クラックが発生し易くなる等、機械的強度の低下が生じ易くなる。
In the porous silica agglomerated particles, when the sphericity is represented by the ratio between the average value of the short axis and the average value of the long axis, this ratio is preferably 0.7 or more.
If this ratio is less than 0.7, the shrinkage stress applied during the production of molded articles and composites made of the curable resin composition is not dispersed and cracks are likely to occur. Become.

多孔質シリカ凝集粒子では、多孔質シリカ一次粒子の粒子径、細孔容積、細孔径及び形状を制御すると共に、この多孔質シリカ一次粒子により構成される多孔質シリカ凝集粒子の粒子径、細孔容積、細孔径及び形状を制御したので、細孔に空隙層を保持する用途において好適である。   In the porous silica aggregated particles, the particle diameter, pore volume, pore diameter and shape of the porous silica primary particles are controlled, and the particle diameter and pores of the porous silica aggregated particles constituted by the porous silica primary particles are controlled. Since the volume, the pore diameter, and the shape are controlled, it is suitable for use in holding a void layer in the pores.

多孔質シリカ凝集粒子では、この多孔質シリカ凝集粒子の表面に、あるいは、この多孔質シリカ凝集粒子を構成する多孔質シリカ球状一次粒子の表面に、表面処理層または被覆層が形成されていることが好ましい。   In the porous silica aggregated particles, a surface treatment layer or a coating layer is formed on the surface of the porous silica aggregated particles, or on the surface of the porous silica spherical primary particles constituting the porous silica aggregated particles. Is preferred.

このように、表面に、表面処理層または被覆層を形成する目的は大きく二点ある。一点目は、有機ポリマーなどバインダー成分を水や有機溶媒などに溶解した塗料中での親和性制御であり、二点目は、多孔質シリカ凝集粒子中の細孔に空隙層をより保持させ易くすることである。   Thus, there are two main purposes for forming the surface treatment layer or the coating layer on the surface. The first point is the affinity control in a paint in which a binder component such as an organic polymer is dissolved in water or an organic solvent. The second point is that the void layer is more easily held in the pores in the porous silica aggregated particles. It is to be.

この表面処理層または被覆層を形成する材料としては、特に限定されず、例えば、シラン系、アルミ系、チタネート系等のカップリング剤、シリコーンオイル、シリコーンレジン、アニオン系、カチオン系、ノニオン系、フッ素系等の界面活性剤、アルコールを含む各種溶媒中の水酸基によるエステル化、各種有機ポリマー等が使用可能であるが、特に、シラン系カップリング剤、シリコーンオイル・レジンが好適である。   The material for forming this surface treatment layer or coating layer is not particularly limited, for example, coupling agents such as silane, aluminum, titanate, silicone oil, silicone resin, anionic, cationic, nonionic, Surfactants such as fluorine-based compounds, esterification with hydroxyl groups in various solvents including alcohol, various organic polymers, and the like can be used, and silane coupling agents and silicone oils / resins are particularly preferable.

例えば、シラン系カップリング剤としては、ビニルトリメトキシシランやビニルトリエトキシシラン等のビニル系シランカップリング剤;N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、3−N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノ系シランカップリング剤;γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のエポキシ系シランカップリング剤;アクリロキシプロピルトリメトキシシラン等のアクリロキシ系シランカップリング剤;3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン等のメタクリロキシ系シランカップリング剤;3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のメルカプト系シランカップリング剤;メチルトリメトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、デシルトリエトキシシラン、ヒドロキシエチルトリメトキシシラン等のアルキル系シランカップリング剤;(トリデカフルオロ−1,1,2,2−テトラヒドロオクチル)トリエトキシシラン等のフッ素含有有機基を有するシリコン化合物などを挙げることができる。   For example, as the silane coupling agent, vinyl silane coupling agents such as vinyltrimethoxysilane and vinyltriethoxysilane; N- (2-aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane, 3-N-phenyl -Amino silane coupling agent such as γ-aminopropyltrimethoxysilane; Epoxy silane coupling agent such as γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane; Acryloxy silane coupling agent such as acryloxypropyltrimethoxysilane; Methacryloxy silane coupling agents such as 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane; Mercapto silane coupling agents such as 3-mercaptopropyltrimethoxysilane; Methyltrimethoxysilane, Trimethylmethoxysilane, Decyltriethoxy Examples include alkyl silane coupling agents such as silane and hydroxyethyltrimethoxysilane; silicon compounds having fluorine-containing organic groups such as (tridecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrooctyl) triethoxysilane, and the like. it can.

また、シリコーンオイルとしては、例えば、ポリジメチルシロキサン、このポリジメチルシロキサンの側鎖あるいは末端の少なくとも1つのメチル基が水素、アルキル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ベンジル基、アミノ基、エポキシ基、ポリエーテル基、カルボキシル基、メルカプト基、クロロアルキル基、アルキル高級アルコールエステル基、アルコール基、アラルキル基、ビニル基、トリフロロメチル基の群から選択された1種または2種以上の基により変性された変性ポリシロキサン、または、これらの混合物を挙げることができる。   Examples of the silicone oil include polydimethylsiloxane, and at least one methyl group at the side chain or terminal of the polydimethylsiloxane is hydrogen, alkyl group, cyclohexyl group, phenyl group, benzyl group, amino group, epoxy group, poly group. Modified with one or more groups selected from the group of ether group, carboxyl group, mercapto group, chloroalkyl group, alkyl higher alcohol ester group, alcohol group, aralkyl group, vinyl group and trifluoromethyl group Mention may be made of modified polysiloxanes or mixtures thereof.

シリコーンレジンとしては、SiO、RSiO3/2、RSiO、RSiO1/2の構造単位を組み合わせてできる三次元網状構造を有する樹脂などを挙げることができる。ここで,Rはメチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基、または、フェニル基、ベンジル基等の芳香族基、または上記置換基にビニル基を含有した置換基を示す。Examples of the silicone resin include resins having a three-dimensional network structure formed by combining structural units of SiO 2 , RSiO 3/2 , R 2 SiO, and R 3 SiO 1/2 . Here, R represents an alkyl group such as a methyl group, an ethyl group or a propyl group, an aromatic group such as a phenyl group or a benzyl group, or a substituent containing a vinyl group in the above substituent.

界面活性剤としては、アニオン系、カチオン系、ノニオン系、フッ素系のいずれにも限定されるものではないが、カチオン性界面活性剤が好ましい。
このカチオン性界面活性剤の中では、アンモニウム化合物が好ましく、特に4級アンモニウム塩が好ましい。
The surfactant is not limited to any of anionic, cationic, nonionic, and fluorine, but a cationic surfactant is preferable.
Among the cationic surfactants, ammonium compounds are preferable, and quaternary ammonium salts are particularly preferable.

この4級アンモニウム塩としては、例えば、オクチルトリメチルアンモニウム塩、デシルトリメチルアンモニウム塩、ドデシルトリメチルアンモニウム塩、テトラデシルトリメチルアンモニウム塩、ヘキサデシルトリメチルアンモニウム塩、オクタデシルトリメチルアンモニウム塩等が用いられる。   Examples of the quaternary ammonium salt include octyltrimethylammonium salt, decyltrimethylammonium salt, dodecyltrimethylammonium salt, tetradecyltrimethylammonium salt, hexadecyltrimethylammonium salt, octadecyltrimethylammonium salt, and the like.

特に、上記の界面活性剤として触媒作用を有する界面活性剤を用いると、触媒を添加しなくても多孔質微粒子を生成することができる。
触媒作用を有する界面活性剤としては、アンモニウム化合物、特に4級アンモニウムヒドロキシドが好ましい。
In particular, when a surfactant having a catalytic action is used as the surfactant, porous fine particles can be produced without adding a catalyst.
As the surfactant having a catalytic action, an ammonium compound, particularly a quaternary ammonium hydroxide is preferable.

4級アンモニウムヒドロキシドとしては、例えば、オクチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、オクチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、デシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、ドデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、オクタデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド等が用いられる。   Examples of the quaternary ammonium hydroxide include octyltrimethylammonium hydroxide, octyltrimethylammonium hydroxide, decyltrimethylammonium hydroxide, dodecyltrimethylammonium hydroxide, tetradecyltrimethylammonium hydroxide, hexadecyltrimethylammonium hydroxide, octadecyltrimethyl Ammonium hydroxide or the like is used.

本実施形態で用いられる多孔質シリカ凝集粒子によれば、多孔質シリカ球状一次粒子内に細孔を形成するとともに、これらの多孔質シリカ球状一次粒子間に空隙層を形成したので、多孔質シリカ凝集粒子の細孔径、細孔容積、形状及び粒子径を最適状態に制御することができる。   According to the porous silica agglomerated particles used in the present embodiment, pores are formed in the porous silica spherical primary particles, and a void layer is formed between these porous silica spherical primary particles. The pore diameter, pore volume, shape and particle diameter of the aggregated particles can be controlled to the optimum state.

(4)硬化促進剤
本発明に用いる硬化性樹脂組成物は、耐熱性の高い硬化物を容易に得ることができる観点から、硬化促進剤をさらに含有することが好ましい。例えば、硬化剤として多価エポキシ化合物を用いる場合には、第3級アミン化合物や三弗化ホウ素錯化合物等の硬化促進剤が好適に用いられる。なかでも、第3級アミン化合物を使用すると、微細配線に対する積層性、絶縁抵抗性、耐熱性、耐薬品性等が向上するので好ましい。
(4) Curing accelerator It is preferable that the curable resin composition used for this invention further contains a curing accelerator from a viewpoint which can obtain hardened | cured material with high heat resistance easily. For example, when a polyvalent epoxy compound is used as the curing agent, a curing accelerator such as a tertiary amine compound or a boron trifluoride complex compound is preferably used. Among these, the use of a tertiary amine compound is preferable because the lamination property, insulation resistance, heat resistance, chemical resistance and the like for fine wiring are improved.

第3級アミン化合物としては、ベンジルメチルアミン、トリエタノールアミン、トリエチルアミン、トリブチルアミン、トリベンジルアミン、ジメチルホルムアミド等の鎖状3級アミン化合物;ピラゾール類、ピリジン類、ピラジン類、ピリミジン類、インダゾール類、キノリン類、イソキノリン類、イミダゾール類、トリアゾール類等の含窒素ヘテロ環化合物;等が挙げられる。これらの中で、イミダゾール類、特に置換基を有する置換イミダゾール化合物が好ましい。   As tertiary amine compounds, chain tertiary amine compounds such as benzylmethylamine, triethanolamine, triethylamine, tributylamine, tribenzylamine, dimethylformamide; pyrazoles, pyridines, pyrazines, pyrimidines, indazoles , Nitrogen-containing heterocyclic compounds such as quinolines, isoquinolines, imidazoles, and triazoles; Among these, imidazoles, particularly substituted imidazole compounds having a substituent are preferable.

置換イミダゾール化合物としては、2−エチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、ビス−2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−メチル−2−エチルイミダゾール、2−イソプロピルイミダゾール、2,4−ジメチルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール等のアルキル置換イミダゾール化合物;2−フェニルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−エチルイミダゾール、ベンズイミダゾール、2−エチル−4−メチル−1−(2’−シアノエチル)イミダゾール、2−エチル−4−メチル−1−[2’−(3’’,5’’−ジアミノトリアジニル)エチル]イミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール等のアリール基やアラルキル基等の環構造を有する炭化水素基で置換されたイミダゾール化合物;等が挙げられる。これらの硬化促進剤は、一種単独で、あるいは二種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、環構造を有する炭化水素基で置換されたイミダゾール化合物が好ましく、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾールが特に好ましい。   Examples of substituted imidazole compounds include 2-ethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, bis-2-ethyl-4-methylimidazole, 1-methyl-2-ethylimidazole, 2-isopropylimidazole, and 2,4-dimethyl. Alkyl-substituted imidazole compounds such as imidazole and 2-heptadecylimidazole; 2-phenylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-ethylimidazole, benzimidazole, 2-ethyl-4-methyl-1- (2′-cyanoethyl) imidazole, 2-ethyl-4-methyl-1- [2 ′-(3 ″, 5 ″ -diaminotriazinyl) ethyl] imidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, etc. Carbonization with a ring structure such as aryl or aralkyl groups Imidazole compounds substituted with a containing group; and the like. These curing accelerators can be used singly or in combination of two or more. Among these, an imidazole compound substituted with a hydrocarbon group having a ring structure is preferable, and 1-benzyl-2-phenylimidazole is particularly preferable.

硬化促進剤の配合量は使用目的に応じて適宜設定されるが、脂環式オレフィン重合体100重量部に対して、好ましくは0.001〜30重量部、さらに好ましくは0.01〜10重量部、より好ましくは0.03〜5重量部である。   Although the compounding quantity of a hardening accelerator is suitably set according to a use purpose, Preferably it is 0.001-30 weight part with respect to 100 weight part of alicyclic olefin polymers, More preferably, it is 0.01-10 weight. Parts, more preferably 0.03 to 5 parts by weight.

(5)難燃剤
本発明の硬化性樹脂組成物を硬化して得られる硬化物の難燃性を向上させる目的でさらに硬化性樹脂組成物に難燃剤を含有させてもよい。
(5) Flame retardant For the purpose of improving the flame retardancy of a cured product obtained by curing the curable resin composition of the present invention, the curable resin composition may further contain a flame retardant.

用いる難燃剤としては、焼却時に有害物質の発生の少ないハロゲン不含難燃剤が好ましい。ハロゲン不含難燃剤の具体例としては、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、アンチモン酸ソーダ等のアンチモン化合物;水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、硼酸亜鉛、スルファミン酸グアニジン、ジルコニウム化合物、モリブデン化合物、硼酸アルミニウム、スズ化合物等の無機難燃剤;フェロセン等の有機金属化合物;リン酸エステル、芳香族縮合リン酸エステル、フォスファゼン化合物、リン含有エポキシ化合物、反応型リン化合物、ポリリン酸アンモニウム、メラミンリン酸塩、ポリリン酸メラミン塩、ポリリン酸メラム塩、ポリリン酸メレム塩、ポリリン酸メラミン・メラム・メレム複塩、赤燐、フォスファゼン化合物等のリン系難燃剤;等が挙げられる。これらのうち、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、フォスファゼン化合物、メラミンリン酸塩、ポリリン酸メラミン塩、ポリリン酸メラム塩、ポリリン酸メレム塩が好ましく、特に耐熱性、耐湿性及び難燃性の向上に優れる点から水酸化マグネシウム、ポリリン酸メラミン・メラム・メレム複塩が好ましい。   As the flame retardant to be used, a halogen-free flame retardant that generates little harmful substances during incineration is preferable. Specific examples of the halogen-free flame retardant include antimony compounds such as antimony trioxide, antimony pentoxide, and sodium antimonate; aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, zinc borate, guanidine sulfamate, zirconium compound, molybdenum compound, aluminum borate Inorganic flame retardants such as tin compounds; organometallic compounds such as ferrocene; phosphate esters, aromatic condensed phosphate esters, phosphazene compounds, phosphorus-containing epoxy compounds, reactive phosphorus compounds, ammonium polyphosphate, melamine phosphate, polyphosphorus And phosphorous flame retardants such as melamine salt of polyphosphate, melam salt of polyphosphate, melem salt of polyphosphate, double salt of melamine, melam, and melem polyphosphate, red phosphorus, and phosphazene compound. Of these, magnesium hydroxide, aluminum hydroxide, phosphazene compounds, melamine phosphate, melamine polyphosphate, melam salt polyphosphate, and melem salt polyphosphate are preferred, especially for improving heat resistance, moisture resistance and flame retardancy. From the viewpoint of superiority, magnesium hydroxide and melamine / melam / melem double salt polyphosphate are preferable.

(6)レーザー加工性向上剤
本発明の硬化性樹脂組成物は、さらにその硬化物のレーザー加工性を向上させる目的で、レーザー加工性向上剤を含有していてもよい。レーザー加工性向上剤としては、2−[2−ヒドロキシ−3,5−ビス(α,α−ジメチルベンジル)フェニル]ベンゾトリアゾール等があげられる。
(6) Laser processability improver The curable resin composition of the present invention may further contain a laser processability improver for the purpose of further improving the laser processability of the cured product. Examples of the laser processability improver include 2- [2-hydroxy-3,5-bis (α, α-dimethylbenzyl) phenyl] benzotriazole.

(7)充填剤、添加剤
本発明の硬化性樹脂組成物は、さらにその用途に応じて所望の性能を付与する目的で、本来の性質を損なわない範囲の量の充填剤や添加剤を含有していてもよい。
(7) Filler, Additive The curable resin composition of the present invention further contains an amount of filler or additive in a range that does not impair the original properties for the purpose of imparting desired performance according to its use. You may do it.

用いる充填剤としては、カーボンブラック、アルミナ、チタン酸バリウム、タルク、雲母、ガラスビーズ、ガラス中空球等が挙げられる。また、前記多孔質シリカ凝集粒子以外のシリカ、たとえば市販のシリカ粒子を用いても良い。   Examples of the filler used include carbon black, alumina, barium titanate, talc, mica, glass beads, and glass hollow spheres. Further, silica other than the porous silica aggregated particles, for example, commercially available silica particles may be used.

添加剤としては、軟質重合体、耐熱安定剤、耐候安定剤、老化防止剤、レベリング剤、帯電防止剤、スリップ剤、アンチブロッキング剤、防曇剤、滑剤、染料、顔料、天然油、合成油、ワックス、乳剤、磁性体、誘電特性調整剤、靭性剤等が挙げられる。   Additives include soft polymer, heat stabilizer, weather stabilizer, anti-aging agent, leveling agent, antistatic agent, slip agent, anti-blocking agent, anti-fogging agent, lubricant, dye, pigment, natural oil, synthetic oil , Wax, emulsion, magnetic material, dielectric property adjusting agent, toughening agent and the like.

(8)硬化性樹脂組成物の製造
本発明の硬化性樹脂組成物は、上記脂環式オレフィン重合体と硬化剤と多孔質シリカ凝集粒子とを含み、さらに必要に応じ硬化促進剤、難燃剤、レーザー加工性向上剤、その他の充填剤、添加剤を含む。これら成分は、押出機等により機械的に混合されていてもよいが、通常は、有機溶剤に溶解又は分散させたワニス(硬化性樹脂ワニス)として使用する。
(8) Production of curable resin composition The curable resin composition of the present invention includes the alicyclic olefin polymer, a curing agent, and porous silica aggregated particles, and further includes a curing accelerator and a flame retardant as necessary. , Laser workability improver, other fillers, additives. These components may be mechanically mixed by an extruder or the like, but are usually used as a varnish (curable resin varnish) dissolved or dispersed in an organic solvent.

ワニスの調製に用いる有機溶剤としては、沸点が30〜250℃のものが好ましく、50〜200℃のものがより好ましい。このような範囲の沸点を有する有機溶剤を使用すると、後に加熱して揮散させ、乾燥するのに好適である。   As an organic solvent used for preparation of a varnish, a thing with a boiling point of 30-250 degreeC is preferable, and a 50-200 degreeC thing is more preferable. When an organic solvent having a boiling point in such a range is used, it is suitable for heating and volatilizing and drying later.

かかる有機溶剤の具体例としては、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶剤;n−ペンタン、n−ヘキサン、n−ヘプタン等の脂肪族炭化水素系溶剤;シクロペンタン、シクロヘキサン等の脂環式炭化水素系溶剤;クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素系溶剤;メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤;等が挙げられる。   Specific examples of such organic solvents include aromatic hydrocarbon solvents such as toluene, xylene, ethylbenzene and trimethylbenzene; aliphatic hydrocarbon solvents such as n-pentane, n-hexane and n-heptane; cyclopentane and cyclohexane And alicyclic hydrocarbon solvents such as chlorobenzene, dichlorobenzene and trichlorobenzene; ketone solvents such as methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclopentanone and cyclohexanone;

有機溶剤の使用量は、所望の成形体の厚みや表面平坦度に応じて適宜選択されるが、ワニスの固形分濃度が、通常、5〜70重量%、好ましくは10〜65重量%、より好ましくは20〜60重量%になる範囲である。   The amount of the organic solvent used is appropriately selected according to the thickness and surface flatness of the desired molded article, but the solid content concentration of the varnish is usually from 5 to 70% by weight, preferably from 10 to 65% by weight. Preferably it is the range which becomes 20 to 60 weight%.

ワニスの調製法に格別な制限はなく、例えば、脂環式オレフィン重合体、硬化剤、多孔質シリカ凝集粒子重合体、及び必要に応じ配合される任意成分を常法に従って混合すればよい。   There is no special limitation in the preparation method of a varnish, For example, an alicyclic olefin polymer, a hardening | curing agent, a porous silica aggregated particle polymer, and the arbitrary component mix | blended as needed may be mixed in accordance with a conventional method.

混合に用いる混合機としては、マグネチックスターラー、高速ホモジナイザー、ディスパー、遊星攪拌機、二軸攪拌機、ボールミル、三本ロール等が挙げられる。
混合温度は、硬化剤による硬化反応を起こさない範囲で、かつ有機溶剤の沸点以下が好ましい。
Examples of the mixer used for mixing include a magnetic stirrer, a high-speed homogenizer, a disper, a planetary stirrer, a twin-screw stirrer, a ball mill, and a three-roller.
The mixing temperature is preferably in the range where no curing reaction is caused by the curing agent and not more than the boiling point of the organic solvent.

(B)成形体
本発明に係る成形体は、上記硬化性樹脂組成物をフィルム状又はシート状に成形して得られる。具体的には、前記ワニスを支持体上に塗布し、乾燥することで成形体が得られる。
(B) Molded body The molded body according to the present invention is obtained by molding the curable resin composition into a film or a sheet. Specifically, the varnish is applied on a support and dried to obtain a molded body.

支持体としては、樹脂フィルムや金属箔等が挙げられる。樹脂フィルムとしては、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリアリレートフィルム、ナイロンフィルム等が挙げられる。これらのフィルムのうち、耐熱性、耐薬品性、剥離性等の観点から、ポリエチレンテレフタレートフィルム及びポリエチレンナフタレートフィルムが好ましい。金属箔としては、銅箔、アルミ箔、ニッケル箔、クロム箔、金箔、銀箔等が挙げられる。中でも、導電性が良好である点から、銅箔、特に電解銅箔や圧延銅箔が好適である。   Examples of the support include a resin film and a metal foil. Examples of the resin film include a polyethylene terephthalate film, a polypropylene film, a polyethylene film, a polycarbonate film, a polyethylene naphthalate film, a polyarylate film, and a nylon film. Among these films, a polyethylene terephthalate film and a polyethylene naphthalate film are preferable from the viewpoints of heat resistance, chemical resistance, peelability, and the like. Examples of the metal foil include copper foil, aluminum foil, nickel foil, chrome foil, gold foil, and silver foil. Among these, a copper foil, particularly an electrolytic copper foil or a rolled copper foil is preferable from the viewpoint of good conductivity.

支持体の厚みに制限はないが、作業性等の観点から、通常1〜150μm、好ましくは2〜100μm、より好ましくは5〜80μmである。   Although there is no restriction | limiting in the thickness of a support body, from viewpoints of workability | operativity etc., it is 1-150 micrometers normally, Preferably it is 2-100 micrometers, More preferably, it is 5-80 micrometers.

また、支持体の表面平均粗さRaは、通常、300nm以下、好ましくは150nm以下、より好ましくは100nm以下である。支持体の表面平均粗さRaが大きすぎると、得られる成形体を硬化して形成される電気絶縁層の表面平均粗さRaが大きくなり、導体層として微細な配線パターンの形成が困難になる。   The surface average roughness Ra of the support is usually 300 nm or less, preferably 150 nm or less, more preferably 100 nm or less. If the surface average roughness Ra of the support is too large, the surface average roughness Ra of the electrically insulating layer formed by curing the resulting molded body increases, and it becomes difficult to form a fine wiring pattern as a conductor layer. .

ワニスを支持体に塗工する方法は、特に限定されない。例えば、ディップコート法、ロールコート法、カーテンコート法、ダイコート法、スリットコート法、グラビアコート法等の公知の塗工法が挙げられる。   The method for applying the varnish to the support is not particularly limited. For example, known coating methods such as dip coating, roll coating, curtain coating, die coating, slit coating, and gravure coating can be used.

ワニスの乾燥条件は、有機溶剤の種類により適宜選択される。具体的には、乾燥温度は通常20〜300℃、好ましくは30〜200℃である。乾燥温度が高すぎると、硬化反応が進行して、得られる成形体が未硬化又は半硬化の状態とならなくなるおそれがある。また、乾燥時間は、通常30秒〜1時間、好ましくは1分〜30分である。   The drying conditions for the varnish are appropriately selected depending on the type of organic solvent. Specifically, the drying temperature is usually 20 to 300 ° C, preferably 30 to 200 ° C. If the drying temperature is too high, the curing reaction proceeds and the resulting molded article may not be in an uncured or semi-cured state. The drying time is usually 30 seconds to 1 hour, preferably 1 minute to 30 minutes.

成形体の厚さは特に限定はされず、該成形体の用途に応じて適宜に選択されるが、通常は1〜150μm、好ましくは3〜100μm、より好ましくは5〜80μm程度である。また塗膜の厚さは、ワニスにおける有機溶剤の使用量に適宜に設定できる。厚い塗膜を形成する場合には、有機溶剤の使用量を少なくし、粘度の高いワニスを使用すればよく、また薄い塗膜の場合には、有機溶剤の使用量を少なくし、粘度の高いワニスを使用すればよい。
支持体上に形成された成形体は、そのまま使用してもよく、また支持体から剥離して使用してもよい。
The thickness of the molded body is not particularly limited and is appropriately selected depending on the application of the molded body, but is usually 1 to 150 μm, preferably 3 to 100 μm, and more preferably about 5 to 80 μm. Moreover, the thickness of a coating film can be suitably set to the usage-amount of the organic solvent in a varnish. When forming a thick film, use less organic solvent and use a higher viscosity varnish. When using a thinner film, use less organic solvent and use a higher viscosity. A varnish may be used.
The molded body formed on the support may be used as it is, or may be used after being peeled from the support.

(C)複合体
本発明の複合体は、上記硬化性樹脂組成物と繊維基材とを含有する。このような複合体の具体例としては硬化性樹脂組成物を含むワニスを繊維基材のすき間に充填し、乾燥して成るプリプレグなどが挙げられる。繊維基材としては、無機系及び/又は有機系の繊維が使用でき、例えば、ガラス繊維、金属繊維、セラミック繊維、炭素繊維、アラミド繊維、ポリエチレンテレフタレート繊維、ビニロン繊維、ポリエステル繊維、アミド繊維、ポリアリレートなどの液晶繊維、などの公知のものが挙げられる。これらは1種単独で、あるいは2種以上を組合せて用いることができる。繊維基材の形状としては、マット、クロス、不織布などが挙げられる。また、繊維基材の片面には、前記した支持体が貼付されてなることが好ましい。
(C) Composite The composite of the present invention contains the curable resin composition and a fiber base material. Specific examples of such a composite include a prepreg obtained by filling a varnish containing a curable resin composition into a gap of a fiber base material and drying it. As the fiber substrate, inorganic and / or organic fibers can be used. For example, glass fiber, metal fiber, ceramic fiber, carbon fiber, aramid fiber, polyethylene terephthalate fiber, vinylon fiber, polyester fiber, amide fiber, poly Examples include known liquid crystal fibers such as arylate. These can be used alone or in combination of two or more. Examples of the shape of the fiber base material include mats, cloths, and nonwoven fabrics. Moreover, it is preferable that the above-mentioned support body is stuck on the single side | surface of a fiber base material.

繊維基材にワニスを含浸させるには、例えば、所定量のワニスを、繊維基材の上に注ぎ、必要に応じてその上に保護フィルムを重ね、上方からローラーなどで押圧することにより行うことができる。その後、上記成形体と同様の条件で乾燥して、本発明の複合体が得られる。   In order to impregnate a fiber base material with a varnish, for example, a predetermined amount of varnish is poured onto the fiber base material, and a protective film is stacked on the fiber base material as necessary, and pressed from above with a roller or the like. Can do. Then, it dries on the same conditions as the above-mentioned compact, and the composite of the present invention is obtained.

本発明の成形体および複合体は、難燃性、電気絶縁性及び耐クラック性に優れ、かつ、焼却時に有害物質が発生しにくいものである。従って、特に多層回路基板の電気絶縁層の形成材料として好適である。   The molded body and composite of the present invention are excellent in flame retardancy, electrical insulation and crack resistance, and hardly generate harmful substances during incineration. Therefore, it is particularly suitable as a material for forming an electrical insulating layer of a multilayer circuit board.

(D)硬化物
本発明の硬化物は、上述した本発明の成形体または複合体(以下、これらを併せて単に「成形体等」と記載することがある)を硬化して得られる。成形体等の硬化は、加熱により行う。
(D) Hardened | cured material The hardened | cured material of this invention is obtained by hardening | curing the molded object or composite_body | complex of this invention mentioned above (Hereafter, these may be described only as "a molded object etc."). Curing of the molded body or the like is performed by heating.

硬化条件は硬化剤の種類に応じて適宜選択される。硬化温度は、通常30〜400℃、好ましくは70〜300℃、より好ましくは100〜200℃である。硬化時間は、0.1〜5時間、好ましくは0.5〜3時間である。加熱の方法は特に制限されず、例えば電気オーブンを用いて行えばよい。   Curing conditions are appropriately selected according to the type of curing agent. The curing temperature is usually 30 to 400 ° C, preferably 70 to 300 ° C, more preferably 100 to 200 ° C. The curing time is 0.1 to 5 hours, preferably 0.5 to 3 hours. The heating method is not particularly limited, and may be performed using, for example, an electric oven.

なお、硬化に先立って、成形体等に金属配位能を有する化合物を接触させ、次いで、水等の、これらの化合物の良溶剤で洗浄する工程を設けることが好ましい。この工程により、成形体等の表面の平滑化を図り、この上に後工程で被覆される金属薄膜との密着性を向上させることができる。用いる金属配位能を有する化合物としては、1−(2−アミノエチル)−2−メチルイミダゾール等のイミダゾール類;ピラゾール類;トリアゾール類;トリアジン類;等が挙げられる。   Prior to curing, it is preferable to provide a step of bringing a compound having metal coordination ability into contact with a molded body and the like, and then washing with a good solvent of these compounds such as water. By this step, the surface of the molded body and the like can be smoothed, and the adhesion with the metal thin film coated thereon in the subsequent step can be improved. Examples of the compound having metal coordination ability include imidazoles such as 1- (2-aminoethyl) -2-methylimidazole; pyrazoles; triazoles; triazines;

本発明の硬化物は、上記成形体等を硬化して得られるものであり、比誘電率が低く、また難燃性、電気絶縁性及び耐クラック性に優れ、かつ、焼却時に有害物質が発生しにくいものである。従って、特に高周波数領域で使用される多層回路基板の電気絶縁層として好適である。   The cured product of the present invention is obtained by curing the above molded body, etc., has a low relative dielectric constant, excellent flame retardancy, electrical insulation and crack resistance, and generates harmful substances during incineration. It is hard to do. Therefore, it is suitable as an electrical insulating layer of a multilayer circuit board used particularly in a high frequency region.

(E)積層体
本発明の積層体は、表面に導体層(I)を有する基板と前記本発明の硬化物からなる電気絶縁層とを積層してなる。
(E) Laminate The laminate of the present invention is formed by laminating a substrate having a conductor layer (I) on the surface and an electrically insulating layer made of the cured product of the present invention.

(1)基板
本発明に用いる基板は、電気絶縁性基板の表面に導体層(I)を有する。電気絶縁性基板は、公知の電気絶縁材料(例えば、脂環式オレフィン重合体、エポキシ樹脂、マレイミド樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、トリアジン樹脂、ポリフェニルエーテル、ガラス等)を含有する硬化性樹脂組成物を硬化して形成されたものである。
(1) Substrate The substrate used in the present invention has a conductor layer (I) on the surface of an electrically insulating substrate. The electrically insulating substrate contains a known electrically insulating material (for example, alicyclic olefin polymer, epoxy resin, maleimide resin, acrylic resin, methacrylic resin, diallyl phthalate resin, triazine resin, polyphenyl ether, glass, etc.). It is formed by curing a curable resin composition.

(2)導体層(I)
導体層(I)は、特に限定されないが、通常、導電性金属等の導電体により形成された配線を含む層であって、更に各種の回路を含んでいてもよい。また、配線や回路の構成、厚み等は、特に限定されない。
(2) Conductor layer (I)
The conductor layer (I) is not particularly limited, but is usually a layer including wiring formed of a conductor such as a conductive metal, and may further include various circuits. Further, the configuration and thickness of the wiring and circuit are not particularly limited.

表面に導体層(I)を有する基板の具体例としては、プリント配線基板、シリコンウェーハ基板等を挙げることができる。表面に導体層(I)を有する基板の厚みは、通常、10μm〜10mm、好ましくは20μm〜5mm、より好ましくは30μm〜2mmである。   Specific examples of the substrate having the conductor layer (I) on the surface include a printed wiring board and a silicon wafer substrate. The thickness of the substrate having the conductor layer (I) on the surface is usually 10 μm to 10 mm, preferably 20 μm to 5 mm, more preferably 30 μm to 2 mm.

本発明に用いる表面に導体層(I)を有する基板は、電気絶縁層との密着性を向上させるために、導体層表面に前処理が施されていることが好ましい。   The substrate having the conductor layer (I) on the surface used in the present invention is preferably pretreated on the surface of the conductor layer in order to improve adhesion to the electrical insulating layer.

前処理の方法としては、公知の技術が特に限定されず使用できる。例えば、導体層(I)が銅からなるものであれば、強アルカリ酸化性溶液を導体層表面に接触させて、導体層表面に酸化銅の層を形成して粗化する酸化処理方法、導体層表面を先の方法で酸化した後に水素化ホウ素ナトリウム、ホルマリン等で還元する方法、導体層(I)にめっきを析出させて粗化する方法、導体層(I)に有機酸を接触させて銅の粒界を溶出して粗化する方法、及び導体層(I)にチオール化合物やシラン化合物等によりプライマー層を形成する方法等が挙げられる。   As a pretreatment method, a known technique is not particularly limited and can be used. For example, if the conductor layer (I) is made of copper, an oxidation treatment method in which a strong alkali oxidizing solution is brought into contact with the surface of the conductor layer to form a copper oxide layer on the surface of the conductor layer, and then the conductor is formed. A method in which the surface of the layer is oxidized by the above method and then reduced with sodium borohydride, formalin, etc., a method in which the conductor layer (I) is plated and roughened, and an organic acid is brought into contact with the conductor layer (I). Examples include a method in which copper grain boundaries are eluted and roughened, and a method in which a primer layer is formed on the conductor layer (I) with a thiol compound, a silane compound, or the like.

これらのうち、微細な配線パターンの形状維持の容易性の観点から、導体層(I)に有機酸を接触させて銅の粒界を溶出して粗化する方法、及び、チオール化合物やシラン化合物等によりプライマー層を形成する方法が好ましい。   Among these, from the viewpoint of easy maintenance of the shape of a fine wiring pattern, a method of bringing an organic acid into contact with the conductor layer (I) to elute and roughen the copper grain boundaries, and a thiol compound or a silane compound A method of forming the primer layer by, for example, is preferable.

(3)積層体の製造
本発明の積層体は、表面に導体層(I)を有する基板上に、前記成形体等を加熱圧着し、硬化して電気絶縁層を形成することにより製造できる。
(3) Manufacture of a laminated body The laminated body of this invention can be manufactured by thermocompression-bonding the said molded object etc. on the board | substrate which has conductor layer (I) on the surface, and hardening and forming an electrically insulating layer.

加熱圧着の方法の具体例としては、成形体等を、前記基板の導体層(I)に接するように重ね合わせ、加圧ラミネータ、プレス、真空ラミネータ、真空プレス、ロールラミネータ等の加圧機を使用して加熱圧着(ラミネーション)する方法が挙げられる。加熱加圧することにより、前記基板表面の導体層(I)と成形体等との界面に空隙が実質的に存在しないように結合させることができる。また、成形体等の支持体として金属箔を用いた場合は、成形体等と金属箔との密着性も向上するので、該金属箔をそのまま後述の多層回路基板の導体層(I)として用いることができる。   As a specific example of the thermocompression bonding method, a molded body or the like is laminated so as to be in contact with the conductor layer (I) of the substrate, and a pressure laminator, a press, a vacuum laminator, a vacuum press, a roll laminator or the like is used. And a method of thermocompression bonding (lamination). By heating and pressurizing, bonding can be performed so that there is substantially no void at the interface between the conductor layer (I) on the surface of the substrate and the molded body. In addition, when a metal foil is used as a support such as a molded body, the adhesion between the molded body and the metal foil is improved, so that the metal foil is used as it is as a conductor layer (I) of a multilayer circuit board described later. be able to.

加熱圧着操作の温度は、通常30〜250℃、好ましくは70〜200℃であり、加える圧力は、通常10kPa〜20MPa、好ましくは100kPa〜10MPaである。加熱圧着時間は、通常30秒から5時間、好ましくは1分から3時間である。   The temperature of the thermocompression bonding operation is usually 30 to 250 ° C., preferably 70 to 200 ° C., and the applied pressure is usually 10 kPa to 20 MPa, preferably 100 kPa to 10 MPa. The thermocompression bonding time is usually 30 seconds to 5 hours, preferably 1 minute to 3 hours.

また、加熱圧着は、配線パターンの埋め込み性を向上させ、気泡の発生を抑えるために減圧下で行うのが好ましい。
加熱圧着を行う雰囲気の圧力は、通常100kPa〜1Pa、好ましくは40kPa〜10Paである。
The thermocompression bonding is preferably performed under reduced pressure in order to improve the embedding property of the wiring pattern and suppress the generation of bubbles.
The pressure of the atmosphere in which thermocompression bonding is performed is usually 100 kPa to 1 Pa, preferably 40 kPa to 10 Pa.

成形体等の硬化は、通常、導体層(I)上に成形体等が形成された基板全体を加熱することにより行う。硬化は、前記加熱圧着操作と同時に行うことができる。また、先ず加熱圧着操作を硬化の起こらない条件、すなわち比較的低温、短時間で行った後、硬化を行ってもよい。   Curing of the molded body or the like is usually performed by heating the entire substrate on which the molded body or the like is formed on the conductor layer (I). Curing can be performed simultaneously with the thermocompression bonding operation. Alternatively, the thermocompression may be performed after the thermocompression operation is performed under conditions that do not cause curing, that is, at a relatively low temperature for a short time.

また、電気絶縁層の平坦性を向上させる目的や、電気絶縁層の厚みを増す目的で、前記基板の導体層(I)上に成形体等を2つ以上接して貼り合わせて積層してもよい。   Further, for the purpose of improving the flatness of the electrical insulating layer or increasing the thickness of the electrical insulating layer, two or more molded bodies or the like may be bonded and laminated on the conductor layer (I) of the substrate. Good.

(F)多層回路基板及びその製造方法
本発明の多層回路基板は、上述した本発明の積層体の電気絶縁層上にさらに導体層(II)を形成してなる。
(F) Multilayer circuit board and method for producing the same The multilayer circuit board of the present invention is formed by further forming a conductor layer (II) on the electrical insulating layer of the laminate of the present invention described above.

本発明の多層回路基板は、前記積層体の製造において、成形体等の支持体として樹脂フィルムを用いた場合は、これを剥離した後に、電気絶縁層上にめっき法等によりさらに導体層(II)を形成することにより製造できる。また、成形体等の支持体として金属箔を用いた場合は、公知のエッチング法により該金属箔をパターン状にエッチングしてさらに導体層(II)を形成することにより製造することができる。本発明においては、前者の方法が好ましい。   In the multilayer circuit board of the present invention, when a resin film is used as a support for a molded body or the like in the production of the laminated body, after peeling the resin film, the conductor layer (II ). When a metal foil is used as a support such as a molded body, the metal foil can be produced by etching the metal foil into a pattern by a known etching method and further forming a conductor layer (II). In the present invention, the former method is preferred.

以下に、電気絶縁層上にめっき法により導体層(II)を形成して本発明の多層回路基板を製造する方法について具体的に説明する。   Hereinafter, a method for producing the multilayer circuit board of the present invention by forming the conductor layer (II) on the electrical insulating layer by plating will be specifically described.

まず、多層回路基板の製造に際し、通常、導体層(II)を形成する前に、多層回路基板中の各導体層を連結するために、積層体を貫通するビアホールを形成する。   First, in manufacturing a multilayer circuit board, normally, before forming the conductor layer (II), via holes penetrating the laminate are formed in order to connect the conductor layers in the multilayer circuit board.

ビアホールは、フォトリソグラフィ法のような化学的処理により、又は、ドリル、レーザー、プラズマエッチング等の物理的処理等により形成することができる。これらの方法の中でもレーザーによる方法(炭酸ガスレーザー、エキシマレーザー、UV−YAGレーザー等)によれば、より微細なビアホールを電気絶縁層の特性を低下させずに形成できるので好ましい。   The via hole can be formed by chemical processing such as photolithography, or physical processing such as drilling, laser, or plasma etching. Among these methods, a method using a laser (a carbon dioxide gas laser, an excimer laser, a UV-YAG laser, or the like) is preferable because a finer via hole can be formed without degrading the characteristics of the electrical insulating layer.

次に、導体層(II)との接着性を高めるために、電気絶縁層の表面を酸化して粗化し、所望の表面平均粗さに調整する。   Next, in order to improve the adhesiveness with the conductor layer (II), the surface of the electrical insulating layer is oxidized and roughened, and adjusted to a desired average surface roughness.

本発明において電気絶縁層の表面平均粗さRaは0.05μm以上0.3μm未満、好ましくは0.06μm以上0.2μm以下であり、かつ表面十点平均粗さRzjisは0.3μm以上4μm未満、好ましくは0.5μm以上2μm以下である。
ここで、RaはJIS B0601−2001に示される中心線平均粗さであり、表面十点平均粗さRzjisは、JIS B0601−2001付属書1に示される十点平均粗さである。
In the present invention, the surface average roughness Ra of the electrical insulating layer is 0.05 μm or more and less than 0.3 μm, preferably 0.06 μm or more and 0.2 μm or less, and the surface ten-point average roughness Rzjis is 0.3 μm or more and less than 4 μm. The thickness is preferably 0.5 μm or more and 2 μm or less.
Here, Ra is the centerline average roughness shown in JIS B0601-2001, and the surface ten-point average roughness Rzjis is the ten-point average roughness shown in JIS B0601-2001 appendix 1.

電気絶縁層表面と酸化性化合物とを接触させることにより、電気絶縁層表面を酸化することができる。
用いる酸化性化合物としては、無機過酸化物や有機過酸化物;気体;等酸化能を有する公知の化合物が挙げられる。電気絶縁層の表面平均粗さの制御の容易さから、無機過酸化物や有機過酸化物を用いるのが特に好ましい。
The electrical insulating layer surface can be oxidized by bringing the electrical insulating layer surface into contact with the oxidizing compound.
Examples of the oxidizing compound to be used include known compounds having an oxidizing ability such as inorganic peroxides and organic peroxides; gas; In view of easy control of the average surface roughness of the electrical insulating layer, it is particularly preferable to use an inorganic peroxide or an organic peroxide.

無機過酸化物の具体例としては、過マンガン酸塩、無水クロム酸、重クロム酸塩、クロム酸塩、過硫酸塩、活性二酸化マンガン、四酸化オスミウム、過酸化水素、過よう素酸塩、オゾン等が挙げられる。
有機過酸化物の具体例としてはジクミルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、m−クロロ過安息香酸、過酢酸等が挙げられる。
Specific examples of inorganic peroxides include permanganate, chromic anhydride, dichromate, chromate, persulfate, activated manganese dioxide, osmium tetroxide, hydrogen peroxide, periodate, Examples include ozone.
Specific examples of the organic peroxide include dicumyl peroxide, octanoyl peroxide, m-chloroperbenzoic acid, peracetic acid and the like.

無機過酸化物や有機過酸化物を用いて電気絶縁層表面を酸化する方法に格別な制限はない。例えば、上記酸化性化合物を溶解可能な溶媒に溶解して調製した酸化性化合物溶液を電気絶縁層表面に接触させる方法が挙げられる。   There is no particular limitation on the method of oxidizing the surface of the electrical insulating layer using an inorganic peroxide or an organic peroxide. For example, there is a method in which an oxidizing compound solution prepared by dissolving the oxidizing compound in a soluble solvent is brought into contact with the surface of the electrical insulating layer.

無機過酸化物や有機過酸化物又はこれらの溶液を電気絶縁層表面に接触させる方法に格別な制限はなく、例えば、電気絶縁層を酸化性化合物の溶液に浸漬するディップ法、酸化性化合物溶液を表面張力の利用で電気絶縁層に載せる液盛り法、酸化性化合物の溶液を基材に噴霧するスプレー法、等いかなる方法であっても良い。   There is no particular limitation on the method of bringing the inorganic peroxide or organic peroxide or these solutions into contact with the surface of the electrical insulating layer. For example, a dipping method in which the electrical insulating layer is immersed in an oxidizing compound solution, an oxidizing compound solution Any method may be used, such as a liquid filling method in which a surface tension is applied to an electric insulating layer, or a spray method in which a solution of an oxidizing compound is sprayed onto a substrate.

これらの無機過酸化物や有機過酸化物を電気絶縁層表面に接触させる温度や時間は、過酸化物の濃度や種類、接触方法等を考慮して、任意に設定すれば良い。前記温度は通常10〜250℃、好ましくは20〜180℃であり、前記時間は通常0.5〜60分、好ましくは1〜30分である。   The temperature and time for bringing these inorganic peroxides and organic peroxides into contact with the surface of the electrical insulating layer may be arbitrarily set in consideration of the concentration and type of peroxide, the contact method, and the like. The said temperature is 10-250 degreeC normally, Preferably it is 20-180 degreeC, and the said time is 0.5-60 minutes normally, Preferably it is 1-30 minutes.

気体を用いて酸化処理する方法としては、逆スパッタリングやコロナ放電等気体をラジカルやイオン化させるプラズマ処理が挙げられる。気体としては大気、酸素、窒素、アルゴン、水、二硫化炭素、四塩化炭素等が例示される。   Examples of the method for oxidizing using gas include plasma treatment for radical or ionization of gas such as reverse sputtering and corona discharge. Examples of the gas include air, oxygen, nitrogen, argon, water, carbon disulfide, and carbon tetrachloride.

酸化処理用の気体が処理温度では液体であるが減圧下で気体になる場合は、減圧下で酸化処理を行う。
また、酸化処理用の気体が処理温度、圧力において気体の場合は、適当な手段で気体をラジカル化やイオン化した後、酸化処理を行う。
When the gas for oxidation treatment is liquid at the treatment temperature but becomes gas under reduced pressure, the oxidation treatment is performed under reduced pressure.
When the gas for oxidation treatment is a gas at the treatment temperature and pressure, the oxidation treatment is performed after radicalizing or ionizing the gas by an appropriate means.

プラズマを電気絶縁層表面に接触させる温度や時間は、ガスの種類や流量等を考慮して設定すれば良い。接触させる温度は通常10〜250℃、好ましくは20〜180℃であり、接触させる時間は通常0.5〜60分、好ましくは1〜30分である。   The temperature and time for bringing the plasma into contact with the surface of the electrical insulating layer may be set in consideration of the type and flow rate of the gas. The contacting temperature is usually 10 to 250 ° C., preferably 20 to 180 ° C., and the contacting time is usually 0.5 to 60 minutes, preferably 1 to 30 minutes.

また、酸化性化合物の溶液を用いて電気絶縁層表面を酸化する場合、電気絶縁層を構成する硬化性樹脂組成物中に、酸化性化合物の溶液に可溶な重合体や無機充填剤を含ませておくことが好ましい。無機充填剤や脂環式オレフィン重合体が微細な海島構造を形成した上で選択的に溶解するので、前記絶縁層の表面粗さを上述した範囲に制御することが容易となる。   Further, when the surface of the electrical insulating layer is oxidized using an oxidizing compound solution, the curable resin composition constituting the electrical insulating layer contains a polymer or an inorganic filler that is soluble in the oxidizing compound solution. It is preferable to keep it. Since the inorganic filler and the alicyclic olefin polymer are selectively dissolved after forming a fine sea-island structure, it is easy to control the surface roughness of the insulating layer within the above-described range.

酸化性化合物の溶液に可溶な重合体の例としては、液状エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂、シリコーン樹脂、ポリメチルメタクリル樹脂、天然ゴム、スチレン系ゴム、イソプレン系ゴム、ブタジエン系ゴム、ニトリル系ゴム、エチレン系ゴム、プロピレン系ゴム、ウレタンゴム、ブチルゴム、シリコーンゴム、フッ素ゴム、ノルボルネンゴム、エーテル系ゴム等が挙げられる。   Examples of the polymer soluble in the solution of the oxidizing compound include liquid epoxy resin, polyester resin, bismaleimide-triazine resin, silicone resin, polymethylmethacrylate resin, natural rubber, styrene rubber, isoprene rubber, butadiene Examples thereof include rubber, nitrile rubber, ethylene rubber, propylene rubber, urethane rubber, butyl rubber, silicone rubber, fluorine rubber, norbornene rubber, and ether rubber.

酸化性化合物の溶液に可溶な重合体の配合割合に格別の制限はなく、脂環式オレフィン重合体100重量部に対して、通常1〜30重量部、好ましくは3〜25重量部、より好ましくは5〜20重量部である。   There is no particular restriction on the blending ratio of the polymer soluble in the solution of the oxidizing compound, usually 1 to 30 parts by weight, preferably 3 to 25 parts by weight, based on 100 parts by weight of the alicyclic olefin polymer. Preferably it is 5-20 weight part.

酸化性化合物の溶液に可溶な無機充填剤の例としては、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウム、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化マグネシウム、ケイ酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸ジルコニウム、水和アルミナ、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、硫酸バリウム、タルク、クレー等を挙げることができる。また、前記多孔質シリカ凝集粒子以外のシリカ、たとえば市販のシリカ粒子を用いても良い。これらの中でも、炭酸カルシウム及びシリカが、微細な粒子が得やすく、かつ、充填剤可溶性水溶液で溶出されやすく、微細な粗面形状を得るのに好適である。これらの無機充填剤は、シランカップリング剤処理やステアリン酸等の有機酸処理をしたものであってもよい。   Examples of inorganic fillers soluble in oxidizing compound solutions include calcium carbonate, magnesium carbonate, barium carbonate, zinc oxide, titanium oxide, magnesium oxide, magnesium silicate, calcium silicate, zirconium silicate, hydrated alumina , Magnesium hydroxide, aluminum hydroxide, barium sulfate, talc, clay and the like. Further, silica other than the porous silica aggregated particles, for example, commercially available silica particles may be used. Among these, calcium carbonate and silica are easy to obtain fine particles and are easily eluted with a filler-soluble aqueous solution, and are suitable for obtaining a fine rough surface shape. These inorganic fillers may be treated with a silane coupling agent or an organic acid such as stearic acid.

添加される無機充填剤は、電気絶縁層の誘電特性を低下させない非導電性のものであることが好ましい。
また、添加される無機充填剤の形状は、特に限定されず、球状、繊維状、板状等であってもよいが、微細な粗面形状を得るために、微細な粉末状であることが好ましい。
The added inorganic filler is preferably non-conductive so as not to deteriorate the dielectric properties of the electrical insulating layer.
Further, the shape of the added inorganic filler is not particularly limited, and may be spherical, fibrous, plate-like, or the like, but in order to obtain a fine rough surface shape, it may be a fine powder. preferable.

用いる無機充填剤の平均粒子径は、通常、0.008μm以上2μm未満、好ましくは0.01μm以上1.5μm未満、特に好ましくは0.02μm以上1μm未満である。平均粒子径が小さすぎると、大型基板で均一な密着性が得られないおそれがあり、逆に、大きすぎると電気絶縁層に大きな粗面が発生し、高密度の配線パターンが得られない可能性がある。   The average particle size of the inorganic filler used is usually 0.008 μm or more and less than 2 μm, preferably 0.01 μm or more and less than 1.5 μm, particularly preferably 0.02 μm or more and less than 1 μm. If the average particle size is too small, there is a possibility that uniform adhesion cannot be obtained on a large substrate, and conversely, if it is too large, a large rough surface is generated in the electrical insulating layer, and a high-density wiring pattern may not be obtained. There is sex.

酸化性化合物の溶液に可溶な無機充填剤の配合量は、必要とされる密着性の程度に応じて適宜選択されるが、脂環式オレフィン重合体100重量部に対して、通常1〜80重量部、好ましくは3〜60重量部、より好ましくは5〜40重量部である。   The amount of the inorganic filler soluble in the solution of the oxidizing compound is appropriately selected according to the required degree of adhesion, but is usually 1 to 100 parts by weight of the alicyclic olefin polymer. 80 parts by weight, preferably 3 to 60 parts by weight, more preferably 5 to 40 parts by weight.

このような酸化性化合物の溶液に可溶な重合体や無機充填剤は、本発明に用いる硬化性樹脂組成物に任意に添加される難燃助剤、耐熱安定剤、誘電特性調整剤、靭性剤の一部であってもよい。   Polymers and inorganic fillers that are soluble in such an oxidizable compound solution include flame retardant aids, heat stabilizers, dielectric property modifiers, toughness that are optionally added to the curable resin composition used in the present invention. It may be part of the agent.

電気絶縁層の酸化処理後は、酸化性化合物を除去するため、通常、電気絶縁層表面を水で洗浄する。水だけでは洗浄しきれない物質が付着している場合には、その物質を溶解可能な洗浄液で更に洗浄したり、他の化合物と接触させることにより水に可溶な物質にしてから水で洗浄する。例えば、過マンガン酸カリウム水溶液や過マンガン酸ナトリウム水溶液等のアルカリ性水溶液を電気絶縁層と接触させた場合は、発生した二酸化マンガンの皮膜を除去する目的で、硫酸ヒドロキシアミンと硫酸との混合液等の酸性水溶液により中和還元処理した後に水で洗浄することができる。   After the oxidation treatment of the electrical insulating layer, the surface of the electrical insulating layer is usually washed with water in order to remove the oxidizing compound. If a substance that cannot be cleaned with water alone is attached, wash the substance further with a cleaning solution that can be dissolved, or make it a water-soluble substance by bringing it into contact with other compounds, and then wash with water. To do. For example, when an alkaline aqueous solution such as an aqueous potassium permanganate solution or an aqueous sodium permanganate solution is brought into contact with the electrical insulating layer, a mixed solution of hydroxyamine sulfate and sulfuric acid for the purpose of removing the generated manganese dioxide film, etc. It can wash | clean with water, after neutralizing-reducing process with the acidic aqueous solution of this.

電気絶縁層を酸化して表面平均粗さを調整した後、積層体の電気絶縁層表面とビアホール内壁面に導体層(II)を形成する。
導体層(II)の形成方法としては、特に限定されないが、密着性に優れる導体層(II)を形成する観点からめっき法が好ましい。
After the electrical insulating layer is oxidized to adjust the surface average roughness, the conductor layer (II) is formed on the surface of the electrical insulating layer and the inner wall surface of the via hole.
Although it does not specifically limit as a formation method of conductor layer (II), The plating method is preferable from a viewpoint of forming conductor layer (II) excellent in adhesiveness.

導体層(II)をめっき法により形成する方法に格別制限はないが、例えば電気絶縁層上にめっき等により金属薄膜を形成し、次いで厚付けめっきにより金属層を成長させる方法が採られる。   Although there is no particular limitation on the method of forming the conductor layer (II) by plating, for example, a method of forming a metal thin film on the electrical insulating layer by plating or the like and then growing the metal layer by thick plating is employed.

金属薄膜の形成を無電解めっきにより行う場合、金属薄膜を電気絶縁層の表面に形成させる前に、電気絶縁層上に、銀、パラジウム、亜鉛、コバルト等の触媒核を付着させるのが一般的である。   When forming a metal thin film by electroless plating, it is common to deposit catalyst nuclei such as silver, palladium, zinc and cobalt on the electrical insulation layer before forming the metal thin film on the surface of the electrical insulation layer. It is.

触媒核を電気絶縁層に付着させる方法は特に制限されず、例えば、銀、パラジウム、亜鉛、コバルト等の金属化合物やこれらの塩や錯体を、水又はアルコール若しくはクロロホルム等の有機溶剤に0.001〜10重量%の濃度で溶解した液(必要に応じて酸、アルカリ、錯化剤、還元剤等を含有していてもよい)に浸漬した後、金属を還元する方法等が挙げられる。   The method for attaching the catalyst nucleus to the electrical insulating layer is not particularly limited. For example, a metal compound such as silver, palladium, zinc, or cobalt, or a salt or complex thereof is added to water or an organic solvent such as alcohol or chloroform to 0.001. Examples of the method include a method of reducing a metal after being immersed in a solution (which may contain an acid, an alkali, a complexing agent, a reducing agent, etc., if necessary) dissolved at a concentration of 10 to 10% by weight.

無電解めっき法に用いる無電解めっき液としては、公知の自己触媒型の無電解めっき液を用いればよく、めっき液中に含まれる金属種、還元剤種、錯化剤種、水素イオン濃度、溶存酸素濃度等は特に限定されない。   As the electroless plating solution used in the electroless plating method, a known autocatalytic electroless plating solution may be used, and the metal species, reducing agent species, complexing agent species, hydrogen ion concentration, The dissolved oxygen concentration and the like are not particularly limited.

例えば、次亜リン酸アンモニウム、次亜リン酸、水素化硼素アンモニウム、ヒドラジン、ホルマリン等を還元剤とする無電解銅めっき液;次亜リン酸ナトリウムを還元剤とする無電解ニッケル−リンめっき液;ジメチルアミンボランを還元剤とする無電解ニッケル−ホウ素めっき液;無電解パラジウムめっき液;次亜リン酸ナトリウムを還元剤とする無電解パラジウム−リンめっき液;無電解金めっき液;無電解銀めっき液;次亜リン酸ナトリウムを還元剤とする無電解ニッケル−コバルト−リンめっき液等の無電解めっき液を用いることができる。   For example, electroless copper plating solution using ammonium hypophosphite, hypophosphorous acid, ammonium borohydride, hydrazine, formalin, etc. as a reducing agent; electroless nickel-phosphorous plating solution using sodium hypophosphite as a reducing agent Electroless nickel-boron plating solution using dimethylamine borane as a reducing agent; electroless palladium plating solution; electroless palladium-phosphorous plating solution using sodium hypophosphite as a reducing agent; electroless gold plating solution; electroless silver Plating solution: An electroless plating solution such as an electroless nickel-cobalt-phosphorous plating solution using sodium hypophosphite as a reducing agent can be used.

金属薄膜を形成した後、基板表面を防錆剤と接触させて防錆処理を施すことができる。また、金属薄膜を形成した後、密着性向上等のため、金属薄膜を加熱することもできる。加熱温度は、通常、50〜350℃、好ましくは80〜250℃である。   After forming the metal thin film, the substrate surface can be brought into contact with a rust preventive agent to carry out a rust prevention treatment. Moreover, after forming a metal thin film, a metal thin film can also be heated for the adhesive improvement etc. The heating temperature is usually 50 to 350 ° C, preferably 80 to 250 ° C.

加熱は加圧条件下で実施してもよい。このときの加圧方法としては、例えば、熱プレス機、加圧加熱ロール機等の物理的加圧手段を用いる方法が挙げられる。加える圧力は、通常、0.1〜20MPa、好ましくは0.5〜10MPaである。この範囲であれば、金属薄膜と電気絶縁層との高い密着性が確保できる。   Heating may be performed under pressurized conditions. As a pressurizing method at this time, for example, a method using a physical pressurizing means such as a hot press machine or a pressurizing and heating roll machine can be cited. The applied pressure is usually 0.1 to 20 MPa, preferably 0.5 to 10 MPa. If it is this range, the high adhesiveness of a metal thin film and an electrically insulating layer is securable.

こうして形成された金属薄膜上にめっき用レジストパターンを形成し、更にその上に電解めっき等の湿式めっきによりめっきを成長させ(厚付けめっき)、次いで、レジストを除去し、更にエッチングにより金属薄膜をパターン状にエッチングして導体層(II)を形成する。従って、この方法により形成される導体層(II)は、通常、パターン状の金属薄膜と、その上に成長させためっきとからなる。   A resist pattern for plating is formed on the metal thin film thus formed, and further, plating is grown thereon by wet plating such as electrolytic plating (thick plating), then the resist is removed, and the metal thin film is formed by etching. The conductor layer (II) is formed by etching in a pattern. Therefore, the conductor layer (II) formed by this method is usually composed of a patterned metal thin film and plating grown thereon.

以上のようにして得られた多層回路基板を新たな積層体として用いて、上述の電気絶縁層形成と導体層(II)形成の工程を繰り返すことにより、更なる多層化を行うことができ、これにより所望の多層回路基板を得ることができる。   Using the multilayer circuit board obtained as described above as a new laminate, by repeating the steps of forming the electrical insulating layer and the conductor layer (II) described above, further multilayering can be performed. Thereby, a desired multilayer circuit board can be obtained.

本発明の多層回路基板は電気絶縁層と導体層(II)との密着性に優れる。本発明の多層回路基板における導体層(II)と電気絶縁層との間の、JIS C6481に準拠して測定した引き剥がし強さは、通常6N/cm以上、好ましくは8N/cm以上である。   The multilayer circuit board of the present invention is excellent in adhesion between the electrical insulating layer and the conductor layer (II). The peel strength measured according to JIS C6481 between the conductor layer (II) and the electrical insulating layer in the multilayer circuit board of the present invention is usually 6 N / cm or more, preferably 8 N / cm or more.

本発明の多層回路基板は耐クラック性に優れる。本発明の多層回路基板を、JIS Z2247 エリクセン試験A方法に従って試験を行った場合において、基板の表面に割れを生じた時点の、ポンチ先端がしわ押さえ面から移動した距離(エリクセン値)は、通常4mm以上、好ましくは5mm以上である。   The multilayer circuit board of the present invention is excellent in crack resistance. When the multilayer circuit board of the present invention was tested according to JIS Z2247 Eriksen test A method, the distance (Erichsen value) that the punch tip moved from the wrinkle holding surface when the surface of the board was cracked was usually It is 4 mm or more, preferably 5 mm or more.

本発明の多層回路基板は優れた電気特性を有しているので、後述するように、コンピューターや携帯電話等の電子機器における、CPUやメモリ等の半導体素子、その他の実装部品用基板として好適に使用できる。   Since the multilayer circuit board of the present invention has excellent electrical characteristics, as will be described later, it is suitable as a substrate for semiconductor elements such as CPU and memory and other mounting parts in electronic devices such as computers and mobile phones. Can be used.

(G)電子機器
本発明の電子機器は、上述した本発明の多層回路基板を有することを特徴とする。
本発明の電子機器としては、携帯電話機、PHS、ノート型パソコン、PDA(携帯情報端末)、携帯テレビ電話機、パーソナルコンピューター、スーパーコンピューター、サーバー、ルーター、液晶プロジェクタ、エンジニアリング・ワークステーション(EWS)、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型またはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、POS端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。
(G) Electronic device An electronic device according to the present invention includes the multilayer circuit board according to the present invention described above.
The electronic device of the present invention includes a mobile phone, PHS, notebook computer, PDA (personal digital assistant), mobile video phone, personal computer, supercomputer, server, router, liquid crystal projector, engineering workstation (EWS), pager. , A word processor, a television, a viewfinder type or a monitor direct-view type video tape recorder, an electronic notebook, an electronic desk calculator, a car navigation device, a POS terminal, a device equipped with a touch panel, and the like.

本発明の電子機器は、本発明の多層回路基板を備えているので、高性能で高品質な電子機器となっている。   Since the electronic device of the present invention includes the multilayer circuit board of the present invention, it is a high-performance and high-quality electronic device.

(実施例)
以下、実施例および比較例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、実施例および比較例における部および%は、特に断りのない限り質量基準である。
(Example)
EXAMPLES Hereinafter, although an Example and a comparative example demonstrate this invention further more concretely, this invention is not limited to these Examples. In addition, the part and% in an Example and a comparative example are mass references | standards unless there is particular notice.

なお、各特性の定義及び評価方法は、以下のとおりである。   In addition, the definition and evaluation method of each characteristic are as follows.

(1)重合体の数平均分子量(Mn)、重量平均分子量(Mw)
変性反応を行っていない重合体はトルエンを展開溶媒とし、変性反応を行った重合体はテトラヒドロフランを展開溶媒として、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー(GPC)により測定し、ポリスチレン換算値として求めた。
(1) Number average molecular weight (Mn) and weight average molecular weight (Mw) of the polymer
The polymer not subjected to the modification reaction was measured by gel permeation chromatography (GPC) using toluene as a developing solvent, and the polymer subjected to the modification reaction was determined as a polystyrene equivalent value using tetrahydrofuran as a developing solvent.

(2)重合体の水素化率
水素化率は、水素化前の重合体中の不飽和結合のモル数に対する水素添加された不飽和結合のモル数の比率をいい、H−NMRスペクトル測定により求めた。
(2) Hydrogenation rate of polymer The hydrogenation rate refers to the ratio of the number of moles of unsaturated bonds hydrogenated to the number of moles of unsaturated bonds in the polymer before hydrogenation. 1 H-NMR spectrum measurement Determined by

(3)重合体の無水マレイン酸残基含有率
重合体中の総単量体単位数に対する酸無水物基のモル数の割合をいい、H−NMRスペクトル測定により求めた。
(3) Maleic anhydride residue content of polymer The ratio of the number of moles of acid anhydride groups to the total number of monomer units in the polymer was determined by 1 H-NMR spectrum measurement.

(4)重合体のガラス移転温度(Tg)
示差走査熱量法(DSC法)により昇温速度10℃/分で測定した。
(4) Glass transition temperature (Tg) of polymer
The temperature was measured at 10 ° C./min by a differential scanning calorimetry (DSC method).

(5)重合体の体積固有抵抗
ASTM D257に基づき測定した。
(5) Volume resistivity of polymer Measured based on ASTM D257.

(6)成形体の電気特性(比誘電率)
実施例および比較例で製造した支持体付き成形体の一部を切り取り、厚み75μmの圧延銅箔の片面に積層し、支持体であるポリエチレンテレフタレートフィルムを剥がした後、窒素雰囲気下で、60℃、30分間加熱し、次いで170℃、60分間加熱して成形体を硬化させた。続いて塩化第二銅/塩酸混合溶液により圧延銅箔を全てエッチング除去処理してシート状硬化物を得た。得られた硬化物から幅2.0mm、長さ80mm、厚み30μmの試験片を切り出し、空洞共振器摂動法誘電率測定装置を用いて10GHzにおける比誘電率の測定を行い、下記の基準で判定した。
(6) Electrical characteristics of the molded product (dielectric constant)
A part of the molded body with a support produced in Examples and Comparative Examples was cut out, laminated on one side of a rolled copper foil having a thickness of 75 μm, and the polyethylene terephthalate film as a support was peeled off, and then at 60 ° C. in a nitrogen atmosphere. The molded body was cured by heating for 30 minutes and then by heating at 170 ° C. for 60 minutes. Subsequently, the rolled copper foil was all removed by etching with a cupric chloride / hydrochloric acid mixed solution to obtain a sheet-like cured product. A test piece having a width of 2.0 mm, a length of 80 mm, and a thickness of 30 μm was cut out from the obtained cured product, and the relative dielectric constant was measured at 10 GHz using a cavity resonator perturbation method dielectric constant measuring device, and judged according to the following criteria. did.

A:比誘電率が2.2未満のもの
B:比誘電率が2.2以上、2.5未満のもの
C:比誘電率が2.5以上のもの
A: The relative dielectric constant is less than 2.2 B: The relative dielectric constant is 2.2 or more and less than 2.5 C: The relative dielectric constant is 2.5 or more

(7)回路パターニング性
実施例および比較例で製造した評価基板の電気絶縁層上に形成された50本の配線パターンについて、50本がいずれも形状に乱れの無いものをA、形状に乱れがあるが欠損の無いものをB、欠損のあるものをCとして評価した。
(7) Circuit patternability With respect to 50 wiring patterns formed on the electrical insulating layer of the evaluation board manufactured in the example and the comparative example, 50 of which all are not disturbed in shape A, and the shape is disturbed An evaluation was made with B but no defect, and C with a defect.

(8)層間絶縁信頼性
実施例および比較例で製造した評価基板の電気絶縁層上に、電極を形成した後、直流電圧5.5Vを印加した状態で、135℃、湿度85%条件下に放置し、200時間後に、電気抵抗値を測定した。200時間以上短絡がないものをA、200時間未満で短絡するものをCとして評価した。
(8) Interlayer insulation reliability After forming an electrode on the electrical insulating layer of the evaluation board manufactured in the example and the comparative example, under the condition of 135 ° C. and 85% humidity with a DC voltage of 5.5 V applied. After standing for 200 hours, the electrical resistance value was measured. The case where there was no short circuit for 200 hours or more was evaluated as A, and the case where the short circuit occurred in less than 200 hours was evaluated as C.

またコロイド状シリカ微粒子および多孔質シリカ凝集粒子の性状を以下のように評価した。
(回折角)
凍結乾燥機を用いて、下記で調製したコロイド状シリカ微粒子スラリーに含まれる水分を除去し、得られた粉末を550℃にて5時間焼成した。
この焼成粉をX線回折装置X’Pert PRO MPD(PANalytical社製)を用いてCuKα線、出力45kV、40mA、光源スリット幅1/16°、検出スリット幅1/8°で回折角を測定した。
The properties of the colloidal silica fine particles and the porous silica aggregated particles were evaluated as follows.
(Diffraction angle)
Using a freeze dryer, moisture contained in the colloidal silica fine particle slurry prepared below was removed, and the obtained powder was fired at 550 ° C. for 5 hours.
A diffraction angle of the calcined powder was measured using an X-ray diffractometer X'Pert PRO MPD (manufactured by PANalytical) with CuKα rays, output 45 kV, 40 mA, light source slit width 1/16 °, and detection slit width 1/8 °. .

(細孔容積、平均細孔径の測定)
コロイド状シリカ微粒子の焼成粉を200℃にて1時間乾燥した後、そのNガス吸着等温線を、定容量法ガス吸着装置 BELSORP-mini(日本ベル社製)を用いて測定し、DH法によるメソポア細孔分布曲線から、細孔径50nmおよび5nm以下における細孔容積、平均細孔径を求めた。
(Measurement of pore volume and average pore diameter)
The calcined powder of colloidal silica fine particles was dried at 200 ° C. for 1 hour, and then its N 2 gas adsorption isotherm was measured using a constant volume method gas adsorption apparatus BELSORP-mini (manufactured by Nippon Bell Co., Ltd.). From the mesopore pore distribution curve, the pore volume and average pore diameter at pore diameters of 50 nm and 5 nm or less were determined.

(一次粒子の平均粒子径の測定)
上記の焼成粉12.00gを純水108.00g及び0.1mmφのガラスビーズと共にサンドミル用容器に入れ、2500rpmにて4時間、分散し、その後ガラスビーズを分離することにより、多孔質シリカ一次粒子の分散液を得た。
次いで、レーザー回折散乱法を適用したマイクロトラック粒度分布測定装置 9340UPA(日機装社製)を用いて、この分散液の粒子径を測定し、その平均値を一次粒子の平均粒子径とした。
(Measurement of average particle size of primary particles)
Porous silica primary particles are obtained by putting 12.00 g of the above-mentioned calcined powder into a sand mill container together with 108.00 g of pure water and 0.1 mmφ glass beads, dispersing at 2500 rpm for 4 hours, and then separating the glass beads. A dispersion was obtained.
Subsequently, the particle diameter of this dispersion was measured using a Microtrac particle size distribution measuring apparatus 9340UPA (Nikkiso Co., Ltd.) to which the laser diffraction scattering method was applied, and the average value was taken as the average particle diameter of primary particles.

(一次粒子の真球度の評価)
多孔質シリカ一次粒子のTEM画像(2万倍)を透過型電子顕微鏡 H-800(日立製作所社製)を用いて撮影し、この画像を画像解析式粒度分布測定ソフトウェア Mac View ver.4(マウンテック社製)により解析し、得られた統計データの短径の平均値と長径の平均値の比を真球度とした。
(Evaluation of sphericity of primary particles)
TEM image (20,000 times) of porous silica primary particles was taken using a transmission electron microscope H-800 (manufactured by Hitachi, Ltd.), and this image was analyzed using image analysis particle size distribution measurement software Mac View ver.4 (Mounttech) The ratio of the average value of the minor axis to the average value of the major axis of the obtained statistical data was defined as sphericity.

(多孔質シリカ凝集粒子の平均粒子径の評価)
多孔質シリカ凝集粒子0.1gを純水10.0gに添加し、次いで超音波分散機を用いて分散させ、スラリーとした。次いで、マイクロトラック粒度分布測定装置 9340UPA(日機装社製)を用いて、このスラリーの粒子径を測定し、その平均値を多孔質シリカ凝集粒子の平均粒子径とした。
(Evaluation of average particle diameter of porous silica aggregated particles)
0.1 g of porous silica agglomerated particles was added to 10.0 g of pure water, and then dispersed using an ultrasonic disperser to obtain a slurry. Next, the particle size of this slurry was measured using a Microtrac particle size distribution analyzer 9340UPA (manufactured by Nikkiso Co., Ltd.), and the average value was taken as the average particle size of the porous silica aggregated particles.

(多孔質シリカ凝集粒子の真球度の評価)
多孔質シリカ凝集粒子の画像(200倍または2000倍)を、電界放射型走査型顕微鏡 S-4000(日立製作所社製)を用いて撮影し、この画像を画像解析式粒度分布測定ソフトウェア Mac View ver.4(マウンテック社製)により解析し、得られた統計データの短径の平均値と長径の平均値の比を真球度とした。
(Evaluation of sphericity of porous silica aggregated particles)
An image (200x or 2000x) of porous silica aggregated particles was taken using a field emission scanning microscope S-4000 (manufactured by Hitachi, Ltd.), and this image was analyzed using image analysis type particle size distribution measurement software Mac View ver. .4 (manufactured by Mountec Co., Ltd.), and the ratio of the average value of the minor axis to the average value of the major axis in the obtained statistical data was defined as the sphericity.

(実施例1)
(脂環式オレフィン重合体(COP)の作製)
8−エチル−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3−エン(以下、ETDと略記する。)を、1−ブテンを分子量調整剤として添加して開環重合し、次いで水素添加反応を行ってETD開環水素化重合体を得た。得られたETD開環水素化重合体のMnは31,200、Mwは55,800、Tgは140℃であった。また、水素化率は99%以上であった。次いで、該ETD開環水素化重合体100部、無水マレイン酸40部及びジクミルパーオキシド5部をt−ブチルベンゼン250部に溶解し、140℃で6時間グラフト結合反応を行った。反応液を1,000部のイソプロピルアルコール中に注いで反応生成物を析出させた後、100℃で20時間真空乾燥して無水マレイン酸で変性された変性開環水素化重合体(以下「COP」と記載することがある)を得た。COPのMnは33,200、Mwは68,300、Tgは170℃であり、無水マレイン酸残基含有率は25モル%であった。また、体積固有抵抗は1×1014Ω・cm以上であった。
Example 1
(Production of alicyclic olefin polymer (COP))
8-ethyl-tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene (hereinafter abbreviated as ETD) is added with 1-butene as a molecular weight regulator for ring-opening polymerization, and then hydrogenated to perform ETD ring-opening hydrogenation polymerization. Coalescence was obtained. The obtained ETD ring-opening hydrogenated polymer had Mn of 31,200, Mw of 55,800, and Tg of 140 ° C. The hydrogenation rate was 99% or more. Next, 100 parts of the ETD ring-opening hydrogenated polymer, 40 parts of maleic anhydride and 5 parts of dicumyl peroxide were dissolved in 250 parts of t-butylbenzene, and a graft bonding reaction was carried out at 140 ° C. for 6 hours. The reaction solution was poured into 1,000 parts of isopropyl alcohol to precipitate the reaction product, and then dried under vacuum at 100 ° C. for 20 hours and modified with maleic anhydride (hereinafter referred to as “COP”). Is sometimes described). Mn of COP was 33,200, Mw was 68,300, Tg was 170 ° C., and the maleic anhydride residue content was 25 mol%. The volume resistivity was 1 × 10 14 Ω · cm or more.

(多孔質シリカ球状一次粒子の調製)
n−ヘキサデシルトリメチルアンモニウムクロリド(東京化成社製)64.0gを純水1Lに溶解した。次いで、この水溶液を撹拌しながら、アニオン交換樹脂(ダイヤイオン SA10A:三菱化学社製)をpHが一定になるまで添加し、イオン交換を行った。次いで、この水溶液をカラムに空間速度2で通液してアニオン交換樹脂を分離し、0.2mol/kgのn−ヘキサデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を得た。この水溶液のpHは12.7、塩素イオン濃度は1.0g/Lであった。
(Preparation of porous silica spherical primary particles)
64.0 g of n-hexadecyltrimethylammonium chloride (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) was dissolved in 1 L of pure water. Next, while stirring the aqueous solution, anion exchange resin (Diaion SA10A: manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) was added until the pH became constant, and ion exchange was performed. Subsequently, this aqueous solution was passed through the column at a space velocity of 2 to separate the anion exchange resin, and a 0.2 mol / kg n-hexadecyltrimethylammonium hydroxide aqueous solution was obtained. The pH of this aqueous solution was 12.7, and the chlorine ion concentration was 1.0 g / L.

また、純水390.4gに塩化アンモニウム(関東化学社製)5.4gを溶解し、塩化アンモニウム水溶液とした。
次いで、この塩化アンモニウム水溶液に上記のn−ヘキサデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液500.0gを加え、15分間撹拌した。得られた溶液のpHは9.0であった。
Further, 5.4 g of ammonium chloride (manufactured by Kanto Chemical Co., Inc.) was dissolved in 390.4 g of pure water to obtain an ammonium chloride aqueous solution.
Next, 500.0 g of the above n-hexadecyltrimethylammonium hydroxide aqueous solution was added to this aqueous ammonium chloride solution, and the mixture was stirred for 15 minutes. The pH of the obtained solution was 9.0.

次いで、この溶液を30℃にて撹拌しながら、テトラエトキシシラン(関東化学社製)104.0gをチューブポンプにより約5mL/毎秒にて滴下し、滴下終了後30℃に保ちつつ24時間撹拌することにより、界面活性剤が配向した状態で充填されたコロイド状シリカ微粒子スラリーを調製した。なお、このスラリー中のシリカ固形分は3重量%であった。   Next, while stirring this solution at 30 ° C., 104.0 g of tetraethoxysilane (manufactured by Kanto Chemical Co., Inc.) is dropped at about 5 mL / second by a tube pump, and stirred for 24 hours while maintaining the temperature at 30 ° C. after completion of the dropping. As a result, a colloidal silica fine particle slurry filled with the surfactant aligned was prepared. The silica solid content in the slurry was 3% by weight.

次いで、このコロイド状シリカ微粒子スラリーの一部を取り出し、凍結乾燥機を用いてそのコロイド状シリカ微粒子スラリーに含まれる水分を除去し、得られた粉末を550℃にて5時間焼成した。
この焼成粉は、4.8nmのd値に相当する回折角にピークを有していた。
細孔径50nm以下における細孔容積は1.54mL/g、細孔径5nm以下における細孔容積は0.82mL/g、細孔径5nm以下における細孔容積分率は0.53、平均細孔径ピークは3nmであった。
多孔質シリカ球状一次粒子の平均粒子径は82nmであった。
多孔質シリカ球状一次粒子の真球度は0.95であった。
Next, a part of the colloidal silica fine particle slurry was taken out, water contained in the colloidal silica fine particle slurry was removed using a freeze dryer, and the obtained powder was fired at 550 ° C. for 5 hours.
This fired powder had a peak at a diffraction angle corresponding to a d value of 4.8 nm.
The pore volume when the pore diameter is 50 nm or less is 1.54 mL / g, the pore volume when the pore diameter is 5 nm or less is 0.82 mL / g, the pore volume fraction when the pore diameter is 5 nm or less is 0.53, and the average pore diameter peak is It was 3 nm.
The average particle diameter of the porous spherical silica primary particles was 82 nm.
The sphericity of the porous silica spherical primary particles was 0.95.

(多孔質シリカ凝集粒子の調製)
上記のコロイド状シリカ微粒子スラリーを、微粉末製造用噴霧乾燥装置 マイクロミストドライヤー MDL-050(藤崎電気社製)を用いて噴霧乾燥し、得られた乾燥粉を550℃にて5時間焼成し、多孔質凝集粒子を作製した。
多孔質シリカ凝集粒子の平均粒子径は3.7μmであった。
多孔質シリカ凝集粒子の真球度は0.92であった。
(Preparation of porous silica aggregated particles)
The colloidal silica fine particle slurry is spray-dried using a spray drying apparatus for producing fine powder, Micro Mist Dryer MDL-050 (manufactured by Fujisaki Electric Co., Ltd.), and the resulting dried powder is fired at 550 ° C. for 5 hours. Porous agglomerated particles were prepared.
The average particle diameter of the porous silica aggregated particles was 3.7 μm.
The sphericity of the porous silica aggregated particles was 0.92.

(シリカスラリー(1)の作製)
上記の多孔質シリカ凝集粒子20部とメチルエチルケトン80部とを混合し、次いで超音波照射を行い、シリカスラリー(1)を得た。
(Preparation of silica slurry (1))
20 parts of the above-mentioned porous silica aggregated particles and 80 parts of methyl ethyl ketone were mixed and then subjected to ultrasonic irradiation to obtain silica slurry (1).

(ワニスの作製)
絶縁性重合体成分として上記のCOP100部、硬化剤成分としてビスフェノールAビス(プロピレングリコールグリシジルエーテル)エーテル40部、レーザ加工性向上剤として2−[2−ヒドロキシ−3,5−ビス(α,α−ジメチルベンジル)フェニル]ベンゾトリアゾール5部、硬化促進剤として1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール0.1部、老化防止剤としてトリス(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)−イソシアヌレイト1部、上記のシリカスラリー(1)を多孔質シリカ凝集粒子(固形物換算)40部となる量、および酸化処理液に可溶性の重合体として液状ポリブタジエン(日石ポリブタジエン B−1000:日本石油化学社製)10部を、キシレン215部及びシクロペンチルメチルエーテル54部からなる混合溶剤に溶解させて、硬化性樹脂組成物のワニスを得た。
(Production of varnish)
100 parts of the above COP as the insulating polymer component, 40 parts of bisphenol A bis (propylene glycol glycidyl ether) ether as the curing agent component, and 2- [2-hydroxy-3,5-bis (α, α) as the laser processability improver -Dimethylbenzyl) phenyl] benzotriazole 5 parts, 1 part of 1-benzyl-2-phenylimidazole as curing accelerator, tris (3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl)-as anti-aging agent 1 part of isocyanurate, 40 parts of the above silica slurry (1) in the form of porous silica aggregated particles (in terms of solids), and liquid polybutadiene (Nisseki polybutadiene B-1000 as a polymer soluble in the oxidation treatment liquid): 10 parts of Nippon Petrochemical Co., Ltd., 215 parts of xylene and 54 parts of cyclopentyl methyl ether It was dissolved in Ranaru mixed solvent to obtain a varnish of a curable resin composition.

(配線パターン付基板の作成)
縦300mm×横300mmの大きさで厚さが40μm、表面平均粗さRaが0.08μmのポリエチレンナフタレートフィルム(支持体)上に、上記で得られたワニスを、ダイコーターを用いて塗工した。次いで、窒素雰囲気下、80℃で10分間乾燥し、厚みが40μmである支持体付きの成形体を得た。得られた成形体の電気特性結果を表1に示す。
(Creation of circuit board with wiring pattern)
The varnish obtained above is coated on a polyethylene naphthalate film (support) having a size of 300 mm in length and 300 mm in width with a thickness of 40 μm and a surface average roughness Ra of 0.08 μm using a die coater. did. Subsequently, it dried for 10 minutes at 80 degreeC in nitrogen atmosphere, and the molded object with a support body whose thickness is 40 micrometers was obtained. Table 1 shows the electrical property results of the obtained molded body.

ガラスフィラー及びハロゲン不含エポキシ樹脂を含有するワニスをガラス繊維に含浸させて得られたコア材の表面に、厚さが18μmの銅が貼られた、厚さ0.8mm、縦150mm×横150mmの両面銅張り基板表面に、配線幅及び配線間距離が50μm、厚さが18μmで、表面が有機酸との接触によってマイクロエッチング処理された導体層を形成して、表面に導体層を有する基板を得た。上記で得られた支持体付きの成形体を縦150mm×横150mmの大きさに切断し、支持体付きの成形体が内側、支持体が外側となるようにして、この基板の両面に重ね合わせた。   The core material obtained by impregnating glass fiber with a varnish containing a glass filler and a halogen-free epoxy resin was coated with 18 μm thick copper, 0.8 mm thickness, 150 mm length × 150 mm width A substrate having a conductor layer on the surface, on which a conductor layer having a wiring width and a distance between wirings of 50 μm, a thickness of 18 μm, and a micro-etched surface by contact with an organic acid is formed on the surface of the double-sided copper-clad substrate Got. The molded body with the support obtained above is cut into a size of 150 mm in length and 150 mm in width, and the molded body with the support is on the inside and the support is on the outside. It was.

これを、耐熱ゴム製プレス板を上下に備えた真空ラミネータを用いて、200Paに減圧して、温度110℃、圧力1.0MPaで60秒間加熱圧着した(一次プレス)。さらに、金属製プレス板で覆われた耐熱ゴム製プレス板を上下に備えた真空ラミネータを用いて、200Paに減圧して、温度140℃、1.0MPaで60秒間、加熱圧着した(二次プレス)。次いで支持体を剥がして、成形体層を有する基板を得た。   This was depressurized to 200 Pa using a vacuum laminator provided with heat-resistant rubber press plates at the top and bottom, and thermocompression bonded at a temperature of 110 ° C. and a pressure of 1.0 MPa for 60 seconds (primary press). Furthermore, using a vacuum laminator provided with heat resistant rubber press plates covered with a metal press plate, the pressure was reduced to 200 Pa and thermocompression bonded at a temperature of 140 ° C. and 1.0 MPa for 60 seconds (secondary press ). Next, the support was peeled off to obtain a substrate having a molded body layer.

この成形体層を有する基板を、1−(2−アミノエチル)−2−メチルイミダゾールの1.0%水溶液に30℃にて10分間浸漬し、次いで25℃の水に1分間浸漬した後、エアーナイフにて余分な溶液を除去した。これを窒素雰囲気下、170℃で60分間放置し、成形体層を硬化させて電気絶縁層を形成した。   The substrate having this molded body layer was immersed in a 1.0% aqueous solution of 1- (2-aminoethyl) -2-methylimidazole at 30 ° C. for 10 minutes, and then immersed in water at 25 ° C. for 1 minute. Excess solution was removed with an air knife. This was left to stand at 170 ° C. for 60 minutes in a nitrogen atmosphere, and the molded body layer was cured to form an electrical insulating layer.

得られた電気絶縁層を形成した基板を、過マンガン酸濃度60g/リットル、水酸化ナトリウム濃度28g/リットルになるように調整した70℃の水溶液に10分間揺動浸漬した。次いで、この基板を水槽に1分間揺動浸漬し、更に別の水槽に1分間揺動浸漬することにより水洗した。続いて硫酸ヒドロキシルアミン濃度170g/リットル、硫酸80g/リットルになるように調整した25℃の水溶液に、基板を5分間浸漬し、中和還元処理をした後、水洗した。   The obtained substrate on which the electrical insulation layer was formed was rock-immersed for 10 minutes in a 70 ° C. aqueous solution adjusted to a permanganate concentration of 60 g / liter and a sodium hydroxide concentration of 28 g / liter. Next, the substrate was immersed in a water tank for 1 minute and further immersed in another water tank for 1 minute for washing with water. Subsequently, the substrate was immersed in an aqueous solution at 25 ° C. adjusted to have a hydroxylamine sulfate concentration of 170 g / liter and sulfuric acid of 80 g / liter for 5 minutes, neutralized and reduced, and then washed with water.

次いで、めっき前処理として、上記水洗後の基板をアルカップアクチベータMAT−1−A(上村工業社製)が200ml/リットル、アルカップアクチベータMAT−1−B(上村工業社製)が30ml/リットル、水酸化ナトリウムが0.35g/リットルになるように調整した60℃のPd塩含有めっき触媒水溶液に5分間浸漬した。次いで、この基板を水槽に1分間揺動浸漬し、更に別の水槽に1分間揺動浸漬することにより水洗した後、アルカップレデユーサーMAB−4−A(上村工業社製)が20ml/リットル、アルカップレデユーサーMAB−4−B(上村工業社製)が200ml/リットルになるように調整した溶液に35℃で、3分間浸漬し、めっき触媒を還元処理した。このようにしてめっき触媒を吸着させ、めっき前処理を施した基板を得た。   Subsequently, as a pretreatment for plating, the above-mentioned washed substrate is 200 ml / liter of Alcup Activator MAT-1-A (manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.) and 30 ml / liter of Alcup Activator MAT-1-B (manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.). Then, it was immersed in a 60 ° C. Pd salt-containing plating catalyst aqueous solution adjusted so that sodium hydroxide was 0.35 g / liter for 5 minutes. Next, the substrate was immersed in a water tank for 1 minute and further immersed in another water tank for 1 minute to be washed with water, and then Alcup Redeuser MAB-4-A (manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.) was 20 ml / liter. The plating catalyst was subjected to reduction treatment by immersing it in a solution prepared so that Alcap Reducer MAB-4-B (manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.) was 200 ml / liter at 35 ° C. for 3 minutes. In this manner, a plating catalyst was adsorbed to obtain a substrate subjected to pretreatment for plating.

次いで、めっき前処理後の基板を、スルカップPSY−1A(上村工業社製)100ml/リットル、スルカップPSY−1B(上村工業社製)40ml/リットル、ホルマリン0.2モル/リットルとなるように調整した水溶液に空気を吹き込みながら、温度36℃、5分間浸漬して無電解銅めっき処理を行った。   Next, the substrate after the plating pretreatment was adjusted so as to be sulcup PSY-1A (manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.) 100 ml / liter, sulcup PSY-1B (manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.) 40 ml / liter, and formalin 0.2 mol / liter. Electroless copper plating treatment was performed by dipping for 5 minutes at a temperature of 36 ° C. while blowing air into the aqueous solution.

無電解めっき処理により金属薄膜層が形成された基板を、更に水槽に1分間揺動浸漬し、更に別の水槽に1分間揺動浸漬することにより水洗した後、乾燥し、防錆処理を施し、電気絶縁層上に無電解めっき皮膜が形成された基板を得た。   The substrate on which the metal thin film layer is formed by the electroless plating process is further immersed in a water tank for 1 minute, and further washed in a water tank for 1 minute by rocking, then dried and subjected to rust prevention treatment. A substrate having an electroless plating film formed on the electrical insulating layer was obtained.

この防錆処理が施された基板表面に、市販の感光性レジストのドライフィルムを熱圧着して貼り付け、さらに、このドライフィルム上に評価用パターン(配線幅30μm、配線間距離30μmで配線長が5cmである50本の配線パターン)に対応するパターンのマスクを密着させ露光した後、現像してレジストパターンを得た。次に硫酸100g/リットルの水溶液に25℃で1分間浸漬させ防錆剤を除去し、レジスト非形成部分に電解銅めっきを施し厚さ18μmの電解銅めっき膜を形成させた。次いで、レジストパターンを剥離液にて剥離除去し、塩化第二銅と塩酸の混合水溶液によりエッチング処理を行うことにより、前記金属薄膜及び電解銅めっき膜からなる配線パターンを形成し両面2層の配線パターン付き基板を得た。そして、最後に、170℃で30分間アニール処理をして評価基板を得た。得られた評価基板について回路パターニング性、層間絶縁信頼性の評価を行った。評価結果を表1に示す。   A commercially available dry film of a photosensitive resist is bonded to the surface of the substrate subjected to the rust prevention treatment by thermocompression bonding. Further, an evaluation pattern (wiring length is 30 μm, wiring length is 30 μm and wiring length is 30 μm). A mask having a pattern corresponding to (50 wiring patterns having a length of 5 cm) was closely contacted and exposed, and then developed to obtain a resist pattern. Next, it was immersed in an aqueous solution of 100 g / liter of sulfuric acid at 25 ° C. for 1 minute to remove the rust preventive, and electrolytic copper plating was applied to the resist non-formed portion to form an electrolytic copper plating film having a thickness of 18 μm. Next, the resist pattern is stripped and removed with a stripping solution, and an etching process is performed with a mixed aqueous solution of cupric chloride and hydrochloric acid to form a wiring pattern composed of the metal thin film and the electrolytic copper plating film. A substrate with a pattern was obtained. Finally, annealing was performed at 170 ° C. for 30 minutes to obtain an evaluation substrate. The obtained evaluation substrate was evaluated for circuit patterning properties and interlayer insulation reliability. The evaluation results are shown in Table 1.

(実施例2)
シリカスラリー(1)の使用量を多孔質シリカ凝集粒子(固形物換算)での配合量を107部となる量に代えた外は実施例1と同様の実験を行った。評価結果を表1に示す。
(Example 2)
An experiment similar to that of Example 1 was performed except that the amount of silica slurry (1) used was changed to an amount of 107 parts in the amount of porous silica aggregated particles (in terms of solids). The evaluation results are shown in Table 1.

(比較例1)
乾燥キシレン85部に、多孔質無機フィラー(平均粒子径1.5μm、空孔径20nm、品名:シリカマイクロビードP−500、触媒化成社製)15部、及び、直径1mmのジルコニアビーズ128部をジルコニア製ポットに充填し、媒体遊星ミル(P−5、フリッチュ社製)で、遠心加速度5G〔ディスク回転数(公転速度)200rpm、ポット回転数(自転速度)434rpm〕、攪拌時間5分間にて解砕を行い、シリカ一次粒子スラリーを得た。
シリカスラリー(1)に代えて、シリカ一次粒子スラリーを用いた外は実施例1と同様の実験を行った。評価結果を表1に示す。
(Comparative Example 1)
In 85 parts of dry xylene, 15 parts of a porous inorganic filler (average particle size 1.5 μm, pore diameter 20 nm, product name: silica microbead P-500, manufactured by Catalyst Kasei Co., Ltd.) and 128 parts of zirconia beads 1 mm in diameter are zirconia. Fill in a pot, and use a medium planetary mill (P-5, manufactured by Fritsch) to remove centrifugal acceleration 5G [disk rotation speed (revolution speed) 200 rpm, pot rotation speed (rotation speed) 434 rpm], stirring time 5 minutes. Crushing was performed to obtain a silica primary particle slurry.
The same experiment as in Example 1 was performed except that the silica primary particle slurry was used instead of the silica slurry (1). The evaluation results are shown in Table 1.

(比較例2)
シリカスラリー(1)を用いなかった外は実施例1と同様の実験を行った。評価結果を表1に示す。
(Comparative Example 2)
The same experiment as in Example 1 was performed except that the silica slurry (1) was not used. The evaluation results are shown in Table 1.

(比較例3)
実施例1におけるCOPおよびビスフェノールAビス(プロピレングリコールグリシジルエーテル)エーテルに代えて、エポキシ樹脂(エピコート1000、油化シェルエポキシ社製、Mwは1,300)133部およびジシアンジアミド7部を加えた外は実施例1と同様の実験を行った。評価結果を表1に示す。
(Comparative Example 3)
Instead of COP and bisphenol A bis (propylene glycol glycidyl ether) ether in Example 1, 133 parts of epoxy resin (Epicoat 1000, manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd., Mw is 1,300) and 7 parts of dicyandiamide were added. The same experiment as in Example 1 was performed. The evaluation results are shown in Table 1.

Figure 2009038177
Figure 2009038177

Claims (11)

脂環式オレフィン重合体、硬化剤、及び多孔質シリカ凝集粒子を含み、
該多孔質シリカ凝集粒子が、
1nm以上の格子面間隔(d)に対応する回折角(2θ/°)の範囲に1つ以上の回折線を有するX線回折パターンを示す多孔質シリカ球状一次粒子を、これらの多孔質シリカ球状一次粒子間に空隙層を形成するように集合してなる多孔質シリカ凝集粒子であることを特徴とする硬化性樹脂組成物。
Including an alicyclic olefin polymer, a curing agent, and porous silica aggregated particles,
The porous silica aggregated particles are
Porous silica spherical primary particles exhibiting an X-ray diffraction pattern having one or more diffraction lines in the range of the diffraction angle (2θ / °) corresponding to the lattice spacing (d) of 1 nm or more are used. A curable resin composition, which is porous silica aggregated particles aggregated so as to form a void layer between primary particles.
前記脂環式オレフィン重合体がカルボキシル基又は酸無水物基を有することを特徴とする請求項1記載の硬化性樹脂組成物。   2. The curable resin composition according to claim 1, wherein the alicyclic olefin polymer has a carboxyl group or an acid anhydride group. 請求項1又は2に記載の硬化性樹脂組成物をフィルム状又はシート状に成形してなる成形体。   The molded object formed by shape | molding the curable resin composition of Claim 1 or 2 in the shape of a film or a sheet. 請求項1又は2に記載の硬化性樹脂組成物と、繊維基材とを含有する複合体。   The composite_body | complex containing the curable resin composition of Claim 1 or 2, and a fiber base material. 請求項3に記載の成形体を硬化してなる硬化物。   Hardened | cured material formed by hardening | curing the molded object of Claim 3. 請求項4に記載の複合体を硬化してなる硬化物。   Hardened | cured material formed by hardening | curing the composite_body | complex of Claim 4. 表面に導体層を有する基板と、請求項5又は6に記載の硬化物からなる電気絶縁層とが積層されてなる積層体。   The laminated body by which the board | substrate which has a conductor layer on the surface, and the electrically insulating layer which consists of hardened | cured material of Claim 5 or 6 are laminated | stacked. 表面に導体層を有する基板上に、請求項3に記載の成形体又は請求項4に記載の複合体を加熱圧着し、成形体または複合体を硬化して電気絶縁層を形成する工程を含む積層体の製造方法。   The method includes a step of heat-pressing the molded body according to claim 3 or the composite body according to claim 4 on a substrate having a conductor layer on a surface, and curing the molded body or the composite body to form an electrical insulating layer. A manufacturing method of a layered product. 請求項7に記載の積層体の電気絶縁層の上に、さらに導体層を形成してなる多層回路基板。   A multilayer circuit board obtained by further forming a conductor layer on the electrically insulating layer of the laminate according to claim 7. 請求項9に記載の多層回路基板を備えた電子機器。   An electronic device comprising the multilayer circuit board according to claim 9. 1nm以上の格子面間隔(d)に対応する回折角(2θ/°)の範囲に1つ以上の回折線を有するX線回折パターンを示す多孔質シリカ球状一次粒子を、これらの多孔質シリカ球状一次粒子間に空隙層を形成するように集合してなる多孔質シリカ凝集粒子を加えることを特徴とする、脂環式オレフィン重合体と硬化剤とを含む硬化性樹脂組成物より形成される硬化物の比誘電率低減方法。   Porous silica spherical primary particles exhibiting an X-ray diffraction pattern having one or more diffraction lines in the range of the diffraction angle (2θ / °) corresponding to the lattice spacing (d) of 1 nm or more are used. Curing formed from a curable resin composition comprising an alicyclic olefin polymer and a curing agent, characterized by adding porous silica aggregated particles assembled so as to form a void layer between primary particles A method for reducing the relative dielectric constant of an object.
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