JP2008177454A - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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Yukitsugu Ando
幸嗣 安藤
Katsuhiko Miya
勝彦 宮
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent a substrate under rotation from largely shifting from a desired support position in a substrate processing apparatus and method in which the substrate is rotated while holding the substrate on a rotating member by pressing the substrate to supporting members, which protrude from the rotating member, with a gas supplied to the upper surface of the substrate. <P>SOLUTION: In a substrate processing apparatus, a substrate W is held at a predetermined position on a spin base 13 by pressing the substrate to supporting pins FF1 to FF6, and SS1 to SS6 with nitrogen gas supplied to the substrate surface. The substrate W rotates with the spin base 13 while the substrate W is held on the spin base 13. A plurality of guide members 25 are arranged radially on the spin base 13 centered around the rotary center A0 at a circumferential side the spin base 13 with respect to the supporting pins FF1 to FF6, and SS1 to SS6. Accordingly, even if the substrate W, which is driven for rotation, shifts from the support position toward a radial direction, the guide members 25 touch the substrate edge to regulate the shift toward the radial direction of the substrate W. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、FED(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の基板に対して洗浄処理などの所定の処理を施す基板処理装置および基板処理方法に関する。   The present invention relates to a semiconductor wafer, a glass substrate for photomask, a glass substrate for liquid crystal display, a glass substrate for plasma display, a substrate for FED (Field Emission Display), a substrate for optical disk, a substrate for magnetic disk, a substrate for magneto-optical disk, etc. The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for performing predetermined processing such as cleaning processing on a substrate.

この種の基板処理装置として、回転自在に設けられた円盤状の回転部材上に半導体ウエハ等の基板を支持し、基板を回転させながら洗浄処理などの所定の処理を施す基板処理装置がある。例えば特許文献1に記載の基板処理装置では、スピンベース(回転部材)の周縁部に少なくとも3個以上の支持部材が上方に向けて突設されている。これらの支持部材は基板の下面に当接することで基板をスピンベースから離間して支持する。また、基板の上方には遮断部材が対向して配置され、遮断部材と基板の上面との間に形成される空間にガスが供給されることで基板が支持部材に押圧されてスピンベースに保持される。そして、スピンベースが回転されると、支持部材に押圧された基板は支持部材と基板との間に発生する摩擦力で支持部材に支持されながらスピンベースとともに回転する。この装置では、このように基板をスピンベースに保持させながら回転させることで、基板の端面に接触して基板を保持する保持部材に起因して発生する不具合を防止している。   As this type of substrate processing apparatus, there is a substrate processing apparatus that supports a substrate such as a semiconductor wafer on a disk-shaped rotating member that is rotatably provided and performs a predetermined process such as a cleaning process while rotating the substrate. For example, in the substrate processing apparatus described in Patent Document 1, at least three or more support members project upward from the periphery of the spin base (rotating member). These support members abut on the lower surface of the substrate to support the substrate apart from the spin base. In addition, a blocking member is disposed above the substrate, and a gas is supplied to a space formed between the blocking member and the upper surface of the substrate so that the substrate is pressed by the support member and held on the spin base. Is done. When the spin base is rotated, the substrate pressed by the support member rotates together with the spin base while being supported by the support member by a frictional force generated between the support member and the substrate. In this apparatus, by rotating while holding the substrate on the spin base in this way, problems caused by the holding member that holds the substrate in contact with the end surface of the substrate are prevented.

特開2006−32891号公報(図1)JP 2006-32891 A (FIG. 1)

上記従来装置では、基板の上面に供給されるガスにより基板を回転部材上に突設された支持部材に押圧して回転部材に保持している。そして、上記のようにして基板を保持しつつ回転部材が回転することで基板を回転させている。このように従来装置では、基板上面側からのガスの押圧によって支持部材と基板との間の摩擦力を高めて基板の保持力を高めている。しかしながら、基板各部におけるこれらの応力バランスが崩れ、基板回転時に発生する遠心力により基板が回転中に径方向へと大きく移動してしまうことがある。そして、このように基板が所望の支持位置から大きくずれてしまうと、種々の問題、例えば基板搬送ロボットなどの搬送機構により基板をアンローディングすることができなくなってしまうことがある。また、基板の移動量がさらに大きくなると、基板が破損してしまう場合もある。   In the above-described conventional apparatus, the substrate is pressed against the supporting member protruding from the rotating member by the gas supplied to the upper surface of the substrate and held on the rotating member. Then, the substrate is rotated by rotating the rotating member while holding the substrate as described above. Thus, in the conventional apparatus, the holding force of the substrate is increased by increasing the frictional force between the support member and the substrate by pressing the gas from the upper surface side of the substrate. However, the stress balance in each part of the substrate is lost, and the substrate may move greatly in the radial direction during the rotation due to the centrifugal force generated during the rotation of the substrate. If the substrate is greatly deviated from the desired support position as described above, there are cases where the substrate cannot be unloaded by various problems, for example, by a transport mechanism such as a substrate transport robot. Further, when the amount of movement of the substrate is further increased, the substrate may be damaged.

この発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、基板の上面に供給されるガスにより基板を回転部材上に突設された支持部材に押圧して基板を回転部材に保持しながら回転させる基板処理装置および基板処理方法において、回転中の基板が所望の支持位置から大幅に移動してしまうのを防止することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and a substrate that rotates while holding the substrate on the rotating member by pressing the substrate against the supporting member protruding on the rotating member by the gas supplied to the upper surface of the substrate In a processing apparatus and a substrate processing method, an object is to prevent a rotating substrate from moving significantly from a desired support position.

この発明にかかる基板処理装置は、基板を略水平姿勢で回転させながら基板に対して所定の処理を施す基板処理装置であって、上記目的を達成するため、鉛直軸回りに回転自在に設けられた回転部材と、回転部材を回転させる回転手段と、回転部材の周縁部に上方に向けて突設され、基板の下面に当接して該基板を略水平姿勢で、しかも水平方向において所定の支持位置で支持する複数の支持部材と、基板の上面にガスを供給することで基板を支持部材に押圧させて回転部材に保持させる押圧機構と、回転手段により回転駆動される基板が支持位置から径方向にずれた際に基板の端面に当接して基板の径方向の移動を規制するガイド機構とを備えたことを特徴としている。   A substrate processing apparatus according to the present invention is a substrate processing apparatus that performs a predetermined process on a substrate while rotating the substrate in a substantially horizontal posture, and is provided rotatably about a vertical axis in order to achieve the above object. A rotating member, a rotating means for rotating the rotating member, and a protrusion projecting upward at the peripheral edge of the rotating member, contacting the lower surface of the substrate and supporting the substrate in a substantially horizontal posture and in a horizontal direction. A plurality of support members supported at positions, a pressing mechanism for pressing the substrate against the support members by supplying gas to the upper surface of the substrate and holding the rotating member, and the substrate rotated by the rotating means from the support position And a guide mechanism that restricts movement of the substrate in the radial direction by coming into contact with the end surface of the substrate when shifted in the direction.

また、この発明にかかる基板処理方法は、上記目的を達成するため、回転部材の周縁部に上方に向けて突設された複数の支持部材を基板の下面に当接させることで基板を略水平姿勢で、しかも水平方向において所定の支持位置で支持しながら基板の上面にガスを供給することで基板を支持部材に押圧させて回転部材に保持させる保持工程と、回転部材に保持された基板を鉛直軸回りに回転させる回転工程とを備え、回転工程では、回転駆動される基板が支持位置から径方向にずれた際にガイド機構が基板の端面に当接して基板の径方向の移動を規制することを特徴としている。   Further, in order to achieve the above object, the substrate processing method according to the present invention makes the substrate substantially horizontal by bringing a plurality of support members protruding upward from the peripheral edge of the rotating member into contact with the lower surface of the substrate. A holding step in which the substrate is pressed against the support member by supplying gas to the upper surface of the substrate while being supported at a predetermined support position in the horizontal direction and held by the rotation member; and the substrate held by the rotation member A rotation step for rotating the substrate around a vertical axis. In the rotation step, the guide mechanism abuts against the end surface of the substrate when the substrate to be rotated is displaced in the radial direction from the support position, thereby restricting the movement of the substrate in the radial direction. It is characterized by doing.

このように構成された発明(基板処理装置および基板処理方法)によれば、基板上面側からのガスによって基板は所定の支持位置で支持部材に押圧されて回転部材に保持される。そして、このように基板が保持されながら回転部材が回転することで基板が回転される。このとき、回転駆動される基板が支持位置から径方向にずれた場合であっても、ガイド機構が基板の端面に当接して基板の径方向の移動を規制する。したがって、回転中の基板が所望の支持位置から大幅に移動してしまうのを防止することができる。   According to the invention thus configured (substrate processing apparatus and substrate processing method), the substrate is pressed against the support member at a predetermined support position by the gas from the upper surface side of the substrate and is held on the rotating member. Then, the rotating member rotates while the substrate is held in this way, thereby rotating the substrate. At this time, even when the rotationally driven substrate is displaced in the radial direction from the support position, the guide mechanism abuts against the end surface of the substrate and restricts the movement of the substrate in the radial direction. Therefore, it is possible to prevent the rotating substrate from moving significantly from a desired support position.

ここで、支持部材が3個以上設けられ、しかも各支持部材が基板の下面に当接して該基板を略水平姿勢で支持する支持部位を有する基板処理装置においては、ガイド機構は支持部材のうちの少なくとも3個以上に対応して設けられた3個以上の第1ガイドを有し、しかも各第1ガイドが支持部位に対し基板の周縁側で支持部材の先端部に取り付けられることで、基板の端面と第1ガイドとの間の距離を比較的小さく設定することができる。このため、回転駆動される基板が支持位置から径方向にずれた場合であっても、基板のずれ方向において基板に作用する力が増大する前に基板の移動を規制することができる。その結果、基板の移動を規制するために必要なガイド(第1ガイド)の物理的強度を低減し、ガイドを小さくすることができる。   Here, in the substrate processing apparatus having three or more support members, and each support member having a support portion that contacts the lower surface of the substrate and supports the substrate in a substantially horizontal posture, the guide mechanism is a member of the support member. 3 or more of the first guides provided corresponding to at least three of the first guides, and each of the first guides is attached to the tip of the support member on the peripheral side of the substrate with respect to the support portion. The distance between the end surface of the first guide and the first guide can be set relatively small. For this reason, even when the rotationally driven substrate is displaced in the radial direction from the support position, the movement of the substrate can be regulated before the force acting on the substrate in the displacement direction of the substrate is increased. As a result, the physical strength of the guide (first guide) necessary for restricting the movement of the substrate can be reduced, and the guide can be made smaller.

また、押圧機構が基板の上面に近接しながら対向配置された遮断部材を有し、遮断部材と基板の上面とに挟まれた空間にガスを供給することで基板を支持部材に押圧させる基板処理装置においては、鉛直軸方向における各第1ガイドの先端位置は支持部位に支持された基板の上面の高さ位置よりも低く構成するのが好ましい。この構成によれば、遮断部材と基板とが接触するのを回避しながら遮断部材と基板とを十分に近接させることできる。   In addition, the substrate processing has a blocking member that is disposed oppositely while the pressing mechanism is close to the upper surface of the substrate, and supplies the gas to a space sandwiched between the blocking member and the upper surface of the substrate to press the substrate against the support member. In the apparatus, the tip position of each first guide in the vertical axis direction is preferably configured to be lower than the height position of the upper surface of the substrate supported by the support portion. According to this configuration, the blocking member and the substrate can be sufficiently brought close to each other while avoiding contact between the blocking member and the substrate.

また、ガイド機構は複数の支持部材に対し回転部材の周縁側で回転部材に設けられた第2ガイドを複数個有するように構成してもよい。このように第2ガイドを支持部材と別個に設けることで、支持部材の小型化を図りながら、装置の処理性能を向上させることができる。すなわち、基板の近傍位置にガイドが存在しないことから、基板の近傍位置にガイドが存在する場合の不具合、例えば基板周囲の気流の乱れ、処理液の跳ね返り等を防止することができる。また、ガイド(第2ガイド)が支持部材と別個に設けられるので、ガイドの大きさを比較的自由に設定することができ、ガイドの物理的強度を高めることが容易となる。さらに、ガイド(第2ガイド)の取付け、交換作業を行う際に支持部材を取り外す必要がなくなる一方、支持部材の取付け、交換作業を行う際にガイドを取り外す必要がなくなる。このため、これらガイドおよび支持部材の取付け、交換作業を簡便にし、これらの作業に要する時間を大幅に削減することができる。   Moreover, you may comprise a guide mechanism so that it may have two or more 2nd guides provided in the rotation member by the peripheral side of the rotation member with respect to the several support member. Thus, by providing the second guide separately from the support member, it is possible to improve the processing performance of the apparatus while reducing the size of the support member. That is, since there is no guide in the vicinity of the substrate, it is possible to prevent problems when the guide is in the vicinity of the substrate, for example, turbulence of the air current around the substrate, rebound of the processing liquid, and the like. In addition, since the guide (second guide) is provided separately from the support member, the size of the guide can be set relatively freely, and the physical strength of the guide can be easily increased. Further, it is not necessary to remove the support member when attaching or exchanging the guide (second guide), while it is not necessary to remove the guide when attaching or exchanging the support member. For this reason, it is possible to simplify the attachment and replacement work of these guides and support members, and to greatly reduce the time required for these work.

また、各第2ガイドの先端部には回転部材の回転中心上方を臨むように傾斜面が形成され、傾斜面は該傾斜面上に基板の周縁部が上方より下降してきた際に基板を回転部材の回転中心側に案内しながら基板を支持部材に向けて落とし込むように構成してもよい。この構成によれば、傾斜面上に基板の周縁部が上方より下降してくると傾斜面によって基板が回転部材の回転中心側に案内されながら支持部材に向けて落とし込まれる。このため、例えば基板搬送ロボットなどの搬送機構により基板を搬送する際に基板の位置ずれが発生した場合であっても、基板を支持部材上に載置する際にそのような基板の位置ずれを第2ガイドにより補正しながら基板を支持部材に落とし込むことができる。   In addition, an inclined surface is formed at the tip of each second guide so as to face the upper center of rotation of the rotating member, and the inclined surface rotates the substrate when the peripheral edge of the substrate descends from above the inclined surface. You may comprise so that a board | substrate may be dropped toward a support member, guiding it to the rotation center side of a member. According to this configuration, when the peripheral portion of the substrate descends from above on the inclined surface, the substrate is dropped toward the support member while being guided by the inclined surface toward the rotation center of the rotating member. For this reason, for example, even when a substrate position shift occurs when the substrate is transferred by a transfer mechanism such as a substrate transfer robot, the substrate position shift is prevented when the substrate is placed on the support member. The substrate can be dropped onto the support member while being corrected by the second guide.

また、3個以上の第2ガイドが回転部材の回転中心に向けて水平移動自在に回転部材に設けられた可動ガイドとなっており、しかも複数の可動ガイドが回転部材の回転中心回りに放射状に配置された基板処理装置においては、可動ガイドを水平移動させるガイド駆動機構と、回転部材の回転が停止している間に、ガイド駆動機構を制御することによって、基板の径方向移動を規制する規制位置から回転部材の回転中心に向けて複数の可動ガイドを相互に連動させながら移動させて基板の中心を回転部材の回転中心に一致させるガイド駆動制御手段とをさらに備えるように構成してもよい。この構成によれば、支持部材上に支持された基板の中心が回転部材の回転中心から径方向にずれている場合であっても、回転部材の回転が停止している間、複数の可動ガイドが相互に連動しながら基板の径方向移動を規制する規制位置から回転部材の回転中心に向けて移動することによって、基板の中心を回転部材の回転中心に一致させることができる。   Further, three or more second guides are movable guides provided on the rotary member so as to be horizontally movable toward the rotation center of the rotation member, and the plurality of movable guides are radially arranged around the rotation center of the rotation member. In the disposed substrate processing apparatus, a guide driving mechanism that horizontally moves the movable guide and a regulation that regulates the radial movement of the substrate by controlling the guide driving mechanism while the rotation of the rotating member is stopped. Guide drive control means for moving the plurality of movable guides while interlocking with each other from the position toward the rotation center of the rotation member so as to match the center of the substrate with the rotation center of the rotation member may be provided. . According to this configuration, even when the center of the substrate supported on the support member is radially displaced from the rotation center of the rotation member, the plurality of movable guides can be used while the rotation of the rotation member is stopped. Are moved toward the rotation center of the rotating member from the restriction position that restricts the radial movement of the substrate while interlocking with each other, whereby the center of the substrate can be made coincident with the rotation center of the rotating member.

この発明によれば、回転駆動される基板が支持位置から径方向にずれた場合であっても、ガイド機構が基板の端面に当接して基板の径方向の移動を規制するので、回転中の基板が所望の支持位置から大幅に移動してしまうのを防止することができる。   According to the present invention, even when the rotationally driven substrate is displaced in the radial direction from the support position, the guide mechanism abuts on the end surface of the substrate and restricts the radial movement of the substrate. It is possible to prevent the substrate from largely moving from the desired support position.

<第1実施形態>
図1はこの発明にかかる基板処理装置の第1実施形態を示す図である。また、図2は図1の基板処理装置の主要な制御構成を示すブロック図である。この基板処理装置は、半導体ウエハ等の略円形基板Wの表面Wfの周縁部TRおよび該表面周縁部TRに連なる基板Wの端面EF(以下、基板の表面周縁部および基板の端面を併せて「基板端部」という)からメタル層やフォトレジスト層などの薄膜をエッチング除去する装置である。具体的には、基板端部に対して薬液による薬液処理およびリンス液によるリンス処理を施して基板端部から薄膜をエッチング除去するとともに、基板裏面Wbに薬液およびリンス液を供給して裏面Wb全体を洗浄する装置である。以下、薬液およびリンス液を総称する場合は「処理液」という。なお、この実施形態では、基板表面Wfとはデバイスパターンが形成されるパターン形成面をいう。
<First Embodiment>
FIG. 1 is a diagram showing a first embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention. FIG. 2 is a block diagram showing a main control configuration of the substrate processing apparatus of FIG. This substrate processing apparatus combines a peripheral portion TR of a surface Wf of a substantially circular substrate W such as a semiconductor wafer and an end surface EF of the substrate W connected to the surface peripheral portion TR (hereinafter, referred to as “surface peripheral portion of substrate and end surface of substrate”). This is an apparatus that etches away a thin film such as a metal layer or a photoresist layer from an “end of the substrate”. Specifically, the substrate end is subjected to a chemical treatment with a chemical solution and a rinse treatment with a rinse solution to etch away the thin film from the substrate end, and the chemical solution and the rinse liquid are supplied to the substrate back surface Wb to supply the entire back surface Wb. Is a device for cleaning. Hereinafter, the chemical solution and the rinse solution are collectively referred to as “treatment solution”. In this embodiment, the substrate surface Wf refers to a pattern formation surface on which a device pattern is formed.

この基板処理装置は、基板表面Wfを上方に向けた状態で基板Wを略水平姿勢に保持しながら回転させるスピンチャック1と、基板Wの下面(裏面Wb)の中央部に向けて処理液を供給する下面処理ノズル15と、基板Wの表面周縁部TRに処理液を供給する周縁処理ノズル3と、基板Wの表面Wfに対向配置される遮断部材5とを備えている。   In this substrate processing apparatus, the processing liquid is directed toward the central portion of the lower surface (back surface Wb) of the spin chuck 1 that rotates while holding the substrate W in a substantially horizontal posture with the substrate surface Wf facing upward. The lower surface processing nozzle 15 to supply, the peripheral processing nozzle 3 which supplies a processing liquid to the surface peripheral part TR of the board | substrate W, and the interruption | blocking member 5 arranged facing the surface Wf of the board | substrate W are provided.

スピンチャック1は、中空の回転支柱11がモータを含むチャック回転機構12の回転軸に連結されており、チャック回転機構12の駆動により鉛直軸回りに回転中心A0を中心として回転可能となっている。この回転支柱11の上端部には、スピンベース13が一体的にネジなどの締結部品によって連結されている。したがって、装置全体を制御する制御ユニット4からの動作指令に応じてチャック回転機構12を駆動させることによりスピンベース13が鉛直軸回りに回転する。このように、この実施形態では、チャック回転機構12が本発明の「回転手段」に、スピンベース13が本発明の「回転部材」に相当している。   The spin chuck 1 has a hollow rotating column 11 connected to a rotating shaft of a chuck rotating mechanism 12 including a motor, and can be rotated around a rotation center A0 around a vertical axis by driving the chuck rotating mechanism 12. . A spin base 13 is integrally connected to an upper end portion of the rotary support 11 by a fastening component such as a screw. Therefore, the spin base 13 rotates about the vertical axis by driving the chuck rotating mechanism 12 in accordance with an operation command from the control unit 4 that controls the entire apparatus. Thus, in this embodiment, the chuck rotating mechanism 12 corresponds to the “rotating means” of the present invention, and the spin base 13 corresponds to the “rotating member” of the present invention.

中空の回転支柱11には、処理液供給管14が挿通されており、その上端に下面処理ノズル15が結合されている。処理液供給管14は薬液供給ユニット16およびリンス液供給ユニット17と接続されており、薬液またはDIW(deionized water)などのリンス液が選択的に供給される。薬液としては、薄膜(不要物)のエッチングに適した薬液、例えばフッ酸、塩酸過水(塩酸+過酸化水素水)等が用いられる。また、回転支柱11の内壁面と処理液供給管14の外壁面の隙間は、円筒状のガス供給路19を形成している。このガス供給路19はガス供給ユニット18と接続されており、基板裏面Wbとスピンベース13の対向面との間に形成される空間に窒素ガスを供給することができる。なお、この実施形態では、ガス供給ユニット18から窒素ガスを供給しているが、空気や他の不活性ガスなどを吐出するように構成してもよい。   A processing liquid supply pipe 14 is inserted into the hollow rotating column 11, and a lower surface processing nozzle 15 is coupled to the upper end thereof. The treatment liquid supply pipe 14 is connected to a chemical liquid supply unit 16 and a rinse liquid supply unit 17, and a chemical liquid or a rinse liquid such as DIW (deionized water) is selectively supplied. As the chemical solution, a chemical solution suitable for etching a thin film (unnecessary material), for example, hydrofluoric acid, hydrochloric acid / hydrogen peroxide (hydrochloric acid + hydrogen peroxide solution), or the like is used. Further, a gap between the inner wall surface of the rotary support 11 and the outer wall surface of the processing liquid supply pipe 14 forms a cylindrical gas supply path 19. The gas supply path 19 is connected to the gas supply unit 18 and can supply nitrogen gas to a space formed between the substrate back surface Wb and the facing surface of the spin base 13. In this embodiment, nitrogen gas is supplied from the gas supply unit 18, but air or other inert gas may be discharged.

図3はスピンベースを上方から見た平面図である。スピンベース13の中心部には開口が設けられている。また、スピンベース13の周縁部付近には複数個(この実施形態では12個)の支持ピンF1〜F6、S1〜S6が本発明の「支持部材」として昇降自在に設けられている。これら支持ピンF1〜F6、S1〜S6は、回転中心A0を中心として放射状にスピンベース13から上方に向けて突設されている。支持ピンF1〜F6、S1〜S6の各々は基板裏面Wbと当接することによって、スピンベース13から所定距離だけ上方に離間させた状態で基板Wを略水平姿勢で、しかも水平方向において所定の支持位置PSで支持可能となっている。これらのうち、周方向に沿って1つ置きに配置された6個の支持ピンF1〜F6は第1支持ピン群を構成し、これらは連動して基板Wを支持し、または基板裏面Wbから離間してその支持を解除するように動作する。一方で、残る6個の支持ピンS1〜S6は第2支持ピン群を構成し、これらは連動して基板Wを支持し、または基板裏面Wbから離間してその支持を解除するように動作する。なお、基板Wを水平に支持するためには、各支持ピン群が有する支持ピンの個数は少なくとも3個以上であればよいが、各支持ピン群が有する支持ピンの個数を6個とすることで安定して基板Wを支持できる。   FIG. 3 is a plan view of the spin base as viewed from above. An opening is provided at the center of the spin base 13. A plurality of (in this embodiment, twelve) support pins F1 to F6 and S1 to S6 are provided in the vicinity of the peripheral edge of the spin base 13 so as to be movable up and down as “support members” of the present invention. These support pins F1 to F6 and S1 to S6 project radially upward from the spin base 13 around the rotation center A0. Each of the support pins F1 to F6 and S1 to S6 is in contact with the back surface Wb of the substrate, so that the substrate W is in a substantially horizontal posture with a predetermined distance from the spin base 13 and is supported in the horizontal direction. Support is possible at the position PS. Among these, the six support pins F1 to F6 arranged every other along the circumferential direction constitute a first support pin group, and these support the substrate W in conjunction with each other or from the substrate back surface Wb. Operate to release the support at a distance. On the other hand, the remaining six support pins S1 to S6 constitute a second support pin group, and these operate in conjunction with each other to support the substrate W or move away from the substrate back surface Wb to release the support. . In order to horizontally support the substrate W, each support pin group may have at least three support pins, but each support pin group should have six support pins. Thus, the substrate W can be stably supported.

図4および図5は、スピンチャック1に関連する構成を説明するための断面図(図9のA−A’線断面)である。図4は支持ピンが上昇した状態を示し、図5は支持ピンが下降した状態を示す。また、図6はスピンベース内に備えられた動作伝達機構の構成を説明するための平面図である。図4および図5では、支持ピンF1〜F6が連動して昇降する様子のみが図示されているが、支持ピンS1〜S6も支持ピンF1〜F6と同様に連動して昇降可能となっている。   4 and 5 are cross-sectional views (a cross section taken along the line A-A 'in FIG. 9) for explaining a configuration related to the spin chuck 1. FIG. FIG. 4 shows a state where the support pin is raised, and FIG. 5 shows a state where the support pin is lowered. FIG. 6 is a plan view for explaining the configuration of the motion transmission mechanism provided in the spin base. 4 and 5 show only the state in which the support pins F1 to F6 move up and down in conjunction with each other, the support pins S1 to S6 can also move up and down in conjunction with the support pins F1 to F6. .

スピンチャック1には、支持ピンF1〜F6を連動して昇降動作させるための第1動作伝達機構FT1と、支持ピンS1〜S6を連動して昇降動作させるための第2動作伝達機構FT2とが設けられている。第1動作伝達機構FT1は、図6(a)に示すように、支持ピンF1〜F6をそれぞれ作動させるための6つの上下アーム71と、これらの上下アーム71を連動して昇降させるための第1上下リング72とを備えている。上下アーム71の各々は、回転中心A0を中心として互いに等角度(60°)間隔で放射状に径方向に伸びるようにして、第1上下リング72にネジなどの締結部品によって連結されており、各上下アーム71の先端部には、支持ピンF1〜F6が立設される。同様に、第2動作伝達機構FT2は、図6(b)に示すように、支持ピンS1〜S6をそれぞれ作動させるための6つの上下アーム73と、これらの上下アーム73を連動して昇降させるための第2上下リング74とを備えている。上下アーム73の各々は、回転中心A0を中心として互いに等角度(60°)間隔で放射状に径方向に伸びるようにして、第2上下リング74にネジなどの締結部品によって連結されており、各上下アーム73の先端部には、支持ピンS1〜S6が立設される。   The spin chuck 1 includes a first motion transmission mechanism FT1 for moving up and down the support pins F1 to F6 and a second motion transmission mechanism FT2 for moving up and down the support pins S1 to S6. Is provided. As shown in FIG. 6A, the first motion transmission mechanism FT1 includes six upper and lower arms 71 for operating the support pins F1 to F6, and a first for moving the upper and lower arms 71 up and down in conjunction with each other. 1 upper and lower rings 72 are provided. Each of the upper and lower arms 71 is connected to the first upper and lower rings 72 by fastening parts such as screws so as to extend radially in the radial direction at equal angular (60 °) intervals around the rotation center A0. Support pins F <b> 1 to F <b> 6 are erected at the tip of the upper and lower arms 71. Similarly, as shown in FIG. 6B, the second motion transmission mechanism FT2 moves up and down the six vertical arms 73 for operating the support pins S1 to S6 and the upper and lower arms 73 in conjunction with each other. And a second upper and lower ring 74 for the purpose. Each of the upper and lower arms 73 is connected to the second upper and lower rings 74 by fastening parts such as screws so as to extend radially in the radial direction at equal angular (60 °) intervals around the rotation center A0. Support pins S <b> 1 to S <b> 6 are erected at the tip of the upper and lower arms 73.

第1上下リング72および第2上下リング74は、スピンベース13の回転中心A0に対して同心に配置されたほぼ円環状の部材であり、第2上下リング74は、その中央に設けられた開口部74aを大きくすることより、開口部74aに第1上下リング72の一部を包囲しながら、第1上下リング72の上方に配置されている(図4および図5)。これらの第1および第2上下リング72,74は、スピンベース13の回転軸に沿って昇降可能となっており、第1上下リング72を昇降させることによって、支持ピンF1〜F6を一体的に昇降させることができ、第2上下リング74を昇降させることによって、支持ピンS1〜S6を一体的に昇降させることができる。   The first vertical ring 72 and the second vertical ring 74 are substantially annular members arranged concentrically with the rotation center A0 of the spin base 13, and the second vertical ring 74 is an opening provided in the center thereof. By enlarging the part 74a, the opening 74a surrounds a part of the first upper and lower ring 72 and is disposed above the first upper and lower ring 72 (FIGS. 4 and 5). These first and second upper and lower rings 72, 74 can be moved up and down along the rotation axis of the spin base 13, and the support pins F <b> 1 to F <b> 6 are integrally moved by moving the first upper and lower rings 72 up and down. The support pins S <b> 1 to S <b> 6 can be raised and lowered integrally by raising and lowering the second upper and lower rings 74.

スピンベース13は、上板131と下板132とをボルトで固定して構成されており、上板131の周縁部には、支持ピンF1〜F6および支持ピンS1〜S6を昇降自在に配設するために貫通孔131aが形成されている。また、上板131と下板132との間に第1および第2動作伝達機構FT1,FT2を収容する収容空間が形成されている。上板131および下板132の中央部には、スピンベース13を貫通する貫通孔133が形成されている。この貫通孔133を通り、さらに、スピンチャック1の回転支柱11を挿通するように、処理液供給管14が配置されている。この処理液供給管14の上端には、スピンチャック1に保持された基板Wの下面中央に対向する下面処理ノズル15が固定されている。   The spin base 13 is configured by fixing an upper plate 131 and a lower plate 132 with bolts, and support pins F1 to F6 and support pins S1 to S6 are arranged on the periphery of the upper plate 131 so as to be movable up and down. For this purpose, a through hole 131a is formed. An accommodation space for accommodating the first and second motion transmission mechanisms FT1, FT2 is formed between the upper plate 131 and the lower plate 132. A through-hole 133 that penetrates the spin base 13 is formed at the center of the upper plate 131 and the lower plate 132. The treatment liquid supply pipe 14 is disposed so as to pass through the through-hole 133 and further through the rotary support 11 of the spin chuck 1. A lower surface processing nozzle 15 facing the center of the lower surface of the substrate W held on the spin chuck 1 is fixed to the upper end of the processing liquid supply pipe 14.

図7は、スピンベース13を背面から見たときの平面図である。第1および第2上下リング72,74はそれぞれ、第1および第2上下リング72,74を昇降させるための第1および第2連動リング75、76と係合している。第1および第2連動リング75、76は、回転中心A0に対して同心に配置された円環状の部材であり、第2連動リング76は、第1連動リング75よりも外側に配置されている。第1および第2連動リング75、76はそれぞれ、スピンベース13の下板132に形成された貫通孔134,135を介して下板132に対して上下方向に伸びるように形成され、それらの上方端が第1および第2上下リング72,74と係合している。これらの第1および第2連動リング75、76は、スピンベース13の回転軸に沿って昇降可能となっており、第1連動リング75を昇降させることによって、第1上下リング72を介して支持ピンF1〜F6を昇降させることができ、第2連動リング76を昇降させることによって、第2上下リング74を介して支持ピンS1〜S6を昇降させることができる。   FIG. 7 is a plan view of the spin base 13 as viewed from the back. The first and second upper and lower rings 72 and 74 are engaged with first and second interlocking rings 75 and 76 for raising and lowering the first and second upper and lower rings 72 and 74, respectively. The first and second interlocking rings 75 and 76 are annular members disposed concentrically with respect to the rotation center A0, and the second interlocking ring 76 is disposed outside the first interlocking ring 75. . The first and second interlocking rings 75 and 76 are formed to extend in the vertical direction with respect to the lower plate 132 through through holes 134 and 135 formed in the lower plate 132 of the spin base 13, respectively. The ends engage with the first and second upper and lower rings 72 and 74. These first and second interlocking rings 75 and 76 can be raised and lowered along the rotation axis of the spin base 13, and are supported via the first upper and lower rings 72 by raising and lowering the first interlocking ring 75. The pins F <b> 1 to F <b> 6 can be raised and lowered, and the support pins S <b> 1 to S <b> 6 can be raised and lowered via the second upper and lower rings 74 by raising and lowering the second interlocking ring 76.

次に、図8を用いて支持ピンの構成について説明する。図8は図3のB−B’線断面図である。なお、支持ピンF1〜F6、S1〜S6はいずれも同一構成を有しているため、ここでは1つの支持ピンF1の構成について説明する。図8(a)に示すように、支持ピンF1は、上下アーム71の上に立設された可動本体部材101と、可動本体部材101上に設けられ基板Wの裏面周縁部と当接して基板Wを支持可能に構成されたヘッド部材102と、可動本体部材101を取り囲むようにスピンベース13の上板131に嵌挿されたベローズ103と、ベローズ103の上方に取り付けられ、その上面にヘッド部材102を載置可能に構成されたリング部材105とを備えている。   Next, the configuration of the support pins will be described with reference to FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line B-B ′ of FIG. 3. In addition, since all of the support pins F1 to F6 and S1 to S6 have the same configuration, the configuration of one support pin F1 will be described here. As shown in FIG. 8A, the support pin F1 is in contact with the movable main body member 101 erected on the upper and lower arms 71 and the rear peripheral edge portion of the substrate W provided on the movable main body member 101. A head member 102 configured to be able to support W, a bellows 103 fitted on the upper plate 131 of the spin base 13 so as to surround the movable main body member 101, and a head member mounted on the upper surface of the bellows 103. And a ring member 105 configured to be able to mount 102.

可動本体部材101の頂部にはヘッド部材102を装着可能なネジ孔101aが形成されており、ネジ孔101aにヘッド部材102を嵌挿させることで可動本体部材101上にヘッド部材102を立設する。ヘッド部材102は、ネジ形状の部材であり、上部のネジ頭部(ネジ山)が支持部位102aとして基板裏面Wbに当接して基板Wを支持可能に構成されるとともに、下部のネジ部が可動本体部材101のネジ孔101aと螺合可能に構成されている。ベローズ103の上端部103aは、可動本体部材101の頂部(ネジ孔101aの周縁部)を覆うようにして可動本体部材101と係合することにより、可動本体部材101を保護するとともに、貫通孔131aからスピンベース13内部に処理液が侵入するのを防止している。ベローズ103は、例えばPTFE(ポリテトラフルオロエチレン)より形成され、薬液等により基板Wを処理する際に、ステンレス鋼(SUS)またはアルミニウム等から形成される可動本体部材101を保護する。また、スピンベース13の上板131とベローズ103の端部材との間には、シール部材201が配設され、スピンベース13の内部空間を外部雰囲気から遮断している。   A screw hole 101a into which the head member 102 can be mounted is formed at the top of the movable main body member 101, and the head member 102 is erected on the movable main body member 101 by fitting the head member 102 into the screw hole 101a. . The head member 102 is a screw-shaped member, and the upper screw head (screw thread) is configured to be able to support the substrate W by contacting the substrate back surface Wb as a support portion 102a, and the lower screw portion is movable. The main body member 101 is configured to be screwable with the screw hole 101a. The upper end portion 103a of the bellows 103 protects the movable main body member 101 by engaging with the movable main body member 101 so as to cover the top of the movable main body member 101 (peripheral portion of the screw hole 101a), and also has a through hole 131a. Thus, the processing liquid is prevented from entering the inside of the spin base 13. The bellows 103 is made of, for example, PTFE (polytetrafluoroethylene), and protects the movable main body member 101 made of stainless steel (SUS), aluminum, or the like when the substrate W is processed with a chemical solution or the like. In addition, a seal member 201 is disposed between the upper plate 131 of the spin base 13 and the end member of the bellows 103 to block the internal space of the spin base 13 from the external atmosphere.

リング部材105は、ヘッド部材102のネジ部の径に合わせて開口した円環状の部材であり、ベローズ103の上端部103aの上に載置され、ヘッド部材102が可動本体部材101のネジ孔101aにねじ込まれることで固定される。ヘッド部材102のネジ部とリング部材105との間にはシール部材104が配置され、ヘッド部材102とリング部材105との間から可動本体部材101のネジ孔101aに処理液が侵入するのを防止している。ヘッド部材102およびリング部材105は、耐薬性を考慮して、PCTFE(ポリクロロトリフルオロエチレン)で形成されるのが好ましい。一方、耐薬性を考慮する必要がない場合には、ゴム系材質で形成するようにしてもよい。   The ring member 105 is an annular member that is opened in accordance with the diameter of the screw portion of the head member 102, and is placed on the upper end portion 103 a of the bellows 103, and the head member 102 is attached to the screw hole 101 a of the movable main body member 101. It is fixed by being screwed in. A seal member 104 is disposed between the screw portion of the head member 102 and the ring member 105 to prevent the processing liquid from entering the screw hole 101 a of the movable main body member 101 from between the head member 102 and the ring member 105. is doing. The head member 102 and the ring member 105 are preferably formed of PCTFE (polychlorotrifluoroethylene) in consideration of chemical resistance. On the other hand, when it is not necessary to consider chemical resistance, it may be formed of a rubber material.

また、リング部材105は、基板端面EFに当接可能に仕上げられている。つまり、リング部材105は、支持部位102aに対して基板Wの周縁側にガイド部位105a(本発明の「第1ガイド」に相当)を有し、ガイド部位105aによって基板Wが支持位置PSから径方向にずれた際に、基板端面EFに当接して基板Wの径方向の移動を規制することが可能となっている。そして、このようなガイド部位105aが各支持ピンF1〜F6、S1〜S6の先端部に設けられることで、支持部位102aに支持された基板Wが径方向においてどのように移動したとしても基板端面EFがガイド部位105aに当接して、基板Wの径方向外側への飛び出しを防止することが可能となっている。このように、この実施形態では、リング部材105が本発明の「ガイド機構」として機能する。   The ring member 105 is finished so as to be able to contact the substrate end surface EF. In other words, the ring member 105 has a guide part 105a (corresponding to the “first guide” of the present invention) on the peripheral side of the substrate W with respect to the support part 102a, and the substrate W has a diameter from the support position PS by the guide part 105a. When shifted in the direction, it is possible to restrict the radial movement of the substrate W by contacting the substrate end surface EF. Further, by providing such a guide portion 105a at the tip of each of the support pins F1 to F6 and S1 to S6, no matter how the substrate W supported by the support portion 102a moves in the radial direction, the substrate end face It is possible to prevent the EF from coming into contact with the guide part 105a and jumping out of the substrate W outward in the radial direction. Thus, in this embodiment, the ring member 105 functions as the “guide mechanism” of the present invention.

ガイド部位105aは、支持部位102aに支持された基板Wの端面EFと対向しながら該基板端面EFから所定の間隙を隔てるようにして設けられている(図8(b))。具体的には、各支持ピンF1〜F6、S1〜S6のガイド部位105aをそれぞれ結んで描かれる仮想円VC(図3参照)の直径が基板Wの直径に対して若干大きくなるように、ガイド部位105aが設けられている。したがって、支持ピンF1〜F6、S1〜S6により基板Wを支持位置PSで支持させるために、基板Wは径方向(水平方向)において仮想円VCの内側に配置される。この実施形態では、支持位置PSで支持された基板Wの端面EFとガイド部位105aとの間の距離Lは0.5mm程度に設定される。   The guide portion 105a is provided so as to be opposed to the end surface EF of the substrate W supported by the support portion 102a and to be separated from the substrate end surface EF by a predetermined gap (FIG. 8B). Specifically, the guides are such that the diameter of a virtual circle VC (see FIG. 3) drawn by connecting the guide portions 105a of the support pins F1 to F6 and S1 to S6 is slightly larger than the diameter of the substrate W. A portion 105a is provided. Therefore, in order to support the substrate W at the support position PS by the support pins F1 to F6 and S1 to S6, the substrate W is disposed inside the virtual circle VC in the radial direction (horizontal direction). In this embodiment, the distance L between the end surface EF of the substrate W supported at the support position PS and the guide part 105a is set to about 0.5 mm.

また、鉛直軸方向におけるガイド部位105aの先端位置は、支持部位102aによって支持された基板Wの上面の高さ位置WTよりも低くなるように設定されている。これにより、遮断部材5が基板Wの上面(表面Wf)に対向しながら配置される場合であっても、遮断部材5とガイド部位105aとが接触するのを回避しながら遮断部材5と基板Wとを十分に近接させることができる。   Further, the tip position of the guide part 105a in the vertical axis direction is set to be lower than the height position WT of the upper surface of the substrate W supported by the support part 102a. As a result, even when the blocking member 5 is disposed while facing the upper surface (front surface Wf) of the substrate W, the blocking member 5 and the substrate W are avoided while avoiding contact between the blocking member 5 and the guide portion 105a. Can be sufficiently close to each other.

支持ピンF1の下方には、圧縮コイルばね202をその伸縮方向を鉛直方向に沿って配置するとともに収容したばねケース203がスピンベース13の下板132に設置されている。これにより、支持ピンF1は、上下アーム71を介して上方に向かって付勢されており、その結果として、図4に示すように、支持ピンF1は支持部位102aが基板Wの下面に当接する当接位置PAに位置決めされる。なお、このような支持ピンF1の高さ位置はスピンベース13内部に固定配置されたストッパー204が可動本体部材101の下端のフランジ部101bに係合することによって支持ピンF1の上限位置が規定される。一方、図5に示すように、後述するようにして支持ピンF1が下降された場合には、ばねケース203の上端面203aがストッパーの役割を果たし、上下アーム71の下方端がばねケース203の上端面203aに係合することによって支持ピンF1の下限位置が規定される。   Below the support pin F1, a spring case 203 is disposed on the lower plate 132 of the spin base 13 and accommodates the compression coil spring 202 in the direction of expansion and contraction along the vertical direction. As a result, the support pin F1 is biased upward via the upper and lower arms 71. As a result, the support pin F1 of the support pin F1 comes into contact with the lower surface of the substrate W as shown in FIG. It is positioned at the contact position PA. The height of the support pin F1 is determined by engaging the stopper 204 fixedly disposed inside the spin base 13 with the flange portion 101b at the lower end of the movable body member 101. The On the other hand, as shown in FIG. 5, when the support pin F <b> 1 is lowered as described later, the upper end surface 203 a of the spring case 203 serves as a stopper, and the lower end of the upper and lower arms 71 is the lower end of the spring case 203. The lower limit position of the support pin F1 is defined by engaging the upper end surface 203a.

図4および図5に戻って説明を続ける。回転支柱11はチャック回転機構12のモータの駆動軸と一体化しており、チャック回転機構12を貫通して設けられている。チャック回転機構12を包囲するようにケーシング21が配置されており、このケーシング21は、さらに、筒状のカバー部材22によって包囲されている。カバー部材22の上端はスピンベース13の下面近傍にまで及んでおり、その上端付近の内面にはシール機構23が配置されている。このシール機構23はスピンベース13の下面に固定されたシール部材24に摺接するようになっており、これにより、シール機構23と回転支柱11との間には、外部雰囲気から遮断された機構部収容空間MSが形成されている。   Returning to FIG. 4 and FIG. The rotating column 11 is integrated with the motor drive shaft of the chuck rotating mechanism 12 and is provided through the chuck rotating mechanism 12. A casing 21 is disposed so as to surround the chuck rotating mechanism 12, and the casing 21 is further surrounded by a cylindrical cover member 22. The upper end of the cover member 22 extends to the vicinity of the lower surface of the spin base 13, and a seal mechanism 23 is disposed on the inner surface near the upper end. The seal mechanism 23 is in sliding contact with a seal member 24 fixed to the lower surface of the spin base 13, and thereby, a mechanism portion that is shielded from the external atmosphere is provided between the seal mechanism 23 and the rotary column 11. A storage space MS is formed.

図9は支持ピンを駆動するための駆動機構の構成を説明するための平面図である。機構部収容空間MS内において、ケーシング21の上蓋部21a上には、回転支柱11を取り囲むほぼ円環状のギヤケース61が取り付けられている。ギヤケース61上には、図9の平面図に示すように、第1モータM1および第2モータM2が、回転支柱11に対して対称な位置に固定されている。ギヤケース61の内部には、図4および図5に示されているように、その内壁面の内周側および外周側にそれぞれベアリング62,63が圧入されている。ベアリング62,63は回転支柱11に対して同軸に配置されている。内側のベアリング62の回転側リングには、回転支柱11を包囲するリング状の第1ギヤ64が固定されており、外側のベアリング63の回転側リングには回転支柱11を包囲するリング状の第2ギヤ65が固定されている。したがって、ギヤケース61内において、第1ギヤ64および第2ギヤ65は回転支柱11に対して同軸的に回転可能であり、第2ギヤ65は第1ギヤ64よりも外側に位置している。第1ギヤ64は、外周側にギヤ歯を有し、第2ギヤ65は、内周側にギヤ歯を有している。   FIG. 9 is a plan view for explaining the configuration of a drive mechanism for driving the support pins. A substantially annular gear case 61 surrounding the rotary column 11 is attached to the upper lid portion 21a of the casing 21 in the mechanism portion accommodating space MS. On the gear case 61, as shown in the plan view of FIG. 9, the first motor M <b> 1 and the second motor M <b> 2 are fixed at positions symmetrical to the rotary column 11. As shown in FIGS. 4 and 5, bearings 62 and 63 are press-fitted inside the gear case 61 on the inner peripheral side and the outer peripheral side of the inner wall surface, respectively. The bearings 62 and 63 are arranged coaxially with respect to the rotary column 11. A ring-shaped first gear 64 that surrounds the rotating column 11 is fixed to the rotating side ring of the inner bearing 62, and a ring-shaped first gear 64 that surrounds the rotating column 11 is fixed to the rotating side ring of the outer bearing 63. Two gears 65 are fixed. Therefore, in the gear case 61, the first gear 64 and the second gear 65 can be rotated coaxially with respect to the rotary column 11, and the second gear 65 is located outside the first gear 64. The first gear 64 has gear teeth on the outer peripheral side, and the second gear 65 has gear teeth on the inner peripheral side.

第1モータM1の駆動軸に固定されたピニオン66は、第1ギヤ64と第2ギヤ65との間に入り込み、内側に配置された第1ギヤ64に噛合している。同様に、図9に示されているとおり、第2モータM2の駆動軸に固定されたピニオン67は、第1ギヤ64と第2ギヤ65との間に位置し、外側に配置された第2ギヤ65に噛合している。ギヤケース61上にはさらに、モータM1,M2を回避した位置に、一対の第1ボールねじ機構81が回転支柱11を挟んで対向する位置(すなわち、回転支柱11の側方)に配置されている。さらに、ギヤケース61上には、モータM1,M2および第1ボールねじ機構81を回避した位置に、他の一対の第2ボールねじ機構82が、回転支柱11を挟んで対向するように位置(すなわち、回転支柱11の側方)に配置されている。   The pinion 66 fixed to the drive shaft of the first motor M1 enters between the first gear 64 and the second gear 65 and meshes with the first gear 64 disposed inside. Similarly, as shown in FIG. 9, the pinion 67 fixed to the drive shaft of the second motor M2 is located between the first gear 64 and the second gear 65, and is disposed outside. The gear 65 is engaged. On the gear case 61, a pair of first ball screw mechanisms 81 are further arranged at positions where the motors M <b> 1 and M <b> 2 are avoided at positions facing the rotation column 11 (that is, the sides of the rotation column 11). . Further, on the gear case 61, a position where the motors M <b> 1 and M <b> 2 and the first ball screw mechanism 81 are avoided is positioned so that the other pair of second ball screw mechanisms 82 face each other with the rotating column 11 interposed therebetween (that is, , On the side of the rotating column 11).

第1ボールねじ機構81は、図4および図5に示されているように、回転支柱11と平行に配置されたねじ軸83と、このねじ軸83に螺合するボールナット84とを備えている。ねじ軸83は、ギヤケース61の上蓋部に軸受け部85を介して取り付けられており、その下端は、ギヤケース61の内部に及んでいる。このねじ軸83の下端には、ギヤ86が固定されており、このギヤ86は第1ギヤ64と第2ギヤ65との間に入り込み、内側に配置された第1ギヤ64に噛合している。   As shown in FIGS. 4 and 5, the first ball screw mechanism 81 includes a screw shaft 83 disposed in parallel with the rotary column 11 and a ball nut 84 that is screwed onto the screw shaft 83. Yes. The screw shaft 83 is attached to the upper lid portion of the gear case 61 via a bearing portion 85, and the lower end thereof extends into the gear case 61. A gear 86 is fixed to the lower end of the screw shaft 83. The gear 86 enters between the first gear 64 and the second gear 65 and meshes with the first gear 64 disposed on the inner side. .

一方、ボールナット84には第1非回転側可動部材88が取り付けられている。この第1非回転側可動部材88は、回転支柱11を取り囲む環状の部材であって、その内周面には、回転支柱11を取り囲むように設けられた第1ベアリング77の非回転側リング77fが固定されている。第1ベアリング77の回転側リング77rは非回転側リング77fよりも回転支柱11に対して内方側に配置されている。この回転側リング77rは、回転支柱11を取り囲む環状の第1回転側可動部材89の外周面側に固定されている。第1回転側可動部材89は、回転支柱11の外周面に突出して設けられた案内レール90に係合している。この案内レール90は、回転支柱11に平行な方向に沿って形成されており、これにより、第1回転側可動部材89は、回転支柱11に沿う方向に案内されて移動可能な状態で、回転支柱11に結合されている。   On the other hand, a first non-rotating side movable member 88 is attached to the ball nut 84. The first non-rotating side movable member 88 is an annular member that surrounds the rotating column 11, and the non-rotating side ring 77 f of the first bearing 77 provided on the inner peripheral surface of the first non-rotating side movable member 88 so as to surround the rotating column 11. Is fixed. The rotation side ring 77r of the first bearing 77 is disposed on the inner side with respect to the rotation column 11 than the non-rotation side ring 77f. The rotation-side ring 77r is fixed to the outer peripheral surface side of the annular first rotation-side movable member 89 that surrounds the rotation column 11. The first rotation-side movable member 89 is engaged with a guide rail 90 provided so as to protrude from the outer peripheral surface of the rotary column 11. The guide rail 90 is formed along a direction parallel to the rotating column 11, whereby the first rotation side movable member 89 is guided and moved in the direction along the rotating column 11, and rotates. It is coupled to the column 11.

第1モータM1を駆動してピニオン66を回転させると、この回転は第1ギヤ64に伝達される。これによって、第1ギヤ64に噛合しているギヤ86が回転して、第1ボールねじ機構81のねじ軸83が回転する。これによって、ボールナット84およびこれに結合された第1非回転側可動部材88が回転支柱11に沿って昇降することになる。回転支柱11とともに回転することになる第1回転側可動部材89は、第1ベアリング77を介して第1非回転側可動部材88に結合されているから、この第1非回転側可動部材88の昇降により、回転支柱11の回転中であっても、案内レール90に沿って昇降されることになる。   When the first motor M <b> 1 is driven to rotate the pinion 66, this rotation is transmitted to the first gear 64. As a result, the gear 86 meshing with the first gear 64 rotates, and the screw shaft 83 of the first ball screw mechanism 81 rotates. As a result, the ball nut 84 and the first non-rotating side movable member 88 coupled thereto are moved up and down along the rotating column 11. Since the first rotation-side movable member 89 that rotates together with the rotary column 11 is coupled to the first non-rotation-side movable member 88 via the first bearing 77, Even when the rotary column 11 is rotating, the elevator column is moved up and down along the guide rail 90.

第1ボールねじ機構81によって昇降されるリング状の第1非回転側可動部材88の外方には、別のリング状の第2非回転側可動部材91が配置されている。第2ボールねじ機構82は、上記第1ボールねじ機構81と同様な構成を有しているが、そのねじ軸の下端に設けられたギヤは、ギヤケース61内の第1ギヤ64と第2ギヤ65との間において、第2ギヤ65に内側から噛合している。したがって、同じく第2ギヤ65に噛合しているピニオン67を第2モータM2によって駆動すれば、第2ボールねじ機構82のボールナット(図示せず)が昇降することになる。このボールナットが、第2非回転側可動部材91に結合されている。   Another ring-shaped second non-rotating side movable member 91 is disposed outside the ring-shaped first non-rotating side movable member 88 that is moved up and down by the first ball screw mechanism 81. The second ball screw mechanism 82 has the same configuration as the first ball screw mechanism 81, but the gear provided at the lower end of the screw shaft is the first gear 64 and the second gear in the gear case 61. The second gear 65 meshes with the second gear 65 from the inside. Accordingly, when the pinion 67 that is also meshed with the second gear 65 is driven by the second motor M2, the ball nut (not shown) of the second ball screw mechanism 82 is moved up and down. This ball nut is coupled to the second non-rotating side movable member 91.

第2非回転側可動部材91の外周面には、回転支柱11を取り囲むように設けられた第2ベアリング78の非回転側リング78fが固定されている。この第2ベアリング78の回転側リング78rは、回転支柱11を取り囲むリング状の第2回転側可動部材92の内周面に固定されている。第2回転側可動部材92の上面には、回転伝達ピン93が回転支柱11に沿う鉛直方向に2本、回転支柱11を挟んで回転支柱11を中心として略対称な位置に挿入されている(図7)。回転伝達ピン93は、スピンベース13の上板131および下板132を貫通するようにしてスピンベース13に固定されており、その下端が第2回転側可動部材92を昇降自在にしながら第2回転側可動部材92と係合している。そして、第2ボールねじ機構82のボールナットとともに第2非回転側可動部材91が昇降するとき、第2ベアリング78を介して結合された第2回転側可動部材92も同時に昇降する。第2回転側可動部材92は昇降可能な状態で回転伝達ピン93を介してスピンベース13に結合されているからスピンベース13とともに(すなわち回転支柱11とともに)回転されるが、この回転中であっても、第2ボールねじ機構82からの駆動力を得て、昇降が可能である。   A non-rotating side ring 78f of a second bearing 78 provided so as to surround the rotating column 11 is fixed to the outer peripheral surface of the second non-rotating side movable member 91. The rotation-side ring 78r of the second bearing 78 is fixed to the inner peripheral surface of a ring-shaped second rotation-side movable member 92 that surrounds the rotation column 11. On the upper surface of the second rotation side movable member 92, two rotation transmission pins 93 are inserted in the vertical direction along the rotation column 11, and are inserted at substantially symmetric positions around the rotation column 11 with the rotation column 11 interposed therebetween ( FIG. 7). The rotation transmission pin 93 is fixed to the spin base 13 so as to penetrate the upper plate 131 and the lower plate 132 of the spin base 13, and the lower end of the rotation transmission pin 93 allows the second rotation side movable member 92 to move up and down for the second rotation. The side movable member 92 is engaged. When the second non-rotating side movable member 91 moves up and down together with the ball nut of the second ball screw mechanism 82, the second rotating side movable member 92 coupled via the second bearing 78 also moves up and down at the same time. Since the second rotation side movable member 92 is coupled to the spin base 13 through the rotation transmission pin 93 in a state where it can be moved up and down, the second rotation side movable member 92 is rotated together with the spin base 13 (that is, together with the rotating support column 11). However, the driving force from the second ball screw mechanism 82 can be obtained and the elevator can be moved up and down.

第1回転側可動部材89には、その上方側に鉛直方向に伸びて第1連動リング75と係合する上下駆動ピン891が4本設けられている。具体的には、第1連動リング75には、図7に示すように、上下駆動ピン891の各々に対応して上下駆動ピン891に係合可能な切欠部751が形成されており、各切欠部751に上下駆動ピン891が挿入されている。そして、図5に示すように、第1回転側可動部材89が下降されることで、上下駆動ピン891の肩部891aが第1連動リング75に係合して、つまり4本の上下駆動ピン891が第1連動リング75を下方に引き下げるようにして、第1連動リング75を降下させる。これにより、上下アーム71の下方に配置された圧縮コイルばね202の付勢力に抗して、第1連動リング75に係合する第1上下リング72および第1上下リング72に連結された上下アーム71を一体的に降下させて上下アーム71の各々に立設された支持ピンF1〜F6を降下させることができる。   The first rotation-side movable member 89 is provided with four vertical drive pins 891 extending upward in the vertical direction and engaging with the first interlocking ring 75. Specifically, as shown in FIG. 7, the first interlocking ring 75 is formed with notches 751 that can be engaged with the upper and lower drive pins 891 corresponding to the upper and lower drive pins 891. Vertical drive pins 891 are inserted into the portion 751. Then, as shown in FIG. 5, when the first rotation side movable member 89 is lowered, the shoulder 891a of the vertical drive pin 891 is engaged with the first interlocking ring 75, that is, four vertical drive pins. 891 lowers the first interlocking ring 75 so as to lower the first interlocking ring 75 downward. Thus, the first upper and lower rings 72 engaged with the first interlocking ring 75 and the upper and lower arms connected to the first upper and lower rings 72 against the urging force of the compression coil spring 202 arranged below the upper and lower arms 71. The support pins F <b> 1 to F <b> 6 erected on each of the upper and lower arms 71 can be lowered by lowering 71 integrally.

さらに、支持ピンS1〜S6の降下動作についても、支持ピンF1〜F6の降下動作とほぼ同様である。すなわち、第2連動リング76には、第2回転側可動部材92が有する上下駆動ピン(図示せず)の各々に対応して上下駆動ピンに係合可能な挿入孔761が形成されており、各挿入孔761に上下駆動ピンが挿入される。そして、第2回転側可動部材92が下降することで、上下駆動ピンが第2連動リング76に係合して、第2連動リング76を降下させる。これにより、上下アーム73の下方に配置された圧縮コイルばね202の付勢力に抗して、第2連動リング76に係合する第2上下リング74および第2上下リング74に連結された上下アーム73を一体的に降下させて上下アーム73の各々に立設された支持ピンS1〜S6を降下させることができる。   Further, the lowering operation of the support pins S1 to S6 is substantially the same as the lowering operation of the support pins F1 to F6. That is, the second interlocking ring 76 has insertion holes 761 that can be engaged with the vertical drive pins corresponding to the vertical drive pins (not shown) of the second rotation side movable member 92, respectively. Vertical drive pins are inserted into the respective insertion holes 761. And when the 2nd rotation side movable member 92 descends, an up-and-down drive pin engages with the 2nd interlocking ring 76, and the 2nd interlocking ring 76 is lowered. Thereby, the upper and lower arms connected to the second upper and lower rings 74 and 74 engaged with the second interlocking ring 76 against the urging force of the compression coil spring 202 disposed below the upper and lower arms 73. The support pins S <b> 1 to S <b> 6 erected on each of the upper and lower arms 73 can be lowered by integrally lowering 73.

したがって、制御ユニット4の動作指令に応じて第1および第2モータM1、M2を回転駆動させることで、支持ピンF1〜F6からなる第1支持ピン群と、支持ピンS1〜S6からなる第2支持ピン群とを同時に、または独立して昇降させることが可能となっている。これにより、次に示す3種類の態様で基板Wを支持することができる。すなわち、第1および第2モータM1、M2を駆動させない状態では、支持ピンF1〜F6、S1〜S6の全ての支持ピンが当接位置PAに位置して基板Wを第1支持ピン群と第2支持ピン群とで支持することができる。また、第1モータM1を駆動させることで支持ピンF1〜F6を降下させて該支持ピンF1〜F6を基板Wの下面から離間させ、支持ピンS1〜S6のみにより基板Wを支持することができる。その一方で、第2モータM2を駆動させることで支持ピンS1〜S6を降下させて該支持ピンS1〜S6を基板Wの下面から離間させ、支持ピンF1〜F6のみにより基板Wを支持することができる。   Therefore, by rotating the first and second motors M1 and M2 in accordance with the operation command of the control unit 4, the first support pin group including the support pins F1 to F6 and the second support pin including the support pins S1 to S6. It is possible to raise and lower the support pin group simultaneously or independently. Accordingly, the substrate W can be supported in the following three types. In other words, in a state where the first and second motors M1 and M2 are not driven, all the support pins F1 to F6 and S1 to S6 are positioned at the contact position PA, and the substrate W is moved to the first support pin group and the first support pin group. It can be supported by a group of two support pins. Further, by driving the first motor M1, the support pins F1 to F6 are lowered to separate the support pins F1 to F6 from the lower surface of the substrate W, and the substrate W can be supported only by the support pins S1 to S6. . On the other hand, by driving the second motor M2, the support pins S1 to S6 are lowered to separate the support pins S1 to S6 from the lower surface of the substrate W, and the substrate W is supported only by the support pins F1 to F6. Can do.

図1に戻って説明を続ける。スピンチャック1の上方には、スピンベース13に対向して円盤状の遮断部材5が水平に配設されている。この遮断部材5は、スピンチャック1の回転支柱11と同軸上に配置された回転支軸51の下端部に一体回転可能に取り付けられている。この回転支軸51には、遮断部材回転機構52が連結されており、制御ユニット4からの動作指令に応じて遮断部材回転機構52のモータを駆動させることにより遮断部材5を鉛直軸回りに回転させる。制御ユニット4は、遮断部材回転機構52のモータをチャック回転機構12のモータと同期するように制御することで、スピンチャック1と同じ回転方向および同じ回転速度で遮断部材5を回転駆動させることができる。   Returning to FIG. 1, the description will be continued. Above the spin chuck 1, a disc-shaped blocking member 5 is horizontally disposed so as to face the spin base 13. The blocking member 5 is attached to a lower end portion of a rotation support shaft 51 arranged coaxially with the rotary support 11 of the spin chuck 1 so as to be integrally rotatable. A blocking member rotating mechanism 52 is connected to the rotation support shaft 51, and the blocking member 5 is rotated about the vertical axis by driving a motor of the blocking member rotating mechanism 52 in accordance with an operation command from the control unit 4. Let The control unit 4 controls the motor of the blocking member rotating mechanism 52 to synchronize with the motor of the chuck rotating mechanism 12, thereby rotating the blocking member 5 at the same rotational direction and the same rotational speed as the spin chuck 1. it can.

また、遮断部材5は、遮断部材昇降機構53と接続され、遮断部材昇降機構53の昇降駆動用アクチェータ(例えばエアシリンダーなど)を作動させることで、遮断部材5をスピンベース13に近接して対向させたり、逆に離間させることが可能となっている。具体的には、制御ユニット4は遮断部材昇降機構53を作動させることで、基板処理装置に対して基板Wを搬入出する際には、スピンチャック1の上方の離間位置に遮断部材5を上昇させる。その一方で、基板Wをスピンベース13から所定距離だけ上方に離間した基板処理位置(当接位置PAに位置決めされた支持ピンにより支持された基板Wの高さ位置)で該基板に対して洗浄処理を施す際には、スピンチャック1に保持された基板Wの表面Wfのごく近傍に設定された所定の対向位置(図1に示す位置)まで遮断部材5を下降させる。これにより、遮断部材5の下面(対向面501)と基板表面Wfとが近接した状態で離間して対向配置される。   Further, the blocking member 5 is connected to the blocking member elevating mechanism 53, and operates the lifting drive actuator (for example, an air cylinder) of the blocking member elevating mechanism 53 to oppose the blocking member 5 close to the spin base 13. Or can be separated. Specifically, the control unit 4 operates the blocking member raising / lowering mechanism 53 to raise the blocking member 5 to a separated position above the spin chuck 1 when the substrate W is loaded into and unloaded from the substrate processing apparatus. Let On the other hand, the substrate W is cleaned with respect to the substrate at a substrate processing position (a height position of the substrate W supported by the support pins positioned at the contact position PA) spaced apart from the spin base 13 by a predetermined distance. When performing the processing, the blocking member 5 is lowered to a predetermined facing position (position shown in FIG. 1) set very close to the surface Wf of the substrate W held by the spin chuck 1. As a result, the lower surface (opposing surface 501) of the blocking member 5 and the substrate surface Wf are spaced apart from each other in a close proximity.

遮断部材5の中心の開口および回転支軸51の中空部は、ガス供給路54を形成している。このガス供給路54はガス供給ユニット18と接続されており、基板Wの上面(表面Wf)と遮断部材5の対向面501とに挟まれた間隙空間SPに窒素ガスを供給することができる。   The central opening of the blocking member 5 and the hollow portion of the rotation support shaft 51 form a gas supply path 54. The gas supply path 54 is connected to the gas supply unit 18, and can supply nitrogen gas to the gap space SP sandwiched between the upper surface (surface Wf) of the substrate W and the facing surface 501 of the blocking member 5.

図10は遮断部材の底面図である。遮断部材5は、その下面(底面)が基板Wの上面(表面Wf)と略平行に対向する対向面501となっており、その平面サイズは基板Wの直径と同等以上の大きさに形成されている。このため遮断部材5が対向位置に配置されると基板Wの表面全体を覆って基板表面Wf上の雰囲気を外部雰囲気から遮断することが可能となっている。また、遮断部材5の周縁部には遮断部材5を上下方向(鉛直軸方向)に貫通する、略円筒状の内部空間を有するノズル挿入孔502が形成されており、周縁処理ノズル3が挿入可能となっている。このノズル挿入孔502はスピンチャック1に保持される基板Wの表面周縁部TRに対向する位置に形成されているため、周縁処理ノズル3をノズル挿入孔502に挿入させることで周縁処理ノズル3を表面周縁部TRに対向して配置させることができる。   FIG. 10 is a bottom view of the blocking member. The blocking member 5 has a lower surface (bottom surface) which is a facing surface 501 facing the upper surface (front surface Wf) of the substrate W substantially in parallel, and the planar size thereof is formed to be equal to or larger than the diameter of the substrate W. ing. For this reason, when the blocking member 5 is disposed at the opposing position, it is possible to cover the entire surface of the substrate W and block the atmosphere on the substrate surface Wf from the external atmosphere. Further, a nozzle insertion hole 502 having a substantially cylindrical inner space penetrating the blocking member 5 in the vertical direction (vertical axis direction) is formed in the peripheral portion of the blocking member 5 so that the peripheral processing nozzle 3 can be inserted. It has become. Since the nozzle insertion hole 502 is formed at a position facing the surface peripheral portion TR of the substrate W held by the spin chuck 1, the peripheral processing nozzle 3 is inserted into the nozzle insertion hole 502 so that the peripheral processing nozzle 3 is inserted. It can arrange | position facing the surface peripheral part TR.

また、対向面501には複数のガス噴出口503が開口している。複数のガス噴出口503はスピンチャック1に保持される基板Wの表面中央部の非処理領域NTRに対向する位置に、回転中心A0を中心とする円周に沿って等角度間隔に形成されている。これらのガス噴出口503は、遮断部材5の内部のガス流通空間505に連通しており、ガス流通空間505に窒素ガスが供給されると、ガス噴出口503を介して窒素ガスが間隙空間SPに供給される。そして、この間隙空間SPに窒素ガスが供給されることで間隙空間SPの内部圧力を高めて基板Wをその下面に当接する支持ピン(支持ピンF1〜F6および/または支持ピンS1〜S6)に押圧させることができる。これによって、支持ピンに押圧された基板Wは、チャック回転機構12がスピンベース13を回転させることで基板Wの下面と支持ピンとの間に発生する摩擦力によって支持ピンに支持されながらスピンベース13とともに回転する。なお、供給された窒素ガスは間隙空間SPを基板Wの中心付近から径方向外側へと流れていく。このように、この実施形態では、遮断部材5およびガス供給ユニット18が本発明の「押圧機構」として機能する。   Further, a plurality of gas outlets 503 are opened on the facing surface 501. The plurality of gas ejection ports 503 are formed at equiangular intervals along a circumference centering on the rotation center A0 at a position facing the non-treatment region NTR at the center of the surface of the substrate W held by the spin chuck 1. Yes. These gas outlets 503 communicate with the gas circulation space 505 inside the blocking member 5, and when nitrogen gas is supplied to the gas circulation space 505, the nitrogen gas passes through the gas outlet 503 and the gap space SP. To be supplied. Then, nitrogen gas is supplied to the gap space SP to increase the internal pressure of the gap space SP and to the support pins (support pins F1 to F6 and / or support pins S1 to S6) that abut the substrate W on the lower surface thereof. Can be pressed. As a result, the substrate W pressed by the support pins is supported by the support pins by the frictional force generated between the lower surface of the substrate W and the support pins as the chuck rotating mechanism 12 rotates the spin base 13. Rotate with. The supplied nitrogen gas flows through the gap space SP from the vicinity of the center of the substrate W to the outside in the radial direction. Thus, in this embodiment, the blocking member 5 and the gas supply unit 18 function as the “pressing mechanism” of the present invention.

図1に戻って説明を続ける。周縁処理ノズル3は水平方向に延びるノズルアーム31の一方端に取り付けられている。また、ノズルアーム31の他方端はノズル移動機構33に接続されている。ノズル移動機構33は周縁処理ノズル3を水平方向に所定の回動軸回りに揺動させるとともに、周縁処理ノズル3を昇降させることができる。このため、制御ユニット4からの動作指令に応じてノズル移動機構33が駆動されることで、周縁処理ノズル3を遮断部材5のノズル挿入孔502に挿入して表面周縁部TRに薬液またはDIWを供給可能な供給位置P1(図1の実線で示す位置)と、基板Wから離れた待機位置P2(図1の破線で示す位置)とに移動させることができる。   Returning to FIG. 1, the description will be continued. The peripheral processing nozzle 3 is attached to one end of a nozzle arm 31 extending in the horizontal direction. The other end of the nozzle arm 31 is connected to the nozzle moving mechanism 33. The nozzle moving mechanism 33 can swing the peripheral processing nozzle 3 in the horizontal direction and swing the peripheral processing nozzle 3 up and down in the horizontal direction. For this reason, the nozzle moving mechanism 33 is driven in accordance with an operation command from the control unit 4, whereby the peripheral processing nozzle 3 is inserted into the nozzle insertion hole 502 of the blocking member 5 and chemical liquid or DIW is applied to the surface peripheral portion TR. It can be moved to a supply position P1 (a position indicated by a solid line in FIG. 1) and a standby position P2 (a position indicated by a broken line in FIG. 1) away from the substrate W.

周縁処理ノズル3は薬液供給ユニット16およびリンス液供給ユニット17と接続されており、制御ユニット4からの動作指令に応じて薬液供給ユニット16またはリンス液供給ユニット17から薬液またはリンス液が周縁処理ノズル3に選択的に供給される。このため、周縁処理ノズル3から回転駆動される基板Wの表面周縁部TRに薬液が供給されると、該薬液は基板Wの径方向外側に向かって流れ、表面周縁部TRに連なる基板端面EFを伝って基板外に排出される。これにより、基板端面EFおよび該端面EFから内側に向かって一定の幅の表面領域(表面周縁部TR)、つまり基板端部がエッチングされ、基板端部に形成された薄膜が基板Wから除去される。また、周縁処理ノズル3から回転駆動される基板Wの表面周縁部TRにリンス液が供給されると、該リンス液は基板Wの径方向外側に向かって流れ、表面周縁部TRに連なる基板端面EFを伝って基板外に排出される。したがって、基板端部に残留する薬液成分を洗い流し、基板Wから除去することができる。   The peripheral edge processing nozzle 3 is connected to the chemical liquid supply unit 16 and the rinsing liquid supply unit 17, and the chemical liquid or the rinsing liquid is supplied from the chemical liquid supply unit 16 or the rinsing liquid supply unit 17 in accordance with the operation command from the control unit 4. 3 is selectively supplied. For this reason, when a chemical solution is supplied from the peripheral processing nozzle 3 to the surface peripheral portion TR of the substrate W that is rotationally driven, the chemical solution flows toward the outer side in the radial direction of the substrate W, and the substrate end surface EF connected to the surface peripheral portion TR. Is discharged out of the board. As a result, the substrate end surface EF and the surface region (surface peripheral portion TR) having a certain width inward from the end surface EF, that is, the substrate end portion are etched, and the thin film formed on the substrate end portion is removed from the substrate W. The Further, when the rinse liquid is supplied from the peripheral processing nozzle 3 to the surface peripheral portion TR of the substrate W that is rotationally driven, the rinse liquid flows toward the outer side in the radial direction of the substrate W, and the substrate end surface connected to the surface peripheral portion TR. It is discharged out of the substrate through the EF. Therefore, the chemical component remaining at the edge of the substrate can be washed away and removed from the substrate W.

また、遮断部材5のノズル挿入孔502の内壁には、ガス導入口504が開口されており、ガス導入口504からノズル挿入孔502の内部空間に窒素ガスを供給することが可能となっている。ガス導入口504は遮断部材5の内部に形成されたガス流通空間505を介してガス供給ユニット18に連通している。したがって、制御ユニット4からの動作指令に応じてガス供給ユニット18から窒素ガスが圧送されると、ノズル挿入孔502の内部空間に窒素ガスが供給され、周縁処理ノズル3が待機位置P2に移動された状態、すなわち、周縁処理ノズル3がノズル挿入孔502に未挿入の状態では、ノズル挿入孔502の上下双方の開口から窒素ガスが噴出される。このため、ノズル挿入孔502にノズルが未挿入の状態でも、ノズル挿入孔502の内壁に処理液が付着するのが防止される。   Further, a gas introduction port 504 is opened on the inner wall of the nozzle insertion hole 502 of the blocking member 5, and nitrogen gas can be supplied from the gas introduction port 504 to the internal space of the nozzle insertion hole 502. . The gas inlet 504 communicates with the gas supply unit 18 through a gas circulation space 505 formed inside the blocking member 5. Therefore, when nitrogen gas is pumped from the gas supply unit 18 in response to an operation command from the control unit 4, nitrogen gas is supplied to the internal space of the nozzle insertion hole 502, and the peripheral processing nozzle 3 is moved to the standby position P2. When the peripheral processing nozzle 3 is not inserted into the nozzle insertion hole 502, nitrogen gas is ejected from both the upper and lower openings of the nozzle insertion hole 502. For this reason, even when the nozzle is not inserted into the nozzle insertion hole 502, the treatment liquid is prevented from adhering to the inner wall of the nozzle insertion hole 502.

次に、上記のように構成された基板処理装置の動作について図11を参照しつつ説明する。図11は図1の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。この装置では、未処理の基板Wが装置内に搬入されると、制御ユニット4が装置各部を制御して基板Wに対してベベルエッチング処理、裏面洗浄処理および乾燥処理を実行する。ここで、例えば基板表面Wfには薄膜が形成されることがある。そこで、この実施形態では、基板表面Wfを上方に向けた状態で基板搬送ロボットなどの搬送機構により基板Wが装置内に搬入される(ステップS1)。なお、遮断部材5は離間位置にあり、基板Wとの干渉を防止している。   Next, the operation of the substrate processing apparatus configured as described above will be described with reference to FIG. FIG. 11 is a flowchart showing the operation of the substrate processing apparatus of FIG. In this apparatus, when an unprocessed substrate W is carried into the apparatus, the control unit 4 controls each part of the apparatus to execute a bevel etching process, a back surface cleaning process, and a drying process on the substrate W. Here, for example, a thin film may be formed on the substrate surface Wf. Therefore, in this embodiment, the substrate W is carried into the apparatus by a transport mechanism such as a substrate transport robot with the substrate surface Wf facing upward (step S1). Note that the blocking member 5 is located at a separated position to prevent interference with the substrate W.

未処理の基板Wが所定の支持位置PSで支持ピンF1〜F6,S1〜S6に載置されると、制御ユニット4は離間位置に位置する遮断部材5のガス噴出口503から窒素ガスを吐出させるとともに、ガス供給路54から窒素ガスを吐出させる(ステップS2)。次に、遮断部材5を回転させて、ノズル挿入孔502が所定位置となるように遮断部材5を回転方向に関して位置調整する(ステップS3)。具体的には、周縁処理ノズル3が供給位置P1に移動された際に、ノズル挿入孔502に挿入されるように遮断部材5を回転させる。その後、遮断部材5が対向位置まで降下され基板表面Wfに近接配置される(ステップS4)。ここで、鉛直軸方向における各支持ピンのガイド部位105aの先端位置は、基板Wの上面の高さ位置WTよりも低い位置にあるので、遮断部材5と基板Wとを十分に近接させることができる。これによって、間隙空間SPの内部圧力が高められ、基板Wはその下面(裏面Wb)に当接する支持ピンF1〜F6,S1〜S6に押圧されてスピンベース13に保持される。また、基板表面Wfは遮断部材5の下面501に覆われて、基板周囲の外部雰囲気から確実に遮断される。なお、上記のように基板Wはすべての支持ピンF1〜F6,S1〜S6で支持してもよいし、支持ピンF1〜F6からなる第1支持ピン群のみにより支持してもよく、あるいは支持ピンS1〜S6からなる第2支持ピン群のみにより支持してもよい。   When the unprocessed substrate W is placed on the support pins F1 to F6 and S1 to S6 at the predetermined support position PS, the control unit 4 discharges nitrogen gas from the gas outlet 503 of the blocking member 5 located at the separated position. At the same time, nitrogen gas is discharged from the gas supply path 54 (step S2). Next, the blocking member 5 is rotated to adjust the position of the blocking member 5 with respect to the rotation direction so that the nozzle insertion hole 502 is at a predetermined position (step S3). Specifically, when the peripheral processing nozzle 3 is moved to the supply position P1, the blocking member 5 is rotated so as to be inserted into the nozzle insertion hole 502. Thereafter, the blocking member 5 is lowered to the facing position and is disposed close to the substrate surface Wf (step S4). Here, since the tip position of the guide portion 105a of each support pin in the vertical axis direction is lower than the height position WT of the upper surface of the substrate W, it is possible to bring the blocking member 5 and the substrate W sufficiently close to each other. it can. As a result, the internal pressure of the gap space SP is increased, and the substrate W is pressed by the support pins F1 to F6 and S1 to S6 that are in contact with the lower surface (back surface Wb) and held by the spin base 13. Further, the substrate surface Wf is covered with the lower surface 501 of the blocking member 5, and is reliably blocked from the external atmosphere around the substrate. As described above, the substrate W may be supported by all the support pins F1 to F6 and S1 to S6, or may be supported only by the first support pin group including the support pins F1 to F6, or may be supported. You may support only by the 2nd support pin group which consists of pins S1-S6.

次に、制御ユニット4は遮断部材5を停止させた状態で基板Wを回転させる(ステップS5)。このとき、支持ピンF1〜F6,S1〜S6に押圧された基板Wは支持ピンF1〜F6,S1〜S6と基板裏面Wbとの間に発生する摩擦力でスピンベース13に保持されながらスピンベース13とともに回転する。また、基板Wはガイド部位105aによって径方向の移動が規制された状態となっている。このため、基板Wが支持位置PSから径方向にずれた場合であっても基板端面EFがガイド部位105aに当接して、基板Wの径方向外側への飛び出しが防止される。   Next, the control unit 4 rotates the substrate W while the blocking member 5 is stopped (step S5). At this time, the substrate W pressed by the support pins F1 to F6 and S1 to S6 is held by the spin base 13 by the frictional force generated between the support pins F1 to F6 and S1 to S6 and the substrate back surface Wb. 13 and rotate. The substrate W is in a state where movement in the radial direction is restricted by the guide portion 105a. For this reason, even when the substrate W is displaced in the radial direction from the support position PS, the substrate end surface EF abuts on the guide portion 105a, and the substrate W is prevented from protruding outward in the radial direction.

続いて、周縁処理ノズル3が待機位置P2から供給位置P1に位置決めされ(ステップS6)、ベベルエッチング処理(エッチング処理+リンス処理)が実行される(ステップS7)。具体的には、周縁処理ノズル3が水平方向に沿って遮断部材5のノズル挿入孔502の上方位置に移動された後、降下されノズル挿入孔502に挿入される。そして、薬液供給ユニット16から薬液が周縁処理ノズル3に圧送されて、回転する基板Wの表面周縁部TRに向けて周縁処理ノズル3から薬液が吐出される。その結果、表面周縁部TRに供給された薬液が基板Wの径方向外側に向かって流れ、基板端面EFを伝って基板外に排出される。これにより、基板端部がエッチングされ、基板端部から不要物が全周にわたって除去される。表面周縁部TRに対するエッチング処理が終了すると、薬液に代えてリンス液が周縁処理ノズル3に圧送され、表面周縁部TRにリンス液が供給される。これにより、基板端部に付着している薬液がリンス液によって洗い流される。こうして、ベベルエッチング処理が終了すると、制御ユニット4は周縁処理ノズル3へのリンス液の圧送を停止して、周縁処理ノズル3を待機位置P2に位置決めする(ステップS8)。   Subsequently, the peripheral edge processing nozzle 3 is positioned from the standby position P2 to the supply position P1 (step S6), and a bevel etching process (etching process + rinsing process) is performed (step S7). Specifically, the peripheral edge processing nozzle 3 is moved to a position above the nozzle insertion hole 502 of the blocking member 5 along the horizontal direction, and then lowered and inserted into the nozzle insertion hole 502. Then, the chemical solution is pumped from the chemical solution supply unit 16 to the peripheral processing nozzle 3, and the chemical solution is discharged from the peripheral processing nozzle 3 toward the surface peripheral portion TR of the rotating substrate W. As a result, the chemical solution supplied to the surface peripheral portion TR flows toward the outside in the radial direction of the substrate W, and is discharged out of the substrate through the substrate end surface EF. As a result, the substrate end is etched, and unnecessary substances are removed from the entire end of the substrate. When the etching process on the surface peripheral portion TR is completed, the rinsing liquid is pumped to the peripheral processing nozzle 3 instead of the chemical solution, and the rinsing liquid is supplied to the surface peripheral portion TR. Thereby, the chemical | medical solution adhering to a board | substrate edge part is washed away with a rinse liquid. Thus, when the bevel etching process is completed, the control unit 4 stops the pumping of the rinse liquid to the peripheral processing nozzle 3 and positions the peripheral processing nozzle 3 at the standby position P2 (step S8).

続いて、スピンベース13の回転数とほぼ同一の回転数で同一方向に遮断部材5を回転させる(ステップS9)。その後、下面処理ノズル15から回転する基板Wの裏面Wbに処理液が供給され、基板裏面Wbに対して裏面洗浄処理が実行される(ステップS10)。具体的には、下面処理ノズル15から基板裏面Wbの中央部に向けて処理液として薬液とリンス液とが順次供給されることにより、裏面全体と裏面Wbに連なる基板端面EFが洗浄される。ここで、洗浄処理中に支持ピンF1〜F6,S1〜S6を基板裏面Wbから少なくとも1回以上、離間させることで支持ピンF1〜F6,S1〜S6と基板裏面Wbの当接部分にも処理液を回り込ませて当該部分を洗浄できる。例えば、洗浄処理途中に、支持ピンF1〜F6からなる第1支持ピン群と支持ピンS1〜S6からなる第2支持ピン群との両方の支持ピン群により基板Wを支持した状態から第1支持ピン群のみにより基板Wを支持した状態に切り換え、基板Wと第2支持ピン群との間の当接部分に処理液を回り込ませる。その後、両方の支持ピン群により基板Wを支持した状態に移行させた後に、第2支持ピン群のみにより基板Wを支持した状態に切り換え、基板Wと第1支持ピン群との間の当接部分に処理液を回り込ませる。これにより、基板Wと支持ピンF1〜F6,S1〜S6との間の当接部分のすべてに処理液を回り込ませて裏面全体の洗浄処理を行うことができる。   Subsequently, the blocking member 5 is rotated in the same direction at substantially the same rotational speed as that of the spin base 13 (step S9). Thereafter, the processing liquid is supplied from the lower surface processing nozzle 15 to the back surface Wb of the rotating substrate W, and the back surface cleaning process is performed on the substrate back surface Wb (step S10). Specifically, the chemical liquid and the rinsing liquid are sequentially supplied from the lower surface processing nozzle 15 toward the center of the substrate back surface Wb, whereby the entire back surface and the substrate end surface EF connected to the back surface Wb are cleaned. Here, during the cleaning process, the support pins F1 to F6, S1 to S6 are separated from the substrate back surface Wb at least once, and the contact portions of the support pins F1 to F6, S1 to S6 and the substrate back surface Wb are also processed. The part can be cleaned by wrapping in the liquid. For example, during the cleaning process, the first support from the state where the substrate W is supported by both the first support pin group including the support pins F1 to F6 and the second support pin group including the support pins S1 to S6. The state is switched to a state in which the substrate W is supported only by the pin group, and the processing liquid is introduced into the contact portion between the substrate W and the second support pin group. Then, after shifting to a state in which the substrate W is supported by both the support pin groups, the substrate W is switched to a state in which the substrate W is supported only by the second support pin group, and the contact between the substrate W and the first support pin group is changed. Allow the processing solution to wrap around the part. As a result, it is possible to perform the cleaning process on the entire back surface by causing the processing liquid to wrap around all of the contact portions between the substrate W and the support pins F1 to F6 and S1 to S6.

裏面洗浄処理が完了すると、基板Wおよび遮断部材5を高速回転させる。これにより、基板Wの乾燥が実行される(ステップS11)。このとき、回転速度の増大により基板Wに作用する遠心力が増大するため、基板Wが径方向に移動する可能性がさらに高まる。しかしながら、ガイド部位105aが基板Wの径方向への移動を確実に規制することにより、基板Wの破損などを未然に防止することができる。また、基板Wの乾燥の際、基板表面Wfへの窒素ガス供給と併せてガス供給路19からも窒素ガスを供給して基板Wの表裏面に窒素ガスを供給することで、基板Wの乾燥処理が促進される。   When the back surface cleaning process is completed, the substrate W and the blocking member 5 are rotated at high speed. Thereby, drying of the substrate W is executed (step S11). At this time, since the centrifugal force acting on the substrate W increases due to the increase in the rotation speed, the possibility that the substrate W moves in the radial direction is further increased. However, since the guide part 105a reliably restricts the movement of the substrate W in the radial direction, it is possible to prevent the substrate W from being damaged. Further, when the substrate W is dried, the nitrogen gas is supplied from the gas supply path 19 together with the supply of the nitrogen gas to the substrate surface Wf, and the nitrogen gas is supplied to the front and back surfaces of the substrate W, thereby drying the substrate W. Processing is facilitated.

基板Wの乾燥処理が終了すると、遮断部材5の回転を停止させるとともに基板Wの回転を停止させる(ステップS12)。そして、遮断部材5が上昇された後(ステップS13)、ガス供給路54およびガス噴出口503からの窒素ガスの供給を停止する(ステップS14)。これにより、基板Wの支持ピンF1〜F6,S1〜S6への押圧保持が解除される。その後、処理済の基板Wが装置から搬出される(ステップS15)。   When the drying process of the substrate W is completed, the rotation of the blocking member 5 is stopped and the rotation of the substrate W is stopped (step S12). And after the interruption | blocking member 5 is raised (step S13), supply of the nitrogen gas from the gas supply path 54 and the gas jet nozzle 503 is stopped (step S14). As a result, the pressing and holding of the substrate W to the support pins F1 to F6 and S1 to S6 is released. Thereafter, the processed substrate W is unloaded from the apparatus (step S15).

以上のように、この実施形態によれば、回転駆動される基板Wが所定の支持位置PSから径方向にずれた場合であっても、ガイド部位105aが基板端面EFに当接して基板Wの径方向の移動を規制する。したがって、回転中の基板Wが所望の支持位置から大幅に移動してしまうのを防止することができる。   As described above, according to this embodiment, even when the substrate W to be rotationally driven is deviated from the predetermined support position PS in the radial direction, the guide portion 105a comes into contact with the substrate end surface EF and the substrate W Regulate radial movement. Therefore, it is possible to prevent the rotating substrate W from moving significantly from a desired support position.

また、この実施形態によれば、ガイド部位105aが支持部位102aに対し基板の周縁側で支持ピンF1〜F6,S1〜S6の先端部に取り付けているので、基板端面EFとガイド部位105aとの間の距離を比較的小さく設定することが可能となっている。このため、回転駆動される基板Wが支持位置PSから径方向にずれた場合であっても、基板Wのずれ方向において基板Wに作用する力が増大する前に基板Wの移動を規制することができる。その結果、基板Wの移動を規制するために必要なガイド(ガイド部位105a)の物理的強度を低減し、ガイドを小さくすることができる。   In addition, according to this embodiment, since the guide part 105a is attached to the tip of the support pins F1 to F6 and S1 to S6 on the peripheral edge side of the substrate with respect to the support part 102a, the substrate end surface EF and the guide part 105a It is possible to set the distance between them relatively small. Therefore, even when the rotationally driven substrate W is displaced in the radial direction from the support position PS, the movement of the substrate W is restricted before the force acting on the substrate W in the displacement direction of the substrate W increases. Can do. As a result, the physical strength of the guide (guide part 105a) necessary for restricting the movement of the substrate W can be reduced, and the guide can be made smaller.

<第2実施形態>
図12はこの発明の第2実施形態にかかる基板処理装置に装備されたスピンベースを上方から見た平面図である。また、図13は図12のC−C’線断面図である。この第2実施形態にかかる基板処理装置が第1実施形態と大きく相違する点は、基板Wの径方向の移動を規制するためのガイドが支持ピンと別個に設けられている点である。なお、その他の構成および動作は基本的に第1実施形態と同様であるため、ここでは相違点を中心に説明する。
Second Embodiment
FIG. 12 is a plan view of a spin base installed in a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention as viewed from above. FIG. 13 is a cross-sectional view taken along the line CC ′ of FIG. The substrate processing apparatus according to the second embodiment is greatly different from the first embodiment in that a guide for restricting the radial movement of the substrate W is provided separately from the support pins. Other configurations and operations are basically the same as those in the first embodiment, and therefore, differences will be mainly described here.

この実施形態では、第1支持ピン群を構成する支持ピンFF1〜FF6および第2支持ピン群を構成するSS1〜SS6の各々の先端部には基板Wの径方向の移動を規制するためのガイド部位が設けられていない。すなわち、ベローズ103とヘッド部材102との間に介装されるリング部材106は、支持部位102aにより支持された基板Wの端面EFと対向する部位を有していない。   In this embodiment, the guides for restricting the radial movement of the substrate W at the tip portions of the support pins FF1 to FF6 constituting the first support pin group and SS1 to SS6 constituting the second support pin group. There is no site. That is, the ring member 106 interposed between the bellows 103 and the head member 102 does not have a portion facing the end surface EF of the substrate W supported by the support portion 102a.

その一方で、基板Wの径方向の移動を規制するために、本発明の「第2ガイド」として複数個(この実施形態では3個)のガイド部材25が支持ピンFF1〜FF6,SS1〜SS6に対しスピンベース13の周縁側でスピンベース13に設けられている。図12に示すように、3個のガイド部材25は回転中心A0を中心として放射状に等角度間隔でスピンベース13から上方に向けて突設されている。ガイド部材25は鉛直軸方向に延びる円柱状に形成されており、下部のネジ部がスピンベース13(上板131)の上面周縁部に形成されたネジ孔131bと螺合可能に構成されている。したがって、ガイド部材25をスピンベース13にねじ込むことでガイド部材25をスピンベース13に固定することができる。スピンベース13に固定されたガイド部材25の先端位置は、当接位置PAに位置決めされた支持ピンFF1〜FF6,SS1〜SS6の支持部位102aの先端位置よりも鉛直軸方向において高くなるように設定されている。この構成により、基板Wが支持位置PSから径方向にずれた際に、ガイド部材25が基板端面EFに当接して基板Wの径方向の移動を規制することが可能となっている。このように、この実施形態では、ガイド部材25が本発明の「ガイド機構」として機能する。   On the other hand, in order to restrict the movement of the substrate W in the radial direction, a plurality (three in this embodiment) of guide members 25 are provided as support pins FF1 to FF6, SS1 to SS6 as “second guides” of the present invention. On the other hand, the spin base 13 is provided on the peripheral side of the spin base 13. As shown in FIG. 12, the three guide members 25 project upward from the spin base 13 at equal angular intervals radially about the rotation center A0. The guide member 25 is formed in a columnar shape extending in the vertical axis direction, and a lower screw portion is configured to be screwable with a screw hole 131b formed in an upper surface peripheral portion of the spin base 13 (upper plate 131). . Therefore, the guide member 25 can be fixed to the spin base 13 by screwing the guide member 25 into the spin base 13. The tip position of the guide member 25 fixed to the spin base 13 is set to be higher in the vertical axis direction than the tip position of the support portion 102a of the support pins FF1 to FF6 and SS1 to SS6 positioned at the contact position PA. Has been. With this configuration, when the substrate W is displaced in the radial direction from the support position PS, the guide member 25 can be brought into contact with the substrate end surface EF to restrict the movement of the substrate W in the radial direction. Thus, in this embodiment, the guide member 25 functions as the “guide mechanism” of the present invention.

この実施形態によれば、ガイド部材25を支持ピンFF1〜FF6,SS1〜SS6と別個に設けているので、支持ピンの小型化を図りながら装置の処理性能を向上させることができる。具体的には、基板Wの近傍位置にガイドが存在しないことから、基板Wの近傍位置にガイドが存在する場合の不具合、例えば基板周囲の気流の乱れ、処理液の跳ね返り等を防止することができる。   According to this embodiment, since the guide member 25 is provided separately from the support pins FF1 to FF6 and SS1 to SS6, it is possible to improve the processing performance of the apparatus while reducing the size of the support pins. Specifically, since there is no guide in the vicinity of the substrate W, it is possible to prevent problems when the guide is in the vicinity of the substrate W, for example, turbulence of airflow around the substrate, bounce of the processing liquid, and the like. it can.

また、この実施形態によれば、第1実施形態のようにガイド部位105aを有する部材(リング部材105)を、支持部位102aを有するヘッド部材102を用いて固定した場合における、次のような課題を解決することができる。すなわち、リング部材105をヘッド部材102を用いて固定した場合には、ガイド部位105aの鉛直軸方向および径方向における位置を調整したり、リング部材105の交換を行う際に、ヘッド部材102を取り外す必要がある。このため、支持部位102aの鉛直軸方向における高さ位置や遮断部材5の鉛直軸方向における下限位置などまでも調整する必要があり、これらの調整に多くの時間を要するといった課題があった(課題(i))。   Further, according to this embodiment, the following problem occurs when the member (ring member 105) having the guide portion 105a is fixed using the head member 102 having the support portion 102a as in the first embodiment. Can be solved. That is, when the ring member 105 is fixed using the head member 102, the head member 102 is removed when the position of the guide portion 105a in the vertical axis direction and the radial direction is adjusted or the ring member 105 is replaced. There is a need. For this reason, it is necessary to adjust the height position of the support portion 102a in the vertical axis direction, the lower limit position of the blocking member 5 in the vertical axis direction, and the like. (i)).

また、ガイド部位105aが支持ピンの先端部に設けられると、支持部位102aとガイド部位105aとの間の距離が非常に近くなってしまう。このため、基板搬送ロボットなどの搬送機構により基板Wを搬送する際に基板Wの位置ずれが発生すると、ガイド部位105a上に基板Wが載置されてしまうことがあり、この場合には基板Wが破損するおそれがある。そこで、支持部位102aとガイド部位105aとを支持ピンの先端部に設けた場合には、基板Wの搬送精度を高めるために搬送速度を遅くする必要があり、装置のスループットを低下させる要因のひとつとなっていた(課題(ii))。そこで、支持位置PSで支持された基板Wの端面EFとガイド部位105aとの間の距離L(図8(b))が大きくなるように、ガイド部位105aを支持部位102aから離間させながら支持ピンの先端部に設けることも考えられる。しかしながら、この場合には、回転駆動される基板Wが支持位置PSから径方向にずれた場合に、基板Wのずれ方向において基板Wに作用する力が増大してしまい、ガイド部位105aが倒れてしまう等の新たな問題が発生してしまう。   Further, when the guide part 105a is provided at the tip of the support pin, the distance between the support part 102a and the guide part 105a becomes very short. For this reason, when the substrate W is displaced when the substrate W is transported by a transport mechanism such as a substrate transport robot, the substrate W may be placed on the guide portion 105a. May be damaged. Therefore, when the support part 102a and the guide part 105a are provided at the tip of the support pin, it is necessary to slow the transport speed in order to increase the transport accuracy of the substrate W, which is one of the factors that reduce the throughput of the apparatus. (Problem (ii)). Therefore, the support pins are provided while the guide part 105a is separated from the support part 102a so that the distance L (FIG. 8B) between the end surface EF of the substrate W supported at the support position PS and the guide part 105a is increased. It is also conceivable to provide it at the front end portion. However, in this case, when the rotationally driven substrate W is displaced in the radial direction from the support position PS, the force acting on the substrate W in the displacement direction of the substrate W increases, and the guide portion 105a falls down. New problems will occur.

さらに、回転駆動する基板Wの径方向への移動(支持位置PSからの位置ずれ)を検出することが必要な場合があるが、基板端面EFとガイドとの間の距離Lが小さいと、支持位置PSからの位置ずれを検出することが困難となってしまう。具体的には、例えば図14に示すように基板Wの周縁に配置されたセンサ41を用いて基板Wの端面位置を検出することによって基板Wの位置ずれを検出することができる。センサ41はスピンベース13上に支持された基板Wの端面位置を検知することでセンサ41から基板端面EFまでの距離を検出する。センサ41とスピンベース13の回転中心A0との間の相対距離は一定であるので、基板Wの中心W0が回転中心A0から偏心している場合には、センサ41から基板端面EFまでの距離が基板Wの回転に伴って変動する。このため、基板Wを回転させながらセンサ41が基板端面EFまでの距離を検出することで、基板Wの偏心量(スピンベース13の回転中心A0と基板Wの中心W0との間の距離)を測定することができる。したがって、基板Wの偏心量を測定することで、基板Wが支持位置PSからずれたか否か、およびそのずれ量を検出することができる。しかしながら、基板端面EFとガイドとの間の距離Lが小さいと、センサ41により検出した検出結果が、基板Wの位置ずれによるものかあるいはセンサの測定精度に起因する誤差によるものか判別が困難となってしまう(課題(iii))。   Further, it may be necessary to detect the radial movement of the substrate W to be rotationally driven (positional deviation from the support position PS). However, if the distance L between the substrate end surface EF and the guide is small, the support is performed. It becomes difficult to detect a positional deviation from the position PS. Specifically, for example, as shown in FIG. 14, the position shift of the substrate W can be detected by detecting the position of the end surface of the substrate W using a sensor 41 arranged on the periphery of the substrate W. The sensor 41 detects the distance from the sensor 41 to the substrate end surface EF by detecting the end surface position of the substrate W supported on the spin base 13. Since the relative distance between the sensor 41 and the rotation center A0 of the spin base 13 is constant, when the center W0 of the substrate W is eccentric from the rotation center A0, the distance from the sensor 41 to the substrate end surface EF is the substrate distance. It fluctuates with the rotation of W. For this reason, the sensor 41 detects the distance to the substrate end surface EF while rotating the substrate W, whereby the amount of eccentricity of the substrate W (the distance between the rotation center A0 of the spin base 13 and the center W0 of the substrate W) is determined. Can be measured. Therefore, by measuring the amount of eccentricity of the substrate W, it is possible to detect whether or not the substrate W is displaced from the support position PS and the amount of displacement. However, if the distance L between the substrate end surface EF and the guide is small, it is difficult to determine whether the detection result detected by the sensor 41 is due to the positional deviation of the substrate W or due to an error due to the measurement accuracy of the sensor. (Problem (iii)).

これに対して、この実施形態によれば、ガイド部材25を支持ピンと別個に設けているので、次のような有利な作用効果が得られる。すなわち、上記課題(i)に対しては、ガイド部材25をスピンベース13に取付け、交換作業を行う際に支持部位102aを有するヘッド部材102を取り外す必要がなくなる一方、ヘッド部材102の取付け、交換作業を行う際にガイド部材25を取り外す必要がなくなる。つまり、ガイド部材25をスピンベース13に取付け、交換作業を行う際にはヘッド部材102(支持部位102a)の鉛直軸方向における先端位置については全く調整を行う必要がなく、ヘッド部材102の取付け、交換作業を行う際にはガイド部材25にかかわりなくヘッド部材102のみについて位置調整すればよい。このため、これらガイド部材25およびヘッド部材102の取付け、交換作業を簡便にし、これらの作業に要する時間を大幅に削減することができる。   On the other hand, according to this embodiment, since the guide member 25 is provided separately from the support pin, the following advantageous effects can be obtained. That is, for the above problem (i), it is not necessary to remove the head member 102 having the support portion 102a when the guide member 25 is attached to the spin base 13 and the replacement work is performed, while the head member 102 is attached and replaced. There is no need to remove the guide member 25 when performing the work. That is, when the guide member 25 is attached to the spin base 13 and the replacement work is performed, it is not necessary to adjust the tip position of the head member 102 (supporting part 102a) in the vertical axis direction at all. When performing the replacement work, only the head member 102 needs to be adjusted regardless of the guide member 25. For this reason, it is possible to simplify the attaching and exchanging operations of the guide member 25 and the head member 102, and to greatly reduce the time required for these operations.

また、上記課題(ii)に対しては、ガイド部材25が支持ピンFF1〜FF6,SS1〜SS6と別個に設けられ、支持部位102aから離間して配置されることで、基板搬送ロボットなどの搬送機構により基板Wを搬送して支持ピンFF1〜FF6,SS1〜SS6(支持部位102a)上に載置させる際に基板Wが誤ってガイド部材25上に載置されるのを確実に回避することができる。これにより、基板Wの搬送時における位置ずれの許容量を大きくすることができ、基板Wの搬送速度を速くすることができる。このため、装置のスループットを向上させることができる。また、ガイド部材25を支持ピンFF1〜FF6,SS1〜SS6と別個に設けることで、ガイドの大きさを比較的自由に設定することができ、例えばガイド部材の径を大きくするなどしてガイドの物理的強度を高めることが容易となる。したがって、基板Wの径方向の移動を規制するだけの十分な物理的強度を有するようにガイド部材25を形成することで、ガイドの倒れ等の不具合を防止することができる。   Further, for the above problem (ii), the guide member 25 is provided separately from the support pins FF1 to FF6 and SS1 to SS6 and is arranged away from the support portion 102a, so that the substrate transfer robot or the like can be transferred. When the substrate W is transported by the mechanism and placed on the support pins FF1 to FF6, SS1 to SS6 (support part 102a), it is reliably avoided that the substrate W is erroneously placed on the guide member 25. Can do. As a result, it is possible to increase an allowable amount of misalignment during transport of the substrate W, and to increase the transport speed of the substrate W. For this reason, the throughput of the apparatus can be improved. Further, by providing the guide member 25 separately from the support pins FF1 to FF6 and SS1 to SS6, the size of the guide can be set relatively freely. For example, the diameter of the guide member is increased to increase the guide size. It becomes easy to increase the physical strength. Therefore, by forming the guide member 25 so as to have a physical strength sufficient to restrict the movement of the substrate W in the radial direction, it is possible to prevent problems such as the collapse of the guide.

さらに、上記課題(iii)に対しては、支持ピンFF1〜FF6,SS1〜SS6に支持された基板Wの端面EFからガイド部材25を離間した位置に配置しているので、基板Wの端面EFとガイド部材25との間の距離Lを比較的大きくすることができる。このため、回転駆動する基板Wが支持位置PSから位置ずれを起こした際に、センサ41による位置ずれの検出が容易である。すなわち、基板端面EFとガイドとの間の距離Lを比較的大きくすることができるので、センサ41により検出した検出結果が、基板Wの位置ずれによるものかあるいはセンサ41の測定精度に起因する誤差によるものかの判別が容易となるため、基板Wの位置ずれを検出し易い。   Furthermore, with respect to the problem (iii), the guide member 25 is disposed at a position separated from the end surface EF of the substrate W supported by the support pins FF1 to FF6, SS1 to SS6. The distance L between the guide member 25 and the guide member 25 can be made relatively large. For this reason, when the substrate W to be rotated is displaced from the support position PS, it is easy to detect the displacement by the sensor 41. That is, since the distance L between the substrate end surface EF and the guide can be made relatively large, the detection result detected by the sensor 41 is caused by a positional deviation of the substrate W or an error caused by the measurement accuracy of the sensor 41. Therefore, it is easy to detect the positional deviation of the substrate W.

<第3実施形態>
図15はこの発明の第3実施形態にかかる基板処理装置に装備されたスピンチャックの要部断面図である。この第3実施形態にかかる基板処理装置が第2実施形態と大きく相違する点は、ガイド部材の形状およびスピンベース13に対する固定の態様が異なっている点である。なお、その他の構成および動作は基本的に第2実施形態と同様であるため、ここでは相違点を中心に説明する。
<Third Embodiment>
FIG. 15 is a cross-sectional view of an essential part of a spin chuck equipped in a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus according to the third embodiment is greatly different from the second embodiment in that the shape of the guide member and the manner of fixing to the spin base 13 are different. Since other configurations and operations are basically the same as those of the second embodiment, the differences will be mainly described here.

この実施形態では、ガイド部材26(本発明の「第2ガイド」に相当)はその断面形状がL字状に形成されており、鉛直軸方向に延びる立ち上がり部261と立ち上がり部261からスピンベース13の周縁側に向けて水平方向に延びるベース部262とを有している。立ち上がり部261は回転中心A0を臨む面が基板端面EFと当接可能に仕上げられ、基板Wの径方向への移動を規制することが可能となっている。また、ベース部262の下面がスピンベース13(上板131)の上面周縁部と当接可能に仕上げられている。ベース部262には鉛直軸方向に貫通する貫通孔262aが形成される一方、スピンベース13の上面周縁部にネジ孔131cが形成されている。そして、貫通孔262aを通してネジ27をネジ孔131cと螺合させることでガイド部材26をスピンベース13に固定することが可能となっている。   In this embodiment, the guide member 26 (corresponding to the “second guide” of the present invention) has an L-shaped cross-section, and the rising base 261 extending in the vertical axis direction and the rising base 261 to the spin base 13. And a base portion 262 extending in the horizontal direction toward the peripheral edge side. The rising portion 261 is finished so that the surface facing the rotation center A0 can come into contact with the substrate end surface EF, and the movement of the substrate W in the radial direction can be restricted. Further, the lower surface of the base portion 262 is finished so as to be in contact with the peripheral portion of the upper surface of the spin base 13 (upper plate 131). A through hole 262 a that penetrates in the vertical axis direction is formed in the base portion 262, while a screw hole 131 c is formed in the peripheral edge of the upper surface of the spin base 13. The guide member 26 can be fixed to the spin base 13 by screwing the screw 27 with the screw hole 131c through the through hole 262a.

この実施形態によれば、ガイド部材26を支持ピンと別個に設けているので、第2実施形態と同様な作用効果が得られる。また、ガイド部材26をネジ27を用いてネジ止めすることでスピンベース13に固定しているので、ガイド部材の取付け時の作業性を向上させることができる。さらに、ベース部262に設けた貫通孔262aを径方向に延びる長孔形状にすることで、ガイド部材26を径方向に自在に動かすことが可能となり、ガイド部材から基板端面EFまでの距離の位置調整を容易に行うことができる。   According to this embodiment, since the guide member 26 is provided separately from the support pin, the same effect as the second embodiment can be obtained. Further, since the guide member 26 is fixed to the spin base 13 by screwing with the screw 27, workability at the time of mounting the guide member can be improved. Furthermore, by forming the through hole 262a provided in the base portion 262 into a long hole shape extending in the radial direction, the guide member 26 can be moved freely in the radial direction, and the position of the distance from the guide member to the substrate end surface EF is achieved. Adjustment can be performed easily.

<第4実施形態>
図16はこの発明の第4実施形態にかかる基板処理装置に装備されたスピンチャックの要部断面図である。この第4実施形態にかかる基板処理装置が第3実施形態と大きく相違する点は、ガイド部材の形状が異なっている点である。なお、その他の構成および動作は基本的に第3実施形態と同様であるため、ここでは相違点を中心に説明する。
<Fourth embodiment>
FIG. 16 is a cross-sectional view of an essential part of a spin chuck equipped in a substrate processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus according to the fourth embodiment is greatly different from the third embodiment in that the shape of the guide member is different. Since other configurations and operations are basically the same as those of the third embodiment, the differences will be mainly described here.

この実施形態では、第3実施形態と同様に立ち上がり部261の回転中心A0を臨む面が基板端面EFと当接可能に仕上げられ、基板Wの径方向への移動を規制することが可能となっている。また、立ち上がり部261の先端部には回転中心A0の上方を臨むように傾斜面261aが形成されている。そして、傾斜面261a上に基板Wの周縁部が上方より下降してくると傾斜面261aによって基板Wがスピンベース13の回転中心A0側に案内されながら支持ピンFF1〜FF6,SS1〜SS6に向けて落とし込まれる。このため、基板搬送ロボットなどの搬送機構により基板Wを搬送する際に基板Wの位置ずれが発生した場合であっても、基板Wを支持ピンFF1〜FF6,SS1〜SS6上に載置する際にそのような基板Wの位置ずれをガイド部材26により補正しながら基板Wを支持ピンFF1〜FF6,SS1〜SS6に落とし込むことができる。   In this embodiment, similarly to the third embodiment, the surface of the rising portion 261 facing the rotation center A0 is finished so as to be in contact with the substrate end surface EF, and the movement of the substrate W in the radial direction can be restricted. ing. An inclined surface 261a is formed at the tip of the rising portion 261 so as to face the upper side of the rotation center A0. When the peripheral edge of the substrate W descends from above on the inclined surface 261a, the substrate W is directed toward the support pins FF1 to FF6 and SS1 to SS6 while being guided to the rotation center A0 side of the spin base 13 by the inclined surface 261a. Dropped. For this reason, even when the substrate W is displaced when the substrate W is transferred by a transfer mechanism such as a substrate transfer robot, the substrate W is placed on the support pins FF1 to FF6 and SS1 to SS6. In addition, the substrate W can be dropped into the support pins FF1 to FF6 and SS1 to SS6 while correcting the positional deviation of the substrate W by the guide member 26.

<第5実施形態>
図17はこの発明の第5実施形態にかかる基板処理装置に装備されたスピンチャックの要部断面図である。この第5実施形態にかかる基板処理装置が第3実施形態と大きく相違する点は、ガイド部材がスピンベース13に対して可動自在に構成されている点である。なお、その他の構成および動作は基本的に第3実施形態と同様であるため、ここでは相違点を中心に説明する。
<Fifth Embodiment>
FIG. 17 is a cross-sectional view of a main part of a spin chuck provided in a substrate processing apparatus according to a fifth embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus according to the fifth embodiment is greatly different from the third embodiment in that the guide member is configured to be movable with respect to the spin base 13. Since other configurations and operations are basically the same as those of the third embodiment, the differences will be mainly described here.

この実施形態では、スピンベース13の回転中心A0回りに放射状に配置された3個のガイド部材26Aが本発明の「可動ガイド」として回転中心A0に向けて水平移動自在にスピンベース13に設けられている。具体的には、各ガイド部材26Aに対応してスピンベース13(上板131)の上面周縁部には径方向(水平方向)に伸びるガイド溝131dが形成されており、ガイド溝131dに沿ってガイド部材26Aがそれぞれ水平移動自在に設けられている。ガイド部材26Aにはガイド駆動機構28が連結されており、制御ユニット4からの動作指令に応じてガイド駆動機構28が作動することで各ガイド部材26Aを相互に連動させながら径方向に進退するように構成されている。制御ユニット4はスピンベース13の回転が停止している間にガイド駆動機構28を制御することによって、基板Wの径方向移動を規制する規制位置(図17の実線位置)からスピンベース13の回転中心A0に向けて各ガイド部材26Aを相互に連動させながら移動させて基板Wの中心をスピンベース13の回転中心A0に一致させることができる。このように、この実施形態では、制御ユニット4が本発明の「ガイド駆動制御手段」として機能する。   In this embodiment, three guide members 26A arranged radially around the rotation center A0 of the spin base 13 are provided on the spin base 13 as a "movable guide" of the present invention so as to be horizontally movable toward the rotation center A0. ing. Specifically, a guide groove 131d extending in the radial direction (horizontal direction) is formed on the peripheral edge of the upper surface of the spin base 13 (upper plate 131) corresponding to each guide member 26A, and along the guide groove 131d. Guide members 26A are provided so as to be horizontally movable. A guide drive mechanism 28 is connected to the guide member 26A, and the guide drive mechanism 28 is operated in accordance with an operation command from the control unit 4 so that the guide members 26A advance and retreat in the radial direction while interlocking with each other. It is configured. The control unit 4 controls the guide driving mechanism 28 while the rotation of the spin base 13 is stopped, so that the rotation of the spin base 13 from the regulation position (solid line position in FIG. 17) that regulates the radial movement of the substrate W is performed. Each guide member 26A is moved toward the center A0 while being interlocked with each other, so that the center of the substrate W can coincide with the rotation center A0 of the spin base 13. Thus, in this embodiment, the control unit 4 functions as the “guide drive control means” of the present invention.

以上のように、この実施形態によれば、支持ピンFF1〜FF6,SS1〜SS6上に支持された基板Wの中心がスピンベース13の回転中心A0から径方向にずれている場合であっても、スピンベース13の回転が停止している間、各ガイド部材26Aが相互に連動しながら基板Wの径方向移動を規制する規制位置からスピンベース13の回転中心A0に向けて移動することによって、基板Wの中心をスピンベース13の回転中心A0に一致させることができる。   As described above, according to this embodiment, even when the center of the substrate W supported on the support pins FF1 to FF6, SS1 to SS6 is displaced in the radial direction from the rotation center A0 of the spin base 13. While the rotation of the spin base 13 is stopped, each guide member 26A moves toward the rotation center A0 of the spin base 13 from the regulation position that regulates the radial movement of the substrate W while interlocking with each other. The center of the substrate W can be made coincident with the rotation center A0 of the spin base 13.

<その他>
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上記第1実施形態では、各支持ピンF1〜F6、S1〜S6にガイド部位105aを設けているが、ガイド部位105aは各支持ピンF1〜F6、S1〜S6に設ける必要はなく、基板裏面Wbに当接して支持する支持ピンのうち少なくとも3個以上に対応して設けてあればよい。例えば支持ピンF1〜F6からなる第1支持ピン群により基板Wを支持する場合には、6個の支持ピンF1〜F6のうち放射状に配置された少なくとも3個にガイド部位105aが設けられていればよい。また、支持ピンS1〜S6からなる第2支持ピン群により基板Wを支持する場合には、6個の支持ピンS1〜S6のうち放射状に配置された少なくとも3個にガイド部位105aが設けられていればよい。
<Others>
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications other than those described above can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, in the first embodiment, the guide portions 105a are provided on the support pins F1 to F6 and S1 to S6. However, the guide portions 105a are not necessarily provided on the support pins F1 to F6 and S1 to S6. What is necessary is just to provide corresponding to at least 3 or more of the support pins which contact and support Wb. For example, when the substrate W is supported by the first support pin group including the support pins F1 to F6, the guide portions 105a are provided in at least three of the six support pins F1 to F6 arranged radially. That's fine. Further, when the substrate W is supported by the second support pin group including the support pins S1 to S6, the guide portions 105a are provided in at least three of the six support pins S1 to S6 arranged radially. Just do it.

また、上記第2ないし第4実施形態では、3個のガイド部材25,26が回転中心A0を中心として放射状にスピンベース13に設けられているが、ガイド部材25,26の個数および配置については任意である。例えば4個以上のガイド部材をスピンベース13に設けてもよい。また、2個のガイドをスピンベース13に設けて基板Wの径方向への移動を規制するようにしてもよい。この場合には、例えば図18に示すように、ガイド部材25と、基板端面に沿うように平面視で円弧状に形成されたガイド壁29(本発明の「第2ガイド」に相当)とを回転中心A0を挟んでスピンベース13に設ければよい。   In the second to fourth embodiments, the three guide members 25 and 26 are provided radially on the spin base 13 around the rotation center A0. However, the number and arrangement of the guide members 25 and 26 are as follows. Is optional. For example, four or more guide members may be provided on the spin base 13. Also, two guides may be provided on the spin base 13 to restrict the movement of the substrate W in the radial direction. In this case, for example, as shown in FIG. 18, a guide member 25 and a guide wall 29 (corresponding to the “second guide” of the present invention) formed in an arc shape in plan view along the substrate end surface. What is necessary is just to provide in the spin base 13 on both sides of the rotation center A0.

また、上記第5実施形態では、すべて(3個)のガイド部材26Aが回転中心A0に向けて水平移動自在にスピンベース13に設けられた可動ガイドとなっているが、これに限定されない。例えば4個以上のガイド部材をスピンベース13に設けるとともに、それらのガイド部材のうち放射状に配置された少なくとも3個のガイド部材を可動ガイドとしてもよい。   In the fifth embodiment, all (three) guide members 26A are movable guides provided on the spin base 13 so as to be horizontally movable toward the rotation center A0. However, the present invention is not limited to this. For example, four or more guide members may be provided on the spin base 13 and at least three guide members arranged radially may be used as the movable guide.

この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、FED(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板などを略水平姿勢で回転させながら該基板に対して所定の処理を施す基板処理装置に適用することができる。   The present invention relates to a semiconductor wafer, a glass substrate for photomask, a glass substrate for liquid crystal display, a glass substrate for plasma display, a substrate for FED (Field Emission Display), a substrate for optical disk, a substrate for magnetic disk, a substrate for magneto-optical disk, etc. The present invention can be applied to a substrate processing apparatus that performs predetermined processing on the substrate while rotating in a substantially horizontal posture.

この発明にかかる基板処理装置の第1実施形態を示す図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows 1st Embodiment of the substrate processing apparatus concerning this invention. 図1の基板処理装置の主要な制御構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the main control structures of the substrate processing apparatus of FIG. スピンベースを上方から見た平面図である。It is the top view which looked at the spin base from the upper part. スピンチャックに関連する構成を説明するための断面図であって、支持ピンが上昇した状態を示す図である。It is sectional drawing for demonstrating the structure relevant to a spin chuck, Comprising: It is a figure which shows the state which the support pin raised. スピンチャックに関連する構成を説明するための断面図であって、支持ピンが下降した状態を示す図である。It is sectional drawing for demonstrating the structure relevant to a spin chuck, Comprising: It is a figure which shows the state which the support pin fell. スピンベース内に備えられた動作伝達機構の構成を説明するための平面図である。It is a top view for demonstrating the structure of the motion transmission mechanism with which the spin base was equipped. スピンベースを背面から見たときの平面図である。It is a top view when a spin base is seen from the back. 図3のB−B’線断面図である。FIG. 4 is a sectional view taken along line B-B ′ in FIG. 3. 支持ピンを駆動するための駆動機構の構成を説明するための平面図である。It is a top view for demonstrating the structure of the drive mechanism for driving a support pin. 遮断部材の底面図である。It is a bottom view of a blocking member. 図1の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows operation | movement of the substrate processing apparatus of FIG. この発明の第2実施形態にかかる基板処理装置に装備されたスピンベースを上方から見た平面図である。It is the top view which looked at the spin base with which the substrate processing apparatus concerning 2nd Embodiment of this invention was equipped from upper direction. 図12のC−C’線断面図である。FIG. 13 is a sectional view taken along line C-C ′ of FIG. 12. 基板の位置ずれを検出するための構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure for detecting the position shift of a board | substrate. この発明の第3実施形態にかかる基板処理装置に装備されたスピンチャックの要部断面図である。It is principal part sectional drawing of the spin chuck with which the substrate processing apparatus concerning 3rd Embodiment of this invention was equipped. この発明の第4実施形態にかかる基板処理装置に装備されたスピンチャックの要部断面図である。It is principal part sectional drawing of the spin chuck with which the substrate processing apparatus concerning 4th Embodiment of this invention was equipped. この発明の第5実施形態にかかる基板処理装置に装備されたスピンチャックの要部断面図である。It is principal part sectional drawing of the spin chuck with which the substrate processing apparatus concerning 5th Embodiment of this invention was equipped. この発明の変形形態にかかる基板処理装置に装備されたスピンベースを上方から見た平面図である。It is the top view which looked at the spin base with which the substrate processing apparatus concerning the modification of this invention was equipped from the upper direction.

符号の説明Explanation of symbols

4…制御ユニット(ガイド駆動制御手段)
5…遮断部材(押圧機構)
12…チャック回転機構(回転手段)
13…スピンベース(回転部材)
18…ガス供給ユニット(押圧機構)
25,26…ガイド部材(第2ガイド)
26A…ガイド部材(第2ガイド、可動ガイド)
28…ガイド駆動機構
29…ガイド壁(第2ガイド)
102a…支持部位
105…リング部材(ガイド機構)
105a…ガイド部位(第1ガイド)
261a…傾斜面
F1〜F6,S1〜S6…支持ピン(支持部材)
FF1〜FF6,SS1〜SS6…支持ピン(支持部材)
SP…間隙空間(遮断部材と基板の上面とに挟まれた空間)
WT…(支持部位に支持された)基板の上面の高さ位置
W…基板
4. Control unit (guide drive control means)
5 ... Blocking member (pressing mechanism)
12 ... Chuck rotating mechanism (rotating means)
13 ... Spin base (rotating member)
18 ... Gas supply unit (pressing mechanism)
25, 26 ... guide member (second guide)
26A ... Guide member (second guide, movable guide)
28 ... Guide drive mechanism 29 ... Guide wall (second guide)
102a ... support part 105 ... ring member (guide mechanism)
105a ... Guide part (first guide)
261a ... inclined surfaces F1 to F6, S1 to S6 ... support pins (support members)
FF1 to FF6, SS1 to SS6 ... Support pin (support member)
SP: Gap space (space between the blocking member and the upper surface of the substrate)
WT ... Height position of the upper surface of the substrate (supported by the support site) W ... Substrate

Claims (7)

基板を略水平姿勢で回転させながら前記基板に対して所定の処理を施す基板処理装置において、
鉛直軸回りに回転自在に設けられた回転部材と、
前記回転部材を回転させる回転手段と、
前記回転部材の周縁部に上方に向けて突設され、前記基板の下面に当接して該基板を略水平姿勢で、しかも水平方向において所定の支持位置で支持する複数の支持部材と、
前記基板の上面にガスを供給することで前記基板を前記支持部材に押圧させて前記回転部材に保持させる押圧機構と、
前記回転手段により回転駆動される前記基板が前記支持位置から径方向にずれた際に前記基板の端面に当接して前記基板の径方向の移動を規制するガイド機構と
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
In a substrate processing apparatus for performing predetermined processing on the substrate while rotating the substrate in a substantially horizontal posture,
A rotating member provided rotatably around a vertical axis;
Rotating means for rotating the rotating member;
A plurality of support members that protrude upward from the peripheral edge of the rotating member, abut against the lower surface of the substrate, and support the substrate in a substantially horizontal posture and at a predetermined support position in the horizontal direction;
A pressing mechanism for pressing the substrate against the support member by supplying gas to the upper surface of the substrate and holding the rotating member;
A guide mechanism that abuts against an end surface of the substrate when the substrate that is rotationally driven by the rotating means is displaced in a radial direction from the support position, and that regulates the radial movement of the substrate. Substrate processing apparatus.
前記支持部材が3個以上設けられ、しかも各支持部材が前記基板の下面に当接して該基板を略水平姿勢で支持する支持部位を有する請求項1記載の基板処理装置であって、
前記ガイド機構は前記支持部材のうちの少なくとも3個以上に対応して設けられた3個以上の第1ガイドを有し、しかも各第1ガイドが前記支持部位に対し前記基板の周縁側で前記支持部材の先端部に取り付けられる基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein three or more support members are provided, and each support member has a support portion that contacts the lower surface of the substrate and supports the substrate in a substantially horizontal posture.
The guide mechanism includes three or more first guides provided corresponding to at least three of the support members, and each first guide is located on the peripheral side of the substrate with respect to the support portion. The substrate processing apparatus attached to the front-end | tip part of a supporting member.
前記押圧機構が前記基板の上面に近接しながら対向配置された遮断部材を有し、前記遮断部材と前記基板の上面とに挟まれた空間にガスを供給することで前記基板を前記支持部材に押圧させる請求項2記載の基板処理装置であって、
前記鉛直軸方向における各第1ガイドの先端位置は前記支持部位に支持された前記基板の上面の高さ位置よりも低い基板処理装置。
The pressing mechanism has a blocking member disposed opposite to and close to the upper surface of the substrate, and supplies the gas to a space sandwiched between the blocking member and the upper surface of the substrate, whereby the substrate is used as the support member. The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the substrate processing apparatus is pressed.
The substrate processing apparatus, wherein a tip position of each first guide in the vertical axis direction is lower than a height position of an upper surface of the substrate supported by the support portion.
前記ガイド機構は前記複数の支持部材に対し前記回転部材の周縁側で前記回転部材に設けられた第2ガイドを複数個有している請求項1記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the guide mechanism includes a plurality of second guides provided on the rotating member on a peripheral side of the rotating member with respect to the plurality of support members. 各第2ガイドの先端部には前記回転部材の回転中心上方を臨むように傾斜面が形成され、前記傾斜面は該傾斜面上に前記基板の周縁部が上方より下降してきた際に前記基板を前記回転部材の回転中心側に案内しながら前記基板を前記支持部材に向けて落とし込む請求項4記載の基板処理装置。   An inclined surface is formed at the tip of each second guide so as to face the upper center of rotation of the rotating member, and the inclined surface is formed on the substrate when the peripheral edge of the substrate descends from above the inclined surface. The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein the substrate is dropped toward the support member while guiding the substrate toward the rotation center of the rotation member. 3個以上の前記第2ガイドが前記回転部材の回転中心に向けて水平移動自在に前記回転部材に設けられた可動ガイドとなっており、しかも前記複数の可動ガイドが前記回転部材の回転中心回りに放射状に配置された請求項4記載の基板処理装置であって、
前記可動ガイドを水平移動させるガイド駆動機構と、
前記回転部材の回転が停止している間に、前記ガイド駆動機構を制御することによって、前記基板の径方向移動を規制する規制位置から前記回転部材の回転中心に向けて前記複数の可動ガイドを相互に連動させながら移動させて前記基板の中心を前記回転部材の回転中心に一致させるガイド駆動制御手段と
をさらに備えた基板処理装置。
Three or more second guides are movable guides provided on the rotary member so as to be horizontally movable toward the rotation center of the rotation member, and the plurality of movable guides are arranged around the rotation center of the rotation member. The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein the substrate processing apparatus is arranged radially.
A guide drive mechanism for horizontally moving the movable guide;
While the rotation of the rotating member is stopped, by controlling the guide driving mechanism, the plurality of movable guides are moved from a restricting position that restricts the radial movement of the substrate toward the rotation center of the rotating member. A substrate processing apparatus, further comprising: a guide drive control unit configured to move the substrates while interlocking with each other so that the center of the substrate coincides with the rotation center of the rotating member.
回転部材の周縁部に上方に向けて突設された複数の支持部材を前記基板の下面に当接させることで前記基板を略水平姿勢で、しかも水平方向において所定の支持位置で支持しながら前記基板の上面にガスを供給することで前記基板を前記支持部材に押圧させて前記回転部材に保持させる保持工程と、
前記回転部材に保持された前記基板を鉛直軸回りに回転させる回転工程と
を備え、
前記回転工程では、回転駆動される前記基板が前記支持位置から径方向にずれた際にガイド機構が前記基板の端面に当接して前記基板の径方向の移動を規制することを特徴とする基板処理方法。
A plurality of support members projecting upward from the peripheral edge of the rotating member are brought into contact with the lower surface of the substrate to support the substrate in a substantially horizontal posture and at a predetermined support position in the horizontal direction. A holding step of pressing the substrate against the support member by supplying gas to the upper surface of the substrate and holding the rotating member;
A rotating step of rotating the substrate held by the rotating member around a vertical axis,
In the rotating step, when the substrate to be rotated is displaced in the radial direction from the support position, the guide mechanism comes into contact with the end surface of the substrate and restricts the radial movement of the substrate. Processing method.
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