JP2007067101A - Substrate processing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶用ガラス基板、光ディスク用基板等に対して洗浄処理などの所定の処理を施す基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus for performing a predetermined process such as a cleaning process on a semiconductor wafer, a glass substrate for a photomask, a glass substrate for a liquid crystal, a substrate for an optical disk, and the like.
半導体装置や液晶表示装置などの電子部品の製造工程には、基板の表面に成膜やエッチングなどの処理を繰り返し施して微細パターンを形成していく工程が含まれる。ここで、微細加工のためには基板表面を清浄に保つ必要があり、必要に応じて基板の洗浄処理が行われる。例えば、基板を回転させながら洗浄ブラシ等の物理洗浄手段を基板に接触させて、つまり基板に物理力を作用させて洗浄処理を行うことで、薬液等による化学処理のみでは十分に除去することのできないパーティクル等の不要物を除去する装置が提案されている(特許文献1参照)。 The manufacturing process of an electronic component such as a semiconductor device or a liquid crystal display device includes a step of repeatedly forming a fine pattern by repeatedly performing processes such as film formation and etching on the surface of a substrate. Here, for the fine processing, it is necessary to keep the substrate surface clean, and the substrate is subjected to a cleaning process as necessary. For example, by rotating a substrate and bringing a physical cleaning means such as a cleaning brush into contact with the substrate, that is, by applying a physical force to the substrate and performing a cleaning process, it can be sufficiently removed only by chemical treatment with a chemical solution or the like. An apparatus for removing unnecessary materials such as particles that cannot be used has been proposed (see Patent Document 1).
この特許文献1に記載の発明では、基板表面に形成された薄膜を研磨するCMP(Chemical Mechanical Polishing)処理後に基板表面に残っているゴミやスラリーなどの不要物を除去するために、基板の端面に当接して基板を水平に保持するとともに基板を回転させる複数の保持ローラと、これら保持ローラによって保持された基板の上下面をそれぞれ洗浄するための洗浄ブラシとを備えている。そして、基板を洗浄する際には、保持ローラを回転駆動させることで基板を回転させながら、洗浄ブラシを基板に接触させて、基板の上下面および端面を洗浄している。これにより、保持ローラと基板端面との当接位置を常に変化させ、基板端面の全周を洗浄している。
In the invention described in
ところで、上記したように基板端面を把持することなく、基板を回転させながら基板の上下面および端面を洗浄ブラシにより擦ることで基板の上下面および基板端面の全周から付着している不要物を除去することができるものの、以下に示すような問題があった。すなわち、上記した従来技術では保持ローラによって基板端面を保持しながら基板を回転させているので、保持ローラと基板とが互いに摺動して該摺動部分からパーティクルが発生してしまう。このため、洗浄ブラシによって洗浄処理した基板が再び汚染される結果となり、実質的には基板を汚染させながら洗浄している状態となっていた。 By the way, as described above, unnecessary objects attached from the entire circumference of the upper and lower surfaces of the substrate and the end surface of the substrate can be removed by rubbing the upper and lower surfaces and the end surface of the substrate with a cleaning brush while rotating the substrate without gripping the end surface of the substrate. Although it can be removed, there are the following problems. That is, in the above-described prior art, the substrate is rotated while holding the substrate end surface by the holding roller, so that the holding roller and the substrate slide with each other and particles are generated from the sliding portion. For this reason, the substrate cleaned by the cleaning brush is contaminated again, and the substrate is substantially cleaned while contaminating the substrate.
特に、洗浄処理される基板の周縁にノッチやオリエンテーションフラットなどの切欠部が形成されている場合には、基板の回転に伴い該切欠部と保持ローラとが衝突して、さらにパーティクルが発生し易い状態となり、上記した問題が顕著に現れる結果となっていた。 In particular, when a notch such as a notch or an orientation flat is formed at the periphery of the substrate to be cleaned, the notch and the holding roller collide with the rotation of the substrate, and particles are more likely to be generated. As a result, the above-mentioned problem appears remarkably.
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、基板を回転させながら該基板を洗浄処理する際に、基板を汚染させることなく良好に洗浄処理することのできる基板処理装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of performing a good cleaning process without contaminating the substrate when the substrate is cleaned while rotating the substrate. And
この発明にかかる基板処理装置は、基板を回転させながら基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、上記目的を達成するため、鉛直軸回りに回転自在に設けられた回転部材と、回転部材を回転させる回転手段と、回転部材に上方に向けて設けられ、基板の下面に当接して該基板を回転部材から離間させて支持する少なくとも3個以上の支持部材を有する支持手段と、基板の上面にガスを供給することによって基板を支持部材に押圧させて基板を回転部材に保持させる押圧手段と、押圧手段によって回転部材に保持された基板の端面を物理力によって洗浄する端面物理洗浄手段とを備えている。 A substrate processing apparatus according to the present invention is a substrate processing apparatus that performs a predetermined process on a substrate while rotating the substrate, and in order to achieve the above object, a rotating member provided to be rotatable about a vertical axis, and a rotating member Rotating means for rotating the member, supporting means having at least three or more supporting members that are provided upward on the rotating member, abut against the lower surface of the substrate and support the substrate separated from the rotating member, and the substrate A pressing means for pressing the substrate against the support member by supplying gas to the upper surface of the substrate and holding the substrate on the rotating member, and an end face physical cleaning means for cleaning the end surface of the substrate held on the rotating member by the pressing means with physical force And.
このように構成された発明では、基板がその下面に当接する少なくとも3個以上の支持部材によって支持されるとともに、押圧手段から基板の上面に供給されるガスによって支持部材に押圧されて回転部材に保持される。そして、回転手段が回転部材を回転させることで、支持部材に押圧された基板は支持部材と基板との間に発生する摩擦力によって支持部材に支持されながら、回転部材とともに回転することとなる。これにより、基板はその端面に接触する当接部材(保持部材)がない状態で、回転部材に保持されて回転する。そして、このように基板が回転し、保持された状態で端面物理洗浄手段を用いて基板の端面に物理力を作用させて洗浄しているので、薬液等による化学処理のみでは十分に除去しきれなかった不要物についても効果的に除去することができる。したがって、基板を汚染させることなく良好に洗浄処理することができる。 In the invention configured as described above, the substrate is supported by at least three or more support members that are in contact with the lower surface of the substrate, and is pressed by the support member by the gas supplied from the pressing means to the upper surface of the substrate to be the rotating member. Retained. The rotating member rotates the rotating member, so that the substrate pressed by the supporting member rotates with the rotating member while being supported by the supporting member by the frictional force generated between the supporting member and the substrate. As a result, the substrate rotates while being held by the rotating member in a state where there is no contact member (holding member) that contacts the end surface. Since the substrate is rotated and held in this manner, the physical cleaning is performed by applying physical force to the end surface of the substrate using the end surface physical cleaning means, so that it can be sufficiently removed only by chemical treatment with a chemical solution or the like. Unnecessary items that were not present can be effectively removed. Therefore, it is possible to perform a good cleaning process without contaminating the substrate.
また、押圧手段が、基板の上面に対向し、ガス噴出口が設けられた対向面を有する板状部材と、ガス噴出口からガスを噴出させることによって対向面と基板の上面との間に形成される空間にガスを供給するガス供給部とを有するようにしてもよい。この構成によれば、対向面に設けられたガス噴出口からガスが噴出されることで対向面と基板の上面との間に形成される空間にガスが供給される。その結果、該空間に供給されたガスの押圧力により基板をその下面に当接して支持する支持部材に押圧させることが可能となる。 Further, the pressing means is formed between the opposing surface and the upper surface of the substrate by ejecting gas from the gas ejection port, and a plate-like member having an opposing surface provided with a gas ejection port facing the upper surface of the substrate. And a gas supply unit that supplies gas to the space. According to this structure, gas is supplied to the space formed between the opposing surface and the upper surface of the substrate by ejecting gas from the gas outlet provided on the opposing surface. As a result, it becomes possible to press the support member that contacts and supports the lower surface of the substrate by the pressing force of the gas supplied to the space.
また、基板の保持態様として、板状部材を固定した状態で回転する基板に対してガスを供給して基板を回転部材に保持させるようにしてもよいし、板状部材を基板とともに回転させた状態で基板を回転部材に保持させるようにしてもよい。板状部材を基板とともに回転させた場合は、基板と板状部材との間に回転に伴う余分な気流が発生するのを防止することができ、より良好な基板処理を行うことができる。 Further, as a holding mode of the substrate, gas may be supplied to the rotating substrate while the plate member is fixed to hold the substrate on the rotating member, or the plate member is rotated together with the substrate. You may make it hold | maintain a board | substrate to a rotation member in the state. When the plate-like member is rotated together with the substrate, it is possible to prevent an excessive air flow accompanying the rotation between the substrate and the plate-like member, and to perform better substrate processing.
また、基板および板状部材が略円形である場合に、板状部材は基板よりも小さな径を有するように構成するのが好ましい。この構成によれば、端面物理洗浄手段が基板の端縁を洗浄処理する際に、端面物理洗浄手段と板状部材とが接触して干渉するのを防止することができる。これにより、板状部材からのパーティクルの発生を防止して、基板の汚染を防ぐことができる。 In addition, when the substrate and the plate-like member are substantially circular, the plate-like member is preferably configured to have a smaller diameter than the substrate. According to this configuration, when the end face physical cleaning means cleans the edge of the substrate, it is possible to prevent the end face physical cleaning means and the plate-like member from contacting and interfering with each other. Thereby, generation | occurrence | production of the particle from a plate-shaped member can be prevented, and contamination of a board | substrate can be prevented.
また、支持部材に押圧されて回転する基板の下面に向けて純水を供給して基板下面を純水で覆う純水供給手段をさらに設けるようにしてもよい。この構成によれば、基板の下面全体が純水で覆われ、基板端面あるいは基板上面の洗浄時において、基板から除去されたパーティクル等の不要物が基板下面に再付着するのを防止することができる。 Further, pure water supply means for supplying pure water toward the lower surface of the substrate that is pressed by the supporting member and rotating the substrate and covering the lower surface of the substrate with pure water may be further provided. According to this configuration, the entire lower surface of the substrate is covered with pure water, and it is possible to prevent unnecessary substances such as particles removed from the substrate from reattaching to the lower surface of the substrate when cleaning the substrate end surface or the upper surface of the substrate. it can.
また、この発明にかかる基板処理装置は、基板を回転させながら基板の複数の被処理面に所定の処理を施す基板処理装置であって、上記目的を達成するため、鉛直軸回りに回転自在に設けられた回転部材と、回転部材を回転させる回転手段と、回転部材の上方に向けて設けられるとともにその先端部が基板の下面に当接して回転部材から所定距離だけ上方に離間した第1高さ位置で該基板を支持可能に構成された、少なくとも3個以上の支持部材を有する支持手段と、基板の上面にガスを供給することによって基板を支持部材に向けて押圧可能に構成された押圧手段と、基板の端縁部と当接可能な当接部を有し、回転部材の上方側で鉛直方向に昇降自在に設けられた保持手段と、保持手段を上昇させることで当接部を第1高さ位置または第1高さ位置よりも高い第2高さ位置に位置決めさせて基板を保持する一方、保持手段を降下させることで当接部を第1高さ位置よりも低い第3高さ位置に位置させて当接部を基板の下方位置に離間させた状態で支持部材により基板を支持可能とする昇降手段とを備え、当接部を第1高さ位置または第2高さ位置に位置決めして基板を当接部により保持する第1基板保持と、当接部を第3高さ位置に位置決めして第1高さ位置で基板を支持手段で支持するとともに押圧手段により基板を支持部材に向けて押圧して保持する第2基板保持とを、所定の処理を施す被処理面に応じて選択的に切り換えている。 A substrate processing apparatus according to the present invention is a substrate processing apparatus that performs a predetermined process on a plurality of processing surfaces of a substrate while rotating the substrate, and is rotatable about a vertical axis in order to achieve the above object. A rotating member provided, a rotating means for rotating the rotating member, a first height provided above the rotating member and having a tip abutting against the lower surface of the substrate and spaced upward by a predetermined distance from the rotating member. Support means having at least three or more support members configured to support the substrate at a position, and pressing configured to press the substrate toward the support member by supplying gas to the upper surface of the substrate And holding means that can be brought into contact with the edge portion of the substrate and can be moved up and down in the vertical direction on the upper side of the rotating member, and by raising the holding means, 1st height position or 1st The substrate is held by being positioned at the second height position higher than the height position, and the abutting portion is positioned at the third height position lower than the first height position by lowering the holding means. Elevating means that enables the substrate to be supported by the support member in a state where the portion is spaced apart from the lower position of the substrate, and abuts the substrate by positioning the contact portion at the first height position or the second height position. The first substrate holding held by the portion, the contact portion is positioned at the third height position, the substrate is supported by the supporting means at the first height position, and the substrate is pressed toward the supporting member by the pressing means. The holding of the second substrate is selectively switched according to the surface to be processed on which a predetermined process is performed.
このように構成された発明では、第1基板保持と第2基板保持の2種類の保持態様によって基板を保持しながら回転させて該基板に対して洗浄処理を施すことが可能である。これら保持態様のうち第1基板保持は、保持手段の当接部が第1高さ位置、つまり支持部材によって支持される基板の高さ位置または第1高さ位置よりも高い第2高さ位置に位置決めされることで、当接部が基板の端縁部と当接して基板が回転部材に保持される。一方、第2基板保持は、保持手段の当接部が第1高さ位置よりも低い第3高さ位置に位置決めされることで、各支持部材のみにより基板が支持される。そして、このような状態で押圧手段から基板上面にガスを供給することによって基板が各支持部材に押圧され基板が回転部材に保持される。このように、第1基板保持と第2基板保持の2種類の保持態様によって基板を保持することができるので、基板の被処理面に対応して基板の保持態様を選択的に切り換えることによって基板を良好に洗浄処理することができる。 In the invention configured as described above, the substrate can be rotated while being held by the two types of holding modes of the first substrate holding and the second substrate holding, and the substrate can be cleaned. Among these holding modes, the first substrate holding means that the contact portion of the holding means is at the first height position, that is, the height position of the substrate supported by the support member or the second height position higher than the first height position. As a result of the positioning, the contact portion comes into contact with the edge portion of the substrate and the substrate is held by the rotating member. On the other hand, in the second substrate holding, the contact portion of the holding means is positioned at the third height position lower than the first height position, so that the substrate is supported only by each support member. In such a state, the substrate is pressed against each supporting member by supplying gas from the pressing means to the upper surface of the substrate, and the substrate is held by the rotating member. As described above, since the substrate can be held by the two types of holding modes of the first substrate holding and the second substrate holding, the substrate holding mode can be selectively switched according to the surface of the substrate to be processed. Can be washed well.
ここで、第1基板保持にて保持された基板に対して基板の上面に物理力を作用させて洗浄する上面物理洗浄手段と、第2基板保持にて保持された基板に対して基板の端面に物理力を作用させて洗浄する端面物理洗浄手段とをさらに備えると、次のようにして基板を汚染させることなく、良好に洗浄処理することができる。すなわち、保持手段の当接部が第1高さ位置または第2高さ位置に位置決めされることで、当接部が基板の端縁部と当接して基板が回転部材に保持される。これにより、押圧手段からの基板上面へのガス供給を不要として、上面物理洗浄手段により基板の上面に物理力を作用させて洗浄することが可能となる。一方、保持手段の当接部が第3高さ位置に位置決めされることで各支持部材により基板が支持されるとともに、基板の上面にガスが供給されることで基板が各支持部材に押圧されて回転部材に保持される。これにより、基板端面に接触する当接部材(保持部材)がない状態で回転する基板を保持することができ、端面物理洗浄手段により基板の端面に物理力を作用させて該基板端面を汚染させることなく良好に洗浄処理することができる。このように、基板端面または基板上面を洗浄する際に、これら被処理面への接触を回避しながら該被処理面に物理力を作用させて洗浄しているので、被処理面に不要物を付着させることなく、被処理面を効果的に洗浄処理することができる。 Here, an upper surface physical cleaning means for cleaning the substrate held by the first substrate holding by applying a physical force to the upper surface of the substrate, and an end surface of the substrate with respect to the substrate held by the second substrate holding If an end face physical cleaning means for cleaning by applying a physical force is further provided, the substrate can be cleaned well without being contaminated as follows. That is, the contact portion of the holding means is positioned at the first height position or the second height position, so that the contact portion contacts the edge portion of the substrate and the substrate is held by the rotating member. This eliminates the need for gas supply from the pressing means to the upper surface of the substrate, and allows the upper surface physical cleaning means to perform cleaning by applying a physical force to the upper surface of the substrate. On the other hand, the substrate is supported by each support member by positioning the contact portion of the holding means at the third height position, and the substrate is pressed against each support member by supplying gas to the upper surface of the substrate. Held by the rotating member. Accordingly, the rotating substrate can be held without any contact member (holding member) in contact with the substrate end surface, and the end surface physical cleaning means causes a physical force to act on the end surface of the substrate to contaminate the substrate end surface. The cleaning process can be performed satisfactorily without any problems. As described above, when cleaning the substrate end surface or the substrate upper surface, cleaning is performed by applying physical force to the surface to be processed while avoiding contact with the surface to be processed. The surface to be processed can be effectively cleaned without being attached.
また、押圧手段が、基板の上面に対向し、ガス噴出口が設けられた対向面を有する板状部材と、ガス噴出口からガスを噴出させることによって対向面と基板の上面との間に形成される空間にガスを供給するガス供給部とを有するように構成するとともに、板状部材を昇降させて、板状部材を基板の上面に近接対向させる対向位置と基板の上面から離間させる離間位置とに位置決めする板状部材昇降手段をさらに備えるようにしてもよい。この構成によれば、対向位置に位置決めされた板状部材と基板上面との間に形成される空間にガスを供給することで基板を確実に支持部材に押圧することが可能となる。これにより、回転する基板を保持しながら基板の端面を端面物理洗浄手段により洗浄することで基板を汚染させることなく基板端面を洗浄処理することができる。一方、板状部材が離間位置に位置決めされることで基板上面の上方空間に上面物理洗浄手段を移動自在に配置して基板を回転させながら基板上面を効果的に洗浄処理することができる。 Further, the pressing means is formed between the opposing surface and the upper surface of the substrate by ejecting gas from the gas ejection port, and a plate-like member having an opposing surface provided with a gas ejection port facing the upper surface of the substrate. A gas supply unit that supplies gas to the space to be formed, and a plate member that is moved up and down to face and oppose the plate member close to the top surface of the substrate, and a separation position that separates the plate member from the top surface of the substrate Further, a plate-like member lifting / lowering means for positioning may be provided. According to this configuration, it is possible to reliably press the substrate against the support member by supplying the gas to the space formed between the plate-like member positioned at the opposing position and the upper surface of the substrate. Thus, the substrate end surface can be cleaned without contaminating the substrate by cleaning the end surface of the substrate by the end surface physical cleaning means while holding the rotating substrate. On the other hand, since the plate-like member is positioned at the separation position, the upper surface of the substrate can be effectively cleaned while rotating the substrate by disposing the upper surface physical cleaning means in a space above the upper surface of the substrate.
また、保持手段では、当接部は基板の下面に当接して基板を支持する支持部位と、基板の端面に当接することで基板の水平方向の移動を規制する規制部位とを有し、規制部位の高さを基板の上面の高さ位置よりも低くなるように構成している。この構成によれば、基板を支持部位により支持しながら、基板の水平方向の移動を規制部位によって規制することで回転する基板を回転部材に保持させることができる。しかも、規制部位の高さを基板の上面の高さ位置よりも低くなるように構成しているので、基板の上面を上面物理洗浄手段により洗浄する際に、上面物理洗浄手段が規制部位に接触するのを回避して、基板上面をくまなく良好に洗浄処理することができる。 Further, in the holding means, the abutting portion has a supporting part that abuts the lower surface of the substrate and supports the substrate, and a regulating part that regulates the horizontal movement of the substrate by contacting the end surface of the substrate. The height of the part is configured to be lower than the height position of the upper surface of the substrate. According to this configuration, the rotating member can be held by the rotating member by restricting the horizontal movement of the substrate by the restricting portion while supporting the substrate by the supporting portion. In addition, since the height of the restriction portion is configured to be lower than the height position of the upper surface of the substrate, the upper surface physical cleaning means contacts the restriction portion when the upper surface of the substrate is cleaned by the upper surface physical cleaning means. Thus, the upper surface of the substrate can be satisfactorily cleaned.
なお、本発明の「端面物理洗浄手段」および「上面物理洗浄手段」とは、回転している基板の端面および上面のそれぞれに対してブラシやスポンジ等を直接的に接触させることにより、物理力を作用させて基板を洗浄処理する手段のことを意味する。 The “end surface physical cleaning means” and the “upper surface physical cleaning means” of the present invention refer to physical force by bringing a brush, a sponge or the like into direct contact with each of the end surface and the upper surface of the rotating substrate. This means means for cleaning the substrate by acting.
この発明によれば、基板下面に当接する支持部材により基板を支持しながら基板上面にガスを供給することによって基板を支持部材に押圧させて回転部材に保持させている。そして、このように基板端面に接触する当接部材(保持部材)がない状態で回転部材に保持された基板を回転させながら端面物理洗浄手段を用いて基板の端面に物理力を作用させて洗浄しているので、基板を汚染させることなく良好に洗浄処理することができる。 According to the present invention, the substrate is pressed against the support member by the gas supplied to the upper surface of the substrate while the substrate is supported by the support member in contact with the lower surface of the substrate, and is held by the rotating member. In this way, cleaning is performed by applying physical force to the end surface of the substrate using the end surface physical cleaning means while rotating the substrate held by the rotating member without the contact member (holding member) in contact with the end surface of the substrate. As a result, the substrate can be cleaned well without contaminating the substrate.
また、この発明によれば、保持手段の当接部が、支持部材によって支持される基板高さ位置である第1高さ位置または第1高さ位置よりも高い第2高さ位置に位置決めされることで、当接部が基板の端縁部と当接して基板が回転部材に保持(第1基板保持)される。一方、保持手段の当接部が第1高さ位置よりも低い第3高さ位置に位置決めされることで、各支持部材のみにより基板が支持されるとともに、このような状態で押圧手段から基板上面にガスを供給することによって基板が各支持部材に押圧され基板が回転部材に保持(第2基板保持)される。したがって、基板の被処理面に対応して基板の保持態様を第1基板保持と第2基板保持とに選択的に切り換えることによって基板を良好に洗浄処理することができる。 According to the present invention, the contact portion of the holding means is positioned at the first height position, which is the substrate height position supported by the support member, or at the second height position higher than the first height position. As a result, the contact portion comes into contact with the edge portion of the substrate, and the substrate is held by the rotating member (first substrate holding). On the other hand, since the contact portion of the holding means is positioned at the third height position lower than the first height position, the substrate is supported only by each support member, and in such a state, the substrate is pressed from the pressing means. By supplying gas to the upper surface, the substrate is pressed against each support member, and the substrate is held by the rotating member (second substrate holding). Therefore, the substrate can be satisfactorily cleaned by selectively switching the substrate holding mode between the first substrate holding and the second substrate holding corresponding to the surface to be processed of the substrate.
図1は、この発明にかかる基板処理装置の一実施形態を示す図である。また、図2は図1の基板処理装置の平面図である。この基板処理装置は基板Wの表面Wf(デバイス形成面)を下方に向けたフェースダウン姿勢で、基板Wの端面および基板裏面Wbを洗浄することが可能な装置であり、次のように構成されている。この基板処理装置は、基板Wをその裏面Wbを上方に向けた状態で水平に保持して回転させるスピンチャック1と、スピンチャック1に保持された基板Wの上面(裏面Wb)に純水などの洗浄液を供給する洗浄液供給手段2と、基板Wの上面を洗浄するための上面ブラシ洗浄機構3と、基板Wの端面を洗浄するための端面ブラシ洗浄機構4と、スピンチャック1に保持された基板Wの上面に対向配置された遮断板5とを備えている。
FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention. FIG. 2 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. This substrate processing apparatus is an apparatus capable of cleaning the end surface and the back surface Wb of the substrate W in a face-down posture with the front surface Wf (device forming surface) of the substrate W facing downward, and is configured as follows. ing. This substrate processing apparatus includes a
スピンチャック1は、中空の回転支柱11が、モータ12の回転軸に連結されており、このモータ12の駆動により鉛直方向に伸びる回転軸J回りに回転可能となっている。この回転支柱11の上端部には、スピンベース13が一体的にネジなどの締結部品によって連結されている。したがって、装置全体を制御する制御ユニット8からの動作指令に応じてモータ12を駆動させることによりスピンベース13が回転軸J回りに回転する。このように、この実施形態では、モータ12が本発明の「回転手段」に、スピンベース13が本発明の「回転部材」に相当している。
The
中空の回転支柱11には、液供給管14が挿通されており、その上端に本発明の「純水供給手段」として機能する下面側ノズル15が結合されている。液供給管14は純水供給ユニット16と接続されており、制御ユニット8からの動作指令に応じて純水供給ユニット16から純水が液供給管14に送給されると、下面側ノズル15から基板Wの下面(表面Wf)の中央部に向けて純水が供給される。また、回転支柱11の内壁面と液供給管14の外壁面の隙間は、円筒状のガス供給路17を形成している。このガス供給路17はガス供給ユニット18と接続されており、基板Wの下面とスピンベース13の対向面との間に形成される空間に窒素ガスを供給することができる。なお、この実施形態では、ガス供給ユニット18から窒素ガスを供給しているが、空気や他の不活性ガスなどを吐出するように構成してもよい。
A
洗浄液供給手段2は、洗浄液として純水を基板Wの上面(裏面Wb)に向けて噴射供給する洗浄液供給ノズル21と、この洗浄液供給ノズル21を一方端で保持する揺動アーム22と、揺動アーム22をアーム軸23を中心として所定の角度範囲で回動(揺動)させるモータ等の揺動駆動源24とを備えている。洗浄液供給ノズル21は純水供給ユニット16と接続されており、制御ユニット8からの動作指令に応じて純水供給ユニット16から純水が洗浄液供給ノズル21に圧送されると、基板Wの上面(裏面Wb)に向けて純水が噴射される。
The cleaning liquid supply means 2 includes a cleaning
上面ブラシ洗浄機構3は、上面洗浄ブラシ31と、この上面洗浄ブラシ31を一方端で回転可能に保持する揺動アーム32と、揺動アーム32をアーム軸33を中心として所定の角度範囲で回動(揺動)させるモータ等の揺動駆動源34と、上面洗浄ブラシ31と揺動アーム32とを上下方向に昇降させるシリンダ等の昇降駆動源35とを備えている。なお、上面洗浄ブラシ31は、揺動アーム32内に設けられたモータ等の回転駆動源(図示せず)により自転されるように構成されている。これらの構成により、上面ブラシ洗浄機構3は、上面洗浄ブラシ31を、揺動駆動源34により基板裏面Wbに沿って水平移動させるとともに、昇降駆動源35により上下移動させることが可能となっている。なお、上面洗浄ブラシ31が往復移動する範囲は、例えば基板Wの略中心位置から基板Wの外周の少し外側の位置までの範囲である。これにより、上面洗浄ブラシ31が基板Wの上面全体に接触して物理力を作用させることで、基板Wの上面全体をくまなく洗浄することができる。このように、この実施形態では、上面洗浄ブラシ31が本発明の「上面物理洗浄手段」として機能している。
The upper surface
上面洗浄ブラシ31は、例えば毛状のブラシ材より構成される。このようなブラシ材の材質は、例えばポリプロピレン(PP)、ポリエチレン(PE)、ポリアミド(PA)およびアクリル樹脂、ナイロンブラシ、モヘアブラシ等である。また、上面洗浄ブラシ31は、ポリビニルアルコール(PVA)からなるスポンジ状のものであってもよい。後述の端面洗浄ブラシ41についても同様である。
The upper
端面ブラシ洗浄機構4は、非回転の端縁洗浄ブラシ41と、この端縁洗浄ブラシ41を支持する支持軸42とを備えている。端縁洗浄ブラシ41は、略円筒形状をしており、その円筒の中心軸と位置を一致させるようにして、支持軸42が固着されている。支持軸42は端縁洗浄ブラシ移動機構43と接続されており、制御ユニット8からの動作指令に応じて支持軸42に支持される端縁洗浄ブラシ41を基板Wの端面から離間した待機位置と、端縁洗浄ブラシ41がスピンベース13に保持された基板Wの端面に接触して該基板端面を洗浄する洗浄位置との間で移動させることができる。端縁洗浄ブラシ41が洗浄位置に位置決めされると、端縁洗浄ブラシ41が回転駆動される基板Wの端面に接触して物理力を作用させることで、基板Wの端面全周をくまなく洗浄することができる。なお、端縁洗浄ブラシ41を回転支柱11と略平行な軸回りに回転自在に支持するようにして、回転する基板Wの端面に接触した際には、端縁洗浄ブラシ41を回転する基板Wの端面にあわせて連れ回るように構成してもよい。このように、この実施形態では、端面洗浄ブラシ41が本発明の「端面物理洗浄手段」として機能している。
The end surface
スピンベース13の上面周縁部付近には、図2に示すように、支持ピン6(支持部材)が複数個(この実施形態では12個)、本発明の「支持手段」として、回転軸Jを中心として放射状に等角度間隔でスピンベース13から上方に向けて突出して設けられている。これら支持ピン6の各々は、基板Wの下面(表面Wf)の周縁部(非デバイス形成領域)に当接することで、スピンベース13から所定距離だけ上方に離間させた状態で基板Wを水平に支持可能となっている。このため、基板Wがスピンベース13に当接して支持される場合に生じる基板Wの下面の損傷や汚染が防止される。ここで、基板Wを水平支持するためには、支持ピン6の個数は少なくとも3個以上であればよい。
As shown in FIG. 2, a plurality of support pins 6 (support members) (12 in this embodiment) are provided near the peripheral edge of the upper surface of the
また、スピンベース13の上面周縁部付近には、複数個(この実施形態では12個)の保持ピンF1〜F6、S1〜S6が本発明の「保持手段」として、鉛直方向に昇降自在に設けられている。これら保持ピンF1〜F6、S1〜S6は、支持ピン6が配設された円周とほぼ同一径の円周上にスピンベース3の上面周縁部に突設された各支持ピン6の間に、回転軸Jを中心として放射状に等角度間隔でスピンベース13から上方に向けて突出して設けられている。保持ピンF1〜F6、S1〜S6の各々は、基板Wの端縁部と当接することによって、スピンベース13から所定距離だけ上方に離間させた状態で基板Wを水平に保持可能となっている。これらのうち、周方向に沿って1つ置きに配置された6つの保持ピンF1〜F6は、第1保持ピン群を構成していて、これらは連動して基板Wを保持し、またはその保持を解除するように動作する。一方で、残る6つの保持ピンS1〜S6は、第2保持ピン群を構成しており、これらは連動して基板Wを保持し、またはその保持を解除するように動作する。なお、保持ピンの数については、上記した数に限定されず、基板Wを水平に保持するために、少なくとも3個以上であればよい。
A plurality (12 in this embodiment) of holding pins F1 to F6 and S1 to S6 are provided in the vicinity of the peripheral edge of the upper surface of the
スピンチャック1の上方には、スピンベース13に対向する円盤状の遮断板5が本発明の「板状部材」として水平に配設されている。この遮断板5は、スピンチャック1の回転支柱11と同軸上に配置された回転支柱51の下端部に一体回転可能に取り付けられている。この回転支柱51には、遮断板回転駆動機構52が連結されており、制御ユニット8からの動作指令に応じて遮断板回転駆動機構52のモータを駆動させることにより遮断板5を回転軸(鉛直軸)J回りに回転させる。制御ユニット8は、遮断板回転駆動機構52のモータをモータ12と同期するように制御することで、スピンチャック1と同じ回転方向および同じ回転速度で遮断板5を回転駆動させることができる。このように、この実施形態では、遮断板回転駆動機構52が本発明の「板状部材回転手段」として機能している。
Above the
また、遮断板5は、遮断板昇降駆動機構53と接続され、遮断板昇降駆動機構53の昇降駆動用アクチェータ(例えばエアシリンダーなど)を作動させることで、遮断板5をスピンベース13に近接して対向させたり、逆に離間させることが可能となっている。具体的には、制御ユニット8は遮断板昇降駆動機構53を作動させることで、基板処理装置に対して基板Wを搬入出、あるいは基板Wの上面を上面洗浄ブラシ31で洗浄処理する際には、スピンチャック1の上方の退避位置PH(図1に示す位置)に遮断板5を上昇させる。その一方で、基板Wの端面を端面洗浄ブラシ41で洗浄処理する際には、スピンチャック1に保持された基板Wの表面Wfのごく近傍に設定された所定の処理位置PL(対向位置;図11(c)に示す位置)まで遮断板5を下降させる。このように、この実施形態では、遮断板昇降駆動機構53が本発明の「板状部材昇降手段」として機能している。
Further, the
回転支柱51は、中空軸となっており、その内部には同軸に円筒状のガス供給路54が形成されている。このガス供給路54は、下端部において基板Wの上方の空間と連通しており、遮断板5が処理位置PLに位置決めされた際に、ガス供給路54に接続されたガス供給ユニット18からの窒素ガスを遮断板5と基板Wとで挟まれた空間SP(図11(c))に供給することができる。遮断板5は、その下面(底面)が基板Wの上面(裏面Wb)と略平行に対向する対向面5aとなっており、ガス供給路54から窒素ガスが供給されることで対向面5aと基板Wの上面との間に形成される空間SPの内部圧力を高めて基板Wをその下面に当接する支持ピン6に押圧させることができる。これによって、支持ピン6に押圧された基板Wは、モータ12がスピンベース13を回転させることで基板Wの下面と支持ピン6との間に発生する摩擦力によって支持ピン6に支持されながらスピンベース13とともに回転する。なお、供給された窒素ガスは基板Wの中心付近から径方向外側へと流れていく。
The
図3は遮断板5の底面図である。遮断板5は、その平面サイズD1が基板径D2よりも小さくなるように形成されている。このように構成することで、端面洗浄ブラシ41が基板Wの端縁を洗浄処理する際に、端面洗浄ブラシ41と遮断板5とが接触して干渉するのを防止することができる。遮断板5の周縁部には複数のガス噴出口5bが設けられ、対向面5aに開口している。これら複数のガス噴出口5bは対向面5aに回転軸(鉛直軸)Jを中心とする円周に沿って等間隔に配列されており、遮断板5が処理位置PLに位置決めされると、基板裏面Wbと近接して対向配置される。ガス噴出口5bは、遮断板5の内部のガス流通空間5cに連通しており、ガス流通空間5cに接続されたガス供給ユニット18(ガス供給部)からの窒素ガスを基板裏面Wbに向けて略鉛直方向に吐出する。そして、複数のガス噴出口5bの各々から均一に窒素ガスが吐出されることで、基板Wは各支持ピン6に均等に押圧される。このように、この実施形態では、遮断板5の対向面5a、ガス噴出口5b、ガス供給路54およびガス供給ユニット18が、本発明の「押圧手段」として機能している。
FIG. 3 is a bottom view of the blocking
図4および図5は、スピンチャック1に関連する構成を説明するための断面図(図9のA−A’線断面)である。図4は、保持ピンが上昇した状態を示し、図5は、保持ピンが下降した状態を示す。また、図6は、スピンベース13内に備えられた動作伝達機構の構成を説明するための平面図である。スピンチャック1には、保持ピンF1〜F6を連動して昇降動作させるための第1動作伝達機構FT1と、保持ピンS1〜S6を連動して昇降動作させるための第2動作伝達機構FT2とが設けられている。第1動作伝達機構FT1は、図6(a)に示すように、保持ピンF1〜F6をそれぞれ作動させるための6つの上下アーム71と、これらの上下アーム71を連動して昇降させるための第1上下リング72とを備えている。上下アーム71の各々は、回転軸Jを中心として互いに等角度(60°)間隔で放射状に径方向に伸びるようにして、第1上下リング72にネジなどの締結部品によって連結されており、各上下アーム71の先端部には、保持ピンF1〜F6が立設される。同様に、第2動作伝達機構FT2は、図6(b)に示すように、保持ピンS1〜S6をそれぞれ作動させるための6つの上下アーム73と、これらの上下アーム73を連動して昇降させるための第2上下リング74とを備えている。上下アーム73の各々は、回転軸Jを中心として互いに等角度(60°)間隔で放射状に径方向に伸びるようにして、第2上下リング74にネジなどの締結部品によって連結されており、各上下アーム73の先端部には、保持ピンS1〜S6が立設される。
4 and 5 are cross-sectional views (a cross section taken along the line A-A 'in FIG. 9) for explaining a configuration related to the
第1上下リング72および第2上下リング74は、スピンベース13の回転軸Jに対して同心に配置されたほぼ円環状の部材であり、第2上下リング74は、その中央に設けられた開口部74aを大きくすることより、開口部74aに第1上下リング72の一部を包囲しながら、第1上下リング72の上方に配置されている(図4および図5)。これらの第1および第2上下リング72,74は、スピンベース13の回転軸Jに沿って昇降可能となっており、第1上下リング72を昇降させることによって、保持ピンF1〜F6を一体的に昇降させることができ、第2上下リング74を昇降させることによって、保持ピンS1〜S6を一体的に昇降させることができる。
The first
スピンベース13は、上板131と下板132とをボルトで固定して構成されており、上板131の周縁部には、保持ピンF1〜F6、S1〜S6を昇降自在に配設するために貫通孔131aが形成されている。また、上板131と下板132との間に第1および第2動作伝達機構FT1,FT2を収容する収容空間が形成されている。上板131および下板132の中央部には、スピンベース13を貫通する貫通孔133が形成されている。この貫通孔133を通り、さらに、スピンチャック1の回転支柱11を挿通するように、液供給管14が配置されている。この液供給管14の上端には、スピンチャック1に保持された基板Wの下面中央に対向する下面側ノズル15が固定されている。
The
図7は、スピンベース13を背面から見たときの平面図である。第1および第2上下リング72,74はそれぞれ、第1および第2上下リング72,74を昇降させるための第1および第2連動リング75、76と係合している。第1および第2連動リング75、76は、回転軸Jに対して同心に配置された円環状の部材であり、第2連動リング76は、第1連動リング75よりも外側に配置されている。第1および第2連動リング75、76はそれぞれ、スピンベース13の下板132に形成された貫通孔134,135を介して下板132に対して上下方向に伸びるように形成され、それらの上方端が第1および第2連動リング75、76と係合している。これらの第1および第2連動リング75、76は、スピンベース13の回転軸Jに沿って昇降可能となっており、第1連動リング75を昇降させることによって、第1上下リング72を介して保持ピンF1〜F6を昇降させることができ、第2連動リング76を昇降させることによって、第2上下リング74を介して保持ピンS1〜S6を昇降させることができる。
FIG. 7 is a plan view of the
図8は、保持ピンの構成を示す断面図である。なお、保持ピンF1〜F6、S1〜S6はいずれも同一構成を有しているため、ここでは1つの保持ピンF1の構成について説明する。保持ピンF1は、上下アーム71の上に立設された可動本体部材101と、可動本体部材101上に設けられ基板Wの端縁部と当接可能な当接部102と、可動本体部材101を取り囲むようにスピンベース13の上板131に嵌挿されたベローズ103とを備えている。また、当接部102は、基板Wの下面を支持する支持部位102aと、基板Wの端面に当接可能に構成され、該基板端面に当接することで基板Wの水平方向の移動を規制する規制部位102bとを有している。
FIG. 8 is a cross-sectional view showing the configuration of the holding pin. Note that since the holding pins F1 to F6 and S1 to S6 all have the same configuration, the configuration of one holding pin F1 will be described here. The holding pin F <b> 1 includes a movable
可動本体部材101の頂部には支持部位102aを装着可能なネジ孔101aが形成されており、ネジ孔101aに支持部位102aを嵌挿させることで可動本体部材101上に支持部位102aを立設する。支持部位102aは、ネジ形状の部材であり、上部のネジ頭部(ネジ山)が基板Wの下面に当接可能とされるとともに、下部のネジ部が可動本体部材101のネジ孔101aと螺合可能となっている。ベローズ103の上端部103aは、可動本体部材101の頂部(ネジ孔101aの周縁部)を覆うようにして可動本体部材101と係合することにより、可動本体部材101を保護するとともに、貫通孔131aからスピンベース13内部に液が侵入するのを防止している。ベローズ103は、例えばPTFE(ポリテトラフルオロエチレン)より形成され、薬液等により基板Wを処理する際に、ステンレス鋼(SUS)またはアルミニウム等から形成される可動本体部材101を保護する。また、スピンベース13の上板131とベローズ103の端部材との間には、シール部材201が配設され、スピンベース13の内部空間を外部雰囲気から遮断している。
A
規制部位102bは、支持部位102aのネジ部の径に合わせて開口した円環状の部材であり、ベローズ103の上端部103aの上に載置され、支持部位102aが可動本体部材101のネジ孔101aにねじ込まれることで固定される。支持部位102aのネジ部と規制部位102bとの間にはシール部材104が配置され、支持部位102aと規制部位102bとの間から可動本体部材101のネジ孔101aに液が侵入するのを防止している。支持部位102aおよび規制部位102bは、耐薬性を考慮して、PCTFE(ポリクロロトリフルオロエチレン)で形成されるのが好ましい。一方、耐薬性を考慮する必要がない場合には、ゴム系材質で形成するようにしてもよい。
The
また、規制部位102bの高さは、基板Wの端面と当接可能としながらも支持部位102aによって支持された基板Wの上面の高さ位置PTよりも低くなるように形成されている。このように構成することで、回転する基板Wが径方向外側に飛び出すのを防止しながらも、基板Wの上面(裏面Wb)を上面洗浄ブラシ31で洗浄する際に、上面洗浄ブラシ31が規制部位102bに接触するのを回避して基板Wの上面周縁部までくまなく洗浄することができる。
In addition, the height of the
保持ピンF1の下方には、圧縮コイルばね202をその伸縮方向を鉛直方向に沿って配置するとともに収容したばねケース203がスピンベース13の下板132に設置されている。これにより、保持ピンF1は、上下アーム71を介して上方に向かって付勢されており、その結果として、図4に示すように、保持ピンF1は、その当接部102が、支持ピン6が基板Wの下面に当接して基板Wを支持する位置(第1高さ位置)P1よりも高い位置(第2高さ位置)P2に位置決めされている。なお、このような保持ピンF1の高さ位置は、スピンベース13内部に固定配置されたストッパー204が可動本体部材101の下端のフランジ部101bに係合することによって保持ピンF1の上限位置が規定される。一方、図5に示すように、後述するようにして保持ピンF1が下降された場合には、ばねケース203の上端面203aがストッパーの役割を果たし、上下アーム71の下方端がばねケース203の上端面203aに係合することによって保持ピンF1の下限位置が規定される。
Below the holding pin F1, a
図4および図5に戻って説明を続ける。回転支柱11はモータ12の駆動軸と一体化しており、モータ12を貫通して設けられている。モータ12を包囲するようにケーシング27が配置されており、このケーシング27は、さらに、筒状のカバー部材28によって包囲されている。カバー部材28の上端はスピンベース13の下面近傍にまで及んでおり、その上端付近の内面にはシール機構29が配置されている。このシール機構29はスピンベース13の下面に固定されたシール部材30に摺接するようになっており、これにより、シール機構29と回転支柱11との間には、外部雰囲気から遮断された機構部収容空間MSが形成されている。
Returning to FIG. 4 and FIG. The
図9は、保持ピンを駆動するための駆動機構の構成を説明するための平面図である。機構部収容空間MS内において、ケーシング27の上蓋部27a上には、回転支柱11を取り囲むほぼ円環状のギヤケース61が取り付けられている。ギヤケース61上には、図9の平面図に示すように、第1モータM1および第2モータM2が、本発明の「昇降手段」として回転支柱11に対して対称な位置に固定されている。ギヤケース61の内部には、図4および図5に示されているように、その内壁面の内周側および外周側にそれぞれベアリング62,63が圧入されている。ベアリング62,63は回転支柱11に対して同軸に配置されている。内側のベアリング62の回転側リングには、回転支柱11を包囲するリング状の第1ギヤ64が固定されており、外側のベアリング63の回転側リングには回転支柱11を包囲するリング状の第2ギヤ65が固定されている。したがって、ギヤケース61内において、第1ギヤ64および第2ギヤ65は回転支柱11に対して同軸的に回転可能であり、第2ギヤ65は第1ギヤ64よりも外側に位置している。第1ギヤ64は、外周側にギヤ歯を有し、第2ギヤ65は、内周側にギヤ歯を有している。
FIG. 9 is a plan view for explaining the configuration of a drive mechanism for driving the holding pins. In the mechanism housing space MS, a substantially
第1モータM1の駆動軸に固定されたピニオン66は、第1ギヤ64と第2ギヤ65との間に入り込み、内側に配置された第1ギヤ64に噛合している。同様に、図9に示されているとおり、第2モータM2の駆動軸に固定されたピニオン67は、第1ギヤ64と第2ギヤ65との間に位置し、外側に配置された第2ギヤ65に噛合している。ギヤケース61上にはさらに、モータM1,M2を回避した位置に、一対の第1ボールねじ機構81が回転支柱11を挟んで対向する位置(すなわち、回転支柱11の側方)に配置されている。さらに、ギヤケース61上には、モータM1,M2および第1ボールねじ機構81を回避した位置に、他の一対の第2ボールねじ機構82が、回転支柱11を挟んで対向するように位置(すなわち、回転支柱11の側方)に配置されている。
The
第1ボールねじ機構81は、図4および図5に示されているように、回転支柱11と平行に配置されたねじ軸83と、このねじ軸83に螺合するボールナット84とを備えている。ねじ軸83は、ギヤケース61の上蓋部に軸受け部85を介して取り付けられており、その下端は、ギヤケース61の内部に及んでいる。このねじ軸83の下端には、ギヤ86が固定されており、このギヤ86は第1ギヤ64と第2ギヤ65との間に入り込み、内側に配置された第1ギヤ64に噛合している。
As shown in FIGS. 4 and 5, the first
一方、ボールナット84には第1非回転側可動部材88が取り付けられている。この第1非回転側可動部材88は、回転支柱11を取り囲む環状の部材であって、その内周面には、回転支柱11を取り囲むように設けられた第1ベアリング77の非回転側リング77fが固定されている。第1ベアリング77の回転側リング77rは非回転側リング77fよりも回転支柱11に対して内方側に配置されている。この回転側リング77rは、回転支柱11を取り囲む環状の第1回転側可動部材89の外周面側に固定されている。第1回転側可動部材89は、回転支柱11の外周面に突出して設けられた案内レール90に係合している。この案内レール90は、回転支柱11に平行な方向に沿って形成されており、これにより、第1回転側可動部材89は、回転支柱11に沿う方向に案内されて移動可能な状態で、回転支柱11に結合されている。
On the other hand, a first non-rotating side
第1モータM1を駆動してピニオン66を回転させると、この回転は第1ギヤ64に伝達される。これによって、第1ギヤ64に噛合しているギヤ86が回転して、第1ボールねじ機構81のねじ軸83が回転する。これによって、ボールナット84およびこれに結合された第1非回転側可動部材88が回転支柱11に沿って昇降することになる。回転支柱11とともに回転することになる第1回転側可動部材89は、第1ベアリング77を介して第1非回転側可動部材88に結合されているから、この第1非回転側可動部材88の昇降により、回転支柱11の回転中であっても、案内レール90に沿って昇降されることになる。
When the first motor M <b> 1 is driven to rotate the
第1ボールねじ機構81によって昇降されるリング状の第1非回転側可動部材88の外方には、別のリング状の第2非回転側可動部材91が配置されている。第2ボールねじ機構82は、上記第1ボールねじ機構81と同様な構成を有しているが、そのねじ軸の下端に設けられたギヤは、ギヤケース61内の第1ギヤ64と第2ギヤ65との間において、第2ギヤ65に内側から噛合している。したがって、同じく第2ギヤ65に噛合しているピニオン67を第2モータM2によって駆動すれば、第2ボールねじ機構82のボールナット(図示せず)が昇降することになる。このボールナットが、第2非回転側可動部材91に結合されている。
Another ring-shaped second non-rotating side
第2非回転側可動部材91の外周面には、回転支柱11を取り囲むように設けられた第2ベアリング78の非回転側リング78fが固定されている。この第2ベアリング78の回転側リング78rは、回転支柱11を取り囲むリング状の第2回転側可動部材92の内周面に固定されている。第2回転側可動部材92の上面には、回転伝達ピン93が回転支柱11に沿う鉛直方向に2本、回転支柱11を挟んで回転支柱11を中心として略対称な位置に挿入されている(図7)。回転伝達ピン93は、スピンベース13の上板131および下板132を貫通するようにしてスピンベース13に固定されており、その下端が第2回転側可動部材92を昇降自在にしながら第2回転側可動部材92と係合している。そして、第2ボールねじ機構82のボールナットとともに第2非回転側可動部材91が昇降するとき、第2ベアリング78を介して結合された第2回転側可動部材92も同時に昇降する。第2回転側可動部材92は昇降可能な状態で回転伝達ピン93を介してスピンベース13に結合されているからスピンベース13とともに(すなわち回転支柱11とともに)回転されるが、この回転中であっても、第2ボールねじ機構82からの駆動力を得て、昇降が可能である。
A
第1回転側可動部材89には、その上方側に鉛直方向に伸びて第1連動リング75と係合する上下駆動ピン891が4本設けられている。具体的には、第1連動リング75には、図7に示すように、上下駆動ピン891の各々に対応して上下駆動ピン891に係合可能な切欠部751が形成されており、各切欠部751に上下駆動ピン891が挿入されている。そして、図5に示すように、第1回転側可動部材89が下降されることで、上下駆動ピン891の肩部891aが第1連動リング75に係合して、つまり4本の上下駆動ピン891が第1連動リング75を下方に引き下げるようにして、第1連動リング75を降下させる。これにより、上下アーム71の下方に配置された圧縮コイルばね202の付勢力に抗して、第1連動リング75に係合する第1上下リング72および第1上下リング72に連結された上下アーム71を一体的に降下させて上下アーム71の各々に立設された保持ピンF1〜F6を降下させることができる。
The first rotation-side
さらに、保持ピンS1〜S6の降下動作についても、保持ピンF1〜F6の降下動作とほぼ同様である。すなわち、第2連動リング76には、第2回転側可動部材92が有する上下駆動ピン(図示せず)の各々に対応して上下駆動ピンに係合可能な挿入孔761が形成されており、各挿入孔761に上下駆動ピンが挿入される。そして、第2回転側可動部材92が下降することで、上下駆動ピンが第2連動リング76に係合して、第2連動リング76を降下させる。これにより、上下アーム73の下方に配置された圧縮コイルばね202の付勢力に抗して、第2連動リング76に係合する第2上下リング74および第2上下リング74に連結された上下アーム73を一体的に降下させて上下アーム73の各々に立設された保持ピンS1〜S6を降下させることができる。
Further, the lowering operation of the holding pins S1 to S6 is substantially the same as the lowering operation of the holding pins F1 to F6. That is, the
このように、保持ピンF1〜F6、S1〜S6を降下させることで、各保持ピンの当接部102を、支持ピン6が基板Wの下面に当接して基板Wを支持する位置(第1高さ位置)P1よりも低い位置(第3高さ位置)P3に位置決めすることができる。したがって、制御ユニット8の動作指令に応じて第1および第2モータM1、M2を回転駆動させることで、保持ピンF1〜F6からなる第1保持ピン群と、保持ピンS1〜S6からなる第2保持ピン群とを同時に、または独立して、第1高さ位置P1に対して、第1高さ位置P1よりも高い位置(第2高さ位置)P2と、低い位置(第3高さ位置)P3とに位置決めすることができる。その結果、保持ピンF1〜F6、S1〜S6の当接部102が第2高さ位置P2に位置決めされる場合には、基板Wは各保持ピンにより保持される一方、保持ピンF1〜F6、S1〜S6の当接部102が第3高さ位置P3に位置決めされる場合には、基板Wは各支持ピン6により支持される。
In this way, by lowering the holding pins F1 to F6 and S1 to S6, the support pins 6 come into contact with the lower surface of the substrate W to support the substrate W (first position). It can be positioned at a position (third height position) P3 lower than (height position) P1. Therefore, by rotating the first and second motors M1 and M2 in accordance with the operation command of the control unit 8, the first holding pin group including the holding pins F1 to F6 and the second holding pin including the holding pins S1 to S6. At the same time or independently of the holding pin group, a position (second height position) P2 higher than the first height position P1 and a position (third height position) lower than the first height position P1. ) Can be positioned at P3. As a result, when the
次に、上記のように構成された基板処理装置の動作について図10および図11を参照しつつ説明する。この装置では、未処理の基板Wがその表面Wfを下方に向けたフェースダウン姿勢で搬送ロボット等の搬送手段により基板処理装置に搬入されると、制御ユニット8が装置各部を以下のように制御して該基板Wに対して裏面洗浄処理および端面洗浄処理がこの順序で実行される。より具体的には、図10のフローチャートに示す一連の処理が実行される。なお、基板Wの搬送を行う際には、遮断板5はスピンチャック1の上方の退避位置PHにあり、基板Wとの干渉を防止している。
Next, the operation of the substrate processing apparatus configured as described above will be described with reference to FIGS. In this apparatus, when an unprocessed substrate W is loaded into a substrate processing apparatus by a transfer means such as a transfer robot in a face-down posture with its surface Wf facing downward, the control unit 8 controls each part of the apparatus as follows. Then, the back surface cleaning process and the end surface cleaning process are performed on the substrate W in this order. More specifically, a series of processing shown in the flowchart of FIG. 10 is executed. When the substrate W is transported, the blocking
図10は図1の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。また、図11は、図1の基板処理装置の動作を説明するための図である。なお、保持ピンF1〜F6、S1〜S6の当接部102は、第2高さ位置P2に位置決めされている。すなわち、保持ピンF1〜F6、S1〜S6の当接部102は、支持ピン6が基板Wの下面に当接して基板Wを支持する位置(第1高さ位置)P1よりも高い位置に位置決めされている。まずステップS1で基板Wをフェースダウン姿勢で搬送して、保持ピンF1〜F6、S1〜S6上に落とし込み、図11(a)に示すように、基板Wを保持ピンF1〜F6、S1〜S6で保持させる(第1基板保持)。具体的には、基板Wは各保持ピンの支持部位102aが基板Wの下面周縁部に当接することによって支持されるとともに、規制部位102bによって水平方向の移動が規制された状態となっている。
FIG. 10 is a flowchart showing the operation of the substrate processing apparatus of FIG. Moreover, FIG. 11 is a figure for demonstrating operation | movement of the substrate processing apparatus of FIG. Note that the
基板Wが保持ピンF1〜F6、S1〜S6に保持されると、制御ユニット8は洗浄液供給ノズル21を基板Wの上方に配置させるとともに、上面洗浄ブラシ31を基板Wの上方位置に移動させて基板Wに対して下降させて基板Wの上面(裏面Wb)に接触させる。そして、モータ12を駆動してスピンベース13を回転させることにより、基板Wを一定の速度で低速回転させながら、洗浄液供給ノズル21から基板Wに洗浄液を噴出供給する。このように、上面洗浄ブラシ31を基板Wの上面に接触させながら基板Wを回転させているので、基板Wの飛び出しがさらに効果的に防止される。
When the substrate W is held by the holding pins F1 to F6 and S1 to S6, the control unit 8 disposes the cleaning
そして、図11(b)に示すように、必要に応じて上面洗浄ブラシ31を鉛直軸回りに回転(自転)させながら、揺動駆動源34を駆動して上面洗浄ブラシ31を基板Wの上面に沿わせて所定の速度で水平移動させて洗浄処理を行う(ステップS2)。このとき、各保持ピンの規制部位102bの高さ位置は、基板Wの上面の高さ位置PTよりも低い位置にあるので、基板Wの上面(裏面Wb)の周縁部まで良好に洗浄することができる。これにより、基板裏面Wbの全体に物理力を作用させることができ、化学処理のみでは十分に除去しきれなかった不要物についても基板裏面Wbの全体から効果的に除去することができる。なお、裏面Wbを洗浄する際には、洗浄時に除去されたパーティクル等の不要物が基板Wの下面(表面Wf)に回り込んで付着することのないように、下面側ノズル15より基板Wの下面に純水を供給するのが好ましい。これにより、基板下面が純水で覆われ、基板下面への不要物の付着が防止される。
Then, as shown in FIG. 11B, the upper
こうして、基板Wの裏面洗浄処理が完了すると、制御ユニット8は基板Wの回転を停止させる。続いて、制御ユニット8は第1および第2モータM1、M2を駆動することにより、保持ピンF1〜F6、S1〜S6を降下させて当接部102を第3高さ位置P3に位置決めする。すなわち、保持ピンF1〜F6、S1〜S6の当接部102を、支持ピン6が基板Wの下面に当接して基板Wを支持する位置(第1高さ位置)P1よりも低い位置に位置決めする。これにより、各保持ピンの当接部102は基板Wの下方位置に離間して、基板Wの下面は支持ピン6の先端部に当接し、支持ピン6により基板Wが支持される(ステップS3)。
Thus, when the back surface cleaning process for the substrate W is completed, the control unit 8 stops the rotation of the substrate W. Subsequently, the control unit 8 drives the first and second motors M1 and M2 to lower the holding pins F1 to F6 and S1 to S6, thereby positioning the
続いて、制御ユニット8は遮断板昇降駆動機構53を制御して遮断板5を基板Wに対向する処理位置PLまで降下させて基板Wに近接対向させる(ステップS4)。そして、図11(c)に示すように、ガス噴出口5bから窒素ガスを吐出させるとともに、ガス供給路54から基板裏面Wbの中央部に向けて窒素ガスを供給する(ステップS5)。これによって、遮断板5の対向面5aと基板裏面Wbとの間に形成される空間SPの内部圧力が高められ、基板Wはその下面に当接する支持ピン6に押圧されてスピンベース13に保持される(第2基板保持)。また、洗浄処理された基板裏面Wbは遮断板5の対向面5aにごく近接した状態で覆われることによって、基板Wの周辺の外部雰囲気から確実に遮断される。
Subsequently, the control unit 8 controls the shield plate lifting / lowering
次に、制御ユニット8は端面洗浄ブラシ移動機構43を駆動して、端面洗浄ブラシ41を待機位置から基板Wの端面に接触して洗浄可能な洗浄位置に位置決めする。それに続いて、モータ12を駆動してスピンベース13を回転させることにより、基板Wを回転させる。このとき支持ピン6に押圧された基板Wは支持ピン6と基板Wの下面との間に発生する摩擦力でスピンベース13に保持されながら、スピンベース13とともに回転することとなる。これにより、基板Wの端面の全周が端面洗浄ブラシ41に接触して基板Wの端面の全周が洗浄処理される(ステップS6)。ここでは、基板Wはその端面に接触する保持ピン等の当接部材がない状態で、基板Wの端面の全周に物理力を作用させているので、基板Wを汚染させることなく、化学処理のみでは十分に除去しきれなかった不要物についても基板端面の全周から効果的に除去することができる。なお、端面洗浄処理においても、基板表面Wfへの不要物の付着を防止するため、継続して基板表面Wfを純水により保護することが好ましい。また、端面洗浄ブラシ41と基板Wの端面との間に純水を供給するためにも下面側ノズル15より純水を供給する。このための純水供給は下面側ノズル15に限られるものではなく、別にノズルを配置してもよい。
Next, the control unit 8 drives the end surface cleaning brush moving mechanism 43 to position the end
また、基板Wの回転と同時に、あるいは前後して制御ユニット8は遮断板回転駆動機構52を制御してスピンベース13の回転数とほぼ同一の回転数で同一方向に遮断板5を回転させる。これにより、基板Wと遮断板5との間に余分な気流が発生するのを防止して、洗浄処理された基板裏面Wbへの液の巻き込みを抑制することができる。
At the same time as or before or after the rotation of the substrate W, the control unit 8 controls the blocking plate
こうして、端面洗浄処理が完了すると、下面側ノズル15からの純水の供給を停止させる。その後、制御ユニット8はモータ12および遮断板回転駆動機構52のモータの回転速度を高めて基板Wおよび遮断板5を高速回転させて、基板Wの乾燥を実行する(ステップS7)。このとき、上記した基板裏面Wbへの窒素ガス供給と併せて、ガス供給路17からも窒素ガスを供給することで、基板Wの表裏面に窒素ガスを供給させる。これにより、基板Wの表裏面の乾燥処理が促進される。
Thus, when the end surface cleaning process is completed, the supply of pure water from the lower
基板Wの乾燥処理が終了すると、制御ユニット8は遮断板回転駆動機構52を制御して遮断板5の回転を停止させるとともに、モータ12を制御して基板Wの回転を停止させる。そして、ガス供給路54およびガス噴出口5bからの窒素ガスの供給を停止することで、基板Wの支持ピン6への押圧保持を解除する。その後、遮断板5が上昇され、処理済基板Wが装置から搬出される(ステップS8)。
When the drying process of the substrate W is completed, the control unit 8 controls the blocking plate
以上のように、この実施形態によれば、第1基板保持と第2基板保持の2種類の保持態様によって基板Wを保持しながら、基板Wを回転させて洗浄処理を施している。これらのうち第1基板保持は、保持ピンF1〜F6、S1〜S6の当接部102を、支持ピン6によって支持される基板高さ位置である第1高さ位置P1よりも高い第2高さ位置P2に位置決めすることで、当接部102を基板Wの端縁部と当接させて基板Wをスピンベース13に保持させている。そして、このように基板Wが保持された状態で基板Wの上面(裏面Wb)を洗浄処理している。一方、第2基板保持は、保持ピンF1〜F6、S1〜S6の当接部102を、第1高さ位置P1よりも低い第3高さ位置P3に位置決めすることで、支持ピン6により基板Wを支持させるとともに、基板Wの上面にガスを供給することによって基板Wを支持ピン6に押圧させ基板Wをスピンベース13に保持させている。そして、このように基板Wが保持された状態で基板Wの端面を洗浄処理している。このように、第1基板保持と第2基板保持の2種類の保持態様によって基板を保持することができるので、基板の被処理面に対応して基板の保持態様を選択的に切り換えることによって基板を良好に洗浄処理することができる。したがって、基板Wの被処理面に対応して基板Wの保持態様を第1基板保持と第2基板保持とに選択的に切り換えることによって基板Wを良好に洗浄処理することができる。
As described above, according to this embodiment, the cleaning process is performed by rotating the substrate W while holding the substrate W by the two types of holding modes of the first substrate holding and the second substrate holding. Among these, the first substrate holding is a second height higher than the first height position P1, which is the substrate height position where the
さらに、この実施形態によれば、上記第1基板保持で基板Wの裏面Wbを洗浄処理した後に、基板裏面Wbに一切接触することなく、上記第2基板保持で基板Wの端面を洗浄処理しているので、基板裏面Wbへのパーティクル等の不要物の再付着を確実に防止できる。また、基板Wの端面についても端面洗浄処理は、基板端面には一切接触することなく洗浄処理を終了している。したがって、基板Wの裏面Wbおよび端面への汚染を確実に防止しながら、また、未処理領域がなく洗浄することが可能となっている。 Furthermore, according to this embodiment, after the back surface Wb of the substrate W is cleaned by the first substrate holding, the end surface of the substrate W is cleaned by the second substrate holding without contacting the substrate back surface Wb at all. As a result, it is possible to reliably prevent re-adhesion of unnecessary substances such as particles on the substrate back surface Wb. Further, the end surface cleaning process for the end surface of the substrate W is completed without contacting the end surface of the substrate at all. Therefore, the back surface Wb and the end surface of the substrate W can be reliably prevented from being contaminated and cleaned without any unprocessed regions.
また、この実施形態によれば、基板Wの端面を洗浄処理する際に、基板Wの下面(表面Wf)周縁部に当接する支持ピン6により基板Wを支持しながら遮断板5の対向面5aと基板Wの上面(裏面Wb)との間に形成される空間SPにガスを供給することによって基板Wを支持ピン6に押圧させてスピンベース13に保持させている。そして、このように基板端面に接触する保持ピン等の当接部材がない状態でスピンベース13に保持された基板Wを回転させながら端面洗浄ブラシ41等の物理洗浄手段を用いて基板Wの端面に物理力を作用させて洗浄しているので、薬液等による化学処理のみでは十分に除去しきれなかった不要物についても効果的に除去することができる。したがって、基板Wを汚染させることなく良好に洗浄処理することができる。
Further, according to this embodiment, when the end surface of the substrate W is cleaned, the opposing
また、この実施形態によれば、遮断板5の直径D1が基板Wの直径D2よりも小さくなるように遮断板5を構成しているので、端面洗浄ブラシ41等の物理洗浄手段を用いて基板Wの端面を洗浄処理する際に、端面洗浄ブラシ41と遮断板5とが接触して干渉するのを防止することができる。これにより、遮断板5からのパーティクルの発生を防止して、基板Wの汚染を防ぐことができる。
Further, according to this embodiment, since the blocking
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上記実施形態では、基板Wの裏面Wbを洗浄処理する際に、保持ピンF1〜F6、S1〜S6の当接部102を、支持ピン6によって支持される基板高さ位置である第1高さ位置P1よりも高い第2高さ位置P2に位置決めして基板Wを保持しているが、保持ピンF1〜F6、S1〜S6の当接部102を、第1高さ位置P1に位置決めして基板Wを保持するようにしてもよい。要は、基板Wの裏面Wbを洗浄処理する際に、少なくとも保持ピンF1〜F6、S1〜S6により保持されていればよい。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications other than those described above can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, in the above-described embodiment, when the back surface Wb of the substrate W is cleaned, the
また、上記実施形態では、保持ピンF1〜F6、S1〜S6により基板Wを保持する際に、規制部位102bによって基板Wの水平方向の移動を規制しているが、保持ピンの構成はこれに限定されない。例えば保持ピンにおいて、基板Wの端縁部と当接可能な当接部を回動自在に構成して、各保持ピンの当接部を基板端面に当接させるようにして基板Wを挟持するようにしてもよい。
In the above embodiment, when the substrate W is held by the holding pins F1 to F6 and S1 to S6, the movement of the substrate W in the horizontal direction is restricted by the
また、上記実施形態では、基板裏面Wbを洗浄処理する際に、すべての保持ピン、つまり保持ピンF1〜F6からなる第1保持ピン群と、保持ピンS1〜S6からなる第2保持ピン群との両方により基板Wを保持しているが、基板Wを安定に保持する限りにおいては、第1保持ピン群のみにより基板Wを保持、あるいは第2保持ピン群のみにより基板Wを保持するようにしてもよい。さらに、洗浄処理途中に、第1および第2モータM1,M2を独立に制御して、第1保持ピン群のみにより基板Wを保持した状態から第1および第2保持ピン群により基板Wを保持した状態へと切り換え、その後に第2保持ピン群のみにより基板Wを保持した状態に切り換えるようにしてもよい。このように保持状態を切り換えることにより、基板Wと保持ピンとの間の当接部分のすべてに洗浄液を回り込ませて洗浄処理を行うことができる。 In the above embodiment, when the substrate back surface Wb is cleaned, all the holding pins, that is, the first holding pin group including the holding pins F1 to F6 and the second holding pin group including the holding pins S1 to S6 are provided. However, as long as the substrate W is stably held, the substrate W is held only by the first holding pin group, or the substrate W is held only by the second holding pin group. May be. Further, during the cleaning process, the first and second motors M1 and M2 are independently controlled to hold the substrate W by the first and second holding pin groups from the state in which the substrate W is held only by the first holding pin group. It is also possible to switch to the state in which the substrate W is held, and then switch to the state in which the substrate W is held only by the second holding pin group. By switching the holding state in this way, the cleaning process can be performed by causing the cleaning liquid to wrap around all the contact portions between the substrate W and the holding pins.
また、上記実施形態では、基板表面Wfを下方に向けたフェースダウン姿勢で基板Wを保持しながら基板裏面Wbと基板端面に対して洗浄処理を施しているが、基板Wの端面のみ、または基板表面Wfと基板端面に対して、さらには基板Wの両面と基板端面に対して洗浄処理を施す基板処理装置に適用可能である。 In the above embodiment, the substrate back surface Wb and the substrate end surface are cleaned while holding the substrate W in a face-down posture with the substrate surface Wf facing downward, but only the end surface of the substrate W or the substrate The present invention is applicable to a substrate processing apparatus that performs a cleaning process on the front surface Wf and the substrate end surface, and further on both surfaces of the substrate W and the substrate end surface.
この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、光ディスク用基板などを含む基板全般の表面に対して基板を回転させながら洗浄処理などの所定の処理を施す基板処理装置に適用することができる。 The present invention provides a predetermined process such as a cleaning process while rotating the substrate with respect to the entire surface of the substrate including a semiconductor wafer, a glass substrate for a photomask, a glass substrate for a liquid crystal display, a glass substrate for a plasma display, a substrate for an optical disk, etc. It can be applied to a substrate processing apparatus that applies
5…遮断板(板状部材、押圧手段)
5a…対向面(押圧手段)
5b…ガス噴出口(押圧手段)
6…支持ピン(支持部材)
12…モータ(回転手段)
13…スピンベース(回転部材)
15…下面側ノズル(純水供給手段)
18…ガス供給ユニット(ガス供給部、押圧手段)
31…上面洗浄ブラシ(上面物理洗浄手段)
41…端面洗浄ブラシ(端面物理洗浄手段)
52…遮断板回転駆動機構(板状部材回転手段)
53…遮断板昇降駆動機構(板状部材昇降手段)
54…ガス供給路(押圧手段)
102…(保持ピンの)当接部
102a…支持部位
102b…規制部位
D1…遮断板の直径
D2…基板径
M1…第1モータ(昇降手段)
M2…第2モータ(昇降手段)
P1…第1高さ位置
P2…第2高さ位置
P3…第3高さ位置
PH…退避位置
PL…処理位置(対向位置)
PT…基板の上面の高さ位置
SP…(対向面と基板の上面との間に形成される)空間
W…基板
5 ... Shut-off plate (plate-like member, pressing means)
5a: Opposing surface (pressing means)
5b ... Gas outlet (pressing means)
6. Support pin (support member)
12 ... Motor (rotating means)
13 ... Spin base (rotating member)
15 ... Nozzle on the lower surface side (pure water supply means)
18 ... Gas supply unit (gas supply unit, pressing means)
31 ... Upper surface cleaning brush (upper surface physical cleaning means)
41 ... End face cleaning brush (end face physical cleaning means)
52 .. Shutting plate rotation drive mechanism (plate member rotating means)
53 .. Shutting plate lifting / lowering drive mechanism (plate-like member lifting / lowering means)
54 ... Gas supply path (pressing means)
DESCRIPTION OF
M2 ... Second motor (lifting means)
P1: First height position P2: Second height position P3: Third height position PH: Retraction position PL: Processing position (opposite position)
PT: Height position of the upper surface of the substrate SP: Space (formed between the opposing surface and the upper surface of the substrate) W: Substrate
Claims (9)
鉛直軸回りに回転自在に設けられた回転部材と、
前記回転部材を回転させる回転手段と、
前記回転部材に上方に向けて設けられ、前記基板の下面に当接して該基板を前記回転部材から離間させて支持する少なくとも3個以上の支持部材を有する支持手段と、
前記基板の上面にガスを供給することによって前記基板を前記支持部材に押圧させて前記基板を前記回転部材に保持させる押圧手段と、
前記押圧手段によって前記回転部材に保持された基板の端面に物理力を作用させて洗浄する端面物理洗浄手段と
を備えたことを特徴とする基板処理装置。 In a substrate processing apparatus for performing a predetermined process on the substrate while rotating the substrate,
A rotating member provided rotatably around a vertical axis;
Rotating means for rotating the rotating member;
A support means having at least three or more support members which are provided upward on the rotating member and abut against the lower surface of the substrate to support the substrate apart from the rotating member;
Pressing means for pressing the substrate against the support member by supplying gas to the upper surface of the substrate and holding the substrate on the rotating member;
A substrate processing apparatus comprising: an end face physical cleaning means for cleaning the end face of the substrate held on the rotating member by the pressing means by applying a physical force.
前記押圧手段により基板が前記回転部材に保持された状態で、前記板状部材回転手段は前記板状部材を前記基板とともに回転させる請求項2記載の基板処理装置。 A plate-like member rotating means for rotating the plate-like member around a vertical axis;
The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the plate member rotating unit rotates the plate member together with the substrate in a state where the substrate is held by the rotating member by the pressing unit.
前記板状部材は前記基板よりも小さな径を有している請求項2または3記載の基板処理装置。 The substrate and the plate-like member are substantially circular,
The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the plate member has a smaller diameter than the substrate.
鉛直軸回りに回転自在に設けられた回転部材と、
前記回転部材を回転させる回転手段と、
前記回転部材の上方に向けて設けられるとともにその先端部が前記基板の下面に当接して前記回転部材から所定距離だけ上方に離間した第1高さ位置で該基板を支持可能に構成された、少なくとも3個以上の支持部材を有する支持手段と、
前記基板の上面にガスを供給することによって前記基板を前記支持部材に向けて押圧可能に構成された押圧手段と、
前記基板の端縁部と当接可能な当接部を有し、前記回転部材の上方側で鉛直方向に昇降自在に設けられた保持手段と、
前記保持手段を上昇させることで前記当接部を前記第1高さ位置または前記第1高さ位置よりも高い第2高さ位置に位置決めさせて前記基板を保持する一方、前記保持手段を降下させることで前記当接部を前記第1高さ位置よりも低い第3高さ位置に位置させて前記当接部を前記基板の下方位置に離間させた状態で前記支持部材により前記基板を支持可能とする昇降手段とを備え、
前記当接部を前記第1高さ位置または前記第2高さ位置に位置決めして前記基板を前記当接部により保持する第1基板保持と、前記当接部を前記第3高さ位置に位置決めして前記第1高さ位置で前記基板を前記支持手段で支持するとともに前記押圧手段により前記基板を前記支持部材に向けて押圧して保持する第2基板保持とを、前記所定の処理を施す前記被処理面に応じて選択的に切り換えることを特徴とする基板処理装置。 In a substrate processing apparatus for performing predetermined processing on a plurality of processing surfaces of the substrate while rotating the substrate,
A rotating member provided rotatably around a vertical axis;
Rotating means for rotating the rotating member;
The substrate is configured to be able to support the substrate at a first height position which is provided toward the upper side of the rotating member and whose front end is in contact with the lower surface of the substrate and is spaced apart from the rotating member by a predetermined distance. A support means having at least three or more support members;
Pressing means configured to be able to press the substrate toward the support member by supplying gas to the upper surface of the substrate;
A holding means having an abutting portion capable of abutting on an edge portion of the substrate, and being vertically movable up and down on the rotating member;
By raising the holding means, the contact portion is positioned at the first height position or a second height position higher than the first height position to hold the substrate, while lowering the holding means. As a result, the substrate is supported by the support member in a state where the contact portion is positioned at a third height position lower than the first height position and the contact portion is spaced apart from the lower position of the substrate. Elevating means for enabling,
A first substrate holding for positioning the contact portion at the first height position or the second height position and holding the substrate by the contact portion; and the contact portion at the third height position. The second substrate holding that positions and supports the substrate at the first height position by the support means and presses the substrate toward the support member by the pressing means and holds the predetermined processing. A substrate processing apparatus, wherein the switching is selectively performed according to the surface to be processed.
前記板状部材を昇降させて、前記板状部材を前記基板の上面に近接対向させる対向位置と前記基板の上面から離間させる離間位置とに位置決めする板状部材昇降手段をさらに備える請求項7記載の基板処理装置。 The pressing means is opposed to the upper surface of the substrate and has a plate-like member having an opposing surface provided with a gas outlet, and between the opposing surface and the upper surface of the substrate by ejecting gas from the gas outlet. A gas supply unit for supplying gas to the space formed in
8. The plate-like member raising / lowering means for raising and lowering the plate-like member and positioning the plate-like member at a facing position where the plate-like member is closely opposed to the upper surface of the substrate and a separation position where the plate-like member is separated from the upper surface of the substrate. Substrate processing equipment.
前記規制部位の高さは前記基板の上面の高さ位置よりも低いことを特徴とする請求項7または8記載の基板処理装置。
In the holding means, a support portion where the contact portion contacts the lower surface of the substrate to support the substrate, and a restriction portion which restricts movement of the substrate in the horizontal direction by contacting the end surface of the substrate. Have
The substrate processing apparatus according to claim 7, wherein a height of the restriction portion is lower than a height position of the upper surface of the substrate.
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JP2005249972A JP2007067101A (en) | 2005-08-30 | 2005-08-30 | Substrate processing apparatus |
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009283721A (en) * | 2008-05-22 | 2009-12-03 | Fujitsu Microelectronics Ltd | Method for manufacturing semiconductor device |
KR101548754B1 (en) | 2009-06-23 | 2015-08-31 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Liquid processing apparatus |
WO2017164186A1 (en) * | 2016-03-25 | 2017-09-28 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing method and substrate processing device |
JP2017183711A (en) * | 2016-03-25 | 2017-10-05 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing method and substrate processing device |
CN109390270A (en) * | 2014-06-02 | 2019-02-26 | 应用材料公司 | Go up and down pin assemblies |
-
2005
- 2005-08-30 JP JP2005249972A patent/JP2007067101A/en not_active Withdrawn
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009283721A (en) * | 2008-05-22 | 2009-12-03 | Fujitsu Microelectronics Ltd | Method for manufacturing semiconductor device |
KR101548754B1 (en) | 2009-06-23 | 2015-08-31 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Liquid processing apparatus |
CN109390270A (en) * | 2014-06-02 | 2019-02-26 | 应用材料公司 | Go up and down pin assemblies |
CN109390270B (en) * | 2014-06-02 | 2023-04-11 | 应用材料公司 | Lift pin assembly |
WO2017164186A1 (en) * | 2016-03-25 | 2017-09-28 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing method and substrate processing device |
JP2017183711A (en) * | 2016-03-25 | 2017-10-05 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing method and substrate processing device |
KR20180109973A (en) * | 2016-03-25 | 2018-10-08 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
CN108701609A (en) * | 2016-03-25 | 2018-10-23 | 株式会社斯库林集团 | Substrate processing method using same and substrate board treatment |
TWI671140B (en) * | 2016-03-25 | 2019-09-11 | 斯庫林集團股份有限公司 | Substrate processing method and substrate processing device |
KR102168058B1 (en) * | 2016-03-25 | 2020-10-20 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
US10854479B2 (en) | 2016-03-25 | 2020-12-01 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing method and substrate processing device |
CN108701609B (en) * | 2016-03-25 | 2023-03-24 | 株式会社斯库林集团 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
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