JP2008177429A - Light-emitting element assembly - Google Patents

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JP2008177429A JP2007010579A JP2007010579A JP2008177429A JP 2008177429 A JP2008177429 A JP 2008177429A JP 2007010579 A JP2007010579 A JP 2007010579A JP 2007010579 A JP2007010579 A JP 2007010579A JP 2008177429 A JP2008177429 A JP 2008177429A
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Takeshi Masui
勇志 増井
Takahiro Arakida
孝博 荒木田
Rintaro Koda
倫太郎 幸田
Tomoyuki Oki
智之 大木
Nobukata Okano
展賢 岡野
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light-emitting element assembly integrated (single chip) with a light-emitting element in which a regrowth process of a compound semiconductor layer is not required in structure and a protective means effective for breakdown due to overcurrent flow in the forward or reverse direction is provided. <P>SOLUTION: The light-emitting element assembly comprises a bypass diode 20 formed on a substrate 10, a light-emitting element 30 formed thereon, and a reverse direction diode 40 formed above the substrate 10 separately from the light-emitting element 30. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、発光素子組立体に関する。   The present invention relates to a light emitting device assembly.

半導体レーザ素子等の発光素子においては、ｐ型導電型を有する化合物半導体層と、ｎ型導電型を有する化合物半導体層との間に活性層を設け、ｐｎ接合に対して順方向に通電することで、発光（例えばレーザ発振）を得ている。しかしながら、過剰な電流が順方向に流れると、端面破壊や欠陥形成によって発光素子が破損する虞がある。また、逆方向に過電流が流れても、欠陥形成等によって発光素子が破損する虞がある。このような過電流は、機器の製造工程や機器の使用中において、静電気によって、屡々、生成する。そのため、静電気による破壊（ＥＳＤと呼ばれる）から発光素子を防護するために、従来から、ＥＳＤ対策素子を発光素子と電気的に並列に接続して過電流を迂回させている。ここで、ＥＳＤ対策素子として、バリスタ、ツェナダイオード、逆方向ダイオード、コンデンサを挙げることができる。そして、一定以上の電圧が発光素子に印加された場合や、発光素子に印加される電圧が短時間に大きく変化した場合、これらのＥＳＤ対策素子には大きな電流が流れるので、発光素子の負荷を軽減することができる。   In a light emitting element such as a semiconductor laser element, an active layer is provided between a compound semiconductor layer having a p-type conductivity type and a compound semiconductor layer having an n-type conductivity type, and a forward current is supplied to the pn junction. Thus, light emission (for example, laser oscillation) is obtained. However, if an excessive current flows in the forward direction, the light emitting element may be damaged due to end face destruction or defect formation. Even if an overcurrent flows in the reverse direction, the light emitting element may be damaged due to defect formation or the like. Such an overcurrent is often generated by static electricity during the manufacturing process of the device and the use of the device. For this reason, in order to protect the light emitting element from electrostatic breakdown (called ESD), conventionally, an ESD countermeasure element is electrically connected in parallel with the light emitting element to bypass overcurrent. Here, examples of the ESD countermeasure element include a varistor, a Zener diode, a reverse diode, and a capacitor. When a voltage higher than a certain level is applied to the light emitting element, or when the voltage applied to the light emitting element changes greatly in a short time, a large current flows through these ESD countermeasure elements. Can be reduced.

特開平６−９７５７４号公報JP-A-6-97574 特開平９−２７６５１号公報JP-A-9-27651

ところで、これらのＥＳＤ対策素子を、個別の部品として発光素子と並列に組み込むことは、実装作業量の増加、製造コストの増加を招くので、発光素子自体にＥＳＤ対策素子の役割を組み込むことが望ましい。   By the way, incorporating these ESD countermeasure elements in parallel with the light emitting elements as individual components leads to an increase in the amount of mounting work and an increase in manufacturing cost. Therefore, it is desirable to incorporate the role of the ESD countermeasure elements in the light emitting elements themselves. .

例えば、特開平６−９７５７４号公報に開示された半導体レーザ装置にあっては、結晶成長を複数回行って、半導体レーザ活性層と並列に逆方向ｐｎ接合部を設け、逆方向の過電流がこの逆方向ｐｎ接合部を迂回する構造としている。しかしながら、化合物半導体層の再成長が必要とされるので、製造工程の複雑化を招く。ここで、化合物半導体層の再成長とは、複数の化合物半導体層の結晶成長を一連の工程として行い、次いで、得られた複数の化合物半導体層に別の処理（例えば、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程）を行い、その後、再び、複数の化合物半導体層の結晶成長を一連の工程として行うことを意味する。しかも、順方向の過電流が流れることによって生じる破壊（順方向ＥＳＤと呼ばれる）に対する有効な対策は取られていない。   For example, in the semiconductor laser device disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 6-97574, crystal growth is performed a plurality of times, a reverse pn junction is provided in parallel with the semiconductor laser active layer, and a reverse overcurrent is generated. This reverse pn junction is bypassed. However, since regrowth of the compound semiconductor layer is required, the manufacturing process becomes complicated. Here, the regrowth of the compound semiconductor layer is a process in which crystal growth of a plurality of compound semiconductor layers is performed as a series of processes, and then another treatment (for example, a photolithography process and an etching process) is performed on the obtained compound semiconductor layers. ) And then, again, crystal growth of a plurality of compound semiconductor layers is performed as a series of steps. In addition, no effective countermeasure is taken against destruction (referred to as forward ESD) caused by the forward overcurrent flowing.

また、特開平９−２７６５１号公報に開示された半導体レーザにあっては、結晶成長を複数回行って、半導体レーザ活性層と並列にレーザ活性層よりもバンドギャップの大きい材料でｐｎ接合部を設け、順方向の過電流がこのｐｎ部を迂回する構造としている。しかしながら、やはり、化合物半導体層の再成長が必要とされ、しかも、逆方向の過電流が流れることによって生じる破壊（逆方向ＥＳＤと呼ばれる）に対する有効な対策は取られていない。   In the semiconductor laser disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 9-27651, crystal growth is performed a plurality of times, and a pn junction is formed in parallel with the semiconductor laser active layer with a material having a larger band gap than the laser active layer. And a forward overcurrent bypasses the pn portion. However, the regrowth of the compound semiconductor layer is still required, and no effective countermeasure is taken against destruction (called reverse ESD) caused by reverse overcurrent flowing.

従って、本発明の目的は、発光素子と一体化（１チップ化）され、構造上、化合物半導体層の再成長工程が不要であり、しかも、逆方向の過電流が流れることによって生じる破壊、及び、順方向の過電流が流れることによって生じる破壊に対して有効な防護手段を有する発光素子組立体を提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to integrate with a light emitting element (single chip), and structurally, a regrowth process of the compound semiconductor layer is unnecessary, and furthermore, destruction caused by an overcurrent flowing in the reverse direction, and Another object of the present invention is to provide a light emitting device assembly having a protective means effective against destruction caused by a forward overcurrent flowing.

上記の目的を達成するための本発明の第１の態様に係る発光素子組立体は、
（Ａ）基板上に形成され、それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型を有する第１層、及び、第２導電型を有する第２層から構成されたバイパス・ダイオード、
（Ｂ）バイパス・ダイオード上に形成され、それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型を有する第１層、活性層、及び、第１導電型を有する第２層から構成された発光素子、並びに、
（Ｃ）基板の上方に、発光素子と分離して形成され、それぞれが化合物半導体から成り、第２導電型を有する第１層、及び、第１導電型を有する第２層から少なくとも構成された逆方向ダイオード、
を備えていることを特徴とする。 To achieve the above object, a light emitting device assembly according to a first aspect of the present invention comprises:
(A) a bypass diode formed on a substrate, each composed of a compound semiconductor, and configured from the substrate side from a first layer having a first conductivity type and a second layer having a second conductivity type;
(B) formed on a bypass diode, each made of a compound semiconductor, and from the substrate side, a first layer having a second conductivity type, an active layer, and a second layer having a first conductivity type A light emitting element, and
(C) Formed separately from the light emitting element above the substrate, each of which is made of a compound semiconductor, and at least includes a first layer having a second conductivity type and a second layer having a first conductivity type Reverse diode,
It is characterized by having.

本発明の第１の態様に係る発光素子組立体において、発光素子は、発光素子を構成する第２層を介して光を出射する面発光レーザ素子（垂直共振器レーザ、ＶＣＳＥＬ）から成る形態とすることができ、あるいは又、端面から光を出射する端面発光レーザ素子から成る形態とすることができる。   In the light emitting device assembly according to the first aspect of the present invention, the light emitting device comprises a surface emitting laser device (vertical cavity laser, VCSEL) that emits light through the second layer constituting the light emitting device. Alternatively, it may be configured by an edge-emitting laser element that emits light from the end face.

上記の好ましい形態を含む本発明の第１の態様に係る発光素子組立体にあっては、逆方向ダイオードと基板との間には、バイパス・ダイオードを構成する第１層の延在部及び第２層の延在部が設けられている構成とすることができる。このように、逆方向ダイオードと基板との間には、本来、機能的には必要とされないダミーダイオードが形成されているが、係るダミーダイオードは、本発明の第１の態様に係る発光素子組立体において、逆方向ダイオードを一連の結晶成長の過程で形成するために必要とされるものであり、それ自体の存在が発光素子組立体の動作に何ら影響を与えるものではない。   In the light emitting device assembly according to the first aspect of the present invention including the above preferred embodiment, the extension portion of the first layer constituting the bypass diode and the first portion between the reverse diode and the substrate are provided. It can be set as the structure by which the extension part of two layers is provided. As described above, a dummy diode that is not originally required in terms of function is formed between the reverse direction diode and the substrate. The dummy diode is a light emitting element group according to the first aspect of the present invention. In a three-dimensional structure, the reverse diode is required to form a series of crystal growth processes, and the presence of the diode itself does not affect the operation of the light emitting device assembly.

更には、以上に説明した好ましい形態を含む本発明の第１の態様に係る発光素子組立体にあっては、発光素子を構成する第１層と逆方向ダイオードを構成する第１層とは、同一の層から成り、発光素子を構成する第２層と逆方向ダイオードを構成する第２層とは、同一の層から成る構成とすることが好ましい。   Furthermore, in the light emitting element assembly according to the first aspect of the present invention including the preferred embodiment described above, the first layer constituting the light emitting element and the first layer constituting the reverse diode are: It is preferable that the second layer constituting the light emitting element and the second layer constituting the reverse diode are formed of the same layer and are configured of the same layer.

以上に説明した好ましい形態、構成を含む本発明の第１の態様に係る発光素子組立体にあっては、
バイパス・ダイオードを構成する第１層は、第１電極に接続され、
バイパス・ダイオードを構成する第２層、及び、発光素子を構成する第１層は、第２電極に接続され、
発光素子を構成する第２層は、第３電極に接続され、
逆方向ダイオードを構成する第１層は、第４電極に接続され、
逆方向ダイオードを構成する第２層は、第５電極に接続され、
第１電極、第３電極及び第４電極は、発光素子駆動電源の第１出力部に接続され、
第２電極及び第５電極は、発光素子駆動電源の第２出力部に接続されている構成とすることができる。 In the light emitting device assembly according to the first aspect of the present invention including the preferred embodiment and configuration described above,
The first layer constituting the bypass diode is connected to the first electrode,
The second layer constituting the bypass diode and the first layer constituting the light emitting element are connected to the second electrode,
The second layer constituting the light emitting element is connected to the third electrode,
The first layer constituting the reverse diode is connected to the fourth electrode,
The second layer constituting the reverse diode is connected to the fifth electrode,
The first electrode, the third electrode, and the fourth electrode are connected to the first output portion of the light emitting element driving power source,
The 2nd electrode and the 5th electrode can be set as the structure connected to the 2nd output part of the light emitting element drive power supply.

上記の目的を達成するための本発明の第２の態様に係る発光素子組立体は、
（Ａ）基板上に形成され、それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型を有する第１層、活性層、及び、第２導電型を有する第２層から構成された発光素子、
（Ｂ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型を有する第１層、及び、第１導電型を有する第２層から構成されたバイパス・ダイオード、
（Ｃ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型を有する第１層、及び、第２導電型を有する第２層から構成されたダミーダイオード、並びに、
（Ｄ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型を有する第１層、及び、第１導電型を有する第２層から構成された逆方向ダイオード、
が順次積層されて成ることを特徴とする。 In order to achieve the above object, a light emitting device assembly according to a second aspect of the present invention includes:
(A) A light-emitting element formed on a substrate, each composed of a compound semiconductor, and configured from the substrate side from a first layer having a first conductivity type, an active layer, and a second layer having a second conductivity type ,
(B) each composed of a compound semiconductor, and from the substrate side, the first layer having the second conductivity type, and the bypass diode composed of the second layer having the first conductivity type,
(C) each made of a compound semiconductor, and from the substrate side, a dummy diode composed of a first layer having a first conductivity type and a second layer having a second conductivity type, and
(D) each of which is made of a compound semiconductor, and from the substrate side, a reverse diode composed of a first layer having the second conductivity type and a second layer having the first conductivity type;
Are sequentially laminated.

本発明の第２の態様に係る発光素子組立体にあっては、
発光素子を構成する第２層と、バイパス・ダイオードを構成する第１層は、共通の第１化合物半導体層から成り、
バイパス・ダイオードを構成する第２層と、ダミーダイオードを構成する第１層は、共通の第２化合物半導体層から成り、
ダミーダイオードを構成する第２層と、逆方向ダイオードを構成する第１層は、共通の第３化合物半導体層から成る構成とすることができる。 In the light emitting device assembly according to the second aspect of the present invention,
The second layer constituting the light emitting element and the first layer constituting the bypass diode are composed of a common first compound semiconductor layer,
The second layer constituting the bypass diode and the first layer constituting the dummy diode are composed of a common second compound semiconductor layer,
The second layer constituting the dummy diode and the first layer constituting the reverse diode can be constituted by a common third compound semiconductor layer.

上記の好ましい構成を含む本発明の第２の態様に係る発光素子組立体にあっては、
バイパス・ダイオードを構成する第２層は、第１電極に接続され、
発光素子を構成する第２層、及び、バイパス・ダイオードを構成する第１層は、第２電極に接続され、
発光素子を構成する第１層は、第３電極に接続され、
逆方向ダイオードを構成する第１層は、第４電極に接続され、
逆方向ダイオードを構成する第２層は、第５電極に接続され、
第１電極、第３電極及び第４電極は、発光素子駆動電源の第１出力部に接続され、
第２電極及び第５電極は、発光素子駆動電源の第２出力部に接続されている構成とすることができる。 In the light emitting element assembly according to the second aspect of the present invention including the above preferable configuration,
The second layer constituting the bypass diode is connected to the first electrode,
The second layer constituting the light emitting element and the first layer constituting the bypass diode are connected to the second electrode,
The first layer constituting the light emitting element is connected to the third electrode,
The first layer constituting the reverse diode is connected to the fourth electrode,
The second layer constituting the reverse diode is connected to the fifth electrode,
The first electrode, the third electrode, and the fourth electrode are connected to the first output portion of the light emitting element driving power source,
The 2nd electrode and the 5th electrode can be set as the structure connected to the 2nd output part of the light emitting element drive power supply.

上記の目的を達成するための本発明の第３の態様に係る発光素子組立体は、
（Ａ）基板上に形成され、それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型を有する第１層、及び、第２導電型を有する第２層から構成されたバイパス・ダイオード、
（Ｂ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型を有する第１層、活性層、及び、第１導電型を有する第２層から構成された発光素子、
（Ｃ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型を有する第１層、及び、第２導電型を有する第２層から構成されたダミーダイオード、並びに、
（Ｄ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型を有する第１層、及び、第１導電型を有する第２層から構成された逆方向ダイオード、
が順次積層されて成ることを特徴とする。 In order to achieve the above object, a light emitting device assembly according to a third aspect of the present invention includes:
(A) a bypass diode formed on a substrate, each composed of a compound semiconductor, and configured from the substrate side from a first layer having a first conductivity type and a second layer having a second conductivity type;
(B) Each of which is made of a compound semiconductor, and from the substrate side, a light emitting device including a first layer having a second conductivity type, an active layer, and a second layer having a first conductivity type,
(C) each made of a compound semiconductor, and from the substrate side, a dummy diode composed of a first layer having a first conductivity type and a second layer having a second conductivity type, and
(D) each of which is made of a compound semiconductor, and from the substrate side, a reverse diode composed of a first layer having the second conductivity type and a second layer having the first conductivity type;
Are sequentially laminated.

本発明の第３の態様に係る発光素子組立体にあっては、
バイパス・ダイオードを構成する第２層と、発光素子を構成する第１層は、共通の第１化合物半導体層から成り、
発光素子を構成する第２層と、ダミーダイオードを構成する第１層は、共通の第２化合物半導体層から成り、
ダミーダイオードを構成する第２層と、逆方向ダイオードを構成する第１層は、共通の第３化合物半導体層から成る構成とすることができる。 In the light emitting element assembly according to the third aspect of the present invention,
The second layer that constitutes the bypass diode and the first layer that constitutes the light emitting element are composed of a common first compound semiconductor layer,
The second layer constituting the light emitting element and the first layer constituting the dummy diode are composed of a common second compound semiconductor layer,
The second layer constituting the dummy diode and the first layer constituting the reverse diode can be constituted by a common third compound semiconductor layer.

上記の好ましい構成を含む本発明の第３の態様に係る発光素子組立体にあっては、
バイパス・ダイオードを構成する第１層は、第１電極に接続され、
発光素子を構成する第１層、及び、バイパス・ダイオードを構成する第２層は、第２電極に接続され、
発光素子を構成する第２層は、第３電極に接続され、
逆方向ダイオードを構成する第１層は、第４電極に接続され、
逆方向ダイオードを構成する第２層は、第５電極に接続され、
第１電極、第３電極及び第４電極は、発光素子駆動電源の第１出力部に接続され、
第２電極及び第５電極は、発光素子駆動電源の第２出力部に接続されている構成とすることができる。 In the light emitting element assembly according to the third aspect of the present invention including the above preferable configuration,
The first layer constituting the bypass diode is connected to the first electrode,
The first layer constituting the light emitting element and the second layer constituting the bypass diode are connected to the second electrode,
The second layer constituting the light emitting element is connected to the third electrode,
The first layer constituting the reverse diode is connected to the fourth electrode,
The second layer constituting the reverse diode is connected to the fifth electrode,
The first electrode, the third electrode, and the fourth electrode are connected to the first output portion of the light emitting element driving power source,
The 2nd electrode and the 5th electrode can be set as the structure connected to the 2nd output part of the light emitting element drive power supply.

上記の目的を達成するための本発明の第４の態様に係る発光素子組立体は、
（Ａ）基板上に形成され、それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型を有する第１層、及び、第２導電型を有する第２層から構成された逆方向ダイオード、
（Ｂ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型を有する第１層、及び、第１導電型を有する第２層から構成されたダミーダイオード、
（Ｃ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型を有する第１層、及び、第２導電型を有する第２層から構成されたバイパス・ダイオード、並びに、
（Ｄ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型を有する第１層、活性層、及び、第１導電型を有する第２層から構成された発光素子、
が順次積層されて成ることを特徴とする。 In order to achieve the above object, a light emitting device assembly according to a fourth aspect of the present invention includes:
(A) a reverse diode formed on a substrate, each composed of a compound semiconductor, and configured from the substrate side from a first layer having a first conductivity type and a second layer having a second conductivity type;
(B) each of which is made of a compound semiconductor, and from the substrate side, a dummy diode composed of a first layer having the second conductivity type and a second layer having the first conductivity type;
(C) each composed of a compound semiconductor, and from the substrate side, a bypass diode composed of a first layer having a first conductivity type and a second layer having a second conductivity type, and
(D) each of which is made of a compound semiconductor, and from the substrate side, a light emitting device composed of a first layer having a second conductivity type, an active layer, and a second layer having a first conductivity type,
Are sequentially laminated.

本発明の第４の態様に係る発光素子組立体にあっては、
逆方向ダイオードを構成する第２層と、ダミーダイオードを構成する第１層は、共通の第１化合物半導体層から成り、
ダミーダイオードを構成する第２層と、バイパス・ダイオードを構成する第１層は、共通の第２化合物半導体層から成り、
バイパス・ダイオードを構成する第２層と、発光素子を構成する第１層は、共通の第３化合物半導体層から成る構成とすることができる。 In the light emitting device assembly according to the fourth aspect of the present invention,
The second layer constituting the reverse diode and the first layer constituting the dummy diode are composed of a common first compound semiconductor layer,
The second layer constituting the dummy diode and the first layer constituting the bypass diode are composed of a common second compound semiconductor layer,
The second layer constituting the bypass diode and the first layer constituting the light emitting element can be constituted by a common third compound semiconductor layer.

上記の好ましい構成を含む本発明の第４の態様に係る発光素子組立体にあっては、
バイパス・ダイオードを構成する第１層は、第１電極に接続され、
発光素子を構成する第１層、及び、バイパス・ダイオードを構成する第２層は、第２電極に接続され、
発光素子を構成する第２層は、第３電極に接続され、
逆方向ダイオードを構成する第２層は、第４電極に接続され、
逆方向ダイオードを構成する第１層は、第５電極に接続され、
第１電極、第３電極及び第４電極は、発光素子駆動電源の第１出力部に接続され、
第２電極及び第５電極は、発光素子駆動電源の第２出力部に接続されている構成とすることができる。 In the light emitting element assembly according to the fourth aspect of the present invention including the above preferable configuration,
The first layer constituting the bypass diode is connected to the first electrode,
The first layer constituting the light emitting element and the second layer constituting the bypass diode are connected to the second electrode,
The second layer constituting the light emitting element is connected to the third electrode,
The second layer constituting the reverse diode is connected to the fourth electrode,
The first layer constituting the reverse diode is connected to the fifth electrode,
The first electrode, the third electrode, and the fourth electrode are connected to the first output portion of the light emitting element driving power source,
The 2nd electrode and the 5th electrode can be set as the structure connected to the 2nd output part of the light emitting element drive power supply.

上記の目的を達成するための本発明の第５の態様に係る発光素子組立体は、
（Ａ）基板上に形成され、それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型を有する第１層、及び、第２導電型を有する第２層から構成された逆方向ダイオード、
（Ｂ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型を有する第１層、及び、第１導電型を有する第２層から構成されたダミーダイオード、
（Ｃ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型を有する第１層、活性層、及び、第２導電型を有する第２層から構成された発光素子、並びに、
（Ｄ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型を有する第１層、及び、第１導電型を有する第２層から構成されたバイパス・ダイオード、
が順次積層されて成ることを特徴とする。 In order to achieve the above object, a light emitting device assembly according to a fifth aspect of the present invention includes:
(A) a reverse diode formed on a substrate, each composed of a compound semiconductor, and configured from the substrate side from a first layer having a first conductivity type and a second layer having a second conductivity type;
(B) each of which is made of a compound semiconductor, and from the substrate side, a dummy diode composed of a first layer having the second conductivity type and a second layer having the first conductivity type;
(C) each of which is made of a compound semiconductor, and from the substrate side, a light emitting element composed of a first layer having a first conductivity type, an active layer, and a second layer having a second conductivity type, and
(D) each of which is made of a compound semiconductor, and includes, from the substrate side, a first layer having a second conductivity type and a bypass diode composed of a second layer having a first conductivity type,
Are sequentially laminated.

本発明の第５の態様に係る発光素子組立体にあっては、
逆方向ダイオードを構成する第２層と、ダミーダイオードを構成する第１層は、共通の第１化合物半導体層から成り、
ダミーダイオードを構成する第２層と、発光素子を構成する第１層は、共通の第２化合物半導体層から成り、
発光素子を構成する第２層と、バイパス・ダイオードを構成する第１層は、共通の第３化合物半導体層から成る構成とすることができる。 In the light emitting element assembly according to the fifth aspect of the present invention,
The second layer constituting the reverse diode and the first layer constituting the dummy diode are composed of a common first compound semiconductor layer,
The second layer that constitutes the dummy diode and the first layer that constitutes the light emitting element are composed of a common second compound semiconductor layer,
The second layer constituting the light emitting element and the first layer constituting the bypass diode can be constituted by a common third compound semiconductor layer.

上記の好ましい構成を含む本発明の第５の態様に係る発光素子組立体にあっては、
バイパス・ダイオードを構成する第２層は、第１電極に接続され、
発光素子を構成する第２層、及び、バイパス・ダイオードを構成する第１層は、第２電極に接続され、
発光素子を構成する第１層は、第３電極に接続され、
逆方向ダイオードを構成する第２層は、第４電極に接続され、
逆方向ダイオードを構成する第１層は、第５電極に接続され、
第１電極、第３電極及び第４電極は、発光素子駆動電源の第１出力部に接続され、
第２電極及び第５電極は、発光素子駆動電源の第２出力部に接続されている構成とすることができる。 In the light emitting element assembly according to the fifth aspect of the present invention including the above preferable configuration,
The second layer constituting the bypass diode is connected to the first electrode,
The second layer constituting the light emitting element and the first layer constituting the bypass diode are connected to the second electrode,
The first layer constituting the light emitting element is connected to the third electrode,
The second layer constituting the reverse diode is connected to the fourth electrode,
The first layer constituting the reverse diode is connected to the fifth electrode,
The first electrode, the third electrode, and the fourth electrode are connected to the first output portion of the light emitting element driving power source,
The 2nd electrode and the 5th electrode can be set as the structure connected to the 2nd output part of the light emitting element drive power supply.

本発明の第２の態様に係る発光素子組立体においては、バイパス・ダイオードと逆方向ダイオードとの間に、本来、機能的には必要とされないダミーダイオードが形成されている。また、本発明の第３の態様に係る発光素子組立体においては、発光素子と逆方向ダイオードとの間に、本来、機能的には必要とされないダミーダイオードが形成されている。係るダミーダイオードは、本発明の第２の態様あるいは第３の態様に係る発光素子組立体において、逆方向ダイオードを一連の結晶成長の過程で形成するために必要とされるものであり、それ自体の存在が発光素子組立体の動作に何ら影響を与えるものではない。本発明の第４の態様に係る発光素子組立体においては、逆方向ダイオードとバイパス・ダイオードとの間に、本来、機能的には必要とされないダミーダイオードが形成されている。また、本発明の第５の態様に係る発光素子組立体においては、逆方向ダイオードと発光素子との間に、本来、機能的には必要とされないダミーダイオードが形成されている。係るダミーダイオードは、本発明の第４の態様あるいは第５の態様に係る発光素子組立体において、発光素子、バイパス・ダイオードを一連の結晶成長の過程で形成するために必要とされるものであり、それ自体の存在が発光素子組立体の動作に何ら影響を与えるものではない。   In the light emitting element assembly according to the second aspect of the present invention, a dummy diode that is not essentially required in terms of function is formed between the bypass diode and the reverse diode. Further, in the light emitting element assembly according to the third aspect of the present invention, a dummy diode that is not originally required in terms of function is formed between the light emitting element and the reverse direction diode. Such a dummy diode is necessary for forming the reverse diode in the course of a series of crystal growth in the light emitting device assembly according to the second aspect or the third aspect of the present invention. Does not affect the operation of the light emitting device assembly. In the light emitting element assembly according to the fourth aspect of the present invention, a dummy diode that is not essentially required in terms of function is formed between the reverse diode and the bypass diode. Further, in the light emitting element assembly according to the fifth aspect of the present invention, a dummy diode that is not originally required in terms of function is formed between the reverse direction diode and the light emitting element. Such a dummy diode is required for forming a light emitting element and a bypass diode in a series of crystal growth processes in the light emitting element assembly according to the fourth aspect or the fifth aspect of the present invention. The presence of itself does not affect the operation of the light emitting device assembly.

以上に説明した好ましい形態、構成を含む本発明の第２の態様〜第５の態様に係る発光素子組立体において、発光素子は発光ダイオードから成る形態とすることができる。   In the light-emitting element assemblies according to the second to fifth aspects of the present invention including the preferred modes and configurations described above, the light-emitting elements can be formed of light-emitting diodes.

上記の目的を達成するための本発明の第６の態様に係る発光素子組立体は、バイパス・ダイオード、発光素子、及び、逆方向ダイオードが１チップ化されて成る発光素子組立体であって、
バイパス・ダイオードの一端、発光素子の一端、及び、逆方向ダイオードの一端は、発光素子駆動電源の第１出力部に接続され、
発光素子の他端、及び、逆方向ダイオードの他端は、発光素子駆動電源の第２出力部に接続されていることを特徴とする。 To achieve the above object, a light emitting device assembly according to a sixth aspect of the present invention is a light emitting device assembly in which a bypass diode, a light emitting device, and a reverse diode are integrated into one chip,
One end of the bypass diode, one end of the light emitting element, and one end of the reverse diode are connected to the first output of the light emitting element driving power source,
The other end of the light emitting element and the other end of the reverse diode are connected to a second output unit of the light emitting element driving power source.

本発明の第６の態様に係る発光素子組立体において、バイパス・ダイオード及び発光素子は積層されており、逆方向ダイオードは発光素子と分離されている構成とすることができ、あるいは又、発光素子、バイパス・ダイオード、及び、逆方向ダイオードは積層されている構成とすることができる。   In the light-emitting element assembly according to the sixth aspect of the present invention, the bypass diode and the light-emitting element are stacked, and the reverse diode is separated from the light-emitting element, or the light-emitting element. The bypass diode and the reverse diode can be stacked.

以上に説明した好ましい形態、構成を含む本発明の第１の態様〜第６の態様に係る発光素子組立体（以下、これらを総称して、単に、本発明と呼ぶ場合がある）にあっては、バイパス・ダイオードの動作開始電圧（ターン・オン電圧）は、発光素子の動作開始電圧（ターン・オン電圧）よりも高いことが要求される。また、逆方向ダイオードの動作開始電圧（ターン・オン電圧）は、発光素子の動作開始電圧（ターン・オン電圧）よりも低いことが望ましい。尚、発光素子、バイパス・ダイオード、逆方向ダイオードの動作開始電圧（ターン・オン電圧）は、これらを構成する各層の組成（物性）を適切に選択することで、適宜、決定することができる。   In the light-emitting element assemblies according to the first to sixth aspects of the present invention including the preferred embodiments and configurations described above (hereinafter, these may be collectively referred to as the present invention). The operation start voltage (turn-on voltage) of the bypass diode is required to be higher than the operation start voltage (turn-on voltage) of the light emitting element. Further, the operation start voltage (turn-on voltage) of the reverse diode is preferably lower than the operation start voltage (turn-on voltage) of the light emitting element. In addition, the operation start voltage (turn-on voltage) of the light emitting element, the bypass diode, and the reverse diode can be appropriately determined by appropriately selecting the composition (physical properties) of each layer constituting them.

本発明にあっては、発光素子、バイパス・ダイオード、逆方向ダイオード、ダミーダイオードにおける種々の層を構成する化合物半導体として、ＧａＮ系化合物半導体（ＡｌＧａＮ混晶あるいはＡｌＩｎＧａＮ混晶、ＩｎＧａＮ混晶を含む）、ＩｎＮ系化合物半導体、ＡｌＮ系化合物半導体、ＧａＡｓ系化合物半導体、ＡｌＧａＡｓ系化合物半導体、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体、ＡｌＧａＩｎＡｓ系化合物半導体、ＧａＩｎＡｓ系化合物半導体、ＧａＩｎＡｓＰ系化合物半導体、ＧａＰ系化合物半導体、ＩｎＰ系化合物半導体を例示することができる。これらの層の形成方法（成膜方法）として、有機金属化学的気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）や分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）、ハロゲンが輸送あるいは反応に寄与するハイドライド気相成長法を挙げることができる。   In the present invention, GaN-based compound semiconductors (including AlGaN mixed crystals, AlInGaN mixed crystals, and InGaN mixed crystals) are used as compound semiconductors constituting various layers in light emitting elements, bypass diodes, reverse diodes, and dummy diodes. InN compound semiconductor, AlN compound semiconductor, GaAs compound semiconductor, AlGaAs compound semiconductor, AlGaInP compound semiconductor, AlGaInAs compound semiconductor, GaInAs compound semiconductor, GaInAsP compound semiconductor, GaP compound semiconductor, InP compound semiconductor Can be illustrated. Examples of methods for forming these layers (film formation methods) include metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD), molecular beam epitaxy (MBE), and hydride vapor deposition in which halogen contributes to transport or reaction. be able to.

本発明において、基板として、サファイア基板、ＧａＡｓ基板、ＧａＮ基板、ＳｉＣ基板、アルミナ基板、ＺｎＳ基板、ＺｎＯ基板、ＡｌＮ基板、ＬｉＭｇＯ基板、ＬｉＧａＯ2基板、ＭｇＡｌ2Ｏ4基板、ＩｎＰ基板、Ｓｉ基板、Ｇｅ基板、これらの基板の表面（主面）に下地層やバッファ層が形成されたものを挙げることができる。 In the present invention, as a substrate, sapphire substrate, GaAs substrate, GaN substrate, SiC substrate, alumina substrate, ZnS substrate, ZnO substrate, AlN substrate, LiMgO substrate, LiGaO 2 substrate, MgAl 2 O 4 substrate, InP substrate, Si substrate, Examples thereof include Ge substrates and those having a base layer or a buffer layer formed on the surface (main surface) of these substrates.

第１導電型がｎ型である場合には、第２導電型はｐ型であり、第１導電型がｐ型である場合には、第２導電型はｎ型である。   When the first conductivity type is n-type, the second conductivity type is p-type, and when the first conductivity type is p-type, the second conductivity type is n-type.

本発明の第１の態様に係る発光素子組立体あるいは、本発明の第６の態様に係る発光素子組立体の好ましい構成において、逆方向ダイオードと発光素子とを分離させるには、逆方向ダイオードを構成する層と発光素子を構成する層との間の領域を、例えば、リソグラフィ技術と、ウェットエッチング法あるいはドライエッチング法との組合せによって除去すればよい。ここで、逆方向ダイオードと発光素子とは、上述したように、同じ層構成とすることが、製造の簡素化といった観点から好ましい。   In a preferable configuration of the light emitting element assembly according to the first aspect of the present invention or the light emitting element assembly according to the sixth aspect of the present invention, in order to separate the reverse direction diode and the light emitting element, the reverse direction diode is used. The region between the constituent layer and the layer constituting the light emitting element may be removed by, for example, a combination of a lithography technique and a wet etching method or a dry etching method. Here, as described above, the reverse diode and the light emitting element preferably have the same layer configuration from the viewpoint of simplification of manufacturing.

第１電極〜第５電極を構成する材料は、第１電極〜第５電極を形成するための下地層の導電型によって決定すればよく、あるいは又、光の出射方向によって決定すればよく、例えば、下地層の導電型がｐ型である場合、銀（Ｉｎ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｐｔを含有する銀合金を包含する）、Ｔｉ／Ａｕ、Ｃｒ／Ａｕ等から構成することができるし、下地層の導電型がｎ型である場合、チタン（Ｔｉ）、ＴｉＷやＴｉＭｏといったチタン合金から成る電極（例えば、ＴｉＷ層、Ｔｉ層／Ｎｉ層／Ａｕ層等）、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金、ＡｕＧｅ、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ等から構成することができる。また、電極を透明にする必要がある場合には、電極をＩＴＯから構成すればよい。尚、電極が積層構造を有する場合、「／」の前の材料が基板側に位置する。また、電極に対して、必要に応じて、例えば、Ｔｉ層／Ｐｔ層／Ａｕ層等といった［接着層（Ｔｉ層やＣｒ層等）］／［バリアメタル層（Ｐｔ層、Ｎｉ層、ＴｉＷ層やＭｏ層等）］／［実装に対して融和性の良い金属層（例えばＡｕ層）］のような積層構成とした多層メタル層から成るコンタクト部（パッド部）を設けてもよい。電極、コンタクト部（パッド部）は、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法といった各種のＰＶＤ法、各種のＣＶＤ法、メッキ法によって形成することができる。   The material constituting the first electrode to the fifth electrode may be determined by the conductivity type of the underlayer for forming the first electrode to the fifth electrode, or may be determined by the light emitting direction, for example When the conductivity type of the underlayer is p-type, it is composed of silver (including silver alloys containing In, Cu, Pd, Ni, Co, Rh, Pt), Ti / Au, Cr / Au, etc. If the conductivity type of the underlayer is n-type, an electrode made of titanium alloy such as titanium (Ti), TiW or TiMo (for example, TiW layer, Ti layer / Ni layer / Au layer, etc.), aluminum (Al ), An aluminum alloy, AuGe, AuGe / Ni / Au, or the like. Moreover, what is necessary is just to comprise an electrode from ITO, when it is necessary to make an electrode transparent. When the electrode has a laminated structure, the material before “/” is located on the substrate side. Further, for the electrode, for example, [adhesive layer (Ti layer, Cr layer, etc.)] / [Barrier metal layer (Pt layer, Ni layer, TiW layer) such as Ti layer / Pt layer / Au layer, etc. Or a Mo layer, etc.) / [A metal layer (for example, an Au layer) that is compatible with mounting] may be provided with a contact portion (pad portion) made of a multilayer metal layer having a laminated structure. The electrode and the contact part (pad part) can be formed by, for example, various PVD methods such as vacuum deposition and sputtering, various CVD methods, and plating methods.

本発明においては、発光素子、並びに、ＥＳＤ対策素子としてのバイパス・ダイオード及び逆方向ダイオードが、１チップ化され、一体化されている。即ち、順方向及び逆方向の両方向の過電流に対する迂回経路が設られている。従って、順・逆両方向のサージ耐圧を向上させることができ、順方向の過電流が流れることによって生じる破壊（順方向ＥＳＤ）、及び、逆方向の過電流が流れることによって生じる破壊（逆方向ＥＳＤ）、即ち、活性層のサージ破壊に対して、極めて有効である。また、ＥＳＤ対策素子を、個別の部品として発光素子と並列に組み込むといった煩雑な実装作業が不要である。更には、化合物半導体層の再成長を必要としない。そして、以上の結果として、ＥＳＤ耐性の高い発光素子組立体を低いコストにて製造することが可能となる。   In the present invention, the light emitting element, and the bypass diode and reverse diode as ESD countermeasure elements are integrated into one chip. In other words, a bypass path is provided for overcurrent in both the forward and reverse directions. Therefore, the surge withstand voltage in both the forward and reverse directions can be improved, and the breakdown caused by the forward overcurrent flowing (forward ESD) and the breakdown caused by the backward overcurrent flowing (reverse ESD) ), That is, extremely effective against surge breakdown of the active layer. Further, a complicated mounting operation of incorporating the ESD countermeasure element in parallel with the light emitting element as an individual component is unnecessary. Furthermore, no regrowth of the compound semiconductor layer is required. As a result, a light emitting device assembly having high ESD resistance can be manufactured at low cost.

以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明する。   Hereinafter, the present invention will be described based on examples with reference to the drawings.

実施例１は、本発明の第１の態様及び第６の態様に係る発光素子組立体に関する。実施例１の発光素子組立体の等価回路図を図１の（Ａ）に示し、模式的な一部端面図を図１の（Ｂ）に示す。また、模式的な部分的平面図を図２に示す。尚、実施例１、あるいは、後述する実施例２〜実施例５において、第１導電型をｎ型、第２導電型をｐ型とする。   Example 1 relates to a light-emitting element assembly according to the first and sixth aspects of the present invention. An equivalent circuit diagram of the light-emitting element assembly of Example 1 is shown in FIG. 1A, and a schematic partial end view is shown in FIG. A schematic partial plan view is shown in FIG. In Example 1 or Examples 2 to 5 to be described later, the first conductivity type is n-type and the second conductivity type is p-type.

実施例１の発光素子組立体は、本発明の第１の態様に係る発光素子組立体の表現に沿って説明すると、
（Ａ）第１導電型（ｎ型）を有する基板１０上に形成され、それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型（ｎ型）を有する第１層２１、及び、第２導電型（ｐ型）を有する第２層２２から構成されたバイパス・ダイオード２０、
（Ｂ）バイパス・ダイオード２０上に形成され、それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型（ｐ型）を有する第１層３１、活性層３３、及び、第１導電型（ｎ型）を有する第２層３２から構成された発光素子３０、並びに、
（Ｃ）基板１０の上方に、発光素子３０と分離して形成され、それぞれが化合物半導体から成り、実施例１にあっては、基板側から、第２導電型（ｐ型）を有する第１層４１、及び、第１導電型（ｎ型）を有する第２層４２から少なくとも構成された逆方向ダイオード４０、
を備えている。 The light-emitting element assembly of Example 1 will be described along the expression of the light-emitting element assembly according to the first aspect of the present invention.
(A) formed on a substrate 10 having a first conductivity type (n-type), each made of a compound semiconductor, and from the substrate side, a first layer 21 having a first conductivity type (n-type), and a second layer A bypass diode 20 composed of a second layer 22 having a conductivity type (p-type);
(B) formed on the bypass diode 20, each made of a compound semiconductor, and from the substrate side, the first layer 31 having the second conductivity type (p-type), the active layer 33, and the first conductivity type (n Light emitting element 30 composed of the second layer 32 having a mold), and
(C) Formed separately from the light emitting element 30 above the substrate 10 and each made of a compound semiconductor. In Example 1, the first having the second conductivity type (p-type) from the substrate side. A reverse diode 40 comprising at least a layer 41 and a second layer 42 having a first conductivity type (n-type),
It has.

あるいは又、実施例１の発光素子組立体は、本発明の第６の態様に係る発光素子組立体の表現に沿って説明すると、バイパス・ダイオード２０、発光素子３０、及び、逆方向ダイオード４０が１チップ化されて成り、バイパス・ダイオード２０の一端（具体的には、第１層２１）、発光素子３０の一端（具体的には、第２層３２）、及び、逆方向ダイオード４０の一端（具体的には、第１層４１）は、発光素子駆動電源の第１出力部に接続され、発光素子３０の他端（具体的には、第１層３１）、及び、逆方向ダイオード４０の他端（具体的には、第２層４２）は、発光素子駆動電源の第２出力部に接続されている。そして、バイパス・ダイオード２０及び発光素子３０は積層されており、逆方向ダイオード４０は発光素子３０と分離されている。即ち、実施例１にあっては、発光素子３０は、所謂メサ構造を有する。   Alternatively, the light-emitting element assembly of Example 1 will be described along the expression of the light-emitting element assembly according to the sixth aspect of the present invention. The bypass diode 20, the light-emitting element 30, and the reverse diode 40 include One end of the bypass diode 20 (specifically, the first layer 21), one end of the light emitting element 30 (specifically, the second layer 32), and one end of the reverse diode 40 are configured as one chip. (Specifically, the first layer 41) is connected to the first output unit of the light emitting element driving power source, and the other end (specifically, the first layer 31) of the light emitting element 30 and the reverse diode 40. The other end (specifically, the second layer 42) is connected to the second output portion of the light emitting element driving power source. The bypass diode 20 and the light emitting element 30 are stacked, and the reverse diode 40 is separated from the light emitting element 30. That is, in Example 1, the light emitting element 30 has a so-called mesa structure.

尚、逆方向ダイオード４０と基板１０との間には、バイパス・ダイオードを構成する第１層の延在部及び第２層の延在部が設けられている。このように、逆方向ダイオード４０と基板１０との間には、本来、機能的には必要とされないダミーダイオード５０が形成されているが、係るダミーダイオード５０は、実施例１の発光素子組立体において、逆方向ダイオード４０を一連の結晶成長の過程で形成するために必要とされるものであり、それ自体の存在が発光素子組立体の動作に何ら影響を与えるものではない。尚、以下、バイパス・ダイオードを構成する第１層の延在部をダミーダイオード５０の第１層５１と呼び、バイパス・ダイオードを構成する第２層の延在部をダミーダイオード５０の第２層５２と呼ぶ。   In addition, between the reverse direction diode 40 and the board | substrate 10, the extension part of the 1st layer and the extension part of the 2nd layer which comprise a bypass diode are provided. As described above, the dummy diode 50 which is originally not functionally required is formed between the reverse diode 40 and the substrate 10. The dummy diode 50 is a light emitting element assembly according to the first embodiment. The reverse diode 40 is required for forming the reverse diode 40 in a series of crystal growth processes, and its presence does not affect the operation of the light emitting device assembly. Hereinafter, the extending portion of the first layer constituting the bypass diode is referred to as the first layer 51 of the dummy diode 50, and the extending portion of the second layer constituting the bypass diode is referred to as the second layer of the dummy diode 50. 52.

そして、バイパス・ダイオード２０を構成する第１層２１は、第１電極６１に接続されている。具体的には、第１電極６１は、バイパス・ダイオード２０を構成する第１層２１の露出した一部分の上に形成されている。また、バイパス・ダイオード２０を構成する第２層２２、及び、発光素子３０を構成する第１層３１は、第２電極６２に接続されている。具体的には、第２電極６２は、バイパス・ダイオード２０を構成する第２層２２の露出した一部分の上に形成されており、発光素子３０を構成する第１層３１は、バイパス・ダイオード２０を構成する第２層２２を介して、第２電極６２に接続されている。更には、発光素子３０を構成する第２層３２は、第３電極６３に接続されている。具体的には、第３電極６３は、発光素子３０を構成する第２層３２上、より具体的には、第２層３２の外周部にリング状に形成されている。また、逆方向ダイオード４０を構成する第１層４１は、第４電極６４に接続されている。具体的には、第４電極６４は、ダミーダイオード５０の第２層５２の露出した一部分の上に形成されており、逆方向ダイオード４０を構成する第１層４１は、ダミーダイオード５０の第２層５２を介して、第４電極６４に接続されている。更には、逆方向ダイオード４０を構成する第２層４２は、第５電極６５に接続されている。具体的には、第５電極６５は、逆方向ダイオード４０を構成する第２層４２上に形成されている。尚、発光素子組立体の頂面は、発光素子３０を構成する第２層３２、第３電極６３、第５電極から構成されている。   The first layer 21 constituting the bypass diode 20 is connected to the first electrode 61. Specifically, the first electrode 61 is formed on an exposed part of the first layer 21 constituting the bypass diode 20. Further, the second layer 22 constituting the bypass diode 20 and the first layer 31 constituting the light emitting element 30 are connected to the second electrode 62. Specifically, the second electrode 62 is formed on an exposed part of the second layer 22 constituting the bypass diode 20, and the first layer 31 constituting the light emitting element 30 is formed by the bypass diode 20. Is connected to the second electrode 62 through the second layer 22 constituting the. Further, the second layer 32 constituting the light emitting element 30 is connected to the third electrode 63. Specifically, the third electrode 63 is formed in a ring shape on the second layer 32 constituting the light emitting element 30, more specifically, on the outer peripheral portion of the second layer 32. The first layer 41 constituting the reverse diode 40 is connected to the fourth electrode 64. Specifically, the fourth electrode 64 is formed on the exposed part of the second layer 52 of the dummy diode 50, and the first layer 41 constituting the reverse diode 40 is the second of the dummy diode 50. The layer 52 is connected to the fourth electrode 64. Furthermore, the second layer 42 constituting the reverse diode 40 is connected to the fifth electrode 65. Specifically, the fifth electrode 65 is formed on the second layer 42 constituting the reverse diode 40. The top surface of the light emitting element assembly is composed of a second layer 32, a third electrode 63, and a fifth electrode constituting the light emitting element 30.

ここで、第１電極６１と第３電極６３、及び、第１電極６１と第４電極６４とは、絶縁層７０上を延びる配線層６６によって電気的に接続されており、第２電極６２と第５電極６５とは、絶縁層７０上を延びる配線層６７によって電気的に接続されている。また、基板１０の裏面には取出し電極６８が設けられている。そして、第１電極６１、第３電極６３及び第４電極６４は、発光素子駆動電源の第１出力部に接続され、第２電極６２及び第５電極６５は、発光素子駆動電源の第２出力部に接続されている。具体的には、第１電極６１は、バイパス・ダイオード２０を構成する第１層２１及び基板１０を介して取出し電極６８に電気的に接続され、取出し電極６８は、図示しない配線によって、発光素子駆動電源の第１出力部に接続されている。また、第５電極６５は、図示しない配線によって、発光素子駆動電源の第２出力部に接続されている。   Here, the first electrode 61 and the third electrode 63, and the first electrode 61 and the fourth electrode 64 are electrically connected by a wiring layer 66 extending on the insulating layer 70, and the second electrode 62 and The fifth electrode 65 is electrically connected by a wiring layer 67 extending on the insulating layer 70. An extraction electrode 68 is provided on the back surface of the substrate 10. The first electrode 61, the third electrode 63, and the fourth electrode 64 are connected to the first output unit of the light emitting element driving power source, and the second electrode 62 and the fifth electrode 65 are the second output of the light emitting element driving power source. Connected to the department. Specifically, the first electrode 61 is electrically connected to the extraction electrode 68 through the first layer 21 constituting the bypass diode 20 and the substrate 10, and the extraction electrode 68 is connected to the light emitting element by a wiring (not shown). The first output unit of the drive power supply is connected. Further, the fifth electrode 65 is connected to the second output portion of the light emitting element driving power source by a wiring (not shown).

実施例１にあっては、発光素子３０は、発光素子３０を構成する第２層３２を介して光を出射する面発光レーザ素子（垂直共振器レーザ、ＶＣＳＥＬ）から成る。   In the first embodiment, the light emitting element 30 includes a surface emitting laser element (vertical cavity laser, VCSEL) that emits light through the second layer 32 constituting the light emitting element 30.

基板１０は、ｎ型のＧａＡｓ基板から構成されている。また、バイパス・ダイオード２０を構成する第１層２１及びダミーダイオード５０の第１層５１、バイパス・ダイオード２０を構成する第２層２２及びダミーダイオード５０の第２層５２は、以下の組成を有する。更には、第１層２１，５１と第２層２２，５２との間には、以下の組成を有する接合層２３，５３が形成されている。このような構造にすることで、バイパス・ダイオード２０の電気抵抗値は、低い値、即ち、５Ω程度である。また、バイパス・ダイオード２０のターン・オン電圧は２．０ボルト程度である。   The substrate 10 is composed of an n-type GaAs substrate. Further, the first layer 21 constituting the bypass diode 20 and the first layer 51 of the dummy diode 50, the second layer 22 constituting the bypass diode 20 and the second layer 52 of the dummy diode 50 have the following compositions. . Furthermore, bonding layers 23 and 53 having the following composition are formed between the first layers 21 and 51 and the second layers 22 and 52. By adopting such a structure, the electrical resistance value of the bypass diode 20 is a low value, that is, about 5Ω. Further, the turn-on voltage of the bypass diode 20 is about 2.0 volts.

一般に、ＤＢＲ層を構成する層の光学的厚さは、λ／４（λは発振波長）である。また、ｎ型不純物として、例えば、ケイ素（Ｓｉ）やセレン（Ｓｅ）を挙げることができ、ｐ型不純物として、亜鉛（Ｚｎ）や、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）、炭素（Ｃ）を挙ることができる。   In general, the optical thickness of the layers constituting the DBR layer is λ / 4 (λ is an oscillation wavelength). Examples of the n-type impurity include silicon (Si) and selenium (Se). Examples of the p-type impurity include zinc (Zn), magnesium (Mg), beryllium (Be), and carbon (C). Can be listed.

一方、発光素子３０の第１層３１、及び、逆方向ダイオード４０の第１層４１は、同一の層から構成されており、基板側から、以下の組成を有する酸化狭窄層３１Ａ，４１Ａ、及び、第１クラッド層３１Ｂ，４１Ｂの積層構造から構成されている。また、発光素子３０の活性層３３、及び、逆方向ダイオード４０の第１層４１と第２層４２との間に形成された接合層４３も、同一の層から構成されており、以下の組成を有する。更には、発光素子３０の第２層３２、及び、逆方向ダイオード４０の第２層４２も、同一の層から構成されており、基板側から、以下の組成を有する第２クラッド層３２Ａ，４２Ａ、及び、ＤＢＲ層３２Ｂ，４２Ｂの積層構造から構成されている。尚、このような酸化狭窄層３１Ａを有する構造とすることで、発光素子３０の電気抵抗値は、比較的高い値、例えば５０Ω程度である。一方、逆方向ダイオード４０の電気抵抗値は、例えば５Ω程度である。また、発光素子３０のターン・オン電圧は１．４ボルト程度であり、逆方向ダイオード４０のターン・オン電圧も１．４ボルト程度である。   On the other hand, the first layer 31 of the light emitting element 30 and the first layer 41 of the reverse diode 40 are formed of the same layer, and from the substrate side, the oxidized constricting layers 31A and 41A having the following compositions, and The first clad layer 31B is composed of a laminated structure of 41B. In addition, the active layer 33 of the light emitting element 30 and the junction layer 43 formed between the first layer 41 and the second layer 42 of the reverse diode 40 are also composed of the same layer, and have the following composition: Have Furthermore, the second layer 32 of the light emitting element 30 and the second layer 42 of the reverse diode 40 are also composed of the same layer, and the second cladding layers 32A and 42A having the following compositions are formed from the substrate side. , And a DBR layer 32B, 42B. In addition, by setting it as the structure which has such an oxidation confinement layer 31A, the electrical resistance value of the light emitting element 30 is a comparatively high value, for example, about 50 (ohm). On the other hand, the electrical resistance value of the reverse diode 40 is, for example, about 5Ω. The turn-on voltage of the light emitting element 30 is about 1.4 volts, and the turn-on voltage of the reverse diode 40 is also about 1.4 volts.

Figure 2008177429
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また、第１電極６１、第３電極６３、及び、第４電極６４はＡｕＧｅ合金層から構成されており、第２電極６２及び第５電極６５はＴｉ層／Ａｕ層の積層構造から構成されており、取出し電極６８はＡｕＧｅ合金層から構成されており、配線層６６，６７は金（Ａｕ）から構成されており、絶縁層７０は、例えば、ＳｉＯ2から構成されている。尚、絶縁層を構成する材料として、その他、ＳｉＯX系材料、ＳｉＮY系材料、ＳｉＯXＮY系材料、Ｔａ2Ｏ5、ＺｒＯ2、ＡｌＮ、Ａｌ2Ｏ3を例示することができる。絶縁層の形成方法として、例えば真空蒸着法やスパッタリング法といったＰＶＤ法、あるいは、ＣＶＤ法を挙げることができる。発光素子駆動電源は、周知の発光素子駆動電源から構成すればよい。 The first electrode 61, the third electrode 63, and the fourth electrode 64 are made of an AuGe alloy layer, and the second electrode 62 and the fifth electrode 65 are made of a laminated structure of Ti layer / Au layer. The extraction electrode 68 is made of an AuGe alloy layer, the wiring layers 66 and 67 are made of gold (Au), and the insulating layer 70 is made of, for example, SiO 2 . Incidentally, as the material constituting the insulating layer, other, SiO X materials, SiN Y-based material, it can be exemplified SiO X N Y-based material, Ta 2 O 5, ZrO 2 , AlN, and Al 2 O 3. As a method for forming the insulating layer, for example, a PVD method such as a vacuum deposition method or a sputtering method, or a CVD method can be given. The light emitting element driving power source may be configured from a known light emitting element driving power source.

例えば、第５電極６５から取出し電極６８に向かって、即ち、発光素子３０に第２電極６２から第３電極６３に向かって、２０ミリアンペアの電流が流れたとする。もしも、バイパス・ダイオード２０が存在しない場合、２０ミリアンペアの電流の全てが発光素子３０を流れることになる。一方、ターン・オン電圧が２．０ボルトのバイパス・ダイオード２０が存在する場合、以下の示す式のとおり、約１２．７ミリアンペアの電流が発光素子３０に流れるだけであり、残りの電流はバイパス・ダイオード２０を流れる。一方、取出し電極６８から第５電極６５に向かって、電流が流れるときには、係る電流は逆方向ダイオード４０を流れ、発光素子３０を流れることはない。この状態を、図３に示す。尚、図３において、実線は、発光素子３０を流れる電流の値を示し、点線は、バイパス・ダイオード２０を流れる電流の値を示し、一点鎖線は、逆方向ダイオード４０を流れる電流の値を示す。   For example, it is assumed that a current of 20 milliamperes flows from the fifth electrode 65 toward the extraction electrode 68, that is, toward the light emitting element 30 from the second electrode 62 toward the third electrode 63. If the bypass diode 20 is not present, all of the 20 milliamp current will flow through the light emitting element 30. On the other hand, when the bypass diode 20 having a turn-on voltage of 2.0 volts is present, only a current of about 12.7 milliamperes flows through the light emitting element 30 as shown in the following formula, and the remaining current is bypassed. Flow through the diode 20 On the other hand, when a current flows from the extraction electrode 68 toward the fifth electrode 65, the current flows through the reverse diode 40 and does not flow through the light emitting element 30. This state is shown in FIG. In FIG. 3, the solid line indicates the value of the current flowing through the light emitting element 30, the dotted line indicates the value of the current flowing through the bypass diode 20, and the alternate long and short dash line indicates the value of the current flowing through the reverse diode 40. .

即ち、発光素子３０とバイパス・ダイオード２０に合わせて２０ミリアンペアの電流が流れる場合、発光素子３０に流れる電流をｉ（Ａ）とすると、バイパス・ダイオード２０を流れる電流（Ａ）は、
２０×１０-3−ｉ
である。発光素子３０の両端の電圧とバイパス・ダイオード２０の両端の電圧は等しいから、以下の等式が成立する。
５０（Ω）×ｉ（Ａ）＋１．４（Ｖ）
＝５（Ω）×｛２０×１０-3（Ａ）−ｉ（Ａ）｝＋２．０（Ｖ）
これを解いて、
ｉ（Ａ）≒０．７／５５（Ａ）≒１２．７×１０-3（Ａ） That is, when a current of 20 milliamperes flows in accordance with the light emitting element 30 and the bypass diode 20, if the current flowing through the light emitting element 30 is i (A), the current (A) flowing through the bypass diode 20 is
20 × 10 −3 -i
It is. Since the voltage across the light emitting element 30 is equal to the voltage across the bypass diode 20, the following equation holds:
50 (Ω) x i (A) + 1.4 (V)
= 5 (Ω) × {20 × 10 −3 (A) −i (A)} + 2.0 (V)
Solve this,
i (A) ≈0.7 / 55 (A) ≈12.7 × 10 −3 (A)

このように、発光素子３０に過剰な順方向電流が流れたときには、一定の電流値が発光素子３０に順方向として流れ、発光素子３０は発光状態を保持し、しかも、一定の電流値を越える電流の大部分はバイパス・ダイオード２０を流れるので、発光素子３０に損傷が発生し難い。また、発光素子３０に逆方向の電流が流れようとしても、係る電流は、発光素子３０を迂回し、逆方向ダイオード４０を流れるので、発光素子３０に損傷が発生することはない。   As described above, when an excessive forward current flows in the light emitting element 30, a constant current value flows in the forward direction in the light emitting element 30, and the light emitting element 30 maintains a light emitting state and exceeds the constant current value. Since most of the current flows through the bypass diode 20, the light emitting element 30 is unlikely to be damaged. Further, even if a reverse current flows through the light emitting element 30, the current bypasses the light emitting element 30 and flows through the reverse diode 40, so that the light emitting element 30 is not damaged.

以下、図４の（Ａ）、（Ｂ）、図５の（Ａ）、（Ｂ）、図６の（Ａ）、（Ｂ）、図７の（Ａ）、（Ｂ）を参照して、実施例１の発光素子組立体の製造方法の概要を説明する。尚、各層は、例えば、ＭＯＣＶＤ法により形成することができる。この際、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の原料としては、例えば、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、アルシン（ＡｓＨ3）を用い、ドナー不純物の原料としては、例えば、Ｈ2Ｓｅを用い、アクセプタ不純物の原料としては、例えば、ジメチルジンク（ＤＭＺ）を用いる。また、例えば、塩素系ガスによるドライエッチング技術によって各層のエッチングを行うことができる。 Hereinafter, referring to (A), (B) of FIG. 4, (A), (B) of FIG. 5, (A), (B) of FIG. 6, (A), (B) of FIG. An outline of a method for manufacturing the light-emitting element assembly of Example 1 will be described. Each layer can be formed by, for example, the MOCVD method. At this time, for example, trimethylaluminum (TMA), trimethylgallium (TMG), or arsine (AsH 3 ) is used as a raw material for a III-V group compound semiconductor, and H 2 Se is used as a raw material for a donor impurity, for example. As the acceptor impurity material, for example, dimethyl zinc (DMZ) is used. Further, for example, each layer can be etched by a dry etching technique using a chlorine-based gas.

［工程−１００］
先ず、ｎ−ＧａＡｓから成る基板１０の主面上に、周知のＭＯＣＶＤ技術を用いて、バイパス・ダイオード２０の第１層２１を形成するための化合物半導体層１２１、バイパス・ダイオード２０の接合層２３を形成するための化合物半導体層１２３、バイパス・ダイオード２０の第２層２２を形成するための化合物半導体層１２２、発光素子３０及び逆方向ダイオード４０の第１層３１，４１を形成するための酸化狭窄形成層１３１Ａ及び化合物半導体層１３１Ｂ、発光素子３０の活性層３３及び逆方向ダイオード４０の接合層４３を形成するための化合物半導体層１３３、発光素子３０及び逆方向ダイオード４０の第２層３２，４２を形成するための化合物半導体層１３２Ａ，１３２Ｂを、順次、成膜する（図４の（Ａ）参照）。 [Step-100]
First, the compound semiconductor layer 121 for forming the first layer 21 of the bypass diode 20 and the junction layer 23 of the bypass diode 20 are formed on the main surface of the substrate 10 made of n-GaAs using a known MOCVD technique. The compound semiconductor layer 123 for forming the oxide, the compound semiconductor layer 122 for forming the second layer 22 of the bypass diode 20, the oxidation for forming the first layers 31 and 41 of the light emitting element 30 and the reverse diode 40 Narrowing formation layer 131A and compound semiconductor layer 131B, active layer 33 of light emitting element 30 and compound semiconductor layer 133 for forming junction layer 43 of reverse diode 40, second layer 32 of light emitting element 30 and reverse diode 40, Compound semiconductor layers 132A and 132B for forming 42 are sequentially formed (see FIG. 4A).

［工程−１１０］
次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、化合物半導体層１３２Ｂ、化合物半導体層１３２Ａ、化合物半導体層１３３、化合物半導体層１３１Ｂ、及び、酸化狭窄形成層１３１Ａの一部分を選択的に除去し、発光素子３０を形成するための円筒形の島状の領域１３０を形成する（図４の（Ｂ）参照）。こうして、発光素子３０を構成する第１層３１（３１Ａ，３１Ｂ）、活性層３３、第２層３２（３２Ａ，３２Ｂ）を得ることができ、同時に、逆方向ダイオード４０を構成する第１層４１（４１Ａ，４１Ｂ）、接合層４３、第２層４２（４２Ａ，４２Ｂ）を得ることができる。発光素子３０と逆方向ダイオード４０とは分離されている。 [Step-110]
Next, part of the compound semiconductor layer 132B, the compound semiconductor layer 132A, the compound semiconductor layer 133, the compound semiconductor layer 131B, and the oxide constriction formation layer 131A is selectively removed based on the photolithography technique and the etching technique, so that the light emitting element A cylindrical island-shaped region 130 for forming 30 is formed (see FIG. 4B). Thus, the first layer 31 (31A, 31B), the active layer 33, and the second layer 32 (32A, 32B) constituting the light emitting element 30 can be obtained, and at the same time, the first layer 41 constituting the reverse diode 40. (41A, 41B), bonding layer 43, and second layer 42 (42A, 42B) can be obtained. The light emitting element 30 and the reverse diode 40 are separated.

次いで、水蒸気雰囲気中において高温での酸化処理を行い、露出した酸化狭窄形成層１３１Ａの側壁から酸化狭窄形成層１３１Ａの内部に亙り、選択的に酸化することで、酸化狭窄層３１Ａ，４１Ａを得ることができる（図５の（Ａ）参照）。尚、参照番号３１Ｃ，４１Ｃは、酸化された領域を指す。   Next, oxidation treatment is performed at a high temperature in a water vapor atmosphere, and the oxidation constriction formation layers 31A and 41A are obtained by selectively oxidizing from the exposed side wall of the oxidation confinement formation layer 131A into the oxidation confinement formation layer 131A. (See FIG. 5A). Reference numbers 31C and 41C indicate oxidized regions.

［工程−１２０］
その後、例えば、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、化合物半導体層１２２、化合物半導体層１２３、化合物半導体層１２１の一部分を選択的に除去する（図５の（Ｂ）参照）。こうして、バイパス・ダイオード２０を構成する、第１層２１、接合層２３、第２層２３を得ることができ、同時に、ダミーダイオード５０が形成される。尚、このダミーダイオード５０は、バイパス・ダイオードを構成する第１層の延在部である第１層５１、バイパス・ダイオードを構成する接合層の延在部である接合層５３、及び、バイパス・ダイオードを構成する第２層の延在部である第２層５２から構成されている。 [Step-120]
After that, based on, for example, a photolithography technique and an etching technique, the compound semiconductor layer 122, the compound semiconductor layer 123, and a part of the compound semiconductor layer 121 are selectively removed (see FIG. 5B). In this way, the first layer 21, the junction layer 23, and the second layer 23 constituting the bypass diode 20 can be obtained, and at the same time, the dummy diode 50 is formed. The dummy diode 50 includes a first layer 51 that is an extension of the first layer that constitutes the bypass diode, a junction layer 53 that is an extension of the junction layer that constitutes the bypass diode, and a bypass diode. The second layer 52 is an extended portion of the second layer constituting the diode.

［工程−１３０］
次いで、例えば、所謂リフトオフ法及び真空蒸着法に基づき、バイパス・ダイオード２０を構成する第１層２１の露出した部分に第１電極６１を形成し、発光素子３０を構成する第２層３２（３２Ｂ）の露出した外周部にリング状の第３電極６３を形成し、逆方向ダイオード４０を構成する第２層４２（４２Ｂ）の露出した部分に第５電極６５を形成する（図６の（Ａ）参照）。 [Step-130]
Next, based on the so-called lift-off method and vacuum deposition method, for example, the first electrode 61 is formed on the exposed portion of the first layer 21 constituting the bypass diode 20, and the second layer 32 (32B constituting the light emitting element 30). The ring-shaped third electrode 63 is formed on the exposed outer peripheral portion of (5), and the fifth electrode 65 is formed on the exposed portion of the second layer 42 (42B) constituting the reverse diode 40 ((A in FIG. 6). )reference).

［工程−１４０］
その後、例えば、リフトオフ法及び真空蒸着法に基づき、バイパス・ダイオード２０を構成する第２層２２の露出した部分に第２電極６２を形成し、ダミーダイオード５０を構成する第２層５２の露出した部分に第４電極６４を形成する（図６の（Ｂ）参照）。尚、［工程−１３０］と［工程−１４０］の順序を逆にしてもよい。 [Step-140]
After that, for example, based on the lift-off method and the vacuum deposition method, the second electrode 62 is formed on the exposed portion of the second layer 22 constituting the bypass diode 20 and the second layer 52 constituting the dummy diode 50 is exposed. A fourth electrode 64 is formed in the portion (see FIG. 6B). The order of [Step-130] and [Step-140] may be reversed.

［工程−１５０］
次に、例えば、ＣＶＤ法及びエッチング技術に基づき、露出した化合物半導体層のそれぞれの側壁、及び、酸化狭窄層３１Ａ，４１Ａの酸化された領域３１Ｃ，４１Ｃのそれぞれの側壁に、例えばＳｉＯ2から成る絶縁層７０を形成する（図７の（Ａ）参照）。 [Step-150]
Next, based on, for example, the CVD method and the etching technique, each exposed side wall of the compound semiconductor layer and each side wall of the oxidized regions 31C and 41C of the oxidized constricting layers 31A and 41A are made of, for example, SiO 2. An insulating layer 70 is formed (see FIG. 7A).

［工程−１６０］
その後、例えば、リフトオフ法及び真空蒸着法に基づき、絶縁層７０上を延びる配線層６６，６７を形成する（図７の（Ｂ）参照）。こうして、第１電極６１と第３電極６３、及び、第１電極６１と第４電極６４とを、絶縁層７０上を延びる配線層６６によって電気的に接続し、第２電極６２と第５電極６５とを、絶縁層７０上を延びる配線層６７によって電気的に接続する。 [Step-160]
Thereafter, wiring layers 66 and 67 extending on the insulating layer 70 are formed based on, for example, a lift-off method and a vacuum deposition method (see FIG. 7B). Thus, the first electrode 61 and the third electrode 63, and the first electrode 61 and the fourth electrode 64 are electrically connected by the wiring layer 66 extending on the insulating layer 70, and the second electrode 62 and the fifth electrode are connected. 65 is electrically connected by a wiring layer 67 extending on the insulating layer 70.

［工程−１７０］
その後、基板１０の裏面に取出し電極６８を形成した後、合金化処理を行い、次いで、例えば、ダイシング法にて、発光素子組立体を個別化することで、実施例１の発光素子組立体を得ることができる。 [Step-170]
Then, after forming the extraction electrode 68 on the back surface of the substrate 10, an alloying process is performed, and then the light emitting element assembly is separated by, for example, a dicing method, so that the light emitting element assembly of Example 1 is obtained. Obtainable.

実施例２は、本発明の第２の態様及び第６の態様に係る発光素子組立体に関する。実施例２の発光素子組立体の等価回路図を図８の（Ａ）に示し、模式的な一部端面図を図８の（Ｂ）に示す。   Example 2 relates to a light-emitting element assembly according to the second and sixth aspects of the present invention. FIG. 8A shows an equivalent circuit diagram of the light-emitting element assembly of Example 2, and FIG. 8B shows a schematic partial end view.

実施例２の発光素子組立体は、本発明の第２の態様に係る発光素子組立体の表現に沿って説明すると、
（Ａ）基板２１０上に形成され、それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型（ｎ型）を有する第１層２３１、活性層２３３、及び、第２導電型（ｐ型）を有する第２層２３２から構成された発光素子２３０、
（Ｂ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型（ｐ型）を有する第１層２２１、及び、第１導電型（ｎ型）を有する第２層２２２から構成されたバイパス・ダイオード２２０、
（Ｃ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型（ｎ型）を有する第１層２５１、及び、第２導電型（ｐ型）を有する第２層２５２から構成されたダミーダイオード２５０、並びに、
（Ｄ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型（ｐ型）を有する第１層２４１、及び、第１導電型（ｎ型）を有する第２層２４２から構成された逆方向ダイオード２４０、
が順次積層されて成る。 The light-emitting element assembly of Example 2 will be described along the expression of the light-emitting element assembly according to the second aspect of the present invention.
(A) A first semiconductor layer 231 having a first conductivity type (n-type), an active layer 233, and a second conductivity type (p-type) formed on a substrate 210, each of which is made of a compound semiconductor. A light emitting device 230 comprising a second layer 232 having
(B) Each of which is made of a compound semiconductor, and includes, from the substrate side, a first layer 221 having a second conductivity type (p-type) and a second layer 222 having a first conductivity type (n-type). A diode 220,
(C) Each of which is made of a compound semiconductor, and is a dummy composed of a first layer 251 having a first conductivity type (n-type) and a second layer 252 having a second conductivity type (p-type) from the substrate side. A diode 250, and
(D) Each of which is made of a compound semiconductor, and is composed of a first layer 241 having a second conductivity type (p-type) and a second layer 242 having a first conductivity type (n-type) from the substrate side. Direction diode 240,
Are sequentially stacked.

あるいは又、実施例２の発光素子組立体は、本発明の第６の態様に係る発光素子組立体の表現に沿って説明すると、バイパス・ダイオード２２０、発光素子２３０、及び、逆方向ダイオード２４０が１チップ化されて成り、バイパス・ダイオード２２０の一端（具体的には、第２層２２２）、発光素子２３０の一端（具体的には、第１層２３１）、及び、逆方向ダイオード２４０の一端（具体的には、第１層２４１）は、発光素子駆動電源の第１出力部に接続され、発光素子２３０の他端（具体的には、第２層２３２）、及び、逆方向ダイオード２４０の他端（具体的には、第２層２４２）は、発光素子駆動電源の第２出力部に接続されている。そして、発光素子２３０、バイパス・ダイオード２２０及び逆方向ダイオード２４０は積層されている。   Alternatively, the light-emitting element assembly of Example 2 will be described in accordance with the expression of the light-emitting element assembly according to the sixth aspect of the present invention. The bypass diode 220, the light-emitting element 230, and the reverse diode 240 include One end of the bypass diode 220 (specifically, the second layer 222), one end of the light emitting element 230 (specifically, the first layer 231), and one end of the reverse diode 240 are configured as one chip. (Specifically, the first layer 241) is connected to the first output unit of the light emitting element driving power source, and the other end (specifically, the second layer 232) of the light emitting element 230 and the reverse diode 240. The other end (specifically, the second layer 242) is connected to the second output unit of the light emitting element driving power source. The light emitting element 230, the bypass diode 220, and the reverse diode 240 are stacked.

発光素子２３０を構成する第２層２３２と、バイパス・ダイオード２２０を構成する第１層２２１とは、共通の第１化合物半導体層２８１から成る。また、バイパス・ダイオード２２０を構成する第２層２２２と、ダミーダイオード２５０を構成する第１層２５１とは、共通の第２化合物半導体層２８２から成る。更には、ダミーダイオード２５０を構成する第２層２５２と、逆方向ダイオード２４０を構成する第１層２４１とは、共通の第３化合物半導体層２８３から成る。   The second layer 232 constituting the light emitting element 230 and the first layer 221 constituting the bypass diode 220 are composed of a common first compound semiconductor layer 281. Further, the second layer 222 constituting the bypass diode 220 and the first layer 251 constituting the dummy diode 250 are formed of a common second compound semiconductor layer 282. Further, the second layer 252 constituting the dummy diode 250 and the first layer 241 constituting the reverse diode 240 are formed of a common third compound semiconductor layer 283.

実施例２の発光素子組立体において、バイパス・ダイオード２２０と逆方向ダイオード２４０との間には、本来、機能的には必要とされないダミーダイオード２５０が形成されているが、このダミーダイオード２５０は、実施例２の発光素子組立体において、逆方向ダイオード２４０を一連の結晶成長の過程で形成するために必要とされるものであり、それ自体の存在が発光素子組立体の動作に何ら影響を与えるものではない。   In the light emitting element assembly of Example 2, a dummy diode 250 that is not originally required in terms of function is formed between the bypass diode 220 and the reverse diode 240. In the light emitting device assembly of Example 2, it is required to form the reverse diode 240 in a series of crystal growth processes, and the presence of the diode itself affects the operation of the light emitting device assembly. It is not a thing.

そして、バイパス・ダイオード２２０を構成する第２層２２２は、第１電極２６１に接続されている。具体的には、第１電極２６１は、バイパス・ダイオード２２０を構成する第２層２２２の露出した一部分の上に形成されている。また、発光素子２３０を構成する第２層２３２、及び、バイパス・ダイオード２２０を構成する第１層２２１（即ち、第１の化合物半導体層２８１）は、第２電極２６２に接続されている。具体的には、第２電極２６２は、発光素子２３０を構成する第２層２３２と、バイパス・ダイオード２２０を構成する第１層２２１とが共通となった第１化合物半導体層２８１の露出した一部分の上に形成されている。更には、発光素子２３０を構成する第１層２３１は、第３電極２６３に接続されている。具体的には、第３電極２６３は、発光素子２３０を構成する第１層２３１の露出した一部分の上に形成されている。また、逆方向ダイオード２４０を構成する第１層２４１は、第４電極２６４に接続されている。具体的には、第４電極２６４は、逆方向ダイオード２４０を構成する第１層２４１の露出した一部分の上に形成されている。更には、逆方向ダイオード２４０を構成する第２層２４２は、第５電極２６５に接続されている。具体的には、第５電極２６５は、逆方向ダイオード２４０を構成する第２層２４２の露出した一部分の上に形成されている。   The second layer 222 constituting the bypass diode 220 is connected to the first electrode 261. Specifically, the first electrode 261 is formed on an exposed portion of the second layer 222 that constitutes the bypass diode 220. Further, the second layer 232 constituting the light emitting element 230 and the first layer 221 constituting the bypass diode 220 (that is, the first compound semiconductor layer 281) are connected to the second electrode 262. Specifically, the second electrode 262 is an exposed part of the first compound semiconductor layer 281 in which the second layer 232 constituting the light emitting element 230 and the first layer 221 constituting the bypass diode 220 are shared. Is formed on top. Furthermore, the first layer 231 constituting the light emitting element 230 is connected to the third electrode 263. Specifically, the third electrode 263 is formed on an exposed part of the first layer 231 constituting the light emitting element 230. The first layer 241 constituting the reverse diode 240 is connected to the fourth electrode 264. Specifically, the fourth electrode 264 is formed on the exposed part of the first layer 241 constituting the reverse diode 240. Further, the second layer 242 constituting the reverse diode 240 is connected to the fifth electrode 265. Specifically, the fifth electrode 265 is formed on the exposed part of the second layer 242 constituting the reverse diode 240.

ここで、第１電極２６１と第３電極２６３、及び、第１電極２６１と第４電極２６４とは、絶縁層２７０上を延びる配線層２６６によって電気的に接続されており、第２電極２６２と第５電極２６５とは、絶縁層２７０上を延びる配線層２６７によって電気的に接続されている。そして、第１電極２６１、第３電極２６３及び第４電極２６４は、発光素子駆動電源の第１出力部に図示しない配線を介して接続され、第２電極２６２及び第５電極２６５は、発光素子駆動電源の第２出力部に図示しない配線を介して接続されている。   Here, the first electrode 261 and the third electrode 263, and the first electrode 261 and the fourth electrode 264 are electrically connected by a wiring layer 266 extending on the insulating layer 270, and the second electrode 262 The fifth electrode 265 is electrically connected by a wiring layer 267 extending on the insulating layer 270. The first electrode 261, the third electrode 263, and the fourth electrode 264 are connected to the first output portion of the light emitting element driving power source via a wiring (not shown), and the second electrode 262 and the fifth electrode 265 are light emitting elements. It is connected to a second output portion of the drive power supply via a wiring (not shown).

実施例２、あるいは、後述する実施例３〜実施例５にあっては、発光素子２３０，３３０，４３０，５３０は、基板側から光を出射する発光ダイオードから成る。実施例２，あるいは、後述する実施例３〜実施例５にあっては、このように、発光素子を発光ダイオードから構成するので、メサ構造を採用するよりも、発光に寄与する接合面をより広くすることが可能な発光素子２３０、バイパス・ダイオード２２０及び逆方向ダイオード２４０の積層構造を採用することが好ましい。基板２１０，３１０，４１０，５１０は、サファイア基板から構成されている。   In the second embodiment or the third to fifth embodiments described later, the light emitting elements 230, 330, 430, and 530 are formed of light emitting diodes that emit light from the substrate side. In Example 2 or Example 3 to Example 5 to be described later, since the light emitting element is composed of the light emitting diode as described above, the joint surface that contributes to light emission more than the mesa structure is adopted. It is preferable to employ a laminated structure of the light emitting element 230, the bypass diode 220, and the reverse diode 240 that can be widened. The substrates 210, 310, 410, 510 are made of sapphire substrates.

実施例２における発光素子２３０を構成する第１層２３１、発光素子２３０を構成する活性層２３３、発光素子２３０を構成する第２層２３２及びバイパス・ダイオード２２０を構成する第１層２２１（共通の第１化合物半導体層２８１）は、以下の組成を有する。更には、バイパス・ダイオード２２０を構成する第２層２２２及びダミーダイオード２５０を構成する第１層２５１（共通の第２化合物半導体層２８２）、ダミーダイオード２５０を構成する第２層２５２及び逆方向ダイオード２４０を構成する第１層２４１（共通の第３化合物半導体層２８３）、逆方向ダイオード２４０を構成する第２層２４２は、以下の組成を有する。   In Example 2, the first layer 231 constituting the light emitting element 230, the active layer 233 constituting the light emitting element 230, the second layer 232 constituting the light emitting element 230, and the first layer 221 constituting the bypass diode 220 (common The first compound semiconductor layer 281) has the following composition. Further, the second layer 222 constituting the bypass diode 220 and the first layer 251 (common second compound semiconductor layer 282) constituting the dummy diode 250, the second layer 252 constituting the dummy diode 250 and the reverse diode. The first layer 241 (common third compound semiconductor layer 283) constituting the 240 and the second layer 242 constituting the reverse diode 240 have the following composition.

Figure 2008177429
Figure 2008177429

そして、このような構造にすることで、バイパス・ダイオード２２０の電気抵抗値及びターン・オン電圧は、例えば５Ω程度、及び、３．５ボルト程度であり、発光素子２３０の電気抵抗値及びターン・オン電圧は、例えば１０Ω程度、及び、３．０ボルト程度であり、逆方向ダイオード２４０の電気抵抗値及びターン・オン電圧は、例えば５Ω程度、及び、３．５ボルト程度である。   With this structure, the electrical resistance value and turn-on voltage of the bypass diode 220 are, for example, about 5Ω and about 3.5 volts, and the electrical resistance value and turn The on-voltage is, for example, about 10Ω and about 3.0 volts, and the electrical resistance value and the turn-on voltage of the reverse diode 240 are, for example, about 5Ω and about 3.5 volts.

また、第１電極２６１、第３電極２６３、及び、第４電極２６４はＡｕＧｅ合金層から構成されており、第２電極２６２及び第５電極２６５はＴｉ層／Ａｕ層の積層構造から構成されており、配線層２６６，２６７は金（Ａｕ）から構成されており、絶縁層２７０は、例えば、ＳｉＯ2から構成されている。発光素子駆動電源は、周知の発光素子駆動電源から構成すればよい。後述する実施例３〜実施例５においても、同様とすることができる。 The first electrode 261, the third electrode 263, and the fourth electrode 264 are made of an AuGe alloy layer, and the second electrode 262 and the fifth electrode 265 are made of a laminated structure of Ti layer / Au layer. The wiring layers 266 and 267 are made of gold (Au), and the insulating layer 270 is made of, for example, SiO 2 . The light emitting element driving power source may be configured from a known light emitting element driving power source. The same applies to Example 3 to Example 5 described later.

実施例２の発光素子組立体は、先ず、サファイア基板から成る基板２１０の主面上に、周知のＭＯＣＶＤ技術を用いて、発光素子２３０の第１層２３１を形成するための化合物半導体層、活性層２３３を形成するための化合物半導体層、第１の化合物半導体層２８１（発光素子２３０の第２層２３２、及び、バイパス・ダイオード２２０の第１層２２１）、第２の化合物半導体層２８２（バイパス・ダイオード２２０の第２層２２２、及び、ダミーダイオード２５０の第１層２５１）、第３の化合物半導体層２８３（ダミーダイオード２５０の第２層２５２、及び、逆方向ダイオード２４０の第１層２４１）、逆方向ダイオード２４０の第２層２４２を、順次、成膜する。   In the light emitting device assembly of Example 2, a compound semiconductor layer for forming the first layer 231 of the light emitting device 230 is first formed on the main surface of the substrate 210 made of a sapphire substrate by using a well-known MOCVD technique. The compound semiconductor layer for forming the layer 233, the first compound semiconductor layer 281 (the second layer 232 of the light emitting element 230, and the first layer 221 of the bypass diode 220), the second compound semiconductor layer 282 (bypass) The second layer 222 of the diode 220 and the first layer 251 of the dummy diode 250), the third compound semiconductor layer 283 (the second layer 252 of the dummy diode 250, and the first layer 241 of the reverse diode 240). The second layer 242 of the reverse diode 240 is sequentially formed.

次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、逆方向ダイオード２４０の第２層２４２、第３の化合物半導体層２８３、第２の化合物半導体層２８２、第１の化合物半導体層２８１、活性層２３３を選択的に除去して、発光素子２３０の第１層２３１の一部分を露出させ、リフトオフ法に基づき、第３電極２６３を露出した第１層２３１の部分の上に形成する。その後、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、逆方向ダイオード２４０の第２層２４２、第３の化合物半導体層２８３、第２の化合物半導体層２８２を選択的に除去して、第１の化合物半導体層２８１の一部分を露出させ、リフトオフ法に基づき、第２電極２６２を露出した第１の化合物半導体層２８１の部分の上に形成する。更に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、逆方向ダイオード２４０の第２層２４２、第３の化合物半導体層２８３を選択的に除去して、第２の化合物半導体層２８２の一部分を露出させ、リフトオフ法に基づき、第１電極２６１を露出した第２の化合物半導体層２８２の部分の上に形成する。次いで、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、逆方向ダイオード２４０の第２層２４２を選択的に除去して、第３の化合物半導体層２８３の一部分を露出させ、リフトオフ法に基づき、第４電極２６４を露出した第３の化合物半導体層２８３の部分の上に形成する。その後、リフトオフ法に基づき、第５電極２６５を露出した逆方向ダイオード２４０の第２層２４２上に形成する。   Next, based on the photolithography technique and the etching technique, the second layer 242, the third compound semiconductor layer 283, the second compound semiconductor layer 282, the first compound semiconductor layer 281, and the active layer 233 of the reverse diode 240 are formed. A part of the first layer 231 of the light emitting element 230 is exposed by selective removal, and the third electrode 263 is formed on the exposed part of the first layer 231 based on a lift-off method. Thereafter, the second layer 242, the third compound semiconductor layer 283, and the second compound semiconductor layer 282 of the reverse diode 240 are selectively removed based on the photolithography technique and the etching technique, and the first compound semiconductor layer A part of 281 is exposed, and the second electrode 262 is formed on the exposed part of the first compound semiconductor layer 281 based on a lift-off method. Further, based on the photolithography technique and the etching technique, the second layer 242 and the third compound semiconductor layer 283 of the reverse diode 240 are selectively removed to expose a part of the second compound semiconductor layer 282 and lift-off. Based on the method, the first electrode 261 is formed on the exposed portion of the second compound semiconductor layer 282. Next, the second layer 242 of the reverse diode 240 is selectively removed based on the photolithography technique and the etching technique to expose a part of the third compound semiconductor layer 283, and the fourth electrode 264 is based on the lift-off method. Is formed on the exposed portion of the third compound semiconductor layer 283. Thereafter, the fifth electrode 265 is formed on the exposed second layer 240 of the reverse diode 240 based on the lift-off method.

次に、例えば、ＣＶＤ法及びエッチング技術に基づき、露出した化合物半導体層のそれぞれの側壁に、例えばＳｉＯ2から成る絶縁層２７０を形成する。その後、例えば、リフトオフ法及び真空蒸着法に基づき、絶縁層２７０上を延びる配線層２６６，２６７を形成する。最後に、例えば、ダイシング法にて、発光素子組立体を個別化することで、実施例２の発光素子組立体を得ることができる。 Next, an insulating layer 270 made of, for example, SiO 2 is formed on each side wall of the exposed compound semiconductor layer based on, for example, a CVD method and an etching technique. Thereafter, wiring layers 266 and 267 extending on the insulating layer 270 are formed based on, for example, a lift-off method and a vacuum deposition method. Finally, for example, the light emitting element assembly of Example 2 can be obtained by individualizing the light emitting element assembly by a dicing method.

実施例３は、本発明の第３の態様及び第６の態様に係る発光素子組立体に関する。実施例３の発光素子組立体の等価回路図を図９の（Ａ）に示し、模式的な一部端面図を図９の（Ｂ）に示す。   Example 3 relates to a light-emitting element assembly according to the third and sixth aspects of the present invention. FIG. 9A shows an equivalent circuit diagram of the light-emitting element assembly of Example 3, and FIG. 9B shows a schematic partial end view.

実施例３の発光素子組立体は、本発明の第３の態様に係る発光素子組立体の表現に沿って説明すると、
（Ａ）基板３１０上に形成され、それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型（ｎ型）を有する第１層３２１、及び、第２導電型（ｐ型）を有する第２層３２２から構成されたバイパス・ダイオード３２０、
（Ｂ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型（ｐ型）を有する第１層３３１、活性層３３３、及び、第１導電型（ｎ型）を有する第２層３３２から構成された発光素子３３０、
（Ｃ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型（ｎ型）を有する第１層３５１、及び、第２導電型（ｐ型）を有する第２層３５２から構成されたダミーダイオード３５０、並びに、
（Ｄ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型（ｐ型）を有する第１層３４１、及び、第１導電型（ｎ型）を有する第２層３４２から構成された逆方向ダイオード３４０、
が順次積層されて成る。 The light-emitting element assembly of Example 3 will be described along the expression of the light-emitting element assembly according to the third aspect of the present invention.
(A) A first layer 321 having a first conductivity type (n-type) and a second conductivity-type (p-type) second layer formed on a substrate 310, each made of a compound semiconductor, from the substrate side. A bypass diode 320 composed of layer 322;
(B) Each is made of a compound semiconductor, and from the substrate side, from the first layer 331 having the second conductivity type (p-type), the active layer 333, and the second layer 332 having the first conductivity type (n-type). A configured light emitting device 330;
(C) Each of which is made of a compound semiconductor, and is a dummy composed of a first layer 351 having a first conductivity type (n-type) and a second layer 352 having a second conductivity type (p-type) from the substrate side. A diode 350, and
(D) Each of which is made of a compound semiconductor, and is composed of a first layer 341 having a second conductivity type (p-type) and a second layer 342 having a first conductivity type (n-type) from the substrate side. Direction diode 340,
Are sequentially stacked.

あるいは又、実施例３の発光素子組立体は、本発明の第６の態様に係る発光素子組立体の表現に沿って説明すると、バイパス・ダイオード３２０、発光素子３３０、及び、逆方向ダイオード３４０が１チップ化されて成り、バイパス・ダイオード３２０の一端（具体的には、第１層３２１）、発光素子３３０の一端（具体的には、第２層３３２）、及び、逆方向ダイオード３４０の一端（具体的には、第１層３４１）は、発光素子駆動電源の第１出力部に接続され、発光素子３３０の他端（具体的には、第１層３３１）、及び、逆方向ダイオード３４０の他端（具体的には、第２層３４２）は、発光素子駆動電源の第２出力部に接続されている。そして、発光素子３３０、バイパス・ダイオード３２０及び逆方向ダイオード３４０は積層されている。   Alternatively, the light-emitting element assembly of Example 3 will be described along the expression of the light-emitting element assembly according to the sixth aspect of the present invention. The bypass diode 320, the light-emitting element 330, and the reverse diode 340 include One end of the bypass diode 320 (specifically, the first layer 321), one end of the light emitting element 330 (specifically, the second layer 332), and one end of the reverse diode 340 are configured as one chip. (Specifically, the first layer 341) is connected to the first output unit of the light emitting element driving power source, and the other end (specifically, the first layer 331) of the light emitting element 330 and the reverse diode 340. The other end (specifically, the second layer 342) is connected to the second output unit of the light emitting element driving power source. The light emitting element 330, the bypass diode 320, and the reverse diode 340 are stacked.

バイパス・ダイオード３２０を構成する第２層３２２と、発光素子３３０を構成する第１層３３１は、共通の第１化合物半導体層３８１から成る。また、発光素子３３０を構成する第２層３３２と、ダミーダイオード３５０を構成する第１層３５１は、共通の第２化合物半導体層３８２から成る。更には、ダミーダイオード３５０を構成する第２層３５２と、逆方向ダイオード３４０を構成する第１層３４１は、共通の第３化合物半導体層３８３から成る。   The second layer 322 constituting the bypass diode 320 and the first layer 331 constituting the light emitting element 330 are composed of a common first compound semiconductor layer 381. Further, the second layer 332 constituting the light emitting element 330 and the first layer 351 constituting the dummy diode 350 are formed of a common second compound semiconductor layer 382. Further, the second layer 352 constituting the dummy diode 350 and the first layer 341 constituting the reverse diode 340 are formed of a common third compound semiconductor layer 383.

実施例３の発光素子組立体において、発光素子３３０と逆方向ダイオード３４０との間には、本来、機能的には必要とされないダミーダイオード３５０が形成されているが、このダミーダイオード３５０は、実施例３の発光素子組立体において、逆方向ダイオード３４０を一連の結晶成長の過程で形成するために必要とされるものであり、それ自体の存在が発光素子組立体の動作に何ら影響を与えるものではない。   In the light-emitting element assembly of Example 3, a dummy diode 350 that is not originally required in terms of function is formed between the light-emitting element 330 and the reverse diode 340. In the light emitting device assembly of Example 3, it is required to form the reverse diode 340 in the course of a series of crystal growth, and the presence of itself affects the operation of the light emitting device assembly. is not.

そして、バイパス・ダイオード３２０を構成する第１層３２１は、第１電極３６１に接続されている。具体的には、第１電極３６１は、バイパス・ダイオード３２０を構成する第１層３２１の露出した一部分の上に形成されている。また、発光素子３３０を構成する第１層３３１、及び、バイパス・ダイオード３２０を構成する第２層３２２（即ち、第１の化合物半導体層３８１）は、第２電極３６２に接続されている。具体的には、第２電極３６２は、発光素子３３０を構成する第１層３３１と、バイパス・ダイオード３２０を構成する第２層３２２とが共通となった第１化合物半導体層３８１の露出した一部分の上に形成されている。更には、発光素子３３０を構成する第２層３３２は、第３電極３６３に接続されている。具体的には、第３電極３６３は、発光素子３３０を構成する第２層３３２の露出した一部分の上に形成されている。また、逆方向ダイオード３４０を構成する第１層３４１は、第４電極３６４に接続されている。具体的には、第４電極３６４は、逆方向ダイオード３４０を構成する第１層３４１の露出した一部分の上に形成されている。更には、逆方向ダイオード３４０を構成する第２層３４２は、第５電極３６５に接続されている。具体的には、第５電極３６５は、逆方向ダイオード３４０を構成する第２層３４２の露出した一部分の上に形成されている。   The first layer 321 constituting the bypass diode 320 is connected to the first electrode 361. Specifically, the first electrode 361 is formed on an exposed part of the first layer 321 constituting the bypass diode 320. In addition, the first layer 331 constituting the light emitting element 330 and the second layer 322 (that is, the first compound semiconductor layer 381) constituting the bypass diode 320 are connected to the second electrode 362. Specifically, the second electrode 362 is an exposed part of the first compound semiconductor layer 381 in which the first layer 331 constituting the light emitting element 330 and the second layer 322 constituting the bypass diode 320 are common. Is formed on top. Further, the second layer 332 constituting the light emitting element 330 is connected to the third electrode 363. Specifically, the third electrode 363 is formed on an exposed part of the second layer 332 constituting the light emitting element 330. The first layer 341 constituting the reverse diode 340 is connected to the fourth electrode 364. Specifically, the fourth electrode 364 is formed on the exposed part of the first layer 341 that constitutes the reverse diode 340. Further, the second layer 342 constituting the reverse diode 340 is connected to the fifth electrode 365. Specifically, the fifth electrode 365 is formed on an exposed part of the second layer 342 constituting the reverse diode 340.

ここで、第１電極３６１と第３電極３６３、及び、第３電極３６３と第４電極３６４とは、絶縁層３７０上を延びる配線層３６６によって電気的に接続されており、第２電極３６２と第５電極３６５とは、絶縁層３７０上を延びる配線層３６７によって電気的に接続されている。そして、第１電極３６１、第３電極３６３及び第４電極３６４は、発光素子駆動電源の第１出力部に図示しない配線を介して接続され、第２電極３６２及び第５電極３６５は、発光素子駆動電源の第２出力部に図示しない配線を介して接続されている。   Here, the first electrode 361 and the third electrode 363, and the third electrode 363 and the fourth electrode 364 are electrically connected by a wiring layer 366 extending on the insulating layer 370, and the second electrode 362 and The fifth electrode 365 is electrically connected by a wiring layer 367 extending on the insulating layer 370. The first electrode 361, the third electrode 363, and the fourth electrode 364 are connected to the first output portion of the light emitting element driving power source via a wiring (not shown), and the second electrode 362 and the fifth electrode 365 are light emitting elements. It is connected to a second output portion of the drive power supply via a wiring (not shown).

実施例３におけるバイパス・ダイオード３２０を構成する第１層３２１、発光素子３３０を構成する第１層３３１及びバイパス・ダイオード３２０を構成する第２層３２２（共通の第１化合物半導体層３８１）は、以下の組成を有する。更には、発光素子３３０を構成する活性層３３３、発光素子３３０を構成する第２層３３２及び及びダミーダイオード３５０を構成する第１層３５１（共通の第２化合物半導体層３８２）、ダミーダイオード３５０を構成する第２層３５２及び逆方向ダイオード３４０を構成する第１層３４１（共通の第３化合物半導体層３８３）、逆方向ダイオード３４０を構成する第２層３４２は、以下の組成を有する。   The first layer 321 constituting the bypass diode 320 in Example 3, the first layer 331 constituting the light emitting element 330, and the second layer 322 (common first compound semiconductor layer 381) constituting the bypass diode 320 are: It has the following composition. Further, the active layer 333 constituting the light emitting element 330, the second layer 332 constituting the light emitting element 330, the first layer 351 (common second compound semiconductor layer 382) constituting the dummy diode 350, and the dummy diode 350 are provided. The second layer 352 and the first layer 341 (common third compound semiconductor layer 383) constituting the reverse diode 340 and the second layer 342 constituting the reverse diode 340 have the following compositions.

Figure 2008177429
Figure 2008177429

そして、このような構造にすることで、バイパス・ダイオード３２０の電気抵抗値及びターン・オン電圧は、例えば５Ω程度、及び、３．５ボルト程度であり、発光素子３３０の電気抵抗値及びターン・オン電圧は、例えば１０Ω程度、及び、３．０ボルト程度であり、逆方向ダイオード３４０の電気抵抗値及びターン・オン電圧は、例えば５Ω程度、及び、３．５ボルト程度である。   With this structure, the electrical resistance value and turn-on voltage of the bypass diode 320 are, for example, about 5Ω and about 3.5 volts, and the electrical resistance value and turn The on-voltage is about 10Ω and about 3.0 volts, for example, and the electrical resistance value and turn-on voltage of the reverse diode 340 are about 5Ω and about 3.5 volts, for example.

実施例３、あるいは、後述する実施例４〜実施例５の発光素子組立体は、各層の積層順やパターニング順が異なるものの、実質的に、実施例２において説明した発光素子組立体の製造方法と同様の方法で製造することができるので、詳細な説明は省略する。   Although the light emitting element assembly of Example 3 or Examples 4 to 5 described later is different in the stacking order and patterning order of the respective layers, the method for manufacturing the light emitting element assembly substantially described in Example 2 is used. Therefore, detailed description thereof is omitted.

実施例４は、本発明の第４の態様及び第６の態様に係る発光素子組立体に関する。実施例４の発光素子組立体の等価回路図を図１０の（Ａ）に示し、模式的な一部端面図を図１０の（Ｂ）に示す。   Example 4 relates to a light-emitting element assembly according to the fourth and sixth aspects of the present invention. An equivalent circuit diagram of the light-emitting element assembly of Example 4 is shown in FIG. 10A, and a schematic partial end view is shown in FIG.

実施例４の発光素子組立体は、本発明の第４の態様に係る発光素子組立体の表現に沿って説明すると、
（Ａ）基板４１０上に形成され、それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型（ｎ型）を有する第１層４４１、及び、第２導電型（ｐ型）を有する第２層４４２から構成された逆方向ダイオード４４０、
（Ｂ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型（ｐ型）を有する第１層４５１、及び、第１導電型（ｎ型）を有する第２層４５２から構成されたダミーダイオード４５０、
（Ｃ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型（ｎ型）を有する第１層４２１、及び、第２導電型（ｐ型）を有する第２層４２２から構成されたバイパス・ダイオード４２０、並びに、
（Ｄ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型（ｐ型）を有する第１層４３１、活性層４３３、及び、第１導電型（ｎ型）を有する第２層４３２から構成された発光素子４３０、
が順次積層されて成る。 The light emitting element assembly of Example 4 will be described along the expression of the light emitting element assembly according to the fourth aspect of the present invention.
(A) A first layer 441 having a first conductivity type (n-type) and a second layer having a second conductivity type (p-type) are formed on the substrate 410 and each is made of a compound semiconductor. A reverse diode 440 composed of layer 442;
(B) Each of which is made of a compound semiconductor, and is a dummy composed of a first layer 451 having a second conductivity type (p-type) and a second layer 452 having a first conductivity type (n-type) from the substrate side. Diode 450,
(C) Bypass composed of a compound semiconductor, and from the substrate side, the first layer 421 having the first conductivity type (n-type) and the second layer 422 having the second conductivity type (p-type). A diode 420, and
(D) Each is made of a compound semiconductor, and from the substrate side, from the first layer 431 having the second conductivity type (p-type), the active layer 433, and the second layer 432 having the first conductivity type (n-type). A configured light emitting device 430;
Are sequentially stacked.

あるいは又、実施例４の発光素子組立体は、本発明の第６の態様に係る発光素子組立体の表現に沿って説明すると、バイパス・ダイオード４２０、発光素子４３０、及び、逆方向ダイオード４４０が１チップ化されて成り、バイパス・ダイオード４２０の一端（具体的には、第１層４２１）、発光素子４３０の一端（具体的には、第２層４３２）、及び、逆方向ダイオード４４０の一端（具体的には、第２層４４２）は、発光素子駆動電源の第１出力部に接続され、発光素子４３０の他端（具体的には、第１層４３１）、及び、逆方向ダイオード４４０の他端（具体的には、第１層４４１）は、発光素子駆動電源の第２出力部に接続されている。そして、発光素子４３０、バイパス・ダイオード４２０及び逆方向ダイオード４４０は積層されている。   Alternatively, the light-emitting element assembly of Example 4 will be described along the expression of the light-emitting element assembly according to the sixth aspect of the present invention. The bypass diode 420, the light-emitting element 430, and the reverse diode 440 include One end of the bypass diode 420 (specifically, the first layer 421), one end of the light emitting element 430 (specifically, the second layer 432), and one end of the reverse diode 440 are configured in one chip. (Specifically, the second layer 442) is connected to the first output unit of the light emitting element driving power source, and the other end (specifically, the first layer 431) of the light emitting element 430 and the reverse diode 440. The other end (specifically, the first layer 441) is connected to the second output portion of the light emitting element driving power source. The light emitting element 430, the bypass diode 420, and the reverse diode 440 are stacked.

逆方向ダイオード４４０を構成する第２層４４２と、ダミーダイオード４５０を構成する第１層４５１は、共通の第１化合物半導体層４８１から成る。また、ダミーダイオード４５０を構成する第２層４５２と、バイパス・ダイオード４２０を構成する第１層４２１は、共通の第２化合物半導体層４８２から成る。更には、バイパス・ダイオード４２０を構成する第２層４２２と、発光素子４３０を構成する第１層４３１は、共通の第３化合物半導体層４８３から成る。   The second layer 442 constituting the reverse diode 440 and the first layer 451 constituting the dummy diode 450 are formed of a common first compound semiconductor layer 481. Further, the second layer 452 constituting the dummy diode 450 and the first layer 421 constituting the bypass diode 420 are formed of a common second compound semiconductor layer 482. Further, the second layer 422 constituting the bypass diode 420 and the first layer 431 constituting the light emitting element 430 are formed of a common third compound semiconductor layer 483.

実施例４の発光素子組立体において、逆方向ダイオード４４０とバイパス・ダイオード４２０との間には、本来、機能的には必要とされないダミーダイオード４５０が形成されているが、このダミーダイオード４５０は、実施例４の発光素子組立体において、バイパス・ダイオード４２０及び発光素子４３０を一連の結晶成長の過程で形成するために必要とされるものであり、それ自体の存在が発光素子組立体の動作に何ら影響を与えるものではない。   In the light emitting element assembly of Example 4, a dummy diode 450 that is not originally required in terms of function is formed between the reverse diode 440 and the bypass diode 420. In the light emitting device assembly of Example 4, it is required to form the bypass diode 420 and the light emitting device 430 in a series of crystal growth processes. It has no effect.

そして、バイパス・ダイオード４２０を構成する第１層４２１は、第１電極４６１に接続されている。具体的には、第１電極４６１は、バイパス・ダイオード４２０を構成する第１層４２１の露出した一部分の上に形成されている。また、発光素子４３０を構成する第１層４３１、及び、バイパス・ダイオード４２０を構成する第２層４２２（即ち、第３の化合物半導体層４８３）は、第２電極４６２に接続されている。具体的には、第２電極４６２は、発光素子４３０を構成する第１層４３１と、バイパス・ダイオード４２０を構成する第２層４２２とが共通となった第３化合物半導体層４８３の露出した一部分の上に形成されている。更には、発光素子４３０を構成する第２層４３２は、第３電極４６３に接続されている。具体的には、第３電極４６３は、発光素子４３０を構成する第２層４３２の露出した一部分の上に形成されている。また、逆方向ダイオード４４０を構成する第２層４４２は、第４電極４６４に接続されている。具体的には、第４電極４６４は、逆方向ダイオード４４０を構成する第２層４４２の露出した一部分の上に形成されている。更には、逆方向ダイオード４４０を構成する第１層４４１は、第５電極４６５に接続されている。具体的には、第５電極４６５は、逆方向ダイオード４４０を構成する第１層４４１の露出した一部分の上に形成されている。   The first layer 421 constituting the bypass diode 420 is connected to the first electrode 461. Specifically, the first electrode 461 is formed on the exposed part of the first layer 421 constituting the bypass diode 420. In addition, the first layer 431 constituting the light emitting element 430 and the second layer 422 (that is, the third compound semiconductor layer 483) constituting the bypass diode 420 are connected to the second electrode 462. Specifically, the second electrode 462 is an exposed part of the third compound semiconductor layer 483 in which the first layer 431 constituting the light emitting element 430 and the second layer 422 constituting the bypass diode 420 are common. Is formed on top. Further, the second layer 432 constituting the light emitting element 430 is connected to the third electrode 463. Specifically, the third electrode 463 is formed on an exposed part of the second layer 432 constituting the light emitting element 430. In addition, the second layer 442 constituting the reverse diode 440 is connected to the fourth electrode 464. Specifically, the fourth electrode 464 is formed on an exposed part of the second layer 442 constituting the reverse diode 440. Further, the first layer 441 constituting the reverse diode 440 is connected to the fifth electrode 465. Specifically, the fifth electrode 465 is formed on an exposed portion of the first layer 441 that constitutes the reverse diode 440.

ここで、第１電極４６１と第３電極４６３、及び、第１電極４６１と第４電極４６４とは、絶縁層４７０上を延びる配線層４６６によって電気的に接続されており、第２電極４６２と第５電極４６５とは、絶縁層４７０上を延びる配線層４６７によって電気的に接続されている。そして、第１電極４６１、第３電極４６３及び第４電極４６４は、発光素子駆動電源の第１出力部に図示しない配線を介して接続され、第２電極４６２及び第５電極４６５は、発光素子駆動電源の第２出力部に図示しない配線を介して接続されている。   Here, the first electrode 461 and the third electrode 463, and the first electrode 461 and the fourth electrode 464 are electrically connected by a wiring layer 466 extending over the insulating layer 470, and the second electrode 462 The fifth electrode 465 is electrically connected by a wiring layer 467 extending on the insulating layer 470. The first electrode 461, the third electrode 463, and the fourth electrode 464 are connected to the first output portion of the light emitting element driving power source via a wiring (not shown), and the second electrode 462 and the fifth electrode 465 are connected to the light emitting element. It is connected to a second output portion of the drive power supply via a wiring (not shown).

実施例４における逆方向ダイオード４４０を構成する第１層４４１、逆方向ダイオード４４０を構成する第２層４４２及びダミーダイオード４５０を構成する第１層４５１（共通の第１化合物半導体層４８１）は、以下の組成を有する。また、バイパス・ダイオード４２０を構成する第１層４２１及びダミーダイオード４５０を構成する第２層４５２（共通の第２化合物半導体層４８２）は、以下の組成を有する。更には、バイパス・ダイオード４２０を構成する第２層４２２及び発光素子４３０を構成する第１層４３１（共通の第３化合物半導体層４８３）、発光素子４３０を構成する活性層４３３、発光素子４３０を構成する第２層４３２は、以下の組成を有する。   The first layer 441 constituting the reverse diode 440 in Example 4, the second layer 442 constituting the reverse diode 440, and the first layer 451 (common first compound semiconductor layer 481) constituting the dummy diode 450 are: It has the following composition. Further, the first layer 421 constituting the bypass diode 420 and the second layer 452 (common second compound semiconductor layer 482) constituting the dummy diode 450 have the following composition. Further, the second layer 422 constituting the bypass diode 420 and the first layer 431 (common third compound semiconductor layer 483) constituting the light emitting element 430, the active layer 433 constituting the light emitting element 430, and the light emitting element 430 are provided. The second layer 432 to be configured has the following composition.

Figure 2008177429
Figure 2008177429

そして、このような構造にすることで、バイパス・ダイオード４２０の電気抵抗値及びターン・オン電圧は、例えば５Ω程度、及び、３．５ボルト程度であり、発光素子４３０の電気抵抗値及びターン・オン電圧は、例えば１０Ω程度、及び、３．０ボルト程度であり、逆方向ダイオード４４０の電気抵抗値及びターン・オン電圧は、例えば５Ω程度、及び、３．５ボルト程度である。   With such a structure, the electrical resistance value and turn-on voltage of the bypass diode 420 are, for example, about 5Ω and about 3.5 volts, and the electrical resistance value and the turn-on voltage of the light emitting element 430 are about. The on-voltage is, for example, about 10Ω and about 3.0 volts, and the electrical resistance value and the turn-on voltage of the reverse diode 440 are, for example, about 5Ω and about 3.5 volts.

実施例５は、本発明の第５の態様及び第６の態様に係る発光素子組立体に関する。実施例５の発光素子組立体の等価回路図を図１１の（Ａ）に示し、模式的な一部端面図を図１１の（Ｂ）に示す。   Example 5 relates to a light-emitting element assembly according to the fifth and sixth aspects of the present invention. An equivalent circuit diagram of the light-emitting element assembly of Example 5 is shown in FIG. 11A, and a schematic partial end view is shown in FIG.

実施例５の発光素子組立体は、本発明の第５の態様に係る発光素子組立体の表現に沿って説明すると、
（Ａ）基板５１０上に形成され、それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型（ｎ型）を有する第１層５４１、及び、第２導電型（ｐ型）を有する第２層５４２から構成された逆方向ダイオード５４０、
（Ｂ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型（ｐ型）を有する第１層５５１、及び、第１導電型（ｎ型）を有する第２層５５２から構成されたダミーダイオード５５０、
（Ｃ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型（ｎ型）を有する第１層５３１、活性層５３３、及び、第２導電型（ｐ型）を有する第２層５３２から構成された発光素子５３０、並びに、
（Ｄ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型（ｐ型）を有する第１層５２１、及び、第１導電型（ｎ型）を有する第２層５２２から構成されたバイパス・ダイオード５２０、
が順次積層されて成る。 The light-emitting element assembly of Example 5 will be described along the expression of the light-emitting element assembly according to the fifth aspect of the present invention.
(A) A first layer 541 having a first conductivity type (n-type) and a second layer having a second conductivity type (p-type) are formed on the substrate 510, each of which is made of a compound semiconductor. A reverse diode 540 composed of layer 542,
(B) Each of which is made of a compound semiconductor, and is a dummy including a first layer 551 having a second conductivity type (p-type) and a second layer 552 having a first conductivity type (n-type) from the substrate side. A diode 550,
(C) Each is made of a compound semiconductor, and from the substrate side, the first layer 531 having the first conductivity type (n-type), the active layer 533, and the second layer 532 having the second conductivity type (p-type). A configured light emitting element 530, and
(D) Each of which is made of a compound semiconductor, and includes, from the substrate side, a first layer 521 having a second conductivity type (p-type) and a second layer 522 having a first conductivity type (n-type). A diode 520,
Are sequentially stacked.

あるいは又、実施例５の発光素子組立体は、本発明の第６の態様に係る発光素子組立体の表現に沿って説明すると、バイパス・ダイオード５２０、発光素子５３０、及び、逆方向ダイオード５４０が１チップ化されて成り、バイパス・ダイオード５２０の一端（具体的には、第２層５２２）、発光素子５３０の一端（具体的には、第１層５３１）、及び、逆方向ダイオード５４０の一端（具体的には、第２層５４２）は、発光素子駆動電源の第１出力部に接続され、発光素子５３０の他端（具体的には、第２層５３２）、及び、逆方向ダイオード５４０の他端（具体的には、第１層５２１）は、発光素子駆動電源の第２出力部に接続されている。そして、発光素子５３０、バイパス・ダイオード５２０及び逆方向ダイオード５４０は積層されている。   Alternatively, the light-emitting element assembly of Example 5 will be described along the expression of the light-emitting element assembly according to the sixth aspect of the present invention. The bypass diode 520, the light-emitting element 530, and the reverse diode 540 include One end of the bypass diode 520 (specifically, the second layer 522), one end of the light emitting element 530 (specifically, the first layer 531), and one end of the reverse diode 540 (Specifically, the second layer 542) is connected to the first output unit of the light emitting element driving power source, and the other end (specifically, the second layer 532) of the light emitting element 530 and the reverse diode 540. The other end (specifically, the first layer 521) is connected to the second output portion of the light emitting element driving power source. The light emitting element 530, the bypass diode 520, and the reverse diode 540 are stacked.

逆方向ダイオード５４０を構成する第２層５４２と、ダミーダイオード５５０を構成する第１層５５１は、共通の第１化合物半導体層５８１から成る。また、ダミーダイオード５５０を構成する第２層５５２と、発光素子５３０を構成する第１層５３１は、共通の第２化合物半導体層５８２から成る。更には、発光素子５３０を構成する第２層５３２と、バイパス・ダイオード５２０を構成する第１層５２１は、共通の第３化合物半導体層５８３から成る。   The second layer 542 constituting the reverse diode 540 and the first layer 551 constituting the dummy diode 550 are formed of a common first compound semiconductor layer 581. Further, the second layer 552 constituting the dummy diode 550 and the first layer 531 constituting the light emitting element 530 are formed of a common second compound semiconductor layer 582. Further, the second layer 532 constituting the light emitting element 530 and the first layer 521 constituting the bypass diode 520 are composed of a common third compound semiconductor layer 583.

実施例５の発光素子組立体において、逆方向ダイオード５４０と発光素子５３０との間には、本来、機能的には必要とされないダミーダイオード５５０が形成されているが、このダミーダイオード５５０は、実施例５の発光素子組立体において、発光素子５３０及びバイパス・ダイオード５２０を一連の結晶成長の過程で形成するために必要とされるものであり、それ自体の存在が発光素子組立体の動作に何ら影響を与えるものではない。   In the light emitting element assembly of Example 5, a dummy diode 550 that is not originally required in terms of function is formed between the reverse direction diode 540 and the light emitting element 530. In the light emitting device assembly of Example 5, the light emitting device 530 and the bypass diode 520 are required for forming a series of crystal growth processes, and the presence of the light emitting device 530 and the bypass diode 520 does not affect the operation of the light emitting device assembly. It has no effect.

そして、バイパス・ダイオード５２０を構成する第２層５２２は、第１電極５６１に接続されている。具体的には、第１電極５６１は、バイパス・ダイオード５２０を構成する第２層５２２の露出した一部分の上に形成されている。また、発光素子５３０を構成する第２層５３２、及び、バイパス・ダイオード５２０を構成する第１層５２１（即ち、第３の化合物半導体層５８３）は、第２電極５６２に接続されている。具体的には、第２電極５６２は、発光素子５３０を構成する第２層５３２と、バイパス・ダイオード５２０を構成する第１層５２１とが共通となった第３化合物半導体層５８３の露出した一部分の上に形成されている。更には、発光素子５３０を構成する第１層５３１は、第３電極５６３に接続されている。具体的には、第３電極５６３は、発光素子５３０を構成する第１層５３１の露出した一部分の上に形成されている。また、逆方向ダイオード５４０を構成する第２層５４２は、第４電極５６４に接続されている。具体的には、第４電極５６４は、逆方向ダイオード５４０を構成する第２層５４２の露出した一部分の上に形成されている。更には、逆方向ダイオード５４０を構成する第１層５４１は、第５電極５６５に接続されている。具体的には、第５電極５６５は、逆方向ダイオード５４０を構成する第１層５４１の露出した一部分の上に形成されている。   The second layer 522 constituting the bypass diode 520 is connected to the first electrode 561. Specifically, the first electrode 561 is formed on an exposed portion of the second layer 522 that constitutes the bypass diode 520. In addition, the second layer 532 constituting the light emitting element 530 and the first layer 521 (that is, the third compound semiconductor layer 583) constituting the bypass diode 520 are connected to the second electrode 562. Specifically, the second electrode 562 is an exposed part of the third compound semiconductor layer 583 in which the second layer 532 constituting the light emitting element 530 and the first layer 521 constituting the bypass diode 520 are shared. Is formed on top. Furthermore, the first layer 531 constituting the light emitting element 530 is connected to the third electrode 563. Specifically, the third electrode 563 is formed on an exposed part of the first layer 531 constituting the light emitting element 530. In addition, the second layer 542 constituting the reverse diode 540 is connected to the fourth electrode 564. Specifically, the fourth electrode 564 is formed on an exposed part of the second layer 542 constituting the reverse diode 540. Furthermore, the first layer 541 constituting the reverse diode 540 is connected to the fifth electrode 565. Specifically, the fifth electrode 565 is formed on an exposed portion of the first layer 541 that constitutes the reverse diode 540.

ここで、第１電極５６１と第３電極５６３、及び、第３電極５６３と第４電極５６４とは、絶縁層５７０上を延びる配線層５６６によって電気的に接続されており、第２電極５６２と第５電極５６５とは、絶縁層５７０上を延びる配線層５６７によって電気的に接続されている。そして、第１電極５６１、第３電極５６３及び第４電極５６４は、発光素子駆動電源の第１出力部に図示しない配線を介して接続され、第２電極５６２及び第５電極５６５は、発光素子駆動電源の第２出力部に図示しない配線を介して接続されている。   Here, the first electrode 561 and the third electrode 563 and the third electrode 563 and the fourth electrode 564 are electrically connected by a wiring layer 566 extending over the insulating layer 570, and the second electrode 562 The fifth electrode 565 is electrically connected by a wiring layer 567 extending on the insulating layer 570. The first electrode 561, the third electrode 563, and the fourth electrode 564 are connected to the first output portion of the light emitting element driving power source via a wiring (not shown), and the second electrode 562 and the fifth electrode 565 are connected to the light emitting element. It is connected to a second output portion of the drive power supply via a wiring (not shown).

実施例５における逆方向ダイオード５４０を構成する第１層５４１、逆方向ダイオード５４０を構成する第２層５４２及びダミーダイオード５５０を構成する第１層５５１（共通の第１化合物半導体層５８１）は、以下の組成を有する。また、発光素子５３０を構成する第１層５３１及びダミーダイオード５５０を構成する第２層５５２（共通の第２化合物半導体層５８２）、発光素子５３０を構成する活性層５３３、発光素子５３０を構成する第２層５３２及びバイパス・ダイオード５２０を構成する第１層５２１（共通の第３化合物半導体層５８３）、バイパス・ダイオード５２０を構成する第２層５２２以下の組成を有する。   The first layer 541 constituting the reverse diode 540 in Example 5, the second layer 542 constituting the reverse diode 540, and the first layer 551 (common first compound semiconductor layer 581) constituting the dummy diode 550 are: It has the following composition. In addition, the first layer 531 constituting the light emitting element 530 and the second layer 552 (common second compound semiconductor layer 582) constituting the dummy diode 550, the active layer 533 constituting the light emitting element 530, and the light emitting element 530 are constituted. The second layer 532 and the first layer 521 (common third compound semiconductor layer 583) constituting the bypass diode 520 and the second layer 522 constituting the bypass diode 520 have the following composition.

Figure 2008177429
Figure 2008177429

そして、このような構造にすることで、バイパス・ダイオード５２０の電気抵抗値及びターン・オン電圧は、例えば５Ω程度、及び、３．５ボルト程度であり、発光素子５３０の電気抵抗値及びターン・オン電圧は、例えば１０Ω程度、及び、３．０ボルト程度であり、逆方向ダイオード５４０の電気抵抗値及びターン・オン電圧は、例えば５Ω程度、及び、３．５ボルト程度である。   With such a structure, the electrical resistance value and turn-on voltage of the bypass diode 520 are, for example, about 5Ω and about 3.5 volts, and the electrical resistance value and the turn-on voltage of the light emitting element 530 are about 5Ω. The on-voltage is, for example, about 10Ω and about 3.0 volts, and the electrical resistance value and the turn-on voltage of the reverse diode 540 are, for example, about 5Ω and about 3.5 volts.

以上、本発明を好ましい実施例に基づき説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例において説明した発光素子組立体の構成、構造、発光素子組立体を構成する材料や組成等は例示であり適宜変更することができる。第１導電型をｐ型とし、第２導電型をｎ型とすることもできる。更には、基板１０として、絶縁性の基板を用いることもできる。実施例１において説明した発光素子組立体において、場合によっては、基板上に発光素子を形成し、発光素子の上にバイパス・ダイオードを形成してもよい。また、実施例２〜実施例５の発光ダイオードにおいては、基板とは逆の方向（発光素子組立体の頂面）から光を出射する形式とすることもできる。   As mentioned above, although this invention was demonstrated based on the preferable Example, this invention is not limited to these Examples. The configuration and structure of the light-emitting element assembly described in the examples, the materials and the compositions that constitute the light-emitting element assembly are examples and can be changed as appropriate. The first conductivity type may be p-type and the second conductivity type may be n-type. Furthermore, an insulating substrate can be used as the substrate 10. In the light emitting element assembly described in Embodiment 1, in some cases, a light emitting element may be formed on a substrate, and a bypass diode may be formed on the light emitting element. Moreover, in the light emitting diode of Example 2-Example 5, it can also be set as the form which radiate | emits light from the direction (top surface of a light emitting element assembly) opposite to a board | substrate.

実施例１において説明した発光素子組立体の構造を、端面から光を出射する端面発光レーザ素子に適用することもできる。この場合に各層の組成を以下に例示する。   The structure of the light-emitting element assembly described in Embodiment 1 can also be applied to an edge-emitting laser element that emits light from the end face. In this case, the composition of each layer is exemplified below.

Figure 2008177429
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また、実施例２において説明した発光素子組立体の構造を、端面から光を出射する端面発光レーザ素子に適用することもできる。この場合に各層の組成を以下に例示する。   In addition, the structure of the light emitting element assembly described in Embodiment 2 can be applied to an edge emitting laser element that emits light from an end face. In this case, the composition of each layer is exemplified below.

Figure 2008177429
Figure 2008177429

更には、実施例３において説明した発光素子組立体の構造を、端面から光を出射する端面発光レーザ素子に適用することもできる。この場合に各層の組成を以下に例示する。   Furthermore, the structure of the light-emitting element assembly described in Embodiment 3 can be applied to an edge-emitting laser element that emits light from the end face. In this case, the composition of each layer is exemplified below.

Figure 2008177429
Figure 2008177429

また、実施例４において説明した発光素子組立体の構造を、端面から光を出射する端面発光レーザ素子に適用することもできる。この場合に各層の組成を以下に例示する。   Further, the structure of the light emitting element assembly described in Embodiment 4 can be applied to an edge emitting laser element that emits light from an end face. In this case, the composition of each layer is exemplified below.

Figure 2008177429
Figure 2008177429

更には、実施例５において説明した発光素子組立体の構造を、端面から光を出射する端面発光レーザ素子に適用することもできる。この場合に各層の組成を以下に例示する。   Furthermore, the structure of the light-emitting element assembly described in Embodiment 5 can be applied to an edge-emitting laser element that emits light from the end face. In this case, the composition of each layer is exemplified below.

Figure 2008177429
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図１の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例１の発光素子組立体の等価回路図、及び、模式的な一部端面図である。FIGS. 1A and 1B are an equivalent circuit diagram and a schematic partial end view of the light-emitting element assembly of Example 1, respectively. 図２は、実施例１の発光素子組立体の模式的な部分的平面図である。FIG. 2 is a schematic partial plan view of the light-emitting element assembly of Example 1. FIG. 図３は、実施例１の発光素子組立体を流れる電流を説明するためのグラフである。FIG. 3 is a graph for explaining the current flowing through the light-emitting element assembly of Example 1. 図４の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例１の発光素子組立体の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。4A and 4B are schematic partial end views of a substrate and the like for explaining the method for manufacturing the light-emitting element assembly of Example 1. FIG. 図５の（Ａ）及び（Ｂ）は、図４の（Ｂ）に引き続き、実施例１の発光素子組立体の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。5A and 5B are schematic partial end views of a substrate and the like for explaining the method for manufacturing the light-emitting element assembly of Example 1, following FIG. 4B. 図６の（Ａ）及び（Ｂ）は、図５の（Ｂ）に引き続き、実施例１の発光素子組立体の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。6A and 6B are schematic partial end views of a substrate and the like for explaining the method for manufacturing the light-emitting element assembly of Example 1, following FIG. 5B. 図７の（Ａ）及び（Ｂ）は、図６の（Ｂ）に引き続き、実施例１の発光素子組立体の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。7A and 7B are schematic partial end views of a substrate and the like for explaining the method for manufacturing the light-emitting element assembly of Example 1, following FIG. 6B. 図８の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例２の発光素子組立体の等価回路図、及び、模式的な一部端面図である。FIGS. 8A and 8B are an equivalent circuit diagram and a schematic partial end view of the light-emitting element assembly of Example 2, respectively. 図９の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例３の発光素子組立体の等価回路図、及び、模式的な一部端面図である。FIGS. 9A and 9B are an equivalent circuit diagram and a schematic partial end view of the light-emitting element assembly of Example 3, respectively. 図１０の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例４の発光素子組立体の等価回路図、及び、模式的な一部端面図である。FIGS. 10A and 10B are an equivalent circuit diagram and a schematic partial end view of the light-emitting element assembly of Example 4, respectively. 図１１の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例５の発光素子組立体の等価回路図、及び、模式的な一部端面図である。FIGS. 11A and 11B are an equivalent circuit diagram and a schematic partial end view of the light-emitting element assembly of Example 5, respectively.

符号の説明Explanation of symbols

１０，２１０，３１０，４１０，５１０・・・基板、２０，２２０，３２０，４２０，５２０・・・バイパス・ダイオード、２１，２２１，３２１，４２１，５２１・・・バイパス・ダイオードの第１層、２２，２２２，３２２，４２２，５２２・・・バイパス・ダイオードの第２層、２３・・・バイパス・ダイオードの接合層、３０，２３０，３３０，４３０，５３０・・・発光素子、３１，２３１，３３１，４３１，５３１・・・発光素子の第１層、３１Ａ，４１Ａ・・・酸化狭窄層、３１Ｂ，４１Ｂ・・・第１クラッド層、３１Ｃ，４１Ｃ・・・酸化狭窄層の酸化された領域、３２，２３２，３３２，４３２，５３２・・・発光素子の第２層、３２Ａ，４２Ａ・・・第２クラッド層、３２Ｂ，４２Ｂ・・・ＤＢＲ層、３３，２３３，３３３，４３３，５３３・・・発光素子の活性層、４０，２４０，３４０，４４０，５４０・・・逆方向ダイオード、４１，２４１，３４１，４４１，５４１・・・逆方向ダイオードの第１層、４２，２４２，３４２，４４２，５４２・・・逆方向ダイオードの第２層、４３・・・逆方向ダイオードの接合層、５０，２５０，３５０，４５０，５５０・・・ダミーダイオード、５１，２５１，３５１，４５１，５５１・・・ダミーダイオードの第１層、５２，２５２，３５２，４５２，５５２・・・ダミーダイオードの第２層、５３・・・ダミーダイオードの接合層、６１，２６１，３６１，４６１，５６１・・・第１電極、６２，２６２，３６２，４６２，５６２・・・第２電極、６３，２６３，３６３，４６３，５６３・・・第３電極、６４，２６４，３６４，４６４，５６４・・・第４電極、６５，２６５，３６５，４６５，５６５・・・第５電極、６６，６７，２６６，２６７，３６６，３６７，４６６，４６７，５６６，５６７・・・配線層、６８・・・取出し電極、７０，２７０，３７０，４７０，５７０・・・絶縁層、１２１，１２２，１２３，１３１Ｂ，１３２Ａ，１３２Ｂ，１３３・・・化合物半導体層、１３１Ａ・・・酸化狭窄形成層、２８１，３８１，４８１，５８１・・・第１の化合物半導体層、２８２，３８２，４８２，５８２・・・第２の化合物半導体層、２８３，３８３，４８３，５８３・・・第３の化合物半導体層 10, 210, 310, 410, 510 ... substrate, 20, 220, 320, 420, 520 ... bypass diode, 21, 221, 321, 421, 521 ... first layer of bypass diode, 22, 222, 322, 422, 522... Second layer of bypass diode, 23... Junction layer of bypass diode, 30, 230, 330, 430, 530. 331, 431, 531 ... first layer of light emitting element, 31A, 41A ... oxidized constriction layer, 31B, 41B ... first cladding layer, 31C, 41C ... oxidized region of oxidized constriction layer , 32, 232, 332, 432, 532... Second layer of light emitting element, 32A, 42A... Second cladding layer, 32B, 42B. 3, 433, 533 ... active layer of light emitting element, 40, 240, 340, 440, 540 ... reverse diode, 41, 241, 341, 441, 541 ... first layer of reverse diode, 42, 242, 342, 442, 542 ... second layer of reverse diode, 43 ... junction layer of reverse diode, 50, 250, 350, 450, 550 ... dummy diode, 51, 251, 351, 451, 551 ... first layer of dummy diode, 52, 252, 352, 452, 552 ... second layer of dummy diode, 53 ... junction layer of dummy diode, 61, 261, 361 461, 561 ... 1st electrode, 62, 262, 362, 462, 562 ... 2nd electrode, 63, 263, 363, 463, 563 ... 3rd electrode, 6 , 264, 364, 464, 564 ... fourth electrode, 65, 265, 365, 465, 565 ... fifth electrode, 66, 67, 266, 267, 366, 367, 466, 467, 566, 567 ... Wiring layer, 68 ... Extraction electrode, 70, 270, 370, 470, 570 ... Insulating layer, 121, 122, 123, 131B, 132A, 132B, 133 ... Compound semiconductor layer, 131A .. Oxide constriction forming layer, 281, 381, 481, 581... First compound semiconductor layer, 282, 382, 482, 582... Second compound semiconductor layer, 283, 383, 483, 583.・ Third compound semiconductor layer

Claims (22)

（Ａ）基板上に形成され、それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型を有する第１層、及び、第２導電型を有する第２層から構成されたバイパス・ダイオード、
（Ｂ）バイパス・ダイオード上に形成され、それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型を有する第１層、活性層、及び、第１導電型を有する第２層から構成された発光素子、並びに、
（Ｃ）基板の上方に、発光素子と分離して形成され、それぞれが化合物半導体から成り、第２導電型を有する第１層、及び、第１導電型を有する第２層から少なくとも構成された逆方向ダイオード、
を備えていることを特徴とする発光素子組立体。 (A) a bypass diode formed on a substrate, each composed of a compound semiconductor, and configured from the substrate side from a first layer having a first conductivity type and a second layer having a second conductivity type;
(B) formed on a bypass diode, each made of a compound semiconductor, and from the substrate side, a first layer having a second conductivity type, an active layer, and a second layer having a first conductivity type A light emitting element, and
(C) Formed separately from the light emitting element above the substrate, each of which is made of a compound semiconductor, and at least includes a first layer having a second conductivity type and a second layer having a first conductivity type Reverse diode,
A light-emitting element assembly comprising: 発光素子は、発光素子を構成する第２層を介して光を出射する面発光レーザ素子から成ることを特徴とする請求項１に記載の発光素子組立体。   2. The light emitting element assembly according to claim 1, wherein the light emitting element is a surface emitting laser element that emits light through a second layer constituting the light emitting element. 発光素子は、端面から光を出射する端面発光レーザ素子から成ることを特徴とする請求項１に記載の発光素子組立体。   The light emitting element assembly according to claim 1, wherein the light emitting element comprises an end surface emitting laser element that emits light from an end surface. 逆方向ダイオードと基板との間には、バイパス・ダイオードを構成する第１層の延在部及び第２層の延在部が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の発光素子組立体。   2. The light emitting device according to claim 1, wherein an extension portion of a first layer and an extension portion of a second layer constituting a bypass diode are provided between the reverse direction diode and the substrate. Assembly. 発光素子を構成する第１層と逆方向ダイオードを構成する第１層とは、同一の層から成り、
発光素子を構成する第２層と逆方向ダイオードを構成する第２層とは、同一の層から成ることを特徴とする請求項１に記載の発光素子組立体。 The first layer constituting the light emitting element and the first layer constituting the reverse diode are composed of the same layer,
The light emitting device assembly according to claim 1, wherein the second layer constituting the light emitting device and the second layer constituting the reverse diode are composed of the same layer. バイパス・ダイオードを構成する第１層は、第１電極に接続され、
バイパス・ダイオードを構成する第２層、及び、発光素子を構成する第１層は、第２電極に接続され、
発光素子を構成する第２層は、第３電極に接続され、
逆方向ダイオードを構成する第１層は、第４電極に接続され、
逆方向ダイオードを構成する第２層は、第５電極に接続され、
第１電極、第３電極及び第４電極は、発光素子駆動電源の第１出力部に接続され、
第２電極及び第５電極は、発光素子駆動電源の第２出力部に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の発光素子組立体。 The first layer constituting the bypass diode is connected to the first electrode,
The second layer constituting the bypass diode and the first layer constituting the light emitting element are connected to the second electrode,
The second layer constituting the light emitting element is connected to the third electrode,
The first layer constituting the reverse diode is connected to the fourth electrode,
The second layer constituting the reverse diode is connected to the fifth electrode,
The first electrode, the third electrode, and the fourth electrode are connected to the first output portion of the light emitting element driving power source,
The light emitting device assembly according to claim 1, wherein the second electrode and the fifth electrode are connected to a second output portion of the light emitting device driving power source. （Ａ）基板上に形成され、それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型を有する第１層、活性層、及び、第２導電型を有する第２層から構成された発光素子、
（Ｂ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型を有する第１層、及び、第１導電型を有する第２層から構成されたバイパス・ダイオード、
（Ｃ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型を有する第１層、及び、第２導電型を有する第２層から構成されたダミーダイオード、並びに、
（Ｄ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型を有する第１層、及び、第１導電型を有する第２層から構成された逆方向ダイオード、
が順次積層されて成ることを特徴とする発光素子組立体。 (A) A light-emitting element formed on a substrate, each composed of a compound semiconductor, and configured from the substrate side from a first layer having a first conductivity type, an active layer, and a second layer having a second conductivity type ,
(B) each composed of a compound semiconductor, and from the substrate side, the first layer having the second conductivity type, and the bypass diode composed of the second layer having the first conductivity type,
(C) each made of a compound semiconductor, and from the substrate side, a dummy diode composed of a first layer having a first conductivity type and a second layer having a second conductivity type, and
(D) each of which is made of a compound semiconductor, and from the substrate side, a reverse diode composed of a first layer having the second conductivity type and a second layer having the first conductivity type;
A light-emitting element assembly comprising: 発光素子を構成する第２層と、バイパス・ダイオードを構成する第１層は、共通の第１化合物半導体層から成り、
バイパス・ダイオードを構成する第２層と、ダミーダイオードを構成する第１層は、共通の第２化合物半導体層から成り、
ダミーダイオードを構成する第２層と、逆方向ダイオードを構成する第１層は、共通の第３化合物半導体層から成ることを特徴とする請求項７に記載の発光素子組立体。 The second layer constituting the light emitting element and the first layer constituting the bypass diode are composed of a common first compound semiconductor layer,
The second layer constituting the bypass diode and the first layer constituting the dummy diode are composed of a common second compound semiconductor layer,
The light emitting device assembly according to claim 7, wherein the second layer constituting the dummy diode and the first layer constituting the reverse diode are formed of a common third compound semiconductor layer. バイパス・ダイオードを構成する第２層は、第１電極に接続され、
発光素子を構成する第２層、及び、バイパス・ダイオードを構成する第１層は、第２電極に接続され、
発光素子を構成する第１層は、第３電極に接続され、
逆方向ダイオードを構成する第１層は、第４電極に接続され、
逆方向ダイオードを構成する第２層は、第５電極に接続され、
第１電極、第３電極及び第４電極は、発光素子駆動電源の第１出力部に接続され、
第２電極及び第５電極は、発光素子駆動電源の第２出力部に接続されていることを特徴とする請求項７に記載の発光素子組立体。 The second layer constituting the bypass diode is connected to the first electrode,
The second layer constituting the light emitting element and the first layer constituting the bypass diode are connected to the second electrode,
The first layer constituting the light emitting element is connected to the third electrode,
The first layer constituting the reverse diode is connected to the fourth electrode,
The second layer constituting the reverse diode is connected to the fifth electrode,
The first electrode, the third electrode, and the fourth electrode are connected to the first output portion of the light emitting element driving power source,
The light emitting device assembly according to claim 7, wherein the second electrode and the fifth electrode are connected to a second output portion of the light emitting device driving power source. （Ａ）基板上に形成され、それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型を有する第１層、及び、第２導電型を有する第２層から構成されたバイパス・ダイオード、
（Ｂ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型を有する第１層、活性層、及び、第１導電型を有する第２層から構成された発光素子、
（Ｃ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型を有する第１層、及び、第２導電型を有する第２層から構成されたダミーダイオード、並びに、
（Ｄ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型を有する第１層、及び、第１導電型を有する第２層から構成された逆方向ダイオード、
が順次積層されて成ることを特徴とする発光素子組立体。 (A) a bypass diode formed on a substrate, each composed of a compound semiconductor, and configured from the substrate side from a first layer having a first conductivity type and a second layer having a second conductivity type;
(B) Each of which is made of a compound semiconductor, and from the substrate side, a light emitting device including a first layer having a second conductivity type, an active layer, and a second layer having a first conductivity type,
(C) each made of a compound semiconductor, and from the substrate side, a dummy diode composed of a first layer having a first conductivity type and a second layer having a second conductivity type, and
(D) each of which is made of a compound semiconductor, and from the substrate side, a reverse diode composed of a first layer having the second conductivity type and a second layer having the first conductivity type;
A light-emitting element assembly comprising: バイパス・ダイオードを構成する第２層と、発光素子を構成する第１層は、共通の第１化合物半導体層から成り、
発光素子を構成する第２層と、ダミーダイオードを構成する第１層は、共通の第２化合物半導体層から成り、
ダミーダイオードを構成する第２層と、逆方向ダイオードを構成する第１層は、共通の第３化合物半導体層から成ることを特徴とする請求項１０に記載の発光素子組立体。 The second layer that constitutes the bypass diode and the first layer that constitutes the light emitting element are composed of a common first compound semiconductor layer,
The second layer constituting the light emitting element and the first layer constituting the dummy diode are composed of a common second compound semiconductor layer,
The light emitting device assembly according to claim 10, wherein the second layer constituting the dummy diode and the first layer constituting the reverse diode are formed of a common third compound semiconductor layer. バイパス・ダイオードを構成する第１層は、第１電極に接続され、
発光素子を構成する第１層、及び、バイパス・ダイオードを構成する第２層は、第２電極に接続され、
発光素子を構成する第２層は、第３電極に接続され、
逆方向ダイオードを構成する第１層は、第４電極に接続され、
逆方向ダイオードを構成する第２層は、第５電極に接続され、
第１電極、第３電極及び第４電極は、発光素子駆動電源の第１出力部に接続され、
第２電極及び第５電極は、発光素子駆動電源の第２出力部に接続されていることを特徴とする請求項１０に記載の発光素子組立体。 The first layer constituting the bypass diode is connected to the first electrode,
The first layer constituting the light emitting element and the second layer constituting the bypass diode are connected to the second electrode,
The second layer constituting the light emitting element is connected to the third electrode,
The first layer constituting the reverse diode is connected to the fourth electrode,
The second layer constituting the reverse diode is connected to the fifth electrode,
The first electrode, the third electrode, and the fourth electrode are connected to the first output portion of the light emitting element driving power source,
The light emitting device assembly according to claim 10, wherein the second electrode and the fifth electrode are connected to a second output portion of the light emitting device driving power source. （Ａ）基板上に形成され、それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型を有する第１層、及び、第２導電型を有する第２層から構成された逆方向ダイオード、
（Ｂ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型を有する第１層、及び、第１導電型を有する第２層から構成されたダミーダイオード、
（Ｃ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型を有する第１層、及び、第２導電型を有する第２層から構成されたバイパス・ダイオード、並びに、
（Ｄ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型を有する第１層、活性層、及び、第１導電型を有する第２層から構成された発光素子、
が順次積層されて成ることを特徴とする発光素子組立体。 (A) a reverse diode formed on a substrate, each composed of a compound semiconductor, and configured from the substrate side from a first layer having a first conductivity type and a second layer having a second conductivity type;
(B) each of which is made of a compound semiconductor, and from the substrate side, a dummy diode composed of a first layer having the second conductivity type and a second layer having the first conductivity type;
(C) each composed of a compound semiconductor, and from the substrate side, a bypass diode composed of a first layer having a first conductivity type and a second layer having a second conductivity type, and
(D) each of which is made of a compound semiconductor, and from the substrate side, a light emitting device composed of a first layer having a second conductivity type, an active layer, and a second layer having a first conductivity type,
A light-emitting element assembly comprising: 逆方向ダイオードを構成する第２層と、ダミーダイオードを構成する第１層は、共通の第１化合物半導体層から成り、
ダミーダイオードを構成する第２層と、バイパス・ダイオードを構成する第１層は、共通の第２化合物半導体層から成り、
バイパス・ダイオードを構成する第２層と、発光素子を構成する第１層は、共通の第３化合物半導体層から成ることを特徴とする請求項１３に記載の発光素子組立体。 The second layer constituting the reverse diode and the first layer constituting the dummy diode are composed of a common first compound semiconductor layer,
The second layer constituting the dummy diode and the first layer constituting the bypass diode are composed of a common second compound semiconductor layer,
14. The light emitting device assembly according to claim 13, wherein the second layer constituting the bypass diode and the first layer constituting the light emitting device comprise a common third compound semiconductor layer. バイパス・ダイオードを構成する第１層は、第１電極に接続され、
発光素子を構成する第１層、及び、バイパス・ダイオードを構成する第２層は、第２電極に接続され、
発光素子を構成する第２層は、第３電極に接続され、
逆方向ダイオードを構成する第２層は、第４電極に接続され、
逆方向ダイオードを構成する第１層は、第５電極に接続され、
第１電極、第３電極及び第４電極は、発光素子駆動電源の第１出力部に接続され、
第２電極及び第５電極は、発光素子駆動電源の第２出力部に接続されていることを特徴とする請求項１３に記載の発光素子組立体。 The first layer constituting the bypass diode is connected to the first electrode,
The first layer constituting the light emitting element and the second layer constituting the bypass diode are connected to the second electrode,
The second layer constituting the light emitting element is connected to the third electrode,
The second layer constituting the reverse diode is connected to the fourth electrode,
The first layer constituting the reverse diode is connected to the fifth electrode,
The first electrode, the third electrode, and the fourth electrode are connected to the first output portion of the light emitting element driving power source,
The light emitting device assembly according to claim 13, wherein the second electrode and the fifth electrode are connected to a second output portion of the light emitting device driving power source. （Ａ）基板上に形成され、それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型を有する第１層、及び、第２導電型を有する第２層から構成された逆方向ダイオード、
（Ｂ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型を有する第１層、及び、第１導電型を有する第２層から構成されたダミーダイオード、
（Ｃ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型を有する第１層、活性層、及び、第２導電型を有する第２層から構成された発光素子、並びに、
（Ｄ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型を有する第１層、及び、第１導電型を有する第２層から構成されたバイパス・ダイオード、
が順次積層されて成ることを特徴とする発光素子組立体。 (A) a reverse diode formed on a substrate, each composed of a compound semiconductor, and configured from the substrate side from a first layer having a first conductivity type and a second layer having a second conductivity type;
(B) each of which is made of a compound semiconductor, and from the substrate side, a dummy diode composed of a first layer having the second conductivity type and a second layer having the first conductivity type;
(C) each of which is made of a compound semiconductor, and from the substrate side, a light emitting element composed of a first layer having a first conductivity type, an active layer, and a second layer having a second conductivity type, and
(D) each of which is made of a compound semiconductor, and includes, from the substrate side, a first layer having a second conductivity type and a bypass diode composed of a second layer having a first conductivity type,
A light-emitting element assembly comprising: 逆方向ダイオードを構成する第２層と、ダミーダイオードを構成する第１層は、共通の第１化合物半導体層から成り、
ダミーダイオードを構成する第２層と、発光素子を構成する第１層は、共通の第２化合物半導体層から成り、
発光素子を構成する第２層と、バイパス・ダイオードを構成する第１層は、共通の第３化合物半導体層から成ることを特徴とする請求項１６に記載の発光素子組立体。 The second layer constituting the reverse diode and the first layer constituting the dummy diode are composed of a common first compound semiconductor layer,
The second layer that constitutes the dummy diode and the first layer that constitutes the light emitting element are composed of a common second compound semiconductor layer,
The light emitting device assembly according to claim 16, wherein the second layer constituting the light emitting device and the first layer constituting the bypass diode are composed of a common third compound semiconductor layer. バイパス・ダイオードを構成する第２層は、第１電極に接続され、
発光素子を構成する第２層、及び、バイパス・ダイオードを構成する第１層は、第２電極に接続され、
発光素子を構成する第１層は、第３電極に接続され、
逆方向ダイオードを構成する第２層は、第４電極に接続され、
逆方向ダイオードを構成する第１層は、第５電極に接続され、
第１電極、第３電極及び第４電極は、発光素子駆動電源の第１出力部に接続され、
第２電極及び第５電極は、発光素子駆動電源の第２出力部に接続されていることを特徴とする請求項１３に記載の発光素子組立体。 The second layer constituting the bypass diode is connected to the first electrode,
The second layer constituting the light emitting element and the first layer constituting the bypass diode are connected to the second electrode,
The first layer constituting the light emitting element is connected to the third electrode,
The second layer constituting the reverse diode is connected to the fourth electrode,
The first layer constituting the reverse diode is connected to the fifth electrode,
The first electrode, the third electrode, and the fourth electrode are connected to the first output portion of the light emitting element driving power source,
The light emitting device assembly according to claim 13, wherein the second electrode and the fifth electrode are connected to a second output portion of the light emitting device driving power source. 発光素子は、発光ダイオードから成ることを特徴とする請求項７，請求項１０、請求項１３、又は、請求項１６に記載の発光素子組立体。   17. The light emitting device assembly according to claim 7, 10, 13, or 16, wherein the light emitting device comprises a light emitting diode. バイパス・ダイオード、発光素子、及び、逆方向ダイオードが１チップ化されて成る発光素子組立体であって、
バイパス・ダイオードの一端、発光素子の一端、及び、逆方向ダイオードの一端は、発光素子駆動電源の第１出力部に接続され、
発光素子の他端、及び、逆方向ダイオードの他端は、発光素子駆動電源の第２出力部に接続されていることを特徴とする発光素子組立体。 A light emitting device assembly in which a bypass diode, a light emitting device, and a reverse diode are integrated into one chip,
One end of the bypass diode, one end of the light emitting element, and one end of the reverse diode are connected to the first output of the light emitting element driving power source,
The other end of a light emitting element and the other end of a reverse direction diode are connected to the 2nd output part of a light emitting element drive power supply, The light emitting element assembly characterized by the above-mentioned. バイパス・ダイオード及び発光素子は積層されており、逆方向ダイオードは発光素子と分離されていることを特徴とする請求項２０に記載の発光素子組立体。   21. The light emitting device assembly of claim 20, wherein the bypass diode and the light emitting device are stacked, and the reverse diode is separated from the light emitting device. 発光素子、バイパス・ダイオード、及び、逆方向ダイオードは積層されていることを特徴とする請求項２０に記載の発光素子組立体。   The light emitting device assembly of claim 20, wherein the light emitting device, the bypass diode, and the reverse diode are stacked.
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