JP2008162887A - Iii族窒化物半導体基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】サファイア基板61上に第一のGaN層62を成長させ、つづいて金属Ti膜63を形成した後、窒化処理して、微細孔を有するTiN膜64を形成する。その後、HVPE−GaN層66を成長する。金属Ti膜63およびTiN膜64の作用により、HVPE−GaN層66中には空隙部65が形成される。この空隙部65の箇所からサファイア基板61を剥離除去する。
【選択図】図6
Description
タイプIの製造方法は、下地基板上に、金属元素含有膜を形成する工程と、該金属元素含有膜上に接して、第一のIII族窒化物半導体層を成長する工程と、前記第一のIII族窒化物半導体層の成長温度よりも高い温度で前記金属元素含有膜および前記第一のIII族窒化物半導体層を熱処理し、前記第一のIII族窒化物半導体層中に空隙部を形成する工程と、前記第一のIII族窒化物半導体層上に第二のIII族窒化物半導体層を形成する工程と、を含む。この製造方法において、金属元素含有膜は、金属の酸化膜や金属窒化膜等であってもよいが、金属単体からなる金属膜であることが好ましい。III族窒化物半導体に対する分解作用が顕著となりやすいからである。
タイプIIの製造方法は、下地基板上に、微細孔構造を有する金属元素含有膜を形成する工程と、該金属元素含有膜上に接して、空隙部を含むIII族窒化物半導体層を形成する工程と、を含む。微細孔構造を有する金属元素含有膜は、少なくとも表面が金属窒化物からなっていることが好ましい。このようにすれば、金属元素含有膜上に良好な品質のIII族窒化物半導体層をエピタキシャル成長させることができる。
タイプIIIの製造方法は、下地基板上に、少なくとも表面が金属窒化物からなる金属元素含有膜を形成する工程と、前記金属窒化物に含まれる窒素の脱離処理を行う工程と、該金属元素含有膜上に接して、空隙部を含むIII族窒化物半導体層を形成する工程と、を含む。この製造方法によれば、金属元素含有膜表面の触媒活性が向上し、III族窒化物半導体層中により安定的に空隙を形成することができる。
タイプIVの製造方法は、下地基板上に、少なくとも表面が金属窒化物からなる金属元素含有膜を形成する工程と、該金属元素含有膜上に接して、原料ガスのV/III比を10以下の条件でIII族窒化物半導体を成長させ、空隙部を含むIII族窒化物半導体層を形成する工程と、を含む。こうすることにより、金属元素含有膜上のIII族窒化物半導体層の横方向成長を促進して、空隙を好適に形成することができる。
(i)下地基板の配向性を伝達し、金属元素含有膜上にIII族窒化物半導体層が好適に単結晶エピタキシャル成長できること。金属元素含有膜は、六方晶系又は立方晶系の結晶系を有し、下地基板上で、金属元素含有膜が六方晶系であれば[0001]軸方向、立方晶系であれば[111]軸方向に配向できることが望ましい。
(ii)金属元素含有膜の融点、あるいは分解開始温度が、その上に形成するIII族窒化物半導体層の成長温度よりも高く、当該成長温度において膜の形態を保つことができること。
(iii)金属元素含有膜上に成長するIII族窒化物半導体層の成長温度における蒸気圧が十分に低く、当該成長温度において昇華が生じないこと。
(iv) 金属元素含有膜上に成長するIII族窒化物半導体層の成長温度において、窒化物半導体やその原料ガス、成長雰囲気ガス(アンモニアガスや水素ガス等)と反応せず、結晶配向性が乱れないこと。
このような条件を満たす金属元素含有膜とすることで、より一層結晶品質の優れたIII族窒化物半導体基板を得ることができる。
(i)金属元素含有膜の有するIII族窒化物半導体分解作用(触媒作用)が十分に発揮され、あるいは、
(ii)横方向成長を促進して金属元素含有膜上にブリッジ的な構造が形成され、
応力緩和効果、基板剥離効果の高い空隙部がより一層安定的に形成されるようになる。以下、このような表面処理の方法の例について説明する。
金属元素含有膜の形成速度を1nm/sec以下とする。こうすることによって、金属元素含有膜の配向性が適度に保たれ、応力緩和効果、基板剥離効果の高い空隙部を好適に形成することができる。たとえば、Tiの場合、蒸着速度蒸着速度を1nm/sec以下とすれば、Tiの(0001)配向性が良好に維持され、窒化した場合にも良好な結晶性が得られる。この結果、窒化膜表面に結晶方位の異なる島状結晶が析出することを抑制でき、本発明の意図する空隙を好適に形成することができる。
金属元素含有膜の厚みを調整する。たとえば金属元素含有膜の厚みを5nm〜50nmとする。こうすることにより、金属元素含有膜上に形成されるIII族窒化物半導体層の結晶品質を良好に維持しつつ金属元素含有膜上の空隙を好適に形成することができる。金属元素含有膜材料としてTiを採用した場合、Tiの厚さは5nm〜50nmが望ましい。Tiが薄すぎると、窒化処理後の網目が大きくなりすぎ、TiNの面積が少なくなり、空隙の形成が不充分となり、剥離ができなくなるからである。また50nm以上に厚くなりすぎると、窒化膜の結晶性が悪くなり、窒化膜表面に結晶方位の異なる島状結晶が析出しやすくなり、このために横方向成長が阻害されて、空隙の形成が不十分となるからである。
金属元素含有膜上にIII族窒化物半導体層を成長する前に、金属元素含有膜表面をウエット処理する。このようにすれば金属元素含有膜上の自然酸化膜が取り除かれ、空隙形成のための触媒作用が十分に発揮されるようになる。ウエット処理は、たとえば、HFに30分間浸漬し、水洗するといった方法を利用することができる。
金属元素含有膜上のIII族窒化物半導体層成長時のキャリアガス組成を調整する。こうすることにより、金属元素含有膜上のIII族窒化物半導体層の横方向成長を促進して、空隙を好適に形成することができる。たとえば、III族窒化物半導体層をHVPEにより形成し、成長時のキャリアガスを、不活性ガス(N2など)を70%以上含有する組成とする。
金属元素含有膜上のIII族窒化物半導体層成長時の反応ガス組成を調整する。具体的にはV/III比を調整する。具体的には、V/III比を10以下とする。こうすることにより、金属元素含有膜上のIII族窒化物半導体層の横方向成長を促進して、空隙を好適に形成することができる。
金属元素含有膜上のIII族窒化物半導体層成長時のドーピングプロファイルを調整する。たとえばSiを不純物として導入し、n型III族窒化物半導体基板を形成する場合、
成長開始後、5μmの厚さになるまでは、Si原子濃度が5×1017cm−3以下になるようにする。これは、Siを添加しすぎると横方向成長が阻害されるという理由からである。
(i)Ti/TiNの触媒作用は、800℃未満の低温では顕著に低くなること。
(ii)500〜800℃程度であれば、Ti上にGaN結晶を成長することは可能であること。
上記二つの知見により、Ti/TiNの作用で分解されない基板、例えばサファイア基板などを用いて、次のような方法によって空隙部を生じさせることが可能であることがわかった。
本例は、前述のタイプIに属するものである。まず、サファイア基板にTiを蒸着する。次に、低温でGaNを成膜する。その後、昇温して低温GaN中にボイドを生じさせる。つづいて高温で厚膜GaNを成長し、その後、自然剥離やエッチングによりサファイア基板を除去して自立基板を得る。
本例は、前述のタイプIIに属するものである。本例は、窒化処理なしで金属元素含有膜上部に空隙部を形成するものである。本発明者らは、下地基板表面(異種基板上に直接金属元素含有膜を形成する場合は異種基板表面、異種基板上にIII族窒化物半導体膜を形成する場合は当該III族窒化物半導体膜)と格子整合しない金属窒化物や金属の薄膜を形成することで、微細孔構造を有する薄膜が形成できることを見出した。このとき、金属や金属窒化物の薄膜を形成した後、この薄膜について窒化処理や熱処理をとくに行わなくてもよい。金属やその金属窒化物の薄膜は、下地基板と結晶構造および格子定数が異なるため、上記薄膜中に大きな歪が加わる。この結果、結晶粒境界で孔が生成し、微細孔構造が生じるものと考えられる。この上にIII族窒化物半導体層を結晶させると、エピタキシャル情報は、微細孔を通して下地基板から当該III族窒化物半導体層に受け継がれる。上記薄膜上に現われた結晶は横方向成長により、お互いに合体して窒化物連続膜が形成されるが、上記薄膜とIII族窒化物半導体層の界面には、微細な空隙が多数発生する。
本例は、前述のタイプIIIに属するものである。窒化物層を成長させる前の昇温時はH2雰囲気のみで行うこととしてもよい。こうすることによって、埋め込み前にTiN表面をH2雰囲気にさらしてNの脱離を促進し、Tiを一部露出させることができる。この結果、Tiの有するIII族窒化物半導体に対する分解作用が顕著となり、空隙部が好適に形成される。
直径2インチの単結晶のサファイア基板のC面上に、厚さ30nmの金属Ti膜を蒸着した。この基板を電気炉内に入れて、NH3を20%混合したN2気流中、1050℃×30minの熱処理を施し、Ti膜表面を窒化した。その後、N2雰囲気下で1040℃まで昇温し、GaNを約500nm厚に堆積し、HVPE−GaN層を形成した。キャリアガスとしてはN2を用いた。得られた基板を走査型電子顕微鏡(SEM)断面観察したところ、Ti膜上部に空隙が多数発生し、多孔質層が形成されていることが確認された。
本実施例の各工程について図1を用いて説明する。はじめに、直径2インチの単結晶のサファイア基板11(図1(a))のC面上に、厚さ30nmの金属Ti膜12を成膜速度0.8nm/secで蒸着した(図1(b))。この基板をHVPE炉に入れ、GaClとNH3を原料として、750℃で第一のGaN層13を1μm成長した(図1(c))。次に、同炉内で基板温度を1050℃に昇温し、NH3気流中で30分間熱処理を施すことにより、金属Ti膜12がTiN膜15に変化するとともに第一のGaN層中に空隙14が形成される(図1(d))。
本実施例の各工程について図3を用いて説明する。直径2インチの単結晶のサファイア基板31(図3(a))のC面上に、TMGとNH3を原料としてMOVPE法によりアンドープのGaN層32を1μm成長した(図3(b))。こうして得られたGaNエピタキシャル基板上に、TiCl4とNH3を原料としてCVD法により、800℃でTiNを20nm堆積させ、TiN膜34を設けた(図3(c))。成膜速度は約1nm/secとした。この試料のX線回折測定を行ったところ、図4に示すように、TiNの回折ピークが観察され、TiN膜34は[111]方向に配向した膜であることが確認された。
本実施例の各工程について図6を用いて説明する。まず直径2インチの単結晶のサファイア基板61(図6(a))のC面上に、TMGとNH3を原料としてMOVPE法によりアンドープGaN層62を1μm成長した(図6(b))。こうして得られたGaNエピタキシャル基板上に、金属Tiを20nm蒸着し、金属Ti膜63を設けた(図6(c))。成膜速度は0.8nm/secとした。この基板を電気炉内に入れて、NH3を20%混合したN2気流中、1050℃×30minの熱処理を施し、TiN膜64を形成した(図6(d))。その表面および断面をSEMで観察したところ、TiN膜の表面にはサブミクロンオーダーの微小な孔が均一に形成されており、下地のGaN結晶表面が部分的に露出している状態であった。
本実施例の各工程について図6を用いて説明する。直径2インチの単結晶のサファイア基板61のC面上に、TMGとNH3を原料としてMOVPE法によりアンドープのGaN層62を1μm成長した(図6(b))。こうして得られたGaNエピタキシャル基板上に、金属Tiを20nm蒸着し、金属Ti膜63を設けた(図6(c))。成膜速度は0.8nm/secとした。この基板を電気炉内に入れて、NH3を20%混合したN2気流中、1050℃×30minの熱処理を施し、TiN膜64を形成した(図6(d))。この表面および断面をSEMで観察したところ、TiN膜の表面には、サブミクロンオーダーの微小な孔が均一に形成されており、下地のGaN結晶表面が部分的に露出している状態である。
本比較例では、直径2インチの単結晶サファイアC面基板上に、Ti膜を成膜速度約2nm/secとして100nm蒸着し、その上に酸化防止のために金膜を膜厚10〜20nmで蒸着した。この基板をMBE炉(分子線結晶成長炉)内に入れ、700℃で基板上にGaN層(膜厚0.5μm)を成長した。本比較例では、金膜上のGaN層に空隙が形成されることが抑えられる。
12 金属Ti膜
13 第一のGaN層
14 空隙
15 TiN膜
16 第二のGaN層
17 GaN自立基板
31 サファイア基板
32 GaN層
34 TiN膜
35 空隙
36 HVPE−GaN層
37 GaN自立基板
61 サファイア基板
62 GaN層
63 金属Ti膜
64 TiN膜
65 空隙
66 HVPE−GaN層
67 GaN自立基板
Claims (32)
- 下地基板上に、金属元素含有膜を形成する工程と、
該金属元素含有膜上に接して、空隙部を含むIII族窒化物半導体層を形成する工程と、
前記空隙部を剥離箇所として前記下地基板を剥離して除去する工程と、
を含むことを特徴とするIII族窒化物半導体基板の製造方法。 - 請求項1に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法において、前記金属元素含有膜は、III族窒化物半導体に対して分解作用を有する金属元素を含有することを特徴とするIII族窒化物半導体基板の製造方法。
- 請求項2に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法において、前記金属元素は、遷移元素であることを特徴とするIII族窒化物半導体基板の製造方法。
- 請求項2に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法において、前記金属元素は、スカンジウム、イットリウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、レニウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、マンガン、銅、白金または金であることを特徴とするIII族窒化物半導体基板の製造方法。
- 請求項4に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法において、前記金属元素は、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、タンタル、白金、コバルトまたはニッケルであることを特徴とするIII族窒化物半導体基板の製造方法。
- 下地基板上に、金属元素含有膜を形成する工程と、
該金属元素含有膜上に接して、第一のIII族窒化物半導体層を成長させる工程と、
前記第一のIII族窒化物半導体層の成長温度よりも高い温度で前記金属元素含有膜および前記第一のIII族窒化物半導体層を熱処理し、前記第一のIII族窒化物半導体層中に空隙部を形成する工程と、
前記第一のIII族窒化物半導体層上に第二のIII族窒化物半導体層を形成する工程と、
前記空隙部を剥離箇所として前記下地基板を剥離して除去する工程と、
を含むことを特徴とするIII族窒化物半導体基板の製造方法。 - 請求項6に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法において、前記第一のIII族窒化物半導体層の成長温度を400℃以上800℃以下とすることを特徴とするIII族窒化物半導体基板の製造方法。
- 請求項6または7に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法において、前記第一のIII族窒化物半導体層の前記熱処理を900℃以上1400℃以下の温度で行うことを特徴とするIII族窒化物半導体基板の製造方法。
- 請求項6乃至8いずれかに記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法において、前記第一のIII族窒化物半導体層の厚みを20nm以上2000nm以下とすることを特徴とするIII族窒化物半導体基板の製造方法。
- 請求項6乃至9いずれかに記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法において、前記金属元素含有膜は金属膜であることを特徴とするIII族窒化物半導体基板の製造方法。
- 請求項6乃至10いずれかに記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法において、前記金属元素含有膜は、III族窒化物半導体に対して分解作用を有する金属元素を含有することを特徴とするIII族窒化物半導体基板の製造方法。
- 請求項11に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法において、前記金属元素は、遷移元素であることを特徴とするIII族窒化物半導体基板の製造方法。
- 請求項11に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法において、前記金属元素は、スカンジウム、イットリウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、レニウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、マンガン、銅、白金または金であることを特徴とするIII族窒化物半導体基板の製造方法。
- 請求項13に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法において、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、タンタル、白金、コバルトまたはニッケルであることを特徴とするIII族窒化物半導体基板の製造方法。
- 下地基板上に、微細孔構造を有する金属元素含有膜を形成する工程と、
該金属元素含有膜上に接して、空隙部を含むIII族窒化物半導体層を形成する工程と、
前記空隙部を剥離箇所として前記下地基板を剥離して除去する工程と、
を含むことを特徴とするIII族窒化物半導体基板の製造方法。 - 請求項15に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法において、前記金属元素含有膜は、III族窒化物半導体に対して分解作用を有する金属元素を含有することを特徴とするIII族窒化物半導体基板の製造方法。
- 請求項16に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法において、前記金属元素は、遷移元素であることを特徴とするIII族窒化物半導体基板の製造方法。
- 請求項16に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法において、前記金属元素は、スカンジウム、イットリウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、レニウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、マンガン、銅、白金または金であることを特徴とするIII族窒化物半導体基板の製造方法。
- 請求項18に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法において、前記金属元素は、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、タンタル、白金、コバルトまたはニッケルであることを特徴とするIII族窒化物半導体基板の製造方法。
- 下地基板上に、少なくとも表面が金属窒化物からなる金属元素含有膜を形成する工程と、
前記金属窒化物に含まれる窒素の脱離処理を行う工程と、
該金属元素含有膜上に接して、空隙部を含むIII族窒化物半導体層を形成する工程と、
前記空隙部を剥離箇所として前記下地基板を剥離して除去する工程と、
を含むことを特徴とするIII族窒化物半導体基板の製造方法。 - 請求項20に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法において、金属元素含有膜を形成する前記工程は、前記下地基板上に金属膜を形成した後、該金属膜を窒化処理する工程を含むことを特徴とするIII族窒化物半導体基板の製造方法。
- 請求項20に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法において、前記金属元素含有膜が金属窒化膜であることを特徴とするIII族窒化物半導体基板の製造方法。
- 請求項20乃至22いずれかに記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法において、前記窒素の脱離処理は、前記金属元素含有膜を還元性雰囲気に曝す処理であることを特徴とするIII族窒化物半導体基板の製造方法。
- 下地基板上に、少なくとも表面が金属窒化物からなる金属元素含有膜を形成する工程と、
該金属元素含有膜上に接して、原料ガスのV/III比が10以下の条件でIII族窒化物半導体を成長させ、空隙部を含むIII族窒化物半導体層を形成する工程と、
前記空隙部を剥離箇所として前記下地基板を剥離して除去する工程と、
を含むことを特徴とするIII族窒化物半導体基板の製造方法。 - 請求項24に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法において、前記金属元素含有膜は、III族窒化物半導体に対して分解作用を有する金属元素を含有することを特徴とするIII族窒化物半導体基板の製造方法。
- 請求項25に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法において、前記金属元素は、遷移元素であることを特徴とするIII族窒化物半導体基板の製造方法。
- 請求項25に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法において、前記金属元素は、スカンジウム、イットリウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、レニウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、マンガン、銅、白金または金であることを特徴とするIII族窒化物半導体基板の製造方法。
- 請求項27に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法において、前記金属元素は、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、タンタル、白金、コバルトまたはニッケルであることを特徴とするIII族窒化物半導体基板の製造方法。
- 請求項1乃至28いずれかに記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法において、前記下地基板の全面に前記金属元素含有膜を形成することを特徴とするIII族窒化物半導体基板の製造方法。
- 下地基板上に、多孔質層を含むIII族窒化物半導体層を形成した後、該多孔質層を剥離箇所として前記下地基板を剥離して除去する工程を含むことを特徴とするIII族窒化物半導体基板の製造方法。
- 請求項1乃至30いずれかに記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法において、前記下地基板を剥離して除去する前記工程は、III族窒化物半導体層成長後、雰囲気温度を降下させることにより前記下地基板を自然剥離する工程を含むことを特徴とするIII族窒化物半導体基板の製造方法。
- 請求項1乃至31いずれかに記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法により得られたIII族窒化物半導体基板。
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