JP2008159883A - 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】アンプ領域の浮遊容量に起因する電荷検出感度のばらつきを防止できる固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板1に、光電変換部と、光電変換部で生じた電荷を転送する電荷転送電極と、半導体基板1の上面に形成され、電荷を蓄積するFD部8と、電荷転送電極を覆うように形成された絶縁膜とを備え、FD部8と電気的に接続されるゲート電極と、半導体基板1上に電荷転送電極とを形成する工程と、電荷転送電極を覆うように絶縁膜4を形成し、フォトリソグラフィによってFD部8とゲート電極とを接続する配線6を形成する工程と、配線6の周囲近傍の絶縁膜4に開口部を形成し、該開口部に絶縁膜4より誘電率の低い低誘電膜12を形成する。
【選択図】図1
【解決手段】半導体基板1に、光電変換部と、光電変換部で生じた電荷を転送する電荷転送電極と、半導体基板1の上面に形成され、電荷を蓄積するFD部8と、電荷転送電極を覆うように形成された絶縁膜とを備え、FD部8と電気的に接続されるゲート電極と、半導体基板1上に電荷転送電極とを形成する工程と、電荷転送電極を覆うように絶縁膜4を形成し、フォトリソグラフィによってFD部8とゲート電極とを接続する配線6を形成する工程と、配線6の周囲近傍の絶縁膜4に開口部を形成し、該開口部に絶縁膜4より誘電率の低い低誘電膜12を形成する。
【選択図】図1
Description
本発明は、固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法に関し、特にアンプ領域における静電容量を低減させる固体撮像素子及び撮像素子の製造方法に関する。
CCD型の固体撮像素子は、受光面に縦横に配置したフォトダイオードからなる複数の光電変換素子と、各光電変換素子の垂直方向に対応して配置される垂直転送電極と、垂直転送電極の終端に配置される水平転送電極と、水平転送電極の終端に配置され、水平転送電極からの転送電荷を電圧信号に変換して出力する信号出力部とを備えている。
信号出力部の構成としては、例えば特許文献1に記載されているようなFDA(Floating Diffusion Amplyfier)タイプのものが広く採用されている。これは、水平転送電極からの信号電荷を蓄積してそれに対応した電位となり、その後リセットされて所定のリセット電位になる動作を一定の周期で繰り返すフローティングディフュージョン(FD)部と、そのリセットを行うリセットトランジスタと、FD部の電位変化に応じた信号を増幅して出力する出力回路とからなるのが通常である。出力回路は、一般に複数段(2段又は3段)のソースフォロワ回路により構成されている。
図8は、従来の固体撮像素子のアンプ領域の構成を示す概略断面図である。半導体基板101の表面にFD部108が形成され、半導体基板101の上面にはゲート絶縁膜102を介してリセットゲートなどの電極103が形成されている。電極103の上面は絶縁膜104で覆われ、FD部108の上部に設けられた開口に金属配線106が形成され、FD部108と電極103とが電気的に接続された構成となる。
しかし、図8に示す構成では、電極103と金属配線106とが絶縁膜104を間隙Cに挟んだ状態で電極となり、キャパシタとして作用し、静電容量により電荷を蓄積させてしまうといった現象が生じる。すると、配線容量が増大して電荷検出感度が低下するという問題が生じる。また、電極103及び金属配線106の面積や間隔のばらつきに起因して、浮遊容量が変化し、電荷検出感度に影響を及ぼしてしまうことで固体撮像素子の感度特性に変動が生じてしまうといった問題があった。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、その目的は、アンプ領域の浮遊容量に起因する配線容量を低減し、電荷電圧変換効率を高めることができる固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法を提供することにある。
本発明の上記目的は、半導体基板に、光電変換部と、前記光電変換部で生じた電荷を転送する電荷転送電極と、を備えた固体撮像素子であって、前記半導体基板に電荷を蓄積するフローティングディフージョン部と、前記フローティングディフージョン部と電気的に接続されるゲート電極と、前記電荷転送電極を覆うように形成された絶縁膜と、前記フローティングディフージョン部と前記ゲート電極とを接続する配線とが形成され、前記配線の周囲に、前記絶縁膜より誘電率の低い低誘電膜が形成されていることを特徴とする固体撮像素子によって達成される。
また、本発明の上記目的は、半導体基板に、光電変換部と、前記光電変換部で生じた電荷を転送する電荷転送電極と、前記半導体基板の上面に形成され、電荷を蓄積するフローティングディフージョン部と、前記電荷転送電極を覆うように形成された絶縁膜とを備えた固体撮像素子の製造方法であって、前記フローティングディフージョン部と電気的に接続されるゲート電極と、半導体基板上に前記電荷転送電極とを形成する工程と、前記電荷転送電極を覆うように絶縁膜を形成し、前記フローティングディフージョン部と前記ゲート電極とを接続する配線を形成する工程と、前記配線の周囲近傍の前記絶縁膜に開口部を形成し、該開口部に前記絶縁膜より誘電率の低い低誘電膜を形成する工程とを有することを特徴とする固体撮像素子の製造方法によって達成される。
本発明によれば、フローティングディフュージョン部と接続された配線の周囲に、電荷転送電極を覆う絶縁膜より低い誘電率の低誘電膜が形成されている。すると、配線と電荷転送電極との間の静電容量を、低誘電膜を形成したことで低減させることができる。このため、電荷検出感度を上げることができる。また、アンプ領域の電荷検出感度のばらつきを防止できる。
本発明によれば、アンプ領域の浮遊容量に起因する配線容量を低減し、電荷電圧変換効率を高めることができる固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法を提供できる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳しく説明する。
図1は、本発明にかかる固体撮像素子のアンプ領域の構成を示す概略構成図である。図2は、アンプ領域を上面を示す平面図である。
固体撮像素子は、シリコンなどからなる半導体基板1を有しており、半導体基板1の受光面側に撮像領域が設けられ、撮像領域には図示しないフォトダイオードなどの複数の光電変換部が設けられている。複数の光電変換部は、撮像領域において垂直方向及び水平方向に配列されている。半導体基板1には、光電変換部に生じた電荷を垂直に転送する垂直転送電極と、電荷を水平に転送する水平転送電極とが設けられている。以下、垂直転送電極及び水平転送電極を転送電極ともいう。
図1は、本発明にかかる固体撮像素子のアンプ領域の構成を示す概略構成図である。図2は、アンプ領域を上面を示す平面図である。
固体撮像素子は、シリコンなどからなる半導体基板1を有しており、半導体基板1の受光面側に撮像領域が設けられ、撮像領域には図示しないフォトダイオードなどの複数の光電変換部が設けられている。複数の光電変換部は、撮像領域において垂直方向及び水平方向に配列されている。半導体基板1には、光電変換部に生じた電荷を垂直に転送する垂直転送電極と、電荷を水平に転送する水平転送電極とが設けられている。以下、垂直転送電極及び水平転送電極を転送電極ともいう。
半導体基板1の上面には、例えばN+の不純物イオンをドーピングすることで形成されるフローティングディフージョン部(FD部)8が形成されている。FD部8は、水平転送電極を構成する転送電極段のうち転送方向に対して最終の段に形成された転送電極に隣接するように形成され、駆動時には水平転送電極から転送された信号電荷を電圧に変えるキャパシタとして機能するものである。そして、FD部8によって変換された電圧が出力配線部に出力される。
半導体基板1の上面には、ゲート絶縁膜2を介してポリシリコンなどからなる転送電極やゲート電極などの電極3が形成されている。ゲート絶縁膜2は、例えば、酸化膜に窒化膜と酸化膜とを順に積層した、所謂、ONO膜構造を有している。ゲート絶縁膜2において、FD部8の上方にコンタクトホールが形成されている。
なお、本発明の固体撮像素子は、電荷転送電極が単層に形成された電極3からなる構成としてもよく、電極3の上に電極間絶縁膜を介して第2の電極を積層してなる2層構造としてもよい。
図1に示すように、FD部8とゲート電極などの電極3とが配線6によって電気的に接続されている。
電極3は、BPSG(Boro-phospho silicate glass)などの絶縁膜4によって覆われている。
本実施形態では、図1及び図2に示すように、配線6の周囲に低誘電膜12が形成されている。低誘電膜12は、絶縁膜4よりも低い誘電率の材料が使用され、少なくとも一部が配線6と接触するように形成されている。低誘電膜12は、配線6と電極3との間、または配線6とリセットゲート14との間に位置するように形成されている。
本実施形態の固体撮像素子は、FD部8と接続された配線6の周囲に、電荷転送電極などの電極3を覆う絶縁膜4より低い誘電率の低誘電膜12が形成されている。すると、電荷転送時における配線6と電荷転送電極やリセットゲート14との間の静電容量を、誘電率の低い低誘電膜12を形成したことで低減させることができる。また、配線6及び電荷転送電極などの面積や間隔の違いによるばらつきに起因して発生する浮遊容量のばらつきを抑制することができ、アンプ領域の電荷検出感度のばらつきを防止できる。
次に、本実施形態の固体撮像素子の製造方法の手順を説明する。
最初に、図3(a)に示すように、半導体基板1のアンプ領域における表面にN+型の不純物イオンをドーピングすることで、FD部8を形成する。また、半導体基板1の撮像領域にフォトダイオードなどの光電変換部や、転送チャンネルをイオン注入によって形成する。
最初に、図3(a)に示すように、半導体基板1のアンプ領域における表面にN+型の不純物イオンをドーピングすることで、FD部8を形成する。また、半導体基板1の撮像領域にフォトダイオードなどの光電変換部や、転送チャンネルをイオン注入によって形成する。
半導体基板1上に、CVDなどによってゲート絶縁膜2を形成した後、ゲート絶縁膜2上にポリシリコン層を形成し、フォトリソグラフィ工程によって所定のマスクでパターニングすることで電荷転送電極やゲート電極などの電極3を形成する。
電極3を形成した後、該電極3上にBPSGからなる絶縁膜4を形成する。絶縁膜4を形成した後、図3(b)に示すように、レジスト層R1を所定のパターンで形成し、CDE(ケミカルドライエッチング)を行う。CDEにより、レジスト層R1を形成していない部位の絶縁膜4が上面が凹状に窪むようにラウンド形状となって除去される(図3(c))。このとき、エッチングで除去される絶縁膜4の部位が、FD8の略上方に位置する。
次に、図4(a)に示すように、CDEで使用した同じレジスト層R1をマスクとして用いて、ドライエッチング(RIE)を行い、CDEで形成されたラウンド状の凹部の一部に、より小径のコンタクトホールを開口し、半導体基板1のFD部8の上面の少なくとも一部をコンタクトホール内において露呈させる。図4(b)に示すように、ドライエッチングを行った後、アッシング行い、レジスト層R1を剥離する。
図5(a)に示すように、絶縁膜4上に配線6となる材料膜をスパッターやCVDなどによって成膜する。このとき、コンタクトホール内に材料膜が埋め込まれる。そして、図5(b)に示すように、材料膜上にコンタクトホール及びその近傍を含む領域にレジスト層R2を形成したマスクパターンを、フォトリソグラフィによって形成し、その他の領域に形成された材料膜を除去することで、配線6を形成する。配線6を形成した後、レジスト層R2をアッシングによって剥離させる。
図6(a)に示すように、配線部6及び絶縁膜4の上面における、配線6の周囲を除く領域、フォトリソグラフィを用いてマスクとなるレジスト層R3を形成する。レジスト層R3を形成した後、図6(b)に示すように、絶縁膜4をドライエッチング(RIE)によって除去する。こうすることで、レジスト層R3で覆われていない領域の絶縁膜4が除去されることで、配線6の周囲に開口部が形成される。その後、レジスト層R3をアッシングによって剥離する(図7(a))。
次に、図7(b)に示すように、低絶縁膜12を構成する低誘電率材料をCVDによって成膜する。または、低絶縁膜12をスピンコートなどの塗布方式によって形成することができる。そして、低絶縁膜12にエッチバック用のレジスト層を形成し、所望の厚さになるように等速RIEを行うことで平坦化処理する。こうすることで、図1に示すようなアンプ領域を有する固体撮像素子を得ることができる。低誘電膜12が塗布型の低誘電率材料をスピンコート塗布することで形成されている場合には、エッチバックによる平坦化処理を行う必要がないため、製造プロセスを短縮することができる。
本実施形態において低絶縁膜12を構成する低誘電率材料としては、例えば、フッ素化樹脂等SiOFやSiOC、有機ポリマーのSiLK、FLAREやポーラスシリカなどを用いることができる。なお、本発明において絶縁膜4として用いられるBPSGの誘電率は、4.0であり、低絶縁膜12の誘電率は、1.5〜3.8である。
なお、本発明にかかる固体撮像素子の製造手順は、前述した実施形態に限定されるものではなく、適宜な変形、改良などが可能である。
例えば、低絶縁膜12のエッチバックは、行わず省略してもよい。
また、低絶縁膜12を形成する開口部を開口する際に、同時に配線6の整形を行ってもよい。
例えば、低絶縁膜12のエッチバックは、行わず省略してもよい。
また、低絶縁膜12を形成する開口部を開口する際に、同時に配線6の整形を行ってもよい。
1 半導体基板
3 電極
4 絶縁膜
6 配線
8 フローティングデフュージョン部(FD部)
12 低誘電膜
3 電極
4 絶縁膜
6 配線
8 フローティングデフュージョン部(FD部)
12 低誘電膜
Claims (7)
- 半導体基板に、光電変換部と、前記光電変換部で生じた電荷を転送する電荷転送電極と、を備えた固体撮像素子であって、
前記半導体基板に電荷を蓄積するフローティングディフージョン部と、前記フローティングディフージョン部と電気的に接続されるゲート電極と、前記電荷転送電極を覆うように形成された絶縁膜と、前記フローティングディフージョン部と前記ゲート電極とを接続する配線とが形成され、
前記配線の周囲に、前記絶縁膜より誘電率の低い低誘電膜が形成されていることを特徴とする固体撮像素子。 - 前記絶縁膜がBPSGで形成されていることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子。
- 半導体基板に、光電変換部と、前記光電変換部で生じた電荷を転送する電荷転送電極と、前記半導体基板の上面に形成され、電荷を蓄積するフローティングディフージョン部と、前記電荷転送電極を覆うように形成された絶縁膜とを備えた固体撮像素子の製造方法であって、
前記フローティングディフージョン部と電気的に接続されるゲート電極と、半導体基板上に前記電荷転送電極とを形成する工程と、
前記電荷転送電極を覆うように絶縁膜を形成し、前記フローティングディフージョン部と前記ゲート電極とを接続する配線を形成する工程と、
前記配線の周囲近傍の前記絶縁膜に開口部を形成し、該開口部に前記絶縁膜より誘電率の低い低誘電膜を形成する工程とを有することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。 - 前記配線の周囲近傍の前記絶縁膜を除去するためのマスクパターンとなるレジスト層を形成し、ドライエッチングすることで前記開口部を形成することを特徴とする請求項3に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記開口部を形成した後で、前記絶縁膜上に低誘電率材料を形成し、平坦化処理することで前記低誘電膜を形成することを特徴とする請求項3又は4に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記低誘電膜が塗布型の低誘電率材料をスピンコート塗布することで形成されていることを特徴とする請求項3から5のいずれか1つに記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記絶縁膜をBPSGで形成することを特徴とする請求項3から6のいずれか1つに記載の固体撮像素子の製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006347578A JP2008159883A (ja) | 2006-12-25 | 2006-12-25 | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 |
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