JP2008158282A - Proximity exposure apparatus - Google Patents

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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a proximity exposure apparatus corresponding to a large substrate, preventing decrease in the pattern resolution even when an exposure gap changes in pattern exposure using the proximity exposure apparatus. <P>SOLUTION: The proximity exposure apparatus comprises at least an exposure light source lamp 10, an elliptic mirror 20, a cold mirror 30, a filter 40, an integrator lens 50, a collimation mirror 60, a reflection mirror 70 and a photomask 80, wherein the lens shape of the integrator lens 50 is changed from rectangular to circular. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、カラーフィルタ基板等のパターン露光に用いられる近接露光装置に関し、特に、露光ギャップを有る程度増やしても、パターン解像度の低下を防止できる大型基板対応の近接露光装置に関する。   The present invention relates to a proximity exposure apparatus used for pattern exposure of a color filter substrate or the like, and more particularly, to a proximity exposure apparatus for a large substrate that can prevent a decrease in pattern resolution even if an exposure gap is increased.

近年、大型カラーテレビ、ノートパソコン、携帯用電子機器の増加に伴い、液晶ディスプレイ、特にカラー液晶ディスプレイパネルの需要の増加はめざましいものがある。
カラー液晶ディスプレイパネルに用いられるカラーフィルタ基板は、透明基板上に形成されたブラック感光層、赤色感光層、緑色感光層、青色感光層を順次フォトリソグラフィを用いてパターニング処理して、ブラックマトリックス、赤色フィルタ、緑色フィルタ、青色フィルタを形成して、作製される。 In recent years, with the increase in large color televisions, notebook computers and portable electronic devices, there has been a remarkable increase in demand for liquid crystal displays, particularly color liquid crystal display panels.
The color filter substrate used in the color liquid crystal display panel is a black matrix, red color, which is formed by patterning a black photosensitive layer, a red photosensitive layer, a green photosensitive layer, and a blue photosensitive layer formed on a transparent substrate sequentially using photolithography. A filter, a green filter, and a blue filter are formed and manufactured.

上記カラーフィルタ基板の製造工程のパターン露光工程において、パターン露光時の共通欠陥の発生を防止したり、スループットを向上させるために、近接露光装置を用いたプロキシミティ露光（近接露光）が採用されており、複数のミラー群で一つの反射面を備え、スループットを向上できる大型基板対応の近接露光装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）
これは、光源からの光を利用して、マスクのパターンを均一なプロキシミティギャップを有する投影光学系を介して被露光基板に照射する露光装置において、複数のミラー群で一つの反射面を構成する集成ミラーを前記投影光学系に用いることにより、大型の被露光基板に対しても光源からの光を効率よく照射することができるようにしたものである。 In the pattern exposure process of the color filter substrate manufacturing process, proximity exposure (proximity exposure) using a proximity exposure apparatus is employed to prevent the occurrence of common defects during pattern exposure and improve throughput. In addition, there has been proposed a proximity exposure apparatus for a large substrate that includes a single reflecting surface with a plurality of mirror groups and can improve throughput (see, for example, Patent Document 1).
This is an exposure apparatus that uses light from a light source to irradiate a substrate to be exposed through a projection optical system having a uniform proximity gap using a plurality of mirror groups to form one reflecting surface. By using the assembled mirror for the projection optical system, light from the light source can be efficiently irradiated even on a large substrate to be exposed.

図５は、近接露光装置の一例を示す模式概略図である。
近接露光装置２００は、露光光源ランプ１０、楕円ミラー２０、コールドミラー３０、フィルター４０、インテグレーターレンズ５０ａ、コリメーションミラー６０、反射ミラー７０、フォトマスク８０で構成されている。
露光光源ランプ１０からの光は、楕円ミラー２０を経て、コールドミラー３０で反射し、フィルター４０、インデグレーターレンズ５０、コリメーションミラー６０、反射ミラー７０、フォトマスク８０を経て、被露光基板９０上の感光層９１をパターン露光する。 FIG. 5 is a schematic diagram showing an example of a proximity exposure apparatus.
The proximity exposure apparatus 200 includes an exposure light source lamp 10, an elliptical mirror 20, a cold mirror 30, a filter 40, an integrator lens 50a, a collimation mirror 60, a reflection mirror 70, and a photomask 80.
Light from the exposure light source lamp 10 passes through the elliptic mirror 20 and is reflected by the cold mirror 30, passes through the filter 40, the indexer lens 50, the collimation mirror 60, the reflection mirror 70, and the photomask 80, and then on the exposed substrate 90. The photosensitive layer 91 is subjected to pattern exposure.

プロキシミティ露光では、解像度が露光ギャップに大きく影響されることが知られている。また、パターンの解像度に影響する要素のひとつとして上記露光装置のインテグレーターレンズ５０ａが挙げられる。これは、インテグレーターレンズ５０ａの大きさや形状によってコリメーション半角や照射面における光強度分布が決まるためである。   In proximity exposure, it is known that the resolution is greatly affected by the exposure gap. Further, as one of the factors that affect the resolution of the pattern, the integrator lens 50a of the exposure apparatus can be cited. This is because the collimation half angle and the light intensity distribution on the irradiated surface are determined by the size and shape of the integrator lens 50a.

コリメーション半角はパターン加工精度に関係する要素であり、照射光はこの角度を有するため、形成されるパターンはマスク開口部に対してぼけが生じる。
このパターンぼけを小さくするためにはこのコリメーション半角の調整が必要である。
コリメーション半角の角度が小さすぎるとマスク開口部での回折の影響が大きくなるため、ある程度の角度を持たせるのが普通である。 The collimation half angle is an element related to pattern processing accuracy. Since the irradiation light has this angle, the formed pattern is blurred with respect to the mask opening.
In order to reduce the pattern blur, it is necessary to adjust the collimation half angle.
If the angle of the collimation half-angle is too small, the influence of diffraction at the mask opening portion becomes large, so that a certain angle is usually given.

近年、カラー液晶ディスプレイの大型化に伴い、カラーフィルター製造ラインは大型化の一途をたどっており、フォトリソラインの各工程に大きな負荷を生じさせ、露光工程もその例外ではない。   In recent years, with the increase in size of color liquid crystal displays, the color filter production line is steadily increasing in size, causing a large load on each process of the photolithography line, and the exposure process is no exception.

露光工程においては、基板の大型化にともない、フォトマスクは大型化し、フォトマス
クが大型化になることによって、フォトマスク自体が撓みやすくなる。したがって、プロキシミティー露光のようなフォトフォトマスクを被露光基板に近接させて露光する場合、フォトマスクと被露光基板間の露光ギャップに不均一性が生じる。そして、最悪の場合は被露光基板とフォトマスクが接触してしまい、不良発生の原因となる。
特開２００６−０４７３８４号公報 In the exposure process, as the substrate becomes larger, the photomask becomes larger and the photomask becomes larger, so that the photomask itself is easily bent. Therefore, when exposure is performed by bringing a photophotomask such as proximity exposure close to the substrate to be exposed, nonuniformity occurs in the exposure gap between the photomask and the substrate to be exposed. In the worst case, the substrate to be exposed and the photomask come into contact with each other, causing a defect.
JP 2006-047384 A

＜露光ギャップについて＞
プロキシミティ露光における露光ギャップは、被露光基板と接触するのを避けるため大型基板ほど広くする必要がある。接触すると製品に欠陥が生じるため、解像度向上の手段のみで露光ギャップを狭めるのは難しいという問題を有している。
〈インテグレーターレンズについて〉
矩形のインテグレーターレンズを用いると対角成分のコリメーション半角が縦横と比較して大きくなること、照射面における光分布の異方性が生じることで、バターンを形成する際に解像度低下の原因となる。
円形のインテグレーターレンズとしてはロッドレンズが用いられて、照射面における光分布の異方性が生じないので高解像度パターンを作成可能だが、大型基板露光用のサイズに対応できないという問題を有している。 <About the exposure gap>
The exposure gap in proximity exposure needs to be wider for larger substrates in order to avoid contact with the substrate to be exposed. Since contact causes defects in the product, there is a problem that it is difficult to narrow the exposure gap only by means of improving the resolution.
<About the integrator lens>
When a rectangular integrator lens is used, the collimation half angle of the diagonal component becomes larger than the vertical and horizontal directions, and the anisotropy of the light distribution on the irradiated surface is caused, which causes a reduction in resolution when forming a pattern.
A rod lens is used as a circular integrator lens, and anisotropy of the light distribution on the irradiated surface does not occur, so a high-resolution pattern can be created, but there is a problem that it cannot accommodate the size for large substrate exposure. .

本発明は、上記問題に鑑みなされたものであり、近接露光装置を用いたパターン露光において、露光ギャップが変動しても、パターン解像度を低下させない大型基板対応の近接露光装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a proximity exposure apparatus for a large substrate that does not reduce the pattern resolution even if the exposure gap fluctuates in pattern exposure using the proximity exposure apparatus. And

本発明に於いて上記問題を解決するために、本発明では、少なくとも露光光源ランプ１０と、楕円ミラー２０と、コールドミラー３０と、フィルター４０と、インテグレーターレンズ５０と、コリメーションミラー６０と、反射ミラー７０と、フォトマスク８０とで構成される近接露光装置において、
前記インテグレーターレンズ５０のレンズ形状を矩形から円形にしたことを特徴とする近接露光装置としたものである。 In order to solve the above problems in the present invention, in the present invention, at least the exposure light source lamp 10, the elliptical mirror 20, the cold mirror 30, the filter 40, the integrator lens 50, the collimation mirror 60, and the reflection mirror. 70 and a proximity exposure apparatus constituted by a photomask 80,
The proximity exposure apparatus is characterized in that the lens shape of the integrator lens 50 is changed from a rectangle to a circle.

本発明の近接露光装置を用いて大型の被露光基板にパターン露光することにより、フォトマスクと被露光基板との露光ギャップを５０〜３００μｍ変動しても、パターン解像度の低下を防止でき、パターン露光時の共通欠陥の発生を防止したり、スループットを向上させることができる。   By performing pattern exposure on a large substrate to be exposed using the proximity exposure apparatus of the present invention, even if the exposure gap between the photomask and the substrate to be exposed fluctuates by 50 to 300 μm, it is possible to prevent a decrease in pattern resolution, and pattern exposure. It is possible to prevent the occurrence of common defects and improve the throughput.

以下、本発明の実施形態につき図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の近接露光装置の一実施例を示す模式構成概略図である。
近接露光装置１００は、少なくとも露光光源ランプ１０と、楕円ミラー２０と、コールドミラー３０と、フィルター４０と、インテグレーターレンズ５０と、コリメーションミラー６０と、反射ミラー７０と、フォトマスク８０とで構成されている。
露光光源ランプ１０からの光は、楕円ミラー２０を経て、コールドミラー３０で反射し、フィルター４０、インデグレーターレンズ５０、コリメーションミラー６０、反射ミラー７０、フォトマスク８０を経て、被露光基板９０上の感光層９１にパターン露光される。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of the proximity exposure apparatus of the present invention.
The proximity exposure apparatus 100 includes at least an exposure light source lamp 10, an elliptical mirror 20, a cold mirror 30, a filter 40, an integrator lens 50, a collimation mirror 60, a reflection mirror 70, and a photomask 80. Yes.
Light from the exposure light source lamp 10 passes through the elliptic mirror 20 and is reflected by the cold mirror 30, passes through the filter 40, the indexer lens 50, the collimation mirror 60, the reflection mirror 70, and the photomask 80, and then on the exposed substrate 90. The photosensitive layer 91 is subjected to pattern exposure.

露光光源ランプ１０の光源については特に限定するものではないが、極間が小さく、な
るべく点光源となるものが望ましい。出力を上げるなどの影響により極間が広くなった場合は、正規分布する強度がブロードになり、インテグレーターレンズ５０におけるエネルギー損失が大きくなるためである。 The light source of the exposure light source lamp 10 is not particularly limited, but a light source having a small gap and serving as a point light source is desirable. This is because when the distance between the electrodes becomes wider due to the effect of increasing the output, the intensity of the normal distribution becomes broad, and the energy loss in the integrator lens 50 increases.

近接露光装置を用いたパターン露光において、解像度の向上は光学系に依存する部分も大きい。したがって、光源ランプの輝線の分布やそのミラー系の材質、さらにインテグレーターレンズの形状や大きさに起因することが知られている。   In pattern exposure using a proximity exposure apparatus, the improvement in resolution depends largely on the optical system. Therefore, it is known that it is caused by the distribution of emission lines of the light source lamp, the material of the mirror system, and the shape and size of the integrator lens.

また、近接露光装置を用いたパターン露光においては、フォトマスク８０と感光層９１が形成された被露光基板９０との露光ギャップによりパターン解像度が変化し、一般的には、露光ギャップを増やせばパターン解像度は低下してくる。
しかしながら、被露光基板が大型化している現在、フォトマスク８０と被露光基板９０との接触を避けるため大型基板ほど広くする必要がある。フォトマスク８０と被露光基板９０とが接触するとフォトマスク８０に異物等が付着し、カラーフィルタ基板等の製品に共通欠陥が発生し、問題となる。
そのため、解像度向上だけでフォトマスク８０と被露光基板９０の露光ギャップを狭めるのは難しい。 In the pattern exposure using the proximity exposure apparatus, the pattern resolution changes depending on the exposure gap between the photomask 80 and the substrate 90 on which the photosensitive layer 91 is formed. Generally, if the exposure gap is increased, the pattern resolution is changed. The resolution will decrease.
However, since the substrate to be exposed is now large, it is necessary to make the larger substrate wider in order to avoid contact between the photomask 80 and the substrate 90 to be exposed. When the photomask 80 and the substrate 90 to be exposed come into contact with each other, foreign matter or the like adheres to the photomask 80 and a common defect occurs in a product such as a color filter substrate.
Therefore, it is difficult to narrow the exposure gap between the photomask 80 and the substrate 90 to be exposed only by improving the resolution.

今回発明者らは、露光ギャップとパターン解像度に着目し、フォトマスク８０と被露光基板９０の露光ギャップを有る程度（５０〜３００μｍ）増やしても、パターン解像度が低下しない近接露光装置を考案するに至った。   The present inventors pay attention to the exposure gap and the pattern resolution, and devise a proximity exposure apparatus in which the pattern resolution does not decrease even if the exposure gap between the photomask 80 and the substrate 90 to be exposed is increased to some extent (50 to 300 μm). It came.

パターン解像度（Ｒ）は、下記式１で表され、露光ギャップ（ｇ）と露光波長（λ）とから決まることが知られているが、これまでインテグレーターレンズ５０のレンズ形状と露光ギャップ（ｇ）とパターン解像度（Ｒ）の関連について鋭意検討している中で、インテグレーターレンズ５０のレンズ形状を変更することによって、露光ギャップを増やす方向で変動してもパターン解像度の低下を最小限に抑えることができることが判明した。   The pattern resolution (R) is expressed by the following formula 1 and is known to be determined from the exposure gap (g) and the exposure wavelength (λ). Until now, the lens shape of the integrator lens 50 and the exposure gap (g) are known. And the resolution of the pattern resolution (R) are being intensively studied, by changing the lens shape of the integrator lens 50, it is possible to minimize the decrease in the pattern resolution even if the exposure gap varies. It turns out that you can.

Figure 2008158282
近接露光装置で用いられているインテグレーターレンズの形状は、製造が容易であることから矩形のものが搭載されていることが多い。
本発明は、近接露光装置１００で用いられているインテグレーターレンズ５０の形状を従来の矩形状から円形にしたものである。
図２（ａ）に、本発明の近接露光装置１００に搭載したインテグレーターレンズのレンズ形状を円形状としたインテグレーターレンズ５０の模式構成図を示す。
Figure 2008158282
 Since the shape of the integrator lens used in the proximity exposure apparatus is easy to manufacture, a rectangular lens is often mounted.
In the present invention, the shape of the integrator lens 50 used in the proximity exposure apparatus 100 is changed from a conventional rectangular shape to a circular shape.
FIG. 2A shows a schematic configuration diagram of an integrator lens 50 in which the shape of the integrator lens mounted in the proximity exposure apparatus 100 of the present invention is circular.

これは、図２（ｂ）に示す、従来のレンズ形状が矩形状のインテグレーターレンズ５０ａの各コーナー部の斜線部のレンズエレメントを除去して、擬似円形状のインテグレーターレンズ５０としたものである。
ここでは、レンズエレメントがマトリクス状に１００個配置された矩形状のインテグレーターレンズ５０ａの各コーナー部の３個のレンズエレメントを除去して、擬似円形状のインテグレーターレンズ５０を作製した事例であるが、これはあくまで一例であって、矩形状のインテグレーターレンズの各コーナー部で除去するレンズエレメントについては、矩形状のインテグレーターレンズのレンズエレメント数等により適宜設定されるものである。
また、擬似円形状のインテグレーターレンズ５０の形状は、矩形状レンズの内接円にすることが好ましい。 This is a pseudo-circular integrator lens 50 shown in FIG. 2B by removing the hatched lens elements at the corners of the conventional integrator lens 50a having a rectangular shape.
In this example, a pseudo-circular integrator lens 50 is manufactured by removing three lens elements at each corner of a rectangular integrator lens 50a in which 100 lens elements are arranged in a matrix. This is merely an example, and the lens elements to be removed at each corner portion of the rectangular integrator lens are appropriately set according to the number of lens elements of the rectangular integrator lens.
The shape of the pseudo-circular integrator lens 50 is preferably an inscribed circle of a rectangular lens.

この矩形インテグレーターレンズを擬似的に円形にする手段としては、
インテグレーターレンズはひとつひとつのエレメントをくっつけることで作成するので、
図２（ｂ）の斜線で示してあるエレメントはくっつけないことで擬似的に円形にする方法と、図２（ｂ）の斜線で示してあるエレメント部をカバー（アパーチャ）で隠すことで擬似的に円形レンズとしてしようする方法の二つが考えられます。
例えば、すでに矩形インテグレ一タを搭載した露光機であれば後者の方法で円形にすることで解像度の露光ギャップ依存性低減効果が得られる。 As a means to make this rectangular integrator lens a pseudo circle,
Since integrator lenses are created by attaching each element,
The method shown in FIG. 2 (b) shows a pseudo circle by not attaching the elements shown by diagonal lines, and the element part shown by the diagonal lines in FIG. 2 (b) is hidden by a cover (aperture). There are two ways to use it as a circular lens.
For example, if the exposure apparatus is already equipped with a rectangular integrator, it is possible to obtain an effect of reducing the dependency of the resolution on the exposure gap by making it circular by the latter method.

図２(ａ)の円形状のインテグレーターレンズ５０及び図２（ｂ）の矩形状のインテグレーターレンズ５０ａに光を照射し、各インテグレーターレンズから出射する出射面の光強度分布の一例を図３（ａ）及び図３（ｂ）にそれぞれ示す。
図３（ａ）は、円形状のインテグレーターレンズ５０に光を照射した時の光強度分布を、図３（ｂ）は、矩形状のインテグレーターレンズ５０ａに光を照射した時の光強度分布をそれぞれ示す。
露光ギャップが狭ければ円形、矩形にかかわらず高解像パターンの形成が可能である。
また、露光ギャップを広くするといずれの形状でも解像度は低下する。ただ、円形状のインテグレーターレンズ５０を使用することで視角（コリメーション半角）の異方性が低減されるので（擬似円形でも矩形状よりは確実に異方性が低減する）、形成されるパターンのゆがみが低減され、矩形状インテグレーターレンズ５０ａと比較して特に光の干渉の影響を受けやすいパターンコーナー部などで解像力に違いがみらる。 An example of the light intensity distribution on the exit surface that irradiates light to the circular integrator lens 50 of FIG. 2A and the rectangular integrator lens 50a of FIG. ) And FIG. 3 (b), respectively.
3A shows the light intensity distribution when the circular integrator lens 50 is irradiated with light, and FIG. 3B shows the light intensity distribution when the rectangular integrator lens 50a is irradiated with light. Show.
If the exposure gap is narrow, a high-resolution pattern can be formed regardless of a circle or a rectangle.
Further, when the exposure gap is widened, the resolution is lowered in any shape. However, since the anisotropy of the viewing angle (collimation half angle) is reduced by using the circular integrator lens 50 (anisotropy is more reliably reduced than the rectangular shape even in the case of a pseudo circle), As compared with the rectangular integrator lens 50a, distortion is reduced, and a difference is seen in the resolving power particularly at a pattern corner portion that is easily affected by light interference.

露光ギャップを広げていくと視角の影響が解像度に与える影響が増大するため、異方性の小さい円形インテグレーターレンズと異方性の大きい矩形インテグレーターレンズでは解像度の差が目立つようになるという実験結果（露光ギャップ０〜２５０μｍ）も得られている。
本発明で５０〜３００μｍとしているのは、実際のパターン露光では、露光ギャップ０μｍでは使用しないことと、露光ギャップ３００μｍ以下での使用がほとんどであるという理由である。 As the exposure gap is widened, the effect of viewing angle on the resolution increases, so the difference in resolution between a circular anisotropy lens with low anisotropy and a rectangular integrator lens with high anisotropy becomes conspicuous ( An exposure gap of 0 to 250 μm is also obtained.
In the present invention, the reason why the thickness is set to 50 to 300 μm is that, in actual pattern exposure, the exposure gap of 0 μm is not used, and the exposure gap of 300 μm or less is mostly used.

図４は、円形状のインテグレーターレンズ５０を備えた近接露光装置１００、もしくは矩形状のインテグレーターレンズ５０ａを備えた近接露光装置２００を用いてプロキシミティー露光したときの露光ギャップに対するパターン線幅の太り量を測定した説明図である。
図４の実線はグラフが円形状のインテグレーターレンズ５０を使ってパターニングしたときの露光ギャップに対する線幅太り量の推移を示している。
点線は矩形状のインテグレーターレンズ５０ａを使用した時の露光ギャップに対するパターン線幅の太り量の推移を示している。
円形状のインテグレーターレンズ５０を使用することで、視角の異方性が小さくなり、その結果パターニング解像度が向上するという推測どおりの結果が得られている。 FIG. 4 shows an increase in the pattern line width with respect to the exposure gap when proximity exposure is performed using the proximity exposure apparatus 100 including the circular integrator lens 50 or the proximity exposure apparatus 200 including the rectangular integrator lens 50a. It is explanatory drawing which measured.
The solid line in FIG. 4 shows the transition of the line width thickening amount with respect to the exposure gap when patterning is performed using the integrator lens 50 whose graph is circular.
The dotted line shows the transition of the pattern line width with respect to the exposure gap when the rectangular integrator lens 50a is used.
By using the circular integrator lens 50, the anisotropy of the viewing angle is reduced, and as a result, the patterning resolution is improved as expected.

上記したように、円形状のインテグレーターレンズ５０を備えた近接露光装置を用いて、大型基板のプロキシミティー露光によるパターン露光を行い、露光ギャップを有る程度（５０〜３００μｍ）増やしても、パターン解像度の低下を防止でき、パターン露光時の共通欠陥の発生を防止し、スループットを向上させることができる。   As described above, even if pattern exposure is performed by proximity exposure of a large substrate using a proximity exposure apparatus including a circular integrator lens 50, the pattern resolution can be increased even if the exposure gap is increased to some extent (50 to 300 μm). The decrease can be prevented, the occurrence of common defects during pattern exposure can be prevented, and the throughput can be improved.

本発明の近接露光装置の一実施例を示す模式構成概略図である。It is a schematic structure schematic diagram showing one embodiment of a proximity exposure apparatus of the present invention. （ａ）は、本発明の近接露光装置に用いた円形状のインテグレーターレンズの一実施例を示す模式平面図である。（ｂ）は、従来の矩形状のインテグレーターレンズの一例を示す模式平面図である。(A) is a schematic top view which shows one Example of the circular integrator lens used for the proximity exposure apparatus of this invention. (B) is a schematic top view which shows an example of the conventional rectangular integrator lens. （ａ）は、円形状のインテグレーターレンズ５０に光を照射した時の光強度分布の一例を示す説明図である。（ｂ）は、矩形状のインテグレーターレンズ５０ａに光を照射した時の光強度分布の一例を示す説明図である。(A) is explanatory drawing which shows an example of light intensity distribution when light is irradiated to the circular integrator lens 50. FIG. (B) is explanatory drawing which shows an example of light intensity distribution when light is irradiated to the rectangular integrator lens 50a. 円形状のインテグレーターレンズ５０を備えた近接露光装置１００、もしくは矩形状のインテグレーターレンズ５０ａを備えた近接露光装置２００を用いてプロキシミティー露光したときの露光ギャップに対するパターン線幅の太り量を測定した説明図である。Description of measuring the amount of pattern line width with respect to the exposure gap when proximity exposure is performed using the proximity exposure apparatus 100 including the circular integrator lens 50 or the proximity exposure apparatus 200 including the rectangular integrator lens 50a. FIG. 従来の近接露光装置の一例を示す模式構成概略図である。It is a schematic structure schematic diagram showing an example of a conventional proximity exposure apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

１０……露光光源ランプ
２０……楕円ミラー
３０……コールドミラー
４０……フィルター
５０、５０ａ……インテグレータレンズ
６０……コリメーションミラー
７０……反射ミラー
８０……フォトマスク
９０……被露光基板
９１……感光層
１００、２００……近接露光装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Exposure light source lamp 20 ... Ellipse mirror 30 ... Cold mirror 40 ... Filter 50, 50a ... Integrator lens 60 ... Collimation mirror 70 ... Reflection mirror 80 ... Photomask 90 ... Exposed substrate 91 ... ... Photosensitive layers 100, 200 ... Proximity exposure apparatus

Claims (1)

少なくとも露光光源ランプ（１０）と、楕円ミラー（２０）と、コールドミラー（３０）と、フィルター（４０）と、インテグレーターレンズ（５０）と、コリメーションミラー（６０）と、反射ミラー（７０）と、フォトマスク（８０）とで構成される近接露光装置において、
前記インテグレーターレンズ（５０）のレンズ形状を矩形から円形にしたことを特徴とする近接露光装置。 At least an exposure light source lamp (10), an elliptical mirror (20), a cold mirror (30), a filter (40), an integrator lens (50), a collimation mirror (60), a reflection mirror (70), In a proximity exposure apparatus configured with a photomask (80),
A proximity exposure apparatus, wherein the lens shape of the integrator lens (50) is changed from a rectangle to a circle.
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