JP2008153338A - Dividing method of wafer - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To divide a wafer into individual semiconductor devices in most economical manner while the wafer is divided into a plurality of pieces on an adhesive film during pasting or after it is pasted. <P>SOLUTION: The shape and position of pieces 1a-1c of a wafer 1 having been divided into a plurality of pieces 1a-1c on an adhesive film 5 are recognized in an recognizing process that uses a transmitted illumination. Based on the recognizing result, such alignment as recognizes a scheduled cutting line for each of the pieces 1a-1c is performed in an alignment process. Based on the recognizing result and alignment result, a dividing process is performed along the scheduled cutting line for each of the divided pieces 1a-1c of the wafer 1 on the adhesive film 5 in a dividing process. So, while the wafer 1 is divided into a plurality of pieces 1a-1c on the adhesive film 5 during pasting or after pasting, the pieces 1a-1c of indeterminate form are separated properly into individual semiconductor devices. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、開口部を有するフレームに粘着フィルムによって開口部に貼着されたウエーハの分割方法に関するものである。   The present invention relates to a method for dividing a wafer bonded to an opening by an adhesive film on a frame having the opening.

IC,LSI等の半導体デバイスが複数形成されたウエーハは、裏面が研削されて所定の厚さに形成され、ダイシング装置等の加工装置によって個々のデバイスに分割されて携帯電話、パソコン等の電子機器に利用される。ここで、ダイシングの際の保護テープとして機能するとともに、ダイシングされた後、リードフレームに半導体デバイスのチップをダイボンディングする際に、ダイボンディングの接着剤としても機能するダイボンディングシートを、ウエーハの裏面に貼着するためのダイボンディングシート貼着装置およびダイボンディングシートの貼着方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。   Wafers on which a plurality of semiconductor devices such as IC and LSI are formed are ground to have a predetermined thickness by grinding the back surface, and are divided into individual devices by a processing device such as a dicing device, and electronic devices such as mobile phones and personal computers Used for Here, a die bonding sheet that functions as a protective tape at the time of dicing, and also functions as an adhesive for die bonding when die-bonding a chip of a semiconductor device to a lead frame after dicing is applied to the back surface of the wafer. A die bonding sheet sticking apparatus and a die bonding sheet sticking method for sticking to a sheet have been proposed (for example, see Patent Document 1).

特開2002−367931号公報JP 2002-367931 A 特許第3173052号公報Japanese Patent No. 3173552 特許第2991593号公報Japanese Patent No. 2991593

ところで、近年のウエーハ薄型化により厚さ50μm程度のウエーハをダイボンディングシートとダイシングテープ一体型のテープをウエーハに貼着してフレームに保持させる際に、ウエーハの反り等に起因してウエーハに割れ等の破損を生ずることが問題となっている。   By the way, when a wafer having a thickness of about 50 μm is attached to the wafer and held on the frame by thinning the wafer in recent years, the wafer is cracked due to warpage of the wafer or the like. It causes a problem such as damage.

この際、ウエーハを粘着力の弱い通常の粘着フィルムで貼着している場合であれば、破損したウエーハの破片を粘着フィルムから剥がすことは容易なため、破損したウエーハの破片を剥がして再度粘着フィルム上に貼着し直すことで、不定形なそれぞれの破片のダイシングを可能にすることができる(例えば、特許文献2参照)。   At this time, if the wafer is attached with a normal adhesive film having low adhesive strength, it is easy to remove the broken wafer fragments from the adhesive film. By reattaching on the film, dicing of each irregular shaped piece can be made possible (see, for example, Patent Document 2).

一方、ダイボンディングシートから破損したウエーハを剥がすことは非常に困難である。このため、ダイボンディングシート上のウエーハに割れ等の破損が生じた場合の対応策としては、破損したウエーハを剥がして再度貼着し直すことはせずに、破片のうちで面積の大きい破片に合わせて切断予定ラインの位置合わせ(アライメント)を行い、その破片のみをダイシングすることが考えられる。しかしながら、このような対応策では、その他の破片に関しては、適正な切断予定ラインに沿った加工ができないため破棄せざるを得ず、不経済である。   On the other hand, it is very difficult to peel the damaged wafer from the die bonding sheet. For this reason, as a countermeasure when the wafer on the die bonding sheet is damaged such as a crack, the broken wafer is not peeled off and reattached. In addition, it is conceivable to perform alignment (alignment) of the lines to be cut and dice only the fragments. However, such countermeasures are uneconomical because other pieces cannot be processed along the proper cutting line because they cannot be processed.

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、貼着時または貼着後に粘着フィルム上でウエーハが複数の片に分断された状態のまま、ウエーハを極力経済的に個々の半導体デバイスに個片化することができるウエーハの分割方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above, and at the time of sticking or after sticking, the wafer is divided into a plurality of pieces on the adhesive film, and the wafer is made into individual semiconductor devices as economically as possible. It is an object of the present invention to provide a method for dividing a wafer that can be divided into pieces.

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係るウエーハの分割方法は、切断予定ラインに囲繞された複数の半導体デバイスが表面に形成されたウエーハを該ウエーハの外径より大きな開口部を有するフレームに粘着フィルムによって前記開口部に貼着し、該貼着時または貼着後に粘着フィルム上で複数の片に分断されたウエーハを表面の切断予定ラインに沿って分割するウエーハの分割方法であって、ウエーハの分断された各片の形状および位置を認識する認識工程と、該認識工程で形状および位置が認識されたウエーハの各片の表面の切断予定ラインを認識するアライメント工程と、前記認識工程で認識されたウエーハの各片の形状および位置の情報と前記アライメント工程で認識されたウエーハの各片の切断予定ラインの位置の情報とに基づきウエーハの各片を各片毎に切断予定ラインに沿って分割する分割工程と、を有することを特徴とする。   In order to solve the above-described problems and achieve the object, the wafer dividing method according to the present invention is a method in which a wafer having a plurality of semiconductor devices surrounded by a line to be cut is formed on the surface larger than the outer diameter of the wafer. A wafer that is attached to the opening by an adhesive film on a frame having an opening, and the wafer divided into a plurality of pieces on the adhesive film at the time of or after the attachment is divided along a scheduled cutting line on the surface. A recognition method for recognizing the shape and position of each piece of the wafer that has been divided, and an alignment step for recognizing a cutting line on the surface of each piece of the wafer whose shape and position have been recognized in the recognition step Information on the shape and position of each piece of wafer recognized in the recognition step and the expected cutting line of each piece of wafer recognized in the alignment step. And having a dividing step of dividing each strip of the wafer along the line to cut each piece based on the location of the information.

また、本発明に係るウエーハの分割方法は、上記発明において、前記分割工程は、切削ブレードを回転可能に装着したスピンドルを有する切削手段を用い、チャックテーブルに保持されたウエーハの各片を切断予定ラインに沿って前記切削ブレードで切削することにより実行し、かつ、前記切削ブレードをウエーハが複数の片に分断される前の外縁部に相当する位置から内周側に相当する位置に向けて加工送り手段によって相対的に加工送りし当該片の分断された位置に到達した時点で前記チャックテーブルの保持面から離反する方向に退避させることを特徴とする。   Further, the wafer dividing method according to the present invention is the above invention, wherein the dividing step uses a cutting means having a spindle on which a cutting blade is rotatably mounted, and each piece of the wafer held on the chuck table is scheduled to be cut. It is executed by cutting along the line with the cutting blade, and the cutting blade is processed from a position corresponding to the outer edge before the wafer is divided into a plurality of pieces to a position corresponding to the inner peripheral side. It is characterized in that the workpiece is relatively processed and fed by a feeding means and retracted in a direction away from the holding surface of the chuck table when the piece reaches the divided position.

また、本発明に係るウエーハの分割方法は、上記発明において、前記認識工程は、前記フレームに対して前記粘着フィルムを介して保持されたウエーハを表面側から撮像する撮像手段と前記粘着フィルムを透過する照明光を裏面側から照射する照明手段とを用い、前記照明手段により照射された照明光のうちの透過した光を前記撮像手段で受光した画像信号を画像処理することにより分断位置を抽出してウエーハの分断された各片の形状および位置を認識することを特徴とする。   Further, in the wafer dividing method according to the present invention, in the above invention, the recognition step transmits the wafer held through the adhesive film with respect to the frame from the surface side and the adhesive film. The illuminating means for irradiating the illumination light from the back side is used, and the divided position is extracted by performing image processing on an image signal obtained by receiving the transmitted light of the illumination light emitted by the illuminating means with the imaging means. And recognizing the shape and position of each piece of the wafer.

本発明に係るウエーハの分割方法によれば、粘着フィルム上で複数の片に分断されたウエーハの各片の形状および位置を認識工程で認識し、認識結果に基づきアライメント工程で各片毎の切断予定ラインを認識するアライメントを行い、これら認識結果およびアライメント結果に基づき分割工程によって粘着フィルム上のウエーハの分断された各片毎に切断予定ラインに沿った分割処理を行うことで、貼着時または貼着後に粘着フィルム上でウエーハが複数の片に分断された状態のまま、不定形な形状の各片毎に適正に個々の半導体デバイスに個片化することができ、よって、分断位置周辺の半導体デバイス以外のウエーハ上の大半の半導体デバイスを生かすように極力経済的に個片化することができるという効果を奏する。   According to the method for dividing a wafer according to the present invention, the shape and position of each piece of the wafer divided into a plurality of pieces on the adhesive film is recognized in the recognition step, and cutting is performed for each piece in the alignment step based on the recognition result. By performing alignment that recognizes the planned line, and performing the dividing process along the planned cutting line for each piece of the wafer on the adhesive film divided by the dividing process based on the recognition result and the alignment result, After sticking, the wafer is divided into a plurality of pieces on the adhesive film, and each piece having an irregular shape can be properly divided into individual semiconductor devices. There is an effect that the semiconductor device can be singulated as economically as possible so as to make use of most of the semiconductor devices on the wafer other than the semiconductor devices.

以下、本発明を実施するための最良の形態であるウエーハの分割方法について図面を参照して説明する。図1は、本発明のウエーハの分割方法が適用されるウエーハ切削装置の構成例を示す概略斜視図であり、図2は、認識工程を実行する部分を抽出して示す斜視図である。   Hereinafter, a wafer dividing method which is the best mode for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic perspective view showing a configuration example of a wafer cutting apparatus to which the wafer dividing method of the present invention is applied, and FIG. 2 is a perspective view showing a part for executing a recognition process.

まず、図2を参照して、本実施の形態のウエーハの分割方法の適用対象となるウエーハの一例を説明する。本実施の形態に適用されるウエーハ1は、格子状となるように縦横に設定された切断予定ライン2に囲繞された複数の半導体デバイス3が表面に形成された厚さ50μm程度の円形状のものであって、ウエーハ1の外径より大きな円形状の開口部4aを有する金属製円環状のフレーム4に粘着フィルム5によって開口部4aに貼着されたものである。ここで、粘着フィルム5は、ダイシングの際の保護テープとして機能するとともに、ダイシングされた後、リードフレームに半導体デバイス3のチップをダイボンディングする際に、ダイボンディングの接着剤としても機能する粘着力の強いダイボンディングシートが用いられている。そして、粘着フィルム5の貼着時または貼着後にウエーハ1の反りなどに起因して割れが生じて粘着フィルム5上で不定形状、不定形サイズ、不定個数なる状態で複数の片、例えば図2中に示すような3つの片1a,1b,1cに分断されたウエーハ1を対象とする。   First, an example of a wafer to which the wafer dividing method according to the present embodiment is applied will be described with reference to FIG. A wafer 1 applied to this embodiment has a circular shape with a thickness of about 50 μm in which a plurality of semiconductor devices 3 surrounded by lines to be cut 2 set vertically and horizontally so as to have a lattice shape are formed on the surface. It is a thing attached to the opening 4a by the adhesive film 5 on the metal annular frame 4 having a circular opening 4a larger than the outer diameter of the wafer 1. Here, the adhesive film 5 functions as a protective tape at the time of dicing, and also functions as an adhesive for die bonding when the chip of the semiconductor device 3 is die-bonded to the lead frame after being diced. A strong die bonding sheet is used. When the adhesive film 5 is attached or after being attached, a crack is generated due to the warp of the wafer 1 or the like, and a plurality of pieces are formed on the adhesive film 5 in an irregular shape, an irregular size, an indefinite number of pieces, for example, FIG. A wafer 1 divided into three pieces 1a, 1b, and 1c as shown in FIG.

このように粘着フィルム5上で複数の片1a〜1cに分断された状態のままのウエーハ1を切削対象とする本実施の形態のウエーハ切削装置は、概略的には、照明手段10と撮像手段20とチャックテーブル30と切削手段40と撮像手段50と洗浄・乾燥手段60と各部の動作を制御する制御手段70とを備える。   As described above, the wafer cutting apparatus according to the present embodiment that cuts the wafer 1 that has been divided into a plurality of pieces 1a to 1c on the adhesive film 5 is roughly composed of an illumination unit 10 and an imaging unit. 20, a chuck table 30, a cutting means 40, an imaging means 50, a cleaning / drying means 60, and a control means 70 for controlling the operation of each part.

チャックテーブル30は、粘着フィルム5を介してフレーム4に支持されたウエーハ1を図示しない負圧源の吸引力によって吸着保持するポーラス材質からなる保持面31を有するもので、下部側において回転モータに連結され、水平面(XY平面)内で回転自在とされている。また、チャックテーブル30は、図示しない加工送り手段によってX軸方向に加工送り可能に設けられており、チャックテーブル30を囲繞する矩形状のテーブルカバー32のX軸方向の両端には加工送りに追随して伸縮して下部の加工送り手段を防水する蛇腹部材33が係止されている。また、チャックテーブル30の周縁部には図示しない搬送手段によって方向性が特定されて載置されるフレーム4部分を係脱自在に押さえるクランプ34が設けられている。   The chuck table 30 has a holding surface 31 made of a porous material for adsorbing and holding the wafer 1 supported by the frame 4 via the adhesive film 5 by a suction force of a negative pressure source (not shown). It is connected and is rotatable in a horizontal plane (XY plane). The chuck table 30 is provided so as to be processed and fed in the X-axis direction by a processing feed means (not shown), and the rectangular table cover 32 surrounding the chuck table 30 follows the machining feed at both ends in the X-axis direction. Then, the bellows member 33 that extends and contracts and waterproofs the lower processing feed means is locked. In addition, a clamp 34 is provided at the peripheral portion of the chuck table 30 to detachably hold the frame 4 portion on which the directionality is specified by a conveying means (not shown).

切削手段40は、チャックテーブル30上に保持されたウエーハ1を切削する切削ブレード41を回転可能に装着したスピンドル42を有し、図示しない割り出し送り手段によってY軸方向に割り出し送り可能であって、かつ、図示しない切り込み送り手段によってXY平面に直交するZ軸方向に切り込み送り可能に設けられている。切削ブレード41周りはブレードカバー43により覆われ、このブレードカバー43部分には切削加工時に切削ブレード41を冷却したり切削屑を洗い流したりするための切削水を切削ブレード41の加工点に向けて噴射する表裏一対の噴射ノズル44が設けられている。   The cutting means 40 has a spindle 42 on which a cutting blade 41 for cutting the wafer 1 held on the chuck table 30 is rotatably mounted, and can be indexed and fed in the Y-axis direction by an index feed means (not shown). In addition, it is provided so that it can be cut and fed in the Z-axis direction orthogonal to the XY plane by a not-shown cutting feed means. The periphery of the cutting blade 41 is covered with a blade cover 43, and cutting water for cooling the cutting blade 41 or washing away the cutting waste at the time of cutting is sprayed toward the cutting point of the cutting blade 41. A pair of front and back spray nozzles 44 are provided.

撮像手段50は、XY平面内に多数の画素が配列されたCCDカメラ等の撮像素子を搭載してチャックテーブル30上に保持されたウエーハ1の表面を撮像するもので、切削手段40の切削ブレード41と常に所定の位置関係を維持して移動するようにスピンドル42の一部に一体化されて設けられている。制御手段70は、撮像手段50によって取得された画像情報を基に、ウエーハ1の所定方向に形成されている切断予定ライン2と切削ブレード41との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、切削位置のアライメントを遂行することで、切削手段40による切削加工動作の位置付けに供する。   The image pickup means 50 is for mounting an image pickup device such as a CCD camera in which a large number of pixels are arranged in the XY plane and picks up an image of the surface of the wafer 1 held on the chuck table 30. 41 is provided integrally with a part of the spindle 42 so as to always move while maintaining a predetermined positional relationship. The control means 70 performs image processing such as pattern matching for aligning the scheduled cutting line 2 formed in the predetermined direction of the wafer 1 with the cutting blade 41 based on the image information acquired by the imaging means 50. And performing the alignment of the cutting position, thereby providing the positioning of the cutting operation by the cutting means 40.

洗浄・乾燥手段60は、切削加工が終了した切削済みのウエーハ1を粘着フィルム5上に有するフレーム4がスピンナテーブル61上に搬送されて、フレーム4に支持されたウエーハ1を高速回転させながら洗浄液を噴射して洗浄し、エアーを吹き付けて乾燥させて、次工程に送るものである。   The cleaning / drying means 60 is configured such that the frame 4 having the cut wafer 1 on the adhesive film 5 on which the cutting process has been completed is transported onto the spinner table 61 and the wafer 1 supported on the frame 4 is rotated at a high speed. Are sprayed and washed, air is blown to dry, and then sent to the next step.

照明手段10は、切削加工が実行されるチャックテーブル30よりもX軸方向の上流側に設けられて認識工程に供されるもので、XY平面内に配設されて粘着フィルム5を透過する照明光をウエーハ1の裏面である下面側から照射する複数本の蛍光灯11と、これら蛍光灯11の上部に位置して認識対象となるウエーハ1がフレーム4ごと載置される保持部材としても機能し蛍光灯11から照射される照明光を拡散光としてウエーハ1裏面をほぼ均一に照射するための光透過性を有する拡散部材12とを備える。なお、拡散部材12、チャックテーブル30、スピンナテーブル61間のウエーハ1の搬送は、前述の図示しない搬送手段がフレーム4の所定位置を把持することにより行われる。   The illumination means 10 is provided on the upstream side in the X-axis direction with respect to the chuck table 30 on which cutting is performed, and is used for the recognition process. The illumination means 10 is disposed in the XY plane and transmits the adhesive film 5. Also functions as a holding member on which a plurality of fluorescent lamps 11 that irradiate light from the lower surface side that is the back surface of the wafer 1 and the wafer 1 that is positioned above the fluorescent lamps 11 and is to be recognized are placed together with the frame 4. And a diffusing member 12 having light transmittance for irradiating the back surface of the wafer 1 substantially uniformly with the illumination light emitted from the fluorescent lamp 11 as diffused light. The wafer 1 is transported between the diffusing member 12, the chuck table 30, and the spinner table 61 by gripping a predetermined position of the frame 4 by the transport unit (not shown).

撮像手段20は、ウエーハ1の分断された各片1a〜1cの形状および位置を認識するために、XY平面内に多数の画素が配列されたCCDカメラ等の撮像素子を搭載してフレーム4に対して粘着フィルム5を介して保持されたウエーハ1を表面である上面側から撮像するもので、撮像手段50とほぼ同一構造からなり、照明手段10に対向して配置されている。   The imaging means 20 is mounted on the frame 4 by mounting an imaging element such as a CCD camera in which a large number of pixels are arranged in the XY plane in order to recognize the shape and position of each of the divided pieces 1a to 1c of the wafer 1. On the other hand, the wafer 1 held via the adhesive film 5 is imaged from the upper surface side, which is the surface, and has almost the same structure as the imaging means 50 and is arranged to face the illumination means 10.

制御手段70は、照明手段10、撮像手段20,50、切削手段40等の各部の動作を制御するとともに内蔵の記憶部を利用して認識工程、アライメント工程、分割工程を順に行うことにより、粘着フィルム5上で各片1a〜1cに分断された状態のウエーハ1に対する切削加工を実行する。   The control means 70 controls the operation of each part such as the illumination means 10, the imaging means 20, 50, the cutting means 40, etc., and performs the recognition process, the alignment process, and the dividing process in order using the built-in storage unit, thereby causing the adhesion. Cutting is performed on the wafer 1 in a state of being divided into pieces 1 a to 1 c on the film 5.

以下、制御手段70による制御の下に実行される本実施の形態のウエーハ1の分割方法について順に説明する。まず、切削加工の対象となるウエーハ1が粘着フィルム5を介して搭載されたフレーム4を、搬送手段によって拡散部材12上に搬送して載置させ、認識工程を実行させる。この認識工程においては、複数本の蛍光灯11を一斉に点灯させて拡散部材12上に載置されているウエーハ1を裏面側から照明する。この際、蛍光灯11からの照明光は、拡散部材12を介して照明されるので、ウエーハ1の裏面側に対しては面発光状に均一な拡散光となって照射される。このような照明状態で、撮像手段20をウエーハ1が真下となる撮像位置に移動させて、フレーム4に対して粘着フィルム5を介して支持されたウエーハ1全体を表面側から一括して撮像し、照明手段10により照射された照明光のうちの透過した光をCCDカメラで受光することにより、明暗を伴う画像信号を取得する。   Hereinafter, the method for dividing the wafer 1 according to the present embodiment executed under the control of the control means 70 will be described in order. First, the frame 4 on which the wafer 1 to be cut is mounted via the adhesive film 5 is transported and placed on the diffusing member 12 by the transport means, and the recognition process is executed. In this recognition step, a plurality of fluorescent lamps 11 are turned on simultaneously to illuminate the wafer 1 placed on the diffusing member 12 from the back side. At this time, since the illumination light from the fluorescent lamp 11 is illuminated through the diffusing member 12, the back surface side of the wafer 1 is irradiated as uniform diffused light in a surface-emitting manner. In such an illumination state, the imaging means 20 is moved to an imaging position where the wafer 1 is directly below, and the entire wafer 1 supported by the frame 4 via the adhesive film 5 is collectively imaged from the surface side. The light transmitted through the illumination light irradiated by the illumination means 10 is received by the CCD camera, thereby obtaining an image signal accompanied by light and dark.

この際、ウエーハ1はフレーム4に対して張設状態の粘着フィルム5上に貼着されて支持されており、ウエーハ反り等により複数の片1a〜1cに分断が生じた場合には、分断位置には片1a〜1c同士の広がりによる割れ目6が生じ、粘着フィルム5が割れ目6に沿って露出する状態となる。認識工程では、このような状態のウエーハ1を裏面側から照明しながら表面側から撮像手段20で撮像しているので、各片1a〜1cが存在する部分では照明光が遮られて透過しないが、ウエーハ1の周囲並びに割れ目6部分ではウエーハ材が存在せず粘着フィルム5だけが存在するので照明光が透過することとなる。よって、撮像手段20で撮像して得られるウエーハ1の画像情報は、図3に模式的に示すように、各片1a〜1cが存在する部分は黒っぽくなる一方、ウエーハ1の周囲並びに分断位置である割れ目6部分は白っぽくなる明暗情報となる。そこで、撮像手段20が受光した画像信号に対して適宜設定された所定の閾値を用いて2値化処理を施すことにより、CCDカメラのXY平面内に配列された多数の画素からなるX−Y軸マトリックス上で分断位置が抽出され、分断された各片1a〜1cの形状および各片1a〜1cがX−Y軸マトリックス上のどの位置に存在するかが認識される。併せて、これら形状および位置の情報に基づき、各片1a〜1c毎のアライメントストロークを算出し、認識した各片1a〜1cの形状および位置の情報、並びにアライメントストロークの情報を制御手段70が有する記憶部に記憶させる。   At this time, the wafer 1 is stuck and supported on the adhesive film 5 stretched with respect to the frame 4, and when the plurality of pieces 1 a to 1 c are divided due to wafer warpage or the like, the dividing position is obtained. A crack 6 due to the spread of the pieces 1a to 1c occurs, and the adhesive film 5 is exposed along the crack 6. In the recognition process, since the wafer 1 in such a state is imaged by the imaging means 20 from the front side while illuminating from the back side, the illumination light is blocked and does not pass through the portions where the pieces 1a to 1c exist. In the periphery of the wafer 1 and the portion of the crack 6, the wafer material does not exist and only the adhesive film 5 exists, so that the illumination light is transmitted. Therefore, as shown schematically in FIG. 3, the image information of the wafer 1 obtained by imaging by the imaging means 20 is dark in the portions where the pieces 1a to 1c exist, but at the periphery of the wafer 1 and at the dividing position. A certain crack 6 portion becomes light and dark information that becomes whitish. Therefore, by performing a binarization process on the image signal received by the imaging unit 20 using a predetermined threshold value appropriately set, XY composed of a large number of pixels arranged in the XY plane of the CCD camera. The dividing position is extracted on the axis matrix, and the shape of each divided piece 1a to 1c and the position on the XY axis matrix where each piece 1a to 1c exists are recognized. In addition, based on the information on the shape and position, the alignment stroke for each piece 1a to 1c is calculated, and the control means 70 has the information on the shape and position of the recognized pieces 1a to 1c and the information on the alignment stroke. Store in the storage unit.

認識工程終了後、切削加工の対象となるウエーハ1が粘着フィルム5を介して搭載されたフレーム4を、搬送手段によって拡散部材12上からチャックテーブル30上に搬送して載置させ、形状および位置が認識されたウエーハ1の各片1a〜1cのアライメント工程を実行させる。まず、加工送り手段によるチャックテーブル30のX軸方向の送り制御並びに割り出し送り手段による切削手段40(撮像手段50)のY軸方向の送り制御により、ウエーハ1を撮像手段50の真下となる撮像位置に移動させて、フレーム4に対して粘着フィルム5を介して支持されたウエーハ1の表面側の切断予定ライン2等を撮像し、認識工程で得られて記憶部に記憶された情報に基づき、ウエーハ1の各片1a〜1cが存在する位置において、それぞれ公知のパターンマッチング処理によって、より精密なアライメント処理を実行する。   After completion of the recognition process, the frame 4 on which the wafer 1 to be cut is mounted via the adhesive film 5 is transported and placed on the chuck table 30 from the diffusion member 12 by the transporting means, and the shape and position are set. , The alignment process of each piece 1a to 1c of the wafer 1 is recognized. First, an imaging position at which the wafer 1 is directly below the imaging means 50 by feed control in the X-axis direction of the chuck table 30 by the machining feed means and feed control in the Y-axis direction of the cutting means 40 (imaging means 50) by the index feed means. Based on the information obtained in the recognition process and stored in the storage unit, the cutting planned line 2 on the surface side of the wafer 1 supported by the adhesive film 5 with respect to the frame 4 is imaged. At the position where each piece 1a to 1c of the wafer 1 is present, a more precise alignment process is executed by a known pattern matching process.

すなわち、ウエーハ1中の各片1a〜1cについて、例えば片1aの切削のための縦横両方向の切断予定ライン2がX−Y軸に対してどの程度位置ずれしているかおよび角度的にどの程度傾いているかを、事前に算出されて記憶されているアライメントストロークに従うパターンマッチングで精密に検出し、X−Y軸における位置ずれとその傾斜角度をアライメント情報として制御手段70が有する記憶部に記憶させる。この際、片1aの大きさ形状に対応する切削手段40の切削ストロークとして、例えば図4に示すようなX軸方向の切削ストロークと、例えば図5に示すようにY軸方向の切削ストロークとが、それぞれについて検出され、これらのストローク情報もアライメント情報として制御手段70が有する記憶部に記憶される。この場合の切削ストロークは、図4や図5に示すように、ウエーハ1外から当該片1aの分断された分断位置に到達した時点直後の位置までとされている。他の片1b,1cの切削のための縦横両方向の切断予定ライン2についても同様に、その位置ずれや傾斜角度の情報、並びに、X,Y軸方向の切削ストロークの情報がアライメント情報として検出され、制御手段70が有する記憶部に記憶される。   That is, for each of the pieces 1a to 1c in the wafer 1, for example, how much the planned cutting line 2 in both the vertical and horizontal directions for cutting the piece 1a is displaced with respect to the XY axis, and how much is inclined in angle. Is accurately detected by pattern matching according to the alignment stroke calculated and stored in advance, and the positional deviation on the XY axis and the inclination angle thereof are stored as alignment information in the storage unit of the control means 70. At this time, the cutting stroke of the cutting means 40 corresponding to the size and shape of the piece 1a includes, for example, a cutting stroke in the X-axis direction as shown in FIG. 4 and a cutting stroke in the Y-axis direction as shown in FIG. These stroke information is also stored in the storage unit of the control means 70 as alignment information. As shown in FIGS. 4 and 5, the cutting stroke in this case is from the outside of the wafer 1 to the position immediately after reaching the divided position where the piece 1a is divided. Similarly, regarding the planned cutting line 2 in both the vertical and horizontal directions for cutting the other pieces 1b and 1c, information on the positional deviation and the inclination angle and information on the cutting strokes in the X and Y axis directions are detected as alignment information. , And stored in a storage unit included in the control means 70.

ウエーハ1の各片1a〜1cのアライメント工程が終了すると、制御手段70は、認識工程で認識されて記憶部に記憶された各片1a〜1cの形状および位置の情報や、アライメント工程で認識されて記憶部に記憶された各片1a〜1cの切断予定ライン2の位置情報である位置ずれ、傾斜角度およびX,Y軸方向の切削ストロークの情報に基づき、加工送り手段、割り出し送り手段および切り込み送り手段の各送り手段およびチャックテーブル用モータの動作を制御して、切削手段40による切削動作を行わせることで、チャックテーブル30上のウエーハ1の各片1a〜1cを各片1a〜1c毎に切断予定ライン2に沿って分割する分割工程を実行させる。   When the alignment process of each piece 1a to 1c of the wafer 1 is completed, the control means 70 is recognized in the recognition process and information on the shape and position of each piece 1a to 1c stored in the storage unit and recognized in the alignment process. The processing feed means, the index feed means, and the cutting based on the information on the positional deviation, the inclination angle, and the cutting strokes in the X and Y axis directions, which are the position information of the scheduled cutting lines 2 of the pieces 1a to 1c stored in the storage unit By controlling the operations of the feeding means of the feeding means and the motor for the chuck table and causing the cutting means 40 to perform the cutting operation, the pieces 1a to 1c of the wafer 1 on the chuck table 30 are changed to the pieces 1a to 1c. The dividing step of dividing along the scheduled cutting line 2 is performed.

すなわち、ウエーハ1中の各片1a〜1cについて、例えば片1aの切削を行うために、チャックテーブル30の回動によって片1bを切削位置に位置付け、片1aの一方の切断予定ライン2がX軸方向に一致するようにチャックテーブル用モータによりチャックテーブル30を傾斜角度分回動させてウエーハ1の片1aの向きを合わせるとともに、所望の切断予定ライン2に切削ブレード41を位置付けるように割り込み送り手段で切削手段40を割り込み送りし、切削ブレード41を高速回転させた状態で切削手段40を切り込み送り手段で所定量切り込み送りしつつ加工送り手段でX軸方向に加工送りすることで、片1aの所望の切断予定ライン2の切削を行う。当該切断予定ライン2について記憶されている切削ストローク分の加工送りを行ったら、切り込み送り手段による離反動作で切削ブレード41をウエーハ1から離反する方向に退避させ、かつ、X軸方向に復帰させ、片1aの次の切断予定ライン2に対する割り込み送り以降の動作を同様に繰り返し実行させる。   That is, for each of the pieces 1a to 1c in the wafer 1, for example, in order to cut the piece 1a, the piece 1b is positioned at the cutting position by the rotation of the chuck table 30, and one cutting planned line 2 of the piece 1a is in the X axis. The chuck table 30 is rotated by an inclination angle by the chuck table motor so as to coincide with the direction so as to align the direction of the piece 1a of the wafer 1, and the interrupt feed means so as to position the cutting blade 41 on the desired cutting line 2 The cutting means 40 is interrupted and fed, and while the cutting blade 41 is rotated at a high speed, the cutting means 40 is cut and fed by a predetermined amount by the cutting and feeding means and processed and fed in the X-axis direction by the machining and feeding means. A desired cutting scheduled line 2 is cut. When the machining feed for the cutting stroke stored for the scheduled cutting line 2 is performed, the cutting blade 41 is retracted in the direction away from the wafer 1 by the separation operation by the cutting feed means, and returned in the X-axis direction, The operation after the interruption sending for the next scheduled cutting line 2 of the piece 1a is repeatedly executed in the same manner.

この際、図6(a)に矢印で示すように、切削ブレード41をウエーハ1が複数の片1a〜1cに分断される前の外縁部に相当する位置から内周側に相当する位置に向けて加工送り手段によって加工送りし、当該片1aの分断された分断位置に到達した時点直後で切削ブレード41を切り込み送り手段によってチャックテーブル30の保持面31から離反する方向に退避させるようにして切削動作を進行させる。   At this time, as indicated by an arrow in FIG. 6A, the cutting blade 41 is directed from a position corresponding to the outer edge before the wafer 1 is divided into a plurality of pieces 1a to 1c to a position corresponding to the inner peripheral side. Then, the cutting blade 41 is cut by retreating the cutting blade 41 in the direction away from the holding surface 31 of the chuck table 30 by the cutting feed means immediately after reaching the divided cutting position of the piece 1a. Advance the movement.

片1aの一方の切断予定ライン2についての切削動作が終了したら、チャックテーブル用モータによってチャックテーブル30(片1a)を90度回動させてウエーハ1の片1aの他方の切断予定ライン2の向きをX軸方向に合わせるとともに、所望の切断予定ライン2に切削ブレード41を位置付けるように割り込み送り手段で切削手段40を割り込み送りし、切削ブレード41を高速回転させた状態で切削手段40を切り込み送り手段で所定量切り込み送りしつつ加工送り手段でX軸方向に加工送りすることで、片1aの所望の切断予定ライン2の切削を行う。当該切断予定ライン2について記憶されている切削ストローク分の加工送りを行ったら、切り込み送り手段による離反動作で切削ブレード41をウエーハ1から離反する方向に退避させ、かつ、X軸方向に復帰させ、片1aの次の切断予定ライン2に対する割り込み送り以降の動作を同様に繰り返し実行させる。   When the cutting operation for one scheduled cutting line 2 of the piece 1a is completed, the chuck table 30 (piece 1a) is rotated 90 degrees by the chuck table motor, and the direction of the other scheduled cutting line 2 of the piece 1a of the wafer 1 is turned. Is aligned with the X-axis direction, the cutting means 40 is interrupted and fed by the interrupt feeding means so that the cutting blade 41 is positioned on the desired cutting line 2, and the cutting means 40 is cut and fed while the cutting blade 41 is rotated at a high speed. The desired cutting scheduled line 2 of the piece 1a is cut by feeding the workpiece in the X-axis direction by the machining feed means while cutting and feeding a predetermined amount by the means. When the machining feed for the cutting stroke stored for the scheduled cutting line 2 is performed, the cutting blade 41 is retracted in the direction away from the wafer 1 by the separation operation by the cutting feed means, and returned in the X-axis direction, The operation after the interruption sending for the next scheduled cutting line 2 of the piece 1a is repeatedly executed in the same manner.

この場合も、図6(b)に示すように、切削ブレード41をウエーハ1が複数の片1a〜1cに分断される前の外縁部に相当する位置から内周側に相当する位置に向けて加工送り手段によって加工送りし、当該片1aの分断された分断位置に到達した時点直後で切削ブレード41を切り込み送り手段によってチャックテーブル30の保持面31から離反する方向に退避させるようにして切削動作を進行させる。   Also in this case, as shown in FIG. 6B, the cutting blade 41 is directed from the position corresponding to the outer edge before the wafer 1 is divided into the plurality of pieces 1a to 1c to the position corresponding to the inner peripheral side. The cutting operation is performed by the processing feed means, and the cutting blade 41 is retracted in the direction away from the holding surface 31 of the chuck table 30 by the cutting feed means immediately after reaching the divided position where the piece 1a is divided. To advance.

ウエーハ1中の片1a部分についての縦横の切断予定ライン2の切削動作が終了したら、今度は、例えば片1bの切削を行うために、チャックテーブル30の回動によって片1bを切削位置に位置付け、片1bの一方の切断予定ライン2がX軸方向に一致するようにチャックテーブル用モータによりチャックテーブル30を傾斜角度分回動させてウエーハ1の片1bの向きを合わせるとともに、所望の切断予定ライン2に切削ブレード41を位置付けるように割り込み送り手段で切削手段40を割り込み送りし、切削ブレード41を高速回転させた状態で切削手段40を切り込み送り手段で所定量切り込み送りしつつ加工送り手段でX軸方向に加工送りすることで、片1bの所望の切断予定ライン2の切削を行う。当該切断予定ライン2について記憶されている切削ストローク分の加工送りを行ったら、切り込み送り手段による離反動作で切削ブレード41をウエーハ1から離反する方向に退避させ、かつ、X軸方向に復帰させ、片1bの次の切断予定ライン2に対する割り込み送り以降の動作を同様に繰り返し実行させる。片1bの一方の切断予定ライン2に直交する他方の切断予定ライン2についても同様に切削動作を行う。   When the cutting operation of the vertical and horizontal cutting scheduled lines 2 for the piece 1a portion in the wafer 1 is completed, this time, for example, in order to cut the piece 1b, the piece 1b is positioned at the cutting position by rotating the chuck table 30. The chuck table 30 is rotated by an inclination angle so that one cutting scheduled line 2 of the piece 1b coincides with the X-axis direction to align the direction of the piece 1b of the wafer 1 and a desired cutting scheduled line. The cutting means 40 is interrupted and fed by the interruption feeding means so that the cutting blade 41 is positioned at 2, and the cutting means 40 is cut and fed by a predetermined amount with the cutting feeding means while the cutting blade 41 is rotated at a high speed. By cutting and feeding in the axial direction, the desired cutting scheduled line 2 of the piece 1b is cut. When the machining feed for the cutting stroke stored for the scheduled cutting line 2 is performed, the cutting blade 41 is retracted in the direction away from the wafer 1 by the separation operation by the cutting feed means, and returned in the X-axis direction, The operations after the interrupt transmission for the next scheduled cutting line 2 of the piece 1b are repeated in the same manner. The cutting operation is performed in the same manner for the other scheduled cutting line 2 orthogonal to one scheduled cutting line 2 of the piece 1b.

ウエーハ1中の片1a,1b部分についての縦横の切断予定ライン2の切削動作が終了したら、残りの片1cに切断予定ライン2に対する切削動作を同様に実行することで、全ての片1a〜1cについての各片1a〜1c毎の分割工程が完了する。   When the cutting operation of the vertical and horizontal cutting planned lines 2 for the pieces 1a and 1b in the wafer 1 is completed, the cutting operation for the cutting planned lines 2 is similarly performed on the remaining pieces 1c, whereby all the pieces 1a to 1c are processed. The division | segmentation process for every piece 1a-1c about is completed.

分割工程が終了したフレーム4上のウエーハ1は、搬送手段によって洗浄・乾燥手段60に搬送され、洗浄・乾燥工程を経た後、次の工程に送り出される。   The wafer 1 on the frame 4 that has undergone the division process is conveyed to the cleaning / drying means 60 by the conveying means, and after being subjected to the cleaning / drying process, is sent to the next process.

このように、本実施の形態に係るウエーハの分割方法によれば、粘着フィルム5上で複数の片1a〜1cに分断されたウエーハ1の各片1a〜1cの形状および位置を認識工程で認識し、認識結果に基づきアライメント工程で各片1a〜1c毎の切断予定ライン2を認識するアライメントを行い、これら認識結果およびアライメント結果に基づき分割工程によって粘着フィルム5上のウエーハ1の分断された各片1a〜1c毎に切断予定ライン2に沿った分割処理を行うことで、貼着時または貼着後に粘着フィルム5上でウエーハ1が複数の片1a〜1cに分断された状態のまま、不定形な形状の各片1a〜1c毎に適正に個々の半導体デバイス3に個片化することができる。よって、分断位置周辺の半導体デバイス3以外のウエーハ1上の大半の半導体デバイス3を生かすように極力経済的に個片化することができる。   Thus, according to the wafer dividing method according to the present embodiment, the shape and position of each piece 1a-1c of the wafer 1 divided into a plurality of pieces 1a-1c on the adhesive film 5 are recognized in the recognition step. Then, alignment is performed for recognizing the cutting scheduled lines 2 for each of the pieces 1a to 1c based on the recognition result, and the wafer 1 on the adhesive film 5 is divided by the dividing step based on the recognition result and the alignment result. By performing the dividing process along the scheduled cutting line 2 for each of the pieces 1a to 1c, the wafer 1 remains in a state of being divided into a plurality of pieces 1a to 1c on the adhesive film 5 at the time of sticking or after sticking. Each piece 1a to 1c having a fixed shape can be separated into individual semiconductor devices 3 appropriately. Therefore, the semiconductor device 3 can be separated into pieces as economically as possible so as to make use of most of the semiconductor devices 3 on the wafer 1 other than the semiconductor devices 3 around the dividing position.

また、本実施の形態に係るウエーハの分割方法によれば、分割工程を、切削ブレード41を回転可能に装着したスピンドル42を有する切削手段40を用い、チャックテーブル30に保持されたウエーハ1の各片1a〜1cを切断予定ライン2に沿って切削ブレード41で切削することにより実行し、かつ、切削ブレード41をウエーハ1が複数の片1a〜1cに分断される前の外縁部に相当する位置から内周側に相当する位置に向けて加工送り手段によって相対的に加工送りし分断された位置に到達した時点でチャックテーブル30の保持面31から離反する方向に退避させるので、切り込み開始動作は従来と同様でよく切り込み開始速度をあまり低下させることがない上に、分断位置(割れ目6)を介して隣接する他の片に対する切削ストロークを極力短くして影響を少なくしているため、無駄にしてしまう半導体デバイス3の数を極力減らすことができる。   Further, according to the wafer dividing method according to the present embodiment, the dividing step is performed using each of the wafers 1 held on the chuck table 30 using the cutting means 40 having the spindle 42 on which the cutting blade 41 is rotatably mounted. The position corresponding to the outer edge before the wafer 1 is divided into a plurality of pieces 1a to 1c, which is executed by cutting the pieces 1a to 1c with the cutting blade 41 along the planned cutting line 2 From the holding surface 31 of the chuck table 30 at the time of reaching the divided position by the machining feed means toward the position corresponding to the inner peripheral side, and the cutting start operation is In the same manner as in the prior art, the cutting start speed is not reduced so much, and the cutting thread for other pieces adjacent to each other through the dividing position (break 6) is cut. Due to the less affected as much as possible short stroke can be reduced as much as possible the number of semiconductor devices 3 which would waste.

また、本実施の形態に係るウエーハの分割方法によれば、認識工程は、フレーム4に対して粘着フィルム5を介して保持されたウエーハ1を表面側から撮像する撮像手段20と粘着フィルム5を透過する照明光を裏面側から照射する照明手段10とを用い、照明手段10により照射された照明光のうちの透過した光を撮像手段20で受光した画像信号を画像処理することにより分断位置を抽出してウエーハ1の分断された各片1a〜1cの形状および位置を認識するようにしたので、各片1a〜1c間の分断位置の抽出を確実に行うことができ、ウエーハ1の分断された各片1a〜1cの形状および位置の認識精度を向上させることができる。特に、照明手段10は均一な拡散光として照明光を照射するので、精度の高い形状および位置の認識動作を安定して行うことができる。   Further, according to the wafer dividing method according to the present embodiment, the recognition step includes the imaging unit 20 and the adhesive film 5 for imaging the wafer 1 held on the frame 4 via the adhesive film 5 from the surface side. Using the illuminating means 10 that irradiates transmitted illumination light from the back side, the image signal obtained by the imaging means 20 receiving the transmitted light of the illumination light emitted by the illuminating means 10 is subjected to image processing to determine the dividing position. Since the shape and position of each piece 1a to 1c of the wafer 1 divided by extraction are recognized, the division position between the pieces 1a to 1c can be reliably extracted, and the wafer 1 is divided. Moreover, the recognition accuracy of the shape and position of each piece 1a-1c can be improved. In particular, since the illumination unit 10 emits illumination light as uniform diffused light, highly accurate shape and position recognition operations can be performed stably.

本発明は、上述した実施の形態に限らず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲であれば、種々の変形が可能である。例えば、本実施の形態では、認識工程でウエーハ1の分断された各片1a〜1cの形状および位置を認識した後、全ての片1a〜1cについてアライメント工程および分割工程を実行するようにしたが、認識工程でウエーハ1の分断された各片の形状および位置からその大きさを認識し、例えば所定個数の半導体デバイスを含み得る所定以上の大きさの片のみをアライメント工程および分割工程の対象として選定する工程を付加してもよい。これにより、個片化が有効となる片のみを対象に処理を行わせ、無駄となるアライメント工程および分割工程を省くことができる。   The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, in the present embodiment, after the shape and position of each of the pieces 1a to 1c divided in the wafer 1 are recognized in the recognition step, the alignment step and the division step are executed for all the pieces 1a to 1c. The size is recognized from the shape and position of each piece of the wafer 1 divided in the recognition step. For example, only pieces of a size larger than a predetermined size that can include a predetermined number of semiconductor devices are subjected to the alignment step and the division step. A step of selecting may be added. As a result, it is possible to perform the processing only on the piece for which the singulation is effective, and to eliminate the unnecessary alignment step and division step.

また、本実施の形態では、認識工程をアライメント工程とは別の場所で実行するようにしたが、例えばチャックテーブル30の保持面31部分に多数のLED等の発光素子を埋め込み、保持面31上に粘着フィルム5を介して保持されたウエーハ1の裏面側から多数の発光素子によって照明光を照射し、ウエーハ1の表面側からアライメント用の撮像手段50で透過する光を受光することで認識工程を実行するようにしてもよい。また、本実施の形態では、照明手段10の発光源として複数の蛍光灯11を用いたが、面状発光素子等を用いるようにしてもよい。   In the present embodiment, the recognition process is performed at a place different from the alignment process. However, for example, a large number of light emitting elements such as LEDs are embedded in the holding surface 31 portion of the chuck table 30, and An illumination process is performed by irradiating illumination light from the back surface side of the wafer 1 held by the adhesive film 5 with a large number of light emitting elements and receiving light transmitted from the front surface side of the wafer 1 by the imaging means 50 for alignment. May be executed. Further, in the present embodiment, a plurality of fluorescent lamps 11 are used as the light source of the illumination means 10, but a planar light emitting element or the like may be used.

また、本実施の形態では、各片1a〜1cに対する切削ストロークを分断位置に到達した時点直後の位置で切削ブレード41を離反させるように設定したが、各片1a〜1c、例えば、図7に示すように、片1aについて分断位置に到達する時点直前の位置で切削ブレード41を離反させるように切削ストロークを設定するようにしてもよい。これによれば、当該片に対する切削動作が他の片に対する切削動作に全く影響せず、切削ストロークが切断位置を越えることにより無駄にしてしまう半導体デバイス3の数を減らすことができる。   Further, in the present embodiment, the cutting stroke for each piece 1a to 1c is set to be separated from the cutting blade 41 at a position immediately after the cutting position is reached, but each piece 1a to 1c, for example, in FIG. As shown, the cutting stroke may be set so that the cutting blade 41 is separated from the piece 1a at a position immediately before reaching the dividing position. According to this, the cutting operation on the piece does not affect the cutting operation on the other piece at all, and the number of semiconductor devices 3 that are wasted when the cutting stroke exceeds the cutting position can be reduced.

或いは、図8に示すように、各片1a〜1cについて、例えば片1aの部分内において、正常に分割し得る半導体デバイス3が存在する部分のみを対象として縦横の切断予定ライン2に対する切削ストロークを矩形階段状に設定することで、正常に分割し得る半導体デバイス3のみを個片化する無駄のない分割動作を実行させるようにしてもよい。   Alternatively, as shown in FIG. 8, for each of the pieces 1 a to 1 c, for example, in the portion of the piece 1 a, the cutting stroke with respect to the vertical and horizontal cutting scheduled lines 2 is targeted only for the portion where the semiconductor device 3 that can be normally divided exists. By setting the rectangular staircase shape, it is possible to execute a lean dividing operation for separating only the semiconductor devices 3 that can be normally divided.

また、本実施の形態は、切削手段として切削ブレード41を用いて機械的に切削する切削手段40を用いる例で説明したが、ウエーハ1の切断予定ライン2に沿ってレーザ光線を照射するレーザ光線照射手段による切削手段を用いるようにしてもよい。また、本実施の形態では、一つの切削手段40を用いて分割工程を実行する例で説明したが、例えば加工送り方向であるX軸方向に2段の切削手段を備え、ウエーハ1の分断された各片1a〜1cの同一の切断予定ラインについてハーフカットとフルカットとの2段階に切削動作を行うステップカットの場合にも同様に適用することができる。   Moreover, although this Embodiment demonstrated by the example using the cutting means 40 which cuts mechanically using the cutting blade 41 as a cutting means, the laser beam which irradiates a laser beam along the cutting scheduled line 2 of the wafer 1 You may make it use the cutting means by an irradiation means. Further, in the present embodiment, the example in which the dividing step is performed using one cutting means 40 has been described. However, for example, the wafer 1 is divided by providing two stages of cutting means in the X-axis direction that is the machining feed direction. In addition, the present invention can be similarly applied to a step cut in which cutting operations are performed in two stages of a half cut and a full cut on the same scheduled cutting line of each piece 1a to 1c.

また、本実施の形態では、粘着フィルム5として、ウエーハ1の剥離が困難なダイボンディングシートを用いたが、ダイシングの際の保護テープとして機能するダイシングテープを用いる場合であっても同様に適用することができる。この場合、各片1a〜1cをダイシングテープから剥がし再度貼着し直す手間を省くことができる。   Moreover, in this Embodiment, although the die-bonding sheet | seat from which peeling of the wafer 1 is difficult was used as the adhesive film 5, even when the dicing tape which functions as a protective tape at the time of dicing is used, it applies similarly. be able to. In this case, it is possible to save the trouble of peeling off the pieces 1a to 1c from the dicing tape and attaching them again.

本発明のウエーハの分割方法が適用されるウエーハ切削装置の構成例を示す概略斜視図である。It is a schematic perspective view which shows the structural example of the wafer cutting device with which the division | segmentation method of the wafer of this invention is applied. 認識工程を実行する部分を抽出して示す斜視図である。It is a perspective view which extracts and shows the part which performs a recognition process. 認識工程において撮像手段で撮像して得られるウエーハの画像例を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows typically the example of a wafer image obtained by imaging with an imaging means in a recognition process. 一つの片についての一方の切削ストローク設定例を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows typically the example of one cutting stroke setting about one piece. 一つの片についての他方の切削ストローク設定例を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows typically the other cutting stroke setting example about one piece. 一つの片についての分割工程の結果例を工程順に模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows typically the result example of the division | segmentation process about one piece in order of a process. 切削ストローク設定の他例を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows typically the other example of cutting stroke setting. 切削ストローク設定の別の例を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows typically another example of cutting stroke setting.

符号の説明Explanation of symbols

1 ウエーハ
1a〜1c 片
2 切断予定ライン
3 半導体デバイス
4 フレーム
5 粘着フィルム
10 照明手段
20 撮像手段
30 チャックテーブル
31 保持面
40 切削手段
41 切削ブレード
42 スピンドル
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Wafer 1a-1c Piece 2 Planned cutting line 3 Semiconductor device 4 Frame 5 Adhesive film 10 Illuminating means 20 Imaging means 30 Chuck table 31 Holding surface 40 Cutting means 41 Cutting blade 42 Spindle

Claims (3)

切断予定ラインに囲繞された複数の半導体デバイスが表面に形成されたウエーハを該ウエーハの外径より大きな開口部を有するフレームに粘着フィルムによって前記開口部に貼着し、該貼着時または貼着後に粘着フィルム上で複数の片に分断されたウエーハを表面の切断予定ラインに沿って分割するウエーハの分割方法であって、
ウエーハの分断された各片の形状および位置を認識する認識工程と、
該認識工程で形状および位置が認識されたウエーハの各片の表面の切断予定ラインを認識するアライメント工程と、
前記認識工程で認識されたウエーハの各片の形状および位置の情報と前記アライメント工程で認識されたウエーハの各片の切断予定ラインの位置の情報とに基づきウエーハの各片を各片毎に切断予定ラインに沿って分割する分割工程と、
を有することを特徴とするウエーハの分割方法。
A wafer having a plurality of semiconductor devices surrounded by a line to be cut is formed on the surface, and is attached to the opening with an adhesive film on a frame having an opening larger than the outer diameter of the wafer. A wafer dividing method for dividing a wafer, which is later divided into a plurality of pieces on an adhesive film, along a cutting scheduled line on the surface,
A recognition process for recognizing the shape and position of each piece of the wafer divided;
An alignment step of recognizing a line to be cut on the surface of each piece of the wafer whose shape and position are recognized in the recognition step;
Each piece of the wafer is cut into each piece based on the information on the shape and position of each piece of the wafer recognized in the recognition step and the information on the position of the planned cutting line of each piece of the wafer recognized in the alignment step. A dividing step of dividing along a planned line;
A method of dividing a wafer, comprising:
前記分割工程は、切削ブレードを回転可能に装着したスピンドルを有する切削手段を用い、チャックテーブルに保持されたウエーハの各片を切断予定ラインに沿って前記切削ブレードで切削することにより実行し、かつ、前記切削ブレードをウエーハが複数の片に分断される前の外縁部に相当する位置から内周側に相当する位置に向けて加工送り手段によって相対的に加工送りし当該片の分断された位置に到達した時点で前記チャックテーブルの保持面から離反する方向に退避させることを特徴とする請求項1に記載のウエーハの分割方法。   The dividing step is performed by cutting each piece of the wafer held on the chuck table with the cutting blade along a planned cutting line using a cutting means having a spindle on which a cutting blade is rotatably mounted, and The cutting blade is relatively processed by a processing feed means from the position corresponding to the outer edge before the wafer is divided into a plurality of pieces to the position corresponding to the inner peripheral side, and the position where the pieces are divided 2. The wafer dividing method according to claim 1, wherein the wafer is retracted in a direction away from the holding surface of the chuck table at a point of time when the wafer is reached. 前記認識工程は、前記フレームに対して前記粘着フィルムを介して保持されたウエーハを表面側から撮像する撮像手段と前記粘着フィルムを透過する照明光を裏面側から照射する照明手段とを用い、前記照明手段により照射された照明光のうちの透過した光を前記撮像手段で受光した画像信号を画像処理することにより分断位置を抽出してウエーハの分断された各片の形状および位置を認識することを特徴とする請求項1または2に記載のウエーハの分割方法。   The recognizing step uses an imaging unit that images the wafer held on the frame via the adhesive film from the front side and an illumination unit that irradiates illumination light that passes through the adhesive film from the back side, Recognizing the shape and position of each divided piece of the wafer by extracting the dividing position by image processing the image signal received by the imaging means of the transmitted light of the illumination light irradiated by the illuminating means The wafer dividing method according to claim 1, wherein:
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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04109652A (en) * 1990-08-30 1992-04-10 Tokyo Seimitsu Co Ltd Dicing device
JPH04363047A (en) * 1990-12-12 1992-12-15 Disco Abrasive Syst Ltd Cutting and dicing system
JPH0669319A (en) * 1992-08-20 1994-03-11 Disco Abrasive Syst Ltd Alignment system
JPH0758176A (en) * 1993-08-19 1995-03-03 Tokyo Seimitsu Co Ltd Shape recognizing equipment for semiconductor wafer
JPH08264622A (en) * 1995-03-22 1996-10-11 Disco Abrasive Syst Ltd Alignment method and key-pattern detecting method
JPH09148277A (en) * 1995-11-24 1997-06-06 Disco Abrasive Syst Ltd Dicing tape
JP2000182996A (en) * 1998-12-14 2000-06-30 Tokyo Seimitsu Co Ltd Dicing device
JP2002075919A (en) * 2000-08-30 2002-03-15 Sharp Corp Dicing method of semiconductor wafer

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04109652A (en) * 1990-08-30 1992-04-10 Tokyo Seimitsu Co Ltd Dicing device
JPH04363047A (en) * 1990-12-12 1992-12-15 Disco Abrasive Syst Ltd Cutting and dicing system
JPH0669319A (en) * 1992-08-20 1994-03-11 Disco Abrasive Syst Ltd Alignment system
JPH0758176A (en) * 1993-08-19 1995-03-03 Tokyo Seimitsu Co Ltd Shape recognizing equipment for semiconductor wafer
JPH08264622A (en) * 1995-03-22 1996-10-11 Disco Abrasive Syst Ltd Alignment method and key-pattern detecting method
JPH09148277A (en) * 1995-11-24 1997-06-06 Disco Abrasive Syst Ltd Dicing tape
JP2000182996A (en) * 1998-12-14 2000-06-30 Tokyo Seimitsu Co Ltd Dicing device
JP2002075919A (en) * 2000-08-30 2002-03-15 Sharp Corp Dicing method of semiconductor wafer

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