JP2008152987A - バイパススイッチ - Google Patents
バイパススイッチ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008152987A JP2008152987A JP2006337760A JP2006337760A JP2008152987A JP 2008152987 A JP2008152987 A JP 2008152987A JP 2006337760 A JP2006337760 A JP 2006337760A JP 2006337760 A JP2006337760 A JP 2006337760A JP 2008152987 A JP2008152987 A JP 2008152987A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- conductor
- fixed
- semiconductor element
- metal plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
Landscapes
- Secondary Cells (AREA)
Abstract
【課題】大電流容量の蓄電池に用いる大きな電流に対しても閉路動作を速やかに行うことができ、振動や衝撃の加わるような状況下でも誤動作が発生し難いバイパススイッチを提供する。
【解決手段】間隔を設けて固定された一対の固定導体と、一対の固定導体に対し垂直な方向に所定の間隙をもって配置され、加圧装置により駆動され一対の固定導体間を接続する可動導体とからなるスイッチ部と、一対の金属プレートではんだを挟んだ積層体とこの積層体の積層方向に積み重ねられた複数の半導体素子群とを有し、積層体と複数の半導体素子群とが積層方向に加圧された熱作動装置とを備え、各半導体素子群における一方の端子側と第1の固定導体とを接続する接続導体と各半導体素子群における他方の端子側と第2の固定導体とを接続する接続導体とにより、各半導体素子群が一対の固定導体間に並列接続されている。
【選択図】図1
【解決手段】間隔を設けて固定された一対の固定導体と、一対の固定導体に対し垂直な方向に所定の間隙をもって配置され、加圧装置により駆動され一対の固定導体間を接続する可動導体とからなるスイッチ部と、一対の金属プレートではんだを挟んだ積層体とこの積層体の積層方向に積み重ねられた複数の半導体素子群とを有し、積層体と複数の半導体素子群とが積層方向に加圧された熱作動装置とを備え、各半導体素子群における一方の端子側と第1の固定導体とを接続する接続導体と各半導体素子群における他方の端子側と第2の固定導体とを接続する接続導体とにより、各半導体素子群が一対の固定導体間に並列接続されている。
【選択図】図1
Description
この発明は、複数のセルが接続された蓄電池において、故障によって高抵抗状態あるいは開路状態になったセルを短絡する機能を備えたバイパススイッチに関するものであり、特に電流に応答するバイパススイッチに関するものである。
複数のセルが直列接続された蓄電池では、1つのセルが高抵抗状態あるいは開路状態になるといった故障の場合、蓄電池全体が使用不可能となる。1つのセルが高抵抗状態あるいは開路状態になることにより蓄電池全体が使用不可能となることを防止する方策として、各セルにダイオードを並列接続し、セルが故障した時のダイオードの発熱をトリガとして故障セルを短絡するバイパススイッチを設けることが提案されている。
このようなバイパススイッチとして、セルが正常な時は、固定側接点と、この固定側接点に対して所定の隙間を保持してピンで固定部に取り付けられた可動側接点とで開路を形成し、セルの故障時には、ダイオードの熱を熱伝導基部から形状記憶金属棒に伝導し、形状記憶金属棒を伸長させて可動側接点を押してピンを剪断するとともに、可動側接点を移動させて固定側接点と接触させて閉路を形成するものが開示されている(例えば、特許文献1参照)。
特開平7−201365号公報(第3−6頁、図1−図3)
上記、従来のパイパススイッチにあっては、形状記憶金属棒の伸長によって接点を押さえつける構造であるので、可動側接点が固定側接点と接触するのに必要な距離以上に形状記憶金属棒の変化(伸び)量が必要であり、形状記憶金属棒の全長が長くなり、熱伝導基部も大きくなり、その結果、熱伝導基部および形状記憶金属棒の熱容量が大きくなる。このため、形状記憶金属棒を加熱するのに時間がかかり、速やかな閉路動作ができないという問題点があった。また、常時は開路とするために可動側接点を固定部の孔にピンで保持しているので、振動や衝撃の加わるような状況下での使用においては誤動作が発生しやすいという問題点があった。
この発明は、上記のような問題を解決するものであり、振動や衝撃の加わるような状況下でも誤動作が発生し難くいとともに、半導体の発熱量が大きく閉路動作が速やかに行われるバイパススイッチを提供することを目的とする。
本発明に係るバイパススイッチは、間隔を設けて固定された第1の固定導体と第2の固定導体とからなる一対の固定導体と、一対の固定導体に対し垂直な方向に所定の間隙をもって配置され、一対の固定導体に対する垂直な方向に駆動されることにより一対の固定導体間を接続する可動導体とを有するスイッチ部と、可動導体を一対の固定導体に対する垂直方向に加圧する加圧装置と、第1の金属プレートと第2の金属プレートとではんだを挟んだ積層体と、この積層体の積層方向に積み重ねられた通電により発熱する複数の半導体素子群とを有し、積層体と複数の半導体素子群とが、可動導体に接続されたシャフトを介して加圧装置から圧力が加えられた熱作動装置とからなり、熱作動装置が、各半導体素子群の一方の端子側と第1の固定導体とを接続する接続導体と、各半導体素子群の他方の端子側と第2の固定導体とを接続する接続導体とを備え、各半導体素子群が一対の固定導体間に並列接続されているものである。
本発明に係るバイパススイッチによれば、接点の開路保持時における振動や衝撃による誤動作が防止でき、また、蓄電池セルの故障発生時に大きな電流を流すことができ、電流容量の大きな蓄電池セルに用いることが可能であるとともに、熱作動装置に用いた半導体素子群からの発熱量が大きく、故障セルのバイパスを非常に短時間にできるとの効果が得られる。
実施の形態1.
図1は、本発明の実施の形態1に係るバイパススイッチを示す断面図である。
図1に示すように、本実施の形態のバイパススイッチは、絶縁材料からなるケース1と、ケース1に所定の間隔を設けて固定された第1の固定導体21と第2の固定導体22とからなる一対の固定導体と、この一対の固定導体の間隙に対して一対の固定導体の垂直な方向に所定の間隙をもって配置され、この一対の固定導体に対して垂直な方向に駆動されることにより第1の固定導体21と第2の固定導体22間とを接続する可動導体23とを有するスイッチ部を備えている。
図1は、本発明の実施の形態1に係るバイパススイッチを示す断面図である。
図1に示すように、本実施の形態のバイパススイッチは、絶縁材料からなるケース1と、ケース1に所定の間隔を設けて固定された第1の固定導体21と第2の固定導体22とからなる一対の固定導体と、この一対の固定導体の間隙に対して一対の固定導体の垂直な方向に所定の間隙をもって配置され、この一対の固定導体に対して垂直な方向に駆動されることにより第1の固定導体21と第2の固定導体22間とを接続する可動導体23とを有するスイッチ部を備えている。
可動導体23の一方側には、一対の固定導体の間隙を挿通し、熱作動装置10に接触するシャフト61が設けられており、可動導体23の他方側には、直列に配置された可動導体23とシャフト61と熱作動装置10とを、一対の固定導体に対する垂直方向に加圧するコイルバネ等で構成される加圧装置81が設けられている。
熱作動装置10には、電流が流れることによって発熱する半導体素子としての第1のダイオード41と第2のダイオード42と第3のダイオード43と第4のダイオード44と、第1の金属プレート51と第2の金属プレート52とではんだ53を挟んだ積層体とが設けられている。
すなわち、熱作動装置10は、第1の接続導体31と、第1のダイオード41と、第1のダイオード41と第2のダイオード42とをチェックするダイオードチェック端子71と、第2のダイオード42と、第1の金属プレート51と、はんだ53と、第2の金属プレート52と、第3の接続導体33と、第3のダイオード43と、第3のダイオード43と第4のダイオード44とをチェックするダイオードチェック端子72と、第4のダイオード44と、第2の接続導体32とが、上記の順に積層されている。
そして、熱作動装置10は、可動導体23とシャフト61とを介して、加圧装置81により加圧され、電気的な導通が維持されている。
すなわち、熱作動装置10は、第1の接続導体31と、第1のダイオード41と、第1のダイオード41と第2のダイオード42とをチェックするダイオードチェック端子71と、第2のダイオード42と、第1の金属プレート51と、はんだ53と、第2の金属プレート52と、第3の接続導体33と、第3のダイオード43と、第3のダイオード43と第4のダイオード44とをチェックするダイオードチェック端子72と、第4のダイオード44と、第2の接続導体32とが、上記の順に積層されている。
そして、熱作動装置10は、可動導体23とシャフト61とを介して、加圧装置81により加圧され、電気的な導通が維持されている。
第1の接続導体31と第2の接続導体32とは第1の固定導体21に接続されており、第3の接続導体33は第2の固定導体22に接続されている。
すなわち、第1のダイオード41と第2のダイオード42とからなる第1のダイオード直列接続体(半導体素子群)における一方の端子側と、第4のダイオード44と第3のダイオード43とからなる第2のダイオード直列接続体(半導体素子群)における一方の端子側とが、第1の固定導体21と導通している。第1のダイオード直列接続体(半導体素子群)における他方の端子側と第2のダイオード直列接続体(半導体素子群)における他方の端子側とが、第2の固定導体22と導通している。
つまり、熱作動装置10は、第1の接続導体31、第1のダイオード41、第2のダイオード42、第1の金属プレート51、はんだ53、第2の金属プレート52、第3の接続導体33の順に電流が通る第1の電流経路と、第2の接続導体32、第4のダイオード44、第3のダイオード43、第3の接続導体33の順に電流が通る第2の電流経路とを備え、この第1の電流経路と第2の電流経路とが、第1の固定導体21と第2の固定導体22と可動導体23とからなるスイッチ部に、並列に接続されている。
すなわち、第1のダイオード41と第2のダイオード42とでなる半導体素子群、および、第4のダイオード44と第3のダイオード43とでなる半導体素子群が、第1の固定導体21と第2の固定導体22との間に並列に接続されている。
そして、バイパススイッチは、ケース1と加圧装置81とスイッチ部と熱作動装置10とから形成されている。
すなわち、第1のダイオード41と第2のダイオード42とからなる第1のダイオード直列接続体(半導体素子群)における一方の端子側と、第4のダイオード44と第3のダイオード43とからなる第2のダイオード直列接続体(半導体素子群)における一方の端子側とが、第1の固定導体21と導通している。第1のダイオード直列接続体(半導体素子群)における他方の端子側と第2のダイオード直列接続体(半導体素子群)における他方の端子側とが、第2の固定導体22と導通している。
つまり、熱作動装置10は、第1の接続導体31、第1のダイオード41、第2のダイオード42、第1の金属プレート51、はんだ53、第2の金属プレート52、第3の接続導体33の順に電流が通る第1の電流経路と、第2の接続導体32、第4のダイオード44、第3のダイオード43、第3の接続導体33の順に電流が通る第2の電流経路とを備え、この第1の電流経路と第2の電流経路とが、第1の固定導体21と第2の固定導体22と可動導体23とからなるスイッチ部に、並列に接続されている。
すなわち、第1のダイオード41と第2のダイオード42とでなる半導体素子群、および、第4のダイオード44と第3のダイオード43とでなる半導体素子群が、第1の固定導体21と第2の固定導体22との間に並列に接続されている。
そして、バイパススイッチは、ケース1と加圧装置81とスイッチ部と熱作動装置10とから形成されている。
また、ダイオードチェック端子71は、固定導体21との間の電圧を測定することにより第1のダイオード41が正常に機能していることを確認し、固定導体22との間の電圧を測定することにより第2のダイオード42が正常に機能していることを確認するものである。同様に、ダイオードチェック端子72は、固定導体22との間の電圧を測定することにより第3のダイオード43が正常に機能していることを確認し、固定導体21との間の電圧を測定することにより第4のダイオード44が正常に機能していることを確認するものである。
本実施の形態では、第1の接続導体31と第2の接続導体32と第3の接続導体33とには、断面積が小さく、導体長が長く、可とう性を備えたリボン導体を用いている。また、ダイオードチェック端子71およびダイオードチェック端子72も可とう性を備えた導体が用いられる。そして、第1の固定導体21と第2の固定導体22と可動導体23とには電気伝導性が良好な銅、または銅合金を使用することが好ましい。
図2は、本実施の形態のバイパススイッチを蓄電池セルに並列に接続した回路図である。図2に示したように、バイパススイッチにおける熱作動装置とスイッチ部とからなる並列回路が、蓄電池セル100に並列接続されている。図2では、1つの蓄電池セル100に1つのバイパススイッチが接続されているが、実際には、直列接続された蓄電池セル100のそれぞれにバイパススイッチが接続される。
次に、本実施の形態に係わるバイパススイッチの動作について説明する。
図2に示すように、バイパススイッチを蓄電池セル100に接続すると、蓄電池セル100が正常な状態では、第1のダイオード41、第2のダイオード42、第3のダイオード43、第4のダイオード44の各ダイオードとも逆電圧が加わるため電流が流れることがなく、バイパススイッチは作動しない。
しかし、蓄電池セル100が故障して高抵抗状態あるいは開路状態になると、熱作動装置10は、半導体素子群である第1のダイオード41と第2のダイオード42、および、半導体素子群である第3のダイオード43と第4のダイオード44に順電流が流れて、各ダイオードが発熱する。
そして、第1のダイオード41と第2のダイオード42とで発生した熱は第1の金属プレート51に伝導してはんだ53を加熱し、第3のダイオード43と第4のダイオード44とで発生した熱は第2の金属プレート52に伝導して、やはり、はんだ53を加熱する。すなわち、はんだ53は、第1のダイオード41と第2のダイオード42とで発生した熱および第3のダイオード43と第4のダイオード44とで発生した熱により溶融される。
図2に示すように、バイパススイッチを蓄電池セル100に接続すると、蓄電池セル100が正常な状態では、第1のダイオード41、第2のダイオード42、第3のダイオード43、第4のダイオード44の各ダイオードとも逆電圧が加わるため電流が流れることがなく、バイパススイッチは作動しない。
しかし、蓄電池セル100が故障して高抵抗状態あるいは開路状態になると、熱作動装置10は、半導体素子群である第1のダイオード41と第2のダイオード42、および、半導体素子群である第3のダイオード43と第4のダイオード44に順電流が流れて、各ダイオードが発熱する。
そして、第1のダイオード41と第2のダイオード42とで発生した熱は第1の金属プレート51に伝導してはんだ53を加熱し、第3のダイオード43と第4のダイオード44とで発生した熱は第2の金属プレート52に伝導して、やはり、はんだ53を加熱する。すなわち、はんだ53は、第1のダイオード41と第2のダイオード42とで発生した熱および第3のダイオード43と第4のダイオード44とで発生した熱により溶融される。
熱作動装置10は、加圧装置81により、可動導体23とシャフト61とを介して加圧されているので、はんだ53が溶融すると、第1のダイオード41と第2のダイオード42と第1の金属プレート51とが、積層方向の下方へ移動する。それに伴い、スイッチ部の可動導体23が、加圧装置81により加圧される方向に移動し、第1の固定導体21と第2の固定導体22とに接触して、第1の固定導体21と第2の固定導体22とが電気的に低抵抗の状態で接続される。すなわち、バイパススイッチにより、異常な蓄電池セル100間を短絡するバイパス回路が形成され、蓄電池全体が使用不可能になるのを防止する。
本実施の形態のバイパススイッチでは、第1の接続導体31と第2の接続導体32と第3の接続導体33とに用いられたリボン導体の断面積が小さいので、各ダイオード41,42,43,44で発生した熱が各接続導体31,32,33を介して熱作動装置10の外部へ逃げる量を極めて小さくでき、熱作動装置10の加熱効率の低下を防止できる。
また、第1の接続導体31に可とう性を有するリボン導体が用いられているので、はんだ53の溶融にともなって熱作動装置10が垂直方向へ変位しても、第1の接続導体31は、その変位に追随し熱作動装置10と第1の固定導体21との導通状態が切断されるのを防止できるとともに、はんだ53の溶融にともなう第1のダイオード41と第2のダイオード42と第1の金属プレート51が垂直方向へ変位するのを妨げることがない。
また、ダイオードチェック端子71にも可とう性を有する導体が用いられているので、はんだ53の溶融にともなって熱作動装置10の可動部が垂直方向へ変位しても、ダイオードチェック端子71が切断されるのを防止できる。
また、第1の接続導体31に可とう性を有するリボン導体が用いられているので、はんだ53の溶融にともなって熱作動装置10が垂直方向へ変位しても、第1の接続導体31は、その変位に追随し熱作動装置10と第1の固定導体21との導通状態が切断されるのを防止できるとともに、はんだ53の溶融にともなう第1のダイオード41と第2のダイオード42と第1の金属プレート51が垂直方向へ変位するのを妨げることがない。
また、ダイオードチェック端子71にも可とう性を有する導体が用いられているので、はんだ53の溶融にともなって熱作動装置10の可動部が垂直方向へ変位しても、ダイオードチェック端子71が切断されるのを防止できる。
また、ケース1には、絶縁材料が用いられているので熱伝導率が小さく、熱作動装置10の熱がケース1の外部に逃げ出る量が極めて少ない。すなわち、はんだ53を加熱する加熱効率が優れた熱作動装置10を実現でき、蓄電池セル100の故障後、速やかにはんだ53が溶融し、バイパススイッチが速やかに作動する。
また、第1の金属プレート51と第2の金属プレート52との熱容量の合計を、はんだ53の熱容量より大きくすることが好ましい。このようにすることにより、可動導体23が各固定導体21,22と接触し、ダイオードに電流が流れなくなっても、大きな熱量容量の金属プレートによりはんだを最後まで溶融し、可動導体23と各固定導体21,22との接点に十分な荷重がかかり、接点の接触抵抗を小さくできる。
また、はんだ53の厚さは、可動導体23と各固定導体21,22との垂直方向の隙間寸法よりも大きくする。例えば、可動導体23と各固定導体21,22との隙間寸法が2mmの場合、はんだ53の厚さは、例えば、3mmというように2mmを超える値に設定する。
本実施の形態では、第1の固定導体21と第2の固定導体22と可動導体23とには接点金属が別に取り付けられているが、第1の固定導体21と第2の固定導体22と可動導体23の各々が接触部を備えた一体部品で形成してもよい。
また、第1の金属プレート51と第2の金属プレート52との熱容量の合計を、はんだ53の熱容量より大きくすることが好ましい。このようにすることにより、可動導体23が各固定導体21,22と接触し、ダイオードに電流が流れなくなっても、大きな熱量容量の金属プレートによりはんだを最後まで溶融し、可動導体23と各固定導体21,22との接点に十分な荷重がかかり、接点の接触抵抗を小さくできる。
また、はんだ53の厚さは、可動導体23と各固定導体21,22との垂直方向の隙間寸法よりも大きくする。例えば、可動導体23と各固定導体21,22との隙間寸法が2mmの場合、はんだ53の厚さは、例えば、3mmというように2mmを超える値に設定する。
本実施の形態では、第1の固定導体21と第2の固定導体22と可動導体23とには接点金属が別に取り付けられているが、第1の固定導体21と第2の固定導体22と可動導体23の各々が接触部を備えた一体部品で形成してもよい。
本実施の形態のバイパススイッチは、第1の固定導体21、第2の固定導体22と可動導体23との隙間寸法を超える厚みのはんだ53が溶融することにより可動導体23が垂直方向に変位して各固定導体21,22と可動導体23とが接触し、バイパススイッチが作動する構成であるので、振動や衝撃が加わるような状況下でも誤動作の発生が防止できる。
さらに、本実施の形態のバイパススイッチは、熱作動装置10が、第1の接続導体31、第1のダイオード41、第2のダイオード42、第1の金属プレート51、はんだ53、第2の金属プレート52、第3の接続導体33の順に電流が通る第1の電流経路と、第2の接続導体32、第4のダイオード44、第3のダイオード43、第3の接続導体33の順に電流が通る第2の電流経路とを備え、この第1の電流経路と第2の電流経路とが、並列に第1の固定導体21と第2の固定導体22との間に接続されているため、本実施の形態のバイパススイッチは、熱作動装置10の電流経路が1つのものと比べて、より大きな電流を流すことができ、電流容量の大きな蓄電池セルに用いることができる。
また、ダイオードが並列に接続されている熱作動装置10は、一般的にはダイオードの順方向抵抗の負の温度特性によって、電流のアンバランスが生じやすいが、本実施の形態におけるバイパススイッチの構成では、断面積の小さいリボン導体で熱作動装置10が断熱された構成となっているため、各ダイオードの温度が均一になりやすく、それぞれの電流経路に流れる電流のアンバランスは発生しにくい。
さらに、本実施の形態のバイパススイッチは、熱作動装置10が、第1の接続導体31、第1のダイオード41、第2のダイオード42、第1の金属プレート51、はんだ53、第2の金属プレート52、第3の接続導体33の順に電流が通る第1の電流経路と、第2の接続導体32、第4のダイオード44、第3のダイオード43、第3の接続導体33の順に電流が通る第2の電流経路とを備え、この第1の電流経路と第2の電流経路とが、並列に第1の固定導体21と第2の固定導体22との間に接続されているため、本実施の形態のバイパススイッチは、熱作動装置10の電流経路が1つのものと比べて、より大きな電流を流すことができ、電流容量の大きな蓄電池セルに用いることができる。
また、ダイオードが並列に接続されている熱作動装置10は、一般的にはダイオードの順方向抵抗の負の温度特性によって、電流のアンバランスが生じやすいが、本実施の形態におけるバイパススイッチの構成では、断面積の小さいリボン導体で熱作動装置10が断熱された構成となっているため、各ダイオードの温度が均一になりやすく、それぞれの電流経路に流れる電流のアンバランスは発生しにくい。
本実施の形態では、第3の接続導体33が第2の金属プレート52と第3のダイオード43との間に配置されているが、第2のダイオード42と第1の金属プレート51との間、第1の金属プレート51とはんだ53との間、はんだ53と第2の金属プレート52との間のいずれかに配置されていてもよい。例えば第3の接続導体33が第2のダイオード42と第1の金属プレート51との間に配置されている場合、第1の接続導体31、第1のダイオード41、第2のダイオード42、第3の接続導体33の順に電流が通る第1の電流経路と、第2の接続導体32、第4のダイオード44、第3のダイオード43、第2の金属プレート52、はんだ53、第1の金属プレート51、第3の接続導体33の順で電流が通る第2の電流経路を形成することになり、同様の効果を得ることができる。
また、本実施の形態では、1つの電流経路に2個のダイオードからなる半導体素子群を使用した場合を示したが、さらに多くのダイオードからなる半導体素子群を用いてもよく、ダイオードの数を増やすことにより、発熱量が増加し、さらに速くバイパススイッチが作動するようになる。
実施の形態2.
図3は、本発明の実施の形態2に係るバイパススイッチを示す断面図である。
図3に示すように、本実施の形態のバイパススイッチは、第1のダイオード41と第2のダイオード42との機能を確認するダイオードチェック端子と、第3のダイオード43と第4のダイオード44との機能を確認するダイオードチェック端子とが接続された一つのダイオードチェック端子73を用いた以外、実施の形態1のバイパススイッチと同様であり、実施の形態1のバイパススイッチと同様な効果を有する。
本実施の形態のバイパススイッチは、ダイオードチェック端子73と固定導体21との間の電圧を測定することにより、第1のダイオード41と第4のダイオード44とが正常に機能していることが確認でき、ダイオードチェック端子73と固定導体22との間の電圧を測定することにより、第2のダイオード42と第3のダイオード43とが正常に機能していることが確認できる。
図3は、本発明の実施の形態2に係るバイパススイッチを示す断面図である。
図3に示すように、本実施の形態のバイパススイッチは、第1のダイオード41と第2のダイオード42との機能を確認するダイオードチェック端子と、第3のダイオード43と第4のダイオード44との機能を確認するダイオードチェック端子とが接続された一つのダイオードチェック端子73を用いた以外、実施の形態1のバイパススイッチと同様であり、実施の形態1のバイパススイッチと同様な効果を有する。
本実施の形態のバイパススイッチは、ダイオードチェック端子73と固定導体21との間の電圧を測定することにより、第1のダイオード41と第4のダイオード44とが正常に機能していることが確認でき、ダイオードチェック端子73と固定導体22との間の電圧を測定することにより、第2のダイオード42と第3のダイオード43とが正常に機能していることが確認できる。
実施の形態3.
図4は、本発明の実施の形態3に係るバイパススイッチを示す断面図である。
図4に示すように、本実施の形態のバイパススイッチは、熱作動装置10に、電流が流れることによって発熱する半導体素子である第1のダイオード41と第2のダイオード42と第3のダイオード43と第4のダイオード44と第5のダイオード45と第6のダイオード46、および、第1の金属プレート51と第2金属プレート52とではんだ53を挟んだ積層体が、直列に設けられている。
すなわち、本実施の形態のバイパススイッチは、熱作動装置10において、第1の接続導体31と、第1のダイオード41と、第1のダイオード41と第2のダイオード42とをチェックするダイオードチェック端子71と、第2のダイオード42と、第3の接続導体33と、第3のダイオード43と、第1の金属プレート51と、はんだ53と、第2の金属プレート52と、第3のダイオード43と第4のダイオード44とをチェックするダイオードチェック端子72と、第4のダイオード44と、第2の接続導体32と、第5のダイオード45と、第5のダイオード45と第6のダイオード46とをチェックするダイオードチェック端子74と、第6のダイオード46と、第4の接続導体34とが、上記の順に積層され、第1の接続導体31と第2の接続導体32とが第1の固定導体21に接続され、第3の接続導体33と第4の接続導体34とが第2の固定導体22に接続されていること以外、実施の形態1のバイパススイッチと同様である。
図4は、本発明の実施の形態3に係るバイパススイッチを示す断面図である。
図4に示すように、本実施の形態のバイパススイッチは、熱作動装置10に、電流が流れることによって発熱する半導体素子である第1のダイオード41と第2のダイオード42と第3のダイオード43と第4のダイオード44と第5のダイオード45と第6のダイオード46、および、第1の金属プレート51と第2金属プレート52とではんだ53を挟んだ積層体が、直列に設けられている。
すなわち、本実施の形態のバイパススイッチは、熱作動装置10において、第1の接続導体31と、第1のダイオード41と、第1のダイオード41と第2のダイオード42とをチェックするダイオードチェック端子71と、第2のダイオード42と、第3の接続導体33と、第3のダイオード43と、第1の金属プレート51と、はんだ53と、第2の金属プレート52と、第3のダイオード43と第4のダイオード44とをチェックするダイオードチェック端子72と、第4のダイオード44と、第2の接続導体32と、第5のダイオード45と、第5のダイオード45と第6のダイオード46とをチェックするダイオードチェック端子74と、第6のダイオード46と、第4の接続導体34とが、上記の順に積層され、第1の接続導体31と第2の接続導体32とが第1の固定導体21に接続され、第3の接続導体33と第4の接続導体34とが第2の固定導体22に接続されていること以外、実施の形態1のバイパススイッチと同様である。
本実施の形態のバイパススイッチでは、熱作動装置10が、第1の接続導体31、第1のダイオード41、第2のダイオード42、第3の接続導体33の順に電流が通る第1の電流経路と、第2の接続導体32、第4のダイオード44、第2の金属プレート52、はんだ53、第1の金属プレート51、第3のダイオード43、第3の接続導体33の順に電流が通る第2の電流経路と、第2の接続導体32、第5のダイオード45、第6のダイオード46、第4の接続導体34の順に電流が通る第3の電流経路とを備え、これらの第1の電流経路と第2の電流経路と第3の電流経路とが、並列に第1の固定導体21と第2の固定導体22との間に接続されている。
すなわち、第1のダイオード41と第2のダイオード42とでなる半導体素子群、第4のダイオード44と第3のダイオード43とでなる半導体素子群、および第5のダイオード45と第6のダイオード46とでなる半導体素子群が、並列に第1の固定導体21と第2の固定導体22との間に接続されている。
そのため、本実施の形態のバイパススイッチは、熱作動装置10の電流経路が2本のものと比べてさらに大きな電流を流すことができ、電流容量のさらに大きな蓄電池セルでのバイパス動作が可能になる。
本実施の形態では、並列に設ける電流経路が3本のものを示したが、バイパススイッチのケース内に収めることができるならば、電流経路を3本以上設けても良い。
すなわち、第1のダイオード41と第2のダイオード42とでなる半導体素子群、第4のダイオード44と第3のダイオード43とでなる半導体素子群、および第5のダイオード45と第6のダイオード46とでなる半導体素子群が、並列に第1の固定導体21と第2の固定導体22との間に接続されている。
そのため、本実施の形態のバイパススイッチは、熱作動装置10の電流経路が2本のものと比べてさらに大きな電流を流すことができ、電流容量のさらに大きな蓄電池セルでのバイパス動作が可能になる。
本実施の形態では、並列に設ける電流経路が3本のものを示したが、バイパススイッチのケース内に収めることができるならば、電流経路を3本以上設けても良い。
実施の形態4.
図5は、本発明の実施の形態4に係るバイパススイッチを示す断面図である。
図5に示すように、本実施の形態のバイパススイッチは、熱作動装置10において、第1の接続導体31と、第1のダイオード41と、第1のダイオード41と第2のダイオード42とをチェックするダイオードチェック端子71と、第2のダイオード42と、第3の接続導体33と、第3のダイオード43と、第3のダイオード43と第4のダイオード44とをチェックするダイオードチェック端子72と、第4のダイオード44と、第1の金属プレート51と、はんだ53と、第2の金属プレート52と、第2の接続導体32とが、上記の順に積層されている以外、実施の形態1のバイパススイッチと同様である。
図5は、本発明の実施の形態4に係るバイパススイッチを示す断面図である。
図5に示すように、本実施の形態のバイパススイッチは、熱作動装置10において、第1の接続導体31と、第1のダイオード41と、第1のダイオード41と第2のダイオード42とをチェックするダイオードチェック端子71と、第2のダイオード42と、第3の接続導体33と、第3のダイオード43と、第3のダイオード43と第4のダイオード44とをチェックするダイオードチェック端子72と、第4のダイオード44と、第1の金属プレート51と、はんだ53と、第2の金属プレート52と、第2の接続導体32とが、上記の順に積層されている以外、実施の形態1のバイパススイッチと同様である。
すなわち、本実施の形態のバイパススイッチは、熱作動装置10が、第1の接続導体31、第1のダイオード41、第2のダイオード42、第3の接続導体33の順に電流が通る第1の電流経路と、第2の接続導体32、第2の金属プレート52、はんだ53、第1の金属プレート51、第4のダイオード44、第3のダイオード43、第3の接続導体33の順に電流が通る第2の電流経路とを備え、この第1の電流経路と第2の電流経路とが、並列に第1の固定導体21と第2の固定導体22との間に接続されている。
つまり、実施の形態1と同様に、第1のダイオード41と第2のダイオード42とでなる半導体素子群、および、第4のダイオード44と第3のダイオード43とでなる半導体素子群が、第1の固定導体21と第2の固定導体との間に並列に接続されている。
そのため、本実施の形態のバイパススイッチも、熱作動装置10の電流経路が1本のものと比べてより大きな電流を流すことができ、熱作動装置10の電流経路が1つのものと比べてより大きな電流を流すことができ、電流容量の大きな蓄電池セルに用いることができる。
本実施の形態では、第1の金属プレート51と第2の金属プレート52とではんだ53を挟んだ積層体が、第1〜第4のダイオード41,42,43,44で構成された半導体素子群の下側に配置された構成となっているが、上記積層体が第1〜第4のダイオードで構成された半導体素子群の上側に配置されても同様の効果が得られる。
つまり、実施の形態1と同様に、第1のダイオード41と第2のダイオード42とでなる半導体素子群、および、第4のダイオード44と第3のダイオード43とでなる半導体素子群が、第1の固定導体21と第2の固定導体との間に並列に接続されている。
そのため、本実施の形態のバイパススイッチも、熱作動装置10の電流経路が1本のものと比べてより大きな電流を流すことができ、熱作動装置10の電流経路が1つのものと比べてより大きな電流を流すことができ、電流容量の大きな蓄電池セルに用いることができる。
本実施の形態では、第1の金属プレート51と第2の金属プレート52とではんだ53を挟んだ積層体が、第1〜第4のダイオード41,42,43,44で構成された半導体素子群の下側に配置された構成となっているが、上記積層体が第1〜第4のダイオードで構成された半導体素子群の上側に配置されても同様の効果が得られる。
実施の形態5.
図6は、本発明の実施の形態5に係るバイパススイッチを示す断面図である。
図6に示すように、本実施の形態のバイパススイッチは、熱作動装置10に、第1の金属プレート51と第2の金属プレート52とではんだ53を挟んだ積層体と、第1の金属プレート51に接して並列に設けられた第1のダイオード41と第2のダイオード42とでなる半導体素子群と、第2の金属プレート52に接続し並列に設けられた第3のダイオード43と第4のダイオード44とでなる半導体素子群とを備えている。
すなわち、本実施の形態のバイパススイッチは、熱作動装置10において、第1の接続導体31と、この第1の接続導体31に接し並列に設けられた第1のダイオード41および第2のダイオード42と、第1のダイオード41と第2のダイオード42とに同一面で接する第1の金属プレート51と、はんだ53と、第2の金属プレート52と、第1〜第4のダイオード41,42,43,44をチェックするダイオードチェック端子71と、このダイオードチェック端子71に接して並列に設けられた第3のダイオード43および第4のダイオード44と、第3のダイオード43および第4のダイオード44とに接続された第3の接続導体33とが、上記の順に積層され、加圧装置からの加圧力を並列に並べられたダイオードに均一に加えるシャフト62を備えている以外、実施の形態1のバイパススイッチと同様である。
図6は、本発明の実施の形態5に係るバイパススイッチを示す断面図である。
図6に示すように、本実施の形態のバイパススイッチは、熱作動装置10に、第1の金属プレート51と第2の金属プレート52とではんだ53を挟んだ積層体と、第1の金属プレート51に接して並列に設けられた第1のダイオード41と第2のダイオード42とでなる半導体素子群と、第2の金属プレート52に接続し並列に設けられた第3のダイオード43と第4のダイオード44とでなる半導体素子群とを備えている。
すなわち、本実施の形態のバイパススイッチは、熱作動装置10において、第1の接続導体31と、この第1の接続導体31に接し並列に設けられた第1のダイオード41および第2のダイオード42と、第1のダイオード41と第2のダイオード42とに同一面で接する第1の金属プレート51と、はんだ53と、第2の金属プレート52と、第1〜第4のダイオード41,42,43,44をチェックするダイオードチェック端子71と、このダイオードチェック端子71に接して並列に設けられた第3のダイオード43および第4のダイオード44と、第3のダイオード43および第4のダイオード44とに接続された第3の接続導体33とが、上記の順に積層され、加圧装置からの加圧力を並列に並べられたダイオードに均一に加えるシャフト62を備えている以外、実施の形態1のバイパススイッチと同様である。
本実施の形態のバイパススイッチは、熱作動装置10が、第1の接続導体31、並列に設けられた第1のダイオード41および第2のダイオード42、第1の金属プレート51、はんだ53、第2の金属プレート52、第3の接続導体33に並列に接続された第3のダイオード43および第4のダイオード44、第3の接続導体33の順に通る電流経路が形成されている。
そして、熱作動装置10の作動時には、電流は、第1の接続導体31から並列に設けられた第1のダイオード41と第2のダイオード42の各々を通り、第1の金属プレート51で合流する。この合流した電流は、並列に設けられた第3のダイオード43と第4のダイオード44の各々を通り、第3の接続導体53で合流し、各ダイオードを発熱させる。
すなわち、本実施の形態のバイパススイッチは、第1〜第4のダイオード41,42,43,44の発熱によりはんだ53を溶融するので、実施の形態1のバイパススイッチと同様な効果を有する。
本実施の形態では、並列に設置したダイオードを2個としたが、3個以上であってもよい。
そして、熱作動装置10の作動時には、電流は、第1の接続導体31から並列に設けられた第1のダイオード41と第2のダイオード42の各々を通り、第1の金属プレート51で合流する。この合流した電流は、並列に設けられた第3のダイオード43と第4のダイオード44の各々を通り、第3の接続導体53で合流し、各ダイオードを発熱させる。
すなわち、本実施の形態のバイパススイッチは、第1〜第4のダイオード41,42,43,44の発熱によりはんだ53を溶融するので、実施の形態1のバイパススイッチと同様な効果を有する。
本実施の形態では、並列に設置したダイオードを2個としたが、3個以上であってもよい。
実施の形態6.
図7は、本発明の実施の形態6に係るバイパススイッチを示す断面図である。
図7に示すように、本実施の形態のバイパススイッチは、熱作動装置10において、第1のダイオード41と第2のダイオード42とを並列に配置した半導体素子群と、第3のダイオード43と第4のダイオード44とを並列に配置した半導体素子群とが2段積みにされ、この2段積みされた半導体素子群が、第1の金属プレート51と第2金属プレート52とではんだ53を挟んだ積層体における第1の金属プレート51の面に接して設けられた以外、実施の形態5のバイパススイッチと同様である。
図7は、本発明の実施の形態6に係るバイパススイッチを示す断面図である。
図7に示すように、本実施の形態のバイパススイッチは、熱作動装置10において、第1のダイオード41と第2のダイオード42とを並列に配置した半導体素子群と、第3のダイオード43と第4のダイオード44とを並列に配置した半導体素子群とが2段積みにされ、この2段積みされた半導体素子群が、第1の金属プレート51と第2金属プレート52とではんだ53を挟んだ積層体における第1の金属プレート51の面に接して設けられた以外、実施の形態5のバイパススイッチと同様である。
本実施の形態のバイパススイッチは、熱作動装置10の作動時には、電流が、第1の接続導体31から並列に設けられた第1のダイオード41と第2のダイオード42との各々を通り、ダイオードチェック端子71で合流し、この合流した電流が並列に設けられた第3のダイオード43と第4のダイオード44との各々を通り、第1の金属プレート51で合流する。そして、合流した電流は、はんだ53と第2の金属プレート52を通過して第3の接続導体33に流れ、各ダイオードを発熱させる。
そして、本実施の形態のバイパススイッチは、実施の形態5のバイパススイッチと同様な効果を有する。
本実施の形態では、第1の金属プレート51と第2の金属プレート52とではんだ53を挟んだ積層体が、上記2段積みされた半導体素子群の下側に配置された構成となっているが、上記積層体が上記2段積みされた半導体素子群の上側に配置されても同様の効果が得られる。
そして、本実施の形態のバイパススイッチは、実施の形態5のバイパススイッチと同様な効果を有する。
本実施の形態では、第1の金属プレート51と第2の金属プレート52とではんだ53を挟んだ積層体が、上記2段積みされた半導体素子群の下側に配置された構成となっているが、上記積層体が上記2段積みされた半導体素子群の上側に配置されても同様の効果が得られる。
実施の形態7.
本実施の形態のバイパススイッチは、実施の形態1のバイパススイッチにおいて、熱作動装置10の第1の接続導体31と第2の接続導体32との電気抵抗値Rsを同じになるようにしている。また、電気抵抗値Rsは、Rs=A×Vf/Imaxと規定されている。ここで、Vfは半導体素子であるダイオード1つあたりに最大電流Imaxが流れた場合のダイオードの順方向電圧あり、Aは係数で一般的に0.5〜10の範囲のいずれかである。
ここで、電気抵抗値Rsが同じであり、上記のように規定された電気抵抗値Rsを有する第1の接続導体31と第2の接続導体32とを実現するため、本実施の形態では、各接続導体における、長さ、断面積、接続導体に用いる材料の導電率の、少なくとも一つを調整している。
本実施の形態のバイパススイッチは、実施の形態1のバイパススイッチにおいて、熱作動装置10の第1の接続導体31と第2の接続導体32との電気抵抗値Rsを同じになるようにしている。また、電気抵抗値Rsは、Rs=A×Vf/Imaxと規定されている。ここで、Vfは半導体素子であるダイオード1つあたりに最大電流Imaxが流れた場合のダイオードの順方向電圧あり、Aは係数で一般的に0.5〜10の範囲のいずれかである。
ここで、電気抵抗値Rsが同じであり、上記のように規定された電気抵抗値Rsを有する第1の接続導体31と第2の接続導体32とを実現するため、本実施の形態では、各接続導体における、長さ、断面積、接続導体に用いる材料の導電率の、少なくとも一つを調整している。
本実施の形態のバイパススイッチは、第1の接続導体31と第2の接続導体32との電気抵抗値Rsが同じであり、且つ、Rsが最大電流が流れた場合におけるダイオードの抵抗値の0.5〜10倍であるので、並列に接続された各ダイオードに流れる電流をほぼ同じにでき、過電流を防止できる。
実施の形態8.
図8は、本発明の実施の形態8に係るバイパススイッチを示す断面図である。
図8に示すように、本実施の形態のバイパススイッチは、実施の形態1で記した第3の接続導体33が第1の金属プレート51とはんだ53との間に設けられた熱作動装置10において、第1の金属プレート51と第2の金属プレート52との電気抵抗値Rmが同じになるようにしているとともに、電気抵抗値Rmが、Rm=B×Vf/Imaxと規定されている。ここで、Vfは半導体素子であるダイオード1つあたりに最大電流Imaxが流れた場合のダイオードの順方向電圧あり、Bは係数で一般的に0.5〜10の範囲のいずれかである。
図8は、本発明の実施の形態8に係るバイパススイッチを示す断面図である。
図8に示すように、本実施の形態のバイパススイッチは、実施の形態1で記した第3の接続導体33が第1の金属プレート51とはんだ53との間に設けられた熱作動装置10において、第1の金属プレート51と第2の金属プレート52との電気抵抗値Rmが同じになるようにしているとともに、電気抵抗値Rmが、Rm=B×Vf/Imaxと規定されている。ここで、Vfは半導体素子であるダイオード1つあたりに最大電流Imaxが流れた場合のダイオードの順方向電圧あり、Bは係数で一般的に0.5〜10の範囲のいずれかである。
電気抵抗値Rmが同じであり、上記のように規定された電気抵抗値Rmを有する第1の金属プレート51と第2の金属プレート52とを実現するため、本実施の形態では第1の金属プレート51も第2の金属プレート52も、その電流が流れる方向に対する垂直な面の面積を局所的に小さくしたり、その厚さを厚くしている。
本実施の形態のバイパススイッチは、第1の金属プレート51と第2の金属プレート52との電気抵抗値Rmが同じであり、且つ、Rmが最大電流が流れた場合におけるダイオードの抵抗値の0.5〜10倍であるので、並列に接続された各ダイオードに流れる電流をほぼ同じにでき、過電流を防止できる。
本実施の形態では、はんだ53を挟む第1のプレートと第2のプレートに金属を用いているが、これらに換えて、金属材料以外の材料、例えば導電性セラミックや導電性樹脂のプレートを使用してもよい。
プレートに、導電性セラミックや導電性樹脂を用いると、プレート面積を小さくする必要がなくなるとともに、プレート厚さが厚くなるのを防止できる。
本実施の形態のバイパススイッチは、第1の金属プレート51と第2の金属プレート52との電気抵抗値Rmが同じであり、且つ、Rmが最大電流が流れた場合におけるダイオードの抵抗値の0.5〜10倍であるので、並列に接続された各ダイオードに流れる電流をほぼ同じにでき、過電流を防止できる。
本実施の形態では、はんだ53を挟む第1のプレートと第2のプレートに金属を用いているが、これらに換えて、金属材料以外の材料、例えば導電性セラミックや導電性樹脂のプレートを使用してもよい。
プレートに、導電性セラミックや導電性樹脂を用いると、プレート面積を小さくする必要がなくなるとともに、プレート厚さが厚くなるのを防止できる。
本発明に係わるバイパススイッチは、衛星用蓄電池等において小型で軽量なバイパススイッチとして有効に利用できる。
1 ケース、10 熱作動装置、21 第1の固定導体、22 第2の固定導体、
23 可動導体、31 第1の接続導体、32 第2の接続導体、
33 第3の接続導体、34 第4の接続導体、41 第1のダイオード、
42 第2のダイオード、43 第3のダイオード、44 第4のダイオード、
45 第5のダイオード、46 第6のダイオード、51 第1の金属プレート、
52 第2の金属プレート、53 はんだ、61,62 シャフト、
71,72,73,74 ダイオードチェック端子、81 加圧装置、
100 蓄電池セル。
23 可動導体、31 第1の接続導体、32 第2の接続導体、
33 第3の接続導体、34 第4の接続導体、41 第1のダイオード、
42 第2のダイオード、43 第3のダイオード、44 第4のダイオード、
45 第5のダイオード、46 第6のダイオード、51 第1の金属プレート、
52 第2の金属プレート、53 はんだ、61,62 シャフト、
71,72,73,74 ダイオードチェック端子、81 加圧装置、
100 蓄電池セル。
Claims (3)
- 間隔を設けて固定された第1の固定導体と第2の固定導体とからなる一対の固定導体と、上記一対の固定導体に対し垂直な方向に所定の間隙をもって配置され、上記一対の固定導体に対する垂直な方向に駆動されることにより上記一対の固定導体間を接続する可動導体とを有するスイッチ部と、
上記可動導体を上記一対の固定導体に対する垂直方向に加圧する加圧装置と、
第1の金属プレートと第2の金属プレートとではんだを挟んだ積層体と、この積層体の積層方向に積み重ねられた通電により発熱する複数の半導体素子群とを有し、上記積層体と上記複数の半導体素子群とが、上記可動導体に接続されたシャフトを介して上記加圧装置から圧力が加えられた熱作動装置とからなり、
上記熱作動装置が、上記各半導体素子群の一方の端子側と上記第1の固定導体とを接続する接続導体と、上記各半導体素子群の他方の端子側と上記第2の固定導体とを接続する接続導体とを備え、上記各半導体素子群が一対の固定導体間に並列接続されていることを特徴とするバイパススイッチ。 - 第1の金属プレートと第2の金属プレートとではんだを挟んだ積層体における上記第1の金属プレートの面側と上記第2の金属プレートの面側との各々に、半導体素子を並列に配置した半導体素子群が設けられ、上記第1の金属プレートの面側に設けられた上記半導体素子群における一方の端子側が第1の固定導体に接続され、上記第2の金属プレートの面側に設けられた上記半導体素子群における他方の端子側が第2の固定導体に接続されたことを特徴とする請求項1に記載のバイパススイッチ。
- 第1の金属プレートと第2の金属プレートとではんだを挟んだ積層体における上記第1の金属プレートの面側に、半導体素子を並列に配置した半導体素子群が多段に積み重ねられ、最上段にある上記半導体素子郡の一方の端子側が第1の固定導体に接続され、最下段にある上記半導体素子群の他方の端子側が第2の固定導体に接続されたことを特徴とする請求項1に記載のバイパススイッチ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006337760A JP2008152987A (ja) | 2006-12-15 | 2006-12-15 | バイパススイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006337760A JP2008152987A (ja) | 2006-12-15 | 2006-12-15 | バイパススイッチ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008152987A true JP2008152987A (ja) | 2008-07-03 |
Family
ID=39654959
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006337760A Pending JP2008152987A (ja) | 2006-12-15 | 2006-12-15 | バイパススイッチ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008152987A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011216174A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Tdk Corp | 熱アシスト磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置 |
RU2675431C1 (ru) * | 2017-12-29 | 2018-12-19 | Публичное акционерное общество "Сатурн", (ПАО "Сатурн") | Байпасный переключатель литий-ионной аккумуляторной батареи для космического аппарата |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006252804A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Mitsubishi Electric Corp | バイパススイッチ |
-
2006
- 2006-12-15 JP JP2006337760A patent/JP2008152987A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006252804A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Mitsubishi Electric Corp | バイパススイッチ |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011216174A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Tdk Corp | 熱アシスト磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置 |
RU2675431C1 (ru) * | 2017-12-29 | 2018-12-19 | Публичное акционерное общество "Сатурн", (ПАО "Сатурн") | Байпасный переключатель литий-ионной аккумуляторной батареи для космического аппарата |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4358134B2 (ja) | バイパススイッチ | |
CN108370016B (zh) | 用于跨接电构件、尤其能量源或能量消耗装置的电跨接装置 | |
TWI683336B (zh) | 構裝體之製造方法、溫度熔絲元件之構裝方法及溫度熔絲元件 | |
US8687336B2 (en) | Over-current protection device and battery protection circuit assembly containing the same | |
KR101955747B1 (ko) | 온도 퓨즈 및 당해 온도 퓨즈에 이용되는 활주전극 | |
KR20010082004A (ko) | 2차 전지의 보호회로 및 보호소자 | |
JP2010257625A (ja) | バイパススイッチ | |
WO2014171515A1 (ja) | 保護装置 | |
TWI584308B (zh) | 過電流保護元件 | |
WO2015029826A1 (ja) | 保護装置 | |
JP3819703B2 (ja) | 電池の保護部品と保護部品を有するパック電池 | |
KR20210089766A (ko) | 보호 소자 및 배터리 팩 | |
US10892466B2 (en) | Electrical energy storage cell with integrated bridging device | |
JP4244452B2 (ja) | バッテリパック | |
JP2008152987A (ja) | バイパススイッチ | |
TW201707037A (zh) | 保護元件、熔絲元件 | |
WO2013160987A1 (ja) | バイパススイッチ | |
JP2018206732A (ja) | ブレーカー | |
JP6383013B2 (ja) | 電子デバイス | |
JP3221860B2 (ja) | 二次電池の保護回路 | |
US7205878B2 (en) | Over-current protection device and manufacturing method thereof | |
US10355265B2 (en) | Electric energy storage cell, electric energy storage device and motor vehicle | |
JP4894644B2 (ja) | バイパススイッチ | |
KR102370805B1 (ko) | 단락 소자 | |
WO2022196594A1 (ja) | 保護素子及びバッテリパック |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081203 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110927 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120306 |