JP2008147383A - Photoelectric conversion module - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板上に光電変換素子及び電子部品が形成されて、光電変換素子で光を出射又は入射して電子部品によって電気的処理を行う光電変換モジュールに関する。 The present invention relates to a photoelectric conversion module in which a photoelectric conversion element and an electronic component are formed on a substrate, and light is emitted or incident on the photoelectric conversion element to perform electrical processing by the electronic component.
従来より、光電変換素子や当該光電変換素子で入出力される信号を処理する電子部品を実装する配線基板としては、下記の特許文献1に記載されたものが知られている。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a wiring board on which a photoelectric conversion element and an electronic component that processes signals input / output by the photoelectric conversion element are mounted, those described in
この配線基盤に光電変換素子や電子部品を実装した光電変換モジュールは、絶縁材料及びヒートシンク材からなる基板上に電子部品を搭載してなる。
しかしながら、近年における基板の小型化と共に基板の強度向上などが要望されており、また、光電変換モジュールを小型化することによる電磁波ノイズの低減などが要望されている。 However, in recent years, there has been a demand for improvement in the strength of the substrate along with downsizing of the substrate, and reduction in electromagnetic wave noise by downsizing the photoelectric conversion module.
そこで、本発明は、上述した実情に鑑みて提案されたものであり、小型化を実現しつつ高い強度及び電磁波ノイズによる影響を低減して信頼性を向上させた光電変換モジュールを提供することを目的とする。 Therefore, the present invention has been proposed in view of the above-described circumstances, and provides a photoelectric conversion module that improves the reliability by reducing the influence of high strength and electromagnetic wave noise while realizing downsizing. Objective.
本発明に係る光電変換モジュールは、外部に所定波長の光を出射又は外部からの所定波長の光の入射を検知する光電変換素子と、光電変換素子と電気接続して外部からの発光信号を受信又は外部への発光信号を送信する電子部品と、光電変換素子と電子部品とが所定の実装面側に実装される立体回路基板とを備え、上述の課題を解決するために、立体回路基板に、所定の実装面側に凹部を形成し、当該凹部の底面に光電変換素子を実装し、且つ、光電変換素子が実装された所定の実装面の裏面又は側面にシールド層を形成する。 The photoelectric conversion module according to the present invention receives a light emission signal from the outside by emitting light of a predetermined wavelength to the outside or detecting the incidence of light of a predetermined wavelength from the outside, and the photoelectric conversion element. Alternatively, in order to solve the above-described problem, an electronic component that transmits a light emission signal to the outside and a three-dimensional circuit board on which a photoelectric conversion element and an electronic component are mounted on a predetermined mounting surface side are provided. A recess is formed on a predetermined mounting surface side, a photoelectric conversion element is mounted on the bottom surface of the recess, and a shield layer is formed on the back surface or side surface of the predetermined mounting surface on which the photoelectric conversion element is mounted.
本発明に係る光電変換モジュールによれば、立体回路基板に形成された凹部の底面に光電変換素子を実装したので、小型化・薄型化をしても光電変換素子が形成されていない凸部によって立体回路基板の強度を向上させることができると共に、光電変換素子が実装された所定の実装面の裏面又は側面にシールド層を形成したので、電磁波ノイズによる影響を低減することができ、信頼性を向上させることができる。 According to the photoelectric conversion module of the present invention, since the photoelectric conversion element is mounted on the bottom surface of the concave portion formed on the three-dimensional circuit board, the convex portion where the photoelectric conversion element is not formed even if the size and thickness are reduced. The strength of the three-dimensional circuit board can be improved, and since the shield layer is formed on the back surface or the side surface of the predetermined mounting surface on which the photoelectric conversion element is mounted, the influence of electromagnetic noise can be reduced and the reliability can be improved. Can be improved.
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
本発明は、例えば図1に平面図及び図2に断面図を示すように、立体回路基板1上に複数の凹部1aが形成され、光電変換素子3、電気配線4及び電子部品5が搭載されて構成された光電変換モジュールに適用される。
In the present invention, for example, as shown in a plan view in FIG. 1 and a cross-sectional view in FIG. 2, a plurality of
光電変換素子3は、外部に所定波長の光を出射又は外部からの所定波長の光の入射を検知する。光電変換素子3は、所定波長の光を発光する発光素子又は所定波長の光を受光する受光素子であり、何れであって良い。図2に示すように、光電変換素子3は、光の通過経路に設けられたレンズ11と当該レンズ11と一体化されたレンズ取付部12とで光電変換部13を構成する。これらレンズ11とレンズ取付部12とは一体化されて形成されており、同一のアクリル材料等の樹脂材料からなる。
The
光電変換素子3及び電子部品5は、信号を伝送する信号線及び光電変換素子3及び電子部品5を駆動するための電力線を含む電気配線4で接続されている。電気配線4は、外部のケーブル7と電源端子6a、信号端子6b、接地端子6cを介して接続されている。
The
電子部品5は、光電変換素子3と電気接続して外部からの発光信号を受信又は外部への発光信号を送信する制御用回路ユニット14を構成する。光電変換素子3が発光素子である場合、制御用回路ユニット14は、ケーブル7から供給された電力を電源端子6aを介して発光素子へ供給する電源供給回路、ケーブル7から供給された制御信号に基づいて所定波長の光の出射開始及び停止を制御する制御回路等からなる。光電変換素子3が受光素子である場合、制御用回路ユニット14は、ケーブル7から供給された電力を電源端子6aを介して受光素子へ供給する電源供給回路、当該受光素子で受光した光に基づく電気信号に対して増幅やノイズ除去処理等を行って信号端子6bを介してケーブル7へ出力する処理回路等からなる。
The
立体回路基板1は、例えばポリフタルアミド等の樹脂からなり、立体的に成形されている。立体回路基板1のセラミック焼結体の製造方法としては、射出成形、圧縮成形(プレス成形)、鋳込み成形等があるが、立体回路基板1を製造するにあたっては、いずれの方法を用いてもよい。
The three-
この立体回路基板1に形成される電気配線4は、薄膜輪郭除去法により、容易に形成することができる。この薄膜輪郭除去法は、以下のようなプロセスからなる。
The
まず、薄膜輪郭除去法は、加熱処理プロセスを実行し、焼結体を温度1000℃、保持時間1時間の条件で加熱処理し、表面を清浄化する。 First, in the thin film contour removal method, a heat treatment process is performed, and the sintered body is heat treated under the conditions of a temperature of 1000 ° C. and a holding time of 1 hour to clean the surface.
続いて、薄膜輪郭除去法においては、導電性薄膜形成プロセスを実行する。この導電性薄膜形成プロセスは、真空蒸着装置やDCマグネトロンスパッタリング装置等を使用した物理的蒸着法や無電解めっき等の湿式法等により、導電性薄膜を試験体表面に形成するものである。一例としては、試験体をプラズマ処理装置のチャンバ内にセットし、チャンバ内を10−4Pa程度に減圧した後、温度150℃で3分間程度、試験体を予備加熱する。その後、チャンバ内に酸素ガスを流通させるとともに、チャンバ内のガス圧を10Pa程度に制御する。そして、電極間に1kWの高周波電圧(RF:13.56MHz)を300秒間印加することにより、プラズマ処理を行う。続いて、チャンバ内の圧力を10−4Pa以下に制御し、この状態でチャンバ内にアルゴンガスをガス圧が0.6Pa程度になるように導入した後、さらに500Vの直流電圧を印加することにより、金属ターゲットをボンバートし、試験体表面に膜厚が300nm程度の導電性薄膜を形成する。なお、導電性材料としては、銅、ニッケル、クロム、チタン等が用いられる。 Subsequently, in the thin film outline removing method, a conductive thin film forming process is executed. In this conductive thin film formation process, a conductive thin film is formed on the surface of a specimen by a physical vapor deposition method using a vacuum vapor deposition apparatus, a DC magnetron sputtering apparatus, or a wet method such as electroless plating. As an example, the test specimen is set in the chamber of the plasma processing apparatus, the pressure in the chamber is reduced to about 10 −4 Pa, and then the specimen is preheated at a temperature of 150 ° C. for about 3 minutes. Thereafter, oxygen gas is circulated in the chamber, and the gas pressure in the chamber is controlled to about 10 Pa. Then, plasma treatment is performed by applying a high-frequency voltage of 1 kW (RF: 13.56 MHz) between the electrodes for 300 seconds. Subsequently, the pressure in the chamber is controlled to 10 −4 Pa or less, and in this state, argon gas is introduced into the chamber so that the gas pressure is about 0.6 Pa, and then a DC voltage of 500 V is applied. Thus, the metal target is bombarded to form a conductive thin film having a thickness of about 300 nm on the surface of the test body. Note that copper, nickel, chromium, titanium, or the like is used as the conductive material.
続いて、薄膜輪郭除去法においては、電気配線4である回路パターン形成プロセスを実行する。大気中でYAGレーザーの第3高調波(THG−YAGレーザー)を使用して回路パターンの輪郭に沿ってレーザーを走査し、アルミナ基板上に形成された導電性薄膜のうち、回路パターンの輪郭部の薄膜のみを除去した薄膜除去部を形成する。これにより、回路部と非回路部とを電気的に絶縁する。
Subsequently, in the thin film outline removing method, a circuit pattern forming process which is the
続いて、薄膜輪郭除去法においては、めっきプロセスを実行し、焼結体表面の電気回路部のみに電解めっきによって銅めっきを施して厚膜化し、厚さが約15μmの銅膜を形成する。その後、非電気回路部に残存している導電性薄膜をエッチングによって除去する。このとき、電気回路部の銅めっきは、導電性薄膜よりも厚く形成されているために、残存する。そして、電気回路部に電気めっきによってニッケルめっきや金めっきを施す。 Subsequently, in the thin film contour removal method, a plating process is executed, and only the electric circuit portion on the surface of the sintered body is subjected to copper plating by electrolytic plating to form a thick film, thereby forming a copper film having a thickness of about 15 μm. Thereafter, the conductive thin film remaining in the non-electric circuit portion is removed by etching. At this time, the copper plating of the electric circuit portion remains because it is formed thicker than the conductive thin film. Then, nickel plating or gold plating is applied to the electric circuit portion by electroplating.
このように、電気配線4は、立体回路基板1が小型化された場合であっても、薄膜輪郭除去法によって微細化されたものとして容易に形成することができる。
Thus, even if the three-
図2に示すように、立体回路基板1は、所定の実装面側に凹部1aが形成され、当該凹部1aの底面に光電変換素子3が実装され、且つ、光電変換素子3が実装された所定の実装面の裏面にシールド層15Aが形成されている。このシールド層15Aは、光電変換素子3の作動時に発生する電磁波ノイズを吸収する金属材料で形成されている。また、この凹部1aの内壁であって、立体回路基板1の側面には、シールド層15Bが形成されている。図2においては、シールド層15A及びシールド層15Bの双方を形成している場合を示しているが一方だけであっても良い。
As shown in FIG. 2, the three-
凹部1aは、光電変換素子3を実装する基板部位、及び、電子部品5を実装する基板部位に形成されている。この凹部1aが形成されていることにより、光電変換素子3及び電子部品5が形成されていない部分は、凸部1bとなっている。凹部1aの底面には、光電変換素子3、電子部品5が形成され、当該光電変換素子3及び電子部品5と電気配線4とは、ワイヤボンディング技術によって電気的に接続している。
The
光電変換部13は、立体回路基板1の凸部1b上に形成された凸部1cにレンズ11及びレンズ取付部12を嵌合させている。これら凸部1b及び凸部1cは、立体回路基板1の成型時に同時に形成される。この凸部1cは、光電変換素子3が設けられた凹部1aの開口端部に、レンズ11及びレンズ取付部12を取り付けられるために形成されている。
In the
このような光電変換モジュールによれば、凹部1aの底面に光電変換素子3を実装したので、立体回路基板1の厚さを薄くして小型化を実現できる。また、光電変換素子3を実装しない立体回路基板1の部分については凸部1bとしているので、立体回路基板1を薄型化した場合であっても立体回路基板1の強度を高くすることができる。更に、光電変換モジュールは、光電変換素子3を実装した凹部1aの裏面にシールド層15A又は側面にシールド層15Bを形成したので、立体回路基板1を薄型化した場合であっても、当該光電変換素子3の作動時に発生する電磁波ノイズが電子部品5に影響を及ぼすことを抑制できる。これにより、光電変換モジュールとしての信頼性を向上させることができる。
According to such a photoelectric conversion module, since the
更に、この光電変換モジュールによれば、光電変換素子3のみならず、電子部品5も凹部1aの底面に実装したので、全体の高さを低くすることができる。
Furthermore, according to this photoelectric conversion module, not only the
また、この光電変換モジュールによれば、レンズ11を所定波長の光が通過する位置に支持するレンズ11及びレンズ取付部12を実装するために、立体回路基板1に、光電変換素子3が設けられた凹部1aの開口端部に凸部1cを形成してレンズ11及びレンズ取付部12を嵌合させたので、レンズホルダーを別部材で立体回路基板1に取り付ける必要がない。これにより、光電変換モジュールの小型化、低コスト化が可能となる。また、凹部1aと凸部1bと凸部1cとを同時に作成するので、光電変換素子3に対するレンズ取付部12及びレンズ11の配置精度が向上し、光電変換素子3とレンズ11との間の光軸合わせ作業を不要とできる。
Further, according to this photoelectric conversion module, the
また、上述の光電変換モジュールは、図3に断面図を示すように、立体回路基板1の光電変換素子3及び電子部品5が実装されている所定の実装面上にシールドケース21が設けられ、立体回路基板1及びシールドケース21がケース20に収容されて構成されていても良い。ケース20は、光電変換素子3によって入射又は出射する光を通過させる開口20aが設けられており、シールドケース21にも同様の開口が設けられている。
The photoelectric conversion module described above is provided with a
この光電変換モジュールは、光電変換素子3が作動して放射する電磁波ノイズが外部に放出されないようにシールドケース21を立体回路基板1の上面に設けている。これにより、図2に示したように、光電変換素子3からの電磁波ノイズを吸収するシールド層15A及びシールド層15Bと同様の効果が発揮できる。
In this photoelectric conversion module, a
このような光電変換素子3を備えた光電変換モジュールは、図4に示すように、例えば商品検査に使用することができる。載置台30上を通過する被検査物32が通過したか否かを検知するために、載置台30の幅方向の両端に、対向して設けられた光電変換モジュール31Aと光電変換モジュール31Bとを備える。光電変換モジュール31Aは、所定波長の光を出射する光電変換素子3及び当該光電変換素子3の出射を制御する制御用回路ユニット14を備える。光電変換モジュール31Bは、所定波長の光を入射する光電変換素子3及び当該光電変換素子3で変換された電気信号を処理する制御用回路ユニット14を備える。光電変換モジュール31B光電変換モジュール31Aと光電変換モジュール31Bとは、それぞれ、ケーブル7を介してセンサ制御装置33と接続されている。
The photoelectric conversion module provided with such a
被検査物32を検査方向にスライドさせて検査を行う場合、光電変換モジュール31Aは、センサ制御装置33によって光電変換素子3から所定波長の光を出射するように制御され、光電変換モジュール31Bは、光電変換モジュール31Aの光電変換素子3から出射された所定波長の光を受光した場合に、電気信号をセンサ制御装置33に供給する。
When the inspection is performed by sliding the
なお、上述の実施の形態は本発明の一例である。このため、本発明は、上述の実施形態に限定されることはなく、この実施の形態以外であっても、本発明に係る技術的思想を逸脱しない範囲であれば、設計等に応じて種々の変更が可能であることは勿論である。 The above-described embodiment is an example of the present invention. For this reason, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made depending on the design and the like as long as the technical idea according to the present invention is not deviated from this embodiment. Of course, it is possible to change.
1 立体回路基板
1a 凹部
1b 凸部
1c 凸部
3 光電変換素子
4 電気配線
5 電子部品
6a 電源端子
6b 信号端子
6c 接地端子
7 ケーブル
11 レンズ
12 レンズ取付部
13 光電変換部
14 制御用回路ユニット
15 シールド層
20 ケース
20a 開口
21 シールドケース
30 載置台
31A,31B 光電変換モジュール
32 被検査物
33 センサ制御装置
DESCRIPTION OF
Claims (4)
前記光電変換素子と電気接続して外部からの発光信号を受信又は外部への発光信号を送信する電子部品と、
前記光電変換素子と前記電子部品とが所定の実装面側に実装される立体回路基板とを備え、
前記立体回路基板は、前記所定の実装面側に凹部が形成され、当該凹部の底面に前記光電変換素子が実装され、且つ、前記光電変換素子が実装された所定の実装面の裏面又は側面にシールド層が形成されていることを特徴とする光電変換モジュール。 A photoelectric conversion element that detects light of a predetermined wavelength to be emitted to the outside or detects the incidence of light of a predetermined wavelength from the outside;
An electronic component that is electrically connected to the photoelectric conversion element and receives a light emission signal from the outside or transmits a light emission signal to the outside;
A three-dimensional circuit board on which the photoelectric conversion element and the electronic component are mounted on a predetermined mounting surface;
The three-dimensional circuit board has a recess formed on the predetermined mounting surface side, the photoelectric conversion element is mounted on the bottom surface of the recess, and on the back surface or side surface of the predetermined mounting surface on which the photoelectric conversion element is mounted. A photoelectric conversion module, wherein a shield layer is formed.
前記立体回路基板は、前記光電変換素子が設けられた凹部の開口端部に、前記レンズ支持部材が嵌合される凸部が形成されていることを特徴とする請求項3に記載の光電変換モジュール。 A lens support member that supports the lens at a position where the light of the predetermined wavelength passes;
4. The photoelectric conversion according to claim 3, wherein the three-dimensional circuit board has a convex portion into which the lens support member is fitted at an opening end portion of the concave portion provided with the photoelectric conversion element. module.
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