JP2008145850A - Verification method for photomask drawing layout - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電子線やレーザ光によりフォトマスクを製作するときに描画機に用いる描画データのレイアウト検証方法に関し、特に、オリジナルの描画データを他描画機用の描画データに変換したときのレイアウトの確からしさを検証するための簡易で高精度なレイアウト検証方法に関する。 The present invention relates to a method for verifying the layout of drawing data used in a drawing machine when producing a photomask with an electron beam or laser light, and in particular, the layout when original drawing data is converted into drawing data for another drawing machine. The present invention relates to a simple and highly accurate layout verification method for verifying accuracy.
半導体集積回路の製造に用いられるフォトマスクは、まず、半導体集積回路のレイアウトが設計され、レイアウトデータ(CADデータ)が形成される。次に、このレイアウトデータが変換され、電子線描画機やレーザ描画機において用いられる描画データが生成される。 In a photomask used for manufacturing a semiconductor integrated circuit, first, a layout of the semiconductor integrated circuit is designed, and layout data (CAD data) is formed. Next, the layout data is converted, and drawing data used in an electron beam drawing machine or a laser drawing machine is generated.
ところで、フォトマスク製作においては、電子線やレーザ光を用いた種々の描画機があり、電子線描画機においても電子線走査方式がラスタ走査やベクタ走査があり、各描画機メーカーにより取り扱う描画データの仕様が異なっている。フォトマスク製作においては、フォトマスクの仕様などによって描画するのに最も適した描画機を決めており、オリジナルの描画データを他の描画機用の描画データに変換することが頻繁に行なわれている。 By the way, in photomask production, there are various drawing machines using electron beams and laser beams, and even electron beam drawing machines have raster scanning and vector scanning, and drawing data handled by each drawing machine manufacturer. The specifications are different. In photomask production, the most suitable drawing machine for drawing is determined according to the specifications of the photomask, etc., and the original drawing data is frequently converted into drawing data for other drawing machines. .
フォトマスクを製作するには描画すべきパターン図形の集合である描画データと、その描画データをフォトマスク上にどのように配置するかなどを規定した配列情報が必要であり、配列情報はジョブデック(jobdeck)と呼ばれる制御データのファイルに記述されている。この描画データと配列情報を記述したジョブデックファイルは描画機メーカーにより仕様が異なるため、描画機の変更が必要となった場合には描画データの変換と配列情報の変換が必要となる。変換の際に、使用される描画機に適合させるために、描画データにはミラーリング、ローテーション、スケーリング、スマッシュなどの様々な加工が施される。また配列情報は加工されたデータが初めの状態と同じレイアウトになる記述に、人手もしくはプログラムにより修正される。 To produce a photomask, drawing data, which is a set of pattern figures to be drawn, and array information that defines how to place the drawing data on the photomask are required. It is described in a control data file called (jobdeck). The job deck file describing the drawing data and the arrangement information has different specifications depending on the manufacturer of the drawing machine. Therefore, when the drawing machine needs to be changed, the drawing data and the arrangement information need to be converted. At the time of conversion, the drawing data is subjected to various processes such as mirroring, rotation, scaling, and smashing in order to adapt to the drawing machine used. The array information is corrected manually or by a program so that the processed data has the same layout as the original state.
描画データの変換においては、変換後のレイアウトの確からしさを検証する必要がある。描画データが設計データ(CADデータ)と相違していないかどうかの確認は、従来、描画データと設計データとを比較することにより行なわれてきた(例えば、特許文献1参照)。
しかしながら、半導体集積回路の微細化、高集積化に伴い、比較すべきデータ量が膨大になり、実描画データを使って検証するのはデータ処理システムの大きな負担となるために行われなくなり、フォトマスクのメインパターン部のみをダイ・ツー・データベース(die to database)の外観検査により保証するのが一般的となっている。
In the conversion of drawing data, it is necessary to verify the certainty of the layout after conversion. Whether or not the drawing data is different from the design data (CAD data) has been conventionally confirmed by comparing the drawing data and the design data (see, for example, Patent Document 1).
However, with the miniaturization and high integration of semiconductor integrated circuits, the amount of data to be compared has become enormous, and verification using actual drawing data is not performed because it places a heavy burden on the data processing system. In general, only the main pattern portion of the mask is guaranteed by an appearance inspection of a die to database.
上記のダイ・ツー・データベース検査の場合、設計データ(CADデータ)を準備し、その設計データを検査用の画像データに変換する必要がある。このデータの変換は多大な変換時間を必要とし、作業効率の低下の要因となり、しかも、上記の検査ではパターンの画像を正確に比較する必要があり、機械的に高精度な専用の検査装置が必要であった。さらに、半導体集積回路の高集積化に伴い、データボリュームが膨大となり、上記のダイ・ツー・データベースの外観検査では検査が不可能となってしまうという問題も生じていた。 In the case of the above-described die-to-database inspection, it is necessary to prepare design data (CAD data) and convert the design data into image data for inspection. This data conversion requires a great amount of conversion time and causes a reduction in work efficiency. In addition, the above inspection requires accurate comparison of pattern images, and a mechanically highly accurate dedicated inspection device is required. It was necessary. Furthermore, with the high integration of semiconductor integrated circuits, the data volume has become enormous, and the above-described die-to-database visual inspection cannot be inspected.
また、実際のチップ上のパターンは角部分が丸まりを有しており、設計データを画像データに変換した場合のパターンとそのまま比較することができず、丸め処理などが必要となる。しかし、完全な丸め処理は非常に困難であり、欠陥がない部分を間違って検出してしまう擬似欠陥が多数発生してしまうという問題があった。したがって、擬似欠陥を含んだ欠陥情報を一つずつ確認して擬似欠陥を除く欠陥確認作業が必要であり、多大な時間を必要とすると共に検査の信頼性を低下させるという問題があった。 In addition, the actual pattern on the chip has rounded corners and cannot be directly compared with the pattern when the design data is converted into image data, and rounding processing or the like is required. However, complete rounding processing is very difficult, and there is a problem that many pseudo defects are generated that erroneously detect a portion having no defect. Therefore, it is necessary to check the defect information including the pseudo defects one by one to remove the pseudo defects, which requires a lot of time and lowers the reliability of the inspection.
上記のように、半導体集積回路の微細化、高集積化に伴い、ダイ・ツー・データベースの外観検査においてデータボリュームが膨大で検査不可能な場合、あるいは擬似欠陥が多発して検査不可能という場合には、描画データ変換後のレイアウトの確からしさの検証が全くできなくなるという非常に危険な状況に陥ることになるという問題が生じていた。
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものである。すなわち、フォトマスク用のオリジナルの描画データを他描画機用の描画データに変換したとき、データボリュームが膨大で検査が不可能となったり、あるいは擬似欠陥が多発して検査が不可能となったりすることがなく、変換した描画データのレイアウトの確からしさを検証するための簡易で高精度なレイアウト検証方法を提供するものである。 The present invention has been made in view of the above problems. That is, when the original drawing data for photomask is converted into drawing data for other drawing machines, the data volume is enormous and inspection is impossible, or inspection is impossible due to frequent occurrence of pseudo defects. The present invention provides a simple and highly accurate layout verification method for verifying the accuracy of the layout of converted drawing data.
上記の課題を解決するために、請求項1の発明に係るレイアウト検証方法は、フォトマスク製作用のオリジナルの描画データを他描画機用の描画データに変換したときのレイアウトの確からしさを検証するためのレイアウト検証方法であって、前記オリジナルの描画データと同一のプロパティを持ち、パターンの向きが明らかなオリジナルの簡易パターンの描画データを作成する第1のステップと、前記オリジナルの簡易パターンの描画データを前記他描画機用の簡易パターンの描画データに変換する第2のステップと、前記オリジナルの簡易パターンの描画データとオリジナルの配列情報とによりオリジナルのスマッシュデータを作成する第3のステップと、前記他描画機用の簡易パターンの描画データと他描画機用の配列情報とにより他描画機用のスマッシュデータを作成する第4のステップと、前記オリジナルのスマッシュデータと前記他描画機用のスマッシュデータとの排他的論理和処理を行なってレイアウトの確からしさを検証する第5のステップと、を含むことを特徴とするものである。
In order to solve the above-described problem, the layout verification method according to the invention of
請求項2の発明に係るレイアウト検証方法は、請求項1に記載のレイアウト検証方法において、前記第2のステップと前記第3のステップの順番を入れ替えたことを特徴とするものである。 A layout verification method according to a second aspect of the present invention is the layout verification method according to the first aspect, wherein the order of the second step and the third step is changed.
請求項3の発明に係るレイアウト検証方法は、請求項1に記載のレイアウト検証方法において、前記第3のステップと前記第4のステップの順番を入れ替えたことを特徴とするものである。 A layout verification method according to a third aspect of the present invention is the layout verification method according to the first aspect, wherein the order of the third step and the fourth step is changed.
請求項4の発明に係るレイアウト検証方法は、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載のレイアウト検証方法において、前記プロパティが、データフォーマットとデータ領域とアドレスユニットであることを特徴とするものである。 A layout verification method according to a fourth aspect of the present invention is the layout verification method according to any one of the first to third aspects, wherein the properties are a data format, a data area, and an address unit. To do.
請求項5の発明に係るレイアウト検証方法は、請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載のレイアウト検証方法において、前記オリジナルの簡易パターンの描画データが前記オリジナルの配列情報に従い配列された状態で、前記オリジナルの簡易パターンが、他データの簡易パターンと出来るだけ重ならないように配置されていることを特徴とするものである。
The layout verification method according to the invention of
請求項6の発明に係るレイアウト検証方法は、請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載のレイアウト検証方法において、前記オリジナルの配列情報の中でデータ反転が指定されているデータは、前記オリジナルの簡易パターンの描画データ作成時に、あらかじめデータ反転しておくことを特徴とするものである。
The layout verification method according to the invention of
請求項7の発明に係るレイアウト検証方法は、請求項1〜請求項6のいずれか1項に記載のレイアウト検証方法において、前記他描画機用の簡易パターンの描画データにローテーションとサイジングの設定を行った場合には、前記排他的論理和処理の前に、前記設定を解消するためのローテーションとサイジングの逆補正を前記他描画機用のスマッシュデータに施すことを特徴とするものである。 A layout verification method according to a seventh aspect of the present invention is the layout verification method according to any one of the first to sixth aspects, wherein rotation and sizing are set in the drawing data of the simple pattern for the other drawing machine. In the case where it is performed, before the exclusive OR processing, rotation and sizing reverse correction for eliminating the setting is performed on the smash data for the other drawing machine.
本発明のレイアウト検証方法によれば、検証すべきパターンの簡易化によりデータ変換の負担が大幅に減り、今まで困難であったデータ上でのレイアウト検証が可能となった。さらに、パターン数が数十から数百にも及ぶ複雑なジョブであっても、全てのデータに対する 変換領域指定、ミラーリング、ローテーション、スケーリング、配置座標指定の実行結果をnm単位の精度で容易に検証することが可能であり、簡易で高精度のレイアウト検証方法である。 According to the layout verification method of the present invention, the burden of data conversion is greatly reduced by simplifying the pattern to be verified, and layout verification on data that has been difficult until now has become possible. Furthermore, even for complex jobs with tens to hundreds of patterns, it is easy to verify the execution results of conversion area specification, mirroring, rotation, scaling, and placement coordinate specification for all data with accuracy in nm units. This is a simple and highly accurate layout verification method.
以下、本発明を実施するための最良の形態について、図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明の実施形態の一例を示すフローチャートであり、図2〜図5は、図1に示したフローチャートをさらに詳しく説明するための模式図による説明図である。
The best mode for carrying out the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1 is a flowchart showing an example of an embodiment of the present invention, and FIGS. 2 to 5 are explanatory diagrams based on schematic diagrams for explaining the flowchart shown in FIG. 1 in more detail.
まず、図1の左上に示すように、オリジナルの描画データ11(データo)を準備する。オリジナルの描画データ11は、設計データ(CADデータ)から作成され、例えば、図2の図2(O)のo−1〜o−3に例示されるように、設計単位であるセルを基に設計されて階層構造を有し、ジョブデックファイルに記述された配列情報の指示により図2の合成イメージOのように配列されるデータである。 First, as shown in the upper left of FIG. 1, original drawing data 11 (data o) is prepared. The original drawing data 11 is created from design data (CAD data) and, for example, based on cells that are design units as illustrated in o-1 to o-3 in FIG. The data is designed and has a hierarchical structure, and is arranged like the composite image O in FIG. 2 in accordance with the instruction of the arrangement information described in the job deck file.
次に、図1に示されるように処理Aにより、上記のオリジナルの描画データ11(データo)と同一の特性(本発明ではプロパティと称する)を持ち、パターンの向きが明らかなオリジナルの簡易パターンの描画データ12(データa)を作成する(第1のステップ:処理A)。 Next, as shown in FIG. 1, an original simple pattern having the same characteristics (referred to as a property in the present invention) as the original drawing data 11 (data o) and having a clear pattern orientation by processing A as shown in FIG. Drawing data 12 (data a) is created (first step: process A).
本発明において、上記の同一のプロパティとしては、同一のデータフォーマットと同一のデータ領域と同一のアドレスユニット(最小単位グリッド:AU)でなければいけない。前出プロパティが異なると不測のスケーリングがかかりオリジナルと異なるレイアウトとなってしまい、レイアウト検証の信頼性を低下させてしまうからである。 In the present invention, the same property must be the same data format, the same data area, and the same address unit (minimum unit grid: AU). If the above properties are different, unexpected scaling will result in a layout different from the original, reducing the reliability of layout verification.
図2(A)は、オリジナルの描画データ11と同一のプロパティで向きの判る簡易パターンを作成した模式図である。図2(A)において、a−1〜a−3はCADデータに係る矩形情報を特定しており、a−1〜a−3の各々は元データである図2(O)と同一のデータフォーマットであり、図2(O)のo−1〜o−3の各々とそれぞれ全く同一のデータ領域で、同一のアドレスユニットであり、パターンのみを簡易パターンに置き換えたものである。図2(A)では、向きの判る簡易パターンの一例として図形Fのみを表している。 FIG. 2A is a schematic diagram in which a simple pattern whose direction is known is created with the same property as the original drawing data 11. 2A, a-1 to a-3 specify rectangular information related to CAD data, and each of a-1 to a-3 is the same data as FIG. 2O, which is the original data. The format is the same data area as each of o-1 to o-3 in FIG. 2 (O), the same address unit, and only the pattern is replaced with a simple pattern. In FIG. 2A, only the figure F is shown as an example of a simple pattern whose direction is known.
次に、図1に示すように処理Bにより、オリジナルの簡易パターンの描画データ12(データa)を他描画機用の簡易パターンの描画データ13(データb)に変換する(第2のステップ:処理B)。このとき、必要に応じてミラー、ローテーション、サイジングなどの処理を行なう。 Next, as shown in FIG. 1, the original simple pattern drawing data 12 (data a) is converted into simple pattern drawing data 13 (data b) for other drawing machines by the process B (second step: Process B). At this time, processing such as mirroring, rotation, and sizing is performed as necessary.
図2(B)は、オリジナルの簡易パターンの描画データ12を他描画機用の簡易パターンの描画データ13に変換したときのパターンの模式図である。フォトマスク製作用の描画機は、機種の相違によってフォトマスクを支える爪の位置などが異なることなどがあり、データ変換時にパターンの回転が必要になることがある。図2(B)の場合には、一例として、図2(B)のb−1に示すように、図2(A)で示したデータを270度ローテーションし、左右反転させ、かつ図2(A)で示したa−1、a−2のセルの階層構造を崩してスマッシュし、フラットなデータにした場合を示す。
FIG. 2B is a schematic diagram of a pattern when the original simple pattern drawing data 12 is converted into the simple
次に、図1に示すように処理Cにより、オリジナルの簡易パターンの描画データ12(データa)とジョブデックファイルに記述されたオリジナルの配列情報14とによりデータ合成を実施し、オリジナルのスマッシュデータ15(データc)を作成する(第3のステップ:処理C)。
本発明で用いているスマッシュデータとは、複数のフォトマスクパターンデータを配列情報に従い一つのデータ(描画データ)として合成したデータを意味するものである。
Next, as shown in FIG. 1, by processing C, data synthesis is performed using the original simple pattern drawing data 12 (data a) and the original arrangement information 14 described in the job deck file, and the original smash data 15 (data c) is created (third step: process C).
The smash data used in the present invention means data obtained by combining a plurality of photomask pattern data as one data (drawing data) according to the arrangement information.
図2(A)の合成イメージCに、オリジナルの簡易パターンの描画データ12とジョブデックファイルに記述されたオリジナルの配列情報14とによりデータ合成したオリジナルのスマッシュデータ15(データc)のレイアウト模式図を示す。 A layout schematic diagram of original smash data 15 (data c) obtained by synthesizing data with composite image C of FIG. 2A using original simple pattern drawing data 12 and original arrangement information 14 described in the job deck file. Indicates.
次いで、図1に示すように処理Dにより、上記の変換した他描画機用の簡易パターンの描画データ13(データb)と他描画機用の配列情報16とによりデータ合成を実施し、他描画機用のスマッシュデータ17(データd)を作成する(第4のステップ:処理D)。 Next, as shown in FIG. 1, by processing D, data synthesis is performed by using the converted simple pattern drawing data 13 (data b) for the other drawing machine and the array information 16 for the other drawing machine. Machine smash data 17 (data d) is created (fourth step: process D).
図2(B)の合成イメージDに、上記の変換した他描画機用の簡易パターンの描画データ13と他描画機用の配列情報16を記述した新しいジョブデックとによりデータ合成した他描画機用のスマッシュデータ17(データd)のレイアウト模式図を示す。
For the other drawing machine in which the synthesized image D of FIG. 2B is synthesized with the converted simple
次に、図1に示すように処理Eにより、上記のオリジナルのスマッシュデータ15(データc)と他描画機用のスマッシュデータ17(データd)との排他的論理和(exclusive or:XORとも記す)処理を行なって、レイアウトの確からしさを検証する(第5のステップ:処理E)。排他的論理和処理による演算の結果、出力図形データが無ければ(Y)、オリジナルの描画データを他描画機用の描画データに変換したときのエラーはなく、オリジナルの描画データは正しく変換され問題なしと判断される。一方、もしも出力図形データが有れば(N)、オリジナルの描画データは変換時にエラーが生じたと判断され、相違箇所の確認が必要となる。 Next, as shown in FIG. 1, by the process E, the above-described original smash data 15 (data c) and the smash data 17 (data d) for other drawing machines are also expressed as exclusive OR (XOR). ) Process is performed to verify the certainty of the layout (fifth step: process E). If there is no output graphic data as a result of the operation by exclusive OR processing (Y), there is no error when the original drawing data is converted to drawing data for other drawing machines, and the original drawing data is converted correctly. It is judged that there is nothing. On the other hand, if there is output graphic data (N), it is determined that an error has occurred in the original drawing data during conversion, and it is necessary to confirm the difference.
本発明のレイアウト検証方法は、上記の第1のステップ(処理A)〜第5のステップ(処理E)の処理工程において、第2のステップの処理Bと第3のステップの処理Cとの順番を入れ替えることが可能であり、順番を入れ替えてもレイアウト検証において支障は生じない。この場合の処理手順は、上記の処理A、処理C、処理B、処理D、処理Eの順番となる。 In the layout verification method of the present invention, the order of the process B of the second step and the process C of the third step in the process steps of the first step (process A) to the fifth step (process E). Can be exchanged, and even if the order is changed, there is no problem in layout verification. The processing procedure in this case is the order of the above processing A, processing C, processing B, processing D, and processing E.
また、本発明のレイアウト検証方法は、上記の第1のステップ(処理A)〜第5のステップ(処理E)の処理工程において、第3のステップの処理Cと第4のステップの処理Dの順番を入れ替えることも可能であり、順番を入れ替えてもレイアウト検証において支障は生じない。この場合の処理手順は、処理A、処理B、処理D、処理C、処理Eの順番となる。 In the layout verification method of the present invention, the process C of the third step and the process D of the fourth step are performed in the process steps of the first step (process A) to the fifth step (process E). It is possible to change the order, and even if the order is changed, there is no problem in layout verification. The processing procedure in this case is the order of processing A, processing B, processing D, processing C, and processing E.
本発明において、オリジナルのスマッシュデータ15(データc)と他描画機用のスマッシュデータ17(データd)との排他的論理和処理は、コンピュータ上での比較なので、描画データの数nm単位での検証が可能となり、微細パターンを有するフォトマスクの描画データを高精度で検証することができる。 In the present invention, the exclusive OR processing of the original smash data 15 (data c) and the smash data 17 (data d) for other drawing machines is a comparison on a computer, so that the drawing data is in units of several nm. Verification is possible, and drawing data of a photomask having a fine pattern can be verified with high accuracy.
本発明のレイアウト検証方法においては、オリジナルの簡易パターンの描画データ12がレイアウト後、各データ間において出来るだけ重ならないように配置されているのが好ましい。完全に重なると、重なった部分のレイアウト検証ができなくなるからである。 In the layout verification method of the present invention, it is preferable that the original simple pattern drawing data 12 is arranged so as not to overlap as much as possible after the layout. This is because, if they overlap completely, the layout verification of the overlapped portion cannot be performed.
配列情報に従った配列後、各セル間の簡易パターンが完全に重なると重なったセル双方のレイアウト検証ができないことになる(片方のセルが存在しなくても違いが出ない)。異なるデータ領域のデータを異なる座標に配置する場合、小さな簡易パターンが完全に重なる確率は非常に低い。マスク製作上簡易パターンが完全に重なることが最も考えられるのが、同一データ領域のデータを同一座標に配置するケースである。簡易レイアウト図である図3は、セル内部のパターン図形Fの配置を示す一例である。図3(a)はオリジナルの簡易パターンの描画データ12によるあるセルであり、図3(b)はまた別のセルである。出来るだけ重なるのを避けるため、すなわち図3(b)が図3(a)と重なるのを避けるため、描画データ図3(b)のセル内部のパターン図形Fをデータ上でユニークな配置にしておくものである。 After the arrangement according to the arrangement information, if the simple patterns between the cells completely overlap, it is impossible to verify the layout of both the overlapping cells (there is no difference even if one of the cells does not exist). When data of different data areas are arranged at different coordinates, the probability that small simple patterns completely overlap is very low. It is most conceivable that the simple patterns completely overlap with each other in mask production when the data in the same data area is arranged at the same coordinates. FIG. 3, which is a simplified layout diagram, is an example showing the arrangement of the pattern figure F inside the cell. FIG. 3A shows a certain cell based on the original simple pattern drawing data 12, and FIG. 3B shows another cell. In order to avoid overlapping as much as possible, that is, to avoid overlapping FIG. 3B with FIG. 3A, the pattern figure F inside the cell of the drawing data FIG. It is something to keep.
本発明のレイアウト検証方法においては、上記のオリジナルの配列情報14の中でデータ反転が指定されているデータは、上記の第1のステップの処理Aのオリジナルの簡易パターンの描画データ12作成時に、あらかじめデータ反転しておくのが好ましい。以下、図4、図5に示すセルの模式図を用いてその理由を説明する。 In the layout verification method of the present invention, the data in which data inversion is specified in the original array information 14 is generated when the original simple pattern drawing data 12 is generated in the process A of the first step. It is preferable to invert the data in advance. Hereinafter, the reason will be described with reference to the schematic diagrams of the cells shown in FIGS.
図4は、オリジナルの簡易パターンの描画データ12作成時に、あらかじめデータを反転してない場合を示す説明図である。データ反転が指定されているセル図4(a)と、上位のセル図4(b)とを、ジュブデックの配列情報で図4(a)のデータ反転を指定し、スマッシュして一つの合成したセル図4(c)とすると、セル図4(a)が反転されて上位セル図4(b)のパターンをつぶしてしまい、セル図4(b)の検証が不可能になる。 FIG. 4 is an explanatory diagram showing a case where the data is not inverted in advance when the original simple pattern drawing data 12 is created. The cell in which data inversion is designated FIG. 4A and the upper cell FIG. 4B are designated by the data inversion in FIG. In the case of the cell diagram 4 (c), the cell diagram 4 (a) is inverted and the pattern of the upper cell diagram 4 (b) is crushed, and the verification of the cell diagram 4 (b) becomes impossible.
一方、図5に示すように、オリジナルの簡易パターンの描画データ12作成時にセルのデータをあらかじめデータ反転し、反転したセル図5(a)としておくことにより、上位セル図5(b)とスマッシュして一つの合成したセル図5(c)とした場合に、ジョブイメージで上位セル図5(b)はセル図5(a)につぶされず、セル図5(c)に示すように検証可能となる。 On the other hand, as shown in FIG. 5, when the original simplified pattern drawing data 12 is created, the cell data is pre-inverted to obtain an inverted cell diagram 5 (a), so that a smash with the upper cell diagram 5 (b) is obtained. Then, in the case of one synthesized cell diagram 5 (c), the upper cell diagram 5 (b) in the job image is not collapsed to the cell diagram 5 (a), but can be verified as shown in the cell diagram 5 (c). It becomes.
本発明のレイアウト検証方法において、上記の他描画機用の簡易パターンの描画データ13にローテーションとサイジングの設定を行った場合には、排他的論理和処理の前に、この設定を解消するためのローテーションとサイジングの逆補正を他描画機用のスマッシュデータ17(データd)に施す必要がある。例えば、他描画機用の描画データ変換で、ローテーション=270度、サイジング=−50nmをかけた場合、この設定を解消する値は、ローテーション=90度、サイジング=+50nmであり、この逆補正を排他的論理和処理の前に施すものである。
次に、本発明のレイアウト検証方法を実施例に基づいてさらに詳しく説明する。
In the layout verification method of the present invention, when rotation and sizing are set for the drawing
Next, the layout verification method of the present invention will be described in more detail based on examples.
まず、オリジナルの描画データを準備した。図6に、本発明の実施例における4種類のオリジナルの描画データのパターンと、配列情報により作成したオリジナルの合成イメージの模式図を示す(データ部=白)。本実施例においては電子線描画機MEBES用のフォーマットに基づき、MEBES用のオリジナル描画データに以下のデータ配列情報を用いた。 First, original drawing data was prepared. FIG. 6 shows a schematic diagram of four types of original drawing data patterns and an original composite image created based on the arrangement information in the embodiment of the present invention (data portion = white). In this embodiment, the following data array information is used for original drawing data for MEBES based on the format for the electron beam drawing machine MEBES.
SLICE 1,17
RETICLE
OPTION M ← 配列全てパターン,座標共にY軸ミラー
*
CHIP F1,
$ (1,TESTDAT-00-03,AD=0.004,SF=1.0) ← スケーリング ×1
ROWS 101200 / 101200
*
CHIP F2,
$ (1,TESTDAT-00-04,AD=0.004,SF=0.9) ← スケーリング ×0.9
ROWS 101200 / 51200
*
CHIP F3,
$ (1M,TESTDAT-00-05,AD=0.004,SF=0.8) ← スケーリング ×0.8とパターンのY 軸ミラー(1MのM)
ROWS 51200 / 51200 OPTION M と相殺されオリジナルの向きとなる
*
CHIP F4,
$ (1,TESTDAT-00-60,AD=0.004,SF=0.7) ← スケーリング ×0.7
ROWS 51200 / 101200
*
CHIP F5,
$ (1R,TESTDAT-00-AA,AD=0.25,SF=1.0) ← スケーリング ×1でデータ反転(1R のR)
ROWS 76200 / 76200
END
RETICLE
OPTION M ← Y-axis mirror for all patterns and coordinates
*
CHIP F1,
$ (1, TESTDAT-00-03, AD = 0.004, SF = 1.0) ← Scaling × 1
ROWS 101200/101200
*
CHIP F2,
$ (1, TESTDAT-00-04, AD = 0.004, SF = 0.9) ← Scaling × 0.9
ROWS 101200/51200
*
CHIP F3,
$ (1M, TESTDAT-00-05, AD = 0.004, SF = 0.8) ← Scaling × 0.8 and pattern Y-axis mirror (M of 1M)
ROWS 51200/51200 OPTION M is offset and the original orientation
*
CHIP F4,
$ (1, TESTDAT-00-60, AD = 0.004, SF = 0.7) ← Scaling × 0.7
ROWS 51200/101200
*
CHIP F5,
$ (1R, TESTDAT-00-AA, AD = 0.25, SF = 1.0) ← Scaling × 1 data inversion (R of 1R)
ROWS 76200/76200
END
次に、図7に示すように、オリジナルの描画データをオリジナルの描画データと同一のプロパティを有するオリジナルの簡易パターンの描画データに変換した。同一のプロパティとしては、同一のデータフォーマットと同一のデータ領域と同一のアドレスユニットである。 Next, as shown in FIG. 7, the original drawing data was converted into original simple pattern drawing data having the same properties as the original drawing data. The same property includes the same data format, the same data area, and the same address unit.
図7では、4種の図形データ(TESTDAT-00-03、TESTDAT-00-04、TESTDAT-00-05、TESTDAT-00-60)について図形Fで示す簡易データを作成しているが、判り易いようにデータの外周を拡大して表示している。また、パターンが重ならないように、データ毎にパターンの位置をずらしてある。また、配列情報でデータ反転指定があるデータであるため、実際のレイアウトイメージにした際に他のデータをつぶさないように、簡易化パターンを反転させている。 In FIG. 7, simple data indicated by the graphic F is created for four types of graphic data (TESTDAT-00-03, TESTDAT-00-04, TESTDAT-00-05, and TESTDAT-00-60). As shown, the outer periphery of the data is enlarged and displayed. Also, the pattern position is shifted for each data so that the patterns do not overlap. In addition, since the data has the data inversion designation in the array information, the simplified pattern is inverted so as not to crush other data when the actual layout image is obtained.
次に、オリジナルの配列情報とオリジナルの簡易パターンの描画データとによりデータ合成を実施し、オリジナルのスマッシュデータを作成した。図8は、オリジナルのスマッシュデータの合成イメージ(レチクル)である。図8では、判り易いようにデータの外周を拡大して表示している。また、配列情報によりデータ反転されるが、元がベタパターンにしてあったために、ここではほとんどパターンがなくなり他のパターンをつぶしてしまうことが無い。 Next, data synthesis was performed using the original sequence information and the original simple pattern drawing data to create original smash data. FIG. 8 is a composite image (reticle) of the original smash data. In FIG. 8, the outer periphery of the data is enlarged and displayed for easy understanding. Although the data is inverted according to the array information, since the original pattern is a solid pattern, there is almost no pattern here and other patterns are not crushed.
次に、上記のオリジナルの簡易パターンの描画データを他描画機として日本電子(株)製の電子線描画機JEOL用の描画データに変換した。図9に、JEOL用の簡易パターンの描画データへの変換を示す。このとき、オリジナルの配列情報に270°ローテーションをかけてJEOLフォーマットの配列情報に変換した。また、TESTDAT-00-AAのデータにはデータ反転も行なった。作成したJEOL用の配列情報を以下に示す。 Next, the original simple pattern drawing data was converted into drawing data for an electron beam drawing machine JEOL manufactured by JEOL Ltd. as another drawing machine. FIG. 9 shows conversion of a simple pattern for JEOL into drawing data. At this time, the original sequence information was converted to JEOL format sequence information by 270 ° rotation. The data of TESTDAT-00-AA was also inverted. The created sequence information for JEOL is shown below.
JOB 'JBX',6.0
;*************************************
PATH
ARRAY ( 25000.000, 1, 0.000)/( 25000.000, 1, 0.000)
ASSIGN P( 1) -> ( *, *)
AEND
ARRAY ( 25000.000, 1, 0.000)/( -25000.000, 1, 0.000)
ASSIGN P( 2) -> ( *, *)
AEND
ARRAY ( -25000.000, 1, 0.000)/( -25000.000, 1, 0.000)
ASSIGN P( 3) -> ( *, *)
AEND
ARRAY ( -25000.000, 1, 0.000)/( 25000.000, 1, 0.000)
ASSIGN P( 4) -> ( *, *)
AEND
ARRAY ( 0.000, 1, 0.000)/( 0.000, 1, 0.000)
ASSIGN P( 5) -> ( *, *)
AEND
PEND
;*************************************
; 1 -> LAYER 1
;*************************************
LAYER 1
MIRROR ,Y
P( 1) 'TESTDAT00.03.J52'
P( 2) 'TESTDAT00.04.J52'
P( 3) 'TESTDAT00.05.J52'
P( 4) 'TESTDAT00.60.J52'
P( 5) 'TESTDAT00.AA.J52'
END
JOB 'JBX', 6.0
; *************************************
PATH
ARRAY (25000.000, 1, 0.000) / (25000.000, 1, 0.000)
ASSIGN P (1)-> (*, *)
AEND
ARRAY (25000.000, 1, 0.000) / (-25000.000, 1, 0.000)
ASSIGN P (2)-> (*, *)
AEND
ARRAY (-25000.000, 1, 0.000) / (-25000.000, 1, 0.000)
ASSIGN P (3)-> (*, *)
AEND
ARRAY (-25000.000, 1, 0.000) / (25000.000, 1, 0.000)
ASSIGN P (4)-> (*, *)
AEND
ARRAY (0.000, 1, 0.000) / (0.000, 1, 0.000)
ASSIGN P (5)-> (*, *)
AEND
PEND
; *************************************
; 1->
; *************************************
MIRROR, Y
P (1) 'TESTDAT00.03.J52'
P (2) 'TESTDAT00.04.J52'
P (3) 'TESTDAT00.05.J52'
P (4) 'TESTDAT00.60.J52'
P (5) 'TESTDAT00.AA.J52'
END
次に、上記のJEOL用の簡易パターンの描画データとJEOL用の配列情報とによりデータ合成を実施し、JEOL用のスマッシュデータを作成した。図10は、JEOL用のスマッシュデータの合成イメージ(レチクル)である。図10では、判り易いようにデータの外周を拡大して表示している。 Next, data synthesis was performed using the above-described simple pattern drawing data for JEOL and sequence information for JEOL, and JEOL smash data was created. FIG. 10 is a composite image (reticle) of smash data for JEOL. In FIG. 10, the outer periphery of the data is enlarged and displayed for easy understanding.
次に、図8に示したオリジナルのMEBES用のスマッシュデータと、図10に示したJEOL用のスマッシュデータとの排他的論理和(XOR)処理を実施した。このとき、JEOL用のスマッシュデータはオリジナルと向きが一致するように、反時計回りに90°のローテーションをかけて行なった。 Next, exclusive OR (XOR) processing of the original MEBES smash data shown in FIG. 8 and the JEOL smash data shown in FIG. 10 was performed. At this time, the smash data for JEOL was rotated 90 ° counterclockwise so that the direction coincided with the original.
XOR処理の結果、図形の出力データは無く、MEBES用描画データをJEOL用描画データに変換したときのエラーはなく、MEBES描画データは正しくJEOL用描画データに変換されたと判断された。 As a result of the XOR processing, there was no graphic output data, no error occurred when the MEBES drawing data was converted to JEOL drawing data, and it was determined that the MEBES drawing data was correctly converted to JEOL drawing data.
11 オリジナルの描画データ
12 オリジナルの簡易パターンの描画データ
13 他描画機用の簡易パターンの描画データ
14 オリジナルの配列情報
15 オリジナルのスマッシュデータ
16 他描画機用の配列情報
17 他描画機用のスマッシュデータ
11 Original drawing data 12 Original simple
Claims (7)
前記オリジナルの描画データと同一のプロパティを持ち、パターンの向きが明らかなオリジナルの簡易パターンの描画データを作成する第1のステップと、
前記オリジナルの簡易パターンの描画データを前記他描画機用の簡易パターンの描画データに変換する第2のステップと、
前記オリジナルの簡易パターンの描画データとオリジナルの配列情報とによりオリジナルのスマッシュデータを作成する第3のステップと、
前記他描画機用の簡易パターンの描画データと他描画機用の配列情報とにより他描画機用のスマッシュデータを作成する第4のステップと、
前記オリジナルのスマッシュデータと前記他描画機用のスマッシュデータとの排他的論理和処理を行なってレイアウトの確からしさを検証する第5のステップと、
を含むことを特徴とするレイアウト検証方法。 A layout verification method for verifying the accuracy of a layout when converting original drawing data for photomask production into drawing data for another drawing machine,
A first step of creating original simple pattern drawing data having the same properties as the original drawing data and having a clear pattern orientation;
A second step of converting the original simple pattern drawing data into simple pattern drawing data for the other drawing machine;
A third step of creating original smash data from the original simple pattern drawing data and original arrangement information;
A fourth step of creating smash data for another drawing machine from the drawing data of the simple pattern for the other drawing machine and the arrangement information for the other drawing machine;
A fifth step of verifying the accuracy of the layout by performing an exclusive OR process between the original smash data and the smash data for the other drawing machine;
A layout verification method comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006334509A JP4853268B2 (en) | 2006-12-12 | 2006-12-12 | Photomask drawing layout verification method |
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- 2006-12-12 JP JP2006334509A patent/JP4853268B2/en active Active
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