JP2008140870A - 電子デバイス及び光モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】電気部品や光部品などから出る電磁波ノイズの低減および放熱対策を図った電子デバイスを提供する。
【解決手段】基板2上に配線パターン3を形成し、その配線パターン3は信号線パターン3sを有し、その信号線パターン3sにIC等の半導体素子4,5を実装した電子デバイス1において、半導体素子4,5が実装される素子実装部3xの信号線パターン3xに半導体素子4,5を実装し、素子実装部の信号線パターン3sと半導体素子4,5とを、半導体素子4,5の少なくとも表面が露出するように樹脂層8で覆い、その樹脂層8と半導体素子4,5の露出した表面とを導電性材料からなる放熱部材9で覆ったものである。
【選択図】図1
【解決手段】基板2上に配線パターン3を形成し、その配線パターン3は信号線パターン3sを有し、その信号線パターン3sにIC等の半導体素子4,5を実装した電子デバイス1において、半導体素子4,5が実装される素子実装部3xの信号線パターン3xに半導体素子4,5を実装し、素子実装部の信号線パターン3sと半導体素子4,5とを、半導体素子4,5の少なくとも表面が露出するように樹脂層8で覆い、その樹脂層8と半導体素子4,5の露出した表面とを導電性材料からなる放熱部材9で覆ったものである。
【選択図】図1
Description
本発明は、基板上に配線パターンを形成し、その配線パターンにIC等の半導体素子を実装した電子デバイスや、光導波路上に配線パターンを形成し、その配線パターンにIC等の半導体素子や光素子を実装した光モジュールに関する。
電子部品では電磁波ノイズと放熱の対策が必要である。例えば、携帯電話ではディスプレイ、カメラの画像の高解像度化、送受信するデータの大容量化、伝送速度の高速化に伴い、ディスプレイ、カメラ部と携帯電話本体をつなぐ信号線の伝送容量が増加している。
しかし、携帯電話機薄型化の要求を満たすためヒンジ部スペースが狭くなり、カメラ、ディスプレイ部と携帯電話本体をつなぐ信号線が増やしづらいという問題がある。
また、信号線とアンテナ間で電磁波ノイズにより通話品質が低下するなどの問題もある。これら問題は、携帯電話に限らず、車両の電気・電子機器においても同様である。
近年、携帯電話などの電気・電子機器に実装される電子デバイスや光モジュールへの適用を考え、従来のリジッド回路基板と共に、あるいはそれに代えてフレキシブル光配線が検討されている。
つまり、システム装置内および装置間の信号を高速に伝送する技術である光インターコネクションとして、フレキシブル光配線を利用することが検討されている。
フレキシブル光配線の主な構造としては、フレキシブル光導波路に光路変換用のミラーを形成し、その光路上に面発光半導体レーザ(VCSEL)、フォトダイオード(PD)などの光素子を実装したものがある。
一方、EMI(電磁波障害)対策をした従来の光モジュールとしては、図5に示すような光モジュール51がある。光モジュール51では、光素子52や電気部品53の全体を透明樹脂体54で覆い、その透明樹脂体54をシールド片55で覆っている。また、図6に示すような光モジュール61では、Si基板62に実装したPD63の全体を絶縁性樹脂64,65、導電性樹脂66で覆っている。
しかしながら、従来のフレキシブル光配線において、VCSEL、PDおよびそれらを駆動するためのIC(例えば、半導体レーザ(LD)用のドライバ、PD用のプリアンプ)などから電磁波が発生して他の電気部品へ影響を及ぼすため、信号の光化のメリットである低EMIの効果が薄れるという問題がある。
また、従来のフレキシブル光配線や光モジュール51,61では、放熱対策が考慮されておらず、光部品や電気部品の全体を樹脂で覆っているため、電気部品や光部品から発生した熱により、動作が不安定になるという問題がある。特に、光モジュール61はPD63の全体を絶縁性樹脂64で覆っているため、高い放熱性が期待できない。
そこで、本発明の目的は、電気部品や光部品などから出る電磁波ノイズの低減および放熱対策を図った電子デバイス及び光モジュールを提供することにある。
本発明は上記目的を達成するために創案されたものであり、請求項1の発明は、基板上に配線パターンを形成し、その配線パターンは信号線パターンを有し、その信号線パターンにIC等の半導体素子を実装した電子デバイスにおいて、上記半導体素子が実装される素子実装部の信号線パターンに上記半導体素子を実装し、上記素子実装部の上記信号線パターンと上記半導体素子とを、上記半導体素子の少なくとも表面が露出するように樹脂層で覆い、その樹脂層と上記半導体素子の露出した表面とを導電性材料からなる放熱部材で覆った電子デバイスである。
請求項2の発明は、上記放熱部材は、上記配線パターンのグランド、あるいは上記基板内のグランドと接触させる請求項1記載の電子デバイスである。
請求項3の発明は、上記信号線パターンは、上記素子実装部以外の上記信号線パターンが絶縁層で覆われ、上記素子実装部に設けられた信号線パターンを覆う樹脂層が上記絶縁層と接触する請求項1または2記載の電子デバイスである。
請求項4の発明は、上記放熱部材は、上記樹脂層と上記半導体素子の露出した表面とを覆う導電性接着剤層と、その導電性接着剤層に接触するように上記導電性接着剤層を覆う金属製カバーとからなる請求項1〜3いずれかに記載の電子デバイスである。
請求項5の発明は、上記基板にビアを形成し、そのビアに導電性ペーストを充填した請求項1〜4いずれかに記載の電子デバイスである。
請求項6の発明は、光導波路上に配線パターンを形成し、その配線パターンは信号線パターンを有し、その信号線パターンにIC等の半導体素子や光素子を実装した電子デバイスにおいて、上記半導体素子が実装される素子実装部の信号線パターンに上記半導体素子や上記光素子を実装し、上記素子実装部の上記信号線パターンと上記半導体素子と上記光素子とを、上記半導体素子および上記光素子の少なくとも表面が露出するように樹脂層で覆い、その樹脂層と上記半導体素子および上記光素子の露出した表面とを、請求項1〜5いずれかに記載した放熱部材で覆った光モジュールである。
本発明によれば、電磁波ノイズの低減と放熱対策が容易であり、かつより効果的に実施可能になる。
以下、本発明の好適な実施形態を添付図面にしたがって説明する。
図1(a)は本発明の好適な第1の実施形態を示す電子デバイスの断面図、図1(b)はその平面図である。
図1に示すように、第1の実施形態に係る電子デバイス1は、基板2上に配線パターン3を形成し、その配線パターン3の素子実装部3xにおける信号線パターン3sに半導体素子4,5を、半田バンプ6によりフリップチップ実装してある。本実施形態では、基板2としてリジッド基板を用いた。
配線パターン3は、基板2の表面及び/又は裏面に形成した半導体素子4,5間や他の素子間、あるいは素子とリードを接続する信号線パターン3s、基板2の表面及び/又は裏面に形成したグランドパターン3g、基板2内に形成したグランドパターンやグランド層などで構成される。
半導体素子4,5としては、LD、VCSEL、PDなどの光素子や、LD、VCSEL用のドライバ、PD用のプリアンプ、又はメモリ用ICや電源用IC、ASIC(Application Specific IC:特定用途向けIC)などがある。
基板2上の素子実装部3x以外とグランドパターン3g以外の配線パターン3は絶縁層(カバーレイ)7で覆われる。絶縁層7には、熱に強く、機械的強度も強いポリイミドなどの樹脂からなるものを用いる。
半導体素子4,5の実装に超音波によるフリップチップ実装を採用することで、はんだ付けなどの熱の発生が少なくなり、絶縁層7の材料に耐熱性の低いアクリル系の樹脂やエポキシ系の樹脂を用いることもできる。
さらに、電子デバイス1は、グランドパターン3gを除く素子実装部3xの大部分(素子実装部xの信号線パターン3s)と半導体素子4,5とを、半導体素子4,5の少なくとも表面(図1(a)では、半導体素子4,5の上部である表面、側面上部)が露出するように保護用樹脂層8で覆い、その保護用樹脂層8と半導体素子4,5の保護用樹脂層8から露出した部分(図1(a)では、半導体素子4,5の上部である表面、側面上部)とを、導電性材料としての金属からなるドーム状の放熱部材9で密着させて覆ってある。
本実施形態では、放熱部材9をドーム状に形成した例で説明したが、放熱部材9の形状はドーム状に限定されるものではなく、半導体素子4,5と保護用樹脂層8を覆う形状であればよい。
保護用樹脂層8には、半導体素子4,5の実装部分、及び素子実装部3xの信号線パターン3sを樹脂により確実に保護するため、比較的粘度が低いシリコーン系、エポキシ系などの熱硬化型樹脂やUV(紫外線)硬化型樹脂からなるものを用いる。
保護用樹脂層8を形成する樹脂は、半導体素子4,5の隙間から基板2上の素子実装部3xに滴下される。滴下された樹脂は、素子実装部3xに設けられた信号線パターン3sや半導体素子4,5の下面(フィリップチップ実装部)を流れ広がり、硬化後に保護用樹脂層8を形成する。このとき滴下量を調整することで、保護用樹脂層8から半導体素子4,5の表面を露出させることができる。
ここで、保護用樹脂層8の形成方法についてより詳細に説明する。
素子実装部3xは面積が数百μm×数百μm〜数mm×数mm程度であり、半導体素子4,5の高さも0.1〜1mm程度なので、半導体素子4,5の少なくとも表面が露出するように保護用樹脂層8で覆うには、1)ディスペンサー(液剤微量塗布装置)を用いたポッティングによる方法や、2)マスクとしてレジストを用いる方法で行う。
1)ディスペンサーを用いたポッティングによる方法;
まず、素子実装部3xの面積や半導体素子4,5の高さに応じて、粘度が既知である液状の保護用樹脂の滴下(塗布)量、滴下温度を決定する。決定した滴下量、滴下温度をディスペンサーに設定し、保護用樹脂をポッティングした後、保護用樹脂を熱処理、あるいはUV照射により硬化させて保護用樹脂層8を形成する。
まず、素子実装部3xの面積や半導体素子4,5の高さに応じて、粘度が既知である液状の保護用樹脂の滴下(塗布)量、滴下温度を決定する。決定した滴下量、滴下温度をディスペンサーに設定し、保護用樹脂をポッティングした後、保護用樹脂を熱処理、あるいはUV照射により硬化させて保護用樹脂層8を形成する。
ディスペンサーには、滴下量が1μL以下の微量塗布、サイクルタイムが40msec/shot程度の高速塗布が可能なものがあるため、保護用樹脂層8を高精度にかつ短時間で形成できる。
2)マスクとしてレジストを用いる方法;
予め保護用樹脂を滴下する部分以外に、ソルダレジストやフォトレジストを塗布してレジスト層を形成しておき、そのレジスト層をマスクにして、ディスペンサーを用いたポッティングを行う。レジスト層は、保護用樹脂層8形成後に剥離しても剥離しなくてもよい。この場合、レジスト層を形成する工程が増えるものの、保護用樹脂層8を所望の箇所に形成できる。
予め保護用樹脂を滴下する部分以外に、ソルダレジストやフォトレジストを塗布してレジスト層を形成しておき、そのレジスト層をマスクにして、ディスペンサーを用いたポッティングを行う。レジスト層は、保護用樹脂層8形成後に剥離しても剥離しなくてもよい。この場合、レジスト層を形成する工程が増えるものの、保護用樹脂層8を所望の箇所に形成できる。
絶縁層7と保護用樹脂層8は接触させるとよい。これは、放熱部材9がグランドパターン3g以外の配線パターン3と接触しないようにし、放熱部材9と信号線パターン3sのショートを防止するためである。ただし、放熱部材9で覆う部分の基板2上に配線パターン3がない場合には、絶縁層7と保護用樹脂層8は接触させなくてもよい。
放熱部材9は、グランドパターン3gや、基板2裏面のグランドパターン、あるいは基板2内のグランドパターンやグランド層と接触させるとよい。第1の実施形態では、保護用樹脂層8と半導体素子4,5の保護用樹脂層8から露出した部分を放熱部材9で覆う際に、グランドパターン3gの一部を放熱部材9で覆う(図1(b)ではグランドパターン3gを横断するように放熱部材9で覆う)ことで、放熱部材9とグランドパターン3gを接触させた。
この放熱部材9は、蒸着、スパッタ、めっき、あるいは導電性ペーストにより形成したシールド膜(金属コート)からなる。この他、放熱部材9を導電性接着剤で形成してもよい。
放熱部材9の材質には、導電性が高いAu、Ag、Cuの他に、Alを用いてもよい。特に、Auはこれらの金属の中では、最もさびにくく安定であり、しかも高周波の電磁波ノイズの低減効果が高いので、放熱部材9の材質として用いるとよい。導電性ペーストや導電性接着剤としては、例えば、エポキシ樹脂にAgなどの導電性フィラーを混合したものを用いる。
第1の実施形態の作用を説明する。
電子デバイス1は、素子部実装部3xに設けられた信号線パターン3sとフリップチップ実装した半導体素子4,5とを、半導体素子4,5の少なくとも表面が露出するように保護用樹脂層8で覆い、その保護用樹脂層8と半導体素子4,5の露出した表面とを導電性材料としての金属からなる放熱部材9で覆っている。
電子デバイス1においても、動作中に電気部品や光部品である半導体素子4,5などから電磁波ノイズと熱が発生する。
電子デバイス1では、内部の半導体素子4,5から発生する電磁波ノイズは、放熱部材9で遮蔽されるため、デバイス外部に漏れ出すのを低減でき、同様に外部から飛来する電磁波ノイズも、放熱部材9で遮蔽されるため、デバイス内部に入るのを低減できる。これにより、電子デバイス1は、電磁波ノイズを低減でき、EMIに強い。
さらに、電子デバイス1では、内部の半導体素子4,5から発生する熱は、保護用樹脂層8から露出した半導体素子4,5の上部表面が熱の出口になり、そこから放熱部材9を通して効率よく放熱されるため、放熱性が高く、動作が安定する。
したがって、電子デバイス1によれば、電気部品や光部品である半導体素子4,5などから発生する電磁波ノイズの低減と放熱対策が容易であり、かつこれらが効果的に実施可能になる。
電子デバイス1は、放熱部材9がグランドパターン3gと接触しており、グランドパターン3gがアースされているため、電磁波ノイズをより効果的に低減できる。
また、放熱部材9とグランドパターン3gとを接触させることで、放熱部材9に伝わった熱がグランドパターン3gを介して放熱される効果も得られる。
第2の実施形態を説明する。
図2(a)および図2(b)に示すように、電子デバイス21は、放熱部材29が導電性接着剤層22と金属製のカバー23とからなるものである。導電性接着剤層22は、保護用樹脂層8と半導体素子4,5の保護用樹脂層8から露出した部分とを覆うものであり、カバー23は、導電性接着剤層22に密着して接触するように導電性接着剤層22を覆うものである。
すなわち、カバー23は保護用樹脂層8を覆うように基板2上に載置され、カバー23に設けられた図示しない樹脂注入孔よりカバー23内に導電性接着剤が注入される。カバー23は注入された導電性接着剤が流れ出ないように基板2上に接して設けられ、カバー23内には導電性接着剤からなる導電性接着剤層22が充填されると共に、カバー23内に充填された導電性接着剤により、カバー23は基板2に対し固定される。
本実施形態では、カバー23を導電性接着剤のみで固定しているが、カバー23を接着剤などで予め基板2に対して接着固定した後、導電性接着剤を注入してもよい。予め接着剤でカバー23を基板2に対して接着固定することで、注入される導電性接着剤の漏れを防ぐことができる。
カバー23は、板金加工やプレス加工で形成される。カバー23は、図2(a)では箱状に形成しているが、ドーム状に形成してもよい。ドーム状のカバーの場合、箱状のカバー23に比べると、折り曲げ加工する工程が不要なので、作製が簡単である。
この電子デバイス21においても、放熱部材29とグランドパターン3gを接触させるとよい。電子デバイス21のその他の構成は、図1の電子デバイス1と同じである。
電子デバイス21は、放熱部材29が導電性接着剤層22とカバー23とからなるため、電子デバイス1に比べると、厚い放熱部材29を簡単に形成できる。これにより、電子デバイス21では、放熱部材29に高いシールド効果を持たせることができる。
さらに、電子デバイス21では、導電性接着剤層22に用いる導電性接着剤の粘度が低い場合や、半導体素子4,5から発生した熱で導電性接着剤層22が軟化した場合でも、カバー23により導電性接着剤がカバー23の外部へ漏れることを防止できる。電子デバイス21のその他の作用効果は、電子デバイス1と同じである。
第3の実施形態を説明する。
図3(a)および図3(b)に示すように、電子デバイス31は、図1の電子デバイス1の構成に加え、基板2の素子実装部3xおよび素子実装部3xの周囲に、基板2の表裏面を貫通するビア(スルーホール)32を複数個形成し、各ビア32に導電性ペーストpを注入して充填し、めっきスルーホール33を複数個形成したものである。
ビア32の形成は、YAGレーザなどのレーザ加工で行う。各めっきスルーホール33は、放熱部材9と接触させることが望ましい。また、いくつかのめっきスルーホール33は、グランドパターン3gと接触させたり、その一部がグランドパターン3gを貫通するように形成したりするとよい。これは、グランドパターン3g内にめっきスルーホール33を形成すると、グランドパターン3gが十分に機能しないことがあるからである。
電子デバイス31では、めっきスルーホール33により、半導体素子4,5で発生した熱が放熱部材9だけでなく、めっきスルーホール33を通して基板2の裏面からも放熱されるので、電子デバイス1に比べると、より放熱性を高めることができる。
また、グランドパターンは基板2の裏面に形成されることも多いため、この場合に電子デバイス31を用いると、めっきスルーホール33との接触が簡単になる。
電子デバイス31の変形例として、放熱部材9の代わりに、図2の放熱部材29を用いてもよい。この場合、めっきスルーホール33をカバー23の固定用、位置決め用穴としても利用できる。
上記実施形態では、基板2にリジッド基板を用いた電子デバイスについて説明したが、基板2としてフレキシブル基板を用いた電子デバイスでもよい。フレキシブル基板を用いた場合、フレキシブル基板の裏面側に補強板を設けるとよい。補強板を設けることで、信号線パターン3sに実装された半導体素子4,5の接続信頼性を向上させることができる。
また、補強板を金属製とすることにより、基板2の裏面側における電磁波ノイズの漏れを低減することができ、同様に外部からの電磁波ノイズが電子デバイス内に入るのを低減することができる。さらに、基板2裏面側からの放熱効果を高めることもできる。もちろん、リジッド基板の裏面側に金属製の補強板を設けることでも同様の効果を得ることができる。
第4の実施形態を説明する。上述した第1〜第3の実施形態では、本発明を電子デバイスに応用した例で説明したが、本発明は、光インターコネクションとしてフレキシブル光配線(フレキシブル光導波路)を用いた光モジュールにも応用できる。
図4に示すように、光モジュール41は、例えば、電気信号を光信号に変換する光送信器の光送信部、光信号を電気信号に変換する光受信器の光受信部、あるいは光トランシーバの上述した光送信部や光受信部に使用される。
この光モジュール41は、フレキシブル光配線としてポリマからなる光導波路42を形成し、その光導波路42上に配線パターン3を形成し、その配線パターン3の素子実装部3xに位置する信号線パターン3sに、光素子としてのVCSEL44と、半導体素子としてのVCSEL用のドライバ45とを、半田バンプ6によりフリップチップ実装してある。
光導波路42は、コア42cと、その上下に形成した上部クラッド42u、下部クラッド42dとからなる。
VCSEL44の直下に位置するコア42cと下部クラッド42dには、VCSEL44から下方向に出射された光信号Lをコア42cの長手方向(図4では左右方向)に伝送する光路変換ミラー46が形成される。
光路変換ミラー46の形成は、コア42cと下部クラッド42dに、ブレードやレーザ加工を用いて、VCSEL44からの光信号Lの出射方向に対して略45°傾斜した傾斜面を有するV溝を形成し、その溝の傾斜面にAuなどの金属を蒸着して行うとよい。光導波路42を作製する際に、型を用いて、コア42cと下部クラッド42dと同時に光路変換ミラー46を形成してもよい。光路変換ミラー46としては、多層誘電体膜からなるものを用いてもよい。
また、傾斜面に多層誘電体膜を形成したり、Auなどの金属を蒸着したりせずに、V溝を空気層とし、これを全反射ミラーとして用いてもよい。
VCSEL44は、その出射面が光導波路42の表面と対向するように、素子実装部3xに実装される。
さらに、光モジュール41は、図1の電子デバイス1と同様に、グランドパターン3gを除く素子実装部3xの大部分(素子実装部xの信号線パターン3s)とVCSEL44,ドライバ45とを、VCSEL44,ドライバ45の少なくとも表面(図4では、VCSEL44,ドライバ45の上部である表面、側面上部)が露出するように保護用樹脂層8で覆い、その保護用樹脂層8とVCSEL44,ドライバ45の保護用樹脂層8から露出した部分(図4では、VCSEL44,ドライバ45の上部である表面、側面上部)とを、導電性材料としての金属からなるドーム状の放熱部材9で密着させて覆ってある。
放熱部材9で覆った後、素子実装部3xの直下部分に位置する光導波路42の裏面に、素子実装部3xを補強する補強板47を取り付ければ、フレキシブル光配線としての光導波路42を備えた光モジュール41が得られる。
補強板47を金属製とすることで、光導波路42裏面側でも内部の半導体素子4,5から発生する電磁ノイズが光モジュール41外部に漏れ出すのを低減でき、同様に外部から飛来する電磁波ノイズが光モジュール41内部に入るのを低減することもできる。さらに、光導波路42の裏面側からの放熱効果を高めることができる。
光モジュール41では、保護用樹脂層8が光通信波長帯域の光に対して透明である必要があるが、通常、上述したシリコーン系、エポキシ系などの熱硬化型樹脂やUV(紫外線)硬化型樹脂は、この条件を満たすので問題なく使用できる。
この光モジュール41によっても、電子デバイス1と同じ作用効果が得られる。光モジュール41の変形例として、光素子にPDを用い、半導体素子にPD用のプリアンプを用いてもよい。また、光モジュール41の変形例としては、図2の電子デバイス21や図3の電子デバイス31の構成を盛り込んでもよい。
光モジュール41では、素子実装部3x以外の部分に可とう性を与えるため、ポリマからなる光導波路42を用いたが、光モジュールとしては、石英基板上にガラスからなる光導波路を用いた光モジュールであってもよい。
上記第1〜4の実施形態では、半導体素子4,5の上部表面及び側面上部を露出した例を示したが、露出させる表面はこれに限定されるものではなく、所望される放熱効果により露出させる表面を適宜決めればよい。
また、複数本のグランドパターン3gを素子実装部3xに形成し、上述した各放熱部材との接触箇所、接触面積を増やすことで、グランドパターン3gからの放熱効果をさらに高めることができる。
上記実施形態では、導電性材料として金属を例に挙げて説明したが、導電性材料として導電性樹脂などを用いてもよい。
1 電子デバイス
2 基板
3 配線パターン
4,5 半導体素子
8 樹脂層
9 放熱部材
2 基板
3 配線パターン
4,5 半導体素子
8 樹脂層
9 放熱部材
Claims (6)
- 基板上に配線パターンを形成し、その配線パターンは信号線パターンを有し、その信号線パターンにIC等の半導体素子を実装した電子デバイスにおいて、上記半導体素子が実装される素子実装部の信号線パターンに上記半導体素子を実装し、上記素子実装部の上記信号線パターンと上記半導体素子とを、上記半導体素子の少なくとも表面が露出するように樹脂層で覆い、その樹脂層と上記半導体素子の露出した表面とを導電性材料からなる放熱部材で覆ったことを特徴とする電子デバイス。
- 上記放熱部材は、上記配線パターンのグランド、あるいは上記基板内のグランドと接触させる請求項1記載の電子デバイス。
- 上記信号線パターンは、上記素子実装部以外の上記信号線パターンが絶縁層で覆われ、上記素子実装部に設けられた信号線パターンを覆う樹脂層が上記絶縁層と接触する請求項1または2記載の電子デバイス。
- 上記放熱部材は、上記樹脂層と上記半導体素子の露出した表面とを覆う導電性接着剤層と、その導電性接着剤層に接触するように上記導電性接着剤層を覆う金属製カバーとからなる請求項1〜3いずれかに記載の電子デバイス。
- 上記基板にビアを形成し、そのビアに導電性ペーストを充填した請求項1〜4いずれかに記載の電子デバイス。
- 光導波路上に配線パターンを形成し、その配線パターンは信号線パターンを有し、その信号線パターンにIC等の半導体素子や光素子を実装した電子デバイスにおいて、上記半導体素子が実装される素子実装部の信号線パターンに上記半導体素子や上記光素子を実装し、上記素子実装部の上記信号線パターンと上記半導体素子と上記光素子とを、上記半導体素子および上記光素子の少なくとも表面が露出するように樹脂層で覆い、その樹脂層と上記半導体素子および上記光素子の露出した表面とを、請求項1〜5いずれかに記載した放熱部材で覆ったことを特徴とする光モジュール。
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