JP2008140870A - 電子デバイス及び光モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】電気部品や光部品などから出る電磁波ノイズの低減および放熱対策を図った電子デバイスを提供する。
【解決手段】基板２上に配線パターン３を形成し、その配線パターン３は信号線パターン３ｓを有し、その信号線パターン３ｓにＩＣ等の半導体素子４，５を実装した電子デバイス１において、半導体素子４，５が実装される素子実装部３ｘの信号線パターン３ｘに半導体素子４，５を実装し、素子実装部の信号線パターン３ｓと半導体素子４，５とを、半導体素子４，５の少なくとも表面が露出するように樹脂層８で覆い、その樹脂層８と半導体素子４，５の露出した表面とを導電性材料からなる放熱部材９で覆ったものである。
【選択図】図１

Description

本発明は、基板上に配線パターンを形成し、その配線パターンにＩＣ等の半導体素子を実装した電子デバイスや、光導波路上に配線パターンを形成し、その配線パターンにＩＣ等の半導体素子や光素子を実装した光モジュールに関する。

電子部品では電磁波ノイズと放熱の対策が必要である。例えば、携帯電話ではディスプレイ、カメラの画像の高解像度化、送受信するデータの大容量化、伝送速度の高速化に伴い、ディスプレイ、カメラ部と携帯電話本体をつなぐ信号線の伝送容量が増加している。

しかし、携帯電話機薄型化の要求を満たすためヒンジ部スペースが狭くなり、カメラ、ディスプレイ部と携帯電話本体をつなぐ信号線が増やしづらいという問題がある。

また、信号線とアンテナ間で電磁波ノイズにより通話品質が低下するなどの問題もある。これら問題は、携帯電話に限らず、車両の電気・電子機器においても同様である。

近年、携帯電話などの電気・電子機器に実装される電子デバイスや光モジュールへの適用を考え、従来のリジッド回路基板と共に、あるいはそれに代えてフレキシブル光配線が検討されている。

つまり、システム装置内および装置間の信号を高速に伝送する技術である光インターコネクションとして、フレキシブル光配線を利用することが検討されている。

フレキシブル光配線の主な構造としては、フレキシブル光導波路に光路変換用のミラーを形成し、その光路上に面発光半導体レーザ（ＶＣＳＥＬ）、フォトダイオード（ＰＤ）などの光素子を実装したものがある。

一方、ＥＭＩ（電磁波障害）対策をした従来の光モジュールとしては、図５に示すような光モジュール５１がある。光モジュール５１では、光素子５２や電気部品５３の全体を透明樹脂体５４で覆い、その透明樹脂体５４をシールド片５５で覆っている。また、図６に示すような光モジュール６１では、Ｓｉ基板６２に実装したＰＤ６３の全体を絶縁性樹脂６４，６５、導電性樹脂６６で覆っている。

特開平７−２８８３３２号公報 特開平１１−２６６４６号公報

しかしながら、従来のフレキシブル光配線において、ＶＣＳＥＬ、ＰＤおよびそれらを駆動するためのＩＣ（例えば、半導体レーザ（ＬＤ）用のドライバ、ＰＤ用のプリアンプ）などから電磁波が発生して他の電気部品へ影響を及ぼすため、信号の光化のメリットである低ＥＭＩの効果が薄れるという問題がある。

また、従来のフレキシブル光配線や光モジュール５１，６１では、放熱対策が考慮されておらず、光部品や電気部品の全体を樹脂で覆っているため、電気部品や光部品から発生した熱により、動作が不安定になるという問題がある。特に、光モジュール６１はＰＤ６３の全体を絶縁性樹脂６４で覆っているため、高い放熱性が期待できない。

そこで、本発明の目的は、電気部品や光部品などから出る電磁波ノイズの低減および放熱対策を図った電子デバイス及び光モジュールを提供することにある。

本発明は上記目的を達成するために創案されたものであり、請求項１の発明は、基板上に配線パターンを形成し、その配線パターンは信号線パターンを有し、その信号線パターンにＩＣ等の半導体素子を実装した電子デバイスにおいて、上記半導体素子が実装される素子実装部の信号線パターンに上記半導体素子を実装し、上記素子実装部の上記信号線パターンと上記半導体素子とを、上記半導体素子の少なくとも表面が露出するように樹脂層で覆い、その樹脂層と上記半導体素子の露出した表面とを導電性材料からなる放熱部材で覆った電子デバイスである。

請求項２の発明は、上記放熱部材は、上記配線パターンのグランド、あるいは上記基板内のグランドと接触させる請求項１記載の電子デバイスである。

請求項３の発明は、上記信号線パターンは、上記素子実装部以外の上記信号線パターンが絶縁層で覆われ、上記素子実装部に設けられた信号線パターンを覆う樹脂層が上記絶縁層と接触する請求項１または２記載の電子デバイスである。

請求項４の発明は、上記放熱部材は、上記樹脂層と上記半導体素子の露出した表面とを覆う導電性接着剤層と、その導電性接着剤層に接触するように上記導電性接着剤層を覆う金属製カバーとからなる請求項１〜３いずれかに記載の電子デバイスである。

請求項５の発明は、上記基板にビアを形成し、そのビアに導電性ペーストを充填した請求項１〜４いずれかに記載の電子デバイスである。

請求項６の発明は、光導波路上に配線パターンを形成し、その配線パターンは信号線パターンを有し、その信号線パターンにＩＣ等の半導体素子や光素子を実装した電子デバイスにおいて、上記半導体素子が実装される素子実装部の信号線パターンに上記半導体素子や上記光素子を実装し、上記素子実装部の上記信号線パターンと上記半導体素子と上記光素子とを、上記半導体素子および上記光素子の少なくとも表面が露出するように樹脂層で覆い、その樹脂層と上記半導体素子および上記光素子の露出した表面とを、請求項１〜５いずれかに記載した放熱部材で覆った光モジュールである。

本発明によれば、電磁波ノイズの低減と放熱対策が容易であり、かつより効果的に実施可能になる。

以下、本発明の好適な実施形態を添付図面にしたがって説明する。

図１（ａ）は本発明の好適な第１の実施形態を示す電子デバイスの断面図、図１（ｂ）はその平面図である。

図１に示すように、第１の実施形態に係る電子デバイス１は、基板２上に配線パターン３を形成し、その配線パターン３の素子実装部３ｘにおける信号線パターン３ｓに半導体素子４，５を、半田バンプ６によりフリップチップ実装してある。本実施形態では、基板２としてリジッド基板を用いた。

配線パターン３は、基板２の表面及び／又は裏面に形成した半導体素子４，５間や他の素子間、あるいは素子とリードを接続する信号線パターン３ｓ、基板２の表面及び／又は裏面に形成したグランドパターン３ｇ、基板２内に形成したグランドパターンやグランド層などで構成される。

半導体素子４，５としては、ＬＤ、ＶＣＳＥＬ、ＰＤなどの光素子や、ＬＤ、ＶＣＳＥＬ用のドライバ、ＰＤ用のプリアンプ、又はメモリ用ＩＣや電源用ＩＣ、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ ＩＣ：特定用途向けＩＣ）などがある。

基板２上の素子実装部３ｘ以外とグランドパターン３ｇ以外の配線パターン３は絶縁層（カバーレイ）７で覆われる。絶縁層７には、熱に強く、機械的強度も強いポリイミドなどの樹脂からなるものを用いる。

半導体素子４，５の実装に超音波によるフリップチップ実装を採用することで、はんだ付けなどの熱の発生が少なくなり、絶縁層７の材料に耐熱性の低いアクリル系の樹脂やエポキシ系の樹脂を用いることもできる。

さらに、電子デバイス１は、グランドパターン３ｇを除く素子実装部３ｘの大部分（素子実装部ｘの信号線パターン３ｓ）と半導体素子４，５とを、半導体素子４，５の少なくとも表面（図１（ａ）では、半導体素子４，５の上部である表面、側面上部）が露出するように保護用樹脂層８で覆い、その保護用樹脂層８と半導体素子４，５の保護用樹脂層８から露出した部分（図１（ａ）では、半導体素子４，５の上部である表面、側面上部）とを、導電性材料としての金属からなるドーム状の放熱部材９で密着させて覆ってある。

本実施形態では、放熱部材９をドーム状に形成した例で説明したが、放熱部材９の形状はドーム状に限定されるものではなく、半導体素子４，５と保護用樹脂層８を覆う形状であればよい。

保護用樹脂層８には、半導体素子４，５の実装部分、及び素子実装部３ｘの信号線パターン３ｓを樹脂により確実に保護するため、比較的粘度が低いシリコーン系、エポキシ系などの熱硬化型樹脂やＵＶ（紫外線）硬化型樹脂からなるものを用いる。

保護用樹脂層８を形成する樹脂は、半導体素子４，５の隙間から基板２上の素子実装部３ｘに滴下される。滴下された樹脂は、素子実装部３ｘに設けられた信号線パターン３ｓや半導体素子４，５の下面（フィリップチップ実装部）を流れ広がり、硬化後に保護用樹脂層８を形成する。このとき滴下量を調整することで、保護用樹脂層８から半導体素子４，５の表面を露出させることができる。

ここで、保護用樹脂層８の形成方法についてより詳細に説明する。

素子実装部３ｘは面積が数百μｍ×数百μｍ〜数ｍｍ×数ｍｍ程度であり、半導体素子４，５の高さも０．１〜１ｍｍ程度なので、半導体素子４，５の少なくとも表面が露出するように保護用樹脂層８で覆うには、１）ディスペンサー（液剤微量塗布装置）を用いたポッティングによる方法や、２）マスクとしてレジストを用いる方法で行う。

１）ディスペンサーを用いたポッティングによる方法；
まず、素子実装部３ｘの面積や半導体素子４，５の高さに応じて、粘度が既知である液状の保護用樹脂の滴下（塗布）量、滴下温度を決定する。決定した滴下量、滴下温度をディスペンサーに設定し、保護用樹脂をポッティングした後、保護用樹脂を熱処理、あるいはＵＶ照射により硬化させて保護用樹脂層８を形成する。

ディスペンサーには、滴下量が１μＬ以下の微量塗布、サイクルタイムが４０ｍｓｅｃ／ｓｈｏｔ程度の高速塗布が可能なものがあるため、保護用樹脂層８を高精度にかつ短時間で形成できる。

２）マスクとしてレジストを用いる方法；
予め保護用樹脂を滴下する部分以外に、ソルダレジストやフォトレジストを塗布してレジスト層を形成しておき、そのレジスト層をマスクにして、ディスペンサーを用いたポッティングを行う。レジスト層は、保護用樹脂層８形成後に剥離しても剥離しなくてもよい。この場合、レジスト層を形成する工程が増えるものの、保護用樹脂層８を所望の箇所に形成できる。

絶縁層７と保護用樹脂層８は接触させるとよい。これは、放熱部材９がグランドパターン３ｇ以外の配線パターン３と接触しないようにし、放熱部材９と信号線パターン３ｓのショートを防止するためである。ただし、放熱部材９で覆う部分の基板２上に配線パターン３がない場合には、絶縁層７と保護用樹脂層８は接触させなくてもよい。

放熱部材９は、グランドパターン３ｇや、基板２裏面のグランドパターン、あるいは基板２内のグランドパターンやグランド層と接触させるとよい。第１の実施形態では、保護用樹脂層８と半導体素子４，５の保護用樹脂層８から露出した部分を放熱部材９で覆う際に、グランドパターン３ｇの一部を放熱部材９で覆う（図１（ｂ）ではグランドパターン３ｇを横断するように放熱部材９で覆う）ことで、放熱部材９とグランドパターン３ｇを接触させた。

この放熱部材９は、蒸着、スパッタ、めっき、あるいは導電性ペーストにより形成したシールド膜（金属コート）からなる。この他、放熱部材９を導電性接着剤で形成してもよい。

放熱部材９の材質には、導電性が高いＡｕ、Ａｇ、Ｃｕの他に、Ａｌを用いてもよい。特に、Ａｕはこれらの金属の中では、最もさびにくく安定であり、しかも高周波の電磁波ノイズの低減効果が高いので、放熱部材９の材質として用いるとよい。導電性ペーストや導電性接着剤としては、例えば、エポキシ樹脂にＡｇなどの導電性フィラーを混合したものを用いる。

第１の実施形態の作用を説明する。

電子デバイス１は、素子部実装部３ｘに設けられた信号線パターン３ｓとフリップチップ実装した半導体素子４，５とを、半導体素子４，５の少なくとも表面が露出するように保護用樹脂層８で覆い、その保護用樹脂層８と半導体素子４，５の露出した表面とを導電性材料としての金属からなる放熱部材９で覆っている。

電子デバイス１においても、動作中に電気部品や光部品である半導体素子４，５などから電磁波ノイズと熱が発生する。

電子デバイス１では、内部の半導体素子４，５から発生する電磁波ノイズは、放熱部材９で遮蔽されるため、デバイス外部に漏れ出すのを低減でき、同様に外部から飛来する電磁波ノイズも、放熱部材９で遮蔽されるため、デバイス内部に入るのを低減できる。これにより、電子デバイス１は、電磁波ノイズを低減でき、ＥＭＩに強い。

さらに、電子デバイス１では、内部の半導体素子４，５から発生する熱は、保護用樹脂層８から露出した半導体素子４，５の上部表面が熱の出口になり、そこから放熱部材９を通して効率よく放熱されるため、放熱性が高く、動作が安定する。

したがって、電子デバイス１によれば、電気部品や光部品である半導体素子４，５などから発生する電磁波ノイズの低減と放熱対策が容易であり、かつこれらが効果的に実施可能になる。

電子デバイス１は、放熱部材９がグランドパターン３ｇと接触しており、グランドパターン３ｇがアースされているため、電磁波ノイズをより効果的に低減できる。

また、放熱部材９とグランドパターン３ｇとを接触させることで、放熱部材９に伝わった熱がグランドパターン３ｇを介して放熱される効果も得られる。

第２の実施形態を説明する。

図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、電子デバイス２１は、放熱部材２９が導電性接着剤層２２と金属製のカバー２３とからなるものである。導電性接着剤層２２は、保護用樹脂層８と半導体素子４，５の保護用樹脂層８から露出した部分とを覆うものであり、カバー２３は、導電性接着剤層２２に密着して接触するように導電性接着剤層２２を覆うものである。

すなわち、カバー２３は保護用樹脂層８を覆うように基板２上に載置され、カバー２３に設けられた図示しない樹脂注入孔よりカバー２３内に導電性接着剤が注入される。カバー２３は注入された導電性接着剤が流れ出ないように基板２上に接して設けられ、カバー２３内には導電性接着剤からなる導電性接着剤層２２が充填されると共に、カバー２３内に充填された導電性接着剤により、カバー２３は基板２に対し固定される。

本実施形態では、カバー２３を導電性接着剤のみで固定しているが、カバー２３を接着剤などで予め基板２に対して接着固定した後、導電性接着剤を注入してもよい。予め接着剤でカバー２３を基板２に対して接着固定することで、注入される導電性接着剤の漏れを防ぐことができる。

カバー２３は、板金加工やプレス加工で形成される。カバー２３は、図２（ａ）では箱状に形成しているが、ドーム状に形成してもよい。ドーム状のカバーの場合、箱状のカバー２３に比べると、折り曲げ加工する工程が不要なので、作製が簡単である。

この電子デバイス２１においても、放熱部材２９とグランドパターン３ｇを接触させるとよい。電子デバイス２１のその他の構成は、図１の電子デバイス１と同じである。

電子デバイス２１は、放熱部材２９が導電性接着剤層２２とカバー２３とからなるため、電子デバイス１に比べると、厚い放熱部材２９を簡単に形成できる。これにより、電子デバイス２１では、放熱部材２９に高いシールド効果を持たせることができる。

さらに、電子デバイス２１では、導電性接着剤層２２に用いる導電性接着剤の粘度が低い場合や、半導体素子４，５から発生した熱で導電性接着剤層２２が軟化した場合でも、カバー２３により導電性接着剤がカバー２３の外部へ漏れることを防止できる。電子デバイス２１のその他の作用効果は、電子デバイス１と同じである。

第３の実施形態を説明する。

図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように、電子デバイス３１は、図１の電子デバイス１の構成に加え、基板２の素子実装部３ｘおよび素子実装部３ｘの周囲に、基板２の表裏面を貫通するビア（スルーホール）３２を複数個形成し、各ビア３２に導電性ペーストｐを注入して充填し、めっきスルーホール３３を複数個形成したものである。

ビア３２の形成は、ＹＡＧレーザなどのレーザ加工で行う。各めっきスルーホール３３は、放熱部材９と接触させることが望ましい。また、いくつかのめっきスルーホール３３は、グランドパターン３ｇと接触させたり、その一部がグランドパターン３ｇを貫通するように形成したりするとよい。これは、グランドパターン３ｇ内にめっきスルーホール３３を形成すると、グランドパターン３ｇが十分に機能しないことがあるからである。

電子デバイス３１では、めっきスルーホール３３により、半導体素子４，５で発生した熱が放熱部材９だけでなく、めっきスルーホール３３を通して基板２の裏面からも放熱されるので、電子デバイス１に比べると、より放熱性を高めることができる。

また、グランドパターンは基板２の裏面に形成されることも多いため、この場合に電子デバイス３１を用いると、めっきスルーホール３３との接触が簡単になる。

電子デバイス３１の変形例として、放熱部材９の代わりに、図２の放熱部材２９を用いてもよい。この場合、めっきスルーホール３３をカバー２３の固定用、位置決め用穴としても利用できる。

上記実施形態では、基板２にリジッド基板を用いた電子デバイスについて説明したが、基板２としてフレキシブル基板を用いた電子デバイスでもよい。フレキシブル基板を用いた場合、フレキシブル基板の裏面側に補強板を設けるとよい。補強板を設けることで、信号線パターン３ｓに実装された半導体素子４，５の接続信頼性を向上させることができる。

また、補強板を金属製とすることにより、基板２の裏面側における電磁波ノイズの漏れを低減することができ、同様に外部からの電磁波ノイズが電子デバイス内に入るのを低減することができる。さらに、基板２裏面側からの放熱効果を高めることもできる。もちろん、リジッド基板の裏面側に金属製の補強板を設けることでも同様の効果を得ることができる。

第４の実施形態を説明する。上述した第１〜第３の実施形態では、本発明を電子デバイスに応用した例で説明したが、本発明は、光インターコネクションとしてフレキシブル光配線（フレキシブル光導波路）を用いた光モジュールにも応用できる。

図４に示すように、光モジュール４１は、例えば、電気信号を光信号に変換する光送信器の光送信部、光信号を電気信号に変換する光受信器の光受信部、あるいは光トランシーバの上述した光送信部や光受信部に使用される。

この光モジュール４１は、フレキシブル光配線としてポリマからなる光導波路４２を形成し、その光導波路４２上に配線パターン３を形成し、その配線パターン３の素子実装部３ｘに位置する信号線パターン３ｓに、光素子としてのＶＣＳＥＬ４４と、半導体素子としてのＶＣＳＥＬ用のドライバ４５とを、半田バンプ６によりフリップチップ実装してある。

光導波路４２は、コア４２ｃと、その上下に形成した上部クラッド４２ｕ、下部クラッド４２ｄとからなる。

ＶＣＳＥＬ４４の直下に位置するコア４２ｃと下部クラッド４２ｄには、ＶＣＳＥＬ４４から下方向に出射された光信号Ｌをコア４２ｃの長手方向（図４では左右方向）に伝送する光路変換ミラー４６が形成される。

光路変換ミラー４６の形成は、コア４２ｃと下部クラッド４２ｄに、ブレードやレーザ加工を用いて、ＶＣＳＥＬ４４からの光信号Ｌの出射方向に対して略４５°傾斜した傾斜面を有するＶ溝を形成し、その溝の傾斜面にＡｕなどの金属を蒸着して行うとよい。光導波路４２を作製する際に、型を用いて、コア４２ｃと下部クラッド４２ｄと同時に光路変換ミラー４６を形成してもよい。光路変換ミラー４６としては、多層誘電体膜からなるものを用いてもよい。

また、傾斜面に多層誘電体膜を形成したり、Ａｕなどの金属を蒸着したりせずに、Ｖ溝を空気層とし、これを全反射ミラーとして用いてもよい。

ＶＣＳＥＬ４４は、その出射面が光導波路４２の表面と対向するように、素子実装部３ｘに実装される。

さらに、光モジュール４１は、図１の電子デバイス１と同様に、グランドパターン３ｇを除く素子実装部３ｘの大部分（素子実装部ｘの信号線パターン３ｓ）とＶＣＳＥＬ４４，ドライバ４５とを、ＶＣＳＥＬ４４，ドライバ４５の少なくとも表面（図４では、ＶＣＳＥＬ４４，ドライバ４５の上部である表面、側面上部）が露出するように保護用樹脂層８で覆い、その保護用樹脂層８とＶＣＳＥＬ４４，ドライバ４５の保護用樹脂層８から露出した部分（図４では、ＶＣＳＥＬ４４，ドライバ４５の上部である表面、側面上部）とを、導電性材料としての金属からなるドーム状の放熱部材９で密着させて覆ってある。

放熱部材９で覆った後、素子実装部３ｘの直下部分に位置する光導波路４２の裏面に、素子実装部３ｘを補強する補強板４７を取り付ければ、フレキシブル光配線としての光導波路４２を備えた光モジュール４１が得られる。

補強板４７を金属製とすることで、光導波路４２裏面側でも内部の半導体素子４，５から発生する電磁ノイズが光モジュール４１外部に漏れ出すのを低減でき、同様に外部から飛来する電磁波ノイズが光モジュール４１内部に入るのを低減することもできる。さらに、光導波路４２の裏面側からの放熱効果を高めることができる。

光モジュール４１では、保護用樹脂層８が光通信波長帯域の光に対して透明である必要があるが、通常、上述したシリコーン系、エポキシ系などの熱硬化型樹脂やＵＶ（紫外線）硬化型樹脂は、この条件を満たすので問題なく使用できる。

この光モジュール４１によっても、電子デバイス１と同じ作用効果が得られる。光モジュール４１の変形例として、光素子にＰＤを用い、半導体素子にＰＤ用のプリアンプを用いてもよい。また、光モジュール４１の変形例としては、図２の電子デバイス２１や図３の電子デバイス３１の構成を盛り込んでもよい。

光モジュール４１では、素子実装部３ｘ以外の部分に可とう性を与えるため、ポリマからなる光導波路４２を用いたが、光モジュールとしては、石英基板上にガラスからなる光導波路を用いた光モジュールであってもよい。

上記第１〜４の実施形態では、半導体素子４，５の上部表面及び側面上部を露出した例を示したが、露出させる表面はこれに限定されるものではなく、所望される放熱効果により露出させる表面を適宜決めればよい。

また、複数本のグランドパターン３ｇを素子実装部３ｘに形成し、上述した各放熱部材との接触箇所、接触面積を増やすことで、グランドパターン３ｇからの放熱効果をさらに高めることができる。

上記実施形態では、導電性材料として金属を例に挙げて説明したが、導電性材料として導電性樹脂などを用いてもよい。

図１（ａ）は本発明の好適な第１の実施形態を示す電子デバイスの断面図、図１（ｂ）はその平面図である。 図２（ａ）は本発明の第２の実施形態を示す電子デバイスの断面図、図２（ｂ）はその平面図である。 図３（ａ）は本発明の第３の実施形態を示す電子デバイスの断面図、図３（ｂ）はその平面図である。 本発明の第４の実施形態を示す光モジュールの断面図である。 従来の光モジュールの一例を示す斜視図である。 従来の光モジュールの一例を示す断面図である。

符号の説明

１ 電子デバイス
２ 基板
３ 配線パターン
４，５ 半導体素子
８ 樹脂層
９ 放熱部材

Claims (6)

1. 基板上に配線パターンを形成し、その配線パターンは信号線パターンを有し、その信号線パターンにＩＣ等の半導体素子を実装した電子デバイスにおいて、上記半導体素子が実装される素子実装部の信号線パターンに上記半導体素子を実装し、上記素子実装部の上記信号線パターンと上記半導体素子とを、上記半導体素子の少なくとも表面が露出するように樹脂層で覆い、その樹脂層と上記半導体素子の露出した表面とを導電性材料からなる放熱部材で覆ったことを特徴とする電子デバイス。
2. 上記放熱部材は、上記配線パターンのグランド、あるいは上記基板内のグランドと接触させる請求項１記載の電子デバイス。
3. 上記信号線パターンは、上記素子実装部以外の上記信号線パターンが絶縁層で覆われ、上記素子実装部に設けられた信号線パターンを覆う樹脂層が上記絶縁層と接触する請求項１または２記載の電子デバイス。
4. 上記放熱部材は、上記樹脂層と上記半導体素子の露出した表面とを覆う導電性接着剤層と、その導電性接着剤層に接触するように上記導電性接着剤層を覆う金属製カバーとからなる請求項１〜３いずれかに記載の電子デバイス。
5. 上記基板にビアを形成し、そのビアに導電性ペーストを充填した請求項１〜４いずれかに記載の電子デバイス。
6. 光導波路上に配線パターンを形成し、その配線パターンは信号線パターンを有し、その信号線パターンにＩＣ等の半導体素子や光素子を実装した電子デバイスにおいて、上記半導体素子が実装される素子実装部の信号線パターンに上記半導体素子や上記光素子を実装し、上記素子実装部の上記信号線パターンと上記半導体素子と上記光素子とを、上記半導体素子および上記光素子の少なくとも表面が露出するように樹脂層で覆い、その樹脂層と上記半導体素子および上記光素子の露出した表面とを、請求項１〜５いずれかに記載した放熱部材で覆ったことを特徴とする光モジュール。

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