JP2008136868A - 低うず電流真空容器及びその製作方法 - Google Patents

Abstract

【課題】超伝導マグネットを囲繞するための低うず電流真空容器及びその製造方法を提供する。
【解決手段】真空容器アセンブリ（７０）は、うず電流を実質的に発生させない材料から形成された内側シリンダ（７４）及び外側シリンダ（７２）を含む。内側シリンダ（７４）は、それに接して環状のフランジ（７６）を有する第１の半分（７８）と第２の半分（８０）を含む。複数の金属界面（８２、８４、８６）が内側シリンダ（７４）及び外側シリンダ（７２）に接続されている。複数の金属界面（８２、８４、８６）は内側シリンダ（７４）の第１の半分（７８）と第２の半分（８０）を結合させており、かつまた内側シリンダ（７４）を外側シリンダ（７２）に結合させている。
【選択図】図３

Description

本発明は、全般的には磁気共鳴撮像（ＭＲＩ）システムに関し、さらに詳細にはＭＲＩシステム内で超伝導マグネットを囲繞するための低うず電流真空容器及び該真空容器の製造方法に関する。

ＭＲＩシステムは、患者その他の対象物がその内部に配置される強力で均一な磁場を発生させるために超伝導マグネットを利用している。次いで、磁場傾斜コイルと無線周波数送信及び受信コイルとによって対象物内の磁気回転材料に影響を与え、有用な画像の形成に使用できる信号を誘発させている。こうしたコイルを使用している別のシステムには、スペクトロスコピーシステム、磁気エネルギー貯蔵システム、及び超伝導発電機が含まれる。

ＭＲＩで使用する場合、動作時にマグネットを環境から隔絶させる真空容器内に超伝導マグネットを配置させる。この超伝導マグネットはさらに、冷却用マス内でコイルを支持するためのコイル支持構造と、冷却のためのヘリウム容器と、を有する。このヘリウム容器は、熱的隔絶のために真空容器の内部に配置させた圧力容器であり、また典型的には超伝導マグネットを超伝導動作のために約４．２ケルビンの温度に維持するような冷却を提供するために液体ヘリウムを包含している。

ＭＲＩシステム内の真空容器は全体として、マグネットの組み上げ時に互いに溶接させて圧力境界を形成するための構成要素から製作されている。ＭＲＩマグネットの真空容器の機能は、適正な真空動作が維持されるような信頼性が高い圧力境界を提供することにある。当技術分野で周知の真空容器は通常、ステンレス鋼、炭素鋼、アルミニウムなどの金属から製作されている。金属製真空容器は真空力に抗する強度は十分であるが、ＭＲシステムの傾斜コイルが発生させるＡＣ磁場などのＡＣ磁場に曝されるとうず電流や撮像ボリューム内の無用な磁場歪みを発生させる。マグネットをＡＣ磁場環境内で動作させると、こうした金属構成要素内にうず電流が誘導されることになる。ＭＲＩシステムの真空容器内のうず電流は、撮像ボリューム内に無用な磁場歪みを生じさせ画質に悪影響を与える。さらにうず電流加熱によって構造上の問題や熱の問題が生じることがある。すなわち、ＡＣ損失によって総熱負荷が増加すると共に、ヘリウムを極低温に維持するためのコストも増大する。

うず電流の低減では真空容器の組成が重要な役割をするが、真空容器の構造上の一体性もＭＲＩシステムを効率よく動作させるために重要である。真空容器は、真空動作が維持されるような信頼性が高い圧力境界を提供することが必要である。真空容器を出入りするようなリークや気体の浸透があると、時間の経過と共に真空圧力が上昇し、これによってマグネットの熱負荷も上昇することになる。
米国特許第６７８３０５９号

したがって、真空容器内のうず電流による磁場の実効損失を低下させること、並びに信頼性が高い圧力境界が提供されるようにその真空容器を確実にリークの無いものにすることが必要とされている。

本発明は、真空容器内におけるうず電流形成を低減させると共に信頼性が高い圧力境界が提供されるようにその真空容器を確実にリークの無いものにした装置並びにその製造方法を提供することによって上述の欠点を克服している。

したがって本発明の一態様では、磁気共鳴撮像（ＭＲＩ）システムは、磁場を発生させるための少なくとも１つのマグネットと、該少なくとも１つのマグネットが発生させた磁場を傾斜磁場によって操作するための少なくとも１つの傾斜コイルと、を含む。本ＭＲＩシステムはさらに、少なくとも１つのマグネットを覆っている真空容器を含んでおり、この真空容器は、少なくとも１つの傾斜コイルの動作中のその内部のうず電流を実質的に低減させる非金属材料から形成された内側シリンダであって、環状フランジをそれに接して有する第１の半分及び第２の半分を含んだ内側シリンダを含む。この真空容器はさらに、少なくとも１つの傾斜コイルの動作中のその内部のうず電流を実質的に低減させる非金属材料から形成された外側シリンダを含む。

本発明の別の態様では、ＭＲＩシステム内の真空容器を製造するための方法は、複合材料製のフランジ付き内側シリンダの第１及び第２の半分を形成する工程と、この第１及び第２の半分のそれぞれの非フランジ側端部に金属コネクタを取り付ける工程と、この金属コネクタを溶接して第１の半分と第２の半分を接続する工程と、を含む。本方法はさらに、複合材料製の外側シリンダを形成する工程と、フランジ付きの内側シリンダ及び外側シリンダに複数の金属界面を取り付ける工程と、を含む。

本発明のさらに別の態様では、超伝導マグネットの冷却に使用するための真空容器アセンブリは、複数の複合材環形スペーサと、この複数の複合材環形スペーサに取り付けられると共に１対の内側シリンダ／フランジ構成要素を形成するように構成された複数の複合材層と、を含む。本真空容器アセンブリはさらに、複合材外側シリンダと、１対の内側シリンダ／フランジ構成要素を溶接接続させかつ該１対の内側シリンダ／フランジ構成要素を外側シリンダに溶接接続するように構成された複数の金属界面と、を含んでおり、該複数の金属界面は真空容器アセンブリ内のうず電流を低減させるように位置決めされている。

本発明に関する別の様々な特徴及び利点は、以下の詳細な説明及び図面から明らかとなろう。

図面では、本発明を実施するために目下のところ企図されている一実施形態を図示している。

図１を参照すると、本発明の一実施形態を組み込んでいる好ましい磁気共鳴撮像（ＭＲＩ）システム１０の主要コンポーネントを表している。このＭＲシステムの動作は、キーボードその他の入力デバイス１３、制御パネル１４及び表示画面１６を含むオペレータコンソール１２から制御を受けている。コンソール１２は、オペレータが画像の作成及び表示画面１６上への画像表示を制御できるようにする単独のコンピュータシステム２０と、リンク１８を介して連絡している。コンピュータシステム２０は、バックプレーン２０ａを介して互いに連絡している多くのモジュールを含んでいる。これらのモジュールには、画像プロセッサモジュール２２、ＣＰＵモジュール２４、並びに当技術分野でフレームバッファとして知られている画像データアレイを記憶するためのメモリモジュール２６が含まれる。コンピュータシステム２０は、画像データ及びプログラムを記憶するためにディスク記憶装置２８及び着脱可能記憶装置３０とリンクしており、さらに高速シリアルリンク３４を介して単独のシステム制御部３２と連絡している。入力デバイス１３は、マウス、ジョイスティック、キーボード、トラックボール、タッチ作動スクリーン、光学読取り棒、音声制御器、あるいは同様な任意の入力デバイスや同等の入力デバイスを含むことができ、また入力デバイス１３は対話式幾何学指定のために使用することができる。

システム制御部３２は、バックプレーン３２ａにより互いに接続させたモジュールの組を含んでいる。これらのモジュールには、ＣＰＵモジュール３６や、シリアルリンク４０を介してオペレータコンソール１２に接続させたパルス発生器モジュール３８が含まれる。システム制御部３２は、実行すべきスキャンシーケンスを指示するオペレータからのコマンドをこのリンク４０を介して受け取っている。パルス発生器モジュール３８は、各システムコンポーネントを動作させて所望のスキャンシーケンスを実行させ、発生させるＲＦパルスのタイミング、強度及び形状、並びにデータ収集ウィンドウのタイミング及び長さを指示するデータを発生させている。パルス発生器モジュール３８は、スキャン中に発生させる傾斜パルスのタイミング及び形状を指示するために１組の傾斜増幅器４２と接続させている。パルス発生器モジュール３８はさらに、生理学的収集制御器４４から患者データを受け取ることができ、この生理学的収集制御器４４は、患者に装着した電極からのＥＣＧ信号など患者に接続した異なる多数のセンサからの信号を受け取っている。また最終的には、パルス発生器モジュール３８はスキャン室インタフェース回路４６と接続されており、スキャン室インタフェース回路４６はさらに、患者及びマグネット系の状態に関連付けした様々なセンサからの信号を受け取っている。このスキャン室インタフェース回路４６を介して、患者位置決めシステム４８はスキャンのために患者を所望の位置に移動させるコマンドを受け取っている。

パルス発生器モジュール３８が発生させる傾斜波形は、Ｇｘ増幅器、Ｇｙ増幅器及びＧｚ増幅器を有する傾斜増幅器システム４２に加えられる。各傾斜増幅器は、収集した信号の空間エンコードに使用する磁場傾斜を生成させるように全体を番号５０で示す傾斜コイルアセンブリ内の物理的に対応する傾斜コイルを励起させている。傾斜磁場コイルアセンブリ５０は、超伝導マグネット５４及び全身用ＲＦコイル５６を含むマグネットアセンブリ５２の一部を形成している。システム制御部３２内の送受信器モジュール５８は、ＲＦ増幅器６０により増幅を受けて送信／受信スイッチ６２によりＲＦコイル５６に結合されるようなパルスを発生させている。患者内の励起された原子核が放出して得られた信号は、同じＲＦコイル５６により検知し、送信／受信スイッチ６２を介して前置増幅器６４に結合させることができる。増幅したＭＲ信号は、送受信器５８の受信器部分で復調され、フィルタ処理され、さらにディジタル化される。送信／受信スイッチ６２は、パルス発生器モジュール３８からの信号により制御し、送信モードではＲＦ増幅器６０をコイル５６と電気的に接続させ、受信モードでは前置増幅器６４をコイル５６に接続させている。送信／受信スイッチ６２によりさらに、送信モードと受信モードのいずれに関しても単独のＲＦコイル（例えば、表面コイル）を使用することが可能となる。

ＲＦコイル５６により取り込まれたＭＲ信号は送受信器モジュール５８によりディジタル化され、システム制御部３２内のメモリモジュール６６に転送される。未処理のｋ空間データのアレイをメモリモジュール６６内に収集し終わると１回のスキャンが完了となる。この未処理のｋ空間データは、各画像を再構成させるように別々のｋ空間データアレイの形に配置し直しており、これらの各々は、データをフーリエ変換して画像データのアレイにするように動作するアレイプロセッサ６８に入力される。この画像データはシリアルリンク３４を介してコンピュータシステム２０に送られ、コンピュータシステム２０において画像データはディスク記憶装置２８内などの記憶装置内に格納される。この画像データは、オペレータコンソール１２から受け取ったコマンドに応じて、着脱可能記憶装置３０上などの長期記憶内にアーカイブしたり、画像プロセッサ２２によりさらに処理してオペレータコンソール１２に伝達しディスプレイ１６上に表示させたりすることができる。

図２に示すようにＭＲＩシステム１０はさらに、図１の超伝導マグネット５４を覆いかつ囲繞する真空容器アセンブリ７０を含む。真空容器アセンブリ７０は、その中心軸を基準として互いに同心円状に配列させた外側シリンダ７２及び内側シリンダ７４を有する。外側シリンダ７２及び内側シリンダ７４は全体としてその内部におけるうず電流形成に抗する複合材料から構成されている。この複合材料はＧ１０など炭素繊維やガラス繊維の形態とすることが好ましいが、適当な別の材料も使用できることが想定される。真空容器アセンブリ７０の相対する側にはこの複合材シリンダ７２、７４に対して軸方向に配列させた環状フランジ７６があり、これら環状フランジ７６と複合材シリンダ７２、７４は一体となって真空容器アセンブリ７０内部に１つの真空チェンバを形成している。外側シリンダ７２の直径と環状フランジ７６の外径は概ね同じであることに留意されたい。同様に、内側シリンダ７４の直径と環状フランジ７６の内径も同様に同じである。

ここで図３を見ると、図１及び２の真空容器アセンブリ７０に関する分解図を表している。本図に示したように、真空容器アセンブリ７０は外側シリンダ７２及び内側シリンダ７４を含んでおり、この内側シリンダ７４はさらに内側シリンダ７４の左半分及び右半分を形成するような第１の半分７８及び第２の半分８０からなっている。真空容器アセンブリ７０はさらに、内側シリンダ７４の第１の半分７８と第２の半分８０を接合するため、内側シリンダ７４と外側シリンダ７２を接続するため、並びに真空容器アセンブリ７０をＭＲＩシステム内の別の構造構成要素（図示せず）に接続するための複数の金属界面８２、８４、８６を含む。金属界面８２、８４、８６は、溶接操作に資するようなステンレス鋼、炭素鋼、アルミニウムなどの非磁気伝導性金属から形成されている。金属界面８２、８４、８６は、内側シリンダの各半分７８、８０に取り付けられた１対の内径（ＩＤ）金属リング８２と、外側シリンダ７２の周りに巻き付けられた金属エンベロープ８４と、内側シリンダ７４の環状フランジ７６に取り付けられた外径（ＯＤ）金属リング８６と、を含む。金属界面８２、８４、８６によって真空容器アセンブリ７０を製作するための溶接界面が提供される（これについては、以下でさらに詳細に説明することにする）。

上で述べたように、真空容器アセンブリ７０の内側シリンダ７４は第１の半分７８及び第２の半分８０を含む。内側シリンダ７４の第１の半分７８と第２の半分８０のそれぞれは、これに付けられた１つの環形フランジ７６を包含している。図４に示すような好ましい一実施形態では、内側シリンダ７４の第１の半分７８と第２の半分８０はＧ１０などの材料から形成された複合材環形スペーサ８８を起点として形成されている。Ｇ１０は好ましい材料の１つであるが、別のガラス繊維強化プラスチックを含む適当な別の材料も想定される。炭素繊維層９０は環状フランジ７６及び内側シリンダ７４を形成するように環形スペーサ８８の両側に配置されている。炭素繊維層９０は単軸性であると共に、層間でのうず電流の流れを防止するように互いから電気絶縁されている。このことは、炭素繊維層９０の中間にガラス繊維などの絶縁材料を置くことによって実現することができる。こうした製作法によって環状フランジ７６に対する、並びに環状フランジ７６と内側シリンダ７４の間における曲げ剛性が上昇する。

内側シリンダ７４の第１の半分７８と第２の半分８０を結合させるために、内側シリンダ７４の第１の半分７８と第２の半分８０の非フランジ側端部９２にＩＤ金属リング８２が取り付けられている。ＩＤ金属リング８２は第１の半分７８と第２の半分８０の複合材料に接着されることが好ましいが、別の適当な結合材料や処理によってＩＤ金属リング８２を取り付けることも可能であることが想定される。ＩＤ金属リング８２を内側シリンダ７４の第１の半分７８と第２の半分８０に対して確保させた後は、これによって内側シリンダの第１の半分７８を第２の半分８０に溶接するのに適した界面が提供される。したがって、第１の半分７８と第２の半分８０を一体に溶接し、図５の溶接接続９６で示したような連続性の内側シリンダ７４を形成させることが可能である。再度図４を見ると、内側シリンダ７４が別々に形成されておりかつ外側シリンダ７２から離れているため、第１の半分７８と第２の半分８０の間の溶接接続９６についてリークの有無をチェックすることが可能であることが想定されよう。溶接接続９６にリークが見つかった場合、こうしたリークを修復するために溶接接続９６のやり直しまたは重ね溶接を行うことができる。

内側シリンダ７４の第１の半分７８と第２の半分８０に対して溶接界面を提供すること以外に、ＩＤ金属リング８２はさらに、ＭＲＩシステム１０内での傾斜パルス磁場との磁束鎖交を最小化するように位置決めされ、これによって真空容器アセンブリ７０におけるうず電流加熱を低減している。このように位置決めされると、マグネット中間面９４においてＩＤ金属リング８２により囲繞される正味の磁束は、ｘ、ｙ及びｚ傾斜（すなわち、Ｇｘ、Ｇｙ及びＧｚ）についてゼロになる。

図４に戻ると、複合材外側シリンダ７２を半径方向で覆うように薄い金属エンベロープ８４を配列させている。金属エンベロープ８４は外側シリンダ７２の複合材料に接着させることが好ましいが、金属エンベロープ８４はまた適当な別の結合処理によって取り付けできることも想定される。金属エンベロープ８４単独では、真空容器アセンブリ７０内部に真空が導入されたときの圧力差に由来する力に耐えるだけの十分な強度はない。しかし、その下側に複合材外側シリンダ７２を組み合わせると、金属エンベロープ８４は真空荷重に耐えると共に、外側シリンダ７２に対して追加的な構造支持を提供することが可能である。さらに金属エンベロープ８４は、複合材外側シリンダ７４を通した真空容器アセンブリ７０内へのリークを防止するための気密性境界を生成するように真空容器アセンブリ７０に対して圧力境界を提供することができる。

薄い金属エンベロープ８４を使用すると真空容器アセンブリ７０全体に対するＡＣ磁場の影響が低減されるため、金属エンベロープ８４は最小の厚みを有することが好ましい。ＭＲＩシステム１０の磁場は外側シリンダ７２を取り囲む金属エンベロープ８４によってあまり大きな影響を受けることがない（特にボア９８内において重要）ことに留意されたい。その理由は、真空ボリューム１００内に配置された超伝導マグネット５４によって、電磁波１０２で示したようなボア９８内に導かれる磁場が提供されるためである。

図４には、内側シリンダ７４の環状フランジ７６に取り付けられた外径（ＯＤ）金属リング８６も示している。ＯＤ金属リング８６は、環状フランジ７６内に形成された溝１０６に取り付けられるように位置決めされている。したがって、接着や同様の結合処理によってＯＤ金属リング８６が複合材環状フランジ７６に取り付けられると、図４に示すように環状フランジ７６全体の面に沿って平坦な表面が形成される。ＯＤ金属リング８６はさらに、外側シリンダ７２の周りに巻き付けられた金属エンベロープ８４と接触するように軸方向に位置決めされている。したがってＯＤ金属リング８６と金属エンベロープ８４によって、図６の溶接接続１０８によって特定されるような構成要素を互いに溶接させるための溶接界面が提供される。内側シリンダの各半分７８、８０の溶接の場合と同様にして、次いでＯＤ金属リング８６と金属エンベロープ８４の間の溶接接続１０８についてもリークの有無をチェックすることができる。リークが検出されると、内側シリンダ７４と外側シリンダ７２の間に確実にリークの無い真空封止を存在させるために溶接接続１０８上で追加の溶接を実施することができる。さらにＯＤ金属リング８６の位置によってＭＲＩシステム内での傾斜パルス磁場との磁束鎖交を最小化させ、これにより真空容器アセンブリ７０内のうず電流加熱を低減させている。

本発明のさらに別の実施形態では、真空容器アセンブリ７０の内側シリンダ７４及び外側シリンダ７２に真空性能を改善させるための浸透抵抗性コーティングを付着させることが可能であることも想定される。すなわち、内側シリンダ７４を外側シリンダ７２に溶接する前に、内側シリンダ７４に浸透抵抗性コーティングを付着させる。外側シリンダ７２にも、これを金属エンベロープ８４に接続する前に追加の浸透抵抗性コーティングを付着させている。

上述の実施形態では真空容器アセンブリ７０の様々な構成要素を接続させる好ましい一形態としての溶接処理について記載しているが、複合材内側シリンダ７４を外側シリンダ７２と接合させるため並びに内側シリンダ７４の第１の半分７８と第２の半分８０を接合させるためには別の結合処理を用いることも可能であることが想定される。

したがって本発明の一実施形態では、磁気共鳴撮像（ＭＲＩ）システムは、磁場を発生させるための少なくとも１つのマグネットと、該少なくとも１つのマグネットが発生させた磁場を傾斜磁場によって操作するための少なくとも１つの傾斜コイルと、を含む。本ＭＲＩシステムはさらに、少なくとも１つのマグネットを覆っている真空容器を含んでおり、この真空容器は、少なくとも１つの傾斜コイルの動作中のその内部のうず電流を実質的に低減させる非金属材料から形成された内側シリンダであって、環状フランジをそれに接して有する第１の半分及び第２の半分を含んだ内側シリンダを含む。この真空容器はさらに、少なくとも１つの傾斜コイルの動作中のその内部のうず電流を実質的に低減させる非金属材料から形成された外側シリンダを含む。

本発明の別の実施形態では、ＭＲＩシステム内の真空容器を製造するための方法は、複合材料製のフランジ付き内側シリンダの第１及び第２の半分を形成する工程と、この第１及び第２の半分のそれぞれの非フランジ側端部に金属コネクタを取り付ける工程と、この金属コネクタを溶接して第１の半分と第２の半分を接続する工程と、を含む。本方法はさらに、複合材料製の外側シリンダを形成する工程と、フランジ付きの内側シリンダ及び外側シリンダに複数の金属界面を取り付ける工程と、を含む。

本発明のさらに別の実施形態では、超伝導マグネットの冷却に使用するための真空容器アセンブリは、複数の複合材環形スペーサと、この複数の複合材環形スペーサに取り付けられると共に１対の内側シリンダ／フランジ構成要素を形成するように構成された複数の複合材層と、を含む。本真空容器アセンブリはさらに、複合材外側シリンダと、１対の内側シリンダ／フランジ構成要素を溶接接続させかつ該１対の内側シリンダ／フランジ構成要素を外側シリンダに溶接接続するように構成された複数の金属界面と、を含んでおり、該複数の金属界面は真空容器アセンブリ内のうず電流を低減させるように位置決めされている。

本発明を好ましい実施形態に関して記載してきたが、明示的に記述した以外に等価、代替及び修正が可能であり、これらも添付の特許請求の範囲の域内にあることを理解されたい。また、図面の符号に対応する特許請求の範囲中の符号は、単に本願発明の理解をより容易にするために用いられているものであり、本願発明の範囲を狭める意図で用いられたものではない。そして、本願の特許請求の範囲に記載した事項は、明細書に組み込まれ、明細書の記載事項の一部となる。

本発明の一実施形態による磁気共鳴撮像（ＭＲＩ）システムのブロック概要図である。 本発明の一実施形態による真空容器アセンブリの斜視図である。 図２の真空容器アセンブリの分解図である。 図２の線３−３に沿って切って見た側面断面図である。 図４の４−４部分の詳細図である。 図４の５−５部分の詳細図である。

符号の説明

１０ ＭＲＩシステム
１２ オペレータコンソール
１３ キーボードその他の入力デバイス
１４ 制御パネル
１６ 表示画面
１８ リンク
２０ コンピュータシステム
２０ａ バックプレーン
２２ 画像プロセッサモジュール
２４ ＣＰＵモジュール
２６ メモリモジュール
２８ ディスク記憶装置
３０ 着脱可能記憶装置
３２ システム制御部
３２ａ バックプレーン
３４ 高速シリアルリンク
３６ ＣＰＵモジュール
３８ パルス発生器モジュール
４０ シリアルリンク
４２ 傾斜増幅器
４４ 生理学的収集制御器
４６ スキャン室インタフェース回路
４８ 患者位置決めシステム
５０ 傾斜コイルアセンブリ
５２ マグネットアセンブリ
５４ 超伝導マグネット
５６ 全身用ＲＦコイル
５８ 送受信器モジュール
６０ ＲＦ増幅器
６２ 送信／受信スイッチ
６４ 前置増幅器
６６ メモリモジュール
６８ アレイプロセッサ
７０ 真空容器アセンブリ
７２ 外側シリンダ
７４ 内側シリンダ
７６ 環状フランジ
７８ 第１の半分
８０ 第２の半分
８２ 内径金属リング
８４ 金属エンベロープ
８６ 外径金属リング
８８ 環形スペーサ
９０ 炭素繊維層
９２ 非フランジ側端部
９４ マグネット中間面
９６ 溶接接続
９８ ボア
１００ 真空ボリューム
１０２ 電磁波
１０６ 溝
１０８ 溶接接続

Claims (10)

1. 磁場を発生させるための少なくとも１つのマグネット（５４）と、
   前記少なくとも１つのマグネット（５４）が発生させた磁場を傾斜磁場によって操作するための少なくとも１つの傾斜コイル（５０）と、
   前記少なくとも１つのマグネット（５４）を覆っている真空容器（７０）であって、
   前記少なくとも１つの傾斜コイル（５０）の動作中のその内部のうず電流を実質的に低減させる非金属材料から形成された内側シリンダ（７４）であって、環状フランジ（７６）をそれに接して有する第１の半分（７８）及び第２の半分（８０）を含む内側シリンダ（７４）と、
   前記少なくとも１つの傾斜コイル（５０）の動作中のその内部のうず電流を実質的に低減させる非金属材料から形成された外側シリンダ（７２）と、
   をさらに備えた真空容器（７０）と、
   を備える磁気共鳴撮像（ＭＲＩ）システム（１０）。
2. 前記内側シリンダ（７４）及び外側シリンダ（７２）に接続された複数の金属界面（８２、８４、８６）であって、内側シリンダ（７４）の第１の半分（７８）と第２の半分（８０）を結合させかつ内側シリンダ（７４）と外側シリンダ（７２）を結合させている複数の金属界面（８２、８４、８６）をさらに備える請求項１に記載の磁気共鳴撮像（ＭＲＩ）システム（１０）。
3. 前記複数の金属界面（８２、８４、８６）は前記外側シリンダ（７２）の周りに巻き付けられた金属エンベロープ（８４）を含む、請求項２に記載の磁気共鳴撮像（ＭＲＩ）システム（１０）。
4. 前記複数の金属界面（８２、８４、８６）は前記環状フランジ（７６）に付着させた外径金属リング（８６）を含む、請求項２に記載の磁気共鳴撮像（ＭＲＩ）システム（１０）。
5. 前記複数の金属界面（８２、８４、８６）は、前記内側シリンダ（７４）の第１の半分（７８）及び第２の半分（８０）の非フランジ側端部（９２）に付着させた内径金属リング（８２）を含む、請求項２に記載の磁気共鳴撮像（ＭＲＩ）システム（１０）。
6. 前記複数の金属界面（８２、８４、８６）は傾斜磁場との磁束鎖交を最小化するように位置決めされている、請求項２に記載の磁気共鳴撮像（ＭＲＩ）システム（１０）。
7. 前記複数の金属界面（８２、８４、８６）は前記内側シリンダ（７４）及び外側シリンダ（７２）に接着されている、請求項２に記載の磁気共鳴撮像（ＭＲＩ）システム（１０）。
8. 前記内側シリンダ（７４）の第１の半分（７８）及び第２の半分（８０）はさらに、
   前記少なくとも１つの傾斜コイル（５０）の動作中のうず電流が実質的に低減されるような材料から形成された環形スペーサ（８８）と、
   前記環形スペーサ（８８）に取り付けるように構成された複数の炭素繊維層（９０）と、
   を備える、請求項１に記載の磁気共鳴撮像（ＭＲＩ）システム（１０）。
9. 前記真空容器（７０）はさらに前記内側シリンダ（７４）及び外側シリンダ（７２）に付着させた浸透抵抗性コーティングを備える、請求項１に記載の磁気共鳴撮像（ＭＲＩ）システム（１０）。
10. その内部のうず電流を実質的に低減させる前記非金属材料は、炭素繊維、ガラス繊維複合材及びＧ１０材料のうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の磁気共鳴撮像（ＭＲＩ）システム（１０）。

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