JP2008136868A - 低うず電流真空容器及びその製作方法 - Google Patents

低うず電流真空容器及びその製作方法 Download PDF

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Abstract

【課題】超伝導マグネットを囲繞するための低うず電流真空容器及びその製造方法を提供する。
【解決手段】真空容器アセンブリ(70)は、うず電流を実質的に発生させない材料から形成された内側シリンダ(74)及び外側シリンダ(72)を含む。内側シリンダ(74)は、それに接して環状のフランジ(76)を有する第1の半分(78)と第2の半分(80)を含む。複数の金属界面(82、84、86)が内側シリンダ(74)及び外側シリンダ(72)に接続されている。複数の金属界面(82、84、86)は内側シリンダ(74)の第1の半分(78)と第2の半分(80)を結合させており、かつまた内側シリンダ(74)を外側シリンダ(72)に結合させている。
【選択図】図3

Description

本発明は、全般的には磁気共鳴撮像(MRI)システムに関し、さらに詳細にはMRIシステム内で超伝導マグネットを囲繞するための低うず電流真空容器及び該真空容器の製造方法に関する。
MRIシステムは、患者その他の対象物がその内部に配置される強力で均一な磁場を発生させるために超伝導マグネットを利用している。次いで、磁場傾斜コイルと無線周波数送信及び受信コイルとによって対象物内の磁気回転材料に影響を与え、有用な画像の形成に使用できる信号を誘発させている。こうしたコイルを使用している別のシステムには、スペクトロスコピーシステム、磁気エネルギー貯蔵システム、及び超伝導発電機が含まれる。
MRIで使用する場合、動作時にマグネットを環境から隔絶させる真空容器内に超伝導マグネットを配置させる。この超伝導マグネットはさらに、冷却用マス内でコイルを支持するためのコイル支持構造と、冷却のためのヘリウム容器と、を有する。このヘリウム容器は、熱的隔絶のために真空容器の内部に配置させた圧力容器であり、また典型的には超伝導マグネットを超伝導動作のために約4.2ケルビンの温度に維持するような冷却を提供するために液体ヘリウムを包含している。
MRIシステム内の真空容器は全体として、マグネットの組み上げ時に互いに溶接させて圧力境界を形成するための構成要素から製作されている。MRIマグネットの真空容器の機能は、適正な真空動作が維持されるような信頼性が高い圧力境界を提供することにある。当技術分野で周知の真空容器は通常、ステンレス鋼、炭素鋼、アルミニウムなどの金属から製作されている。金属製真空容器は真空力に抗する強度は十分であるが、MRシステムの傾斜コイルが発生させるAC磁場などのAC磁場に曝されるとうず電流や撮像ボリューム内の無用な磁場歪みを発生させる。マグネットをAC磁場環境内で動作させると、こうした金属構成要素内にうず電流が誘導されることになる。MRIシステムの真空容器内のうず電流は、撮像ボリューム内に無用な磁場歪みを生じさせ画質に悪影響を与える。さらにうず電流加熱によって構造上の問題や熱の問題が生じることがある。すなわち、AC損失によって総熱負荷が増加すると共に、ヘリウムを極低温に維持するためのコストも増大する。
うず電流の低減では真空容器の組成が重要な役割をするが、真空容器の構造上の一体性もMRIシステムを効率よく動作させるために重要である。真空容器は、真空動作が維持されるような信頼性が高い圧力境界を提供することが必要である。真空容器を出入りするようなリークや気体の浸透があると、時間の経過と共に真空圧力が上昇し、これによってマグネットの熱負荷も上昇することになる。
米国特許第6783059号
したがって、真空容器内のうず電流による磁場の実効損失を低下させること、並びに信頼性が高い圧力境界が提供されるようにその真空容器を確実にリークの無いものにすることが必要とされている。
本発明は、真空容器内におけるうず電流形成を低減させると共に信頼性が高い圧力境界が提供されるようにその真空容器を確実にリークの無いものにした装置並びにその製造方法を提供することによって上述の欠点を克服している。
したがって本発明の一態様では、磁気共鳴撮像(MRI)システムは、磁場を発生させるための少なくとも1つのマグネットと、該少なくとも1つのマグネットが発生させた磁場を傾斜磁場によって操作するための少なくとも1つの傾斜コイルと、を含む。本MRIシステムはさらに、少なくとも1つのマグネットを覆っている真空容器を含んでおり、この真空容器は、少なくとも1つの傾斜コイルの動作中のその内部のうず電流を実質的に低減させる非金属材料から形成された内側シリンダであって、環状フランジをそれに接して有する第1の半分及び第2の半分を含んだ内側シリンダを含む。この真空容器はさらに、少なくとも1つの傾斜コイルの動作中のその内部のうず電流を実質的に低減させる非金属材料から形成された外側シリンダを含む。
本発明の別の態様では、MRIシステム内の真空容器を製造するための方法は、複合材料製のフランジ付き内側シリンダの第1及び第2の半分を形成する工程と、この第1及び第2の半分のそれぞれの非フランジ側端部に金属コネクタを取り付ける工程と、この金属コネクタを溶接して第1の半分と第2の半分を接続する工程と、を含む。本方法はさらに、複合材料製の外側シリンダを形成する工程と、フランジ付きの内側シリンダ及び外側シリンダに複数の金属界面を取り付ける工程と、を含む。
本発明のさらに別の態様では、超伝導マグネットの冷却に使用するための真空容器アセンブリは、複数の複合材環形スペーサと、この複数の複合材環形スペーサに取り付けられると共に1対の内側シリンダ/フランジ構成要素を形成するように構成された複数の複合材層と、を含む。本真空容器アセンブリはさらに、複合材外側シリンダと、1対の内側シリンダ/フランジ構成要素を溶接接続させかつ該1対の内側シリンダ/フランジ構成要素を外側シリンダに溶接接続するように構成された複数の金属界面と、を含んでおり、該複数の金属界面は真空容器アセンブリ内のうず電流を低減させるように位置決めされている。
本発明に関する別の様々な特徴及び利点は、以下の詳細な説明及び図面から明らかとなろう。
図面では、本発明を実施するために目下のところ企図されている一実施形態を図示している。
図1を参照すると、本発明の一実施形態を組み込んでいる好ましい磁気共鳴撮像(MRI)システム10の主要コンポーネントを表している。このMRシステムの動作は、キーボードその他の入力デバイス13、制御パネル14及び表示画面16を含むオペレータコンソール12から制御を受けている。コンソール12は、オペレータが画像の作成及び表示画面16上への画像表示を制御できるようにする単独のコンピュータシステム20と、リンク18を介して連絡している。コンピュータシステム20は、バックプレーン20aを介して互いに連絡している多くのモジュールを含んでいる。これらのモジュールには、画像プロセッサモジュール22、CPUモジュール24、並びに当技術分野でフレームバッファとして知られている画像データアレイを記憶するためのメモリモジュール26が含まれる。コンピュータシステム20は、画像データ及びプログラムを記憶するためにディスク記憶装置28及び着脱可能記憶装置30とリンクしており、さらに高速シリアルリンク34を介して単独のシステム制御部32と連絡している。入力デバイス13は、マウス、ジョイスティック、キーボード、トラックボール、タッチ作動スクリーン、光学読取り棒、音声制御器、あるいは同様な任意の入力デバイスや同等の入力デバイスを含むことができ、また入力デバイス13は対話式幾何学指定のために使用することができる。
システム制御部32は、バックプレーン32aにより互いに接続させたモジュールの組を含んでいる。これらのモジュールには、CPUモジュール36や、シリアルリンク40を介してオペレータコンソール12に接続させたパルス発生器モジュール38が含まれる。システム制御部32は、実行すべきスキャンシーケンスを指示するオペレータからのコマンドをこのリンク40を介して受け取っている。パルス発生器モジュール38は、各システムコンポーネントを動作させて所望のスキャンシーケンスを実行させ、発生させるRFパルスのタイミング、強度及び形状、並びにデータ収集ウィンドウのタイミング及び長さを指示するデータを発生させている。パルス発生器モジュール38は、スキャン中に発生させる傾斜パルスのタイミング及び形状を指示するために1組の傾斜増幅器42と接続させている。パルス発生器モジュール38はさらに、生理学的収集制御器44から患者データを受け取ることができ、この生理学的収集制御器44は、患者に装着した電極からのECG信号など患者に接続した異なる多数のセンサからの信号を受け取っている。また最終的には、パルス発生器モジュール38はスキャン室インタフェース回路46と接続されており、スキャン室インタフェース回路46はさらに、患者及びマグネット系の状態に関連付けした様々なセンサからの信号を受け取っている。このスキャン室インタフェース回路46を介して、患者位置決めシステム48はスキャンのために患者を所望の位置に移動させるコマンドを受け取っている。
パルス発生器モジュール38が発生させる傾斜波形は、Gx増幅器、Gy増幅器及びGz増幅器を有する傾斜増幅器システム42に加えられる。各傾斜増幅器は、収集した信号の空間エンコードに使用する磁場傾斜を生成させるように全体を番号50で示す傾斜コイルアセンブリ内の物理的に対応する傾斜コイルを励起させている。傾斜磁場コイルアセンブリ50は、超伝導マグネット54及び全身用RFコイル56を含むマグネットアセンブリ52の一部を形成している。システム制御部32内の送受信器モジュール58は、RF増幅器60により増幅を受けて送信/受信スイッチ62によりRFコイル56に結合されるようなパルスを発生させている。患者内の励起された原子核が放出して得られた信号は、同じRFコイル56により検知し、送信/受信スイッチ62を介して前置増幅器64に結合させることができる。増幅したMR信号は、送受信器58の受信器部分で復調され、フィルタ処理され、さらにディジタル化される。送信/受信スイッチ62は、パルス発生器モジュール38からの信号により制御し、送信モードではRF増幅器60をコイル56と電気的に接続させ、受信モードでは前置増幅器64をコイル56に接続させている。送信/受信スイッチ62によりさらに、送信モードと受信モードのいずれに関しても単独のRFコイル(例えば、表面コイル)を使用することが可能となる。
RFコイル56により取り込まれたMR信号は送受信器モジュール58によりディジタル化され、システム制御部32内のメモリモジュール66に転送される。未処理のk空間データのアレイをメモリモジュール66内に収集し終わると1回のスキャンが完了となる。この未処理のk空間データは、各画像を再構成させるように別々のk空間データアレイの形に配置し直しており、これらの各々は、データをフーリエ変換して画像データのアレイにするように動作するアレイプロセッサ68に入力される。この画像データはシリアルリンク34を介してコンピュータシステム20に送られ、コンピュータシステム20において画像データはディスク記憶装置28内などの記憶装置内に格納される。この画像データは、オペレータコンソール12から受け取ったコマンドに応じて、着脱可能記憶装置30上などの長期記憶内にアーカイブしたり、画像プロセッサ22によりさらに処理してオペレータコンソール12に伝達しディスプレイ16上に表示させたりすることができる。
図2に示すようにMRIシステム10はさらに、図1の超伝導マグネット54を覆いかつ囲繞する真空容器アセンブリ70を含む。真空容器アセンブリ70は、その中心軸を基準として互いに同心円状に配列させた外側シリンダ72及び内側シリンダ74を有する。外側シリンダ72及び内側シリンダ74は全体としてその内部におけるうず電流形成に抗する複合材料から構成されている。この複合材料はG10など炭素繊維やガラス繊維の形態とすることが好ましいが、適当な別の材料も使用できることが想定される。真空容器アセンブリ70の相対する側にはこの複合材シリンダ72、74に対して軸方向に配列させた環状フランジ76があり、これら環状フランジ76と複合材シリンダ72、74は一体となって真空容器アセンブリ70内部に1つの真空チェンバを形成している。外側シリンダ72の直径と環状フランジ76の外径は概ね同じであることに留意されたい。同様に、内側シリンダ74の直径と環状フランジ76の内径も同様に同じである。
ここで図3を見ると、図1及び2の真空容器アセンブリ70に関する分解図を表している。本図に示したように、真空容器アセンブリ70は外側シリンダ72及び内側シリンダ74を含んでおり、この内側シリンダ74はさらに内側シリンダ74の左半分及び右半分を形成するような第1の半分78及び第2の半分80からなっている。真空容器アセンブリ70はさらに、内側シリンダ74の第1の半分78と第2の半分80を接合するため、内側シリンダ74と外側シリンダ72を接続するため、並びに真空容器アセンブリ70をMRIシステム内の別の構造構成要素(図示せず)に接続するための複数の金属界面82、84、86を含む。金属界面82、84、86は、溶接操作に資するようなステンレス鋼、炭素鋼、アルミニウムなどの非磁気伝導性金属から形成されている。金属界面82、84、86は、内側シリンダの各半分78、80に取り付けられた1対の内径(ID)金属リング82と、外側シリンダ72の周りに巻き付けられた金属エンベロープ84と、内側シリンダ74の環状フランジ76に取り付けられた外径(OD)金属リング86と、を含む。金属界面82、84、86によって真空容器アセンブリ70を製作するための溶接界面が提供される(これについては、以下でさらに詳細に説明することにする)。
上で述べたように、真空容器アセンブリ70の内側シリンダ74は第1の半分78及び第2の半分80を含む。内側シリンダ74の第1の半分78と第2の半分80のそれぞれは、これに付けられた1つの環形フランジ76を包含している。図4に示すような好ましい一実施形態では、内側シリンダ74の第1の半分78と第2の半分80はG10などの材料から形成された複合材環形スペーサ88を起点として形成されている。G10は好ましい材料の1つであるが、別のガラス繊維強化プラスチックを含む適当な別の材料も想定される。炭素繊維層90は環状フランジ76及び内側シリンダ74を形成するように環形スペーサ88の両側に配置されている。炭素繊維層90は単軸性であると共に、層間でのうず電流の流れを防止するように互いから電気絶縁されている。このことは、炭素繊維層90の中間にガラス繊維などの絶縁材料を置くことによって実現することができる。こうした製作法によって環状フランジ76に対する、並びに環状フランジ76と内側シリンダ74の間における曲げ剛性が上昇する。
内側シリンダ74の第1の半分78と第2の半分80を結合させるために、内側シリンダ74の第1の半分78と第2の半分80の非フランジ側端部92にID金属リング82が取り付けられている。ID金属リング82は第1の半分78と第2の半分80の複合材料に接着されることが好ましいが、別の適当な結合材料や処理によってID金属リング82を取り付けることも可能であることが想定される。ID金属リング82を内側シリンダ74の第1の半分78と第2の半分80に対して確保させた後は、これによって内側シリンダの第1の半分78を第2の半分80に溶接するのに適した界面が提供される。したがって、第1の半分78と第2の半分80を一体に溶接し、図5の溶接接続96で示したような連続性の内側シリンダ74を形成させることが可能である。再度図4を見ると、内側シリンダ74が別々に形成されておりかつ外側シリンダ72から離れているため、第1の半分78と第2の半分80の間の溶接接続96についてリークの有無をチェックすることが可能であることが想定されよう。溶接接続96にリークが見つかった場合、こうしたリークを修復するために溶接接続96のやり直しまたは重ね溶接を行うことができる。
内側シリンダ74の第1の半分78と第2の半分80に対して溶接界面を提供すること以外に、ID金属リング82はさらに、MRIシステム10内での傾斜パルス磁場との磁束鎖交を最小化するように位置決めされ、これによって真空容器アセンブリ70におけるうず電流加熱を低減している。このように位置決めされると、マグネット中間面94においてID金属リング82により囲繞される正味の磁束は、x、y及びz傾斜(すなわち、Gx、Gy及びGz)についてゼロになる。
図4に戻ると、複合材外側シリンダ72を半径方向で覆うように薄い金属エンベロープ84を配列させている。金属エンベロープ84は外側シリンダ72の複合材料に接着させることが好ましいが、金属エンベロープ84はまた適当な別の結合処理によって取り付けできることも想定される。金属エンベロープ84単独では、真空容器アセンブリ70内部に真空が導入されたときの圧力差に由来する力に耐えるだけの十分な強度はない。しかし、その下側に複合材外側シリンダ72を組み合わせると、金属エンベロープ84は真空荷重に耐えると共に、外側シリンダ72に対して追加的な構造支持を提供することが可能である。さらに金属エンベロープ84は、複合材外側シリンダ74を通した真空容器アセンブリ70内へのリークを防止するための気密性境界を生成するように真空容器アセンブリ70に対して圧力境界を提供することができる。
薄い金属エンベロープ84を使用すると真空容器アセンブリ70全体に対するAC磁場の影響が低減されるため、金属エンベロープ84は最小の厚みを有することが好ましい。MRIシステム10の磁場は外側シリンダ72を取り囲む金属エンベロープ84によってあまり大きな影響を受けることがない(特にボア98内において重要)ことに留意されたい。その理由は、真空ボリューム100内に配置された超伝導マグネット54によって、電磁波102で示したようなボア98内に導かれる磁場が提供されるためである。
図4には、内側シリンダ74の環状フランジ76に取り付けられた外径(OD)金属リング86も示している。OD金属リング86は、環状フランジ76内に形成された溝106に取り付けられるように位置決めされている。したがって、接着や同様の結合処理によってOD金属リング86が複合材環状フランジ76に取り付けられると、図4に示すように環状フランジ76全体の面に沿って平坦な表面が形成される。OD金属リング86はさらに、外側シリンダ72の周りに巻き付けられた金属エンベロープ84と接触するように軸方向に位置決めされている。したがってOD金属リング86と金属エンベロープ84によって、図6の溶接接続108によって特定されるような構成要素を互いに溶接させるための溶接界面が提供される。内側シリンダの各半分78、80の溶接の場合と同様にして、次いでOD金属リング86と金属エンベロープ84の間の溶接接続108についてもリークの有無をチェックすることができる。リークが検出されると、内側シリンダ74と外側シリンダ72の間に確実にリークの無い真空封止を存在させるために溶接接続108上で追加の溶接を実施することができる。さらにOD金属リング86の位置によってMRIシステム内での傾斜パルス磁場との磁束鎖交を最小化させ、これにより真空容器アセンブリ70内のうず電流加熱を低減させている。
本発明のさらに別の実施形態では、真空容器アセンブリ70の内側シリンダ74及び外側シリンダ72に真空性能を改善させるための浸透抵抗性コーティングを付着させることが可能であることも想定される。すなわち、内側シリンダ74を外側シリンダ72に溶接する前に、内側シリンダ74に浸透抵抗性コーティングを付着させる。外側シリンダ72にも、これを金属エンベロープ84に接続する前に追加の浸透抵抗性コーティングを付着させている。
上述の実施形態では真空容器アセンブリ70の様々な構成要素を接続させる好ましい一形態としての溶接処理について記載しているが、複合材内側シリンダ74を外側シリンダ72と接合させるため並びに内側シリンダ74の第1の半分78と第2の半分80を接合させるためには別の結合処理を用いることも可能であることが想定される。
したがって本発明の一実施形態では、磁気共鳴撮像(MRI)システムは、磁場を発生させるための少なくとも1つのマグネットと、該少なくとも1つのマグネットが発生させた磁場を傾斜磁場によって操作するための少なくとも1つの傾斜コイルと、を含む。本MRIシステムはさらに、少なくとも1つのマグネットを覆っている真空容器を含んでおり、この真空容器は、少なくとも1つの傾斜コイルの動作中のその内部のうず電流を実質的に低減させる非金属材料から形成された内側シリンダであって、環状フランジをそれに接して有する第1の半分及び第2の半分を含んだ内側シリンダを含む。この真空容器はさらに、少なくとも1つの傾斜コイルの動作中のその内部のうず電流を実質的に低減させる非金属材料から形成された外側シリンダを含む。
本発明の別の実施形態では、MRIシステム内の真空容器を製造するための方法は、複合材料製のフランジ付き内側シリンダの第1及び第2の半分を形成する工程と、この第1及び第2の半分のそれぞれの非フランジ側端部に金属コネクタを取り付ける工程と、この金属コネクタを溶接して第1の半分と第2の半分を接続する工程と、を含む。本方法はさらに、複合材料製の外側シリンダを形成する工程と、フランジ付きの内側シリンダ及び外側シリンダに複数の金属界面を取り付ける工程と、を含む。
本発明のさらに別の実施形態では、超伝導マグネットの冷却に使用するための真空容器アセンブリは、複数の複合材環形スペーサと、この複数の複合材環形スペーサに取り付けられると共に1対の内側シリンダ/フランジ構成要素を形成するように構成された複数の複合材層と、を含む。本真空容器アセンブリはさらに、複合材外側シリンダと、1対の内側シリンダ/フランジ構成要素を溶接接続させかつ該1対の内側シリンダ/フランジ構成要素を外側シリンダに溶接接続するように構成された複数の金属界面と、を含んでおり、該複数の金属界面は真空容器アセンブリ内のうず電流を低減させるように位置決めされている。
本発明を好ましい実施形態に関して記載してきたが、明示的に記述した以外に等価、代替及び修正が可能であり、これらも添付の特許請求の範囲の域内にあることを理解されたい。また、図面の符号に対応する特許請求の範囲中の符号は、単に本願発明の理解をより容易にするために用いられているものであり、本願発明の範囲を狭める意図で用いられたものではない。そして、本願の特許請求の範囲に記載した事項は、明細書に組み込まれ、明細書の記載事項の一部となる。
本発明の一実施形態による磁気共鳴撮像(MRI)システムのブロック概要図である。 本発明の一実施形態による真空容器アセンブリの斜視図である。 図2の真空容器アセンブリの分解図である。 図2の線3−3に沿って切って見た側面断面図である。 図4の4−4部分の詳細図である。 図4の5−5部分の詳細図である。
符号の説明
10 MRIシステム
12 オペレータコンソール
13 キーボードその他の入力デバイス
14 制御パネル
16 表示画面
18 リンク
20 コンピュータシステム
20a バックプレーン
22 画像プロセッサモジュール
24 CPUモジュール
26 メモリモジュール
28 ディスク記憶装置
30 着脱可能記憶装置
32 システム制御部
32a バックプレーン
34 高速シリアルリンク
36 CPUモジュール
38 パルス発生器モジュール
40 シリアルリンク
42 傾斜増幅器
44 生理学的収集制御器
46 スキャン室インタフェース回路
48 患者位置決めシステム
50 傾斜コイルアセンブリ
52 マグネットアセンブリ
54 超伝導マグネット
56 全身用RFコイル
58 送受信器モジュール
60 RF増幅器
62 送信/受信スイッチ
64 前置増幅器
66 メモリモジュール
68 アレイプロセッサ
70 真空容器アセンブリ
72 外側シリンダ
74 内側シリンダ
76 環状フランジ
78 第1の半分
80 第2の半分
82 内径金属リング
84 金属エンベロープ
86 外径金属リング
88 環形スペーサ
90 炭素繊維層
92 非フランジ側端部
94 マグネット中間面
96 溶接接続
98 ボア
100 真空ボリューム
102 電磁波
106 溝
108 溶接接続

Claims (10)

  1. 磁場を発生させるための少なくとも1つのマグネット(54)と、
    前記少なくとも1つのマグネット(54)が発生させた磁場を傾斜磁場によって操作するための少なくとも1つの傾斜コイル(50)と、
    前記少なくとも1つのマグネット(54)を覆っている真空容器(70)であって、
    前記少なくとも1つの傾斜コイル(50)の動作中のその内部のうず電流を実質的に低減させる非金属材料から形成された内側シリンダ(74)であって、環状フランジ(76)をそれに接して有する第1の半分(78)及び第2の半分(80)を含む内側シリンダ(74)と、
    前記少なくとも1つの傾斜コイル(50)の動作中のその内部のうず電流を実質的に低減させる非金属材料から形成された外側シリンダ(72)と、
    をさらに備えた真空容器(70)と、
    を備える磁気共鳴撮像(MRI)システム(10)。
  2. 前記内側シリンダ(74)及び外側シリンダ(72)に接続された複数の金属界面(82、84、86)であって、内側シリンダ(74)の第1の半分(78)と第2の半分(80)を結合させかつ内側シリンダ(74)と外側シリンダ(72)を結合させている複数の金属界面(82、84、86)をさらに備える請求項1に記載の磁気共鳴撮像(MRI)システム(10)。
  3. 前記複数の金属界面(82、84、86)は前記外側シリンダ(72)の周りに巻き付けられた金属エンベロープ(84)を含む、請求項2に記載の磁気共鳴撮像(MRI)システム(10)。
  4. 前記複数の金属界面(82、84、86)は前記環状フランジ(76)に付着させた外径金属リング(86)を含む、請求項2に記載の磁気共鳴撮像(MRI)システム(10)。
  5. 前記複数の金属界面(82、84、86)は、前記内側シリンダ(74)の第1の半分(78)及び第2の半分(80)の非フランジ側端部(92)に付着させた内径金属リング(82)を含む、請求項2に記載の磁気共鳴撮像(MRI)システム(10)。
  6. 前記複数の金属界面(82、84、86)は傾斜磁場との磁束鎖交を最小化するように位置決めされている、請求項2に記載の磁気共鳴撮像(MRI)システム(10)。
  7. 前記複数の金属界面(82、84、86)は前記内側シリンダ(74)及び外側シリンダ(72)に接着されている、請求項2に記載の磁気共鳴撮像(MRI)システム(10)。
  8. 前記内側シリンダ(74)の第1の半分(78)及び第2の半分(80)はさらに、
    前記少なくとも1つの傾斜コイル(50)の動作中のうず電流が実質的に低減されるような材料から形成された環形スペーサ(88)と、
    前記環形スペーサ(88)に取り付けるように構成された複数の炭素繊維層(90)と、
    を備える、請求項1に記載の磁気共鳴撮像(MRI)システム(10)。
  9. 前記真空容器(70)はさらに前記内側シリンダ(74)及び外側シリンダ(72)に付着させた浸透抵抗性コーティングを備える、請求項1に記載の磁気共鳴撮像(MRI)システム(10)。
  10. その内部のうず電流を実質的に低減させる前記非金属材料は、炭素繊維、ガラス繊維複合材及びG10材料のうちの少なくとも1つを含む、請求項1に記載の磁気共鳴撮像(MRI)システム(10)。
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