JP4950135B2 - セラミック巻型を持つヒートパイプ冷却型超伝導磁石 - Google Patents

Description

本発明は、一般的に云えば、磁気共鳴イメージング（ＭＲＩ）システムに関するものであり、より具体的には、ＭＲＩシステム内の超伝導磁石組立体と該超伝導磁石組立体を製造するための方法とに関するものである。

ＭＲＩシステムは強力で一様な磁場を生成するために超伝導磁石を利用し、該磁場内に患者又はその他の対象物を配置する。磁場勾配コイル及び無線周波送受信コイルが被検体内のジャイロ磁気材料に影響を及ぼして、有用な画像を形成するために使用することのできる信号を生起させる。このようなコイルを使用する他のシステムてしては、分光分析システム、磁気エネルギ蓄積システム、及び超伝導発電機が含まれる。

ＭＲＩに使用する場合、超伝導磁石はクライオスタット内に配置され、クライオスタットは熱遮蔽体及び真空容器を含み、これらは磁石を動作時に環境から絶縁する。超伝導磁石はまた低温部内にコイルを支持するためのコイル支持構造及び冷却のためのヘリウム容器を持つ。ヘリウム容器は、熱的分離のために真空容器の中に配置された圧力容器であり、典型的には、その中に液体ヘリウムを封入して、超伝導動作のために約４．２ケルビンの温度に保つように超伝導磁石を冷却する。

ＭＲＩシステム内の構成要素であるクライオスタット及びヘリウム容器は、一般に、ステンレス鋼、炭素鋼、銅又はアルミニウムのような金属で構成される。このような金属で形成されているとき、クライオスタット及びヘリウム容器は真空の力に耐えるのに充分な強度を持っているが、ＭＲシステムの勾配コイルによって生成されるＡＣ磁場のようなＡＣ磁場に曝されたとき、イメージング容積内に渦電流及び不要な磁場の歪みを生じさせる。磁石がＡＣ磁場環境内で動作するとき、それらの金属構成要素に渦電流が誘起される。ＭＲＩシステムのクライオスタット及びヘリウム容器における渦電流はイメージング容積内に不要な磁場の歪みを生じさせて、画像品質に悪影響を及ぼす。また渦電流による加熱が原因で構造的又は熱的問題が生じることがある。すなわち、ＡＣ損失が全熱負荷に加わって、ヘリウムを極低温に維持するためのコストを増大させる。

これらの渦電流の影響を最小にするために、多くの従来のＭＲＩシステムでは遮蔽型勾配システムを使用している。より良好な遮蔽型勾配コイルでは磁気結合を低減できるが、このような遮蔽型勾配システムは効率が悪く、大きな電流及び電力を必要とする。他の補償技術もまた誘起電流及びＢ_０ 磁場変化の影響を低減することができるが、問題を完全に解消することはできない 。
米国特許第６７８３０５９号

従って、従来のクライオスタット及びヘリウム容器の構成によって引き起こされる渦電流による磁場作用損失を低減すると共に、電力及び電流の増大を必要とせずに効率よく動作する遮蔽無しの勾配システムを動作させる必要性がある。

本発明は上述の問題を解決するために、渦電流を低減するようにした、ＭＲＩシステムに使用するための超伝導磁石組立体及びその製造方法を提供する。より詳しく述べると、本発明は、ＡＣ磁場に曝されたとき非常に小さい、無視し得る程度の渦電流を生じる熱及び冷却システムを持つ磁石組立体を提供することを対象とする。

従って、本発明の一面によれば、磁気共鳴（ＭＲ）イメージング・システムは、巻型と、該巻型の周りに配置されていて、磁場を生成するように構成されている少なくとも１つの磁石と、該少なくとも１つの磁石によって生成された磁場を勾配磁場により操作するための少なくとも１つの勾配コイルと、前記巻型に熱的に接続されていて、その中に極低温冷媒(cryogen) を持つヒートパイプとを含む。ＭＲイメージング・システムはまた、ヒートパイプ及び極低温冷媒を冷却するためにヒートパイプに接続されている極低温冷却器を含み、この場合に、巻型は、少なくとも１つの勾配コイルの動作時に渦電流を実質的に減少させる熱伝導性材料で構成される。

本発明の別の面によれば、超伝導磁石組立体を製造する方法は、渦電流を実質的に減少させる熱伝導性で電気抵抗性の材料から巻型を形成する段階と、巻型の周りに超伝導磁石を配置する段階と、巻型から熱負荷を伝達するために巻型にヒートパイプを熱的に接合する段階とを含む。本方法はまた、極低温冷却器をヒートパイプに接続して密閉システムを形成する段階と、該密閉システムに極低温冷媒を加える段階とを含む。

本発明の更に別の面によれば、超伝導磁石組立体は、熱伝導性で電気抵抗性の材料で構成されたボビンと、該ボビンの周りに巻き付けられて、磁場を生成するように構成されている少なくとも１つの超伝導磁石とを含む。超伝導磁石冷却システムがまた、ボビンに熱的に接続された密閉システム冷却器を含み、該密閉システム冷却器は、ボビンに熱的に接合されたヒートパイプと、該ヒートパイプに接続された極低温冷却器と、ヒートパイプ及び極低温冷却器の内部に封入された極低温冷凍剤とを有する。

本発明の様々な他の特徴及び利点が以下の詳しい説明及び図面から明らかになろう。図面は、本発明を実施するための現在考えられる好ましい実施形態を例示する。

図１について説明すると、本発明を取り入れる好ましい磁気共鳴イメージング（ＭＲＩ）システム１０の主要構成要素を示す。このシステムの動作は、キーボード又は他の入力装置１３と制御パネル１４と表示装置１６とを含むオペレータ・コンソール１２から制御される。コンソール１２はリンク１８を介して別個のコンピュータ・システム２０と連絡しており、該コンピュータ・システム２０はオペレータが表示装置１６上の画像の生成及び表示を制御することを可能にする。コンピュータ・システム２０は、バックプレーン２０ａを介して互いに連絡する複数のモジュールを含む。これらのモジュールには、画像処理装置モジュール２２、ＣＰＵモジュール２４、並びに画像データ・アレイを記憶するフレーム・バッファとして当該分野で知られているメモリ・モジュール２６が含まれる。コンピュータ・システム２０は、画像データ及びプログラムの記憶のためにディスク記憶装置２８及びテープ駆動装置３０に接続され、また高速直列リンク３４を介して別個のシステム制御装置３２と連絡する。入力装置１３は、マウス、ジョイスティック、キーボード、トラック・ボール、接触作動スクリーン、ライト・ペン型スキャナ、音声制御装置、或いは任意の同様な又は等価な入力装置を含むことができ、またこの入力装置は対話型のジオメトリイの規定のために用いることができる。

システム制御装置３２はバックプレーン３２ａによって相互に接続された一組のモジュールを含む。これらのモジュールには、ＣＰＵモジュール３６及びパルス発生器モジュール３８が含まれ、パルス発生器モジュール３８は直列リンク４０を介してオペレータ・コンソール１２に接続される。このリンク４０を介して、システム制御装置３２は、実行すべき走査シーケンスを指示するオペレータからの指令（コマンド）を受け取る。パルス発生器モジュール３８は、所望の走査シーケンスを実行するためにシステムの構成要素を動作させ、且つ生成すべきＲＦパルスのタイミング、大きさ及び形状を指示するデータ、並びにデータ取得窓のタイミング及び長さを指示するデータを生成する。パルス発生器モジュール３８は、一組の勾配増幅器４２に接続されて、走査中に生成する勾配パルスのタイミング及び形状を指示する。パルス発生器モジュール３８はまた生理学的データ取得制御装置４４から患者データも受け取ることができる。生理学的データ取得制御装置４４は、患者に接続された複数の異なるセンサからの信号、例えば、患者に取り付けられた電極からのＥＣＧ信号を受け取る。また最後に、パルス発生器モジュール３８は、患者及び磁石システムの状態に関連した様々なセンサからの信号を受け取る走査室インターフェース回路４６に接続されている。また、走査室インターフェース回路４６を介して、患者位置決めシステム４８が、走査のために患者を所望の位置へ動かすための指令（コマンド）を受け取る。

パルス発生器モジュール３８によって発生された勾配波形が、Ｇｘ，Ｇｙ，Ｇｚ増幅器を持つ勾配増幅器システム４２に印加される。各々の勾配増幅器は、全体を５０で示した勾配コイル組立体内の対応する物理的な勾配コイルを励磁して、取得される信号を空間エンコーディングするために使用される磁場勾配を生成させる。この勾配コイル組立体５０は磁石組立体５２の一部を構成し、この磁石組立体５２は分極用磁石５４及び全身用ＲＦコイル５６を含む。システム制御装置３２内の送受信器モジュール５８がパルスを発生し、これらのパルスはＲＦ増幅器６０によって増幅されて、送受信切換え（Ｔ／Ｒ）スイッチ６２によりＲＦコイル５６に結合される。その結果として患者内の励起された核によって放出される信号は同じＲＦコイル５６によって検知して、送受信切換えスイッチ６２を介して前置増幅器６４に結合することができる。増幅されたＭＲ信号が送受信器５８の受信器部で復調され、フィルタ処理され、ディジタル化される。送受信切換えスイッチ６２はパルス発生器モジュール３８からの信号によって制御されて、送信モード中はＲＦ増幅器６０をコイル５６に電気接続し、且つ受信モード中は前置増幅器６４をコイル５６に接続する。送受信切換えスイッチ６２はまた、別個のＲＦコイル（例えば、表面コイル）を送信又は受信モードのいずれかで使用できるようにすることができる。

ＲＦコイル５６によって検知されたＭＲ信号は送受信器モジュール５８によってディジタル化されて、システム制御装置３２内のメモリ・モジュール６６へ転送される。生のｋ空間データのアレイがメモリ・モジュール６６に収集されたとき、走査が完了する。この生のｋ空間データは再構成すべき各々の像について別々のｋ空間データ・アレイに配列し直され、これらのアレイの各々はアレイ処理装置６８に入力され、アレイ処理装置６８はデータをフーリエ変換して画像データ・アレイを生成するように動作する。この画像データは直列リンク３４を介してコンピュータ・システム２０へ送られ、そこでディスク記憶装置２８のようなメモリに記憶される。オペレータ・コンソール１２から受け取った指令に応答して、この画像データはテープ駆動装置３０のような長期間記憶装置に保管してもよいし、或いは画像処理装置２２によって更に処理して、オペレータ・コンソール１２へ送って表示装置１６上に表示してもよい。

図２に示されているように、ＭＲＩシステム１０の超伝導磁石５４が超伝導磁石組立体７０の一部である。超伝導磁石組立体７０はまた巻型７２（すなわち、ボビン）を含み、その周りには超伝導磁石５４が少なくとも部分的に巻装される。図示の実施形態では、超伝導磁石５４は、熱伝導性エポキシ７４によって巻型７２に固定及び固着された複数の超伝導コイル７３の形態である。熱伝導性エポキシ７４は超伝導コイル７３についての構造的支持を行い且つ超伝導コイル７３内での及びコイル７３から巻型７２への熱抵抗を減少させる。

巻型７２は、図１に示されている勾配コイル・アレイ５０の動作時に渦電流を実質的に減少させる熱伝導性材料で構成される。巻型７２を構成する材料は、非金属材料又は絶縁金属繊維複合材料のいずれかであり、それは熱伝導性で電気抵抗性である。一実施形態では、巻型７２はセラミック材料で形成される。セラミック巻型７２は、超伝導磁石５４によって発生された熱を磁石コイル７３から取り去るが、図１に示されている勾配コイル・アレイ５０によって形成された変化するＡＣ磁場に曝されたときに渦電流の形成を抑制する。

超伝導磁石組立体７０にはまた密閉システム冷却器７６が含まれていて、密閉システム冷却器７６は巻型７２と熱的接触する。密閉システム冷却器７６は、巻型７２に熱的に接続され且つ接合されたヒートパイプ７８を含む。ヒートパイプ７８は極低温冷却器８０に接続され、極低温冷却器８０はヒートパイプ７８と共に密閉システム冷却器７６を形成する。一実施形態では、ヒートパイプ７８は少なくとも１つの勾配コイルの動作時に渦電流を実質的に減少させる複合材料又はプラスチック材料で構成することができる。ここで図３を参照して説明すると、密閉システム冷却器７６にはまた、超伝導磁石５４によって発生された巻型７２の熱負荷を密閉システム冷却器７６へ伝達するために極低温冷凍剤８２（すなわち、極低温冷媒）が含まれている。すなわち、密閉システム冷却器７６内の極低温冷媒８２の少なくとも一部分がヒートパイプ７８に含まれている。超伝導磁石５４の動作時には、磁石から発生された熱が巻型７２に伝達され、次いで、ヒートパイプ７８の温度が極低温冷媒８２によって相対的に低くなっていることによりヒートパイプ７８へ伝達される。極低温冷媒８２の温度は沸点まで上昇し、そこで極低温冷媒８２は気相に変わる。気相の極低温冷媒８２はヒートパイプ７８から上方へ流出して極低温冷却器８０へ至る。極低温冷却器８０は気相の極低温冷媒８２を冷却し、極低温冷媒を凝縮させて液体へと戻す。冷却された液相の極低温冷媒８２は次いでヒートパイプ７８の中へ戻って、巻型７２及び超伝導磁石５４の更なる冷却を行う。このようにして、巻型７２からの熱負荷がヒートパイプ７８を通って極低温冷却器８０へ、両者間を流れる極低温冷媒８２によって伝達される。

極低温冷却器８０は、超伝導磁石５４によって発生されて、巻型７２に対するヒートパイプ７８の接続によって密閉システム冷却器７６へ伝達される熱負荷よりも大きい一定の冷却速度又は能力を提供するように設計される。従って、もし一定に調整されていなかった場合は、極低温冷却器８０は、氷が密閉システム冷却器７６上に形成されてその性能に影響を及ぼす程度まで冷却されることがある。氷の形成を防止し且つ極低温冷却器８０の温度を調整し／熱平衡させるために、ヒータ８４が極低温冷却器８０に取り付けられて、密閉システム冷却器７６内に最低温度を保つ。すなわち、ヒータ８４は、密閉システム冷却器７６に含まれている極低温冷媒８２の三重点よりも高い特定の温度範囲を密閉システム冷却器７６内に維持するように動作する。

密閉システム冷却器７６に含まれている極低温冷媒８２は、超伝導磁石を冷却するために使用される公知の多数の極低温冷凍剤の内の任意のものの形態であってよく、使用される特定の極低温冷媒は、ＭＲイメージング・システム内の選択された超伝導磁石にとって必要である極低温冷凍剤の所望の動作温度範囲に基づいて定められる。例えば、２Ｋ〜５Ｋの温度範囲を持つヘリウムは、ＮｂＴｉ及びＮｂ３Ｓｎ超伝導磁石に使用することができる。１４Ｋ〜３０Ｋの温度範囲を持つ水素、又は２４．６Ｋ〜４４Ｋの温度範囲を持つネオンは、ＭｇＢ２又はＢＳＣＣＯ超伝導磁石に用いることができる。また、窒素はＢＳＣＣＯ及びＹＢＣＯ超伝導体に用いることができ、窒素は６３．１Ｋから８０Ｋ以上までの温度範囲を持つ。

前に述べたように、超伝導磁石５４は種々の超伝導材料から形成することができる。一般に、超伝導体を形成するために使用される材料は、超伝導動作のための臨界温度に基づいて低温超伝導体（ＬＴＳ）又は高温超伝導体（ＨＴＳ）として表現することができる。ＮｂＴｉ及びＮｂ３Ｓｎはそれらの超伝導動作のために低い温度を必要とするので、ＬＴＳとして表現される。ＢＳＣＣＯ及びＹＢＣＯは相対的に高い温度で動作し、従ってＨＴＳとして表現される。極低温冷却器８０が、静的熱負荷及びＡＣ損失を含む低温質量熱負荷について、相対的に高い温度でより大きい冷却容量を持っているので、磁石組立体７０の密閉システム冷却器７６を含む上述のＭＲイメージング・システム１０は、ＨＴＳで形成された超伝導磁石に使用するのに特に適している。しかしながら、磁石組立体７０及び密閉システム冷却器７６を持つ上述のＭＲイメージング・システム１０に、ＬＴＳで形成された超伝導磁石を用いることも考えられる。

従って、本発明の一面によれば、磁気共鳴（ＭＲ）イメージング・システムは、巻型と、該巻型の周りに配置されていて、磁場を生成するように構成されている少なくとも１つの磁石と、該少なくとも１つの磁石によって生成された磁場を勾配磁場により操作するための少なくとも１つの勾配コイルと、前記巻型に熱的に接続されていて、その中に極低温冷媒を持つヒートパイプとを含む。ＭＲイメージング・システムは、ヒートパイプ及び極低温冷媒を冷却するためにヒートパイプに接続されている極低温冷却器を含み、この場合に、巻型は、少なくとも１つの勾配コイルの動作時に渦電流を実質的に減少させる熱伝導性材料で構成される。

本発明の別の面によれば、超伝導磁石組立体を製造する方法は、渦電流を実質的に減少させる熱伝導性で電気抵抗性の材料から巻型を形成する段階と、巻型の周りに超伝導磁石を配置する段階と、巻型から熱負荷を伝達するために巻型にヒートパイプを熱的に接合する段階とを含む。本方法はまた、極低温冷却器をヒートパイプに接続して密閉システムを形成する段階と、該密閉システムに極低温冷媒を加える段階とを含む。

本発明の更に別の面によれば、超伝導磁石組立体は、熱伝導性で電気抵抗性の材料で構成されたボビンと、該ボビンの周りに巻き付けられて、磁場を生成するように構成されている少なくとも１つの超伝導磁石とを含む。超伝導磁石冷却システムがまた、ボビンに熱的に接続された密閉システム冷却器を含み、該密閉システム冷却器は、ボビンに熱的に接合されたヒートパイプと、該ヒートパイプに接続された極低温冷却器と、ヒートパイプ及び極低温冷却器の内部に封入された極低温冷凍剤とを有する。

以上、本発明を好ましい実施形態について説明したが、明確に述べたものの他に、等価な態様、代替の態様及び修正が可能であって、それらは特許請求の範囲内にあることが認められよう。また、図面の符号に対応する特許請求の範囲中の符号は、単に本願発明の理解をより容易にするために用いられているものであり、本願発明の範囲を狭める意図で用いられたものではない。そして、本願の特許請求の範囲に記載した事項は、明細書に組み込まれ、明細書の記載事項の一部となる。

本発明を取り入れるＭＲイメージング・システムの概略ブロック図である。 本発明の一実施形態による磁石組立体の斜視図である。 図２の磁石組立体の断面図である。

符号の説明

１０ 磁気共鳴イメージング（ＭＲＩ）システム
１２ オペレータ・コンソール
１３ 入力装置
１４ 制御パネル
１６ 表示装置
１８ リンク
２０ コンピュータ・システム
２０ａ バックプレーン
２８ ディスク記憶装置
３０ テープ駆動装置
３２ａ バックプレーン
３４ 高速直列リンク
４０ 直列リンク
４９ テーブル
５０ 勾配コイル組立体
５２ 磁石組立体
５４ 超伝導磁石
５６ 全身用ＲＦコイル
７０ 超伝導磁石組立体
７２ 巻型
７３ 超伝導コイル
７４ 熱伝導性エポキシ
７６ 密閉システム冷却器
７８ ヒートパイプ
８０ 極低温冷却器
８２ 極低温冷媒
８４ ヒータ

Claims (20)

1. 円筒形の巻型（７２）と、
   前記巻型（７２）の周りに配置されていて、磁場を生成するように構成されている少なくとも１つの磁石（５４）と、
   前記少なくとも１つの磁石（５４）によって生成された前記磁場を勾配磁場により操作するための少なくとも１つの勾配コイル（５０）と、
   前記巻型（７２）に熱的に接続されていて、前記円筒形の巻型（７２）の全長に渡って前記円筒形の巻型（７２）の軸方向に延び、該円筒形の外周面に接触するように配置され、その中に極低温冷媒（８２）を持つ棒状のヒートパイプ（７８）と、
   前記ヒートパイプ（７８）及び前記極低温冷媒（８２）を冷却するために前記ヒートパイプ（７８）に接続されている極低温冷却器（８０）と、を有し、
   前記巻型（７２）が、前記少なくとも１つの勾配コイル（５０）の動作時に渦電流を実質的に減少させる熱伝導性材料で構成されていること、
   を特徴とする磁気共鳴（ＭＲ）イメージング・システム（１０）。
2. 更に、前記極低温冷却器（８０）に取り付けられていて、前記極低温冷却器（８０）の温度を前記極低温冷媒（８２）の三重点よりも高く維持するように構成されているヒータ（８４）を有している請求項１記載のＭＲイメージング・システム（１０）。
3. 前記極低温冷媒（８２）は、前記巻型（７２）から前記極低温冷却器（８０）へ熱負荷を伝達するために、前記ヒートパイプ（７８）と前記極低温冷却器（８０）とによって形成された密閉容積内に封入されている、請求項１記載のＭＲイメージング・システム（１０）。
4. 前記磁石（５４）は更に、前記巻型（７２）の周りに巻き付けられて固定された複数の超伝導コイル（７３）を有している、請求項１記載のＭＲイメージング・システム（１０）。
5. 前記複数の超伝導コイル（７３）は熱伝導性エポキシ（７４）によって前記巻型（７２）に熱的に接合されている、請求項４記載のＭＲイメージング・システム（１０）。
6. 前記巻型（７２）はセラミック材料で構成されている、請求項１記載のＭＲイメージング・システム（１０）。
7. 前記ヒートパイプ（７８）は前記巻型（７２）に熱的に接合されている、請求項１記載のＭＲイメージング・システム（１０）。
8. 更に前記極低温冷媒（８２）は、液体ヘリウム、液体水素、液体ネオン及び液体窒素の内の１つを有している、請求項１記載のＭＲイメージング・システム（１０）。
9. 前記磁石（５４）は低温超伝導体（ＬＴＳ）及び高温超伝導体（ＨＴＳ）の内の一方である、請求項１記載のＭＲイメージング・システム（１０）。
10. 前記ヒートパイプ（７８）は、前記少なくとも１つの勾配コイルの動作時に渦電流を実質的に減少させる材料で形成されている、請求項１記載のＭＲイメージング・システム（１０）。
11. 超伝導磁石組立体を製造する方法であって、
    渦電流を実質的に減少させる熱伝導性で電気抵抗性の材料から円筒形の巻型を形成する段階と、
    巻型の周りに超伝導磁石を配置する段階と、
    巻型から熱負荷を伝達するために巻型に棒状のヒートパイプを熱的に接合する段階と、
    極低温冷却器をヒートパイプに接続して密閉システムを形成する段階と、
    該密閉システムに極低温冷媒を加える段階とを含み、
    前記棒状のヒートパイプが、前記円筒形の巻型（７２）の全長に渡って円筒形の巻型（７２）の軸方向に延び、該円筒形の外周面に接触するように配置される、方法。
12. 前記密閉システム内の特定の温度範囲を維持するためにヒータ（８４）を前記極低温冷却器に接続する段階を更に含む、請求項１１記載の方法。
13. 熱伝導性エポキシ（７４）によって前記複数の超伝導コイル（７３）を前記巻型（７２）に接合する段階を更に含む、請求項１１記載の方法。
14. 前記巻型を形成する段階が、前記巻型（７２）をセラミック材料で形成する段階を含む、請求項１１記載の方法。
15. 熱伝導性で電気抵抗性の材料で構成された円筒形のボビンと、
    該ボビンの周りに巻き付けられて、磁場を生成するように構成されている少なくとも１つの超伝導磁石と、
    前記ボビンに熱的に接続された密閉システム冷却器と、
    を含み、
    前記密閉システム冷却器は、
    前記ボビンに熱的に接合された棒状のヒートパイプと、
    該ヒートパイプに接続された極低温冷却器と、
    ヒートパイプ及び極低温冷却器の内部に封入された極低温冷凍剤とを有し、
    前記ヒートパイプが、前記円筒形のボビンの全長に渡って前記円筒形のボビンの軸方向に延び、該円筒形の外周面に接触するように配置される、
    超伝導磁石組立体。
16. 更に、前記極低温冷却器（８０）の最低温度を維持するように構成されているヒータ（８４）を有している請求項１５記載の超伝導磁石組立体。
17. 前記極低温冷却器（８０）が、前記ボビンから伝達される熱負荷よりも大きい一定の冷却速度で運転される請求項１５記載の超伝導磁石組立体。
18. 前記少なくとも１つの超伝導磁石は熱伝導性エポキシ（７４）によって前記ボビン（７２）に接合されている、請求項１５記載の超伝導磁石組立体。
19. 前記ボビン（７２）はセラミック材料を含む、請求項１５記載の超伝導磁石組立体。
20. 前記セラミック材料を含む前記ボビン（７２）は前記少なくとも１つの超伝導磁石内に配置された少なくとも１つの勾配コイルの動作時に渦電流を実質的に減少させるように構成されている請求項１９記載の超伝導磁石組立体。
    
    

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