JP2008130157A - 垂直磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録装置 - Google Patents
垂直磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008130157A JP2008130157A JP2006313828A JP2006313828A JP2008130157A JP 2008130157 A JP2008130157 A JP 2008130157A JP 2006313828 A JP2006313828 A JP 2006313828A JP 2006313828 A JP2006313828 A JP 2006313828A JP 2008130157 A JP2008130157 A JP 2008130157A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- magnetic recording
- layer
- recording medium
- soft magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明の垂直磁気記録媒体10は、ディスク基板11と、このディスク基板11上の軟磁性裏打層12上に形成され、ナノホール142に磁性体を充填した磁気記録層14とを有し、ディスク基板11と軟磁性裏打層12との間に、チタン又はチタン合金からなる下地層16を備える。チタン又はチタン合金からなる下地層16を設けたことにより、膜相互間の密着性が向上し、膜剥離を防止できる。
【選択図】図2
Description
陽極酸化アルミナを適用した垂直磁気記録媒体においては、磁気記録媒体上に磁性体を充填する陽極酸化アルミナのナノホールを所望の配置および大きさに形成することが重要となり、超高密度、かつ記録容量の大きいナノ構造磁性体およびその製造方法の開発が望まれている。ナノサイズ構造体の製造方法としては、例えば、フォトリソグラフィー方法、電子線露光方法等の微細パターン形成技術を適用した直接的な製造方法が挙げられるが、このような方法には加工精度の限界およびスループットの問題がある。
陽極酸化処理とは、処理対象の金属を陽極とする酸化処理をいい、例えば、アルミニウム(Al)又はアルミニウム合金を酸溶液中で陽極酸化させると、直径が約10nm〜数百nmで、極めて高いアスペクト比を有し、かつ一様に配列された複数のナノホールであって、ナノホール相互間の間隔が約20nm〜数百nmのナノホール列を有する多孔質酸化皮膜構造体が得られる。ナノホールの口径及び高さ、ナノホール相互間の間隔は、陽極酸化処理時の印加電圧、陽極酸化時間等によって制御することができ、また、いわゆるインプリント法によってナノホールを規則配列することも可能である。更には、各ナノホール中に磁性体を充填させることで、ナノホールの高アスペクト比に起因して形状磁気異方性が発現されることが知られており、ナノホールを有する多孔質酸化皮膜構造体は、垂直磁気記録媒体に適用することができる。
また、引用文献2には、ナノホールの形状、構造を変えて磁性体に形状異方性を付与し、高密度かつ保存安定性に優れた磁気記録媒体等が開示されている。さらに引用文献2には、ナノホールに磁性体を埋め込む方法として、真空蒸着法又はスパッタリング法が利用可能であるが、アスペクト比の大きな細孔に磁性体を埋め込むという観点から電着法が好ましいこと、電着の電極となる下地電極層はアルミニウム(Al)層の下に設けられること、下地電極層には、電着制御性のよい銅(Cu)もしくはCuを主成分とする合金、又は貴金属を適用することが望ましいこと、ナノホールに埋め込まれた磁性体の磁化が、記録面に交差する方向である場合には、下地電極層の下にNi−Feによる軟磁性層を設けて前記磁性体からなる記録層の裏打層とすること等が記載されている。
さらに、引用文献3には、基板の上に、Al−Hf合金層に対する密着性が良いPt、Ir、Pd、Rh、Au、Ag、Ru、CuもしくはNiからなる単体または合金からなる下地導電層と、Al−Hf合金層(又は、Al−Hf合金層とAl層との積層体)とを積層し、前記Al−Hf合金層を酸水溶液中で陽極酸化してナノホール構造体を形成し、必要に応じてエッチングによってナノホールを拡幅加工し、ナノホール中に、強誘電体材料、強磁性体材料、抵抗変化材料、相変化材料、蛍光体材料等の機能性材料を充填して種々の機能を有するナノホール構造体及び磁気記録媒体を作成することが開示されている。
しかしながら、上記特許文献1ないし3のいずれに開示された技術においても、上述した膜剥離の問題は解消されておらず、未だ、未解決のままである。
また、本発明の別の課題は、前記基板と軟磁性裏打層との剥離を回避して密着性の高い垂直磁気記録媒体を製造する垂直磁気記録媒体の製造方法を提供することにある。
更に、本発明のもう一つの課題は、前記密着性の高い垂直磁気記録媒体を用いた磁気記録装置を提供することにある。
本発明の垂直磁気記録媒体は、基板と陽極酸化アルミナのナノホールに磁性体を充填した記録層との間に軟磁性裏打層を備え、かつ前記基板と前記軟磁性裏打層との間にチタン又はチタン合金からなる下地層を有するものである。
チタン又はチタン合金からなる下地層は、基板と強固に密着し、且つその上に製膜される軟磁性裏打層とも優れた密着性を保ち、しかも平坦性や磁気特性等を損なうことがない。
下地層は、垂直磁気記録媒体の製造過程における金属膜の陽極酸化処理工程において、前記金属膜の結晶粒界や欠陥部分または膜端部を介して酸溶液に晒される可能性がある。従って、下地層には、酸溶液に対する耐性が要求されるが、チタン又はチタン合金からなる下地層は、耐酸性を有し、かつ陽極酸化処理液に対しては酸化バリアを形成して変質の進行を防止し、剥離の原因となる体積変化を生じる可能性も少ない。従って、基板と軟磁性裏打層との間にチタン又はチタン合金からなる下地層を設けることにより、陽極酸化処理時の膜剥離を回避して膜相互の密着性を向上することができるので、軟磁性裏打層を備えた垂直磁気記録媒体の実用化が可能になる。
本発明の垂直磁気記録媒体の製造方法によれば、金属基体の陽極酸化処理工程における酸溶液の下地層への影響を低減し、膜剥離の問題を回避して基板と軟磁性裏打層等との密着性が高い垂直磁気記録媒体を製造することができる。
本発明の磁気記録装置によれば、磁気記録媒体として、基板と軟磁性裏打層との密着性が高い垂直磁気記録媒体を用いたことにより、軟磁性裏打層、磁気記録層等の膜剥離を防止し、長期にわたって安定した磁気記録を行うことができる。
図1は、単磁極ヘッド型の垂直磁気記録方法の原理を示す説明図である。垂直磁気記録媒体への磁気情報の書き込みにあたっては、例えば単磁極ヘッドがいられる。
図1において、磁極ヘッド30は、主磁極31と、補助磁極32と、これらを接続する接続部33とから主として構成されている。主磁極31は、主磁極補助層36で支持されている。接続部33には、被覆絶縁層35で被覆された複数のライトコイル34が設けられている。垂直磁気記録媒体10は、例えば、ガラス製のディスク基板11と、ディスク基板11上に順次積層された軟磁性裏打層12、非磁性中間層13、磁気記録層14とから主として構成されている。
このような構成において、単磁極ヘッド30の主磁極31と補助磁極32とが、垂直磁気記録媒体(磁気ディスク)10の表面に対向配置される。磁極ヘッド30の主磁極31の先端部から絞り込まれた磁束18(図1中破線で示す)は、磁気記録層14内を垂直に通過する磁気的回路、即ち磁束循環経路を形成する。すなわち、主磁極31の先端部から絞り込まれた磁束18は、垂直磁気記録媒体10の表面に直交する図中垂直下方向に進み、磁気記録層14及び非磁性中間層13を通過して軟磁性裏打層12に到達し、軟磁性裏打層12内を基板10の面内方向に流通した後、図中垂直上方向に向かって磁極ヘッド30の補助磁極32に戻る。このような磁束循環経路によって、垂直磁気記録媒体10の磁気記録層14における垂直方向の磁化が確立され、これによって、磁気記録層14に各種の磁気情報がビット19として書込まれる。
図2において、この垂直磁気記録媒体(ナノホール垂直パターンドメディア)10は、ディスク基板11と軟磁性裏打層12との間にチタンまたはチタン合金からなる下地層16を有する。すなわち、垂直磁気記録媒体10は、ディスク基板11と、ディスク基板11上に順次積層された軟磁性裏打層(SUL層)12、非磁性中間層13、磁気記録層14および保護・潤滑層15とを有し、ディスク基板11と軟磁性裏打層12との間にチタンまたはチタン合金からなる下地層16を有する。
磁気記録層14におけるナノホールを形成するための陽極酸化処理は、ディスク基板11上に軟磁性裏打層12を形成し、この軟磁性裏打層12上に、例えば、非磁性中間層13を介して磁気記録層14の基体141であるアルミニウムまたはアルミニウム合金層(以下、アルミニウム含有層という)を積層した後に施される。
そして、陽極酸化処理は、酸溶液中で行われるため、下地層16は、酸溶液が、例えばOリング等の封止部材の界面または磁気記録層14のAl基体141と軟磁性裏打層12の金属の結晶粒界を伝わってくる酸溶液に晒されることになり、しかも、陽極酸化処理によって、Al基体141は酸化され、酸化物としての酸化アルミナ143になることから、体積が増大し、磁気記録層14に内部応力が生じ、この内部応力の影響がディスク基板11および軟磁性裏打層12までも及び、これに起因して、軟磁性裏打層12がディスク基板11から剥離し易くなるが、本実施形態においては、ディスク基板11と軟磁性裏打層12との間にチタンまたはチタン合金からなる下地層16を設けたので、膜剥離の発生が防止される。
以下に、ディスク基板11と軟磁性裏打層12との間にチタンまたはチタン合金からなる下地層16を設けたことによって膜剥離が回避される理由について説明する。
ディスク基板11と軟磁性裏打層12との剥離を防止するためには、その界面に強固な密着層を介在させることが有効である。密着層としての下地層16には、酸溶液による耐性、即ち耐酸性と、酸溶液に対する変質防止効果および剥離の原因となり得る体積変化低減効果が要求される。従って、下地層材料としては、例えば不働態化しやすいバルブ材が好適に使用される。バルブ材としては、例えばNb、Ta、Ti、Zr、Hf、Zn、Cu、Co、Cr、Mn、Mo、W等を挙げることができる。また、下地層材料には、上述したように、酸化物になったときの体積変化が小さいことが要求され、未酸化状態(金属状態)の体積に対する酸化状態(金属酸化物)の体積比が0.80〜1.60の範囲であることが好ましい。上記体積比が、この範囲内であれば、酸化され、体積変化が生じても隣接膜との密着性が維持され、膜剥離を生じることはない。
表1に、主なバルブ材における金属状態の体積に対する金属酸化物の体積比を比較して示した。
また、表2に、下地層材料として同じ膜厚のTi、Cr、Taを用いた場合の陽極酸化処理における膜剥離防止効果を比較して示す。
表2において、下地層材料としてチタン(Ti)を適用した場合は、膜剥離が生じず、下地層材料としてCrまたはTaを適用した場合には、膜剥離が生じたことが分かる。下地層材料としてCrまたはTaを適用した場合でも、膜形成後の密着強度はチタンを適用した場合と同程度であるが、CrおよびTaはTiに比べて耐酸性に劣り、かつ酸化時の体積変化が大きいことから、例えば結晶粒界や欠陥部分において酸溶液に接触すると膜剥離が進行するものと考えられる。
本実施形態は、下地層16としてチタン又はチタンを主成分とするチタン合金を用いたものであり、陽極酸化処理時の膜剥離を有効に防止することができる。
本実施形態において、下地層16の厚さは、5〜20nmの範囲であることが好ましい。下地層16の厚さが5nm未満では、ディスク基板11と軟磁性裏打層12との界面における剥離防止効果が十分でなく、20nmを越えると、層形成に時間がかかり生産性が低下する。
軟磁性裏打層12の軟磁性膜121、122は軟磁性体によって構成される。軟磁性体としては、例えばFe、Co、Ni、Al、Si、Ta、Ti、Zr、Hf、V、Nb、CおよびBから選択された少なくとも1種類の元素を含む非晶質もしくは微結晶の合金、またはこれらの合金が挙げられる。記録磁界を集中させるためには、磁化の強さが大きい軟磁性材料であることが好ましく、例えば、FeSi、FeAlSi、FeTaC、CoNbZr、CoCrNb、NiFeNbなどが好適に用いられ、特に、Coを主成分とする合金、具体的には、CoZrNbまたはCoNbTaが好適に用いられる。軟磁性膜121、122の厚さは、例えば50nm〜2μmである。
非磁性膜としては、非磁性体が用いられ、Pt、Pd、Ru等を用いることもできるが、Ruが好適に適用される。Ruは、軟磁性膜121、122間に配置される非磁性膜材料として好適である。
軟磁性裏打層12の上面に直接磁気記録層14を積層すると、両者の磁気的相互作用が強く、軟磁性裏打層12表面に、表面凹凸に起因して磁化のリップルが生じ、磁気的ノイズが増大する場合がある。従って、このような不都合を回避するために、軟磁性裏打層12と磁気記録層14との間に非磁性中間層13を設ける。非磁性中間層13は、この非磁性中間層13の上面に形成される磁気記録層14の結晶性を高めると共に、磁気記録層14と、非磁性中間層13の下面に形成された軟磁性裏打層12との結晶配向又は結晶成長の関係を断ち切り、かつ磁気的な相互作用を断ち切る役割を果たす。非磁性中間層13は、上述した役割を果たすのに必要な厚さがあればよく、できるだけ薄くすることが好ましい。なお、上述した磁気的相互作用がほとんど発現されない場合においては、非磁性中間層13を省略することもできる。
自己組織的に形成される陽極酸化アルミナ143のナノホール142の直径は、例えば数nm〜数百nmの範囲、ナノホール142相互間の間隔は、例えばナノホール142の直径よりも若干大きな値から約500nmまでの範囲とされる。磁気記録層14を構成する金属基体としては、上述したようにAl又はAl合金が好適に用いられるが、Alの外に、Mg、Ti、Zn、Ta等のバルブ材を用いることもできる。
基体141に形成されたナノホール142に磁性体が充填され、磁気記録層14が形成される。磁性体材料は、特に制限されるものではなく、強磁性体または軟磁性体であってもよい。軟磁性体であっても、ナノホール142に充填させることで、形状磁気異方性を有するようになり、保磁力が大きくなるので、磁気記録材として用いることができる。強磁性体としては、例えば、Fe、Co、Ni、FeCo、FeNi、CoNi、CoNiP、FePt、CoPt、NiPt等が挙げられる。軟磁性体としては、例えば、FeCo、NiFe、FeSiAl、FeC、FeCoB、FeCoNiB、CoZrNb等が挙げられる。なお、磁性体材料は、上述した各種元素または少なくともこれを含むものの中から目的に応じて適宜選択される。
保護・潤滑層15としては、磁性体保護と表面潤滑性の両機能を兼ね備えたものを適用することもできるが、保護膜と、潤滑膜を別個に設けることもできる。保護膜としては、例えばスパッタ法、CVD法、FCA(Filtered Cathodic Arc)法などによって形成され、厚さが、例えば0.5nm〜15nmのアモルファスカーボン膜、水素化カーボン膜、窒化カーボン膜、酸化アルミニウム膜などが適用される。一方、潤滑膜としては、例えば引き上げ法、スピンコート法などによって塗布されたパーフルオロポリエーテルを主鎖とする潤滑剤膜が適用される。潤滑剤膜の厚さは、例えば0.5nm〜5nmである。潤滑剤の具体例としては、例えば、ZDol、Z25(以上Monte Fluos社製)、Zテトラオール、AM3001(以上アウジモント社製)等が挙げられる。
保護膜と、潤滑膜を別個に設ける場合は、磁気記録層14上に保護膜を設け、この保護膜上に潤滑膜を設ける。
垂直磁気記録媒体10は、図2に示したように、ディスク基板11上に各種膜を順次積層することによって製造される。
即ち、先ず、表面を平滑に研摩し、洗浄したディスク基板11上に、例えばスパッタリング法によって膜厚20nmの下地層16を形成する(下地層形成工程)。
ディスク基板11としては、例えばガラス基板、金属基板、シリコン基板、石英基板等が適用される。下地層材料としては、チタン(Ti)またはチタンを主成分とするチタン合金が適用される。チタンまたはチタンを主成分とするチタン合金は、耐酸性及び耐陽極酸化性に優れ、ディスク基板11と下地層16上に形成される軟磁性裏打層12との双方との密着性も良好である。下地層16の膜厚は、5nm〜20nmである。下地層の厚さが上記範囲内であれば、ディスク基板11と軟磁性裏打層12とを強固に密着するのに十分であり、また、平坦性を確保しやすく、生産性にも優れている。一方、下地層の層厚が5nmよりも薄いと隣接する層との密着性が不充分となり、20nmよりも厚いと生産性が低下する。
垂直磁気記録媒体10の軟磁性裏打層12は、記録ヘッドからのほぼ総ての磁束を吸収するためのものであり、飽和記録するためには、飽和磁束密度Bsと膜厚との積の値が大きいことが好ましい。
即ち、軟磁性裏打層12の上に、必要に応じて、平坦性向上を目的として厚さ20nmのTaからなる非磁性中間層13を形成した後、この非磁性中間層13上に、スパッタリング法によってAl基体141を形成する。
次に、Al基体141を、例えば15℃、0.3M硫酸溶液に浸漬し、例えば8Vで陽極酸化処理し、内径およそ10nmで、平均間隔30nmのナノホール142が全面に均一に形成されたナノホール構造体を形成する。ナノホール142の高さは陽極酸化処理時間にほぼ比例する。例えば、陽極酸化処理時間を6分とすると、高さが約100nmのナノホール142が形成され、軟磁性裏打層12および磁気記録層14の剥離を生じることもない。ナノホール142の高さは充填される磁性体の高さとほぼ等しくなるので、所望の磁気記録層14の厚さと一致させることが好ましい。
陽極酸化処理によって形成されるナノホールは、通常ランダムに配置されるが、前処理としてAl基体141表面に細孔の形成開始点となる所望の窪みを形成しておくことによって、適切な陽極酸化条件によって前記窪み位置からナノホール142が成長し、これによって、規則的に配列したナノホール142を有するナノホール構造体を形成することができる。
次に、平坦化処理を施した磁気記録層14の表面に、例えばスパッタリング法等によって保護膜としてのカーボン層を形成し、カーボン層表面に潤滑剤を塗布する。これによって、磁性体保護性および表面潤滑性を兼ね備えた保護・潤滑層が形成され、磁極ヘッド浮上が可能な平坦表面を有するディスク状のナノホール垂直パターンドメディアとしての垂直磁気記録媒体となる。
図3(a)、(b)は、本発明の実施形態に係る磁気記録装置の構成を示す概略断面図および平面図である。図3において、この磁気記録装置100は、ハウジング101を有しており、ハウジング101内には、モータ103、ハブ102、複数の垂直磁気記録媒体10、磁極ヘッド112、サスペンション111、アーム110及びアクチュエータユニット113が設けられている。垂直磁気記録媒体10は、モータ103により回転されるハブ102に取り付けられている。信号記録再生手段としての磁極ヘッド112は、例えばインダクティブヘッド等のライトヘッドと、GMRヘッドやTMRヘッド等のリードヘッドとからなる。各磁極ヘッド112は、対応するアーム110の先端にサスペンション111を介して取り付けられている。アーム110は、アクチュエータユニット113によって駆動される。図3において、信号記録再生手段を1つ示しているが、2つまたはそれ以上設けても良い。また、1つの信号記録再生手段が複数の磁界を印加できるものであっても良いし、1つのアームに複数の磁極ヘッドを設けることもできる。また、垂直磁気記録媒体10の数は特に限定されない。
11 ディスク基板
12 軟磁性裏付層
121、122 軟磁性膜
123 非磁性膜
13 非磁性中間層
14 磁気記録層
141 基体
142 ナノホール
15 保護・潤滑層
16 下地層
18 磁束
19 ビット
30 磁極ヘッド
31 主磁極
32 補助磁極(リターンヨーク)
33 接続部
34 ライトコイル
35 被覆絶縁膜
36 主磁極補助層
100 磁気記録装置
101 ハウジング
102 ハブ
103 モータ
110 アーム
111 サスペンション
112 磁極ヘッド
113 アクチュエータユニット
Claims (5)
- 基板と、
前記基板上に積層された軟磁性裏打層と、
前記軟磁性裏打層上に形成され、ナノホールに磁性体が充填された記録層と、を有し、
前記基板と前記軟磁性裏打層との間にチタン又はチタン合金からなる下地層が形成されていることを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 請求項1に記載の垂直磁気記録媒体において、
前記下地層の層厚は、5〜20nmである
ことを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 請求項1又は2に記載の垂直磁気記録媒体において、
前記軟磁性裏打層は、コバルト(Co)を主成分とする合金からなる2層と、前記2層の間に挿入されたルテニウム(Ru)層とを有する
ことを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 基板と、
前記基板上に積層された軟磁性裏打層と、
前記軟磁性裏打層上に形成され、ナノホールに磁性体が充填された記録層と、を有する垂直磁気記録媒体の製造方法であって、
前記基板上に、チタン又はチタン合金からなる下地層を形成する工程と、
前記下地層上に、前記軟磁性裏打層を形成する工程と、
前記軟磁性裏打層上に、アルミニウム含有層を形成した後、前記アルミニウム含有層にナノホールを形成する工程と、
前記ナノホール内に磁性体を充填して記録層を形成する工程と、を有する
ことを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。 - 磁気記録媒体、磁気記録媒体回転機構、磁気ヘッド、磁気ヘッドを搭載したアーム部材、前記アーム部材を介して前記磁気ヘッドを移動させるヘッド移動機構と、を有する磁気記録装置において、
前記磁気記録媒体は、請求項1ないし3のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体である
ことを特徴とする磁気記録装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006313828A JP2008130157A (ja) | 2006-11-21 | 2006-11-21 | 垂直磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006313828A JP2008130157A (ja) | 2006-11-21 | 2006-11-21 | 垂直磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008130157A true JP2008130157A (ja) | 2008-06-05 |
Family
ID=39555823
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006313828A Pending JP2008130157A (ja) | 2006-11-21 | 2006-11-21 | 垂直磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008130157A (ja) |
-
2006
- 2006-11-21 JP JP2006313828A patent/JP2008130157A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3762277B2 (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
US8021769B2 (en) | Patterned perpendicular magnetic recording medium with exchange coupled recording layer structure and magnetic recording system using the medium | |
US20130314815A1 (en) | Underlayers for heat assisted magnetic recording (hamr) media | |
US7670696B2 (en) | Perpendicular magnetic recording medium with patterned magnetic islands and nonmagnetic trenches and manufacturing method for suppressing surface diffusion of trench material | |
JP2006286105A (ja) | 磁気記録媒体および磁気記憶装置 | |
WO2003078685A1 (fr) | Dispositif fonctionnel et procede de fabrication du dispositif, support d'enregistrement magnetique vertical, dispositif d'enregistrement et de lecture magnetique, et dispositif de traitement d'information | |
KR20040054818A (ko) | 수직 자기 기록 매체를 위한 의사-적층된 소프트 하부층들 | |
JP2006127681A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法、磁気記録再生装置 | |
JP2007250047A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
JP5256053B2 (ja) | 磁気記録媒体および磁気記録装置 | |
JP2009211781A (ja) | 垂直磁気記録媒体の製造方法 | |
JP2006092721A (ja) | 垂直磁気記録媒体用基板、その製造方法、および垂直磁気記録媒体 | |
JP5782819B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
JP2003196815A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JP2007276104A (ja) | ナノホール構造体及びその製造方法、並びに、磁気記録媒体及びその製造方法 | |
JP4220475B2 (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法、並びに、磁気記録装置及び磁気記録方法 | |
JP4348971B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体の製造方法及び垂直磁気記録媒体 | |
JP4123008B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 | |
JP2008130157A (ja) | 垂直磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録装置 | |
JP2006286106A (ja) | 垂直磁気記録媒体および磁気記憶装置 | |
JP2009223989A (ja) | ナノホール構造体及び磁気記録媒体 | |
US20080220290A1 (en) | Magnetic recording medium and manufacturing method for the same | |
JP4535666B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
JP4414421B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
JP2006277844A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法、並びに磁気記録装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20080313 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Effective date: 20080313 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20080313 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20090728 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20090915 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091020 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20100113 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Effective date: 20100128 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 |
|
A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Effective date: 20100219 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 |